JP5663379B2 - 接続端子構造及びソケット並びに電子部品パッケージ - Google Patents

Description

本発明は、基板に接続端子を設けた接続端子構造、及び前記接続端子構造を有するソケット、並びに前記接続端子構造を有する電子部品パッケージに関する。

従来より、被接続物を実装基板等と電気的に接続するソケットが知られている。図１は、従来のソケットを例示する断面図（その１）である。図１を参照するに、従来のソケット１００は、樹脂を成形したハウジング１０１と、ばね性を有する導電性の接続端子１０２とを有する。

ハウジング１０１には、複数の貫通孔１０１ｘが所定のピッチで配設されている。接続端子１０２は、一体的に構成された接続部１１５及び１１６とばね部１１７とを有し、ハウジング１０１の貫通孔１０１ｘ内に固定（嵌合）されている。接続部１１５はハウジング１０１の一方の面１０１ａから突出しており、接続部１１６はハウジング１０１の他方の面１０１ｂから露出している。

接続部１１６は、バンプ１０３を介して、マザーボード等の実装基板５００と電気的に接続されている。電極パッド４０１を有する被接続物４００（例えば、配線基板や半導体パッケージ等）がソケット１００の方向に押圧されると、接続部１１５は電極パッド４０１と接触する。これにより、ソケット１００と被接続物４００とは電気的に接続される。すなわち、被接続物４００は、ソケット１００を介してマザーボード等の実装基板５００と電気的に接続される（例えば、特許文献１参照）。

図２は、従来のソケットを例示する断面図（その２）である。図２を参照するに、従来のソケット２００は、基板２０１と、ばね性を有する導電性の接続端子２０２及び２０３とを有する。基板２０１には複数の貫通孔２０１ｘが所定のピッチで配設されている。基板２０１の一方の面２０１ａには配線２０４が形成され、配線２０４は一方の面２０１ａから貫通孔２０１ｘを介して他方の面２０１ｂに延在している。

接続端子２０２の一端は、基板２０１の一方の面２０１ａに形成された配線２０４上に固定されている。接続端子２０２の他端は、被接続物４００の電極パッド４０１と接触可能に構成されている。接続端子２０３の一端は、基板２０１の他方の面２０１ｂに形成された配線２０４上に固定されている。接続端子２０３の他端は、マザーボード等の実装基板５００と電気的に接続されている。なお、接続端子２０２と接続端子２０３とは同一部品としても構わない。

電極パッド４０１を有する被接続物４００（例えば、配線基板や半導体パッケージ等）がソケット２００の方向に押圧されると、接続端子２０２の他端は電極パッド４０１と接触する。これにより、ソケット２００と被接続物４００とは電気的に接続される。すなわち、被接続物４００は、ソケット２００を介してマザーボード等の実装基板５００と電気的に接続される（例えば、特許文献２参照）。

米国特許第７２６４４８６号明細書 米国特許第７３７１０７３号明細書

ところで、図１に示すソケット１００では、接続端子１０２の高さがソケット全体の高さを決定している。換言すれば、被接続物４００が、ソケット１００を介してマザーボード等の実装基板５００と電気的に接続される際に、被接続物４００と実装基板５００との間隔は、接続端子１０２の高さにより決定される。例えば、被接続物４００のソケット１００側に背の高い半導体チップやキャパシタ等が実装されており、被接続物４００と実装基板５００との間隔を図１よりも広げた状態で両者を接続する場合には、接続端子１０２の形状等を変更して高さを高くする必要があり、設計変更に手間を要する。

又、図２に示すソケット２００では、接続端子２０２及び２０３の高さ及び基板２０１の厚さがソケット全体の高さを決定している。上記と同様に、例えば、被接続物４００のソケット２００側に背の高い半導体チップやキャパシタ等が実装されており、被接続物４００と実装基板５００との間隔を図２よりも広げた状態で両者を接続する場合には、基板２０１を厚くすれば、接続端子２０２の形状等を変更する必要はない。しかしながら、基板２０１を厚くすると、貫通孔２０１ｘ内の配線２０４が長くなるため、高速信号伝播に障害が発生する虞がある。

又、ソケット１００及び２００の何れの場合にも、ソケット全体の高さを細かく調整することは困難であり、被接続物４００と実装基板５００との間隔を変える必要がある場合に柔軟に対応することができない。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、ソケット全体の高さを容易に変更できる接続端子構造、及び前記接続端子構造を有するソケット、並びに前記接続端子構造を有する電子部品パッケージを提供することを課題とする。

本接続端子構造の一の形態は、第１面及び前記第１面の反対面である第２面を備えた第１基板と、前記第１基板の第１面に形成された第１電極パッドと、前記第１基板の第２面に形成された第２電極パッドと、第３面及び前記第３面の反対面である第４面を備えた第２基板と、前記第２基板の第３面に形成された第３電極パッドと、前記第２基板の第４面に形成された第４電極パッドと、前記第１基板の第２面と前記第２基板の第３面との間に設けられ、前記第１基板の第２面の外縁部と前記第２基板の第３面の外縁部と接触して前記第１基板と前記第２基板とを接合する支持体と、前記支持体の内側に形成された前記第１基板の第２電極パッドと前記第２基板の第３電極パッドとを電気的に接続するフレキシブル基板と、前記第１電極パッド及び前記第４電極パッドの少なくとも一方と接合された接続端子と、を有することを要件とする。
又、本接続端子構造の他の形態は、第７面及び前記第７面の反対面である第８面を備えた第１補強板と、第９面及び前記第９面の反対面である第１０面を備えた第２補強板と、前記第１補強板の第８面と前記第２補強板の第９面との間に設けられ、前記第１補強板と前記第２補強板と接触して前記第１補強板と前記第２補強板とを接合する支持体と、第５面及び前記第５面の反対面である第６面を備え、前記第６面の一端側が前記第１補強板の第７面と接合され、前記第６面の他端側が前記第２補強板の第１０面と接合されたフレキシブル基板と、前記フレキシブル基板の第５面の一端側に形成された第１電極パッドと、前記フレキシブル基板の第５面の他端側に形成され、前記第１電極パッドと電気的に接続された第４電極パッドと、前記第１電極パッド及び前記第４電極パッドの少なくとも一方と接合された接続端子と、を有することを要件とする。

本ソケットは、本発明に係る接続端子構造を有し、前記接続端子構造を介して被接続物を着脱可能な状態で他の被接続物に接続することを要件とする。

本電子部品パッケージは、この順番で積層配置されている被接続物、本発明に係る接続端子構造、及び他の被接続物を有し、前記被接続物と前記他の被接続物とが前記接続端子構造を介して電気的に接続されていることを要件とする。

開示の技術によれば、ソケット全体の高さを容易に変更できる接続端子構造、及び前記接続端子構造を有するソケット、並びに前記接続端子構造を有する電子部品パッケージを提供できる。

従来のソケットを例示する断面図（その１）である。 従来のソケットを例示する断面図（その２）である。 第１の実施の形態に係る接続端子構造を例示する斜視図である。 第１の実施の形態に係る接続端子構造を例示する分解斜視図である。 第１の実施の形態に係る接続端子構造を例示する断面図である。 第１の実施の形態に係る接続端子構造を例示する平面図である。 第１の実施の形態に係る接続端子を例示する断面図である。 第１の実施の形態に係る接続端子構造の製造方法を例示する図（その１）である。 第１の実施の形態に係る接続端子構造の製造方法を例示する図（その２）である。 第１の実施の形態に係る接続端子構造の製造方法を例示する図（その３）である。 第１の実施の形態の変形例１に係る接続端子構造を例示する断面図である。 第１の実施の形態の変形例２に係る接続端子構造を例示する断面図である。 第１の実施の形態の変形例３に係る接続端子構造を例示する断面図である。 第１の実施の形態の変形例３に係る接続端子構造を例示する平面図である。 検査の対象となる半導体パッケージを例示する断面図（その１）である。 半導体パッケージを電気的に検査する際の接続例を示す断面図（その１）である。 検査の対象となる半導体パッケージを例示する断面図（その２）である。 半導体パッケージを電気的に検査する際の接続例を示す断面図（その２）である。 検査の対象となる半導体パッケージを例示する断面図（その３）である。 半導体パッケージを電気的に検査する際の接続例を示す断面図（その３）である。 第３の実施の形態に係る半導体パッケージを例示する断面図である。

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

なお、以下の実施の形態及びその変形例では、一例として、半導体パッケージ及び基板の平面形状が矩形状である場合を示すが、半導体パッケージ及び基板の平面形状は矩形状には限定されず、任意の形状として構わない。

〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る接続端子構造］
図３は、第１の実施の形態に係る接続端子構造を例示する斜視図である。図４は、第１の実施の形態に係る接続端子構造を例示する分解斜視図である。図５は、第１の実施の形態に係る接続端子構造を例示する断面図である。図６は、第１の実施の形態に係る接続端子構造を例示する平面図である。なお、図５は、図６の各接続端子３０の配設方向Ｃに平行な断面を示している。但し、図６に示すように、平面視において各接続端子３０は配設方向Ｃに対して傾いているため、配設方向Ｃに平行な断面図では接続端子３０の断面形状を示すことができない。そこで、便宜上、図５では、配設方向Ｃに対してθ_１傾斜した方向に平行な接続端子３０の断面形状を模式的に示している（以降の断面図でも同様）。

図３〜図６を参照するに、接続端子構造１０は、大略すると、２枚の基板２０と、接続端子群３０Ａと、接続端子群３０Ｂと、接合部４０及び４１と、フレキシブル基板５０と、支持体５５とを有する。

接続端子構造１０において、接続端子群３０Ａは、一方の基板２０を介して、フレキシブル基板５０の一端側に接合されている。又、接続端子群３０Ｂは、他方の基板２０を介して、フレキシブル基板５０の他端側に接合されている。一方の基板２０と他方の基板２０とは略平行となるように支持体５５に固定されており、接続端子群３０Ａの各接続端子３０の接続部３２と接続端子群３０Ｂの各接続端子３０の接続部３２とは互いに反対方向を向いている。なお、接続端子群３０Ａ及び接続端子群３０Ｂは、それぞれ同一数の接続端子３０が同一規則で配列されたものであるが、便宜上別符号としている。以下、接続端子構造１０の構成要素について詳説する。

各基板２０は、基板本体２１と、基板本体２１の一方の面２１ａに形成された複数の電極パッド２２と、他方の面２１ｂに形成された複数の電極パッド２３と、基板本体２１の一方の面２１ａから他方の面２１ｂに貫通する貫通孔２１ｘ内に形成された貫通配線２４とを有する。各電極パッド２２は、接続端子３０の位置に対応して例えばペリフェラル状やエリアアレイ状に配列されている。各電極パッド２３は、基板本体２１を介して、各電極パッド２２と対向する位置に配列されている。基板本体２１を介して対向する位置に形成された電極パッド２２と電極パッド２３とは、貫通配線２４を介して電気的に接続されている。

基板本体２１は、接続端子３０を固定するための基体となるものであり、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸したリジッドな基板（例えば、ＦＲ４材等）を用いることができる。基板本体２１の平面形状は、例えば、矩形状とすることができる。基板本体２１の厚さは、例えば、０．２〜０．８ｍｍ程度とすることができる。

電極パッド２２、電極パッド２３、及び貫通配線２４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。電極パッド２２、電極パッド２３の厚さは、例えば、５〜１０μｍ程度とすることができる。電極パッド２２、電極パッド２３、及び貫通配線２４は、例えば、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種配線形成方法により形成できる。なお、電極パッド２２の一部を露出するソルダーレジスト層を設けても構わない。同様に、電極パッド２３の一部を露出するソルダーレジスト層を設けても構わない。

接続端子群３０Ａ及び接続端子群３０Ｂは、それぞれ複数の接続端子３０が所定の規則で配列されたものである。接続端子群３０Ａ及び接続端子群３０Ｂに含まれる各接続端子３０は、ばね性を有する導電性の部材である。接続端子３０の一端である固定部３１は、接合部４０を介して電極パッド２２と電気的及び機械的に接続されている。接続端子３０の他端である接続部３２は、被接続物の電極パッド等に離間可能な状態（固定されていない状態）で当接し、被接続物の電極パッド等と電気的に接続される部分である。

接続端子群３０Ａ及び接続端子群３０Ｂにおいて、各接続端子３０は、平面視において、各接続端子３０の配設方向Ｃに対して所定の角度θ_１をなして傾くように配列されている（図６参照）。所定の角度θ_１は、例えば、２５〜３５度程度とすることができる。このように、各接続端子３０を、各接続端子３０の配設方向Ｃに対して傾斜させて配列することにより、配設方向Ｃに対して平行に配列した場合と比較して、単位面積当たりに多くの接続端子３０を配列することが可能となる。これにより、例えば０．４ｍｍ程度の狭ピッチで電極パッド（例えば、後述の電極パッド６４等）が配列された被接続物（例えば、後述の半導体パッケージ６０Ａ等）にも対応可能となる。なお、接続端子３０の詳細な構造については、後述する。

接合部４０は、電極パッド２２上に形成され、接続端子群３０Ａの接続端子３０の固定部３１と電極パッド２２とを電気的及び機械的に接続している。接合部４０の材料としては、はんだや導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等の導電性材料を用いることができる。接合部４０の材料としてはんだを用いる場合は、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。

フレキシブル基板５０は、基板本体５１と、複数の電極パッド５２及び５３とを有するフレキシブルなフィルム状基板である。各電極パッド５２は、基板本体５１の一方の面５１ａの一端側に形成されており、接合部４１を介して、フレキシブル基板５０の一方の面５１ａの一端側に積層された一方の基板２０の各電極パッド２３と電気的に接続されている。各電極パッド５３は、基板本体５１の一方の面５１ａの他端側に形成されており、接合部４１を介して、フレキシブル基板５０の一方の面５１ａの他端側に積層された他方の基板２０の各電極パッド２３と電気的に接続されている。接合部４１の材料としては、はんだや導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等の導電性材料を用いることができる。接合部４１の材料としてはんだを用いる場合は、例えば、Ｐｂを含む合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。

フレキシブル基板５０は、電極パッド５２が形成されている領域（一方の面５１ａの一端側）と、電極パッド５３が形成されている領域（一方の面５１ａの他端側）との間で折り曲げられ、各電極パッド５２と各電極パッド５３とは、平面視において略重複する位置に配置されている。平面視において略重複する位置に配置されている電極パッド５２と電極パッド５３とは、基板本体５１の一方の面５１ａや基板本体５１の内層等に形成された配線パターン（図示せず）により電気的に接続されている。

基板本体５１としては、例えば、各基板２０よりも柔軟性が高いポリイミド樹脂や液晶ポリマ等の材料を用いることができる。基板本体５１の平面形状（折り曲げていない状態）は、例えば、短冊状とすることができる。基板本体５１の厚さは、例えば、５０〜２００μｍ程度とすることができる。

電極パッド５２及び５３の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。電極パッド５２及び５３の厚さは、例えば、５〜１０μｍ程度とすることができる。電極パッド５２及び５３は、例えば、セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の各種配線形成方法により形成できる。なお、電極パッド５２及び５３の一部を露出するソルダーレジスト層を設けても構わない。

このように、接続端子群３０Ａの各接続端子３０は、一方の基板２０、フレキシブル基板５０、及び他方の基板２０を介して、接続端子群３０Ｂの対応する各接続端子３０と電気的に接続されている。なお、接続端子群３０Ｂの対応する各接続端子３０とは、接続端子群３０Ａの各接続端子３０と平面視において略重複する位置に配置された接続端子３０を指す。

支持体５５は、平面形状が略コの字型で高さが略一定の部材である。支持体５５は、一方の基板２０と他方の基板２０との間に配置されている。支持体５５は、一方の基板２０及び他方の基板２０を外側に向けて、一方の面５１ａの一端側と他端側とが対向するようにフレキシブル基板５０を折り曲げた状態で、一方の基板２０及び他方の基板２０を支持している。又、支持体５５は、接続端子群３０Ａの各接続端子３０と接続端子群３０Ｂの各接続端子３０との間隔（高さ）を規定している。支持体５５の上端面５５ａは、例えば、接着剤（図示せず）を介して、一方の基板２０の下面外縁部と接合されている。支持体５５の下端面５５ｂは、例えば、接着剤（図示せず）を介して、他方の基板２０の上面外縁部と接合されている。支持体５５は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料や、エポキシ樹脂等を主成分とする樹脂材料等により形成できる。なお、支持体５５と一方の基板２０及び他方の基板２０とは、接着剤を用いずに、圧入やねじ止め等により固定しても構わない。支持体５５の高さ（一方の基板２０と他方の基板２０との間隔）は、例えば、５ｍｍ以上とすることができる。

ここで、図７を参照しながら、接続端子３０の詳細な構造について説明する。図７は、第１の実施の形態に係る接続端子を例示する断面図である。図７を参照するに、接続端子３０は、ばね性を有する導電性の部材であり、固定部３１と、接続部３２と、ばね部３３と、第１支持部３４と、第２支持部３５とを有する。

固定部３１は、接続端子３０の一端に形成されている。固定部３１は、板状とされている。固定部３１の厚さ（Ｚ方向）は、例えば０．０８ｍｍ程度とすることができる。固定部３１の横幅（Ｙ方向）は、例えば０．４ｍｍ程度とすることができる。固定部３１の縦幅（Ｘ方向）は、例えば０．４ｍｍ程度とすることができる。

接続部３２は、接続端子３０の他端に形成され、固定部３１と対向するように配置されている。接続部３２は、ばね部３３、第１支持部３４、及び第２支持部３５を介して、固定部３１と電気的に接続されている。接続部３２は、当接部３８と、突出部３９とを有する。接続部３２の厚さは、例えば０．０８ｍｍ程度とすることができる。接続部３２の横幅（Ｙ方向）は、例えば、０．２ｍｍ程度とすることができる。なお、ばね部３３、第１支持部３４、及び第２支持部３５を、接続端子３０の湾曲部と称する場合がある。

当接部３８は、被接続物の電極パッド（例えば、後述する半導体パッケージ６０Ａの電極パッド６４等）と当接する部分である。当接部３８はラウンド形状とされており、接続端子３０が押圧された際、主にＺ方向に移動する。このように、当接部３８をラウンド形状とすることにより、当接部３８が押圧され電極パッド６４等と当接する際、当接部３８により電極パッド６４等が破損することを防止できる。

又、当接部３８は、例えば半導体パッケージ６０Ａが接続部３２を押圧した際、ばね部３３の変形により、接続部３２が固定部３１に近づく方向（Ｚ方向）に移動した状態で、電極パッド６４等と当接する。これにより、電極パッド６４等と接続部３２とが当接した際、接続部３２が、電極パッド６４等が形成された面と平行な方向に大きく移動することがなくなるため、電極パッド６４等を狭ピッチに配置できる。電極パッド６４等のピッチ（当接部３８のピッチ）は、例えば、０．４〜１．５ｍｍ程度とすることができる。

突出部３９は、一方の端部が第２支持部３５と一体的に形成されており、他方の端部が当接部３８と一体的に形成されている。突出部３９は、第２支持部３５から電極パッド６４等に向かう方向（固定部３１から離間する方向）に突出している。

このように、当接部３８と第２支持部３５との間に、当接部３８及び第２支持部３５と一体的に形成され、第２支持部３５から電極パッド６４等に向かう方向（固定部３１から離間する方向）に突出する突出部３９を設けることにより、以下の効果を奏する。すなわち、半導体パッケージ６０Ａ等が当接部３８を押圧した際の、ばね部３３の変形による電極パッド６４等と第２支持部３５との接触を防止することが可能となり、接続端子３０及び電極パッド６４等の破損を防止できる。

電極パッド６４等と接続部３２とが当接していない状態における接続部３２の突出量Ｄ（第２支持部３５と突出部３９との接続部分を基準としたときの突出量）は、例えば、０．３ｍｍとすることができる。

ばね部３３は、第１支持部３４と第２支持部３５との間に配置されており、第１支持部３４及び第２支持部３５と一体的に形成されている。ばね部３３は、湾曲した形状（例えば、Ｃ字型）とされており、ばね性を有する。

ばね部３３は、半導体パッケージ６０Ａ等により接続部３２が押圧された際、接続部３２を電極パッド６４等に向かう方向に反発させることで、接続部３２と電極パッド６４等とを固定することなく接触させるためのものである。ばね部３３の横幅（Ｙ方向）及び厚さは、例えば、接続部３２の横幅（Ｙ方向）及び厚さと同じにすることができる。

なお、本実施の形態の接続端子３０では、実際には、第１支持部３４、ばね部３３、第２支持部３５、及び接続部３２が一体的にばねとして機能する。第１支持部３４、ばね部３３、第２支持部３５、及び接続部３２に対応する部分の接続端子３０のばね定数は、例えば、０．６〜０．８Ｎ／ｍｍとすることができる。

第１支持部３４は、ばね部３３と固定部３１との間に配置されている。第１支持部３４の一方の端部は、ばね部３３の一方の端部と一体的に形成されており、第１支持部３４の他方の端部は、固定部３１と一体的に形成されている。第１支持部３４は、板状とされている。

第１支持部３４は、固定部３１の面３１ａを含む平面Ｅと、基板２０と対向する側の第１支持部３４の面３４ａとが成す角度θ_２が鋭角となるように形成されている。角度θ_２は、例えば、５〜１５度とすることができる。

このように、角度θ_２を鋭角にすることで、半導体パッケージ６０Ａ等が当接部３８を押圧した際のばね部３３の変形による基板２０と第１支持部３４との接触を防止することが可能となるため、接続端子３０及び基板２０の破損を防止できる。第１支持部３４の横幅（Ｙ方向）及び厚さは、例えば、接続部３２の横幅（Ｙ方向）及び厚さと同じにすることができる。

第２支持部３５は、ばね部３３と接続部３２との間に配置されている。第２支持部３５の一方の端部は、ばね部３３の他方の端部と一体的に形成されており、第２支持部３５の他方の端部は、接続部３２の突出部３９と一体的に形成されている。第２支持部３５は、板状とされている。第２支持部３５の横幅（Ｙ方向）及び厚さは、例えば、接続部３２の横幅（Ｙ方向）及び厚さと同じにすることができる。

図７に示す状態（接続端子３０の接続部３２が押圧されていない状態）における接続端子３０の高さＨは、例えば、１〜２ｍｍ程度とすることができる。

［第１の実施の形態に係る接続端子構造の製造方法］
次に、図８〜図１０を参照しながら、接続端子構造１０の製造方法について説明する。図８〜図１０は、第１の実施の形態に係る接続端子構造の製造方法を例示する図である。なお、図８において、基板２０等は図５等とは上下が反転した状態で描かれている。

まず、図８に示す工程では、接続端子群３０Ａとなる各接続端子３０（本実施の形態では１６個）及び接続端子群３０Ｂとなる各接続端子３０（本実施の形態では１６個）と、電極パッド２２上に接合部４０が形成され電極パッド２３上に接合部４１が形成された２枚の基板２０と、１枚のフレキシブル基板５０とを準備し、それらを所定の状態に配置する。

具体的には、接続端子群３０Ａとなる各接続端子３０を、固定部３１を上側に向けて、所定の配列用治具（図示せず）に仮固定する。又、接続端子群３０Ｂとなる各接続端子３０を、固定部３１を上側に向けて、所定の配列用治具（図示せず）に仮固定する。そして、接続端子群３０Ａの各接続端子３０の固定部３１上に接合部４０を介して一方の基板２０の電極パッド２２を接触させ、接続端子群３０Ｂの各接続端子３０の固定部３１上に接合部４０を介して他方の基板２０の電極パッド２２を接触させる。更に、接合部４１を介して一方の基板２０の電極パッド２３をフレキシブル基板５０の電極パッド５２と接触させ、接合部４１を介して他方の基板２０の電極パッド２３をフレキシブル基板５０の電極パッド５３と接触させる。

なお、基板２０及びフレキシブル基板５０は周知の方法により作製でき、接続端子３０は、例えば、以下のようにして作製できる。すなわち、図示していない金属板（例えば、リン青銅やベリリウム銅、コルソン系の銅合金等のＣｕ系合金）を準備し、準備した金属板を所定の形状に打ち抜き加工する。この際、例えば、長尺状に打ち抜く。その後、打ち抜き加工された金属板の表面全体にＮｉめっき膜（例えば、厚さ１〜３μｍ）を形成し、更に、固定部３１及び接続部３２に対応する部分に形成されたＮｉめっき膜に、Ａｕめっき膜（例えば、厚さ０．３〜０．５μｍ）を積層形成（Ａｕめっき膜を部分的に形成）する。その後、Ｎｉめっき膜及びＡｕめっき膜が形成された金属板を曲げ加工することで接続端子３０が完成する。なお、接続端子３０は、図示していない金属板を所定の形状にエッチング加工した後、エッチング加工された金属板を曲げ加工することで形成してもよい。

次に、図９に示す工程では、図８に示す構造体を相互に接合する。具体的には、所定の配列用治具（図示せず）も含めた図８に示す構造体をリフロー炉に通して例えば２３０℃程度に加熱し、はんだや導電性樹脂ペースト（例えば、Ａｇペースト）等の導電性材料である接合部４０及び接合部４１を溶融させた後、常温に戻して硬化させる。その後、所定の配列用治具（図示せず）を取り外すことにより、図８に示す構造体が相互に接合された図９に示す構造体が作製される。なお、図８と図９とは上下が反転した状態で描かれている。

次に、図１０に示す工程では、図９に示す構造体のフレキシブル基板５０を、電極パッド５２が形成されている領域（一方の面５１ａの一端側）と、電極パッド５３が形成されている領域（一方の面５１ａの他端側）との間で折り曲げる。この際、一方の基板２０及び他方の基板２０を外側に向けて、一方の面５１ａの一端側と他端側とが対向するようにフレキシブル基板５０を折り曲げ、一方の基板２０と他方の基板２０とが略平行となるようにする。

その後、図４等に示した支持体５５を準備し、支持体５５の上端面５５ａを、例えば、接着剤（図示せず）を介して、一方の基板２０の下面外縁部と接合し、下端面５５ｂを、例えば、接着剤（図示せず）を介して、他方の基板２０の上面外縁部と接合する。これにより、図３〜図６に示す接続端子構造１０が完成する。なお、例えば支持体５５の上端面５５ａ及び下端面５５ｂにそれぞれ凸部を設け、一方の基板２０及び他方の基板２０の端部にそれぞれの凸部と嵌合する凹部を設けることにより、一方の基板２０及び他方の基板２０と支持体５５とを容易に位置決めできる。

このように、第１の実施の形態では、接続端子構造１０において、接続端子群３０Ａの各接続端子３０は一方の基板２０を介して支持体５５の一方の側に固定され、接続端子群３０Ｂの各接続端子３０は他方の基板２０を介して支持体５５の他方の側に固定され、接続端子群３０Ａの各接続端子３０と、それと平面視において略重複する位置に配置された接続端子群３０Ｂの各接続端子３０とは、各基板２０及びフレキシブル基板５０を介して電気的に接続されている。その結果、例えば、接続端子群３０Ａの各接続端子３０の接続部３２を被接続物の電極パッドに当接させ、接続端子群３０Ｂの各接続端子３０の接続部３２を他の被接続物の電極パッドに当接させ、被接続物を他の被接続物側に押圧することにより、被接続物を他の被接続物と電気的に接続することができる。

又、支持体５５を、支持体５５と同様の形状で高さのみ異なる他の支持体と置換することにより、基板２０や接続端子３０の構造を設計変更することなく、接続端子構造１０全体の高さを容易に変更できる。これにより、被接続物を他の被接続物とある程度の距離を離して接続しなければいけない場合にも容易に対応できる。なお、必要に応じて、フレキシブル基板５０の長さを変更してもよい。フレキシブル基板５０の長さは、容易に変更できる。又、フレキシブル基板５０の折り曲げ部分は、支持体５５の高さ変更に対応できるよう、弛ませて折り曲げておくと好適である。

又、図２に示す従来のソケット２００では、ソケット全体の高さを高くする場合に基板２０１を厚くする必要があるが、接続端子構造１０では、支持体５５の高さのみを変更すればソケット全体の高さを高くできるため、基板２０を厚くする必要はない。そのため、基板２０に接続端子３０をはんだ等で接合する際の熱容量を小さくすることが可能となり、接続端子構造１０の製造工程を容易化できる。

又、基板２０を厚くする必要がないため、接続端子構造１０内の配線経路に占める貫通配線２４の割合を減らし、代わりにフレキシブル基板５０の配線パターンに置き換えることができる。その結果、例えば、フレキシブル基板５０の配線パターンをマイクロストリップライン等の伝送線路構造とすることが可能となり、高速信号の伝送特性を改善できる。

〈第１の実施の形態の変形例１〉
第１の実施の形態の変形例１では、フレキシブル基板の裏側に補強板を設ける例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１１は、第１の実施の形態の変形例１に係る接続端子構造を例示する断面図である。図１１を参照するに、第１の実施の形態の変形例１に係る接続端子構造１０Ａは、基板２０が削除され、補強板２５が設けられ、支持体５５が支持体５７に置換された点が、接続端子構造１０（図３〜図６参照）と相違する。

接続端子構造１０Ａにおいて、補強板２５は、例えば、絶縁性樹脂から形成された平板状の部材である。補強板２５には、電極パッドや貫通配線等の導電部は形成されていない。補強板２５の厚さは、例えば、数ｍｍ程度とすることができる。支持体５７は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）等の金属材料や、エポキシ樹脂等を主成分とする樹脂材料等により形成された箱状の部材（例えば、直方体のブロック）である。支持体５７は、中空であってもよいし、そうでなくてもよい（図１１の例では中空）。

接続端子群３０Ａの各接続端子３０は、接合部４０を介して、フレキシブル基板５０の基板本体５１の一方の面５１ａの一端側に形成された各電極パッド５２と電気的に接続されている。又、接続端子群３０Ｂの各接続端子３０は、フレキシブル基板５０の基板本体５１の一方の面５１ａの他端側に形成された各電極パッド５３と電気的に接続されている。なお、各電極パッド５２及び５３は、接続端子３０の位置に対応して例えばペリフェラル状やエリアアレイ状に配列されている。

フレキシブル基板５０の基板本体５１の他方の面５１ｂの一端側は、一方の補強板２５を介して、支持体５７の上面に接合されている。フレキシブル基板５０の基板本体５１の他方の面５１ｂの他端側は、他方の補強板２５を介して、支持体５７の下面に接合されている。つまり、支持体５７は、一方の面５１ａを外側に向けて一方の補強板２５と他方の補強板２５とが対向するようにフレキシブル基板５０を折り曲げた状態で、一方の補強板２５及び他方の補強板２５を支持している。フレキシブル基板５０と補強板２５、及び補強板２５と支持体５７とは、例えば、接着剤（図示せず）を介して接合できる。なお、フレキシブル基板５０と補強板２５、及び補強板２５と支持体５７とは、接着剤を用いずに、圧入やねじ止め等により固定しても構わない。

フレキシブル基板５０の電極パッド５２が形成されている領域と電極パッド５３が形成されている領域とを繋ぐ領域は、例えば、接着剤（図示せず）を介して、支持体５７の外側面と接合されている。なお、フレキシブル基板５０の基板本体５１は、各補強板２５よりも柔軟性が高いポリイミド樹脂や液晶ポリマ等の材料により形成されている。

なお、フレキシブル基板５０に接合端子３０を接合する際には、予めフレキシブル基板５０の基板本体５１の他方の面５１ｂの一端側及び他端側に、それぞれ補強板２５を接合しておく。

このように、第１の実施の形態の変形例１によれば、第１の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、第１の実施の形態に係る基板２０に代えて、電極パッドや貫通配線等の導電部が形成されていない補強板２５を用いることにより、補強板２５の材料費や加工費が低減可能となり、接続端子構造１０Ａを接続端子構造１０よりも低価格化できる。

なお、第１の実施の形態の変形例１において、第１の実施の形態と同様に、支持体５５を用いてもよい。

〈第１の実施の形態の変形例２〉
第１の実施の形態の変形例２では、支持体の一方の側のみに接続端子群を設ける例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１２は、第１の実施の形態の変形例２に係る接続端子構造を例示する断面図である。図１２を参照するに、第１の実施の形態の変形例２に係る接続端子構造１０Ｂは、接続端子群３０Ｂ、及び他方の基板２０と接続端子群３０Ｂとを接合する接合部４０が削除された点が、接続端子構造１０（図３〜図６参照）と相違する。つまり、接続端子構造１０Ｂでは、支持体５５の一方の側に支持されている一方の基板２０には接続端子群３０Ａが設けられているが、他方の側に支持されている他方の基板２０には接続端子群が設けられていない。支持体５５の他方の側には他方の基板２０の電極パッド２２が露出している。

接続端子構造１０Ｂを用いると、例えば、他方の基板２０の電極パッド２２をはんだ等を介して被接続物の電極パッドに接合し、接続端子群３０Ａの各接続端子３０の接続部３２を他の被接続物の電極パッドに当接させ、他の被接続物を被接続物側に押圧することにより、被接続物を他の被接続物と電気的に接続することができる。なお、他方の基板２０の電極パッド２２上に予めはんだ等の接合部を形成しておいてもよい。

このように、第１の実施の形態の変形例２によれば、第１の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、支持体５５の一方の側のみに接続端子群３０Ａを設けることにより、接続端子３０の必要数が減るため、接続端子３０の材料費や加工費が低減可能となり、接続端子構造１０Ｂを接続端子構造１０よりも低価格化できる。一方の被接続物とは着脱可能な状態で接続する必要がない場合には、接続端子構造１０Ｂのような構造とすることができる。

〈第１の実施の形態の変形例３〉
第１の実施の形態の変形例３では、第１の実施の形態とは平面形状の異なる接続端子構造の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例３において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１３は、第１の実施の形態の変形例３に係る接続端子構造を例示する断面図である。図１４は、第１の実施の形態の変形例３に係る接続端子構造を例示する平面図である。図１３及び図１４を参照するに、第１の実施の形態の変形例３に係る接続端子構造１０Ｃは、基板２０が基板２０Ａに、接続端子群３０Ａが接続端子群３０Ｃに、接続端子群３０Ｂが接続端子群３０Ｄに、フレキシブル基板５０がフレキシブル基板５０Ａに置換された点が、接続端子構造１０（図３〜図６参照）と相違する。

接続端子構造１０Ｃにおいて、各基板２０Ａは、中央部近傍に開口部２１ｙが形成されている基板本体２１Ａを有する。各基板本体２１Ａの開口部２１ｙの周辺部には、電極パッド２２、貫通配線２４、及び電極パッド２３が配置されている。各電極パッド２２及び２３は、接続端子３０の位置に対応して例えばペリフェラル状に配列されている。

接続端子群３０Ｃにおいて、一方の基板２０Ａの領域Ｌに配列された接続端子３０と、領域Ｒに配列された接続端子３０とは、概ね対向している。接続端子群３０Ｄにおいて、他方の基板２０Ａの領域Ｌに配列された接続端子３０と、領域Ｒに配列された接続端子３０とは、概ね対向している。このような配列により、接続端子３０がＺ方向に押圧されたときに、横方向（Ｚ方向以外の方向）に生じる反力を低減できる。特に、接続端子３０の数が多いときに有効である。但し、例えば接続端子３０の数が比較的少ない場合のように、横方向（Ｚ方向以外の方向）に生じる反力が問題にならない場合には、領域Ｌの接続端子３０と領域Ｒの接続端子３０とが同一方向を向くように配列しても構わない。

平面視において、接続端子３０は、接続端子３０の配設方向Ｃに対して所定の角度θ_１をなして傾くように配列されている。但し、本実施の形態では、領域Ｌの接続端子３０と領域Ｒの接続端子３０とが概ね対向しているため、領域Ｌの接続端子３０と領域Ｒの接続端子３０とは、傾く方向が異なっている。所定の角度θ_１は、例えば、２５〜３５度程度とすることができる。

なお、図１４では、領域Ｌの接続端子３０と領域Ｒの接続端子３０とが配設方向Ｃに垂直な対称軸に対して線対称となるように配列されているが、これとは異なる配列としてもよい。例えば、領域Ｌの接続端子３０を図１４の位置から、配設方向Ｃに平行な対称軸に対して線対称となるような位置に変更してもよい。つまり、領域Ｌの接続端子３０と領域Ｒの接続端子３０とが、同一方向に傾くようにしてもよい。

フレキシブル基板５０Ａは、一端側の中央部近傍に開口部５１ｘが形成されており、他端側の中央部近傍に開口部５１ｙが形成されている基板本体５１Ａを有する。基板本体５１Ａの開口部５１ｘ及び５１ｙと、各基板本体２１Ａの開口部２１ｙとは、平面視において略重複する位置に形成されている。つまり、接続端子構造１０Ｃは、一方の基板２０Ａの電極パッド２２側から他方の基板２０Ａの電極パッド２２側に貫通する開口部を有する。なお、開口部５１ｘ及び５１ｙは、開口部２１ｙより大きくてもよい。

開口部５１ｘの周辺部には、接続端子群３０Ｃの各接続端子３０が接続される電極パッド２３に対応する電極パッド５２が配置されており、開口部５１ｙの周辺部には、接続端子群３０Ｄの各接続端子３０が接続される電極パッド２３に対応する電極パッド５３が配置されている。

このように、第１の実施の形態の変形例３によれば、第１の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、各基板２０Ａ及びフレキシブル基板５０Ａに開口部を設けることにより、被接続物を他の被接続物と電気的に接続する際に、被接続物又は他の被接続物の一方又は双方に実装された背の高い部品を逃げることができる。

〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、第１の実施の形態の変形例３に係る接続端子構造１０Ｃを用いて半導体パッケージの電気的な検査を行う例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１５は、検査の対象となる半導体パッケージを例示する断面図（その１）である。図１５を参照するに、半導体パッケージ１００は、半導体パッケージ６０Ｂ上に接合部４３を介して半導体パッケージ６０Ａが積層された所謂ＰＯＰ構造（パッケージオンパッケージ構造）の半導体パッケージである。

半導体パッケージ６０Ａは、基板６１と、半導体チップ６２と、封止樹脂６３と、電極パッド６４とを有する所謂ＬＧＡ（Land grid array）である。基板６１は、例えば絶縁性樹脂を含む基板本体に絶縁層、配線パターン、貫通配線等（図示せず）が形成されたものである。基板６１の一方の面にはシリコン等を含む半導体チップ６２が実装され、他方の面には配線パターンの一部である電極パッド６４が形成されている。半導体チップ６２と電極パッド６４とは、基板６１に形成された貫通配線（図示せず）を介して電気的に接続されている。

電極パッド６４の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。電極パッド６４の厚さは、例えば、５〜１０μｍ程度である。半導体チップ６２は、例えばフリップチップ接続により基板６１に搭載され、絶縁性樹脂からなる封止樹脂６３により封止されている。なお、半導体チップ６２の背面を露出するように封止樹脂６３を設け、半導体チップ６２の背面に例えば銅（Ｃｕ）等からなる放熱板を配置しても構わない。

電極パッド６４は、基板６１の他方の面の中央部近傍を除く領域に、例えばペリフェラル状に配置されている。なお、接続信頼性を向上するために、電極パッド６４の上面に無電解めっき法等により貴金属層を積層形成しても構わない。貴金属層としては、例えば、金（Ａｕ）層やパラジウム（Ｐｄ）層等の貴金属を含む層を用いることができる。金（Ａｕ）層の下層として、ニッケル（Ｎｉ）層やＮｉ／Ｐｄ層（Ｎｉ層とＰｄ層をこの順番で積層した金属層）等を形成しても構わない。

半導体パッケージ６０Ｂは、基板６１と、半導体チップ６２と、封止樹脂６３と、電極パッド６４と、電極パッド６５とを有する所謂ＬＧＡ（Land grid array）である。基板６１、半導体チップ６２、封止樹脂６３、及び電極パッド６４については半導体パッケージ６０Ａと同様であるため説明を省略する。電極パッド６５は、基板６１の一方の面の半導体チップ６２の周辺領域に形成されている。電極パッド６５の形成位置は、半導体パッケージ６０Ａの電極パッド６４の形成位置に対応している。

電極パッド６５は、半導体チップ６２と電気的に接続されている。又、電極パッド６５は、他方の面の電極パッド６４と貫通配線（図示せず）を介して電気的に接続されている。電極パッド６５の材料等は電極パッド６４と同様とすることができる。なお、半導体パッケージ６０Ａと同様に、電極パッド６５の上面に貴金属層を積層形成しても構わない。

半導体パッケージ６０Ｂの電極パッド６５と半導体パッケージ６０Ａの電極パッド６４とは、接合部４３を介して電気的に接続されている。接合部４３の材料は、接合部４０等と同様とすることができる。なお、半導体パッケージ６０Ｂの半導体チップ６２は、半導体パッケージ６０Ａの半導体チップ６２と同一機能であっても構わないし、異なる機能を備えていても構わない。

半導体パッケージ１００の電気的な検査を実施する場合、図１５に示す完成状態で検査してもよいが、半導体パッケージ６０Ａ及び６０Ｂの何れか一方に不具合が検出された場合には半導体パッケージ１００のリペアが必要となる。そこで、このような問題を避けるため、接続端子構造１０Ｃを用いて、相互に接合する前の半導体パッケージ６０Ａ及び６０Ｂを電気的に検査することが好ましい。以下に半導体パッケージ６０Ａ及び６０Ｂを電気的に検査する際の接続例を示す。

図１６は、半導体パッケージを電気的に検査する際の接続例を示す断面図（その１）である。図１６を参照するに、検査用基板７０、第１の接続端子構造１０Ｃ（便宜上、接続端子構造１０Ｃ_１とする）、半導体パッケージ６０Ｂ、第２の接続端子構造１０Ｃ（便宜上、接続端子構造１０Ｃ_２とする）、半導体パッケージ６０Ａが順次積層され、筐体８０により保持されている。なお、接続端子構造１０Ｃ_１、接続端子構造１０Ｃ_２、及び筐体８０は、本発明に係るソケットの代表的な一例である。

検査用基板７０は、基板本体７１に配線パターンの一部である電極パッド７２等が設けられた基板であり、半導体検査システム（図示せず）と電気的に接続されている。検査用基板７０は、半導体検査システム（図示せず）と半導体パッケージ６０Ａ及び６０Ｂとの間で検査用の電気信号を入出力することができる。

筐体８０は、枠部８１と、蓋部８２とを有する。枠部８１は、中央に略矩形状の開口部を有する額縁状の部材に位置決め保持部８３〜８６を設けたものであり、剛性のある金属や樹脂等から形成されている。枠部８１は、例えば、検査用基板７０を貫通するボルトや接着剤等（図示せず）により、検査用基板７０の上面に固着されている。

枠部８１は、接続端子構造１０Ｃ_１、半導体パッケージ６０Ｂ、接続端子構造１０Ｃ_２、及び半導体パッケージ６０Ａの位置決め及び保持をし、それぞれを位置合わせする機能を有する。又、枠部８１は、接続端子構造１０Ｃ_１、半導体パッケージ６０Ｂ、接続端子構造１０Ｃ_２、及び半導体パッケージ６０Ａの相互の間隔が所定値以下になることを防止する機能を有する。

位置決め保持部８３は、面８３ａと面８３ｂとを有する。面８３ａは、枠部８１の上面８１ａよりも内側の、上面８１ａよりも一段下がった位置に、上面８１ａと略平行に額縁状に設けられた面である。面８３ｂは、面８３ａと上面８１ａとの間に上面８１ａと略垂直に設けられた面であり、枠部８１の内側面の一部である。

面８３ａは、半導体パッケージ６０Ａの基板６１の下面の外縁部と接している。面８３ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ６０Ａの平面形状に合わせて矩形状とされている。又、面８３ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ６０Ａの着脱を可能とするため、基板６１の外形形状よりも若干大きくされている。面８３ｂと基板６１の側面とは、接していても構わないし、接続端子構造１０Ｃ_２の接続端子群３０Ｃの各接続端子３０の他端である接続部３２と半導体パッケージ６０Ａの電極パッド６４との間に位置ずれが生じない程度の隙間があっても構わない。

半導体パッケージ６０Ａは、位置決め保持部８３により保持されるため、位置決め保持部８３の面８３ａよりも接続端子構造１０Ｃ_２側に押し込まれることはない。その結果、半導体パッケージ６０Ａが必要以上に接続端子構造１０Ｃ_２側に押し込まれ、接続端子３０が必要以上に変形して破損することを防止できる。

位置決め保持部８４は、面８４ａと面８４ｂとを有する。面８４ａは、面８３ａよりも内側の、面８３ａよりも一段下がった位置に、上面８１ａと略平行に額縁状に設けられた面である。面８４ｂは、面８４ａと面８３ａとの間に面８４ａと略垂直に設けられた面であり、枠部８１の内側面の一部である。

面８４ａは、接続端子構造１０Ｃ_２の下側の基板２０の下面の外縁部と接している。面８４ｂの形成する開口部の形状は、接続端子構造１０Ｃ_２の平面形状に合わせて矩形状とされている。又、面８４ｂの形成する開口部の形状は、接続端子構造１０Ｃ_２の着脱を可能とするため、基板２０及び支持体５５の外形形状よりも若干大きくされている。面８４ｂと基板２０及び支持体５５の側面とは、接していても構わないし、接続端子構造１０Ｃ_２の接続端子群３０Ｄの各接続端子３０の他端である接続部３２と半導体パッケージ６０Ｂの電極パッド６５との間に位置ずれが生じない程度の隙間があっても構わない。

接続端子構造１０Ｃ_２は、位置決め保持部８４により保持されるため、位置決め保持部８４の面８４ａよりも半導体パッケージ６０Ｂ側に押し込まれることはない。その結果、接続端子構造１０Ｃ_２が必要以上に半導体パッケージ６０Ｂ側に押し込まれ、接続端子３０が必要以上に変形して破損することを防止できる。

位置決め保持部８５は、面８５ａと面８５ｂとを有する。面８５ａは、面８４ａよりも内側の、面８４ａよりも一段下がった位置に、上面８１ａと略平行に額縁状に設けられた面である。面８５ｂは、面８５ａと面８４ａとの間に面８５ａと略垂直に設けられた面であり、枠部８１の内側面の一部である。

面８５ａは、半導体パッケージ６０Ｂの基板６１の下面の外縁部と接している。面８５ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ６０Ｂの平面形状に合わせて矩形状とされている。又、面８５ｂの形成する開口部の形状は、半導体パッケージ６０Ｂの着脱を可能とするため、基板６１の外形形状よりも若干大きくされている。面８５ｂと基板６１の側面とは、接していても構わないし、接続端子構造１０Ｃ_２の接続端子群３０Ｄの各接続端子３０の他端である接続部３２と半導体パッケージ６０Ｂの電極パッド６５との間に位置ずれが生じず、接続端子構造１０Ｃ_１の接続端子群３０Ｃの各接続端子３０の他端である接続部３２と半導体パッケージ６０Ｂの電極パッド６４との間に位置ずれが生じない程度の隙間があっても構わない。

半導体パッケージ６０Ｂは、位置決め保持部８５により保持されるため、位置決め保持部８５の面８５ａよりも接続端子構造１０Ｃ_１側に押し込まれることはない。その結果、接続端子構造１０Ｃ_１が必要以上に検査用基板７０側に押し込まれ、接続端子３０が必要以上に変形して破損することを防止できる。

位置決め保持部８６は、面８６ａと面８６ｂとを有する。面８６ａは、面８５ａよりも内側の、面８５ａよりも一段下がった位置に、上面８１ａと略平行に額縁状に設けられた面である。面８６ｂは、面８６ａと面８５ａとの間に面８６ａと略垂直に設けられた面であり、枠部８１の内側面の一部である。

面８６ａは、接続端子構造１０Ｃ_１の下側の基板２０の下面の外縁部と接している。面８６ｂの形成する開口部の形状は、接続端子構造１０Ｃ_１の平面形状に合わせて矩形状とされている。又、面８６ｂの形成する開口部の形状は、接続端子構造１０Ｃ_１の着脱を可能とするため、基板２０及び支持体５５の外形形状よりも若干大きくされている。面８６ｂと基板２０及び支持体５５の側面とは、接していても構わないし、接続端子構造１０Ｃ_１の接続端子群３０Ｄの各接続端子３０の他端である接続部３２と検査用基板７０の電極パッド７２との間に位置ずれが生じない程度の隙間があっても構わない。

接続端子構造１０Ｃ_１は、位置決め保持部８６により保持されるため、位置決め保持部８６の面８６ａよりも検査用基板７０側に押し込まれることはない。その結果、接続端子構造１０Ｃ_１が必要以上に検査用基板７０側に押し込まれ、接続端子３０が必要以上に変形して破損することを防止できる。

蓋部８２は、例えば金属や樹脂等で形成される平面形状が略矩形状や略額縁状の部材である。蓋部８２は、例えば枠部８１の上面８１ａの一端側に回動可能に取り付けられており、他端側にロック機構を有する。

図１６に示す状態にするためには、まず、他端側が枠部８１の上面８１ａから離れる方向に蓋部８２を回動させて、枠部８１内に半導体パッケージ６０Ａ等を配置可能な状態とする。そして、枠部８１内に、検査用基板７０側から、接続端子構造１０Ｃ_１、半導体パッケージ６０Ｂ、接続端子構造１０Ｃ_２、半導体パッケージ６０Ａを順次配置する。そして、他端側が枠部８１の上面８１ａに近づく方向に蓋部８２を回動させて、蓋部８２の他端側が枠部８１の上面８１ａと接するように固定する（ロックする）。これにより、蓋部８２が接続端子構造１０Ｃ_１、半導体パッケージ６０Ｂ、接続端子構造１０Ｃ_２、半導体パッケージ６０Ａを検査用基板７０側に押し込み、それぞれが検査用基板７０側に移動する。

より詳しくは、接続端子構造１０Ｃ_１の接続端子群３０Ｄの各接続端子３０は押圧され厚さ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、各接続端子３０の接続部３２は検査用基板７０の各電極パッド７２と当接する。又、接続端子構造１０Ｃ_１の接続端子群３０Ｃの各接続端子３０は押圧され厚さ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、各接続端子３０の接続部３２は半導体パッケージ６０Ｂの各電極パッド６４と当接する。

同様に、接続端子構造１０Ｃ_２の接続端子群３０Ｄの各接続端子３０は押圧され厚さ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、各接続端子３０の接続部３２は半導体パッケージ６０Ｂの各電極パッド６５と当接する。又、接続端子構造１０Ｃ_２の接続端子群３０Ｃの各接続端子３０は押圧され厚さ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、各接続端子３０の接続部３２は半導体パッケージ６０Ａの各電極パッド６４と当接する。

その結果、半導体パッケージ６０Ｂは接続端子構造１０Ｃ_２を介して半導体パッケージ６０Ａと電気的に接続され、図１５に示す半導体パッケージ１００と同様な接続状態が実現できる。又、半導体パッケージ６０Ｂ、接続端子構造１０Ｃ_２、半導体パッケージ６０Ａの積層体（半導体パッケージ１００に相当する部分）は、接続端子構造１０Ｃ_１を介して検査用基板７０と電気的に接続される。つまり、半導体パッケージ６０Ｂ、接続端子構造１０Ｃ_２、半導体パッケージ６０Ａの積層体（半導体パッケージ１００に相当する部分）の電気的な検査が可能な状態となる。検査終了後、蓋部８２のロックを解除することにより、半導体パッケージ６０Ａ及び６０Ｂ並びに接続端子構造１０Ｃ_１及び１０Ｃ_２は枠部８１から取り外すことができる。

なお、蓋部８２は、枠部８１とは別体でも構わない。この場合には、例えば、半導体パッケージ６０Ａ等を蓋部８２により上側から押圧した状態で、蓋部８２が枠部８１に固定可能な構造であれば良い。

このように、第２の実施の形態では、半導体パッケージ１００を構成する半導体パッケージ６０Ａと半導体パッケージ６０Ｂとを接続端子構造１０Ｃ_２を介して電気的に接続し、更にこれらを接続端子構造１０Ｃ_１を介して検査用基板７０と電気的に接続する。これにより、相互に接合する前の半導体パッケージ６０Ａ及び６０Ｂを一時的に接続し、半導体パッケージ１００としての電気的な検査を実現できる。その結果、半導体パッケージ６０Ａ及び６０Ｂの何れもが良品であると判定された場合のみ両者を相互に接合して半導体パッケージ１００を完成させることが可能となり、不要なリペアを回避できる。

なお、半導体パッケージ６０Ａ及び６０Ｂのように、被接続物が背の高い部品を含んでいない場合には、接続端子構造１０Ｃに代えて、中央部近傍に開口部を有さない接続端子構造１０や１０Ａを用いることもできる。

〈第２の実施の形態の変形例１〉
第２の実施の形態の変形例１では、第１の実施の形態の変形例３に係る接続端子構造１０Ｃを用いて、第２の実施の形態とは異なる半導体パッケージの電気的な検査を行う例を示す。なお、第２の実施の形態の変形例１において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１７は、検査の対象となる半導体パッケージを例示する断面図（その２）である。図１７を参照するに、半導体パッケージ１００Ａは、半導体パッケージ６０Ｄ上に接合部４４を介して半導体パッケージ６０Ｃが積層された所謂ＰＯＰ構造（パッケージオンパッケージ構造）の半導体パッケージである。

半導体パッケージ６０Ｃは、基板６１と、半導体チップ６２と、封止樹脂６３と、電極パッド６４と、半導体チップ６７と、封止樹脂６８と、電子部品６９とを有する所謂ＬＧＡ（Land grid array）である。基板６１、半導体チップ６２、封止樹脂６３、及び電極パッド６４については半導体パッケージ６０Ａと同様であるため説明を省略する。半導体パッケージ６０Ｃは、半導体パッケージ６０Ａの基板６１の他方の面にシリコン等を含む半導体チップ６７及び電子部品６９が実装され、半導体チップ６７が封止樹脂６８で封止された構造を有する。電子部品６９は、例えば、キャパシタ、インダクタ、抵抗等であり、封止樹脂６８に封止された半導体チップ６７よりも背が高い。

半導体パッケージ６０Ｄは、基板６１と、半導体チップ６２と、封止樹脂６３と、電極パッド６４と、電極パッド６５と、半導体チップ６７と、封止樹脂６８と、電子部品６９とを有する所謂ＬＧＡ（Land grid array）である。基板６１、半導体チップ６２、封止樹脂６３、電極パッド６４、及び電極パッド６５については半導体パッケージ６０Ｂと同様であるため説明を省略する。半導体パッケージ６０Ｄは、半導体パッケージ６０Ｂの基板６１の他方の面にシリコン等を含む半導体チップ６７及び電子部品６９が実装され、半導体チップ６７が封止樹脂６８で封止された構造を有する。なお、半導体パッケージ６０Ｄの電極パッド６４には接合部４４（バンプ）が形成されているが、接合部４４（バンプ）は形成しなくてもよい。その場合には、接合部４４（バンプ）は半導体パッケージ６０Ｄが接続される実装基板等の側に形成される。

半導体パッケージ６０Ｄの電極パッド６５と半導体パッケージ６０Ｃの電極パッド６４とは、接合部４４を介して電気的に接続されている。接合部４４としては、例えば、銅（Ｃｕ）を主成分とするコア部４４ａの周囲をはんだ４４ｂで被覆した所謂銅コアはんだボール等を用いることができる。なお、半導体パッケージ６０Ｄの半導体チップ６７は、半導体パッケージ６０Ｃの半導体チップ６７と同一機能であっても構わないし、異なる機能を備えていても構わない。

半導体パッケージ１００Ａの電気的な検査を実施する場合、第２の実施の形態と同様に、接続端子構造１０Ｃを用いて、相互に接合する前の半導体パッケージ６０Ｃ及び６０Ｄを電気的に検査することが好ましい。以下に半導体パッケージ６０Ｃ及び６０Ｄを電気的に検査する際の接続例を示す。

図１８は、半導体パッケージを電気的に検査する際の接続例を示す断面図（その２）である。図１８を参照するに、検査用基板７０、接続端子構造１０Ｃ_１、半導体パッケージ６０Ｄ、接続端子構造１０Ｃ_２、半導体パッケージ６０Ｃが順次積層され、筐体８０により保持されている。換言すれば、図１８に示す構造体は、図１６において、半導体パッケージ６０Ａを半導体パッケージ６０Ｃに、半導体パッケージ６０Ｂを半導体パッケージ６０Ｄに置換したものである。なお、接続端子構造１０Ｃ_１、接続端子構造１０Ｃ_２、及び筐体８０は、本発明に係るソケットの代表的な一例である。

第２の実施の形態と同様にして、半導体パッケージ６０Ｄは接続端子構造１０Ｃ_２を介して半導体パッケージ６０Ｃと電気的に接続され、図１７に示す半導体パッケージ１００Ａと同様な接続状態が実現できる。又、半導体パッケージ６０Ｄ、接続端子構造１０Ｃ_２、半導体パッケージ６０Ｃの積層体（半導体パッケージ１００Ａに相当する部分）は、接続端子構造１０Ｃ_１を介して検査用基板７０と電気的に接続される。つまり、半導体パッケージ６０Ｄ、接続端子構造１０Ｃ_２、半導体パッケージ６０Ｃの積層体（半導体パッケージ１００Ａに相当する部分）の電気的な検査が可能な状態となる。

このように、第２の実施の形態の変形例１では、第２の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、半導体パッケージ６０Ｃや６０Ｄに電子部品６９のような背の高い部品が実装されていても、電子部品６９を接続端子構造１０Ｃ_１及び１０Ｃ_２の中央部近傍に形成された開口部内に配置することにより、半導体パッケージ６０Ｃと半導体パッケージ６０Ｄとを電気的に接続することが可能となる。

〈第２の実施の形態の変形例２〉
第２の実施の形態の変形例２では、第１の実施の形態の変形例３に係る接続端子構造１０Ｃを用いて、第２の実施の形態及びその変形例１とは異なる半導体パッケージの電気的な検査を行う例を示す。なお、第２の実施の形態の変形例２において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図１９は、検査の対象となる半導体パッケージを例示する断面図（その３）である。図１９を参照するに、半導体パッケージ１００Ｂは、半導体パッケージ６０Ｅ上に中継基板９０を介して半導体パッケージ６０Ａが積層された所謂ＰＯＰ構造（パッケージオンパッケージ構造）の半導体パッケージである。

半導体パッケージ６０Ｅは、基板６１と、積層された複数の半導体チップ６２と、封止樹脂６３と、電極パッド６４と、電極パッド６５とを有する所謂ＬＧＡ（Land grid array）である。基板６１、封止樹脂６３、電極パッド６４、及び電極パッド６５については半導体パッケージ６０Ｂと同様であるため説明を省略する。各半導体チップ６２には貫通電極が形成されており、積層された複数の半導体チップ６２が貫通電極により相互に接続されている。

半導体パッケージ６０Ｅの電極パッド６５と半導体パッケージ６０Ａの電極パッド６４とは、中継基板９０を介して電気的に接続されている。中継基板９０は、基板本体９１と、基板本体９１の一方の面に形成された複数の電極パッド９２と、電極パッド９２上に形成された接合部９４と、他方の面に形成された複数の電極パッド９３と、電極パッド９３上に形成された接合部９５とを有する。各電極パッド９２と各電極パッド９３とは、基板本体９１を貫通する貫通配線（図示せず）により電気的に接続されている。中継基板９０の基板本体９１、電極パッド９２及び９３の材料等は、基板２０の基板本体２１、電極パッド２２及び２３と同様とすることができる。中継基板９０の接合部９４及び９５の材料等は、接合部４０等と同様とすることができる。なお、半導体パッケージ６０Ｅの半導体チップ６２は、半導体パッケージ６０Ａの半導体チップ６２と同一機能であっても構わないし、異なる機能を備えていても構わない。

半導体パッケージ１００Ｂの電気的な検査を実施する場合、第２の実施の形態と同様に、接続端子構造１０Ｃを用いて、相互に接合する前の半導体パッケージ６０Ａ及び６０Ｅを電気的に検査することが好ましい。以下に半導体パッケージ６０Ａ及び６０Ｅを電気的に検査する際の接続例を示す。

図２０は、半導体パッケージを電気的に検査する際の接続例を示す断面図（その３）である。図２０を参照するに、検査用基板７０、接続端子構造１０Ｃ_１、半導体パッケージ６０Ｅ、接続端子構造１０Ｃ_２、半導体パッケージ６０Ａが順次積層され、筐体８０により保持されている。換言すれば、図２０に示す構造体は、図１６において、半導体パッケージ６０Ｂを半導体パッケージ６０Ｅに置換したものである。なお、接続端子構造１０Ｃ_１、接続端子構造１０Ｃ_２、及び筐体８０は、本発明に係るソケットの代表的な一例である。

第２の実施の形態と同様にして、半導体パッケージ６０Ｅは接続端子構造１０Ｃ_２を介して半導体パッケージ６０Ａと電気的に接続され、図１９に示す半導体パッケージ１００Ｂと同様な接続状態が実現できる。又、半導体パッケージ６０Ｅ、接続端子構造１０Ｃ_２、半導体パッケージ６０Ａの積層体（半導体パッケージ１００Ｂに相当する部分）は、接続端子構造１０Ｃ_１を介して検査用基板７０と電気的に接続される。つまり、半導体パッケージ６０Ｅ、接続端子構造１０Ｃ_２、半導体パッケージ６０Ａの積層体（半導体パッケージ１００Ｂに相当する部分）の電気的な検査が可能な状態となる。

このように、第２の実施の形態の変形例２では、第２の実施の形態と同様の効果を奏するが、更に、以下の効果を奏する。すなわち、半導体パッケージ６０Ｅのように複数の半導体チップ６２が積層されて背が高くなっても、積層された半導体チップ６２を接続端子構造１０Ｃ_２の中央部近傍に形成された開口部内に配置することにより、半導体パッケージ６０Ｅと半導体パッケージ６０Ａとを電気的に接続することが可能となる。

なお、第２の実施の形態及びその変形例１、２では、接続端子構造１０Ｃの支持体５５を同一高さとして図示しているが、本発明に係る接続端子構造では支持体の高さを容易に変更できるため、支持体の高さが異なる複数の接続端子構造を準備し、被接続物の高さに応じて適宜使い分けるようにすることができる。つまり、多様な高さを有する多品種の接続端子構造やソケットを容易に実現できる。

〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、第１の実施の形態の変形例３に係る接続端子構造１０Ｃを構成要素とする電子部品パッケージの例を示す。なお、第３の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。

図２１は、第３の実施の形態に係る電子部品パッケージを例示する断面図である。図２１を参照するに、電子部品パッケージ１００Ｃは、半導体パッケージ６０Ｅ上に接続端子構造１０Ｃを介して半導体パッケージ６０Ａが積層され、筐体８０Ａにより保持されている所謂ＰＯＰ構造（パッケージオンパッケージ構造）の半導体パッケージである。なお、本発明に係る電子部品パッケージは、半導体チップを含む構造（半導体パッケージ）でもよいし、例えば、半導体チップを含まない配線基板同士を接続する構造であってもよい。

筐体８０Ａは、枠部８７と、蓋部８８とを有する。枠部８７は、中央に略矩形状の開口部を有する額縁状の部材に枠部８１と同様の位置決め保持部８３及び８４を設けたものであり、剛性のある金属や樹脂等から形成されている。枠部８７の底面は、例えば、半導体パッケージ６０Ｅの基板６１の一方の面の外縁部に接着剤等により固着されている。枠部８７は、ねじ等を用いて半導体パッケージ６０Ｅの基板６１と機械的に固着しても構わない。

枠部８７は、半導体パッケージ６０Ｅ、接続端子構造１０Ｃ、及び半導体パッケージ６０Ａの位置決め及び保持をし、それぞれを位置合わせする機能を有する。又、枠部８７は、半導体パッケージ６０Ｅ、接続端子構造１０Ｃ、及び半導体パッケージ６０Ａの相互の間隔が所定値以下になることを防止する機能を有する。

蓋部８８は、枠部８７とは別体である。蓋部８８は、接続端子構造１０Ｃ及び半導体パッケージ６０Ａが枠部８７内の半導体パッケージ６０Ｅ上に順次配置された後、これらを上側から押圧した状態で、枠部８７の上面８７ａに固定されている。但し、蓋部８８を枠部８７の上面８７ａに固定可能な構造とすることに代えて、蓋部８８を蓋部８２と同様にロック機構を有する回動可能な構造としても構わない。このような構造とすると、電子部品パッケージ１００Ｃを容易にリペアすることが可能となる。

接続端子構造１０Ｃの接続端子群３０Ｄの各接続端子３０は押圧され厚さ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、各接続端子３０の接続部３２は半導体パッケージ６０Ｅの各電極パッド６５と当接している。又、接続端子構造１０Ｃの接続端子群３０Ｃの各接続端子３０は押圧され厚さ方向に縮んで所定のばね圧が生じ、各接続端子３０の接続部３２は半導体パッケージ６０Ａの各電極パッド６４と当接している。このように、半導体パッケージ６０Ｅは接続端子構造１０Ｃを介して半導体パッケージ６０Ａと電気的に接続されている。

このように、第３の実施の形態によれば、第１の実施の形態の変形例３に係る接続端子構造１０Ｃを構成要素とする電子部品パッケージ１００Ｃを実現できる。つまり、本発明に係る接続端子構造では支持体の高さを容易に変更できるため、半導体パッケージ６０Ｅのように背が高い被接続物を他の被接続物と容易に接続可能である。

以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。

例えば、第２の実施の形態では、検査用基板７０と半導体パッケージ６０Ａ等を本発明に係るソケットで接続する例を示しが、本発明に係るソケットを用いて、半導体パッケージ６０Ａ等をマザーボード等の実装基板に接続してもよい。

又、第１の実施の形態の変形例１〜３を適宜組合わせてもよい。

１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｃ_１、１０Ｃ_２ 接続端子構造
２０、２０Ａ、６１ 基板
２１、２１Ａ、５１、７１、９１ 基板本体
２１ｘ 貫通孔
２１ｙ、５１ｘ、５１ｙ 開口部
２２、２３、５２、５３、６４、６５、７２、９２、９３ 電極パッド
２４ 貫通配線
２５ 補強板
３０ 接続端子
３０Ａ、３０Ｂ、３０Ｃ、３０Ｄ 接続端子群
３１ 固定部
３１ａ、３４ａ 面
３２ 接続部
３３ ばね部
３４ 第１支持部
３５ 第２支持部
３８ 当接部
３９ 突出部
４０、４１、４３、４４、９４、９５ 接合部
４４ａ コア部
４４ｂ はんだ
５０、５０Ａ フレキシブル基板
５５、５７ 支持体
５５ａ 上端面
５５ｂ 下端面
６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃ、６０Ｄ、６０Ｅ、１００、１００Ａ、１００Ｂ 半導体パッケージ
６２、６７ 半導体チップ
６３、６８ 封止樹脂
６９ 電子部品
７０ 検査用基板
８０、８０Ａ 筐体
８１、８７ 枠部
８１ａ、８７ａ 上面
８２、８８ 蓋部
８３、８４、８５、８６ 位置決め保持部
８３ａ、８３ｂ、８４ａ、８４ｂ、８５ａ、８５ｂ、８６ａ、８６ｂ 面
９０ 中継基板
１００Ｃ 電子部品パッケージ
Ｃ 配設方向
Ｌ、Ｒ 領域
θ_１、θ_２ 角度

Claims (14)

1. 第１面及び前記第１面の反対面である第２面を備えた第１基板と、
   前記第１基板の第１面に形成された第１電極パッドと、
   前記第１基板の第２面に形成された第２電極パッドと、
   第３面及び前記第３面の反対面である第４面を備えた第２基板と、
   前記第２基板の第３面に形成された第３電極パッドと、
   前記第２基板の第４面に形成された第４電極パッドと、
   前記第１基板の第２面と前記第２基板の第３面との間に設けられ、前記第１基板の第２面の外縁部と前記第２基板の第３面の外縁部と接触して前記第１基板と前記第２基板とを接合する支持体と、
   前記支持体の内側に形成された前記第１基板の第２電極パッドと前記第２基板の第３電極パッドとを電気的に接続するフレキシブル基板と、
   前記第１電極パッド及び前記第４電極パッドの少なくとも一方と接合された接続端子と、を有する接続端子構造。
2. 第７面及び前記第７面の反対面である第８面を備えた第１補強板と、
   第９面及び前記第９面の反対面である第１０面を備えた第２補強板と、
   前記第１補強板の第８面と前記第２補強板の第９面との間に設けられ、前記第１補強板と前記第２補強板と接触して前記第１補強板と前記第２補強板とを接合する支持体と、
   第５面及び前記第５面の反対面である第６面を備え、前記第６面の一端側が前記第１補強板の第７面と接合され、前記第６面の他端側が前記第２補強板の第１０面と接合されたフレキシブル基板と、
   前記フレキシブル基板の第５面の一端側に形成された第１電極パッドと、
   前記フレキシブル基板の第５面の他端側に形成され、前記第１電極パッドと電気的に接続された第４電極パッドと、
   前記第１電極パッド及び前記第４電極パッドの少なくとも一方と接合された接続端子と、を有する接続端子構造。
3. 前記フレキシブル基板の第５面の一端側に形成された第５電極パッドと、
   前記フレキシブル基板の第５面の他端側に形成された第６電極パッドと、を有し、
   前記第５電極パッドは前記第２電極パッドと接続され、
   前記第６電極パッドは前記第３電極パッドと接続されている請求項１記載の接続端子構造。
4. 前記フレキシブル基板は、前記一端側と前記他端側との間で折り曲げられている請求項２又は３記載の接続端子構造。
5. 前記支持体は平面形状がコの字型である請求項１又は３記載の接続端子構造。
6. 前記接続端子は、ばね性を有する導電性の部材である請求項１乃至５の何れか一項記載の接続端子構造。
7. 前記接続端子は、
   前記接続端子の一端に形成された固定部と、
   前記接続端子の他端に形成され、前記固定部と対向するように配置された接続部と、
   前記固定部と前記接続部との間に配置されており、前記固定部と前記接続部と一体的に形成された、ばね性を有する湾曲した形状のばね部と、を有し、
   前記固定部は前記第１電極パッド及び前記第４電極パッドの少なくとも一方と接合されている請求項１乃至６の何れか一項記載の接続端子構造。
8. 前記第１電極パッド側から前記第４電極パッド側に貫通する開口部を有する請求項１乃至７の何れか一項記載の接続端子構造。
9. 請求項１乃至８の何れか一項記載の接続端子構造を有し、前記接続端子構造を介して被接続物を着脱可能な状態で他の被接続物に接続するソケット。
10. 前記接続端子構造、前記被接続物、及び前記他の被接続物を位置決めする枠部が設けられている請求項９記載のソケット。
11. 前記接続端子構造は、前記第１電極パッド側から前記第４電極パッド側に貫通する開口部を有し、
    電子部品が実装された前記被接続物及び電子部品が実装された前記他の被接続物を接続する際には、前記被接続物に実装された電子部品、前記他の被接続物に実装された電子部品の何れか一方又は双方が前記開口部内に配置される請求項９又は１０記載のソケット。
12. 被接続物と、請求項１乃至８の何れか一項記載の接続端子構造、及び他の被接続物を有し、前記被接続物と前記他の被接続物とが前記接続端子構造を介して電気的に接続されている電子部品パッケージ。
13. 前記被接続物、前記接続端子構造、及び前記他の被接続物を位置決めする枠部が設けられている請求項１２記載の電子部品パッケージ。
14. 前記接続端子構造は、前記第１電極パッド側から前記第４電極パッド側に貫通する開口部を有し、
    前記被接続物及び前記他の被接続物には、それぞれ電子部品が実装されており、
    前記被接続物に実装された電子部品、前記他の被接続物に実装された電子部品の何れか一方又は双方が前記開口部内に配置されている請求項１２又は１３記載の電子部品パッケージ。

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