JP6282111B2 - セラミック電子部品 - Google Patents
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Description
1の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さは、ガラスコート層の第1の端面上に位置する部分の厚み方向に沿った長さよりも長い。金属粉は、細長形状の金属粉を含む。
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
うに、厚み方向T及び幅方向Wに沿って延びる第1及び第2の端面10e,10fを備えている。
部電極11,12の露出部上から第2の主面10b上に跨がって設けられている。それぞれ第1及び第2の端面10e,10f側において、ガラスコート層15の第2の主面10b上に位置する部分の長さ方向Lに沿った長さDEは、ガラスコート層15の第1及び第2の端面10e,10f上に位置する部分の厚み方向Tに沿った長さDtよりも長い。
おいて接触して、1つの一体的な金属粉15aのように観察される場合、そのような複数の金属粉15aの一体化物全体の長径を1つの金属粉15aの長径とする。
することにより、マザー積層体から複数の生のセラミック積層体を作製する。
寸法L×W×T=1.0mm×0.5mm×0.10mmのセラミック素体10におけるガラスコート層15の第1の主面10a上に位置する部分の長さ方向Lに沿った長さDE:280μm
寸法(設計値)L×W×T=1.0mm×0.5mm×0.10mmのセラミック素体10におけるガラスコート層15の第1の端面10e上に位置する部分の厚み方向Tに沿った長さDT:116μm
寸法(設計値)L×W×T=1.0mm×0.5mm×0.17mmのセラミック素体10におけるガラスコート層15の第1の主面10a上に位置する部分の長さ方向Lに沿った長さDE:280μm
寸法(設計値)L×W×T=1.0mm×0.5mm×0.17mmのセラミック素体10におけるガラスコート層15の第1の端面10e上に位置する部分の厚み方向Tに沿った長さDT:186μm
セラミック材料:BaTi2O3
焼き後のセラミック部10gの厚み(設計値):0.90μm
内部電極の材料:Ni
焼き後の内部電極の厚み(設計値):0.6μm
内部電極の合計枚数:45
焼成条件:1200℃で2時間保持
セラミック電子部品の容量(設計値):0.47μF
セラミック電子部品の定格電圧(設計値):6.3V
ガラスコート層15の厚み(設計値):8μm
ガラスコート層15に含まれる金属粉:Cu扁平粉及びCu球形粉
Cu扁平粉の短径:表1及び表2の通り
ガラスペースト中のガラス粉の主成分:ホウケイ酸ガラス
ガラスペースト中のガラスの軟化点:600℃
ガラス粉の平均粒子径:1μm
熱処理の条件:680℃
めっき膜:ガラスコート層15の上にCu膜(厚み4μm)、Ni膜(厚み3μm)、Sn膜(厚み4μm)
ガラスコート層15中のCu扁平粉と、ガラスとの比62.8体積%/37.2体積%(仕込み値)
ガラスペースト中の固形文中のCu粉末とガラス粉末の割合:57.5体積%/42.5体積%(仕込み値)
上記の条件で得られたセラミック素体10について、ガラスペーストをディッピングし、ガラスコート層15を形成した後、めっき膜をつけ、稜線部においてめっき膜が形成されたか否かを確認した。なお、ガラスコート層15の形成においては、ガラスペーストの粘度は、ガラスコート層15の厚みが8μmとなるように調整した。
形成される。従って、セラミック電子部品1を、薄型かつ耐湿性に優れたものとすることができる。
図11は、第2の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。
ザー積層体22(図12を参照)を得る。次に、本実施形態においては、図12に示すように、マザー積層体22の上に、第1及び第2の外部電極13,14の第1及び第2の部分13a,13b,14a,14bを構成している部分に対応した形状の導電パターン23を、スクリーン印刷法などの適宜の印刷法により形成する。次に、マザー積層体22の上に、仮想のカットラインCLに沿ってマザー積層体22をカッティングすることにより、マザー積層体22から複数の生のセラミック積層体を作製する。
図13は、第3の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的断面図である。
図14は、第4の実施形態に係るセラミック電子部品の略図的斜視図である。
例えば、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛)系セラミック材料などが挙げられる。
10…セラミック素体
10a…セラミック素体の第1の主面
10b…セラミック素体の第2の主面
10c…セラミック素体の第1の側面
10d…セラミック素体の第2の側面
10e…セラミック素体の第1の端面
10f…セラミック素体の第2の端面
10g…セラミック部
11…第1の内部電極
11a…第1の内部電極の端部
12…第2の内部電極
12a…第2の内部電極の端部
13…第1の外部電極
13a…第1の外部電極の第1の部分
13b…第1の外部電極の第2の部分
13c…第1の外部電極の第3の部分
13d…第1の外部電極の第4の部分
13e…第1の外部電極の第5の部分
13p…第1層
13q…第2層
13r…第3層
14…第2の外部電極
14a…第2の外部電極の第1の部分
14b…第2の外部電極の第2の部分
14c…第2の外部電極の第3の部分
14d…第2の外部電極の第4の部分
14e…第2の外部電極の第5の部分
15…ガラスコート層
15a…金属粉
15b…ガラス媒質
20…セラミックグリーンシート
21…導電パターン
22…マザー積層体
23…導電パターン
Claims (11)
- 長さ方向及び幅方向に沿って延びる第1及び第2の主面と、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる第1及び第2の側面と、幅方向及び厚み方向に沿って延びる第1及び第2の端面とを有するセラミック素体と、
前記セラミック素体の内部に設けられており、前記第1の端面に露出している内部電極と、
前記第1の端面の前記内部電極の露出部上から前記第1の主面上に跨がって設けられたガラスコート層と、
前記ガラスコート層の直上に設けられためっき膜からなる外部電極と、
を備え、
前記ガラスコート層は、
ガラス媒質と、
前記内部電極と前記外部電極とを電気的に接続している導通パスを形成しており、前記ガラス媒質中に分散されている金属粉と、
を含み、
前記ガラスコート層は、前記金属粉と前記ガラス媒質が固着されて一体化した複合膜であり、
前記金属粉は、すべてが一体に焼結されておらず、前記ガラス媒質が前記金属粉の間を繋ぐように連続して存在しており、
前記ガラスコート層の前記第1の主面上に位置する部分の長さ方向に沿った長さが、前記ガラスコート層の前記第1の端面上に位置する部分の厚み方向に沿った長さよりも長く、
前記金属粉が、アスペクト比が4以上である細長形状の金属粉を含み、前記ガラスコート層の前記第1の主面と前記第1の端面とにより構成された稜線部の上に位置する部分に前記細長形状の金属粉が位置しており、前記ガラスコート層における前記ガラス媒質と前記金属粉との割合が、35体積%対65体積%〜75体積%対25体積%である、セラミック電子部品。 - 前記ガラスコート層の前記稜線部の上に位置する部分に配された前記細長形状の金属粉の少なくとも一つが、前記ガラスコート層の表面に露出するような厚みに設けられている、請求項1に記載のセラミック電子部品。
- 前記金属粉は、扁平状、鱗片状、棒状及び針状の少なくとも一種である、請求項1または2に記載のセラミック電子部品。
- 前記細長形状の金属粉の短径の寸法が1.5μm以下である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記導通パスの少なくとも一つは、前記ガラスコート層の厚み方向に沿って配された複数の前記金属粉が互いに接触することで形成されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記金属粉は、前記内部電極に主成分として含まれる金属を主成分として含まない、請求項1〜5のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記金属粉のコア部はCuからなる、請求項1〜6のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記ガラスコート層の厚みが1μm〜10μmである、請求項1〜7のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記ガラスコート層の厚み方向に沿った断面において、前記導通パスを構成している前記金属粉の表面が非直線状である、請求項1〜8のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記導通パスは、相対的に細い部分と、相対的に太い部分とを、それぞれ複数有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
- 前記めっき膜の前記ガラスコート層に接した部分がCuめっき膜またはNiめっき膜により構成されている、請求項1〜10のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
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EP1124266A3 (en) * | 2000-02-08 | 2005-04-06 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric vibrator unit, liquid jet head, manufacturing method of piezoelectric vibrator unit, and manufacturing method of liquid jet head |
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JP3698032B2 (ja) * | 2000-08-10 | 2005-09-21 | 昭栄化学工業株式会社 | 積層セラミック電子部品用端子電極ペースト |
JP2002246257A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-08-30 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 |
JP2002298649A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Kyocera Corp | 導電性ペースト及びそれを用いたチップ型電子部品 |
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JP2005228610A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペースト及びセラミック電子部品 |
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