JP2002246257A - 積層セラミック電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高いシール性と、接続信頼性を兼ね備えた外
部電極を有する積層セラミック電子部品及びその製造方
法を提供する。 【解決手段】 焼付下地電極層３ａと、該焼付下地電極
層３ａ上に形成された導電性樹脂電極層３ｂと、該導電
性樹脂電極層３ｂ上に形成されためっき膜電極層３ｃ，
３ｄとを備えた複数層構造の外部電極３の、焼付下地電
極層３ａとして、平均粒径０．５〜３．０μmの金属粉
末を導電成分とし、かつ、ガラスフリットを固形分の５
〜５０vol％の範囲で含有する電極をセラミック素子１
０の表面に形成する。また、ガラスフリットとして、ガ
ラス転移温度が焼付下地電極層３ａの焼付温度よりも２
５０〜４５０℃低いガラスフリットを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、積層セラミック
電子部品及びその製造方法に関し、詳しくは、セラミッ
ク層を介して内部電極が積層されたセラミック素子の表
面に、内部電極と導通するように外部電極が形成された
構造を有する積層セラミック電子部品及びその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】代表的
な積層セラミック電子部品の一つに、例えば、図２に示
すような積層セラミックコンデンサがある。この積層セ
ラミックコンデンサは、複数の内部電極５２がセラミッ
ク（セラミック層）５１を介して互いに対向するように
配設され、かつ、その一端側が交互に異なる側の端面に
引き出されたセラミック素子６０の両端面に、内部電極
５２と導通するように一対の外部電極５３，５３が配設
された構造を有している。

【０００３】ところで、上記従来の積層セラミックコン
デンサにおいては、外部電極５３として、電極ペースト
を塗布して焼き付けて下地電極（焼付下地電極）５３ａ
を形成し、この焼付下地電極５３ａ上に、導電性樹脂を
塗布して硬化させて導電性樹脂電極層５３ｂを形成し、
さらに、導電性樹脂電極層５３ｂ上に、例えば、Ｎｉめ
っき膜５３ｃ及びＳｎめっき膜５３ｄなどの金属めっき
膜を設けた多層構造の外部電極を備えたものが案出され
ている。

【０００４】なお、上記焼付下地電極５３ａは、内部電
極５２とのコンタクトを確保し、導電性樹脂電極層５３
ｂは、耐熱衝撃性や機械的強度、めっき加工におけるシ
ール性など向上させる機能を果たすことを意図されてお
り、さらに、導電性樹脂電極層５３ｂ上に形成されたＮ
ｉめっき膜５３ｃは、はんだ濡れ性を確保し、実装時の
耐湿性を保つ機能を果たし、Ｓｎめっき膜５３ｄは、実
装時のはんだ付け性を確保する機能を果たすことを意図
されている。

【０００５】このように、焼付下地電極層上に導電性樹
脂電極層を形成することにより、シール性を向上させる
ことは可能になるが、それでも、導電性樹脂電極層にピ
ンホールがあるような場合には、めっき加工時にめっき
液がセラミック素子の内部にまで浸透して、製品の特性
に悪影響を及ぼすことがあり、さらにめっき液に対する
シール性を向上させる技術が必要とされているのが実情
である。なお、上記問題点は、積層セラミックコンデン
サの場合に限らず、積層バリスタ、積層ＬＣ複合部品な
どの種々の積層セラミック電子部品についても当てはま
るものである。

【０００６】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、高いシール性と、接続信頼性を兼ね備えた外部電
極を有する積層セラミック電子部品及びその製造方法を
提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明（請求項１）の積層セラミック電子部品
は、セラミック層を介して内部電極が積層されたセラミ
ック素子の表面に、内部電極と導通するように外部電極
が配設された構造を有する積層セラミック電子部品であ
って、外部電極が、導電性金属粉末とガラスフリットを
含有する電極ペーストを塗布して焼き付けることにより
形成された焼付下地電極層と、該焼付下地電極層上に導
電性樹脂を塗布して硬化させることにより形成された導
電性樹脂電極層と、該導電性樹脂電極層上にめっきを施
すことにより形成されためっき膜電極層とを備えた複数
層構造を有しているとともに、前記外部電極を構成する
焼付下地電極層が、平均粒径０．５〜３．０μmの金属
粉末を導電成分とし、かつ、ガラスフリットを固形分の
５〜５０vol％の割合で含有していることを特徴として
いる。

【０００８】焼付下地電極層と、該焼付下地電極層上に
形成された導電性樹脂電極層と、該導電性樹脂電極層上
に形成されためっき膜電極層とを備えた複数層構造の外
部電極の、前記焼付下地電極層として、平均粒径０．５
〜３．０μmの金属粉末を導電成分とし、かつ、ガラス
フリットを固形分（通常は、金属粉末＋ガラスフリッ
ト）の５〜５０vol％の割合で含有する電極層をセラミ
ック素子の表面に形成することにより、焼付下地電極層
の導電性及びシール性により、内部電極との導通信頼性
を損なうことなく導電性樹脂電極層のシール性を補完し
て、全体としてのシール性を向上させることが可能にな
る。すなわち、ガラスフリット含有量と、導電成分であ
る金属粉末の粒径を好適化した電極ペーストを使用し、
これをセラミック素子に塗布して焼き付けることによ
り、導電性樹脂電極層のシール性を補完して、全体的な
シール性を向上させ、めっき加工時のめっき液の浸透を
防止して、信頼性の高い積層セラミック電子部品を得る
ことが可能になる。

【０００９】なお、本願発明において、ガラスフリット
を固形分の５〜５０vol％の割合で含有させるようにし
たのは、ガラスフリットの割合が５vol％未満になると
内部電極とのコンタクト性は向上するが、シール性が不
十分になり、又、５０vol％を超えると、シール性は向
上するが、焼付不良や外観不良を生じたり、コンタクト
性が低下したりすることによる。また、コンタクト性及
びシール性を両立させる見地からは、焼付下地電極層の
厚みは、通常、２０〜５０μmの範囲が好ましく、ま
た、導電性樹脂電極層の厚みは、通常、３０〜１５０μ
mの範囲が好ましい。

【００１０】また、請求項２の積層セラミック電子部品
は、前記ガラスフリットとして、ガラス転移温度が前記
焼付下地電極層の焼付温度よりも２５０〜４５０℃低い
ガラスフリットが用いられていることを特徴としてい
る。

【００１１】ガラスフリットとして、ガラス転移温度
（Ｔｇ）が、焼付下地電極層の焼付温度よりも２５０〜
４５０℃低いガラス転移温度を有するガラスフリットを
用いることにより、焼付下地電極層を緻密化してシール
性を向上させることが可能になり、本願発明をより実効
あらしめることが可能になる。なお、ガラスフリットと
して、焼付下地電極層の焼付温度よりも２５０〜４５０
℃低いガラス転移温度（Ｔｇ）を有するガラスフリット
を用いるようにしたのは、焼付温度との温度差（ΔＴ）
が２５０℃未満になると、形成された焼付下地電極層が
緻密化しにくくなり、また、焼付温度との温度差（Δ
Ｔ）が４５０℃を超えると、形成される焼付下地電極層
に浮き上がり（いわゆるブク）が発生するという問題点
があることによる。また、ガラスフリットとして、焼付
下地電極層の焼付温度よりも２５０〜４５０℃低いガラ
ス転移温度（Ｔｇ）を有するガラスフリットを用いると
は、焼付温度との相対的な関係を意味する概念であり、
焼付温度が固定の場合には、ガラスフリットの成分や組
成などを調整することによりガラス転移温度を制御し
て、ΔＴを上記範囲内の所望の値とすることが可能であ
る。また、焼付温度を調整（変更）することが可能な場
合には、ガラスフリットのガラス転移温度を考慮して、
適切な焼付温度を選定することにより、ΔＴを上記範囲
内の所望の値とすることが可能である。また、場合によ
っては、ガラス転移温度と焼付温度の両方を制御して、
ΔＴを上記範囲内の所望の値とするように構成すること
も可能である。

【００１２】また、請求項３の積層セラミック電子部品
は、前記焼付下地電極層上に形成された上層電極が、複
数のめっき膜電極層から形成されていることを特徴とし
ている。

【００１３】焼付下地電極層の上に形成される上層電極
として、複数のめっき膜電極層を形成することにより、
オーミック接触性などの電気的特性やはんだ付け性（実
装性）などに優れた外部電極を形成することが可能にな
る。

【００１４】また、本願発明（請求項４）の積層セラミ
ック電子部品の製造方法は、セラミック層を介して内部
電極が積層されたセラミック素子の表面に、外部電極
が、導電性金属粉末とガラスフリットを含有する電極ペ
ーストを塗布して焼き付けることにより形成された焼付
下地電極層と、該焼付下地電極層上に導電性樹脂を塗布
して硬化させることにより形成された導電性樹脂電極層
と、該導電性樹脂電極層上にめっきを施すことにより形
成されためっき膜電極層とを備えた複数層構造の外部電
極が配設された構造を有する積層セラミック電子部品の
製造方法であって、平均粒径が０．５〜３．０μmの金
属粉末を導電成分とし、かつ、ガラスフリットを固形分
の５〜５０vol％の割合で含有する電極ペーストをセラ
ミック素子の表面に塗布し、ガラスフリットのガラス転
移温度よりも２５０〜４５０℃低い温度で焼き付けるこ
とにより前記焼付下地電極層を形成することを特徴とし
ている。

【００１５】平均粒径が０．５〜３．０μmの金属粉末
を導電成分とし、かつ、ガラスフリットを固形分の５〜
５０vol％の割合で含有する電極ペーストをセラミック
素子の表面に塗布し、ガラスフリットのガラス転移温度
よりも２５０〜４５０℃低い温度で焼き付けることによ
り、緻密で、シール性に優れた焼付下地電極層を確実に
形成することが可能になり、導電性樹脂電極層のシール
性を補完して、全体的なシール性を向上させ、めっき加
工時のめっき液の浸透を防止して、特性に優れた信頼性
の高い積層セラミック電子部品を効率よく製造すること
ができるようになる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態を示
して、その特徴とするところをさらに詳しく説明する。
なお、以下の実施形態では、積層セラミック電子部品と
して積層セラミックコンデンサを例にとって説明する。

【００１７】［実施形態１］この実施形態１の積層セラ
ミックコンデンサは、図１に示すように、複数の内部電
極２がセラミック（セラミック層）１を介して互いに対
向するように配設され、かつ、その一端側が交互に異な
る側の端面に引き出されたセラミック素子１０の両端部
に、内部電極２と導通するように一対の外部電極３，３
が配設された構造を有している。

【００１８】そして、外部電極３は、焼付下地電極層３
ａと、該焼付下地電極層３ａ上に形成された導電性樹脂
電極層３ｂと、該導電性樹脂電極層上に形成されたＮｉ
めっき膜電極層３ｃと、その上に形成されたＳｎめっき
膜電極層３ｄとを備えた複数層構造を有している。ま
た、外部電極３を構成する焼付下地電極層３ａは、平均
粒径０．５〜３．０μmの金属粉末を導電成分とし、か
つ、ガラスフリットを固形分の５〜５０vol％の割合で
含有している。そして、ガラスフリットとしては、焼付
下地電極層３ａの焼付温度よりもガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が２５０〜４５０℃低いガラスフリットが用いられ
ている。

【００１９】この実施形態１の積層セラミックコンデン
サにおいては、平均粒径０．５〜３．０μmの金属粉末
を導電成分とし、かつ、焼付下地電極層３ａの焼付温度
よりも２５０〜４５０℃低いガラス転移温度を有するガ
ラスフリットを、固形分の５〜５０vol％の割合で含有
する焼付下地電極層３ａをセラミック素子１０の表面に
形成し、該焼付下地電極層３ａ上に導電性樹脂電極層３
ｂ、Ｎｉめっき膜電極層３ｃ及びＳｎめっき膜電極層３
ｄを順に配設することにより複数層構造の外部電極３を
形成するようにしているので、導電性を損なうことな
く、シール性に優れた焼付下地電極層３ａを形成して、
導電性樹脂電極層３ｂのシール性を補完することが可能
になる。したがって、めっき加工時にめっき液がセラミ
ック素子１０の内部にまで浸透することを確実に防止す
ることができるようになる。

【００２０】＜積層セラミックコンデンサの製造＞次
に、この積層セラミックコンデンサの製造方法について
説明する。まず、内部電極を塗布したセラミックグリー
ンシートを所定枚数積層し、圧着した後、カットして個
々の素子に分割し、脱脂、焼成を行うことにより、図１
に示すように、複数の内部電極２がセラミック（セラミ
ック層）１を介して互いに対向するように配設され、か
つ、その一端側が交互に異なる側の端面に引き出された
セラミック素子１０を形成する。

【００２１】それから、このセラミック素子１０の両端
面に、Ａｇ粉末、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ系ガラスフリット、及
び有機ビヒクルを配合した電極ペーストを、内部電極２
と導通するように塗布し、大気中で、７５０℃に加熱し
て焼き付けることにより、約３０μmの厚みの焼付下地
電極層３ａを形成する。

【００２２】次に、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化
性樹脂に、フィラー（導電成分）としてＡｇ粉末を配合
した導電性樹脂ペーストを、焼付下地電極層３ａを覆う
ように６０μmの厚みに塗布した後、２００℃に加熱し
て硬化させることにより、導電性樹脂電極層３ｂを形成
する。

【００２３】それから、導電性樹脂電極層３ｂ上に、湿
式でＮｉめっき、及びＳｎめっきを順に行って、Ｎｉめ
っき膜電極層（厚み２μm）３ｃ、及びＳｎめっき膜電
極層（厚み４μm）３ｄを形成する。

【００２４】これにより、図１に示すような、セラミッ
ク素子１０の両端部に４層構造の外部電極３が形成され
た構造を有する積層セラミックコンデンサが得られる。

【００２５】＜特性の測定＞上述の方法により作製した
積層セラミックコンデンサについて、絶縁抵抗不良発生
率（ＩＲ不良発生率）、外観不良発生率、及び温度サイ
クル試験における不良発生数を調べた。その結果を、表
１〜３に示す。

【００２６】

【表１】

【００２７】

【表２】

【００２８】

【表３】

【００２９】表１〜３より、 焼付下地電極層中のガラスフリットの量を５vol％以
上とすることにより、絶縁抵抗不良発生率を低下させる
効果が得られること、及びＡｇ粉末平均粒径が５．０μ
mになると絶縁不良発生率が大きくなること（表１）、 焼付下地電極層中のガラスフリットの量が５０vol％
を超えた場合（６０vol％の場合）、及びＡｇ粉末平均
粒径が０．３μm以下になった場合には、焼付下地電極
層に外観不良（いわゆるブク）が発生すること（表
２）、 ガラスフリットの量を５〜５０vol％の範囲とするこ
とにより、温度サイクル試験における不良発生がなくな
ること、及びＡｇ粉末平均粒径が０．３μm以下になる
と、温度サイクル試験における不良発生が認められるよ
うになること（表３） などが確認された。

【００３０】これらの結果より、焼付下地電極層を構成
する金属粉末（この実施形態１ではＡｇ粉末）の粒径は
０．５μm〜３．０μmの範囲とすることが好ましいこ
と、ガラスフリットの含有量は固形分の５〜５０vol％
の範囲が好ましいことがわかる。

【００３１】［実施形態２］この実施形態２において
は、焼付下地電極層を、Ｃｕ粉末、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ系、
ガラスフリット、及び有機ビヒクルを配合した電極ペー
ストを用いて形成した点を除いて、上記実施形態１の場
合と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
以下、実施形態１の積層セラミックコンデンサを説明す
るのに用いた図１を参照しつつ説明する。

【００３２】＜積層セラミックコンデンサの製造＞Ｃｕ
粉末、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ系ガラスフリットと有機ビヒクル
からなる電極ペーストをセラミック素子１０の両端部に
塗布し、低酸素濃度雰囲気（１０^−８〜１０^−１２atm
程度）中、８５０℃で焼き付けを行って、約３０μmの
厚みの焼付下地電極層３ａを形成する。

【００３３】次に、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化
性樹脂に、フィラー（導電成分）としてＡｇ粉末を配合
した導電性樹脂ペーストを、焼付下地電極層３ａを覆う
ように６０μmの厚みに塗布した後、２００℃に加熱し
て硬化させることにより、導電性樹脂電極層３ｂを形成
する。

【００３４】それから、導電性樹脂電極層３ｂ上に、湿
式でＮｉめっき、及びＳｎめっきを順に行って、Ｎｉめ
っき膜電極層（厚み２μm）３ｃ、及びＳｎめっき膜電
極層（厚み４μm）３ｄを形成する。

【００３５】これにより、図１に示すような、セラミッ
ク素子１０の両端部に４層構造の外部電極３が形成され
た構造を有する積層セラミックコンデンサが得られる。

【００３６】＜特性の測定＞上述の方法により作製した
積層セラミックコンデンサについて、絶縁抵抗不良発生
率（ＩＲ不良発生率）、外観不良発生率、及び温度サイ
クル試験における不良発生数を調べた。その結果を、表
４〜６に示す。

【００３７】

【表４】

【００３８】

【表５】

【００３９】

【表６】

【００４０】表４〜６より、 焼付下地電極層中のガラスフリットの量を５vol％以
上とすることにより、絶縁抵抗不良発生率を低下させる
効果が得られること、及びＣｕ粉末平均粒径が５．０μ
mになると絶縁不良発生率が大きくなること（表４）、 焼付下地電極層中のガラスフリットの量が５０vol％
を超えた場合（６０vol％の場合）、及びＣｕ粉末平均
粒径が０．３μm以下になった場合には、焼付下地電極
層に外観不良（いわゆるブク）が発生すること（表
５）、 ガラスフリットの量を５〜５０vol％の範囲とするこ
とにより、温度サイクル試験における不良発生がなくな
ること、及びＣｕ粉末平均粒径が０．３μm以下になる
と、温度サイクル試験における不良発生が認められるよ
うになること（表６）などが確認された。

【００４１】これらの結果より、焼付下地電極層形成用
の電極ペーストとして、Ｃｕ粉末、Ｂ−Ｓｉ−Ｂａ系ガ
ラスフリット、及び有機ビヒクルを配合した電極ペース
トを用いた場合にも、Ｃｕ粉末の粒径は０．５μm〜
３．０μmの範囲とすることが好ましいこと、ガラスフ
リットの含有量は固形分の５〜５０vol％の割合とする
ことが好ましいことがわかる。

【００４２】［実施形態３］この実施形態３において
は、焼付下地電極層を、上記実施形態１の場合と同様
に、Ａｇ粉末、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ系ガラスフリット及び有
機ビヒクルからなる電極ペーストを用いて形成した。そ
して、ガラスフリットのガラス転移温度と焼付温度の差
ΔＴを２００℃〜５００℃の範囲で変化させた。その他
の点については、上記実施形態１の場合と同様であるこ
とから、重複を避けるため、説明を省略する。なお、こ
の実施形態３では、表７のNo.４のガラス転移温度４５
０℃、焼付温度８００℃、ΔＴ３５０℃の条件を基準と
して、他の試料（No.１〜３及びNo.５〜７）について
は、ガラスフリットの組成を調整してガラス転移温度
を制御する、焼付温度を調整する、ガラス転移温度
と焼付温度の両方を制御する、のいずれかの方法によ
り、ガラスフリットのガラス転移温度と焼付温度の差Δ
Ｔを表７に示すような所定の値に調整した。そして、ガ
ラスフリットのガラス転移温度と焼付温度の差ΔＴと、
焼付下地電極層の緻密性、外観異常発生の有無の関係を
調べた。その結果を表７に示す。なお、ΔＴ制御方法
は、上述の，，及びのいずれの方法を用いてΔＴ
を調整したかを示している。

【００４３】

【表７】

【００４４】なお、表７の、緻密性については、めっき
液の浸透を阻止することが可能な程度に緻密なものを良
として評価し、また、外観異常発生の有無については、
目視にて外観異常発生の認められないものを無とした。

【００４５】表７に示すように、ガラスフリットのガラ
ス転移温度と焼付温度の差ΔＴが２５０℃未満の場合、
焼き付けた焼付下地電極層が十分に緻密化せず、また、
ΔＴが４５０℃より大きい場合、外観異常（いわゆるブ
ク）の発生が認められた。これらの結果より、焼付下地
電極層に使用するガラスフリットとしては、ガラス転移
温度（Ｔｇ）が、焼付温度よりも２５０℃〜４５０℃低
いものを用いることが好ましいことがわかる。

【００４６】なお、上記実施形態では、積層セラミック
コンデンサを例にとって説明したが、本願発明はこれに
限られるものではなく、積層バリスタ、積層ＬＣ複合部
品などの種々の積層セラミック電子部品に広く適用する
ことが可能である。

【００４７】本願発明はさらにその他の点においても、
上記の実施形態に限定されるものではなく、セラミック
素子を構成するセラミックの種類、内部電極の構成材
料、外部電極の具体的なパターン、めっき膜電極層の層
数や構成材料の種類などに関し、発明の要旨の範囲内に
おいて、種々の応用、変形を加えることが可能である。

【００４８】

【発明の効果】上述のように、本願発明（請求項１）の
積層セラミック電子部品は、焼付下地電極層と、該焼付
下地電極層上に形成された導電性樹脂電極層と、該導電
性樹脂電極層上に形成されためっき膜電極層とを備えた
複数層構造の外部電極の、前記焼付下地電極層として、
平均粒径０．５〜３．０μmの金属粉末を導電成分と
し、かつ、ガラスフリットを固形分（通常は、金属粉末
＋ガラスフリット）の５〜５０vol％の割合で含有する
電極層をセラミック素子の表面に形成することにより、
焼付下地電極層の導電性及びシール性により、内部電極
との導通信頼性を損なうことなく導電性樹脂電極層のシ
ール性を補完して、全体としてのシール性を向上させる
ことができる。したがって、めっき加工時にめっき液が
セラミック素子の内部に浸透することを防止して、信頼
性の高い積層セラミック電子部品を得ることが可能にな
る。

【００４９】また、請求項２の積層セラミック電子部品
のように、ガラスフリットとして、ガラス転移温度（Ｔ
ｇ）が、焼付下地電極層の焼付温度よりも２５０〜４５
０℃低いガラス転移温度を有するガラスフリットを用い
るようにした場合、焼付下地電極層を緻密化してシール
性を向上させることが可能になり、本願発明をより実効
あらしめることが可能になる。

【００５０】また、請求項３の積層セラミック電子部品
のように、焼付下地電極層の上に形成される上層電極と
して、複数のめっき膜電極層を形成することにより、特
性設計の自由度が向上し、オーミック接触性などの電気
的特性やはんだ付け性（実装性）などに優れた外部電極
を備えた積層セラミック電子部品を得ることが可能にな
る。

【００５１】また、本願発明（請求項４）の積層セラミ
ック電子部品の製造方法は、平均粒径が０．５〜３．０
μmの金属粉末を導電成分とし、かつ、ガラスフリット
を固形分の５〜５０vol％の割合で含有する電極ペース
トをセラミック素子の表面に塗布し、ガラスフリットの
ガラス転移温度よりも２５０〜４５０℃低い温度で焼き
付けるようにしているので、緻密で、シール性に優れた
焼付下地電極層を確実に形成することが可能になり、導
電性樹脂電極層のシール性を補完して、全体的なシール
性を向上させ、めっき加工時のめっき液の浸透を防止し
て、特性に優れた信頼性の高い積層セラミック電子部品
を効率よく製造することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願発明の実施形態にかかる積層セラミック電
子部品（積層セラミックコンデンサ）を示す断面図であ
る。

【図２】従来の積層セラミック電子部品（積層セラミッ
クコンデンサ）を示す断面図である。

【符号の説明】

１ セラミック層 ２ 内部電極 ３ 外部電極 ３ａ 焼付下地電極層 ３ｂ 導電性樹脂電極層 ３ｃ Ｎｉめっき膜電極層 ３ｄ Ｓｎめっき膜電極層 １０ セラミック素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米田 康信 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AC04 AF00 AF06 AH01 AH07 AH08 AH09 AJ03 5E082 AA01 AB03 FG26 GG10 GG26 GG28 JJ03 JJ21 JJ23 JJ26 PP03 PP06 PP09

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】セラミック層を介して内部電極が積層され
   たセラミック素子の表面に、内部電極と導通するように
   外部電極が配設された構造を有する積層セラミック電子
   部品であって、 外部電極が、導電性金属粉末とガラスフリットを含有す
   る電極ペーストを塗布して焼き付けることにより形成さ
   れた焼付下地電極層と、該焼付下地電極層上に導電性樹
   脂を塗布して硬化させることにより形成された導電性樹
   脂電極層と、該導電性樹脂電極層上にめっきを施すこと
   により形成されためっき膜電極層とを備えた複数層構造
   を有しているとともに、 前記外部電極を構成する焼付下地電極層が、平均粒径
   ０．５〜３．０μmの金属粉末を導電成分とし、かつ、
   ガラスフリットを固形分の５〜５０vol％の割合で含有
   していることを特徴とする積層セラミック電子部品。
2. 【請求項２】前記ガラスフリットとして、ガラス転移温
   度が前記焼付下地電極層の焼付温度よりも２５０〜４５
   ０℃低いガラスフリットが用いられていることを特徴と
   する請求項１記載の積層セラミック電子部品。
3. 【請求項３】前記焼付下地電極層上に形成された上層電
   極が、複数のめっき膜電極層から形成されていることを
   特徴とする請求項１又は２記載の積層セラミック電子部
   品。
4. 【請求項４】セラミック層を介して内部電極が積層され
   たセラミック素子の表面に、外部電極が、導電性金属粉
   末とガラスフリットを含有する電極ペーストを塗布して
   焼き付けることにより形成された焼付下地電極層と、該
   焼付下地電極層上に導電性樹脂を塗布して硬化させるこ
   とにより形成された導電性樹脂電極層と、該導電性樹脂
   電極層上にめっきを施すことにより形成されためっき膜
   電極層とを備えた複数層構造の外部電極が配設された構
   造を有する積層セラミック電子部品の製造方法であっ
   て、 平均粒径が０．５〜３．０μmの金属粉末を導電成分と
   し、かつ、ガラスフリットを固形分の５〜５０vol％の
   割合で含有する電極ペーストをセラミック素子の表面に
   塗布し、ガラスフリットのガラス転移温度よりも２５０
   〜４５０℃低い温度で焼き付けることにより前記焼付下
   地電極層を形成することを特徴とする積層セラミック電
   子部品の製造方法。