JP5863714B2 - 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 48
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 102
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 90
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 90
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 65
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 49
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 40
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 32
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 claims description 30
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920001690 polydopamine Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/43—Electric condenser making
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
Description
本発明は、外部電極に含まれた伝導性樹脂層と電極層との界面分離現象及び伝導性樹脂層とめっき層との界面分離現象を改善させた積層セラミックキャパシタ及びその製造方法に関する。
セラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタは、積層された複数の誘電体層と、誘電体層を介して対向配置される内部電極と、上記内部電極と電気的に接続された外部電極と、を含む。
積層セラミックキャパシタは、小型でありながら高容量が保障され、実装が容易になるという長所により、コンピュータ、ＰＤＡ、携帯電話などの移動通信装置の部品として広く用いられている。
最近は、電子製品の小型化及び多機能化により、チップ部品も小型化及び多機能化される傾向にあるため、積層セラミックキャパシタにおいてもサイズが小さく容量が大きい高容量製品が求められている。
これにより、誘電体層及び内部電極層の厚さを薄くし、多くの数の誘電体層を積層した積層セラミックキャパシタが製造されており、外部電極も薄型化されている。
また、自動車や医療機器などのような高信頼性が求められる分野における多くの機能が電子化され、その需要が増加するにつれ、積層セラミックキャパシタにも高信頼性が求められてきている。
このような高信頼性で問題になる要素としては、工程時に発生するめっき液の浸透や外部衝撃によるクラック発生などがある。
従って、上記問題点を解決するために、外部電極の電極層とめっき層との間に伝導性物質を含む樹脂組成物を塗布することで、外部衝撃を吸収すると共に、めっき液の浸透を防いで信頼性を向上させている。
しかし、伝導性樹脂層を外部電極の電極層とめっき層との間に適用する場合、伝導性樹脂層とめっき層との間に界面分離現象が発生するという問題がある。特に、このような界面分離は、積層セラミックキャパシタを基板に実装する過程において頻繁に発生して積層セラミックキャパシタの信頼性を低下させる。
また、電装及び高圧品など高信頼性を求める特殊仕様の製品群に適用するためには、さらに大きい信頼性を有する積層セラミックキャパシタが必要な実情である。これにより、伝導性樹脂層とめっき層との界面分離現象を改善させた積層セラミックキャパシタが求められている。
本発明の目的は、外部電極に含まれた伝導性樹脂層と電極層との界面分離現象及び伝導性樹脂層とめっき層との界面分離現象を改善させた積層セラミックキャパシタ及びその製造方法を提供することにある。
本発明の一形態は、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体の内部に形成され、上記誘電体層を介して対向するように配置される第１及び第２内部電極と、上記セラミック本体の外部面に配置され、第１及び第２内部電極とそれぞれ電気的に連結される第１及び第２電極層と、上記第１及び第２電極層上に配置され、銅粉末を含む伝導性樹脂層と、上記伝導性樹脂層の外側に配置されるニッケルめっき層と、上記伝導性樹脂層と上記ニッケルめっき層との間に配置され、１ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する銅−ニッケル合金層と、を含む積層セラミックキャパシタを提供する。
上記銅−ニッケル合金層は、上記伝導性樹脂層と上記ニッケルめっき層との領域において、上記銅粉末が上記伝導性樹脂層の表面に露出した領域に形成されることができる。
上記第１及び第２電極層は、焼成型電極であることができる。
上記第１及び第２電極層は、銅（Ｃｕ）を含むことができる。
上記積層セラミックキャパシタは、ニッケルめっき層上に配置されるすずめっき層をさらに含むことができる。
上記伝導性樹脂層は、熱硬化性樹脂をさらに含むことができ、上記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂であることができる。
本発明の他の形態は、複数のセラミックグリーンシートを用意する段階と、上記セラミックグリーンシートに内部電極パターンを形成する段階と、上記セラミックグリーンシートを積層及び焼成して誘電体層と上記誘電体層を介して対向するように配置される第１及び第２内部電極とを含むセラミック本体を形成する段階と、上記第１及び第２内部電極の一端とそれぞれ電気的に連結されるように上記セラミック本体の端面に第１及び第２電極層を形成する段階と、上記第１及び第２電極層上に伝導性樹脂組成物を塗布して銅粉末を含む伝導性樹脂層を形成する段階と、上記伝導性樹脂層の外側に配置されるニッケルめっき層及び上記伝導性樹脂層と上記ニッケルめっき層との間に配置される１ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する銅−ニッケル合金層を形成する段階と、を含む積層セラミックキャパシタの製造方法を提供する。
上記積層セラミックキャパシタの製造方法は、上記ニッケルめっき層と上記銅−ニッケル合金とを形成する段階の後、上記ニッケルめっき層上にすずめっき層を形成する段階をさらに含むことができる。
上記銅−ニッケル合金層は、上記伝導性樹脂層と上記ニッケルめっき層との領域において、上記銅粉末が上記伝導性樹脂層の表面に露出した領域に形成されることができる。
上記第１及び第２電極層は、焼成型電極であることができる。
上記第１及び第２電極層は、銅（Ｃｕ）を含むことができる。
上記伝導性樹脂層は、熱硬化性樹脂をさらに含むことができ、上記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂であることができる。
本発明によると、外部電極に含まれた伝導性樹脂層と電極層との界面分離現象及び伝導性樹脂層とめっき層との界面分離現象を改善させた積層セラミックキャパシタ及びその製造方法を提供することができる。
以下では、添付の図面を参照し、本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。なお、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。
図１は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００を示す斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００は、セラミック本体１１０と、第１及び第２外部電極１３０ａ、１３０ｂと、を含む。
上記セラミック本体１１０は、キャパシタの容量形成に寄与する部分である活性層と、上下マージン部として活性層の上下部にそれぞれ形成された上部及び下部カバー層と、を含むことができる。上記活性層は、誘電体層１１１と、内部電極１２１、１２２と、を含み、誘電体層１１１を介して複数の第１及び第２内部電極１２１、１２２が交互に形成されることができる。
本発明の一実施形態において、セラミック本体１１０は、その形状に特に制限されないが、実質的に六面体状であることができる。チップの焼成時にセラミック粉末の焼成収縮、内部電極パターンの有無による厚さの差異及びセラミック本体の角部の研磨により、セラミック本体１１０は、完全な六面体状ではないが、実質的に六面体に近い形状を有することができる。
本発明の実施形態を明確に説明するために、六面体の方向を定義すると、図面に示されるＬ、Ｗ及びＴは、それぞれ長さ方向、幅方向、厚さ方向を示す。ここで、厚さ方向は、誘電体層が積層される積層方向と同一の概念で用いられることができる。
上記内部電極は第１及び第２内部電極１２１、１２２からなり、第１及び第２内部電極は、上記誘電体層１１１を介して対向するように配置されることができる。第１及び第２内部電極１２１、１２２は、異なる極性を有する一対の電極であり、誘電体層１１１上に所定の厚さで伝導性金属を含む伝導性ペーストを印刷して誘電体層１１１の積層方向に沿ってセラミック本体の両端面から交互に露出するように形成されることができ、その間に配置された誘電体層１１１によって電気的に絶縁されることができる。
即ち、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、セラミック本体１１０の両端面から交互に露出する部分によって第１及び第２外部電極１３０ａ、１３０ｂとそれぞれ電気的に連結されることができる。
これにより、第１及び第２外部電極１３０ａ、１３０ｂに電圧が印加されると、対向する第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に電荷が蓄積され、このとき、積層セラミックキャパシタ１００の静電容量は、第１及び第２内部電極１２１、１２２が重畳する領域の面積と比例するようになる。
このような第１及び第２内部電極１２１、１２２の厚さは、用途に応じて決定されることができる。例えば、セラミック本体１１０のサイズを考慮して０．２から１．０μｍの範囲内にあるように決定することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
また、第１及び第２内部電極１２１、１２２に含まれる伝導性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）またはこれらの合金であることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
このとき、誘電体層１１１の厚さは、積層セラミックキャパシタの容量設計に応じて任意に変更することができ、焼成後に１層の厚さが０．１から１０μｍになるように構成することが好ましいが、本発明はこれに限定されるものではない。
また、誘電体層１１１は、高誘電率を有するセラミック粉末、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）系またはチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）系粉末を含むことができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
上部及び下部カバー層は、内部電極を含まないことを除いては、誘電体層１１１と同一の材質及び構成を有することができる。上部及び下部カバー層は、単一または２つ以上の誘電体層を活性層の上下面にそれぞれ上下方向に積層して形成されたものとみなすことができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる第１及び第２内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割をすることができる。
上記第１外部電極１３０ａは、上記第１内部電極１２１と電気的に連結され、上記第２外部電極１３０ｂは、上記第２内部電極１２２と電気的に連結されることができる。上記第１外部電極１３０ａは、第１電極層１３１ａと、伝導性樹脂層１３２と、銅−ニッケル合金層１３３と、ニッケルめっき層１３４と、を含むことができ、上記第２外部電極１３０ｂは、第２電極層１３１ｂと、伝導性樹脂層１３２と、銅−ニッケル合金層１３３と、ニッケルめっき層１３４と、を含むことができる。
また、上記第１及び第２外部電極１３０ａ、１３０ｂは、すずめっき層１３５をさらに含むことができ、上記すずめっき層は、上記ニッケルめっき層上に形成されることができる。
上記第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂは、第１及び第２内部電極と直接的に連結されて外部電極と内部電極との電気的導通を確保する。
上記第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂは伝導性金属を含むことができ、上記伝導性金属は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）またはこれらの合金であることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
上記第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂは、伝導性金属を含むペーストの焼成によって形成される焼成型電極であることができる。
上記第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂ上には伝導性樹脂層１３２が配置されることができ、上記伝導性樹脂層１３２の外側にはニッケルめっき層１３４が配置されることができる。
本明細書では、セラミック本体１１０が存在する方向を伝導性樹脂層１３２の内側、セラミック本体１１０が存在しない方向を伝導性樹脂層１３２の外側と定義する。
伝導性樹脂層１３２の外側にニッケルめっき層１３４が配置されるとは、伝導性樹脂層とニッケルめっき層が直接的に接する場合のみならず、伝導性樹脂層とニッケルめっき層との間に他の構成が配置される場合も意味する。
図３は図２のＢ領域を拡大して時計回りに９０度回転させたものである。
図３に示されているように、上記伝導性樹脂層１３２は、銅（Ｃｕ）粉末１３２ａと、ベース樹脂１３２ｂと、を含み、上記ベース樹脂は熱硬化性樹脂を含むことができる。上記熱硬化性樹脂は、これに制限されないが、エポキシ樹脂であることができる。
上記の通り、上記伝導性樹脂層１３２の外側にはニッケルめっき層１３４が配置される。上記伝導性樹脂層と上記ニッケルめっき層との間には銅−ニッケル合金層１３３が形成され、上記銅−ニッケル合金層１３３は、上記伝導性樹脂層１３２と上記ニッケルめっき層１３４との領域において、伝導性樹脂層１３２に含まれた銅粉末１３２ａが伝導性樹脂層の表面に露出した領域に形成されることができる。即ち、銅−ニッケル合金層１３３は、伝導性樹脂層１３２とニッケルめっき層１３４との間において伝導性樹脂層に含まれた銅粉末がニッケルめっき層方向に向かって伝導性樹脂層の外部面に露出する領域上に形成されることができる。
上記伝導性樹脂層１３２の外側表面において銅−ニッケル合金層１３３が形成されない領域には、ニッケルめっき層１３４が配置されることができる。
本発明の伝導性樹脂層１３２に含まれた銅粉末１３２ａとニッケルめっき層１３４との反応により、銅−ニッケル合金層１３３が形成されることができる。
上記銅−ニッケル合金層１３３は、伝導性樹脂層１３２とニッケルめっき層１３４との接着力を強化させることで、熱衝撃に安定的な積層セラミックキャパシタを提供することができる。
上記銅−ニッケル合金層１３３の厚さｔは、１ｎｍから１０ｎｍに形成されることができる。上記銅−ニッケル合金層１３３の厚さｔが１ｎｍ未満の場合は、伝導性樹脂層１３２とニッケルめっき層１３３との接着力は、伝導性樹脂層に含まれた熱硬化性樹脂によって確保される水準と類似することから、さらなる接着力が形成されないため、伝導性樹脂層とニッケルめっき層との間に界面分離が発生する可能性がある。
また、上記銅−ニッケル合金層１３３の厚さが１０ｎｍを超過する場合は、厚くなりすぎた銅−ニッケル合金層により、伝導性樹脂層にめっき層によるストレスが加わるようになって、伝導性樹脂層１３２と第１電極層１３１ａとの間、または伝導性樹脂層１３２と第２電極層１３１ｂとの間に界面分離が発生するおそれがある。
従って、上記銅−ニッケル合金層１３３は、１ｎｍから１０ｎｍの厚さに形成されることが好ましい。
一方、上記第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂは、銅（Ｃｕ）を含むことが好ましい。伝導性樹脂層に含まれた銅粉末と同一の金属を適用することで、第１及び第２電極層と伝導性樹脂層との結合力を向上させることができる。
実験例
下記表１は、銅−ニッケル合金層の厚さによる電極層と伝導性樹脂層との界面接着力（表１には「内側界面接着」と示される）及び伝導性樹脂層とニッケルめっき層との界面接着力（表１には「外側界面接着」と示される）を評価した結果を示したものである。
界面接着力の評価は、はんだ槽テストによって行われた。３００℃のはんだ槽に１０秒間、製作された積層セラミックキャパシタを漬けて瞬間的な熱衝撃を加えた後、界面分離が発生するか否かを測定した。下記表１に、界面分離が発生した場合をＮＧ、界面分離が発生しなかった場合をＯＫと示した。
上記表１に示されているように、銅−ニッケル合金層の厚さが１ｎｍ未満の場合は、はんだ槽テストの評価において伝導性樹脂層とニッケルめっき層が分離される外側界面分離が発生しており、銅−ニッケル合金層の厚さが１０ｎｍを超過する場合は、伝導性樹脂層と電極層が分離される内側界面分離が発生した。
従って、上記の通り、銅−ニッケル合金層の厚さが１ｎｍから１０ｎｍに形成されることが好ましいことは、実験例によっても確認できる。
本発明によると、最適化された厚さを有する銅−ニッケル合金層の存在により、外部電極に含まれた層間の界面分離を防止することができる。特に、積層セラミックキャパシタを基板に実装するときに発生する熱衝撃に強い積層セラミックキャパシタを提供することができる。
積層セラミックキャパシタの製造方法
図４は本発明の他の一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を示す製造工程図である。
図４を参照すると、本実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法は、複数のセラミックグリーンシートを用意する段階と、上記セラミックグリーンシートに内部電極パターンを形成する段階と、上記セラミックグリーンシートを積層及び焼成して誘電体層と上記誘電体層を介して対向するように配置される第１及び第２内部電極とを含むセラミック本体を形成する段階と、上記第１及び第２内部電極の一端とそれぞれ電気的に連結されるように上記セラミック本体の端面に第１及び第２電極層を形成する段階と、上記電極層上に伝導性樹脂組成物を塗布して銅粉末を含む伝導性樹脂層を形成する段階と、上記伝導性樹脂層の外側に配置されるニッケルめっき層及び上記伝導性樹脂層と上記ニッケルめっき層との間に配置される１ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する銅−ニッケル合金層を形成する段階と、を含むことができる。
以下では、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法について説明するが、これに制限されるものではない。
また、本実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法に関する説明のうち、詳述した積層セラミックキャパシタと重複する説明は省略する。
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を説明する。まず、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末を含んで形成されたスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥し、複数個のセラミックグリーンシートを用意する。これにより、誘電体層及びカバー層を形成することができる。
上記セラミックグリーンシートは、セラミック粉末、バインダー及び溶剤を混合してスラリーを製造し、上記スラリーをドクターブレード法で数μｍの厚さを有するシート（ｓｈｅｅｔ）状に製作することができる。
次に、ニッケル粉末を含む内部電極用伝導性ペーストを用意することができる。
上記グリーンシート上に上記内部電極用伝導性ペーストをスクリーン印刷工法で塗布して内部電極を形成した後、内部電極が印刷されたグリーンシートを複数層積層し、積層体の上下面に内部電極が印刷されないグリーンシートを複数個積層してから焼成してセラミック本体１１０を製作することができる。上記セラミック本体は、内部電極１２１、１２２と、誘電体層１１１と、カバー層と、を含む。上記誘電体層は、内部電極が印刷されたグリーンシートが焼成されて形成されたもので、上記カバー層は、内部電極が印刷されないグリーンシートが焼成されて形成されたものである。
上記内部電極は、第１及び第２内部電極で形成されることができる。
上記第１及び第２内部電極とそれぞれ電気的に連結されるようにセラミック本体の外部面に第１及び第２電極層１３１ａ、１３１ｂが形成されることができる。上記第１及び第２電極層は、伝導性金属及びガラスを含むペーストの焼成によって形成されることができる。
上記伝導性金属は、特に制限されないが、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）及びこれらの合金からなる群より選択された一つ以上であることができ、上記の通り、銅（Ｃｕ）を含むことが好ましい。
上記ガラスは、特に制限されないが、一般的な積層セラミックキャパシタの外部電極を製作するのに用いられるガラスと同一の組成を有する物質が用いられることができる。
上記第１及び第２電極層の外側に、銅を含む伝導性樹脂組成物を塗布して伝導性樹脂層１３２を形成することができる。上記伝導性樹脂組成物は、銅粉末とベース樹脂とを含むことができ、上記ベース樹脂は、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂であることができる。
上記伝導性樹脂層を形成した後、ニッケルめっき層１３４を形成する。上記ニッケルめっき層を形成するとき、銅−ニッケル合金層１３３は、伝導性樹脂層とニッケルめっき層との間に１ｎｍから１０ｎｍに形成される条件を満たさなければならない。上記銅−ニッケル合金層１３３を１ｎｍから１０ｎｍの厚さを有するように形成するために、ニッケルめっき液の濃度、ｐＨの調節、めっき時間などの工程変数を調節することができる。
上記銅−ニッケル合金層１３３は、上記伝導性樹脂層１３２と上記ニッケルめっき層１３４との領域において、上記銅粉末が上記伝導性樹脂層の表面に露出した領域に形成されることができる。
また、上記ニッケルめっき層上にすずめっき層１３５を形成する段階をさらに含むことができる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
１００ 積層セラミックキャパシタ
１１０ セラミック本体
１１１ 誘電体層
１２１、１２２ 第１及び第２内部電極
１３０ａ、１３０ｂ 第１及び第２外部電極
１３１ａ、１３１ｂ 第１及び第２電極層
１３２ 伝導性樹脂層
１３３ 銅−ニッケル合金層
１３４ ニッケルめっき層
１３５ すずめっき層
１１０ セラミック本体
１１１ 誘電体層
１２１、１２２ 第１及び第２内部電極
１３０ａ、１３０ｂ 第１及び第２外部電極
１３１ａ、１３１ｂ 第１及び第２電極層
１３２ 伝導性樹脂層
１３３ 銅−ニッケル合金層
１３４ ニッケルめっき層
１３５ すずめっき層
Claims (12)
- 誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体の内部に形成され、前記誘電体層を介して対向するように配置される第１及び第２内部電極と、
前記セラミック本体の外部面に配置され、第１及び第２内部電極とそれぞれ電気的に連結される第１及び第２電極層と、
前記第１及び第２電極層上に配置され、銅粉末を含む伝導性樹脂層と、
前記伝導性樹脂層の外側に配置されるニッケルめっき層と、
前記伝導性樹脂層と前記ニッケルめっき層との間に配置され、１ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する銅−ニッケル合金層と、を含み、
前記銅−ニッケル合金層は、前記伝導性樹脂層と前記ニッケルめっき層との領域において、前記銅粉末が前記伝導性樹脂層の表面に露出する領域に形成される、積層セラミックキャパシタ。 - 前記第１及び第２電極層は、焼成型電極である、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記第１及び第２電極層は、銅（Ｃｕ）を含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記ニッケルめっき層上に配置されるすずめっき層をさらに含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記伝導性樹脂層は、熱硬化性樹脂をさらに含む、請求項１に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂である、請求項５に記載の積層セラミックキャパシタ。
- 複数のセラミックグリーンシートを用意する段階と、
前記セラミックグリーンシートに内部電極パターンを形成する段階と、
前記セラミックグリーンシートを積層及び焼成して誘電体層と前記誘電体層を介して対向するように配置される第１及び第２内部電極とを含むセラミック本体を形成する段階と、
前記第１及び第２内部電極の一端とそれぞれ電気的に連結されるように前記セラミック本体の端面に第１及び第２電極層を形成する段階と、
前記第１及び第２電極層上に伝導性樹脂組成物を塗布して銅粉末を含む伝導性樹脂層を形成する段階と、
前記伝導性樹脂層の外側に配置されるニッケルめっき層、及び前記伝導性樹脂層と前記ニッケルめっき層との間に配置され、前記伝導性樹脂層と前記ニッケルめっき層との領域において、前記銅粉末が前記伝導性樹脂層の表面に露出する領域に形成され、１ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する銅−ニッケル合金層を形成する段階と、を含む、積層セラミックキャパシタの製造方法。 - 前記ニッケルめっき層と前記銅−ニッケル合金とを形成する段階の後、前記ニッケルめっき層上にすずめっき層を形成する段階をさらに含む、請求項７に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
- 前記第１及び第２電極層は、焼成型電極である、請求項７に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
- 前記第１及び第２電極層は、銅（Ｃｕ）を含む、請求項７に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
- 前記伝導性樹脂層は、熱硬化性樹脂をさらに含む、請求項７に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
- 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂である、請求項１１に記載の積層セラミックキャパシタの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130008259A KR101462754B1 (ko) | 2013-01-24 | 2013-01-24 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법. |
| KR10-2013-0008259 | 2013-01-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014143387A JP2014143387A (ja) | 2014-08-07 |
| JP5863714B2 true JP5863714B2 (ja) | 2016-02-17 |
Family
ID=51207494
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013134976A Active JP5863714B2 (ja) | 2013-01-24 | 2013-06-27 | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9082557B2 (ja) |
| JP (1) | JP5863714B2 (ja) |
| KR (1) | KR101462754B1 (ja) |
| CN (1) | CN103971930B (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102097329B1 (ko) * | 2013-09-12 | 2020-04-06 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터, 그 제조방법 및 적층 세라믹 커패시터 실장 기판 |
| KR101598253B1 (ko) * | 2013-10-02 | 2016-02-26 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| KR102037264B1 (ko) * | 2014-12-15 | 2019-10-29 | 삼성전기주식회사 | 기판 내장용 소자, 그 제조 방법 및 소자 내장 인쇄회로기판 |
| WO2016157866A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 日本ケミコン株式会社 | コンデンサおよびその製造方法 |
| KR101762032B1 (ko) * | 2015-11-27 | 2017-07-26 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 그 제조 방법 |
| JP2017112170A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ |
| US10580567B2 (en) | 2016-07-26 | 2020-03-03 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Coil component and method of manufacturing the same |
| KR20180058634A (ko) | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 티디케이가부시기가이샤 | 전자 부품 |
| WO2019148277A1 (en) * | 2018-01-30 | 2019-08-08 | Tekna Plasma Systems Inc. | Metallic powders for use as electrode material in multilayer ceramic capacitors and method of manufacturing and of using same |
| KR102076153B1 (ko) * | 2018-05-02 | 2020-02-11 | 삼성전기주식회사 | 적층형 커패시터 |
| JP7139677B2 (ja) | 2018-05-08 | 2022-09-21 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| KR102142519B1 (ko) | 2018-06-29 | 2020-08-07 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
| KR102099775B1 (ko) * | 2018-09-06 | 2020-04-10 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
| KR102166129B1 (ko) | 2018-09-06 | 2020-10-15 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 |
| KR102137783B1 (ko) * | 2018-09-18 | 2020-07-24 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 전자 부품 |
| KR102070235B1 (ko) * | 2018-10-29 | 2020-01-28 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
| KR102527709B1 (ko) * | 2018-11-09 | 2023-05-02 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 |
| KR20190121222A (ko) | 2018-11-16 | 2019-10-25 | 삼성전기주식회사 | 유전체 조성물 및 이를 이용한 커패시터 부품 |
| KR102217289B1 (ko) | 2018-11-22 | 2021-02-19 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 및 그 제조 방법 |
| JP7196732B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2022-12-27 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| US11705280B2 (en) * | 2019-04-25 | 2023-07-18 | KYOCERA AVX Components Corporation | Multilayer capacitor having open mode electrode configuration and flexible terminations |
| JP2020202220A (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-17 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| KR102333094B1 (ko) * | 2019-07-08 | 2021-12-01 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
| KR102333093B1 (ko) | 2019-07-08 | 2021-12-01 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
| KR102257992B1 (ko) | 2019-07-08 | 2021-05-28 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
| US20210035744A1 (en) * | 2019-08-01 | 2021-02-04 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic electronic device |
| KR102624876B1 (ko) * | 2019-08-28 | 2024-01-15 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
| WO2021049056A1 (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社村田製作所 | 電解コンデンサ |
| JP7433938B2 (ja) * | 2020-01-31 | 2024-02-20 | 太陽誘電株式会社 | コイル部品及びコイル部品の製造方法 |
| JP2021174821A (ja) * | 2020-04-22 | 2021-11-01 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| KR20230104428A (ko) | 2021-12-31 | 2023-07-10 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자 부품 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10284343A (ja) * | 1997-04-11 | 1998-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | チップ型電子部品 |
| JPH11162771A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
| JP3376971B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2003-02-17 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
| JP2002015946A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Kyocera Corp | セラミックコンデンサ |
| JP2003318059A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-07 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
| KR100586962B1 (ko) | 2004-04-22 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 전도성 Ａｇ-에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 적층세라믹 콘덴서 |
| JP3904024B1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-11 | 株式会社村田製作所 | 積層電子部品 |
| JP2007234800A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Tdk Corp | 電子部品及びその製造方法 |
| KR100755654B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2007-09-04 | 삼성전기주식회사 | Ｅｓｒ 특성 제어가능한 적층세라믹 커패시터 |
| KR101060796B1 (ko) | 2006-06-28 | 2011-08-30 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 전자부품 및 그 제조방법 |
| JP2008166666A (ja) * | 2007-01-05 | 2008-07-17 | Tdk Corp | セラミック電子部品 |
| CN101246777A (zh) * | 2007-02-14 | 2008-08-20 | 华新科技股份有限公司 | 积层陶瓷电容器 |
| CN201142273Y (zh) * | 2007-02-14 | 2008-10-29 | 华新科技股份有限公司 | 具树脂金属层的积层陶瓷电容器 |
| KR101053329B1 (ko) * | 2009-07-09 | 2011-08-01 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 전자부품 |
-
2013
- 2013-01-24 KR KR1020130008259A patent/KR101462754B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-27 JP JP2013134976A patent/JP5863714B2/ja active Active
- 2013-07-03 US US13/934,959 patent/US9082557B2/en active Active
- 2013-07-16 CN CN201310298648.7A patent/CN103971930B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103971930B (zh) | 2017-05-31 |
| KR101462754B1 (ko) | 2014-11-17 |
| US9082557B2 (en) | 2015-07-14 |
| CN103971930A (zh) | 2014-08-06 |
| JP2014143387A (ja) | 2014-08-07 |
| US20140204502A1 (en) | 2014-07-24 |
| KR20140095361A (ko) | 2014-08-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140930 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151222 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5863714 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |