CN104114744A - 喷嘴和喷嘴头 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种布置为使得基底(100)的表面经受气态前体作用的喷嘴(8)和喷嘴头(1)。喷嘴(8)包括:输出面(24),经由输出面供给前体;用于供给前体的纵向前体供给元件(30、50);以及纵向的排放通道(6),该排放通道通到输出面(24)并且沿着输出面,用来排放从前体通道(10)供给的前体的至少一部分。前体供给元件(30、50)布置为在排放通道(6)内部延伸,以使得前体供给元件(30、50)在纵向方向上将排放通道(6)分成在前体供给元件(30、50)的相对侧上的第一排放子通道(7)和第二排放子通道(9),用于通过排放通道(6)供给前体。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于使得基底的表面经受气态前体作用的喷嘴,以及尤其是涉及一种根据权利要求1的前序部分所述的喷嘴头。本发明进一步涉及一种喷嘴头,该喷嘴头用于使得基底的表面经受至少第一前体和第二前体的连续表面作用,尤其是涉及一种根据权利要求16前序部分所述的喷嘴头。
背景技术
在现有技术中,根据原子层沉积法(ALD)的原理,若干种类的设备、喷嘴头和喷嘴用于使得基底的表面经受至少第一前体和第二前体的连续表面作用。在ALD应用中,典型地,两种气态前体在一些单独的阶段中被引入到ALD反应器中。气态前体与基底表面有效地发生反应,从而导致生长层的沉积。前体阶段被惰性气体清洗阶段所跟随或者与惰性气体清洗阶段分隔开,惰性气体清洗阶段在分开地引入另一前体之前从基底表面清除掉过量的前体。因此,ALD过程要求将前体的通量按顺序交替供给到基底表面。交替的表面作用和净化阶段之间的重复顺序是典型的ALD沉积循环。
用于连续操作ALD的现有技术设备通常包括喷嘴头,该喷嘴头具有前体喷嘴,这些前体喷嘴彼此邻近地连续布置,以使得基底的表面可连续地经受至少第一前体和第二前体的表面作用。这些喷嘴提供了一个或多个用于供给第一前体的第一前体供给通道以及一个或多个用于供给第二前体的第二前体供给通道。喷嘴头通常还设有一个或多个清洗气体通道和一个或多个排放通道,用于排放前体和清洗气体。在一个现有技术的喷嘴头中,通道按照下列次序布置:至少第一前体喷嘴、第一排放通道、清洗气体通道、排放通道、第二前体喷嘴、排放通道、清洗气体通道和排放通道,该次序选择性地重复多次。
这种现有技术喷嘴头的问题在于其包括若干个不同的喷嘴和通道,这使得喷嘴头复杂而且相当大。当基底表面被处理时,喷嘴和喷嘴头相对于基底移动,从而使得喷嘴和喷嘴头扫过基底的表面,使得基底的表面连续经受不同的前体。在工业应用中,通过一次扫过而形成尽可能多的ALD循环是有益的。现有技术的喷嘴和喷嘴头对于工业规模设备并未提供紧凑且有效的构造。
发明内容
本发明的目的是提供一种喷嘴和喷嘴头,以使得如上提到的现有技术的问题得到解决或至少减轻。本发明的目的通过根据权利要求1的特征部分所述的喷嘴来实现,其中,前体供给元件布置为在排放通道内部延伸,以使得前体供给元件在纵向方向上将排放通道分成在前体供给元件的相对侧上的第一排放子通道和第二排放子通道,用于通过排放通道供给前体。本发明的目的是另外通过根据权利要求16的特征部分所述的喷嘴头来实现,其中,第一前体供给通道和第二前体供给通道中的至少一个布置为通过排放通道而供给前体,用于在纵向方向上将排放通道分成在所述前体供给通道的相对侧上的第一排放子通道和第二排放子通道。
在从属权利要求中描述了本发明的优选实施例。
本发明基于下述思想:通过排放通道供给气态前体材料,以使得排放子通道形成在前体供给的相对侧上。本发明提供了一种喷嘴,该喷嘴包括:输出面,经由该输出面供给前体;用于供给前体的前体供给元件;以及纵向排放通道,所述纵向排放通道通到输出面并且沿着输出面,用于排放从前体通道供给的前体的至少一部分。根据本发明,前体供给元件布置为在排放通道内部延伸,以使得前体供给元件在纵向方向上将排放通道分成在前体供给元件的相对侧上的第一排放子通道和第二排放子通道,用于通过排放通道供给前体。因此,本发明提供了一种喷嘴,其中前体供给通道布置在排放通道内部,并且通过排放通道供给前体。该喷嘴布置还用在喷嘴头中,该喷嘴头具有输出面,并且包括:一个或多个第一纵向前体供给通道,其用于经由输出面使得基底表面经受第一前体;一个或第二纵向前体供给通道,其用于经由输出面使得基底表面经受第二前体;以及一个或多个纵向排放通道,其通到输出面,用于排放从第一前体供给通道供给和第二前体供给通道供给的第一前体和第二前体中的至少一部分。在喷嘴头中,第一和第二前体供给通道的至少一条布置为通过排放通道供给前体,用于在纵向方向上将排放通道分成在前体供给通道的相对侧上的第一排放子通道和第二排放子通道。因此,第一前体供给通道和第二前体供给通道中的至少一条可布置在排放通道内部,用于在纵向方向上将排放通道分成在前体供给通道的相对侧上的第一排放子通道和第二排放子通道。
本发明的喷嘴和喷嘴头的优点在于:结构紧凑,其中排放通道和前体供给通道是嵌套的。这消除了对于单独的排放通道和前体供给通道的需要。此外,代替两个单独的排放通道的是,单个的排放通道布置为在前体供给通道的两侧上形成排放子通道。所以,喷嘴和喷嘴头在结构上更加简单并且更加紧凑。这意味着更大量的前体供给通道可形成在喷嘴头的输出面的某一表面区域中,而且更多生长层可通过一次扫过而产生在基底表面上。
附图说明
下面,将结合附图借助于优选实施例而更加详细地描述本发明,其中:
图1示出了根据本发明的喷嘴头的示意图;
图2示出了根据本发明的另一喷嘴头的示意图;
图3示出了根据本发明的喷嘴的一个实施例的示意图;
图4示出了包括彼此紧挨着布置的图3喷嘴的喷嘴头的示意图;
图5示出了根据本发明的喷嘴的另一个实施例的示意图;
图6示出了根据本发明的另一喷嘴头的示意图;
图7示出了根据本发明的再一喷嘴头的示意图;
图8示出了根据本发明的喷嘴的再一实施例的示意图;以及
图9示出了根据本发明的喷嘴的又一实施例的示意图。
具体实施方式
图1示意性地示出了根据本发明的喷嘴头1的一个实施例。喷嘴头1包括喷嘴头主体2和喷嘴头输出面4,经由该喷嘴头输出面供给气态的前体。在图1的实施例中,喷嘴头输出面4是平面的,但是在可替代的实施例中,喷嘴头输出面还可以是非平面的、弯曲的圆柱形或者具有任何其他适当的形式。喷嘴头1设有喷嘴8,喷嘴彼此邻近地布置并且沿着输出面4纵向地延伸。在图1和2中通过虚线示出喷嘴8。喷嘴8彼此间隔开一段距离或者间隙12。喷嘴8包括排放通道6和前体供给通道10,其布置在排放通道6的内部。在该实施例中,排放通道6和前体供给通道10形成为纵向通道。如图1中所示,前体供给通道10在纵向方向上将排放通道6分成两个在前体供给通道10的每侧上各一个的排放子通道,用于排放所供给的前体的至少一部分。在一个优选的实施例中,排放通道6和前体供给通道10与喷嘴头输出面4齐平。可替代地,排放通道6和/或前体供给通道可从喷嘴头输出面4突出或者部分地位于喷嘴头输出面4之下。应注意的是,喷嘴8可以是喷嘴头1和喷嘴头主体2的一体部分,或者可替代地,喷嘴可以是可被移除或者更换的可拆卸部件。喷嘴8之间的间隙12在该实施例中设有清洗气体通道44,该清洗气体通道用于供给清洗气体(诸如氮气)。清洗气体通道优选地比喷嘴8或者前体供给通道长。清洗气体通道44设置用于将邻近的喷嘴8和前体彼此间隔开,并且用于清洗基底的表面。喷嘴头输出面4还设有排放周缘5,该排放周缘围绕喷嘴8和清洗气体通道44。排放周缘5连接到真空泵或类似物,以使得其可从喷嘴头输出面4排放前体和清洗气体。在该实施例中,排放周缘5是连续的,但是可替代地其可由两个或更多个布置成围绕喷嘴8和清洗气体通道44的独立排放通道部分形成。应注意的是,清洗气体周缘(没有示出)还可以与排放周缘5相同的方式布置到喷嘴。清洗气体周缘优选的设置在喷嘴头输出面4上的排放周缘5的内侧上。
图2示出了一个可替代的实施例,其中前体供给通道包括若干个供给孔14,所述排放周缘朝着喷嘴头输出面4延伸并且朝着喷嘴头输出面开口。而且,前体供给通道10布置在排放通道6的中间内,以使得排放通道6从喷嘴头输出面4上的所有方向围绕前体供给通道10。换句话说,前体供给通道6的相对侧上的排放通道6的端部被连接,以形成围绕前体供给通道10的排放通道。同样,在该实施例中,前体供给通道在纵向方向上将排放通道6分成两个在前体供给通道的每侧上各一个的排放子通道。另外,排放子通道的端部彼此连接,以形成围绕在喷嘴头输出面4上的前体供给通道的环形排放通道。在图1和图2中,喷嘴8之间的间隙12可设有清洗气体通道,该清洗气体通道用于供给清洗气体(诸如氮气),以用于清洗基底表面。在图2的实施例中,清洗通道44彼此连接在一起,以使得清洗气体通道44分别围绕每个喷嘴8而且还围绕喷嘴头输出面4上的全部喷嘴8。应注意的是,清洗气体通道44还设置为分别仅仅围绕每个喷嘴8,或者仅仅围绕全部喷嘴8。在清洗气体通道44布置为围绕喷嘴8时,在图1中所示,可以省略周围排放周缘5。然而,排放周缘5还可设置在喷嘴头输出面4上,从而围绕已连接的清洗气体通道44。
应注意的是,在图1到图8中,相同的结构部分用相同的附图标记表示。
图3示出了根据本发明的喷嘴8的一个实施例。喷嘴8包括喷嘴主体20和前体供给元件30,该前体供给元件用于将前体供给到基底100的表面上。在图3中,喷嘴8以分解方式示出,以使得前体供给元件30在喷嘴主体20之外。因而,在该实施例中,前体供给元件30和喷嘴主体20是单独的部件,但是在可替代的实施例中,它们也可以是一体部件。因此,前体供给元件30可以是主体20的一体部件或者是单独的部件。喷嘴主体20包括喷嘴输出面24,经由喷嘴输出面供给前体。喷嘴主体20还包括通到喷嘴输出面24并且沿着喷嘴输出面的纵向排放通道6。排放通道6具有沿排放通道6的纵向方向延伸的侧壁27。喷嘴主体20还包括排放管道22,该排放管道与排放通道6基本上平行地延伸并且与排放通道流体连接,用于从排放通道6排放所排放的材料。因此,喷嘴主体20布置为形成排放通道6和具有纵向壁29的排放管道22。排放管道22的宽度大于排放通道22的宽度,用于增强排放压力。排放管道22和排放通道6连接到抽吸装置(未示出),用于提供抽吸。在一个优选的实施例中,抽吸装置可布置到排放管道22和/或排放通道6的一个或两个纵向端部。
前体供给元件30布置为至少部分地安装在喷嘴主体20内部。前体供给元件30包括一个或多个纵向前体供给通道10,所述纵向前体供给通道通到喷嘴输出面24,用于经由输出面24供给前体。前体供给元件30还包括前体管道32,该前体管道与前体供给通道10流体连接,用于将前体传导到前体供给通道10。在图3的实施例中,前体供给通道10形成为通到输出面24并且沿着该输出面的纵向通道,而且延伸成从前体管道32延伸到前体供给通道10的端面34的通道。纵向前体供给通道10在输出面24附近包括扩大部38和端面34,用于增加纵向前体通道10在输出面24处的宽度。扩大部伸展并且使得供给到基底表面的前体供给一致。扩大部38使得前体在前体供给通道10的宽度方向上的供给均一并且降低前体的供给速度。当喷嘴8或者喷嘴头1布置为靠近基底表面时,扩大部38提供了压力平衡结构。
在可替代的实施例中,前体供给元件可包括一个或多个前体供给孔14,所述前体供给孔从前体管道32延伸出并且通到输出面24,用于形成前体供给通道。这些种类的供给孔14可在相对于排放通道6的纵向方向的横向方向上延伸。前体供给孔14可形成一条或多条供给通道。可替代地,前体供给孔14在前体管道32与通到输出面24并且沿着输出面的纵向前体供给通道10之间延伸。在一个实施例中,纵向扩大部38可形成前体供给通道10,并且供给孔在扩大部38与前体管道32之间延伸。
图4示出了图3的两个喷嘴8、8',并且这两个喷嘴被邻近地安装和组装以使得前体供给元件30处于喷嘴主体20内部。第一喷嘴8布置为经由第一前体供给通道10供给第一前体,并且第二喷嘴8'布置为经由第二前体供给通道10'供给第二前体。在喷嘴8、8'之间设置了用于供给清洗气体的清洗气体元件。清洗气体元件包括清洗气体管道40和通到喷嘴输出面24的清洗气体供给通道44。图1和图2的喷嘴头可通过相邻地布置两个或更多个喷嘴10、10'而形成。
如图4中示出,前体供给元件30布置为延伸穿过排放通道6而延伸到输出面24。因而,前体供给元件30布置为在排放通道6的内部纵向延伸,从而使得前体供给元件30在纵向方向上将排放通道6分成到前体供给元件30的相对侧上的第一排放子通道7和第二排放子通道9,用于通过排放通道6供给前体。这意味着从喷嘴8、8'穿过排放通道6供给前体。在图4的实施例中,前体供给元件30还布置为延伸穿过排放管道22和排放通道6而到达输出面24,从而使得前体通道10将排放管道22分成在前体供给元件30的相对侧上的两个排放子管道。前体供给元件30可以布置为提供排放管道22的排放子管道之间的流体连接。可替代地,在排放子管道之间没有流体连接。前体供给元件30优选地布置为在排放通道6内部延伸,从而使得前体供给元件30的端面34与输出面24基本上齐平。排放子通道7、9因此形成在前体供给通道10的外壁35与排放通道6的内壁27之间。
图4的喷嘴8、8'使得一个排放通道6能够提供在前体供给通道10、10'的相对侧上的两个排放通道7、9。这还使得能够使用用于这两个排放子通道7、9的一个抽吸装置或者抽吸连接装置。前体可从前体管道32的纵向端部供给到前体管道32。此外,本发明使得不同的前体能够从不同的端部供给到纵向前体管道32。
图5示出了一个可替代的实施例,其中清洗气体通道45形成到喷嘴主体20中。喷嘴主体20因此包括清洗气体管道41和清洗气体供给通道,该清洗气体供给通道通到喷嘴输出面24并且在排放通道6的方向上基本上纵向延伸。该清洗气体布置给喷嘴8提供了一体的清洗气体供给结构。图6示出了一个可替代的实施例,其中喷嘴头通过彼此邻近的喷嘴形成。在该实施例中,喷嘴主体20包括清洗气体通道47,该清洗气体通道延伸成通到喷嘴输出面24,并且在排放通道6的方向上基本上纵向延伸。在该实施例中,一个清洗气体通道47设置在两个排放通道6之间并且在排放子通道7和9之间。在该实施例中,在前体供给元件30的端面34附近没有扩大部。喷嘴头具有紧凑的结构,由于前体供给通道10形成在排放通道6内部,喷嘴主体20或者喷嘴头主体2在输出面4、24上具有仅仅两种不同通道,清洗气体通道45、47和排放通道6。
图7示出了一种喷嘴头,其中喷嘴头主体2包括流体连接到排放通道6的排放管道22。还存在前体供给通道10,该前体供给通道延伸穿过排放通道22和排放通道6而到达喷嘴头输出面4。在该实施例中,纵向排放通道6、排放管道22和前体供给通道10形成为一体部件,或者被机加工成型为喷嘴头主体2。排放通道和排放管道22通过间隔壁21而彼此间隔开。应注意的是,因为在图7的实施例中不存在前体管道,同样还可省略排放管道22,或者排放通道6可在高度方向上也具有一致的宽度。
图8示出了喷嘴的一个可替代地实施例,其中前体供给元件50在排放管道22或者排放通道内部延伸,但是在高度或者宽度方向上未穿过排放管道22。因而,前体供给元件50可提供第一排放子通道7和第二排放子通道9之间的流体连通。前体供给元件50基本上以嵌套方式、至少在排放通道6的横向方向上、在排放管道22或者排放通道6内部延伸。在一个实施例中,前体供给元件50还至少在排放通道6的横向方向上、基本上在排放管道22或者排放通道6内部同轴地延伸。前体供给元件50包括前体管道52和前体供给通道10,该前体供给通道通到喷嘴输出面24并且沿着喷嘴输出面,以使得其将排放通道6分成两个排放子通道7、9。
前体供给元件50布置为在排放通道6内部延伸,以使得前体供给元件50的端面34与喷嘴输出面24基本上齐平。
图9示出了一个可替代的实施例,其中前体供给通道10和排放通道7、9两者布置为在清洗气体元件55内部纵向延伸,以使得它们在纵向方向上将清洗气体通道分成在前体供给元件50和排放通道7、9的相对侧上的第一清洗子通道53和第二清洗子通道54。该清洗气体元件还包括清洗气体管道56,所述清洗气体管道用于将清洗气体供给到清洗气体子通道53、54。在该实施例中,前体供给元件50和喷嘴主体20形成了嵌套在清洗气体元件55和清洗气体管道56内部的排放通道7、9。因而,经由清洗气体管道56在清洗气体子通道53、54之间存在流体连通。排放管道22可以基本上按嵌套方式在清洗气体元件55内部延伸。在一个实施例中,排放管道22还可以至少在排放通道7、9的横向方向上、在清洗气体管道56内部基本上同轴地延伸。应注意的是,图9中所示的原理也可应用到图1到图8的喷嘴和喷嘴头。换句话说,前体供给通道和排放通道可布置在清洗气体通道内部,以使得前体供给通道和排放出通道将清洗气体通道分成在排放通道与前体供给通道的相对侧上的第一清洗气体子通道53和第二清洗气体子通道54。因此,该原理也可应用到图3到图8中所示的喷嘴结构中。
所以,本发明提供了一种喷嘴头,其中如上所述的喷嘴8、8'可用来使得基底的表面经受第一气态前体和第二气态前体中至少一种的连续表面作用,用于根据原子层沉积原理而在基底表面上形成薄膜。如上所述的喷嘴可用来使得基底的表面经受气态前体的表面作用。
本发明的用于使得基底100表面经受至少第一气态前体和第二气态前体的连续表面作用的喷嘴头可包括:一个或多个第一纵向前体供给通道10,其用于经由喷嘴头输出面4而使得基底100的表面经受第一前体;一个或多个纵向前体供给通道10',其用于经由输出面4而使得基底100的表面经受第二前体;以及一个或多个纵向排放通道6,其通到输出面4,用于排放从第一前体供给通道10供给的第一前体的至少一部分和从第二前体供给通道10'供给的第二前体的至少一部分。根据本发明,第一前体供给通道10和第二前体供给通道10'中的至少一条布置为通过排放通道6供给前体,用于在纵向方向上将排放通道6分成在前体供给通道10、10'的相对侧上的第一排放子通道7和第二排放子通道9。在一个优选的实施例中,通过排放通道6供给全部前体。因此,第一前体供给通道10和第二前体供给通道10'均可布置为通过排放通道6供给前体,或者第一前体供给通道10和第二前体供给通道10'均可布置在排放通道6内部。可替代地,还可能的是,根据本发明布置仅仅一个前体通道。
因此,喷嘴头的第一前体供给通道10和第二前体供给通道10'中的至少一条布置在排放通道6内部,用于在纵向方向上将排放通道6分成到在前体供给通道10、10'的相对侧上的第一排放子通道7和第二排放子通道9。这意味着第一前体供给通道10和第二前体供给通道10'可布置为在横向于排放通道6的纵向方向的方向上延伸穿过排放通道6而到达喷嘴头输出面4。第一前体供给通道10和第二前体供给通道10'布置为在排放通道6内部并且沿着排放通道延伸。它们还可布置为至少在排放通道6的宽度方向上、沿着排放通道6并且在排放通道内部基本上同轴地延伸。
对于本领域技术人员而言显而易见的是,随着技术的发展,能够以不同的方式实现该发明构思。本发明及其实施例并不限于如上所述的实施例,而是可在权利要求的范围内改变。
Claims (27)
1.一种喷嘴(8),所述喷嘴布置为使得基底(100)的表面经受气态前体的作用,所述喷嘴(8)包括:
-输出面(24),经由所述输出面供给所述前体;
-用于供给前体的前体供给元件(30、50);以及
-纵向的排放通道(6),所述排放通道通到输出面(24)并且沿着输出面,用于排放从前体通道(10)供给的前体的至少一部分,其特征在于,前体供给元件(30、50)布置为在排放通道(6)内部纵向地延伸,以使得前体供给元件(30、50)在纵向方向上将排放通道(6)分成在前体供给元件(30、50)的相对侧上的第一排放子通道(7)和第二排放子通道(9),用于通过排放通道(6)供给前体。
2.根据权利要求1所述的喷嘴,其特征在于,喷嘴(8)包括形成排放通道(6)的主体(20)。
3.根据权利要求2所述的喷嘴,其特征在于,主体(20)还包括排放管道(22),所述排放管道与排放通道(6)基本上平行地延伸并且与排放通道流体连通,用于从排放通道(6)排出所排放的前体。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的喷嘴,其特征在于,前体供给元件(30、50)与主体(20)是一体部件,或者是单独的部件。
5.根据权利要求1到4中任一项所述的喷嘴,其特征在于,前体供给元件(30、50)包括一条或者多条前体供给通道(10、14),所述前体供给通道通到输出面(24),用于经由输出面(24)供给前体。
6.根据权利要求1到5中任一项所述的喷嘴,其特征在于,前体供给元件(30、50)包括前体管道(32、52),所述前体管道与前体供给通道(10、14)流体连通,用于将前体传导到前体供给通道(10、14)。
7.根据权利要求5或6所述的喷嘴,其特征在于,纵向前体供给通道(10)在输出面(24)附近包括扩大部(38),所述扩大部用于增加纵向前体供给通道(10)在输出面(24)处的宽度。
8.根据权利要求5到7中任一项所述的喷嘴,其特征在于,前体供给元件(30、50)包括一个或多个前体供给孔(14),所述前体供给孔从前体管道(32、52)延伸出并且通到输出面(24),用于形成前体供给通道。
9.根据权利要求8所述的喷嘴,其特征在于,前体供给孔(14)形成了供给通道,或者前体供给孔(14)在前体管道(32、52)与通到输出面(24)并且沿着输出面的纵向前体供给通道(10)之间延伸。
10.根据权利要求1到9中任一项所述的喷嘴,其特征在于,前体供给元件(30、50)延伸穿过排放通道(6)到达输出面(24)。
11.根据权利要求3到10中任一项所述的喷嘴,其特征在于,前体供给元件(30)延伸穿过排放管道(22)和排放通道(6)而到达输出面(24),以使得前体通道(10)将排放管道(22)分成在前体供给元件(30、50)的相对侧上的两个排放子管道。
12.根据权利要求3到10所述的喷嘴,其特征在于,前体供给元件(50)在排放管道(22)内部延伸,从而提供了第一排放子通道和第二排放子通道(7、9)之间的流体连通。
13.根据权利要求1到12中任一项所述的喷嘴,其特征在于,前体供给元件(30、50)布置为在排放通道(6)内部延伸,以使得前体供给元件(30、50)的端面(34)与输出面(24)基本上齐平。
14.根据权利要求1到13中任一项所述的喷嘴,其特征在于,喷嘴(8)还包括通到输出面(24)的至少一个清洗气体通道(45、47)。
15.根据权利要求8所述的喷嘴,其特征在于,前体供给通道(10)和排放通道(6)布置在清洗气体通道(45、47)内部,以使得前体供给通道(10)和排放通道(6)将清洗气体通道(44、47)分成在排放通道(6)和前体供给通道(10)的相对侧上的第一清洗气体子通道和第二清洗气体子通道(53、54)。
16.一种喷嘴头(1),所述喷嘴头用于使得基底(100)的表面经受至少第一气态前体和第二气态前体的连续表面作用,所述喷嘴头(1)具有输出面(4)并且包括:
一个或多个纵向的第一前体供给通道(10),其用于经由输出面(4)使得基底(100)的表面经受第一前体的作用;以及
一个或多个纵向的第二前体供给通道(10'),其用于经由输出面(4)使得基底(100)的表面经受第二前体的作用,以及
一个或多个纵向排放通道(6),其通到输出面(4),用于排放从第一前体供给通道和第二前体供给通道(10、10’)供给的第一前体和第二前体的至少一部分,
其特征在于,第一前体供给通道和第二前体供给通道(10、10’)中的至少一条布置为通过排放通道(6)而供给前体,用于在纵向方向上将排放通道(6)分成在第一前体供给通道和第二前体供给通道(10、10’)的相对侧上的第一排放子通道(7)和第二排放子通道(9)。
17.根据权利要求16所述喷嘴头(1),其特征在于,第一前体供给通道和第二前体供给通道(10、10’)中的至少一条布置在排放通道(6)内部,用于在纵向方向上将排放通道(6)分成在第一前体供给通道和第二前体供给通道(10、10’)相对侧上的第一排放子通道(7)和第二排放子通道(9)。
18.根据权利要求16或17所述的喷嘴头(1),其特征在于,第一前体供给通道和第二前体供给通道(10、10’)均布置为通过排放通道(6)而供给前体,或者第一前体供给通道和第二前体供给通道(10、10’)均布置在排放通道(6)的内部。
19.根据权利要求16到18中任一项所述的喷嘴头,其特征在于,第一前体供给通道和第二前体供给通道(10、10’)布置为在横向于排放通道(6)的纵向方向的方向上延伸穿过排放通道(6)而到达输出面(4)。
20.根据权利要求16到18中任一项所述的喷嘴头,其特征在于,第一前体供给通道和第二前体供给通道(10、10’)布置为在排放通道(6)内部并且沿着排放通道延伸。
21.根据权利要求20所述的喷嘴头,其特征在于,第一前体供给通道和第二前体供给通道(10、10’)布置为在排放通道(6)内部并且沿着排放通道基本上同轴地延伸。
22.根据权利要求16到21中任一项所述的喷嘴头,其特征在于,喷嘴头(1)还包括一个或多个清洗气体通道(45、47),所述清洗气体通道用于将清洗气体供给到基底(100)的表面。
23.根据权利要求22所述的喷嘴头,其特征在于,清洗气体通道(45、47)设置在排放通道(6)之间。
24.根据权利要求16到23中任一项所述的喷嘴头,其特征在于,喷嘴头(1)还包括排放周缘(5),所述排放周缘在输出面(4)上围绕喷嘴(8)。
25.根据权利要求16到24中任一项所述的喷嘴头,其特征在于,喷嘴头包括一个或多个根据权利要求1到15所述的喷嘴,用于形成一个或多个前体供给通道(10、10’)以及排放通道(6)。
26.根据权利要求1到15所述的喷嘴用于使得基底表面经受气态前体的表面作用的应用。
27.根据权利要求16到25所述的喷嘴头用于使得基底的表面经受第一气态前体和第二气态前体中至少一种的连续表面作用的应用,用来根据原子层沉积原理而在基底的表面上形成薄膜。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FI20125186 | 2012-02-17 | ||
FI20125186A FI123320B (en) | 2012-02-17 | 2012-02-17 | Nozzle and nozzle head |
PCT/FI2013/050154 WO2013121102A2 (en) | 2012-02-17 | 2013-02-12 | Nozzle and nozzle head |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104114744A true CN104114744A (zh) | 2014-10-22 |
CN104114744B CN104114744B (zh) | 2016-09-14 |
Family
ID=47843915
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201380009548.6A Active CN104114744B (zh) | 2012-02-17 | 2013-02-12 | 喷嘴和喷嘴头 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150004318A1 (zh) |
EP (1) | EP2814996B1 (zh) |
CN (1) | CN104114744B (zh) |
EA (1) | EA029749B1 (zh) |
FI (1) | FI123320B (zh) |
WO (1) | WO2013121102A2 (zh) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right |
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