EA029749B1 - Форсунка и форсуночная головка - Google Patents

Форсунка и форсуночная головка Download PDF

Info

Publication number
EA029749B1
EA029749B1 EA201491521A EA201491521A EA029749B1 EA 029749 B1 EA029749 B1 EA 029749B1 EA 201491521 A EA201491521 A EA 201491521A EA 201491521 A EA201491521 A EA 201491521A EA 029749 B1 EA029749 B1 EA 029749B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
precursor
channel
channels
nozzle
feed
Prior art date
Application number
EA201491521A
Other languages
English (en)
Other versions
EA201491521A1 (ru
Inventor
Пекка Соининен
Тапани Аласаарела
Мика Яухиайнен
Original Assignee
Бенек Ой
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Бенек Ой filed Critical Бенек Ой
Publication of EA201491521A1 publication Critical patent/EA201491521A1/ru
Publication of EA029749B1 publication Critical patent/EA029749B1/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/0278—Arrangement or mounting of spray heads
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Настоящее изобретение относится к форсунке (8) и головке (1) форсунки для подвергания поверхности подложки (100) газообразному прекурсору. Форсунка (8) содержит выходную сторону (24), через которую подают прекурсор, продольный элемент (30, 50) подачи прекурсора для подачи прекурсора и продольный выпускной канал (6), открытый на выходную сторону (24) и вдоль нее для выпуска по меньшей мере части прекурсора, поданного из канала (10) подачи прекурсора. Элемент (30, 50) подачи прекурсора проходит внутри выпускного канала (6), так что элемент (30, 50) подачи прекурсора разделяет выпускной канал (6) в продольном направлении на первый и второй выпускные подканалы (7, 9) на противоположных сторонах элемента (30, 50) подачи прекурсора для подачи прекурсора через выпускной канал (6).

Description

изобретение относится к форсунке (8) и головке (1) форсунки для подвергания поверхности подложки (100) газообразному прекурсору. Форсунка (8) содержит выходную сторону (24), через которую подают прекурсор, продольный элемент (30, 50) подачи прекурсора для подачи прекурсора и продольный выпускной канал (6), открытый на выходную сторону (24) и вдоль нее для выпуска по меньшей мере части прекурсора, поданного из канала (10) подачи прекурсора. Элемент (30, 50) подачи прекурсора проходит внутри выпускного канала (6), так что элемент (30, 50) подачи прекурсора разделяет выпускной канал (6) в продольном направлении на первый и второй выпускные подканалы (7, 9) на противоположных сторонах элемента (30, 50) подачи прекурсора для подачи прекурсора через выпускной канал (6).
029749
Область техники
Настоящее изобретение относится к форсунке для подвергания поверхности подложки газообразному прекурсору и, в частности, к форсуночной головке в соответствии с п.1 формулы изобретения. Настоящее изобретение также относится к форсуночной головке для подвергания поверхности подложки последовательным поверхностным реакциям, по меньшей мере, первого и второго прекурсоров и, в частности, к форсуночной головке в соответствии с ограничительной частью п. 14 формулы изобретения.
Предшествующий уровень техники
В предшествующем уровне техники поверхность подложки подвергали последовательным поверхностным реакциям, по меньшей мере, первого прекурсора и второго прекурсора в соответствии с принципами метода послойного атомного осаждения (ΆΣΌ - от англ. ЛЮпис Ьаует ΩοροδίΙίοη) с помощью нескольких типов устройств, головок форсунки и форсунок. Обычно в соответствии с методом ΆΣΌ два газообразных прекурсора вводят в ΆΣΌ реактор на отдельных этапах. Газообразные прекурсоры эффективно реагируют с поверхностью подложки, вследствие чего осуществляется осаждение слоя роста. Вслед за этапами подачи прекурсора или между этими этапами обычно осуществляют этап продувки инертным газом, удаляющим излишки прекурсора с поверхности подложки перед отдельной подачей другого прекурсора. Таким образом, процесс ΆΣΌ требует последовательного чередования потоков прекурсоров к поверхности подложки. Эта повторяемая последовательность чередующихся поверхностных реакций и этапов продувки между ними является характерным циклом осаждения ΑΓΌ.
Устройства из предшествующего уровня техники для непрерывного осуществления ΑΣΌ обычно содержат форсуночную головку, содержащую форсунки подачи прекурсора, расположенные последовательно смежно друг с другом таким образом, что поверхность подложки может последовательно подвергаться поверхностной реакции, по меньшей мере, первого и второго прекурсоров. Форсунки обеспечивают один или более каналов подачи первого прекурсора для подачи первого прекурсора и один или более каналов подачи второго прекурсора для подачи второго прекурсора. Форсуночная головка обычно также содержит один или более каналов продувочного газа и один или более выпускных каналов для выпуска как прекурсоров, так и продувочного газа. В форсуночной головке из предшествующего уровня техники каналы расположены в следующей последовательности, необязательно повторяемой множество раз: по меньшей мере одна форсунка подачи первого прекурсора, первый выпускной канал, канал продувочного газа, выпускной канал, форсунка подачи второго прекурсора, выпускной канал, канал продувочного газа и выпускной канал.
Недостаток форсуночной головки из предшествующего уровня техники состоит в том, что она содержит несколько разных форсунок и каналов, что делает форсуночную головку сложной и увеличивает ее размер. При обработке поверхности подложки форсунки и форсуночная головка перемещаются относительно подложки так, что они проходят через поверхность подложки, последовательно подвергая ее воздействию разных прекурсоров. При промышленном применении предпочтительным является осуществление как можно большего числа циклов ΑΓΌ за один проход. Форсунки и форсуночные головки из предшествующего уровня техники не обеспечивают компактных и эффективных конструкций для промышленного производства.
Сущность изобретения
Задачей настоящего изобретения является создание форсунки и форсуночной головки, позволяющих устранить или, по меньшей мере, уменьшить недостатки предшествующего уровня техники. Решение этой задачи достигается с помощью форсунки в соответствии с отличительной частью п. 1 формулы изобретения, в которой элемент подачи прекурсора расположен так, что он проходит внутри выпускного канала, разделяя выпускной канал в продольном направлении на первый и второй выпускные подканалы на противоположных сторонах элемента подачи прекурсора, для подачи прекурсора через выпускной канал. Решение задач настоящего изобретения также осуществляется с помощью форсуночной головки в соответствии с отличительной частью п.14 формулы изобретения, в которой по меньшей мере один из первого и второго каналов подачи прекурсора выполнен с возможностью подачи прекурсора через выпускной канал, разделяя выпускной канал в продольном направлении на первый и второй выпускные подканалы на противоположных сторонах канала подачи прекурсора.
Предпочтительные варианты осуществления настоящего изобретения описаны в зависимых пунктах формулы изобретения.
Основная идея настоящего изобретения состоит в подаче газообразного материала-прекурсора через выпускной канал таким образом, что выпускной подканал образуется на противоположных сторонах элемента подачи прекурсора. В соответствии с настоящим изобретением, предложена форсунка, содержащая выходную сторону, через которую подается прекурсор, элемент подачи прекурсора для подачи прекурсора и продольный выпускной канал, открытый на выходную сторону и вдоль нее для выпуска по меньшей мере части прекурсора, поданного из канала подачи прекурсора. В соответствии с настоящим изобретением элемент подачи прекурсора расположен так, что он проходит внутри выпускного канала, разделяя выпускной канал в продольном направлении на первый и второй выпускные подканалы на противоположных сторонах элемента подачи прекурсора для подачи прекурсора через выпускной канал. Таким образом, в соответствии с настоящим изобретением предложена форсунка, в которой канал пода- 1 029749
чи прекурсора расположен внутри выпускного канала, и прекурсор подается через выпускной канал. Кроме того, такая конструкция форсунки может применяться в форсуночной головке, имеющей выходную сторону и содержащую один или более первых продольных каналов подачи прекурсора, с помощью которых поверхность подложки подвергается воздействию первого прекурсора через выходную сторону, один или более вторых продольных каналов подачи прекурсора, с помощью которых поверхность подложки подвергается воздействию второго прекурсора через выходную сторону, и один или более открытых на выходную сторону продольных выпускных каналов для выпуска по меньшей мере части первого и второго прекурсоров, поданных из первого и второго каналов подачи прекурсора. В этой форсуночной головке по меньшей мере один из первого и второго каналов подачи прекурсора расположен с возможностью подачи прекурсора через выпускной канал, разделяя выпускной канал в продольном направлении на первый и второй выпускные подканалы на противоположных сторонах канала подачи прекурсора. Таким образом, по меньшей мере один из первого и второго каналов подачи прекурсора может быть расположен внутри выпускного канала, разделяя выпускной канал в продольном направлении на первый и второй выпускные подканалы на противоположных сторонах канала подачи прекурсора.
Преимущество форсунки и форсуночной головки в соответствии с настоящим изобретением состоит в компактной структуре, в которой выпускной канал и канал подачи прекурсора расположены один в другом. Это устраняет необходимость разделения выпускных каналов и каналов подачи прекурсора. Кроме того, единственный выпускной канал позволяет получить выпускные подканалы на обеих сторонах канала подачи прекурсора вместо двух отдельных выпускных каналов. Таким образом, конструкция форсунки и форсуночной головки является более простой и компактной. Это значит, что на некоторой площади поверхности выходной стороны форсуночной головки может быть сформировано больше каналов подачи прекурсора, и за один проход на поверхности подложки можно получить дополнительные слои роста.
Краткое описание графических материалов
Ниже настоящее изобретение будет описано более подробно в связи с предпочтительными вариантами осуществления и со ссылками на прилагаемые чертежи.
На фиг. 1 схематически представлена форсуночная головка в соответствии с настоящим изобретением.
На фиг. 2 схематически представлена другая форсуночная головка в соответствии с настоящим изобретением.
На фиг. 3 схематически представлена форсунка в соответствии с одним из вариантов осуществления изобретения.
На фиг. 4 схематически представлена форсуночная головка, содержащая форсунки по фиг. 3, расположенные последовательно.
На фиг. 5 схематически представлена форсунка в соответствии с другим вариантом осуществления настоящего изобретения.
На фиг. 6 схематически представлена другая форсуночная головка в соответствии с настоящим изобретением.
На фиг. 7 схематически представлена еще одна форсуночная головка в соответствии с настоящим изобретением.
На фиг. 8 схематически представлена форсунка в соответствии с еще одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
На фиг. 9 схематически представлена форсунка в соответствии с еще одним вариантом осуществления настоящего изобретения.
Сведения, подтверждающие возможность осуществления изобретения
На фиг. 1 схематически представлена форсуночная головка 1 в соответствии с одним из вариантов осуществления изобретения. Форсуночная головка 1 содержит корпус 2 форсуночной головки и выходную сторону 4 форсуночной головки, через которую подаются газообразные прекурсоры. В соответствии с вариантом осуществления по фиг. 1 выходная сторона 4 форсуночной головки является плоской, но в соответствии с альтернативным вариантом осуществления изобретения она может быть также неплоской, искривленной, цилиндрической или любой другой подходящей формы. Форсуночная головка 1 содержит форсунки 8, расположенные смежно друг с другом и проходящие в продольном направлении вдоль выходной стороны 4. Форсунки 8 обозначены на фиг. 1 и 2 пунктирными линиями. Форсунки 8 отделены друг от друга расстоянием или зазором 12. Форсунки 8 содержат выпускной канал 6 и канал 10 подачи прекурсора, расположенный внутри выпускного канала 6. В соответствии с этим вариантом осуществления выпускной канал 6 и канал 10 подачи прекурсора выполнены как продольные каналы. Как видно на фиг. 1, канал 10 подачи прекурсора разделяет выпускной канал 6 в продольном направлении на два выпускных подканала, по одному на каждой стороне канала 10 подачи прекурсора, для выпуска по меньшей мере части поданного прекурсора. В соответствии с одним из предпочтительных вариантов осуществления выпускной канал 6 и канал 10 подачи прекурсора расположены вровень с выходной стороной 4 форсуночной головки. Альтернативно выпускной канал 6 и/или канал подачи прекурсора могут выступать от выходной стороны 4 форсуночной головки или могут частично находиться ниже выпуск- 2 029749
ной стороны 4. Следует заметить, что форсунки 8 могут составлять единое целое с форсуночной головкой 1 и корпусом 2 форсуночной головки или, альтернативно, могут являться отсоединяемыми частями, которые можно удалить и заменить. В соответствии с этим вариантом осуществления зазор 12 между форсунками 8 содержит канал 44 продувочного газа для подачи продувочного газа, такого как азот. Предпочтительно длина каналов продувочного газа превышает длину форсунок 8 или каналов подачи прекурсора. Канал 44 продувочного газа предназначен для отделения соседних форсунок 8 и прекурсоров друг от друга и для продувки поверхности подложки. Выходная сторона 4 форсуночной головки дополнительно содержит выпускной периметр 5, окружающий форсунки 8 и каналы 44 продувочного газа. Выпускной периметр 5 соединяется с вакуумным насосом и т.п. так, что он может выпускать прекурсоры и продувочный газ из выходной стороны 4 форсуночной головки. В соответствии с этим вариантом осуществления выпускной периметр 5 является непрерывным, но альтернативно он может быть образован двумя или более отдельными выпускными каналами, выполненными таким образом, что они окружают форсунки 8 и каналы 44 продувочного газа. Следует заметить, что аналогично выпускному периметру 5 форсунка может содержать периметр продувочного газа (не показан). Периметр продувочного газа предпочтительно расположен на внутренней стороне периметра 5 на выходной стороне 4 форсуночной головки.
На фиг. 2 представлен альтернативный вариант осуществления изобретения, в котором канал подачи прекурсора содержит несколько подающих каналов 14, проходящих и открытых на выходную сторону 4 форсуночной головки. Канал 10 подачи прекурсора при этом расположен в середине выпускного канала 6 так, что выпускной канал 6 окружает канал 10 подачи прекурсора на выходной стороне 4 форсуночной головки со всех сторон. Иными словами, концы выпускных каналов 6 на противоположных сторонах канала 10 подачи прекурсора соединяются, образуя выпускной канал, окружающий канал 10 подачи прекурсора. В соответствии с этим вариантом осуществления канал подачи прекурсора также разделяет выпускной канал 6 в продольном направлении на два выпускных подканала, по одному с каждой стороны канала подачи прекурсора. Кроме того, концы выпускных подканалов соединяются друг с другом, образуя кольцевой выпускной канал вокруг канала подачи прекурсора на выходной стороне 4 форсуночной головки. На фиг. 1 и 2 видно, что зазор 12 между форсунками 8 может содержать канал продувочного газа для подачи продувочного газа, например азота, для продувки поверхности подложки. В соответствии с вариантом осуществления по фиг. 2 продувочные каналы 44 соединяются друг с другом таким образом, что окружают отдельно каждую из форсунок 8, а также все форсунки 8 на выходной стороне 4 форсуночной головки. Следует заметить, что каналы 44 продувочного газа также могут быть расположены таким образом, что они окружают только каждую из форсунок 8 отдельно или только все форсунки 8. В том случае, когда каналы 44 продувочного газа окружают форсунки 8, окружающий выпускной периметр 5 по фиг. 1 может быть исключен. Однако выпускной периметр 5 может быть также расположен на выходной стороне 4 форсуночной головки, окружая соединенные каналы 44 продувочного газа.
Следует заметить, что одинаковые элементы обозначены на фиг. 1-8 одинаковыми ссылочными позициями.
На фиг. 3 представлена форсунка 8 в соответствии с одним из вариантов осуществления настоящего изобретения. Форсунка 8 содержит корпус 20 форсунки и элемент 30 подачи прекурсора для подачи прекурсора на поверхность подложки 100. На фиг. 3 форсунка 8 показана в разобранном состоянии, так что элемент 30 подачи прекурсора не находится в корпусе 20 форсунки. Таким образом, в соответствии с этим вариантом осуществления элемент 30 подачи прекурсора и корпус 20 форсунки являются отдельными частями, но в соответствии с альтернативным вариантом осуществления они могут быть выполнены как единое целое. Таким образом, элемент 30 подачи прекурсора может составлять единое целое с корпусом 20 или являться отдельной частью. Корпус 20 форсунки содержит выходную сторону 24 форсунки, через которую подается прекурсор. Корпус 20 форсунки дополнительно содержит продольный выпускной канал 6, открытый на выходную сторону 24 форсунки и проходящий вдоль этой выходной стороны. Выпускной канал 6 содержит боковые стенки 27, проходящие в продольном направлении выпускного канала 6. Корпус 20 форсунки дополнительно содержит выпускной трубопровод 22, проходящий, по существу, параллельно выпускному каналу 6 и соединенный с этим каналом для выпуска удаляемого материала из выпускного канала 6. Соответственно, корпус 20 форсунки выполнен с возможностью формирования выпускного канала 6 и выпускного трубопровода 22, имеющего продольные стенки 29. Ширина выпускного трубопровода 22 превышает ширину выпускного канала 6 для улучшения выпускного давления. Выпускной трубопровод 22 и выпускной канал 6 соединяются с всасывающим устройством (не показано) для обеспечения всасывания. В соответствии с одним из предпочтительных вариантов осуществления всасывающее устройство может быть расположено на одном или обоих продольных концах выпускного трубопровода 22 и/или выпускного канала 6.
Элемент 30 подачи прекурсора выполнен с возможностью установки, по меньшей мере частично, внутри корпуса 20 форсунки. Элемент 30 подачи прекурсора содержит один или более продольных каналов 10 подачи прекурсора, открытых на выходную сторону 24 форсунки для подачи прекурсора через выходную сторону 24. Элемент 30 подачи прекурсора дополнительно содержит трубопровод 32 прекурсора, соединенный с каналом 10 подачи прекурсора для подведения прекурсора к этому каналу. В соот- 3 029749
ветствии с вариантом осуществления по фиг. 3 канал 10 подачи прекурсора выполнен как продольный канал, открытый на выходную сторону 24 и вдоль этой стороны и проходящий в виде канала от трубопровода 32 прекурсора до торцевой стороны 34 канала 10 прекурсора. Продольный канал 10 подачи прекурсора содержит расширение 38 вблизи выходной стороны 24 и торцевой стороны 34, увеличивающий ширину канала 10 у выходной стороны 24. Расширение обеспечивает распределение и равномерность подачи прекурсора на поверхность подложки. Расширение 38 равномерно распределяет подачу прекурсора по ширине канала 10 подачи прекурсора и замедляет скорость подачи прекурсоров. Расширение 38 обеспечивает выравнивание давления, когда форсунка 8 или форсуночная головка 1 расположены вблизи поверхности подложки.
В соответствии с альтернативным вариантом осуществления, элемент подачи прекурсора может содержать одно или более каналов 14 подачи прекурсора, проходящих от трубопровода 32 прекурсора и открывающихся на выходную сторону 24, образуя канал подачи прекурсора. Такие подающие каналы 14 могут проходить в поперечном направлении относительно продольного направления выпускного канала
6. Каналы 14 подачи прекурсора могут образовывать подающий канал или каналы. Альтернативно каналы 14 подачи прекурсора проходят между трубопроводом 32 прекурсора и продольным каналом 10 подачи прекурсора, открытым на выходную сторону 24 и вдоль этой стороны. В соответствии с одним из вариантов осуществления продольное расширение 38 может образовывать канал 10 подачи прекурсора, а подающие каналы проходят между расширением 38 и трубопроводом 32 прекурсора.
На фиг. 4 представлены две форсунки 8, 8' по фиг. 3, установленные смежно друг с другом и соединенные таким образом, что элемент 30 подачи прекурсора находится внутри корпуса 20 форсунки. Первая форсунка 8 предназначена для подачи первого прекурсора через первый канал 10 подачи прекурсора, а вторая форсунка 8' предназначена для подачи второго прекурсора через второй канал 10' подачи прекурсора. Между форсунками 8, 8' имеется элемент продувочного газа для подачи продувочного газа. Элемент продувочного газа содержит трубопровод 40 продувочного газа и канал 44 подачи продувочного газа, открытый на выходную сторону 24 форсунки. Форсуночная головка по фиг. 1 и 2 может быть выполнена путем смежного размещения двух или более форсунок 10, 10'.
Как показано на фиг. 4, элемент 30 подачи прекурсора проходит через выпускной канал 6 к выходной стороне 24. Таким образом, элемент 30 подачи прекурсора проходит в продольном направлении внутри выпускного канала 6, так что он разделяет этот канал в продольном направлении на первый выпускной подканал 7 и второй выпускной подканал 9 на противоположных сторонах элемента 30 подачи прекурсора для подачи прекурсора через выпускной канал 6. Это значит, что прекурсор подается из форсунки 8, 8' через выпускной канал 6. В соответствии с вариантом осуществления по фиг. 4 элемент 30 подачи прекурсора также проходит через выпускной трубопровод 22 и выпускной канал 6 к выходной стороне 24 таким образом, что канал 10 прекурсора разделяет выпускной трубопровод 22 на два выпускных подтрубопровода на противоположных сторонах элемента 30 подачи прекурсора. Элемент 30 подачи прекурсора может быть выполнен с возможностью обеспечения соединения между выпускными подтрубопроводами выпускного трубопровода 22. Альтернативно между выпускными подтрубопроводами нет соединения. Элемент 30 подачи прекурсора предпочтительно проходит внутри выпускного канала 6 таким образом, что торцевая сторона 34 элемента 30 находится, по существу, вровень с выходной стороной 24. Таким образом, между наружной стенкой 35 канала 10 подачи прекурсора и внутренними стенками 27 выпускного канала 6 образованы выпускные подканалы 7, 9.
Форсунки 8, 8' по фиг. 4 позволяют использовать один выпускной канал 6 для получения двух выпускных каналов 7, 9 на противоположных сторонах каналов 10, 10' подачи прекурсора. Это также позволяет использовать одно всасывающее устройство или всасывающую линию для обоих этих выпускных подканалов 7, 9. Прекурсоры могут подаваться в трубопроводы 32 прекурсоров из продольных концов этих трубопроводов. Кроме того, настоящее изобретение обеспечивает возможность подачи разных прекурсоров из разных концов продольных трубопроводов 32 прекурсоров.
На фиг. 5 представлен альтернативный вариант осуществления изобретения, в котором каналы 45 продувочного газа выполнены в корпусе 20 форсунки. Таким образом, корпус 20 форсунки содержит трубопровод 41 продувочного газа и канал подачи продувочного газа, открытый на выходную сторону 24 форсунки и проходящий продольно, по существу, в направлении выпускного канала 6. Такая конфигурация продувочного газа обеспечивает встроенную подачу продувочного газа в форсунку 8. На фиг. 6 представлен альтернативный вариант осуществления, в котором форсуночная головка выполнена путем смежного размещения форсунок. В соответствии с этим вариантом осуществления корпус 20 форсунки содержит канал 47 продувочного газа, открытый на выходную сторону 24 форсунки и проходящий продольно, по существу, в направлении выпускного канала 6. В соответствии с этим вариантом осуществления один канал 47 продувочного газа расположен между двумя выпускными каналами 6 и между выпускными подканалами 7 и 9. В соответствии с этим вариантом осуществления вблизи торцевой стороны 34 элемента 30 подачи прекурсора отсутствует расширение. Форсуночная головка имеет компактную структуру корпуса 20 форсунки, или корпус 2 форсуночной головки содержит на выпускной стороне 4, 24 только два разных канала, а именно каналы 45, 47 продувочного газа и выпускной канал 6, в то время как канал 10 подачи прекурсора выполнен внутри выпускного канала 6.
- 4 029749
На фиг. 7 представлена форсуночная головка, в которой корпус 2 форсуночной головки содержит выпускные трубопроводы 22, соединенные с выпускными каналами 6. Также имеются каналы 10 подачи прекурсора, проходящие через выпускной трубопровод 22 и выпускной канал 6 к выходной стороне 4 форсуночной головки. В соответствии с этим вариантом осуществления изобретения продольные выпускные каналы 6, выпускные трубопроводы 22 и каналы 10 подачи прекурсора выполнены как единое целое с корпусом 2 форсуночной головки или в виде профилей, приточенных к этому корпусу 2. Выпускные каналы и выпускные трубопроводы 22 отделены друг от друга разделяющими стенками 21. Следует заметить, что поскольку в соответствии с вариантом изобретения по фиг. 7 трубопровод прекурсора отсутствует, также может отсутствовать выпускной трубопровод 22, или выпускной канал 6 может иметь одинаковую ширину также по высоте.
На фиг. 8 представлена форсунка в соответствии с альтернативным вариантом осуществления изобретения, в котором элемент 50 подачи прекурсора проходит внутри выпускного трубопровода 22 или выпускного канала, но не через выпускной трубопровод 22 по высоте или ширине. Таким образом, элемент 50 подачи прекурсора может обеспечить соединение между первым и вторым выпускными подканалами 7, 9. Элемент 50 подачи прекурсора, по существу, вставлен в выпускной трубопровод 22 или в выпускной канал 6, по меньшей мере, в поперечном направлении выпускного канала 6. В соответствии с одним из вариантов осуществления элемент 50 подачи прекурсора может также проходить, по существу, соосно в выпускном трубопроводе 22 или выпускном канале 6, по меньшей мере, в поперечном направлении выпускного канала 6. Элемент 50 подачи прекурсора содержит трубопровод 52 прекурсора и канал 10 подачи прекурсора, открывающийся на выходную сторону 24 форсунки и вдоль этой стороны, так что он разделяет выпускной канал 6 на два выпускных подканала 7, 9. Элемент 50 подачи прекурсора проходит внутри выпускного канала 6 так, что торцевая сторона 34 элемента 50 подачи находится, по существу, вровень с выходной стороной 24 форсунки.
На фиг. 9 представлен альтернативный вариант осуществления, в котором как канал 10 подачи прекурсора, так и выпускные каналы 7, 9 проходят в продольном направлении внутри элемента 55 продувочного газа таким образом, что они разделяют канал продувочного газа в продольном направлении на первый подканал 53 и второй подканал 54 продувочного газа на противоположных сторонах элемента 50 подачи прекурсора и выпускных каналов 7, 9. Элемент продувочного газа также содержит трубопровод 56 продувочного газа для подачи продувочного газа в подканалы 53, 54 продувочного газа. В соответствии с этим вариантом осуществления элемент 50 подачи прекурсора и корпус 20 форсунки, образующие выпускные каналы 7, 9, вставлены в элемент 55 продувочного газа и трубопровод 56 продувочного газа. Таким образом подканалы 53, 54 продувочного газа соединены через трубопровод 56 продувочного газа. Выпускной трубопровод 22 может быть, по существу, вставлен в элемент 55 продувочного газа. В соответствии с одним из вариантов осуществления выпускной трубопровод 22 может также проходить, по существу, соосно внутри трубопровода 56 продувочного газа, по меньшей мере, в поперечном направлении выпускных каналов 7, 9. Следует заметить, что принцип, представленный на фиг. 9, может быть также применен к форсункам и головкам форсунок по фиг. 1-8. Иными словами, канал подачи прекурсора и выпускной канал могут находиться внутри канала продувочного газа так, что канал подачи прекурсора и выпускной канал разделяют канал продувочного газа на первый и второй подканалы 53, 54 продувочного газа на противоположных сторонах выпускного канала и канала подачи прекурсора. Таким образом, этот принцип может также использоваться в форсуночных конструкциях по фиг. 3-8.
Таким образом, настоящее изобретение обеспечивает форсуночную головку, в которой описанные выше форсунки 8, 8' могут применяться для подвергания поверхности подложки последовательным поверхностным реакциям, по меньшей мере, первого и второго газообразных прекурсоров для формирования тонкой пленки на поверхности подложки в соответствии с принципами метода послойного атомного осаждения. Описанная выше форсунка может применяться для подвергания поверхности подложки поверхностной реакции газообразного прекурсора.
Форсуночная головка в соответствии с настоящим изобретением для подвергания поверхности подложки 100 последовательным поверхностным реакциям, по меньшей мере, первого и второго газообразных прекурсоров, может содержать один или более первых продольных каналов 10 подачи прекурсора для подвергания поверхности подложки 100 воздействию первого прекурсора через выходную сторону 4 форсуночной головки, один или более вторых продольных каналов 10' подачи прекурсора, для подвергания поверхности подложки 100 воздействию второго прекурсора через выходную сторону 4 форсуночной головки, и один или более продольных выпускных каналов 6, открытых на выходную сторону 4 для выпуска по меньшей мере части первого и второго прекурсоров, поданных из первого и второго каналов 10, 10' подачи прекурсора. В соответствии с настоящим изобретением по меньшей мере один из первого и второго каналов 10, 10' подачи прекурсора выполнен с возможностью подачи прекурсора через выпускной канал 6, разделяя выпускной канал 6 в продольном направлении на первый выпускной подканал 7 и второй выпускной подканал 9 на противоположных сторонах каналов 10, 10' подачи прекурсора. В соответствии с одним из предпочтительных вариантов осуществления все прекурсоры подаются через выпускные каналы 6. Таким образом, каждый из первого и второго каналов 10, 10' подачи прекурсора может быть выполнен с возможностью подачи прекурсора через выпускной канал 6, или каждый из первого
- 5 029749
и второго каналов 10, 10' подачи прекурсора может находиться внутри выпускного канала 6. Альтернативно, только один из каналов прекурсора может быть выполнен в соответствии с настоящим изобретением.
Таким образом, по меньшей мере один из первого и второго каналов 10, 10' подачи прекурсора форсуночной головки расположен в выпускном канале 6, разделяя выпускной канал 6 в продольном направлении на первый выпускной подканал 7 и второй выпускной подканал 9 на противоположных сторонах каналов 10, 10' подачи прекурсора. Это значит, что первый и второй каналы 10, 10' подачи прекурсора могут проходить через выпускной канал 6 к выходной стороне 4 форсуночной головки в направлении, поперечном продольному направлению выпускного канала 6. Первый и второй каналы 10, 10' подачи прекурсора проходят внутри и вдоль выпускного канала 6. Они также могут проходить, по существу, коаксиально внутри и вдоль выпускного канала 6, по меньшей мере, по ширине выпускного канала 6.
Специалисту в данной области техники ясно, что с развитием техники возможны многие варианты осуществления настоящего изобретения без отклонения от сущности настоящего изобретения. Таким образом, изобретение и варианты его осуществления не ограничены приведенными примерами и могут меняться без отклонения от сущности настоящего изобретения, ограниченной прилагаемой формулой изобретения.

Claims (14)

  1. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
    1. Форсунка (8) для подачи на поверхность подложки (100) газообразного прекурсора, содержащая корпус (20) с отводным каналом (6, 22), состоящим из первого участка (22) и второго участка (6),
    причем второй участок включает выходное отверстие, расположенное на выходной поверхности (24),
    причем внутри отводного канала (6, 22) находится элемент подачи прекурсора (30, 50), включающий один или более каналов (10, 14), для подачи прекурсора через указанное выходное отверстие на выходной поверхности (24),
    отличающаяся тем, что элемент (30, 50) подачи прекурсора выполнен так, что делит отводной канал (6, 22) в продольном направлении на первый отводной подканал (7) и второй отводной подканал (9),
    при этом ширина первого участка (22) отводного канала (6, 22) превосходит ширину второго участка (6) отводного канала (6, 22),
    и тем, что дополнительно содержит по меньшей мере один канал (45, 47) для продувочного газа, открытый на выходную сторону (24).
  2. 2. Форсунка по п.1, отличающаяся тем, что элемент (30, 50) подачи прекурсора выполнен как единое целое с корпусом (20) или как отдельная часть.
  3. 3. Форсунка по любому из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что элемент (30, 50) подачи прекурсора содержит трубопровод (32, 52) прекурсора, соединенный с каналом (10, 14) подачи прекурсора, для подведения прекурсора к каналу (10, 14) подачи прекурсора.
  4. 4. Форсунка по любому из пп.1 или 3, отличающаяся тем, что продольный канал (10) подачи прекурсора содержит расширение (38) вблизи выходной стороны (24) для увеличения ширины продольного канала (10) подачи прекурсора у выходной стороны (24).
  5. 5. Форсунка по любому из пп.1, 3-4, отличающаяся тем, что элемент (30, 50) подачи прекурсора содержит один или более каналов (14) подачи прекурсора, проходящих от трубопровода (32, 52) прекурсора и открытых на выходную сторону (24), для формирования канала подачи прекурсора.
  6. 6. Форсунка по п.5, отличающаяся тем, что каналы (14) подачи прекурсора образуют подающие каналы или проходят между трубопроводом (32, 52) прекурсора и продольным каналом (10) подачи прекурсора, открытым на выходную сторону (24) и вдоль этой стороны.
  7. 7. Форсунка по любому из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что элемент (30, 50) подачи прекурсора проходит через второй участок (6) отводного канала к выходной стороне (24).
  8. 8. Форсунка по любому из предшествующих пунктов, отличающаяся тем, что элемент (30, 50) подачи прекурсора проходит внутри второго участка (6) отводного канала таким образом, что торцевая сторона (34) элемента (30, 50) подачи находится, по существу, вровень с выходной стороной (24).
  9. 9. Форсунка по п.5, отличающаяся тем, что канал (10) подачи прекурсора и второй участок (6) отводного канала проходят внутри канала (45, 47) продувочного газа таким образом, что они разделяют канал (45, 47) продувочного газа на первый и второй подканалы (53, 54) продувочного газа на противоположных сторонах второго участка (6) отводного канала и канала (10) подачи прекурсора.
  10. 10. Форсуночная головка (1) для подачи на поверхность подложки (100), по меньшей мере, первого и второго газообразных прекурсоров для последовательных поверхностных реакций, причем форсуночная головка (1) имеет выходную сторону (4) и содержит
    один или более первых продольных каналов (10) подачи прекурсора для подачи на поверхность подложки (100) первого прекурсора через выходную сторону (4);
    один или более вторых продольных каналов (10') подачи прекурсора для подачи на поверхность подложки (100) второго прекурсора через выходную сторону (4) и
    один или более отводных каналов (6, 22), состоящих из первого участка (22) и второго участка (6),
    - 6 029749
    причем второй участок включает выходное отверстие, расположенное на выходной поверхности (4), для выпуска по меньшей мере части первого и второго прекурсоров, поданных из первого и второго каналов (10, 10') подачи прекурсора,
    отличающаяся тем, что по меньшей мере один из первого и второго каналов (10, 10') подачи прекурсора выполнен так, что делит отводной канал (6, 22) в продольном направлении на первый отводной подканал (7) и второй отводной подканал (9),
    при этом ширина первого участка (22) отводного канала (6, 22) превосходит ширину второго участка (6) отводного канала (6, 22),
    и тем, что дополнительно содержит по меньшей мере один канал (45, 47) для продувочного газа, открытый на выходную сторону (4).
  11. 11. Форсуночная головка (1) по п.10, отличающаяся тем, что первый и второй каналы (10, 10') подачи прекурсора проходят через второй участок (6) отводного канала к выходной стороне (4) в направлении, поперечном продольному направлению второго участка (6).
  12. 12. Форсуночная головка (1) по п.10, отличающаяся тем, что первый и второй каналы (10, 10') подачи прекурсора проходят внутри второго участка (6) отводного канала и вдоль него.
  13. 13. Форсуночная головка (1) по п.12, отличающаяся тем, что первый и второй каналы (10, 10') подачи прекурсора проходят внутри второго участка (6) отводного канала и вдоль него, по существу, соосно.
  14. 14. Форсуночная головка (1) по п.10, отличающаяся тем, что каналы (45, 47) продувочного газа расположены между вторыми участками (6) отводных каналов.
    - 7 029749
EA201491521A 2012-02-17 2013-02-12 Форсунка и форсуночная головка EA029749B1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20125186A FI123320B (en) 2012-02-17 2012-02-17 Nozzle and nozzle head
PCT/FI2013/050154 WO2013121102A2 (en) 2012-02-17 2013-02-12 Nozzle and nozzle head

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA201491521A1 EA201491521A1 (ru) 2015-05-29
EA029749B1 true EA029749B1 (ru) 2018-05-31

Family

ID=47843915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA201491521A EA029749B1 (ru) 2012-02-17 2013-02-12 Форсунка и форсуночная головка

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20150004318A1 (ru)
EP (1) EP2814996B1 (ru)
CN (1) CN104114744B (ru)
EA (1) EA029749B1 (ru)
FI (1) FI123320B (ru)
WO (1) WO2013121102A2 (ru)

Families Citing this family (244)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7976631B2 (en) * 2007-10-16 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Multi-gas straight channel showerhead
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11414759B2 (en) * 2013-11-29 2022-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Mechanisms for supplying process gas into wafer process apparatus
TWI545224B (zh) * 2014-02-26 2016-08-11 國立中央大學 用於有機金屬化學氣相沉積設備之進氣系統
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6320824B2 (ja) * 2014-03-31 2018-05-09 株式会社東芝 ガス供給管、およびガス処理装置
FI126315B (en) * 2014-07-07 2016-09-30 Beneq Oy A nozzle head, apparatus and method for subjecting a substrate surface to successive surface reactions
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
FI126894B (en) * 2014-12-22 2017-07-31 Beneq Oy Nozzle head, apparatus and method for coating a substrate surface
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
KR102420015B1 (ko) * 2015-08-28 2022-07-12 삼성전자주식회사 Cs-ald 장치의 샤워헤드
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
EP3390687A4 (en) * 2015-12-17 2019-10-23 Beneq OY COATING PROCESSER NOZZLE AND NOZZLE HEAD
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11251019B2 (en) * 2016-12-15 2022-02-15 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Plasma device
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) * 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
JP6863199B2 (ja) 2017-09-25 2021-04-21 トヨタ自動車株式会社 プラズマ処理装置
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
FI129730B (en) * 2017-10-18 2022-08-15 Beneq Oy Nozzle and nozzle head
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008130369A1 (en) * 2007-04-17 2008-10-30 Lam Research Corporation Apparatus and method for atomic layer deposition
US20100037820A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Vapor Deposition Reactor

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3888649A (en) * 1972-12-15 1975-06-10 Ppg Industries Inc Nozzle for chemical vapor deposition of coatings
US6022414A (en) * 1994-07-18 2000-02-08 Semiconductor Equipment Group, Llc Single body injector and method for delivering gases to a surface
US5944900A (en) * 1997-02-13 1999-08-31 Watkins Johnson Company Protective gas shield for chemical vapor deposition apparatus
US20040175498A1 (en) * 2003-03-06 2004-09-09 Lotfi Hedhli Method for preparing membrane electrode assemblies
WO2007106076A2 (en) * 2006-03-03 2007-09-20 Prasad Gadgil Apparatus and method for large area multi-layer atomic layer chemical vapor processing of thin films
US20120237695A1 (en) * 2009-12-23 2012-09-20 2-Pye Solar, LLC Method and apparatus for depositing a thin film

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008130369A1 (en) * 2007-04-17 2008-10-30 Lam Research Corporation Apparatus and method for atomic layer deposition
US20100037820A1 (en) * 2008-08-13 2010-02-18 Synos Technology, Inc. Vapor Deposition Reactor

Also Published As

Publication number Publication date
EP2814996A2 (en) 2014-12-24
WO2013121102A2 (en) 2013-08-22
FI123320B (en) 2013-02-28
US20150004318A1 (en) 2015-01-01
EP2814996B1 (en) 2018-12-26
CN104114744A (zh) 2014-10-22
WO2013121102A3 (en) 2013-10-24
EA201491521A1 (ru) 2015-05-29
CN104114744B (zh) 2016-09-14
FI20125186A (fi) 2013-02-28
EP2814996A4 (en) 2015-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EA029749B1 (ru) Форсунка и форсуночная головка
KR101819781B1 (ko) 원자 층 증착 코팅 시스템
US9708710B2 (en) Atomic layer deposition method for coating a substrate surface using successive surface reactions with multiple precursors
TWI601575B (zh) 噴嘴頭與裝置及其操作方法
CN102365389A (zh) 半导体处理反应器及其部件
JP2009531548A5 (ru)
JP2012519773A5 (ru)
CN106399973A (zh) 气体分配系统和处理腔室
US20140284404A1 (en) Chemical vapour deposition injector
KR101541154B1 (ko) 원자층 증착장치
EA018887B1 (ru) Устройство для реактора послойного атомного осаждения
KR20110041488A (ko) 가스 이송 장치
EA012961B1 (ru) Реактор для послойного атомного осаждения
US20170125221A1 (en) Apparatus for indirect atmospheric pressure plasma processing
TW200507050A (en) Gas injector for use in semiconductor fabricating apparatus
TWI542412B (zh) 噴嘴頭及用於處理基板之表面的裝置
CN104871293B (zh) 薄膜沉积装置与薄膜沉积方法
KR101559629B1 (ko) 원자층 증착장치
KR101879323B1 (ko) 개선된 인라인 미세 채널 타입 상압 저온 미스트 cvd 장치
NL2025783B1 (en) Atomic layer deposition head unit and method
TW201534747A (zh) 延伸的前驅物氣體注入方法
CN103080375A (zh) 喷嘴头
US20180044792A1 (en) Gas injector for semiconductor processes and film deposition apparatus
WO2012028779A1 (en) Apparatus
KR20090055871A (ko) 반도체증착장비용 샤워헤드방식 가스공급장치 및가스공급방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KZ KG TJ TM