CN103986449A - 体偏置开关装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种用于切换射频RF信号的电路、无线通信装置以及方法。实施方式提供了一种包含一个或更多个场效应晶体管（FET）的开关装置。在实施方式中，体偏置电路可以基于施加到开关场效应晶体管的射频信号来获得偏置电压并且可以将该偏置电压施加到开关场效应晶体管的本体端子。
Description
技术领域
本公开内容的实施方式通常涉及电路领域，并且更具体地涉及利用场效应晶体管（“FET”）的体偏置开关装置。
背景技术
对于绝缘体上硅（SOI）结构的开关装置，在截止模式运行期间，使用负体偏置连接来减轻浮置效应。本设计需要使用充电泵来将负电压直接供应给本体。惯于采用这种设计的电路元件可能与衬底噪声耦合、解码器电路的数量增加的控制线、进入到射频（RF）开关磁芯的寄生信号（因可用路由路径的限制而导致）以及较大的芯片尺寸相关联。
发明内容
本发明提供了一种用于切换射频RF信号的电路，该电路包括：
场效应晶体管FET，其包含源极端子、栅极端子、漏极端子以及本体端子；以及
体偏置电路，其与所述源极端子、所述漏极端子以及所述本体端子耦接，所述体偏置电路被配置为：
基于施加到所述场效应晶体管的射频信号获得负偏置电压；以及
当所述场效应晶体管处于截止状态时，将所述负偏置电压提供给所述本体端子。
本发明还提供了一种无线通信装置，该无线通信装置包括：
收发器；
天线；以及
射频RF前端，其与所述收发器和所述天线耦接并且被配置为在所述收发器与所述天线之间传送信号，所述射频前端包括绝缘体上硅结构的开关装置，所述开关装置具有：
解码器，其被配置为对多个开关场效应晶体管FET进行设置以使其处于截止状态或导通状态；以及
具有体偏置电路和所述多个场效应晶体管中的一个场效应晶体管FET的单元，其中，当所述这个场效应晶体管处于截止状态时，所述体偏置电路被配置为向所述该场效应晶体管的本体提供负电压，所述负电压来源于施加到所述该场效应晶体管的射频信号。
本发明还提供了一种方法，所述方法包括以下步骤：
利用解码器电路对开关场效应晶体管FET进行控制以使其处于截止状态；
当所述开关场效应晶体管处于截止状态时，利用体偏置电路基于施加到所述开关场效应晶体管的射频RF信号获得负偏置电压；以及
当所述开关场效应晶体管处于截止状态时，通过所述体偏置电路将所述负偏置电压提供给所述开关场效应晶体管的本体。
本发明还提供了一种用于切换射频RF信号的电路，所述电路包括：
场效应晶体管FET，其包含源极端子、栅极端子、漏极端子以及本体端子；以及
体偏置电路，所述体偏置电路具有：
与所述本体端子耦接的节点；
与所述漏极端子和所述节点耦接的第一电阻器；以及
与所述源极端子和所述节点耦接的第二电阻器，
其中，所述体偏置电路被配置为：
基于施加到所述场效应晶体管的射频信号获得偏置电压；以及将所述偏置电压提供给所述本体端子。
附图说明
在附图的各图中，通过示例的方式而非限制的方式示出了各实施方式，在附图中，相同的附图标记表示相似的元件。
图1示出了根据一些实施方式的单位单元。
图2示出了根据一些实施方式的开关晶体管的示意图。
图3示出了根据其它实施方式的单位单元。
图4（a）和图4（b）示出了根据一些实施方式的电压随时间变化的曲线图。
图5示出了根据其它实施方式的单位单元。
图6示出了根据其它实施方式的单位单元。
图7示出了根据一些实施方式的操作方法的流程图。
图8示出了根据一些实施方式的开关装置。
图9示出了根据一些实施方式的无线通信装置。
具体实施方式
将使用本领域的技术人员通常采用的术语来描述示例性实施方式的各个方面，以向本领域的其它技术人员传达他们的研究的主旨。然而，本领域的技术人员将明白，可以仅利用所描述的方面中的一些方面来实现替代性实施方式。为了说明的目的，阐述具体的装置和配置以提供对说明性实施方式的深入理解。然而，本领域的技术人员将明白，可以不利用这些具体细节实现替代性实施方式。在其它实例中，为了不使示例性实施方式模糊，省略或简化了众所周知的特征。
此外，以最有助于理解本公开内容的方式将各操作依次描述为多个分立的操作；然而，描述的顺序不应当被解释成意指这些操作必需是与顺序相关的。具体地，这些操作不必按照呈现的顺序来执行。
短语“在一个实施方式中”被重复使用。该短语通常不是指同一实施方式；然而，它可以指同一实施方式。除非上下文另外指出，否则术语“包含”、“具有”和“包括”具有相同含义。
在本文中可以使用术语“与…耦接”及其派生词。“耦接”可以指如下中的一种或更多种。“耦接”可以指两个或更多个元件直接物理接触或直接电接触。然而，“耦接”也可以指两个或更多个元件彼此间接接触，但仍然彼此协作或交互，并且“耦接”还可以指在被称为彼此耦接的元件之间耦接或连接一个或更多个其它元件。
实施方式可以包括在开关装置（包含场效应晶体管（FET））中所采用的电路。FET可以包括相应端子各自耦接的本体、源极、漏极以及栅极。开关装置可以是绝缘体上硅（SOI）结构的开关装置。该电路还可以包括体偏置电路，该体偏置电路包括电路元件对且被配置为基于施加到FET的射频（RF）信号来获得偏置电压，并且在FET截止时，该体偏置电路向FET的本体端子提供偏置电压。在一些实施方式中，所获得的偏置电压可以是负偏置电压。下面将参考附图更加详细地描述各种实施方式。
图1示出了根据各种实施方式的电路100。电路100也可以被称为单位单元100，或简称为单元100。单元100可以包括FET104，其也可以被称为开关FET104。FET104可以是n型场效应晶体管（“nFET”）并且通常示出为n型场效应晶体管。FET104可以包括与FET的相应的漏极、源极、栅极和本体耦接的源极端子108、漏极端子112、栅极端子116以及本体端子120，如下面参考图2所述。
单元100还可以包括体偏置电路124。体偏置电路124可以与FET104的源极端子108、漏极端子112以及本体端子120耦接。如下将描述的，体偏置电路124可以用于向FET104的基底（base）提供适当的偏置电压。在各实施方式中，体偏置电路124将仅与FET104的三个端子耦接。也就是说，不需要外部连接件或控制线与偏置控制电路124耦接。
体偏置电路124可以包括第一电阻器128、节点132以及第二电阻器136。第一电阻器128可以与源极端子108和节点132耦接并且耦接在源极端子108与节点132之间。第二电阻器136可以与漏极端子112和节点132耦接并且耦接在漏极端子112与节点132之间。节点132可以与本体端子120耦接。电阻器128、电阻器136可以大小相等。
FET104可以是增强型FET或耗尽型FET。在一些实施方式中，FET104可以是金属氧化物半导体FET（“MOSFET”），而在其它实施方式中，FET104可以指绝缘栅极FET（“IGFET”）或金属-绝缘体-半导体FET（“MISFET”）。
各实施方式提供了用于偏置FET104的本体的电压的体偏置方案。在本文中，参考nFET来讨论该偏置方案。然而，在其它实施方式中，可以对于其它类型的FET（例如p型FET）利用该偏置方案。
在各实施方式中，FET104可以选择性地在截止状态与导通状态之间转换以有利于发送信号（下文称为射频（RF）信号）的切换。例如，如果FET104处于导通状态，则FET104可以在源极端子108与漏极端子112之间传递RF信号，而如果FET104处于截止状态，则FET104可以防止RF信号在漏极端子112与源极端子108之间进行传递。
FET104可以在栅极端子116处接收控制信号，以使FET104在截止状态与导通状态之间进行转换。例如，可以相对于漏极端子112和源极端子108将+2.5V的DC电压（也称为栅极-源极电压）施加到栅极端子116。在一些实施方式中，可以通过解码器（图1中未示出）来施加该电压。+2.5V可以具有以下效应：通过使漏极端子112与源极端子108之间的电阻变得非常低来设置FET104使其处于导通状态，从而可以在漏极端子112与源极端子108之间传递RF信号。
由于当FET104被包含在SOI开关装置中时，FET104通常可以包括如图2所示的部分，因此施加正的栅极-源极电压可以使得RF信号流过FET104。FET104可以由连接到漏极端子112的漏极200、连接到源极端子108的源极204以及连接到栅极端子116的栅极208组成。在实施方式中，漏极200、源极204以及栅极208全部可以由金属或导电材料组成，例如，铝或铜。在实施方式中，漏极200、源极204以及栅极208可以由相同材料或不同材料组成。
FET104还可以包括连接到本体端子120的本体212。如下将更加详细描述的，FET104还可以包括：位于漏极200与本体212之间的n型漏极部220、以及位于源极204与本体212之间的n型源极部228。
本文所使用的端子是FET104在其与电路中的其它元件连接处的元件。在一些实施方式中，可以认为漏极200和漏极端子112是同一元件，例如，FET104可以通过漏极200与电路中的元件之间的直接连接而连接到电路中的另一元件。在其它实施方式中，漏极端子112可以是与漏极200电耦接的端子，例如导电引线。例如，在这些实施方式中，FET104可以通过可为金属引线（诸如铜）或其它导电引线的漏极端子112与电路中的另一元件连接，进而该元件可以与漏极200耦接。类似地，如以上关于漏极200和漏极端子112所描述的，源极204和源极端子108可以彼此为同一元件或彼此电耦接。类似地，栅极208和栅极端子116可以彼此为同一元件或彼此电耦接。最后，本体212和本体端子120可以彼此为同一元件或彼此电耦接。本文所使用的赋予元件的名称是为了将FET104的一个元件与其它元件区分开，并且不同实施方式可以使用不同的名称，例如，将n型漏极部220称为FET104的漏极或者将n型源极部228称为FET104的源极。
作为FET104的使用示例，将讨论对栅极端子116施加DC电压的情况，栅极端子116进而可以使栅极208获得指定电压。然而，在一些实施方式中，可以将DC电压直接施加到栅极208。作为另一示例，可以在源极204或源极端子108（或者漏极200或漏极端子112）处接收RF信号，并且当FET104处于导通状态时RF信号可以通过FET104传递到漏极200或漏极端子112（或者源极204或源极端子108）。
本体212可以由p型材料（例如，掺杂有第III族元素（诸如硼或铝）的第IV族元素（诸如硅或锗））制成。n型漏极部220和n型源极部228可以由掺杂有第V族元素（诸如砷或磷）的第IV族元素（诸如硅或锗）组成。n型漏极部220和n型源极部228可以通过本体212彼此隔开。一般地，p型材料缺失电子并且被认为是具有电子空穴。n型材料具有能够在n型材料内或外作为电流移动的额外电子，并且因此可以被认为是具有可移动电子。
如上所述，FET104的栅极208可以由诸如铜或铝的导电金属组成。在其它实施方式中，栅极208可以由钽、钨或氮化钽组成。在其它实施方式中，FET104的栅极208可以由多晶硅材料组成。漏极200、源极204、栅极208以及本体212全部可以通过电介质224彼此隔开，电介质224例如为二氧化硅、氮氧化硅或防止电子在漏极200与源极204之间流动的一些其它高介电常数（k）的电介质。
可以在栅极208与FET104的其余部分之间创建静电场，以使得FET104导通。这可以通过解码器向栅极208施加正电压（例如，2.5v）来实现。漏极200和源极204的DC偏置电压例如可以为0V。本体212可以浮置从而导致DC偏置电压例如约为0V，以及由通过FET104发送的RF信号提供的较低的调制功率水平。
正的栅极-源极电压可以排斥p型材料的本体212中的电子空穴而吸引p型材料的本体212中的自由电子。同时，正的栅极-源极电压可以吸引n型漏极部220和n型源极部228中的可移动电子。当栅极208的正电压相比于漏极200和源极204的DC电压（称为阈值电压的电压）变得足够高时，p型材料的本体212中的排斥以及对于本体212中的自由电子和n型漏极部220及n型源极部228中的可移动电子的吸引可以创建电子通道。该电子通道有时被称为反转层，并且可以位于n型漏极部220与n型源极部228之间并且位于电介质224的正下方。换句话说，n型漏极部220与n型源极部228之间的电子通道可以直接位于本体212与电介质224之间。在一些实施方式中，增加施加到栅极208的电压可以增大静电场的大小。静电场的增大可以增加电子通道的大小，从而可以增加漏极200与源极204之间可以通过的电流量。
解码器可以向栅极208施加-2.5V的电压，以使得FET104截止。漏极200和源极204可以保持0V的DC偏置。然而，可以使用来自通过第一电阻器128和第二电阻器136的RF信号的能量对本体212进行调制。这种约为0V的体偏置电压的提供可以完全由源自RF信号的偏置电压来实现并且不需要来自解码器的额外的控制线。
图3示出了根据各实施方式的单元300。单元300可以与单元100类似，其中具有相同命名的元件基本上是可互换的。
单元300可以包括具有源极端子308、漏极端子312以及栅极端子316的开关FET304。单元300还可以包括体偏置电路324，体偏置电路324包含第一偏置FET328、与本体端子320耦接的节点332以及第二偏置FET336。偏置FET328、偏置FET336通常指的是描述为nFET的FET。然而，其它实施方式可以使用其它类型的FET，诸如pFET。
第一偏置FET328可以包括与源极端子308耦接的源极端子340、与节点332耦接的漏极端子344、以及与漏极端子312耦接的栅极端子348。第二偏置FET336可以包括与节点332耦接的漏极端子352、与漏极端子312耦接的源极端子356、以及与源极端子308耦接的栅极端子360。
当开关FET304处于截止状态时，体偏置电路324可以基于施加到开关FET304的RF信号生成负电压以偏置本体。这可以实现是由于如所示的将偏置FET328的栅极、偏置FET336的栅极连接到开关FET304的相对的源极端子和漏极端子。以这种方式配置偏置FET328、偏置FET336可以起到限制、或修剪RF信号的正电压并且放大RF信号的负电压的作用，从而获得施加到本体端子320的负偏置电压。这可以从图4的图表中看出，图4描绘了在不同的功率水平下作为时间和电压的函数的若干RF信号。具体地，图4（a）描绘了施加到开关FET304的RF信号的电压随时间的变化，图4（b）描绘了由体偏置电路324施加到开关FET304的本体的相应电压随时间的变化。
通过单元300实现对本体施加负偏置电压可以提高单元300的性能。这可能归因于负的源极-本体电压连同负的栅极-源极电压创建了负的静电场，该负的静电场在漏极端子312与源极端子308之间提供高电阻。这是由于负的静电场同时吸引p型本体中的电子空穴并且排斥n型漏极部和n型源极部中的可移动电子，从而抑制源极与漏极之间的电子的转移。在其它实施方式中，在使用pFET替代nFET的情况下，本体可以是n型材料，并且漏极部和源极部可以是p型材料。
如上所述，设置负的静电场可以完全耗尽开关FET304的源极与漏极之间的通道。当开关FET304处于截止状态并且只有部分耗尽通道时，这可以限制可能以其它方式发生的大RF信号的调制效果。如果通道仅是部分耗尽的，那么开关FET304将作为横向寄生双极结型晶体管，该双极结型晶体管的部分耗尽通道的一部分用作NPN结的p部分。
图5示出了根据各实施方式的单元500。单元500可以与单元100或单元300类似，其中具有相同命名的元件基本上是可互换的。
单元500可以包括具有源极端子508、漏极端子512、栅极端子516以及本体端子520的FET504。单元500还可以包括体偏置电路524，体偏置电路524包括第一偏置二极管528、与本体端子520耦接的节点532以及第二偏置二极管536。
第一偏置二极管528可以包括与源极端子508耦接的二极管端子540、以及与节点532耦接的阴极端子544。第二偏置二极管536可以包括与节点532耦接的阳极端子548、以及与漏极端子512耦接的阴极端子552。
当FET504处于导通状态时，偏置二极管528、偏置二极管536将不导电并且本体将浮置。在浮置时，本体通常保持在0V左右。当FET504处于截止状态时，偏置二极管528、偏置二极管536可以将RF信号整流成DC信号，以将开关FET504的本体从浮置驱动到平均负电压，这取决于跨接开关FET504的RF信号的峰值电压。施加到本体的电压的波形可以类似于如图4（b）所示的波形。
图6示出了根据各实施方式的单元600。单元600可以与单元100、300或500类似，其中具有相同命名的元件基本上是可互换的。
单元600可以包括具有源极端子608、漏极端子612、栅极端子616以及本体端子620的FET604（也称为开关FET604）。单元600还可以包括体偏置电路624，体偏置电路624包括第一偏置FET628、与本体端子620耦接的节点632以及第二偏置FET636。偏置FET628、偏置FET636可以是nFET。但是，其它实施方式可以使用其它类型的FET，例如pFET。
第一偏置FET628可以包括与源极端子608耦接的源极端子640、与节点632耦接的漏极端子644、以及与节点632耦接的栅极端子648。第二偏置FET636可以包括与节点632耦接的漏极端子652、与漏极端子612耦接的源极端子656、以及与节点632耦接的栅极端子660。以这种方式，偏置FET628、偏置FET636可以是位于开关FET604的漏极与源极之间的二极管连接的FET，其中体偏置电路624的中点与开关FET604的本体耦接。
二极管连接的FET628、FET636可以以类似于以上关于图5所讨论的偏置二极管的操作来进行操作。然而，二极管连接的FET的导通电压可以比偏置二极管的导通电压低例如0.2V或0.3V。当开关FET604处于截止状态时，这可能导致向本体施加更大的负电压。
图7示出了根据一些实施方式的用于操作单位单元（例如单元100、300、500、或600）的方法700的流程图。
在方框704处，方法700可以包括：控制开关FET使其处于导通状态。例如，这可以通过使得解码器向开关FET提供正的栅极-源极电压来实现。在方框704处，方法700还可以包括：使得开关FET的本体浮置，本体约为0V。例如，这可以通过体偏置电路相对于如图1、图3、图5、或图6所示出和描述的那些开关FET的漏极端子、源极端子以及本体端子的耦合配置来实现。
在方框708处，方法700可以包括：控制开关FET使其处于截止状态。例如，这可以通过使得解码器向开关FET提供负的栅极-源极电压来实现。在方框708处，方法700还可以包括：向开关FET的本体提供偏置电压。如上所述，这可以通过体偏置电路从施加到开关FET的RF信号获得体偏置电压来实现。在一些实施方式中，体偏置电压可以是负偏置电压。
图8示出了根据一些实施方式的开关装置800的示例。开关装置800可以包括在串联线808上彼此串联耦接的多个串联单元804。开关装置800还可以包括在分流线816上彼此串联耦接的多个分流单元812。由于如上所指出的那样，当开关FET处于截止状态时在源极端子与漏极端子之间产生大电阻，因而期望如所示出那样串联耦接许多单元。如果RF信号的电流非常大，那么开关FET可能会被损坏。通过将多个FET串联耦接，由大的RF信号产生的负载可以被分散以使得每个FET仅承受负载的一部分。以这种方式，可以延长FET的寿命。开关装置800的各个单元可以与单元100、300、500或600类似。
开关装置800还可以包括解码器820。解码器820可以通过解码器线824（以比串联线808和分流线816细的线宽示出）与单元耦接。具体地，解码器线824可以被提供给每个单元的栅极端子。假设串联单元804和分流单元812的体偏置电路使用RF信号来获得适当的体偏置电压，那么这些单元不需要与其本体端子耦接的解码器线。该控制线减少可以导致较小的芯片尺寸、较小的衬底噪声耦合，以及从任何导通芯片（on-die）充电泵电路进入RF开关磁芯的寄生信号的减少。
当开关装置800处于导通状态时，为了将RF信号从输入端传递到输出端，解码器820可以将串联单元804中的每个单元设置为导通状态并且可以将分流单元812中的每个单元设置为截止状态。当开关装置800处于截止状态时，为了防止RF信号从输入端传递到输出端，解码器820可以将串联单元804中每个单元设置为截止状态，并且可以将分流单元812中的每个单元设置为导通状态。
图9示出了根据一些实施方式的无线通信装置900。无线通信装置900可以具有包含一个或更多个RF开关908的RF前端904。RF开关908可以与开关装置800类似并且与开关装置800是基本上可互换的。RF开关908可以部署在RF前端904的各种元件中，例如但不限于，天线开关模块、配电开关、发射器、接收器等。RF前端904还可以包括没有具体示出或讨论的其它元件，例如但不限于放大器、转换器、过滤器等。
除了RF前端904以外，无线通信装置900可以具有至少如所示出的彼此耦接的天线结构916、收发器920、处理器924以及存储器928。
处理器924可以执行存储在存储器928中的基本操作系统程序，以控制无线通信装置900的总体操作。例如，主处理器924可以通过收发器920控制信号的接收和信号的传输。主处理器924能够根据执行处理的需要执行驻留在存储器928中的其它处理和程序，并且可以将数据移入或移出存储器928。
收发器920可以接收来自处理器924的输出数据（例如，语音数据、网络数据、电子邮件、信令数据等）、可以生成用以表示该输出数据的RF信号，并且向RF前端904提供RFin信号。相反地，收发器920可以接收来自RF前端904的表示输入数据的RF信号。收发器920可以处理RF信号并且将输入信号发送到处理器924以进行进一步处理。
RF前端904可以提供各种前端功能。前端功能包括由RF开关908提供的切换，但不限于此。具体地，RF开关908可以选择性地将RF信号传递到无线通信装置900的部件、传递来自无线通信装置900的部件的RF信号、或者在无线通信装置900的部件内部传递RF信号。
在各种实施方式中，无线通信装置900可以是如下设备，但不限于这些设备：移动电话、分页装置、个人数字助理、文本消息发送设备、便携式计算机、台式计算机、基站、用户站、接入点、雷达、卫星通信设备、或能够无线传输/接收RF信号的任意其它设备。
本领域的技术人员应当认识到，以示例的方式给出了无线通信装置900，并且为了简便和清楚起见，仅示出并且描述了对于理解实施方式所必需的无线通信装置900的构造和操作。根据具体需求，各种实施方式构思出了执行与无线通信装置900关联的任意适当任务的任意适当部件或部件的组合。此外，应当理解，无线通信装置900不应该被解释为限制可以实施实施方式的各种装置。
各种实施方式描述了用于切换射频（“RF”）信号的电路，该电路包括：FET，其包含源极端子、栅极端子、漏极端子以及本体端子；以及体偏置电路，其与源极端子、漏极端子以及本体端子耦接；该体偏置电路被配置为:基于施加到FET的RF信号获得负偏置电压，以及当FET处于截止状态时将负偏置电压提供给本体端子。
该电路可以包括包含所述FET（例如，n型FET）的彼此串联耦接的多个FET。
体偏置电路可以仅与源极端子、漏极端子以及本体端子耦接。
该电路可以是SOI电路。
其中该FET是第一FET，体偏置电路可以包括：与本体端子耦接的节点；第二FET，其具有与第一FET的源极端子耦接的源极端子和与节点耦接的漏极端子；以及第三FET，其具有与节点耦接的漏极端子和与第一FET的漏极端子耦接的源极端子。
第二FET还可以包括与第一FET的漏极端子耦接的栅极端子。并且，第三FET还可以包括与第一FET的源极端子耦接的栅极端子。
第一FET和第二FET可以是二极管连接的FET。第二FET还可以包括与节点耦接的栅极端子。并且，第三FET还可以包括与节点耦接的栅极端子。
体偏置电路可以包括：与本体端子耦接的节点、与源极端子和节点耦接的第一二极管、以及与漏极端子和节点耦接的第二二极管。
第一二极管可以包括与源极端子耦接的阴极端子以及与节点耦接的阳极端子。并且，第二二极管包括与漏极端子耦接的阴极端子以及与节点耦接的阳极端子。
体偏置电路可以通过对RF信号进行整流来获得负偏置电压。
一些实施方式描述了无线通信装置，该无线通信装置包括：收发器；天线；以及射频（“RF”）前端，其与收发器和天线耦接并且被配置为在收发器与天线之间传送信号。所述射频前端包括绝缘体上硅结构的开关装置，该开关装置具有：解码器，其被配置为对多个开关FET进行设置以使其处于截止状态或导通状态；以及具有体偏置电路和多个FET中的第一FET的单元，其中当第一FET处于截止状态时，体偏置电路被配置为向该场效应晶体管的本体提供负电压，该负电压来源于施加到第一FET的RF信号。
体偏置电路可以包括：与第一FET的本体端子耦接的节点；第二FET，其具有与第一FET的源极端子耦接的源极端子以及与节点耦接的漏极端子；以及第三FET，其具有与节点耦接的漏极端子以及与第一FET的漏极端子耦接的源极端子。
第二FET还可以包括与第一FET的漏极端子耦接的栅极端子。并且，第三FET还可以包括与第一FET的源极端子耦接的栅极端子。
一些实施方式可以包括一种方法，该方法包括：利用解码器电路控制开关场效应晶体管（“FET”）以使其处于截止状态；当开关FET处于截止状态时，使用体偏置电路基于施加到开关FET的RF信号获得负偏置电压；以及当开关FET处于截止状态时，通过体偏置电路将负偏置电压提供给开关FET的本体。
获得负偏置电压可以包括对施加到开关FET的RF信号进行整流。
一些实施方式描述了被配置为切换RF信号的电路，该电路包括：FET，其包含源极端子、栅极端子、漏极端子以及本体端子；以及体偏置电路，其具有与本体端子耦接的节点、与漏极端子和节点耦接的第一电阻器、以及与源极端子和节点耦接的第二电阻器，其中体偏置电路被配置为：基于施加到FET的RF信号获得偏置电压；以及将偏置电压提供给本体端子。
第一电阻器和第二电阻器可以大小相等。
体偏置电路可以被配置为提供约为零伏的DC电压作为偏置电压。
FET的栅极端子可以与解码器耦接；以及FET的漏极端子不与解码器耦接。
尽管根据以上示出的实施方式已经描述了本公开内容，但本领域的技术人员应理解，在不背离本公开内容的范围的情况下，被设想为实现相同目的的各种替代性和/或等同实现方式可以代替所示出并描述的具体实施方式。本领域的技术人员将容易理解，本公开内容的教示可以以各种实施方式来实现。该描述旨在被认为是示例性的而非限制性的。
Claims (20)
1.一种用于切换射频RF信号的电路，所述电路包括：
场效应晶体管FET，其包含源极端子、栅极端子、漏极端子以及本体端子；以及
体偏置电路，其与所述源极端子、所述漏极端子以及所述本体端子耦接，所述体偏置电路被配置为：
基于施加到所述场效应晶体管的射频信号获得负偏置电压；以及
当所述场效应晶体管处于截止状态时，将所述负偏置电压提供给所述本体端子。
2.根据权利要求1所述的电路，还包括：
包含所述场效应晶体管的彼此串联耦接的多个场效应晶体管。
3.根据权利要求1所述的电路，其中，所述场效应晶体管是n型场效应晶体管。
4.根据权利要求1所述的电路，其中，所述体偏置电路仅与所述源极端子、所述漏极端子以及所述本体端子耦接。
5.根据权利要求1所述的电路，其中，所述电路包括绝缘体上硅SOI结构的电路。
6.根据权利要求1所述的电路，其中，所述场效应晶体管是第一场效应晶体管，并且所述体偏置电路包括：
与所述本体端子耦接的节点；
第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管具有：
与所述第一场效应晶体管的源极端子耦接的源极端子；和
与所述节点耦接的漏极端子；以及
第三场效应晶体管，所述第三场效应晶体管具有：
与所述节点耦接的漏极端子；和
与所述第一场效应晶体管的漏极端子耦接的源极端子。
7.根据权利要求6所述的电路，其中：
所述第二场效应晶体管还包括与所述第一场效应晶体管的漏极端子耦接的栅极端子；以及
所述第三场效应晶体管还包括与所述第一场效应晶体管的源极端子耦接的栅极端子。
8.根据权利要求6所述的电路，其中，所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管是二极管连接的场效应晶体管，并且：
所述第二场效应晶体管还包括与所述节点耦接的栅极端子；以及
所述第三场效应晶体管还包括与所述节点耦接的栅极端子。
9.根据权利要求1所述的电路，其中，所述体偏置电路包括：
与所述本体端子耦接的节点；
与所述源极端子和所述节点耦接的第一二极管；以及
与所述漏极端子和所述节点耦接的第二二极管。
10.根据权利要求1所述的电路，其中：
所述第一二极管包括与所述源极端子耦接的阴极端子和与所述节点耦接的阳极端子；以及
所述第二二极管包括与所述漏极端子耦接的阴极端子和与所述节点耦接的阳极端子。
11.根据权利要求1所述的电路，其中，通过将所述体偏置电路配置为对所述射频信号进行整流，来使得所述体偏置电路获得所述负偏置电压。
12.一种无线通信装置，包括：
收发器；
天线；以及
射频RF前端，其与所述收发器和所述天线耦接并且被配置为在所述收发器与所述天线之间传送信号，所述射频前端包括绝缘体上硅结构的开关装置，所述开关装置具有：
解码器，其被配置为对多个开关场效应晶体管FET进行设置以使其处于截止状态或导通状态；以及
具有体偏置电路和所述多个场效应晶体管中的一个场效应晶体管FET的单元，其中，当这个场效应晶体管处于截止状态时，所述体偏置电路被配置为向该场效应晶体管的本体提供负电压，所述负电压来源于施加到该场效应晶体管的射频信号。
13.根据权利要求12所述的无线通信装置，其中，所述场效应晶体管是第一场效应晶体管，并且所述体偏置电路包括：
与所述第一场效应晶体管的本体端子耦接的节点；
第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管具有：
与所述第一场效应晶体管的源极端子耦接的源极端子；和
与所述节点耦接的漏极端子；以及
第三场效应晶体管，所述第三场效应晶体管具有：
与所述节点耦接的漏极端子；和
与所述第一场效应晶体管的漏极端子耦接的源极端子。
14.根据权利要求13所述的无线通信装置，其中：
所述第二场效应晶体管还包括与所述第一场效应晶体管的漏极端子耦接的栅极端子；以及
所述第三场效应晶体管还包括与所述第一场效应晶体管的源极端子耦接的栅极端子。
15.一种方法，包括以下步骤：
利用解码器电路对开关场效应晶体管FET进行控制以使其处于截止状态；
当所述开关场效应晶体管处于截止状态时，利用体偏置电路基于施加到所述开关场效应晶体管的射频RF信号获得负偏置电压；以及
当所述开关场效应晶体管处于截止状态时，通过所述体偏置电路将所述负偏置电压提供给所述开关场效应晶体管的本体。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述获得负偏置电压的步骤包括：
对施加到所述开关场效应晶体管的所述射频信号进行整流。
17.一种用于切换射频RF信号的电路，所述电路包括：
场效应晶体管FET，其包含源极端子、栅极端子、漏极端子以及本体端子；以及
体偏置电路，所述体偏置电路具有：
与所述本体端子耦接的节点；
与所述漏极端子和所述节点耦接的第一电阻器；以及
与所述源极端子和所述节点耦接的第二电阻器，
其中，所述体偏置电路被配置为：
基于施加到所述场效应晶体管的射频信号获得偏置电压；以及
将所述偏置电压提供给所述本体端子。
18.根据权利要求17所述的电路，其中，所述第一电阻器和所述第二电阻器大小相等。
19.根据权利要求17所述的电路，其中，所述体偏置电路被配置为提供约为零伏的DC电压作为所述偏置电压。
20.根据权利要求17所述的电路，其中，所述场效应晶体管的所述栅极端子与解码器耦接，并且所述场效应晶体管的所述漏极端子不与所述解码器耦接。
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