CN220325605U - 射频开关结构以及射频前端模组 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种射频开关结构以及射频前端模组，涉及射频技术领域。包括：第一传输端口；第二传输端口；多个第一晶体管，串联设置于第一传输端口与第二传输端口之间，每个第一晶体管的第一端连接至相邻第一晶体管的第二端；多个第一电阻，第一端连接至对应的第一晶体管的第三端，第二端用于接收第一控制信号；多个开关单元，每个第一电阻与一个开关单元并联连接；其中，开关单元的尺寸小于任一第一晶体管的尺寸。如此，将第一晶体管对应连接的第一电阻与开关单元并联连接，在射频开关结构开关状态切换时控制开关单元导通，减小第一晶体管在开关状态的切换时的栅极电阻值，提升了第一晶体管的开关速度，进而有效提高了射频开关结构的开关速度。

Description

射频开关结构以及射频前端模组

技术领域

本申请涉及射频技术领域，尤其涉及一种射频开关结构以及射频前端模组。

背景技术

在射频前端电路中，射频开关是必不可少的元件之一，射频开关可用于将天线电连接到射频系统的发射路径或接收路径。在传统的晶体管堆叠的射频开关中，由于晶体管的开关速度较慢，导致射频开关的开关速度较慢，难以达到实际应用中的使用需求。

实用新型内容

本申请提出了一种射频开关结构以及射频前端模组。

第一方面，本申请实施例提供了一种射频开关结构，包括：第一传输端口；第二传输端口；多个第一晶体管，多个所述第一晶体管串联设置于所述第一传输端口与所述第二传输端口之间，每个所述第一晶体管的第一端连接至相邻所述第一晶体管的第二端；多个第一电阻，每个所述第一电阻的第一端连接至对应的所述第一晶体管的第三端，每个所述第一电阻的第二端用于接收第一控制信号；多个开关单元，每个所述开关单元与一个所述第一电阻并联连接；其中，所述开关单元的尺寸小于任一所述第一晶体管的尺寸。

可选地，所述射频开关结构还包括第二电阻，所述第二电阻的第一端连接至多个所述第一电阻的第二端，所述第二电阻的第二端用于接收所述第一控制信号。

可选地，所述第二电阻与一个所述开关单元并联连接。

可选地，所述开关单元的数量小于或等于所述第一电阻和所述第二电阻的数量之和。

可选地，所述开关单元包括第二晶体管以及第三晶体管，所述第二晶体管与所述第三晶体管并联连接，且所述第二晶体管与所述第三晶体管为导通条件相反的晶体管。

可选地，所述第二晶体管的第一端与所述开关单元的第一端连接，所述第二晶体管的第二端与所述开关单元的第二端连接，所述第二晶体管的第三端用于接收第二控制信号；所述第三晶体管的第一端与所述开关单元的第二端连接，所述第三晶体管的第二端与所述开关单元的第一端连接，所述第三晶体管的第三端用于接收第三控制信号；其中，所述第二控制信号和所述第三控制信号为一对相位相反的控制信号。

可选地，所述第二晶体管以及所述第三晶体管为沟道类型相反的金属氧化物半导体场效应管，或者，所述第二晶体管以及所述第三晶体管为结构相反的双极结型晶体管。

可选地，所述第一晶体管为金属氧化物半导体场效应管；所述金属氧化物半导体场效应管的第一端为源极且所述金属氧化物半导体场效应管的第二端为漏极，或者，所述金属氧化物半导体场效应管的第一端为漏极且所述金属氧化物半导体场效应管的第二端为源极；所述金属氧化物半导体场效应管的第三端为栅极。

可选地，所述第一晶体管为双极结型晶体管；所述双极结型晶体管的第一端为发射极且所述双极结型晶体管的第二端为集电极，或者，所述双极结型晶体管的第一端为集电极且所述双极结型晶体管的第二端为发射极；所述双极结型晶体管的第三端为基极。

第二方面，本申请实施例提供了一种射频前端模组，包括第一传输端口；第二传输端口；多个第一晶体管，多个所述第一晶体管串联设置于所述第一传输端口与所述第二传输端口之间，每个所述第一晶体管的第一端连接至相邻所述第一晶体管的第二端；多个第一电阻，每个所述第一电阻的第一端连接至对应的所述第一晶体管的第三端，每个所述第一电阻的第二端用于接收第一控制信号；第二电阻，所述第二电阻的第一端连接至多个所述第一电阻的第二端，所述第二电阻的第二端用于接收所述第一控制信号；开关单元，所述开关单元与所述第二电阻并联连接；其中，所述开关单元的尺寸小于任一所述第一晶体管的尺寸。

可选地，所述第二电阻的电阻值小于所述第一电阻的电阻值。

第三方面，本申请实施例提供了一种射频前端模组，包括上述的射频开关结构。

本申请实施例提供的射频开关结构包括：第一传输端口；第二传输端口；多个第一晶体管，多个第一晶体管串联设置于第一传输端口与第二传输端口之间，每个第一晶体管的第一端连接至相邻第一晶体管的第二端；多个第一电阻，每个第一电阻的第一端连接至对应的第一晶体管的第三端，每个第一电阻的第二端用于接收第一控制信号；多个开关单元，每个第一电阻与一个开关单元并联连接；其中，开关单元的尺寸小于任一第一晶体管的尺寸。如此，将第一晶体管对应连接的第一电阻与开关单元并联连接，通过在射频开关结构开关状态切换时控制开关单元导通，减小了与开关单元对应连接的第一晶体管在开关状态的切换过程中的栅极电阻值，提升了第一晶体管的开关速度，进而有效提高了射频开关结构的开关速度。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了本申请一实施例提供的射频开关结构的电路示意图。

图2示出了本申请另一实施例提供的射频开关结构的电路示意图。

图3示出了本申请又一实施例提供的射频开关结构的电路示意图。

图4示出了本申请再一实施例提供的射频开关结构的电路示意图。

图5示出了本申请一实施例提供的开关单元的结构示意图。

图6示出了本申请一实施例提供的射频前端模组的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

在相关技术中，射频开关中设置有串联连接的多个晶体管，射频开关中多个晶体管堆叠时射频开关的开关时间较长、开关速度较慢。其中，开关时间是射频开关从关断状态转变为导通状态或者从导通状态转变为关断状态所需要的时间，射频开关的开关时间与射频开关中串联连接的多个晶体管的开关速度有关。在一些实施方式中，通过改善射频开关中与每个晶体管的控制端连接的控制信号源的驱动能力，提升控制信号源产生驱动信号的速度，以提升射频开关的开关速度，此时射频开关的设计难度较大，且射频开关的制备成本较高。

请参照图1，图1示出了本申请一实施例提供的射频开关结构1的电路示意图。下面将结合图1对本申请实施例提供的射频开关结构1进行详细阐述。如图2所示，本实施例的射频开关结构1包括第一传输端口10、第二传输端口20、多个第一晶体管30、多个第一电阻40以及多个开关单元50。

其中，射频开关结构1应用于一种射频前端模组，射频前端模组是一种将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上的分立器件集成为一个独立模组的元件，从而提高集成度和硬件性能，并使体积小型化。具体地。一种射频前端模组可以应用于智能手机、平板电脑、智能手表等4G、5G通信设备。

在本实施例中，射频开关结构1中可包括串联连接的多个第一晶体管30，每个第一晶体管30的第一端连接至相邻第一晶体管30的第二端，且多个第一晶体管30串联设置于第一传输端口10与第二传输端口20之间。

可选地，当射频开关结构1中串联连接的多个第一晶体管30导通时，串联连接的多个第一晶体管30可以是向外发射射频信号的路径，此时射频信号由第一传输端口10输入，第二传输端口20用于向外发射射频信号；串联连接的多个第一晶体管30还可以是从外部接收射频信号的路径，此时第一传输端口10接收外来的射频信号，第二传输端口20用于向与射频开关结构1连接的其他的处理电路输送射频信号。

在本实施例中，射频开关结构1中还包括多个第一电阻40，每个第一电阻40的第一端连接至对应的第一晶体管30的第三端，每个第一电阻40的第二端用于接收第一控制信号。其中，射频开关结构1还可以包括控制端口，第一控制端口60用于连接第一控制信号源以接收第一控制信号源发出的第一控制信号。第一电阻40的第二端可以连接至第一控制端口60以接收第一控制信号，并基于第一控制信号控制多个第一晶体管30导通或关断。

需要说明的是，为方便引用说明，本申请实施例将第一晶体管30的栅极与第一控制端口60之间所连接的电阻称为第一晶体管30的栅极电阻，其对应的阻值称为第一晶体管30的栅极电阻值。

可选地，第一晶体管30可以为金属氧化物半导体场效应管或双极结型晶体管，在此不做限制。若第一晶体管30为金属氧化物半导体场效应管，金属氧化物半导体场效应管的第一端为源极且金属氧化物半导体场效应管的第二端为漏极，或者，金属氧化物半导体场效应管的第一端为漏极且金属氧化物半导体场效应管的第二端为源极，金属氧化物半导体场效应管的第三端为栅极。此时，与每个第一晶体管30的第三端对应连接的第一电阻40为栅极电阻。若第一晶体管30为双极结型晶体管，双极结型晶体管的第一端为发射极且双极结型晶体管的第二端为集电极，或者，双极结型晶体管的第一端为集电极且双极结型晶体管的第二端为发射极，双极结型晶体管的第三端为基极。此时，与每个第一晶体管30的第三端对应连接的第一电阻40为基极电阻。

可选地，每个第一晶体管30的开关时间常数为该第一晶体管30的栅源寄生电容值与栅极电阻值的乘积，其中栅极电阻值即为该第一晶体管30对应的第一电阻40的电阻值，因而可通过设置第一电阻40与开关单元50并联连接，以在控制第一晶体管30导通或关断的过程中控制与第一晶体管30并联的开关单元50导通。在第一晶体管30对应的开关单元50导通时，与该开关单元50并联的第一电阻40被短路，第一晶体管30的栅极电阻值为第一晶体管30对应的开关单元50导通时的电阻值，开关单元50导通时的电阻值远小于第一晶体管30对应的第一电阻40的电阻值，从而提升了第一晶体管30的开关速度。

在本实施例中，射频开关结构1包括多个开关单元50，每个第一电阻40与一个开关单元50并联连接，开关单元50的数量等于第一电阻40的数量。其中，开关单元50可以通过晶体管实现，开关单元50的尺寸远小于第一晶体管30的尺寸，从而开关单元50能够以远快于第一晶体管30的速度快速导通，并将与其并联的第一电阻40短路，以快速降低第一晶体管30的栅极电阻，使第一晶体管30加速导通。

可选地，每个开关单元50在多个第一晶体管30基于第一控制信号导通或关断之前闭合。其中，在控制多个第一晶体管30导通时，每个开关单元50还用于在多个第一晶体管30进入导通状态后，在射频开关结构1的第一传输端口10与第二传输端口20之间传输射频信号之前关断；在控制多个第一晶体管30关断时，每个开关单元50还用于在多个第一晶体管30进入关断状态之后关断。基于此，可以实现当每个开关单元50处于导通状态时，提高了与每个开关单元50对应连接的第一晶体管30的开关速度，进而提升射频开关结构1的开关速度。

作为一种实施方式，当第一晶体管30完成开关状态切换后，例如从关断状态切换为导通状态之后，或者从导通状态切换为关断状态后，每个开关单元50可以关断，使得射频开关结构1中的多个第一晶体管30的栅极电阻值恢复为第一电阻40的阻值，从而减小射频信号向第一控制端口60方向的泄露，避免对射频开关结构1的插入损耗造成影响。

在本实施例中，射频开关结构1包括：第一传输端口10；第二传输端口20；多个第一晶体管30，多个第一晶体管30串联设置于第一传输端口10与第二传输端口20之间，每个第一晶体管30的第一端连接至相邻第一晶体管30的第二端；多个第一电阻40，每个第一电阻40的第一端连接至对应的第一晶体管30的第三端，每个第一电阻40的第二端用于接收第一控制信号；多个开关单元50，每个第一电阻40与一个开关单元50并联连接；其中，开关单元50的尺寸小于任一第一晶体管30的尺寸。本申请通过设置与第一晶体管30对应的第一电阻40并联连接开关单元50，在射频开关结构1进行开关状态的切换时控制开关单元50导通，以减小第一晶体管30进行开关状态的切换过程中第一晶体管30的栅极电阻值，并在射频开关结构1中的多个第一晶体管30完成开关状态的切换后控制开关单元50关断，使得射频开关结构1完成开关状态的切换后射频开关结构1中的多个第一晶体管30的栅极电阻值不变，从而不对射频开关结构1的性能造成影响，同时提升了射频开关结构1的开关速度。

请参照图2，图2示出了本申请另一实施例提供的射频开关结构1的电路示意图。

如图2所示，射频开关结构1还包括一个第二电阻70，第二电阻70的第一端连接至多个第一电阻40的第二端，第二电阻70的第二端用于接收第一控制信号。其中，射频开关结构1还可以包括第一控制端口60，第一控制端口60用于连接第一控制信号源，以接收第一控制信号源发出的第一控制信号。第二电阻70的第二端可以连接至第一控制端口60以接收第一控制信号。在多个第一电阻40与第一控制端口60之间设置一个第二电阻70，可进一步减小射频开关结构1在传输射频信号时射频信号向第一控制端口60的泄露，以降低射频开关结构1的插入损耗。此时，每个第一晶体管30的栅极电阻值为第二电阻70的电阻值与每个第一晶体管30对应的第一电阻40的电阻值之和，每个第一晶体管30对应的栅极电阻值增大，导致第一晶体管30的开关速度变慢。因此，可通过将第二电阻70与一个开关单元50并联连接，并且每个第一电阻40与一个开关单元50并联连接，从而提升第一晶体管30的开关速度。

可选地，射频开关结构1中开关单元50的数量小于或等于第一电阻40和第二电阻70的数量之和。

如图2所示，若开关单元50的数量等于第一电阻40和第二电阻70的数量之和，则每个第一电阻40与一个开关单元50并联连接，第二电阻70与一个开关单元50并联连接。

在一些实施方式中，如图3所示，图3示出了本申请又一实施例提供的射频开关结构的电路示意图。若开关单元50的数量小于第一电阻40和第二电阻70的数量之和，每个第一电阻40与一个开关单元50并联连接，第二电阻70不与开关单元50并联连接。

在本实施例中，若射频开关结构1中设置有多个第一电阻40以及一个第二电阻70，并设置开关单元50与第一电阻40以及第二电阻70并联连接，从而通过在射频开关结构1导通或关断时控制开关单元50导通，实现了控制第一晶体管30导通时第一晶体管30的栅极电阻值的减小，提升了第一晶体管30的开关速度，进而有效提高了射频开关结构1的开关速度。

在另一些实施方式中，如图4所示，图4示出了本申请再一实施例提供的射频开关结构的电路示意图。射频开关结构1可以包括第一传输端口10、第二传输端口20、多个第一晶体管30、多个第一电阻40、开关单元50以及第二电阻70。其中，第二电阻70的第一端连接至多个第一电阻40的第二端，所述第二电阻70的第二端用于接收所述第一控制信号；开关单元50与第二电阻并联连接。

在本实施方式中，开关单元50在多个第一晶体管30基于第一控制信号导通或关断之前闭合，以使得每个第一晶体管30的栅极电阻值减小，加快各第一晶体管30的开关速度。可选地，开关单元50可以在各第一晶体管30完成开关状态的切换后关断，例如在各第一晶体管30从关断状态切换为导通状态之后，或者从导通状态切换为关断状态后，开关单元50关断，使得射频开关结构1中的多个第一晶体管30的栅极电阻值恢复为第一电阻40与第二电阻70的阻值之和，从而减小射频信号向第一控制端口60方向的泄露。本实施方式只需要设置一个开关单元50即可控制多个第一晶体管30的栅极电阻同时减小，电路结构更加简单。

作为本实施方式的一种示例，为保证射频开关结构1的电路可靠性，使第二电阻70的阻值小于第一电阻40的阻值。如此，当开关单元50导通时，只短路并联有开关单元50的阻值较小的第二电阻70，不短路第一电阻40，使得此时第一晶体管30的栅极电阻不会过小，避免第一晶体管30在导通瞬间电流过大而损坏，从而提升了射频开关结构1的电路可靠性。同样地，在射频开关结构1进行开关状态的切换时控制开关单元50导通，减小了第一晶体管30进行开关状态的切换过程中第一晶体管30的栅极电阻值，并在射频开关结构1完成开关状态的切换后控制开关单元50关断，使得切换后第一晶体管30的栅极电阻值不变，从而不对射频开关结构1的性能造成影响，并提升了射频开关结构1的开关速度。

请参阅图5，图5示出了本申请一实施例提供的开关单元50的结构示意图。如图5所示，每个开关单元50包括第二晶体管51以及第三晶体管52，第二晶体管51与第三晶体管52并联连接，且第二晶体管51与第三晶体管52为导通条件相反的晶体管。其中，第二晶体管51与第三晶体管52可以为沟道类型相反的金属氧化物半导体场效应管或结构相反的双极结型晶体管，在此不做限制。

进一步地，开关单元50还包括第二控制端口53以及第三控制端口54，第二控制端口53用于接收第二控制信号，第三控制端口54用于接收第三控制信号，第二控制信号与第三控制信号为一对相位相反的控制信号。

具体地，第二晶体管51的第一端与开关单元50的第一端连接，第二晶体管51的第二端与开关单元50的第二端连接，第二晶体管51的第三端连接至第二控制端口53以接收第二控制信号。第三晶体管52的第一端与开关单元50的第二端连接，第三晶体管52的第二端与开关单元50的第一端连接，第三晶体管52的第三端连接至第三控制端口54以接收第三控制信号。其中，开关单元50的第一端与第一电阻的第一端连接时，开关单元50的第二端对应连接第一电阻的第二端；开关单元50的第一端与第二电阻的第一端连接时，开关单元50的第二端对应连接第二电阻的第二端。

需要说明的是，本申请实施例的开关单元50为传输门结构，其具有很低的导通电阻值。开关单元50中的第二晶体管51与第三晶体管52导通电平相反，第二控制信号与第三控制信号为一对相位相反的控制信号，能够控制第二晶体管51与第三晶体管52同时导通或同时关断。

可选地，第二控制信号和第三控制信号可以由不同的控制信号源分别产生；或者，第二控制信号和第三控制信号可以由同一个控制信号源产生，例如，该控制信号源可以生成第二控制信号，将第二控制信号输出至第二晶体管51的第三端以及一反相器，通过反相器将第二控制信号进行反相以得到第三控制信号，并将第三控制信号输出至第三晶体管52的第三端；或者，该控制信号源可以生成第三控制信号，将第三控制信号输出至第三晶体管52的第三端以及一反相器，通过反相器将第三控制信号进行反相以得到第二控制信号，并将第二控制信号输出至第二晶体管51的第三端。

在一些实施方式中，开关单元50还可以为其他结构的开关，在此不做限制。

其中，在第一控制信号源发出第一控制信号之后，第一晶体管30完成开关状态的切换之前，第二晶体管51与第三晶体管52先导通，开关单元50处于导通状态，开关单元50的导通电阻值远小于开关单元50对应并联连接的第一电阻或第二电阻的电阻值，从而减小了与开关单元50对应连接的第一晶体管的栅极电阻值，第一晶体管的开关速度提升，进而提升射频开关结构的开关速度。在多个第一晶体管30完成开关状态的切换后，第二晶体管51与第三晶体管52皆关断，以使得开关单元50切换为关断状态，使得射频开关结构1中的多个第一晶体管30的栅极电阻值恢复为第一电阻40以及第二电阻70的阻值之和，从而减小射频信号向第一控制端口60方向的泄露，避免对射频开关结构的插入损耗造成影响。

可选地，若开关单元50中的第二晶体管51为N型金属氧化物半导体场效应管，第三晶体管52为P型金属氧化物半导体场效应管。开关单元50用于在第二控制信号为高电平信号且第三控制信号为低电平信号的情况下导通；开关单元50还用于在第二控制信号为低电平信号且第三控制信号为高电平信号的情况下关断。若开关单元50中的第二晶体管51为P型金属氧化物半导体场效应管，第三晶体管52为N型金属氧化物半导体场效应管。开关单元50用于在第二控制信号为低电平信号且第三控制信号为高电平信号的情况下导通；开关单元50还用于在第二控制信号为高电平信号且第三控制信号为低电平信号的情况下关断。

在本实施例中，通过设置为传输门结构的开关单元50，使得开关单元50具有很低的导通电阻值。在开关单元50处于导通状态时减小了与开关单元50对应连接的第一晶体管的栅极电阻值，第一晶体管的开关速度提升，进而提升射频开关结构的开关速度，同时在射频开关结构中的多个第一晶体管完成开关状态的切换后控制开关单元50关断，使得射频开关结构导通后射频开关结构中的多个第一晶体管的栅极电阻值不变，从而不对射频开关结构的性能造成影响。

请参阅图6，图6示出了本申请一实施例提供的射频前端模组2的结构示意图。如图6所示，本实施例提供的射频前端模组2包括上述实施例的射频开关结构1。

以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不驱使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (12)

1.一种射频开关结构，其特征在于，所述射频开关结构包括：

第一传输端口；

第二传输端口；

多个第一晶体管，多个所述第一晶体管串联设置于所述第一传输端口与所述第二传输端口之间，每个所述第一晶体管的第一端连接至相邻所述第一晶体管的第二端；

多个第一电阻，每个所述第一电阻的第一端连接至对应的所述第一晶体管的第三端，每个所述第一电阻的第二端用于接收第一控制信号；

多个开关单元，每个所述开关单元与一个所述第一电阻并联连接；

其中，所述开关单元的尺寸小于任一所述第一晶体管的尺寸。

2.根据权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，所述射频开关结构还包括第二电阻，所述第二电阻的第一端连接至多个所述第一电阻的第二端，所述第二电阻的第二端用于接收所述第一控制信号。

3.根据权利要求2所述的射频开关结构，其特征在于，所述第二电阻与一个所述开关单元并联连接。

4.根据权利要求3所述的射频开关结构，其特征在于，所述开关单元的数量小于或等于所述第一电阻和所述第二电阻的数量之和。

5.根据权利要求1所述的射频开关结构，其特征在于，所述开关单元包括第二晶体管以及第三晶体管，所述第二晶体管与所述第三晶体管并联连接，且所述第二晶体管与所述第三晶体管为导通条件相反的晶体管。

6.根据权利要求5所述的射频开关结构，其特征在于，所述第二晶体管的第一端与所述开关单元的第一端连接，所述第二晶体管的第二端与所述开关单元的第二端连接，所述第二晶体管的第三端用于接收第二控制信号；

所述第三晶体管的第一端与所述开关单元的第二端连接，所述第三晶体管的第二端与所述开关单元的第一端连接，所述第三晶体管的第三端用于接收第三控制信号；

其中，所述第二控制信号和所述第三控制信号为一对相位相反的控制信号。

7.根据权利要求6所述的射频开关结构，其特征在于，所述第二晶体管以及所述第三晶体管为沟道类型相反的金属氧化物半导体场效应管，或者，所述第二晶体管以及所述第三晶体管为结构相反的双极结型晶体管。

8.根据权利要求1至7任一项所述的射频开关结构，其特征在于，所述第一晶体管为金属氧化物半导体场效应管；

所述金属氧化物半导体场效应管的第一端为源极且所述金属氧化物半导体场效应管的第二端为漏极，或者，所述金属氧化物半导体场效应管的第一端为漏极且所述金属氧化物半导体场效应管的第二端为源极；

所述金属氧化物半导体场效应管的第三端为栅极。

9.根据权利要求1至7任一项所述的射频开关结构，其特征在于，所述第一晶体管为双极结型晶体管；

所述双极结型晶体管的第一端为发射极且所述双极结型晶体管的第二端为集电极，或者，所述双极结型晶体管的第一端为集电极且所述双极结型晶体管的第二端为发射极；

所述双极结型晶体管的第三端为基极。

10.一种射频开关结构，其特征在于，所述射频开关结构包括：

第一传输端口；

第二传输端口；

多个第一晶体管，多个所述第一晶体管串联设置于所述第一传输端口与所述第二传输端口之间，每个所述第一晶体管的第一端连接至相邻所述第一晶体管的第二端；

多个第一电阻，每个所述第一电阻的第一端连接至对应的所述第一晶体管的第三端，每个所述第一电阻的第二端用于接收第一控制信号；

第二电阻，所述第二电阻的第一端连接至多个所述第一电阻的第二端，所述第二电阻的第二端用于接收所述第一控制信号；

开关单元，所述开关单元与所述第二电阻并联连接；

其中，所述开关单元的尺寸小于任一所述第一晶体管的尺寸。

11.根据权利要求10所述的射频开关结构，其特征在于，所述第二电阻的电阻值小于所述第一电阻的电阻值。

12.一种射频前端模组，其特征在于，包括如权利要求1至11任一项所述的射频开关结构。