CN220173219U - 射频开关电路以及射频前端模组 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种射频开关电路以及射频前端模组，涉及射频技术领域。包括：第一传输端口；多个第二传输端口；多个射频开关单元，用于将第一传输端口与多个第二传输端口中的一个或多个选择性导通；每个射频开关单元包括串联支路以及并联支路，串联支路包括至少一个第一场效应管，并联支路包括至少一个第二场效应管，且第一场效应管与第二场效应管导通条件相反。如此，通过设置射频开关单元中串联支路中的第一场效应管与并联支路中的第二场效应管导通条件相反，串联支路与并联支路连接处的场效应管所需直流信号相等，减少了每个射频开关单元中电容的使用数量，进而减小了电路的使用面积以及制造成本。

Description

射频开关电路以及射频前端模组

技术领域

本申请涉及射频技术领域，尤其涉及一种射频开关电路以及射频前端模组。

背景技术

在射频前端电路中，射频开关是必不可少的元件之一。射频开关可用于将天线电连接到射频系统的发射路径或接收路径，从而允许多个部件接入天线。

在传统的射频开关中，对发射端口、接收端口之间的串联场效应管与并联场效应管进行通断控制时，通过控制信号源为场效应管提供直流工作电压，以在场效应管中产生相对负压而控制场效应管的导通与关断。现有技术的射频开关电路中设有多个电容对控制信号源产生的直流信号进行隔离，造成射频开关电路的电路面积较大，制备成本较高。

实用新型内容

本申请提出了一种射频开关电路以及射频前端模组。

第一方面，本申请实施例提供了一种射频开关电路，包括：第一传输端口；多个第二传输端口；多个射频开关单元，每个所述射频开关单元的第一端口均与所述第一传输端口相连，每个所述射频开关单元的第二端口对应连接一个所述第二传输端口，每个所述射频开关单元的第三端口接地，多个所述射频开关单元用于将所述第一传输端口与所述多个第二传输端口中的一个或多个选择性导通；其中，每个所述射频开关单元包括串联支路以及并联支路，所述串联支路包括至少一个第一场效应管，所述并联支路包括至少一个第二场效应管，且所述第一场效应管与所述第二场效应管为导通条件相反的场效应管。

可选地，所述串联支路的第一端连接所述第一端口，所述串联支路的第二端连接所述第二端口，所述并联支路的第一端连接所述第二端口，所述并联支路的第二端连接所述第三端口。

可选地，所述串联支路包括一个所述第一场效应管、第一电容以及第二电容，所述并联支路包括一个所述第二场效应管以及第三电容；所述第一场效应管的第一端与所述第二场效应管的第一端均与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端连接所述串联支路的第二端；所述第二电容的第一端连接所述串联支路的第一端，所述第二电容的第二端连接所述第一场效应管的第二端；所述第三电容的第一端连接所述第二场效应管的第二端，所述第三电容的第二端连接所述并联支路的第二端。

可选地，所述串联支路包括多个所述第一场效应管，所述并联支路包括多个所述第二场效应管，多个所述第一场效应管之间串联连接，多个所述第二场效应管之间串联连接，多个所述第一场效应管为导通条件相同的场效应管，多个所述第二场效应管为导通条件相同的场效应管。

可选地，每个所述第一场效应管的第三端与每个所述第二场效应管的第三端连接每个所述射频开关单元对应的第一控制信号源；每个所述第一场效应管的第二端、每个所述第一场效应管的第一端、每个所述第二场效应管的第二端以及每个所述第二场效应管的第一端连接每个所述射频开关单元对应的第二控制信号源。

可选地，每个所述射频开关单元中所述串联支路中的每个所述第一场效应管为N型金属氧化物半导体场效应管，所述并联支路中的每个所述第二场效应管为P型金属氧化物半导体场效应管。

可选地，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出高电平信号，且所述第二控制信号源输出低电平信号的情况下导通，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出所述低电平信号，且所述第二控制信号源输出所述高电平信号的情况下关断；每个所述并联支路用于在所述第一控制信号源输出所述高电平信号，且所述第二控制信号源输出所述低电平信号的情况下关断，每个所述并联支路用于在所述第一控制信号源输出所述低电平信号，且所述第二控制信号源输出所述高电平信号的情况下导通。

可选地，每个所述射频开关单元中所述串联支路中的每个所述第一场效应管为P型金属氧化物半导体场效应管，所述并联支路中的每个所述第二场效应管为N型金属氧化物半导体场效应管。

可选地，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出低电平信号，且所述第二控制信号源输出高电平信号的情况下导通，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出所述高电平信号，且所述第二控制信号源输出所述低电平信号的情况下关断；每个所述并联支路用于在所述第一控制信号源输出所述低电平信号，且所述第二控制信号源输出所述高电平信号的情况下关断，每个所述并联支路用于在所述第一控制信号源输出所述高电平信号，且所述第二控制信号源输出所述低电平信号的情况下导通。

可选地，所述高电平信号为每个所述第一场效应管以及每个所述第二场效应管对应的工作电压，所述低电平信号为0V。

第二方面，本申请实施例提供了一种射频前端模组，包括上述的射频开关电路。

本申请实施例提供的射频开关电路包括：第一传输端口；多个第二传输端口；多个射频开关单元，每个射频开关单元的第一端口均与第一传输端口相连，每个射频开关单元的第二端口对应连接一个第二传输端口，每个射频开关单元的第三端口接地，多个射频开关单元用于将第一传输端口与多个第二传输端口中的一个或多个选择性导通；其中，每个射频开关单元包括串联支路以及并联支路，串联支路包括至少一个第一场效应管，并联支路包括至少一个第二场效应管，且第一场效应管与第二场效应管为导通条件相反的场效应管。如此，通过设置第一传输端口与每个第二传输端口之间的射频开关单元中串联支路的第一场效应管与并联支路的第二场效应管导通条件相反，控制射频开关单元通断时，为每个场效应管提供直流信号，同时串联支路与并联支路连接处第一场效应管与第二场效应管所需直流信号相等，可通过共用电容以避免在串联支路以及并联支路的每个端口处均设置电容，减少了每个射频开关单元中电容的使用，并减小了射频开关电路的使用面积，使得电路制造成本较低。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了相关技术中一实施例提供的射频开关电路的电路示意图。

图2示出了本申请一实施例提供的射频开关电路的电路示意图。

图3示出了本申请一实施例提供的射频开关单元的电路示意图。

图4示出了本申请另一实施例提供的射频开关电路的电路示意图。

图5示出了本申请一实施例提供的射频前端模组的结构示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

在相关技术中，射频开关电路的电路示意图可以如图1所示。图1所示的射频开关电路包括第一传输端口10、第二传输端口21、第三传输端口22、第一射频开关单元30、第二射频开关单元40、第一电容33、第二电容34、第三电容35、第七电容36、第四电容43、第五电容44、第六电容45以及第八电容46。

其中，第一射频开关单元30包括第一场效应管31以及第二场效应管32。第一场效应管31的第一端与第一电容33的第一端连接，第一电容33的第二端与第一射频开关单元30对应的第二传输端口21连接，第一场效应管31的第二端连接第二电容34的第一端，第二电容34的第二端连接第一传输端口10，第二场效应管32的第一端与第七电容36的第一端连接，第七电容36的第二端与第一射频开关单元30对应的第二传输端口21连接，第二场效应管32的第二端连接第三电容35的第一端，第三电容35的第二端接地。第二射频开关单元40包括第三场效应管41以及第四场效应管42。第三场效应管41的第一端与第四电容43的第一端连接，第四电容43的第二端与第二射频开关单元40对应的第三传输端口22连接，第三场效应管41的第二端连接第五电容44的第一端，第五电容44的第二端连接第一传输端口10，第四场效应管42的第一端与第八电容46的第一端连接，第八电容46的第二端与第二射频开关单元40对应的第三传输端口22连接，第四场效应管42的第二端连接第六电容45的第一端，第六电容45的第二端接地。其中，每个场效应管的第一端为源极或漏极，在此不做限制，若场效应管的第一端为源极，场效应管的第二端为漏极；若场效应管的第一端为漏极，场效应管的第二端为源极。

在本实施例中，采用相对负压的方式来控制各个射频开关的导通或关断，具体地，射频开关电路中的每个场效应管外接控制信号源，控制信号源为每个场效应管提供直流工作电压，以实现对每个场效应管的导通与关断控制。

其中，第一射频开关单元30中的第一场效应管31与第二场效应管32为导通条件相同的场效应管，第二射频开关单元40中的第三场效应管41与第四场效应管42亦为导通条件相同的场效应管。

当控制射频信号在第一传输端口10以及第二传输端口21之间传输时，第一射频开关单元30导通，第二射频开关单元40关断。此时第一场效应管31导通，第二场效应管32关断，第一场效应管31的第一端所接收到的控制信号与第二场效应管32的第一端所接收到的控制信号不同，若共用隔直电容，会导致输入至第一场效应管31的第一端的控制信号对第二场效应管32的关断造成影响，使第二场效应管32无法正常关断，因此第一场效应管31的第一端与第二场效应管32的第一端处需要单独设置隔直电容，第一射频开关单元30需要设置四个电容以避免直流信号对射频传输端口处的射频信号造成干扰。第二射频开关单元40中的电容设置与第一射频开关单元30相似，在此不再赘述。

请参照图2，图2示出了本申请一实施例提供的射频开关电路的电路示意图。下面将结合图2对本申请实施例提供的射频开关电路1进行详细阐述。如图2所示，本实施例的射频开关电路1包括第一传输端口10、多个第二传输端口20以及多个射频开关单元50。

其中，射频开关电路1应用于一种射频前端模组，射频前端模组是一种将射频开关、低噪声放大器、滤波器、双工器、功率放大器等两种或者两种以上的分立器件集成为一个独立模组的元件，从而提高集成度和硬件性能，并使体积小型化。具体地。一种射频前端模组可以应用于智能手机、平板电脑、智能手表等4G、5G通信设备。

在本实施例中，射频开关电路1中可包括多个射频开关单元50，且每个射频开关单元50的第一端口均与第一传输端口10相连，每个射频开关单元50的第二端口对应连接一个第二传输端口20，每个射频开关单元50的第三端口接地。其中，多个射频开关单元50用于将第一传输端口10与多个第二传输端口20中的一个或多个选择性导通。

可选地，多个射频开关单元50可以是向外发射射频信号的路径，此时射频信号由第一传输端口10输入，当多个射频开关单元50中的一个射频开关单元50导通时，与导通的射频开关单元50对应连接的第二传输端口20用于向外发射射频信号。多个射频开关单元50还可以是从外部接收射频信号的路径，此时第一传输端口10接收外来的射频信号，当多个射频开关单元50中的一个射频开关单元50导通时，与导通的射频开关单元50对应连接的第二传输端口20用于向与射频开关电路1连接的其他的处理电路输送射频信号。

进一步地，每个射频开关单元50包括串联支路51以及并联支路52。串联支路51包括至少一个第一场效应管511，串联支路51的第一端连接第一端口，串联支路51的第二端连接第二端口，即每个射频开关单元50的串联支路51的第一端连接第一传输端口10，串联支路51的第二端连接每个射频开关单元50对应的第二传输端口20。当串联支路51包括多个第一场效应管511，多个第一场效应管511之间串联连接，多个第一场效应管511为导通条件相同的场效应管。并联支路52包括至少一个第二场效应管521，并联支路52的第一端连接第二端口，并联支路52的第二端连接第三端口，即每个射频开关单元50的并联支路52的第一端连接每个射频开关单元50对应的第二传输端口20，并联支路52的第二端接地。当并联支路52包括多个第二场效应管521，多个第二场效应管521之间串联连接，多个第二场效应管521为导通条件相同的场效应管。其中，每个场效应管的第一端为源极或漏极，在此不做限制，若场效应管的第一端为源极，场效应管的第二端为漏极；若场效应管的第一端为漏极，场效应管的第二端为源极。若串联支路51包括串联的多个第一场效应管511，每个第一场效应管511和与其相邻的第一场效应管511之间的连接方式可以为每个第一场效应管511的源极和与其相邻的第一场效应管511的漏极连接；每个第一场效应管511的源极和与其源极相邻的第一场效应管511的源极连接，每个第一场效应管511的漏极和与其漏极相邻的第一场效应管511的漏极连接，在此不做限制。若并联支路52包括串联的多个第二场效应管521，每个第二场效应管521和与其相邻的第二场效应管521之间的连接方式可参考上述多个第一场效应管511的连接方式，在此不再赘述。

需要说明的是，射频开关电路1中每个射频开关单元50的堆栈高度越高，即射频开关单元50的串联支路51与并联支路52中并联的场效应管的数量越多，每个射频开关单元50的导通过程中所能够承受的电压以及信号功率就越大。根据射频开关电路1的实际应用场景可确认每个射频开关单元50的串联支路51中串联的第一场效应管511的数量以及并联支路52中串联的第二场效应管521的数量，以保证射频开关电路1在使用过程中每个射频开关单元50不会被第一传输端口10以及每个射频开关单元50对应的第二传输端口20之间的高电压或大功率击穿，从而保证了射频开关电路1的使用安全。

进一步地，串联支路51中的第一场效应管511与并联支路52中的第二场效应管521为导通条件相反的场效应管。若多个射频开关单元50中的一个射频开关单元50导通时，在该导通的射频开关单元50中，串联支路51中的每个第一场效应管511导通，并联支路52中的每个第二场效应管521关断，射频信号通过导通的多个第一场效应管511在第一传输端口10以及与导通的射频开关单元50连接的第二传输端口20之间传输。在关断的多个射频开关单元50中，串联支路51中的每个第一场效应管511关断，并联支路52中的每个第二场效应管521导通，从而能够将关断的每个射频开关单元50中影响射频开关信号传输工作的干扰信号短路到地，以滤除干扰信号。由于第一场效应管511与第二场效应管521为导通条件相反的场效应管，第一场效应管511与第二场效应管521能够外接同一控制信号源或产生相同控制信号的不同控制信号源，从而在控制信号相同的情况下，每个第一场效应管511导通的同时每个第二场效应管521关断，或者，每个第一场效应管511关断的同时每个第二场效应管521导通。

在本实施例中，控制信号源通过为每个第一场效应管511以及每个第二场效应管521提供控制信号以控制场效应管的导通与关断，进而实现对每个第一场效应管511以及每个第二场效应管521所在的射频开关单元50的导通或关断的控制。由于控制信号源会为每个第一场效应管511以及每个第二场效应管521提供直流工作电压，为避免控制信号源产生的直流信号随射频信号输出，对输出信号造成干扰，需在射频开关电路1中设置多个隔直电容。

可选地，若设置第一场效应管511与第二场效应管521为导通条件相同的场效应管，在导通的射频开关单元50中，若控制串联支路51中的每个第一场效应管511导通，并联支路52中的每个第二场效应管521关断时，第一场效应管511与第二场效应管521外接产生不同控制信号的不同控制信号源。由于每个射频开关单元50中，串联支路51的第二端处的第一场效应管511与并联支路52中的第一端处的第二场效应管521相连的一端所接收的控制信号不同，串联支路51与并联支路52相连的一端均需单独设置隔直电容，以避免不同控制信号对上述场效应管的导通与关断造成影响。本申请通过设置第一场效应管511与第二场效应管521为导通条件相反的场效应管，在每个射频开关单元50导通或关断的过程中，串联支路51的第二端处的第一场效应管511与并联支路52中的第一端处的第二场效应管521相连的一端所接收的控制信号相同，串联支路51与并联支路52相连的一端仅需设置一个共用的隔直电容，在避免对输出信号造成干扰的同时，能够进一步减小射频开关电路1的使用面积。

本申请实施例的射频开关电路1包括：第一传输端口10；多个第二传输端口20；多个射频开关单元50，每个射频开关单元50的第一端口均与第一传输端口10相连，每个射频开关单元50的第二端口对应连接一个第二传输端口20，每个射频开关单元50的第三端口接地，多个射频开关单元50用于将第一传输端口10与多个第二传输端口20中的一个或多个选择性导通；其中，每个射频开关单元50包括串联支路51以及并联支路52，串联支路51包括至少一个第一场效应管511，并联支路52包括至少一个第二场效应管521，且第一场效应管511与第二场效应管521为导通条件相反的场效应管。基于此，通过设置第一传输端口10与每个第二传输端口20之间的射频开关单元50中串联支路51的第一场效应管511与并联支路52的第二场效应管521导通条件相反，控制射频开关单元50通断时，控制信号源为每个第一场效应管511以及每个第二场效应管521提供直流工作电压，在每个射频开关单元50导通或关断的过程中，串联支路51与并联支路52连接处第一场效应管511与第二场效应管521所需直流信号相等，可通过共用电容以避免在串联支路51以及并联支路52的每个端口处均设置电容，减少了每个射频开关单元50中电容的使用，并减小了射频开关电路1的使用面积，使得电路制造成本较低。

请参照图3，图3示出了本申请一实施例提供的射频开关单元的电路示意图。下面将结合图3对本申请实施例提供的射频开关电路1进行详细阐述。如图3所示，本实施例的每个射频开关单元50包括串联支路51以及并联支路52。

在本实施例中，串联支路51包括至少一个第一场效应管511，并联支路52包括至少一个第二场效应管521，每个射频开关单元50中的第一场效应管511与第二场效应管521为导通条件相反的场效应管。

可选地，在每个射频开关单元50中，串联支路51还包括第一电容512以及第二电容513，并联支路52还包括第三电容522。

具体地，每个射频开关单元50中串联支路51第二端处的第一场效应管511的第一端与并联支路52第一端处的第二场效应管521的第一端均与第一电容512的第一端相连，第一电容512的第二端连接每个射频开关单元50对应的第二传输端口20。第二电容513的第一端连接第一传输端口10，第二电容513的第二端连接串联支路51第一端处的第一场效应管511的第二端。第三电容522的第一端连接并联支路52第二端处的第二场效应管521的第二端，第三电容522的第二端接地。需要说明的是，上述第一场效应管511的第一端与第二端以及第二场效应管521的第一端与第二端在射频开关单元50中连接方式可进行互换，在此不做限制。

进一步地，每个射频开关单元50中还包括一个第一控制信号源53以及第二控制信号源54，每个第一场效应管511的第三端与每个第二场效应管521的第三端连接每个射频开关单元50对应的第一控制信号源53，每个第一场效应管511的第二端、每个第一场效应管511的第一端、每个第二场效应管521的第二端以及每个第二场效应管521的第一端连接每个射频开关单元50对应的第二控制信号源54。第一控制信号源53输出的控制信号为V1，第二控制信号源54输出的控制信号为V2。其中，每个场效应管的第三端为场效应管的栅极。

在一些实施方式中，当每个射频开关单元50中串联支路51中的每个第一场效应管511为N型金属氧化物半导体场效应管，并联支路52中的每个第二场效应管521为P型金属氧化物半导体场效应管的情况下：每个串联支路51用于在第一控制信号源53输出高电平信号，且第二控制信号源54输出低电平信号的情况下导通，每个串联支路51用于在第一控制信号源53输出低电平信号，且第二控制信号源54输出高电平信号的情况下关断。每个并联支路52用于在第一控制信号源53输出高电平信号，且第二控制信号源54输出低电平信号的情况下关断，每个并联支路52用于在第一控制信号源53输出低电平信号，且第二控制信号源54输出高电平信号的情况下导通。

在另一些实施方式中，当每个射频开关单元50中串联支路51中的每个第一场效应管511为P型金属氧化物半导体场效应管，并联支路52中的每个第二场效应管521为N型金属氧化物半导体场效应管的情况下：每个串联支路51用于在第一控制信号源53输出低电平信号，且第二控制信号源54输出高电平信号的情况下导通，每个串联支路51用于在第一控制信号源53输出高电平信号，且第二控制信号源54输出低电平信号的情况下关断。每个并联支路52用于在第一控制信号源53输出低电平信号，且第二控制信号源54输出高电平信号的情况下关断，每个并联支路52用于在第一控制信号源53输出高电平信号，且第二控制信号源54输出低电平信号的情况下导通。

需要说明的是，第一电容512用于在第二传输端口20处隔离第一控制信号源53以及第二控制信号源54输出的直流信号，避免串联支路51以及并联支路52直流信号对第二传输端口20接收或发送的射频信号造成干扰，且本申请串联支路51与并联支路52中场效应管导通条件相反的设置，使得串联支路51与并联支路52相连的一端可共用隔直的第一电容512，在避免对输出信号造成干扰的同时，能够进一步减小射频开关电路1的使用面积。第二电容513用于在第一传输端口10处隔离第一控制信号源53以及第二控制信号源54输出的直流信号，避免直流信号对第一传输端口10接收或发送的射频信号造成干扰，第三电容522用于将射频开关单元50中的干扰信号过滤到地面。

可选地，每个射频开关单元50中每个第一场效应管511以及每个第二场效应管521对应的工作电压相等，且信号源输出的高电平信号为每个第一场效应管511以及每个第二场效应管521对应的工作电压，例如3V、5V以及9V等，在此不做限制，低电平信号为0V。

在本实施例中，设置第一传输端口10与每个第二传输端口20之间的射频开关单元50中串联支路51的第一场效应管511与并联支路52的第二场效应管521导通条件相反，控制射频开关单元50通断时，为每个场效应管提供直流信号，同时串联支路51与并联支路52连接处第一场效应管511与第二场效应管521所需直流信号相等，可通过共用电容以避免在串联支路51以及并联支路52的每个端口处均设置电容，减少了每个射频开关单元50中电容的使用，并减小了射频开关电路1的使用面积，使得电路制造成本较低。

在一具体的实施例中，如图4所示，图4示出了本申请另一实施例提供的射频开关电路的电路示意图。

本实施例的射频开关电路包括第一传输端口10、第二传输端口21、第三传输端口22、第一射频开关单元30以及第二射频开关单元40，相较于图2减少了第七电容以及第八电容的设置。

可选地，第一射频开关单元30包括第一场效应管31、第二场效应管32、第一电容33、第二电容34以及第三电容35。第一场效应管31的第一端与第二场效应管32的第一端均与第一电容33的第一端相连，第一电容33的第二端连接第一射频开关单元30对应的第二传输端口21。第二电容34的第一端连接第一传输端口10，第二电容34的第二端连接第一场效应管31的第二端。第三电容35的第一端连接第二场效应管32的第二端，第三电容35的第二端接地。

可选地，第二射频开关单元40包括第三场效应管41、第四场效应管42、第四电容43、第五电容44以及第六电容45。第三场效应管41的第一端与第四场效应管42的第一端均与第四电容43的第一端相连，第四电容43的第二端连接第二射频开关单元40对应的第三传输端口22。第五电容44的第一端连接第一传输端口10，第五电容44的第二端连接第三场效应管41的第二端。第六电容45的第一端连接第四场效应管42的第二端，第六电容45的第二端接地。

其中，第一射频开关单元30中的第一场效应管31与第二场效应管32为导通条件相反的场效应管，第二射频开关单元40中的第三场效应管41与第四场效应管42亦为导通条件相反的场效应管。

具体地，当控制射频信号在第一传输端口10以及第二传输端口21之间传输时，第一射频开关单元30导通，第二射频开关单元40关断。第一射频开关单元30对应的第一控制信号源37输出工作电压，第二控制信号源38输出0V，第一场效应管31导通，第二场效应管32关断，此时第一电容33用于在第二传输端口21处隔离第一控制信号源37以及第二控制信号源38输出的直流信号，第二电容34用于在第一传输端口10处隔离第一控制信号源37以及第二控制信号源38输出的直流信号。第二射频开关单元40对应的第三控制信号源47输出0V，第四控制信号源48输出工作电压，第三场效应管41关断，第四场效应管42导通，第六电容45用于将第二射频开关单元40中的干扰信号过滤到地面。

基于此，通过设置每个射频开关单元中串联支路与并联支路上的场效应管导通条件相反，使得串联支路与并联支路连接处的场效应管可共用电容，以避免在串联支路以及并联支路的每个端口处均设置电容，从而减小了射频开关电路的使用面积，使得电路制造成本较低。

请参阅图5，图5示出了本申请一实施例提供的射频前端模组2的结构示意图。如图5所示，本实施例提供的射频前端模组2包括上述实施例的射频开关电路1。

以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不驱使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (11)

1.一种射频开关电路，其特征在于，所述射频开关电路包括；

第一传输端口；

多个第二传输端口；

多个射频开关单元，每个所述射频开关单元的第一端口均与所述第一传输端口相连，每个所述射频开关单元的第二端口对应连接一个所述第二传输端口，每个所述射频开关单元的第三端口接地，多个所述射频开关单元用于将所述第一传输端口与所述多个第二传输端口中的一个或多个选择性导通；

其中，每个所述射频开关单元包括串联支路以及并联支路，所述串联支路包括至少一个第一场效应管，所述并联支路包括至少一个第二场效应管，且所述第一场效应管与所述第二场效应管为导通条件相反的场效应管。

2.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述串联支路的第一端连接所述第一端口，所述串联支路的第二端连接所述第二端口，所述并联支路的第一端连接所述第二端口，所述并联支路的第二端连接所述第三端口。

3.根据权利要求2所述的射频开关电路，其特征在于，所述串联支路包括一个所述第一场效应管、第一电容以及第二电容，所述并联支路包括一个所述第二场效应管以及第三电容；

所述第一场效应管的第一端与所述第二场效应管的第一端均与所述第一电容的第一端相连，所述第一电容的第二端连接所述串联支路的第二端；

所述第二电容的第一端连接所述串联支路的第一端，所述第二电容的第二端连接所述第一场效应管的第二端；

所述第三电容的第一端连接所述第二场效应管的第二端，所述第三电容的第二端连接所述并联支路的第二端。

4.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述串联支路包括多个所述第一场效应管，所述并联支路包括多个所述第二场效应管，多个所述第一场效应管之间串联连接，多个所述第二场效应管之间串联连接，多个所述第一场效应管为导通条件相同的场效应管，多个所述第二场效应管为导通条件相同的场效应管。

5.根据权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述第一场效应管的第三端与每个所述第二场效应管的第三端连接每个所述射频开关单元对应的第一控制信号源；

每个所述第一场效应管的第二端、每个所述第一场效应管的第一端、每个所述第二场效应管的第二端以及每个所述第二场效应管的第一端连接每个所述射频开关单元对应的第二控制信号源。

6.根据权利要求5所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述射频开关单元中所述串联支路中的每个所述第一场效应管为N型金属氧化物半导体场效应管，所述并联支路中的每个所述第二场效应管为P型金属氧化物半导体场效应管。

7.根据权利要求6所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出高电平信号，且所述第二控制信号源输出低电平信号的情况下导通，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出所述低电平信号，且所述第二控制信号源输出所述高电平信号的情况下关断；

每个所述并联支路用于在所述第一控制信号源输出所述高电平信号，且所述第二控制信号源输出所述低电平信号的情况下关断，每个所述并联支路用于在所述第一控制信号源输出所述低电平信号，且所述第二控制信号源输出所述高电平信号的情况下导通。

8.根据权利要求5所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述射频开关单元中所述串联支路中的每个所述第一场效应管为P型金属氧化物半导体场效应管，所述并联支路中的每个所述第二场效应管为N型金属氧化物半导体场效应管。

9.根据权利要求8所述的射频开关电路，其特征在于，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出低电平信号，且所述第二控制信号源输出高电平信号的情况下导通，每个所述串联支路用于在所述第一控制信号源输出所述高电平信号，且所述第二控制信号源输出所述低电平信号的情况下关断；

每个所述并联支路用于在所述第一控制信号源输出所述低电平信号，且所述第二控制信号源输出所述高电平信号的情况下关断，每个所述并联支路用于在所述第一控制信号源输出所述高电平信号，且所述第二控制信号源输出所述低电平信号的情况下导通。

10.根据权利要求7或9所述的射频开关电路，其特征在于，所述高电平信号为每个所述第一场效应管以及每个所述第二场效应管对应的工作电压，所述低电平信号为0V。

11.一种射频前端模组，其特征在于，包括如权利要求1至10任一项所述的射频开关电路。