JP2006073627A - 半導体集積装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 SOI基板3内の埋め込み酸化膜2の上面には、FBC4、NFET5およびPFET6が互いに分離して形成されている。FBC4の下方に位置するp支持基板1内には、埋め込み酸化膜2に接してnウェル拡散領域7が形成されている。NFET5の下方に位置するp支持基板1内には、pウェル拡散領域8が形成されている。PFET6の下方に位置するp支持基板1内には、nウェル拡散領域9が形成されている。NFET5とPFET6の形成箇所に合わせて、埋め込み酸化膜2の下面側にそれぞれpウェル拡散領域8とnウェル拡散領域9を形成して、各ウェル拡散領域にそれぞれ所定の電圧を印加するため、NFET5とPFET6にバックチャネルが形成されなくなり、デバイス特性がよくなる。
【選択図】 図1
Description
図1は本発明の第1の実施形態に係る半導体集積装置の断面図である。図1の半導体集積装置は、FBCをメモリセルとして用いる半導体記憶装置の周辺回路の断面構造を示している。
第2の実施形態は、SOI基板3内のp支持基板1に0V未満の電圧を印加する場合に、バックチャネルが形成されないようにしたものである。
第1および第2の実施形態では、p支持基板1を有するSOI基板3を用いたが、n支持基板を有するSOI基板3を用いてもよい。
第4の実施形態は、薄膜化された埋め込み酸化膜2を有するSOI基板3を用いて、バンドギャップリファレンス回路(BGR回路)を形成するものである。
I=Is×exp[Va/VT] …(1)
I=n×Is×exp[Vb/VT] …(2)
Va−Vb=VT×ln[I/Is] − VT×ln[I/(n×Is)]=VT×ln[n] …(3)
Vc−Vb=Va−Vb=VT×ln[n] …(4)
Vd−Vb=(1+R2/R1)×(Vc−Vb)=(1+R2/R1)×VT×ln[n] …(5)
VREF=VBE+Vd−Vb=VBE+(1+R2/R1)×VT×ln[n] …(6)
∂VREF/∂T=−α+(1+R2/R1)×ln[n]×(k/q) …(7)
(1+R2/R1)×ln[n]=α×(q/k)=17.4 …(8)
図7ではpnpバイポーラトランジスタを形成する例を説明したが、npnバイポーラトランジスタを形成することも可能である。図10はn支持基板20を有するSOI基板3を用いてnpnバイポーラトランジスタを形成した場合の断面構造を示す断面図である。
2 埋め込み酸化膜
3 SOI基板
4 FBC
5 NFET
6 PFET
7 nウェル拡散領域
8 pウェル拡散領域
9 nウェル拡散領域
10 pウェル拡散領域
Claims (5)
- 第1または第2導電型の支持基板と埋め込み絶縁膜とを有するSOI(Silicon On Insulator)基板と、
前記SOI基板上に、互いに分離して形成されるNMOSFET、PMOSFETおよびFBC(Floating Body Cell)と、
前記NMOSFETの下方の前記支持基板内に、前記埋め込み絶縁膜に沿って形成される第1導電型の第1ウェル拡散領域と、
前記PMOSFETの下方の前記支持基板内に、前記埋め込み絶縁膜に沿って形成される第2導電型の第2ウェル拡散領域と、
前記FBCの下方の前記支持基板内に、前記埋め込み絶縁膜に沿って形成される第1または第2導電型の第3ウェル拡散領域と、を備え、
前記第1および第2ウェル拡散領域は、前記NMOSFETおよび前記PMOSFETの各チャネル領域と前記埋め込み絶縁膜とで挟まれる領域のうち前記埋め込み絶縁膜に近い側の導電型が反転しないように、それぞれ所定の電位に設定されることを特徴とする半導体集積装置。 - 第1または第2導電型の支持基板と埋め込み絶縁膜とを有するSOI(Silicon On Insulator)基板と、
前記SOI基板上に、互いに分離して形成されるNMOSFET、PMOSFETおよびFBC(Floating Body Cell)と、
前記NMOSFETの下方の前記支持基板内に、前記埋め込み絶縁膜に沿って形成される第1導電型の第1ウェル拡散領域と、
前記PMOSFETの下方の前記支持基板内に、前記埋め込み絶縁膜に沿って形成される第2導電型の第2ウェル拡散領域と、
前記FBCの下方の前記支持基板内に、前記埋め込み絶縁膜に沿って形成される第1または第2導電型の第3ウェル拡散領域と、
前記第1ウェル拡散領域および前記第2ウェル拡散領域の下面に接して形成される第1または第2導電型の第4ウェル拡散領域と、を備え、
前記第1および第2ウェル拡散領域は、前記NMOSFETおよび前記PMOSFETの各チャネル領域と前記埋め込み絶縁膜とで挟まれる領域のうち前記埋め込み絶縁膜に近い側の導電型が反転しないように、それぞれ所定の電位に設定されることを特徴とする半導体集積装置。 - 前記第1ウェル拡散領域から前記埋め込み絶縁膜を貫通して上方に伸びる第1コンタクトと、
前記第2ウェル拡散領域から前記埋め込み絶縁膜を貫通して上方に伸びる第2コンタクトと、
前記第3ウェル拡散領域から前記埋め込み絶縁膜を貫通して上方に伸びる第3コンタクトと、を備え、
前記第1乃至第3コンタクトを介して前記第1乃至第3ウェル拡散領域にそれぞれ所定の電圧が印加されることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体集積装置。 - 第1または第2導電型の支持基板と埋め込み絶縁膜とを有するSOI(Silicon On Insulator)基板と、
前記埋め込み絶縁膜に接してその下方に形成される第1導電型の第1ウェル拡散領域と、
前記第1ウェル拡散領域内に形成され、前記埋め込み絶縁膜に接するように形成される第1導電型の第1拡散領域と、
前記第1ウェル拡散領域内に形成され、前記埋め込み絶縁膜に接するように形成され前記第1拡散領域と分離して形成される第2導電型の第2拡散領域と、
前記埋め込み絶縁膜に接してその下方に形成され、前記第1ウェル拡散領域と分離して形成される第2導電型の第3拡散領域と、
前記第1拡散領域から前記埋め込み絶縁膜を貫通して上方に伸びる第1コンタクトと、
前記第2拡散領域から前記埋め込み絶縁膜を貫通して上方に伸びる第2コンタクトと、
前記第3拡散領域から前記埋め込み絶縁膜を貫通して上方に伸びる第3コンタクトと、
前記第1コンタクトに接続されるベース電極と、
前記第2コンタクトに接続されるエミッタ電極と、
前記第3コンタクトに接続されるコレクタ電極と、を備えることを特徴とする半導体集積装置。 - 第1または第2導電型の支持基板と埋め込み絶縁膜とを有するSOI(Silicon On Insulator)基板と、
前記埋め込み絶縁膜に接してその下方に形成される第1導電型の第1拡散領域と、
前記埋め込み絶縁膜に接してその下方に形成され前記第1拡散領域と分離して形成される第2導電型の第2拡散領域と、
前記埋め込み絶縁膜に接してその下方に形成され、前記第1および第2拡散領域よりも深く形成される第1導電型の第3ウェル拡散領域と、
前記埋め込み絶縁膜に接してその下方に形成され、前記第1および第2拡散領域よりも深く形成される第1導電型の第4ウェル拡散領域と、
前記第3および第4ウェル拡散領域に接して形成される第1導電型の第5ウェル拡散領域と、
前記第1および第2拡散領域を覆い、前記第3、第4および第5のウェル拡散領域で前記支持基板から分離された領域に存在する第2導電型の第6ウェル拡散領域と、
前記第1拡散領域から前記埋め込み絶縁膜を貫通して上方に伸びる第1コンタクトと、
前記第2拡散領域から前記埋め込み絶縁膜を貫通して上方に伸びる第2コンタクトと、
前記第3ウェル拡散領域から前記埋め込み絶縁膜を貫通して上方に伸びる第3コンタクトと、
前記第4ウェル拡散領域から前記埋め込み絶縁膜を貫通して上方に伸びる第4コンタクトと、
前記第1コンタクトに接続されるカソード電極と、
前記第2コンタクトに接続されるアノード電極と、
前記第3および第4コンタクトに接続される電源端子と、を備えることを特徴とする半導体集積装置。
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