JP2021009962A - 半導体集積回路 - Google Patents

Abstract

【課題】各々のダイオードの寄生抵抗が低減され、かつばらつきが抑制されたダイオードアレイを含む半導体集積回路を提供すること。【解決手段】基板１１と、基板１１上に形成された第１の導電型の不純物領域１２と、第１の導電型の不純物領域１２内の予め定められた方向に等間隔で形成された複数の第２の導電型の不純物領域１３と、平面視で、複数の第２の導電型の不純物領域１３の両端および間に第２の導電型の不純物領域１３の各々から等距離となるように配置された複数の第１の導電型のコンタクト領域１４と、を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、半導体集積回路、特に各々のダイオードの寄生抵抗が低減され、かつばらつきが抑制されたダイオードアレイを含む半導体集積回路に関する。

ダイオードに関連した文献として、例えば特許文献１が知られている。特許文献１に開示された半導体集積回路は、静電保護回路の保護素子を形成するために、第１導電型の半導体領域Ｐ−Ｗｅｌｌと第２導電型の第１不純物領域Ｎと第１導電型の第２不純物領域Ｐにより形成されたガードリングＧｒｄ＿Ｒｎｇを具備している。特許文献１に開示された半導体集積回路では、このような構成を備えることにより、電流による静電破壊が軽減されるとしている。

特許文献１では、ダイオードに逆方向に流れる電流（サージ電流）の大きさを問題としているが、特に高出力ダイオードにおいては、順方向に流すことのできる電流の大きさを増大させたいという要求がある。一方、流せる電流の大きさを増大させる一方法として、ダイオードをアレイ化する方法がある。図４は、流せる電流の増大を意図した比較例に係るダイオードアレイ５０を示している。図４（ａ）はダイオードアレイ５０の平面図を、図４（ｂ）は図４（ａ）に示すＹ−Ｙ’線に沿って切断した断面図を、各々示している。また、ダイオードアレイ５０は、９個のダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７、Ｄ８、Ｄ９をアレイ状（格子状）に配置した例を示している。

図４（ａ）に示すように、ダイオードアレイ５０は、９個のアノード電極１７、および９個のアノード電極１７の各々を囲んで配置されたカソード電極１６を含んで構成されている。図４（ａ）において、符号「Ａ」はアノードを意味し、符号「Ｋ」はカソードを意味している。また、図４（ｂ）に示すように、ダイオードアレイ５０は、Ｐ型半導体基板１１上に形成されたＮ型ウェル１２と、Ｎ型ウェル１２内に形成された９個のＰ型不純物領域１３とで形成された複数のＰＮ接合（図示省略）を備えている。ただし、図４（ｂ）では、９個のＰ型不純物領域１３のうちダイオードＤ１に対応するＰ型不純物領域１３−１、ダイオードＤ５に対応するＰ型不純物領域１３−２、ダイオードＤ９に対応するＰ型不純物領域１３−３が見えている。

一方、９個のアノード電極１７の各々はコンタクト電極２１を介して９個のＰ型不純物領域１３の各々に接続され、カソード電極１６は、コンタクト電極２２を介してＮ型不純物領域１４に接続されている（図４では図示を省略）。図４（ａ）に示すように、カソード電極１６は正方形の枠形状とされており、カソード電極１６に沿って配置されるＮ型不純物領域１４も正方形の枠形状とされている。ただし、図４（ｂ）では、断面視で見えるＮ型不純物領域１４として、便宜的にＮ型不純物領域１４−１、１４−２の符号を付している。９個のＰ型不純物領域１３とＮ型不純物領域１４は、絶縁膜１５によって分離されている。

特表２０１３−０４８２０９号公報

ところで、ダイオードは、一般的に順方向に流れる電流に対してある大きさの抵抗成分（以下、「寄生抵抗」）を有しており、この寄生抵抗によってダイオードの順方向の降下電圧の大きさが定まる。また、該寄生抵抗は、いわゆる電流−電圧特性（以下、「Ｉ−Ｖ特性」）の傾きとして観測される。一方、ダイオードアレイでは、複数のダイオードを並列に接続して用いる場合が多い。そのため、ダイオードアレイに含まれる各々のダイオードは、同じまたは近似したＩ−Ｖ特性を有していることが望ましい。

ここで、半導体集積回路内に形成されたダイオードの寄生抵抗は、主として、Ｐ型不純物領域とＮ型不純物領域との間のレイアウト上の距離（以下、「アノード−カソード間距離」）によって決まる。すなわち、ダイオードの寄生抵抗は、アノード−カソード間距離に比例する。また、あるＰ型不純物領域に対して複数の経路のＮ型不純物領域が存在する場合は、当該Ｐ型不純物領域と複数のＮ型不純物領域の各々との距離の合計がアノード−カソード間距離となる。

図４（ｂ）を参照して、ダイオードアレイ５０における寄生抵抗について説明する。まず、Ｐ型不純物領域１３−１からＮ型不純物領域１４への電流の流れを考慮した場合のアノード−カソード間距離は、Ｐ型不純物領域１３−１からＮ型不純物領域１４−１までの距離Ｌ１と、Ｐ型不純物領域１３−１からＮ型不純物領域１４−２までの距離Ｌ２の合計値（Ｌ１＋Ｌ２）となる。Ｐ型不純物領域１３−１と対称に配置されたＰ型不純物領域１３−３とＮ型不純物領域１４とのアノード−カソード間距離も、同様に（Ｌ１＋Ｌ２）となる。

一方、Ｐ型不純物領域１３−２とＮ型不純物領域１４とのアノード−カソード間距離は、Ｐ型不純物領域１３−２とＮ型不純物領域１４−１との距離Ｌ３と、Ｐ型不純物領域１３−２とＮ型不純物領域１４−２との距離Ｌ３の合計値２・Ｌ３となる。ここで、（Ｌ１＋Ｌ２）は２・Ｌ３と異なるので、ダイオードＤ１、Ｄ９の寄生抵抗と、ダイオードＤ５の寄生抵抗とは異なる。

以上のように、比較例に係るダイオードアレイ５０では、ダイオードアレイ５０に含まれる複数のダイオードにおいて、個々のダイオードの寄生抵抗が異なる組み合わせがあった。上述したように、ダイオードアレイにおける各ダイオードの寄生抵抗が異なると、Ｉ−Ｖ特性に差が出て、ダイオードアレイ５０の全体の特性として好ましくない。また、用途等に応じて、寄生抵抗の値を小さくすることが求められる場合もある。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、各々のダイオードの寄生抵抗が低減され、かつばらつきが抑制されたダイオードアレイを含む半導体集積回路を提供することを目的とする。

本発明の第１実施態様に係る半導体集積回路は、基板と、基板上に形成された第１の導電型の不純物領域と、第１の導電型の不純物領域内の予め定められた方向に等間隔で形成された複数の第２の導電型の不純物領域と、平面視で、複数の第２の導電型の不純物領域の両端および間に第２の導電型の不純物領域の各々から等距離となるように配置された複数の第１の導電型のコンタクト領域と、を含む。

第１実施態様に係る半導体集積回路は、基板上に形成された第１の導電型の不純物領域と、第１の導電型の不純物領域内の予め定められた方向に等間隔で形成された複数の第２の導電型の不純物領域と、を含んでいる。

ここで、第１の導電型の不純物領域と複数の第２の導電型の不純物領域の各々との界面にはＰＮ接合が存在し、複数のダイオードが独立して形成されている。そして、複数の第１の導電型のコンタクト領域が、第２の導電型の不純物領域の両端および間に第２の導電型の不純物領域の各々から等距離となるように配置されている。このため、各々のダイオードの寄生抵抗が低減され、かつばらつきが抑制されたダイオードアレイを含む半導体集積回路が提供される。

本発明の第２実施態様に係る半導体集積回路では、複数の第１の導電型のコンタクト領域同士を接続するとともに予め定められた方向に延伸された２つの第１の導電型のコンタクト領域をさらに含み、複数の第２導電型の不純物領域の各々は、複数の第１の導電型のコンタクト領域と２つの第１の導電型のコンタクト領域によって囲まれている。

第２実施態様に係る半導体集積回路によれば、複数の第１の導電型のコンタクト領域同士を接続するとともに予め定められた方向に延伸された２つの第１の導電型のコンタクト領域をさらに含んでいる。そして、複数の第２導電型の不純物領域の各々が、複数の第１の導電型のコンタクト領域と２つの第１の導電型のコンタクト領域によって囲まれている。このため、各々のダイオードの寄生抵抗のばらつきがより効果的に抑制される。

本発明の第３実施態様に係る半導体集積回路では、複数の第１の導電型の不純物領域の各々に接続されるとともに、予め定められた方向に等間隔で配置された複数の第１の電極と、複数の第２の導電型の不純物領域の各々に接続されるとともに、予め定められた方向に等間隔で配置された複数の第２の電極と、をさらに含み、第１の電極を含む配線層と第２の電極を含む配線層とが異なる配線層となっている。

第３実施態様に係る半導体集積回路によれば、複数の第１の導電型の不純物領域の各々に接続されるとともに、予め定められた方向に等間隔で配置された複数の第１の電極と、複数の第２の導電型の不純物領域の各々に接続されるとともに、予め定められた方向に等間隔で配置された複数の第２の電極と、をさらに含んでいる。そして、第１の電極を含む配線層と第２の電極を含む配線層とが異なる配線層となっている。このため、複数の第１の導電型の不純物領域同士、および複数の第２の導電型の不純物領域同士との接続がより容易である。

本発明の第４実施態様に係る半導体集積回路では、複数の第１の電極同士を接続するとともに予め定められた方向に延伸された２つの延伸電極をさらに含み、複数の第２導電型の不純物領域の各々は、複数の第１の電極と２つの延伸電極によって囲まれている。

第４実施態様に係る半導体集積回路によれば、複数の第１の電極同士を接続するとともに予め定められた方向に延伸された２つの延伸電極をさらに含んでいる。そして、複数の第２導電型の不純物領域の各々が、複数の第１の電極と２つの延伸電極によって囲まれている。このため、ダイオードに電流を流す電源の接続が容易である。

本発明の第５実施態様に係る半導体集積回路では、複数の上記半導体集積回路を備え、複数の半導体集積回路は、予め定められた方向と交差する方向に連続して配置されている。

第５実施態様に係る半導体集積回路によれば、上記半導体集積回路を複数備えている。そして、複数の半導体集積回路は、予め定められた方向と交差する方向に連続して配置されている。このため、大規模なダイオードアレイがより効率的に構成される。

本発明によれば、各々のダイオードの寄生抵抗が低減され、かつばらつきが抑制されたダイオードアレイを含む半導体集積回路を提供することが可能となる。

第１の実施の形態に係る半導体集積回路の構成の一例を示す平面図である。 第１の実施の形態に係る半導体集積回路の構成の一例を示す断面図である。 （ａ）は第２の実施の形態に係る半導体集積回路の構成の一例を示す平面図であり、（ｂ）は第２の実施の形態の変形例に係る半導体集積回路の構成の一例を示す平面図である。 比較例に係る半導体集積回路の構成を示す、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。本実施の形態では、本発明に係る半導体集積回路の一例として、本発明を複数のダイオードが集積化されたダイオードアレイに適用した形態を例示して説明する。なお、各図面において同一または等価な構成要素および部分には同一の参照符号を付与し、重複する説明は適宜省略する。また、以下の説明において「等しい」、あるいは「正方形」とは、例えば製造誤差等の一定の誤差を含む範囲内で「等しい」、あるいは「正方形」に近似していることをいう。

[第１の実施の形態]
図１、および図２参照して、本実施の形態に係る半導体集積回路１０について説明する。図１は半導体集積回路１０の平面図を、図２は図１におけるＸ−Ｘ‘線に沿って切断した断面図を、各々示している。半導体集積回路１０は９個のダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、Ｄ６、Ｄ７、Ｄ８、Ｄ９（以下、総称する場合は、「ダイオードＤｉ」）を含んで構成され、９個のダイオードＤｉはアレイ状（格子状）に配列されている。なお、半導体集積回路１０に含まれる複数のダイオードを９個のダイオードＤｉとするのは一例であって、複数であれば何個でもよい。

図１に示すように、半導体集積回路１０は、Ｐ型半導体基板１１上に配置された９個のアノード電極１７、およびカソード電極１６を備えている。９個のアノード電極１７の各々は、コンタクト電極２１を介して９個のＰ型不純物領域１３（図２参照。図２にはＰ型不純物領域１３−１、１３−２、１３−３が示されている）に接続され、カソード電極１６は、複数のコンタクト電極２２（図１では、１３６個の場合を例示している）を介してＮ型不純物領域１４（図２参照。図２にはＮ型不純物領域１４−１、１４−２、１４−３、１４−４が示されている）に接続されている。本実施の形態では、１個のダイオードＤｉに１個のコンタクト電極２１を配置させる形態を例示して説明するが、これに限られず複数のコンタクト電極２１を配置させる形態としてもよい。アノード電極１７は、図示を省略する配線によってアノード端子用のパッドに接続され、カソード電極１６は、図示を省略する配線によってカソード端子用のパッドに接続されている。

図２を参照して、半導体集積回路１０の断面構造について説明する。図２に示すように、半導体集積回路１０は、Ｐ型半導体基板１１、Ｐ型半導体基板１１上に形成されたＮ型ウェル１２、Ｎ型ウェル１２の内部に形成された９個のＰ型不純物領域１３、およびＮ型不純物領域１４を含んで構成されている。そして、９個のＰ型不純物領域１３、およびＮ型不純物領域１４の間は、絶縁膜１５で分離されている。絶縁膜１５は一例としてシリコンの酸化物（シリコン酸化膜）で構成され、例えばＬＯＣＯＳ（ＬＯＣａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）法によって形成されている。９個のＰ型不純物領域１３、およびＮ型不純物領域１４は、各々コンタクト電極２１、コンタクト電極２２にオーミック接触されるコンタクト層であり、各々Ｐ＋拡散層、Ｎ＋拡散層で構成されている。本実施の形態において、Ｐ＋、Ｎ＋は各々相対的に高い濃度を有するＰ型不純物領域、Ｎ型不純物領域を意味している。

９個のＰ型不純物領域１３の各々は、コンタクト電極２１を介して９個のアノード電極１７の各々に接続され、Ｎ型不純物領域１４はコンタクト電極２２を介してカソード電極１６に接続されている。図２では９個のＰ型不純物領域１３のうち、ダイオードＤ１に対応するＰ型不純物領域１３−１、ダイオードＤ５に対応するＰ型不純物領域１３−２、ダイオードＤ９に対応するＰ型不純物領域１３−３が見えている。一方、本実施の形態に係る半導体集積回路１０では、Ｎ型不純物領域１４が、図１に示す井桁状のカソード電極１６に沿って形成されている。従って、本実施の形態に係るＮ型不純物領域１４は連続して一体化された井桁形状をなしているが、図２では断面視で見える４個のＮ型不純物領域１４を区別して、符号１４−１、１４−２、１４−３、１４−４を付している。

また、本実施の形態では、カソード電極１６を第１配線層（下層側）、アノード電極１７を第２配線層（上層側）に配置させる形態を例示している。しかしながら、これに限られず、カソード電極１６を第２配線層（上層側）、アノード電極１７を第１配線層（下層側）に配置させる形態としてもよい。また、配線層を３層以上の多層配線とし、該多層配線のいずれかの層にアノード電極１７、カソード電極１６を配置させる形態としてもよい。

半導体集積回路１０では、９個のＰ型不純物領域１３の各々と、Ｎ型不純物領域１４との界面に９個のＰＮ接合が形成されている。この９個のＰＮ接合によって９個のダイオードＤ１〜Ｄ９が構成されている。

ここで、半導体集積回路１０のカソード電極１６は、図１に示すように井桁状に形成され、コンタクト電極２２は、井桁状のカソード電極１６に対してほぼ均等に配置されている。そして、井桁状のカソード電極１６で形成された９個の枠の各々の内部にダイオードＤｉが配置されている。換言すると、ダイオードＤｉの各々は、正方形のカソード電極１６（つまり、Ｎ型不純物領域１４）に囲まれている。

図２を参照して、本実施の形態に係る半導体集積回路１０に含まれる９個のダイオードＤｉのアノード−カソード間距離について検討する。図２に示すように、ダイオードＤ１のアノード−カソード間距離は、Ｐ型不純物領域１３−１からＮ型不純物領域１４−１までの距離Ｌと、Ｐ型不純物領域１３−１からＮ型不純物領域１４−２までの距離Ｌとの合計値２・Ｌである。つまり、半導体集積回路１０では、正方形の井桁状のＮ型不純物領域１４としているので、Ｐ型不純物領域１３の各々から両側のＮ型不純物領域１４までの距離は等しい。従って、図２に示すダイオードＤ５、Ｄ９のアノード−カソード間距離も２・Ｌであり、さらには残りのダイオードＤｉのアノード−カソード間距離についても２・Ｌである。なお、上記の説明では、斜めの切断線Ｘ−Ｘ’に沿った断面におけるアノード−カソード間距離について説明したが、例えばダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３を横方向に切断する断面でみても、９個のアノード−カソード間距離は等しくなっている。

以上、詳述したように、本実施の形態に係る半導体集積回路１０によれば、ダイオードアレイに含まれるダイオードの寄生抵抗が等しくなり、寄生抵抗のばらつきが抑制される。また、比較例に係るダイオードアレイ５０では、まとめて配置された複数のＰ型不純物領域１３の周囲に枠状のＮ型不純物領域１４を配置しているのに対し、半導体集積回路１０では、Ｐ型不純物領域１３の各々の周囲にＮ型不純物領域１４が配置されているので、Ｐ型不純物領域１３とＮ型不純物領域１４との距離が短くなり、寄生抵抗の値そのものも減少する。

また、半導体集積回路１０では、結果的に、ダイオードアレイに含まれる各々のダイオードのＩ−Ｖ特性が揃うので、例えば基準電圧生成回路に用いると精度が改善された基準電圧を生成することができる。より詳細には、半導体集積回路１０にある機能を有する回路が含まれ、さらに半導体集積回路１０には該回路に基準電圧を供給するダイオードを用いた基準電圧生成回路が含まれるとした場合、該基準電圧生成回路のダイオードとして本実施の形態に係るダイオードアレイを用いれば、供給される基準電圧の精度を向上させることができる。

なお、本実施の形態では、井桁状に配置されたカソード電極１６の全周囲にコンタクト電極２２を配置される形態を例示して説明したが、これに限られない。例えば、図１において、横方向、または縦方向に配列されたコンタクト電極を削除した形態としてもよい。

［第２の実施の形態］
図３（ａ）を参照して、本実施の形態に係る半導体集積回路１０Ａについて説明する。半導体集積回路１０Ａは、上記実施の形態に係る半導体集積回路１０に対して、ダイオードＤｉを直線状に一列に配置した形態である。換言すれば、半導体集積回路１０では複数のダイオードが２次元に配置されていたが、半導体集積回路１０Ａでは１次元に配置されている。

図３（ａ）に示すように、半導体集積回路１０Ａは、３個のダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３を含み、各々のダイオードＤｉはコンタクト電極２１を介して接続されたアノード電極１７を備えている。３個のダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３は等間隔に配置されている。３個のコンタクト電極２１の各々は、図示を省略する３個のＰ型不純物領域１３の各々に接続されている。また、ダイオードＤｉの列の両脇および間には合計４個のカソード電極１６−１、１６−２、１６−３、１６−４が配置されている。カソード電極１６−１、１６−２、１６−３、１６−４も等間隔に配置され、カソード電極１６−１、１６−２、１６−３、１６−４の各々と対応するＰ型不純物領域１３との距離も等しくなっている。半導体集積回路１０Ａに係るＮ型不純物領域１４は一体とされてはおらず、分離され独立している。

半導体集積回路１０Ａにおいても、ダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３のアノード−カソード間距離が等しくなっている。ダイオードＤ１のアノード−カソード間距離は、ダイオードＤ１に対応するＰ型不純物領域１３から、カソード電極１６−１に対応するＮ型不純物領域１４までの距離と、カソード電極１６−２に対応するＮ型不純物領域１４までの距離との合計である。一方、ダイオードＤ２のアノード−カソード間距離は、ダイオードＤ２に対応するＰ型不純物領域１３から、カソード電極１６−２に対応するＮ型不純物領域１４までの距離と、カソード電極１６−３に対応するＮ型不純物領域１４までの距離との合計である。さらに、ダイオードＤ３のアノード−カソード間距離は、ダイオードＤ３に対応するＰ型不純物領域１３から、カソード電極１６−３に対応するＮ型不純物領域１４までの距離と、カソード電極１６−４に対応するＮ型不純物領域１４までの距離との合計である。本実施の形態では、３個のダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３、およびカソード電極１６−１、１６−２、１６−３、１６−４が等間隔に配置されているので、ダイオードＤ１、Ｄ２、Ｄ３の各々のアノード−カソード間距離は等しい。

以上のように、本実施の形態に係る半導体集積回路１０Ａによれば、ダイオードアレイに含まれるダイオードの寄生抵抗が等しくなり、寄生抵抗のばらつきが抑制される。また、寄生抵抗の値そのものも減少させることができる。

＜変形例＞
図３（ｂ）を参照して、本実施の形態に係る半導体集積回路１０Ｂについて説明する。半導体集積回路１０Ｂは、図３（ａ）に示す半導体集積回路１０Ａを縦に２段配置させたものである。換言すれば、図１に示す半導体集積回路１０において、カソード電極１６（すなわち、Ｎ型不純物領域１４）の横方向の部分を削除し、詰めた形態である。なお、本実施の形態では、半導体集積回路１０Ａを２段配置させる形態を例示して説明するが、これに限られず、３段以上の適宜な段数配置させる形態としてもよい。

以上のような構成の半導体集積回路１０Ｂによっても、ダイオードアレイに含まれるダイオードの寄生抵抗が等しくなり、寄生抵抗のばらつきが抑制される。また、寄生抵抗の値そのものも減少させることができる。

なお、上記実施の形態では、平面視正方形のダイオードＤｉ（Ｐ型不純物領域１３）を用いる形態を例示して説明したが、これに限られず、円形状、多角形等、半導体集積回路１０のレイアウト等を勘案して、適宜な形状としてもよい。

また、上記実施の形態では、ダイオードＤｉ（Ｐ型不純物領域１３）を格子状、または直線状に配列させる形態を例示して説明したが、これに限られず、例えば千鳥状としてもよい。また、ダイオードＤｉ（Ｐ型不純物領域１３）の平面視での形状等に応じて配列形態を選択してもよく、例えばダイオードＤｉ（Ｐ型不純物領域１３）の平面視での形状を正六角形とする場合はハニカム構造のように緻密に配列させてもよい。

また、上記実施の形態では、平面視正方形の井桁形状のカソード電極１６（Ｎ型不純物領域１４）を用いる形態を例示して説明したが、これに限られず、ダイオードＤｉ（Ｐ型不純物領域１３）の平面視での形状、あるいは、ダイオードＤｉ（Ｐ型不純物領域１３）の平面視での配列等を勘案して、多角形形状等適宜な形状としてもよい。例えば、ダイオードＤｉ（Ｐ型不純物領域１３）の平面視での形状を正六角形とする場合はカソード電極１６の形状を正六角形の井桁形状としてもよい。

また、上記実施の形態では、Ｐ型の半導体基板を用いた形態を例示して説明したが、Ｎ型基板を用いた形態としてもよい。この場合は、上記において、Ｐ型をＮ型に、Ｎ型をＰ型に読み替えればよい。

１０、１０Ａ、１０Ｂ・・・半導体集積回路、１１・・・Ｐ型半導体基板、１２・・・Ｎ型ウェル、１３・・・Ｐ型不純物領域、１３−１、１３−２、１３−３・・・Ｐ型不純物領域、１４・・・Ｎ型不純物領域、１４−１、１４−２、１４−３、１４−４・・・Ｎ型不純物領域、１５・・・絶縁膜、１６・・・カソード電極、１６−１、１６−２、１６−３、１６−４・・・カソード電極、１７・・・アノード電極、２１・・・コンタクト電極、２２・・・コンタクト電極、５０・・・ダイオードアレイ、Ｄ１〜Ｄ９・・・ダイオード、Ｄｉ・・・ダイオード、Ｌ・・・アノード−カソード間距離、Ｌ１〜Ｌ３・・・アノード−カソード間距離

Claims (5)

1. 基板と、
   前記基板上に形成された第１の導電型の不純物領域と、
   前記第１の導電型の不純物領域内の予め定められた方向に等間隔で形成された複数の第２の導電型の不純物領域と、
   平面視で、前記複数の第２の導電型の不純物領域の両端および間に前記第２の導電型の不純物領域の各々から等距離となるように配置された複数の第１の導電型のコンタクト領域と、を含む
   半導体集積回路。
2. 前記複数の第１の導電型のコンタクト領域同士を接続するとともに前記予め定められた方向に延伸された２つの第１の導電型のコンタクト領域をさらに含み、
   前記複数の第２導電型の不純物領域の各々は、前記複数の第１の導電型のコンタクト領域と前記２つの第１の導電型のコンタクト領域によって囲まれている
   請求項１に記載の半導体集積回路。
3. 前記複数の第１の導電型の不純物領域の各々に接続されるとともに、前記予め定められた方向に等間隔で配置された複数の第１の電極と、
   前記複数の第２の導電型の不純物領域の各々に接続されるとともに、前記予め定められた方向に等間隔で配置された複数の第２の電極と、をさらに含み、
   前記第１の電極を含む配線層と前記第２の電極を含む配線層とが異なる配線層となっている
   請求項１または請求項２に記載の半導体集積回路。
4. 前記複数の第１の電極同士を接続するとともに前記予め定められた方向に延伸された２つの延伸電極をさらに含み、
   前記複数の第２導電型の不純物領域の各々は、前記複数の第１の電極と前記２つの延伸電極によって囲まれている
   請求項３に記載の半導体集積回路。
5. 複数の請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体集積回路を備え、
   複数の前記半導体集積回路は、前記予め定められた方向と交差する方向に連続して配置されている
   半導体集積回路。