CN101458337B - 基于绝缘体上硅的双探头pmos辐射剂量计 - Google Patents

基于绝缘体上硅的双探头pmos辐射剂量计 Download PDF

Info

Publication number
CN101458337B
CN101458337B CN2007101793547A CN200710179354A CN101458337B CN 101458337 B CN101458337 B CN 101458337B CN 2007101793547 A CN2007101793547 A CN 2007101793547A CN 200710179354 A CN200710179354 A CN 200710179354A CN 101458337 B CN101458337 B CN 101458337B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon
electrode
layer
positive gate
probe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2007101793547A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101458337A (zh
Inventor
刘梦新
韩郑生
赵超荣
刘刚
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Institute of Microelectronics of CAS
Original Assignee
Institute of Microelectronics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Institute of Microelectronics of CAS filed Critical Institute of Microelectronics of CAS
Priority to CN2007101793547A priority Critical patent/CN101458337B/zh
Publication of CN101458337A publication Critical patent/CN101458337A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101458337B publication Critical patent/CN101458337B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

本发明涉及电离辐射剂量测量领域，公开了一种基于SOI技术的可重复利用PMOS辐射剂量计，包括背栅电极、多晶硅化物层、半导体衬底、隐埋氧化层、顶层硅膜、体接触区、源区、漏区、源电极、漏电极、正栅氧化层、正栅多晶硅层和正栅电极。本发明将剂量计制作于SOI衬底之上，具有两种测量不同剂量率的电极探头；采用不同方式的正、背栅调栅注入以调节探头测量范围；利用与顶层硅膜同型的重掺杂区域形成与源区短接的体接触；源/体、漏/体以及正、背栅与各自电极间利用多晶硅化物互联；正栅采用多根栅条叉指形式并联以增大探头敏感区域；剂量计退火过程控制及偏置条件、退火温度和时间调节；可调整量程的堆叠剂量计测量电路的方法及结构。

Description

基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计
技术领域
本发明涉及电离辐射剂量测量技术领域，尤其涉及一种基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计。
背景技术
对空间辐射环境的研究始于上世纪四十年代。随着地球磁场俘获带电粒子形成的强辐射带(Van-Allen带)的发现和相继发生的辐射引起的卫星运行故障，空间辐射环境的研究越来越受到重视，各种空间辐射探测技术和设备相继得到了应用，其中也包括一些用于辐射总剂量监测的技术，如热释光(TLD)剂量计、尼龙薄膜剂量计、G-M计数管、PIN二极管、半导体探测器等。这些技术虽然取得了一定的成功，但也存在各自的缺陷。如难以实现在轨动态监测，有的存在着测量或读出电路复杂，系统体积或重量庞大，剂量记录信息与电子学系统接口困难，数据处理繁琐等问题。
二十世纪七十年代，英国的Holmes-Siedle提出了空间电荷剂量计的概念。特定工艺的P沟道金属-氧化物-半导体晶体管(PMOSFET)受到电离辐射后，在其氧化层中产生的俘获正电荷和界面态会导致阈值电压的漂移，生阈电压漂移的幅度与辐射剂量呈现近乎于线性的单调对应关系。在此基础上，可以利用电离辐射引起PMOSFET阈电压的变化作为辐射敏感参量，进行辐射总剂量测量。由于PMOS辐射剂量计具有体积小、重量轻、功耗低、测量和读出电路简单、可靠性高、便于遥控遥测等特点，非常适用于卫星内外辐射总剂量环境的在轨监测，并在核工业、医学、辐射防护及便携式个人辐射监测领域内也有广泛的应用。
但由于PMOS辐射剂量计自身的半导体器件性质，其极易受到外界环境因素的影响。PMOS辐射剂量计的辐照灵敏度、不同环境下长期工作的可靠性和准确性以及监测寿命等方面指标都是目前急待解决的关键技术，并且对于PMOS辐射剂量计来说，对于某种特定的工艺条件其测量容限仅能局限于一较小范围内，并且当其氧化层中陷阱电荷到达饱和，剂量计将不能正常工作。因此有必要对现有PMOS辐射剂量计结构进行改进，并寻求高灵敏度、高稳定性、宽动态范围、可重复利用的PMOS辐射剂量计制造技术。
发明内容
(一)要解决的技术问题
针对现有技术存在的不足，本发明的目的之一在于提供基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计，以完成两种不同数量级范围内的电离辐射剂量测量，并提高在高温环境下的稳定性。
本发明的目的之二在于提供一种针对此类PMOS辐射剂量计的正、背栅调栅注入技术以及正栅多根栅条叉指并联结构，以提高剂量计对电离辐照的敏感程度和调节计量范围，并且利用与顶层硅膜同型的重掺杂区域形成与源区短接的体接触，在源/体、漏/体以及正、背栅与各自电极间利用多晶硅化物互联，从而避免级联时反向二极管击穿，并与SOI CMOS工艺兼容。
(二)技术方案
为达到上述一个目的，本发明提供了一种基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计，该辐射剂量计以从上至下依次为顶层硅16、埋氧层4和底层硅3的绝缘体上硅(SOI)作为基本架构，该辐射剂量计包括：
设置于顶层硅16上表面的正栅氧化层9，设置于正栅氧化层9上表面的正栅多晶硅层10，设置于正栅多晶硅层10上表面的正栅多晶硅化物层11，以及设置于正栅多晶硅化物层11上表面的正栅电极12；
设置于正栅氧化层9一侧的漏区15，设置于漏区15上表面的漏区多晶硅化物层14，设置于漏区多晶硅化物层14上表面的漏电极13；
设置于正栅氧化层9另一侧的源区5，在紧邻源区5的旁侧设置的与顶层硅16同型的重掺杂体接触区6，在体接触区6和源区5上表面设置的体区及源区多晶硅化物层7，设置于体区及源区多晶硅化物层7上表面的源电极8；
设置于底层硅3下表面的背栅多晶硅化物层2，设置于背栅多晶硅化物层2下表面的背栅电极1。
上述方案中，所述正栅氧化层9覆盖了顶层硅16上表面等于设计规则中沟道尺寸的区域。
上述方案中，所述底层硅3和埋氧层4构成背栅。
上述方案中，分别在源区5、体接触区6、漏区15、正栅多晶硅层10上表面的中央进一步设置有接触孔，所述源电极8、漏电极13和正栅电极12设置于该接触孔之上；在底层硅3下表面的中央进一步设置有接触孔，所述背栅电极1设置于该接触孔之上。
上述方案中，所述正栅电极12采用多根栅条叉指形式并联，多根折形栅条之间通过接触孔与金属互连，相邻栅条共用一个漏电极。
上述方案中，所述正栅电极12和背栅电极1为两种不同量程的电极探头。
上述方案中，该剂量计采用不同方式的正、背栅调栅注入；对正栅氧化层9区域进行调正栅注入，注入剂量范围为1e10至1e12/cm2、能量范围为95至105keV的BF2；对顶层硅16区域进行调背栅注入，注入剂量范围为1.2e11至1e13/cm2、能量范围为155至165keV的P。
(三)有益效果
从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果：
1、利用本发明，可得到具有不同测量范围的双探头PMOS辐射剂量计，制造过程与SOI CMOS工艺兼容，可有效提高集成度，降低生产成本和工艺难度；
2、利用本发明，可得到基于SOI技术的双探头PMOS辐射剂量计，具有更高的稳定性和耐高温性能，适用范围更广；
3、利用本发明，可得到一种基于此种SOI PMOS辐射剂量计的可调整量程的堆叠测量电路结构，对辐照环境的敏感度显著提高，可测量程较宽并易于控制；
4、利用本发明，可实现PMOS辐射剂量计探头的重复利用，有效降低使用成本。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：
图1是本发明提供的基于SOI的双探头PMOS辐射剂量计的结构示意图；
图2是本发明提供的基于SOI的双探头PMOS辐射剂量计的版图示意图；
图3是本发明提供的正栅堆叠结构电路示意图；
图4是本发明提供的背栅堆叠结构电路示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图1所示，图1是本发明提供的基于SOI的双探头PMOS辐射剂量计的结构示意图，该辐射剂量计以从上至下依次为顶层硅16、埋氧层4和底层硅3的SOI作为基本架构，该辐射剂量计包括：
设置于顶层硅16上表面的正栅氧化层9，设置于正栅氧化层9上表面的正栅多晶硅层10，设置于正栅多晶硅层10上表面的正栅多晶硅化物层11，以及设置于正栅多晶硅化物层11上表面的正栅电极12；
设置于正栅氧化层9一侧的漏区15，设置于漏区15上表面的漏区多晶硅化物层14，设置于漏区多晶硅化物层14上表面的漏电极13；
设置于正栅氧化层9另一侧的源区5，在紧邻源区5的旁侧设置的与顶层硅16同型的重掺杂体接触区6，在体接触区6和源区5上表面设置的体区及源区多晶硅化物层7，设置于体区及源区多晶硅化物层7上表面的源电极8；
设置于底层硅3下表面的背栅多晶硅化物层2，设置于背栅多晶硅化物层2下表面的背栅电极1。
所述正栅氧化层9覆盖了顶层硅16上表面等于设计规则中沟道尺寸的区域。所述底层硅3和埋氧层4构成背栅。
分别在源区5、体接触区6、漏区15、正栅多晶硅层10上表面的中央进一步设置有接触孔，所述源电极8、漏电极13和正栅电极12设置于该接触孔之上；在底层硅3下表面的中央进一步设置有接触孔，所述背栅电极1设置于该接触孔之上。
所述正栅电极12采用多根栅条叉指形式并联，多根折形栅条之间通过接触孔与金属互连，相邻栅条共用一个漏电极。
所述正栅电极12和背栅电极1为种不同量程的电极探头。
该剂量计采用不同方式的正、背栅调栅注入；对正栅氧化层9区域进行调正栅注入，注入剂量范围为1e10至1e12/cm2、能量范围为95至105keV的BF2；对顶层硅16区域进行调背栅注入，注入剂量范围为1.2e11至1e13/cm2、能量范围为155至165keV的磷(P)。
具体可再参照图1以及图2，本发明所提供的SOI PMOS辐射剂量计包括半导体基片，埋氧层4将半导体基片分为上下两部分，下部分为底层硅3，上部分为顶层硅16。在底层硅3下方设置背栅多晶硅化物层2，利用底层硅3和埋氧层4形成背栅，在背栅多晶硅化物层2上设置金属层作为背栅电极1。
在顶层硅16上表面设置正栅氧化层9并覆盖等于设计规则中沟道尺寸的区域，并在正栅氧化层上设置正栅多晶硅层10。对正栅氧化层9区域进行调正栅注入，注入剂量范围为1e10至1e12/cm2、能量范围为95至105keV的BF2。在正栅氧化层9的一侧形成漏区15，并在其上部覆盖漏区多晶硅化物层14。在正栅氧化层9的另一侧形成源区5。在紧邻源区5的旁侧设置与衬底同型的重掺杂体接触区6。在体接触区6和源区5上部形成体区及源区多晶硅化物层7。对顶层硅16区域进行调背栅注入，注入剂量范围为1.2e11至1e13/cm2、能量范围为155至165keV的P(磷)。分别在源区5和体接触区6中央、漏区14、正栅多晶硅层10以及背栅底层硅3上表面设置接触孔17，并在接触孔17上分别设置源电极8、漏电极13、正栅电极12以及背栅电极1。
图2中正栅多根折形栅条之间12通过接触孔17和金属互连，其中相邻栅条12共用一个漏13。
本发明所提供的可调整量程的堆叠测量电路结构包括：一只或多只所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计单片器件、工作模式选择开关SW以及恒流源Isd；所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计单片器件为一只时，所述工作模式选择开关SW将该辐射剂量计单片器件的源电极连接于所述恒流源Isd，用导线将该辐射计量计单片器件漏电极接至地线；所述基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计单片器件为多只时，该多只辐射剂量计单片器件采用漏/源相接的级联方式连接，并将各自正栅或背栅与漏电极短接，所述工作模式选择开关SW将第一级辐射剂量计单片器件的源电极连接于所述恒流源Isd。
将选取的一只或多只相同的SOI PMOS辐射剂量计单片器件尽可能靠近的并排安置于PCB板上，该电路可采用两种方式实现：各PMOS辐射剂量计采用漏/源相接的级联方式并将各自正栅/漏电极短接，如图3所示，最后一级PMOS辐射剂量计漏电极接至地线，第一级PMOS辐射剂量计源电极接至工作模式选择开关SW；另一种电路实现方式为：各管子采用漏/源相接的级联方式并将各自背栅/漏电极短接，如图4所示，最后一级PMOS辐射剂量计漏电极接至地线，第一级PMOS辐射剂量计源电极接至工作模式选择开关SW，具有与第一种电路实现方式相同的两种工作模式可供选择。
该工作模式选择开关SW有两种工作模式可供选择：测量模式，即开SW接至零电位，同时接受辐照；或读出模式，即开关SW接至恒流源，为PMOS辐射剂量计源电极注入保证PMOS辐射剂量计工作于饱和区的恒定电流，SW接至恒流源20秒后，将第一级PMOS辐射剂量计源电极节点电压作为剂量计输出电压引出至采集电路，利用事先标定的差分电压与辐射剂量的对应关系曲线，得到与其对应的辐射剂量数值
该堆叠测量电路测量低剂量率时，可用多个SOI PMOS辐射剂量计背栅堆叠，从而达到对辐照环境的较高敏感度，当辐射剂量超过计量量程时，可减少堆叠PMOS辐射剂量计数目，直至最后一个；当堆叠测量高剂量率时，可将电路实现方式改变为多个PMOS辐射剂量计正栅堆叠，当辐射剂量超过计量量程时，可减少堆叠PMOS辐射剂量计数目，直至最后一个。
本发明所提供的对该剂量计退火过程控制及偏置条件、退火温度和时间调节按如下步骤实施：将经辐照后失效的SOI PMOS辐射剂量计正栅电极、背栅电极、源电极以及漏电极接至地线，置于95～105℃环境温度范围下退火230～310小时；之后将环境温度升温至145～155℃范围继续退火80～120小时；然后将堆叠测量电路取出测试，与该电路未辐照前数据比对校准。同时，利用该方法我们也进行了模拟和实验，结果表明此退火控制方法正确，总体误差在20％以内。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计，其特征在于，该辐射剂量计以从上至下依次为顶层硅(16)、埋氧层(4)和底层硅(3)的绝缘体上硅SOI作为基本架构，该辐射剂量计包括：
设置于顶层硅(16)上表面的正栅氧化层(9)，设置于正栅氧化层(9)上表面的正栅多晶硅层(10)，设置于正栅多晶硅层(10)上表面的正栅多晶硅化物层(11)，以及设置于正栅多晶硅化物层(11)上表面的正栅电极(12)；
设置于正栅氧化层(9)一侧的漏区(15)，设置于漏区(15)上表面的漏区多晶硅化物层(14)，设置于漏区多晶硅化物层(14)上表面的漏电极(13)；
设置于正栅氧化层(9)另一侧的源区(5)，在紧邻源区(5)的旁侧设置的与顶层硅(16)同型的重掺杂体接触区(6)，在体接触区(6)和源区(5)上表面设置的体区及源区多晶硅化物层(7)，设置于体区及源区多晶硅化物层(7)上表面的源电极(8)；
设置于底层硅(3)下表面的背栅多晶硅化物层(2)，设置于背栅多晶硅化物层(2)下表面的背栅电极(1)。
2.根据权利要求1所述的基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计，其特征在于，所述正栅氧化层(9)覆盖了顶层硅(16)上表面等于设计规则中沟道尺寸的区域。
3.根据权利要求1所述的基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计，其特征在于，所述底层硅(3)和埋氧层(4)构成背栅。
4.根据权利要求1所述的基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计，其特征在于，
分别在源区(5)、体接触区(6)、漏区(15)、正栅多晶硅层(10)上表面的中央进一步设置有接触孔，所述源电极(8)、漏电极(13)和正栅电极(12)设置于该接触孔之上；
在底层硅(3)下表面的中央进一步设置有接触孔，所述背栅电极(1)设置于该接触孔之上。
5.根据权利要求1所述的基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计，其特征在于，所述正栅电极(12)采用多根栅条叉指形式并联，多根折形栅条之间通过接触孔与金属互连，相邻栅条共用一个漏电极。
6.根据权利要求1所述的基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计，其特征在于，所述正栅电极(12)和背栅电极(1)为两种不同量程的电极探头。
7.根据权利要求1所述的基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计，其特征在于，该剂量计采用不同方式的正、背栅调栅注入；
对正栅氧化层(9)区域进行调正栅注入，注入剂量范围为1e10至1e12/cm2、能量范围为95至105keV的BF2；
对顶层硅(16)区域进行调背栅注入，注入剂量范围为1.2e11至1e13/cm2、能量范围为155至165keV的P。
CN2007101793547A 2007-12-12 2007-12-12 基于绝缘体上硅的双探头pmos辐射剂量计 Active CN101458337B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007101793547A CN101458337B (zh) 2007-12-12 2007-12-12 基于绝缘体上硅的双探头pmos辐射剂量计

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007101793547A CN101458337B (zh) 2007-12-12 2007-12-12 基于绝缘体上硅的双探头pmos辐射剂量计

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010102569521A Division CN101937091B (zh) 2007-12-12 2007-12-12 一种可调整量程的堆叠测量电路
CN201010256968A Division CN101907719B (zh) 2007-12-12 2007-12-12 一种对双探头pmos辐射剂量计进行退火的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101458337A CN101458337A (zh) 2009-06-17
CN101458337B true CN101458337B (zh) 2010-12-08

Family

ID=40769312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101793547A Active CN101458337B (zh) 2007-12-12 2007-12-12 基于绝缘体上硅的双探头pmos辐射剂量计

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101458337B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101931008B (zh) * 2010-07-13 2015-04-08 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种具有体接触结构的pd soi器件
CN102466806A (zh) * 2010-11-03 2012-05-23 中国科学院微电子研究所 一种基于绝缘体上硅的pmos辐射剂量计
US8884241B2 (en) * 2011-09-08 2014-11-11 Freescale Semiconductor, Inc. Incident capacitive sensor
CN103698796A (zh) * 2013-11-28 2014-04-02 兰州空间技术物理研究所 一种航天器舱外辐射剂量测量装置
CN106802427B (zh) * 2016-12-19 2019-05-31 中国科学院新疆理化技术研究所 一种基于soi结构的电离总剂量探测系统及方法
CN113109858A (zh) * 2021-04-13 2021-07-13 中北大学 一种高度集成的γ辐照探测器

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1605886A (zh) * 2004-11-17 2005-04-13 中国科学院新疆理化技术研究所 对管式差分输出pmos辐射剂量计
US6906387B1 (en) * 2003-10-15 2005-06-14 Altera Corporation Method for implementing electro-static discharge protection in silicon-on-insulator devices
CN1716554A (zh) * 2004-06-29 2006-01-04 国际商业机器公司 一种p型mosfet的结构及其制作方法
CN1744321A (zh) * 2004-08-31 2006-03-08 株式会社东芝 半导体集成器件
CN1819203A (zh) * 2005-02-04 2006-08-16 精工电子有限公司 半导体集成电路器件及其制造方法
CN101040388A (zh) * 2004-10-14 2007-09-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于高电压应用的mosfet及其制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6906387B1 (en) * 2003-10-15 2005-06-14 Altera Corporation Method for implementing electro-static discharge protection in silicon-on-insulator devices
CN1716554A (zh) * 2004-06-29 2006-01-04 国际商业机器公司 一种p型mosfet的结构及其制作方法
CN1744321A (zh) * 2004-08-31 2006-03-08 株式会社东芝 半导体集成器件
CN101040388A (zh) * 2004-10-14 2007-09-19 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于高电压应用的mosfet及其制作方法
CN1605886A (zh) * 2004-11-17 2005-04-13 中国科学院新疆理化技术研究所 对管式差分输出pmos辐射剂量计
CN1819203A (zh) * 2005-02-04 2006-08-16 精工电子有限公司 半导体集成电路器件及其制造方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
范隆 等.PMOS总剂量监测技术的卫星应用.《核电子学与探测技术》.2002,第22卷(第7期),293-296.
范隆等.PMOS总剂量监测技术的卫星应用.《核电子学与探测技术》.2002,第22卷(第7期),293-296. *

Also Published As

Publication number Publication date
CN101458337A (zh) 2009-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101458337B (zh) 基于绝缘体上硅的双探头pmos辐射剂量计
US9804273B2 (en) Combined n-type and p-type MOS-based radiation sensors for environmental compensations
US8519345B2 (en) Miniaturized, low power FGMOSFET radiation sensor and wireless dosimeter system
US9040898B2 (en) Device having a plurality of photosensitive microcells arranged in row or matrix form
CN104756480B (zh) 用于数字放射影像检测器的电荷注入补偿
CN107063453A (zh) 一种负载可变的单光子雪崩光电二极管淬灭电路
Parker A proposed VLSI pixel device for particle detection
Lipovetzky et al. Field oxide n-channel MOS dosimeters fabricated in CMOS processes
Bao et al. Development of large-area quadrant silicon detector for charged particles
CN101937091B (zh) 一种可调整量程的堆叠测量电路
CN103367193A (zh) 栅氧化层陷阱密度及位置的测试方法及装置
CN102466806A (zh) 一种基于绝缘体上硅的pmos辐射剂量计
CN101907719B (zh) 一种对双探头pmos辐射剂量计进行退火的方法
CN102735350A (zh) 硅光电倍增探测器结构、制作及使用
Wang et al. Feasibility study of semifloating gate transistor gamma-ray dosimeter
CN207067413U (zh) 一种基于双栅工艺的辐照检测传感器及检测电路
CN103323764B (zh) 一种硅pin半导体探测器漏电流检测仪及其检测方法
Mousoulis et al. Characterization of fading of a MOS-based sensor for occupational radiation dosimetry
CN102590638A (zh) 数字式深空单粒子探测器及探测方法
Krammer Silicon detectors in high energy physics experiments
CN101872023A (zh) 一种采用环形栅结构的pmos剂量计
CN104124303A (zh) 作为光传感器的mos晶体管结构
Calvo et al. Hybrid pixel detector with epitaxial sensors and readout in 130 nm CMOS technology for PANDA
Pikhay et al. Radiation sensor based on a floating gate device
JP2001215282A (ja) 中性子線量の測定装置及び中性子線量の測定方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: INST OF MICROELECTRONICS, C. A. S

Effective date: 20130418

Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHA

Free format text: FORMER OWNER: INST OF MICROELECTRONICS, C. A. S

Effective date: 20130418

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 100029 CHAOYANG, BEIJING TO: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20130418

Address after: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18

Patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation

Patentee after: Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Address before: 100029 Beijing city Chaoyang District Beitucheng West Road No. 3

Patentee before: Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences