CN103887156A - 高裸芯片强度的半导体晶圆加工方法和系统 - Google Patents

高裸芯片强度的半导体晶圆加工方法和系统 Download PDF

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Abstract

本发明描述了用于加工半导体晶圆的方法和系统的实施例。在一个实施例中，用于加工半导体晶圆的方法包括：在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层，在进行激光隐形切割之后，从半导体晶圆的背面用刀片清洁半导体晶圆，以去除至少部分隐形切割层。在本发明中还描述了其他实施例。

Description

高裸芯片强度的半导体晶圆加工方法和系统
技术领域
本发明涉及半导体晶圆加工方法和系统。
背景技术
在晶圆制造完成之后，在已知的预封装过程中，半导体晶圆被分割成单个集成电路(IC)裸芯片或芯片。半导体晶圆的分割对单个集成电路裸芯片的强度至关重要，这会最终影响芯片的质量。例如，对于银行卡和护照卡产品来说，高裸芯片强度是主要标准，因为在这些卡被使用或运输时很容易发生弯曲变形。对于射频识别(RFID)标签来说，较高的裸芯片强度会减少裸芯片在后续封装过程中在裸芯片中出现裂缝。当裸芯片强度增加时，能够增加被封装的芯片/裸露的芯片的强度，并且能够减小最终的电路产品的场回波。
通常，利用刀片切割或激光切割将半导体晶圆分割成单个裸芯片。然而，传统的刀片切割技术和激光切割技术会导致在封装过程中在裸芯片的边缘出现裂缝。另外，传统的刀片切割技术通常要求大的切片槽宽度，这会对每个晶圆潜在好的裸芯片(PGDW)的数量产生负面影响。因此需要一种晶圆加工技术，能够将晶圆分割成具有高裸芯片强度的集成电路裸芯片，并且能够实现相对小的切片槽宽度。
发明内容
本发明中的实施例描述的是用于加工半导体晶圆的方法和系统。在一个实施例中，用于加工半导体晶圆的方法包括：在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层，并且在进行激光隐形切割之后，用刀片从半导体晶圆的背面对半导体晶圆进行清洁，以去除至少部分隐形切割层。在利用隐形激光切割和刀片清洁之后，提高了分离的集成电路裸芯片的侧壁强度，并且实现了相对小的切片槽宽度。该晶圆加工方法可以被用于RFID标签、金融卡和身份识别卡，RFID标签在封装和使用期间需要高的裸芯片强度，金融卡和身份识别卡必须能够经得起弯曲时高的机械应力。在本文中还描述了其他实施例。
在一个实施例中，用于加工半导体晶圆的方法包括：在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层，并且在进行激光隐形切割之后，用刀片从半导体晶圆的背面对半导体晶圆进行清洁，以去除至少部分隐形切割层。
在一个实施例中，用于加工半导体晶圆的系统包括：激光隐形切割系统和刀片清洁系统，激光隐形切割系统被配置为在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层，刀片清洁系统被配置为用刀片从半导体晶圆的背面对半导体晶圆进行清洁，以去除至少部分隐形切割层。
在一个实施例中，用于加工半导体晶圆的方法包括：在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层，并且在进行激光隐形切割之后，用刀片从半导体晶圆的背面对半导体晶圆进行清洁，以去除至少部分隐形切割层。进行激光隐形切割包括施加激光束穿过半导体晶圆的衬底材料，并使激光束聚集在半导体晶圆内的焦点处以将焦点周围的单晶硅结构改变成多晶硅结构，并且在半导体晶圆中扩展裂缝。清洁半导体晶圆包括用刀片切割穿过半导体晶圆的背面，在隐形切割层处进行切割，而并不完全切割穿过半导体晶圆。
下面将结合附图和具体实施例来描述本发明的实施例的各个方面和优点。
附图说明
图1图解的是根据本发明的实施例的用于加工半导体晶圆的方法的加工流程图。
图2描绘的是根据本发明的实施例的隐形激光切割系统。
图3a和3b描绘的是半导体晶圆的激光改变区域的例子的截面图。
图4描绘的是隐形激光切割步骤之后的半导体晶圆的截面图。
图5示出了根据本发明的实施例的刀片清洁系统。
图6a和6b描绘的是在刀片清洁之前和在刀片清洁之后半导体晶圆的例子。
图7描绘的是红外光源从半导体晶圆的背面照射的视图。
图8描绘的是在隐形激光切割之后已经可见的两个裂缝。
图9a和9b示出了在带扩张之前和带扩张之后半导体晶圆的截面图。
图10图解的是根据本发明的实施例的用于加工半导体晶圆的方法的加工流程图。
在本文中，相似的元件采用相似的参考标号来标识。
具体实施方式
应当很容易理解的是，本文中描述的以及附图中所示的各个实施例的组成部分可以被设计和配置成各种不同的结构。因此，在下文中详细描述的各个实施例并不是意欲限制本发明的范围，而仅仅是代表各个实施例。虽然在附图中呈现了各个实施例的各个方面，但是这些附图并不一定是按比例绘制的。
本文中所描述的实施例仅用于对本发明进行说明而并非用于限制本发明。因此，本发明的范围是由所附的权利要求来限定的，而并不是由本文中的详细说明来限定的。在本发明的保护范围内所做的任何改变都是包括在本发明的保护范围内的。
可以在本发明中实现的所有特征和优点并不表示都应当包括在任何一个实施例中。关于一个实施例描述的具体特征或优点应当被理解为可以包括在本发明的至少一个实施例中。因此，在本文中描述的本发明的特征、优点或类似内容不一定是指同一个实施例。
另外，在本文中描述的本发明的特征和优点可以以适当的方式结合到一个或多个实施例中。本领域技术人员应当理解的是，根据本文中的描述，缺少特定实施例中的一个或多个具体特征或优点，也同样能够实现本发明。在其他情况中，某些实施例中的附加特征和优点可能并不存在于本发明的所有实施例中。
本文中所使用的“一个实施例”、“实施例”以及类似用语是指，关于指明的实施例所描述的特定结构和特征被包括在至少一个实施例中。因此，本文中所使用的“在一个实施例中”、“在实施例中”以及类似用语可以是指相同的实施例，但也可以不必指相同的实施例。
图1图解的是根据本发明的实施例的用于加工半导体晶圆的方法的加工流程图。在图1所示的实施例中，图解的晶圆加工方法包括晶圆减薄步骤102，带安装步骤104，隐形激光切割步骤106，刀片清洁步骤108，带扩张/重新安装步骤110，以及裸芯片键合步骤112。虽然图1中所示的晶圆加工方法包括六个步骤，但是在其他实施例中，晶圆加工方法可以超过六个步骤或少于六个步骤。
图1中图解的晶圆加工方法通过将隐形激光切割和刀片清洁相结合来提高单个集成电路裸芯片的侧壁强度，并且实现了相对小的切片槽宽度。例如，这方法包括利用隐形激光切割结合背面刀片清洁加工来去除在隐形切割加工过程中在隐形切割层中产生的物质。该晶圆加工方法特别适用于RFID标签和智能卡，RFID标签在封装和使用期间需要高的裸芯片强度，智能卡必须能够经得起弯曲时高的机械应力。
在晶圆减薄步骤102中，半导体晶圆的厚度被减小到预定值。可以使用各种晶圆减薄技术，通过从例如背面去除一层或多层半导体衬底层来减小晶圆厚度。晶圆减薄技术的例子包括但不局限于机械研磨、化学机械抛光(CMP)、湿刻蚀和干刻蚀。在一个实施例中，通过机械背磨来减薄晶圆。在一个实施例中，在进行隐形切割之前，半导体晶圆被减薄到预定厚度。
在带安装步骤104中，对减薄的晶圆应用切割带，以准备晶圆用于隐形激光切割步骤。在一个实施例中，切割带被应用到半导体晶圆的正面上，在半导体晶圆的正面上形成电路层。虽然在图1中示出了带安装步骤104是发生在晶圆减薄步骤102之后，但是在其他实施例中，是在晶圆减薄步骤102之前将切割带应用到半导体晶圆上。在这些实施例中，可以通过背磨来减薄晶圆。
在隐形激光切割步骤106中，隐形切割技术被用于施加至少一束激光束穿过半导体晶圆的硅衬底，并使至少一束激光束聚集在半导体晶圆内的焦点处以改变焦点周围的衬底材料，并且在半导体晶圆中扩展裂缝。由于激光束的能量，焦点周围原有的衬底材料被转变成新的衬底材料，新的衬底材料的密度不同于原有的衬底材料的密度。对于硅晶圆来说，施加激光束穿过半导体晶圆的硅衬底，并使激光束聚集在半导体晶圆内的焦点处以将焦点周围的衬底的单晶硅结构改变成多晶硅结构，并且在晶圆中扩展裂缝。与传统的晶圆切割技术相比，隐形切割技术具有许多优点。例如，隐形切割技术能够被用于高速晶圆切割。另外，隐形切割技术能够得到高质量的超薄芯片，并且具有较高的断裂强度和低晶圆材料损耗。而且，隐形切割技术是具有低运行成本的干式加工方法。可以利用在浜松光学2005年3月的技术报告中描述的隐形切割技术来实现隐形激光切割步骤106，这份技术报告的标题是“隐形切割和应用”。
图2描绘的是根据本发明的实施例的可以用于在半导体晶圆200上进行隐形激光切割步骤106的隐形激光切割系统220。隐形激光切割系统220在半导体晶圆200上从半导体晶圆200的背面202进行激光隐形切割，以在半导体晶圆200内形成隐形切割(SD)层214。半导体晶圆200的背面202位于半导体晶圆200的正面208的相反侧，电路层206形成在半导体晶圆200的正面208上。或者，也可以从半导体晶圆200的正面208进行激光隐形切割。在图2所示的实施例中，隐形切割层214定义了激光改变区域216。例如，激光改变区域216是晶圆内的维度区域，主要包括硅衬底，例如多晶硅。
由于原有的衬底材料吸收激光束的能量，因此生成隐形切割层214。与原有的衬底材料相比，隐形切割层具有更大的体积。例如，新形成的多晶硅的体积大于单晶硅的体积。由于隐形切割层214具有较大的体积，因此在隐形切割层214周围产生裂缝，并且所产生的裂缝扩展到半导体晶圆200的正面208。对于具有单晶硅衬底材料的硅晶圆，隐形切割层是多晶硅结构。由于激光束聚集在半导体晶圆内的焦点处，因此隐形切割层的尺寸(即宽度和厚度)是相对小的。对于不同的激光器和配置，隐形切割层的尺寸是不同的。在晶圆内特定焦点处的隐形激光操作也被称为隐形激光扫描。可以在不同的焦点处对晶圆应用多个隐形激光扫描。例如，可以在焦点处例如从半导体晶圆的背面202或正面208测量的不同的晶圆深度应用隐形激光扫描。
在图2所示的实施例中，隐形激光切割系统220包括至少一个聚焦透镜222，至少一个聚焦透镜222被配置为对激光束进行聚光，并将激光束聚集在半导体晶圆的衬底层204内的光焦点处或焦点212处。在一个实施例中，穿过聚焦透镜的激光束是由具有高振荡频率的短脉冲形成的。被聚光和聚焦的激光束具有高峰值功率密度，并且在时间上和空间上被压缩在光焦点附近。当激光束的功率密度超过峰值功率密度阈值时，非线性吸收效应就会产生一种现象，在这种现象中，在局部的点处产生极高的吸收。可以调节聚焦透镜以在半导体晶圆内的光焦点附近产生非线性吸收效应。因此，只对半导体晶圆中局部的点进行激光加工，这样不会对半导体晶圆四周的衬底材料和半导体晶圆的正面208上的电路造成破坏。因为隐形激光切割的效果仅出现在光焦点处，因此半导体晶圆的正面208和背面202不会被隐形激光切割破坏。隐形激光切割系统220可以包括其他支持元件，例如激光源，校准设备以及机械构件，其中校准设备例如是红外照相机，机械构件例如是外壳结构和传送带。
在一个实施例中，移动台或传送带(在图中未示出)被用于在进行隐形激光切割时支撑半导体晶圆。在该实施例中，移动台或传送带移动半导体晶圆，以根据要求的切割图案进行半导体晶圆的隐形激光扫描。在一个实施例中，随着晶圆的移动，通过激光束形成隐形切割层214。或者，可以将晶圆固定在特定位置上，通过使激光束在一定方向上移动来进行激光操作。
传统的激光切割技术利用物理现象，诸如激光热熔切割，烧蚀和热应力切割，来熔化半导体晶圆的表面。在传统的激光切割技术中所使用的激光束被半导体晶圆的表面吸收，从晶圆表面熔化半导体材料。因为传统的激光切割技术依靠的是从晶圆表面开始的热加工，因此在激光加工期间不可避免会产生热量和碎屑，对设备特性和可靠性产生副作用。例如，在激光切割期间，在分离的裸芯片的边缘上会出现微小的裂缝，这会对被封装的设备的可靠性造成负面影响。另外，由于传统的激光切割技术通常在电路所位于的晶圆表面处进行热加工，因此在激光操作期间会损坏形成实际设备的晶圆表层。
与传统的激光切割技术相比，隐形切割利用的是传输穿过晶圆例如单晶硅半导体晶圆的激光束。激光束被引导到晶圆内的焦点附近以进行选择性地定位激光加工，而并不是从晶圆的表面熔化晶圆。另外，由于是从半导体晶圆的背面进行隐形切割，而半导体晶圆的背面是与电路层或半导体晶圆的正面相反的，与实际电路之间具有间距，因此隐形切割避免了对形成有实际电路的晶圆表面部分的损坏。与传统的激光切割技术相比，隐形切割消除了传统的激光切割技术所共有的问题，诸如在有效面积上的热效应，碎屑污染，以及由于裸芯片边缘裂缝所引起的抗断裂性下降等问题。
传统的刀片切割技术利用刀片从电路层所在的上侧机械地将半导体晶圆切割成分离的集成电路裸芯片。在刀片切割过程中，压力被施加到晶圆表面上以使刀片切割到晶圆表面中。由于压力被施加到晶圆表面上，所以经常会在分离的裸芯片的边缘出现裂缝，特别是会在后侧边缘处出现裂缝，这会减少被封装的设备或用于倒装芯片封装(例如RFID芯片)的裸芯片的可靠性。另外，由于受机械限制，切割刀片的厚度在数十微米的数量级，这会导致切片槽宽度超过50微米。例如，在刀片切割中，通常的切片槽宽度在60到80微米之间。
与刀片切割相比，隐形激光切割利用激光束进行选择性地定位激光加工。由于在隐形激光切割中并不在晶圆表面上施加压力，因此避免了在分离的裸芯片的边缘处经常发生的裂缝。另外，由于不需要用刀片机械地分割晶圆，因此可以使隐形激光切割的切片槽宽度很小，这样使得隐形激光切割适用于超薄的晶圆加工。例如，与刀片切割中60到80微米的切片槽宽度相比，隐形激光切割中的切片槽宽度可以被减小到大约15微米。利用减小的切片槽宽度，可以显著地增加每个晶圆潜在好的裸芯片(PGDW)的数量。
在隐形激光扫描期间，在晶圆的硅层中生成隐形切割层，这导致可以利用扩张过程使裂缝稍后被用来分割裸芯片。图3a和3b显示的是在半导体晶圆的截面图中改变区域310、320、330的例子。具体地说，图3a示出了在一次激光扫描之后的改变区域310，图3b示出了在两次激光扫描之后的改变区域320、330、340。在图3a中，改变区域310的高度在40微米到50微米之间，改变区域310的深度在5微米到8微米之间。
由隐形激光扫描产生的激光改变区域会使半导体器件的裸芯片侧壁变薄，并且会在晶圆加工和/或使用期间导致裸芯片出现裂缝。例如，当晶圆加工在裸芯片上施加高应力时，特别是在裸芯片的边缘处施加高应力时，在用户处封装的设备中会出现有裂缝的裸芯片边缘。另外，由于在隐形激光加工之后，裸芯片厚度被进一步减小，因此更容易在裸芯片中形成裂缝。
分离的裸芯片的强度会影响被封装的芯片或用于倒装芯片封装(例如RFID芯片)的裸芯片的质量。例如，对于所有银行卡和护照卡产品来说，高裸芯片强度是主要标准，因为在这些卡被使用或运输时，例如把这些卡放在裤子口袋中时，很容易发生弯曲变形。对于射频识别(RFID)标签来说，较高的裸芯片强度会减少裸芯片在倒装芯片封装过程中在裸芯片中出现裂缝的可能。当裸芯片强度增加时，能够增加被封装的芯片的强度，并且能够减小最终产品的场回波。新制造的减薄的集成电路封装件与现有的厚封装件一样可靠。
现在回到图1，在刀片清洁步骤108中，用刀片去除由隐形激光切割形成的至少一部分隐形切割层。去除至少一部分隐形切割层增强了单个裸芯片的侧壁强度，稳定了裸芯片结构，并且减少了在后续封装步骤中裂缝的出现。刀片清洁步骤108的目的是为了清洁隐形切割层，而不是为了将晶圆分割成单个集成电路裸芯片。在刀片清洁步骤108中，刀片并不是一直切割穿透半导体晶圆。在一个具体实施例中，刀片在隐形切割层内与激光隐形切割相同的深度处切割半导体晶圆，并不会使半导体晶圆分离以及穿透/破坏电路所处的正面。与传统的刀片切割技术相比，刀片清洁步骤108可以减少甚至消除在单个集成电路裸芯片的电路层上出现裂缝。
在一个实施例中，从半导体晶圆的背面进行隐形激光切割步骤106和刀片清洁步骤108，半导体晶圆的背面位于半导体晶圆的正面的相反侧，电路层形成在半导体晶圆的正面上。在另一个实施例中，从半导体晶圆的正面进行隐形激光切割步骤，从半导体晶圆的背面进行刀片清洁步骤。下面参考图4和图5描述背面隐形激光切割和刀片清洁的一些例子。
在隐形激光切割期间，可以将晶圆上部朝下安装在切割带上。图4描绘的是隐形激光切割步骤106之后的半导体晶圆400的截面图。在图4所示的实施例中，半导体晶圆400的上部是朝下的，切割带410附着至上部金属层406，在上部金属层406中，电路位于晶圆400的正面414。体衬底层402，例如晶圆硅层，相对于图4的方向位于上部金属层406的上方。改变区域408相对于图4的方向位于晶圆的衬底层402的上方。在晶圆400的背面412处的表面衬底层404相对于图4的方向位于改变区域408的上方，表面衬底层404例如是晶圆硅层。
也是从晶圆400的背面进行刀片切割，即从远离位于上部金属层406中的电路的主要表面进行刀片切割。图5描绘的是根据本发明的实施例的刀片清洁系统500，刀片清洁系统500可用于进行刀片清洁步骤108。在图5描绘的实施例中，刀片清洁系统500包括刀片502和可选的红外光源504，例如红外照相机。如上所述，刀片去除图4的半导体晶圆的改变区域408。在图5描绘的实施例中，刀片切割穿过暴露在外的衬底层404，并且在改变区域内切割，以清洁隐形切割层。刀片清洁系统500可以包括其他支持元件，例如，用于刀片的控制器以及机械特征，机械特征例如是用于刀片清洁系统500的外壳结构。由于激光束聚集在半导体晶圆400内的焦点处，因此隐形切割层的宽度相对小。选择刀片的厚度或宽度以适应隐形切割层的宽度。由于刀片的宽度与隐形切割层的宽度相匹配，因此至少部分隐形切割层被刀片去除。在一些实施例中，刀片的宽度比隐形切割层的宽度大很多。在这些实施例中，用刀片去除整个隐形切割层。
图6a和6b是晶圆的截面图，示出了具有背面604和正面606的半导体晶圆600在刀片清洁步骤108之前和在刀片清洁步骤108之后的例子。半导体晶圆600具有背面604和正面606，衬底材料位于背面604上，电路层位于正面606上。图6b所示的视图与从图6a所示的视图偏移90度。具体地说，图6a所示的视图是沿着隐形激光扫描的方向切割得到的晶圆的截面图，而图6b所示的视图是垂直于隐形激光扫描的方向的晶圆的截面图。
图6a示出了在刀片清洁之前的半导体晶圆600的截面图。如图6a所示，激光改变区域608在半导体晶圆中是可见存在的。图6b示出了在刀片清洁之后与改变区域的平面一致的半导体晶圆的截面图。刀片清洁被用于去除隐形切割层，但并不分割集成电路裸芯片。在刀片清洁中，刀片并不是一直切割穿透半导体晶圆。刀片在半导体晶圆内将会去除隐形切割层而不会使半导体晶圆分离以及穿透晶圆的电路所处的正面606的深度处切割半导体晶圆。在进行刀片清洁之后，两个相邻的裸芯片的侧壁上的激光改变区域608已经被从背面去除，不再可见。如图6b所示，由隐形激光切割引起的裂缝602是可见的。由隐形激光切割引起的裂缝602是在隐形激光切割之后出现在半导体晶圆中的。然而，由于图6a是沿着隐形激光扫描的方向切割得到的晶圆的截面图，因此裂缝602在图6a中是不可见的。
可以利用红外光源504对刀片清洁步骤108进行定位校准。图7描绘的是用红外光源从半导体晶圆的背面照射的晶圆上的裸芯片的3*3网格的视图700。可以用刀片沿着由红外光源照射的线702、704、706、708切割到晶圆的背面中。
或者，也可以利用由隐形激光切割形成的裂缝对刀片清洁步骤108进行定位校准。图8描绘的是在隐形激光切割之后，从半导体晶圆的背面可见的两个裂缝802、804。可以用刀片沿着可见的裂缝802、804切割到晶圆的背面中。有时，红外光源可用于提高刀片清洁的定位校准。
回到图1，在进行刀片清洁步骤108之后，可以利用例如扩张技术使集成电路裸芯片分离。在传统的刀片切割技术中，刀片切割的结果是使集成电路裸芯片完全分离，然而与传统的刀片切割技术相反，在隐形激光切割步骤106和刀片清洁步骤108之后，单个集成电路裸芯片仍然是与晶圆结合在一起的，这是因为在刀片清洁步骤108中，刀片并不是一直切割半导体晶圆直到半导体晶圆分割成两个不连接的部分。
在带扩张步骤中，通过利用在带扩张期间产生的力使经过隐形切割和刀片清洁的集成电路裸芯片分离，带扩张的作用是扩大芯片之间的间距。图9a和9b示出了在带扩张之前和带扩张之后半导体晶圆900的截面图。如图9a所示，两个相邻的集成电路裸芯片902、904在隐形激光切割和刀片清洁之后仍然是没有分离的。如图9b所示，这两个相邻的集成电路裸芯片902、904最终在带扩张之后分离。晶圆可以被分割成与在晶圆内形成的隐形切割层图案相符的形状。
在裸芯片被分割之后，进行裸芯片键合步骤112，以将各个半导体裸芯片附接至它们的封装或衬底，例如用于带自动键合的载带。在一个实施例中，首先从分离的晶圆中挑选出各个裸芯片，然后将其固定地附接至载带或衬底。
图10是根据本发明的实施例的用于加工半导体晶圆的方法的加工流程图。在方框1002中，在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层。在方框1004处，在进行激光隐形切割之后，从半导体晶圆的背面用刀片清洁半导体晶圆，以去除至少部分隐形切割层。
虽然在本文中是以特定顺序显示和描述的该方法的各个操作，但是该方法的各个操作的顺序是可以改变的，可以以颠倒的顺序来执行某些操作，或者某些操作可以至少部分地与其他操作同时执行。在另一个实施例中，可以以中断和/或反复的方法来执行不同操作的指令或子操作。
另外，虽然在本文中已经说明或描绘的本发明的具体实施例包括在本文中已经说明或描绘的多个元件，但是本发明中的其他实施例可以包括更少或更多元件以执行更少或更多特征。
而且，虽然已经说明和描绘了本发明的具体实施例，但是本发明并不局限于本文中说明和描绘的这些特定形式或配置。本发明的范围是由权利要求书来限定的。

Claims (20)

1.一种用于加工半导体晶圆的方法，其特征在于，包括：
在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层；以及
在进行激光隐形切割之后，从半导体晶圆的背面用刀片清洁半导体晶圆，以去除至少部分隐形切割层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行激光隐形切割包括：施加激光束穿过半导体晶圆的衬底材料，并使激光束聚集在半导体晶圆内的焦点处以改变焦点周围的衬底材料，并在半导体晶圆中扩展裂缝。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在半导体晶圆上进行激光隐形切割包括：在半导体晶圆上从半导体晶圆的背面进行激光隐形切割，其中半导体晶圆的背面位于半导体晶圆的正面的相反侧，电路层形成在半导体晶圆的正面上。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，清洁半导体晶圆包括：用刀片切割穿过半导体晶圆的背面，在隐形切割层处进行切割。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，切割穿过半导体晶圆的背面包括：在半导体晶圆内与隐形切割层相同的深度处切割穿过半导体晶圆的背面。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，切割穿过半导体晶圆的背面包括：切割穿过半导体晶圆的背面而并不完全切割穿过半导体晶圆。
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，切割穿过半导体晶圆的背面包括：切割穿过半导体晶圆的背面而并不穿透半导体晶圆的正面。
8.如权利要求4所述的方法，其特征在于，切割穿过半导体晶圆的背面包括：根据红外光源照射的图案切割穿过半导体晶圆的背面。
9.如权利要求4所述的方法，其特征在于，切割穿过半导体晶圆的背面包括：沿着裂缝切割穿过半导体晶圆的背面。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行激光隐形切割包括：施加激光束穿过半导体晶圆的衬底材料，并使激光束聚集在半导体晶圆内的焦点处以将焦点周围的单晶硅结构改变成多晶硅结构，并且在半导体晶圆中扩展裂缝。
11.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括在半导体晶圆的正面上应用切割带，其中电路层形成在半导体晶圆的正面上。
12.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括在进行激光隐形切割之前，将半导体晶圆减薄到预定厚度。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在清洁半导体晶圆之后利用扩张将半导体晶圆分割成单个裸芯片。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，并不通过清洁半导体晶圆将半导体晶圆分割成单个裸芯片。
15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括将单个裸芯片封装到射频识别(RFID)标签中。
16.一种用于加工半导体晶圆的系统，其特征在于，包括：
激光隐形切割系统，被配置为在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层；以及
刀片清洁系统，被配置为在进行激光隐形切割之后，从半导体晶圆的背面用刀片清洁半导体晶圆，以去除至少部分隐形切割层。
17.如权利要求16所述的系统，其特征在于，激光隐形切割系统包括聚焦透镜，聚焦透镜被配置为施加激光束穿过半导体晶圆的衬底材料，并使激光束聚集在半导体晶圆内的焦点处以改变焦点周围的衬底材料，并在半导体晶圆中扩展裂缝。
18.如权利要求16所述的系统，其特征在于，激光隐形切割系统还被配置为：在半导体晶圆上从半导体晶圆的背面进行激光隐形切割，其中半导体晶圆的背面位于半导体晶圆的正面的相反侧，在半导体晶圆的正面上形成电路层。
19.一种用于加工半导体晶圆的方法，其特征在于，包括：
在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层，其中进行激光隐形切割包括：施加激光束穿过半导体晶圆的衬底材料，并使激光束聚集在半导体晶圆内的焦点处以将焦点周围的单晶硅结构改变成多晶硅结构，并且在半导体晶圆中扩展裂缝；以及
在进行激光隐形切割之后，从半导体晶圆的背面用刀片清洁半导体晶圆，以去除至少部分隐形切割层，其中清洁半导体晶圆包括：用刀片切割穿过半导体晶圆的背面，在隐形切割层处进行切割，而并不完全切割穿过半导体晶圆。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，在半导体晶圆上进行激光隐形切割包括在半导体晶圆上从半导体晶圆的背面进行激光隐形切割，其中半导体晶圆的背面位于半导体晶圆的正面的相反侧，电路层形成在半导体晶圆的正面上，切割穿过半导体晶圆的背面包括切割穿过半导体晶圆的背面而并不穿透半导体晶圆的正面。
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