CN107649785A - 一种晶圆减薄方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种晶圆减薄方法及装置，该方法包括：在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆；通过激光源从第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。本发明通过激光源在半导体衬底内部一定深度处形成灼伤面。在灼伤面处将半导体衬底剥离为上下两部分，实现对半导体衬底减薄，降低半导体芯片的电阻和热阻，避免采用研磨盘对半导体衬底研磨减薄，直接从半导体衬底上切割掉预设厚度的晶圆，提高切割效率，切割下来的晶圆能被重复利用。切割下来的晶圆可再次作为衬底晶圆来制作半导体芯片，也可作为籽晶生长获得晶锭，晶锭又能切割为多个能制作芯片的晶圆，降低生产成本，提高产能。

Description

一种晶圆减薄方法及装置

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种晶圆减薄方法及装置。

背景技术

半导体芯片包括半导体器件和集成电路。半导体芯片是在半导体片材上进行侵蚀布线制成的，晶圆就是一种半导体片材。

当前，采用晶圆来制造半导体芯片时，通常在较厚的晶圆上进行芯片加工，如在250微米以上的晶圆上加工芯片。在晶圆的一侧侵蚀布线，制造出芯片后，由于晶圆过厚会引入导通电阻或热阻，因此为了降低半导体芯片的衬底引入的导通电阻或热阻，需要对半导体衬底进行减薄处理。目前通常采用研磨的方式从半导体衬底的表面开始将衬底部分研磨成细小的粉末，从而减薄半导体衬底。

但是采用研磨法来减薄半导体衬底，导致大量晶圆研磨丧失，造成大量材料浪费及经济损失。同时研磨减薄消耗较长的工艺时间，降低半导体芯片的生产效率，且对研磨盘的损耗也很严重，研磨工序已成为钳制半导体芯片生产线产能的工艺。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的在于提供一种晶圆减薄方法及装置，以避免采用现有的研磨减薄的工艺，而是通过激光源从半导体衬底上直接切割掉预设厚度的晶圆，提高切割效率。且切割下来的晶圆能够被重复利用，大大降低了生产成本。

第一方面，本发明实施例提供了一种晶圆减薄方法，所述方法包括：

在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆；

通过激光源从所述第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。

结合第一方面，本发明实施例提供了上述第一方面的第一种可能的实现方式，其中，所述通过激光源从所述第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，包括：

通过激光源垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面；

从所述灼伤面处剥离所述预设厚度的第三半导体晶圆。

结合第一方面的第一种可能的实现方式，本发明实施例提供了上述第一方面的第二种可能的实现方式，其中，所述通过激光源垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面，包括：

通过点激光源逐点垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成多个灼伤点构成的灼伤面；或者，

通过线激光源逐线垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成多条灼伤线构成的灼伤面；或者，

通过面激光源垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面。

结合第一方面，本发明实施例提供了上述第一方面的第三种可能的实现方式，其中，所述得到减薄的第二半导体晶圆之后，还包括：

在所述第二半导体晶圆的背面覆盖金属层；或者，

将所述第二半导体晶圆的背面抛光，在抛光后的所述第二半导体晶圆的背面覆盖金属层。

结合第一方面，本发明实施例提供了上述第一方面的第四种可能的实现方式，其中，所述通过激光源从所述第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆之后，还包括：

对所述第三半导体晶圆的切割面进行抛光，以所述第三半导体晶圆作为衬底晶圆，再次从所述在晶圆的一侧加工制作若干芯片的操作开始执行，直到剩余晶圆的厚度小于预设阈值为止。

结合第一方面，本发明实施例提供了上述第一方面的第五种可能的实现方式，其中，所述通过激光源从所述第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆之后，还包括：

对所述第三半导体晶圆的切割面进行抛光；

将抛光后的所述第三半导体晶圆作为晶圆生长的籽晶获得晶锭；

将所述晶锭切割为多个晶圆。

结合第一方面，本发明实施例提供了上述第一方面的第六种可能的实现方式，其中，所述预设厚度大于或等于100微米；所述第二半导体晶圆的半导体衬底的厚度在25-250微米之间。

第二方面，本发明实施例提供了一种晶圆减薄装置，所述装置包括：

芯片设置模块，用于在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆；

切割模块，用于通过激光源从所述第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。

结合第二方面，本发明实施例提供了上述第二方面的第一种可能的实现方式，其中，所述切割模块包括：

照射单元，用于通过激光源垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面；

剥离单元，用于从所述灼伤面处剥离所述预设厚度的第三半导体晶圆。

结合第二方面，本发明实施例提供了上述第二方面的第二种可能的实现方式，其中，所述装置还包括：

晶圆复用模块，用于对所述第三半导体晶圆的切割面进行抛光，以所述第三半导体晶圆作为衬底晶圆，再次从所述在晶圆的一侧加工制作若干芯片的操作开始执行，直到剩余晶圆的厚度小于预设阈值为止；或者，用于对所述第三半导体晶圆的切割面进行抛光；将抛光后的所述第三半导体晶圆作为晶圆生长的籽晶获得晶锭；将所述晶锭切割为多个晶圆。

在本发明实施例提供的方法及装置中，在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆；通过激光源从第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。本发明通过激光源在半导体衬底内部一定深度处形成灼伤面。在灼伤面处将半导体衬底剥离为上下两部分，实现对半导体衬底减薄，降低半导体芯片的电阻和热阻，避免采用研磨盘对半导体衬底进行研磨减薄，直接从半导体衬底上切割掉预设厚度的晶圆，提高切割效率，且切割下来的晶圆能被重复利用。切割下来的晶圆可再次作为衬底晶圆来制作半导体芯片，也可作为籽晶生长获得晶锭，晶锭又能切割为多个能够制作芯片的晶圆，如此大大降低了生产成本，提高了芯片生产的产能。

为使本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1示出了本发明实施例1所提供的一种晶圆减薄方法的流程图；

图2示出了本发明实施例1所提供的一种激光切割减薄半导体衬底的示意图；

图3示出了本发明实施例1所提供的一种激光切割减薄及晶圆复用的示意图；

图4示出了本发明实施例2所提供的一种晶圆减薄装置的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

考虑到现有技术中采用研磨盘从半导体衬底的表面开始将衬底部分研磨成细小的粉末，从而减薄半导体衬底。如此导致大量晶圆研磨丧失，造成大量材料浪费及经济损失。同时研磨减薄消耗较长的工艺时间，降低半导体芯片的生产效率，且对研磨盘的损耗也很严重，研磨工序已成为钳制半导体芯片生产线产能的工艺。基于此，本发明实施例提供了一种晶圆减薄方法及装置，下面通过实施例进行描述。

实施例1

参见图1，本发明实施例提供了一种晶圆减薄方法，该方法具体包括以下步骤：

步骤101：在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆。

在一个较厚的晶圆的一侧表面加工芯片，该晶圆的厚度一般在250微米以上。在晶圆的一侧通过外延生长、离子注入、高温退火、金属化等半导体加工工艺加工制好若干芯片后，即得到了待减薄的第一半导体晶圆。如图2所示，第一半导体晶圆由半导体衬底及其表面加工完成的芯片组成。由于半导体衬底的厚度较厚，在250微米以上，因此很容易引入导通电阻或热阻，因此本发明实施例通过如下步骤102的操作来减薄半导体衬底。

步骤102：通过激光源从第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。

由于晶圆的材料具有透光性，尤其对于禁带宽度Eg>2eV的宽禁带半导体衬底，透光性较好。本发明实施例中，将激光从背面照射半导体衬底，并使激光聚焦在半导体衬底内部指定深度处，实现对晶圆进行切割。如图2所示，具体包括：

通过激光源垂直照射第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面；从灼伤面处剥离预设厚度的第三半导体晶圆。上述预设厚度可以通过调节激光源的焦点进行设定，预设厚度大于或等于100微米。

在本发明实施例中，激光源可以为点激光源，点激光源发射的激光束的横截面为点。通过点激光源逐点垂直照射第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在半导体衬底内部预设厚度处形成多个灼伤点构成的灼伤面。当点激光源发射的激光聚焦在半导体衬底内部预设厚度处时，聚焦处的温度急剧升高，破坏原子之间的键合，在聚焦处形成灼伤点。当点激光源逐点扫描半导体衬底内部预设厚度处平面的大部分区域时，多个灼伤点构成灼伤面。

或者，激光源也可以为线激光源，线激光源发射的激光束的横截面为线。或者，线激光源也可以是由多个点激光源排列组成的线型激光源矩阵。通过线激光源逐线垂直照射第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在半导体衬底内部预设厚度处形成多条灼伤线构成的灼伤面。当线激光源发射的激光聚焦在半导体衬底内部预设厚度处时，聚焦处的温度急剧升高，破坏原子之间的键合，在聚焦处形成灼伤线。当线激光源逐线扫描半导体衬底内部预设厚度处平面的大部分区域时，多条灼伤线构成灼伤面。

或者，本发明实施例采用的激光源还可以为面激光源，面激光源发射的激光束的横截面为面。或者，面激光源也可以是由多个点激光源或多个线激光源排列组成的面型激光源矩阵。通过面激光源垂直照射第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面。当面激光源发射的激光面聚焦在半导体衬底内部预设厚度处，聚焦处的温度急剧升高，破坏原子之间的键合，在聚焦处直接形成灼伤面。

通过上述点激光源、线激光源或面激光源在半导体衬底的预设厚度处形成灼伤面后，灼伤面两侧的晶圆能够被轻松的剥离。即从待减薄的第一半导体晶圆上切割掉了预设厚度的晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆和切割下来的一整块第三半导体晶圆。在本发明实施例中，减薄的第二半导体晶圆的半导体衬底的厚度在25-250微米之间。切割下来的第三半导体晶圆的厚度大于或等于100微米。

通过上述方式直接从待减薄的第一半导体晶圆上完整切割晶圆，避免通过研磨盘对半导体衬底进行研磨减薄，既降低了半导体芯片的衬底电阻和热阻，同时又大大提高了减薄效率，而且无需用到研磨盘，节省了成本。

如图3所示，得到减薄的第二半导体晶圆之后，还可以在减薄的第二半导体晶圆的背面直接覆盖金属层；或者，将减薄的第二半导体晶圆的背面抛光，在抛光后的第二半导体晶圆的背面覆盖金属层。由于第二半导体芯片的正面附着有若干加工好的芯片，因此对覆盖了金属层的第二半导体晶圆进行划片，即可得到多个半导体芯片。

如图3所示，切割下来的预设厚度的第三半导体晶圆可以通过如下第一或第二两种方式实现重复利用，具体包括：

第一，对切割下来的预设厚度的第三半导体晶圆的切割面进行抛光，以第三半导体晶圆作为衬底晶圆，再次按照步骤101和102的操作在第三半导体晶圆的一侧加工制作若干芯片，然后调整激光源的聚焦深度，再通过激光源从预设厚度的晶圆上切割下一定厚度的晶圆，此次切割下来的晶圆的厚度小于上述预设厚度，如此重复利用切割下来的晶圆制作半导体芯片，直到剩余晶圆的厚度小于预设阈值为止。

上述在第三半导体晶圆的一侧加工制作若干芯片时采用的加工手段包括但不限于：外延生长、光刻、离子注入、刻蚀、金属化等。上述预设阈值可以为25微米或30微米等，本发明实施例并不具体限定预设阈值的具体取值，实际应用中可根据具体需求设定预设阈值的具体取值。

第二，对切割下来的第三半导体晶圆的切割面进行抛光；将抛光后的第三半导体晶圆作为晶圆生长的籽晶获得晶锭；将晶锭切割为多个晶圆。

通过上述第二种方式使得切割下来的第三半导体晶圆成为晶锭产品的原材料，晶锭通过切割加工、外延生长等工艺后，能够重新成为可以制作半导体芯片的晶圆，从而实现对切割下来的晶圆的重复利用。

在降低半导体芯片的衬底电阻和热阻的过程中，本发明实施例避免了对半导体芯片的晶圆衬底材料进行研磨减薄的方式。而是采用较为经济的激光切割方式，直接将多余的晶圆从半导体衬底上剥离下来，使得剥离下来的第三半导体晶圆可以被重复利用。例如，六英寸碳化硅衬底的成本为2000美元，正面加工成芯片的成本需要1000美元，背面研磨加工成本需要200美元，总计研磨减薄获得一张成品晶圆的成本为3200美元。而采用激光切割方式进行减薄时，工艺提出的切割加工成本需要500美元，但是切割下来的碳化硅衬底还能发挥1500美元的价值，如此使得通过激光切割方式获得一张成品晶圆的成本降至2000美元。因此该激光切割工艺可以节省产品30％左右的成本。

在本发明实施例中，在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆；通过激光源从第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。本发明通过激光源在半导体衬底内部一定深度处形成灼伤面。在灼伤面处将半导体衬底剥离为上下两部分，实现对半导体衬底减薄，降低半导体芯片的电阻和热阻。避免采用研磨盘对半导体衬底进行研磨减薄，直接从半导体衬底上切割掉预设厚度的晶圆，提高切割效率，且切割下来的晶圆能被重复利用。切割下来的晶圆可再次作为衬底晶圆来制作半导体芯片，也可作为籽晶生长获得晶锭，晶锭通过加工又能获得多个能够制作芯片的晶圆，降低了生产成本，提高了芯片生产的产能。

实施例2

参见图4，本发明实施例提供了一种晶圆减薄装置，该装置用于执行上述实施例1所提供的半导体芯片制作方法，该装置具体包括：

芯片设置模块20，用于在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆；

切割模块21，用于通过激光源从第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。

上述切割模块21包括：

照射单元，用于通过激光源垂直照射第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面；

剥离单元，用于从灼伤面处剥离预设厚度的第三半导体晶圆。

上述照射单元，用于通过点激光源逐点垂直照射第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在半导体衬底内部预设厚度处形成多个灼伤点构成的灼伤面；或者，通过线激光源逐线垂直照射第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在半导体衬底内部预设厚度处形成多条灼伤线构成的灼伤面；或者，通过面激光源垂直照射第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面。

通过上述切割模块21得到减薄的第二半导体晶圆之后，该装置还通过金属化模块，用于在第二半导体晶圆的背面覆盖金属层；或者，将第二半导体晶圆的背面抛光，在抛光后的第二半导体晶圆的背面覆盖金属层。

如图4所示，在本发明实施例中，该装置还包括：晶圆复用模块22，用于对第三半导体晶圆的切割面进行抛光，以第三半导体晶圆作为衬底晶圆，再次从在晶圆的一侧加工制作若干芯片的操作开始执行，直到剩余晶圆的厚度小于预设阈值为止；或者，用于对第三半导体晶圆的切割面进行抛光；将第三半导体晶圆作为晶圆生长的籽晶获得晶锭；将晶锭切割为多个晶圆。

在本发明实施例中，切割模块21切割下来的第三半导体晶圆的预设厚度大于或等于100微米；减薄的第二半导体晶圆的半导体衬底的厚度在25-250微米之间。

在本发明实施例中，在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆；通过激光源从第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。本发明通过激光源在半导体衬底内部一定深度处形成灼伤面。在灼伤面处将半导体衬底剥离为上下两部分，实现对半导体衬底减薄，降低半导体芯片的电阻和热阻。避免采用研磨盘对半导体衬底进行研磨减薄，直接从半导体衬底上切割掉预设厚度的晶圆，提高切割效率，且切割下来的晶圆能被重复利用。切割下来的晶圆可再次作为衬底晶圆来制作半导体芯片，也可作为籽晶生长获得晶锭，晶锭又能切割成多个能够制作芯片的晶圆，降低了生产成本，提高了芯片生产的产能。

本发明实施例所提供的晶圆减薄装置可以为设备上的特定硬件或者安装于设备上的软件或固件等。本发明实施例所提供的装置，其实现原理及产生的技术效果和前述方法实施例相同，为简要描述，装置实施例部分未提及之处，可参考前述方法实施例中相应内容。所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，前述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，均可以参考上述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在本发明所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明提供的实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。

所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本发明的具体实施方式，用以说明本发明的技术方案，而非对其限制，本发明的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明实施例技术方案的精神和范围。都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，所述方法包括：

在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆；

通过激光源从所述第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过激光源从所述待第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，包括：

通过激光源垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面；

从所述灼伤面处剥离所述预设厚度的第三半导体晶圆。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过激光源垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面，包括：

通过点激光源逐点垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成多个灼伤点构成的灼伤面；或者，

通过线激光源逐线垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成多条灼伤线构成的灼伤面；或者，

通过面激光源垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述得到减薄的第二半导体晶圆之后，还包括：

在所述第二半导体晶圆的背面覆盖金属层；或者，

将所述第二半导体晶圆的背面抛光，在抛光后的所述第二半导体晶圆的背面覆盖金属层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过激光源从所述第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆之后，还包括：

对所述第三半导体晶圆的切割面进行抛光，以所述第三半导体晶圆作为衬底晶圆，再次从所述在晶圆的一侧加工制作若干芯片的操作开始执行，直到剩余晶圆的厚度小于预设阈值为止。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过激光源从所述第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆之后，还包括：

对所述第三半导体晶圆的切割面进行抛光；

将抛光后的所述第三半导体晶圆作为晶圆生长的籽晶获得晶锭；

将所述晶锭切割为多个晶圆。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设厚度大于或等于100微米；所述第二半导体晶圆的半导体衬底的厚度在25-250微米之间。

8.一种晶圆减薄装置，其特征在于，所述装置包括：

芯片设置模块，用于在晶圆的一侧加工制作若干芯片，得到待减薄的第一半导体晶圆；

切割模块，用于通过激光源从所述第一半导体晶圆的半导体衬底上切割掉预设厚度的第三半导体晶圆，得到减薄的第二半导体晶圆。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述切割模块包括：

照射单元，用于通过激光源垂直照射所述第一半导体晶圆的半导体衬底表面，在所述半导体衬底内部预设厚度处形成灼伤面；

剥离单元，用于从所述灼伤面处剥离所述预设厚度的第三半导体晶圆。

10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

晶圆复用模块，用于对所述第三半导体晶圆的切割面进行抛光，以所述第三半导体晶圆作为衬底晶圆，再次从所述在晶圆的一侧加工制作若干芯片的操作开始执行，直到剩余晶圆的厚度小于预设阈值为止；或者，用于对所述第三半导体晶圆的切割面进行抛光；将抛光后的所述第三半导体晶圆作为晶圆生长的籽晶获得晶锭；将所述晶锭切割为多个晶圆。