CN107919312A - 静电卡盘板和静电卡盘板的制造方法 - Google Patents
静电卡盘板和静电卡盘板的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107919312A CN107919312A CN201710895263.7A CN201710895263A CN107919312A CN 107919312 A CN107919312 A CN 107919312A CN 201710895263 A CN201710895263 A CN 201710895263A CN 107919312 A CN107919312 A CN 107919312A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrostatic chuck
- chuck plate
- comb electrodes
- substrate
- manufacture method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
- B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
- B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
提供静电卡盘板和静电卡盘板的制造方法,能够更好地维持停止对电极供电后对被加工物的吸附力。一种双极型的静电卡盘板,该静电卡盘板利用设定在板状的基板(2)的主面侧的一对梳齿电极(3)对晶片(W)进行保持,其中,梳齿电极(3)具有:多个支部(311、321),它们隔开间隙地排列;主干部(312),其与多个支部(311)连结;以及主干部(321),其与多个支部(321)连结,一对梳齿电极(3)的支部(311、321)互相交错但隔开间隔地设定,支部(311)的电极宽度不同的宽幅区域(311a)和窄幅区域(311b)在延伸方向上交替地形成,支部(321)的电极宽度不同的宽幅区域(321a)和窄幅区域(321b)在延伸方向上交替地形成,在一个梳齿电极(3)的宽幅区域(311a、321a)的相邻两侧配置有另一个梳齿电极(3)的窄幅区域(311b、321b)。
Description
技术领域
本发明涉及静电卡盘板和静电卡盘板的制造方法。
背景技术
以往,公知有如下技术:在使用CVD装置或磨削装置、激光加工装置、刀具切削装置之类的各种加工装置对半导体晶片等被加工物进行加工时,将保护部件安装在被加工物上而对被加工物的保护部件的安装面进行保护,防止被加工物的破损。通常,保护部件例如使用背磨带或划片带等粘合带,或使用通过蜡等进行粘贴的玻璃或陶瓷之类的硬质基板等。这样,在通过粘合剂将保护部件粘贴在被加工物上的情况下,在保护部件相对于被加工物的粘贴及剥离的过程中会花费工夫。并且,存在保护部件的一部分被用完扔掉的情况。
作为不使用粘合剂的保护部件,具有静电卡盘板及真空卡盘板。例如,在专利文献1中公开了静电支承板,该静电支承板具有板主体和弹性部件,该板主体在正面上具有埋设了电极部的平坦的电绝缘层,该弹性部件配置在与所吸附的被加工物(晶片)的周缘部相对的电绝缘层的区域内。该静电支承板利用通过对电极部施加电压而产生的静电力对配置在电绝缘层上的被加工物进行吸附。
专利文献1:日本特开2016-051836号公报
为了使静电卡盘板在被加工物的加工时及搬送时等的操作变得容易,优选获得更强的吸附力以便在停止对电极部的供电后也维持对被加工物的吸附力。上述专利文献1所述的静电支承板通过以下方式来获得较强的吸附力:使吸附被加工物的电绝缘层平坦地形成,或通过与被加工物的周缘部对应配设的弹性部件来防止异物侵入到被加工物与静电支承板之间的间隙。但是,关于停止对静电卡盘板的电极部的供电后对被加工物的吸附力的维持,仍有改善的余地。
发明内容
本发明是鉴于上述而完成的,其目的在于提供静电卡盘板和静电卡盘板的制造方法,该静电卡盘板能够更好地维持停止对电极供电后对被加工物的吸附力。
为了解决上述的课题并达成目的,本发明是静电卡盘板,其是双极型的静电卡盘板,利用设定在板状的基板的主面侧的一对梳齿电极对被加工物进行保持,其特征在于,该梳齿电极具有:多个支部,它们隔开间隙地排列;以及主干部,其与多个该支部连结,一对该梳齿电极的该支部互相交错但隔开间隔地设定,该支部的电极宽度不同的宽幅区域和窄幅区域在延伸方向上交替地形成,在一个该梳齿电极的该宽幅区域的相邻两侧配置有另一个该梳齿电极的该窄幅区域。
为了解决上述的课题并达成目的,本发明是静电卡盘板的制造方法,利用该制造方法制造出上述静电卡盘板,其特征在于,该制造方法具有如下的步骤:绝缘层包覆步骤,在板状的基板的主面侧包覆绝缘层;金属层包覆步骤,在该基板的该绝缘层上包覆成为电极的金属层;以及梳齿电极形成步骤,利用激光光线保留成为该梳齿电极的区域而将该金属层去除。
并且,优选在该绝缘层包覆步骤或该金属层包覆步骤中,在该基板的与主面侧相反的一侧的背面侧也包覆绝缘层或金属层。
并且,优选该静电卡盘板的制造方法具有如下的保持面绝缘层包覆步骤:在该梳齿电极形成步骤之后,包覆保持面绝缘层,该保持面绝缘层对该梳齿电极进行覆盖并成为对被加工物进行保持的保持面。
并且,优选该静电卡盘板的制造方法具有如下的平坦化步骤:利用刀具工具对通过该绝缘层包覆步骤、该金属层包覆步骤或该保持面绝缘层包覆步骤包覆而得的表面进行切削而使其平坦化。
本发明的静电卡盘板和静电卡盘板的制造方法起到了能够更好地维持停止对电极供电后对被加工物的吸附力的效果。
附图说明
图1是示出实施方式的静电卡盘板的立体图。
图2是示出图1的静电卡盘板的俯视图。
图3是沿着图2中的II-II线的剖视图。
图4是示出静电卡盘板所包含的一对梳齿电极的放大图。
图5是示出静电卡盘板所保持的作为被加工物的晶片的立体图。
图6是示出实施方式的静电卡盘板的制造方法的流程的流程图。
图7是示出包覆有内侧绝缘层的静电卡盘板的基板的剖视图。
图8是示出使内侧绝缘层平坦化的情形的剖视图。
图9是示出包覆有金属层的静电卡盘板的基板的剖视图。
图10是示出形成梳齿电极的情形的剖视图。
图11是示出通过静电卡盘板对晶片进行保持的情形的剖视图。
图12是示出变形例的一对梳齿电极的形状的放大图。
图13是示出变形例的一对梳齿电极的形状的放大图。
图14是示出变形例的一对梳齿电极的形状的放大图。
图15是示出变形例的一对梳齿电极的形状的放大图。
图16是示出变形例的一对梳齿电极的形状的放大图。
标号说明
1:静电卡盘板;2:基板;2a:主面;2b:背面;2c:侧面;2d、2e:外缘部;3:梳齿电极;31:正极电极;311、321:支部;311a、321a:宽幅区域;311b、321b:窄幅区域;312、322:主干部;32:负极电极;4:金属层;5:绝缘层;5a:内侧绝缘层;5b:外侧绝缘层;5c:保持面;6:电极端子部;6a:正极电极端子部;6b:负极电极端子部;100:切削装置;101:卡盘工作台;101a:保持面;102:切削单元;103:主轴;104:刀具轮;105:刀具工具;120:激光加工装置;121:卡盘工作台;121a:保持面;122:激光照射部。
具体实施方式
参照附图对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细地说明。本发明并不限定于以下的实施方式所记载的内容。并且,在以下所记载的结构要素中包含本领域技术人员所容易想到的、实际上相同的结构。此外,能够对以下记载的结构进行适当组合。并且,能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
根据附图对本发明的实施方式的静电卡盘板和静电卡盘板的制造方法进行说明。图1是示出实施方式的静电卡盘板1的立体图,图2是示出图1的静电卡盘板1的俯视图,图3是沿着图2中的II-II线的剖视图。图4是示出静电卡盘板1所包含的一对梳齿电极3的放大图。图5是示出通过图1至图3所示的静电卡盘板1进行保持的作为被加工物的晶片W的立体图。
实施方式的静电卡盘板1是利用设定于板状的基板2的主面2a(参照图3)侧的一对梳齿电极3对图5所示的晶片W(被加工物)进行保持的双极型的静电卡盘板。晶片W在本实施方式中是以硅、蓝宝石、镓等为原材料的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。如图5所示,晶片W在正面WS的由交叉的多条分割预定线S划分出的各区域内形成有器件D。作为器件D,在各区域中形成有IC(Integrated Circuit:集成电路)、LSI(Large Scale Integration:大规模集成电路)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems:微机电系统)等。在实施沿着多条分割预定线S将晶片W分割成多个器件芯片的切割加工工序时,本实施方式的静电卡盘板1在各工序中作为对晶片W进行支承的支承部件来使用。
如图1和图2所示,实施方式的静电卡盘板1形成为圆盘状。静电卡盘板1也可以形成为四边形。如图3所示,静电卡盘板1具有:上述基板2;金属层4,其包含上述一对梳齿电极(电极电路)3,该金属层4包覆在基板2的主面2a侧和与主面2a相反的一侧的背面2b侧;绝缘层5,其包含包覆在基板2的正面(主面2a、背面2b)上的内侧绝缘层5a和包覆在金属层4上的外侧绝缘层(保持面绝缘层)5b;以及电极端子部6,其与一对梳齿电极3连接。另外,在图2中,为了简化说明而省略了外侧绝缘层5a的记载。
基板2是由硅、玻璃、石英或陶瓷形成的比较硬质的板状的基板。在本实施方式中,基板2形成为圆盘状。另外,基板2也可以形成在平板上。基板2的直径例如为300mm左右,基板2的厚度为100μm~800μm左右。
金属层4是包覆在内侧绝缘层5a上的由金属材料构成的包覆层。在本实施方式中,使用在一个面上施加了金属箔的聚酰亚胺膜(例如,宇部爱科喜模株式会社生产的铜箔聚酰亚胺膜)来形成金属层4。并且,在本实施方式中,金属层4沿着基板2的正面(主面2a、背面2b)平坦地形成。通过激光烧蚀对基板2的主面2a侧的金属层4进行图案去除而构成一对梳齿电极3。并且,如图3所示,金属层4也包覆在基板2的侧面2c的一部分上,包覆于侧面2c的金属层4形成电极端子部6。
一对梳齿电极3具有正极电极31和负极电极32。如图2所示,正极电极31具有:多个支部311,它们沿着基板2的主面2a在一个方向上笔直地延伸;以及主干部312,其沿着基板2的外缘部延伸。多个支部311从基板2的形成有电极端子部6的外缘部2d侧朝向对置的外缘部2e侧互相隔开间隙地排列配置。各支部311在一方的端部与主干部312连结。如图2和图4所示,各支部311形成为梳齿状。电极的宽度不同的宽幅区域311a和窄幅区域311b在延伸方向上隔开一定的间隔交替地形成。在本实施方式中,宽幅区域311a形成为从窄幅区域311b鼓出成圆形的形状。
如图2所示,负极电极32具有:多个支部321,它们沿着基板2的主面2a在一个方向上笔直地延伸;以及主干部322,其沿着基板2的外缘部延伸。多个支部321从基板2的外缘部2d侧朝向外缘部2e侧互相隔开间隙地排列配置。各支部321在一方的端部(与正极电极31的主干部312相反的一侧的端部)与主干部322连结。如图2和图4所示,各支部321形成为梳齿状,电极的宽度不同的宽幅区域321a和窄幅区域321b在延伸方向上隔开一定的间隔交替地形成。在本实施方式中,宽幅区域311a形成为从窄幅区域311b鼓出成圆形的形状。
如图2所示,正极电极31和负极电极32使支部311、321互相交错但隔开间隔地设定。即,关于正极电极31和负极电极32,使正极电极31的支部311和负极电极32的支部321从基板2的外缘部2d侧朝向外缘部2e侧按顺序互相隔开间隔排列配置。
并且,如图2和图4所示,在一方的梳齿电极3的宽幅区域311a、321a的相邻两侧配置有另一方的梳齿电极3的窄幅区域311b、321b。即,在正极电极31的互相相邻的两条支部311的窄幅区域311b彼此之间配置有负极电极32的支部321的宽幅区域321a。并且,在负极电极32的互相相邻的两条支部321的窄幅区域321b彼此之间配置有正极电极31的支部311的宽幅区域311a。由此,能够进一步填塞正极电极31的支部311与负极电极32的支部321之间的间隔而配置。另外,在本实施方式中,宽幅区域311a、321a的宽度D1为0.3mm,窄幅区域311b、321b的宽度D2为0.133mm。并且,从支部311的中心到相邻的支部321的中心的间隔P1为0.4mm,相邻的支部311与支部322的间隔P2为0.135mm。
绝缘层5是在基板2的周围对金属层4(一对梳齿电极3)进行覆盖的绝缘覆膜。绝缘层5例如由聚酰亚胺树脂形成。如图3所示,绝缘层5具有:内侧绝缘层5a,其包覆在基板2的主面2a、背面2b以及侧面2c的一部分上;以及外侧绝缘层(保持面绝缘层)5b,其包覆在除了电极端子部6之外的金属层4(一对梳齿电极3)上。外侧绝缘层5b将一对梳齿电极3覆盖。外侧绝缘层5b形成对晶片W进行保持的保持面5c。在本实施方式中,内侧绝缘层5a和外侧绝缘层5b沿着基板2的正面(主面2a或背面2b)平坦地形成。
如图1和图3所示,电极端子部6形成在基板2的侧面2c。电极端子部6具有正极电极端子部6a和负极电极端子部6b。正极电极端子部6a和负极电极端子部6b互相接近而配置在基板2的侧面2c。另外,正极电极端子部6a和负极电极端子部6b可以配置在基板2的侧面2c的任意位置,也可以配置在基板2的主面2a侧。如图2所示,正极电极端子部6a与正极电极31的主干部312连接,负极电极端子部6b与负极电极32的主干部322连接。从未图示的供电装置对正极电极端子部6a施加正的电压,从未图示的供电装置对负极电极端子部6b施加负的电压。
在通过静电卡盘板1对晶片W进行保持时,首先,将晶片W载置在外侧绝缘层5b的保持面5c上。然后,当从未图示的供电装置经由正极电极端子部6a对正极电极31施加正的电压并且经由负极电极端子部6b对负极电极32施加负的电压时,正负的电荷被拉到晶片W与正极电极31和负极电极32之间而产生静电力(梯度力)。通过该静电力将晶片W吸引在静电卡盘板1上。另外,在实施方式中,从未图示的供电装置经由电极端子部6施加给一对梳齿电极3的电压优选为1000V以上且2000V以下。
接着,根据附图对实施方式的静电卡盘板的制造方法进行说明。图6是示出实施方式的静电卡盘板的制造方法的流程的流程图。图7是示出包覆有内侧绝缘层5a的静电卡盘板1的基板2的剖视图。图8是示出将内侧绝缘层5a平坦化的情形的剖视图。图9是示出包覆有金属层4的静电卡盘板1的基板2的剖视图。图10是示出形成梳齿电极3的情形的剖视图。图11是示出通过静电卡盘板1对晶片W进行保持的情形的剖视图。
实施方式的静电卡盘板的制造方法如图示的那样具有:内侧绝缘层包覆步骤ST1、内侧绝缘层平坦化步骤ST2、金属层包覆步骤ST3、梳齿电极形成步骤ST4、外侧绝缘层包覆步骤ST5以及外侧绝缘层平坦化步骤ST6。
内侧绝缘层包覆步骤ST1是在基板2的正面上包覆内侧绝缘层5a的步骤。在内侧绝缘层包覆步骤ST1中,如图7所示,例如通过刮板将绝缘性的聚酰亚胺树脂大面积涂覆在基板2的主面2a和背面2b的整体以及侧面2c的一部分上,并通过加热进行固定。另外,在内侧绝缘层包覆步骤ST1中,也可以通过旋涂来将绝缘性的聚酰亚胺树脂涂布在基板2的主面2a和背面2b上。
内侧绝缘层平坦化步骤ST2是使内侧绝缘层5a沿着基板2的正面(主面2a或背面2b)平坦化的步骤。在内侧绝缘层平坦化步骤ST2中,如图8所示,将静电卡盘板1的上述主面2a侧或背面2b侧隔着支承部件110载置在切削装置100的具有由多孔陶瓷等形成的保持面101a的卡盘工作台101上。接着,通过未图示的驱动电动机使切削装置100的切削单元102的圆盘状的刀具轮104与切削单元102的主轴103一起绕与铅直方向(图中的上下方向)平行的轴进行旋转驱动。然后,通过未图示的加工进给构件使切削单元102向图中的下方向移动,并且使刀具轮104和卡盘工作台101在与保持面101a平行的方向上相对移动,通过设置于刀具轮104的刀具工具105对内侧绝缘层5a的正面进行切削而将其平坦化。通过对静电卡盘板1的主面2a侧和背面2b侧这两者实施切削,内侧绝缘层5a被平坦化。另外,在内侧绝缘层平坦化步骤ST2中,也可以通过未图示的磨削装置的磨削磨具对内侧绝缘层5a的正面进行磨削而将其平坦化。
金属层包覆步骤ST3是在基板2的内侧绝缘层5a上包覆作为一对梳齿电极3的金属层4的步骤。在金属层包覆步骤ST3中,如图9所示,在包覆于基板2的主面2a、背面2b和侧面2c的一部分的内侧绝缘层5a上,通过加热压接来包覆施加了金属箔的聚酰亚胺膜。在本实施方式中,通过使用聚酰亚胺膜,能够使金属层4的正面(即,金属箔部分)沿着基板2的正面成为平坦。
梳齿电极形成步骤ST4是如下的步骤:通过激光烧蚀加工对基板2的主面2a侧的金属层4进行图案去除而保留作为一对梳齿电极3的区域,从而形成一对梳齿电极3。使用激光加工装置120实施梳齿电极形成步骤ST4。在梳齿电极形成步骤ST4中,首先,将静电卡盘板1(基板2)搬送到激光加工装置120的具有由多孔陶瓷等形成的保持面121a的卡盘工作台121上,使基板2的背面2b侧隔着支承部件110吸引保持在卡盘工作台121上。之后,如图10所示,一边使卡盘工作台121和激光加工装置120的激光照射部122相对移动,一边从激光照射部122对静电卡盘板1的规定的部位照射激光。由此,如图10所示,对金属层4进行图案去除,形成图1和图2所示的一对梳齿电极3。并且,包覆在基板2的侧面2c的一部分上的金属箔聚酰亚胺膜形成电极端子部6。
外侧绝缘层包覆步骤(保持面绝缘层包覆步骤)ST5是在基板2的主面2a侧和背面2b侧包覆外侧绝缘层5b的步骤。在外侧绝缘层包覆步骤ST5中,例如通过刮板将绝缘性的聚酰亚胺树脂大面积地涂布在形成于基板2的主面2a的一对梳齿电极3和内侧绝缘层5a上,并通过加热进行固定。并且,例如通过刮板将绝缘性的聚酰亚胺树脂大面积地涂布在形成于基板2的背面2b的金属层4上,并通过加热进行固定。由此,如图3所示,在基板2的主面2a侧和背面2b侧这两者上包覆有外侧绝缘层5b。另外,在外侧绝缘层包覆步骤ST5中,也可以通过旋涂将绝缘性的聚酰亚胺树脂涂布在一对梳齿电极3和金属层4上。
外侧绝缘层平坦化步骤ST6是使外侧绝缘层5b沿着基板2的正面(主面2a或背面2b)平坦化的步骤。在外侧绝缘层平坦化步骤ST6中,虽然未进行图示,但与内侧绝缘层平坦化步骤ST2同样,使用切削装置100对外侧绝缘层5b的正面进行磨削。由此,如图3所示,外侧绝缘层5b被平坦化。通过以上的处理,本实施方式的静电卡盘板1的制造结束。如图11所示,通过以这种方式制造的静电卡盘板1,能够利用外侧绝缘层5b的保持面5c对晶片W的背面WR侧进行保持,实施将晶片W分割成多个器件芯片的切割加工、通过激光光线在内部形成改质层的激光加工、对正面进行磨削而薄化的磨削加工等各工序。
以上说明的那样,关于本实施方式的静电卡盘板1,构成一对梳齿电极3的正极电极31的支部311具有宽幅区域311a和窄幅区域311b,构成一对梳齿电极3的负极电极32的支部321具有宽幅区域321a和窄幅区域321b。由此,在各支部311、321从宽幅向窄幅变化的区域中集中蓄积有电荷。其结果是,在各支部311、321从宽幅向窄幅变化的区域产生了较强的静电力(梯度力),能够进一步提高吸引晶片W的吸引力。并且,即使停止向一对梳齿电极3的供电,也能够以更长的时间维持已暂时产生的电荷,能够在供电停止后也维持静电卡盘板1所产生的吸引力。其结果是,在对晶片W实施切割加工等之后的各工序中,不需要在各装置中设置供电装置,并且,也不需要在晶片W的搬送时进行供电。因此,能够使晶片W的切割加工设备更简单化,并且,能够使晶片W的加工时或搬送时的操作更容易。
并且,关于本实施方式的静电卡盘板1,在一方的梳齿电极3的宽幅区域311a、321a的相邻两侧配置有另一方的梳齿电极3的窄幅区域311b、321b。由此,如上述那样,能够进一步填塞正极电极31的支部311与负极电极32的支部321之间的间隔而配置。这样,通过使正极电极31与负极电极32之间的间隔变窄,能够进一步提高通过对正极电极31和负极电极32施加电压而得到的静电力。其结果是,能够进一步提高静电卡盘板1的吸引力。
本实施方式的静电卡盘板1的制造方法具有:内侧绝缘层包覆步骤ST1,在板状的基板2的主面2a侧包覆内侧绝缘层5a;金属层包覆步骤ST3,在基板2的内侧绝缘层5a上包覆作为梳齿电极3的金属层4;以及梳齿电极形成步骤ST4,利用激光光线将金属层4去除而保留作为梳齿电极3的区域。这样,通过激光烧蚀加工对金属层4进行图案去除而形成一对梳齿电极3,从而能够容易且低成本并且高精度地将一对梳齿电极3形成为希望的构造。
并且,在内侧绝缘层包覆步骤ST1中,在基板2的与主面2a侧相反的一侧的背面2b侧也包覆内侧绝缘层5a,在金属层包覆步骤ST3中,在基板2的与主面2a侧相反的一侧的背面2b侧也包覆金属层4,在外侧绝缘层包覆步骤ST5中,在基板2的与主面2a侧相反的一侧的背面2b侧也包覆外侧绝缘层5a。由此,与仅在基板2的正面2a上包覆内侧绝缘层5a、金属层4、外侧绝缘层5b的情况相比,能够通过层叠各层而使作用于基板2的应力在主面2a侧和背面2b侧均衡。其结果是,在静电卡盘板1的制造工序中,能够更好地抑制基板2发生变形。但是,内侧绝缘层5a、金属层4和外侧绝缘层5b中的任意层也可以从基板2的背面2b侧省略。
并且,具有在梳齿电极形成步骤ST4之后包覆外侧绝缘层(保持面绝缘层)5b的外侧绝缘层包覆步骤(保持面绝缘层包覆步骤)ST6,该外侧绝缘层5b对梳齿电极3进行覆盖并成为对晶片W(被加工物)进行保持的保持面5c。由此,能够通过保持面5c对晶片W(被加工物)进行良好地保持。
并且,本实施方式具有:内侧绝缘层平坦化步骤ST2,利用刀具工具对在内侧绝缘层包覆步骤ST1中包覆在基板2上的内侧绝缘层5a的正面进行切削而使其平坦化;以及外侧绝缘层平坦化步骤ST6,利用刀具工具对在外侧绝缘层包覆步骤(保持面绝缘层包覆步骤)ST5中包覆的外侧绝缘层5b的正面进行切削而使其平坦化。并且,如上述那样,关于金属层4,能够通过使用施加了金属箔的聚酰亚胺膜来使正面(金属箔部分)沿着基板2变得平坦。即,本实施方式的静电卡盘板1的内侧绝缘层5a、金属层4、外侧绝缘层5b沿着基板2的正面平坦地形成。由此,当将晶片W载置在静电卡盘板1上时,能够使晶片W与保持面5c之间不存在间隙,能够进一步提高静电卡盘板1对晶片W的吸附力。特别是通过使形成对晶片W进行保持的保持面5c的外侧绝缘层5b平坦地形成,能够实现吸附力的进一步提高。但是,也可以省略内侧绝缘层平坦化步骤ST2和外侧绝缘层平坦化步骤ST6。
在本实施方式中,当在内侧绝缘层包覆步骤ST1中在基板2上包覆了内侧绝缘层5a之后,在金属层包覆步骤ST2中将施加了金属箔的聚酰亚胺膜粘贴在内侧绝缘层5a上而包覆金属层4,在梳齿电极形成步骤ST4中对金属层4实施激光烧蚀加工而形成一对梳齿电极3,但形成金属层4或一对梳齿电极3的方法并不限于此。
例如,也可以省略内侧绝缘层包覆步骤ST1(将内侧绝缘层5a从静电卡盘板1省略),将双面粘接片粘贴在基板2的正面上,借助该双面粘接片将作为金属层4的实施了金属箔的聚酰亚胺膜粘贴在基板2上。
并且,如果金属层4是由金属材料构成的覆膜,则也可以不使用施加了金属箔的聚酰亚胺膜。例如,在金属层包覆步骤ST3中,也可以通过溅射在内侧绝缘层5上包覆金属层4。并且,也可以使金属层包覆步骤ST3和梳齿电极形成步骤ST4为一体的工序,通过丝网印刷或喷墨方式的印刷将由金属材料构成的焊接材料等包覆在内侧绝缘层5上,从而形成基板2的背面2a侧的金属层4、基板2的主面2a侧的一对梳齿电极3和电极端子部6。这样,在通过溅射或丝网印刷、喷墨方式的印刷等形成金属层4的情况下,也可以实施金属层平坦化步骤,利用切削装置100对金属层4的正面进行切削而使其平坦化。
并且,也可以通过对金属层4实施光刻而形成一对梳齿电极3。即,在梳齿电极形成步骤ST5中,也可以首先在金属层4的正面上包覆抗蚀膜,沿着一对梳齿电极3的图案经由预先形成的掩模而通过露光对抗蚀膜的一部分进行图案去除,隔着进行了图案去除的光致抗蚀膜对金属层4实施干蚀刻或湿蚀刻,从而形成一对梳齿电极3。
并且,关于一对梳齿电极3的支部311、321的形状,只要正极电极31的支部311具有宽幅区域311a和窄幅区域311b,负极电极32的支部321具有宽幅区域321a和窄幅区域321b,在一方的梳齿电极3的宽幅区域311a、321a的相邻两侧配置有另一方的梳齿电极3的窄幅区域311b、321b即可,并不限于本实施方式所示的结构。
例如,在本实施方式中,梳齿电极3的各支部311、321沿着基板2在一个方向上笔直地延伸,但各支部311、321也可以屈曲或弯曲。并且,在本实施方式中,宽幅区域311a与窄幅区域311b的形成间隔以及宽幅区域321a与窄幅区域321b的形成间隔是恒定的,但宽幅区域与窄幅区域的形成间隔也可以不恒定。
图12至图16是示出变形例的一对梳齿电极3的形状的放大图。如图12至图14所示,正极电极31的宽幅区域311a和负极电极32的宽幅区域321a也可以形成为椭圆形。并且,如图12至图16所示,宽幅区域311a、321a的宽度D1、窄幅区域311b、321b的宽度D2、从支部311的中心到相邻的支部321的中心的间距P1以及相邻的支部311与支部321的间距P2并不仅限于图4所示的例。宽幅区域311a、321a的宽度D1优选0.3mm以上且0.6mm以下,窄幅区域311b、321b的宽度D2优选0.1mm以上且0.6mm以下。并且,从支部311的中心到相邻的支部321的中心的间隔P1优选0.4mm以上且1.0mm以下,相邻的支部311与支部321的间隔P2优选0.135mm以上且0.4mm以下。
Claims (5)
1.一种静电卡盘板,其是双极型的静电卡盘板,利用设定在板状的基板的主面侧的一对梳齿电极对被加工物进行保持,其特征在于,
该梳齿电极具有:
多个支部,它们隔开间隙地排列;以及
主干部,其与多个该支部连结,
一对该梳齿电极的该支部互相交错但隔开间隔地设定,
该支部的电极宽度不同的宽幅区域和窄幅区域在延伸方向上交替地形成,
在一个该梳齿电极的该宽幅区域的相邻两侧配置有另一个该梳齿电极的该窄幅区域。
2.一种静电卡盘板的制造方法,利用该制造方法制造出权利要求1所述的静电卡盘板,其特征在于,该制造方法具有如下的步骤:
绝缘层包覆步骤,在板状的基板的主面侧包覆绝缘层;
金属层包覆步骤,在该基板的该绝缘层上包覆成为电极的金属层;以及
梳齿电极形成步骤,利用激光光线保留成为该梳齿电极的区域而将该金属层去除。
3.根据权利要求2所述的静电卡盘板的制造方法,其特征在于,
在该绝缘层包覆步骤或该金属层包覆步骤中,在该基板的与主面侧相反的一侧的背面侧也包覆绝缘层或金属层。
4.根据权利要求2或3所述的静电卡盘板的制造方法,其特征在于,
该静电卡盘板的制造方法具有如下的保持面绝缘层包覆步骤:在该梳齿电极形成步骤之后,包覆保持面绝缘层,该保持面绝缘层对该梳齿电极进行覆盖并成为对被加工物进行保持的保持面。
5.根据权利要求2、3或4所述的静电卡盘板的制造方法,其特征在于,
该静电卡盘板的制造方法具有如下的平坦化步骤:利用刀具工具对通过该绝缘层包覆步骤、该金属层包覆步骤或该保持面绝缘层包覆步骤包覆而得的表面进行切削而使其平坦化。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016197079A JP2018060905A (ja) | 2016-10-05 | 2016-10-05 | 静電チャックプレート及び静電チャックプレートの製造方法 |
JP2016-197079 | 2016-10-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107919312A true CN107919312A (zh) | 2018-04-17 |
Family
ID=61898795
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710895263.7A Pending CN107919312A (zh) | 2016-10-05 | 2017-09-28 | 静电卡盘板和静电卡盘板的制造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018060905A (zh) |
KR (1) | KR20180037897A (zh) |
CN (1) | CN107919312A (zh) |
TW (1) | TW201824729A (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110861921A (zh) * | 2018-08-28 | 2020-03-06 | 吸力奇迹(北京)科技有限公司 | 静电吸附装置及其制备方法 |
CN110861113A (zh) * | 2018-08-28 | 2020-03-06 | 吸力奇迹(北京)科技有限公司 | 静电吸附装置及其制备方法 |
CN113574652A (zh) * | 2019-03-18 | 2021-10-29 | 日本碍子株式会社 | 静电卡盘 |
CN114649252A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-06-21 | 苏州众芯联电子材料有限公司 | 一种用于lcd/oled面板设备的双电极静电卡盘的制作工艺 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7118536B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2022-08-16 | 株式会社ディスコ | 被加工物の切削加工方法 |
KR102650613B1 (ko) * | 2018-10-30 | 2024-03-21 | 캐논 톡키 가부시키가이샤 | 정전척 시스템, 성막장치, 흡착방법, 성막방법 및 전자 디바이스의 제조방법 |
WO2024070009A1 (ja) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電キャリア、処理システム及び処理方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004356350A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Kyocera Corp | 静電チャック |
CN102089875A (zh) * | 2008-07-08 | 2011-06-08 | 创意科技股份有限公司 | 双极型静电卡盘 |
JP2012502478A (ja) * | 2008-09-04 | 2012-01-26 | モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド | 調整可能な電気抵抗率を有するウェーハ処理装置 |
JP2016051836A (ja) * | 2014-09-01 | 2016-04-11 | 株式会社ディスコ | 静電支持プレート及び静電支持プレートの製造方法 |
-
2016
- 2016-10-05 JP JP2016197079A patent/JP2018060905A/ja active Pending
-
2017
- 2017-09-06 TW TW106130441A patent/TW201824729A/zh unknown
- 2017-09-28 CN CN201710895263.7A patent/CN107919312A/zh active Pending
- 2017-09-28 KR KR1020170125887A patent/KR20180037897A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004356350A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Kyocera Corp | 静電チャック |
CN102089875A (zh) * | 2008-07-08 | 2011-06-08 | 创意科技股份有限公司 | 双极型静电卡盘 |
JP2012502478A (ja) * | 2008-09-04 | 2012-01-26 | モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド | 調整可能な電気抵抗率を有するウェーハ処理装置 |
JP2016051836A (ja) * | 2014-09-01 | 2016-04-11 | 株式会社ディスコ | 静電支持プレート及び静電支持プレートの製造方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110861921A (zh) * | 2018-08-28 | 2020-03-06 | 吸力奇迹(北京)科技有限公司 | 静电吸附装置及其制备方法 |
CN110861113A (zh) * | 2018-08-28 | 2020-03-06 | 吸力奇迹(北京)科技有限公司 | 静电吸附装置及其制备方法 |
CN113574652A (zh) * | 2019-03-18 | 2021-10-29 | 日本碍子株式会社 | 静电卡盘 |
CN113574652B (zh) * | 2019-03-18 | 2023-09-01 | 日本碍子株式会社 | 静电卡盘 |
CN114649252A (zh) * | 2022-03-17 | 2022-06-21 | 苏州众芯联电子材料有限公司 | 一种用于lcd/oled面板设备的双电极静电卡盘的制作工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201824729A (zh) | 2018-07-01 |
KR20180037897A (ko) | 2018-04-13 |
JP2018060905A (ja) | 2018-04-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107919312A (zh) | 静电卡盘板和静电卡盘板的制造方法 | |
TWI809092B (zh) | 用於簡化的輔具晶圓的dbi至矽接合 | |
JP2005235859A5 (zh) | ||
CN104867859B (zh) | 包括电介质材料的半导体器件 | |
JP6391999B2 (ja) | 積層デバイスの製造方法 | |
KR100759687B1 (ko) | 기판의 박판화 방법 및 회로소자의 제조방법 | |
CN109037122A (zh) | 半导体片芯单颗化方法和装置 | |
KR20040092435A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
CN108807257A (zh) | 静电吸附夹盘及其制造方法、以及半导体装置的制造方法 | |
JP5289484B2 (ja) | 積層型半導体装置の製造方法 | |
JP2001185519A5 (zh) | ||
KR102548550B1 (ko) | 반도체 패키지 및 반도체 패키지의 제조 방법 | |
CN105990208A (zh) | 层叠器件的制造方法 | |
EP2985785B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device with prevention of adhesive climbing up and corresponding semiconductor device | |
JP2005050997A (ja) | 半導体素子分離方法 | |
JP6385727B2 (ja) | 貼り合わせウェーハ形成方法 | |
JP6261733B2 (ja) | オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法 | |
JP6476419B2 (ja) | 素子チップの製造方法および素子チップ | |
JP5936312B2 (ja) | 半導体ウエーハの加工方法 | |
TW202119573A (zh) | 化合物半導體元件及其背面銅製程方法 | |
JP2005045023A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
JP2009095962A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
JP2015233049A (ja) | 積層デバイスの製造方法 | |
JP7153183B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2005101181A (ja) | 半導体装置のおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20180417 |