CN103814091A - 电荷传输性清漆 - Google Patents
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Abstract
包含式（1）所示的芳基二胺化合物、电子接受性掺杂剂物质和溶剂的电荷传输性清漆形成具有高透明性、应用于有机EL元件时可发挥良好的元件特性的电荷传输性薄膜。式中，R1～R4各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基等，R5～R8各自独立地表示氢原子、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、噻吩基等，n表示2～5的整数。
Description
技术领域
本发明涉及电荷传输性清漆，更详细地说，涉及能形成透明性优异的导电性薄膜的电荷传输性清漆。
背景技术
本发明人已报道了：由使用了包含低分子低聚苯胺化合物的电荷传输性物质的有机溶剂系的电荷传输性清漆得到的电荷传输性薄膜显示优异的电致发光元件特性（参照专利文献1）。
专利文献1的电荷传输性清漆中，构成电荷传输性材料的低分子低聚苯胺化合物在分子内具有相同的重复单元结构，其共轭系越伸长越着色，形成电荷传输性薄膜时具有可见区域的吸收变大的性质。
已知电荷传输性薄膜的着色使有机电致发光（以下称为有机EL）元件的色纯度和色再现性降低。
并且，该着色在3色发光法、白色法和色变换法等有机EL显示器中的各种全色化技术中成为问题，成为稳定地生产有机EL元件时的显著的障碍。
因此，希望有机EL元件的电荷传输性薄膜在可见区域中的透射率高，具有高透明性。
鉴于这点，本发明人已发现：通过使用将分子内的共轭系部分切断的低聚苯胺化合物、部分包含由与苯胺单元不同的重复单元结构构成的共轭系的低聚苯胺化合物，从而得到可见区域中的着色得到了抑制、透明性优异的电荷传输性薄膜（参照专利文献2），但为了提高光的取出效率等，不断希望透明性更高的薄膜，而且具备专利文献2的薄膜的有机EL元件在元件特性、寿命性能等方面有改善的余地。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2002-151272号公报
专利文献2：国际公开2008/032616号
专利文献3：特开平10-088123号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明鉴于这样的实际情况而提出，其目的在于提供电荷传输性清漆，该电荷传输性清漆形成具有高透明性、应用于有机EL元件时可发挥良好的元件特性的电荷传输性薄膜。
用于解决课题的手段
本发明人为了实现上述目的而反复深入研究，结果发现，通过使用在分子内具有不能形成醌式结构的分子结构的二胺化合物，从而得到透明性非常优异的电荷传输性薄膜，而且发现，由包含该二胺化合物和电子接受性掺杂剂的电荷传输性清漆得到的薄膜显示良好的导电性，能够适合作为有机EL元件的缓冲层利用，完成了本发明。
再有，专利文献3中公开了使用了N，N′-二苯基联苯胺作为空穴传输材料的有机EL元件，但对于通过使用该化合物而得到透明性优异的薄膜没有公开。
即，本发明提供：
1.电荷传输性清漆，其特征在于，包含式（1）所示的芳基二胺化合物、电子接受性掺杂剂物质和溶剂；
[化1]
｛式中，R1～R4各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基，R5～R8各自独立地表示氢原子、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、噻吩基（这些基团可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基或碳数1～20的酰基取代。）、或者式（2）所示的基团（其中，R5～R8的至少1个为氢原子。），
[化2]
[式中，R9～R12各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基，R13和R14各自独立地表示苯基、萘基、蒽基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、噻吩基（这些基团可相互结合而形成环，还可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基取代。）]，n表示2～5的整数。｝
2.1的电荷传输性清漆，其中，上述R5和R7为氢原子，上述R6和R8各自独立地表示苯基（该苯基可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基取代。）、或上述式（2）所示的基团；
3.1或2的电荷传输性清漆，其中，上述R1～R4各自独立地为氢原子、卤素原子、碳数1～4的烷基、碳数1～4的全氟烷基、或碳数1～4的烷氧基，上述R5和R7为氢原子，上述R6和R8各自独立地为苯基、或式（2′）所示的基团；
[化3]
[式中，R13'和R14'各自独立地表示苯基、萘基、蒽基、联苯基（这些基团可被卤素原子、碳数1～4的烷基、碳数1～4的全氟烷基、或碳数1～4的烷氧基取代。）。]
4.1～3的任一项的电荷传输性清漆，其中，上述n为2或3；
5.1～4的任一项的电荷传输性清漆，其中，上述电子接受性掺杂剂物质包含芳基磺酸化合物；
6.1～5的任一项的电荷传输性清漆，其中，上述电子接受性掺杂剂物质为芳基磺酸化合物和杂多酸化合物的组合；
7.5或6的电荷传输性清漆，其中，上述芳基磺酸化合物由式（3）表示；
[化4]
[式中，X表示O或S，A表示作为X和p个（SO3H）基以外的取代基可具有从卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基和碳数1～20的酰基中选择的1个以上的取代基的萘环或蒽环，B表示2价或3价的苯环、2价的对-苯二亚甲基、2价或3价的萘环、2～4价的全氟联苯基、或2价的2，2-双（（羟基丙氧基）苯基）丙基，p表示与A键合的磺酸基数，是满足1～4的整数，q表示B与X的键合数，是满足2～4的整数。]
8.7的电荷传输性清漆，其中，上述X表示O，上述A表示萘环或蒽环；
9.由1～8的任一项的电荷传输性清漆制作的电荷传输性薄膜；
10.有机电致发光元件，其具备9的电荷传输性薄膜；
11.10的有机电致发光元件，其中，上述电荷传输性薄膜为空穴注入层或空穴传输层；
12.有机电致发光元件的制造方法，其具有使用1的电荷传输性清漆制作电荷传输性薄膜的工序；
13.12的有机电致发光元件的制造方法，其中，上述电荷传输性薄膜为空穴注入层或空穴传输层；
14.12的有机电致发光元件的制造方法，其中，上述制作电荷传输性薄膜的工序包括采用旋涂法、喷涂法、喷墨法或缝隙涂布法涂布上述电荷传输性清漆而制膜的工序。
发明的效果
通过使用本发明的电荷传输性清漆，能够得到可见区域中的吸收得到抑制、高透明性的电荷传输性薄膜。通过使用该薄膜，能够在不使电场发光的光、透过滤色器的光的色纯度降低的情况下确保元件的色再现性，因此能够大幅度地有助于从发光层向外部的光取出效率的提高，能够实现有机EL元件的小型化、低驱动电压化等。
通过使用本发明的电荷传输性清漆，可得到具备高透明性和导电性的电荷传输性薄膜，通过将该薄膜应用于特别是有机EL元件的电荷注入层，能够得到具有高发光效率并且耐久性优异的有机EL元件。
附图说明
图1是表示实施例1-1～1-9和比较例1～3中制作的薄膜的透射率的图。
图2是图1中的透射率90～100%部分的放大图。
图3是表示实施例2-1和比较例4、5中制作的单层元件的电压-电流密度特性的图。
图4是表示实施例3-1～3-9和比较例6～9中得到的OLED元件的电压-电流密度特性的图。
图5是图4中的电压4.9～5.1V部分的放大图。
图6是表示实施例3-1～3-9和比较例6～9中得到的OLED元件的电压-亮度特性的图。
图7是图6中的电压4.9～5.1V部分的放大图。
图8是表示实施例3-1～3-3和比较例6～8中得到的OLED元件的驱动电压对于驱动时间的行为的图。
图9是表示实施例3-1～3-3和比较例6～8中得到的OLED元件的亮度对于驱动时间的衰减的图。
具体实施方式
以下对本发明更详细地说明。
本发明涉及的电荷传输性清漆包含上述式（1）所示的芳基二胺化合物、电子接受性掺杂剂物质和溶剂。
再有，所谓电荷传输性，意味着空穴传输性。本发明的电荷传输性清漆可以是其自身具有电荷传输性，也可以是使用清漆得到的固体膜具有电荷传输性。
上述式（1）所示的芳基二胺化合物中，R1～R4各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基。
其中，作为卤素原子，可列举氟、氯、溴、碘原子。
作为碳数1～20的烷氧基的具体例，可列举甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、仲丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基、正十三烷氧基、正十四烷氧基、正十五烷氧基、正十六烷氧基、正十七烷氧基、正十八烷氧基、正十九烷氧基、正二十烷氧基等。
作为碳数1～20的硫代烷氧基（烷硫基）的具体例，可列举甲硫基、乙硫基、正丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、正己硫基、正庚硫基、正辛硫基、正壬硫基、正癸硫基、正十一烷硫基、正十二烷硫基、正十三烷硫基、正十四烷硫基、正十五烷硫基、正十六烷硫基、正十七烷硫基、正十八烷硫基、正十九烷硫基、正二十烷硫基等。
作为碳数1～20的烷基的具体例，可列举甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基等。
作为碳数1～20的卤代烷基，可列举上述碳数1～20的烷基的氢原子的至少1个被卤素原子取代的产物，其中，优选氟烷基，更优选全氟烷基。
作为其具体例，可列举氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、五氟乙基、2，2，2-三氟乙基、七氟丙基、2，2，3，3，3-五氟丙基、2，2，3，3-四氟丙基、2，2，2-三氟-1-（三氟甲基）乙基、九氟丁基、4，4，4-三氟丁基、十一氟戊基、2，2，3，3，4，4，5，5，5-九氟戊基、2，2，3，3，4，4，5，5-八氟戊基、十三氟己基、2，2，3，3，4，4，5，5，6，6，6-十一氟己基、2，2，3，3，4，4，5，5，6，6-十氟己基、3，3，4，4，5，5，6，6，6-九氟己基等。
作为碳数3～20的环烷基的具体例，可列举环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基等。
作为碳数6～20的双环烷基的具体例，可列举双环丙基、双环丁基、双环戊基、双环己基、双环庚基、双环辛基、双环壬基等。
作为碳数2～20的烯基的具体例，可列举乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、5-己烯基、6-庚烯基、7-辛烯基、3，7-二甲基-6-辛烯基、8-壬烯基、9-癸烯基、10-十一碳烯基、11-十二碳烯基、12-十三碳烯基、13-十四碳烯基、14-十五碳烯基、15-十六碳烯基、16-十七碳烯基、17-十八碳烯基、18-十九碳烯基、19-二十碳烯基等。
作为碳数2～20的炔基的具体例，可列举乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、1-甲基-2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、2-戊炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、2-己炔基、3-己炔基、4-己炔基、5-己炔基、6-庚炔基、7-辛炔基、3，7-二甲基-6-辛炔基、8-壬炔基、9-癸炔基、10-十一碳炔基、11-十二碳炔基、12-十三碳炔基、13-十四碳炔基、14-十五碳炔基、15-十六碳炔基、16-十七碳炔基、17-十八碳炔基、18-十九碳炔基、19-二十碳炔基等。
作为碳数6～20的芳基的具体例，可列举苯基、α-萘基、β-萘基、蒽基、菲基、邻-联苯基、间-联苯基、对-联苯基等。
作为碳数7～20的芳烷基的具体例，可列举苄基、苯基乙基、苯基丙基、萘基甲基、萘基乙基、萘基丙基等。
作为碳数1～20的酰基的具体例，可列举甲酰基、乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、戊酰基、异戊酰基、苯甲酰基等。
这些中，如果考虑提高得到的薄膜的透明性的同时提高具备该薄膜的有机EL元件的特性，R1～R4优选氢原子、卤素原子、碳数1～4的烷基、碳数1～4的全氟烷基、碳数1～4的烷氧基，更优选氢原子。
上述R5～R8各自独立地表示氢原子、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、噻吩基（这些基团可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基或碳数1～20的酰基取代。）、或者上述式（2）所示的基团，但R5～R8的至少1个为氢原子。
上述式（2）中，R9～R12各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基，R13和R14各自独立地表示苯基、萘基、蒽基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、噻吩基（这些基团可相互结合而形成环，还可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基取代。）。
再有，作为R5～R14中的、卤素原子、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、碳数1～20的酰基的具体例，可列举与上述同样的基团。
这些中，如果考虑提高芳基二胺化合物对于溶剂的溶解性的同时提高得到的薄膜的均一性，优选R5和R7都为氢原子。
式（2′）中，R13'和R14'各自独立地表示苯基、萘基、蒽基、联苯基（这些基团可被卤素原子、碳数1～4的烷基、碳数1～4的全氟烷基、或碳数1～4的烷氧基取代，作为具体例，可列举与上述的基团同样的基团。）。
这些中，如果考虑提高芳基二胺化合物对于溶剂的溶解性的同时提高得到的薄膜的均一性，优选R13'和R14'各自独立地为苯基或萘基，更优选都为苯基。
作为以上说明的取代基的组合，如果考虑提高得到的薄膜的透明性的同时提高具备该薄膜的有机EL元件的特性，则优选地，R5和R7都为氢原子，R6和R8各自独立地为苯基（该苯基可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基取代。）、或上述式（2）所示的基团，更优选地，R5和R7都为氢原子，R6和R8各自独立地为苯基、或者R13'和R14'都为苯基的上述式（2′）所示的基团，进一步优选地，R5和R7都为氢原子，R6和R8都为苯基。
作为式（1）中的n，为2～5的整数，如果考虑化合物的获得容易性、制造的容易性、成本方面等，优选2～4，如果考虑提高在溶剂中的溶解性，更优选2或3，如果考虑化合物的获得容易性、制造的容易性、制造成本、在溶剂中的溶解性、得到的薄膜的透明性等的平衡，最优选2。
作为以上说明的各种取代基与n的组合，如果考虑提高得到的薄膜的透明性的同时提高具有该薄膜的有机EL元件的特性，优选地，R5和R7都为氢原子，R6和R8各自独立地为苯基（该苯基可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基取代。）、或上述式（2）所示的基团，并且n为2或3，更优选地，R5和R7都为氢原子，R6和R8各自独立地为苯基、或R13'和R14'都为苯基的上述式（2′）所示的基团，并且n为2，如果进一步考虑化合物的获得容易性，最优选地，R5和R7都为氢原子，R6和R8都为苯基，并且n为2。
作为上述式（1）所示的芳基二胺化合物的具体例，可列举下述的实例，但并不限定于这些。
[化5]
这些化合物可使用市售品，也可使用采用以二氨基联苯胺、二氨基三联苯等作为出发原料的公知的方法制造的产物，但在任何情况下都优选使用在调制电荷传输性清漆前通过重结晶、蒸镀法等精制的产物。
通过使用精制的产物，能够进一步提高具备由该清漆得到的薄膜的有机EL元件的特性。
通过重结晶精制的情况下，作为溶剂，能够使用例如1，4-二
烷、四氢呋喃等。
式（1）所示的芳基二胺化合物的分子量并无特别限定，如果考虑导电性的方面，作为下限，通常为200以上，优选为300以上，如果考虑对于溶剂的溶解性提高的方面，作为上限，通常为5000以下，优选为2000以下。
本发明的电荷传输性清漆中，式（1）所示的化合物可单独使用从式（1）所示的芳基二胺化合物中选择的1种化合物（即，分子量分布的分散度为1），也可将2种以上的化合物组合使用。
另一方面，作为用于本发明的电荷传输性清漆的另一种成分的电子接受性掺杂剂物质，只要溶解于在清漆中使用的至少一种溶剂，则并无特别限定。
作为电子接受性掺杂剂物质的具体例，可列举氯化氢、硫酸、硝酸、磷酸等无机强酸；氯化铝（III）（AlCl3）、四氯化钛（IV）（TiCl4）、三溴化硼（BBr3）、三氟化硼醚络合物（BF3?OEt2）、氯化铁（III）（FeCl3）、氯化铜（II）（CuCl2）、五氯化锑（V）（SbCl5）、五氟化砷（V）（AsF5）、五氟化磷（PF5）、三（4-溴苯基）铝六氯锑酸盐（TBPAH）等路易斯酸；苯磺酸、甲苯磺酸、樟脑磺酸、羟基苯磺酸、5-磺基水杨酸、十二烷基苯磺酸、聚苯乙烯磺酸、国际公开第2005/000832号中记载的1，4-苯并二烷二磺酸化合物、国际公开第2006/025342号中记载的芳基磺酸化合物、特开2005-108828号公报中记载的二壬基萘磺酸化合物等有机强酸；7，7，8，8-四氰基醌二甲烷（TCNQ）、2，3-二氯-5，6-二氰基-1，4-苯醌（DDQ）、碘、杂多酸等有机或无机氧化剂，如果考虑得到的薄膜的透明性和具备该薄膜的有机EL元件的特性的平衡，优选芳基磺酸，更优选国际公开第2006/025342号中记载的芳基磺酸化合物，进一步优选上述式（3）所示的芳基磺酸化合物。
上述式（3）中，X表示O或S，但优选O。
A表示作为X和p个（SO3H）基以外的取代基可具有从卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基和碳数1～20的酰基中选择的1个以上的取代基的萘环或蒽环，特别优选萘环或蒽环。
B表示2价或3价的苯环、2价的对-苯二亚甲基、2价或3价的萘环、2～4价的全氟联苯基、或2价的2，2-双（（羟基丙氧基）苯基）丙基。
作为A和B中的、各取代基的具体例，可列举与上述同样的基团。
p表示与A键合的磺酸基数，是满足1～4的整数。
q表示B与X的键合数，是满足2～4的整数。
此外，从维持具备得到的薄膜的有机EL元件的特性，同时防止电荷传输性清漆中的固形分的凝聚的方面出发，作为电子接受性掺杂剂物质，优选将芳基磺酸化合物和杂多酸并用。
杂多酸化合物是代表性地由式（A）所示的Keggin型或式（B）所示的Dawson型的化学结构所示的、具有杂原子位于分子的中心的结构、作为钒（V）、钼（Mo）、钨（W）等的氧酸的同多酸与异种元素的氧酸缩合而成的缩多酸。
作为这样的异种元素的氧酸，主要可列举硅（Si）、磷（P）、砷（As）的氧酸。
[化6]
作为杂多酸化合物的具体例，可列举磷钼酸、硅钼酸、磷钨酸、磷钨钼酸、硅钨酸等，如果考虑具备得到的薄膜的有机EL元件的特性，优选磷钼酸、磷钨酸、硅钨酸，更优选磷钨酸。
再有，这些杂多酸化合物可采用公知的合成法合成而使用，也可作为市售品而获得。例如，磷钨酸（Phosphotungstic acid hydrate、或12Tungsto Phosphoric Acid n-hydrate，化学式：H3（PW12O40）?nH2O）、磷钼酸（Phosphomolybdic acid hydrate、或12Molybdo（VI）phosphoric acid n-hydrate，化学式：H3（PMo12O40）?nH2O（n≒30））可从关东化学（株）、和光纯药（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）、日本无机化学工业（株）、日本新金属（株）等制造商获得。
作为构成本发明的电荷传输性清漆的固形分（电荷传输性物质与电子接受性掺杂剂物质）的组合，如果考虑得到的薄膜的透明性和具备该薄膜的有机EL元件的特性的平衡以及化合物的获得容易性，优选N，N′-二苯基联苯胺（电荷传输性物质、下同）和芳基磺酸化合物（电子接受性掺杂剂物质、下同）的组合，更优选N，N′-二苯基联苯胺与式（3）所示的芳基磺酸化合物的组合。
此外，考虑防止固形分的凝聚，再现性良好地制造平坦性高的薄膜，更优选N，N′-二苯基联苯胺与由芳基磺酸化合物、优选地式（3）所示的芳基磺酸化合物和杂多酸、优选地磷钨酸的2成分组成的电子接受性掺杂剂的组合。
此外，使用芳基磺酸化合物作为电子接受性掺杂剂物质的情况下，电子接受性掺杂剂物质的物质量（mol）比，通常，相对于电荷传输性物质1，为0.1～10，如果考虑再现性良好地得到具有高透明性的薄膜，优选为0.5～1.5。
而且，作为电子接受性掺杂剂物质，与芳基磺酸化合物一起使用杂多酸的情况下，如果考虑再现性良好地得到具有高透明性的薄膜，电子接受性掺杂剂物质（芳基磺酸化合物的质量与磷钨酸的质量的合计）的质量比，相对于电荷传输性物质1，优选为1.0～4.0，更优选为1.5～3.5，该电荷传输性物质与电子接受性掺杂剂物质的质量比的条件下，如果考虑再现性良好地制造具备优异的发光特性的有机EL元件，电子接受性掺杂剂物质中，芳基磺酸的质量比，相对于杂多酸1，优选为0.2～6.0，更优选为0.25～5.0，进一步优选为0.3～3.0。
作为调制电荷传输性清漆时使用的溶剂，能够使用能良好地溶解二芳基胺化合物和电子接受性掺杂剂物质的高溶解性溶剂。作为这样的高溶解性溶剂，能够使用例如N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、二甘醇单甲基醚等有机溶剂。这些溶剂可1种单独使用，或者将2种以上混合使用，其使用量相对于清漆中使用的溶剂全体，能够为5～100质量%。
再有，优选地，二芳基胺化合物和电子接受性掺杂剂物质都在上述溶剂中完全地溶解，或者成为了均匀分散的状态。
此外，通过使本发明的电荷传输性清漆中含有在20℃下具有10～200mPa?s、特别地35～150mPa?s的粘度、常压下沸点为50～300℃、特别地150～250℃的高粘度有机溶剂中的至少一种，清漆的粘度的调节变得容易，再现性良好地形成平坦性高的薄膜，根据使用的涂布方法的清漆调整变得容易。
作为高粘度有机溶剂，并无特别限定，可列举例如环己醇、乙二醇、乙二醇二缩水甘油醚、1，3-辛二醇、二甘醇、一缩二丙二醇、三甘醇、二缩三丙二醇、1，3-丁二醇、2，3-丁二醇、1，4-丁二醇、丙二醇、己二醇等。
相对于本发明的清漆中使用的全体溶剂，高粘度有机溶剂的添加比例优选为固体不析出的范围内，只要固体不析出，添加比例优选为5～80质量%。
此外，为了对于基板的润湿性的提高、溶剂的表面张力的调整、极性的调整、沸点的调整等目的，也可相对于清漆中使用的全体溶剂，以1～90质量%、优选地1～50质量%的比例混合其他的溶剂。
作为这样的溶剂，可列举例如乙二醇单丁基醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇二甲基醚、二甘醇单乙基醚醋酸酯、二甘醇单丁基醚醋酸酯、一缩二丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚醋酸酯、二甘醇单乙基醚、双丙酮醇、γ-丁内酯、乳酸乙酯、醋酸正己酯等，但并不限定于这些。这些溶剂可1种单独地使用，或者将2种以上混合使用。
通过在基材上涂布以上说明的电荷传输性清漆，使溶剂蒸发，能够在基材上形成电荷传输性薄膜。
作为清漆的涂布方法，并无特别限定，可列举浸渍法、旋涂法、转印印刷法、辊涂法、刷毛涂布、喷墨法、喷涂法等。
作为溶剂的蒸发法，也无特别限定，例如，可使用热板、烘箱，在适当的气氛下、即大气、氮等非活性气体、真空中等使其蒸发。由此能够得到具有均匀的成膜面的薄膜。
烧成温度，只要能够使溶剂蒸发，则并无特别限定，优选40～250℃。这种情况下，为了体现更高的均一成膜性，在基材上使反应进行，优选施加2阶段以上的温度变化。
电荷传输性薄膜的膜厚并无特别限定，在有机EL元件内用作电荷注入层的情形下优选5～200nm。作为使膜厚变化的方法，有使清漆中的固形分浓度变化、或者使涂布时的基板上的溶液量变化等方法。
作为使用本发明的电荷传输性清漆制作OLED元件时的使用材料、制作方法，可列举下述的使用材料、制作方法，但并不限定于这些。
使用的电极基板优选预先采用洗剂、醇、纯水等进行液体洗净而净化，例如，对于阳极基板，优选在使用前即刻进行UV臭氧处理、氧-等离子体处理等表面处理。不过，阳极材料以有机物作为主成分的情况下，可不进行表面处理。
将本发明的电荷传输性清漆作为空穴传输性清漆在OLED元件中使用的情况下，可列举以下的方法。
在阳极基板上涂布该空穴传输性清漆，采用上述的方法进行蒸发、烧成，在电极上制作空穴传输性薄膜。将其导入真空蒸镀装置内，依次蒸镀空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极金属而形成OLED元件。为了控制发光区域，可在任意的层间设置载流子阻挡层。
作为阳极材料，可列举以铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）为代表的透明电极，优选进行了平坦化处理。也能够使用具有高电荷传输性的聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物。
作为形成空穴传输层的材料，可列举（三苯基胺）二聚体衍生物（TPD）、（α-萘基二苯基胺）二聚体（α-NPD）、[（三苯基胺）二聚体]螺二聚体（Spiro-TAD）等三芳基胺类、4，4’，4”-三[3-甲基苯基（苯基）氨基]三苯基胺（m-MTDATA）、4，4’，4”-三[1-萘基（苯基）氨基]三苯基胺（1-TNATA）等星形胺类、5，5”-双-｛4-[双（4-甲基苯基）氨基]苯基｝-2，2’：5’，2”-三联噻吩（BMA-3T）等低聚噻吩类等。
作为形成发光层的材料，可列举三（8-羟基喹啉）铝（III）（Alq3）、双（8-羟基喹啉）锌（II）（Znq2）、双（2-甲基-8-羟基喹啉）（对-苯基苯酚）铝（III）（BAlq）和4，4’-双（2，2-二苯基乙烯基）联苯（DPVBi）等，可通过将电子传输材料或空穴传输材料和发光性掺杂剂共蒸镀，形成发光层。
作为电子传输材料，可列举Alq3、BAlq、DPVBi、（2-（4-联苯基）-5-（4-叔-丁基苯基）-1，3，4-
二唑）（PBD）、三唑衍生物（TAZ）、浴铜灵（BCP）、シロール衍生物等。
作为发光性掺杂剂，可列举喹吖啶酮、红荧烯、香豆素540、4-（二氰基亚甲基）-2-甲基-6-（对-二甲基氨基苯乙烯基）-4H-吡喃（DCM）、三（2-苯基吡啶）铱（III）（Ir（ppy）3）、（1，10-菲咯啉）-三（4，4，4-三氟-1-（2-噻吩基）-丁烷-1，3-二酮）铕（III）（Eu（TTA）3phen）等。
作为形成载流子阻挡层的材料，可列举PBD、TAZ、BCP等。
作为形成电子注入层的材料，可列举氧化锂（Li2O）、氧化镁（MgO）、氧化铝（Al2O3）、氟化锂（LiF）、氟化镁（MgF2）、氟化锶（SrF2）、Liq、Li（acac）、醋酸锂、苯甲酸锂等。
作为阴极材料，可列举铝、镁-银合金、铝-锂合金、锂、钠、钾、铯等。
使用本发明的电荷传输性清漆的PLED元件的制作方法并无特别限定，可列举以下的方法。
上述OLED元件制作中，通过替代进行空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的真空蒸镀操作而形成发光性电荷传输性高分子层，能够制作包含由本发明的电荷传输性清漆形成的电荷传输性薄膜的PLED元件。
具体地，在阳极基板上涂布电荷传输性清漆（空穴传输性清漆），采用上述的方法制作空穴传输性薄膜，在其上部形成发光性电荷传输性高分子层，进而蒸镀阴极电极，形成PLED元件。
作为使用的阴极和阳极材料，能够使用与上述OLED元件制作时同样的材料，能够进行同样的洗净处理、表面处理。
作为发光性电荷传输性高分子层的形成法，可列举如下方法：在发光性电荷传输性高分子材料、或其中加入了发光性掺杂剂的材料中加入溶剂溶解，或者均匀分散，涂布于形成有空穴注入层的电极基板后，通过溶剂的蒸发而成膜。
作为发光性电荷传输性高分子材料，可列举聚（9，9-二烷基芴）（PDAF）等聚芴衍生物、聚（2-甲氧基-5-（2’-乙基己氧基）-1，4-亚苯基亚乙烯基）（MEH-PPV）等聚亚苯基亚乙烯基衍生物、聚（3-烷基噻吩）（PAT）等聚噻吩衍生物、聚乙烯基咔唑（PVCz）等。
作为溶剂，能够列举甲苯、二甲苯、氯仿等，作为溶解或均匀分散法，可列举搅拌、加热搅拌、超声波分散等方法。
作为涂布方法，并无特别限定，可列举喷墨法、喷涂法、浸渍法、旋涂法、转印印刷法、辊涂法、刷毛涂布等。再有，涂布优选在氮、氩等非活性气体下进行。
作为溶剂的蒸发法，可列举在非活性气体下或真空中用烘箱或热板加热的方法。
实施例
以下列举实施例和比较例，对本发明更具体地说明，但本发明并不受下述的实施例限制。
再有，以下对于基板洗净，使用长州产业（株）制基板洗净装置（减压等离子体方式），对于清漆涂布，使用ミカサ（株）制旋涂器MS-A100，对于膜厚测定，使用（株）小坂研究所制微细形状测定机サーフコーダET-4000，对于透射率测定，使用（株）岛津制作所制可见紫外线吸收光谱测定装置UV-3100PC。
此外，对于OLED元件的制作，使用长州产业（株）制多功能蒸镀装置系统C-E2L1G1-N，对于OLED元件的亮度等元件特性的测定，使用（有）テック·ワールド制I-V-L测定系统，对于OLED元件的寿命测定，使用（株）イーエッチシー制有机EL亮度寿命评价系统PEL-105S。
[1]电荷传输性清漆和电荷传输性薄膜制作以及薄膜的透明性评价
[合成例1]
对于实施例和比较例中使用的NSO-2，基于国际公开第2006/025342号的记载，按照下述反应式合成。
[化7]
在充分干燥的1-萘酚-3，6-二磺酸钠11g（31.59mmol）中，在氮气氛下依次加入全氟联苯4.797g（14.36mol）、碳酸钾4.167g（30.15mol）和N，N-二甲基甲酰胺100ml，将反应系进行氮置换后，在内温100℃下搅拌6小时。
放冷到室温后，为了使反应后析出的NSO-2再溶解，进一步加入500ml的N，N-二甲基甲酰胺，进行室温搅拌90分钟。室温搅拌后，将该溶液过滤，将碳酸钾残渣除去，减压浓缩。进而，为了将残存的杂质除去，在残渣中加入甲醇100ml，进行室温搅拌。在室温下搅拌30分钟后，将悬浮溶液过滤，将滤物滤取。在滤物中加入超纯水300ml而溶解，通过使用了阳离子交换树脂ダウエックス650C（ダウ?ケミカル社制、H型约200ml、馏出溶剂：超纯水）的柱色谱进行离子交换。
将pH1以下的级分在减压下浓缩干固，将残渣在减压下干固，得到了黄色粉末11g（收率85%）。
[比较合成例1]
比较例中使用的N，N’-二（1-正丁基）-N，N’-二苯基-联苯胺（DPBZ-C4），按照以下的反应式合成。
[化8]
在氮置换的反应容器中，在N，N′-二苯基联苯胺（东京化成工业（株）制、以下简称为DPBZ）5.0g中加入了N，N-二甲基甲酰胺50ml。向其中加入氢化钠2.6g(和光纯药（株）制、纯度60%)，在室温下搅拌10分钟，接下来，滴入1-碘丁烷13g，在室温下搅拌19小时后，加入异丙醇和甲苯的混合溶剂，使反应停止。
然后，使用离子交换水进行分液处理，从得到的有机层将溶剂蒸发除去，浓缩。在浓缩液中加入活性炭和甲苯，在50℃下搅拌30分钟后，从通过过滤将活性炭除去而得到的滤液中将溶剂蒸发除去。将得到的固体在减压下干燥，向其中加入正己烷，进行浆料洗净后，将洗净的固体再次在减压下干燥，得到了粉末4.3g（收率65%）。
1H NMR(300MHz,CDCl3)δ7.45(d,J=8.4Hz,4H),7.24-7.29(m,4H),6.92-7.04(m,10H),3.71(t,J=7.5Hz,4H),1.62-1.73(m,4H),1.32-1.44(m,4H),0.93(t,J=7.5Hz,6H)。
[实施例1-1]
使用1，4-二
烷将式[1]所示的N，N′-二苯基联苯胺（东京化成工业（株）制、以下简称为DPBZ）重结晶，然后，在减压下充分干燥。使减压干燥的DPBZ0.244g（0.726mmol）和NSO-20.246g（0.272mol）在氮气氛下溶解于1，3-二甲基-2-咪唑啉酮（以下简称为DMI）8g。在得到的溶液中加入环己醇（以下简称为CHA）12g和丙二醇（以下简称为PG）4g，搅拌，调制电荷传输性清漆（固形分2.0质量%）。
使用旋涂器将得到的清漆涂布于石英基板后，在大气中、50℃下干燥5分钟，进而在230℃下烧成15分钟，在石英基板上形成了膜厚30nm的均匀的薄膜。
再有，石英基板在使用等离子体洗净装置（150W、30秒）将表面上的杂质除去后使用（下同）。
[化9]
[实施例1-2]
除了使DPBZ的使用量为0.163g（0.485mmol），代替NSO-20.246g而使用了NSO-20.229g（0.253mmol）和磷钨酸（关东化学（株）制）0.098g（0.034mmol）以外，采用与实施例1-1同样的方法在石英基板上形成了膜厚30nm的均匀的薄膜。
[实施例1-3～1-6]
除了使NSO-2的使用量和磷钨酸的使用量分别为0.196g（0.217mmol）、0.131g（0.045mmol）（实施例1-3）、0.163g（0.181mmol）、0.163g（0.057mmol）（实施例1-4）、0.131g（0.145mmol）、0.196g（0.068mmol）（实施例1-5）、0.098g（0.109mmol）、0.229g（0.079mmol）（实施例1-6）以外，采用与实施例1-2同样的方法在石英基板上形成了膜厚30nm的均匀的薄膜。
[实施例1-7～1-9]
除了使DPBZ的使用量、NSO-2的使用量和磷钨酸的使用量分别为0.122g（0.364mmol）、0.184g（0.203mmol）、0.184g（0.064mmol）（实施例1-7）、0.122g（0.364mmol）、0.147g（0.163mmol）、0.220g（0.077mmol）（实施例1-8）、0.122g（0.364mmol）、0.110g（0.122mmol）、0.257g（0.089mmol）（实施例1-9）以外，采用与实施例1-2同样的方法在石英基板上形成了膜厚30nm的均匀的薄膜。
[比较例1]
使按照国际公开第2008/032616号记载的方法制造的式[2]所示的双（4-二苯基氨基）-2，2′-二甲基-4，4′-二氨基联苯（以下简称为BDDMD）0.185g（0.338mmol）和NSO-20.305g（0.338mmol）在氮气氛下完全溶解于DMI8g。在得到的溶液中加入CHA12g和PG4g，搅拌，调制电荷传输性清漆（固形分2.0质量%）。
使用旋涂器将得到的清漆涂布于石英基板后，与实施例1-1同样地干燥和烧成，在石英基板上形成了膜厚30nm的均匀的薄膜。
[化10]
[比较例2]
使按照国际公开第2008/032616号记载的方法制造的式[3]所示的（4-二苯基氨基）-4，4′-二氨基二苯基醚（以下简称为BDDE）和NSO-20.308g（0.341mmol）在氮气氛下完全溶解于DMI8g。在得到的溶液中加入CHA12g和PG4g，搅拌，调制电荷传输性清漆（固形分2.0质量%）。
使用旋涂器将得到的清漆涂布于石英基板后，与实施例1-1同样地进行干燥和烧成，在石英基板上形成了膜厚30nm的均匀的薄膜。
[化11]
[比较例3]
使比较合成例1中合成的式[4]所示的DPBZ-C40.279g（0.622mmol）和NSO-20.211g（0.233mmol）在氮气氛下溶解于DMI8g。在得到的溶液中加入CHA12g和PG4g，搅拌，调制电荷传输性清漆（固形分2.0质量%）。
使用旋涂器将得到的清漆涂布于石英基板后，与实施例1-1同样地干燥和烧成，在石英基板上形成了膜厚30nm的均匀的薄膜。
[化12]
测定上述实施例1-1～1-9和比较例1～3中制作的薄膜的透射率。透射率是对作为可见区域的波长400～800nm进行扫描。将其结果示于图1、2，将400、500、600、700和800nm下的各透射率以及400～800nm的平均透射率示于表1。
[表1]
如图1、2和表1中所示那样，在可见区域中，实施例1-1～1-9中制作的薄膜与比较例1、2中制作的薄膜相比，显示高的透射率。
作为透明性提高的理由，认为实施例的薄膜中所含的DPBZ没有形成比较例1、2中使用的BDDMD、BDDE能形成的、认为是透明性下降的要因的醌式结构。
这也从使用具有与DPBZ极其类似的结构、同样没有形成醌式结构的DPBZ-C6制作的薄膜（比较例3）具有高透明性得到暗示。
再有，所谓醌式结构，是芳香族化合物的碳环内的双键减少一个、取而代之在对或邻位具有2个环外双键的结构。例如，如果是具有彼此位于对位的2个氨基的芳基二胺化合物，成为式[5]所示的结构。
[化13]
（Y1和Y2各自表示任意的取代基。）
[2]电荷传输性薄膜的电特性的评价
将在表面上以膜厚150nm将铟锡氧化物图案化的25mm×25mm×0.7t的玻璃基板（以下简称为ITO基板）用于评价电特性时的基板。ITO基板在使用O2等离子体洗净装置（150W、30秒）将表面上的杂质除去后使用。
[实施例2-1]
使用旋涂器将实施例1-1中得到的清漆涂布到ITO基板后，在50℃下干燥5分钟，进而在230℃下烧成15分钟，在ITO基板上形成了30nm的均匀的薄膜。
接下来，对于形成了薄膜的ITO基板，使用蒸镀装置形成铝薄膜，得到了单层元件。铝薄膜的膜厚为120nm，蒸镀在真空度1.3×10-3Pa、蒸镀速率0.2nm/秒的条件下进行。
再有，为了防止空气中的氧、水等的影响造成的特性劣化，单层元件在用密封基板密封后，对其特性进行了评价。密封按照以下的顺序进行。
在氧浓度2ppm以下、露点-85℃以下的氮气氛中，将单层元件放入密封基板之间，用粘合材料将密封基板贴合。此时，将作为保水剂的ダイニック（株）制HD-071010W-40与单层元件一起放入密封基板内。作为粘合材料，使用了ナガセケムテックス（株）制XNR5516Z-B1。
对于贴合的密封基板，照射UV光（波长：365nm、照射量：6000mJ/cm2）后，在80℃下进行1小时退火处理，使粘合材料固化。
[比较例4、5]
除了分别使用了比较例1、2中得到的清漆以外，采用与实施例2-1同样的方法制作了单层元件。
对于上述实施例2-1和比较例4、5中制作的单层元件，进行了电流密度的测定。将电压-电流密度的坐标图示于图3，将驱动电压3V下的电流密度示于表2。
[表2]
如图3和表2中所示可知，实施例2-1的单层元件与比较例4、5的单层元件相比，显示高的电流密度。
聚苯胺等聚芳基胺化合物中，通常，认为分子中的醌式结构对薄膜的电导率提高贡献大，鉴于此，使用实施例1-1的清漆中所含的、不形成醌式结构的DPBZ这样的化合物制作电荷传输性薄膜的情况下，推测其导电性显著地下降。
但是，由上述图3和表2的数据显示，包含DPBZ的薄膜尽管不能形成醌式结构，与包含形成醌式结构的BDDMD和BDDE的薄膜相比，发挥优异的导电性，可知获得了与上述推测不同的结果。
如上所述，由实施例1-1的清漆得到的薄膜显示高透明性，而且尽管不能形成醌式结构，但发挥高导电性。
[3]OLED元件的制作及其特性评价
[实施例3-1]
使用实施例1-1中得到的清漆和与实施例2-1同样的基板，采用与实施例2-1同样的方法在ITO基板上形成了30nm的均一的薄膜。
对于形成了薄膜的ITO基板，使用蒸镀装置，依次层叠α-NPD、Alq3、氟化锂和铝的薄膜，得到了OLED元件。膜厚分别为30nm、40nm、0.5nm和120nm，在真空度1.3×10-3Pa、蒸镀速率对于LiF为0.02nm/秒，对于其以外的材料为0.2nm/秒的条件下进行了蒸镀。
再有，OLED元件采用与实施例2-1同样的方法进行了密封。
[实施例3-2～3～9]
除了分别使用了实施例1-2～1-9中得到的清漆以外，采用与实施例3-1同样的方法制作OLED元件。
[比较例6～8]
除了分别使用了比较例1～3中得到的清漆以外，采用与实施例3-1同样的方法制作OLED元件。
[比较例9]
代替使用清漆形成薄膜而采用以DPBZ作为蒸镀源的蒸镀法（蒸镀速率0.2nm/秒）在ITO基板上形成了只由DPBZ构成的30nm的均一的薄膜以外，采用与实施例3-1同样的方法制作OLED元件。
使用电流-电压-亮度测定系统测定了实施例3-1～3-9和比较例6～9中得到的OLED元件的电特性。将电压-电流密度的特性示于图4、5中，将电压-亮度特性示于图6、7中。此外，将驱动电压5V下的电流密度和亮度示于表3。
[表3]
如表3和图6、7中所示那样，实施例3-1～3-9中制作的OLED元件与比较例6～9中制作的元件相比，显示高的亮度，特别地，与使用了具有与实施例中使用的化合物极其类似的结构的化合物（式[4]）的比较例8中制作的元件比较，也显示良好的亮度特性。此外，使用了只由DPBZ构成的蒸镀薄膜的比较例9中制作的元件几乎不发光。
判明使用实施例1-1～1-9的清漆制作的薄膜具有优异的透明性，但如表3和图6、7中所示可知，通过将上述式[1]所示的化合物和电子接受性掺杂剂物质组合使用，首次能够制造能够实现优异的透明性和优异的亮度特性的薄膜。
接下来，使用有机EL亮度寿命评价系统PEL-105S进行了实施例3-1～3-3和比较例6～8中得到的OLED元件的寿命特性的评价。
将驱动电压对于驱动时间的行为示于图8，将亮度对于驱动时间的衰减（将初期亮度设为1）示于图9，将各OLED元件的初期亮度、驱动电流、半衰期、初期和亮度半衰驱动电压、以及电压上升值示于表4。
[表4]
如图8、9和表4中所示可知，比较例6～8中制作的元件的亮度的半衰期为1～25小时左右，特别地，使用了具有与实施例中使用的化合物极其类似的结构的化合物（式[4]）的比较例8中制作的元件的耐久性显著地低，而实施例3-1～3-3中制作的OLED元件的亮度的半衰期为280～320小时左右，耐久性优异。
因此可知，实施例3-1～3-3中制作的OLED元件不仅具有良好的发光特性，而且还具有高耐久性。
Claims (14)
1.电荷传输性清漆，其特征在于，包含式（1）所示的芳基二胺化合物、电子接受性掺杂剂物质和溶剂，
[化1]
式中，R1～R4各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基，
R5～R8各自独立地表示氢原子、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、噻吩基（这些基团可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基或碳数1～20的酰基取代）、或者式（2）所示的基团，其中，R5～R8的至少1个为氢原子，
[化2]
式中，R9～R12各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基，
R13和R14各自独立地表示苯基、萘基、蒽基、吡啶基、嘧啶基、哒嗪基、吡嗪基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、噻吩基（这些基团可相互结合而形成环，还可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基取代，
n表示2～5的整数。
2.权利要求1所述的电荷传输性清漆，其中，上述R5和R7为氢原子，上述R6和R8各自独立地为苯基（该苯基可被卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基、或碳数1～20的酰基取代）、或上述式（2）所示的基团。
3.权利要求1或2所述的电荷传输性清漆，其中，上述R1～R4各自独立地为氢原子、卤素原子、碳数1～4的烷基、碳数1～4的全氟烷基、或碳数1～4的烷氧基，上述R5和R7为氢原子，上述R6和R8各自独立地为苯基、或式（2′）所示的基团，
[化3]
式中，R13'和R14'各自独立地表示苯基、萘基、蒽基、联苯基，这些基团可被卤素原子、碳数1～4的烷基、碳数1～4的全氟烷基、或碳数1～4的烷氧基取代。
4.权利要求1～3的任一项所述的电荷传输性清漆，其中，上述n为2或3。
5.权利要求1～4的任一项所述的电荷传输性清漆，其中，上述电子接受性掺杂剂物质包含芳基磺酸化合物。
6.权利要求1～5的任一项所述的电荷传输性清漆，其中，上述电子接受性掺杂剂物质是芳基磺酸化合物与杂多酸化合物的组合。
7.权利要求5或6所述的电荷传输性清漆，其中，上述芳基磺酸化合物由式（3）表示，
[化4]
式中，X表示O或S，A表示作为X和p个（SO3H）基以外的取代基可具有从卤素原子、硝基、氰基、羟基、硫醇基、磷酸基、磺酸基、羧基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数3～20的环烷基、碳数6～20的双环烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基和碳数1～20的酰基中选择的1个以上的取代基的萘环或蒽环，
B表示2价或3价的苯环、2价的对-苯二亚甲基、2价或3价的萘环、2～4价的全氟联苯基、或2价的2，2-双（（羟基丙氧基）苯基）丙基，
p表示与A键合的磺酸基数，是满足1～4的整数，
q表示B与X的键合数，是满足2～4的整数。
8.权利要求7所述的电荷传输性清漆，其中，上述X表示O，上述A表示萘环或蒽环。
9.由权利要求1～8的任一项所述的电荷传输性清漆制作的电荷传输性薄膜。
10.有机电致发光元件，其具备权利要求9所述的电荷传输性薄膜。
11.权利要求10所述的有机电致发光元件，其中，上述电荷传输性薄膜为空穴注入层或空穴传输层。
12.有机电致发光元件的制造方法，其具有使用权利要求1所述的电荷传输性清漆制作电荷传输性薄膜的工序。
13.权利要求12所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，上述电荷传输性薄膜为空穴注入层或空穴传输层。
14.权利要求12所述的有机电致发光元件的制造方法，其中，上述制作电荷传输性薄膜的工序包括采用旋涂法、喷涂法、喷墨法或缝隙涂布法涂布上述电荷传输性清漆来制膜的工序。
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