CN108352452B - 有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物 - Google Patents

有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物 Download PDF

Info

Publication number
CN108352452B
CN108352452B CN201680064449.1A CN201680064449A CN108352452B CN 108352452 B CN108352452 B CN 108352452B CN 201680064449 A CN201680064449 A CN 201680064449A CN 108352452 B CN108352452 B CN 108352452B
Authority
CN
China
Prior art keywords
group
carbon atoms
composition
trapping layer
photoelectric conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201680064449.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108352452A (zh
Inventor
吉本卓司
大岛寿郎
菅原峻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissan Chemical Corp
Original Assignee
Nissan Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissan Chemical Corp filed Critical Nissan Chemical Corp
Publication of CN108352452A publication Critical patent/CN108352452A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108352452B publication Critical patent/CN108352452B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/02—Polyamines
    • C08G73/026—Wholly aromatic polyamines
    • C08G73/0266—Polyanilines or derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/02—Polyamines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H10K30/353—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains comprising blocking layers, e.g. exciton blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/12—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances organic substances
    • H01B1/124—Intrinsically conductive polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

包含包括由式(1)表示的聚苯胺衍生物的电荷传输性物质和溶剂的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物给予适于有机光电转换元件的空穴捕集层的薄膜，也可应用于倒层叠型有机光电转换元件的制作。{R1～R6各自独立地表示氢原子等，但R1～R4中的一个为磺酸基，剩余的R1～R4中的一个以上为碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数1～20的卤代烷基、碳数6～20的芳基或碳数7～20的芳烷基，m和n为满足0≤m≤1、0≤n≤1且m+n＝1的数。}

Description

有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物
技术领域
本发明涉及有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物。
背景技术
有机太阳能电池是在活性层、电荷传输物质中使用了有机物的太阳能电池元件，由M.
Figure BDA0001649646700000011
开发的色素增感太阳能电池和由C.W.Tang开发的有机薄膜太阳能电池广为所知(非专利文献1、2)。
从都为轻质-薄膜、可柔性化的方面、可采用卷对卷生产的方面等具有与现在主流的无机系太阳能电池不同的特长出发，期待着新的市场形成。
其中，有机薄膜太阳能电池(以下也有时简写为OPV)具有不含电解质、不含重金属化合物等特长，而且出于最近由UCLA等的小组进行了光电转换效率(以下简称为PCE)10.6％的报道等原因，汇集了大量的关注(非专利文献3)。
另一方面，有机薄膜太阳能电池与现有的使用了硅系材料的光电转换元件相比，由于在低照度下也显示高的光电转换效率、可实现元件的薄化和像素微细化、可兼具滤色器的性质等特长，因此不仅是太阳能电池用途，而且作为以图像传感器为首的光传感器用途也受到了关注(专利文献1、2、非专利文献4)。以下针对有机薄膜太阳能电池，包含光传感器等用途在内统称为有机光电转换元件(以下也有时简称为OPV)。
有机光电转换元件具有活性层(光电转换层)、电荷(空穴、电子)捕集层和电极(阳极、阴极)等而构成。
这些中，活性层和电荷捕集层一般采用真空蒸镀法形成，但真空蒸镀法在大量生产工艺产生的复杂性、装置的高成本化、材料的利用效率等方面存在问题。
从这些方面出发，也有时将PEDOT/PSS等这样的水分散性高分子有机导电材料用作空穴捕集层用的涂布型材料，但存在如下问题：由于为水分散液，因此水分的完全的除去、再吸湿的控制困难，容易使元件的劣化加速。
并且PEDOT/PSS水分散液具有固体成分容易凝聚的性质，因此具有容易产生涂布膜的缺陷、容易发生涂布装置的阻塞、腐蚀的问题，而且在耐热性这样的方面也不充分，在大量生产化上留有各种课题。
现有技术文献
非专利文献
专利文献1：日本特开2003-234460号公报
专利文献2：日本特开2008-258474号公报
非专利文献1：Nature,vol.353,737-740(1991)
非专利文献2：Appl.Phys.Lett.,Vol.48,183-185(1986)
非专利文献3：Nature Photonics Vol.6,153-161(2012)
非专利文献4：Scientific Reports,Vol.5:7708,1-7(2015)
发明内容
发明要解决的课题
本发明鉴于上述实际情况而完成，目的在于提供给予适于有机光电转换元件的空穴捕集层的薄膜、也可应用于倒层叠型有机光电转换元件的制作的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物。
用于解决课题的手段
本发明人为了实现上述目的反复深入研究，结果发现：含有用烷氧基等规定的电子给予性取代基取代的苯胺磺酸及其衍生物作为重复单元的聚合物显示高的空穴传输性，且对于活性层的腐蚀性低，对于醇、水等质子性极性溶剂显示高溶解性，形成均匀溶液，使用其通过涂布工序制成薄膜，制成了OPV元件的空穴捕集层的情况下，以高的成品率得到显示良好的PCE的OPV元件；以及在上述溶液制作时通过添加主要由氧化力高的布朗斯台德酸构成的电子接受性掺杂剂物质，从而能对得到的薄膜的HOMO能级进行控制，因此能对空穴进行有效率的捕集和传输，结果得到显示更高的PCE、显现高耐久性的OPV元件，同时发现：通过将适当的种类和量的烷氧基硅烷系材料添加到上述溶液中，从而在可对得到的薄膜赋予电子阻挡性的同时能够赋予牢固的耐溶剂性和耐水性，完成了本发明。
即，本发明提供：
1.有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其特征在于，包含：包括由式(1)表示的聚苯胺衍生物的电荷传输性物质；和溶剂，
[化1]
Figure BDA0001649646700000031
{式中，R1～R6各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、磺酸基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数1～20的卤代烷基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基或碳数1～20的酰基，R1～R4中的一个为磺酸基，剩余的R1～R4中的一个以上为碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数1～20的卤代烷基、碳数6～20的芳基或碳数7～20的芳烷基，m和n各自为满足0≤m≤1、0≤n≤1且m+n＝1的数。}
2. 1的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其中，上述R1为磺酸基，上述R4为碳数1～20的烷氧基，
3. 1或2的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其包含与上述式(1)所示的聚苯胺衍生物不同的电子接受性掺杂剂物质，
4. 3的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其中，上述电子接受性掺杂剂物质为布朗斯台德酸(
Figure BDA0001649646700000032
acid)，
5. 3或4的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其中，上述电子接受性掺杂剂物质为由式(2)表示的芳基磺酸化合物、萘三磺酸或聚苯乙烯磺酸，
[化2]
Figure BDA0001649646700000041
(式中，X表示O，A表示萘环或蒽环，B表示2～4价的全氟联苯基，l表示与A键合的磺酸基数，是满足1≤l≤4的整数，q表示B与X的键合数，是满足2～4的整数。)
6. 1～5中任一项的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其还包含烷氧基硅烷，
7. 1～6中任一项的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其中，上述有机光电转换元件为有机薄膜太阳能电池或光传感器，
8. 1～7中任一项的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其中，上述溶剂包含25℃下的粘度为10～500mPa·s的高粘度溶剂，
9. 1～8中任一项的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其中，上述溶剂只包含选自醇系溶剂和水中的1种或2种以上的溶剂，
10.使用1～9中任一项的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物而成的空穴捕集层，
11.有机光电转换元件，其具有10的空穴捕集层、和与其相接地设置的活性层，
12. 11的有机光电转换元件，其中，上述空穴捕集层的电离电势与上述活性层中所含的p型半导体的电离电势之差为0.2eV以内，
13. 11或12的有机光电转换元件，其中，上述活性层包含富勒烯衍生物，
14. 11或12的有机光电转换元件，其中，上述活性层包含在主链中含有噻吩骨架的聚合物，
15. 11或12的有机光电转换元件，其中，上述活性层包含富勒烯衍生物和在主链中含有噻吩骨架的聚合物，
16. 11～15中任一项的有机光电转换元件，其为倒层叠型(靠近基材的一侧的电极为阴极)，
17. 11～16中任一项的有机光电转换元件，其中，上述有机光电转换元件为有机薄膜太阳能电池或光传感器，
18.电荷传输性组合物，其特征在于，包含：包括由式(1)表示的聚苯胺衍生物的电荷传输性物质；与该式(1)所示的聚苯胺衍生物不同的电子接受性掺杂剂物质；和溶剂，
[化3]
Figure BDA0001649646700000051
{式中，R1～R6各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、磺酸基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数1～20的卤代烷基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基或碳数1～20的酰基，R1～R4中的一个为磺酸基，剩余的R1～R4中的一个以上为碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数1～20的卤代烷基、碳数6～20的芳基或碳数7～20的芳烷基，m和n各自为满足0≤m≤1、0≤n≤1且m+n＝1的数。}
19.18的电荷传输性组合物，其还包含烷氧基硅烷，
20.18或19的电荷传输性组合物，其中，上述电子接受性掺杂剂物质为由式(2)表示的芳基磺酸化合物、萘三磺酸或聚苯乙烯磺酸，
[化4]
Figure BDA0001649646700000052
(式中，X表示O，A表示萘环或蒽环，B表示2～4价的全氟联苯基，l表示与A键合的磺酸基数，是满足1≤l≤4的整数，q表示B与X的键合数，是满足2～4的整数。)。
发明的效果
本发明的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物不仅可使用由市场上可便宜地得到的、或者能够采用公知的方法简便地合成的聚苯胺衍生物构成的电荷传输性物质制造，而且使用了由其得到的薄膜作为空穴捕集层的情况下能够得到PCE优异的有机薄膜太阳能电池。另外，由于通过使用本发明的空穴捕集层用组合物可形成高均匀薄膜，因此通过将该高均匀薄膜作为空穴捕集层，从而能够抑制电流泄漏，将反向偏压暗电流限制得低。因此，可将由本发明的空穴捕集层用组合物制成的薄膜应用于与有机薄膜太阳能电池同样的元件结构，将少许的光子转换为电子来进行检测，因此由该组合物得到的空穴捕集层也可应用于高性能的图像传感器用途等光传感器用途。
另外，本发明中使用的由聚苯胺衍生物构成的电荷传输性物质对于醇、水等质子性极性溶剂的溶解性优异，能够使用这些对活性层不易产生不良影响的溶剂制备组合物，因此也适于在活性层上形成空穴捕集层的倒层叠型有机薄膜太阳能电池的制作。
进而，通过添加由布朗斯台德酸构成的电子接受性掺杂剂物质，从而得到显示更高的PCE、显现高耐久性的OPV元件。
具体实施方式
以下对本发明更详细地说明。
本发明的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物包含：包括由式(1)表示的聚苯胺衍生物的电荷传输性物质；和溶剂。
[化5]
Figure BDA0001649646700000061
式(1)中，R1～R6各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、磺酸基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数1～20的卤代烷基、碳数6～20的芳基、碳数7～20的芳烷基或碳数1～20的酰基，R1～R4中的一个为磺酸基，剩余的R1～R4中的一个以上为碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数1～20的卤代烷基、碳数6～20的芳基或碳数7～20的芳烷基。
作为卤素原子，可列举出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。
作为碳数1～20的烷基的具体例，可列举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等碳数1～20的链状烷基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、双环丁基、双环戊基、双环己基、双环庚基、双环辛基、双环壬基、双环癸基等碳数3～20的环状烷基等。
作为碳数2～20的烯基的具体例，可列举出乙烯基、正-1-丙烯基、正-2-丙烯基、1-甲基乙烯基、正-1-丁烯基、正-2-丁烯基、正-3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、正-1-戊烯基、正-1-癸烯基、正-1-二十碳烯基等。
作为碳数2～20的炔基的具体例，可列举出乙炔基、正-1-丙炔基、正-2-丙炔基、正-1-丁炔基、正-2-丁炔基、正-3-丁炔基、1-甲基-2-丙炔基、正-1-戊炔基、正-2-戊炔基、正-3-戊炔基、正-4-戊炔基、1-甲基-正-丁炔基、2-甲基-正-丁炔基、3-甲基-正-丁炔基、1,1-二甲基-正-丙炔基、正-1-己炔基、正-1-癸炔基、正-1-十五碳炔基、正-1-二十碳炔基等。
作为碳数1～20的烷氧基的具体例，可列举出甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、环丙氧基(c-propoxy)、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基、正十三烷氧基、正十四烷氧基、正十五烷氧基、正十六烷氧基、正十七烷氧基、正十八烷氧基、正十九烷氧基、正二十烷氧基等。
作为碳数1～20的硫代烷氧基的具体例，可列举出将上述烷氧基的氧原子用硫原子置换而成的基团等。
作为碳数1～20的硫代烷氧基(烷硫基)的具体例，可列举出甲硫基、乙硫基、正丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、正己硫基、正庚硫基、正辛硫基、正壬硫基、正癸硫基、正十一烷硫基、正十二烷硫基、正十三烷硫基、正十四烷硫基、正十五烷硫基、正十六烷硫基、正十七烷硫基、正十八烷硫基、正十九烷硫基、正二十烷硫基等。
作为碳数1～20的卤代烷基，可列举出将上述烷基中的氢原子的至少1个用卤素原子取代的基团等。再有，就卤素原子而言，氯、溴、碘、氟原子均可。其中，优选氟烷基，更优选全氟烷基。
作为其具体例，可列举出氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、七氟丙基、2,2,3,3,3-五氟丙基、2,2,3,3-四氟丙基、2,2,2-三氟-1-(三氟甲基)乙基、九氟丁基、4,4,4-三氟丁基、十一氟戊基、2,2,3,3,4,4,5,5,5-九氟戊基、2,2,3,3,4,4,5,5-八氟戊基、十三氟己基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,6-十一氟己基、2,2,3,3,4,4,5,5,6,6-十氟己基、3,3,4,4,5,5,6,6,6-九氟己基等。
作为碳数6～20的芳基的具体例，可列举出苯基、1-萘基、2-萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基等。
作为碳数7～20的芳烷基的具体例，可列举出苄基、对-甲基苯基甲基、间-甲基苯基甲基、邻-乙基苯基甲基、间-乙基苯基甲基、对-乙基苯基甲基、2-丙基苯基甲基、4-异丙基苯基甲基、4-异丁基苯基甲基、α-萘基甲基等。
作为碳数1～20的酰基的具体例，可列举出甲酰基、乙酰基、丙酰基、丁酰基、异丁酰基、戊酰基、异戊酰基、苯甲酰基等。
如上所述，本发明中使用的式(1)的聚苯胺衍生物中，R1～R4中的一个为磺酸基，剩余的R1～R4中的一个以上、优选剩余的R1～R4中的任一个是作为电子给予性基团的、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数1～20的卤代烷基、碳数6～20的芳基或碳数7～20的芳烷基，特别优选碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基，更优选碳数1～20的烷氧基，进一步优选碳数1～10的烷氧基。
对取代位置并无特别限定，本发明中，R1优选为磺酸基，另外，R4优选为碳数1～20的烷氧基。
进而，R2、R3、R5和R6都优选氢原子。
式(1)中，m和n各自为满足0≤m≤1、0≤n≤1且m+n＝1的数，如果考虑进一步提高得到的空穴捕集层的导电性，则优选0＜n＜1，更优选0.1≤n≤0.9。
对由式(1)表示的聚苯胺衍生物的分子量并无特别限定，如果考虑导电性这样的方面，作为下限，通常为200以上，优选为1000以上，如果考虑提高对于溶剂的溶解性这样的方面，作为上限，通常为5000000以下，优选为500000以下。
再有，本发明的组合物中，由式(1)表示的聚苯胺衍生物可单独地使用，也可将2种以上的化合物组合使用。
另外，由式(1)表示的聚苯胺衍生物可使用市售品，也可使用采用以苯胺衍生物等作为初始原料的公知的方法聚合而成的产物，在任一情况下都优选使用采用再沉淀、离子交换等方法精制过的产物。通过使用精制过的产物，从而能够进一步提高具有由包含该化合物的组合物得到的薄膜的OPV元件的特性。
在有机薄膜太阳能电池中，空穴捕集层的电离电势优选为与活性层中的p型半导体材料的电离电势接近的值。其差的绝对值优选0～1eV，更优选0～0.5eV，进一步优选0～0.2eV。
因此，在本发明的空穴捕集层用组合物中，以调节使用其得到的电荷传输性薄膜的电离电势为目的，可包含电子接受性掺杂剂物质。
作为电子接受性掺杂剂物质，只要在使用的至少1种溶剂中溶解，则并无特别限定。
作为电子接受性掺杂剂物质的具体例，可列举出氯化氢、硫酸、硝酸、磷酸等无机强酸；氯化铝(III)(AlCl3)、四氯化钛(IV)(TiCl4)、三溴化硼(BBr3)、三氟化硼醚络合物(BF3·OEt2)、氯化铁(III)(FeCl3)、氯化铜(II)(CuCl2)、五氯化锑(V)(SbCl5)、五氟化砷(V)(AsF5)、五氟化磷(PF5)、三(4-溴苯基)铝六氯锑酸盐(TBPAH)等路易斯酸；苯磺酸、甲苯磺酸、樟脑磺酸、羟基苯磺酸、5-磺基水杨酸、十二烷基苯磺酸、1,5-萘二磺酸等萘二磺酸、1,3,5-萘三磺酸,1,3,6-萘三磺酸等萘三磺酸、聚苯乙烯磺酸、国际公开第2005/000832号中记载的1,4-苯并二噁烷二磺酸化合物、国际公开第2006/025342号中记载的芳基磺酸化合物、日本特开2005-108828号公报中记载的二壬基萘磺酸、1,3,6-萘三磺酸等有机强酸；7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(TCNQ)、2,3-二氯-5,6-二氰基-1,4-苯醌(DDQ)、碘等有机氧化剂、国际公开第2010/058777号中记载的磷钼酸、磷钨酸、磷钨钼酸等杂多酸化合物等无机氧化剂，这些可各自单独地使用，也可将2种以上组合使用。
上述各种电子接受性掺杂剂物质中，在本发明中，特别优选给予H+的布朗斯台德酸，更优选芳基磺酸化合物，特别优选由式(2)表示的芳基磺酸化合物、1,3,5-萘三磺酸,1,3,6-萘三磺酸等萘三磺酸、聚苯乙烯磺酸，最优选由式(2)表示的芳基磺酸化合物。
[化6]
Figure BDA0001649646700000101
(式中，X表示O，A表示萘环或蒽环，B表示2～4价的全氟联苯基，l表示与A键合的磺酸基数，是满足1≤l≤4的整数，q表示B与X的键合数，是满足2～4的整数。)
本发明中，作为能够优选地使用的芳基磺酸化合物的例子，可列举出以下的化合物(式(2-1))。
[化7]
Figure BDA0001649646700000111
进而，在本发明的组合物中，只要可实现本发明的目的，则可配合其他添加剂。
作为添加剂的种类，能够根据所期望的效果从公知的添加剂中适当地选择使用，从得到的薄膜的耐溶剂性和耐水性的提高、电子阻挡性提高以及使HOMO能级和LUMO能级成为对于活性层最佳的值的方面出发，优选添加烷氧基硅烷、硅氧烷系材料。
作为烷氧基硅烷，能够从四烷氧基硅烷、三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷中使用任意的1种以上的烷氧基硅烷，特别优选四乙氧基硅烷、四甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷，更优选四乙氧基硅烷。
作为硅氧烷系材料，可列举出对于上述烷氧基硅烷通过水解等反应得到的、聚(四乙氧基硅烷)、聚(苯基乙氧基硅烷)等聚硅氧烷。
作为烷氧基硅烷、硅氧烷系材料的添加量，只要是发挥上述的效果的量，则并无特别限定，相对于本发明中使用的聚苯胺衍生物，用质量比表示，优选0.0001～100倍，更优选0.01～50倍，进一步优选0.05～10倍。
作为空穴捕集层用组合物的制备中使用的溶剂，能够使用可良好地溶解聚苯胺衍生物和电子接受性掺杂剂物质的高溶解性溶剂。高溶解性溶剂能够1种单独地使用或者将2种以上混合使用，就其使用量而言，相对于组合物中使用的全部溶剂，能够规定为5～100质量％。
作为这样的高溶解性溶剂，例如可列举出水；乙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、仲丁醇、叔丁醇、1-甲氧基-2-丙醇等醇系溶剂、N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮等酰胺系溶剂等有机溶剂。
这些中，优选选自水和醇系溶剂中的至少1种，更优选水、乙醇、2-丙醇。
特别地，在倒层叠型的OPV的空穴捕集层的形成中使用的情况下，优选使用只包含对活性层不产生不良影响的、选自醇系溶剂和水中的1种或2种以上的溶剂的溶剂。
优选电荷传输性物质和电子接受性掺杂剂物质成为了均在上述溶剂中完全溶解或者均匀分散的状态，如果考虑再现性良好地得到给予高转换效率的有机薄膜太阳能电池的空穴捕集层，则更优选这些物质在上述溶剂中完全溶解。
另外，为了提高成膜性和从涂布装置的排出性，本发明的空穴捕集层用组合物可含有至少1种在25℃下具有10～200mPa·s、特别是35～150mPa·s的粘度、常压下沸点为50～300℃、特别是150～250℃的高粘度有机溶剂。
作为高粘度有机溶剂，并无特别限定，例如可列举出环己醇、乙二醇、1,3-辛二醇、二甘醇、二丙二醇、三甘醇、三丙二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇、1,4-丁二醇、丙二醇、己二醇等。
相对于本发明的组合物中所使用的全部溶剂的高粘度有机溶剂的添加比例优选为固体不析出的范围内，只要固体不析出，则添加比例优选为5～80质量％。
进而，出于对于涂布面的润湿性的提高、溶剂的表面张力的调整、极性的调整、沸点的调整等目的，相对于组合物中所使用的全部溶剂，也能够以1～90质量％、优选1～50质量％的比例混合热处理时可赋予膜的平坦性的其他溶剂。
作为这样的溶剂，例如可列举出丁基溶纤剂、二甘醇二乙基醚、二甘醇二甲基醚、二甘醇单乙基醚乙酸酯、二甘醇单丁基醚乙酸酯、二丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯、乙基卡必醇、双丙酮醇、γ-丁内酯、乳酸乙酯、乙酸正己酯等，但并不限定于这些。
就本发明的组合物的固体成分浓度而言，考虑组合物的粘度和表面张力等、制作的薄膜的厚度等适当地设定，通常为0.1～10.0质量％左右，优选为0.5～5.0质量％，更优选为1.0～3.0质量％。
另外，电荷传输性物质与电子接受性掺杂剂物质的质量比也考虑显现出的电荷传输性、电荷传输性物质等的种类适当地设定，通常，相对于电荷传输性物质1，电子接受性掺杂剂物质为0～10，优选为0.1～3.0，更优选为0.2～2.0。
而且，就本发明中使用的空穴捕集层用组合物的粘度而言，考虑制作的薄膜的厚度等、固体成分浓度，根据涂布方法适当地调节，通常在25℃下为0.1mPa·s～50mPa·s左右。
制备本发明的组合物时，只要固体成分在溶剂中均匀地溶解或分散，则能够以任意的顺序将电荷传输性物质、电子接受性掺杂剂物质、溶剂混合。即，只要固体成分在溶剂中均匀地溶解或分散，例如可采用如下方法中的任一者：使聚苯胺衍生物溶解于溶剂后使电子接受性掺杂剂物质溶解于该溶液的方法；使电子接受性掺杂剂物质溶解于溶剂后使聚苯胺衍生物溶解于该溶液的方法；将聚苯胺衍生物和电子接受性掺杂剂物质混合后将该混合物投入溶剂中并使其溶解的方法。
另外，通常，组合物的制备在常温、常压的非活性气体气氛下进行，只要组合物中的化合物没有分解、组成没有大幅地变化，则可在大气气氛下(氧存在下)进行，也可边加热边进行。
通过将以上说明的组合物在顺层叠型有机薄膜太阳能电池的情况下在阳极上涂布、在倒层叠型有机薄膜太阳能电池的情况下在活性层上涂布，进行烧成，从而能够形成本发明的空穴捕集层。
涂布时，考虑组合物的粘度和表面张力、所期望的薄膜的厚度等，可从液滴流延法、旋涂法、刮刀涂布法、浸涂法、辊涂法、棒涂法、模压涂布法、喷墨法、印刷法(凸版、凹版、平版、丝网印刷等)等各种湿法中采用最佳的方法。
另外，通常，涂布在常温、常压的非活性气体气氛下进行，只要组合物中的化合物没有分解、组成没有大幅地变化，也可在大气气氛下(氧存在下)进行，还可边加热边进行。
对膜厚并无特别限定，在所有的情况下都优选0.1～500nm左右，更优选1～100nm左右。作为使膜厚变化的方法，有使组合物中的固体成分浓度变化、使涂布时的溶液量变化等方法。
以下对使用了本发明的空穴捕集层形成用组合物的有机薄膜太阳能电池的制造方法进行说明，但并不限定于这些。
(1)顺层叠型有机薄膜太阳能电池
[阳极层的形成]：在透明基板的表面形成阳极材料的层而制造透明电极的工序
作为阳极材料，能够使用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等无机氧化物、金、银、铝等金属、聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物等高电荷传输性有机化合物。这些中，最优选ITO。另外，作为透明基板，能够使用由玻璃或透明树脂制成的基板。
阳极材料的层(阳极层)的形成方法根据阳极材料的性质适当地选择。通常，在难溶性、难分散性升华性材料的情况下选择真空蒸镀法、溅射法等干法，在溶液材料或分散液材料的情况下，考虑组合物的粘度和表面张力、所期望的薄膜的厚度等，从上述的各种湿法中采用最佳的方法。
另外，也能够使用市售的透明阳极基板，这种情况下，从提高元件的成品率的观点出发，优选使用进行了平滑化处理的基板。使用市售的透明阳极基板的情况下，本发明的有机薄膜太阳能电池的制造方法不包含形成阳极层的工序。
在使用ITO等无机氧化物作为阳极材料来形成透明阳极基板的情况下，在层叠上层之前，优选用洗涤剂、醇、纯水等洗净后使用。进而，优选在使用前即刻实施UV臭氧处理、氧-等离子体处理等表面处理。在阳极材料以有机物作为主成分的情况下，也可不进行表面处理。
[空穴捕集层的形成]：在形成的阳极材料的层上形成空穴捕集层的工序
按照上述方法，在阳极材料的层上使用本发明的组合物形成空穴捕集层。
[活性层的形成]：在形成的空穴捕集层上形成活性层的工序
活性层可以是将由n型半导体材料制成的薄膜即n层与由p型半导体材料制成的薄膜即p层层叠而成的产物，也可以是由这些材料的混合物制成的非层叠薄膜。
作为n型半导体材料，可列举出富勒烯、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯(PC61BM)、[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯(PC71BM)等。另一方面，作为p型半导体材料，可列举出区域规整性聚(3-己基噻吩)(P3HT)、由下述式(4)表示的PTB7、日本特开2009-158921号公报和国际公开第2010/008672号中记载的含有噻吩并噻吩单元的聚合物类等在主链中含有噻吩骨架的聚合物、CuPC、ZnPC等酞菁类、四苯并卟啉等卟啉类等。
[化8]
Figure BDA0001649646700000151
这些中，作为n型材料，优选PC61BM、PC71BM，作为p型材料，优选PTB7等在主链中含有噻吩骨架的聚合物类。
应予说明，这里所说的“主链中的噻吩骨架”表示只包含噻吩的2价的芳香环、或噻吩并噻吩、苯并噻吩、二苯并噻吩、苯并二噻吩、萘并噻吩、萘并二噻吩、蒽并噻吩、蒽并二噻吩等这样的包含1个以上的噻吩的2价的稠合芳香环，它们可以被由上述R1～R6表示的取代基取代。
活性层的形成方法也与上述同样，在活性层材料为难溶性升华性材料的情况下选择上述的各种干法，在溶液材料或分散液材料的情况下，考虑组合物的粘度和表面张力、所期望的薄膜的厚度等，从上述的各种湿法中采用最佳的方法。
[电子捕集层的形成]：在形成的活性层上形成电子捕集层的工序
根据需要，以提高电荷的移动的效率等为目的，可在活性层与阴极层之间形成电子捕集层。
作为形成电子捕集层的材料，可列举出氧化锂(Li2O)、氧化镁(MgO)、氧化铝(Al2O3)、氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化镁(MgF2)、氟化锶(SrF2)、碳酸铯(Cs2CO3)、8-羟基喹啉锂盐(Liq)、8-羟基喹啉钠盐(Naq)、浴铜灵(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BPhen)、聚乙烯亚胺(PEI)、乙氧基化聚乙烯亚胺(PEIE)等。
电子捕集层的形成方法也与上述同样，在电子捕集材料为难溶性升华性材料的情况下，选择上述的各种干法，在溶液材料或分散液材料的情况下，考虑组合物的粘度和表面张力、所期望的薄膜的厚度等，从上述的各种湿法中采用最佳的方法。
[阴极层的形成]：在形成的电子捕集层上形成阴极层的工序
作为阴极材料，可列举出铝、镁-银合金、铝-锂合金、锂、钠、钾、铯、钙、钡、银、金等金属、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)等无机氧化物、聚噻吩衍生物、聚苯胺衍生物等高电荷传输性有机化合物，能够将多个阴极材料层叠或者混合来使用。
阴极层的形成方法也与上述同样，在阴极层材料为难溶性、难分散性升华性材料的情况下，选择上述的各种干法，在溶液材料或分散液材料的情况下，考虑组合物的粘度和表面张力、所期望的薄膜的厚度等，从上述的各种湿法中采用最佳的方法。
[载流子阻挡层的形成]
根据需要，以控制光电流的整流性等为目的，可在任意的层间设置载流子阻挡层。设置载流子阻挡层的情况下，通常多数情形是在活性层与空穴捕集层或阳极之间插入电子阻挡层，在活性层与电子捕集层或阴极之间插入空穴阻挡层，但并不限于此。
作为形成空穴阻挡层的材料，可列举出氧化钛、氧化锌、氧化锡、浴铜灵(BCP)、4,7-二苯基1,10-菲咯啉(BPhen)等。
作为形成电子阻挡层的材料，可列举出N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基联苯胺(α-NPD)、聚(三芳基胺)(PTAA)等三芳基胺系材料等。
载流子阻挡层的形成方法也与上述同样，在载流子阻挡层材料为难溶性、难分散性升华性材料的情况下，选择上述的各种干法，在溶液材料或分散液材料的情况下，考虑组合物的粘度和表面张力、所期望的薄膜的厚度等，从上述的各种湿法中采用最佳的方法。
(2)倒层叠型有机薄膜太阳能电池
[阴极层的形成]：在透明基板的表面形成阴极材料的层而制造透明阴极基板的工序
作为阴极材料，除了上述顺层叠型的阳极材料中例示的材料以外，可列举出氟掺杂氧化锡(FTO)，作为透明基板，可列举出上述顺层叠型的阳极材料中例示的基板。
阴极材料的层(阴极层)的形成方法也是在难溶性、难分散性升华性材料的情况下选择上述的干法，在溶液材料或分散液材料的情况下，考虑组合物的粘度和表面张力、所期望的薄膜的厚度等，从上述的各种湿法中采用最佳的方法。
另外，在这种情况下也能够适宜使用市售的透明阴极基板，从提高元件的收率的观点出发，优选使用进行了平滑化处理的基板。使用市售的透明阴极基板的情况下，本发明的有机薄膜太阳能电池的制造方法不含形成阴极层的工序。
使用无机氧化物作为阴极材料来形成透明阴极基板的情况下，可实施与顺层叠型的阳极材料同样的清洗处理、表面处理。
[电子捕集层的形成]：在形成的阴极上形成电子捕集层的工序
根据需要，为了提高电荷的移动的效率等，可在活性层与阴极层之间形成电子捕集层。
作为形成电子捕集层的材料，除了上述顺层叠型的材料中例示的材料以外，可列举出氧化锌(ZnO)、氧化钛(TiO)、氧化锡(SnO)等。
电子捕集层的形成方法也是在难溶性、难分散性升华性材料的情况下选择上述的干法，在溶液材料或分散液材料的情况下，考虑组合物的粘度和表面张力、所期望的薄膜的厚度等，从上述的各种湿法中采用最佳的方法。另外，也能够采用如下方法：使用湿法(特别是旋涂法或狭缝涂布法)在阴极上形成无机氧化物的前体层，进行烧成，形成无机氧化物的层。
[活性层的形成]：在形成的电子捕集层上形成活性层的工序
活性层可以是将由n型半导体材料制成的薄膜即n层与由p型半导体材料制成的薄膜即p层层叠而成的产物，也可以是由这些材料的混合物制成的非层叠薄膜。
作为n型和p型半导体材料，可列举出与在上述顺层叠型的半导体材料中例示的材料同样的材料，作为n型材料，优选PC61BM、PC71BM，作为p型材料，优选PTB7等在主链中含有噻吩骨架的聚合物类。
活性层的形成方法也与在上述顺层叠型的活性层中说明的方法同样。
[空穴捕集层的形成]：在形成的活性层材料的层上形成空穴捕集层的工序
按照上述方法，在活性层材料的层上使用本发明的组合物形成空穴捕集层。
[阳极层的形成]：在形成的空穴捕集层上形成阳极层的工序
作为阳极材料，可列举出与上述顺层叠型的阳极材料同样的阳极材料，作为阳极层的形成方法，也与顺层叠型的阴极层同样。
[载流子阻挡层的形成]
与顺层叠型的元件同样地，根据需要，以控制光电流的整流性等为目的，可在任意的层间设置载流子阻挡层。
作为形成空穴阻挡层的材料和形成电子阻挡层的材料，可列举出与上述同样的材料，载流子阻挡层的形成方法也与上述同样。
为了防止大气引起的元件劣化，将采用上述例示的方法制作的OPV元件再次导入手套箱内，在氮气等非活性气体气氛下进行密封操作，能够在密封的状态下发挥作为太阳能电池的功能或者进行太阳能电池特性的测定。
作为密封法，可列举出使在端部附着有UV固化树脂的凹型玻璃基板在非活性气体气氛下附着于有机薄膜太阳能电池元件的成膜面侧、通过UV照射使树脂固化的方法；在真空下采用溅射等方法进行膜密封型的密封的方法等。
实施例
以下列举实施例和比较例，对本发明更具体地说明，但本发明并不限定于下述的实施例。应予说明，使用的装置如以下所述。
(1)NMR
装置：日本电子(株)制造ECX-300
测定溶剂：纯正化学(株)制造二甲基亚砜-d6
(2)手套箱：山八物产(株)制造、VAC手套箱系统
(3)蒸镀装置：Aoyama Engineering(株)制造、真空蒸镀装置
(4)太阳模拟器：分光计器(株)制造、OTENTOSUN-III、AM1.5G滤光器、放射强度：100mW/cm2
(5)Source Major Unit：Keithley Instruments(株)制造、2612A
(6)GPC
装置：东曹(株)制HLC-8320GPC Eco SEC
柱：东曹(株)制TSKgel G3000PWXL
柱温度：40℃
溶离液：100mM硝酸钠水溶液
送液速度：0.5mL/min
检测器：UV(254nm)
校正曲线：标准聚苯乙烯磺酸钠(Aldrich制造)
(7)膜厚测定装置：(株)小坂研究所制造、SURFCORDER ET-4000
(8)电离电势测定装置：理研计器(株)制造、AC-3
[1]活性层组合物的制备
[制备例1]
在放入了PTB7(1-Material公司制造)20mg和PC61BM(Frontier CarbonCorporation制造、制品名：nanom spectra E100)30mg的样品瓶中加入氯苯2.0mL，在80℃的热板上搅拌了15小时。将该溶液放冷到室温后，加入1,8-二碘辛烷(东京化成工业(株)制造)60μL，搅拌，得到了溶液A1(活性层组合物)。
[2]聚甲氧基苯胺磺酸的合成
[合成例1]
将邻-甲氧基苯胺-5-磺酸20mmol和三乙胺20mmol在室温下溶解于包含蒸馏水4.5mL和乙腈4.5mL的混合溶剂9mL中，得到了溶液1。接下来，将在包含蒸馏水9mL和乙腈9mL的混合溶剂18mL中溶解了过氧二硫酸铵20mmol和98％浓硫酸1.1g的溶液2冷却到0℃，历时30分钟向其中滴入溶液1。
滴入结束后，在25℃下将反应溶液进一步搅拌了1小时后，通过吸滤将反应生成物过滤分离。将滤取的固体用甲醇200mL洗净后，真空干燥，得到了聚甲氧基苯胺磺酸的绿色粉末2.78g。
采用GPC测定了得到的聚合物的重均分子量，结果为1366。
[3]空穴捕集层用组合物的制造
[实施例1-1]
将合成例1中得到的聚甲氧基苯胺磺酸1.44g溶解于蒸馏水50g，制备了浓度2.8质量％的褐色溶液。使用孔径0.45μm的针头式过滤器将得到的褐色溶液过滤，得到了空穴捕集层用组合物B1。
[实施例1-2]
在实施例1-1中制备的浓度2.8质量％的聚甲氧基苯胺磺酸水溶液3.0g中加入基于国际公开第2006/025342号的记载合成的由上述式(2-1)表示的芳基磺酸化合物A42.0mg，使其完全地溶解，得到了褐色溶液。使用孔径0.45μm的针头式过滤器将得到的褐色溶液过滤，得到了空穴捕集层用组合物B2。
[实施例1-3]
在实施例1-1中制备的浓度2.8质量％的聚甲氧基苯胺磺酸水溶液2.3g中加入芳基磺酸化合物A64.4mg，使其完全地溶解，得到了褐色溶液。使用孔径0.45μm的针头式过滤器将得到的褐色溶液过滤，得到了空穴捕集层用组合物B3。
[实施例1-4]
在实施例1-1中制备的浓度2.8质量％的聚甲氧基苯胺磺酸水溶液1.5g中加入芳基磺酸化合物A84.0mg，使其完全地溶解，得到了褐色溶液。使用孔径0.45μm的针头式过滤器将得到的褐色溶液过滤，得到了空穴捕集层用组合物B4。
[比较例1-1]
使用孔径0.45μm的针头式过滤器将PEDOT/PSS(Heraeus制Clevios AI4083)过滤，得到了空穴捕集层用组合物C1。
[比较例1-2]
使用孔径0.45μm的针头式过滤器将PEDOT/PSS(Heraeus制Clevios CH8000)过滤，得到了空穴捕集层用组合物C2。
[4]有机薄膜太阳能电池的制作
[实施例2-1]
对将成为阳极的ITO透明导电层图案化为2mm×20mm的条状的20mm×20mm的玻璃基板进行了15分钟UV/臭氧处理后，采用旋涂法在基板上涂布了实施例1-1中制备的空穴捕集层用组合物B1。使用热板在120℃下将该玻璃基板加热10分钟，形成了空穴捕集层。空穴捕集层的膜厚约为30nm。
然后，在采用非活性气体置换的手套箱中，在形成的空穴捕集层上滴下制备例1中得到的溶液A1，采用旋涂法成膜，形成了活性层。
接下来，将形成了有机半导体层的基板和负极用掩模设置在真空蒸镀装置内，进行排气直至装置内的真空度成为1×10-3Pa以下，采用电阻加热法，将成为电子捕集层的8-羟基喹啉锂(lithium8-hydroxyquinolinolate)层蒸镀到1nm的厚度。
最后，通过采用电阻加热法将成为负极的铝层蒸镀到80nm的厚度，从而制作了条状的ITO层与铝层交叉的部分的面积为2mm×2mm的OPV元件。
[实施例2-2]
除了代替空穴捕集层用组合物B1而使用了空穴捕集层用组合物B2以外，采用与实施例2-1同样的方法制作了OPV元件。
[实施例2-3]
除了代替空穴捕集层用组合物B1而使用了空穴捕集层用组合物B3以外，采用与实施例2-1同样的方法制作了OPV元件。
[实施例2-4]
除了代替空穴捕集层用组合物B1而使用了空穴捕集层用组合物B4以外，采用与实施例2-1同样的方法制作了OPV元件。
[比较例2-1]
除了代替空穴捕集层用组合物B1而使用了空穴捕集层用组合物C1以外，采用与实施例2-1同样的方法制作了OPV元件。
[比较例2-2]
除了代替空穴捕集层用组合物B1而使用了空穴捕集层用组合物C2以外，采用与实施例2-1同样的方法制作了OPV元件。
[5]特性评价
对于上述实施例2-1～2-4和比较例2-1、2-2中制作的各OPV元件，进行了短路电流密度(Jsc[mA/cm2])、开路电压(Voc[V])、曲线因子(FF)和PCE[％]的评价。将结果示于表1中。
再有，PCE[％]根据下式算出。
PCE[％]＝Jsc[mA/cm2]×Voc[V]×FF÷入射光强度(100[mW/cm2])×100
另外，将采用AC-3测定的各个空穴捕集层的电离电势(Ip)值一并示于表1。将制备例1中得到的活性层组合物即溶液A1在ITO上、采用与实施例2-1同样的方法成膜的活性层的Ip值为5.2eV。该活性层的Ip值与作为p型材料的PTB7单独膜的Ip值大致一致。
[表1]
Figure BDA0001649646700000231
如表1中所示那样，具有由本发明的空穴捕集层用组合物得到的薄膜作为空穴捕集层的OPV元件与具有由一般经常使用的PEDOT/PSS得到的薄膜作为空穴捕集层的OPV元件相比，显示出高的PCE。进而，通过作为电子接受性掺杂剂的芳基磺酸化合物A的添加，Ip值增大，在Ip值与作为p型材料的PTB7大体一致的情况下，使用其得到的OPV元件的PCE显示出更高的值。
可知通过这样使用本发明的空穴捕集层用组合物，从而能够制造优异的光电转换特性的OPV元件。
[6]耐水性空穴捕集层用组合物的制造
[实施例3-1]
将合成例1中得到的聚甲氧基苯胺磺酸41.7mg溶解于蒸馏水2.0g和乙醇2.0g，添加四乙氧基硅烷124.8mg，制备了浓度4.0质量％的褐色溶液。使用孔径0.45μm的针头式过滤器将得到的褐色溶液过滤，得到了空穴捕集层用组合物D1。
[实施例3-2]
将合成例1中得到的聚甲氧基苯胺磺酸42.7mg溶解于蒸馏水2.0g和乙醇2.0g，添加四乙氧基硅烷213.1mg，制备了浓度6.0质量％的褐色溶液。使用孔径0.45μm的针头式过滤器将得到的褐色溶液过滤，得到了空穴捕集层用组合物D2。
[实施例3-3]
将合成例1中得到的聚甲氧基苯胺磺酸27.7mg和基于国际公开第2006/025342号的记载合成的由上述式(2-1)表示的芳基磺酸化合物A14.0mg溶解于蒸馏水2.0g和乙醇2.0g，添加四乙氧基硅烷82.9mg，制备了浓度3.0质量％的褐色溶液。使用孔径0.45μm的针头式过滤器将得到的褐色溶液过滤，得到了空穴捕集层用组合物D3。
[实施例3-4]
将合成例1中得到的聚甲氧基苯胺磺酸19.2mg和芳基磺酸化合物A9.8mg溶解于蒸馏水2.0g和乙醇2.0g，添加四乙氧基硅烷95.7mg，制备了浓度3.0质量％的褐色溶液。使用孔径0.45μm的针头式过滤器将得到的褐色溶液过滤，得到了空穴捕集层用组合物D4。
[参考例3-1]
将合成例1中得到的聚甲氧基苯胺磺酸20.3mg溶解于蒸馏水1.0g和乙醇1.0g，制备了浓度1.0质量％的褐色溶液。使用孔径0.45μm的针头式过滤器将得到的褐色溶液过滤，得到了空穴捕集层用组合物E1。
[参考例3-2]
将合成例1中得到的聚甲氧基苯胺磺酸54.7mg和芳基磺酸化合物A27.5mg溶解于蒸馏水2.0g和乙醇2.0g，制备了浓度2.0质量％的褐色溶液。使用孔径0.45μm的针头式过滤器将得到的褐色溶液过滤，得到了空穴捕集层用组合物E2。
[比较例3-1]
使用孔径0.45μm的针头式过滤器将PEDOT/PSS(Heraeus制Clevios AI4083)过滤，得到了空穴捕集层用组合物E3。
[7]空穴捕集层的制作和耐水性评价
[实施例4-1]
采用与实施例2-1的记载同样的方法，使用D1形成空穴捕集层，制作OPV元件进行了特性评价。另一方面，采用同样的方法形成了空穴捕集层后，为了进行空穴捕集层的耐水性试验，对于空穴捕集层滴下3滴水，进行旋涂，在120℃下干燥了5分钟。测定耐水性试验前后的空穴捕集层的膜厚和Ip值，对于膜厚变化，算出了残膜率。进而，对于耐水性试验后的空穴捕集层，采用与实施例2-1的记载同样的方法制作OPV元件，进行了特性评价。将结果示于表2中。
[实施例4-2]
除了代替空穴捕集层用组合物D1而使用了空穴捕集层用组合物D2以外，采用与实施例4-1同样的方法进行了空穴捕集层的制作和耐水性试验以及OPV元件的制作和特性评价。将结果示于表2中。
[实施例4-3]
除了代替空穴捕集层用组合物D1而使用了空穴捕集层用组合物D3以外，采用与实施例4-1同样的方法进行了空穴捕集层的制作和耐水性试验以及OPV元件的制作和特性评价。将结果示于表2中。
[实施例4-4]
除了代替空穴捕集层用组合物D1而使用了空穴捕集层用组合物D4以外，采用与实施例4-1同样的方法进行了空穴捕集层的制作和耐水性试验以及OPV元件的制作和特性评价。将结果示于表2中。
[参考例4-1]
除了代替空穴捕集层用组合物D1而使用了空穴捕集层用组合物E1以外，采用与实施例4-1同样的方法进行了空穴捕集层的制作和耐水性试验。将结果示于表2中。
[参考例4-2]
除了代替空穴捕集层用组合物D1而使用了空穴捕集层用组合物E2以外，采用与实施例4-1同样的方法进行了空穴捕集层的制作和耐水性试验。将结果示于表2中。
[比较例4-3]
除了代替空穴捕集层用组合物D1而使用了空穴捕集层用组合物E3以外，采用与实施例4-1同样的方法进行了空穴捕集层的制作和耐水性试验。将结果示于表2中。
[表2]
Figure BDA0001649646700000261
由表2与表1的比较可知，由包含四乙氧基硅烷的组合物制作的薄膜与由不含四乙氧基硅烷的组合物制作的薄膜相比，膜的Ip值变深，可调节HOMO能级。
另外可知，由包含四乙氧基硅烷的组合物制作的薄膜与由不含四乙氧基硅烷的组合物制作的薄膜、由一般经常使用的PEDOT/PSS得到的薄膜相比，显示高的耐水性，而且耐水性试验后也以高的值维持PCE。
[8]空穴捕集层用组合物的制造2
[实施例5-1]
使合成例1中得到的聚甲氧基苯胺磺酸50mg和聚苯乙烯磺酸20％水溶液(富山药品工业(株)制造、FUNCHEM-PSSH(20)、分子量14000)500mg溶解于水4.45g中，制备了褐色溶液。用孔径0.45μm的针头式过滤器将得到的褐色溶液过滤，得到了空穴捕集层用组合物F1。
[实施例5-2]
使合成例1中得到的聚甲氧基苯胺磺酸75mg和1,3,6-萘三磺酸20％水溶液(富山药品工业(株)制造、FUNCHEM-NTSH(20))375mg溶解于水4.55g中，制备了褐色溶液。用孔径0.45μm的针头式过滤器将得到的褐色溶液过滤，得到了空穴捕集层用组合物F2。
[9]有机薄膜太阳能电池的制作2
[实施例6-1]
采用与实施例2-1的记载同样的方法，使用空穴捕集层用组合物F1形成空穴捕集层，制作了OPV元件。
[实施例6-2]
除了代替空穴捕集层用组合物F1而使用了空穴捕集层用组合物F2以外，采用与实施例6-1同样的方法制作了OPV元件。
对于上述实施例6-1、实施例6-2和比较例2-1中制作的各OPV元件，进行了初期特性评价后，采用使用了2000W金属卤化物灯的太阳能电池耐久试验系统(セリック(株)制造、SML-2K1AV4)进行以100mW/cm2的照度照射6小时模拟太阳光后的转换效率测定，使用下述计算式算出了转换效率保持率。将初期特性和转换效率保持率示于表3中。
转换效率保持率(％)＝耐久试验后的转换效率÷初期转换效率×100
[表3]
Figure BDA0001649646700000271
如表3中所示那样，可知对于聚甲氧基苯胺磺酸主体使用了聚苯乙烯磺酸或1,3,6-萘三磺酸作为掺杂剂的OPV元件与使用了PEDOT：PSS的元件相比耐久性优异。

Claims (20)

1.有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其特征在于，包含：包括由式(1)所示的聚苯胺衍生物的电荷传输性物质；和溶剂，
[化1]
Figure FDA0003497877620000011
式中，R1～R6各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、磺酸基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数1～20的卤代烷基、碳数7～20的芳烷基或碳数1～20的酰基，R1～R4中的一个为磺酸基，剩余的R1～R4中的一个以上为碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数1～20的卤代烷基、或碳数7～20的芳烷基，m和n为满足0＜n＜1且m+n＝1的数。
2.根据权利要求1所述的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其中，上述R1为磺酸基，上述R4为碳数1～20的烷氧基。
3.根据权利要求1或2所述的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其包含与上述式(1)所示的聚苯胺衍生物不同的电子接受性掺杂剂物质。
4.根据权利要求3所述的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其中，上述电子接受性掺杂剂物质为布朗斯台德酸。
5.根据权利要求3所述的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其中，上述电子接受性掺杂剂物质为由式(2)表示的芳基磺酸化合物、萘三磺酸或聚苯乙烯磺酸，
[化2]
Figure FDA0003497877620000021
式中，X表示O，A表示萘环或蒽环，B表示2～4价的全氟联苯基，l表示与A键合的磺酸基数，是满足1≤l≤4的整数，q表示B与X的键合数，是满足2～4的整数。
6.根据权利要求1或2所述的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其还包含烷氧基硅烷。
7.根据权利要求1或2所述的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其中，上述有机光电转换元件为有机薄膜太阳能电池或光传感器。
8.根据权利要求1或2所述的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其中，上述溶剂包含25℃下的粘度为10～500mPa·s的高粘度溶剂。
9.根据权利要求1或2所述的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物，其中，上述溶剂只包含选自醇系溶剂和水中的1种或2种以上的溶剂。
10.空穴捕集层，其使用权利要求1～9中任一项所述的有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物而成。
11.有机光电转换元件，其具有权利要求10所述的空穴捕集层、和与其相接地设置的活性层。
12.根据权利要求11所述的有机光电转换元件，其中，上述空穴捕集层的电离电势与上述活性层中所含的p型半导体的电离电势之差为0.2eV以内。
13.根据权利要求11或12所述的有机光电转换元件，其中，上述活性层包含富勒烯衍生物。
14.根据权利要求11或12所述的有机光电转换元件，其中，上述活性层包含在主链中含有噻吩骨架的聚合物。
15.根据权利要求11或12所述的有机光电转换元件，其中，上述活性层包含富勒烯衍生物和在主链中含有噻吩骨架的聚合物。
16.根据权利要求11或12所述的有机光电转换元件，其为倒层叠型。
17.根据权利要求11或12所述的有机光电转换元件，其中，上述有机光电转换元件为有机薄膜太阳能电池或光传感器。
18.电荷传输性组合物，其特征在于，包含：包括由式(1)表示的聚苯胺衍生物的电荷传输性物质；与该由式(1)表示的聚苯胺衍生物不同的电子接受性掺杂剂物质；和溶剂，
[化3]
Figure FDA0003497877620000031
式中，R1～R6各自独立地表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、磺酸基、碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数1～20的卤代烷基、碳数7～20的芳烷基或碳数1～20的酰基，R1～R4中的一个为磺酸基，剩余的R1～R4中的一个以上为碳数1～20的烷氧基、碳数1～20的硫代烷氧基、碳数1～20的烷基、碳数2～20的烯基、碳数2～20的炔基、碳数1～20的卤代烷基、或碳数7～20的芳烷基，m和n为满足0＜n＜1且m+n＝1的数。
19.根据权利要求18所述的电荷传输性组合物，其还包含烷氧基硅烷。
20.根据权利要求18或19所述的电荷传输性组合物，其中，上述电子接受性掺杂剂物质为由式(2)表示的芳基磺酸化合物、萘三磺酸或聚苯乙烯磺酸，
[化4]
Figure FDA0003497877620000041
式中，X表示O，A表示萘环或蒽环，B表示2～4价的全氟联苯基，l表示与A键合的磺酸基数，是满足1≤l≤4的整数，q表示B与X的键合数，是满足2～4的整数。
CN201680064449.1A 2015-11-06 2016-10-21 有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物 Active CN108352452B (zh)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-218584 2015-11-06
JP2015218584 2015-11-06
JP2016035395 2016-02-26
JP2016-035395 2016-02-26
PCT/JP2016/081285 WO2017077883A1 (ja) 2015-11-06 2016-10-21 有機光電変換素子の正孔捕集層用組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108352452A CN108352452A (zh) 2018-07-31
CN108352452B true CN108352452B (zh) 2022-04-15

Family

ID=58662007

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680064449.1A Active CN108352452B (zh) 2015-11-06 2016-10-21 有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10770659B2 (zh)
EP (1) EP3373354B1 (zh)
JP (1) JP6696510B2 (zh)
KR (1) KR20180080232A (zh)
CN (1) CN108352452B (zh)
BR (1) BR112018009223B1 (zh)
TW (1) TWI715657B (zh)
WO (1) WO2017077883A1 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3633749A4 (en) * 2017-05-25 2021-03-03 Nissan Chemical Corporation PROCESS FOR MANUFACTURING THIN LOAD TRANSPORT FILM
BR112020011922A2 (pt) * 2017-12-15 2020-11-24 Nissan Chemical Corporation composição de camada de coleta de orifícios para elemento de conversão fotoelétrica orgânica
JP7255194B2 (ja) * 2019-01-18 2023-04-11 株式会社レゾナック 有機エレクトロニクス材料
EP3916821A4 (en) * 2019-01-23 2022-10-19 Nissan Chemical Corporation COMPOSITION WITH CHARGE TRANSPORT PROPERTIES FOR PEROVSKITE PHOTOELECTRIC TRANSDUCER
RU2747914C1 (ru) * 2020-11-06 2021-05-17 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" Фотохимический способ преобразования электромагнитного излучения в электрическую энергию

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003509816A (ja) * 1999-09-03 2003-03-11 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 導電性自己ドープ型ポリマー緩衝層を有する有機電子デバイス
US20050154119A1 (en) * 2004-01-12 2005-07-14 Robeson Lloyd M. Aqueous blends and films comprising a first electrically conducting conjugated polymer and a second electrically conducting conjugated polymer
CN1680464A (zh) * 2004-03-22 2005-10-12 尹虎声 具有高电导率的聚苯胺及其制备方法
CN101089206A (zh) * 2007-07-09 2007-12-19 同济大学 甲氧基苯胺磺酸改性的苯胺共聚物用作银离子吸附剂
CN101302352A (zh) * 2007-05-09 2008-11-12 郑州泰达电子材料科技有限公司 导电性复合体、电荷传输材料和有机发光二极管
JP2011138813A (ja) * 2009-12-25 2011-07-14 Mitsubishi Rayon Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN102250345A (zh) * 2011-06-17 2011-11-23 上海理工大学 一种纳米结构可控的磺酸基掺杂苯胺共聚物及其合成方法
CN103814091A (zh) * 2011-09-21 2014-05-21 日产化学工业株式会社 电荷传输性清漆
WO2014119782A1 (ja) * 2013-02-04 2014-08-07 日産化学工業株式会社 有機薄膜太陽電池用バッファ層及び有機薄膜太陽電池
CN104145348A (zh) * 2012-03-02 2014-11-12 日产化学工业株式会社 电荷传输性清漆
WO2015087797A1 (ja) * 2013-12-09 2015-06-18 日産化学工業株式会社 有機薄膜太陽電池の陽極バッファ層用組成物及び有機薄膜太陽電池
CN104789111A (zh) * 2007-04-12 2015-07-22 日产化学工业株式会社 低聚苯胺化合物

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003234460A (ja) 2002-02-12 2003-08-22 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 積層型光導電膜および固体撮像装置
TW200502277A (en) * 2003-05-20 2005-01-16 Nissan Chemical Ind Ltd Charge-transporting varnish
JP2008258474A (ja) 2007-04-06 2008-10-23 Sony Corp 固体撮像装置および撮像装置
JP4951497B2 (ja) * 2007-12-27 2012-06-13 株式会社日立製作所 有機薄膜太陽電池およびその製造方法
TWI509633B (zh) * 2011-04-20 2015-11-21 Mitsubishi Rayon Co 導電性組成物以及使用前述導電性組成物的導電體與固體電解電容器

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003509816A (ja) * 1999-09-03 2003-03-11 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 導電性自己ドープ型ポリマー緩衝層を有する有機電子デバイス
US6611096B1 (en) * 1999-09-03 2003-08-26 3M Innovative Properties Company Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers
US20050154119A1 (en) * 2004-01-12 2005-07-14 Robeson Lloyd M. Aqueous blends and films comprising a first electrically conducting conjugated polymer and a second electrically conducting conjugated polymer
JP2005248163A (ja) * 2004-01-12 2005-09-15 Air Products & Chemicals Inc 第１導電性共役ポリマーと第２導電性共役ポリマーとを含む水性ブレンド及びフィルム
CN1680464A (zh) * 2004-03-22 2005-10-12 尹虎声 具有高电导率的聚苯胺及其制备方法
CN104789111A (zh) * 2007-04-12 2015-07-22 日产化学工业株式会社 低聚苯胺化合物
CN101302352A (zh) * 2007-05-09 2008-11-12 郑州泰达电子材料科技有限公司 导电性复合体、电荷传输材料和有机发光二极管
CN101089206A (zh) * 2007-07-09 2007-12-19 同济大学 甲氧基苯胺磺酸改性的苯胺共聚物用作银离子吸附剂
JP2011138813A (ja) * 2009-12-25 2011-07-14 Mitsubishi Rayon Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN102250345A (zh) * 2011-06-17 2011-11-23 上海理工大学 一种纳米结构可控的磺酸基掺杂苯胺共聚物及其合成方法
CN103814091A (zh) * 2011-09-21 2014-05-21 日产化学工业株式会社 电荷传输性清漆
CN104145348A (zh) * 2012-03-02 2014-11-12 日产化学工业株式会社 电荷传输性清漆
WO2014119782A1 (ja) * 2013-02-04 2014-08-07 日産化学工業株式会社 有機薄膜太陽電池用バッファ層及び有機薄膜太陽電池
WO2015087797A1 (ja) * 2013-12-09 2015-06-18 日産化学工業株式会社 有機薄膜太陽電池の陽極バッファ層用組成物及び有機薄膜太陽電池

Also Published As

Publication number Publication date
JP6696510B2 (ja) 2020-05-20
TW201731917A (zh) 2017-09-16
BR112018009223A2 (pt) 2018-11-06
EP3373354A1 (en) 2018-09-12
WO2017077883A1 (ja) 2017-05-11
TWI715657B (zh) 2021-01-11
JPWO2017077883A1 (ja) 2018-08-23
EP3373354A4 (en) 2018-12-05
US10770659B2 (en) 2020-09-08
EP3373354B1 (en) 2020-05-20
BR112018009223B1 (pt) 2023-01-24
KR20180080232A (ko) 2018-07-11
CN108352452A (zh) 2018-07-31
US20180315927A1 (en) 2018-11-01
BR112018009223A8 (pt) 2019-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108352452B (zh) 有机光电转换元件的空穴捕集层用组合物
JP7276314B2 (ja) 電荷輸送性組成物
JP6648968B2 (ja) 有機薄膜太陽電池用バッファ層の製造方法及び有機薄膜太陽電池の製造方法
CN108886099B (zh) 电荷传输性清漆
US11563176B2 (en) Composition for hole collecting layer of organic photoelectric conversion element
US11527719B2 (en) Hole collection layer composition for organic photoelectric conversion element
CN110692145A (zh) 电荷传输性薄膜的制造方法
CN115700057A (zh) 有机光电转换元件的空穴捕获层用组合物

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant