JP2003509816A - 導電性自己ドープ型ポリマー緩衝層を有する有機電子デバイス - Google Patents
導電性自己ドープ型ポリマー緩衝層を有する有機電子デバイスInfo
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- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 53
- 239000000872 buffer Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims abstract description 45
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 104
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- -1 aromatic tertiary amine Chemical class 0.000 description 11
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 5
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 4
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 229920000775 emeraldine polymer Polymers 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229920002432 poly(vinyl methyl ether) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000006277 sulfonation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- UUVDQMYRPUHXPB-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-carboxylic acid Chemical compound C1=CC=C2SC(C(=O)O)=NC2=C1 UUVDQMYRPUHXPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAAPSJFCWXMRSE-UHFFFAOYSA-N 2-phenothiazin-10-yl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C12=CC=CC=C2SC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NAAPSJFCWXMRSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITDSAAKACHNVLK-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxazin-10-yl-n,n-diphenylaniline Chemical compound C12=CC=CC=C2OC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ITDSAAKACHNVLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWUCFAJNVTZRLE-UHFFFAOYSA-N 7-thiabicyclo[2.2.1]hepta-1,3,5-triene Chemical class C1=C(S2)C=CC2=C1 XWUCFAJNVTZRLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013175 Crataegus laevigata Nutrition 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001339 alkali metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000009503 electrostatic coating Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010952 in-situ formation Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000007759 kiss coating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 230000004660 morphological change Effects 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N phosphonic acid group Chemical group P(O)(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001088 polycarbazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007767 slide coating Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N sulfonic acid Chemical compound OS(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical compound FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
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- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Abstract
(57)【要約】
導電性自己ドープ型ポリマー緩衝層、特に、自己ドープ型ポリアニリン緩衝層を有する有機電子デバイスが記載されている。さらに、可動性対イオンを有していない真性導電性ポリマーで構成された緩衝層を有する有機発光ダイオードが記載されている。
Description
【0001】
技術分野
本発明は、有機電子デバイスに関し、特に、有機発光ダイオード(OLED)
用の緩衝層に関する。
用の緩衝層に関する。
【0002】
背景
有機電子デバイスとは、有機物質の層を含み、そのうちの少なくとも一層が電
流を通すことのできる物品である。有機電子デバイスの例は、有機発光ダイオー
ド(OLED)である。OLEDは、ランプと呼ばれることもあり、断面が薄く
、重量が小さく、しかも駆動電圧が低いので、すなわち、約20ボルト未満であ
るので、電子媒体で使用するのに望ましい。OLEDは、グラフィックス、ピク
セル化ディスプレイ、および大型発光グラフィックスの背面照明などの用途に使
用できる可能性がある。
流を通すことのできる物品である。有機電子デバイスの例は、有機発光ダイオー
ド(OLED)である。OLEDは、ランプと呼ばれることもあり、断面が薄く
、重量が小さく、しかも駆動電圧が低いので、すなわち、約20ボルト未満であ
るので、電子媒体で使用するのに望ましい。OLEDは、グラフィックス、ピク
セル化ディスプレイ、および大型発光グラフィックスの背面照明などの用途に使
用できる可能性がある。
【0003】
OLEDは、典型的には、有機光エミッター層と、エミッターの両側のさらな
る有機電荷輸送層とから成っており、これらの層はいずれも、二つの電極、すな
わち、カソードとアノードとの間に挟まれている。電荷輸送層には、電子輸送層
および正孔輸送層が含まれる。電荷キャリヤー、すなわち、電子および正孔は、
それぞれ、カソードおよびアノードから電子輸送層および正孔輸送層に注入され
る。電子は、負に帯電した原子的粒子であり、正孔は、あたかも正に帯電した粒
子のような挙動を示す空の電子エネルギー状態である。電荷キャリヤーは、エミ
ッター層まで移動して、そこで一緒になって光を放出する。
る有機電荷輸送層とから成っており、これらの層はいずれも、二つの電極、すな
わち、カソードとアノードとの間に挟まれている。電荷輸送層には、電子輸送層
および正孔輸送層が含まれる。電荷キャリヤー、すなわち、電子および正孔は、
それぞれ、カソードおよびアノードから電子輸送層および正孔輸送層に注入され
る。電子は、負に帯電した原子的粒子であり、正孔は、あたかも正に帯電した粒
子のような挙動を示す空の電子エネルギー状態である。電荷キャリヤーは、エミ
ッター層まで移動して、そこで一緒になって光を放出する。
【0004】
図1は、一つのタイプの有機発光ダイオードを示している。ダイオードには、
基材12、第一の電極(アノード)14、正孔輸送層16、発光層18、電子輸
送層20、および第二の電極(カソード)22が含まれている。
基材12、第一の電極(アノード)14、正孔輸送層16、発光層18、電子輸
送層20、および第二の電極(カソード)22が含まれている。
【0005】
基材12は、透明であっても半透明であってもよく、たとえば、ガラス、ある
いはポリオレフィン、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエステル
、およびポリアリーレートのような透明プラスチックを含んでいてもよい。
いはポリオレフィン、ポリエーテルスルホン、ポリカーボネート、ポリエステル
、およびポリアリーレートのような透明プラスチックを含んでいてもよい。
【0006】
アノード14は導電性であり、場合により、透明であっても半透明であっても
よい。この層に好適な材料としては、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物(
ITO)、酸化亜鉛、酸化バナジウム、亜鉛スズ酸化物、金、銅、銀およびそれ
らの組み合わせが挙げられる。
よい。この層に好適な材料としては、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物(
ITO)、酸化亜鉛、酸化バナジウム、亜鉛スズ酸化物、金、銅、銀およびそれ
らの組み合わせが挙げられる。
【0007】
任意の正孔注入層(示されていない)が、アノード14から正孔を受け取って
、正孔輸送層16に渡すようにしてもよい。この層に好適な材料としては、ポル
フィリン系化合物、例えば、銅フタロシアニン(CuPc)および亜鉛フタロシ
アニンが挙げられる。
、正孔輸送層16に渡すようにしてもよい。この層に好適な材料としては、ポル
フィリン系化合物、例えば、銅フタロシアニン(CuPc)および亜鉛フタロシ
アニンが挙げられる。
【0008】
正孔輸送層16は、アノード層14からエミッター層18までの正孔の動きを
容易にする。この層に好適な材料としては、たとえば、米国特許第5,374,
489号および同第5,756,224号に記載の芳香族第三級アミン物質、具
体的には、4,4’,4”−トリ(N−フェノチアジニル)トリフェニルアミン
(TPTTA)、4,4’,4”−トリ(N−フェノキサジニル)トリフェニル
アミン(TPOTA)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフ
ェニル)[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD)、およびポ
リビニルカルバゾールが挙げられる。
容易にする。この層に好適な材料としては、たとえば、米国特許第5,374,
489号および同第5,756,224号に記載の芳香族第三級アミン物質、具
体的には、4,4’,4”−トリ(N−フェノチアジニル)トリフェニルアミン
(TPTTA)、4,4’,4”−トリ(N−フェノキサジニル)トリフェニル
アミン(TPOTA)、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフ
ェニル)[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD)、およびポ
リビニルカルバゾールが挙げられる。
【0009】
エミッター層18には、正孔と電子の両方を収容することのできる有機物質が
含まれている。エミッター層18では、正孔および電子が一緒になって光を生じ
る。この層に好適な材料としては、たとえば、トリス(8−ヒドロキシキノリナ
ト)アルミニウム(AlQ)が挙げられる。異なる色の発光は、当技術分野で報
告されているように、エミッター層中で異なるエミッターおよびドーパントを使
用することにより達成することが可能である(C.H.Chen,J.Shi,
and C.W.Tang ”Recent Developments in
Molecular Organic Electroluminescen
t Materials”,Macromolecular Symposia
1997 125,1−48を参照されたい)。
含まれている。エミッター層18では、正孔および電子が一緒になって光を生じ
る。この層に好適な材料としては、たとえば、トリス(8−ヒドロキシキノリナ
ト)アルミニウム(AlQ)が挙げられる。異なる色の発光は、当技術分野で報
告されているように、エミッター層中で異なるエミッターおよびドーパントを使
用することにより達成することが可能である(C.H.Chen,J.Shi,
and C.W.Tang ”Recent Developments in
Molecular Organic Electroluminescen
t Materials”,Macromolecular Symposia
1997 125,1−48を参照されたい)。
【0010】
電子輸送層20は、カソード22からエミッター層20までの電子の動きを容
易にする。この層に好適な材料としては、たとえば、AlQ、ビス(10−ヒド
ロキシ−ベンゾ(h)キノリナト)ベリリウム、ビス(2−(2−ヒドロキシ−
フェニル)ベンゾチアゾラト)亜鉛、およびそれらの組み合わせが挙げられる。
易にする。この層に好適な材料としては、たとえば、AlQ、ビス(10−ヒド
ロキシ−ベンゾ(h)キノリナト)ベリリウム、ビス(2−(2−ヒドロキシ−
フェニル)ベンゾチアゾラト)亜鉛、およびそれらの組み合わせが挙げられる。
【0011】
任意の電子注入層(示されていない)が、カソード22から電子を受け取って
、エミッター層20に渡すようにしてもよい。この層に好適な材料としては、L
iF、CsFのような金属フッ化物のほかに、SiO2、Al2O3、銅フタロ
シアニン(CuPc)、ならびにLi、Rb、Cs、Na、およびKのうちの少
なくとも一つを含むアルカリ金属化合物、たとえば、Li2O、Cs2O、およ
びLiAlO2などのアルカリ金属酸化物、アルカリ金属塩が挙げられる。
、エミッター層20に渡すようにしてもよい。この層に好適な材料としては、L
iF、CsFのような金属フッ化物のほかに、SiO2、Al2O3、銅フタロ
シアニン(CuPc)、ならびにLi、Rb、Cs、Na、およびKのうちの少
なくとも一つを含むアルカリ金属化合物、たとえば、Li2O、Cs2O、およ
びLiAlO2などのアルカリ金属酸化物、アルカリ金属塩が挙げられる。
【0012】
カソード22は電子を提供する。それは透明であってもよい。この層に好適な
材料としては、たとえば、Mg、Ca、Ag、Al、CaとMgの合金、および
ITOが挙げられる。
材料としては、たとえば、Mg、Ca、Ag、Al、CaとMgの合金、および
ITOが挙げられる。
【0013】
ポリ(フェニレンビニレン)(PPV)またはポリ(2−メトキシ−5−(2
’−エチルヘキシルオキシ)−1、4−フェニレンビニレン)(MEH−PPV
)の単層が、層16、18、および20として機能するポリマーOLEDを作製
することが可能である。
’−エチルヘキシルオキシ)−1、4−フェニレンビニレン)(MEH−PPV
)の単層が、層16、18、および20として機能するポリマーOLEDを作製
することが可能である。
【0014】
既知のOELデバイス構成体の実例としては、電荷運搬および/または発光種
がポリマーマトリックス中に分散されている分子ドープ型ポリマーデバイス(J
.Kido,”Organic Electroluminescent de
vices Based on Polymeric Materials,”
Trends in Polymer Science,1994,2,350
−355を参照されたい)、ポリ(フェニレンビニレン)(PPV)のようなポ
リマーの層が電荷運搬および発光種の働きをする共役ポリマーデバイス(J.J
.M.Halls,D.R.Baigent,F.Cacialli,N.C.
Greenham,R.H.Friend,S.C.Moratti,and
A.B.Holmes,”Light−emitting and Photo
conductive Diodes Fabricated with Co
njugated Polymers,”Thin Solid Films,
1996,276,13−20を参照されたい)、蒸着小分子へテロ構造デバイ
ス(米国特許第5,061,569号およびC.H.Chen,J.Shi,a
nd C.W.Tang,”Recent Developments in
Molecular Organic Electroluminescent
Materials,”Macromolecular Symposia,
1997,125,1−48を参照されたい)、発光電気化学セル(Q.Pei
,Y.Yang,G.Yu,C.Zhang,and A.J.Heeger,
”Polymer Light−Emitting Electrochemi
cal Cells:In Situ Formation of a Lig
ht−Emitting p−n Junction,”Journal of
the American Chemical Society,1996,
118,3922−3929を参照されたい)、および多波長発光の可能な垂直
積層型有機発光ダイオード(米国特許第5,707,745号およびZ.She
n,P.E.Burrows,V.Bulovic,S.R.Forrest,
and M.E.Thompson”Three−Color,Tunable
,Organic Light−Emitting Devices,”Sci
ence,1997,276,2009−2011を参照されたい)。
がポリマーマトリックス中に分散されている分子ドープ型ポリマーデバイス(J
.Kido,”Organic Electroluminescent de
vices Based on Polymeric Materials,”
Trends in Polymer Science,1994,2,350
−355を参照されたい)、ポリ(フェニレンビニレン)(PPV)のようなポ
リマーの層が電荷運搬および発光種の働きをする共役ポリマーデバイス(J.J
.M.Halls,D.R.Baigent,F.Cacialli,N.C.
Greenham,R.H.Friend,S.C.Moratti,and
A.B.Holmes,”Light−emitting and Photo
conductive Diodes Fabricated with Co
njugated Polymers,”Thin Solid Films,
1996,276,13−20を参照されたい)、蒸着小分子へテロ構造デバイ
ス(米国特許第5,061,569号およびC.H.Chen,J.Shi,a
nd C.W.Tang,”Recent Developments in
Molecular Organic Electroluminescent
Materials,”Macromolecular Symposia,
1997,125,1−48を参照されたい)、発光電気化学セル(Q.Pei
,Y.Yang,G.Yu,C.Zhang,and A.J.Heeger,
”Polymer Light−Emitting Electrochemi
cal Cells:In Situ Formation of a Lig
ht−Emitting p−n Junction,”Journal of
the American Chemical Society,1996,
118,3922−3929を参照されたい)、および多波長発光の可能な垂直
積層型有機発光ダイオード(米国特許第5,707,745号およびZ.She
n,P.E.Burrows,V.Bulovic,S.R.Forrest,
and M.E.Thompson”Three−Color,Tunable
,Organic Light−Emitting Devices,”Sci
ence,1997,276,2009−2011を参照されたい)。
【0015】
発明の概要
本発明は、有機電子デバイスにおいて自己ドープ型ポリマーを含む緩衝層を電
極層に隣接して設けることに関する。本発明はさらに、小分子有機発光ダイオー
ド、分子ドープ型ポリマー有機発光ダイオード、または共役ポリマー有機発光ダ
イオードにおいて、可動性対イオンを有していない真性導電性ポリマーを含む緩
衝層を電極層に隣接して設けることに関する。たとえば、動作信頼性を増加させ
るために、有機電子デバイスのアノード層と正孔輸送層との間に緩衝層を設ける
ことが可能である。基材とカソード層との間に緩衝層を設けることも可能である
。
極層に隣接して設けることに関する。本発明はさらに、小分子有機発光ダイオー
ド、分子ドープ型ポリマー有機発光ダイオード、または共役ポリマー有機発光ダ
イオードにおいて、可動性対イオンを有していない真性導電性ポリマーを含む緩
衝層を電極層に隣接して設けることに関する。たとえば、動作信頼性を増加させ
るために、有機電子デバイスのアノード層と正孔輸送層との間に緩衝層を設ける
ことが可能である。基材とカソード層との間に緩衝層を設けることも可能である
。
【0016】
本発明の緩衝層を有機発光ダイオード(OLED)のような有機電子デバイス
で使用する場合、動作の信頼性を高めるうえで役立つこととしては、電気的短絡
および非放射領域(ダークスポット)のような動作不良を低減または除去するこ
とが挙げられる。典型的な動作不良については、Antoniadas,H.,
et al.,”Failure Modes in Vapor−Depos
ited Organic LEDs,”Macromol.Symp.,12
5,59−67(1997)に記載されている。OLEDの動作の信頼性は、い
くつかの因子により影響を受ける可能性がある。たとえば、基材および電極層を
構成する材料の表面内の欠陥、表面上の粒子、および表面の一般的な形態変化に
よって、OLEDで発生するおそれのある動作不良が起こったり増大されたりす
る可能性がある。基材または電極層の表面に粒子または欠陥があると、堆積プロ
セス時に電極表面を一様に被覆することが妨げられるおそれがある。このため、
粒子または欠陥の近傍に陰影領域を生じる可能性がある。陰影領域は、水、酸素
、および他の有害物質が種々のランプ層に接触してそれらを劣化させる経路を提
供する。この劣化が起こるとダークスポットが形成されて、ますます大きな非放
射領域を生じる可能性がある。この劣化は、結果として、電気的短絡による直接
的なデバイス故障、OLED層と大気との相互作用によって引き起こされるゆっ
くりとした間接的な故障の原因になる可能性がある。コンフォーマル緩衝層によ
って提供される平面化は、これらの不完全さを軽減することができる。
で使用する場合、動作の信頼性を高めるうえで役立つこととしては、電気的短絡
および非放射領域(ダークスポット)のような動作不良を低減または除去するこ
とが挙げられる。典型的な動作不良については、Antoniadas,H.,
et al.,”Failure Modes in Vapor−Depos
ited Organic LEDs,”Macromol.Symp.,12
5,59−67(1997)に記載されている。OLEDの動作の信頼性は、い
くつかの因子により影響を受ける可能性がある。たとえば、基材および電極層を
構成する材料の表面内の欠陥、表面上の粒子、および表面の一般的な形態変化に
よって、OLEDで発生するおそれのある動作不良が起こったり増大されたりす
る可能性がある。基材または電極層の表面に粒子または欠陥があると、堆積プロ
セス時に電極表面を一様に被覆することが妨げられるおそれがある。このため、
粒子または欠陥の近傍に陰影領域を生じる可能性がある。陰影領域は、水、酸素
、および他の有害物質が種々のランプ層に接触してそれらを劣化させる経路を提
供する。この劣化が起こるとダークスポットが形成されて、ますます大きな非放
射領域を生じる可能性がある。この劣化は、結果として、電気的短絡による直接
的なデバイス故障、OLED層と大気との相互作用によって引き起こされるゆっ
くりとした間接的な故障の原因になる可能性がある。コンフォーマル緩衝層によ
って提供される平面化は、これらの不完全さを軽減することができる。
【0017】
外部ドープ型ポリマーを含む緩衝層を有機電子デバイスに設けると、次第に望
ましからぬ動作電圧の増加が起こる可能性がある。この現象については、米国特
許第5,719,467号の図5に示されている。しかしながら、本発明者らは
、緩衝層中で外部ドープ型ポリマーの代わりに導電性自己ドープ型ポリマーを用
いると動作電圧が増加しなくなり、しかも、依然として緩衝層の利点が提供され
ることを見いだした。
ましからぬ動作電圧の増加が起こる可能性がある。この現象については、米国特
許第5,719,467号の図5に示されている。しかしながら、本発明者らは
、緩衝層中で外部ドープ型ポリマーの代わりに導電性自己ドープ型ポリマーを用
いると動作電圧が増加しなくなり、しかも、依然として緩衝層の利点が提供され
ることを見いだした。
【0018】
本発明の一態様は、自己ドープ型導電性ポリマー、好ましくは、バックボーン
にスルホン酸基を組み入れた導電性ポリアニリンのような自己ドープ型導電性ポ
リアニリンで構成された緩衝層を有してなる有機電子デバイスを特徴とする。
にスルホン酸基を組み入れた導電性ポリアニリンのような自己ドープ型導電性ポ
リアニリンで構成された緩衝層を有してなる有機電子デバイスを特徴とする。
【0019】
有機電子デバイスは、有機発光ダイオード(OLED)であってよい。OLE
Dは、OLEDからの所望の発光方向に依存して、透明、半透明、または不透明
なアノード層および/またはカソード層を有していてもよい。本発明の他の態様
は、可動性対イオンを有していない真性導電性ポリマーを含む緩衝層に隣接した
透明または半透明な電極層を含んでなる小分子有機発光ダイオード、分子ドープ
型ポリマー有機発光ダイオード、または共役ポリマー有機発光ダイオードを特徴
とする。
Dは、OLEDからの所望の発光方向に依存して、透明、半透明、または不透明
なアノード層および/またはカソード層を有していてもよい。本発明の他の態様
は、可動性対イオンを有していない真性導電性ポリマーを含む緩衝層に隣接した
透明または半透明な電極層を含んでなる小分子有機発光ダイオード、分子ドープ
型ポリマー有機発光ダイオード、または共役ポリマー有機発光ダイオードを特徴
とする。
【0020】
真性導電性ポリマーは、たとえば、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフ
ェン、ポリアセチレン、およびそれらの誘導体であってよい。
ェン、ポリアセチレン、およびそれらの誘導体であってよい。
【0021】
本明細書の中で使用する場合、
「ドーパント」とは、ポリマーの導電性を改変するために使用される添加剤を
意味し、たとえば、塩基形のポリアニリン分子のイミン窒素が、酸性溶液へのポ
リアニリンの暴露によりプロトン化されて、ポリアニリンがその導電形に変換さ
れる場合、プロトンを提供する酸をドーパントと呼ぶことが可能であり、 「外部ドープ型」とは、ポリマーの導電性を変化させることのできる追加物質
にポリマーが暴露されることを意味し、たとえば、酸性溶液は、水素イオンを提
供してポリアニリン分子にドープすることができると同時に、ポリマー分子に共
有結合ではなくイオン結合された対イオンを提供することができ、 「自己ドープ型」とは、ドープされるポリマーにドーピング部分が共有結合さ
れていることを意味し、 「真性導電性」とは、多共役結合系を含有していて、金属粒子、カーボンブラ
ックなどのような外部導電性物質の不在下で導電体の働きをすることのできる有
機ポリマーを意味し、 「小分子OLED」とは、真空チャンバー中で電極基材上に蒸着されたその非
ポリマー層を有してなる多層へテロ構造OLEDを意味し、この場合、「非ポリ
マー」とは、顕著な分解または他の化学変化を引き起こすことなく、熱的に蒸発
させることのできる低分子量個別化合物を指し、そして 「ポリマー発光デバイス」とは、分子ドープ型ポリマーOLED、共役ポリマ
ーOLED、またはハイブリッドOLED、例えば、溶液塗布されたPPV上に
蒸着させたAlQが包含されうるものである。
意味し、たとえば、塩基形のポリアニリン分子のイミン窒素が、酸性溶液へのポ
リアニリンの暴露によりプロトン化されて、ポリアニリンがその導電形に変換さ
れる場合、プロトンを提供する酸をドーパントと呼ぶことが可能であり、 「外部ドープ型」とは、ポリマーの導電性を変化させることのできる追加物質
にポリマーが暴露されることを意味し、たとえば、酸性溶液は、水素イオンを提
供してポリアニリン分子にドープすることができると同時に、ポリマー分子に共
有結合ではなくイオン結合された対イオンを提供することができ、 「自己ドープ型」とは、ドープされるポリマーにドーピング部分が共有結合さ
れていることを意味し、 「真性導電性」とは、多共役結合系を含有していて、金属粒子、カーボンブラ
ックなどのような外部導電性物質の不在下で導電体の働きをすることのできる有
機ポリマーを意味し、 「小分子OLED」とは、真空チャンバー中で電極基材上に蒸着されたその非
ポリマー層を有してなる多層へテロ構造OLEDを意味し、この場合、「非ポリ
マー」とは、顕著な分解または他の化学変化を引き起こすことなく、熱的に蒸発
させることのできる低分子量個別化合物を指し、そして 「ポリマー発光デバイス」とは、分子ドープ型ポリマーOLED、共役ポリマ
ーOLED、またはハイブリッドOLED、例えば、溶液塗布されたPPV上に
蒸着させたAlQが包含されうるものである。
【0022】
本発明の少なくとも一つの実施形態の利点は、有機電子デバイス中の可動性対
イオンの低減または除去である。好ましくは、対イオンの可動性は、そのような
デバイスの緩衝層中で低減または除去される。これらの対イオンは電極構造中で
移動することができ、デバイス中の正電荷または電子の動きを妨害する可能性が
あると考えられるので、これらの対イオンを固定化することは有利である。
イオンの低減または除去である。好ましくは、対イオンの可動性は、そのような
デバイスの緩衝層中で低減または除去される。これらの対イオンは電極構造中で
移動することができ、デバイス中の正電荷または電子の動きを妨害する可能性が
あると考えられるので、これらの対イオンを固定化することは有利である。
【0023】
本発明の少なくとも一つの実施形態の他の利点は、経時に伴う望ましからぬ動
作電圧の増加が回避されることである。
作電圧の増加が回避されることである。
【0024】
本発明の少なくとも一つの実施形態の他の利点は、デバイスの寿命が増加する
ことおよび動作の信頼性が高くなることである。
ことおよび動作の信頼性が高くなることである。
【0025】
詳細な説明
図2は、本発明の緩衝層15を有する図1のOLEDを含んでなるOLEDの
構造を示している。この実施形態では、本発明の緩衝層は、アノード層と正孔輸
送層との間にある。しかしながら、たとえば、カソード層と電子輸送層との間の
ように、カソード層に隣接して緩衝層を設けることも可能である。本発明では、
外部ドープ型ポリマーを有機電子デバイスの緩衝層に使用すると、定電流密度に
おけるデバイスの動作時に経時に伴う望ましからぬ動作電圧の増加が観察されう
ることが示される。本発明ではさらに、緩衝層中で導電性自己ドープ型ポリマー
を使用することによって、外部ドープ型ポリマーの使用に関連した動作電圧の増
加を伴うことなく緩衝層の利点を獲得できることが示される。
構造を示している。この実施形態では、本発明の緩衝層は、アノード層と正孔輸
送層との間にある。しかしながら、たとえば、カソード層と電子輸送層との間の
ように、カソード層に隣接して緩衝層を設けることも可能である。本発明では、
外部ドープ型ポリマーを有機電子デバイスの緩衝層に使用すると、定電流密度に
おけるデバイスの動作時に経時に伴う望ましからぬ動作電圧の増加が観察されう
ることが示される。本発明ではさらに、緩衝層中で導電性自己ドープ型ポリマー
を使用することによって、外部ドープ型ポリマーの使用に関連した動作電圧の増
加を伴うことなく緩衝層の利点を獲得できることが示される。
【0026】
導電性自己ドープ型ポリマーを用いて達成された優れた性能は、外部ドープ型
ポリマーが電荷を伝導するために必要な可動性対イオンが存在しないことに起因
すると考えられる。ポリマーが外部ドープされると、デバイス中に存在する対イ
オンが、ドープ型ポリマーに共有結合ではなくイオン結合される。対イオンは可
動性であり、デバイスが電場に置かれると、これらの対イオンは移動したりずれ
を生じたりする可能性があると考えられる。このため、デバイスの動作時間が増
大するにつれて、電子および正孔の動きが妨害される可能性がある。自己ドープ
型ポリマーの場合、ドープによりポリマーを導電形にする官能基は、ポリマーに
共有結合される。したがって、移動して電子および正孔の動きを妨害する可能性
のある可動性対イオンは存在しない。
ポリマーが電荷を伝導するために必要な可動性対イオンが存在しないことに起因
すると考えられる。ポリマーが外部ドープされると、デバイス中に存在する対イ
オンが、ドープ型ポリマーに共有結合ではなくイオン結合される。対イオンは可
動性であり、デバイスが電場に置かれると、これらの対イオンは移動したりずれ
を生じたりする可能性があると考えられる。このため、デバイスの動作時間が増
大するにつれて、電子および正孔の動きが妨害される可能性がある。自己ドープ
型ポリマーの場合、ドープによりポリマーを導電形にする官能基は、ポリマーに
共有結合される。したがって、移動して電子および正孔の動きを妨害する可能性
のある可動性対イオンは存在しない。
【0027】
緩衝層には、可動性対イオンを有していない限り、真性導電性ポリマーのよう
な任意のタイプの導くポリマーが含まれていてもよい。可動性対イオンを有して
いない自己ドープ型導電性ポリマーのバックボーンを形成しうる好適な真性導電
性ポリマーとしては、ポリアニリン類、ポリ(フェニレンビニレン)類、ポリチ
オフェン類、ポリイソチアナフテン類、ポリ(p−フェニレン)類、ポリ(p−
フェニレンスルフィド)類、ポリ(m−フェニレン)類、ポリアセチレン類、ポ
リカルバゾール類、ポリピロール類、ならびにこれらのポリマーの誘導体、ブレ
ンド、およびハイブリッドが挙げられる。好適な導電性自己ドープ型ポリマーと
しては、米国特許第5,310,781号、同第5,641,859号、同第5
,863,981号、および同第5,891,968号の記載に従って調製しう
るポリマーが挙げられる。自己ドープ型ポリアニリンは好ましい。スルホン酸基
で自己ドープされたポリアニリンは最も好ましい。自己ドープ型スルホン化ポリ
アニリンについても、米国特許第5,093,439号およびYue,J.,E
pstein,A.,”Synthesis of Self−Doped C
onducting Polyaniline”J.Am.Chem.Soc.
,1990,112,2800−2801の記載に従って調製することが可能で
ある。自己ドープ型導電性ポリマーと絶縁性ポリマーのような他のポリマーとの
ブレンドも、緩衝層として使用することができる。たとえば、水性ポリアニリン
は、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド(PEO)、ポリ(ビニルメ
チルエーテル)(PVME)、ポリ(エチレンイミン)(PEI)、ポリ(アク
リル酸)(PAA)、および米国特許第5,641,859号、第5欄、第15
行目から列挙されているような他のポリマーとブレンドしてもよい。
な任意のタイプの導くポリマーが含まれていてもよい。可動性対イオンを有して
いない自己ドープ型導電性ポリマーのバックボーンを形成しうる好適な真性導電
性ポリマーとしては、ポリアニリン類、ポリ(フェニレンビニレン)類、ポリチ
オフェン類、ポリイソチアナフテン類、ポリ(p−フェニレン)類、ポリ(p−
フェニレンスルフィド)類、ポリ(m−フェニレン)類、ポリアセチレン類、ポ
リカルバゾール類、ポリピロール類、ならびにこれらのポリマーの誘導体、ブレ
ンド、およびハイブリッドが挙げられる。好適な導電性自己ドープ型ポリマーと
しては、米国特許第5,310,781号、同第5,641,859号、同第5
,863,981号、および同第5,891,968号の記載に従って調製しう
るポリマーが挙げられる。自己ドープ型ポリアニリンは好ましい。スルホン酸基
で自己ドープされたポリアニリンは最も好ましい。自己ドープ型スルホン化ポリ
アニリンについても、米国特許第5,093,439号およびYue,J.,E
pstein,A.,”Synthesis of Self−Doped C
onducting Polyaniline”J.Am.Chem.Soc.
,1990,112,2800−2801の記載に従って調製することが可能で
ある。自己ドープ型導電性ポリマーと絶縁性ポリマーのような他のポリマーとの
ブレンドも、緩衝層として使用することができる。たとえば、水性ポリアニリン
は、ポリビニルアルコール、ポリエチレンオキシド(PEO)、ポリ(ビニルメ
チルエーテル)(PVME)、ポリ(エチレンイミン)(PEI)、ポリ(アク
リル酸)(PAA)、および米国特許第5,641,859号、第5欄、第15
行目から列挙されているような他のポリマーとブレンドしてもよい。
【0028】
ポリアニリンの絶縁性エメラルジン塩基形(式Iはその繰り返し単位を示す)
は、以下のように、導電性酸ドープ型エメラルジン塩ポリアニリン(式IIはそ
の繰り返し単位を示す)を作製するために使用することが可能である。
は、以下のように、導電性酸ドープ型エメラルジン塩ポリアニリン(式IIはそ
の繰り返し単位を示す)を作製するために使用することが可能である。
【化1】
〔式中、X−は、可動性対イオンである。〕
【0029】
50%自己ドープ型スルホン化ポリアニリンは、次の構造(式IIIはその繰
り返し単位を示す)を有すると思われる。
り返し単位を示す)を有すると思われる。
【化2】
【0030】
100%自己ドープ型スルホン化ポリアニリンは、次の構造(式IVはその繰
り返し単位を示す)を有すると思われる。
り返し単位を示す)を有すると思われる。
【化3】
【0031】
典型的にはスルホン酸基がポリマーの自己ドーピングに使用されるが、他の基
を使用してもよい。ドーピング置換基は、好ましくは、真性導電性ポリマーにド
ープするための水素カチオンを提供するのに十分な程度に強い酸である。好適な
基としては、たとえば、ペルフルオロ酸基、カルボン酸基、リン酸基、スルホン
酸基、ホスホン酸基などが挙げられる。
を使用してもよい。ドーピング置換基は、好ましくは、真性導電性ポリマーにド
ープするための水素カチオンを提供するのに十分な程度に強い酸である。好適な
基としては、たとえば、ペルフルオロ酸基、カルボン酸基、リン酸基、スルホン
酸基、ホスホン酸基などが挙げられる。
【0032】
ポリマーの自己ドーピングは、典型的には、分子の炭素バックボーン上の置換
により行われる。しかしながら、他の部位での置換により自己ドーピングを行う
ことも可能である。たとえば、米国特許第5,641,859号などに記載され
ているように、ポリアニリン分子のイミン窒素上で置換を行うことが可能である
。自己ドープ型(N−アルキル化)ポリアニリンは、次の構造(式Vはその繰り
返し単位を示す)を有すると思われる。
により行われる。しかしながら、他の部位での置換により自己ドーピングを行う
ことも可能である。たとえば、米国特許第5,641,859号などに記載され
ているように、ポリアニリン分子のイミン窒素上で置換を行うことが可能である
。自己ドープ型(N−アルキル化)ポリアニリンは、次の構造(式Vはその繰り
返し単位を示す)を有すると思われる。
【化4】
【0033】
図3に示されているように、外部ドープ型ポリマー(Monsanto Ch
emical Co.,St.Louis,MOから実験サンプルとして入手し
たスルホン酸ドーパント含有ポリアニリン)を、動作OLEDのアノード被覆基
材上で緩衝層として使用した場合、20ミリアンペア/平方センチメートル(m
A/cm2)の定電流密度で約20時間にわたり電圧は約5.6ボルトから7.
4ボルトまで増加した。さらに図3から分かるように、緩衝層を有していない類
似のデバイスは、同じ電圧増加を示さなかった。緩衝層を有していないOLED
は、20mA/cm2の定電流密度において、最初の20時間の動作では電圧増
加を示さず、45時間の動作で約5.5ボルトから約5.7ボルトまで増加した
。このデータから、外部ドープ型ポリマー緩衝層によって電圧増加が引き起こさ
れることが示唆される。図4に示されているように、外部ドープ型ポリマーの代
わりに導電性自己ドープ型ポリマー(Aldrichから入手した水溶性スルホ
ン化自己ドープ型ポリアニリン)を含む緩衝層を有してなる本発明のデバイスは
、経時に伴う実質的な電圧増加を示さず、実際上、緩衝層を有していないデバイ
スのものに匹敵する電圧プロフィルを有していた。自己ドープ型ポリマー緩衝層
を含むOLEDは、20mA/cm2の定電流密度において、最初の20時間の
動作では約6.3ボルトから6.5ボルトまで電圧が増加し、45時間の動作で
は約6.3から6.6ボルトまで増加し、100時間の動作では約6.3から7
.2ボルトまで増加した。したがって、本発明を用いると、外部ドープ型ポリマ
ー緩衝層の欠点を伴うことなく緩衝層の長所が得られる。
emical Co.,St.Louis,MOから実験サンプルとして入手し
たスルホン酸ドーパント含有ポリアニリン)を、動作OLEDのアノード被覆基
材上で緩衝層として使用した場合、20ミリアンペア/平方センチメートル(m
A/cm2)の定電流密度で約20時間にわたり電圧は約5.6ボルトから7.
4ボルトまで増加した。さらに図3から分かるように、緩衝層を有していない類
似のデバイスは、同じ電圧増加を示さなかった。緩衝層を有していないOLED
は、20mA/cm2の定電流密度において、最初の20時間の動作では電圧増
加を示さず、45時間の動作で約5.5ボルトから約5.7ボルトまで増加した
。このデータから、外部ドープ型ポリマー緩衝層によって電圧増加が引き起こさ
れることが示唆される。図4に示されているように、外部ドープ型ポリマーの代
わりに導電性自己ドープ型ポリマー(Aldrichから入手した水溶性スルホ
ン化自己ドープ型ポリアニリン)を含む緩衝層を有してなる本発明のデバイスは
、経時に伴う実質的な電圧増加を示さず、実際上、緩衝層を有していないデバイ
スのものに匹敵する電圧プロフィルを有していた。自己ドープ型ポリマー緩衝層
を含むOLEDは、20mA/cm2の定電流密度において、最初の20時間の
動作では約6.3ボルトから6.5ボルトまで電圧が増加し、45時間の動作で
は約6.3から6.6ボルトまで増加し、100時間の動作では約6.3から7
.2ボルトまで増加した。したがって、本発明を用いると、外部ドープ型ポリマ
ー緩衝層の欠点を伴うことなく緩衝層の長所が得られる。
【0034】
緩衝層材料は、スピン塗布法、グラビア塗布法、メニスカス塗布法、スプレー
塗布法、ディップ塗布、バー塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法、キス塗布
法、エアブレード塗布法、押出塗布法、スライド塗布法、スロット塗布法、静電
塗布法、ロール塗布法、フレキソ印刷法、およびこれらの方法の組み合わせのよ
うな当技術分野で知られている任意の塗布法を用いて電極層に適用することが可
能である。緩衝層は、その溶解性に応じて、水溶液または有機溶液の状態で堆積
させることが可能である。緩衝層を電極層にうまく接着させるべく、水溶液で湿
潤させるのに十分な親水性をもたせるかまたは有機溶液で湿潤させるのに十分な
疎水性をもたせるように電極層を前処理してもよい。電極層の処理方法としては
、O2プラズマによる表面処理、フッ化水素酸の適用、あるいは水酸化ナトリウ
ムまたは水酸化テトラメチルアンモニウムのような強塩基を含有する溶液の適用
が挙げられる。表面処理を組み合わせて使用してもよい。
塗布法、ディップ塗布、バー塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法、キス塗布
法、エアブレード塗布法、押出塗布法、スライド塗布法、スロット塗布法、静電
塗布法、ロール塗布法、フレキソ印刷法、およびこれらの方法の組み合わせのよ
うな当技術分野で知られている任意の塗布法を用いて電極層に適用することが可
能である。緩衝層は、その溶解性に応じて、水溶液または有機溶液の状態で堆積
させることが可能である。緩衝層を電極層にうまく接着させるべく、水溶液で湿
潤させるのに十分な親水性をもたせるかまたは有機溶液で湿潤させるのに十分な
疎水性をもたせるように電極層を前処理してもよい。電極層の処理方法としては
、O2プラズマによる表面処理、フッ化水素酸の適用、あるいは水酸化ナトリウ
ムまたは水酸化テトラメチルアンモニウムのような強塩基を含有する溶液の適用
が挙げられる。表面処理を組み合わせて使用してもよい。
【0035】
塗布可能な溶液を調製するのに好適な溶媒としては、水酸化ナトリウムまたは
水酸化アンモニウムの水溶液が挙げられる。特に、自己ドープ型ポリアニリンを
含む電気デバイスを作製する場合、水酸化アンモニウムが好ましい。水酸化ナト
リウムを使用すると、蒸発乾燥後、ポリマー皮膜中にナトリウムイオンが残る。
先に述べたように、ナトリウムイオンは、移動して電荷キャリヤーの動きを妨害
する可能性のある可動性対イオンである。水酸化アンモニウムを使用すると、皮
膜の乾燥に伴ってアンモニア分子が蒸発してプロトンが残るので、可動性対イオ
ンを存在させることなく導電性ポリマーがドープされる。任意の過剰な水酸化ア
ンモニウムをアンモニアおよび水として蒸発させる。
水酸化アンモニウムの水溶液が挙げられる。特に、自己ドープ型ポリアニリンを
含む電気デバイスを作製する場合、水酸化アンモニウムが好ましい。水酸化ナト
リウムを使用すると、蒸発乾燥後、ポリマー皮膜中にナトリウムイオンが残る。
先に述べたように、ナトリウムイオンは、移動して電荷キャリヤーの動きを妨害
する可能性のある可動性対イオンである。水酸化アンモニウムを使用すると、皮
膜の乾燥に伴ってアンモニア分子が蒸発してプロトンが残るので、可動性対イオ
ンを存在させることなく導電性ポリマーがドープされる。任意の過剰な水酸化ア
ンモニウムをアンモニアおよび水として蒸発させる。
【0036】
緩衝層を適用した後、乾燥させて塗布溶媒(たとえば、水)を除去しなければ
ならない。周囲条件への暴露により緩衝層を乾燥させてもよい。スピン乾燥、加
熱、不活性ガスの適用、または減圧を行うことにより、乾燥時間を短くしてもよ
い。
ならない。周囲条件への暴露により緩衝層を乾燥させてもよい。スピン乾燥、加
熱、不活性ガスの適用、または減圧を行うことにより、乾燥時間を短くしてもよ
い。
【0037】
その後、たとえば、米国特許第5,747,182号および同第5,747,
183号に記載されていようなOLEDを作製すべく、緩衝層被覆基材をさらに
処理してもよい。アノード層に隣接するOLED基材は、典型的には透明または
半透明であるが、OLEDを構成する材料がデバイスのカソード端まで光を放出
することができる場合には不透明であってもよい。OLEDは、小分子OLED
、共役ポリマーOLED、または分子ドープ型ポリマーOLEDであってよい。
緩衝層被覆基材はまた、米国特許第5,574,291号および同第5,596
,208号に記載されているような有機トランジスターに使用してもよい。
183号に記載されていようなOLEDを作製すべく、緩衝層被覆基材をさらに
処理してもよい。アノード層に隣接するOLED基材は、典型的には透明または
半透明であるが、OLEDを構成する材料がデバイスのカソード端まで光を放出
することができる場合には不透明であってもよい。OLEDは、小分子OLED
、共役ポリマーOLED、または分子ドープ型ポリマーOLEDであってよい。
緩衝層被覆基材はまた、米国特許第5,574,291号および同第5,596
,208号に記載されているような有機トランジスターに使用してもよい。
【0038】
以下の実施例により本発明について具体的に説明する。
【0039】
実施例
特に記載のない限り、化学薬剤はいずれも、ウィスコンシン州、Milwau
keeのAldrich Chemicalsから入手したものである。
keeのAldrich Chemicalsから入手したものである。
【0040】
本発明者らは、Aldrichから入手した75%スルホン化ポリアニリンを
用いて以下の実施例の調製を行った。このスルホン化ポリアニリンは、もはや市
販されていないが、日本の東京にある三菱レイヨン株式会社から100%スルホ
ン化ポリアニリンが入手可能である。50%スルホン化により、十分にドープさ
れたポリマーが提供される。さらにスルホン化すると溶解が容易になる。
用いて以下の実施例の調製を行った。このスルホン化ポリアニリンは、もはや市
販されていないが、日本の東京にある三菱レイヨン株式会社から100%スルホ
ン化ポリアニリンが入手可能である。50%スルホン化により、十分にドープさ
れたポリマーが提供される。さらにスルホン化すると溶解が容易になる。
【0041】
トリス(8−ヒドロキシキノリナト)アルミニウム(AlQ)は、日本の熊本
にある株式会社同仁化学研究所から入手した。インジウムスズ酸化物(ITO)
で被覆されたガラス基材は、公称10〜100オーム/□のシート抵抗および3
00〜1500ÅのITO厚さを有する。
にある株式会社同仁化学研究所から入手した。インジウムスズ酸化物(ITO)
で被覆されたガラス基材は、公称10〜100オーム/□のシート抵抗および3
00〜1500ÅのITO厚さを有する。
【0042】
OLEDを調製するための真空蒸着は、10μトルの基準圧力で動作する油拡
散ポンプと抵抗加熱により加熱される六つの蒸着物質源とを備えたエバポレータ
ー真空チャンバー中で行った。堆積速度は、振動結晶厚さモニター(Infic
on XTC/2,ニューヨーク州、East SyracuseのLeybo
ld Inficon)を用いて監視した。基材は、名目上23℃に保持した。
散ポンプと抵抗加熱により加熱される六つの蒸着物質源とを備えたエバポレータ
ー真空チャンバー中で行った。堆積速度は、振動結晶厚さモニター(Infic
on XTC/2,ニューヨーク州、East SyracuseのLeybo
ld Inficon)を用いて監視した。基材は、名目上23℃に保持した。
【0043】
比較例1.ガラス基材上に外部ドープ型ポリアニリンを有してなるOLED
5cm×7.6cm×1mmのITO被覆ガラス基材(カリフォルニア州、A
naheimのThin Film Devices,Inc.)をメタノール
ですすいで窒素流動下で乾燥させ、次に、スピンコーターに配置してキシレンで
覆い、スピン乾燥させた。スルホン酸ドープ型ポリアニリンのキシレン溶液(固
形分5重量%、ミズーリ州、St.LouisのMonsanto Co.によ
り供給された非営利サンプル)を0.2μmのTEFLONフィルター(ミシガ
ン州、Ann ArborのGelman Sciences)に通してからス
ライドを被覆した。スライドを5000rpmで20秒間回転させて厚さ約50
0Åのポリアニリン膜を得た。直ちに被覆スライドをエバポレーター真空チャン
バー中に配置してチャンバーを密封し、約10−6トルまで減圧した。次の順序
、すなわち、1Å/秒で100Åの銅フタロシアニン(CuPc)層、3Å/秒
で400ÅのN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニルベ
ンジジン(TPD)正孔輸送層、2Å/秒で400ÅのAlQ電子輸送層、1Å
/秒で10Åのフッ化リチウム、10Å/秒で300Åのアルミニウム、および
10Å/秒で1000Åの金の順序で真空蒸着することにより、ポリアニリン表
面上に発光構成体を作製した。チャンバーから取り出してすぐに、デバイスを電
源に接続し、5.53Vの電圧を印加して20mA/cm2で動作させた。光は
、0.91%の外部量子効率(QE)で放出された。United Photo
detectors model #PIN−10Dシリコン光検出器(カリフ
ォルニア州、HawthorneのUDT Sensors)により測定したデ
バイスの光出力強度は、540カンデラ/m2(cd/m2)であった。検定済
みSD1000光ファイバー分光計(フロリダ州、DunedinのOcean
Optics,Inc.)を用いてランプのエレクトロルミネセンス発光スペ
クトルを測定したところ、AlQのホトルミネセンススペクトルと同じであった
。
naheimのThin Film Devices,Inc.)をメタノール
ですすいで窒素流動下で乾燥させ、次に、スピンコーターに配置してキシレンで
覆い、スピン乾燥させた。スルホン酸ドープ型ポリアニリンのキシレン溶液(固
形分5重量%、ミズーリ州、St.LouisのMonsanto Co.によ
り供給された非営利サンプル)を0.2μmのTEFLONフィルター(ミシガ
ン州、Ann ArborのGelman Sciences)に通してからス
ライドを被覆した。スライドを5000rpmで20秒間回転させて厚さ約50
0Åのポリアニリン膜を得た。直ちに被覆スライドをエバポレーター真空チャン
バー中に配置してチャンバーを密封し、約10−6トルまで減圧した。次の順序
、すなわち、1Å/秒で100Åの銅フタロシアニン(CuPc)層、3Å/秒
で400ÅのN,N’−ビス(3−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニルベ
ンジジン(TPD)正孔輸送層、2Å/秒で400ÅのAlQ電子輸送層、1Å
/秒で10Åのフッ化リチウム、10Å/秒で300Åのアルミニウム、および
10Å/秒で1000Åの金の順序で真空蒸着することにより、ポリアニリン表
面上に発光構成体を作製した。チャンバーから取り出してすぐに、デバイスを電
源に接続し、5.53Vの電圧を印加して20mA/cm2で動作させた。光は
、0.91%の外部量子効率(QE)で放出された。United Photo
detectors model #PIN−10Dシリコン光検出器(カリフ
ォルニア州、HawthorneのUDT Sensors)により測定したデ
バイスの光出力強度は、540カンデラ/m2(cd/m2)であった。検定済
みSD1000光ファイバー分光計(フロリダ州、DunedinのOcean
Optics,Inc.)を用いてランプのエレクトロルミネセンス発光スペ
クトルを測定したところ、AlQのホトルミネセンススペクトルと同じであった
。
【0044】
このデバイスの寿命試験の結果(電圧に及ぼす動作時間の影響を示す)を、図
3中にデバイスBに対するカーブとして示す。
3中にデバイスBに対するカーブとして示す。
【0045】
比較例2.ポリアニリンを含んでいないOLED
基材上でキシレンをスピン乾燥させなかったことおよびドープ型ポリアニリン
層を適用しなかったこと以外は比較例1の記載に従って、OLEDデバイスを調
製した。チャンバーから取り出してすぐに、デバイスを電源に接続し、5.5V
の電圧を印加して20mA/cm2で動作させた。光は、0.84%の外部量子
効率(QE)で放出された。デバイスの光出力強度は、503カンデラ/m2(
cd/m2)であった。
層を適用しなかったこと以外は比較例1の記載に従って、OLEDデバイスを調
製した。チャンバーから取り出してすぐに、デバイスを電源に接続し、5.5V
の電圧を印加して20mA/cm2で動作させた。光は、0.84%の外部量子
効率(QE)で放出された。デバイスの光出力強度は、503カンデラ/m2(
cd/m2)であった。
【0046】
このデバイスの寿命試験の結果(電圧に及ぼす動作時間の影響を示す)を、図
3中にデバイスAに対するカーブとして示す。図3中の比較例1および2のデー
タを比べると、外部ドープ型ポリアニリンを用いて作製されたデバイスがドープ
型ポリアニリンを用いずに作製されたデバイスよりも著しくより大きな電圧増加
を呈することが分かる。
3中にデバイスAに対するカーブとして示す。図3中の比較例1および2のデー
タを比べると、外部ドープ型ポリアニリンを用いて作製されたデバイスがドープ
型ポリアニリンを用いずに作製されたデバイスよりも著しくより大きな電圧増加
を呈することが分かる。
【0047】
実施例1.自己ドープ型ポリアニリンを有するOLED
反応性イオンエッチャー(Micro−RIE series 80,カリフ
ォルニア州、DublinのTechnics,Inc.)中において50ワッ
トおよび200ミリトルの酸素の条件下で基材を4分間酸素プラズマ処理したこ
とならびに外部ドープ型のポリアニリンの代わりに600Åの自己ドープ型水溶
性ポリアニリン(Aldrich)層を使用したこと以外は比較例1の方法に従
ってOLEDデバイスを作製した。自己ドープ型ポリアニリンは、5重量%アン
モニア水溶液から被覆した。この作製時、自己ドープ型ポリアニリン層をスピン
塗布した後、痕跡量の水およびアンモニアを除去するために125℃のホットプ
レート上でガラス基材を10分間加熱した。その後、比較例1の記載に従って、
残りの層を設けた。20mA/cm2でデバイスを100時間動作させた。その
間、デバイスの動作電圧は、約6.3Vから約7.2Vまで増加した。これは光
電流が約53μAから約22μAまで低下したことに相当する。光は、約0.7
9%のQEで放出された。これは470cd/m2の明るさに相当する。このデ
バイスの寿命試験結果(電圧に及ぼす動作時間の影響を示す)を図4に示す。
ォルニア州、DublinのTechnics,Inc.)中において50ワッ
トおよび200ミリトルの酸素の条件下で基材を4分間酸素プラズマ処理したこ
とならびに外部ドープ型のポリアニリンの代わりに600Åの自己ドープ型水溶
性ポリアニリン(Aldrich)層を使用したこと以外は比較例1の方法に従
ってOLEDデバイスを作製した。自己ドープ型ポリアニリンは、5重量%アン
モニア水溶液から被覆した。この作製時、自己ドープ型ポリアニリン層をスピン
塗布した後、痕跡量の水およびアンモニアを除去するために125℃のホットプ
レート上でガラス基材を10分間加熱した。その後、比較例1の記載に従って、
残りの層を設けた。20mA/cm2でデバイスを100時間動作させた。その
間、デバイスの動作電圧は、約6.3Vから約7.2Vまで増加した。これは光
電流が約53μAから約22μAまで低下したことに相当する。光は、約0.7
9%のQEで放出された。これは470cd/m2の明るさに相当する。このデ
バイスの寿命試験結果(電圧に及ぼす動作時間の影響を示す)を図4に示す。
【0048】
図3と図4を比較すると、自己ドープ型ポリアニリンを用いて作製されたデバ
イス(図4)が、外部ドープ型ポリアニリンを用いて作製されたデバイス(図3
、デバイスB)よりも著しく小さな動作電圧増加を呈することがわかる。
イス(図4)が、外部ドープ型ポリアニリンを用いて作製されたデバイス(図3
、デバイスB)よりも著しく小さな動作電圧増加を呈することがわかる。
【0049】
本発明の他の実施形態は、本発明の特許請求の範囲内にある。
【図1】
一タイプの有機発光ダイオードの一般的構造を示す。
【図2】
本発明の緩衝層を有する図1のOLEDを示す。
【図3】
定電流密度において二つのOLEDデバイスの寿命期間にわたる動作電圧の増
加を示す。Aデバイスは、緩衝層を有しておらず、Bデバイスは、外部ドープ型
ポリアニリンを含む緩衝層を有している。
加を示す。Aデバイスは、緩衝層を有しておらず、Bデバイスは、外部ドープ型
ポリアニリンを含む緩衝層を有している。
【図4】
定電流密度においてOLEDデバイスの寿命期間にわたる動作電圧の増加を示
す。OLEDデバイスは、自己ドープ型ポリアニリンを含む緩衝層を有している
。
す。OLEDデバイスは、自己ドープ型ポリアニリンを含む緩衝層を有している
。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY,
DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I
T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ
,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML,
MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K
E,LS,MW,SD,SL,SZ,TZ,UG,ZW
),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU,
TJ,TM),AE,AL,AM,AT,AU,AZ,
BA,BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,C
R,CU,CZ,DE,DK,DM,EE,ES,FI
,GB,GD,GE,GH,GM,HR,HU,ID,
IL,IN,IS,JP,KE,KG,KP,KR,K
Z,LC,LK,LR,LS,LT,LU,LV,MA
,MD,MG,MK,MN,MW,MX,NO,NZ,
PL,PT,RO,RU,SD,SE,SG,SI,S
K,SL,TJ,TM,TR,TT,TZ,UA,UG
,UZ,VN,YU,ZA,ZW
(72)発明者 ハーセ,マイケル エー.
アメリカ合衆国,ミネソタ 55133−3427,
セント ポール,ピー.オー.ボックス
33427
(72)発明者 ボード,ポール エフ.
アメリカ合衆国,ミネソタ 55133−3427,
セント ポール,ピー.オー.ボックス
33427
(72)発明者 ス,ヨン
アメリカ合衆国,ミネソタ 55133−3427,
セント ポール,ピー.オー.ボックス
33427
(72)発明者 バーンストローム,ジョージ ディー.
アメリカ合衆国,ミネソタ 55133−3427,
セント ポール,ピー.オー.ボックス
33427
(72)発明者 ニルマル,マノジ
アメリカ合衆国,ミネソタ 55133−3427,
セント ポール,ピー.オー.ボックス
33427
(72)発明者 バーコルズ,ラッセル ディー.
アメリカ合衆国,ミネソタ 55133−3427,
セント ポール,ピー.オー.ボックス
33427
Fターム(参考) 3K007 AB06 AB11 DB03 EB00
Claims (10)
- 【請求項1】 導電性自己ドープ型ポリマーを含む緩衝層に隣接した電極層
を含んでなる有機電子デバイス。 - 【請求項2】 前記導電性自己ドープ型ポリマーが自己ドープ型ポリアニリ
ンを含む、請求項1に記載の有機電子デバイス。 - 【請求項3】 前記導電性自己ドープ型ポリマーがスルホン化ポリアニリン
である、請求項1に記載の有機電子デバイス。 - 【請求項4】 前記デバイスが有機発光ダイオードである、請求項1に記載
の有機電子デバイス。 - 【請求項5】 可動性対イオンを有していない真性導電性ポリマーを含む緩
衝層に隣接した電極層を含んでなる小分子有機発光ダイオードデバイス。 - 【請求項6】 可動性対イオンを有していない自己ドープ型真性導電性ポリ
マーを含む緩衝層に隣接した電極層を含んでなるポリマー有機発光ダイオードデ
バイス。 - 【請求項7】 可動性対イオンを有していない真性導電性ポリマーを含む緩
衝層に隣接した電極層を含んでなる分子ドープ型ポリマー発光デバイス。 - 【請求項8】 定密度電流において100時間の動作期間にわたり15%未
満の電圧増加を呈する、請求項1、5、6、または7に記載のデバイス。 - 【請求項9】 前記真性導電性ポリマーが、ポリピロール、ポリアニリン、
ポリチオフェン、ポリアセチレン、ならびにそれらの誘導体およびブレンドから
なる群より選択される、請求項1、5、6、または7に記載の発光デバイス。 - 【請求項10】 前記真性導電性ポリマーがスルホン化ポリアニリンである
、請求項1、5、6、または7に記載の発光デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/390,088 | 1999-09-03 | ||
US09/390,088 US6611096B1 (en) | 1999-09-03 | 1999-09-03 | Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers |
PCT/US1999/031125 WO2001018888A1 (en) | 1999-09-03 | 1999-12-29 | Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2003509816A true JP2003509816A (ja) | 2003-03-11 |
Family
ID=23541003
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001522610A Pending JP2003509816A (ja) | 1999-09-03 | 1999-12-29 | 導電性自己ドープ型ポリマー緩衝層を有する有機電子デバイス |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6611096B1 (ja) |
EP (1) | EP1210740A1 (ja) |
JP (1) | JP2003509816A (ja) |
KR (1) | KR20020028227A (ja) |
AU (1) | AU2219800A (ja) |
WO (1) | WO2001018888A1 (ja) |
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WO2001018888A1 (en) | 2001-03-15 |
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EP1210740A1 (en) | 2002-06-05 |
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