JPWO2018216507A1 - 電荷輸送性薄膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

電荷輸送性物質と、ナフタレンスルホン酸およびベンゼンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種を含む電子受容性ドーパント物質と、有機溶媒とを含む電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、１００〜１８０℃に加熱して有機溶媒を蒸発させる電荷輸送性薄膜の製造方法によれば、高い光電変換効率の有機光電変換素子を与える正孔捕集層として利用可能な電荷輸送性薄膜を効率的に製造することができる。

Description

本発明は、電荷輸送性薄膜の製造方法に関し、さらに詳述すると、ナフタレンスルホン酸や、ベンゼンスルホン酸を含むドーパント物質を用いた電荷輸送性ワニスから、塗布法によって電荷輸送性薄膜を製造する方法に関する。

有機太陽電池は、活性層や電荷輸送物質に有機物を使用した太陽電池素子であり、Ｍ．グレッツェルによって開発された色素増感太陽電池と、Ｃ．Ｗ．タンによって開発された有機薄膜太陽電池とがよく知られている（非特許文献１，２）。
いずれも軽量・薄膜で、フレキシブル化可能である点、ロール・トゥ・ロールでの生産が可能である点など、現在主流の無機系太陽電池とは異なる特長を持っていることから、新たな市場形成が期待されている。
中でも、有機薄膜太陽電池は、電解質フリー、重金属化合物フリー等の特長を持つうえに、最近、ＵＣＬＡらのグループによって光電変換効率（以下ＰＣＥと略す）１０．６％の報告がなされたことなどの理由から、大きな注目を集めている（非特許文献３）。

一方で有機薄膜太陽電池は、既存のシリコン系材料を使用した光電変換素子と比較して、低照度においても高い光電変換効率を示すこと、素子の薄化および画素微細化が可能であること、カラーフィルターの性質を兼ねることができる等の特長から、太陽電池用途だけでなく、有機ＣＭＯＳイメージセンサをはじめとする光センサ用途としても注目されている（非特許文献４）。以下、有機薄膜太陽電池を一般化して有機光電変換素子（以下ＯＰＶと略す場合もある）と称して記述を行う。
有機光電変換素子は活性層（光電変換層）、電荷（正孔、電子）捕集層、および電極（陽極、陰極）等を備えて構成される。
これらの中でも活性層および電荷捕集層は、一般に真空蒸着法によって形成されているが、真空蒸着法には、量産プロセスによる複雑性、装置の高コスト化、材料の利用効率等の点で問題がある。

これらの点から、正孔捕集層用の塗布型材料として、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等のような水分散性高分子有機導電材料が用いられる場合もあるが、水分散液であるため水分の完全な除去や再吸湿の制御が難しく、素子の劣化を加速させやすいという問題がある。
しかもＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液は、固形分が凝集し易いという性質を有しているため、塗布膜の欠陥が生じやすい、塗布装置の目詰まりや腐食を発生させやすいという問題があるうえ、耐熱性という点でも不十分であり、量産化する上で種々の課題が残されている。

Nature, vol.353, 737-740(1991) Appl. Phys. Lett., Vol.48, 183-185 (1986) Nature Photonics Vol.6, 153-161 (2012) Scientific Reports, Vol.5:7708, 1-7 (2015)

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、高い光電変換効率の有機光電変換素子を与える正孔捕集層として利用可能な電荷輸送性薄膜の製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、電荷輸送性ワニスを塗布した後に所定範囲の焼成温度で薄膜を形成することで、昇華性、蒸発性のある膜構成成分を含む薄膜の減膜を防止すると同時に、低分子量かつ立体障害の小さいナフタレンスルホン酸およびベンゼンスルホン酸を使用することで効果的にホスト材料に対するドーピングを行うことができる結果、被ドープ性の低いホスト材料を用いても電荷輸送性に優れた薄膜を得ることができることを見出し、本発明を完成させた。

すなわち、本発明は、
１． 電荷輸送性物質と、ナフタレンスルホン酸およびベンゼンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種を含む電子受容性ドーパント物質と、有機溶媒とを含む電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、１００〜１８０℃に加熱して前記有機溶媒を蒸発させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法、
２． 前記電荷輸送性物質が、分子量２００〜２，０００の電荷輸送性物質である１の電荷輸送性薄膜の製造方法、
３． 前記電荷輸送性物質が、アニリン誘導体およびチオフェン誘導体から選ばれる少なくとも１種である１または２の電荷輸送性薄膜の製造方法、
４． 前記加熱が、１〜３０分間行われる１〜３のいずれかの電荷輸送性薄膜の製造方法、
５． １〜４のいずれかの製造方法で電荷輸送性薄膜を作製する工程を含む有機光電変換素子の製造方法、
６． 陽極層上に、１〜４のいずれかの製造方法により電荷輸送性薄膜を形成した後、この薄膜上に、活性層用組成物を塗布して活性層を形成し、さらにこの活性層上に負極を形成する有機光電変換素子の製造方法、
７． 有機光電変換素子が、有機薄膜太陽電池または光センサである５または６の有機光電変換素子の製造方法、
８． 電荷輸送性物質と、ナフタレンスルホン酸およびベンゼンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種を含む電子受容性ドーパント物質と、有機溶媒とを含むことを特徴とする電荷輸送性ワニス、
９． １−ナフタレンスルホン酸およびベンゼンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種を含む８の電荷輸送性ワニス、
１０． 有機光電変換素子の正孔捕集層形成用である８または９の電荷輸送性ワニス、
１１． 有機光電変換素子が、有機薄膜太陽電池または光センサである１０の電荷輸送性ワニス、
１２． ８または９の電荷輸送性ワニスから作製される電荷輸送性薄膜、
１３． １０の電荷輸送性ワニスから作製される正孔捕集層、
１４． 陽極および活性層の間に介在させた場合に、光電変換効率が４．０％以上の有機光電変換素子を与える１３の正孔捕集層、
１５． １３の正孔捕集層と、それに接するように設けられた活性層とを有する有機光電変換素子、
１６． 前記活性層が、フラーレン誘導体を含む１５の有機光電変換素子、
１７． 前記活性層が、主鎖にチオフェン骨格を含むポリマーを含む１５または１６の有機光電変換素子、
１８． 有機薄膜太陽電池である１５〜１７のいずれかの有機光電変換素子、
１９． 光センサである１５〜１７のいずれかの有機光電変換素子
を提供する。

本発明の電荷輸送性薄膜の製造方法では、電荷輸送性ワニスを塗布した後に所定範囲の焼成温度で薄膜を形成することで、昇華性、蒸発性のある膜構成成分を含む薄膜の減膜を防止すると同時に、低分子量かつ立体障害の小さいナフタレンスルホン酸およびベンゼンスルホン酸を使用することで効果的にホスト材料に対するドーピングを行うことができる結果、被ドープ性の低いホスト材料を用いても電荷輸送性に優れた薄膜を得ることができる。
本発明の電荷輸送性ワニスを用い、本発明の製造方法で作製された薄膜を有機光電変換素子の正孔捕集層として用いることで、４．０％以上、４．０％超、場合によっては４．５％以上という高い光電変換効率の有機光電変換素子を得ることができる。また、本発明の電荷輸送性ワニスは均一有機溶液であるため量産プロセスへの適合性が高く、また凹凸を有する下地の陽極を平坦化させつつ高い均一成膜性を示すため、素子の高歩留まりを実現することができるうえに、電流リークを抑制し、逆バイアス暗電流を低く抑えることができる。
さらに、本発明の有機光電変換素子は、可視光、近紫外光、近赤外光に対して照射光強度に依存せずに高い変換効率を示し、かつ高い耐久性を示す。
これらの性質により、本発明の有機光電変換素子は、太陽光発電、室内光発電等を用途とした有機薄膜太陽電池として使用できるとともに、イメージセンサを含む光センサ用途にも好適に使用できる。

以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明に係る電荷輸送性薄膜の製造方法は、電荷輸送性物質と、ナフタレンスルホン酸およびベンゼンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種を含む電子受容性ドーパント物質と、有機溶媒とを含む電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、１００〜１８０℃に加熱して有機溶媒を蒸発させるものである。

この温度範囲で加熱することで、上述した減膜の問題が生じることなく、所定の膜厚を維持した電荷輸送性薄膜を作製することができる。
加熱温度は、加熱時間等を勘案して上記範囲内で適宜設定すればよいが、効率的に薄膜を形成することを考慮すると、１１０〜１８０℃が好ましく、１２０〜１５０℃がより好ましい。
加熱時間は、加熱温度や、目的とする膜厚等によって変動するため一概には規定できないが、上記加熱温度範囲および薄膜の用途などから、本発明では１〜３０分程度が好ましく、５〜２０分程度がより好ましい。
なお、必要に応じて、上記加熱温度範囲未満での予備加熱（プリベーク）や、最終加熱（ポストベーク）を行ってもよい。

塗布の方法としては、ワニスの粘度と表面張力、所望する薄膜の厚さ等を考慮し、ドロップキャスト法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法、インクジェット法、印刷法（凸版、凹版、平版、スクリーン印刷等）等の各種ウェットプロセス法の中から最適なものを採用すればよい。
通常、塗布は、常温、常圧の不活性ガス雰囲気下で行われるが、ワニス中の化合物が分解したり、組成が大きく変化したりしない限り、大気雰囲気下（酸素存在下）で行ってもよく、上記温度範囲以下に加熱しながら行ってもよい。
基材としては、電荷輸送性薄膜の用途に応じて最適なものを採用すればよいが、有機光電変換素子の正孔捕集層や有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層として用いる場合は、陽極が基材となる。

本発明の製法により作製される電荷輸送性薄膜の膜厚は、通常１〜２００ｎｍ程度であるが、好ましくは３〜１００ｎｍ程度、より好ましくは３〜３０ｎｍである。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の溶液量を変化させたりするなどの方法がある。

本発明の製造方法で用いられる電荷輸送性ワニスは、電荷輸送性物質と、電子受容性ドーパント物質と、有機溶媒とを含み、電子受容性ドーパント物質が、ナフタレンスルホン酸およびベンゼンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種のナフタレンモノスルホン酸またはベンゼンモノスルホン酸を含む。
本発明において、電荷輸送性物質の分子量は、特に限定されるものではないが、導電性という点を考慮すると、２００〜２，０００が好ましく、下限として好ましくは３００以上、より好ましくは４００以上であり、溶媒に対する溶解性向上という点を考慮すると、上限として好ましくは１，５００以下、より好ましくは１，０００以下である。

電荷輸送性物質としては、公知の電荷輸送性物質から適宜選択して用いればよいが、アニリン誘導体、チオフェン誘導体が好ましく、特にアニリン誘導体が好ましい。
これらアニリン誘導体およびチオフェン誘導体の具体例としては、例えば、国際公開第２００５／０４３９６２号、国際公開第２０１３／０４２６２３号、国際公開第２０１４／１４１９９８号等に開示されたものが挙げられる。

より具体的には、下記式（Ｈ１）〜（Ｈ３）で示されるものが挙げられる。

なお、式（Ｈ１）で表されるアニリン誘導体は、その分子内に下記式で示されるキノンジイミン構造を有する酸化型アニリン誘導体（キノンジイミン誘導体）であってもよい。アニリン誘導体を酸化してキノンジイミン誘導体とする方法としては、国際公開第２００８／０１０４７４号、国際公開第２０１４／１１９７８２号記載の方法等が挙げられる。

式（Ｈ１）中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、Ｚ¹で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＮＨＹ¹、−ＮＹ²Ｙ³、−ＯＹ⁴、または−ＳＹ⁵基を表し、Ｙ¹〜Ｙ⁵は、それぞれ独立して、Ｚ¹で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、またはＺ²で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ¹は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、またはＺ³で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、Ｚ²は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、またはＺ³で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、Ｚ³は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、またはアミノ基を表し、ｋおよびｌは、それぞれ独立して、１〜５の整数である。

式（Ｈ２）中、Ｒ⁷〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、チオール基、リン酸基、スルホン酸基、カルボキシル基、Ｚ¹で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のチオアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基、または炭素数１〜２０のアシル基を表し、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁴は、それぞれ独立して、水素原子、フェニル基、ナフチル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、フラニル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、チエニル基（これらの基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、チオール基、リン酸基、スルホン酸基、カルボキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のチオアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基または炭素数１〜２０のアシル基で置換されていてもよい。）、または式（Ｈ４）で表される基を表す（ただし、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁴の少なくとも１つは水素原子である。）、ｍは、２〜５の整数を表す。Ｚ¹およびＺ²は上記と同じ意味を表す。

式（Ｈ４）中、Ｒ¹⁵〜Ｒ¹⁸は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、チオール基、リン酸基、スルホン酸基、カルボキシル基、Ｚ¹で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のチオアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基、または炭素数１〜２０のアシル基を表し、Ｒ¹⁹およびＲ²⁰は、それぞれ独立して、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、ピラジニル基、フラニル基、ピロリル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、チエニル基（これらの基は、互いに結合して環を形成してもよく、また、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、チオール基、リン酸基、スルホン酸基、カルボキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のチオアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、または炭素数１〜２０のアシル基で置換されていてもよい。）を表す。Ｚ¹およびＺ²は上記と同じ意味を表す。

式（Ｈ３）中、Ｒ²¹〜Ｒ²⁴は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、Ｚ¹で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアシル基、スルホン酸基、−ＮＨＹ¹、−ＮＹ²Ｙ³、−ＯＹ⁴、−ＳＹ⁵または−ＳｉＹ⁶Ｙ⁷Ｙ⁸を表し、Ｙ¹〜Ｙ⁸は、それぞれ独立して、Ｚ¹で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、またはＺ²で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、ＸおよびＹは、それぞれ独立して、Ｚ²で置換されていてもよい、チオフェン環を表し、ジチイン環に含まれる２つの硫黄原子は、それぞれ独立してＳＯ基またはＳＯ₂基であってもよい。ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ独立して０または１以上の整数で、ｐ＋ｑ＋ｒ≦２０を満足する数である。Ｚ¹およびＺ²は上記と同じ意味を表す。

上記各式において、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐鎖状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３〜２０の環状アルキル基などが挙げられる。

炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例としては、エテニル基、ｎ−１−プロペニル基、ｎ−２−プロペニル基、１−メチルエテニル基、ｎ−１−ブテニル基、ｎ−２−ブテニル基、ｎ−３−ブテニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−エチルエテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、１−メチル−２−プロペニル基、ｎ−１−ペンテニル基、ｎ−１−デセニル基、ｎ−１−エイコセニル基等が挙げられる。

炭素数２〜２０のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、ｎ−１−プロピニル基、ｎ−２−プロピニル基、ｎ−１−ブチニル基、ｎ−２−ブチニル基、ｎ−３−ブチニル基、１−メチル−２−プロピニル基、ｎ−１−ペンチニル基、ｎ−２−ペンチニル基、ｎ−３−ペンチニル基、ｎ−４−ペンチニル基、１−メチル−ｎ−ブチニル基、２−メチル−ｎ−ブチニル基、３−メチル−ｎ−ブチニル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピニル基、ｎ−１−ヘキシニル基、ｎ−１−デシニル基、ｎ−１−ペンタデシニル基、ｎ−１−エイコシニル基等が挙げられる。

炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基等が挙げられる。

炭素数７〜２０のアラルキル基の具体例としては、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、ナフチルプロピル基等が挙げられる。

炭素数２〜２０のヘテロアリール基の具体例としては、２−チエニル基、３−チエニル基、２−フラニル基、３−フラニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、３−イソオキサゾリル基、４−イソオキサゾリル基、５−イソオキサゾリル基、２−チアゾリル基、４−チアゾリル基、５−チアゾリル基、３−イソチアゾリル基、４−イソチアゾリル基、５−イソチアゾリル基、２−イミダゾリル基、４−イミダゾリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基等が挙げられる。

炭素数１〜２０のハロアルキル基としては、上記炭素数１〜２０のアルキル基の水素原子の少なくとも１つを、ハロゲン原子で置換したものが挙げられるが、中でも、フルオロアルキル基が好ましく、パーフルオロアルキル基がより好ましい。
その具体例としては、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル基、２，２，２−トリフルオロ−１−（トリフルオロメチル）エチル基、ノナフルオロブチル基、４，４，４−トリフルオロブチル基、ウンデカフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンチル基、トリデカフルオロヘキシル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，６−ウンデカフルオロヘキシル基、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−デカフルオロヘキシル基、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシル基等が挙げられる。

炭素数１〜２０のアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｃ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキソキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−トリデシルオキシ基、ｎ−テトラデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−ヘキサデシルオキシ基、ｎ−ヘプタデシルオキシ基、ｎ−オクタデシルオキシ基、ｎ−ノナデシルオキシ基、ｎ−エイコサニルオキシ基等が挙げられる。

炭素数１〜２０のチオアルコキシ（アルキルチオ）基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、ｎ−ノニルチオ基、ｎ−デシルチオ基、ｎ−ウンデシルチオ基、ｎ−ドデシルチオ基、ｎ−トリデシルチオ基、ｎ−テトラデシルチオ基、ｎ−ペンタデシルチオ基、ｎ−ヘキサデシルチオ基、ｎ−ヘプタデシルチオ基、ｎ−オクタデシルチオ基、ｎ−ノナデシルチオ基、ｎ−エイコサニルチオ基等が挙げられる。

炭素数１〜２０のアシル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ベンゾイル基等が挙げられる。

式（Ｈ１）において、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、−ＮＨＹ¹、−ＮＹ²Ｙ³、−ＯＹ⁴、または−ＳＹ⁵が好ましく、この場合において、Ｙ¹〜Ｙ⁵は、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基またはＺ²で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基またはＺ²で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル基またはフェニル基がより一層好ましい。
特に、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、水素原子、フッ素原子、メチル基、フェニル基またはジフェニルアミノ基（Ｙ²およびＹ³がフェニル基である−ＮＹ²Ｙ³）がより好ましく、Ｒ¹〜Ｒ⁴が水素原子であり、かつ、Ｒ⁵およびＲ⁶が同時に水素原子またはジフェニルアミノ基がより一層好ましい。

とりわけ、Ｒ¹〜Ｒ⁶およびＹ¹〜Ｙ⁵においては、Ｚ¹は、ハロゲン原子またはＺ³で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、フッ素原子またはフェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換の基であること）がより一層好ましく、また、Ｚ²は、ハロゲン原子またはＺ³で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基が好ましく、フッ素原子または炭素数１〜６のアルキル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換の基であること）がより一層好ましい。
また、Ｚ³は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換の基であること）がより一層好ましい。
ｋおよびｌとしては、式（Ｈ１）で表されるアニリン誘導体の溶解性を高める観点から、好ましくは、ｋ＋ｌ≦８であり、より好ましくは、ｋ＋ｌ≦５である。

式（Ｈ２）において、Ｒ⁷〜Ｒ¹⁰は、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基が好ましく、水素原子がより好ましい。
また、式（Ｈ２）で表されるアニリン誘導体の溶媒に対する溶解性を高めるとともに、得られる薄膜の均一性を高めることを考慮すると、Ｒ¹¹およびＲ¹³が共に水素原子であることが好ましい。
特に、Ｒ¹¹およびＲ¹³が共に水素原子であり、Ｒ¹²およびＲ¹⁴が、それぞれ独立して、フェニル基（このフェニル基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、チオール基、リン酸基、スルホン酸基、カルボキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のチオアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数７〜２０のアラルキル基、または炭素数１〜２０のアシル基で置換されていてもよい。）、または上記式（Ｈ４）で表される基であることが好ましく、Ｒ¹¹およびＲ¹³が、共に水素原子であり、Ｒ¹²およびＲ¹⁴が、それぞれ独立して、フェニル基、またはＲ^19'およびＲ^20'が共にフェニル基である下記式（Ｈ４′）で表される基であることがより好ましく、Ｒ¹¹およびＲ¹³が、共に水素原子であり、Ｒ¹²およびＲ¹⁴が、共にフェニル基であることがより一層好ましい。
また、ｍとしては、化合物の入手容易性、製造の容易性、コスト面などを考慮すると、２〜４が好ましく、溶媒への溶解性を高めることを考慮すると、２または３がより好ましく、化合物の入手容易性、製造の容易性、製造コスト、溶媒への溶解性、得られる薄膜の透明性等のバランスを考慮すると、２が最適である。

式（Ｈ３）において、Ｒ²¹〜Ｒ²⁴としては、水素原子、フッ素原子、スルホン酸基、炭素数１〜８のアルキル基、−ＯＹ⁴基、−ＳｉＹ⁶Ｙ⁷Ｙ⁸基が好ましく、水素原子がより好ましい。
また、ｐ、ｑおよびｒは、当該化合物の溶解性を高めるという点から、それぞれ１以上、かつ、ｐ＋ｑ＋ｒ≦２０が好ましく、それぞれ１以上、かつ、ｐ＋ｑ＋ｒ≦１０がより好ましい。さらに、高い電荷輸送性を発現させるという点から、それぞれ１以上、かつ、５≦ｐ＋ｑ＋ｒが好ましく、ｑが１、ｐおよびｒがそれぞれ１以上、かつ、５≦ｐ＋ｑ＋ｒがより好ましい。

式（Ｈ１）〜（Ｈ３）で表されるアニリン誘導体またはチオフェン誘導体は、市販品を用いても、上記各公報に記載されている方法等の公知の方法によって製造したものを用いてもよいが、いずれの場合も電荷輸送性ワニスを調製する前に、再結晶や蒸着法などによって精製したものを用いることが好ましい。精製したものを用いることで、当該ワニスから得られた薄膜を備えた有機光電変換素子の特性をより高めることができる。再結晶にて精製する場合、溶媒としては、例えば、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフランなどを用いることができる。

本発明の電荷輸送性ワニスにおいて、式（Ｈ１）〜（Ｈ３）で表される電荷輸送性物質としては、式（Ｈ１）〜（Ｈ３）で表される化合物から選ばれる１種の化合物（すなわち、分子量分布の分散度が１）を単独で用いてもよく、２以上の化合物を組み合わせて用いてもよい。
特に、正孔捕集層の透明性を高めるという点から、式（Ｈ２）で示されるアニリン誘導体を用いることが好ましく、中でも上記ｍが２であるベンジジン誘導体を用いることがより好ましく、下記式（ｇ）で示されるジフェニルベンジジンを用いることがより一層好ましい。

本発明で好適に用いることができる電荷輸送性物質の具体例としては、下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本発明の電荷輸送性ワニスは、上記電荷輸送性物質に加え、ナフタレンスルホン酸およびベンゼンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種のナフタレンモノスルホン酸またはベンゼンモノスルホン酸を含む電子受容性ドーパント物質を含む。
ナフタレンスルホン酸の具体例としては、１−ナフタレンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸が挙げられる。
これらの中でも、得られる電荷輸送性薄膜を用いた有機光電変換素子の光電変換効率をより高めるという点から、１−ナフタレンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸が好ましい。

また、上記ナフタレンモノスルホン酸またはベンゼンモノスルホン酸に加え、得られる薄膜の用途に応じ、得られる有機光電変換素子の光電変換効率の向上等を目的として、その他の電子受容性ドーパント物質を含んでいてもよい。
その他の電子受容性ドーパント物質は、電荷輸送性ワニスに使用する少なくとも一種の溶媒に溶解するものであれば、特に限定されない。

その他の電子受容性ドーパント物質の具体例としては、塩化水素、硫酸、硝酸、リン酸等の無機強酸；塩化アルミニウム（ＩＩＩ）（ＡｌＣｌ₃）、四塩化チタン（ＩＶ）（ＴｉＣｌ₄）、三臭化ホウ素（ＢＢｒ₃）、三フッ化ホウ素エーテル錯体（ＢＦ₃・ＯＥｔ₂）、塩化鉄（ＩＩＩ）（ＦｅＣｌ₃）、塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ₂）、五塩化アンチモン（Ｖ）（ＳｂＣｌ₅）、五フッ化砒素（Ｖ）（ＡｓＦ₅）、五フッ化リン（ＰＦ₅）、トリス（４−ブロモフェニル）アルミニウムヘキサクロロアンチモナート（ＴＢＰＡＨ）等のルイス酸；ベンゼンスルホン酸、トシル酸、カンファスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸、５−スルホサリチル酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、国際公開第２００５／０００８３２号に記載されている１，４−ベンゾジオキサンジスルホン酸化合物、国際公開第２００６／０２５３４２号に記載されているナフタレンまたはアントラセンスルホン酸化合物、特開２００５−１０８８２８号公報に記載されているジノニルナフタレンスルホン酸化合物等のアリールスルホン酸化合物などの有機強酸；７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）、ヨウ素等の有機酸化剤、国際公開第２０１０／０５８７７７号に記載されているリンモリブデン酸、リンタングステン酸、リンタングストモリブデン酸等のヘテロポリ酸等の無機酸化剤などが挙げられ、それぞれを組み合わせて使用してもよい。

電荷輸送性ワニスの調製に用いる有機溶媒としては、上記電荷輸送性物質および電子受容性ドーパント物質を良好に溶解し得る高溶解性溶媒を用いることができる。高溶解性溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができ、その使用量は、ワニスに使用する溶媒全体に対して５〜１００質量％とすることができる。

このような高溶解性溶媒としては、例えば、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなどが挙げられる。

これらの中でも、アミド系溶媒であるＮ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドが好ましく、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドがより好ましい。

電荷輸送性物質および電子受容性ドーパント物質は、いずれも上記有機溶媒に完全に溶解しているか、均一に分散している状態となっていることが好ましく、高い光電変換効率の有機光電変換素子を与える正孔捕集層を再現性よく得ることを考慮すると、これらの物質は上記有機溶媒に完全に溶解していることがより好ましい。

本発明の電荷輸送性ワニスは、２５℃で１０〜２００ｍＰａ・ｓ、特に３５〜１５０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、常圧で沸点５０〜３００℃、特に１５０〜２５０℃の高粘度有機溶媒を、少なくとも一種類含有することが好ましい。

高粘度有機溶媒は、特に限定されるものではなく、例えば、シクロヘキサノール、エチレングリコール、１，３−オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１，３−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコールなどが挙げられる。

本発明の電荷輸送性ワニスに使用される溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、５〜８０質量％であることが好ましい。

さらに、塗布面に対する濡れ性の向上、溶媒の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で、熱処理時に膜の平坦性を付与し得るその他の溶媒を、ワニスに使用する溶媒全体に対して１〜９０質量％、好ましくは１〜５０質量％の割合で混合することもできる。

このような溶媒としては、例えば、ブチルセロソルブ、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルカルビトール、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトン、エチルラクテート、ｎ−ヘキシルアセテートなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

本発明の電荷輸送性ワニスには、得られる有機光電変換素子の電子ブロック性を向上させる観点から、有機シラン化合物を添加してもよい。
有機シラン化合物としては、トリアルコキシシラン、ジアルコキシシランなどが挙げられるが、とりわけ、アリールトリアルコキシシラン、アリールジアルコキシシラン、フッ素原子含有トリアルコキシシラン、フッ素原子含有ジアルコキシシラン化合物が好ましく、式（Ｓ１）または（Ｓ２）で表されるシラン化合物がより好ましい。

（式中、Ｒは、炭素数１〜６のフルオロアルキル基を表す。）

炭素数１〜６のフルオロアルキル基の具体例としては、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１，２，２，２−ペンタフルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３，３−ヘプタフルオロプロピル基、４，４，４−トリフルオロブチル基、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，４−ノナフルオロブチル基等が挙げられる。

ジアルコキシシラン化合物の具体例としては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルエチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、メチルプロピルジメトキシシラン、メチルプロピルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシシラン、３−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。

トリアルコキシシラン化合物の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ペンチルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、トリエトキシ（４−（トリフルオロメチル）フェニル）シラン、ドデシルトリエトキシシラン、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、（トリエトキシシリル）シクロヘキサン、パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシラン、トリエトキシフルオロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、３−（ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、トリエトキシ−２−チエニルシラン、３−（トリエトキシシリル）フラン等が挙げられる。

有機シラン化合物を用いる場合、その含有量は、本発明の電荷輸送性ワニスの電荷輸送性物質および電子受容性ドーパント物質に対して、通常０．１〜２００質量％程度であるが、好ましくは、１〜１００質量％、より好ましくは、５〜５０質量％である。

本発明の電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度および表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、０．１〜１０．０質量％程度であり、好ましくは０．５〜５．０質量％、より好ましくは１．０〜３．０質量％である。
なお、固形分とは、電荷輸送性ワニスを構成する、有機溶媒以外の成分を意味する。
また、電荷輸送性物質と電子受容性ドーパント物質の物質量（ｍｏｌ）比も、発現する電荷輸送性、電荷輸送性物質の種類等を考慮して適宜設定されるものではあるが、通常、電荷輸送性物質１に対し、電子受容性ドーパント物質０．１〜１０、好ましくは０．２〜５．０、より好ましくは０．５〜３．０である。
そして、本発明において用いる電荷輸送性ワニスの粘度は、作製する薄膜の厚み等や固形分濃度を考慮し、塗布方法に応じて適宜調節されるものではあるが、通常２５℃で０．１〜５０ｍＰａ・ｓ程度である。

本発明の電荷輸送性ワニスを調製する際、固形分が溶媒に均一に溶解または分散する限り、電荷輸送性物質、電子受容性ドーパント物質、有機溶媒を任意の順序で混合することができる。すなわち、例えば、有機溶媒に電荷輸送性物質を溶解させた後、その溶液に電子受容性ドーパント物質を溶解させる方法、有機溶媒に電子受容性ドーパント物質を溶解させた後、その溶液に電荷輸送性物質を溶解させる方法、電荷輸送性物質と電子受容性ドーパント物質とを混合した後、その混合物を有機溶媒に投入して溶解させる方法のいずれも、固形分が有機溶媒に均一に溶解または分散する限り、採用することができる。

また、通常、電荷輸送性ワニスの調製は、常温、常圧の不活性ガス雰囲気下で行われるが、ワニス中の化合物が分解したり、組成が大きく変化したりしない限り、大気雰囲気下（酸素存在下）で行ってもよく、加熱しながら行ってもよい。

以下、本発明の電荷輸送性ワニスを用いた有機光電変換素子の製造方法について説明する。
［陽極層の形成］：透明基板の表面に陽極材料の層を形成して透明電極を製造する工程
陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の金属酸化物や、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体などの高電荷輸送性有機化合物を用いることができる。また、透明基板としては、ガラスあるいは透明樹脂からなる基板を用いることができる。
陽極材料の層（陽極層）の形成方法は、陽極材料の性質に応じて適宜選択され、通常、昇華性化合物を用いたドライプロセス（蒸着法）か電荷輸送性化合物を含むワニスを用いたウェットプロセス（特にスピンコート法かスリットコート法）のいずれかが採用される。
また、透明電極として市販品も好適に用いることができ、この場合、素子の歩留を向上させる観点からは、平滑化処理がされている基盤を用いることが好ましい。市販品を用いる場合、本発明の有機光電変換素子の製造方法は、陽極層を形成する工程を含まない。
使用する透明電極は、洗剤、アルコール、純水等で洗浄してから使用することが好ましい。例えば、陽極基板では、使用直前にＵＶオゾン処理、酸素−プラズマ処理等の表面処理を施すことが好ましい（陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい）。

［正孔捕集層の形成］：陽極材料の層上に正孔捕集層を形成する工程
上述した電荷輸送性薄膜の製造方法に従い、陽極材料の層上に、本発明の電荷輸送性ワニスを用いて正孔捕集層を形成する。
この際、正孔捕集層の厚みも前述と同様、通常１〜２００ｎｍ程度であるが、好ましくは３〜１００ｎｍ程度、より好ましくは３〜３０ｎｍである。

［活性層の形成］：正孔捕集層上に活性層を形成する工程
活性層は、ｎ型半導体材料からなる薄膜であるｎ層と、ｐ型半導体材料からなる薄膜であるｐ層とを積層したものであっても、これら材料の混合物からなる非積層薄膜であってもよい。
ｎ型半導体材料としては、フラーレン、［６，６］−フェニル−Ｃ₆₁−酪酸メチルエステル（ＰＣ₆₁ＢＭ）、［６，６］−フェニル−Ｃ₇₁−酪酸メチルエステル（ＰＣ₇₁ＢＭ）等が挙げられる。一方、ｐ型半導体材料としては、レジオレギュラーポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）、ＰＴＢ７、ＰＤＴＰ−ＤＦＢＴ、特開２００９−１５８９２１号公報および国際公開第２０１０／００８６７２号に記載されているようなチエノチオフェンユニット含有ポリマー類等の、主鎖にチオフェン骨格を含むポリマー、ＣｕＰＣ，ＺｎＰＣ等のフタロシアニン類、テトラベンゾポルフィリン等のポルフィリン類などが挙げられる。
これらの中でも、ｎ型材料としては、ＰＣ₆₁ＢＭ、ＰＣ₇₁ＢＭが、ｐ型材料としては、ＰＴＢ７等の主鎖にチオフェン骨格を含むポリマー類が好ましい。
なお、ここでいう「主鎖にチオフェン骨格」とはチオフェンのみからなる２価の芳香環、またはチエノチオフェン、ベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ベンゾジチオフェン、ナフトチオフェン、ナフトジチオフェン、アントラチオフェン、アントラジチオフェン等のような１以上のチオフェンを含む２価の縮合芳香環を表し、これらは上記Ｒ¹〜Ｒ⁶で示される置換基で置換されていてもよい。
活性層の形成方法は、ｎ型半導体あるいはｐ型半導体材料の性質に応じて適宜選択され、通常、昇華性化合物を用いたドライプロセス（特に蒸着法）か材料を含むワニスを用いたウェットプロセス（特にスピンコート法かスリットコート法）のいずれかが採用される。

（式中、ｎ１およびｎ２は、繰り返し単位数を示し、正の整数を表す。）

［電子捕集層の形成］：活性層上に電子捕集層を形成する工程
必要に応じて、活性層と陰極層の間に電子捕集層を形成してもよい。
電子捕集層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ₂）等が挙げられる。
電子捕集層の形成方法は、その材料の性質に応じて適宜選択され、通常、昇華性化合物を用いたドライプロセス（特に蒸着法）か材料を含むワニスを用いたウェットプロセス（特にスピンコート法かスリットコート法）のいずれかが採用される。

［陰極層の形成］：電子捕集層上に陰極層を形成する工程
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、カルシウム、バリウム、銀、金等が挙げられ、複数の陰極材料を積層したり、混合したりして使用することができる。
陰極層の形成方法は、その材料の性質に応じて適宜選択されるが、通常、ドライプロセス（特に蒸着法）が採用される。

［キャリアブロック層の形成］
必要に応じて、光電流の整流性をコントロールすること等を目的として、任意の層間にキャリアブロック層を設けてもよい。
キャリアブロック層を形成する材料としては、酸化チタン、酸化亜鉛等が挙げられる。
キャリアブロック層の形成方法は、その材料の性質に応じて適宜選択され、通常、昇華性化合物を用いる場合は蒸着法が、材料が溶解したワニスを用いる場合はスピンコート法か、スリットコート法のいずれかが採用される。

上記で例示した方法によって作製された有機光電変換素子は、大気による素子劣化を防ぐために、再度グローブボックス内に導入して窒素等の不活性ガス雰囲気下で封止操作を行い、封止された状態で有機光電変換素子としての機能を発揮させたり、その特性の測定を行ったりすることができる。
封止法としては、端部にＵＶ硬化樹脂を付着させた凹型ガラス基板を、不活性ガス雰囲気下、有機光電変換素子の成膜面側に付着させ、ＵＶ照射によって樹脂を硬化させる方法や、真空下、スパッタリング等の手法によって膜封止タイプの封止を行う方法などが挙げられる。

以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、使用した装置は以下のとおりである。
（１）グローブボックス：米国ＶＡＣ社製グローブボックスシステム
（２）蒸着装置：アオヤマエンジニアリング（株）製、真空蒸着装置
（３）測定装置：（株）小坂研究所製、全自動微細形状測定機ＥＴ−４０００Ａ
（４）電流値測定に用いた装置：アジレント（株）製、４１５６Ｃプレシジョン半導体パラメータ・アナライザ
（５）光電流測定に用いた光源装置：分光計器（株）製、ＳＭ−２５０ハイパーモノライトシステム

［１］活性層用組成物の調製
［調製例１］
ＰＴＢ７（ワンマテリアル社製）２０ｍｇおよびＰＣＢＭ（フロンティアカーボン社製、製品名：ｎａｎｏｍ ｓｐｅｃｔｒａ Ｅ１００）３０ｍｇが入ったサンプル瓶の中にクロロベンゼン２．０ｍＬ加え、８０℃のホットプレート上で１５時間撹拌した。この溶液を室温まで放冷した後、１，８−ジヨードオクタン（東京化成工業（株）製）６０μＬを加えて撹拌し、活性層用組成物Ａ１を得た。

［２］電荷輸送性ワニスの調製
［製造例１−１］
式［１］で示されるＮ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（東京化成工業（株）製）５８．３ｍｇ（０．１７３ｍｍｏｌ）と式［２］で示されるベンゼンスルホン酸（東京化成工業（株）製）４３．９ｍｇ（０．２７７ｍｍｏｌ）との混合物に、ＤＭＡｃ２．５ｇを加え、室温で超音波を照射しながら撹拌して溶解させた。さらにそこへ、ＣＨＮ２．５ｇを加えて撹拌し、褐色溶液を得た。
得られた褐色溶液を、孔径０．２μｍのシリンジフィルターでろ過して、電荷輸送性ワニスＢ１を得た。

［３］正孔捕集層および有機光電変換素子の作製
［実施例１−１］
正極となるＩＴＯ透明導電層を２ｍｍ×２０ｍｍのストライプ状にパターニングした２０ｍｍ×２０ｍｍのガラス基板を１５分間ＵＶ／オゾン処理した後、基板上に、実施例１−１で得られた電荷輸送性ワニスＢ１をスピンコート法により塗布した。このガラス基板を、ホットプレートを用いて、５０℃で５分間、さらに１２０℃で１０分間加熱して正孔捕集層を形成した。
その後、不活性ガスにより置換されたグローブボックス中で、調製例１で得られた活性層用組成物Ａ１を、形成した正孔捕集層上に滴下し、スピンコート法により１００ｎｍの厚さの活性層を成膜した。
次に、有機半導体層が形成された基板と負極用マスクを真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が１×１０^-3Ｐａ以下になるまで排気し、抵抗加熱法によって、負極となるアルミニウム層を８０ｎｍの厚さに蒸着した。
最後に、ホットプレートで８０℃，１０分間加熱し、ストライプ状のＩＴＯ層とアルミニウム層とが交差する部分の面積が２ｍｍ×２ｍｍであるＯＰＶ素子を作製した。

［実施例１−２］
正孔捕集層形成時の加熱温度を、５０℃で５分間、さらに１５０℃で１０分間とした以外は、実施例１−１と同様の方法で、ＯＰＶ素子を作製した。

［実施例１−３］
正孔捕集層形成時の加熱温度を、５０℃で５分間、さらに１８０℃で１０分間とした以外は、実施例１−１と同様の方法で、ＯＰＶ素子を作製した。

［比較例１−１］
正孔捕集層形成時の加熱温度を、５０℃で５分間、さらに２３０℃で２０分間とした以外は、実施例１−１と同様の方法で、ＯＰＶ素子を作製した。

［４］特性評価
上記で作製した各ＯＰＶ素子について、短絡電流密度（Ｊｓｃ〔ｍＡ／ｃｍ²〕）、開放電圧（Ｖｏｃ〔Ｖ〕）、曲線因子（ＦＦ）、および光電変換効率（ＰＣＥ〔％〕）の評価を行った。結果を表１に示す。なお光電変換効率は、下式により算出した。
ＰＣＥ〔％〕＝Ｊｓｃ〔ｍＡ／ｃｍ²〕×Ｖｏｃ〔Ｖ〕×ＦＦ÷入射光強度（１００〔ｍＷ／ｃｍ²〕）×１００

表１に示されるとおり、各実施例のように焼成温度が１２０℃、１５０℃または１８０℃で正孔捕集層を形成した場合、光電変換効率に優れたＯＰＶ素子が得られていることがわかる。
一方、比較例のように焼成温度が２３０℃の場合、ＯＰＶ素子の光電変換効率が実施例のそれと比較してかなり低下していることがわかる。
このように、焼成温度を本発明で規定される範囲とすることで、正孔捕集層の減膜が抑制されるためか、光電変換効率に優れた有機光電変換素子が得られることがわかる。

Claims (19)

1. 電荷輸送性物質と、ナフタレンスルホン酸およびベンゼンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種を含む電子受容性ドーパント物質と、有機溶媒とを含む電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、１００〜１８０℃に加熱して前記有機溶媒を蒸発させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法。
2. 前記電荷輸送性物質が、分子量２００〜２，０００の電荷輸送性物質である請求項１記載の電荷輸送性薄膜の製造方法。
3. 前記電荷輸送性物質が、アニリン誘導体およびチオフェン誘導体から選ばれる少なくとも１種である請求項１または２記載の電荷輸送性薄膜の製造方法。
4. 前記加熱が、１〜３０分間行われる請求項１〜３のいずれか１項記載の電荷輸送性薄膜の製造方法。
5. 請求項１〜４のいずれか１項記載の製造方法で電荷輸送性薄膜を作製する工程を含む有機光電変換素子の製造方法。
6. 陽極層上に、請求項１〜４のいずれか１項記載の製造方法により電荷輸送性薄膜を形成した後、この薄膜上に、活性層用組成物を塗布して活性層を形成し、さらにこの活性層上に負極を形成する有機光電変換素子の製造方法。
7. 有機光電変換素子が、有機薄膜太陽電池または光センサである請求項５または６記載の有機光電変換素子の製造方法。
8. 電荷輸送性物質と、ナフタレンスルホン酸およびベンゼンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種を含む電子受容性ドーパント物質と、有機溶媒とを含むことを特徴とする電荷輸送性ワニス。
9. １−ナフタレンスルホン酸およびベンゼンスルホン酸から選ばれる少なくとも１種を含む請求項８記載の電荷輸送性ワニス。
10. 有機光電変換素子の正孔捕集層形成用である請求項８または９記載の電荷輸送性ワニス。
11. 有機光電変換素子が、有機薄膜太陽電池または光センサである請求項１０記載の電荷輸送性ワニス。
12. 請求項８または９記載の電荷輸送性ワニスから作製される電荷輸送性薄膜。
13. 請求項１０記載の電荷輸送性ワニスから作製される正孔捕集層。
14. 陽極および活性層の間に介在させた場合に、光電変換効率が４．０％以上の有機光電変換素子を与える請求項１３記載の正孔捕集層。
15. 請求項１３記載の正孔捕集層と、それに接するように設けられた活性層とを有する有機光電変換素子。
16. 前記活性層が、フラーレン誘導体を含む請求項１５記載の有機光電変換素子。
17. 前記活性層が、主鎖にチオフェン骨格を含むポリマーを含む請求項１５または１６記載の有機光電変換素子。
18. 有機薄膜太陽電池である請求項１５〜１７のいずれか１項記載の有機光電変換素子。
19. 光センサである請求項１５〜１７のいずれか１項記載の有機光電変換素子。