JP2015213147A - 電荷輸送性ワニス、電荷輸送性薄膜及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Abstract

【課題】２００℃を下回る低温で焼成可能であるとともに、そのような焼成条件下で作製した薄膜が、高平坦性かつ高電荷輸送性を有し、有機ＥＬ素子に適用した場合に優れた輝度特性を発揮させ得る電荷輸送性ワニスを提供すること。
【解決手段】式（１）で表されるオリゴチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質と、ドーパントと、有機シラン化合物と、有機溶媒とを含むことを特徴とする電荷輸送性ワニス。

（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁸は、それぞれ独立に、水素、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、−ＯＹ¹基、−ＳＹ²基、−ＮＨＹ³基、−ＮＹ⁴Ｙ⁵基又は−ＮＨＣ(Ｏ)Ｙ⁶基を表し、ｎ¹〜ｎ³は、それぞれ独立に自然数を表し、かつ４≦ｎ¹＋ｎ²＋ｎ³≦２０を満たす。）
【選択図】 なし

Description

本発明は、電荷輸送性ワニス、電荷輸送性薄膜及び有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬという。）素子に関する。

有機ＥＬ素子には、発光層や電荷注入層として、有機化合物からなる電荷輸送性薄膜が用いられる。この電荷輸送性薄膜の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスとスピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別される。ドライプロセスとウェットプロセスとを比べると、ウェットプロセスの方が大面積に平坦性の高い薄膜を効率的に製造できることから、有機ＥＬといった薄膜の大面積化が望まれる分野においてはウェットプロセスにより薄膜が形成されることが多い。

この点に鑑み、本発明者らは、各種電子デバイスに適用可能な電荷輸送性薄膜をウェットプロセスで作製するための電荷輸送性ワニスの開発をしてきている（例えば特許文献１参照）。

しかし、近年の有機ＥＬの分野においては、素子の軽量化や薄型化の潮流から、ガラス基板の代わりに有機化合物からなる基板が用いられるようになってきており、そのため、従来よりも低温で焼成でき、またその場合にも良好な電荷輸送性を有する薄膜を与えるワニスも求められている。

特開２００２−１５１２７２号公報

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、２００℃を下回る低温で焼成可能であるとともに、そのような焼成条件下で作製した薄膜が、高平坦性かつ高電荷輸送性を有し、有機ＥＬ素子に適用した場合に優れた特性を発揮させ得る電荷輸送性ワニスを提供することを目的とする。

本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、オリゴチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質と、ドーパントと、有機シラン化合物と、有機溶媒とを含む電荷輸送性ワニスを用いることで、２００℃未満の低温で焼成可能であるとともに、そのような焼成条件下で作製した薄膜が高平坦性及び高電荷輸送性を有すること、並びに当該薄膜を正孔注入層に適用した場合に、優れた輝度特性を実現し得る有機ＥＬ素子が得られることを見出し、本発明を完成させた。
なお、特許文献１には、オリゴチオフェン誘導体、ドーパント及び有機シラン化合物を用いたワニスについては、具体的に開示されていない。

すなわち、本発明は、下記電荷輸送性ワニス及び有機ＥＬ素子を提供する。
１．式（１）で表されるオリゴチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質と、ドーパントと、有機シラン化合物と、有機溶媒とを含むことを特徴とする電荷輸送性ワニス。

（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＯＹ¹基、−ＳＹ²基、−ＮＨＹ³基、−ＮＹ⁴Ｙ⁵基又は−ＮＨＣ(Ｏ)Ｙ⁶基を表し、また、Ｒ¹〜Ｒ⁶が水素原子でない場合は、Ｒ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴及び／又はＲ⁵とＲ⁶は互いに結合して２価の基を形成してもよく、
Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＯＹ¹基、−ＳＹ²基、−ＮＨＹ³基、−ＮＹ⁴Ｙ⁵基又は−ＮＨＣ(Ｏ)Ｙ⁶基を表し、
Ｙ¹〜Ｙ⁶は、それぞれ独立に、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ²で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ¹は、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ²は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基又は炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、
Ｚ³は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、各々のアルキル基が炭素数１〜２０のアルキル基であるジアルキルアミノ基、又は各々のアリール基が炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基を表し、
ｎ¹〜ｎ³は、それぞれ独立に自然数を表し、かつ４≦ｎ¹＋ｎ²＋ｎ³≦２０を満たす。）
２．上記ドーパントが、ヘテロポリ酸を含む１の電荷輸送性ワニス。
３．上記ヘテロポリ酸が、リンタングステン酸を含む２の電荷輸送性ワニス。
４．上記オリゴチオフェン誘導体が、式（２）で表される１〜３のいずれかの電荷輸送性ワニス。

（式中、Ｒ³〜Ｒ⁸及びｎ¹〜ｎ³は、上記と同じ。）
５．上記有機シラン化合物が、ジアルコキシシラン化合物、トリアルコキシシラン化合物及びテトラアルコキシシラン化合物から選ばれる少なくとも１種を含む１〜４のいずれかの電荷輸送性ワニス。
６．更に、式（１２）で表されるテトラシアノキノジメタン化合物を含む１〜５のいずれかの電荷輸送性ワニス。

（式中、Ｒ¹⁰¹〜Ｒ¹⁰⁴は、それぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子を表すが、少なくとも１つはハロゲン原子である。）
７．更に、アリールスルホン酸化合物からなるドーパントを含む１〜６のいずれかの電荷輸送性ワニス。
８．１〜７のいずれかの電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
９．８の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
１０．上記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層又は正孔輸送層である９の有機エレクトロルミネッセンス素子。
１１．１〜７のいずれかの電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して焼成することを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法。
１２．８の電荷輸送性薄膜を用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
１３．式（１）で表されるオリゴチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質と、ドーパントとを含むことを特徴とする電荷輸送性材料。

（式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＯＹ¹基、−ＳＹ²基、−ＮＨＹ³基、−ＮＹ⁴Ｙ⁵基又は−ＮＨＣ(Ｏ)Ｙ⁶基を表し、また、Ｒ¹〜Ｒ⁶が水素原子でない場合は、Ｒ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴及び／又はＲ⁵とＲ⁶は互いに結合して２価の基を形成してもよく、
Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＯＹ¹基、−ＳＹ²基、−ＮＨＹ³基、−ＮＹ⁴Ｙ⁵基又は−ＮＨＣ(Ｏ)Ｙ⁶基を表し、
Ｙ¹〜Ｙ⁶は、それぞれ独立に、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ²で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ¹は、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
Ｚ²は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基又は炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、
Ｚ³は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、各々のアルキル基が炭素数１〜２０のアルキル基であるジアルキルアミノ基、又は各々のアリール基が炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基を表し、
ｎ¹〜ｎ³は、それぞれ独立に自然数を表し、かつ４≦ｎ¹＋ｎ²＋ｎ³≦２０を満たす。）

本発明の電荷輸送性ワニスを用いることで、１５０〜２３０℃程度の比較的低温から高温で焼成した場合に、高平坦性及び高電荷輸送性を有し、有機ＥＬ素子の正孔注入層に適用したときに優れた輝度特性を実現できる薄膜を得ることができる。
また、本発明の電荷輸送性ワニスを用いることで、スピンコート法やスリットコート法等、大面積に成膜可能な各種ウェットプロセスを用いた場合でも電荷輸送性に優れた薄膜を再現性よく製造できるため、近年の有機ＥＬ素子の分野における進展にも十分対応できる。
更に、本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜は、帯電防止膜や有機薄膜太陽電池の陽極バッファ層等としても使用できる。

［オリゴチオフェン誘導体］
本発明に係る電荷輸送性ワニスは、式（１）で表されるオリゴチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質を含む。

なお、本発明において、電荷輸送性とは、導電性と同義であり、正孔輸送性と同義である。電荷輸送性物質は、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、電子受容性物質と共に用いた際に電荷輸送性があるものでもよい。電荷輸送性ワニスは、それ自体に電荷輸送性があるものでもよく、それにより得られる固形膜が電荷輸送性を有するものでもよい。

式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＯＹ¹基、−ＳＹ²基、−ＮＨＹ³基、−ＮＹ⁴Ｙ⁵基又は−ＮＨＣ(Ｏ)Ｙ⁶基を表す。また、Ｒ¹〜Ｒ⁶が水素原子でない場合は、Ｒ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴及び／又はＲ⁵とＲ⁶は互いに結合して２価の基を形成してもよい。

Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＯＹ¹基、−ＳＹ²基、−ＮＨＹ³基、−ＮＹ⁴Ｙ⁵基又は−ＮＨＣ(Ｏ)Ｙ⁶基を表す。

Ｙ¹〜Ｙ⁶は、それぞれ独立に、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ²で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。

Ｚ¹は、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
Ｚ²は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基又は炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。
Ｚ³は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、各々のアルキル基が炭素数１〜２０のアルキル基であるジアルキルアミノ基、又は各々のアリール基が炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基を表す。

炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３〜２０の環状アルキル基等が挙げられる。

炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例としては、エテニル基、ｎ−１−プロペニル基、ｎ−２−プロペニル基、１−メチルエテニル基、ｎ−１−ブテニル基、ｎ−２−ブテニル基、ｎ−３−ブテニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−エチルエテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、１−メチル−２−プロペニル基、ｎ−１−ペンテニル基、ｎ−１−デセニル基、ｎ−１−エイコセニル基等が挙げられる。

炭素数２〜２０のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、ｎ−１−プロピニル基、ｎ−２−プロピニル基、ｎ−１−ブチニル基、ｎ−２−ブチニル基、ｎ−３−ブチニル基、１−メチル−２−プロピニル基、ｎ−１−ペンチニル基、ｎ−２−ペンチニル基、ｎ−３−ペンチニル基、ｎ−４−ペンチニル基、１−メチル−ｎ−ブチニル基、２−メチル−ｎ−ブチニル基、３−メチル−ｎ−ブチニル基、１,１−ジメチル−ｎ−プロピニル基、ｎ−１−ヘキシニル基、ｎ−１−デシニル基、ｎ−１−ペンタデシニル基、ｎ−１−エイコシニル基等が挙げられる。

炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基等が挙げられる。

炭素数２〜２０のヘテロアリール基の具体例としては、２−チエニル基、３−チエニル基、２−フラニル基、３−フラニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、３−イソオキサゾリル基、４−イソオキサゾリル基、５−イソオキサゾリル基、２−チアゾリル基、４−チアゾリル基、５−チアゾリル基、３−イソチアゾリル基、４−イソチアゾリル基、５−イソチアゾリル基、２−イミダゾリル基、４−イミダゾリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基等が挙げられる。

式（１）において、Ｒ¹及びＲ²としては、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基又はＺ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基（すなわち、Ｙ¹がＺ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である−ＯＹ¹基）が好ましく、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基又はＺ¹で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルコキシ基がより好ましく、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基又はＺ¹で置換されていてもよい炭素数１〜８のアルコキシ基がより一層好ましく、水素原子が最適である。

したがって、好適なオリゴチオフェン誘導体としては、例えば、式（２）で表されるものが挙げられる。

（式中、Ｒ³〜Ｒ⁸は、上記と同じ。）

一方、Ｒ³〜Ｒ⁶としては、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基又はＺ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基（すなわち、Ｙ¹がＺ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である−ＯＹ¹基）が好ましく、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基又はＺ¹で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルコキシ基がより好ましく、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基又はＺ¹で置換されていてもよい炭素数１〜８のアルコキシ基がより一層好ましい。また、Ｒ³及びＲ⁴のうち少なくとも一方は、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基又はＺ¹で置換されていてもよい炭素数１〜８のアルコキシ基であることが更に好ましい。

Ｒ⁷及びＲ⁸としては、水素原子、−ＮＹ⁴Ｙ⁵基、又は各々のアルキル基が炭素数１〜２０のアルキル基であるジアルキルアミノ基若しくは各々のアリール基が炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましい。このとき、Ｙ⁴及びＹ⁵は、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基又はＺ¹で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基又はＺ¹で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基がより好ましい。
これらのうち、Ｒ⁷及びＲ⁸としては、特に、水素原子、各々のアリール基がＺ²で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基であるジアリールアミノ基、又は各々のアリール基が炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基で置換されたフェニル基が好ましく、水素原子又は４−ジフェニルアミノフェニル基が最適である。

なお、Ｒ¹〜Ｒ⁸及びＹ¹〜Ｙ⁶において、Ｚ¹は、炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、フェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。また、Ｚ²は、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜８のアルキル基がより一層好ましく、炭素数１〜６のアルキル基が更に好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。Ｚ³は、炭素数１〜２０のアルキル基、各々のアルキル基が炭素数１〜２０のアルキル基であるジアルキルアミノ基、又は各々のアリール基が炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基、各々のアルキル基が炭素数１〜１０のアルキル基であるジアルキルアミノ基、又は各々のアリール基が炭素数６〜１０のアリール基であるジアリールアミノ基がより好ましく、炭素数１〜８のアルキル基、各々のアルキル基が炭素数１〜８のアルキル基であるジアルキルアミノ基又はジフェニルアミノ基が更に好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）又はジフェニルアミノ基が最適である。

式（１）及び（２）において、ｎ¹〜ｎ³は、それぞれ独立に自然数を表し、かつ、４≦ｎ¹＋ｎ²＋ｎ³≦２０を満たす。ｎ¹は、好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０、より一層好ましくは２〜５、更に好ましくは２〜３である。一方、ｎ²及びｎ³は、好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０、より一層好ましくは１〜５、更に好ましくは１〜３である。
また、オリゴチオフェン誘導体の有機溶媒への溶解性を向上させる観点から、ｎ¹〜ｎ³は、好ましくはｎ¹＋ｎ²＋ｎ³≦８、より好ましくはｎ¹＋ｎ²＋ｎ³≦７、より一層好ましくはｎ¹＋ｎ²＋ｎ³≦６、更に好ましくはｎ¹＋ｎ²＋ｎ³≦５を満たす。

以下、式（１）で表されるオリゴチオフェン誘導体の具体例を挙げるが、これらに限定されない。なお、式中、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「ｎ−Ｐｒ」はｎ−プロピル基を、「ｉ−Ｐｒ」はｉ−プロピル基を、「ｎ−Ｂｕ」はｎ−ブチル基を、「ｉ−Ｂｕ」はイソブチル基を、「ｓ−Ｂｕ」はｓ−ブチル基を、「ｔ−Ｂｕ」はｔ−ブチル基を、「ｎ−Ｐｅｎ」はｎ−ペンチル基を、「ｎ−Ｈｅｘ」はｎ−ヘキシル基を、「ｎ−Ｈｅｐ」はｎ−ヘプチル基を、「ｎ−Ｏｃｔ」はｎ−オクチル基を、「Ｐｈ」はフェニル基を、「Ａｒ¹」は４−(ジフェニルアミノ)フェニル基を、それぞれ示す。

本発明で用いるオリゴチオフェン誘導体は、公知の方法（例えば、特開平０２−２５０８８１号公報やChem. Eur. J. 2005, 11, pp. 3742-3752に記載の方法）によって合成してもよく、市販品を用いてもよい。

本発明で用いるオリゴチオフェン誘導体は、具体的には、例えば、下記スキーム１又は２に示される反応式にしたがって合成することができ、また、特に、両末端にアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基又はヘテロアリール基を有するオリゴチオフェン誘導体（式（１'））は、下記スキーム３に示される反応式にしたがって合成することもできる。

（式中、Ｈａｌは、ハロゲン原子又は擬ハロゲン基を表し、Ｒ¹〜Ｒ⁸及びｎ¹〜ｎ³は、上記と同じ意味を示し、ⁿＢｕは、ｎ−ブチル基を示す。）

ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子等が挙げられる。
擬ハロゲン基としては、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、ノナフルオロブタンスルホニルオキシ基等の(フルオロ)アルキルスルホニルオキシ基；ベンゼンスルホニルオキシ基、トルエンスルホニルオキシ基等の芳香族スルホニルオキシ基などが挙げられる。

Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、それぞれ独立に、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、これらの具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。また、置換基Ｚ¹及びＺ³は、上記と同じ意味を示す。

スキーム１において、式（３）〜（５）で表されるチオフェン誘導体の仕込み比は、通常、式（４）で表されるチオフェン誘導体に対し、式（３）で表されるチオフェン誘導体、（５）で表されるチオフェン誘導体それぞれ０.５〜１.５当量程度であるが、０.９〜１.３当量程度が好適である。
スキーム２において、式（６）〜（８）で表されるチオフェン誘導体の仕込み比は、通常、式（７）で表されるチオフェン誘導体に対し、式（６）で表されるチオフェン誘導体、式（８）で表されるチオフェン誘導体それぞれ０.５〜１.５当量程度であるが、０.９〜１.３当量程度が好適である。
スキーム３において、式（９）で表されるチオフェン誘導体及び式（１０）〜（１１）で表される化合物の仕込み比は、通常、式（９）で表されるチオフェン誘導体に対し、式（１０）で表される化合物、式（１１）で表される化合物それぞれ０.５〜１.５当量程度であるが、０.９〜１.３当量程度が好適である。

上記反応に用いられる触媒としては、例えば、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等の銅触媒；テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム（Pd(PPh₃)₄）、ビス(トリフェニルホスフィン)ジクロロパラジウム（Pd(PPh₃)₂Cl₂）、ビス(ベンジリデンアセトン)パラジウム（Pd(dba)₂）、トリス(ベンジリデンアセトン)ジパラジウム（Pd₂(dba)₃）、ビス(トリ−ｔ−ブチルホスフィン)パラジウム（Pd(P-t-Bu₃)₂）等のパラジウム触媒等が挙げられる。これらの触媒は、１種単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。また、これらの触媒は公知の適切な配位子とともに使用してもよい。

触媒の使用量は、式（４）、（７）又は（９）で表される化合物１ｍｏｌに対して、通常０.０１〜０.２ｍｏｌ程度であるが、０.０５ｍｏｌ程度が好適である。
また、配位子を用いる場合、その使用量は、使用する金属錯体に対し０.１〜５当量程度でよいが、１〜４当量程度が好適である。

上記反応は溶媒中で行ってもよい。溶媒を使用する場合、その種類は、反応に悪影響を及ぼさないものであれば特に制限はない。具体例としては、脂肪族炭化水素（ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、デカリン等）、ハロゲン化脂肪族炭化水素（クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素等）、芳香族炭化水素（ベンゼン、ニトロベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、メシチレン等）、ハロゲン化芳香族炭化水素（クロロベンゼン、ブロモベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、ｍ−ジクロロベンゼン、ｐ−ジクロロベンゼン等）、エーテル（ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、１,２−ジメトキシエタン、１,２−ジエトキシエタン等）、ケトン（アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジ−ｎ−ブチルケトン、シクロヘキサノン等）、アミド（Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド等）、ラクタム及びラクトン類（Ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン等）、尿素化合物（Ｎ,Ｎ−ジメチルイミダゾリジノン、テトラメチルウレア等）、スルホキシド（ジメチルスルホキシド、スルホラン等）、ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル等）等が挙げられる。これらの溶媒は１種単独で又は２種以上混合して用いてもよい。

反応温度は、用いる溶媒の融点から沸点までの範囲で適宜設定すればよいが、特に、０〜２００℃程度が好ましく、２０〜１５０℃がより好ましい。
反応終了後は、常法に従って後処理をして、式（１）又は（１'）で表されるオリゴチオフェン誘導体を得ることができる。

なお、上記反応で用いる式（４）、（６）、（８）及び（９）で表される化合物は、それぞれ、一般的な手法に従い、ｎ−ブチルリチウムのような適当な塩基及びトリブチルクロロスタナンのような適当なスズ化合物を用いて、各化合物に対応する構造を有するチオフェン化合物の両末端にトリブチルスズ基を導入することで得ることができる。更に、式（９）で表される化合物は、スキーム１又は２に従い得られたオリゴチオフェン誘導体の両末端にトリブチルスズ基を導入することで得ることもできる。
一方、式（３）、（５）、（７）、（１０）及び（１１）で表される化合物は、市販品を用いることもできるし、一般的な手法に従い、各化合物に対応する構造を有する、チオフェン、アルカン、アルケン、アルキン、アレーン又はヘテロアレーン（チオフェンを除く）をハロゲン化又は擬ハロゲン化することで得ることができる。

［ドーパント］
本発明の電荷輸送性ワニスは、ドーパントを含む。ドーパントとしては、特に限定されるものではなく、有機系のドーパント、無機系のドーパントのいずれも用いることができる。

中でも、最も好ましい態様としては、本発明の電荷輸送性ワニスは、ドーパントとしてヘテロポリ酸を含み、それゆえ、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極からの高正孔受容能のみならず、アルミニウムに代表される金属陽極からの高正孔受容能を示す電荷輸送性に優れた薄膜を得ることができる。

ヘテロポリ酸とは、代表的に式（Ａ１）で示されるＫｅｇｇｉｎ型あるいは式（Ａ２）で示されるＤａｗｓｏｎ型の化学構造で示される、ヘテロ原子が分子の中心に位置する構造を有し、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等のオキソ酸であるイソポリ酸と、異種元素のオキソ酸とが縮合してなるポリ酸である。このような異種元素のオキソ酸としては、主にケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）のオキソ酸が挙げられる。

ヘテロポリ酸の具体例としては、リンモリブデン酸、ケイモリブデン酸、リンタングステン酸、ケイタングステン酸、リンタングストモリブデン酸等が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。なお、本発明で用いるヘテロポリ酸は、市販品として入手可能であり、また、公知の方法により合成することもできる。

特に、ドーパントが１種類のヘテロポリ酸からなる場合、その１種類のヘテロポリ酸はリンタングステン酸又はリンモリブデン酸であることが好ましく、リンタングステン酸であることがより好ましい。また、ドーパントが２種類以上のヘテロポリ酸からなる場合、その２種類以上のヘテロポリ酸のうち少なくとも１つはリンタングステン酸又はリンモリブデン酸であることが好ましく、リンタングステン酸であることがより好ましい。

なお、ヘテロポリ酸は、元素分析等の定量分析において、一般式で示される構造から元素の数が多いもの又は少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは、公知の合成方法にしたがって適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。

すなわち、例えば、一般的にリンタングステン酸は化学式Ｈ₃(ＰＷ₁₂Ｏ₄₀)・ｎＨ₂Ｏで、リンモリブデン酸は化学式Ｈ₃(ＰＭｏ₁₂Ｏ₄₀)・ｎＨ₂Ｏでそれぞれ表されるが、定量分析において、この式中のＰ（リン）、Ｏ（酸素）又はＷ（タングステン）若しくはＭｏ（モリブデン）の数が多いもの又は少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは公知の合成方法にしたがって適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。この場合、本発明に規定されるヘテロポリ酸の質量とは、合成物や市販品中における純粋なリンタングステン酸の質量（リンタングステン酸含量）ではなく、市販品として入手可能な形態及び公知の合成法にて単離可能な形態において、水和水やその他の不純物等を含んだ状態での全質量を意味する。

本発明の電荷輸送性ワニスに含まれるヘテロポリ酸は、質量比で、電荷輸送性物質１に対して１.０〜７０.０程度とすることができるが、好ましくは２.０〜６０.０程度、より好ましくは２.５〜５５.０程度、より一層好ましくは２.５〜２５.０程度である。

［有機シラン化合物］
本発明の電荷輸送性ワニスに含まれる有機シラン化合物としては、ジアルコキシシラン化合物、トリアルコキシシラン化合物又はテトラアルコキシシラン化合物が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
とりわけ、有機シラン化合物は、ジアルコキシシラン化合物及びトリアルコキシシラン化合物から選ばれる１種を含むことが好ましく、トリアルコキシシラン化合物を含むことがより好ましい。

ジアルコキシシラン化合物、トリアルコキシシラン化合物及びテトラアルコキシシラン化合物としては、例えば、式（Ｂ１）〜（Ｂ３）で示されるものが挙げられる。
ＳｉＲ'₂(ＯＲ)₂ （Ｂ１）
ＳｉＲ'(ＯＲ)₃ （Ｂ２）
Ｓｉ(ＯＲ)₄ （Ｂ３）

式中、Ｒは、それぞれ独立に、Ｚ¹⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹⁰¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹⁰¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ¹⁰²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ¹⁰²で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
Ｒ'は、それぞれ独立に、Ｚ¹⁰³で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹⁰³で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹⁰³で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ¹⁰⁴で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ¹⁰⁴で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。

Ｚ¹⁰¹は、ハロゲン原子、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
Ｚ¹⁰²は、ハロゲン原子、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。

Ｚ¹⁰³は、ハロゲン原子、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基（−ＮＨＣＯＮＨ₂）、チオール基、イソシアネート基（−ＮＣＯ）、アミノ基、−ＮＨＹ¹⁰¹基又は−ＮＹ¹⁰²Ｙ¹⁰³基を表す。
Ｚ¹⁰⁴は、ハロゲン原子、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基（−ＮＨＣＯＮＨ₂）、チオール基、イソシアネート基（−ＮＣＯ）、アミノ基、−ＮＨＹ¹⁰¹基又は−ＮＹ¹⁰²Ｙ¹⁰³基を表す。

Ｙ¹⁰¹〜Ｙ¹⁰³は、それぞれ独立に、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
Ｚ¹⁰⁵は、ハロゲン原子、アミノ基、ニトロ基、シアノ基又はチオール基を表す。

式（Ｂ１）〜（Ｂ３）におけるハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基及び炭素数６〜２０のアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。

Ｒとしては、Ｚ¹⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹⁰¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ¹⁰²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、Ｚ¹⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基、Ｚ¹⁰¹で置換されていてもよい炭素数２〜６のアルケニル基又はＺ¹⁰²で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、Ｚ¹⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基又はＺ¹⁰²で置換されていてもよいフェニル基がより一層好ましく、Ｚ¹⁰¹で置換されていてもよいメチル基又はエチル基が更に好ましい。

また、Ｒ'としては、Ｚ¹⁰³で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基又はＺ¹⁰⁴で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、Ｚ¹⁰³で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基又はＺ¹⁰⁴で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基がより好ましく、Ｚ¹⁰³で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基又はＺ¹⁰⁴で置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基がより一層好ましく、Ｚ¹⁰³で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基又はＺ¹⁰⁴で置換されていてもよいフェニル基が更に好ましい。

なお、複数のＲは全て同一でも異なっていてもよく、複数のＲ'も全て同一でも異なっていてもよい。

Ｚ¹⁰¹としては、ハロゲン原子又はＺ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、フッ素原子又はＺ¹⁰⁵で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。

また、Ｚ¹⁰²としては、ハロゲン原子又はＺ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアルキル基が好ましく、フッ素原子又はＺ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキルがより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。

一方、Ｚ¹⁰³としては、ハロゲン原子、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよいフェニル基、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよいフラニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、チオール基、イソシアネート基、アミノ基、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよいフェニルアミノ基又はＺ¹⁰⁴で置換されていてもよいジフェニルアミノ基が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、フッ素原子又は存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより一層好ましい。

また、Ｚ¹⁰⁴としては、ハロゲン原子、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよいフラニル基、エポキシシクロヘキシル基、グリシドキシ基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ウレイド基、チオール基、イソシアネート基、アミノ基、Ｚ¹⁰⁵で置換されていてもよいフェニルアミノ基又はＺ¹⁰⁵で置換されていてもよいジフェニルアミノ基が好ましく、ハロゲン原子がより好ましく、フッ素原子又は存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより一層好ましい。

そして、Ｚ¹⁰⁵としては、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子又は存在しないこと（すなわち、非置換であること）がより好ましい。

以下、本発明で使用可能な有機シラン化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
ジアルコキシシラン化合物の具体例としては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルエチルジメトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、メチルプロピルジメトキシシラン、メチルプロピルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシシラン、３−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−(２−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３,３,３−トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン等が挙げられる。

トリアルコキシシラン化合物の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ペンチルトリメトキシシラン、ペンチルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、ヘキサデシルトリメトキシシラン、ヘキサデシルトリエトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、トリエトキシ(４−(トリフルオロメチル)フェニル)シラン、ドデシルトリエトキシシラン、３,３,３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、(トリエトキシシリル)シクロヘキサン、パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシラン、トリエトキシフルオロシラン、トリデカフルオロ−１,１,２,２−テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン、３−(ヘプタフルオロイソプロポキシ)プロピルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１,１,２,２−テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、トリエトキシ−２−チエニルシラン、３−(トリエトキシシリル)フラン等が挙げられる。

テトラアルコキシシラン化合物の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン等が挙げられる。

これらの中でも、３,３,３−トリフルオロプロピルメチルジメトキシシラン、トリエトキシ(４−(トリフルオロメチル)フェニル)シラン、３,３,３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、パーフルオロオクチルエチルトリエトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン等が好ましい。

本発明の電荷輸送性ワニスにおける有機シラン化合物の含有量は、電荷輸送性物質及びドーパントの総質量に対して、通常０.１〜５０質量％程度であるが、得られる薄膜の電荷輸送性の低下を抑制し、かつ、正孔輸送層や発光層といった陽極とは反対側に正孔注入層に接するように積層される層への正孔注入能を高めることを考慮すると、好ましくは０.５〜４０質量％程度、より好ましくは０.８〜３０質量％程度、より一層好ましくは１〜２０質量％程度である。

［有機溶媒］
電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる有機溶媒としては、電荷輸送性物質、ドーパント及び有機シラン化合物を良好に溶解し得る高溶解性溶媒を用いることができる。
このような高溶解性溶媒としては、例えば、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等の有機溶媒を用いることができる。これらの溶媒は１種単独で、又は２種以上混合して用いることができ、その使用量は、ワニスに使用する溶媒全体に対して５〜１００質量％とすることができる。
なお、電荷輸送性物質及びドーパントは、いずれも上記溶媒に完全に溶解していることが好ましい。

また、本発明においては、ワニスに、２５℃で１０〜２００ｍＰａ・ｓ、特に３５〜１５０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、常圧（大気圧）で沸点５０〜３００℃、特に１５０〜２５０℃の高粘度有機溶媒を少なくとも１種類含有させることで、ワニスの粘度の調整が容易になり、その結果、平坦性の高い薄膜を再現性よく与える、用いる塗布方法に応じたワニス調製が可能となる。

高粘度有機溶媒としては、特に限定されるものではなく、例えば、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジグリシジルエーテル、１,３−オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１,３−ブタンジオール、２,３−ブタンジオール、１,４−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられる。これらの溶媒は単独で用いてもよく、２種以上混合して用いてもよい。

本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、５〜８０質量％が好ましい。

更に、基板に対する濡れ性の向上、溶媒の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で、その他の溶媒を、ワニスに使用する溶媒全体に対して１〜９０質量％、好ましくは１〜５０質量％の割合で混合することもできる。
このような溶媒としては、例えば、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトン、エチルラクテート、ｎ−ヘキシルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は１種単独で、又は２種以上混合して用いることができる。

本発明のワニスの粘度は、作製する薄膜の厚み等や固形分濃度に応じて適宜設定されるものではあるが、通常、２５℃で１〜５０ｍＰａ・ｓである。
また、本発明における電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度及び表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、０.１〜１０.０質量％程度であり、ワニスの塗布性を向上させることを考慮すると、好ましくは０.５〜５.０質量％程度、より好ましくは１.０〜３.０質量％程度である。

［テトラシアノキノジメタン化合物］
本発明の電荷輸送性ワニスは、式（１２）で表されるテトラシアノキノジメタン化合物を含むことが好ましい。テトラシアノキノジメタン化合物を含むことで、得られる薄膜を正孔注入層とて用いた場合に素子の寿命が向上し、その輝度等の特性が更に向上する。また、ワニスを低温焼成した場合においても、高平坦性及び高電荷輸送性の薄膜を再現性よく製造できる。

式中、Ｒ¹⁰¹〜Ｒ¹⁰⁴は、それぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子を表すが、少なくとも１つはハロゲン原子である。ハロゲン原子としては上記と同じものが挙げられ、フッ素原子又は塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。また、Ｒ¹⁰¹〜Ｒ¹⁰⁴の少なくとも２つがハロゲン原子であることが好ましく、少なくとも３つがハロゲン原子であることがより好ましく、全てがハロゲン原子であることが最も好ましい。

テトラシアノキノジメタン化合物として具体的には、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）、テトラクロロテトラシアノキノジメタン、２−フルオロテトラシアノキノジメタン、２−クロロテトラシアノキノジメタン、２,５−ジフルオロテトラシアノキノジメタン、２,５−ジクロロテトラシアノキノジメタン等が挙げられる。テトラシアノキノジメタン化合物として特に好ましくは、Ｆ４ＴＣＮＱである。

本発明の電荷輸送性ワニスにおけるテトラシアノキノジメタン化合物の含有量は、チオフェン誘導体に対して、好ましくは０.０００１〜１当量、より好ましくは０.００１〜０.５当量、更に好ましくは０.０１〜０.２当量である。

［その他の成分］
本発明の電荷輸送性ワニスは、上述したオリゴチオフェン誘導体のほかに、本発明の効果を妨げない限り、その他の電荷輸送性物質を含んでもよい。また、本発明の電荷輸送性ワニスは、ドーパントとして、上述したヘテロポリ酸の代わりに、その他の物質を含んでもよい。

その他の電荷輸送性物質としては、例えば、特開２００２−１５１２７２号公報記載のオリゴアニリン誘導体、国際公開第２００４／１０５４４６号記載のオリゴアニリン化合物、国際公開第２００５／０４３９６２号記載の１,４−ジチイン環を有する化合物、国際公開第２００８／０３２６１７号記載のオリゴアニリン化合物、国際公開第２００８／０３２６１６号記載のオリゴアニリン化合物、国際公開第２０１３／０４２６２３号記載のアリールジアミン化合物等が挙げられる。

とりわけ、その他の電荷輸送性物質としては、アニリン誘導体が好ましく、有機溶媒への溶解性を考慮すると、その分子量は、好ましく４,０００以下、より好ましくは３,０００以下、より一層好ましくは２,０００以下である。

本発明において、その他の電荷輸送性物質として好適に用い得るアニリン誘導体としては、例えば、式（１３）で表されるものが挙げられる。

Ｂ¹は、単結合、−ＮＨ−、−ＣＨ₂−、−Ｓ−又は−Ｏ−を表すが、単結合又は−ＮＨ−が好ましい。

Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁶は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²⁰²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ²⁰²で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＯＹ²⁰¹基、−ＳＹ²⁰²基、−ＮＨＹ²⁰³、−ＮＹ²⁰⁴Ｙ²⁰⁵基又は−ＮＨＣ(Ｏ)Ｙ²⁰⁶基を表す。Ｙ²⁰¹〜Ｙ²⁰⁶は、それぞれ独立に、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²⁰²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ²⁰²で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。このようなハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基及びヘテロアリール基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。

Ｚ²⁰¹は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ²⁰³で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ²⁰³で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。
Ｚ²⁰²は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ²⁰³で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ²⁰³で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基又はＺ²⁰³で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基を表す。
Ｚ²⁰³は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基又はカルボン酸基を表す。

Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁴としては、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ²⁰²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルコキシ基（すなわち、Ｙ²⁰¹がＺ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である−ＯＹ²⁰¹基）が好ましく、水素原子、フッ素原子、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、Ｚ²⁰²で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルコキシ基がより好ましく、水素原子、フッ素原子、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基、Ｚ²⁰²で置換されていてもよい６〜１０のアリール基、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基がより一層好ましく、水素原子、フッ素原子、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキル基、Ｚ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルコキシ基が更に好ましく、水素原子が最適である。

一方、Ｒ²⁰⁵及びＲ²⁰⁶としては、水素原子、ハロゲン原子、各々のアルキル基がＺ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基であるジアルキルアミノ基（すなわち、Ｙ²⁰⁴及びＹ²⁰⁵がＺ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基である−ＮＹ²⁰⁴Ｙ²⁰⁵基）、又は各々のアリール基がＺ²⁰²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基（すなわち、Ｙ²⁰⁴及びＹ²⁰⁵がＺ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基である−ＮＹ²⁰⁴Ｙ²⁰⁵基）が好ましく、水素原子、フッ素原子、各々のアルキル基がＺ²⁰¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基であるジアルキルアミノ基、又は各々のアリール基がＺ²⁰²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基がより好ましく、水素原子、各々のアリール基がＺ²⁰²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基がより一層好ましく、同時に水素原子又は各々のアリール基がＺ²⁰²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基が更に好ましい。

式（１３）において、ｐ及びｑは、それぞれ独立に０以上の整数を表し、２≦ｐ＋ｑ≦２０を満たすが、好ましくは２≦ｐ＋ｑ≦８、より好ましくは２≦ｐ＋ｑ≦６、より一層好ましくは２≦ｐ＋ｑ≦４を満たす。

特に、Ｒ²⁰¹〜Ｒ²⁰⁶及びＹ²⁰¹〜Ｙ²⁰⁶において、Ｚ²⁰¹は、炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、フェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。また、Ｚ²⁰²は、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜８のアルキル基がより一層好ましく、炭素数１〜６のアルキル基が更に好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。

以下、本発明において、その他の電荷輸送性物質として好適なアニリン誘導体の具体例を挙げるが、これらに限定されない。

一方、ドーパントとなるその他の物質としては、例えば、ベンゼンスルホン酸、トシル酸、ｐ−スチレンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸、４−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、５−スルホサリチル酸、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸、ジヘキシルベンゼンスルホン酸、２,５−ジヘキシルベンゼンスルホン酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、６,７−ジブチル−２−ナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスルホン酸、３−ドデシル−２−ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、４−ヘキシル−１−ナフタレンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、２−オクチル−１−ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、７−へキシル−１−ナフタレンスルホン酸、６−ヘキシル−２−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、２,７−ジノニル−４−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンジスルホン酸、２,７−ジノニル−４,５−ナフタレンジスルホン酸、国際公開第２００５／０００８３２号に記載されている１,４−ベンゾジオキサンジスルホン酸化合物、国際公開第２００６／０２５３４２号に記載されているアリールスルホン酸化合物、国際公開第２００９／０９６３５２号に記載されているアリールスルホン酸化合物、ポリスチレンスルホン酸等のアリールスルホン化合物；１０−カンファースルホン酸等の非アリールスルホン化合物；７,７,８,８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２,３−ジクロロ−５,６−ジシアノ−１,４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）等の有機酸化剤が挙げられる。

これらの中でも、ドーパントとなるその他の物質としては、アリールスルホン酸化合物が好ましく、有機溶媒への溶解性を考慮すると、その分子量は、好ましく３,０００以下、より好ましくは２,０００以下、より一層好ましくは１,０００以下である。

本発明において、ドーパントとして好適に用い得るアリールスルホン酸化合物としては、例えば、式（１４）又は（１５）で表されるものが挙げられる。

式（１４）中、Ａ¹は−Ｏ−又は−Ｓ−を表すが、−Ｏ−が好ましい。Ａ²はナフタレン環又はアントラセン環を表すが、ナフタレン環が好ましい。Ａ³は２〜４価のパーフルオロビフェニル基を表し、ｊはＡ¹とＡ³との結合数を示し、２≦ｊ≦４を満たす整数であるが、Ａ³が２価のパーフルオロビフェニル基、好ましくはパーフルオロビフェニル−４,４−ジイルであり、かつ、ｊが２であることが好ましい。ｍはＡ²に結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｍ≦４を満たす整数であるが、２が好適である。

式（１５）中、Ａ⁴〜Ａ⁸は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロゲン化アルキル基又は炭素数２〜２０のハロゲン化アルケニル基を表すが、Ａ⁴〜Ａ⁸のうち少なくとも３つはハロゲン原子である。ｋはナフタレン環に結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｋ≦４を満たす整数であるが、２〜４が好ましく、２がより好ましい。

炭素数１〜２０のハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、２,２,２−トリフルオロエチル基、１,１,２,２,２−ペンタフルオロエチル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基、２,２,３,３,３−ペンタフルオロプロピル基、１,１,２,２,３,３,３−ヘプタフルオロプロピル基、４,４,４−トリフルオロブチル基、３,３,４,４,４−ペンタフルオロブチル基、２,２,３,３,４,４,４−ヘプタフルオロブチル基、１,１,２,２,３,３,４,４,４−ノナフルオロブチル基等が挙げられる。炭素数２〜２０のハロゲン化アルケニル基としては、パーフルオロビニル基、１−パーフルオロプロペニル基、パーフルオロアリル基、パーフルオロブテニル基等が挙げられる。

ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基の例としては上記と同様のものが挙げられるが、ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。

これらの中でも、Ａ⁴〜Ａ⁸は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基又は炭素数２〜１０のハロゲン化アルケニル基であり、かつＡ⁴〜Ａ⁸のうち少なくとも３つはフッ素原子であることが好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のフッ化アルキル基又は炭素数２〜５のフッ化アルケニル基であり、かつＡ⁴〜Ａ⁸のうち少なくとも３つはフッ素原子であることがより好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基又は炭素数１〜５のパーフルオロアルケニル基であり、かつＡ⁴、Ａ⁵及びＡ⁸がフッ素原子であることがより一層好ましい。

なお、パーフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基であり、パーフルオロアルケニル基とは、アルケニル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基である。

本発明におけるドーパントとして好適なアリールスルホン酸化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されない。

［電荷輸送性材料］
本発明の電荷輸送性材料は、式（１）で表されるオリゴチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質と、ドーパントとを含む。このような電荷輸送性材料は、有機溶媒への良好な溶解性を示し、上述のとおりに、当該電荷輸送性材料を有機溶媒に溶解させることで、容易に電荷輸送性ワニスを製造することができる。

［電荷輸送性薄膜］
本発明の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して焼成することで、基材上に電荷輸送性薄膜を形成させることができる。

ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法等が挙げられ、塗布方法に応じてワニスの粘度及び表面張力を調節することが好ましい。

また、本発明のワニスを用いる場合、焼成雰囲気も特に限定されるものではなく、大気雰囲気だけでなく、窒素等の不活性ガスや真空中でも均一な成膜面及び高い電荷輸送性を有する薄膜を得ることができる。

焼成温度は、得られる薄膜の用途、得られる薄膜に付与する電荷輸送性の程度等を勘案して、１００〜２６０℃程度の範囲内で適宜設定されるものではあるが、得られる薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いる場合、１４０〜２５０℃程度が好ましく、１４５〜２４０℃程度がより好ましい。

本発明のワニスの特徴の一つに、２００℃未満の低温で焼成可能であるという特徴があり、そのような焼成条件下で作製した薄膜でも、高平坦性及び高電荷輸送性を有する。

なお、焼成の際、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよい。加熱は、例えば、ホットプレートやオーブン等適当な機器を用いて行えばよい。

電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機ＥＬ素子内の正孔注入層として用いる場合、５〜２００ｎｍが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりする等の方法がある。

［有機ＥＬ素子］
本発明の電荷輸送性ワニスを用いてＯＬＥＤ素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されない。

使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にＵＶオゾン処理、酸素−プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。

本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有するＯＬＥＤ素子の作製方法の例は、以下のとおりである。

上記の方法により、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して焼成し、電極上に正孔注入層を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子輸送層／ホールブロック層、電子注入層、陰極金属を順次蒸着してＯＬＥＤ素子とする。なお、必要に応じて、発光層と正孔輸送層との間に電子ブロック層を設けてよい。

陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極や、アルミニウムに代表される金属やこれらの合金等から構成される金属陽極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。

なお、金属陽極を構成するその他の金属としては、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、カドミウム、インジウム、スカンジウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ハフニウム、タリウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、プラチナ、金、チタン、鉛、ビスマスやこれらの合金等が挙げられるが、これらに限定されない。

正孔輸送層を形成する材料としては、(トリフェニルアミン)ダイマー誘導体、[(トリフェニルアミン)ダイマー]スピロダイマー、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン（α−ＮＰＤ）、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−２−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジメチル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジメチル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(３−メチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジフェニル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−９,９−ジフェニル−フルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−２,２'−ジメチルベンジジン、２,２',７,７'−テトラキス(Ｎ,Ｎ−ジフェニルアミノ)−９,９−スピロビフルオレン、９,９−ビス[４−(Ｎ,Ｎ−ビス−ビフェニル−４−イル−アミノ)フェニル]−９Ｈ−フルオレン、９,９−ビス[４−(Ｎ,Ｎ−ビス−ナフタレン−２−イル−アミノ)フェニル]−９Ｈ−フルオレン、９,９−ビス[４−(Ｎ−ナフタレン−１−イル−Ｎ−フェニルアミノ)−フェニル]−９Ｈ−フルオレン、２,２',７,７'−テトラキス[Ｎ−ナフタレニル(フェニル)−アミノ]−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ'−ビス(フェナントレン−９−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン、２,２'−ビス[Ｎ,Ｎ−ビス(ビフェニル−４−イル)アミノ]−９,９−スピロビフルオレン、２,２'−ビス(Ｎ,Ｎ−ジフェニルアミノ)−９,９−スピロビフルオレン、ジ−[４−(Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノ)−フェニル]シクロヘキサン、２,２',７,７'−テトラ(Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノ)−９,９−スピロビフルオレン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラ−ナフタレン−２−イル−ベンジジン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラ−(３−メチルフェニル)−３,３'−ジメチルベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレニル)−Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレン−２−イル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'−テトラ(ナフタレニル)−ベンジジン、Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレン−２−イル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニルベンジジン−１,４−ジアミン、Ｎ¹,Ｎ⁴−ジフェニル−Ｎ¹,Ｎ⁴−ジ(ｍ−トリル)ベンゼン−１,４−ジアミン、Ｎ²,Ｎ²,Ｎ⁶,Ｎ⁶−テトラフェニルナフタレン−２,６−ジアミン、トリス(４−(キノリン−８−イル)フェニル)アミン、２,２'−ビス(３−(Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノ)フェニル)ビフェニル、４,４',４''−トリス[３−メチルフェニル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４,４',４''−トリス[１−ナフチル(フェニル)アミノ]トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）等のトリアリールアミン類、５,５''−ビス−{４−[ビス(４−メチルフェニル)アミノ]フェニル}−２,２':５',２''−ターチオフェン（ＢＭＡ−３Ｔ）等のオリゴチオフェン類等が挙げられる。

発光層を形成する材料としては、トリス(８−キノリノラート)アルミニウム(III)（Ａｌｑ₃）、ビス(８−キノリノラート)亜鉛(II)（Ｚｎｑ₂）、ビス(２−メチル−８−キノリノラート)−４−(ｐ−フェニルフェノラート)アルミニウム(III)（ＢＡｌｑ）、４,４'−ビス(２,２−ジフェニルビニル)ビフェニル、９,１０−ジ(ナフタレン−２−イル)アントラセン、２−ｔ−ブチル−９,１０−ジ(ナフタレン−２−イル)アントラセン、２,７−ビス[９,９−ジ(４−メチルフェニル)−フルオレン−２−イル]−９,９−ジ(４−メチルフェニル)フルオレン、２−メチル−９,１０−ビス(ナフタレン−２−イル)アントラセン、２−(９,９−スピロビフルオレン−２−イル)−９,９−スピロビフルオレン、２,７−ビス(９,９−スピロビフルオレン−２−イル)−９,９−スピロビフルオレン、２−[９,９−ジ(４−メチルフェニル)−フルオレン−２−イル]−９,９−ジ(４−メチルフェニル)フルオレン、２,２'−ジピレニル−９,９−スピロビフルオレン、１,３,５−トリス(ピレン−１−イル)ベンゼン、９,９−ビス[４−(ピレニル)フェニル]−９Ｈ−フルオレン、２,２'−ビ(９,１０−ジフェニルアントラセン)、２,７−ジピレニル−９,９−スピロビフルオレン、１,４−ジ(ピレン−１−イル)ベンゼン、１,３−ジ(ピレン−１−イル)ベンゼン、６,１３−ジ(ビフェニル−４−イル)ペンタセン、３,９−ジ(ナフタレン−２−イル)ペリレン、３,１０−ジ(ナフタレン−２−イル)ペリレン、トリス[４−(ピレニル)−フェニル]アミン、１０,１０'−ジ(ビフェニル−４−イル)−９,９'−ビアントラセン、Ｎ,Ｎ'−ジ(ナフタレン−１−イル)−Ｎ,Ｎ'−ジフェニル−[１,１':４',１'':４'',１'''−クォーターフェニル]−４,４'''−ジアミン、４,４'−ジ[１０−(ナフタレン−１−イル)アントラセン−９−イル]ビフェニル、ジベンゾ{[ｆ,ｆ']−４,４',７,７'−テトラフェニル}ジインデノ[１,２,３−ｃｄ:１',２',３'−ｌｍ]ペリレン、１−(７−(９,９'−ビアントラセン−１０−イル)−９,９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)ピレン、１−(７−(９,９'−ビアントラセン−１０−イル)−９,９−ジヘキシル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)ピレン、１,３−ビス(カルバゾール−９−イル)ベンゼン、１,３,５−トリス(カルバゾール−９−イル)ベンゼン、４,４',４''−トリス(カルバゾール−９−イル)トリフェニルアミン、４,４'−ビス(カルバゾール−９−イル)ビフェニル（ＣＢＰ）、４,４'−ビス(カルバゾール−９−イル)−２,２'−ジメチルビフェニル、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−ジメチルフルオレン、２,２',７,７'−テトラキス(カルバゾール−９−イル)−９,９−スピロビフルオレン、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−ジ(ｐ−トリル)フルオレン、９,９−ビス[４−(カルバゾール−９−イル)−フェニル]フルオレン、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−スピロビフルオレン、１,４−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン、１,３−ビス(トリフェニルシリル)ベンゼン、ビス(４−Ｎ,Ｎ−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル)−４−メチルフェニルメタン、２,７−ビス(カルバゾール−９−イル)−９,９−ジオクチルフルオレン、４,４''−ジ(トリフェニルシリル)−ｐ−ターフェニル、４,４'−ジ(トリフェニルシリル)ビフェニル、９−(４−ｔ−ブチルフェニル)−３,６−ビス(トリフェニルシリル)−９Ｈ−カルバゾール、９−(４−ｔ−ブチルフェニル)−３,６−ジトリチル−９Ｈ−カルバゾール、９−(４−ｔ−ブチルフェニル)−３,６−ビス(９−(４−メトキシフェニル)−９Ｈ−フルオレン−９−イル)−９Ｈ−カルバゾール、２,６−ビス(３−(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)フェニル)ピリジン、トリフェニル(４−(９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル)フェニル)シラン、９,９−ジメチル−Ｎ,Ｎ−ジフェニル−７−(４−(１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ[ｄ]イミダゾール−２−イル)フェニル)−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、３,５−ビス(３−(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)フェニル)ピリジン、９,９−スピロビフルオレン−２−イル−ジフェニル−ホスフィンオキサイド、９,９'−(５−(トリフェニルシリル)−１,３−フェニレン)ビス(９Ｈ−カルバゾール)、３−(２,７−ビス(ジフェニルホスホリル)−９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル)−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール、４,４,８,８,１２,１２−ヘキサ(ｐ−トリル)−４Ｈ−８Ｈ−１２Ｈ−１２Ｃ−アザジベンゾ[ｃｄ,ｍｎ]ピレン、４,７−ジ(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)−１,１０−フェナントロリン、２,２'−ビス(４−(カルバゾール−９−イル)フェニル)ビフェニル、２,８−ビス(ジフェニルホスホリル)ジベンゾ[ｂ,ｄ]チオフェン、ビス(２−メチルフェニル)ジフェニルシラン、ビス[３,５−ジ(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)フェニル]ジフェニルシラン、３,６−ビス(カルバゾール−９−イル)−９−(２−エチル−ヘキシル)−９Ｈ−カルバゾール、３−(ジフェニルホスホリル)−９−(４−(ジフェニルホスホリル)フェニル)−９Ｈ−カルバゾール、３,６−ビス[(３,５−ジフェニル)フェニル]−９−フェニルカルバゾール等が挙げられ、発光性ドーパントと共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。

発光性ドーパントとしては、３−(２−ベンゾチアゾリル)−７−(ジエチルアミノ)クマリン、２,３,６,７−テトラヒドロ−１,１,７,７−テトラメチル−１Ｈ,５Ｈ,１１Ｈ−１０−(２−ベンゾチアゾリル)キノリジノ[９,９ａ,１ｇｈ]クマリン、キナクリドン、Ｎ,Ｎ'−ジメチル−キナクリドン、トリス(２−フェニルピリジン)イリジウム(III)（Ir(ppy)₃）、ビス(２−フェニルピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)（Ir(ppy)₂(acac)）、トリス[２−(ｐ−トリル)ピリジン]イリジウム(III)（Ir(mppy)₃）、９,１０−ビス[Ｎ,Ｎ−ジ(ｐ−トリル)アミノ]アントラセン、９,１０−ビス[フェニル(ｍ−トリル)アミノ]アントラセン、ビス[２−(２−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(II)、Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰−テトラ(ｐ−トリル)−９,９'−ビアントラセン−１０,１０'−ジアミン、Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰−テトラフェニル−９,９'−ビアントラセン−１０,１０'−ジアミン、Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰−ジフェニル−Ｎ¹⁰,Ｎ¹⁰−ジナフタレニル−９,９'−ビアントラセン−１０,１０'−ジアミン、４,４'−ビス(９−エチル−３−カルバゾビニレン)−１,１'−ビフェニル、ペリレン、２,５,８,１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン、１,４−ビス[２−(３−Ｎ−エチルカルバゾリル)ビニル]ベンゼン、４,４'−ビス[４−(ジ−ｐ−トリルアミノ)スチリル]ビフェニル、４−(ジ−ｐ−トリルアミノ)−４'−[(ジ−ｐ−トリルアミノ)スチリル]スチルベン、ビス[３,５−ジフルオロ−２−(２−ピリジル)フェニル−(２−カルボキシピリジル)]イリジウム(III)、４,４'−ビス[４−(ジフェニルアミノ)スチリル]ビフェニル、ビス(２,４−ジフルオロフェニルピリジナト)テトラキス(１−ピラゾリル)ボレートイリジウム(III)、Ｎ,Ｎ'−ビス(ナフタレン−２−イル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−トリス(９,９−ジメチルフルオレニレン)、２,７−ビス{２−[フェニル(ｍ−トリル)アミノ]−９,９−ジメチル−フルオレン−７−イル}−９,９−ジメチル−フルオレン、Ｎ−(４−((Ｅ)−２−(６((Ｅ)−４−(ジフェニルアミノ)スチリル)ナフタレン−２−イル)ビニル)フェニル)−Ｎ−フェニルベンゼンアミン、ｆａｃ−イリジウム(III)トリス(１−フェニル−３−メチルベンズイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ,Ｃ²)、ｍｅｒ−イリジウム(III)トリス(１−フェニル−３−メチルベンズイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ,Ｃ²)、２,７−ビス[４−(ジフェニルアミノ)スチリル]−９,９−スピロビフルオレン、６−メチル−２−(４−(９−(４−(６−メチルベンゾ[ｄ]チアゾール−２−イル)フェニル)アントラセン−１０−イル)フェニル)ベンゾ[ｄ]チアゾール、１,４−ジ[４−(Ｎ,Ｎ−ジフェニル)アミノ]スチリルベンゼン、１,４−ビス(４−(９Ｈ−カルバゾール−９−イル)スチリル)ベンゼン、(Ｅ)−６−(４−(ジフェニルアミノ)スチリル)−Ｎ,Ｎ−ジフェニルナフタレン−２−アミン、ビス(２,４−ジフルオロフェニルピリジナト)(５−(ピリジン−２−イル)−１Ｈ−テトラゾレート)イリジウム(III)、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジル)ピラゾール)((２,４−ジフルオロベンジル)ジフェニルホスフィネート)イリジウム(III)、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジル)ピラゾレート)(ベンジルジフェニルホスフィネート)イリジウム(III)、ビス(１−(２,４−ジフルオロベンジル)−３−メチルベンズイミダゾリウム)(３−(トリフルオロメチル)−５−(２−ピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)イリジウム(III)、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジル)ピラゾレート)(４',６'−ジフルオロフェニルピリジネート)イリジウム(III)、ビス(４',６'−ジフルオロフェニルピリジナト)(３,５−ビス(トリフルオロメチル)−２−(２'−ピリジル)ピロレート)イリジウム(III)、ビス(４',６'−ジフルオロフェニルピリジナト)(３−(トリフルオロメチル)−５−(２−ピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)イリジウム(III)、(Ｚ)−６−メシチル−Ｎ−(６−メシチルキノリン−２(１Ｈ)−イリデン)キノリン−２−アミン−ＢＦ₂、(Ｅ)−２−(２−(４−(ジメチルアミノ)スチリル)−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン)マロノニトリル、４−(ジシアノメチレン)−２−メチル−６−ジュロリジル−９−エニル−４Ｈ−ピラン、４−(ジシアノメチレン)−２−メチル−６−(１,１,７,７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル)−４Ｈ−ピラン、４−(ジシアノメチレン)−２−ｔ−ブチル−６−(１,１,７,７−テトラメチルジュロリジン−４−イル−ビニル)−４Ｈ−ピラン、トリス(ジベンゾイルメタン)フェナントロリンユーロピウム(III)、５,６,１１,１２−テトラフェニルナフタセン、ビス(２−ベンゾ[ｂ]チオフェン−２−イル−ピリジン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス(１−フェニルイソキノリン)イリジウム(III)、ビス(１−フェニルイソキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス[１−(９,９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)−イソキノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス[２−(９,９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル)キノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[４,４'−ジ−ｔ−ブチル−(２,２')−ビピリジン]ルテニウム(III)・ビス(ヘキサフルオロホスフェート)、トリス(２−フェニルキノリン)イリジウム(III)、ビス(２−フェニルキノリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、２,８−ジ−ｔ−ブチル−５,１１−ビス(４−ｔ−ブチルフェニル)−６,１２−ジフェニルテトラセン、ビス(２−フェニルベンゾチアゾラト)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、５,１０,１５,２０−テトラフェニルテトラベンゾポルフィリン白金、オスミウム(II)ビス(３−トリフルオロメチル−５−(２−ピリジン)−ピラゾレート)ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム(II)ビス(３−(トリフルオロメチル)−５−(４−ｔ−ブチルピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)ジフェニルメチルホスフィン、オスミウム(II)ビス(３−(トリフルオロメチル)−５−(２−ピリジル)−１,２,４−トリアゾール)ジメチルフェニルホスフィン、オスミウム(II)ビス(３−(トリフルオロメチル)−５−(４−ｔ−ブチルピリジル)−１,２,４−トリアゾレート)ジメチルフェニルホスフィン、ビス[２−(４−ｎ−ヘキシルフェニル)キノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[２−(４−ｎ−ヘキシルフェニル)キノリン]イリジウム(III)、トリス[２−フェニル−４−メチルキノリン]イリジウム(III)、ビス(２−フェニルキノリン)(２−(３−メチルフェニル)ピリジネート)イリジウム(III)、ビス(２−(９,９−ジエチル−フルオレン−２−イル)−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ[ｄ]イミダゾラト)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、ビス(２−フェニルピリジン)(３−(ピリジン−２−イル)−２Ｈ−クロメン−２−オネート)イリジウム(III)、ビス(２−フェニルキノリン)(２,２,６,６−テトラメチルヘプタン−３,５−ジオネート)イリジウム(III)、ビス(フェニルイソキノリン)(２,２,６,６−テトラメチルヘプタン−３,５−ジオネート)イリジウム(III)、イリジウム(III)ビス(４−フェニルチエノ[３,２−ｃ]ピリジナト−Ｎ,Ｃ²)アセチルアセトネート、(Ｅ)−２−(２−ｔ−ブチル−６−(２−(２,６,６−トリメチル−２,４,５,６−テトラヒドロ−１Ｈ−ピローロ[３,２,１−ｉｊ]キノリン−８−イル)ビニル)−４Ｈ−ピラン−４−イリデン)マロノニトリル、ビス(３−トリフルオロメチル−５−(１−イソキノリル)ピラゾレート)(メチルジフェニルホスフィン)ルテニウム、ビス[(４−ｎ−ヘキシルフェニル)イソキノリン](アセチルアセトネート)イリジウム(III)、白金(II)オクタエチルポルフィン、ビス(２−メチルジベンゾ[ｆ,ｈ]キノキサリン)(アセチルアセトネート)イリジウム(III)、トリス[(４−ｎ−ヘキシルフェニル)キソキノリン]イリジウム(III)等が挙げられる。

電子輸送層／ホールブロック層を形成する材料としては、８−ヒドロキシキノリノレート−リチウム、２,２',２''−(１,３,５−ベンジントリル)−トリス(１−フェニル−１−Ｈ−ベンズイミダゾール)、２−(４−ビフェニル)５−(４−ｔ−ブチルフェニル)−１,３,４−オキサジアゾール、２,９−ジメチル−４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、ビス(２−メチル−８−キノリノレート)−４−(フェニルフェノラト)アルミニウム、１,３−ビス[２−(２,２'−ビピリジン−６−イル)−１,３,４−オキサジアゾ−５−イル]ベンゼン、６,６'−ビス[５−(ビフェニル−４−イル)−１,３,４−オキサジアゾ−２−イル]−２,２'−ビピリジン、３−(４−ビフェニル)−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１,２,４−トリアゾール、４−(ナフタレン−１−イル)−３,５−ジフェニル−４Ｈ−１,２,４−トリアゾール、２,９−ビス(ナフタレン−２−イル)−４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、２,７−ビス[２−(２,２'−ビピリジン−６−イル)−１,３,４−オキサジアゾ−５−イル]−９,９−ジメチルフルオレン、１,３−ビス[２−(４−ｔ−ブチルフェニル)−１,３,４−オキサジアゾ−５−イル]ベンゼン、トリス(２,４,６−トリメチル−３−(ピリジン−３−イル)フェニル)ボラン、１−メチル−２−(４−(ナフタレン−２−イル)フェニル)−１Ｈ−イミダゾ[４,５ｆ][１,１０]フェナントロリン、２−(ナフタレン−２−イル)−４,７−ジフェニル−１,１０−フェナントロリン、フェニル−ジピレニルホスフィンオキサイド、３,３',５,５'−テトラ[(ｍ−ピリジル)−フェン−３−イル]ビフェニル、１,３,５−トリス[(３−ピリジル)−フェン−３−イル]ベンゼン、４,４'−ビス(４,６−ジフェニル−１,３,５−トリアジン−２−イル)ビフェニル、１,３−ビス[３,５−ジ(ピリジン−３−イル)フェニル]ベンゼン、ビス(１０−ヒドロキシベンゾ[ｈ]キノリナト)ベリリウム、ジフェニルビス(４−(ピリジン−３−イル)フェニル)シラン、３,５−ジ(ピレン−１−イル)ピリジン等が挙げられる。

電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Li₂O）、酸化マグネシウム（MgO）、アルミナ（Al₂O₃）、フッ化リチウム（LiF）、フッ化ナトリウム（NaF）、フッ化マグネシウム（MgF₂）、フッ化セシウム（CsF）、フッ化ストロンチウム（SrF₂）、三酸化モリブデン（MoO₃）、アルミニウム、Li(acac)、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。

陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。

電子ブロック層を形成する材料としては、トリス(フェニルピラゾール)イリジウム等が挙げられる。

本発明の電荷輸送性ワニスを用いたＰＬＥＤ素子の作製方法は、特に限定されないが、以下の方法が挙げられる。

上記ＯＬＥＤ素子作製において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行う代わりに、正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスによって形成される電荷輸送性薄膜を有するＰＬＥＤ素子を作製することができる。

具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して上記の方法により正孔注入層を作製し、その上に正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成し、更に陰極電極を蒸着してＰＬＥＤ素子とする。

使用する陰極及び陽極材料としては、上記ＯＬＥＤ素子作製時と同様のものが使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。

正孔輸送性高分子層及び発光性高分子層の形成法としては、正孔輸送性高分子材料若しくは発光性高分子材料、又はこれらにドーパントを加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層又は正孔輸送性高分子層の上に塗布した後、それぞれ焼成することで成膜する方法が挙げられる。

正孔輸送性高分子材料としては、ポリ[(９,９−ジヘキシルフルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(Ｎ,Ｎ'−ビス{ｐ−ブチルフェニル}−１,４−ジアミノフェニレン)]、ポリ[(９,９−ジオクチルフルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(Ｎ,Ｎ'−ビス{ｐ−ブチルフェニル}−１,１'−ビフェニレン−４,４−ジアミン)]、ポリ[(９,９−ビス{１'−ペンテン−５'−イル}フルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(Ｎ,Ｎ'−ビス{ｐ−ブチルフェニル}−１,４−ジアミノフェニレン)]、ポリ[Ｎ,Ｎ'−ビス(４−ブチルフェニル)−Ｎ,Ｎ'−ビス(フェニル)−ベンジジン]−エンドキャップド ウィズ ポリシルセスキオキサン、ポリ[(９,９−ジジオクチルフルオレニル−２,７−ジイル)−ｃｏ−(４,４'−(Ｎ−(ｐ−ブチルフェニル))ジフェニルアミン)]等が挙げられる。

発光性高分子材料としては、ポリ(９,９−ジアルキルフルオレン)（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ(２−メトキシ−５−(２'−エチルヘキソキシ)−１,４−フェニレンビニレン)（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ(３−アルキルチオフェン)（ＰＡＴ）等のポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。

溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等を挙げることができる。溶解又は均一分散法としては攪拌、加熱攪拌、超音波分散等の方法が挙げられる。
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
焼成方法としては、不活性ガス下又は真空中、オーブン又はホットプレートで加熱する方法が挙げられる。

以下、合成例、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、使用した装置は以下のとおりである。
（１）¹Ｈ−ＮＭＲ：日本電子（株）製 JNM-ECX300 FT NMR SYSTEM
（２）基板洗浄：長州産業（株）製 基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）
（３）ワニスの塗布：ミカサ（株）製 スピンコーターMS-A100
（４）膜厚測定：（株）小坂研究所製 微細形状測定機サーフコーダET-4000
（５）ＥＬ素子の作製：長州産業（株）製 多機能蒸着装置システムC-E2L1G1-N
（６）ＥＬ素子の輝度等の測定：（有）テック・ワールド製 I-V-L測定システム

［１］化合物の合成
［合成例１］
式（ａ−５８）で表されるオリゴチオフェン誘導体２（ＴＰ２）を以下の方法により合成した。

フラスコ内に、３,３'''−ジヘキシル−２,２'：５',２''：５'',２'''−クォーターチオフェン（Sigma-Aldrich Co. LLC.製、以下、ＴＰ１という。）０.５０ｇを入れて窒素置換した後、テトラヒドロフラン６.５ｍＬを入れて−７８℃に冷却した。そこへ、ｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液１.８５ｍＬ（濃度１.６４ｍｏｌ／Ｌ）を滴下した後３０分攪拌した。そして、更にそこへトリブチルクロロスタナン１.１ｍＬを滴下した後、室温まで昇温し３時間攪拌した。
攪拌後、イオン交換水及びｎ−ヘキサンを加え分液し、得られた有機層を更にイオン交換水で２回洗浄した後、硫酸ナトリウムを用いて乾燥した。
そして、溶媒を留去して(３,３'''−ジヘキシル−[２,２'：５',２''：５'',２'''−クォーターチオフェン]−５,５'''−ジイル)ビス(トリブチルスタナン)を含む混合物（１.７ｇ）を得た。
次に、別のフラスコ内に、得られた混合物１.４８ｇと２−ブロモ−３−ヘキシルチオフェン０.４６ｇを入れて窒素置換した後、トルエン１５ｍＬ、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム０.０５ｇを順次入れて、還流条件下で４時間攪拌した。
攪拌後、室温まで放冷し、そこへｎ−ヘキサン、トルエン及びイオン交換水を加えて分液し、得られた有機層を更にイオン交換水で洗浄し、硫酸ナトリウムを用いて乾燥した。
そして、溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、ＴＰ２を得た（収量：０.３８ｇ、収率：５３％、２段階通算収率）。¹Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 7.16-7.13(m, 4H), 7.04(d, J=3.9Hz, 2H), 6.94(s, 4H), 6.92(d, J=5.4Hz, 2H), 2.78(m, 8H), 1.74-1.58(m, 8H), 1.44-1.31(m, 24H), 0.95-0.87(m, 12H).

［合成例２］
式（ａ−１４４）で表されるオリゴチオフェン誘導体３（ＴＰ３）を以下の方法により合成した。

フラスコ内に、２,３−ジヒドロチエノ[３,４−ｂ][１,４]ジオキシン２.０ｇ及びテトラヒドロフラン１５０ｍＬを入れて窒素置換した後、−７８℃まで冷却した。そこへ、ｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液（濃度：１.６４ｍｏｌ／Ｌ）を１０ｍＬ滴下し、−７８℃のまま３０分間攪拌し、次いで、−４０℃まで昇温しトリブチルクロロスタナン５ｍＬを滴下してから室温まで昇温し、更に１６時間攪拌した。
攪拌終了後、反応混合物を濃縮し、その濃縮液とｎ−ヘキサンとを混合し、それをろ過した。そして、得られたろ液を濃縮することで、トリブチル(２,３−ジヒドロチエノ[３,４−ｂ][１,４]ジオキシン−５−イル)スタナンを含む混合物７.４ｇを得た。
次に、別のフラスコ内に、５,５'−ジブロモ−２,２'−ビチオフェン１.５ｇとテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム０.２７ｇを入れて窒素置換した。そこへ、上記トリブチル(２,３−ジヒドロチエノ[３,４−ｂ][１,４]ジオキシン−５−イル)スタナンを含む混合物６.２ｇとＮ,Ｎ−ジメチルホルムアミド２０ｍＬとを加え、１２５℃に昇温し２時間攪拌した。
攪拌終了後、室温まで放冷し、そこへｎ−ヘキサンを加え分液し、得られたＮ,Ｎ−ジメチルホルムアミド層をイオン交換水とメタノールの混合液中に滴下して再沈殿を行った。
そして、沈殿物をろ過によって回収して乾燥し、ＴＰ３を得た（収量：１.４ｇ、収率：６６％）。¹Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 7.11(d, J=4.2Hz, 2H), 7.07(d, J=4.2Hz, 2H), 6.23(s, 2H), 4.37-4.33(m, 4H), 4.28-4.24(m, 4H).

［合成例３］
式（ａ−３０６）で表されるオリゴチオフェン誘導体４（ＴＰ４）を以下の方法により合成した。

フラスコ内に、ＴＰ１ １.００ｇを入れて窒素置換をした後、テトラヒドロフラン１３ｍＬを加えて−７８℃に冷却した。そこへｎ−ブチルリチウムのｎ−ヘキサン溶液３.７ｍＬ（濃度１.６４ｍｏｌ／Ｌ）を滴下した後３０分攪拌した。そして、更にそこへトリブチルクロロスタナン２.２ｍＬを滴下した後、室温まで昇温し３時間攪拌した。
攪拌後、イオン交換水及びｎ−ヘキサンを加え分液し、得られた有機層を更にイオン交換水で２回洗浄した後、硫酸ナトリウムを用いて乾燥した。
そして、溶媒を留去して(３,３'''−ジヘキシル−[２,２'：５',２''：５'',２'''−クォーターチオフェン]−５,５'''−ジイル)ビス(トリブチルスタナン)を含む混合物（３.４５ｇ）を得た。
次に、別のフラスコ内に、この得られた混合物３.０ｇと４−ブロモ−Ｎ,Ｎ−ジフェニルアニリン１.２を入れて窒素置換した後、トルエン４５ｍＬ、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム０.１０ｇを順次加え、還流条件下で８時間攪拌した。
攪拌後、室温まで放冷し、そこへクロロホルム及びイオン交換水を加えて分液し、得られた有機層を更にイオン交換水で洗浄し、硫酸ナトリウムを用いて乾燥した。
そして、溶媒を留去し、カラムクロマトグラフィーにて精製し、ＴＰ４を得た（収量：０.７６ｇ、収率：４４％、２段階通算収率）。¹Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
¹H‐NMR(CDCl₃): δ 7.44(4H, d, J=8.9Hz), 7.28-7.23 (m,8H), 7.12-7.10(m, 10H), 7.06-7.00(m, 12H), 2.78(t, J＝7.4Hz, 4H), 1.69(quint, J＝7.4Hz, 4H), 1.44-1.30(m, 12H), 0.89(m, 6H).

［合成例４］
式（ｂ−８）で表されるアニリン誘導体１（ＡＮ１）を以下の方法により合成した。

４,４'−ジアミノジフェニルアミン１０.００ｇ（５０.１９ｍｍｏｌ）、４−ブロモトリフェニルアミン３４.１７ｇ（１０５.４０ｍｍｏｌ）、及びキシレン（１００ｇ）の混合懸濁液に、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム０.５７９９ｇ（０.５０１８ｍｍｏｌ）とｔ−ブトキシナトリウム１０.１３ｇ（１０５.４０ｍｍｏｌ）とを加え、窒素下１３０℃で１４時間攪拌した。
その後、反応混合液を濾過し、その濾液に飽和食塩水を加えて分液処理をした後、有機層から溶媒を留去して得られた固体を１,４−ジオキサンを用いて再結晶し、ＡＮ１を得た（収量：２２ｇ、収率：６５％）。¹Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
¹H-NMR (CDCl₃): δ 7.83(S, 2H), 7.68(S, 1H), 7.26-7.20(m, 8H), 7.01-6.89(m, 28H).

［合成例５］
式（ｃ−１）で表されるアリールスルホン酸化合物１（ＳＡ１）を以下の方法により合成した。

よく乾燥させた１−ナフトール−３,６−ジスルホン酸ナトリウム１１ｇ（３１.５９ｍｍｏｌ）に、窒素雰囲気下で、パーフルオロビフェニル４.７９７ｇ（１４.３６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム４.１６７ｇ（３０.１５ｍｍｏｌ）、及びＮ,Ｎ−ジメチルホルムアミド１００ｍＬを順次加え、反応系を窒素置換した後、内温１００℃で６時間攪拌した。
室温まで放冷後、反応後に析出しているＳＡ１を再溶解させるために、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミドを更に５００ｍＬ加え、室温で９０分攪拌した。室温攪拌後、この溶液を濾過して炭酸カリウム残渣を除去し、減圧濃縮した。更に、残存している不純物を除去するために、残渣にメタノール１００ｍＬを加え、室温攪拌を行った。室温で３０分間攪拌後、懸濁溶液を濾過し、濾物を濾取した。濾物に超純水３００ｍＬを加えて溶解し、陽イオン交換樹脂ダウエックス６５０Ｃ（ダウ・ケミカル社製、Ｈタイプ約２００ｍＬ、留出溶媒：超純水）を用いたカラムクロマトグラフィーによりイオン交換した。
ｐＨ１以下の分画を減圧下で濃縮乾固し、残渣を減圧下で乾固してＳＡ１を得た（１１ｇ、収率８５％）。¹Ｈ−ＮＭＲの測定結果を以下に示す。
¹H-NMR (DMSO-d6): δ 7.18(1H, s, Ar-H), 7.89(1H, d, Ar-H), 8.01(1H, s, Ar-H), 8.23(1H, s, Ar-H), 8.28(1H, d, Ar-H).

［合成例６］
式（ａ−３４）で表されるオリゴチオフェン誘導体５（ＴＰ５）を以下の方法により合成した。

窒素雰囲気下、フラスコ内に、ターチオフェン２.０１ｇ及びテトラヒドロフラン５０ｍＬを入れて−７８℃に冷却した。そこへｎ−ブチルリチウムのノルマルへキサン溶液（１.６４ｍｏｌ／Ｌ）１９.６ｍＬを滴下し、−７８℃のまま３０分間攪拌し、次いで０℃まで昇温して更に１時間攪拌した。
その後、再び−７８℃に冷却して３０分間攪拌した後、トリブチルクロロスタナン８.８ｍＬを滴下して１０分攪拌し、次いで０℃に昇温して更に３０分間攪拌した。
攪拌後、反応混合物から減圧下で溶媒を留去し、得られた残渣をトルエンに加え、ろ過によって不溶物を除去し、得られたろ液から減圧下で溶媒を留去し、ターチオフェンのビススタニル体を含むオイル状物１２.８８ｇ（当該ビススタニル体の純度５１.９１％）得た。
次いで、窒素雰囲気下で、別のフラスコ内に、このターチオフェンビススタニル体を含むオイル状物６.４４ｇ、２−ブロモ−３−ノルマルヘキシルチオフェン２.４１ｇ、トルエン２４ｍＬ及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム０.２３ｇを順次入れて、還流条件下４.５時間攪拌した。
室温まで放冷し、溶媒を減圧留去した後、ろ過によって不溶物を除去した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、ＴＰ５を得た（収量：１.２９ｇ、収率：５５％、２段階通算収率）。
¹H-NMR(CDCl₃): δ 7.17(d, J=5.1Hz, 2H), 7.12(d, J=3.9Hz, 2H), 7.09(s, 2H), 7.01(d, J=3.9Hz, 2H), 6.93(d, J=5.1Hz, 2H), 2.78(t, J=7.7Hz, 4H), 1.54-1.70(m, 4H), 1.28-1.41(m, 12H), 0.89(t, J=7.0Hz, 6H).

［２］電荷輸送性ワニスの調製
［実施例１−１］
ＴＰ１ ０.０３５ｇと、リンタングステン酸（ＰＴＡ、関東化学（株）製）０.２１０ｇとを、窒素雰囲気下で１,３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）４.０ｇに溶解させた。得られた溶液に、シクロヘキサノール（ＣＨＡ）６.０ｇ及びプロピレングリコール（ＰＧ）２.０ｇを加えて攪拌し、そこへペンタフルオロフェニルトリエトキシシラン（以下、シランＡという。）０.０２４ｇを加えて更に攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。

［実施例１−２〜１−２６、１−３５〜１−３７］
表１に従い、電荷輸送性物質、ドーパント、有機シラン化合物、有機溶媒、これらの使用量を変更した以外は、実施例１−１と同様の方法でワニスを調製した。

［比較例１−１］
ＴＰ１ ０.０５３ｇと、ＰＴＡ０.３１８ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ４.０ｇに溶解させた。得られた溶液に、ＣＨＡ６.０ｇ及びＰＧ２.０ｇを加えて攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。

［実施例１−２７］
ＴＰ１ ０.０５２ｇと、ＰＴＡ０.２５８ｇとを、窒素雰囲気下でＤＭＩ２.０ｇに溶解させた。得られた溶液に、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）８.０ｇを加えて攪拌し、そこへシランＡ０.０３１ｇ及びＦ４ＴＣＮＱ（東京化成工業（株）製）０.０３１ｇを加えて更に攪拌し、電荷輸送性ワニスを調製した。

［実施例１−２８〜１−３４、１−３８］
表２に従い、電荷輸送性物質、ドーパント、有機シラン化合物、有機溶媒、これらの使用量を変更した以外は、実施例１−２７と同様の方法でワニスを調製した。
なお、表１及び２中、「シランＢ」は、３,３,３−トリフルオロプロピルトリメトキシシランを、「シランＣ」は、フェニルトリメトキシシランを、「ＤＥＧＭＥ」はジエチレングリコールモノメチルエーテルを、「２,３−ＢＤ」は、２,３−ブタンジオールを、括弧内の各数字は、使用量（単位：ｇ）を意味する。

［３］有機ＥＬ素子の製造及び特性評価
［実施例２−１］
実施例１−１で得られたワニスを、スピンコーターを用いてＩＴＯ基板に塗布した後、５０℃で５分間乾燥し、更に、大気雰囲気下、１５０℃で１０分間焼成し、ＩＴＯ基板上に３０ｎｍの均一な薄膜を形成した。ＩＴＯ基板としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）が表面上に膜厚１５０ｎｍでパターニングされた２５ｍｍ×２５ｍｍ×０.７ｔのガラス基板を用い、使用前にＯ₂プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）によって表面上の不純物を除却した。
次いで、薄膜を形成したＩＴＯ基板に対し、蒸着装置（真空度１.０×１０^-5Ｐａ）を用いてα−ＮＰＤ、Ａｌｑ₃、フッ化リチウム、及びアルミニウムの薄膜を順次積層し、有機ＥＬ素子を得た。この際、蒸着レートは、α−ＮＰＤ、Ａｌｑ₃及びアルミニウムについては０.２ｎｍ／秒、フッ化リチウムについては０.０２ｎｍ／秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ３０ｎｍ、４０ｎｍ、０.５ｎｍ及び１２０ｎｍとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、有機ＥＬ素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。酸素濃度２ｐｐｍ以下、露点−８５℃以下の窒素雰囲気中で、有機ＥＬ素子を封止基板の間に収め、封止基板を接着材（ナガセケムテックス（株）製、XNR5516Z-B1）により貼り合わせた。この際、捕水剤（ダイニック（株）製、HD-071010W-40）を有機ＥＬ素子と共に封止基板内に収めた。貼り合わせた封止基板に対し、ＵＶ光を照射（波長：３６５ｎｍ、照射量：６,０００ｍＪ／ｃｍ²）した後、８０℃で１時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。

［実施例２−２〜２−２６］
実施例１−１で得られたワニスの代わりに、それぞれ、実施例１−２〜１−２６で得られたワニスを用いた以外は、実施例２−１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。

［実施例２−２７〜２−２９］
焼成温度を、それぞれ１７０℃、１９０℃、２１０℃とした以外は実施例２−１０と同様の方法で素子を作製した。

［実施例２−３０〜２−３３］
焼成温度を２３０℃とした以外は、それぞれ実施例２−１４〜２−１６、２−２０と同様の方法で素子を作製した。

［比較例２−１］
実施例１−１で得られたワニスの代わりに、比較例１−１で得られたワニスを用いた以外は、実施例２−１と同様の方法で素子を作製した。

［実施例２−３４〜２−３６］
実施例１−１で得られたワニスの代わりに、それぞれ、実施例１−２７〜１−２９で得られたワニスを用いた以外は、実施例２−１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。

［実施例２−３７〜２−３９］
焼成温度を２３０℃とした以外は、それぞれ、実施例２−３４〜２−３６と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。

［実施例２−４０〜２−４４］
実施例１−１で得られたワニスの代わりに、それぞれ、実施例１−３０〜１−３４で得られたワニスを用いた以外は、実施例２−１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。

［実施例２−４５〜２−４７］
実施例１−１で得られたワニスの代わりに、それぞれ、実施例１−３５〜１−３７で得られたワニスを用いた以外は、実施例２−１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。

［実施例２−４８〜２−５１］
実施例１−１で得られたワニスの代わりに、実施例１−３８で得られたワニスを用い、焼成温度をそれぞれ１５０℃、１６０℃、１７０℃、１８０℃とした以外は、実施例２−１と同様の方法で有機ＥＬ素子を作製した。

各素子の駆動電圧５Ｖにおける電流密度及び輝度を測定した。結果を表３、４に示す。また、実施例２−３４、２−３５及び２−４０〜２−４８の素子の輝度の半減期（初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²）を測定した。結果を表５に示す。

表３、４に示されるように、本発明の電荷輸送性ワニスを用いた場合、２３０℃で焼成した薄膜を用いたときだけでなく、１５０℃という低温で焼成した薄膜を用いたときであっても、優れた輝度特性を有する有機ＥＬ素子が得られた。また、表５に示されるように、Ｆ４ＴＣＮＱを含むワニスを用いた場合、高寿命の素子が得られた。

Claims (13)

1. 式（１）で表されるオリゴチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質と、ドーパントと、有機シラン化合物と、有機溶媒とを含むことを特徴とする電荷輸送性ワニス。
   

   

   （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＯＹ¹基、−ＳＹ²基、−ＮＨＹ³基、−ＮＹ⁴Ｙ⁵基又は−ＮＨＣ(Ｏ)Ｙ⁶基を表し、また、Ｒ¹〜Ｒ⁶が水素原子でない場合は、Ｒ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴及び／又はＲ⁵とＲ⁶は互いに結合して２価の基を形成してもよく、
   Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＯＹ¹基、−ＳＹ²基、−ＮＨＹ³基、−ＮＹ⁴Ｙ⁵基又は−ＮＨＣ(Ｏ)Ｙ⁶基を表し、
   Ｙ¹〜Ｙ⁶は、それぞれ独立に、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ²で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
   Ｚ¹は、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
   Ｚ²は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基又は炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、
   Ｚ³は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、各々のアルキル基が炭素数１〜２０のアルキル基であるジアルキルアミノ基、又は各々のアリール基が炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基を表し、
   ｎ¹〜ｎ³は、それぞれ独立に自然数を表し、かつ４≦ｎ¹＋ｎ²＋ｎ³≦２０を満たす。）
2. 上記ドーパントが、ヘテロポリ酸を含む請求項１記載の電荷輸送性ワニス。
3. 上記ヘテロポリ酸が、リンタングステン酸を含む請求項２記載の電荷輸送性ワニス。
4. 上記オリゴチオフェン誘導体が、式（２）で表される請求項１〜３のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。
   

   

   （式中、Ｒ³〜Ｒ⁸及びｎ¹〜ｎ³は、上記と同じ。）
5. 上記有機シラン化合物が、ジアルコキシシラン化合物、トリアルコキシシラン化合物及びテトラアルコキシシラン化合物から選ばれる少なくとも１種を含む請求項１〜４のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。
6. 更に、式（１２）で表されるテトラシアノキノジメタン化合物を含む請求項１〜５のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。
   

   

   （式中、Ｒ¹⁰¹〜Ｒ¹⁰⁴は、それぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子を表すが、少なくとも１つはハロゲン原子である。）
7. 更に、アリールスルホン酸化合物からなるドーパントを含む請求項１〜６のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニス。
8. 請求項１〜７のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜。
9. 請求項８記載の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
10. 上記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層又は正孔輸送層である請求項９記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 請求項１〜７のいずれか１項記載の電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して焼成することを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法。
12. 請求項８記載の電荷輸送性薄膜を用いることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
13. 式（１）で表されるオリゴチオフェン誘導体からなる電荷輸送性物質と、ドーパントとを含むことを特徴とする電荷輸送性材料。
    

    

    （式中、Ｒ¹〜Ｒ⁶は、それぞれ独立に、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＯＹ¹基、−ＳＹ²基、−ＮＨＹ³基、−ＮＹ⁴Ｙ⁵基又は−ＮＨＣ(Ｏ)Ｙ⁶基を表し、また、Ｒ¹〜Ｒ⁶が水素原子でない場合は、Ｒ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴及び／又はＲ⁵とＲ⁶は互いに結合して２価の基を形成してもよく、
    Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ独立に、水素原子、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基、Ｚ³で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基、−ＯＹ¹基、−ＳＹ²基、−ＮＨＹ³基、−ＮＹ⁴Ｙ⁵基又は−ＮＨＣ(Ｏ)Ｙ⁶基を表し、
    Ｙ¹〜Ｙ⁶は、それぞれ独立に、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、Ｚ¹で置換されていてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ²で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基又はＺ²で置換されていてもよい炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
    Ｚ¹は、炭素数６〜２０のアリール基又は炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表し、
    Ｚ²は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基又は炭素数２〜２０のアルキニル基を表し、
    Ｚ³は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数２〜２０のアルキニル基、各々のアルキル基が炭素数１〜２０のアルキル基であるジアルキルアミノ基、又は各々のアリール基が炭素数６〜２０のアリール基であるジアリールアミノ基を表し、
    ｎ¹〜ｎ³は、それぞれ独立に自然数を表し、かつ４≦ｎ¹＋ｎ²＋ｎ³≦２０を満たす。）