JPWO2018135582A1 - インク組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、ポリチオフェン化合物、ドーパント及び金属酸化物ナノ粒子を含む、インク組成物に関する。また、本開示は、有機電子デバイスにおける、このようなインク組成物の使用に関する。
該非水系インク組成物中のアミン化合物の存在は、良好な貯蔵寿命と安定性を有するインク組成物を提供するだけでなく、該非水系インク組成物から形成される薄膜は、優れた均質性を示し、そして該非水系インク組成物から形成されるHILを含むOLEDデバイスは、良好な性能を示す。
しかし、OLEDデバイスの性能において、更なる高い透明度又は可視スペクトルでの低い吸光度を保持することが望まれている。
また、本発明の目的は、本明細書に記載の組成物を含むデバイスにおけるHILの電気的特性、熱安定性及び寿命を延ばせなくしていた(to unable increased lifetime)動作安定性を提供することである。
(a)ポリチオフェン化合物
(b)1種以上の金属酸化物ナノ粒子;
(c)1種以上のドーパント;及び
(d)1種以上の有機溶媒を含む液体担体
を含む組成物。
[式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、H、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、アリールオキシ、−SO3M、又は−O−[Z−O]p−Reであるか、あるいは、R1及びR2は、一緒になって−O−Z−O−を形成する
(式中、Mは、H、アルカリ金属、アンモニウム、モノアルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、又はトリアルキルアンモニウムであり、Zは、場合によりハロゲン又はYで置換されているヒドロカルビレン基(ここで、Yは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐鎖のアルキル基又はアルコキシアルキル基であり、該アルキル基又はアルコキシアルキル基は、任意の位置がスルホン酸基で置換されていてもよい)であり、pは、1以上の整数であり、そして、Reは、H、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである)]
〔式中、Xは、O、SまたはNHを表し、Aは、Xおよびn個の(SO3H)基以外の置換基を有していてもよいナフタレン環またはアントラセン環を表し、Bは、非置換もしくは置換の炭化水素基、1,3,5−トリアジン基、または非置換もしくは置換の下記式(3)もしくは(4):
で示される基(式中、W1は、単結合、O、S、S(O)基、S(O2)基、または非置換もしくは置換基が結合したN、Si、P、P(O)基を示し、W2は、O、S、S(O)基、S(O2)基、または非置換もしくは置換基が結合したN、Si、P、P(O)基を示し、R46〜R59はそれぞれ独立して水素原子またはハロゲン原子を表す)を表し、nは、Aに結合するスルホン酸基数を表し、1≦n≦4を満たす整数であり、qは、BとXとの結合数を示し、1≦qを満たす整数である。〕
(式中、Xは、O、SまたはNHを表し、Ar5は、アリール基を表し、nは、スルホン基数を表し、1〜4を満たす整数である。)
で示される基、及びこれらの組合せからなる群より選択される繰り返し単位を含む、前項2〜12のいずれか一項記載のインク組成物。
0.05≦wtB/(wtA+wtB)≦0.50 (1−1)
(a)ポリチオフェンであって、式(I):
[式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、H、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、アリールオキシ、−SO3M、又は−O−[Z−O]p−Reであるか、あるいは、R1及びR2は、一緒になって−O−Z−O−を形成する
(式中、Mは、H、アルカリ金属、アンモニウム、モノアルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、又はトリアルキルアンモニウムであり、Zは、場合によりハロゲン又はYで置換されているヒドロカルビレン基(ここで、Yは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐鎖のアルキル基又はアルコキシアルキル基であり、該アルキル基又はアルコキシアルキル基は、任意の位置がスルホン酸基で置換されていてもよい)であり、pは、1以上の整数であり、そして、Reは、H、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである)]で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン;
(b)1種以上の金属酸化物ナノ粒子;
(c)1種以上のドーパント
(d)1種以上の有機溶媒を含む液体担体;及び
(e)1種以上のアミン化合物
を含む組成物。
(a)式(I):
[式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、H、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、又は−O−[Z−O]p−Re(式中、
Zは、場合によりハロゲン化されているヒドロカルビレン基であり、
pは、1以上であり、そして
Reは、H、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである)である]
に従う繰り返し単位を含むポリチオフェン;
(b)1種以上の金属酸化物ナノ粒子;
(c)1種以上のドーパント;及び
(d)1種以上の有機溶媒を含む液体担体
を含む組成物。
〔式中、Xは、O、SまたはNHを表し、Aは、Xおよびn個の(SO3H)基以外の置換基を有していてもよいナフタレン環またはアントラセン環を表し、Bは、非置換もしくは置換の炭化水素基、1,3,5−トリアジン基、または非置換もしくは置換の下記式(3)もしくは(4):
で示される基(式中、W1は、単結合、O、S、S(O)基、S(O2)基、または非置換もしくは置換基が結合したN、Si、P、P(O)基を示し、W2は、O、S、S(O)基、S(O2)基、または非置換もしくは置換基が結合したN、Si、P、P(O)基を示し、R46〜R59はそれぞれ独立して水素原子またはハロゲン原子を表す)を表し、nは、Aに結合するスルホン酸基数を表し、1≦n≦4を満たす整数であり、qは、BとXとの結合数を示し、1≦qを満たす整数である。〕
(式中、Xは、O、SまたはNHを表し、Ar5は、アリール基を表し、nは、スルホン基数を表し、1〜4を満たす整数である。)
で示される基、及びこれらの組合せからなる群より選択される繰り返し単位を含む、前項101〜111のいずれか一項記載の非水系インク組成物。
0.05≦wtB/(wtA+wtB)≦0.50 (1−1)
(a)ポリチオフェンであって、式(I):
[式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、H、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、又は−O−[Z−O]p−Re(式中、
Zは、場合によりハロゲン化されているヒドロカルビレン基であり、
pは、1以上であり、そして
Reは、H、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである)である]
に従う繰り返し単位を含むポリチオフェン;
(b)1種以上の金属酸化物ナノ粒子;
(c)1種以上のドーパント
(d)1種以上の有機溶媒を含む液体担体;及び
(e)1種以上のアミン化合物
を含む組成物。
また、本明細書に記載の組成物を含むデバイスにおけるHILの電気的特性、熱安定性及び寿命を延ばせなくしていた(to unable increased lifetime)動作安定性を提供できる。
[式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、H、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、アリールオキシ、−SO3M、又は−O−[Z−O]p−Reであるか、あるいは、R1及びR2は、一緒になって−O−Z−O−を形成し、ここで、Mは、H、アルカリ金属、アンモニウム、モノアルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、又はトリアルキルアンモニウムであり、Zは、場合によりハロゲン又はYで置換されているヒドロカルビレン基(ここで、Yは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐鎖のアルキル基又はアルコキシアルキル基であり、該アルキル基又はアルコキシアルキル基は、任意の位置がスルホン酸基で置換されていてもよい)であり、pは、1以上の整数であり、そしてReは、H、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである]
Zは、場合によりハロゲン化されているヒドロカルビレン基であり、
pは、1以上であり、そして
Reは、H、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである)である。
で示される基(式中、Mは、H、アルカリ金属、アンモニウム、モノアルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、又はトリアルキルアンモニウムである)、及びこれらの組合せからなる群より選択される繰り返し単位を含む。
で示される繰り返し単位は、下記式:
3−(2−(2−メトキシエトキシ)エトキシ)チオフェン[本明細書では3−MEETと呼ばれる]
で示される構造により表されるモノマーから誘導され;下記式:
で示される繰り返し単位は、下記式:
(式中、Mは、H、アルカリ金属、アンモニウム、モノアルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、又はトリアルキルアンモニウムである)
スルホン化3−(2−(2−メトキシエトキシ)エトキシ)チオフェン[本明細書ではスルホン化3−MEETと呼ばれる]
で示される構造により表されるモノマーから誘導され;下記式:
で示される繰り返し単位は、下記式:
3,4−ビス(2−(2−ブトキシエトキシ)エトキシ)チオフェン[本明細書では3,4−ジBEETと呼ばれる]
で示される構造により表されるモノマーから誘導され;下記式:
で示される繰り返し単位は、下記式:
3,4−ビス((1−プロポキシプロパン−2−イル)オキシ)チオフェン[本明細書では3,4−ジPPTと呼ばれる]
で示される構造により表されるモノマーから誘導され、下記式:
で示される繰り返し単位は、下記式:
3,4−エチレンジオキシチオフェン
で示される構造により表されるモノマーから誘導され、そして下記式:
で示される繰り返し単位は、下記式:
で示される構造により表されるモノマーから誘導される。
典型的には、−SO3H基の硫黄原子は、ポリチオフェンポリマーの基本骨格に直接結合しており、側基には結合していない。本開示の目的には、側基は、理論的に又は実際にポリマーから脱離されても、ポリマー鎖の長さを縮めない一価基である。スルホン化ポリチオフェンポリマー及び/又はコポリマーは、当業者には公知の任意の方法を用いて製造することができる。例えば、ポリチオフェンは、ポリチオフェンを、例えば、発煙硫酸、硫酸アセチル、ピリジンSO3などのような、スルホン化試薬と反応させることによりスルホン化することができる。別の例では、モノマーをスルホン化試薬を用いてスルホン化し、次に既知の方法及び/又は本明細書に記載の方法により重合することができる。当業者には明らかであろうが、スルホン酸基は、塩基性化合物、例えば、アルカリ金属水酸化物、アンモニア及びアルキルアミン(例えば、モノ−、ジ−及びトリアルキルアミン、例えば、トリエチルアミンなど)の存在下で、対応する塩又は付加体の形成をもたらし得る。よって、ポリチオフェンポリマーに関連する「スルホン化」という用語は、このポリチオフェンが、1個以上の−SO3M基(ここで、Mは、アルカリ金属イオン(例えば、Na+、Li+、K+、Rb+、Cs+など)、アンモニウム(NH4 +)、モノ−、ジ−、及びトリアルキルアンモニウム(トリエチルアンモニウムなど)であってよい)を含んでもよいという意味を含む。
また、スルホン化ポリチオフェンについては、国際公開第2008/073149号および国際公開第2016/171935号に記載されており、これは、その全体が参照により本明細書に取り込まれる。
ある実施態様において、スルホン化ポリチオフェンが、式(I):
[式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、H、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、又は−O−[Z−O]p−Re(式中、
Zは、場合によりハロゲン化されているヒドロカルビレン基であり、
pは、1以上であり、そして
Reは、H、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである)である。
但し、R1及びR2のいずれかは、−SO3M(Mは、H、アルカリ金属イオン、アンモニウム、モノアルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、又はトリアルキルアンモニウムである。)である。]
に従う繰り返し単位を含むbポリチオフェンである。
ある実施態様において、各々のR1及びR2が、それぞれ独立に、H、フルオロアルキル、−O[C(RaRb)−C(RcRd)−O]p−Re、−ORfであり;ここで、各々のRa、Rb、Rc、及びRdは、それぞれ独立に、H、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールであり;Reは、H、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールであり;pは、1、2、又は3であり;そしてRfは、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである。
ある実施態様において、R1が、−SO3Mであり、そしてR2が、−SO3M以外である。
ある実施態様において、R1が、−SO3Mであり、そしてR2が、−O[C(RaRb)−C(RcRd)−O]p−Re、又は−ORfである。
ある実施態様において、R1が、−SO3Mであり、そしてR2が、−O[C(RaRb)−C(RcRd)−O]p−Reである。
ある実施態様において、R1が、−SO3Mであり、そしてR2が、−O−CH2CH2−O−CH2CH2−O−CH3である。
[式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、H、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、アリールオキシ、又は−O−[Z−O]p−Re(式中、
Zは、場合によりハロゲン化されているヒドロカルビレン基であり、
pは、1以上であり、そして
Reは、H、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである)である]
に従う繰り返し単位を含むポリチオフェンのスルホン化により得られる。
で示される繰り返し単位を含むポリチオフェンから得られる。
で示される繰り返し単位は、下記式:
3−(2−(2−メトキシエトキシ)エトキシ)チオフェン[本明細書では3−MEETと呼ばれる]
で示される構造により表されるモノマーから誘導される。
で示される繰り返し単位を含むポリチオフェンのスルホン化により、スルホン化ポリ(3−MEET)が生じる。
ポリチオフェンでは、それらを構成する繰り返し単位の一部において、その化学構造が「キノイド構造」と呼ばれる酸化型の構造となっている場合がある。用語「キノイド構造」は、用語「ベンゼノイド構造」に対して用いられるもので、芳香環を含む構造である後者に対し、前者は、その芳香環内の二重結合が環外に移動し(その結果、芳香環は消失する)、環内に残る他の二重結合と共役する2つの環外二重結合が形成された構造を意味する。当業者にとって、これらの両構造の関係は、ベンゾキノンとヒドロキノンの構造の関係から容易に理解できるものである。種々の共役ポリマーの繰り返し単位についてのキノイド構造は、当業者にとって周知である。一例として、前記式(I)で表されるポリチオフェンの繰り返し単位に対応するキノイド構造を、下記式(I’)に示す。
[式中、R1及びR2は、式(I)において定義された通りである。]
そこで、ポリチオフェンを、還元剤を用いる還元処理に付すと、ポリチオフェンにキノイド構造が過剰に導入されていても、還元によりキノイド構造が減少し、ポリチオフェンの有機溶媒に対する分散性が向上するため、均質性に優れた電荷輸送性薄膜を与える良好なインク組成物を、安定的に製造することが可能になる。
スルホン化ポリチオフェンの場合、必要であれば、スルホン化ポリチオフェンを対応するアンモニウム塩、例えばトリアルキルアンモニウム塩(スルホン化ポリチオフェンアミン付加体)に変換した後に、還元処理に付してもよい。
ドーパントとしては、無機酸、有機酸、有機または無機酸化剤等が用いられる。
有機酸としては、ポリマー有機酸及び/又は低分子有機酸(非ポリマー有機酸)が用いられる。
一実施形態では、有機酸はスルホン酸であり、その塩(−SO3M(ここで、Mは、アルカリ金属イオン(例えば、Na+、Li+、K+、Rb+、Cs+など)、アンモニウム(NH4 +)、モノ−、ジ−、及びトリアルキルアンモニウム(トリエチルアンモニウムなど))でもよい。該スルホン酸のなかでも、アリールスルホン酸が好ましい。
特に好ましいドーパントとしては、ポリスチレンスルホン酸等のポリマー有機酸、5−スルホサリチル酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、国際公開第2005/000832号に記載されている1,4−ベンゾジオキサンジスルホン酸誘導体、特開2005−108828号公報に記載されているジノニルナフタレンスルホン酸誘導体等の低分子有機酸(非ポリマー有機酸)を挙げることができる。また、下記式(2)で示されるスルホン酸誘導体も、好適に用いることができる。
〔式中、Xは、O、SまたはNHを表し、Aは、Xおよびn個の(SO3H)基以外の置換基を有していてもよいナフタレン環またはアントラセン環を表し、Bは、非置換もしくは置換の炭化水素基、1,3,5−トリアジン基、または非置換もしくは置換の下記式(3)もしくは(4):
で示される基(式中、W1およびW2は、それぞれ独立して、O、S、S(O)基、S(O2)基、または非置換もしくは置換基が結合したN、Si、P、P(O)基を示す。W1は単結合でもよい。R46〜R59はそれぞれ独立して水素原子またはハロゲン原子を表す。)を表し、nは、Aに結合するスルホン酸基数を表し、1≦n≦4を満たす整数であり、qは、BとXとの結合数を示し、1≦qを満たす整数である。〕
(式中、Xは、O、SまたはNHを表し、Ar5は、アリール基を表し、nは、スルホン基数を表し、1〜4を満たす整数である。)
nは、ナフタレン環に結合するスルホン基数を表し、1〜4を満たす整数であるが、当該化合物に高電子受容性および高溶解性を付与することを考慮すると、n=1または2が好ましい。中でも、下記式(7)で示される化合物が、好適である。
(式中、Ar5は、アリール基を表す。)
この置換基としては、水酸基、アミノ基、シラノール基、チオール基、カルボキシル基、リン酸基、リン酸エステル基、エステル基、チオエステル基、アミド基、ニトロ基、シアノ基、一価炭化水素基、オルガノオキシ基、オルガノアミノ基、オルガノシリル基、オルガノチオ基、アシル基、スルホン基、ハロゲン原子等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
これらのアリール基の中でも特に下記式(8)で示されるアリール基が好適に用いられる。
(式中、R60〜R64は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のハロゲン化アルキル基、炭素数2〜10のハロゲン化アルケニル基を示す。)
炭素数1〜10のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、2−エチルヘキシル基、n−デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
炭素数1〜10のハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、2,2,2−トリフルオロエチル基、1,1,2,2,2−ペンタフルオロエチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル基、1,1,2,2,3,3,3−ヘプタフルオロプロピル基、4,4,4−トリフルオロブチル基、3,3,4,4,4−ペンタフルオロブチル基、2,2,3,3,4,4,4−ヘプタフルオロブチル基、1,1,2,2,3,3,4,4,4−ノナフルオロブチル基等が挙げられる。
炭素数2〜10のハロゲン化アルケニル基としては、パーフルオロビニル基、パーフルオロプロペニル基(アリル基)、パーフルオロブテニル基等が挙げられる。
これらの中でも、有機溶剤に対する溶解性をより高めることを考慮すると、特に、下記式(9)で示されるアリール基を用いることが好ましい。
(式中、R62は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のハロゲン化アルキル基、炭素数2〜10のハロゲン化アルケニル基を示す。)
(式中、Eは長周期型周期表の第13族または15族に属する元素を表し、Ar1〜Ar4は、各々独立に、置換基を有しても良い芳香族炭化水素基又は置換基を有しても良い芳香族複素環基を表わす。)
更に、Ar1〜Ar4のうち少なくとも1つの基が、フッ素原子又は塩素原子を置換基として1つ又は2つ以上有することがより好ましい。特に、Ar1〜Ar4の水素原子がすべてフッ素原子で置換されたパーフルオロアリール基であることが最も好ましい。パーフルオロアリール基の具体例としては、ペンタフルオロフェニル基、ヘプタフルオロ−2−ナフチル基、テトラフルオロ−4−ピリジル基等が挙げられる。
(式中、E2は、長周期型周期表の第15族に属する元素を表わし、Xは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子を表す。)
Xは化合物の安定性、合成及び精製のし易さの点からフッ素原子、塩素原子であることが好ましく、フッ素原子であることが最も好ましい。
で示されるアニオンとカチオンの組合せであるイオン化合物(特許第5381931号(特許文献5)参照)を好適に用いることができる。
なお、これらのヘテロポリ酸化合物は、公知の合成法によって合成して用いてもよいが、市販品としても入手可能である。例えば、リンタングステン酸(Phosphotungstic acid hydrate、または12-Tungstophosphoric acid n-hydrate,化学式:H3(PW12O40)・nH2O)や、リンモリブデン酸(Phosphomolybdic acid hydrate、または12-Molybdo(VI)phosphoric acid n-hydrate,化学式:H3(PMo12O40)・nH2O(n≒30))は、関東化学(株)、和光純薬(株)、シグマアルドリッチジャパン(株)、日本無機化学工業(株)、日本新金属(株)等のメーカーから入手可能である。
本明細書において、「金属酸化物」とは、スズ(Sn)、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、亜鉛(Zn)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)及びW(タングステン)などの金属および上述した半金属のうち1種または2種以上の組み合わせの酸化物のことをいう。
[式中、各々のR5、R6、R7、R8、R9、R10、及びR11は、独立に、H、ハロゲン、フルオロアルキル、又はペルフルオロアルキルであり;そしてXは、−[OC(RhRi)−C(RjRk)]q−O−[CRlRm]z−SO3Hであって、各々のRh、Ri、Rj、Rk、Rl及びRmは、独立に、H、ハロゲン、フルオロアルキル、又はペルフルオロアルキルであり;qは、0〜10であり;そしてzは、1〜5である]を含む。
[式中、Z1は、−[OC(RhRi)−C(RjRk)]q−O−[CRlRm]z−SO2Fであって、Rh、Ri、Rj、Rk、Rl及びRm、q、及びzは、本明細書中と同義である]と、公知の重合方法により共重合し、続いてスルホニルフルオリド基の加水分解によりスルホン酸基に変換することによって製造されうる。
に従う繰り返し単位、並びに式(V)に従う繰り返し単位及び式(VI)に従う繰り返し単位:
[式中、R12〜R20は、それぞれ独立に、H、ハロゲン、アルキル、又はSO3Hであるが、ただし、R12〜R20の少なくとも1個は、SO3Hであり;そしてR21〜R28は、それぞれ独立に、H、ハロゲン、アルキル、又はSO3Hであるが、ただし、R21〜R28の少なくとも1個は、SO3Hであり、そしてR29及びR30は、それぞれH又はアルキルである]からなる群より選択される繰り返し単位を含む。
[式中、aは、0.7〜0.9であり、そしてbは、0.1〜0.3である]により表される。
[式中、R31及びR32は、それぞれ独立に、H又はアルキルである]で示される繰り返し単位を含んでもよい。
に従う繰り返し単位を与えうる。
に従う繰り返し単位を与えうる。
[式中、aは、0.7〜0.9であり、そしてbは、0.1〜0.3である]により表される。
本開示のインク組成物における使用に適したアミン化合物は、エタノールアミン類及びアルキルアミン類を含むが、これらに限定されない。
このような処理の方法に特に制限はないが、例えば、還元処理されたスルホン化ポリチオフェンに水およびトリエチルアミンを加えて溶解し、これを加熱下(例えば60℃)に撹拌した後、得られた溶液にイソプロピルアルコールおよびアセトンを添加して、スルホン化共役ポリマーのトリエチルアンモニウム塩の沈殿を生じさせ、これを濾過して回収する等の方法を採用し得る。
例は、限定されないが、プロピレングリコールメチルエーテルアセタート、2−エトキシエチルアセタート、2−ブトキシエチルアセタート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含む。
例は、限定されないが、エチレングリコールジアセテート、トリエチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジアセタートを含む。
好適なグリコール類の例は、限定されないが、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、プロピレングリコール、トリエチレングリコール等が挙げられる。
・エチレングリコール、プロピレングリコール又はそのオリゴマー(2量体〜4量体、例えばジエチレングリコール)であるグリコール類
・前記グリコール類のモノアルキルエーテルであるグリコールモノエーテル類
・前記グリコール類のジアルキルエーテルであるグリコールジエーテル類
・前記グリコール類の脂肪族カルボン酸モノエステルであるグリコールモノエステル類
・前記グリコール類の脂肪族カルボン酸ジエステルであるグリコールジエステル類
・前記グリコールモノエーテル類の脂肪族カルボン酸モノエステルであるグリコールエステルエーテル類
インクジェット法による塗布性を考慮すると、グリコール系溶媒を含む液体担体を使用することが好ましい。
以降の記載において、便宜上、前記グリコール系溶媒とこれに該当しない有機溶媒を対比して、前者を(A)、後者を(B)で示すことがある。
ある実施態様において、液体担体は、1種以上のグリコール系溶媒(A)からなる液体担体である。
ある実施態様において、液体担体は、1種以上のグリコール系溶媒(A)と、グリコール系溶媒を除く1種以上の有機溶媒(B)とを含む液体担体である。
例は、限定されないが、グリコールジエーテル類とグリコール類を混合させることが挙げられる。
具体例としては、上述のグリコールジエーテル類およびグリコール類の具体例が挙げられるが、好ましくは、グリコールジエーテル類として、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、グリコール類として、エチレングリコール、ジエチレングリコールが挙げられる。
前記有機溶媒(B)として、好ましくは、ニトリル類、アルコール類、芳香族エーテル類、芳香族炭化水素類が挙げられる。
例は、限定されないが、ニトリル類として、メトキシプロピオニトリル、エトキシプロピオニトリル、アルコール類として、ベンジルアルコール、2−(ベンジルオキシ)エタノール、芳香族エーテル類として、メチルアニソール、ジメチルアニソール、エチルアニソール、ブチルフェニルエーテル、ブチルアニソール、ペンチルアニソール、ヘキシルアニソール、ヘプチルアニソール、オクチルアニソール、フェノキシトルエン、芳香族炭化水素類として、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、シクロヘキシルベンゼンまたはテトラリンが挙げられる。
これらの中でも、アルコール類がより好ましく、アルコール類の中でも2−(ベンジルオキシ)エタノールがより好ましい。
グリコール系溶媒(A)に有機溶媒(B)を添加することにより、インクジェット塗布による成膜時に、インク固形分の溶解性を保ったまま金属酸化物ナノ粒子の凝集を適切に制御し、より平坦な膜を形成することができる。
0.05≦wtB/(wtA+wtB)≦0.50 (1−1)
0.10≦wtB/(wtA+wtB)≦0.40 (1−2)
0.15≦wtB/(wtA+wtB)≦0.30 (1−3)
(本発明の組成物にグリコール系溶媒(A)が2種以上含有されている場合、wtAはグリコール系溶媒(A)の合計含有量(重量)を示し、有機溶媒(B)が2種以上含有されている場合、wtBは有機溶媒(B)の合計含有量(重量)を示す。)
1)基板を本明細書に開示のインク組成物でコーティングすること;及び
2)基板上のコーティングをアニーリングすることにより、正孔運搬薄膜を形成すること
を含む方法に関する。
(i)ポリ(p−フェニレンビニレン)及びフェニレン残基上の種々の位置で置換されているその誘導体;
(ii)ポリ(p−フェニレンビニレン)及びビニレン残基上の種々の位置で置換されているその誘導体;
(iii)ポリ(p−フェニレンビニレン)及びフェニレン残基上の種々の位置で置換されており、そしてまたビニレン残基上の種々の位置で置換されているその誘導体;
(iv)ポリ(アリーレンビニレン)であって、アリーレンが、ナフタレン、アントラセン、フリレン、チエニレン、オキサジアゾールなどのような残基であってよい、ポリ(アリーレンビニレン);
(v)ポリ(アリーレンビニレン)の誘導体であって、アリーレンが、上記(iv)中と同様であってよく、そして更にアリーレン上の種々の位置に置換基を有する、誘導体;
(vi)ポリ(アリーレンビニレン)の誘導体であって、アリーレンが、上記(iv)中と同様であってよく、そして更にビニレン上の種々の位置に置換基を有する、誘導体;
(vii)ポリ(アリーレンビニレン)の誘導体であって、アリーレンが、上記(iv)中と同様であってよく、そして更にアリーレン上の種々の位置に置換基を、及びビニレン上の種々の位置に置換基を有する、誘導体;
(viii)(iv)、(v)、(vi)、及び(vii)中の化合物のような、アリーレンビニレンオリゴマーと非共役オリゴマーとのコポリマー;並びに
(ix)ポリ(p−フェニレン)及びフェニレン残基上の種々の位置で置換されているその誘導体(ポリ(9,9−ジアルキルフルオレン)などのようなラダーポリマー誘導体を含む);
(x)ポリ(アリーレン)であって、アリーレンが、ナフタレン、アントラセン、フリレン、チエニレン、オキサジアゾールなどのような残基であってよい、ポリ(アリーレン);及びアリーレン残基上の種々の位置で置換されているその誘導体;
(xi)(x)中の化合物のようなオリゴアリーレンと非共役オリゴマーとのコポリマー;
(xii)ポリキノリン及びその誘導体;
(xiii)ポリキノリンと、可溶性を提供するために、フェニレン上で例えば、アルキル又はアルコキシ基により置換されているp−フェニレンとのコポリマー;
(xiv)ポリ(p−フェニレン−2,6−ベンゾビスチアゾール)、ポリ(p−フェニレン−2,6−ベンゾビスオキサゾール)、ポリ(p−フェニレン−2,6−ベンゾイミダゾール)、及びその誘導体のような、リジッドロッドポリマー、並びにその誘導体;
(xv)ポリフルオレン単位を持つポリフルオレンポリマー及びコポリマー。
1)PLED及びSMOLEDを含むOLED中の正孔注入;例えば、PLED中のHILには、共役が炭素又はケイ素原子を巻き込む、全ての分類の共役ポリマー発光体を使用することができる。SMOLED中のHILでは、以下が例である:蛍光発光体を含有するSMOLED;燐光発光体を含有するSMOLED;HIL層に加えて1種以上の有機層を含むSMOLED;及び低分子層が、溶液若しくはエアゾール噴霧から、又は任意の他の処理方法により処理されているSMOLED。さらに、他の例は、以下を含む:デンドリマー又はオリゴマー有機半導体系のOLED中のHIL;両極性発光FETであって、HILが、電荷注入を調節するため又は電極として使用されるFET中のHIL;
2)OPV中の正孔抽出層;
3)トランジスタ中のチャネル材料;
4)論理ゲートのような、トランジスタの組合せを含む回路中のチャネル材料;
5)トランジスタ中の電極材料;
6)コンデンサ中のゲート層;
7)化学センサーであって、ドーピングレベルの調節が、感知すべき種と導電性ポリマーとの関係により達成されるセンサー;
8)バッテリー中の電極又は電解質材料。
[製造例1]
S−ポリ(3−MEET)アミン付加物の調製
S−ポリ(3−MEET)の水性分散液(水中0.598%固形物)500gをトリエチルアミン 0.858gと混合することにより調製した。生じた混合物を回転蒸発により乾固し、そして次に、真空オーブンで50℃で一晩更に乾燥した。黒色の粉末3.8gとして生成物を単離した。
製造例1で得られたS−ポリ(3−MEET)アミン付加物2.00gを28%アンモニア水(純正化学(株)製)100mLに溶解させ、室温にて終夜撹拌させた。反応液は、アセトン1500mLにて再沈殿し、析出物をろ過にて回収した。得られた析出物は、再度、水20mL及びトリエチルアミン(東京化成工業(株)製)7.59gにて溶解させ、60℃、1時間撹拌した。反応液を冷却後、イソプロピルアルコール1000mL及びアセトン500mLの混合溶媒にて再沈殿し、析出物をろ過にて回収した。得られた析出物は、0mmHg、50℃にて1時間真空乾燥し、アンモニア水で処理したS−ポリ(3−MEET)-A 1.30gを得た。
[実施例2−1]ドーパントAの合成
国際公開第2006/025342号に記載された方法に従って、下記式で表されるスルホン酸化合物(ドーパントA)を合成した。
国際公開第2015−111654号に記載された方法に従って、下記式で表されるスルホン酸化合物(ドーパントB)を合成した。
[実施例3−1]
初めに、実施例1にて得た電荷輸送性物質であるS−ポリ(3−MEET)-A 0.030gを、エチレングリコール(関東化学(株)製)0.46g、ジエチレングリコール(関東化学(株)製)1.45g、トリエチレングリコールジメチルエーテル(東京化成工業(株)製)4.83g、2−(ベンジルオキシ)エタノール(関東化学(株)製)1.93g及び2−エチルヘキシルアミン(東京化成工業(株)製)0.049gに溶解させた。溶液の調製はホットスターラーを用い、350rpm、80℃、1時間撹拌させた。次いで、ドーパントとして実施例2−1にて得たドーパントAを0.015g加え、ホットスターラーを用い、350rpm、80℃、1時間撹拌させた。最後に、EG−STを1.24g加え、ホットスターラーを用い、350rpm、30℃、10分間撹拌させ、得られた溶液を、孔径0.2μmのPPシリンジフィルターでろ過して3wt%の電荷輸送性ワニスAを得た。
ドーパントとして、ドーパントAのかわりに実施例2−2にて得たドーパントBを用いた以外は、実施例3−1と同様の方法で電荷輸送性ワニスBを得た。
ドーパントとして、ドーパントAのかわりにリンタングステン酸(関東化学(株)製)を用いた以外は、実施例3−1と同様の方法で電荷輸送性ワニスCを得た。
製造例1で得たS−ポリ(3−MEET)アミン付加物0.032gをエチレングリコール(関東化学(株)製)0.73g、ジエチレングリコール(関東化学(株)製)1.93g、BA(東京化成(株)製)0.047g、トリエチレングリコールジメチルエーテル(東京化成工業(株)製)4.83g、および、2−(ベンジルオキシ)エタノール(関東化学(株)製)0.97gに溶解させた。溶液の調製はホットスターラーを用い、350rpm、80℃、2時間撹拌させた。室温に戻した後、最後に、ドーパントとして、あらかじめ調製した、実施例2−1にて得たドーパントAの10%EG溶液0.32g、およびEG−ST 1.16gを加え、ホットスターラーを用い、350rpm、30℃、30分間撹拌させた。得られた溶液を孔径0.2μmのPPシリンジフィルターでろ過して3wt%の電荷輸送性ワニスDを得た。
実施例1にて得た電荷輸送性物質であるS−ポリ(3−MEET)-A 0.135gを、エチレングリコール(関東化学(株)製)1.50g、ジエチレングリコール(関東化学(株)製)1.50g、トリエチレングリコールジメチルエーテル(東京化成工業(株)製)5.00g、2−(ベンジルオキシ)エタノール(関東化学(株)製)2.00g及び2−エチルヘキシルアミン(東京化成工業(株)製)0.216gに溶解させた。溶液の調製はホットスターラーを用い、350rpm、80℃、1時間撹拌させた。次いで、ドーパントとして実施例2−1にて得たドーパントAを0.069g加え、ホットスターラーを用い、350rpm、80℃、1時間撹拌させ、得られた溶液を、孔径0.2μmのPPシリンジフィルターでろ過して3wt%の電荷輸送性ワニスDを得た。
石英基板に実施例3−1および比較例3−1で得られた各電荷輸送性ワニスAおよびDをスピンコートにより成膜し、大気中、ホットプレートにて120℃で1分間乾燥し、230℃で15分間の加熱焼成を行い、薄膜AおよびDを作製した。作製した薄膜の膜厚:100nmにおける可視域(波長:400nm〜800nm)の平均透過率は、薄膜Aが99.0%、薄膜Dが54.7%であった。この結果、薄膜Aは金属酸化物ナノ粒子を含有することにより、含有していない薄膜Dに比べ、非常に高透明であることが分かる。
[実施例5−1]
実施例3−1で得られたワニスAを、スピンコーターを用いてITO基板に塗布した後、大気下、120℃で1分間乾燥し、230℃で15分間の加熱焼成を行い、ITO基板上に50nmの薄膜を形成した。ITO基板としては、インジウム錫酸化物(ITO)が表面上に膜厚150nmでパターニングされた25mm×25mm×0.7tのガラス基板を用い、使用前にO2プラズマ洗浄装置(150W、30秒間)によって表面上の不純物を除去した。
次いで、薄膜を形成したITO基板に対し、蒸着装置(真空度1.0×10−5Pa)を用いてα−NPD(N,N'−ジ(1−ナフチル)−N,N'−ジフェニルベンジジン)を0.2nm/秒にて30nm成膜した。次に、関東化学社製の電子ブロック材料HTEB−01を10nm成膜した。次いで、新日鉄住金化学社製の発光層ホスト材料NS60と発光層ドーパント材料Ir(PPy)3を共蒸着した。共蒸着はIr(PPy)3の濃度が6%になるように蒸着レートをコントロールし、40nm積層させた。次いで、Alq3、フッ化リチウムおよびアルミニウムの薄膜を順次積層して有機EL素子を得た。この際、蒸着レートは、Alq3およびアルミニウムについては0.2nm/秒、フッ化リチウムについては0.02nm/秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ20nm、0.5nmおよび80nmとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、有機EL素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。酸素濃度2ppm以下、露点−76℃以下の窒素雰囲気中で、有機EL素子を封止基板の間に収め、封止基板を接着剤(((株)MORESCO製、モレスコモイスチャーカット WB90US(P))により貼り合わせた。この際、捕水剤(ダイニック(株)製、HD−071010W−40)を有機EL素子と共に封止基板内に収めた。貼り合わせた封止基板に対し、UV光を照射(波長:365nm、照射量:6,000mJ/cm2)した後、80℃で1時間、アニーリング処理して接着剤を硬化させた。
電荷輸送性ワニスAのかわりに電荷輸送性ワニスBを用いた以外は、実施例5−1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
電荷輸送性ワニスAのかわりに電荷輸送性ワニスCを用いた以外は、実施例5−1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
電荷輸送性ワニスAのかわりに電荷輸送性ワニスDを用い、大気下、60℃で5分間乾燥し、230℃で15分間の加熱焼成を行った以外は、実施例5−1と同様の方法で有機EL素子を作製した。
Claims (27)
- インク組成物であって、
(a)ポリチオフェン化合物
(b)1種以上の金属酸化物ナノ粒子;
(c)1種以上のドーパント;及び
(d)1種以上の有機溶媒を含む液体担体
を含む組成物。 - 前記ポリチオフェン化合物(a)が下記式(I)で表される繰り返し単位を含む、請求項1記載の組成物。
[式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、H、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、アリールオキシ、−SO3M、又は−O−[Z−O]p−Reであるか、あるいは、R1及びR2は、一緒になって−O−Z−O−を形成する
(式中、Mは、H、アルカリ金属、アンモニウム、モノアルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、又はトリアルキルアンモニウムであり、Zは、場合によりハロゲン又はYで置換されているヒドロカルビレン基(ここで、Yは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐鎖のアルキル基又はアルコキシアルキル基であり、該アルキル基又はアルコキシアルキル基は、任意の位置がスルホン酸基で置換されていてもよい)であり、pは、1以上の整数であり、そして、Reは、H、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである)] - 前記ドーパント物質が、アリールスルホン酸化合物、ヘテロポリ酸化合物、長周期型周期表の第13族または15族に属する元素を含むイオン化合物からなる群より選択される少なくとも1種を含む、請求項1または2記載のインク組成物。
- 前記ドーパント物質が、式(2)で表されるアリールスルホン酸化合物である、請求項1〜3のいずれか一項記載のインク組成物。
〔式中、Xは、O、SまたはNHを表し、Aは、Xおよびn個の(SO3H)基以外の置換基を有していてもよいナフタレン環またはアントラセン環を表し、Bは、非置換もしくは置換の炭化水素基、1,3,5−トリアジン基、または非置換もしくは置換の下記式(3)もしくは(4):
で示される基(式中、W1は、単結合、O、S、S(O)基、S(O2)基、または非置換もしくは置換基が結合したN、Si、P、P(O)基を示し、W2は、O、S、S(O)基、S(O2)基、または非置換もしくは置換基が結合したN、Si、P、P(O)基を示し、R46〜R59はそれぞれ独立して水素原子またはハロゲン原子を表す)を表し、nは、Aに結合するスルホン酸基数を表し、1≦n≦4を満たす整数であり、qは、BとXとの結合数を示し、1≦qを満たす整数である。〕 - 前記ドーパント物質が、式(6)で表されるアリールスルホン酸化合物である、請求項1〜3のいずれか一項記載のインク組成物。
(式中、Xは、O、SまたはNHを表し、Ar5は、アリール基を表し、nは、スルホン基数を表し、1〜4を満たす整数である。) - 前記ドーパント物質が、ヘテロポリ酸化合物である、請求項1〜3のいずれか一項記載のインク組成物。
- R1及びR2が、それぞれ独立に、H、フルオロアルキル、−O[C(RaRb)−C(RcRd)−O]p−Re、−ORfであり;ここで、各々のRa、Rb、Rc、及びRdが、それぞれ独立に、H、ハロゲン、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールであり;Reが、H、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールであり;pが、1、2、又は3であり;そしてRfが、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである、請求項2〜6のいずれか一項記載のインク組成物。
- R1が、Hであり、そしてR2が、H以外である、請求項2〜7のいずれか一項記載のインク組成物。
- R1及びR2が、両方ともH以外である、請求項2〜7のいずれか一項記載のインク組成物。
- R1及びR2が、それぞれ独立に、−O[C(RaRb)−C(RcRd)−O]p−Re、又は−ORfであるか、あるいは、R1及びR2が、一緒になって−O−(CH2)q−O−を形成する、請求項9記載のインク組成物。
- R1及びR2が、両方とも−O[C(RaRb)−C(RcRd)−O]p−Reである、請求項9記載のインク組成物。
- 各々のRa、Rb、Rc、及びRdが、それぞれ独立に、H、(C1−C8)アルキル、(C1−C8)フルオロアルキル、又はフェニルであり;そしてReが、(C1−C8)アルキル、(C1−C8)フルオロアルキル、又はフェニルである、請求項7〜11のいずれか一項記載のインク組成物。
- ポリチオフェンが、下記式:
で示される基、及びこれらの組合せからなる群より選択される繰り返し単位を含む、請求項2〜12のいずれか一項記載のインク組成物。 - ポリチオフェンが、スルホン化ポリ(3−MEET)である、請求項2〜13のいずれか一項記載のインク組成物。
- ポリチオフェンが、式(I)に従う繰り返し単位を、繰り返し単位の総重量に基づいて50重量%より多い、典型的には80重量%より多い、更に典型的には90重量%より多い、更になお典型的には95重量%より多い量で含む、請求項2〜14のいずれか一項記載のインク組成物。
- 金属酸化物ナノ粒子が、B2O3、B2O、SiO2、SiO、GeO2、GeO、As2O4、As2O3、As2O5、Sb2O3、TeO2、SnO2、SnO又はそれらの混合物を含む、請求項1〜15のいずれか一項記載のインク組成物。
- 金属酸化物ナノ粒子がSiO2を含む、請求項16記載のインク組成物。
- 1種以上のアミン化合物を更に含む、請求項1〜17のいずれか一項記載のインク組成物。
- アミン化合物が、第三級アルキルアミン化合物と、第三級アルキルアミン化合物以外のアミン化合物とを含むアミン化合物である、請求項18記載のインク組成物。
- 第三級アルキルアミン化合物以外のアミン化合物が、第一級アルキルアミン化合物である、請求項19記載のインク組成物。
- 第一級アルキルアミン化合物が、エチルアミン、n−ブチルアミン、t−ブチルアミン、2−エチルヘキシルアミン、n−ヘキシルアミン、n−デシルアミン及びエチレンジアミンからなる群より選択される少なくとも1種である、請求項20記載のインク組成物。
- 第一級アルキルアミン化合物が、2−エチルヘキシルアミンまたはn−ブチルアミンである、請求項21記載のインク組成物。
- 前記液体担体が、1種以上のグリコール系溶媒(A)と、グリコール系溶媒を除く1種以上の有機溶媒(B)とを含む液体担体である、請求項1〜22のいずれか一項記載のインク組成物。
- 前記グリコール系溶媒(A)が、グリコールエーテル類、グリコールモノエーテル類またはグリコール類である、請求項23記載のインク組成物。
- 前記有機溶媒(B)が、ニトリル類、アルコール類、芳香族エーテル類または芳香族炭化水素類である、請求項23または24記載のインク組成物。
- 前記グリコール系溶媒(A)の含有量:wtA(重量)と、前記有機溶媒(B)の含有量(重量):wtB(重量)とが、式(1−1)を満たす、請求項23〜25のいずれか一項記載のインク組成物。
0.05≦wtB/(wtA+wtB)≦0.50 (1−1) - インク組成物であって、
(a)ポリチオフェンであって、式(I):
[式中、R1及びR2は、それぞれ独立に、H、アルキル、フルオロアルキル、アルコキシ、フルオロアルコキシ、アリールオキシ、−SO3M、又は−O−[Z−O]p−Reであるか、あるいは、R1及びR2は、一緒になって−O−Z−O−を形成する
(式中、Mは、H、アルカリ金属、アンモニウム、モノアルキルアンモニウム、ジアルキルアンモニウム、又はトリアルキルアンモニウムであり、Zは、場合によりハロゲン又はYで置換されているヒドロカルビレン基(ここで、Yは、炭素数1〜10の直鎖又は分岐鎖のアルキル基又はアルコキシアルキル基であり、該アルキル基又はアルコキシアルキル基は、任意の位置がスルホン酸基で置換されていてもよい)であり、pは、1以上の整数であり、そして、Reは、H、アルキル、フルオロアルキル、又はアリールである)]で表される繰り返し単位を含むポリチオフェン;
(b)1種以上の金属酸化物ナノ粒子;
(c)1種以上のドーパント
(d)1種以上の有機溶媒を含む液体担体;及び
(e)1種以上のアミン化合物
を含む組成物。
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