CN103717562A - 环状化合物、其制造方法、组合物以及抗蚀图案形成方法 - Google Patents

环状化合物、其制造方法、组合物以及抗蚀图案形成方法 Download PDF

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Abstract

分子量为500～5000的式（1）所示的环状化合物、其制造方法、包含其的组合物以及使用了该组合物的抗蚀图案形成方法。（式（1）中、R0中的至少一者为包含碘原子的一价基团）。

Description

环状化合物、其制造方法、组合物以及抗蚀图案形成方法
技术领域
本发明涉及特定的化学结构式所示的环状化合物及其制造方法。
另外，本发明涉及包含前述环状化合物的组合物以及使用其的抗蚀图案形成方法。
背景技术
迄今为止，一般的抗蚀材料为能够形成非晶薄膜的高分子类材料。例如，对抗蚀薄膜照射紫外线、远紫外线、电子射线、远紫外线（EUV）、X射线等，从而形成45～100nm左右的线状图案，所述抗蚀薄膜是将聚甲基丙烯酸甲酯、具有酸解离性反应基团的聚羟基苯乙烯或聚甲基丙烯酸烷基酯等高分子抗蚀材料的溶液涂布在基板上来制作的。
然而，高分子系抗蚀剂的分子量较大，为1万～10万左右，分子量分布也宽，因此在使用高分子系抗蚀剂的光刻中，在微细图案表面产生粗糙度，难以控制图案尺寸，成品率降低。因此，在以往的使用高分子系抗蚀材料的光刻中微细化是存在限度的。为了制作更微细的图案，提出了各种低分子量抗蚀材料。
例如，提出了使用以低分子量多核多酚化合物为主要成分的碱显影型的负型辐射敏感组合物（参照专利文献1、2）。
另外，作为低分子量抗蚀材料的候补，也提出了使用以低分子量环状多酚化合物为主要成分的碱显影型的负型辐射敏感组合物（参照专利文献3～4和非专利文献1）。
现有技术文献
专利文献:
专利文献1：日本特开2005-326838号公报
专利文献2：日本特开2008-145539号公报
专利文献3：日本特开2009-173623号公报
专利文献4:WO2011/024916国际公开小册子
非专利文献
非专利文献1:T.Nakayama，M.Nomura，K.Haga，M.Ueda：Bull.Chem.Soc.Jpn.，71，2979（1998）
发明内容
发明要解决的问题
然而，前述专利文献1和2记载的负型辐射敏感组合物存在耐热性不充分、得到的抗蚀图案的形状变差的缺点。
另外，对于前述专利文献3～4和非专利文献1记载的低分子量环状多酚化合物，虽然分辨率、抗蚀图案的粗糙度在某种程度上得到改善，但是从对用于半导体制造工艺的安全溶剂的溶解性、灵敏度以及得到的抗蚀图案形状的观点来看，还期望进一步改善。
本发明的目的在于提供对安全溶剂的溶解性高、高灵敏度且粗糙度小、且赋予良好的抗蚀图案形状的环状化合物、其制造方法、包含该环状化合物的组合物以及使用该组合物的抗蚀图案形成方法。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决上述课题进行了深入研究，结果发现，具有特定结构的环状化合物对安全溶剂的溶解性高、高灵敏度且粗糙度小、且赋予良好的抗蚀图案形状，从而完成了本发明。
即，本发明如下所述。
[1]一种环状化合物，其为分子量500～5000的式（1）所示的环状化合物。
Figure BDA0000465034020000031
（式（1）中，R0分别独立地为氢原子、羟基、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数7～30的芳烷基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基、取代或者未取代的碳数0～20的氨基、取代或者未取代的碳数1～20的链烯基、取代或者未取代的碳数1～20的酰基、取代或者未取代的碳数2～20的烷氧基羰基、取代或者未取代的碳数1～20的烷酰基氧基、取代或者未取代的碳数7～30的芳酰基氧基、取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基、或这些基团与二价基团键合而成的基团，所述二价基团为选自由取代或者未取代的亚烷基、取代或者未取代的亚芳基和醚基组成的组中的1个以上的基团，R0中的至少一者为包含碘原子的一价基团。）
[2]根据前述[1]所述的环状化合物，其中前述式（1）所示的环状化合物如式（2）所示。
Figure BDA0000465034020000041
（式（2）中，R1分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，
R2分别独立地为氢原子、羟基、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数7～30的芳烷基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基、取代或者未取代的碳数1～20的链烯基、取代或者未取代的碳数1～20的酰基、取代或者未取代的碳数2～20的烷氧基羰基、取代或者未取代的碳数1～20的烷酰基氧基、取代或者未取代的碳数7～30的芳酰基氧基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，
R’分别独立地为氢原子、羟基、取代或者未取代的杂环基、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基或下述式（3）所示的基团，
Figure BDA0000465034020000051
R4分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，
R2或者R4中的至少一者为包含碘原子的一价基团。)
[3]根据前述[2]所述的环状化合物，其中，前述式（2）中的R2或前述式（3）中的R4中的至少一者为碘原子、由碘原子取代的碳数1～6的直链状脂肪族烃基或由碘原子取代的碳数3～6的支链状脂肪族烃基。
[4]根据前述[2]所述的环状化合物，其中，前述式（2）中的R’为前述式（3）所示的基团，前述式（3）中的R4中的至少一者为碘原子、由碘原子取代的碳数1～6的直链状脂肪族烃基或由碘原子取代的碳数3～6的支链状脂肪族烃基。
[5]根据前述[2]所述的环状化合物，其中，在前述式（2）中，R1为氢原子、R’为前述式（3）所示的基团，前述式（3）中的R4中的至少一者为碘原子、由碘原子取代的碳数1～6的直链状脂肪族烃基或由碘原子取代的碳数3～6的支链状脂肪族烃基。
[6]根据前述[2]所述的环状化合物，其中，前述式（2）所示的环状化合物如式（4）所示。
Figure BDA0000465034020000061
（式（4）中，R1分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，R4分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，同一苯环中R4可以相同也可以不同，p为0～4的整数。）
[7]根据前述[6]所述的环状化合物，其中前述式（4）所示的环状化合物如式（5）所示。
Figure BDA0000465034020000071
（式（5）中，R1分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，R4分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，同一苯环中R4可以相同也可以不同，p为0～4的整数。）
[8]根据前述[2]所述的环状化合物，其中前述式（2）所示的环状化合物如式（6）所示。
（式（6）中，R4分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，同一苯环中R4可以相同也可以不同，p为0～4的整数。）
[9]一种环状化合物的制造方法，其为制造[1]～[8]中任一项所述的环状化合物的方法，该方法中，使选自由具有包含碘原子的一价基团的醛化合物（A1）组成的组中的1种以上的化合物与选自由酚化合物（A2）组成的组中的1种以上的化合物进行缩合反应。
[10]根据[9]所述的环状化合物的制造方法，其中，前述醛化合物（A1）为具有1～4个甲酰基和包含碘原子的一价基团的碳数2～59的化合物，前述酚化合物（A2）为具有1～3个酚羟基的碳数6～15的化合物。
[11]一种组合物，其含有：包含前述[1]～[8]中任一项所述的环状化合物的固体成分和溶剂。
[12]根据前述[11]所述的组合物，其中，相对于所述固体成分和所述溶剂的总计100质量份，含有固体成分1～80质量份和溶剂20～99质量份。
[13]根据前述[12]所述的组合物，其中，前述环状化合物的含量为前述固体成分的总质量的50～99.999质量%。
[14]根据前述[11]～[13]中任一项所述的组合物，其中，作为前述固体成分还含有产酸剂（C），所述产酸剂（C）通过选自由可见光、紫外线、准分子激光、电子射线、远紫外线（EUV）、X射线以及离子束组成的组中的任意一种辐射线的照射而直接或间接地产生酸。
[15]根据前述[14]所述的组合物，其中，前述产酸剂（C）的含量为前述固体成分的总质量的0.001～49质量%。
[16]根据前述[11]～[15]中任一项所述的组合物，其中，作为前述固体成分还含有酸交联剂（G）。
[17]根据前述[16]所述的组合物，其中，前述酸交联剂（G）的含量为前述固体成分的总质量的0.5～49质量%。
[18]根据前述[11]～[17]中任一项所述的组合物，其中，作为前述固体成分还含有酸扩散控制剂（E）。
[19]根据前述[18]所述的组合物，其中，前述酸扩散抑制剂（E）的含量为前述固体成分的总质量的0.001～49质量%。
[20]根据前述[11]所述的组合物，其中，相对于前述固体成分的总质量，
含有50～99.4质量%前述环状化合物，
0.001～49质量%产酸剂（C），所述产酸剂（C）通过选自由可见光、紫外线、准分子激光、电子射线、远紫外线（EUV）、X射线以及离子束组成的组中的任一种辐射线的照射而直接或间接地产生酸，
0.5～49质量%酸交联剂（G），
0.001～49质量%酸扩散控制剂（E），
且前述环状化合物、前述产酸剂（C）、前述酸交联剂（G）和前述酸扩散控制剂（E）的总质量为51质量%以上。
[21]根据前述[11]～[20]中任一项所述的组合物，其中，前述溶剂为选自由丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单甲醚以及环己酮组成的组中的至少一种以上。
[22]根据前述[11]～[21]中任一项所述的组合物，其能够通过旋涂形成非晶膜。
[23]根据前述[11]～[22]中任一项所述的组合物，其能够形成非晶膜，前述非晶膜的、在23℃下的对显影液的溶解速度为
Figure BDA0000465034020000101
以上。
[24]根据前述[22]或[23]所述的组合物，其中，前述非晶膜的、照射KrF准分子激光、远紫外线、电子射线或者X射线后、或在20～250℃下加热后的对显影液的溶解速度为
Figure BDA0000465034020000102
以下。
[25]根据前述[11]～[24]中任一项所述的组合物，其中，前述组合物为辐射敏感组合物。
[26]根据前述[11]～[25]中任一项所述的组合物，其中，前述组合物为抗蚀剂组合物。
[27]一种抗蚀图案形成方法，其包括以下工序：将前述[11]～[26]中任一项所述的组合物涂布在基板上形成抗蚀膜的工序，将前述抗蚀膜曝光的工序以及将曝光的抗蚀膜显影的工序。
发明的效果
根据本发明，能够提供对安全溶剂的溶解性高、高灵敏度且粗糙度小、且赋予良好的抗蚀图案形状的环状化合物、其制造方法、包含该环状化合物组合物以及使用该组合物的抗蚀图案形成方法。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式进行说明（以下，称为本实施方式）。需要说明的是，本实施方式是用于对本发明进行说明的例示，本发明不仅仅限定于本实施方式。
[环状化合物]
本实施方式涉及作为抗蚀材料有用的环状化合物及其制造方法。
本实施方式的环状化合物如下述式（1）所示。
Figure BDA0000465034020000111
式（1）中，R0分别独立地为氢原子、羟基、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数7～30的芳烷基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基、取代或者未取代的碳数0～20的氨基、取代或者未取代的碳数1～20的链烯基、取代或者未取代的碳数1～20的酰基、取代或者未取代的碳数2～20的烷氧基羰基、取代或者未取代的碳数1～20的烷酰基氧基、取代或者未取代的碳数7～30的芳酰基氧基、取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基、或这些基团与二价基团（选自由取代或者未取代的亚烷基、取代或者未取代的亚芳基和醚基组成的组中的1个以上的基团）键合而成的基团，R0中的至少一者为包含碘原子的一价基团。
本实施方式的环状化合物通过具备前述式（1）所示的结构，虽然是低分子量化合物，但是具备耐热性并且分辨率、灵敏度等抗蚀图案性能优异。需要说明的是，本实施方式的环状化合物的化学结构能够通过质子核磁共振波谱分析（1H-NMR分析）确定。
本实施方式中，R0中的至少一者为包含碘原子的一价基团。
本实施方式的环状化合物，尤其通过前述式（1）中的R0中的至少一者为包含碘原子的一价基团，与前述式（1）中的其它结构特征相辅相成，增强对电子射线、远紫外线（EUV）、X射线等辐射线的吸收能力，其结果，能够提高使用了本实施方式的环状化合物的抗蚀剂的灵敏度、分辨率。尤其是在远紫外线（EUV）光刻中，为了提高半导体器件的生产率，抗蚀剂的高灵敏度化是必须的，本实施方式的环状化合物是极有用的。
本实施方式通过前述式（1）中的R0中的至少一者为包含碘原子的一价基团，抗蚀剂的灵敏度、分辨率高、进一步粗糙度小、赋予良好的抗蚀图案形状。
另外，本实施方式通过前述式（1）中的R0中的至少一者为包含碘原子的一价基团，与前述式（1）中的其它结构特征相辅相成，还发挥提高对安全溶剂的溶解性这样的效果。
对包含碘原子的一价基团没有特别的限定，例如可列举出碘原子、由碘原子取代的碳数1～6的直链状脂肪族烃基、由碘原子取代的碳数3～6的支链状脂肪族烃基、由碘原子取代的碳数3～6的环状脂肪族烃基、或由碘原子取代的碳数6的芳基。
从抗蚀剂的灵敏度、分辨率、对安全溶剂的溶解性等观点来看，前述包含碘原子的一价基团优选为碘原子、由碘原子取代的碳数1～6的直链状脂肪族烃基、由碘原子取代的碳数3～6的支链状脂肪族烃基、更优选碘原子、由碘原子取代的碳数1～6的直链状脂肪族烃基。
本说明书中“取代”除非另行定义，是指官能团中的一个以上的氢原子被其它基团替换。对前述其它基团没有特别的限定，优选为卤素原子、羟基、氰基、硝基、杂环基、碳数1～20的直链状脂肪族烃基、碳数3～20的支链状脂肪族烃基、碳数3～20的环状脂肪族烃基、碳数6～20的芳基、碳数7～30的芳烷基、碳数1～20的烷氧基、碳数0～20的氨基、碳数1～20的链烯基、碳数1～20的酰基、碳数2～20的烷氧基羰基、碳数1～20的烷酰基氧基、碳数7～30的芳酰基氧基或碳数1～20的烷基甲硅烷基。
对未取代的杂环基没有特别的限定，例如可列举出吡啶基、联吡啶基、吡咯烷基、吡唑基、咪唑基、异噁唑基、异噻唑基、哌啶基、哌嗪基、吗啉基、硫代吗啉基、三唑基以及四唑基等。
对取代的杂环基没有特别的限定，例如可列举出N-甲基吡啶基、N-氟吡啶基、N-羟基吡啶基、N-氰基吡啶基、甲基联吡啶基、甲基吡咯烷基、甲基吡唑基、甲基咪唑基、甲基异噁唑基、甲基异噻唑基、甲基哌啶基、甲基哌嗪基、甲基吗啉基、甲基硫代吗啉基、甲基三唑基以及甲基四唑基等。
对未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基没有特别的限定，例如可列举出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、辛基、癸基、十二烷基、十六烷基、十八烷基等。
对取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基没有特别的限定，例如可列举出氟甲基、2-羟基乙基、3-氰基丙基以及20-硝基十八烷基等。
对未取代的碳数3～20的支链脂肪族烃基没有特别的限定，例如可列举出异丙基、异丁基、叔丁基、新戊基、2-己基、2-辛基、2-癸基、2-十二烷基、2-十六烷基、2-十八烷基等。
对取代的碳数3～20的支链脂肪族烃基没有特别的限定，例如可列举出1-氟异丙基以及1-羟基-2-十八烷基等。
对未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基没有特别的限定，例如可列举出环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环辛基、环癸基、环十二烷基、环十六烷基、环十八烷基等。
对取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基没有特别的限定，例如可列举出2-氟环丙基以及4-氰基环己基等。
对未取代的碳数6～20的芳基没有特别的限定，例如可列举出苯基、萘基等。
对取代的碳数6～20的芳基没有特别的限定，例如可列举出4-甲基苯基、6-氟萘基等。
对未取代的碳数7～30的芳烷基没有特别的限定，例如可列举出4-甲基苯基、4-乙基苯基、6-甲基萘基、2,6-二甲基萘基等。
对取代的碳数7～30的芳烷基没有特别的限定，例如可列举出4-氟-3-甲基苯基等。
对未取代的碳数1～20的烷氧基没有特别的限定，例如可列举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、癸氧基、十二烷氧基、十六烷氧基、十八烷氧基等。
对取代的碳数1～20的烷氧基没有特别的限定，例如可列举出氯甲氧基、溴乙氧基等。
对未取代的碳数0～20的氨基没有特别的限定，例如可列举出氨基、甲氨基、二甲氨基、乙氨基、二乙氨基、二丙氨基、二丁氨基等。
对取代的碳数0～20的氨基没有特别的限定，例如可列举出氯甲氨基、二溴甲氨基等。
对未取代的碳数1～20的链烯基没有特别的限定，例如可列举出乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基、辛烯基、癸烯基、十二碳烯基、十六碳烯基、十八碳烯基等。
对取代的碳数1～20的链烯基没有特别的限定，例如可列举出氯丙烯基等。
对未取代的碳数1～20的酰基没有特别的限定，例如可列举出甲酰基、乙酰基、丙酰基、丁酰基、戊酰基、己酰基、辛酰基、癸酰基、十二烷酰基、十六烷酰基、苯甲酰基等。
对取代的碳数1～20的酰基没有特别的限定，例如可列举出氯乙酰基等。
对未取代的碳数2～20的烷氧基羰基没有特别的限定，例如可列举出甲氧羰基、乙氧羰基、丙氧羰基、丁氧羰基、戊氧羰基、己氧羰基、辛氧羰基、癸氧羰基、十二烷氧羰基、十六烷氧羰基等。
对取代的碳数2～20的烷氧基羰基没有特别的限定，例如可列举出氯甲氧羰基等。
对未取代的碳数1～20的烷酰基氧基没有特别的限定，例如可列举出甲氧基羰基氧基、乙氧基羰基氧基、丙氧基羰基氧基、丁氧基羰基氧基、戊氧基羰基氧基、己氧基羰基氧基、辛氧基羰基氧基、癸氧基羰基氧基、十二烷氧基羰基氧基、十六烷氧基羰基氧基等。
对取代的碳数1～20的烷酰基氧基没有特别的限定，例如可列举出氯甲氧基羰基氧基等。
对未取代的碳数7～30的芳酰基氧基没有特别的限定，例如可列举出苯甲酰氧基、萘基羰基氧基等。
对取代的碳数7～30的芳酰基氧基没有特别的限定，例如可列举出氯苯甲酰氧基等。
对未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基没有特别的限定，例如可列举出甲基甲硅烷基、乙基甲硅烷基、丙基甲硅烷基、丁基甲硅烷基、戊基甲硅烷基、己基甲硅烷基、辛基甲硅烷基、癸基甲硅烷基、十二烷基甲硅烷基、十六烷基甲硅烷基、十八烷基甲硅烷基等。
对取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基没有特别的限定，例如可列举出氯甲基甲硅烷基等。
本实施方式中，从对安全溶剂的溶解性等观点来看，前述环状化合物优选为式（2）所示的化合物。
Figure BDA0000465034020000151
（式（2）中，R1分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，
R2分别独立地为氢原子、羟基、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数7～30的芳烷基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基、取代或者未取代的碳数1～20的链烯基、取代或者未取代的碳数1～20的酰基、取代或者未取代的碳数2～20的烷氧基羰基、取代或者未取代的碳数1～20的烷酰基氧基、取代或者未取代的碳数7～30的芳酰基氧基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，
R’分别独立地为氢原子、羟基、取代或者未取代的杂环基、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基或下述式（3）所示的基团，
Figure BDA0000465034020000161
R4分别独立地为氢原子、氰基、硝基、杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，
R2或者R4中的至少一者为包含碘原子的一价基团。）
本实施方式中，从灵敏度、分辨率、抗蚀图案的形状、粗糙度等抗蚀特性、对安全溶剂的溶解性的观点来看，前述式（2）中的R2或前述式（3）中的R4中的至少一者优选为碘原子、由碘原子取代的碳数1～6的直链状脂肪族烃基或由碘原子取代的碳数3～6的支链状脂肪族烃基。
另外，基于同样的理由，前述式（2）中的R’为前述式（3）所示的基团，前述式（3）中的R4中的至少一者优选为碘原子、由碘原子取代的碳数1～6的直链状脂肪族烃基或由碘原子取代的碳数3～6的支链状脂肪族烃基，前述式（2）中，R1为氢原子，R’为前述式（3）所示的基团，前述式（3）中的R4中的至少一者更优选为碘原子、由碘原子取代的碳数1～6的直链状脂肪族烃基或由碘原子取代的碳数3～6的支链状脂肪族烃基。
本实施方式中，从灵敏度、分辨率、抗蚀图案的形状、粗糙度等抗蚀特性、对安全溶剂的溶解性的观点来看，前述式（2）所示的化合物更优选为式（4）所示的化合物。
Figure BDA0000465034020000171
（式（4）中，R1、R4与前述相同，p为0～4的整数。）
本实施方式中，从灵敏度、分辨率、抗蚀图案的形状、粗糙度等抗蚀特性、对安全溶剂的溶解性的观点来看，前述式（4）所示的化合物进一步优选为式（5）所示的化合物。
Figure BDA0000465034020000181
（式（5）中，R1、R4与前述相同，p为0～4的整数。）
本实施方式中，从对安全溶剂的溶解性等观点来看，前述式（4）所示的化合物进一步优选为式（6）所示的化合物。
Figure BDA0000465034020000182
（式（6）中，R4与前述相同、p为0～4的整数。）
本实施方式中，前述式（5）或式（6）所示的化合物特别优选为式（CR-1）所示的化合物。
Figure BDA0000465034020000183
式（CR-1）所示的化合物对安全溶剂的溶解性、灵敏度进一步提高，能够形成粗糙度进一步减小、且更良好的形状的抗蚀图案。
从使抗蚀剂保持必要的成膜性且提高分辨率的观点来看，本实施方式的环状化合物的分子量为500～5000、优选为800～2000、更优选为1000～2000。
本实施方式的环状化合物可以取顺式体和反式体，可以为任一种结构或者混合物。在作为辐射敏感组合物的抗蚀剂成分使用时，仅使用顺式体和反式体中的任一者时，抗蚀膜中成分的均匀性高，故优选。对于得到仅包含顺式体和反式体中的任一者的环状化合物的方法，可以通过利用柱色谱法、制备液相色谱法进行的分离、制造时的反应溶剂和反应温度等的最适化等公知的方法来进行。
本实施方式的环状化合物的玻璃化转变温度优选为100℃以上、更优选为120℃以上、进一步优选为140℃以上、特别优选为150℃以上。通过使玻璃化转变温度处于上述范围内，从而在半导体光刻（lithography）工艺中，具有可以更容易维持图案形状的耐热性、且高灵敏度、高分辨率等性能进一步得到提高。
通过本实施方式的环状化合物的玻璃化转变温度的差示扫描量热分析求出的晶化放热量优选不足20J/g。另外，（晶化温度）-（玻璃化转变温度）优选为70℃以上、更优选为80℃以上、进一步优选为100℃以上、特别优选为130℃以上。晶化放热量不足20J/g、或（晶化温度）-（玻璃化转变温度）处于上述范围内时，通过将含有本实施方式的环状化合物的组合物（以下有时称为“本实施方式的组合物”）进行旋涂，从而能够容易形成非晶膜、且使抗蚀剂能够长期保持必要的成膜性、使分辨率进一步提高。
本实施方式中，前述晶化放热量、晶化温度和玻璃化转变温度可以通过使用岛津制作所制造的DSC/TA-50WS的差示扫描量热分析求出。将约10mg试样加入铝制非密封容器中，在氮气气流中（50mL/分钟）以升温速度20℃/分钟升温至熔点以上。骤冷后，再次在氮气气流中（30mL/分钟）以升温速度20℃/分钟升温至熔点以上。进一步骤冷后，再次在氮气气流中（30mL/分钟）以升温速度20℃/分钟升温至400℃。将以台阶状变化的基线的高度差的中点（比热变为一半时）的温度作为玻璃化转变温度（Tg），将其后出现的放热峰的温度作为晶化温度。根据由放热峰和基线围成的区域的面积，求出放热量，作为晶化放热量。
本实施方式的环状化合物在常压下、100℃以下，优选为120℃以下，更优选为130℃以下，进一步优选为140℃以下，特别优选为150℃以下升华性低是优选的。此处，升华性低是指在热重分析中，以规定温度保持10分钟时的重量减少为10%、优选为5%、更优选为3%、进一步优选为1%、特别优选为0.1%以下。由于升华性较低，所以能够防止因曝光时的放气导致的曝光装置的污染。另外，线边缘粗糙度（line edge roughness（LER））低能够进一步容易地得到良好的图案形状。
本实施方式的环状化合物优选满足F＜3.0（F表示总原子数/（总碳数-总氧原子数））、更优选满足F＜2.5。通过满足上述条件，从而使得耐干蚀刻性优异。
本实施方式的环状化合物优选的是在下述溶剂中在23℃下溶解1质量%以上、更优选为5质量%以上、进一步优选为10质量%以上，所述溶剂为选自丙二醇单甲醚乙酸酯（PGMEA）、丙二醇单甲醚（PGME）、环己酮（CHN）、环戊酮（CPN）、2-庚酮、苯甲醚、醋酸丁酯、丙酸乙酯以及乳酸乙酯、且对环状化合物显示最高的溶解能力的溶剂。
本实施方式的环状化合物优选的是，在23℃下、在选自PGMEA、PGME、CHN、且对环状化合物显示最高的溶解能力的溶剂中溶解20质量%以上，特别优选在23℃下、在PGMEA中溶解20质量%以上。满足上述条件时，可以在实际生产中的半导体制造工序中应用，为优选。
在不损害本发明的效果的范围内，也可以在本实施方式的环状化合物中引入氮原子。在本实施方式的环状化合物中引入氮原子时，氮原子数相对于前述环状化合物的总构成原子数的比率优选为0.1～40%、更优选为0.1～20%、进一步优选为0.1～10%、特别优选为0.1～5%。该比率处于上述范围内时，能够减小得到的抗蚀图案的LER。另外，引入的氮原子优选为仲氮原子或叔氮原子、更优选为叔氮原子。
在不损害本发明的效果的范围内，也可以向本实施方式的环状化合物引入通过照射可见光、紫外线、准分子激光、电子射线、远紫外线（EUV）、X射线以及离子束照射或者由它们诱发的化学反应而引起的交联反应的交联反应性基团。引入例如可以在碱催化剂下使环状化合物与交联反应性基团引入试剂反应来进行。作为交联反应性基团，可列举出碳-碳多重键、环氧基、叠氮基、卤代苯基以及氯甲基。作为交联反应性基团引入试剂，可列举出具有这样的交联反应性基团的酸、酰氯、酸酐、二碳酸酯等羧酸衍生物、卤代烷等。含有具有交联反应性基团的环状化合物的组合物作为高分辨率、高耐热性且溶剂可溶性的非高分子系辐射敏感组合物也是有用的。
在不损害本发明的效果的范围内，也可以向本实施方式的环状化合物的至少1个酚羟基中引入非酸解离性官能团。非酸解离性官能团是指在酸存在下不会断开且不会产生碱可溶性基团的特性基团。例如可列举出不会因为酸的作用而分解的、选自由碳数1～20（以下有时称为“C1～20”）的烷基、C3～20的环烷基、C6～20的芳基、C1～20的烷氧基、氰基、硝基、羟基、杂环基、卤素、羧基、C1～20的烷基硅烷以及它们的衍生物组成的组中的官能团等。
在不损害本发明的效果的范围内，也可以向本实施方式的环状化合物的至少1个酚羟基中引入萘醌二叠氮基酯基。对于向环状化合物的至少1个酚羟基中引入了萘醌二叠氮基酯基的环状化合物，其自身能够作为主要成分用作负型辐射敏感组合物的主要成分，除此以外，还能够用作正型辐射敏感组合物的主要成分、作为产酸剂、添加剂加入到辐射敏感组合物中。
在不损害本发明的效果的范围内，也可以向本实施方式的环状化合物的至少1个酚羟基中引入通过照射辐射线而产生酸的产酸性官能团。对于向环状化合物的至少1个酚羟基中引入了产酸性官能团的环状化合物，其自身能够作为主要成分用作负型辐射敏感组合物的主要成分，除此以外，还能够作为添加剂加入到辐射敏感组合物中。
本实施方式的环状化合物可以通过旋涂形成非晶膜，可以应用于一般的半导体制造工艺。
本实施方式的环状化合物通过照射KrF准分子激光、远紫外线、电子射线或X射线，引发化合物彼此的缩合反应而变为在碱显影液中难溶的化合物。因此，对于本实施方式的环状化合物，作为通过照射KrF准分子激光、远紫外线、电子射线或X射线而变为在显影液中难溶的化合物的负型抗蚀剂用材料是有用的。如此得到的抗蚀图案的LER非常小。
本实施方式的环状化合物除了能够作为负型辐射敏感组合物的主要成分使用以外，还能够作为例如用于提高灵敏度、提高耐蚀刻耐性的添加剂加入到辐射敏感组合物中。此时，环状化合物可以使用辐射敏感组合物的固体成分总重量的1～49.999质量%。
[环状化合物的制造方法]
对本实施方式的环状化合物的制造方法没有特别的限定，例如，可以通过选自由具有包含碘原子的一价基团的醛化合物（A1）组成的组中的1种以上的化合物与选自由酚化合物（A2）组成的组中的1种以上的化合物的缩合反应而适宜地得到。
作为前述醛化合物（A1）适宜的化合物为具有1～4个甲酰基以及包含碘原子的一价基团的碳数2～59的化合物，作为前述酚化合物（A2）适宜的化合物为具有1～3个酚羟基的碳数6～15的化合物。
前述适宜的醛化合物（A1）选自碳数2～59，具有1～4个甲酰基以及包含碘原子的一价基团的芳香族醛化合物（A1A）和脂肪族醛化合物（A1B）。
前述芳香族醛化合物（A1A）优选碳数7～24的苯甲醛化合物，例如可列举出碘苯甲醛、甲基碘苯甲醛、二甲基碘苯甲醛、乙基碘苯甲醛、丙基碘苯甲醛、丁基碘苯甲醛、乙基甲基碘苯甲醛、异丙基甲基碘苯甲醛、二乙基碘苯甲醛、甲氧基碘乙醛、碘萘甲醛、碘蒽甲醛、环丙基碘苯甲醛、环丁基碘苯甲醛、环戊基碘苯甲醛、环己基碘苯甲醛、苯基碘苯甲醛、萘基碘苯甲醛、金刚烷基碘苯甲醛、降冰片基碘苯甲醛、乳酰基碘苯甲醛、异丙基碘苯甲醛、正丙基碘苯甲醛、溴碘苯甲醛、二甲基氨基碘苯甲醛、羟基碘苯甲醛、二羟基碘苯甲醛、三羟基碘苯甲醛等，更优选碘苯甲醛、甲基碘苯甲醛、二甲基碘苯甲醛、乙基碘苯甲醛，进一步优选碘苯甲醛。
前述芳香族醛化合物（A1A）在不损害本发明的效果的范围内也可以具有碳数1～4的直链状或支链状烷基、氰基、羟基、卤素等。芳香族醛化合物（A1A）可以单独使用或组合两种以上使用。
前述脂肪族醛化合物（A1B）优选碳数3～24的化合物，例如可列举出碘丙醛、碘异丙醛、碘丁醛、碘异丁醛、碘叔丁醛、碘戊醛、碘异戊醛、碘新戊醛、碘己醛、碘异己醛、碘辛醛、碘癸醛、碘十二醛、碘十一醛、碘环丙烷甲醛、碘环丁烷甲醛、碘环己烷甲醛等，更优选碘异丁醛、碘叔丁醛、碘戊醛、碘异戊醛、碘新戊醛、碘己醛、碘异己醛、碘辛醛、碘癸醛、碘十二醛、碘环丙烷甲醛、碘环丁烷甲醛、碘环己烷甲醛，进一步优选碘辛醛、碘癸醛、碘十二醛、碘环己烷甲醛。
前述脂肪族醛化合物（A1B）在不损害本发明的效果的范围内也可以具有氰基、羟基、卤素等。脂肪族醛化合物（A1B）可以单独使用也可以组合两种以上使用。
前述适宜的酚化合物（A2）的碳数优选为6～15、更优选具有1～3个酚羟基。
作为前述酚化合物（A2）的例子，可列举出苯酚、邻苯二酚、间苯二酚、对苯二酚、邻苯三酚、3-甲氧基苯酚、3-乙氧基苯酚、3-环己氧基苯酚、1,3-二甲氧基苯、1,3-二乙氧基苯、1,3-二环己氧基苯等，优选间苯二酚、邻苯三酚、3-甲氧基苯酚、3-乙氧基苯酚、3-环己氧基苯酚、1,3-二甲氧基苯、1,3-二乙氧基苯、1,3-二环己氧基苯，进一步优选间苯二酚。
前述酚化合物（A2）在不损害本发明的效果的范围内也可以具有碳数1～4的直链状或支链状烷基、氰基、羟基、卤素等。酚化合物（A2）可以单独使用或组合两种以上使用。
对前述式（1）所示的本实施方式的环状化合物的制造方法没有特别的限定，例如，可以通过以下的方法得到。
在甲醇、乙醇等有机溶剂中，在酸催化剂（盐酸、硫酸或对甲苯磺酸等）的存在下，在40～150℃下使0.1～10摩尔酚化合物（A2）与（A1）醛化合物1摩尔反应0.5～20小时左右。接着，经过滤、利用甲醇等醇类的洗涤、水洗、过滤从而分离后，进行干燥，由此得到分子量为500～5000的环状化合物。使用碱性催化剂（氢氧化钠、氢氧化钡或1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯等）来代替酸催化剂，同样地进行反应也可以得到环状化合物。
进而，本实施方式的环状化合物也可以如下制造：用卤化氢或者卤素气体将上述醛化合物（A1）制成二卤代物，使分离的二卤代物与酚化合物（A2）反应。
由于可提高得到的环状化合物的对半导体安全溶剂的溶解性，所以更优选使用2种以上的醛化合物（A1）或酚化合物（A2）中的至少一者。
为了提高环状化合物的纯度、或为了降低剩余金属量，也可以根据需要对前述反应的产物进行纯化。另外，酸催化剂和助催化剂剩余时，一般组合物的贮存稳定性降低，碱性催化剂剩余时，一般组合物的灵敏度降低。因此，也可以进行以贮存稳定性、灵敏度的降低为目的纯化。
前述纯化只要是不使环状化合物改性，则能够通过公知的方法进行，没有特别的限定，例如可列举出用水洗涤的方法、用酸性水溶液洗涤的方法、用碱性水溶液洗涤的方法、用离子交换树脂处理的方法、用硅胶柱色谱法处理的方法等。这些纯化方法更优选组合两种以上进行。
根据应除去的金属、酸性化合物以及碱性化合物的量、种类、纯化的环状化合物的种类等，适当选择最适的酸性水溶液、碱性水溶液、离子交换树脂以及硅胶柱色谱法。例如，作为酸性水溶液，可以举出浓度为0.01～10mol/L的盐酸、硝酸、醋酸水溶液，作为碱性水溶液，可以举出浓度为0.01～10mol/L的氨水溶液，作为离子交换树脂，可以举出阳离子交换树脂，例如ORGANOCORPORATION制造的Amberlyst15J-HG Dry(商品名)等。
也可以在纯化后进行干燥。对干燥方法没有特别的限定，能够通过公知的方法进行，可列举出在不使环状化合物改性的条件下进行真空干燥、热风干燥的方法等。
[（辐射敏感性）组合物]
本实施方式的组合物含有前述式（1）所示的环状化合物和溶剂。
本实施方式的组合物具有辐射敏感性。此处，辐射敏感性是指感应紫外线、远紫外线、电子射线、X射线等辐射线、并对其物理性质、功能等产生变化的性质。以下，关于本实施方式的组合物，着眼于辐射敏感性的特性、应用例子进行叙述时，有时称为“（辐射敏感性）组合物”。
本实施方式的（辐射敏感性）组合物含有固体成分和溶剂。从对安全溶剂的溶解性、抗蚀图案特性的观点来看，本实施方式的（辐射敏感性）组合物相对于固体成分和溶剂的总计100质量份，优选含有1～80质量份固体成分和20～99质量份%溶剂。更优选为1～50质量份固体成分和50～99质量份溶剂、进一步优选为2～40质量份固体成分和60～98质量份溶剂、特别优选为2～10质量份固体成分和90～98质量份溶剂。
从对安全溶剂的溶解性、分辨率、LES等抗蚀图案特性的观点来看，本实施方式的（辐射敏感性）组合物的前述环状化合物为固体成分总质量（环状化合物、后述的产酸剂（C）、酸交联剂（G）、酸扩散控制剂（E）以及其它成分（F）等任意使用的固体成分的总和，以下同样）的50～99.999质量%、进一步优选为50～99.4质量%、更优选为55～90质量%、进一步优选为60～80质量%、特别优选为60～70质量%。
（溶剂）
对本实施方式使用的溶剂没有特别的限定，例如可列举出乙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单乙醚乙酸酯、乙二醇单正丙醚乙酸酯、乙二醇单正丁醚乙酸酯等乙二醇单烷基醚乙酸酯类；乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚等乙二醇单烷基醚系；丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、丙二醇单正丙醚乙酸酯、丙二醇单正丁醚乙酸酯等丙二醇单烷基醚乙酸酯类；丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚等丙二醇单烷基醚系；乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丙酯、乳酸正丁酯、乳酸正戊酯等乳酸酯类；醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸正丙酯、醋酸正丁酯、醋酸正戊酯、醋酸正己酯、丙酸甲酯、丙酸乙酯等脂肪族羧酸酯类；3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基-2-甲基丙酸甲酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲氧基-3-甲基丙酸丁酯、3-甲氧基-3-甲基酪酸丁酯、乙酰醋酸甲酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯等其它酯类；甲苯、二甲苯等芳香族烃类；2-庚酮、3-庚酮、4-庚酮、环戊酮、环己酮等酮类；N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺类；γ-内酯等内酯类等。这些溶剂可以单独使用也可以使用两种以上。
本实施方式使用的溶剂优选的是，选自PGMEA、PGME、CHN、CPN、2-庚酮、苯甲醚、醋酸丁酯、丙酸乙酯以及乳酸乙酯中的至少一种，更优选为选自PGMEA、PGME以及CHN中的至少一种。
（产酸剂）
本实施方式的（辐射敏感性）组合物优选含有一种以上的产酸剂（C），所述产酸剂（C）通过选自可见光、紫外线、准分子激光、电子射线、远紫外线（EUV）、X射线以及离子束中的任一者的辐射线的照射而直接或间接地产生酸。
产酸剂（C）的含量优选为固体成分的总质量的0.001～49质量%、更优选为1～40质量%、进一步优选为3～30质量%、特别优选为10～25质量%。通过在上述范围内使用，可以得到更高灵敏度且更低边缘粗糙度的图案轮廓。
本实施方式中，只要能在体系内产生酸，则对酸的产生方法没有限定。若代替g射线、i射线等紫外线使用准分子激光，则可以更微细加工，另外，作为高能源辐射线使用电子射线、远紫外线、X射线、离子束，则可以进一步微细加工。
对前述产酸剂（C）没有特别的限定，优选为选自由下述式（7-1）～（7-8）所示的化合物组成的组中的至少一种。
Figure BDA0000465034020000271
（式（7-1）中，R13可以相同也可以不同，分别独立地为氢原子、直链状、支链状或者环状烷基、直链状、支链状或者环状烷氧基、羟基或卤素原子；X-为具有烷基、芳基、卤素取代烷基或者卤素取代芳基的磺酸根离子或卤化物离子。）
前述式（7-1）所示的化合物优选为选自三苯基锍三氟甲烷磺酸酯、三苯基锍九氟正丁烷磺酸酯、二苯基甲苯基锍九氟正丁烷磺酸酯、三苯基锍全氟正辛烷磺酸酯、二苯基-4-甲基苯基锍三氟甲烷磺酸酯、二-2,4,6-三甲基苯基锍三氟甲烷磺酸酯、二苯基-4-叔丁氧基苯基锍三氟甲烷磺酸酯、二苯基-4-叔丁氧基苯基锍九氟正丁烷磺酸酯、二苯基-4-羟基苯基锍三氟甲烷磺酸酯、双（4-氟苯基）-4-羟基苯基锍三氟甲烷磺酸酯、二苯基-4-羟基苯基锍九氟正丁烷磺酸酯、双（4-羟基苯基）-苯基锍三氟甲烷磺酸酯、三（4-甲氧基苯基）锍三氟甲烷磺酸酯、三（4-氟苯基）锍三氟甲烷磺酸酯、三苯基锍对甲苯磺酸酯、三苯基锍苯磺酸酯、二苯基-2,4,6-三甲基苯基-对甲苯磺酸酯、二苯基-2,4,6-三甲基苯基锍-2-三氟甲基苯磺酸酯、二苯基-2,4,6-三甲基苯基锍-4-三氟甲基苯磺酸酯、二苯基-2,4,6-三甲基苯基锍-2,4-二氟苯磺酸酯、二苯基-2,4,6-三甲基苯基锍六氟苯磺酸酯、二苯基萘基锍三氟甲烷磺酸酯、二苯基-4-羟基苯基锍对甲苯磺酸酯、三苯基锍10-樟脑磺酸酯、二苯基-4-羟基苯基锍10-樟脑磺酸酯以及环（1,3-全氟丙烷二磺酸）亚胺盐组成的组中的至少一种。
（式（7-2）中，R14可以相同也可以不同，分别独立地表示氢原子、直链状、支链状或者环状烷基、直链状、支链状或者环状烷氧基、羟基或卤素原子。X-与前述同样。）
前述式（7-2）所示的化合物优选为选自由双（4-叔丁基苯基）碘鎓三氟甲烷磺酸酯、双（4-叔丁基苯基）碘鎓九氟正丁烷磺酸酯、双（4-叔丁基苯基）碘鎓全氟正辛烷磺酸酯、双（4-叔丁基苯基）碘鎓对甲苯磺酸酯、双（4-叔丁基苯基）碘鎓苯磺酸酯、双（4-叔丁基苯基）碘鎓-2-三氟甲基苯磺酸酯、双（4-叔丁基苯基）碘鎓-4-三氟甲基苯磺酸酯、双（4-叔丁基苯基）碘鎓-2,4-二氟苯磺酸酯、双（4-叔丁基苯基）碘鎓六氟苯磺酸酯、双（4-叔丁基苯基）碘鎓10-樟脑磺酸酯、二苯基碘鎓三氟甲烷磺酸酯、二苯基碘鎓九氟正丁烷磺酸酯、二苯基碘鎓全氟正辛烷磺酸酯、二苯基碘鎓对甲苯磺酸酯、二苯基碘鎓苯磺酸酯、二苯基碘鎓10-樟脑磺酸酯、二苯基碘鎓-2-三氟甲基苯磺酸酯、二苯基碘鎓-4-三氟甲基苯磺酸酯、二苯基碘鎓-2,4-二氟苯磺酸酯、二苯基碘鎓六氟苯磺酸酯、二（4-三氟甲基苯基）碘鎓三氟甲烷磺酸酯、二（4-三氟甲基苯基）碘鎓九氟正丁烷磺酸酯、二（4-三氟甲基苯基）碘鎓全氟正辛烷磺酸酯、二（4-三氟甲基苯基）碘鎓对甲苯磺酸酯、二（4-三氟甲基苯基）碘鎓苯磺酸酯以及二（4-三氟甲基苯基）碘鎓10-樟脑磺酸酯组成的组中的至少一种。
Figure BDA0000465034020000282
（式（7-3）中，Q为亚烷基、亚芳基或亚烷氧基、R15为烷基、芳基、卤素取代烷基或卤素取代芳基。）
前述式（7-3）所示的化合物优选为选自由N-（三氟甲基磺酰氧基）琥珀酰亚胺、N-（三氟甲基磺酰氧基）邻苯二甲酰亚胺、N-（三氟甲基磺酰氧基）二苯基马来酰亚胺、N-（三氟甲基磺酰氧基）双环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲酰亚胺、N-（三氟甲基磺酰氧基）萘基酰亚胺、N-（10-樟脑磺酰氧基）琥珀酰亚胺、N-（10-樟脑磺酰氧基）邻苯二甲酰亚胺、N-（10-樟脑磺酰氧基）二苯基马来酰亚胺、N-（10-樟脑磺酰氧基）双环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲酰亚胺、N-（10-樟脑磺酰氧基）萘基酰亚胺、N-（正辛烷磺酰氧基）双环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲酰亚胺、N-（正辛烷磺酰氧基）萘基酰亚胺、N-（对甲苯磺酰氧基）双环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲酰亚胺、N-（对甲苯磺酰氧基）萘基酰亚胺、N-（2-三氟甲基苯磺酰氧基）双环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲酰亚胺、N-（2-三氟甲基苯磺酰氧基）萘基酰亚胺、N-（4-三氟甲基苯磺酰氧基）双环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲酰亚胺、N-（4-三氟甲基苯磺酰氧基）萘基酰亚胺、N-（全氟苯磺酰氧基）双环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲酰亚胺、N-（全氟苯磺酰氧基）萘基酰亚胺、N-（1-萘磺酰氧基）双环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲酰亚胺、N-（1-萘磺酰氧基）萘基酰亚胺、N-（九氟正丁烷磺酰氧基）双环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲酰亚胺、N-（九氟正丁烷磺酰氧基）萘基酰亚胺、N-（全氟正辛烷磺酰氧基）双环[2.2.1]庚-5-烯-2,3-二甲酰亚胺以及N-（全氟正辛烷磺酰氧基）萘基酰亚胺组成的组中的至少一种。
Figure BDA0000465034020000291
（式（7-4）中，R16可以相同也可以不同，分别独立地为被任意取代的直链、支链或者环状烷基、被任意取代的芳基、被任意取代的杂芳基或被任意取代的芳烷基。）
前述式（7-4）所示的化合物优选为选自由二苯基二砜、二（4-甲基苯基）二砜、二萘基二砜、二（4-叔丁基苯基）二砜、二（4-羟基苯基）二砜、二（3-羟基萘基）二砜、二（4-氟苯基）二砜、二（2-氟苯基）二砜以及二（4-三氟甲基苯基）二砜组成的组中的至少一种。
（式（7-5）中，R17可以相同也可以不同，分别独立地为被任意取代的直链、支链或者环状烷基、被任意取代的芳基、被任意取代的杂芳基或被任意取代的芳烷基。）
前述式（7-5）所示的化合物优选为选自由α-（甲基磺酰氧基亚氨基）-苯基乙腈、α-（甲基磺酰氧基亚氨基）-4-甲氧基苯基乙腈、α-（三氟甲基磺酰氧基亚氨基）-苯基乙腈、α-（三氟甲基磺酰氧基亚氨基）-4-甲氧基苯基乙腈、α-（乙基磺酰氧基亚氨基）-4-甲氧基苯基乙腈、α-（丙基磺酰氧基亚氨基）-4-甲基苯基乙腈以及α-（甲基磺酰氧基亚氨基）-4-溴苯基乙腈组成的组中的至少一种。
（式（7-6）中，R18可以相同也可以不同，分别独立地为具有1个以上的氯原子和1个以上的溴原子的卤代烷基。卤代烷基的碳数优选为1～5。）
（式（7-7）以及（7-8）中，R19以及R20分别独立地为甲基、乙基、正丙基、异丙基等碳数1～3的烷基；环戊基、环己基等环烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基等碳数1～3的烷氧基；或苯基、甲苯甲酰基、萘基等芳基、优选为碳数6～10的芳基。L19和L20分别独立地为具有1,2-萘醌二叠氮基的有机基团。作为具有1,2-萘醌二叠氮基的有机基团，具体而言，可列举出1,2-萘醌二叠氮基-4-磺酰基、1,2-萘醌二叠氮基-5-磺酰基、1,2-萘醌二叠氮基-6-磺酰基等1,2-苯醌二叠氮基磺酰基作为优选的例子。特别优选1,2-萘醌二叠氮基-4-磺酰基以及1,2-萘醌二叠氮基-5-磺酰基。p为1～3的整数，q为0～4的整数，且1≤p＋q≤5。J19为单键、碳数1～4的多亚甲基、环亚烷基、亚苯基、下述式（7-7-1）所示的基团、羰基、酯基、酰胺基或醚基，Y19为氢原子、烷基或芳基，X20分别独立地为下述式（7-8-1）所示的基团。）
Figure BDA0000465034020000312
（式（7-8-1）中，Z22分别独立地为烷基、环烷基或芳基，R22为烷基、环烷基或烷氧基，r为0～3的整数。）
作为其它的产酸剂，可列举出双（对甲苯磺酰基）重氮甲烷、双（2,4-二甲基苯基磺酰基）重氮甲烷、双（叔丁基磺酰基）重氮甲烷、双（正丁基磺酰基）重氮甲烷、双（异丁基磺酰基）重氮甲烷、双（异丙基磺酰基）重氮甲烷、双（正丙基磺酰基）重氮甲烷、双（环己基磺酰基）重氮甲烷、双（异丙基磺酰基）重氮甲烷、1,3-双（环己基磺酰基偶氮甲基磺酰基）丙烷、1,4-双（苯基磺酰基偶氮甲基磺酰基）丁烷、1,6-双（苯基磺酰基偶氮甲基磺酰基）己烷、1,10-双（环己基磺酰基偶氮甲基磺酰基）癸烷等双磺酰基重氮甲烷类；2-（4-甲氧基苯基）-4,6-（双三氯甲基）-1,3,5-三嗪、2-（4-甲氧基萘基）-4,6-（双三氯甲基）-1,3,5-三嗪、三（2,3-二溴丙基）-1,3,5-三嗪、三（2,3-二溴丙基）异氰脲酸酯等含卤素的三嗪衍生物等。
上述产酸剂之中，优选具有芳香环的产酸剂，更优选式（7-1）或（7-2）所示的产酸剂。进一步优选具有式（7-1）或（7-2）的X-为具有芳基或者卤素取代芳基的磺酸根离子的产酸剂，特别优选具有X-为具有芳基的磺酸根离子的产酸剂，特别优选为二苯基三甲基苯基锍对甲苯磺酸酯、三苯基锍对甲苯磺酸酯、三苯基锍三氟甲烷磺酸酯、三苯基锍九氟甲烷磺酸酯。通过使用该产酸剂能够进一步降低LER。
上述产酸剂（C）可以单独使用或使用两种以上。
（酸交联剂（G））
本实施方式的（辐射敏感性）组合物优选含有一种以上酸交联剂（G）。酸交联剂（G）是指能够在由产酸剂（C）产生的酸的存在下使式（1）的环状化合物发生分子内交联或分子间交联的化合物。作为这样的酸交联剂（G），例如可列举出具有可以使式（1）的环状化合物发生交联的1种以上的基团（以下称为“交联性基团”。）的化合物。
对这样的交联性基团没有特别的限定，作为具体例子，例如可列举出（i）羟基（C1～6烷基）、C1～6烷氧基（C1～6烷基）、乙酰氧基（C1～6烷基）等羟基烷基或由它们衍生的基团；（ii）甲酰基、羧基（C1～6烷基）等羰基或由它们衍生的基团；（iii）二甲基氨基甲基、二乙基氨基甲基、二羟甲基氨基甲基、二羟乙基氨基甲基、吗啉基甲基等含氮基团；（iv）缩水甘油醚基、缩水甘油酯基、缩水甘油氨基等含有缩水甘油基的基团；（v）苄氧基甲基、苯甲酰氧基甲基等由C1～6烯丙氧基（C1～6烷基）、C1-C6芳烷基氧基（C1～6烷基）等芳香族基团衍生的基团；（vi）乙烯基、异丙烯基等含有聚合性多重键的基团等。作为本实施方式的酸交联剂（G）的交联性基团，优选羟基烷基、以及烷氧基烷基等，特别优选烷氧基甲基。
作为具有前述交联性基团的酸交联剂（G），没有特别的限定，例如可列举出（i）含羟甲基的三聚氰胺化合物、含羟甲基的的苯并胍胺化合物、含羟甲基的脲化合物、含羟甲基的甘脲化合物、含羟甲基的酚化合物等含羟甲基的化合物；（ii）含烷氧基烷基的三聚氰胺化合物、含烷氧基烷基的苯并胍胺化合物、含烷氧基烷基的脲化合物、含烷氧基烷基的甘脲化合物、含烷氧基烷基的酚化合物等含烷氧基烷基的化合物；（iii）含羧基甲基的三聚氰胺化合物、含羧基甲基的苯并胍胺化合物、含羧基甲基的脲化合物、含羧基甲基的甘脲化合物、含羧基甲基的酚化合物等含羧基甲基的化合物；（iv）双酚A系环氧化合物、双酚F系环氧化合物、双酚S系环氧化合物、酚醛树脂系环氧化合物、甲阶酚醛树脂系环氧化合物、聚（羟基苯乙烯）系环氧化合物等环氧化合物等。
作为酸交联剂（G），还可以使用在具有酚羟基的化合物、以及碱可溶性树脂中的酸性官能团上引入前述交联性基团而赋予了交联性的化合物和树脂。此时的交联性基团的引入率通常被调节至相对于具有酚羟基的化合物、以及碱可溶性树脂中的总酸性官能团为5～100摩尔%、优选为10～60摩尔%、进一步优选为15～40摩尔%。若满足上述范围，则充分进行交联反应，能避免残膜率的降低、图案的溶胀现象、弯曲等，故优选。
本实施方式的（辐射敏感性）组合物中，酸交联剂（G）优选烷氧基烷基化脲化合物或者其树脂、或烷氧基烷基化甘脲化合物或者其树脂。作为特别优选的酸交联剂（G），可列举出下述式（8-1）～（8-3）所示的化合物和烷氧基甲基化三聚氰胺化合物（酸交联剂（G1））。
Figure BDA0000465034020000341
（上述式（8-1）～（8-3）中，R7分别独立的表示氢原子、烷基或酰基；R8～R11分别独立地表示氢原子、羟基、烷基或烷氧基；X2表示单键、亚甲基或氧原子。）
R7表示的烷基优选为碳数1～6，更优选为碳数1～3，例如可列举出甲基、乙基、丙基。R7表示的酰基优选为碳数2～6，更优选为碳数2～4，例如可列举出乙酰基、丙酰基。R8～R11表示的烷基优选为碳数1～6，更优选为碳数1～3，例如可列举出甲基、乙基、丙基。R8～R11表示的烷氧基优选为碳数1～6，更优选为碳数1～3，例如可列举出甲氧基、乙氧基、丙氧基。X2优选单键或亚甲基。R7～R11、X2也可以被甲基、乙基等烷基、甲氧基、乙氧基等烷氧基、羟基、卤素原子等取代。多个R7、R8～R11可以各自相同也可以不同。
作为式（8-1）所示的化合物，具体而言，例如可列举出以下所示的化合物等。
Figure BDA0000465034020000342
作为式（8-2）所示的化合物，具体而言，例如可列举出N,N,N,N-四（甲氧基甲基）甘脲、N,N,N,N-四（乙氧基甲基）甘脲、N,N,N,N-四（正丙氧基甲基）甘脲、N,N,N,N-四（异丙氧基甲基）甘脲、N,N,N,N-四（正丁氧基甲基）甘脲、N,N,N,N-四（叔丁氧基甲基）甘脲等。其中，特别优选N,N,N,N-四（甲氧基甲基）甘脲。
作为式（8-3）所示的化合物，具体而言，例如可列举出以下所示的化合物等。
作为烷氧基甲基化三聚氰胺化合物，具体而言，例如可列举出N,N,N,N,N,N-六（甲氧基甲基）三聚氰胺、N,N,N,N,N,N-六（乙氧基甲基）三聚氰胺、N,N,N,N,N,N-六（正丙氧基甲基）三聚氰胺、N,N,N,N,N,N-六（异丙氧基甲基）三聚氰胺、N,N,N,N,N,N-六（正丁氧基甲基）三聚氰胺、N,N,N,N,N,N-六（叔丁氧基甲基）三聚氰胺等。其中，特别优选N,N,N,N,N,N-六（甲氧基甲基）三聚氰胺。
前述酸交联剂（G1）例如可以如下得到：通过使尿素化合物或甘脲化合物、和福尔马林进行缩合反应来引入羟甲基后，再用甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等低级醇类使其醚化，接着将反应液冷却并回收析出的化合物或其树脂。另外，前述酸交联剂（G1）还可以以CYMEL（商品名，三井サイアナミッド制造）、NIKALAC（SANWA CHEMICAL CO.,LTD.制造）之类的市售品的形式获取。
另外，作为其它特别优选的酸交联剂（G），可列举出分子内具有1～6个苯环、整个分子内具有2个以上羟基烷基和/或烷氧基烷基、且该羟基烷基和/或烷氧基烷基与前述任一苯环结合的酚衍生物（酸交联剂（G2））。优选的是，可列举出分子量为1500以下，分子内具有1～6个苯环、共具有2个以上羟基烷基和/或烷氧基烷基、且该羟基烷基和/或烷氧基烷基与前述任一苯环、或多个苯环结合的酚衍生物。
作为与苯环结合的羟基烷基，优选羟基甲基、2-羟基乙基、以及2-羟基-1-丙基等碳数1～6的羟基烷基。作为与苯环结合的烷氧基烷基，优选碳数2～6的烷氧基烷基。具体而言，优选甲氧基甲基、乙氧基甲基、正丙氧基甲基、异丙氧基甲基、正丁氧基甲基、异丁氧基甲基、仲丁氧基甲基、叔丁氧基甲基、2-甲氧基乙基或2-甲氧基-1-丙基。
这些酚衍生物之中，以下举出特别优选的例子。
Figure BDA0000465034020000361
Figure BDA0000465034020000381
（上述式中，L1～L8可以相同也可以不同，分别独立地表示羟基甲基、甲氧基甲基或乙氧基甲基。）
具有羟基甲基的酚衍生物可以在碱催化剂下使对应的不具有羟基甲基的酚化合物（上述式中L1～L8为氢原子的化合物）与甲醛反应来得到。此时，为了防止树脂化、凝胶化，优选在反应温度为60℃以下进行。具体而言，可以通过日本特开平6-282067号公报、日本特开平7-64285号公报等中记载的方法来合成。
具有烷氧基甲基的酚衍生物可以通过在酸催化剂下使对应的具有羟基甲基的酚衍生物与醇反应来得到。此时，为了防止树脂化、凝胶化，优选在反应温度为100℃以下进行。具体而言，可以通过EP632003A1等中记载的方法来合成。
从保存时的稳定性的观点考虑，优选的是如此合成的具有羟基甲基和/或烷氧基甲基的酚衍生物，从保存时的稳定性的观点来看特别优选具有烷氧基甲基的酚衍生物。酸交联剂（G2）可以单独使用或组合两种以上使用。
另外，作为其它特别优选的酸交联剂（G），可列举出具有至少一个α-羟基异丙基的化合物（酸交联剂（G3））。只要具有α-羟基异丙基，则对其结构没有特别的限定。另外，上述α-羟基异丙基中的羟基的氢原子也可以被1种以上的酸解离性基团（R-COO-基、R-SO2-基等，其中R表示选自由碳数1～12的直链状烃基、碳数3～12的环状烃基、碳数1～12的烷氧基、碳数3～12的1-支链烷基以及碳数6～12的芳香族烃基组成的组中的取代基）所取代。作为上述具有α-羟基异丙基的化合物，例如可列举出含有至少一个α-羟基异丙基的取代或非取代的芳香族系化合物、二苯基化合物、萘化合物、呋喃化合物等中的1种或2种以上。具体而言，例如可列举出下述通式（9-1）所示的化合物（以下，称为“苯系化合物（1）”。）、下述通式（9-2）所示的化合物（以下，称为“二苯基系化合物（2）”。）、下述通式（9-3）所示的化合物（以下，称为“萘系化合物（3）”。）、以及下述通式（9-4）所示的化合物（以下，称为“呋喃系化合物（4）”。）等。
Figure BDA0000465034020000391
（上述通式（9-1）～（9-4）中，各A2独立地表示α-羟基异丙基或氢原子、且至少一个A2为α-羟基异丙基。另外，通式（9-1）中，R51表示氢原子、羟基、碳数2～6的直链状或者支链状的烷基羰基或碳数2～6的直链状或者支链状的烷氧基羰基。进而，通式（9-2）中，R52表示单键、碳数1～5的直链状或者支链状的亚烷基、-O-、-CO-或-COO-。此外，通式（9-4）中，R53和R54相互独立地表示氢原子或碳数1～6的直链状或者支链状的烷基。）
作为上述苯系化合物（1），具体而言，例如可列举出α-羟基异丙基苯、1,3-双（α-羟基异丙基）苯、1,4-双（α-羟基异丙基）苯、1,2,4-三（α-羟基异丙基）苯、1,3,5-三（α-羟基异丙基）苯等α-羟基异丙基苯类；3-α-羟基异丙基苯酚、4-α-羟基异丙基苯酚、3,5-双（α-羟基异丙基）苯酚、2,4,6-三（α-羟基异丙基）苯酚等α-羟基异丙基苯酚类；3-α-羟基异丙基苯基甲基酮、4-α-羟基异丙基苯基甲基酮、4-α-羟基异丙基苯基乙基酮、4-α-羟基异丙基苯基正丙基酮、4-α-羟基异丙基苯基异丙基酮、4-α-羟基异丙基苯基正丁基酮、4-α-羟基异丙基苯基-叔丁基酮、4-α-羟基异丙基苯基正戊基酮、3,5-双（α-羟基异丙基）苯基甲基酮、3,5-双（α-羟基异丙基）苯基乙基酮、2,4,6-三（α-羟基异丙基）苯基甲基酮等α-羟基异丙基苯基烷基酮类；3-α-羟基异丙基苯甲酸甲酯、4-α-羟基异丙基苯甲酸甲酯、4-α-羟基异丙基苯甲酸乙酯、4-α-羟基异丙基苯甲酸正丙酯、4-α-羟基异丙基苯甲酸异丙酯、4-α-羟基异丙基苯甲酸正丁酯、4-α-羟基异丙基苯甲酸叔丁酯、4-α-羟基异丙基苯甲酸正戊酯、3,5-双（α-羟基异丙基）苯甲酸甲酯、3,5-双（α-羟基异丙基）苯甲酸乙酯、2,4,6-三（α-羟基异丙基）苯甲酸甲酯等4-α-羟基异丙基苯甲酸烷基酯类等。
另外，作为上述二苯基系化合物（2），具体而言，例如可列举出3-α-羟基异丙基联苯、4-α-羟基异丙基联苯、3,5-双（α-羟基异丙基）联苯、3,3’-双（α-羟基异丙基）联苯、3,4’-双（α-羟基异丙基）联苯、4,4’-双（α-羟基异丙基）联苯、2,4,6-三（α-羟基异丙基）联苯、3,3’,5-三（α-羟基异丙基）联苯、3,4’,5-三（α-羟基异丙基）联苯、2,3’,4,6-四（α-羟基异丙基）联苯、2,4,4’,6-四（α-羟基异丙基）联苯、3,3’,5,5’-四（α-羟基异丙基）联苯、2,3’,4,5’,6-五（α-羟基异丙基）联苯、2,2’,4,4’,6,6’-六（α-羟基异丙基）联苯等α-羟基异丙基联苯类；3-α-羟基异丙基二苯基甲烷、4-α-羟基异丙基二苯基甲烷、1-（4-α-羟基异丙基苯基）-2-苯基乙烷、1-（4-α-羟基异丙基苯基）-2-苯基丙烷、2-（4-α-羟基异丙基苯基）-2-苯基丙烷、1-（4-α-羟基异丙基苯基）-3-苯基丙烷、1-（4-α-羟基异丙基苯基）-4-苯基丁烷、1-（4-α-羟基异丙基苯基）-5-苯基戊烷、3,5-双（α-羟基异丙基）二苯基甲烷、3,3’-双（α-羟基异丙基）二苯基甲烷、3,4’-双（α-羟基异丙基）二苯基甲烷、4,4’-双（α-羟基异丙基）二苯基甲烷、1,2-双（4-α-羟基异丙基苯基）乙烷、1,2-双（4-α-羟基丙基苯基）丙烷、2,2-双（4-α-羟基丙基苯基）丙烷、1,3-双（4-α-羟基丙基苯基）丙烷、2,4,6-三（α-羟基异丙基）二苯基甲烷、3,3’,5-三（α-羟基异丙基）二苯基甲烷、3,4’,5-三（α-羟基异丙基）二苯基甲烷、2,3’,4,6-四（α-羟基异丙基）二苯基甲烷、2,4,4’,6-四（α-羟基异丙基）二苯基甲烷、3,3’,5,5’-四（α-羟基异丙基）二苯基甲烷、2,3’,4,5’,6-五（α-羟基异丙基）二苯基甲烷、2,2’,4,4’,6,6’-六（α-羟基异丙基）二苯基甲烷等α-羟基异丙基二苯基链烷类；3-α-羟基异丙基二苯基醚、4-α-羟基异丙基二苯基醚、3,5-双（α-羟基异丙基）二苯基醚、3,3’-双（α-羟基异丙基）二苯基醚、3,4’-双（α-羟基异丙基）二苯基醚、4,4’-双（α-羟基异丙基）二苯基醚、2,4,6-三（α-羟基异丙基）二苯基醚、3,3’,5-三（α-羟基异丙基）二苯基醚、3,4’,5-三（α-羟基异丙基）二苯基醚、2,3’,4,6-四（α-羟基异丙基）二苯基醚、2,4,4’,6-四（α-羟基异丙基）二苯基醚、3,3’,5,5’-四（α-羟基异丙基）二苯基醚、2,3’,4,5’,6-五（α-羟基异丙基）二苯基醚、2,2’,4,4’,6,6’-六（α-羟基异丙基）二苯基醚等α-羟基异丙基二苯基醚系；3-α-羟基异丙基二苯基酮、4-α-羟基异丙基二苯基酮、3,5-双（α-羟基异丙基）二苯基酮、3,3’-双（α-羟基异丙基）二苯基酮、3,4’-双（α-羟基异丙基）二苯基酮、4,4’-双（α-羟基异丙基）二苯基酮、2,4,6-三（α-羟基异丙基）二苯基酮、3,3’,5-三（α-羟基异丙基）二苯基酮、3,4’,5-三（α-羟基异丙基）二苯基酮、2,3’,4,6-四（α-羟基异丙基）二苯基酮、2,4,4’,6-四（α-羟基异丙基）二苯基酮、3,3’,5,5’-四（α-羟基异丙基）二苯基酮、2,3’,4,5’,6-五（α-羟基异丙基）二苯基酮、2,2’,4,4’,6,6’-六（α-羟基异丙基）二苯基酮等α-羟基异丙基二苯基酮类；3-α-羟基异丙基苯甲酸苯酯、4-α-羟基异丙基苯甲酸苯酯、苯甲酸3-α-羟基异丙基苯酯、苯甲酸4-α-羟基异丙基苯酯、3,5-双（α-羟基异丙基）苯甲酸苯酯、3-α-羟基异丙基苯甲酸3-α-羟基异丙基苯酯、3-α-羟基异丙基苯甲酸4-α-羟基异丙基苯酯、4-α-羟基异丙基苯甲酸3-α-羟基异丙基苯酯、4-α-羟基异丙基苯甲酸4-α-羟基异丙基苯酯、苯甲酸3,5-双（α-羟基异丙基）苯酯、2,4,6-三（α-羟基异丙基）苯甲酸苯酯、3,5-双（α-羟基异丙基）苯甲酸3-α-羟基异丙基苯酯、3,5-双（α-羟基异丙基）苯甲酸4-α-羟基异丙基苯酯、3-α-羟基异丙基苯甲酸3,5-双（α-羟基异丙基）苯酯、4-α-羟基异丙基苯甲酸3,5-双（α-羟基异丙基）苯酯、苯甲酸2,4,6-三（α-羟基异丙基）苯酯、2,4,6-三（α-羟基异丙基）苯甲酸3-α-羟基异丙基苯酯、2,4,6-三（α-羟基异丙基）苯甲酸4-α-羟基异丙基苯酯、3,5-双（α-羟基异丙基）苯甲酸3,5-双（α-羟基异丙基）苯酯、3-α-羟基异丙基苯甲酸2,4,6-三（α-羟基异丙基）苯酯、4-α-羟基异丙基苯甲酸2,4,6-三（α-羟基异丙基）苯酯、2,4,6-三（α-羟基异丙基）苯甲酸3,5-双（α-羟基异丙基）苯酯、3,5-双（α-羟基异丙基）苯甲酸2,4,6-三（α-羟基异丙基）苯酯、2,4,6-三（α-羟基异丙基）苯甲酸2,4,6-三（α-羟基异丙基）苯酯等α-羟基异丙基苯甲酸苯酯类等。
进而，作为上述萘系化合物（3），具体而言，例如可列举出1-（α-羟基异丙基）萘、2-（α-羟基异丙基）萘、1,3-双（α-羟基异丙基）萘、1,4-双（α-羟基异丙基）萘、1,5-双（α-羟基异丙基）萘、1,6-双（α-羟基异丙基）萘、1,7-双（α-羟基异丙基）萘、2,6-双（α-羟基异丙基）萘、2,7-双（α-羟基异丙基）萘、1,3,5-三（α-羟基异丙基）萘、1,3,6-三（α-羟基异丙基）萘、1,3,7-三（α-羟基异丙基）萘、1,4,6-三（α-羟基异丙基）萘、1,4,7-三（α-羟基异丙基）萘、1,3,5,7-四（α-羟基异丙基）萘等。
另外，作为上述呋喃系化合物（4），具体而言，例如可列举出3-（α-羟基异丙基）呋喃、2-甲基-3-（α-羟基异丙基）呋喃、2-甲基-4-（α-羟基异丙基）呋喃、2-乙基-4-（α-羟基异丙基）呋喃、2-正丙基-4-（α-羟基异丙基）呋喃、2-异丙基-4-（α-羟基异丙基）呋喃、2-正丁基-4-（α-羟基异丙基）呋喃、2-叔丁基-4-（α-羟基异丙基）呋喃、2-正戊基-4-（α-羟基异丙基）呋喃、2,5-二甲基-3-（α-羟基异丙基）呋喃、2,5-二乙基-3-（α-羟基异丙基）呋喃、3,4-双（α-羟基异丙基）呋喃、2,5-二甲基-3,4-双（α-羟基异丙基）呋喃、2,5-二乙基-3,4-双（α-羟基异丙基）呋喃等。
作为上述酸交联剂（G3），优选具有2个以上游离的α-羟基异丙基的化合物，进一步优选具有2个以上α-羟基异丙基的前述苯系化合物（1）、具有2个以上α-羟基异丙基的前述二苯基系化合物（2）、具有2个以上α-羟基异丙基的前述萘系化合物（3），特别优选具有2个以上α-羟基异丙基的α-羟基异丙基联苯类、具有2个以上α-羟基异丙基的萘系化合物（3）。
上述酸交联剂（G3）通常可如下获得：在使1,3-二乙酰基苯等含有乙酰基的化合物与CH3MgBr等格氏试剂反应而甲基化后进行水解的方法；通过利用氧等使1,3-二异丙基苯等含有异丙基的化合物氧化来生成过氧化物后进行还原的方法。
本实施方式中酸交联剂（G）的含量优选为固体成分的总质量的0.5～49质量%、更优选为0.5～40质量%、进一步优选为1～30质量%、特别优选为2～20质量%。上述酸交联剂（G）的含量为0.5质量%以上时，抗蚀膜对碱显影液的溶解性的抑制效果提高、残膜率降低，或者能够抑制图案的溶胀、弯曲的产生，故而优选，另一方面，为49质量%以下时，能够进一步抑制作为抗蚀剂的耐热性的降低，故而优选。
另外，对上述酸交联剂（G）中的选自上述酸交联剂（G1）、酸交联剂（G2）、酸交联剂（G3）中的至少1种的化合物的含有比率没有特别的限定，可以根据形成抗蚀图案时使用的基板的种类等设定各种范围。
总酸交联剂成分中，上述烷氧基甲基化三聚氰胺化合物和/或（9-1）～（9-3）所示的化合物为50～99质量%、优选为60～99质量%、更优选为70～98质量%、进一步优选为80～97质量%。通过使烷氧基甲基化三聚氰胺化合物和/或（9-1）～（9-3）所示的化合物为总酸交联剂成分的50质量%以上，从而能够提高分辨率，故而优选，通过使其为99质量%以下，作为图案截面形状容易形成为矩形状的截面形状，故优选。
（酸扩散控制剂（E））
本实施方式中，（辐射敏感性）组合物中也可以含有酸扩散控制剂（E），该酸扩散控制剂（E）具有下述作用：控制由于辐射线照射使产酸剂产生的酸在抗蚀膜中的扩散，阻止在未曝光区域发生不优选的化学反应等。通过使用这样的酸扩散控制剂（E），（辐射敏感性）组合物的贮藏稳定性提高。另外，分辨率提高，并且能够抑制因辐射线照射前的曝光后延迟显影时间(postexposure time delay)、辐射线照射后的曝光后延迟显影时间的变动所导致的抗蚀图案的线宽变化，工艺稳定性变得极其优异。这样的酸扩散控制剂（E）可列举出含氮原子的碱性化合物、碱性锍化合物、碱性碘鎓化合物等辐射线分解性碱性化合物。酸扩散控制剂（E）可以单独使用也可以使用两种以上。
作为上述酸扩散控制剂，没有特别的限定，例如可以列举出含氮有机化合物、通过曝光而分解的碱性化合物等。作为上述含氮有机化合物，例如可列举出下述通式（10）所示的化合物（以下，称为“含氮化合物（I）”。），同一分子内具有2个氮原子的二氨基化合物（以下，称为“含氮化合物（II）”。）、具有3个以上氮原子的多氨基化合物、聚合物（以下，称为“含氮化合物（III）”。）、含酰胺基化合物、脲化合物、以及含氮杂环式化合物等。需要说明的是，酸扩散控制剂（E）可以单独使用一种也可以并用两种以上。
Figure BDA0000465034020000441
上述通式（10）中，R61、R62以及R63相互独立地表示氢原子、直链状、支链状或者环状的烷基、芳基或芳烷基。另外，上述烷基、芳基或芳烷基可以为不被取代，也可以被羟基等取代。此处，作为上述直链状、支链状或者环状的烷基，例如可列举出碳数1～15、优选为1～10的烷基，具体而言，可以列举出甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、新戊基、正己基、1,1,2-三甲基丙基（thexyl group）、正庚基、正辛基、正乙基己基、正壬基、正癸基等。另外，作为上述芳基，可列举出碳数6～12的芳基，具体而言，可列举出苯基、甲苯基、二甲苯基、异丙苯基、1-萘基等。进而，作为上述芳烷基，可列举出碳数7～19的芳烷基、优选为7～13的芳烷基，具体而言，可列举出苄基、α-甲基苄基、苯乙基、萘基甲基等。
作为上述含氮化合物（I），具体而言，例如可列举出正己基胺、正庚基胺、正辛基胺、正壬基胺、正癸基胺、正十二烷基胺、环己基胺等单（环）烷基胺类；二正丁基胺、二正戊基胺、二正己基胺、二正庚基胺、二正辛基胺、二正壬基胺、二正癸基胺、甲基正十二烷基胺、二正十二烷基甲基胺、环己基甲基胺、二环己基胺等二（环）烷基胺类；三乙胺、三正丙基胺、三正丁基胺、三正戊基胺、三正己基胺、三正庚基胺、三正辛基胺、三正壬基胺、三正癸基胺、二甲基正十二烷基胺、二正十二烷基甲基胺、二环己基甲基胺、三环己基胺等三（环）烷基胺类；单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等链烷醇胺类；苯胺、N-甲基苯胺、N,N-二甲基苯胺、2-甲基苯胺、3-甲基苯胺、4-甲基苯胺、4-硝基苯胺、二苯基胺、三苯基胺、1-萘基胺等芳香族胺类等。
作为上述含氮化合物（II），具体而言，例如可列举出乙二胺、N,N,N’,N’-四甲基乙二胺、N,N,N’,N’-四（2-羟基丙基）乙二胺、四亚甲基二胺、六亚甲基二胺、4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-二氨基二苯甲酮、4,4’-二氨基二苯基胺、2,2-双（4-氨基苯基）丙烷、2-（3-氨基苯基）-2-（4-氨基苯基）丙烷、2-（4-氨基苯基）-2-（3-羟基苯基）丙烷、2-（4-氨基苯基）-2-（4-羟基苯基）丙烷、1,4-双[1-（4-氨基苯基）-1-甲基乙基]苯、1,3-双[1-（4-氨基苯基）-1-甲基乙基]苯等。
作为上述含氮化合物（III)，具体而言，例如可列举出聚亚乙基亚胺、聚烯丙基胺、N-（2-二甲基氨基乙基）丙烯酰胺的聚合物等。
作为上述含酰胺基化合物，具体而言，例如可列举出甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、丙酰胺、苯甲酰胺、吡咯烷酮、N-甲基吡咯烷酮等。
作为上述脲化合物，具体而言，例如可列举出尿素、甲基脲、1,1-二甲基脲、1,3-二甲基脲、1,1,3,3-四甲基脲、1,3-二苯基脲、三正丁基硫脲等。
作为上述含氮杂环式化合物，具体而言，例如可列举出咪唑、苯并咪唑、4-甲基咪唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-苯基苯并咪唑等咪唑类；吡啶、2-甲基吡啶、4-甲基吡啶、2-乙基吡啶、4-乙基吡啶、2-苯基吡啶、4-苯基吡啶、2-甲基-4-苯基吡啶、烟碱、烟酸、烟酰胺、喹啉、8-氧喹啉、吖啶等吡啶类；以及吡嗪、吡唑、哒嗪、喹啉、嘌呤、吡咯烷、哌啶、吗啉、4-甲基吗啉、哌嗪、1,4-二甲基哌嗪、1,4-二氮杂双环[2.2.2]辛烷等。
另外，作为上述辐射线分解性碱性化合物，例如可列举出下述通式（11-1）表示的锍化合物和下述通式（11-2）所示的碘鎓化合物等。
Figure BDA0000465034020000461
（上述通式（11-1）以及（11-2）中，R71、R72、R73、R74以及R75相互独立地表示氢原子、碳数1～6的烷基、碳数1～6的烷氧基、羟基或卤素原子。Z-表示HO-、R-COO-（其中，R表示碳数1～6的烷基、碳数6～11的芳基或者碳数7～12的烷芳基。）或下述通式（11-3）所示的阴离子）。
Figure BDA0000465034020000471
作为上述辐射线分解性碱性化合物，具体而言，例如可列举出三苯基锍氢氧化物、三苯基锍乙酸盐、三苯基锍水杨酸盐、二苯基-4-羟基苯基锍氢氧化物、二苯基-4-羟基苯基锍乙酸盐、二苯基-4-羟基苯基锍水杨酸盐、双（4-叔丁基苯基）碘鎓氢氧化物、双（4-叔丁基苯基）碘鎓乙酸盐、双（4-叔丁基苯基）碘鎓氢氧化物、双（4-叔丁基苯基）碘鎓乙酸盐、双（4-叔丁基苯基）碘鎓水杨酸盐、4-叔丁基苯基-4-羟基苯基碘鎓氢氧化物、4-叔丁基苯基-4-羟基苯基碘鎓乙酸盐、4-叔丁基苯基-4-羟基苯基碘鎓水杨酸盐等。
酸扩散控制剂（E）的含量优选为固体成分的总质量的0.001～49质量%、更优选为0.01～10质量%、进一步优选为0.01～5质量%、特别优选为0.01～3质量%。处于上述范围内，则能够进一步抑制分辨率的降低、图案形状、尺寸保真度等的劣化。进而，即使自电子射线照射到辐射线照射后进行加热为止的曝光后延迟显影时间变长，图案上层部的形状也不会劣化。另外，含量为10质量%以下时，能够防止灵敏度、未曝光部的显影性等的降低。另外，通过使用这样的酸扩散控制剂，（辐射敏感性）组合物的贮藏稳定性提高、且分辨率提高，并且能够抑制因辐射线照射前的曝光后延迟显影时间、辐射线照射后的曝光后延迟显影时间的变动所导致的抗蚀图案的线宽变化，工艺稳定性变得极其优异。
（任意成分（F））
在不阻碍本发明的目的范围内，根据需要可以在本实施方式的组合物中添加1种或2种以上的溶解促进剂、溶解控制剂、敏化剂、表面活性剂及有机羧酸或磷的含氧酸或者其衍生物等各种添加剂作为其它成分（任意成分）（F）。
（1）溶解促进剂
低分子量溶解促进剂是具有下述作用的成分，能够在不损害本实施方式的效果的范围内使用：具有在式（1）所示的环状化合物的对显影液的溶解性过低时，提高其溶解性，从而适度地增大显影时的环状化合物的溶解速度。
作为前述溶解促进剂，没有特别的限定，例如可列举出低分子量的酚化合物，例如可列举出双酚类、三（羟基苯基）甲烷等。这些溶解促进剂可以单独或混合两种以上使用。
溶解促进剂的含量可以根据使用的环状化合物的种类进行适宜调节，优选为固体成分总重量的0～49质量%、更优选为0～5质量%、进一步优选为0～1质量%、特别优选为0质量%。
（2）溶解控制剂
溶解控制剂是具有以下作用的成分：在式（1）所示的环状化合物的对显影液的溶解性过高时控制其溶解性，从而适度地减少显影时的溶解速度。作为这样的溶解控制剂，优选为在抗蚀覆膜的煅烧、辐射线照射、显影等工序中不发生化学变化的溶解控制剂。
作为溶解控制剂，没有特别的限定，例如可列举出菲、蒽、苊等芳香族烃类；苯乙酮、二苯甲酮、苯基萘基酮等酮类；甲基苯基砜、二苯基砜、二萘基砜等砜类等。这些溶解控制剂可以单独使用也可以使用两种以上。
溶解控制剂的含量可以根据使用的环状化合物的种类进行适宜调节，优选为固体成分的总质量的0～49质量%、更优选为0～5质量%、进一步优选为0～1质量%、特别优选为0质量%。
（3）敏化剂
敏化剂具有吸收被照射的辐射线的能量、并将该能量传送给产酸剂（C）从而增加酸生成量的作用，是提高抗蚀剂的表观灵敏度的成分。
作为这样的敏化剂，例如可列举出二苯甲酮类、双乙酰类、芘类、吩噻嗪类、芴类等，但没有特别的限定。这些敏化剂可以单独使用也可以使用两种以上。敏化剂的含量可以根据使用的环状化合物的种类进行适宜调节，优选为固体成分的总质量的0～49质量%、更优选为0～5质量%、进一步优选为0～1质量%、特别优选为0质量%。
（4）表面活性剂
表面活性剂是具有改良本实施方式的组合物的涂布性、条纹（Striation）、抗蚀剂的显影性等作用的成分。
对这样的表面活性剂没有特别的限定，可以使用阴离子系、阳离子系、非离子系或者两性中的任一者。优选的表面活性剂为非离子系表面活性剂。非离子系表面活性剂与（辐射敏感性）组合物的制造中使用的溶剂的亲和性好，更具效果。作为非离子系表面活性剂的例子，可列举出聚氧乙烯高级烷基醚系、聚氧乙烯高级烷基苯基醚系、聚乙二醇的高级脂肪酸二酯类等，但没有特别的限定。作为市售品，可列举出以以下商品名计的FTOP（JEMCO公司制造）、MEGAFACE（大日本油墨化学工业公司制造）、Fluorad（Sumitomo3M Limited制造）、AashiGuard、Surflon（以上，旭硝子公司制造）、Pepole（东邦化学工业公司制造）、KP（信越化学工业公司制造）、Polyflow（共荣社油脂化学工业公司制造）等。
表面活性剂的含量可以根据使用的环状化合物的种类进行适宜调节，优选为固体成分的总质量的0～49质量%、更优选为0～5质量%、进一步优选为0～1质量%、特别优选为0质量%。
（5）有机羧酸或磷的含氧酸或者其衍生物
为了防止本实施方式的组合物的灵敏度劣化或改善抗蚀图案形状、提高曝光后延迟显影稳定性等，还可以含有有机羧酸或磷的含氧酸或者其衍生物作为任意成分。需要说明的是，可以与酸扩散控制剂并用也可以单独使用。作为有机羧酸，例如，丙二酸、柠檬酸、苹果酸、琥珀酸、苯甲酸、水杨酸等是适宜的。作为磷的含氧酸或者其衍生物，可列举出磷酸、磷酸二正丁酯、磷酸二苯酯等磷酸或它们的酯等衍生物；膦酸、膦酸二甲酯、膦酸二正丁酯、苯基膦酸、膦酸二苯酯、膦酸二苄酯等膦酸或它们的酯等衍生物；次膦酸、苯基次膦酸等次膦酸以及它们的酯等衍生物，这些之中特别优选膦酸。
有机羧酸或磷的含氧酸或者其衍生物可以单独使用或者使用两种以上。有机羧酸或磷的含氧酸或者其衍生物的含量可以根据使用的环状化合物的种类进行适宜调节，优选为固体成分的总质量的0～49质量%、更优选为0～5质量%、进一步优选为0～1质量%、特别优选为0质量%。
（6）上述溶解控制剂、敏化剂、表面活性剂、以及有机羧酸或磷的含氧酸或者其衍生物以外的其它添加剂
进而，在不阻碍本发明目的的范围内，可以根据需要在本实施方式的组合物中含有1种或2种以上的上述溶解控制剂、敏化剂、以及表面活性剂以外的添加剂。作为这样的添加剂，例如可列举出染料、颜料、以及粘接助剂等。例如，含有染料或颜料时，能够使曝光部的潜像可视化，缓和曝光时的光晕的影响，故优选。另外，含有粘接助剂时，能够改善与基板的粘接性，故优选。进而，作为其它添加剂，可列举出防光晕剂、贮存稳定剂、消泡剂、形状改良剂等，具体而言，可列举出4-羟基-4’-甲基查尔酮等。
前述任意成分（F）的总量优选为固体成分的总质量的0～49质量%、更优选为0～5质量%、进一步优选为0～1质量%、特别优选为0质量%。
本实施方式的组合物优选在前述环状化合物的基础上还含有产酸剂（C）、酸交联剂（G）以及酸扩散控制剂（E），此时，从灵敏度、分辨率、显影性等观点来看，其含有比率相对于固形物基准的质量%即固体成分的总质量，环状化合物/产酸剂（C）/酸交联剂（G）/酸扩散控制剂（E）/任意成分（F）优选为50～99.4/0.001～49/0.5～49/0.001～49/0～49、更优选为55～90/1～40/0.5～40/0.01～10/0～5、进一步优选为60～80/3～30/1～30/0.01～5/0～1、特别优选为60～70/10～25/2～20/0.01～3/0。各成分的含有比率可以按照其总和为100质量%的方式从各范围中选择。
如上所述，前述环状化合物、前述产酸剂（C）、前述酸交联剂（G）和前述酸扩散控制剂（E）的总含量相对于固体成分的总质量优选为51质量%以上、更优选为95质量%以上、进一步优选为99质量%以上、特别优选为100质量%。
[组合物的制备等]
对本实施方式的组合物的制备方法没有特别的限定，例如使用时将各成分溶解于溶剂制成均匀溶液，其后，根据需要，通过例如孔径0.2μm左右的过滤器等进行过滤从而制备。
本实施方式的组合物在不阻碍本发明的目的的范围内可以包含树脂。作为树脂，没有特别的限定，可列举出酚醛树脂、聚乙烯酚类、聚丙烯酸、聚乙烯醇、苯乙烯-马来酸酐酸树脂、以及包含丙烯酸、乙烯醇、或乙烯酚作为单体单元的聚合物或它们的衍生物等。树脂的含量根据使用的式（1）的环状化合物的种类进行适宜调节，相对于100质量份该环状化合物，优选为30质量份以下，更优选为10质量份以下，进一步优选为5质量份以下，特别优选为0质量份。
本实施方式的组合物可以通过旋涂形成非晶膜。
将本实施方式的组合物旋涂形成的非晶膜的、在23℃下的对显影液的溶解速度优选为以上、更优选为
Figure BDA0000465034020000512
进一步优选为
Figure BDA0000465034020000513
此处，溶解速度可以通过在23℃下，将非晶膜在显影液中浸渍规定时间，将其浸渍前后的膜厚通过目视、椭偏仪或QCM法等公知的方法进行测定而确定。
前述溶解速度为
Figure BDA0000465034020000514
以上时，更容易在显影液中溶解，适宜用作抗蚀剂用。另外，具有
Figure BDA0000465034020000515
以下的溶解速度时，有时分辨率提高。推测这是因为，由于环状化合物的曝光前后的溶解性的变化，显影液中溶解的未曝光部与显影液中未溶解的曝光部的界面的对比度增大。另外，还有LER的降低、缺陷的减少效果。
将本实施方式的组合物旋涂形成的非晶膜的通过KrF准分子激光、远紫外线、电子射线或X射线等辐射线曝光的部分的、或在20～250℃下加热后的在23℃下的对显影液的溶解速度优选为
Figure BDA0000465034020000516
以下、更优选为进一步优选为
Figure BDA0000465034020000521
前述溶解速度是对在曝光结束的时间点、尤其是达到适于作为抗蚀剂使用的状态为止的曝光的时间点或以后的非晶膜进行测定的值，是对例如通过远紫外线曝光时，曝光量达到2～100mJ/cm2时，或例如通过电子射线曝光时，曝光量达到4～200μC/cm2时的非晶膜进行测定的值。
前述溶解速度为
Figure BDA0000465034020000522
以下时，在显影液中不溶，适宜用作抗蚀剂用。另外，具有以上的溶解速度时，有时分辨率提高。推测这是因为，前述环状化合物的微细的表面部位溶解，降低LER。另外，有缺陷的减少效果。
[抗蚀图案的形成方法]
对使用本实施方式的（辐射敏感性）组合物的抗蚀图案的形成方法没有特别的限定，作为适宜的方法的一例，可列举出包括以下工序的抗蚀图案形成方法：使用前述组合物，在基板上形成抗蚀膜的工序；将前述抗蚀膜曝光的工序以及将前述抗蚀膜显影形成抗蚀图案的工序。使用本实施方式的（辐射敏感性）组合物的抗蚀图案也可以以多层工艺中的上层抗蚀剂的形式来形成。
（形成抗蚀膜的工序）
为了形成抗蚀图案，首先通过旋转涂布、流延涂布、辊涂布等涂布手段在以往公知的基板上涂布前述本实施方式的（辐射敏感性）组合物，形成抗蚀膜。对以往公知的基板没有特别的限定，例如可例示出电子部件用基板、在其上形成有规定布线图案的基板等。更具体而言，可列举出硅晶圆、铜、铬、铁、铝等金属制基板、玻璃基板等。作为布线图案的材料，例如可列举出铜、铝、镍、金等。另外根据需要，也可以在前述基板上设置无机系和/或有机系的膜。作为无机系的膜，可列举出无机抗反射膜（无机BARC）。作为有机系的膜，可列举出有机抗反射膜（有机BARC）。也可以利用六亚甲基二硅氮烷等进行表面处理。
根据需要对形成有前述抗蚀膜的基板进行加热。加热条件根据（辐射敏感性）组合物的含有组成等改变，优选为20～250℃、更优选为20～150℃。通过加热，有时会使抗蚀剂对基板的密合性提高，故而优选。
（将抗蚀膜曝光的工序）
接着，通过选自由可见光、紫外线、准分子激光、电子射线、远紫外线（EUV）、X射线、以及离子束组成的组中的任一种辐射线，将抗蚀膜曝光成所期望的图案。曝光条件等可以根据（辐射敏感性）组合物的配方组成等进行适宜选定。
本实施方式的方法中，为了稳定地形成曝光中的高精度的微细图案，优选在辐射线照射后进行加热。加热条件根据（辐射敏感性）组合物的配方组成等改变，优选为20～250℃、更优选为20～150℃。
（将抗蚀膜显影的工序）
接着，利用显影液对曝光后的抗蚀膜进行显影，从而形成规定的抗蚀图案。对前述显影液没有特别的限定，优选选择与使用的式（1）的环状化合物的溶解度参数（SP值）相近的溶剂，可以使用酮系溶剂、酯系溶剂、醇系溶剂、酰胺系溶剂、醚系溶剂等极性溶剂、烃系溶剂或碱水溶液。
作为酮系溶剂，例如可列举出1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二异丁基酮、环己酮、甲基环己酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、乙酰丙酮、丙酮基丙酮、紫罗酮、二丙酮醇、乙酰甲醇、苯乙酮、甲基萘基酮、异佛尔酮、碳酸亚丙酯等。
作为酯系溶剂，例如可列举出醋酸甲酯、醋酸丁酯、醋酸乙酯、醋酸异丙酯、醋酸戊酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单乙醚乙酸酯、二乙二醇单丁醚乙酸酯、二乙二醇单乙醚乙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯等。
作为醇系溶剂，例如可列举出甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇（2-丙醇）、正丁醇、仲丁醇、叔丁醇、异丁醇、正己醇、4-甲基-2-戊醇、正庚醇、正辛醇、正癸醇等醇；乙二醇、二乙二醇、三乙二醇等二醇系溶剂；乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、丙二醇单乙醚、二乙二醇单甲醚、三乙二醇单乙醚、甲氧基甲基丁醇等二醇醚系溶剂等。
作为醚系溶剂，例如可列举出除上述二醇醚系溶剂以外的二氧杂己环、四氢呋喃等。
作为酰胺系溶剂，例如可以使用N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、六甲基磷酰三胺、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮等。
作为烃系溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂；戊烷、己烷、辛烷、癸烷等脂肪族烃系溶剂。
上述溶剂可以多个混合，在具有性能的范围内，也可以与上述以外的溶剂、水混合使用。其中，为了使本实施方式的效果充分发挥，作为显影液整体的含水率不足70质量%、进一步优选为不足50质量%、更优选为不足30质量%、进一步优选为不足10质量%、特别优选为实际上不含有水分。即，相对于显影液的有机溶剂的含量为，相对于显影液的总量为30质量%以上且100质量%以下，进一步优选为50质量%以上且100质量%以下、更优选为70质量%以上且100质量%以下、进一步优选为90质量%以上且100质量%以下、特别优选为95质量%以上且100质量%以下。
对碱水溶液没有特别的限定，例如可列举出单-、二-或三烷基胺类、单-、二-或三链烷醇胺类、杂环胺类、四甲基氢氧化铵（TMAH）、胆碱等碱性化合物。
尤其，显影液为含有选自酮系溶剂、酯系溶剂、醇系溶剂、酰胺系溶剂以及醚系溶剂中的至少1种溶剂的显影液时，由于可改善抗蚀图案的分辨率、粗糙度等抗蚀性能而优选。
显影液的蒸汽压在20℃下优选为5kPa以下、进一步优选为3kPa以下、特别优选为2kPa以下。通过使显影液的蒸汽压为5kPa以下，能够抑制在显影液的基板上或显影杯内的蒸发、晶圆面内的温度均匀性提高，结果，晶圆面内的尺寸均匀性优化。
作为具有5kPa以下的蒸汽压的显影液的溶剂的具体的例子，可列举出1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、4-庚酮、2-己酮、二异丁基酮、环己酮、甲基环己酮、苯基丙酮、甲基异丁基酮等酮系溶剂；醋酸丁酯、醋酸戊酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单乙醚乙酸酯、二乙二醇单丁醚乙酸酯、二乙二醇单乙醚乙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯等酯系溶剂；正丙醇、异丙醇、正丁醇、仲丁醇、叔丁醇、异丁醇、正己醇、4-甲基-2-戊醇、正庚醇、正辛醇、正癸醇等醇系溶剂；乙二醇、二乙二醇、三乙二醇等二醇系溶剂；乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、丙二醇单乙醚、二乙二醇单甲醚、三乙二醇单乙醚、甲氧基甲基丁醇等二醇醚系溶剂；四氢呋喃等醚系溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂；甲苯、二甲苯等芳香族烃系溶剂；辛烷、癸烷等脂肪族烃系溶剂。
作为具有特别优选范围的2kPa以下的蒸汽压的显影液的溶剂的具体例子，可列举出1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、4-庚酮、2-己酮、二异丁基酮、环己酮、甲基环己酮、苯基丙酮等酮系溶剂；醋酸丁酯、醋酸戊酯、丙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单乙醚乙酸酯、二乙二醇单丁醚乙酸酯、二乙二醇单乙醚乙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯等酯系溶剂；正丁醇、仲丁醇、叔丁醇、异丁醇、正己醇、4-甲基-2-戊醇、正庚醇、正辛醇、正癸醇等醇系溶剂；乙二醇、二乙二醇、三乙二醇等二醇系溶剂；乙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、丙二醇单乙醚、二乙二醇单甲醚、三乙二醇单乙醚、甲氧基甲基丁醇等二醇醚系溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂；二甲苯等芳香族烃系溶剂；辛烷、癸烷等脂肪族烃系溶剂。
显影液中根据需要可以添加适当量的表面活性剂。
作为表面活性剂，没有特别的限定，例如可以使用离子性、非离子性的氟系和/或硅系表面活性剂等。作为这些氟系和/或硅系表面活性剂，例如可列举出日本特开昭62-36663号公报、日本特开昭61-226746号公报、日本特开昭61-226745号公报、日本特开昭62-170950号公报、日本特开昭63-34540号公报、日本特开平7-230165号公报、日本特开平8-62834号公报、日本特开平9-54432号公报、日本特开平9-5988号公报、美国专利第5405720号说明书、美国专利5360692号说明书、美国专利5529881号说明书、美国专利5296330号说明书、美国专利5436098号说明书、美国专利5576143号说明书、美国专利5294511号说明书、美国专利5824451号说明书记载的表面活性剂，优选的是非离子性的表面活性剂。作为非离子性的表面活性剂，没有特别的限定，进一步优选使用氟系表面活性剂或硅系表面活性剂。
表面活性剂的用量相对于显影液的总量通常为0.001～5质量%、优选为0.005～2质量%、进一步优选为0.01～0.5质量%。
对显影方法没有特别的限定，例如可以应用下述方法：将基板在装满显影液的槽中浸渍一定时间的方法（浸涂法）、将显影液利用表面张力在基板表面隆起静止一定时间来显影的方法（桨法）、将显影液喷雾在基板表面的方法（喷雾法）、在以一定速度旋转的基板上以一定速度将显影液涂出喷嘴一边扫描一边继续将显影液涂出的方法（动态距离法（Dynamic distancemethod））等。对进行图案的显影的时间没有特别的限制，优选为10秒～90秒。
另外，也可以在进行显影的工序之后，实施一边置换为其它的溶剂一边停止显影的工序。
（其它的工序）
在显影工序之后，优选包括用包含有机溶剂的冲洗液进行洗涤的工序。
作为用于显影后的冲洗工序的冲洗液，只要能够溶解通过交联固化的抗蚀图案，就没有特别的限制，可以使用包含一般的有机溶剂的溶液或水。作为前述冲洗液，优选使用含有选自烃系溶剂、酮系溶剂、酯系溶剂、醇系溶剂、酰胺系溶剂以及醚系溶剂中的至少1种有机溶剂的冲洗液。较优选的是，在显影之后，进行使用含有选自由酮系溶剂、酯系溶剂、醇系溶剂以及酰胺系溶剂组成的组中的至少1种有机溶剂的冲洗液进行洗涤的工序。更优选的是，在显影之后，进行使用含有醇系溶剂或酯系溶剂的冲洗液进行洗涤的工序。进一步更优选的是，在显影之后，进行使用含有一元醇的冲洗液进行洗涤的工序。特别优选的是，在显影之后，进行使用含有碳数5以上的一元醇的冲洗液进行洗涤的工序。对进行图案的冲洗的时间没有特别的限制，优选为10秒～90秒。
此处，对显影后的冲洗工序中使用的一元醇没有特别的限定，可列举出直链状、支链状、环状的一元醇，具体而言，可以使用1-丁醇、2-丁醇、3-甲基-1-丁醇、叔丁醇、1-戊醇、2-戊醇、1-己醇、4-甲基-2-戊醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、环戊醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇等，作为特别优选的碳数5以上的一元醇，可以使用1-己醇、2-己醇、4-甲基-2-戊醇、1-戊醇、3-甲基-1-丁醇等。
前述各成分可以混合多个也可以与上述以外的有机溶剂混合使用。
冲洗液中的含水率优选为10质量%以下、更优选为5质量%以下，特别优选为3质量%以下。通过使含水率为10质量%以下，可以得到更良好的显影特性。
显影后使用的冲洗液的蒸汽压在20℃下优选为0.05kPa以上且5kPa以下、进一步优选为0.1kPa以上且5kPa以下、最优选为0.12kPa以上且3kPa以下。通过使冲洗液的蒸汽压为0.05kPa以上且5kPa以下，晶圆面内的温度均匀性更加提高，可更进一步抑制由冲洗液的浸透导致的溶胀，晶圆面内的尺寸均匀性进一步优化。
冲洗液中也可以添加适当量的表面活性剂来使用。
冲洗工序中，将进行了显影的晶圆用包含前述的有机溶剂的冲洗液进行洗涤处理。对洗涤处理的方法没有特别的限定，例如可以应用下述方法：在以一定速度旋转的基板上持续涂出冲洗液的方法（旋转涂布法）、将基板在装满冲洗液的槽中浸渍一定时间的方法（浸涂法）、将冲洗液喷雾在基板表面的方法（喷雾法）等，其中，优选以旋转涂布方法进行洗涤处理，洗涤后使基板以2000rpm～4000rpm的转速进行旋转，将冲洗液从基板上去除。
形成抗蚀图案后，对其进行蚀刻，从而能够得到图案布线基板。蚀刻的方法可以利用使用等离子体气体的干蚀刻以及使用碱溶液、氯化铜溶液、氯化铁溶液等的湿蚀刻等公知的方法进行。
形成抗蚀图案也可以进行镀敷。作为上述镀敷法，例如有铜镀敷、焊料镀敷、镍镀敷、金镀敷等。
蚀刻后的剩余抗蚀图案可以用有机溶剂进行剥離。对上述有机溶剂没有特别的限定，例如可列举出PGMEA（丙二醇单甲醚乙酸酯）、PGME（丙二醇单甲醚）、EL（乳酸乙酯）等。对上述剥離方法没有特别限定例如可列举出浸渍方法、喷雾方式等。另外，形成了抗蚀图案的布线基板可以为多层布线基板、也可以具有小径通孔。
进而，根据本实施方式的方法形成抗蚀图案后，通过将金属在真空中蒸镀、其后将抗蚀图案溶解在溶液中的方法、即剥离法（lift-off method）也可以形成布线基板等。
实施例
以下，列举实施例更具体地说明本发明的实施方式。但是，本发明不受这些实施例的限制。
以下示出实施例的化合物的测定方法以及抗蚀性能等评价方法。
＜测定方法＞
（1）化合物的化学结构
化合物的结构通过1H-NMR测定法（23℃），使用Bruker公司制造的Advance600II spectrometer（商品名）确定。
（2）化合物的分子量
CR-1和CR-2通过LC-MS分析使用Water公司制造的AcquityUPLC/MALDI-Synapt HDMS（商品名）测定。
CR-1A通过GC-MS分析使用Agilent公司制造的Agilent5975/6890N（商品名）测定。
（3）非晶膜（曝光前、后）的对显影液的溶解速度
在23℃下，将非晶膜（曝光前、后）在显影液中浸渍规定时间，通过目视确认其浸渍前后的膜厚，确定溶解速度。
＜评价方法＞
（1）化合物的对安全溶剂的溶解性
化合物的对丙二醇单甲醚（PGME）以及环己酮（CHN）的溶解性是在23℃下，将化合物在试管中精密称量，加入规定浓度的作为对象的溶剂，用超声波洗涤机施加30分钟超声波，通过目视评价其后的液体的状态。
用对各溶剂的溶解量以以下基准进行评价。
A：5.0wt%≤溶解量
B：3.0wt%≤溶解量＜5.0wt%
C：溶解量＜3.0wt%
（2）抗蚀图案的分辨率、形状、粗糙度（LER）、灵敏度
抗蚀图案的分辨率、形状、粗糙度（LER）以及灵敏度以以下的方法评价。
将得到的抗蚀图案的线宽/线距用扫描型电子显微镜（HitachiHigh-Technologies Corporation制造S-4800）观察。若图案形状为矩形则良好。对于粗糙度（LER），在50nm间隔的线宽/线距为1：1的长度方向（0.75μm）的任意的300个点中，用日立半导体用SEM电脑终端V5离线测长软件（株式会社Hitachi ScienceSystems Ltd.制造），测定边缘与基准线的距离，算出标准偏差（3σ），以不足5nm为良好。图案的分辨率为能够良好地形成的图案的最小线宽。另外，能够良好地形成图案时的最小的剂量（μC/cm2）为灵敏度，以不足150μC/cm2为良好。
＜合成实施例＞
[合成实施例1]（CR-1（环状化合物）的合成）
在充分干燥、以氮气置换了的、设置有滴液漏斗、蛇行冷凝管（Dimrothcondenser)、温度计、搅拌翼的四口烧瓶（1000ml）中，在氮气气流下投入关东化学公司制造的间苯二酚（22g、0.2mol）、4-碘苯甲醛（46.4g，0.2mol）、脱水乙醇（200ml），制备乙醇溶液。将得到的乙醇溶液一边搅拌一边用加热套加热至85℃。接着，利用滴液漏斗以30分钟滴加75mL浓盐酸（35%）后，继续在85℃下搅拌3小时。反应结束后，自然冷却至室温，然后在冰浴中冷却。静置1小时后，生成淡黄色粗晶体，将其过滤。将粗晶体用甲醇500mL洗涤2次，过滤，使其真空干燥从而得到44.0g的化合物。
对该化合物进行LC-MS分析，结果显示分子量为1296。另外，氘代二甲基亚砜溶剂中的1H-NMR的化学位移值（δppm，TMS基准）为5.5（s，4H）、6.0～6.8（m，24H）、8.4～8.5（d，8H）。
根据这些结果，将得到的化合物鉴定为目标化合物（CR-1）（收率64%）。
Figure BDA0000465034020000601
得到的化合物（CR-1）的F为2.3。
[合成实施例2]（CR-2（环状化合物）的合成）
在充分干燥、以氮气置换了的、设置有滴液漏斗、蛇行冷凝管、温度计、搅拌翼的四口烧瓶（1000ml）中，在氮气气流下投入关东化学公司制造的间苯二酚（22g、0.2mol）、4-碘化甲基苯甲醛（49.2g，0.2mol）、脱水乙醇（200ml），制备乙醇溶液。将得到的乙醇溶液一边搅拌一边用加热套加热至85℃。接着，利用滴液漏斗以30分钟滴加75mL浓盐酸（35%）后，继续在85℃下搅拌3小时。反应结束后，自然冷却至室温，然后在冰浴中冷却。静置1小时后、生成淡黄色粗晶体，将其过滤。将粗晶体用甲醇500mL洗涤2次，过滤，使其真空干燥从而得到4.2g的化合物。
对该化合物进行LC-MS分析，结果显示分子量为1296。另外，氘代二甲基亚砜溶剂中的1H-NMR的化学位移值（δppm，TMS基准）为4.7（s，8H）、5.5（s，4H）、6.0～6.8（m，24H）、8.4～8.5（d，8H）。
根据这些结果，将得到的化合物鉴定为目标化合物（CR-2）（收率6.5%）。
Figure BDA0000465034020000611
得到的化合物（CR-2）的F为2.3。
[合成比较例1B]（CR-1A的合成）
在能够控制温度的内容积500ml的带有电磁搅拌装置的高压釜（SUS316L制造）中供给无水HF74.3g（3.71摩尔）、BF350.5g（0.744摩尔），搅拌内容物，将液温保持在-30℃并通过一氧化碳升压至2MPa。其后，将压力保持为2MPa、液温保持为-30℃，供给混合了57.0g（0.248摩尔）4-环己基苯和50.0g正庚烷的原料，保持1小时后，在冰中取内容物，用苯稀释后，进行中和处理并将得到的油层用气相色谱法进行分析来求出反应成果，结果4-环己基苯转化率为100%、4-环己基苯甲醛选择率为97.3%。
通过简单蒸馏分离目标成分，用GC-MS进行分析，结果显示目标物的4-环己基苯甲醛（以下，表示为CHBAL）的分子量为188。另外，氘代氯仿溶剂中的1H-NMR的化学位移值（δppm，TMS基准）为1.0～1.6（m，10H）、2.6（m，1H）、7.4（d，2H）、7.8（d，2H）、10.0（s，1H）。
Figure BDA0000465034020000621
在充分干燥、以氮气置换了的、设置有滴液漏斗、蛇行冷凝管、温度计、搅拌翼的四口烧瓶（1000ml）中，在氮气气流下投入关东化学公司制造的间苯二酚（22g、0.2mol）、前述4-环己基苯甲醛（46.0g，0.2mol）、脱水乙醇（200ml），制备乙醇溶液。将得到的乙醇溶液一边搅拌一边用加热套加热至85℃。接着，利用滴液漏斗以30分钟滴加75mL浓盐酸（35%）后，继续在85℃下搅拌3小时。反应结束后，自然冷却至室温，然后在冰浴中冷却。静置1小时后，生成淡黄色目标粗晶体，将其过滤。将粗晶体用甲醇500ml洗涤2次，过滤，使其真空干燥，从而得到50g的产物（以下，表示为CR-1A）。
用LC-MS对该产物的结构进行分析，结果显示分子量为1121。另外，氘代氯仿溶剂中的1H-NMR的化学位移值（δppm，TMS基准）为0.8～1.9（m，44H）、5.5，5.6（d，4H）、6.0～6.8（m，24H）、8.4，8.5（m，8H）。
根据这些结果，将得到的产物鉴定为目标化合物（CR-1A）（收率91%）。
Figure BDA0000465034020000622
[实施例1～2以及比较例1]（化合物的安全溶剂溶解度试验）
将上述合成实施例1～2以及合成比较例1中得到的化合物的、对丙二醇单甲醚（PGME）以及环己酮（CHN）的溶解量用前述评价方法和基准进行评价。结果如表1所示。
[表1]
第1表
Figure BDA0000465034020000631
[实施例3～4以及比较例2]（抗蚀性能的评价）
将第2表记载的成分调配，制成均匀溶液之后，用孔径0.1μm的Teflon制膜滤器过滤，制备（辐射敏感性）组合物。
对于所有得到的（辐射敏感性）组合物，相对于固体成分和溶剂的总计100质量份，含有固体成分约5质量份、溶剂约95质量份，相对于固体成分的总质量100质量%，环状化合物的含量为61.3质量%、产酸剂的含量为18.4质量%、酸交联剂的含量为18.4质量%、酸扩散控制剂的含量为1.8质量%。
对得到的（辐射敏感性）组合物分别进行评价。
[表2]
第2表
第2表中的“P-1”、“C-1”、“Q-1”、“S-1”如下所述。
产酸剂（C）
P-1：三苯基苯锍三氟甲烷磺酸酯（Midori Kagaku Co.,Ltd.）
酸交联剂（G）
C-1：NIKALAC MW-100LM(SANWA CHEMICAL CO.,LTD.)
酸扩散控制剂（E）
Q-1：三辛基胺（东京化成工业株式会社）
溶剂
S-1：丙二醇单甲醚（东京化成工业株式会社）
将抗蚀剂旋转涂布在洁净的硅晶圆上后，在110℃的烘箱中进行曝光前预烘焙（PB），形成厚60nm的抗蚀膜。
用电子射线描绘装置（ELS-7500，ELIONIX INC.制造）对得到的抗蚀膜照射设定成50nm、40nm和30nm间隔的线宽/线距为1：1的电子射线。照射后，在各个的规定的温度下，加热90秒钟，在TMAH2.38wt%碱显影液中浸渍60秒钟，进行显影。然后，用超纯水洗涤30秒钟，干燥，形成负型的抗蚀图案。
对得到的抗蚀图案通过前述方法评价分辨率、形状、粗糙度、灵敏度。
实施例3的抗蚀剂能够以良好的灵敏度（剂量：80μC/cm2）得到分辨率30nm的良好的抗蚀图案。另外，其图案的粗糙度也小（3σ为3nm），形状也为矩形且良好。
实施例4的抗蚀剂能够以良好的灵敏度（剂量：60μC/cm2）得到分辨率30nm的良好的抗蚀图案。另外，其图案的粗糙度也小（3σ为3nm），形状也为矩形且良好。
比较例2的抗蚀剂能够得到分辨率40nm的良好的抗蚀图案，但即使在剂量300μC/cm2的情况下也不能得到分辨率30nm的抗蚀图案。
进而，通过前述方法，测定使用了CR-1的非晶膜的曝光前后的对显影液的溶解速度，结果曝光前的溶解速度为
Figure BDA0000465034020000641
以上，曝光后的溶解速度为
Figure BDA0000465034020000642
以下。测定使用了CR-2的非晶膜的曝光前后的对显影液的溶解速度，结果曝光前的溶解速度为以上，曝光后的溶解速度为
Figure BDA0000465034020000644
以下。
如上所述，包含本发明的环状化合物的（辐射敏感性）组合物与包含比较化合物的组合物相比，为高灵敏度且能够形成粗糙度小、且良好的形状的抗蚀图案。此外，只要满足上述本发明的必要条件，实施例记载的以外化合物也显示出同样的效果。
需要说明的是，本申要求是基于2011年8月12日日本国专利厅申请的日本专利申请（特愿2011-176682号）的优先权，将其内容作为参照引入本文。
产业上的可利用性
本发明的环状化合物由于对稳定溶剂的溶解性高、高灵敏度且能够形成粗糙度小、且良好的形状的抗蚀图案，所以本发明的环状化合物、其制造方法、含有环状化合物的组合物以及使用前述组合物的抗蚀图案的形成方法在半导体制造工艺、显示器制造工艺、光掩模、薄膜磁头、化合物半导体、研究开发等中使用的酸增幅型非高分子系抗蚀剂领域中是有用的。

Claims (27)

1.一种环状化合物，其为分子量500～5000的式（1）所示的环状化合物，
Figure FDA0000465034010000011
式（1）中，R0分别独立地为氢原子、羟基、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数7～30的芳烷基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基、取代或者未取代的碳数0～20的氨基、取代或者未取代的碳数1～20的链烯基、取代或者未取代的碳数1～20的酰基、取代或者未取代的碳数2～20的烷氧基羰基、取代或者未取代的碳数1～20的烷酰基氧基、取代或者未取代的碳数7～30的芳酰基氧基、取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基、或这些基团与二价基团键合而成的基团，所述二价基团为选自由取代或者未取代的亚烷基、取代或者未取代的亚芳基和醚基组成的组中的1个以上的基团，R0中的至少一者为包含碘原子的一价基团。
2.根据权利要求1所述的环状化合物，其中所述式（1）所示的环状化合物如式（2）所示，
式（2）中，R1分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，
R2分别独立地为氢原子、羟基、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数7～30的芳烷基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基、取代或者未取代的碳数1～20的链烯基、取代或者未取代的碳数1～20的酰基、取代或者未取代的碳数2～20的烷氧基羰基、取代或者未取代的碳数1～20的烷酰基氧基、取代或者未取代的碳数7～30的芳酰基氧基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，
R’分别独立地为氢原子、羟基、取代或者未取代的杂环基、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基或下述式（3）所示的基团，
R4分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，
R2或者R4中的至少一者为包含碘原子的一价基团。
3.根据权利要求2所述的环状化合物，其中，所述式（2）中的R2或所述式（3）中的R4中的至少一者为碘原子、由碘原子取代的碳数1～6的直链状脂肪族烃基或由碘原子取代的碳数3～6的支链状脂肪族烃基。
4.根据权利要求2所述的环状化合物，其中，所述式（2）中的R’为所述式（3）所示的基团，所述式（3）中的R4中的至少一者为碘原子、由碘原子取代的碳数1～6的直链状脂肪族烃基或由碘原子取代的碳数3～6的支链状脂肪族烃基。
5.根据权利要求2所述的环状化合物，其中，在所述式（2）中，R1为氢原子、R’为所述式（3）所示的基团，所述式（3）中的R4中的至少一者为碘原子、由碘原子取代的碳数1～6的直链状脂肪族烃基或由碘原子取代的碳数3～6的支链状脂肪族烃基。
6.根据权利要求2所述的环状化合物，其中，所述式（2）所示的环状化合物如式（4）所示，
Figure FDA0000465034010000041
式（4）中，R1分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，R4分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，同一苯环中R4可以相同也可以不同，p为0～4的整数。
7.根据权利要求6所述的环状化合物，其中所述式（4）所示的环状化合物如式（5）所示，
Figure FDA0000465034010000051
式（5）中，R1分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，R4分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，同一苯环中R4可以相同也可以不同，p为0～4的整数。
8.根据权利要求2所述的环状化合物，其中所述式（2）所示的环状化合物如式（6）所示，
Figure FDA0000465034010000061
式（6）中，R4分别独立地为氢原子、氰基、硝基、取代或者未取代的杂环基、卤素原子、取代或者未取代的碳数1～20的直链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的支链状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数3～20的环状脂肪族烃基、取代或者未取代的碳数6～20的芳基、取代或者未取代的碳数1～20的烷氧基或取代或者未取代的碳数1～20的烷基甲硅烷基，同一苯环中R4可以相同也可以不同，p为0～4的整数。
9.一种环状化合物的制造方法，其为制造权利要求1～8中任一项所述的环状化合物的方法，该方法中，使选自由具有包含碘原子的一价基团的醛化合物（A1）组成的组中的1种以上的化合物与选自由酚化合物（A2）组成的组中的1种以上的化合物进行缩合反应。
10.根据权利要求9所述的环状化合物的制造方法，其中，所述醛化合物（A1）为具有1～4个甲酰基和包含碘原子的一价基团的碳数2～59的化合物，所述酚化合物（A2）为具有1～3个酚羟基的碳数6～15的化合物。
11.一种组合物，其含有：包含权利要求1～8中任一项所述的环状化合物的固体成分和溶剂。
12.根据权利要求11所述的组合物，其中，相对于所述固体成分和所述溶剂的总计100质量份，含有固体成分1～80质量份和溶剂20～99质量份。
13.根据权利要求12所述的组合物，其中，所述环状化合物的含量为所述固体成分的总质量的50～99.999质量%。
14.根据权利要求11～13中任一项所述的组合物，其中，作为所述固体成分还含有产酸剂（C），所述产酸剂（C）通过选自由可见光、紫外线、准分子激光、电子射线、远紫外线（EUV）、X射线以及离子束组成的组中的任意一种辐射线的照射而直接或间接地产生酸。
15.根据权利要求14所述的组合物，其中，所述产酸剂（C）的含量为所述固体成分的总质量的0.001～49质量%。
16.根据权利要求11～15中任一项所述的组合物，其中，作为所述固体成分还含有酸交联剂（G）。
17.根据权利要求16所述的组合物，其中，所述酸交联剂（G）的含量为所述固体成分的总质量的0.5～49质量%。
18.根据权利要求11～17中任一项所述的组合物，其中，作为所述固体成分还含有酸扩散控制剂（E）。
19.根据权利要求18所述的组合物，其中，所述酸扩散抑制剂（E）的含量为所述固体成分的总质量的0.001～49质量%。
20.根据权利要求11所述的组合物，其中，相对于所述固体成分的总质量，
含有50～99.4质量%所述环状化合物，
0.001～49质量%产酸剂（C），所述产酸剂（C）通过选自由可见光、紫外线、准分子激光、电子射线、远紫外线（EUV）、X射线以及离子束组成的组中的任一种辐射线的照射而直接或间接地产生酸，
0.5～49质量%酸交联剂（G），
0.001～49质量%酸扩散控制剂（E），
且所述环状化合物、所述产酸剂（C）、所述酸交联剂（G）和所述酸扩散控制剂（E）的总质量为51质量%以上。
21.根据权利要求11～20中任一项所述的组合物，其中，所述溶剂为选自由丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单甲醚以及环己酮组成的组中的至少一种以上。
22.根据权利要求11～21中任一项所述的组合物，其能够通过旋涂形成非晶膜。
23.根据权利要求11～22中任一项所述的组合物，其能够形成非晶膜，所述非晶膜的、在23℃下的对显影液的溶解速度为
Figure FDA0000465034010000081
以上。
24.根据权利要求22或23所述的组合物，其中，所述非晶膜的、照射KrF准分子激光、远紫外线、电子射线或者X射线后、或在20～250℃下加热后的对显影液的溶解速度为
Figure FDA0000465034010000082
以下。
25.根据权利要求11～24中任一项所述的组合物，其中，所述组合物为辐射敏感组合物。
26.根据权利要求11～25中任一项所述的组合物，其中，所述组合物为抗蚀剂组合物。
27.一种抗蚀图案形成方法，其包括以下工序：将权利要求11～26中任一项所述的组合物涂布在基板上形成抗蚀膜的工序，将所述抗蚀膜曝光的工序以及将曝光的抗蚀膜显影的工序。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107428717A (zh) * 2015-03-31 2017-12-01 三菱瓦斯化学株式会社 抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法、及用于其的多酚化合物
CN107430337A (zh) * 2015-03-30 2017-12-01 三菱瓦斯化学株式会社 辐射敏感组合物及抗蚀图案形成方法
CN107924131A (zh) * 2015-08-31 2018-04-17 三菱瓦斯化学株式会社 光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法、以及抗蚀图案形成方法
CN108659223A (zh) * 2018-04-19 2018-10-16 中科院广州化学有限公司南雄材料生产基地 一种环糊精衍生物型光敏树脂及其制备方法、基于其的抗蚀剂组合物和应用

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8110334B2 (en) * 2006-11-02 2012-02-07 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Radiation-sensitive composition
KR102115330B1 (ko) * 2012-10-17 2020-05-26 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 레지스트 조성물
WO2014123032A1 (ja) 2013-02-08 2014-08-14 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及びそれに用いるポリフェノール誘導体
EP3118183B1 (en) 2014-03-13 2021-07-21 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Compound, resin, material for forming underlayer film for lithography, underlayer film for lithography, pattern forming method, and method for purifying the compound or resin
US10303055B2 (en) 2014-03-13 2019-05-28 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition and method for forming resist pattern
KR20170099908A (ko) 2014-12-25 2017-09-01 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 화합물, 수지, 리소그래피용 하층막 형성 재료, 리소그래피용 하층막, 패턴 형성방법 및 정제방법
WO2016158457A1 (ja) 2015-03-30 2016-10-06 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、及びそれらの精製方法、リソグラフィー用の下層膜形成材料、下層膜形成用組成物、及び下層膜、並びに、レジストパターン形成方法、及び回路パターン形成方法
EP3279728B1 (en) * 2015-03-30 2021-03-17 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist base material, resist composition, and method for forming resist pattern
SG11201706306SA (en) 2015-03-31 2017-09-28 Mitsubishi Gas Chemical Co Compound, resist composition, and method for forming resist pattern using it
KR20180048733A (ko) 2015-08-31 2018-05-10 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 리소그래피용 하층막 형성재료, 리소그래피용 하층막 형성용 조성물, 리소그래피용 하층막 및 그 제조방법, 패턴형성방법, 수지, 그리고 정제방법
JP6848869B2 (ja) 2015-09-10 2021-03-24 三菱瓦斯化学株式会社 化合物、樹脂、レジスト組成物又は感放射線性組成物、レジストパターン形成方法、アモルファス膜の製造方法、リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜形成用組成物、回路パターンの形成方法、及び、精製方法
JP6973274B2 (ja) * 2017-05-22 2021-11-24 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7044011B2 (ja) 2017-09-13 2022-03-30 信越化学工業株式会社 重合性単量体、重合体、レジスト材料、及びパターン形成方法
US10871711B2 (en) 2017-09-25 2020-12-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
JP6973265B2 (ja) * 2018-04-20 2021-11-24 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
US11435665B2 (en) 2018-05-31 2022-09-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
JP7131499B2 (ja) * 2018-08-09 2022-09-06 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7238743B2 (ja) 2018-12-18 2023-03-14 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7264020B2 (ja) 2018-12-27 2023-04-25 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7283373B2 (ja) 2019-01-29 2023-05-30 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
JP7351256B2 (ja) 2019-06-17 2023-09-27 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7351262B2 (ja) 2019-07-02 2023-09-27 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7351261B2 (ja) 2019-07-04 2023-09-27 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7334684B2 (ja) 2019-08-02 2023-08-29 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7334683B2 (ja) 2019-08-02 2023-08-29 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7351257B2 (ja) 2019-08-14 2023-09-27 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7354954B2 (ja) 2019-09-04 2023-10-03 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7400677B2 (ja) 2019-10-21 2023-12-19 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP7354986B2 (ja) 2019-11-20 2023-10-03 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP7388346B2 (ja) 2020-02-14 2023-11-29 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2021182133A (ja) 2020-05-18 2021-11-25 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US11940728B2 (en) 2020-09-28 2024-03-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Molecular resist composition and patterning process
JP2024010654A (ja) 2022-07-12 2024-01-24 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995019974A2 (en) * 1994-01-24 1995-07-27 Harris Stephen J Calixarene-based compounds having antibacterial, antifungal, anticancer-hiv activity
JP2009173623A (ja) * 2007-04-23 2009-08-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 感放射線性組成物

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE165852T1 (de) * 1990-10-03 1998-05-15 Commw Scient Ind Res Org Epoxydharzen auf der basis von makrocyclischen verbindungen
EP1739485B1 (en) 2004-04-15 2016-08-31 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Resist composition
US8110334B2 (en) 2006-11-02 2012-02-07 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Radiation-sensitive composition
JP5109338B2 (ja) * 2006-11-02 2012-12-26 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト下層膜形成材料及び多層レジストパターン形成方法
JP4858136B2 (ja) 2006-12-06 2012-01-18 三菱瓦斯化学株式会社 感放射線性レジスト組成物
JP5396738B2 (ja) * 2007-05-09 2014-01-22 三菱瓦斯化学株式会社 感放射線性組成物、化合物、化合物の製造方法およびレジストパターン形成方法
JP5796490B2 (ja) * 2009-08-31 2015-10-21 三菱瓦斯化学株式会社 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物およびレジストパターン形成方法
EP2474538B1 (en) * 2009-08-31 2017-01-25 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Cyclic compound, process for production of the cyclic compound, radiation-sensitive composition, and method for formation of resist pattern
KR101669704B1 (ko) * 2009-08-31 2016-10-27 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 환상 화합물, 그 제조 방법, 감방사선성 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
WO2011030683A1 (ja) * 2009-09-09 2011-03-17 三菱瓦斯化学株式会社 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物およびレジストパターン形成方法
JP5825104B2 (ja) * 2009-10-06 2015-12-02 三菱瓦斯化学株式会社 環状化合物、その製造方法、感放射線性組成物およびレジストパターン形成方法
CN102666461B (zh) * 2009-11-27 2015-09-30 三菱瓦斯化学株式会社 环状化合物、其生产方法、放射线敏感性组合物和抗蚀图案形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995019974A2 (en) * 1994-01-24 1995-07-27 Harris Stephen J Calixarene-based compounds having antibacterial, antifungal, anticancer-hiv activity
JP2009173623A (ja) * 2007-04-23 2009-08-06 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 感放射線性組成物

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
FRANCESCA GRUPPI ET AL.: "Self-assembly of a cavitand-based heteronuclear coordination cage", 《TETRAHEDRON》 *
MASANORI FUJIMAKI ET AL.: "Macrocyclic Amphiphiles. 3.† Monolayers of O-Octacarboxymethoxylated Calix[4]resorcinarenes with Azobenzene Residues Exhibiting Efficient Photoisomerizability", 《LANGMUIR》 *
MASANORI FUJIMAKI ET AL.: "Macrocyclic Amphiphiles. 3.† Monolayers of O-Octacarboxymethoxylated Calix[4]resorcinarenes with Azobenzene Residues Exhibiting Efficient Photoisomerizability", 《LANGMUIR》, vol. 14, no. 16, 15 July 1998 (1998-07-15), pages 4495 - 4502, XP055142549 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107430337A (zh) * 2015-03-30 2017-12-01 三菱瓦斯化学株式会社 辐射敏感组合物及抗蚀图案形成方法
CN107428717A (zh) * 2015-03-31 2017-12-01 三菱瓦斯化学株式会社 抗蚀剂组合物、抗蚀图案形成方法、及用于其的多酚化合物
CN107924131A (zh) * 2015-08-31 2018-04-17 三菱瓦斯化学株式会社 光刻用下层膜形成材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜及其制造方法、以及抗蚀图案形成方法
CN108659223A (zh) * 2018-04-19 2018-10-16 中科院广州化学有限公司南雄材料生产基地 一种环糊精衍生物型光敏树脂及其制备方法、基于其的抗蚀剂组合物和应用
CN108659223B (zh) * 2018-04-19 2020-12-04 中科院广州化学有限公司南雄材料生产基地 一种环糊精衍生物型光敏树脂及其制备方法、基于其的抗蚀剂组合物和应用

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