CN103567839B - 用于化学机械抛光层纹理预处理的方法 - Google Patents

用于化学机械抛光层纹理预处理的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103567839B
CN103567839B CN201310491353.1A CN201310491353A CN103567839B CN 103567839 B CN103567839 B CN 103567839B CN 201310491353 A CN201310491353 A CN 201310491353A CN 103567839 B CN103567839 B CN 103567839B
Authority
CN
China
Prior art keywords
driven roller
roller
mechanical polishing
polishing layer
chemical mechanical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310491353.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103567839A (zh
Inventor
J·H·小朗内
A·M·盖杰
J·H·本尼迪克特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials LLC filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Publication of CN103567839A publication Critical patent/CN103567839A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103567839B publication Critical patent/CN103567839B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/04—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor for grinding plane surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B24B21/18—Accessories
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
    • B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
    • B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
    • B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers

Abstract

公开了一种用于对化学机械抛光层的抛光表面进行纹理预处理的方法。

Description

用于化学机械抛光层纹理预处理的方法
技术领域
本发明主要涉及一种化学机械抛光领域。特别是，本发明指的是一种用于化学机械抛光层纹理预处理的方法。
发明背景
在集成电路和其他电子装置的制造过程中，多层导电材料、半导体材料及电介质材料被沉积在半导体晶片的表面上，并且从半导体晶片的表面移除。可采用多种沉积技术来沉积较薄的导电材料，半导电材料及电介质材料层。在现代晶片加工过程中，常用的沉积技术包括物理气相沉积(PVD)，也称为溅射，化学气相沉积(CVD)，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)以及电化学镀覆等。常用的移除技术包括干式和湿式各向同性和各向异性腐蚀等。
由于材料层被顺序沉积和移除，因此晶片的最上表面变得不平坦。因为随后的半导体加工过程(如，金属化)需要晶片具有平的表面，所以晶片需要被平坦化。对于移除不希望的表面形貌和表面缺陷，如粗糙表面、成团材料、晶格损伤、抓伤及受污染层或材料来说，平坦化是非常有用的。
化学机械平坦化，或者化学机械抛光(CMP)是一种对工件，如半导体晶片进行平坦化或抛光的常用技术。在传统CMP中，晶片托架或抛光头被安装在托架组件上。抛光头保持着晶片并将晶片置于与抛光垫的抛光层接触的位置，该抛光垫被安装在CMP装置中的台子或者压板上。托架组件提供了晶片和抛光垫之间的可控压力。同时，抛光介质被分配到抛光垫上，并且被拉到晶片和抛光层之间的空间内。为了有效地进行抛光，抛光垫和晶片通常彼此相对旋转。由于抛光垫在晶片下旋转，晶片清除出一条明显的环形抛光轨迹或抛光区域，此处晶片的表面直接面对抛光层。通过抛光层和表面上的抛光介质的化学和机械作用，使得晶片表面被抛光并平坦化。
影响由特定的抛光层获得的化学机械抛光等级的大小和稳定性的因素包括衬垫修整(即，用于使抛光层的抛光表面调整为用于抛光的合适形状的技术)。具体地，传统的化学机械抛光层的抛光表面典型地被修整成提供希望的纹理，以对特定基片进行有效抛光。这个过程经常在本领域中称为磨合修整(break-in conditioning)。
经常采用随后被用于实际基片抛光的相同抛光设备来执行磨合修整。传统的磨合修整技术经常利用仿真晶片或者覆盖晶片。磨合修整典型地包括抛光的具有二氧化硅表面的仿真晶片或者覆盖晶片。在从仿真晶片或者覆盖晶片上移除几微米的二氧化硅表面后，抛光垫的抛光表面已经为实际抛光而被充分预修整好了。磨合修整是非常耗时的，需要30分钟或更多时间才能完成，并且还需要消耗大量的晶片，例如，每个衬垫需要约10个晶片，因此非常昂贵。
因此，希望能够提供被加工的化学机械抛光层，在该层中抛光表面被处理，以在传送给消费者用于化学机械抛光之前，能提供增强的表面纹理，从而最大程度地降低磨合修整的需要。
在由Hosaka等申请的公开号为2005/0239380的美国专利申请中公开了一种对用于基片抛光的化学机械抛光层的抛光表面进行准备的方法。Hosaka等教导了可以通过宽带式打磨机上的砂纸打磨来研磨抛光表面的方式修整化学机械抛光层的抛光表面。
但是，还持续需要用于对化学机械抛光层的抛光表面进行纹理预处理的改进方法。
发明内容
本发明提供了一种用于对化学机械抛光层的抛光表面进行纹理预处理的方法，包括：提供具有抛光表面14和初始平均厚度TIA的化学机械抛光层10；提供砂带打磨机20，其包括：化学机械抛光层传送模块30，该模块包括：传动带32；输送辊34；至少两个输送辊轴承36；至少一个传送支撑辊；以及传送带驱动器；其中输送辊轴承36便于输送辊绕着输送辊的旋转轴线Atfr做旋转运动；其中传送带32绕着输送辊34和所述至少一个传送支撑辊；并且，其中传送带驱动器与传送带32机械连接以便于传送带32的运动；以及校正砂光模块40，其包括：校正砂光带42；非驱动辊44；至少两个非驱动辊轴承45；驱动辊46；至少两个驱动辊轴承47，48，其中驱动辊轴承47，48具有径向间隙60，66；校正砂光带驱动器50，其中校正砂光带驱动器50与驱动辊46机械连接以便于校正砂光带42的运动；其中校正砂光带42绕着非驱动辊44和驱动辊46；其中所述至少两个非驱动辊轴承45便于非驱动辊44绕着非驱动辊旋转轴线Andr的旋转运动；并且，其中所述至少两个驱动辊轴承47便于驱动辊46绕着驱动辊旋转轴线Adr的旋转运动；其中驱动辊旋转轴线Adr大体上与输送辊的旋转轴线Atfr平行；将化学机械抛光层放置于传送带上；传送化学机械抛光层使其通过传送带32和校正砂光带42之间的间隙49；其中抛光表面14与校正砂光带42接触；其中所述至少两个驱动辊轴承47，48被偏置以便它们的径向间隙60，66在化学机械抛光层10通过间隙49时，能相对于化学机械抛光层10位于驱动辊46的同一侧；其中间隙49小于化学机械抛光层10的初始平均厚度TIA；其中在穿过间隙49之后，化学机械抛光层10呈现出最终平均厚度TFA；并且，其中最终平均厚度TFA小于初始平均厚度TIA。
本发明提供了一种用于对化学机械抛光层的抛光表面进行纹理预处理的方法，包括：提供具有抛光表面14和初始平均厚度TIA的化学机械抛光层10；提供砂带打磨机20，其包括：化学机械抛光层传送模块30，该模块包括：传动带32；输送辊34；至少两个输送辊轴承36；至少一个传送支撑辊；以及传送带驱动器；其中输送辊轴承36便于输送辊绕着输送辊的旋转轴线Atfr的旋转运动；其中传送带32绕着输送辊34和所述至少一个传送支撑辊；并且，其中传送带驱动器与传送带32机械连接以便于传送带32的运动；以及校正砂光模块40，其包括：校正砂光带42；非驱动辊44；至少两个非驱动辊轴承45；驱动辊46；至少两个驱动辊轴承47，48，其中驱动辊轴承47，48具有径向间隙60，66；驱动辊偏置机构68；以及，校正砂光带驱动器50，其中校正砂光带驱动器50与驱动辊46机械连接以便于校正砂光带42的运动；其中校正砂光带42绕着非驱动辊44和驱动辊46；其中所述至少两个非驱动辊轴承45便于非驱动辊44绕着非驱动辊旋转轴线Andr的旋转运动；并且，其中所述至少两个驱动辊轴承47便于驱动辊46绕着驱动辊旋转轴线Adr的旋转运动；其中驱动辊旋转轴线Adr大体上与输送辊的旋转轴线Atfr平行；将化学机械抛光层放置于传送带上；传送化学机械抛光层使其通过传送带32和校正砂光带42之间的间隙49；其中抛光表面14与校正砂光带42接触；其中驱动辊偏置机构68与驱动辊46接合，从而使得用于所述至少两个驱动辊轴承47，48的径向间隙60，66在化学机械抛光层10通过间隙49时，能相对于化学机械抛光层10位于驱动辊46的同一侧；其中间隙49小于化学机械抛光层10的初始平均厚度TIA；其中在穿过间隙49之后，化学机械抛光层10呈现出最终平均厚度TFA；并且，其中最终平均厚度TFA小于初始平均厚度TIA。
本发明提供了一种用于对化学机械抛光层的抛光表面进行纹理预处理的方法，包括：提供具有抛光表面14和初始平均厚度TIA的化学机械抛光层10；提供砂带打磨机20，其包括：化学机械抛光层传送模块30，该模块包括：传动带32；输送辊34；至少两个输送辊轴承36；至少一个传送支撑辊；以及传送带驱动器；其中输送辊轴承36便于输送辊绕着输送辊的旋转轴线Atfr的旋转运动；其中传送带32绕着输送辊34和所述至少一个传送支撑辊；并且，其中传送带驱动器与传送带32机械连接以便于传送带32的运动；以及校正砂光模块40，其包括：校正砂光带42；非驱动辊44；至少两个非驱动辊轴承45；驱动辊46；至少两个驱动辊轴承47，48，其中驱动辊轴承47，48具有径向间隙60，66；驱动辊偏置机构68；安装在驱动辊46上并与之同轴的驱动辊偏置轴承70；以及，校正砂光带驱动器50，其中校正砂光带驱动器50与驱动辊46机械连接以便于校正砂光带42的运动；其中校正砂光带42绕着非驱动辊44和驱动辊46；其中所述至少两个非驱动辊轴承45便于非驱动辊44绕着非驱动辊旋转轴线Andr的旋转运动；并且，其中所述至少两个驱动辊轴承47便于驱动辊46绕着驱动辊旋转轴线Adr的旋转运动；其中驱动辊旋转轴线Adr大体上与输送辊的旋转轴线Atfr平行；将化学机械抛光层放置于传送带上；传送化学机械抛光层使其通过传送带32和校正砂光带42之间的间隙49；其中抛光表面14与校正砂光带42接触；其中驱动辊偏置机构68通过向驱动辊偏置轴承70施加压力而与驱动辊46接合，从而使得用于所述至少两个驱动辊轴承47，48的径向间隙60，66在化学机械抛光层10通过间隙49时，能相对于化学机械抛光层10位于驱动辊46的同一侧；其中间隙49小于化学机械抛光层10的初始平均厚度TIA；其中在穿过间隙49之后，化学机械抛光层10呈现出最终平均厚度TFA；并且，其中最终平均厚度TFA小于初始平均厚度TIA。
本发明还提供了一种用于对化学机械抛光层的抛光表面进行纹理预处理的方法，包括：提供具有抛光表面14和初始平均厚度TIA的化学机械抛光层10；提供砂带打磨机20，其包括：化学机械抛光层传送模块30，该模块包括：传动带32；输送辊34；至少两个输送辊轴承36；至少一个传送支撑辊；以及传送带驱动器；其中输送辊轴承36便于输送辊绕着输送辊的旋转轴线Atfr的旋转运动；其中传送带32绕着输送辊34和所述至少一个传送支撑辊；并且，其中传送带驱动器与传送带32机械连接以便于传送带32的运动；以及校正砂光模块40，其包括：校正砂光带42；非驱动辊44；至少两个非驱动辊轴承45；驱动辊46；至少两个驱动辊轴承47，48，其中驱动辊轴承47，48具有径向间隙60，66；校正砂光带驱动器50，其中校正砂光带驱动器50与驱动辊46机械连接以便于校正砂光带42的运动；其中校正砂光带42绕着非驱动辊44和驱动辊46；其中所述至少两个非驱动辊轴承45便于非驱动辊44绕着非驱动辊旋转轴线Andr的旋转运动；并且，其中所述至少两个驱动辊轴承47便于驱动辊46绕着驱动辊旋转轴线Adr的旋转运动；其中驱动辊旋转轴线Adr大体上与输送辊的旋转轴线Atfr平行；提供具有平均厚度TCA的支架；并且将化学机械抛光层放置于支架上；将支架上的化学机械抛光层放置于传送带上；传送支架上的化学机械抛光层使其通过传送带32和校正砂光带42之间的间隙49；其中抛光表面14与校正砂光带42接触；其中所述至少两个驱动辊轴承47，48被偏置以便它们的径向间隙60，66在化学机械抛光层10通过间隙49时，能相对于化学机械抛光层10位于驱动辊46的同一侧；其中间隙49小于支架的平均厚度TCA与化学机械抛光层10的初始平均厚度TIA之和；其中在穿过间隙49之后，化学机械抛光层10呈现出最终平均厚度TFA；并且，其中最终平均厚度TFA小于初始平均厚度TIA。
本发明还提供了一种用于对化学机械抛光层的抛光表面进行纹理预处理的方法，包括：提供具有抛光表面14和初始平均厚度TIA的化学机械抛光层10；提供砂带打磨机20，其包括：化学机械抛光层传送模块30，该模块包括：传动带32；输送辊34；至少两个输送辊轴承36；至少一个传送支撑辊；以及传送带驱动器；其中输送辊轴承36便于输送辊绕着输送辊的旋转轴线Atfr的旋转运动；其中传送带32绕着输送辊34和所述至少一个传送支撑辊；并且，其中传送带驱动器与传送带32机械连接以便于传送带32的运动；以及校正砂光模块40，其包括：校正砂光带42；非驱动辊44；至少两个非驱动辊轴承45；驱动辊46；至少两个驱动辊轴承47，48，其中驱动辊轴承47，48具有径向间隙60，66；驱动辊偏置机构68；以及，校正砂光带驱动器50，其中校正砂光带驱动器50与驱动辊46机械连接以便于校正砂光带42的运动；其中校正砂光带42绕着非驱动辊44和驱动辊46；其中所述至少两个非驱动辊轴承45便于非驱动辊44绕着非驱动辊旋转轴线Andr的旋转运动；并且，其中所述至少两个驱动辊轴承47便于驱动辊46绕着驱动辊旋转轴线Adr的旋转运动；其中驱动辊旋转轴线Adr大体上与输送辊的旋转轴线Atfr平行；提供具有平均厚度TCA的支架；并且将化学机械抛光层放置于支架上；将支架上的化学机械抛光层放置于传送带上；传送支架上的化学机械抛光层使其通过传送带32和校正砂光带42之间的间隙49；其中抛光表面14与校正砂光带42接触；其中驱动辊偏置机构68与驱动辊46接合，从而使得用于所述至少两个驱动辊轴承47，48的径向间隙60，66在化学机械抛光层10通过间隙49时，能相对于化学机械抛光层10位于驱动辊46的同一侧；其中间隙49小于支架的平均厚度TCA与化学机械抛光层10的初始平均厚度TIA之和；其中在穿过间隙49之后，化学机械抛光层10呈现出最终平均厚度TFA；并且，其中最终平均厚度TFA小于初始平均厚度TIA。
本发明还提供了一种用于对化学机械抛光层的抛光表面进行纹理预处理的方法，包括：提供具有抛光表面14和初始平均厚度TIA的化学机械抛光层10；提供砂带打磨机20，其包括：化学机械抛光层传送模块30，该模块包括：传动带32；输送辊34；至少两个输送辊轴承36；至少一个传送支撑辊；以及传送带驱动器；其中输送辊轴承36便于输送辊绕着输送辊的旋转轴线Atfr的旋转运动；其中传送带32绕着输送辊34和所述至少一个传送支撑辊；并且，其中传送带驱动器与传送带32机械连接以便于传送带32的运动；以及校正砂光模块40，其包括：校正砂光带42；非驱动辊44；至少两个非驱动辊轴承45；驱动辊46；至少两个驱动辊轴承47，48，其中驱动辊轴承47，48具有径向间隙60，66；驱动辊偏置机构68；安装在驱动辊46上并与之同轴的驱动辊偏置轴承70；以及，校正砂光带驱动器50，其中校正砂光带驱动器50与驱动辊46机械连接以便于校正砂光带42的运动；其中校正砂光带42绕着非驱动辊44和驱动辊46；其中所述至少两个非驱动辊轴承45便于非驱动辊44绕着非驱动辊旋转轴线Andr的旋转运动；并且，其中所述至少两个驱动辊轴承47便于驱动辊46绕着驱动辊旋转轴线Adr的旋转运动；其中驱动辊旋转轴线Adr大体上与输送辊的旋转轴线Atfr平行；提供具有平均厚度TCA的支架；并且将化学机械抛光层放置于支架上；将支架上的化学机械抛光层放置于传送带上；传送支架上的化学机械抛光层使其通过传送带32和校正砂光带42之间的间隙49；其中抛光表面14与校正砂光带42接触；其中驱动辊偏置机构68通过向驱动辊偏置轴承70施加压力而与驱动辊46接合，从而使得用于所述至少两个驱动辊轴承47，48的径向间隙60，66在化学机械抛光层10通过间隙49时，能相对于化学机械抛光层10位于驱动辊46的同一侧；其中间隙49小于支架的平均厚度TCA与化学机械抛光层10的初始平均厚度TIA之和；其中在穿过间隙49之后，化学机械抛光层10呈现出最终平均厚度TFA；并且，其中最终平均厚度TFA小于初始平均厚度TIA。
附图说明
图1示出了在本发明的方法中使用的砂带打磨机。
图2示出了在现有技术的方法中使用的砂带打磨机的代表性驱动辊组件。
图3示出了在本发明的方法中使用的砂带打磨机的驱动辊组件。
图4示出了装配有驱动辊偏置机构和驱动辊偏置轴承的驱动辊组件的一部分。
图5是化学机械抛光层的透视顶/侧视图。
图6示出了砂带打磨机的一部分的侧视图。
图7示出了砂带打磨机的一部分的侧视图。
图8示出了砂带打磨机的一部分的侧视图。
图9示出了砂带打磨机的一部分的侧视图。
具体实施方式
这里以及所附权利要求中关于化学机械抛光垫或者抛光垫部件(例如抛光层10)中所采用的术语“大体上环形横截面”意味着从抛光垫部件的中心轴线12到外周15的横截面的最长半径r比从中心轴线12到外周15的横截面的最短半径r长≤20％(参看图5)。
这里以及所附权利要求中关于驱动辊旋转轴线Adr和输送辊旋转轴线Atfr所采用的术语“大体上平行”意味着驱动辊旋转轴线Adr和输送辊旋转轴线Atfr足够平行，使得传送带和校正砂光带之间形成的间隙在该间隙的宽度W上的变化量小于0.05mm(优选≤0.045mm)。
在具有抛光表面的化学机械抛光层的制造过程中采用了很多种聚合物配方，其中抛光表面适合于抛光基片(优选，基片选自磁性基片、光学基片和半导体基片中的至少一种；更优选，基片是半导体基片；最佳的是基片是半导体晶片)。本领域技术人员知道为给定的化学机械抛光层应用选择一种合适的聚合物配方。
参看图1，一种用于对本发明的化学机械抛光层的抛光表面进行纹理预处理的方法，优选包括：提供具有抛光表面14和初始平均厚度TIA的化学机械抛光层10；提供砂带打磨机20，其包括：化学机械抛光层传送模块30，该模块包括：传动带32；输送辊34；至少两个输送辊轴承36；至少一个传送支撑辊(未示出)；以及传送带驱动器(未示出)；其中输送辊轴承36便于输送辊绕着输送辊的旋转轴线Atfr的旋转运动；其中传送带32绕着输送辊34和所述至少一个传送支撑辊(未示出)；并且，其中传送带驱动器(未示出)与传送带32机械连接以便于传送带32的运动；以及校正砂光模块40，包括：校正砂光带42；非驱动辊44；至少两个非驱动辊轴承45；驱动辊46；至少两个驱动辊轴承47，48(优选，其中驱动辊轴承选自径向球轴承和径向轴衬；更优选的，其中驱动辊轴承是径向球轴承)；其中驱动辊轴承47，48具有径向间隙60，66；校正砂光带驱动器50，其中校正砂光带驱动器50与驱动辊46机械连接以便于校正砂光带42的运动；其中校正砂光带42绕着非驱动辊44和驱动辊46；其中所述至少两个非驱动辊轴承45便于非驱动辊44绕着非驱动辊旋转轴线Andr的旋转运动；并且，其中所述至少两个驱动辊轴承47便于驱动辊46绕着驱动辊旋转轴线Adr的旋转运动；其中驱动辊旋转轴线Adr大体上与输送辊的旋转轴线Atfr平行；将化学机械抛光层放置于传送带上；传送化学机械抛光层使其通过传送带32和校正砂光带42之间的间隙49；其中抛光表面14与校正砂光带42接触；其中所述至少两个驱动辊轴承47，48被偏置以便它们的径向间隙60，66(其中径向间隙被定义为位于滚动元件52，58和内圈54，64及外圈56，62之间的总的间隙)在化学机械抛光层10通过间隙49时，能相对于化学机械抛光层10位于驱动辊46的同一侧；其中间隙49小于化学机械抛光层10的初始平均厚度TIA；其中在穿过间隙49之后，化学机械抛光层10呈现出最终平均厚度TFA；并且，其中最终平均厚度TFA小于初始平均厚度TIA。优选地，驱动辊轴承是径向球轴承。
参看图1和3，一种用于对本发明的化学机械抛光层的抛光表面进行纹理预处理的方法，优选包括：提供具有抛光表面14和初始平均厚度TIA的化学机械抛光层10；提供砂带打磨机20，其包括：化学机械抛光层传送模块30，该模块包括：传动带32；输送辊34；至少两个输送辊轴承36；至少一个传送支撑辊(未示出)；以及传送带驱动器(未示出)；其中输送辊轴承36便于输送辊绕着输送辊的旋转轴线Atfr的旋转运动；其中传送带32绕着输送辊34和所述至少一个传送支撑辊(未示出)；并且，其中传送带驱动器(未示出)与传送带32机械连接以便于传送带32的运动；以及校正砂光模块40，包括：校正砂光带42；非驱动辊44；至少两个非驱动辊轴承45；驱动辊46；至少两个驱动辊轴承47，48(优选，其中驱动辊轴承选自径向球轴承和径向轴衬)；其中驱动辊轴承47，48具有径向间隙60，66；校正砂光带驱动器50，其中校正砂光带驱动器50与驱动辊46机械连接以便于校正砂光带42的运动；其中校正砂光带42绕着非驱动辊44和驱动辊46；其中所述至少两个非驱动辊轴承45便于非驱动辊44绕着非驱动辊旋转轴线Andr的旋转运动；并且，其中所述至少两个驱动辊轴承47便于驱动辊46绕着驱动辊旋转轴线Adr的旋转运动；其中驱动辊旋转轴线Adr大体上与输送辊的旋转轴线Atfr平行；将化学机械抛光层放置于传送带上；传送化学机械抛光层使其通过传送带32和校正砂光带42之间的间隙49；其中抛光表面14与校正砂光带42接触；其中所述至少两个驱动辊轴承47，48被偏置以便它们的径向间隙60，66(其中径向间隙被定义为位于滚动元件52，58和内圈54，64及外圈56，62之间的总的间隙)在化学机械抛光层10通过间隙49时，能相对于化学机械抛光层10位于驱动辊46的同一侧；其中间隙49小于化学机械抛光层10的初始平均厚度TIA；其中在穿过间隙49之后，化学机械抛光层10呈现出最终平均厚度TFA；并且，其中最终平均厚度TFA小于初始平均厚度TIA。
优选地，在本发明的方法中，所述至少两个驱动辊轴承47，48被偏置以便它们的径向间隙60，66(其中径向间隙被定义为位于滚动元件52，58和内圈54，64及外圈56，62之间的总的间隙)在化学机械抛光层10通过间隙49时，能相对于化学机械抛光层10位于驱动辊46的同一侧(参见图1和3)。更优选地，当化学机械抛光层10通过间隙49时，径向间隙60，66位于与驱动辊46最靠近化学机械抛光层的那一侧相反的一侧。
优选地，在本发明的方法中所采用的校正砂光模块还进一步包括驱动辊轴承偏置机构68(参见图4)。更优选地，驱动辊轴承48的外圈62被安装到支撑部件(未示出)上，并且驱动辊轴承偏置机构68被安装到支撑部件(未示出)上，其中那个驱动辊轴承偏置机构68与驱动辊46接合并且按压驱动辊46，从而使得当化学机械抛光层10通过间隙49时，用于所述至少两个驱动辊轴承47，48的径向间隙60，66相对于化学机械抛光层10位于驱动辊的同一侧。最优选地，所采用的校正砂光模块进一步包括驱动辊偏置轴承70，该轴承安装在驱动辊46上并与驱动辊46同轴；其中驱动辊偏置机构68通过向驱动辊偏置轴承70施加压力而与驱动辊46接合。优选地，驱动辊偏置轴承70包括内圈72，多个滚动元件74以及外圈76；其中滚动元件被放在内圈72和外圈76之间；其中内圈72被压紧在驱动辊46上，并且驱动辊偏置机构沿着与驱动辊旋转轴线Adr以及输送辊旋转轴线Atfr都垂直的方向按压外圈76。优选地，驱动辊偏置轴承70是径向球轴承。
优选地，在本发明的方法中，砂带打磨机20包括：校正砂光模块40，其中校正砂光模块从由前进校正砂光模块和倒退校正砂光模块组成的组中被选出。前进校正砂光模块中的校正砂光带沿着化学机械抛光层穿过砂带打磨机时的运动路径方向旋转。倒退校正砂光模块中的校正砂光带沿着与化学机械抛光层穿过砂带打磨机时的运动路径相反的方向旋转。更优选地，在本发明的方法中，砂带打磨机20包括校正砂光模块40，其中校正砂光模块是前进校正砂光模块。
优选地，在本发明的方法中，砂带打磨机20包括：至少两个串联操作的校正砂光模块40(参见图6)。当砂带打磨机20包括两个或多个校正砂光模块40时，在两个或多个校正砂光模块40中使用的校正砂光带42可以是相同的或不同的。优选地，在不同校正砂光模块40中使用的校正砂光带42是不同的。优选地，在不同校正砂光模块40中使用的校正砂光带42的研磨表面上采用的磨砂大小是不同的。当砂带打磨机20包括两个或多个校正砂光模块40时，每个校正砂光模块优选从前进校正砂光模块和倒退校正砂光模块中独立选出。优选地，砂带打磨机20包括两个校正砂光模块40。更优选的，砂带打磨机20包括两个校正砂光模块40，其中，这两个校正砂光模块都是前进校正砂光模块。
优选地，在本发明的方法中，砂带打磨机20还进一步包括：横向砂光模块80和纵向砂光模块85中的至少一个；其中横向砂光模块80包括横向砂光带82和横向砂光压力杆84；并且，其中纵向砂光模块85包括纵向砂光带87和纵向砂光压力杆89(参见图7-9)。横向砂光模块80中的横向砂光带82绕着与化学机械抛光层穿过砂带打磨机时的运动路径相反的方向旋转。纵向砂光模块85中的纵向砂光带87绕着与化学机械抛光层穿过砂带打磨机时的运动路径相同的方向旋转。更优选地，在本发明的方法中，砂带打磨机20进一步包括：纵向砂光模块85。最优选地，在本发明的方法中，砂带打磨机20包括两个前进校正砂光模块40和一个纵向砂光模块85(参见图8-9)。
根据本发明的方法，为了加强化学机械抛光层的抛光表面的纹理，抛光表面与校正砂光带接触。优选地，抛光表面与两个或多个校正砂光带接触。更优选的，抛光表面与两个校正砂光带接触。优选地，根据本发明的方法，为了进一步加强化学机械抛光层的抛光表面的纹理，抛光表面可进一步与横向砂光带和纵向砂光带中的至少一个接触。更优选的，抛光表面与纵向砂光带接触。最优选的，抛光表面与两个校正砂光带和一个纵向砂光带接触。
本发明的方法中使用的校正砂光带优选具有研磨表面(优选地，其中研磨表面包括碳化硅和氧化铝研磨剂中的至少一种)。优选地，研磨表面具有磨砂大小为25-300μm(更优选25-200μm)。优选地，本发明的方法中使用的校正砂光带包括选自由聚合物膜，织物和纸构成的组的衬背材料。
在本发明的方法中使用的横向砂光带(如有)优选具有研磨表面(优选地，其中研磨表面包括碳化硅和氧化铝研磨剂中的至少一种)。优选地，研磨表面具有磨砂大小为25-300μm(更优选25-200μm)。优选地，本发明的方法中使用的校正砂光带包括选自由聚合物膜，织物和纸构成的组的衬背材料。
在本发明的方法中使用的纵向砂带(如有)优选具有研磨表面(优选地，其中研磨表面包括碳化硅和氧化铝研磨剂中的至少一种)。优选地，研磨表面具有磨砂大小为25-300μm(更优选25-200μm)。优选地，本发明的方法中使用的校正砂带包括选自由聚合物膜，织物和纸构成的组的衬背材料。
在本发明的方法中使用的横向砂光压力杆84(如有)以及纵向砂光压力杆89(如有)，优选选自在砂光机领域中传统已知的压力杆。更优选的，在本发明的方法中使用的横向砂光压力杆84(如有)以及纵向砂光压力杆89(如有)选自气动压力杆和电磁压力杆。最优选的，在本发明的方法中使用的横向砂光压力杆84(如有)以及纵向砂光压力杆89(如有)选自分段式气动压力杆和分段式电磁压力杆。
优选地，本发明的方法还包括：提供具有平均厚度TCA的支架(未示出)；并且将化学机械抛光层放置于支架上；其中化学机械抛光层被供给入支架的间隙中；并且，其中该间隙小于平均厚度TCA和初始平均厚度TIA的总和。在实施本发明时，在这里所提供的教导启示下，本领域技术人员意识到可以选择具有合适厚度并且由合适材料构成的背衬板。优选地，所采用的背衬板具有2.54-5.1mm的厚度。优选地，所采用的背衬板由选自铝板和丙烯酸板的材料构成。优选地，所采用的背衬板具有大体上环形横截面。本领域技术人员将意识到背衬板的直径受涂布机的大小限制，该涂布机被用于涂覆未凝固的活性热熔粘合剂。优选地，所采用的背衬板具有600-1600mm的直径，优选600-1200mm。
和本发明的方法中所使用的校正砂光模块形成完全对比，在本发明中，如图1和3所示，驱动辊轴承的径向间隙被置于驱动辊的相同侧；而图2示出了现有技术中校正砂光模块的相关部分。特别是，具有驱动辊的校正砂光模块140；具有径向间隙160，166的驱动辊轴承147，148，其中该径向间隙被定义为滚动元件152，158和内圈154，164及外圈156，162之间的总的间隙。在现有技术的校正砂光模块中，当驱动辊与驱动器150接合时，其被构成为悬臂状态，以便驱动辊轴承147，148的径向间隙160，166被置于驱动辊的相反侧。因此，传送带(未示出)和绕着驱动辊的校正砂光带(未示出)之间的间隙(未示出)在间隙宽度W(未示出)上是不均匀的。实际上，在这些现有技术的装置中，在间隙宽度上的间隙变化倾向于至少是驱动辊轴承147，148的径向间隙160，166之和。在间隙宽度方向上的这种间隙不均匀会导致采用这种现有校正砂光模块修整的抛光层在化学机械抛光层上呈现出不想要的球形厚度变化。

Claims (8)

1.一种用于对化学机械抛光层的抛光表面进行纹理预处理的方法，包括：
提供具有抛光表面和初始平均厚度TIA的化学机械抛光层；
提供砂带打磨机，其包括：
化学机械抛光层传送模块，其包括：传动带；输送辊；至少两个输送辊轴承；至少一个传送支撑辊；以及传送带驱动器；其中输送辊轴承便于输送辊绕着输送辊的旋转轴线Atfr的旋转运动；其中传送带绕着输送辊和所述至少一个传送支撑辊；并且，其中传送带驱动器与传送带机械连接以便于传送带的运动；
校正砂光模块，其包括：校正砂光带；非驱动辊；至少两个非驱动辊轴承；驱动辊；至少两个驱动辊轴承；其中驱动辊轴承具有径向间隙；驱动辊偏置机构；安装在驱动辊上并与驱动辊同轴的驱动辊偏置轴承，其中驱动辊偏置机构通过向驱动辊偏置轴承施加压力而与驱动辊接合，从而使得当化学机械抛光层通过间隙时，所述至少两个驱动辊轴承的径向间隙相对于化学机械抛光层位于驱动辊的同一侧；校正砂光带驱动器，其中校正砂光带驱动器与驱动辊机械连接以便于校正砂光带的运动；其中校正砂光带绕着非驱动辊和驱动辊；其中所述至少两个非驱动辊轴承便于非驱动辊绕着非驱动辊的旋转轴线Andr的旋转运动；并且，其中所述至少两个驱动辊轴承便于驱动辊绕着驱动辊的旋转轴线Adr的旋转运动；其中驱动辊的旋转轴线Adr大体上与输送辊的旋转轴线Atfr平行；
将化学机械抛光层放置于传送带上；
传送化学机械抛光层使其通过传送带和校正砂光带之间的间隙；
其中抛光表面与校正砂光带接触；
其中所述至少两个驱动辊轴承被偏置以便它们的径向间隙在化学机械抛光层通过间隙时，位于与驱动辊最靠近化学机械抛光层的那一侧相反的一侧；
其中间隙小于化学机械抛光层的初始平均厚度TIA；
其中在穿过间隙之后，化学机械抛光层呈现出最终平均厚度TFA；并且，
其中最终平均厚度TFA小于初始平均厚度TIA。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述至少两个驱动辊轴承是径向球轴承。
3.如权利要求1所述的方法，其中校正砂光带具有研磨表面，该研磨表面的磨砂大小为25-300μm。
4.如权利要求1所述的方法，进一步包括：
提供具有平均厚度TCA的支架；以及
将化学机械抛光层置于该支架上；
其中化学机械抛光层被供给入支架的间隙中；并且
其中该间隙小于平均厚度TCA和初始平均厚度TIA之和。
5.如权利要求4所述的方法，其中该支架的平均厚度TCA为2.54-5.1mm。
6.如权利要求4所述的方法，其中该支架由选自铝板和丙烯酸板的材料构成。
7.如权利要求4所述的方法，其中该支架具有大体上环形横截面。
8.如权利要求1所述的方法，其中驱动辊偏置轴承是球轴承。
CN201310491353.1A 2012-07-30 2013-07-30 用于化学机械抛光层纹理预处理的方法 Active CN103567839B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/561,282 US9108293B2 (en) 2012-07-30 2012-07-30 Method for chemical mechanical polishing layer pretexturing
US13/561,282 2012-07-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103567839A CN103567839A (zh) 2014-02-12
CN103567839B true CN103567839B (zh) 2017-04-12

Family

ID=49912321

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310491353.1A Active CN103567839B (zh) 2012-07-30 2013-07-30 用于化学机械抛光层纹理预处理的方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9108293B2 (zh)
JP (1) JP6164963B2 (zh)
KR (1) KR102115010B1 (zh)
CN (1) CN103567839B (zh)
DE (1) DE102013012549A1 (zh)
FR (1) FR2993808B1 (zh)
TW (1) TWI589399B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9108293B2 (en) * 2012-07-30 2015-08-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method for chemical mechanical polishing layer pretexturing
KR102110979B1 (ko) * 2015-09-01 2020-05-15 삼성전자주식회사 스테인레스 코일용 가로 헤어라인 가공장치 및 이에 의해 형성된 스테인레스 코일
CN105881159B (zh) * 2016-04-12 2018-04-17 阳江市伟艺抛磨材料有限公司 一种基于抛光轮不织布修正热压板外形的方法
US9802293B1 (en) 2016-09-29 2017-10-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method to shape the surface of chemical mechanical polishing pads
KR101871246B1 (ko) * 2016-10-13 2018-06-28 주식회사 포스코 강판 표면처리장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4742650A (en) * 1986-11-07 1988-05-10 Conestoga Wood Specialities, Inc. Sanding machine
US6089958A (en) * 1999-05-13 2000-07-18 Costa; Alessandro Belt sander with orbitally translated abrasive belt
CN1699019A (zh) * 2004-04-21 2005-11-23 Jsr株式会社 化学机械研磨垫、其制造方法和化学机械研磨方法
CN1914004A (zh) * 2004-01-26 2007-02-14 Tbw工业有限公司 用于化学机械平面化的多步骤、原位垫修整系统和方法
CN102034698A (zh) * 2009-09-30 2011-04-27 诺利塔克股份有限公司 硅晶片的制造方法

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3701219A (en) * 1972-01-14 1972-10-31 Timesavers Inc Apparatus for effecting superior sanding
US3777442A (en) * 1972-04-03 1973-12-11 Timesavers Inc Wide belt sanding machine with improved support for outboard end of cantilevered center bar
US4178721A (en) * 1977-12-28 1979-12-18 Kimwood Corporation Apparatus for sizing and finishing batches of lumber
DE3041377C2 (de) * 1980-11-03 1982-12-30 Bison-Werke Bähre & Greten GmbH & Co KG, 3257 Springe Breitbandschleifmaschine zum Bearbeiten von Span-, Faser-, Furnier- o.dgl. Platten
DE3217935C2 (de) * 1982-05-13 1984-12-13 Küsters, Eduard, 4150 Krefeld Bandschleifmaschine für Spanplatten u.dgl.
DE3316154C2 (de) * 1983-05-03 1986-06-19 Bison-Werke Bähre & Greten GmbH & Co KG, 3257 Springe Bandschleifmaschine
JPS59212513A (ja) * 1983-05-17 1984-12-01 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 軸受装置
US4594815A (en) * 1983-07-01 1986-06-17 Timesavers, Inc. Abrasive surfacer
JP2525892B2 (ja) * 1989-04-06 1996-08-21 ロデール・ニッタ 株式会社 ポリッシング方法およびポリッシング装置
JP2514193Y2 (ja) * 1991-09-24 1996-10-16 アミテック株式会社 ベルトサンダ―
US5547448A (en) * 1993-10-28 1996-08-20 Grant W. Robertson Journal equipped rotational devices and methods of making and balancing the same
US5512009A (en) * 1994-03-01 1996-04-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method and apparatus for attenuating optical chatter marks on a finished surface
JPH07310742A (ja) * 1994-05-18 1995-11-28 Ntn Corp 円筒ころ軸受及びその軸受を用いたスピンドル装置
US5527424A (en) * 1995-01-30 1996-06-18 Motorola, Inc. Preconditioner for a polishing pad and method for using the same
US7097544B1 (en) * 1995-10-27 2006-08-29 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing system having multiple polishing stations and providing relative linear polishing motion
US5895312A (en) * 1996-10-30 1999-04-20 International Business Machines Corporation Apparatus for removing surface irregularities from a flat workpiece
US6328642B1 (en) * 1997-02-14 2001-12-11 Lam Research Corporation Integrated pad and belt for chemical mechanical polishing
US6126532A (en) * 1997-04-18 2000-10-03 Cabot Corporation Polishing pads for a semiconductor substrate
US6117000A (en) * 1998-07-10 2000-09-12 Cabot Corporation Polishing pad for a semiconductor substrate
US6645050B1 (en) * 1999-02-25 2003-11-11 Applied Materials, Inc. Multimode substrate carrier
US6276998B1 (en) * 1999-02-25 2001-08-21 Applied Materials, Inc. Padless substrate carrier
US6300247B2 (en) * 1999-03-29 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Preconditioning polishing pads for chemical-mechanical polishing
US6406363B1 (en) * 1999-08-31 2002-06-18 Lam Research Corporation Unsupported chemical mechanical polishing belt
US6375540B1 (en) * 2000-06-30 2002-04-23 Lam Research Corporation End-point detection system for chemical mechanical posing applications
US6520833B1 (en) * 2000-06-30 2003-02-18 Lam Research Corporation Oscillating fixed abrasive CMP system and methods for implementing the same
US6435952B1 (en) * 2000-06-30 2002-08-20 Lam Research Corporation Apparatus and method for qualifying a chemical mechanical planarization process
US6800020B1 (en) * 2000-10-02 2004-10-05 Lam Research Corporation Web-style pad conditioning system and methods for implementing the same
US6641470B1 (en) * 2001-03-30 2003-11-04 Lam Research Corporation Apparatus for accurate endpoint detection in supported polishing pads
US6620031B2 (en) * 2001-04-04 2003-09-16 Lam Research Corporation Method for optimizing the planarizing length of a polishing pad
US6761619B1 (en) * 2001-07-10 2004-07-13 Cypress Semiconductor Corp. Method and system for spatial uniform polishing
US7037177B2 (en) * 2001-08-30 2006-05-02 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for conditioning a chemical-mechanical polishing pad
US6852020B2 (en) * 2003-01-22 2005-02-08 Raytech Innovative Solutions, Inc. Polishing pad for use in chemical—mechanical planarization of semiconductor wafers and method of making same
TWI260256B (en) * 2002-03-25 2006-08-21 Thomas West Inc Conditioner and conditioning methods for smooth pads
US6722960B2 (en) * 2002-08-30 2004-04-20 Cemco, Inc Apparatus for planing and sizing a workpiece
DE10255652B4 (de) * 2002-11-28 2005-07-14 Infineon Technologies Ag Schleifkissen, Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren und Verfahren zum nasschemischen Schleifen einer Substratoberfläche
JP2004322243A (ja) * 2003-04-23 2004-11-18 Arai Pump Mfg Co Ltd キャリアプレートおよびその製造方法ならびに該方法に使用する研削盤
US6931330B1 (en) * 2003-06-30 2005-08-16 Lam Research Corporation Methods for monitoring and controlling chemical mechanical planarization
US6843709B1 (en) * 2003-12-11 2005-01-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for reducing slurry reflux
US6955587B2 (en) * 2004-01-30 2005-10-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc Grooved polishing pad and method
US6935938B1 (en) * 2004-03-31 2005-08-30 Lam Research Corporation Multiple-conditioning member device for chemical mechanical planarization conditioning
JP2005333121A (ja) * 2004-04-21 2005-12-02 Jsr Corp 化学機械研磨パッド及びその製造方法並びに化学機械研磨方法
TW200720017A (en) * 2005-09-19 2007-06-01 Rohm & Haas Elect Mat Water-based polishing pads having improved adhesion properties and methods of manufacture
JP2008057657A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Citizen Seimitsu Co Ltd Ｎｃ自動旋盤の主軸軸受構造
JP5611214B2 (ja) * 2008-10-16 2014-10-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 渦電流利得の補償
JP5388212B2 (ja) * 2009-03-06 2014-01-15 エルジー・ケム・リミテッド フロートガラス研磨システム用下部ユニット
CN102449017A (zh) * 2009-06-18 2012-05-09 Jsr株式会社 聚氨酯及含有它的研磨层形成用组合物、以及化学机械研磨用垫及使用它的化学机械研磨方法
US8595921B2 (en) * 2010-11-17 2013-12-03 Rsr Technologies, Inc. Electrodes made using surfacing technique and method of manufacturing the same
US9108293B2 (en) * 2012-07-30 2015-08-18 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method for chemical mechanical polishing layer pretexturing

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4742650A (en) * 1986-11-07 1988-05-10 Conestoga Wood Specialities, Inc. Sanding machine
US6089958A (en) * 1999-05-13 2000-07-18 Costa; Alessandro Belt sander with orbitally translated abrasive belt
CN1914004A (zh) * 2004-01-26 2007-02-14 Tbw工业有限公司 用于化学机械平面化的多步骤、原位垫修整系统和方法
CN1699019A (zh) * 2004-04-21 2005-11-23 Jsr株式会社 化学机械研磨垫、其制造方法和化学机械研磨方法
CN102034698A (zh) * 2009-09-30 2011-04-27 诺利塔克股份有限公司 硅晶片的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014028427A (ja) 2014-02-13
US20140030961A1 (en) 2014-01-30
DE102013012549A1 (de) 2014-01-30
CN103567839A (zh) 2014-02-12
JP6164963B2 (ja) 2017-07-19
TWI589399B (zh) 2017-07-01
KR20140016202A (ko) 2014-02-07
US9108293B2 (en) 2015-08-18
FR2993808A1 (fr) 2014-01-31
FR2993808B1 (fr) 2016-09-09
KR102115010B1 (ko) 2020-05-26
TW201412458A (zh) 2014-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103567839B (zh) 用于化学机械抛光层纹理预处理的方法
US7267610B1 (en) CMP pad having unevenly spaced grooves
CN102152206A (zh) 研磨装置、研磨方法、按压研磨具的按压部件
EP1188516A1 (en) Method and apparatus for polishing outer peripheral chamfered part of wafer
GB2301544A (en) Surface polishing
CN106078469B (zh) 一种陶瓷件的3d弧面的抛光工艺及其装置
US10086499B2 (en) Abrasive article and method of use
CN107431006B (zh) 半导体晶片的单片式单面研磨方法及半导体晶片的单片式单面研磨装置
JP2011077413A (ja) シリコンウェハーの製造方法
CN102059646B (zh) 研磨平板显示器的方法
US10981260B2 (en) Abrasive product and a method for manufacturing such
KR100665783B1 (ko) 연마방법
JP5271611B2 (ja) 研磨装置及び研磨方法
CN108807138A (zh) 硅晶圆及其制造方法
CN1962193A (zh) 使用机械固定翼片砂轮的金属薄板抛光系统
JP2001001241A (ja) ガラス基板の研削方法
JP2002059346A (ja) 板状物の面取り加工方法及び装置
CN205928210U (zh) 一种陶瓷件的3d弧面的抛光装置
JP2011211013A (ja) 多層膜・パターン付きウェーハの再生方法
US20220281062A1 (en) Roller for location-specific wafer polishing
WO2023100957A1 (ja) ガラス板の製造方法
CN110039415B (zh) 类金属刷纹成型装置以及类金属刷纹膜的制造方法
CN106351992B (zh) 对偶片及其制造方法
WO2019187878A1 (ja) 板ガラスの製造方法および製造装置
JP2023072315A (ja) ガラス板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant