KR20140016202A - 화학적 기계적 연마층 사전 텍스쳐링 방법 - Google Patents
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Abstract
화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법이 제공된다.
Description
본 발명은 일반적으로 화학적 기계적 연마 분야에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 화학적 기계적 연마층 사전 텍스쳐링 방법에 관한 것이다.
집적 회로와 다른 전기 기기의 제작에서, 전도체 물질과, 반도체 및 유전체 물질의 다중층이 반도체 웨이퍼의 표면 상에 증착되고, 표면으로부터 제거된다. 전도체 물질과, 반도체 및 유전체 물질의 박층이 여러 증착 기술을 사용하여 증착될 수 있다. 최신 웨이퍼 처리에서 통상의 증착 기술은 특히 스퍼터링으로도 공지된 물리 기상 증착(PVD), 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 및 전기 화학 도금을 포함한다. 통상의 제거 기술은 특히 습식 및 건식 등방성 및 이방성 에칭을 포함한다.
물질의 층이 순차적으로 증착되고 제거되며, 웨이퍼의 최상부 표면은 비평면이 된다. 후속 반도체 처리(예컨대, 금속화{metallization})에서 웨이퍼가 평면을 가질 것을 요구하기 때문에, 웨이퍼는 평탄화될 필요가 있다. 평탄화는 거친 표면, 응집된 물질, 결정 격자 손상, 스크래치와 오염된 층 또는 물질 같은 바람직하지 않은 표면 지형(topography)과 표면 결합 제거에 유용하다.
화학적 기계적 평탄화 또는 화학적 기계적 연마(CMP)는 반도체 웨이퍼 같은 공작물을 평탄화하거나 연마하는데 사용되는 통상의 기술이다. 종래의 CMP에서, 웨이퍼 캐리어(carrier) 또는 연마 헤드는 캐리어 조립체 상에 장착된다. 연마 헤드는 웨이퍼를 유지하고, 웨이퍼를 CMP 장치 내부의 테이블 또는 플래튼(platen) 상에 장착된 연마 패드의 연마층과 접촉하여 위치시킨다. 캐리어 조립체는 제어 가능한 압력을 웨이퍼와 연마 패드 사이에 제공한다. 동시에, 연마 매체가 연마 패드 상에 분사되고, 웨이퍼와 연마층 사이의 갭으로 들어간다. 연마를 위해, 연마 패드와 웨이퍼는 통상적으로 서로에 대해 회전한다. 연마 패드가 웨이퍼 아래에서 회전함에 따라, 웨이퍼는 통상적으로 환형 형상의 연마 트랙 또는 연마 영역을 쓸어내며, 웨이퍼의 표면은 직접 연마층에 닿는다. 웨이퍼 표면은 표면 상의 연마 매체와 연마층의 화학적 및 기계적 작용에 의해 연마되고 평면이 된다.
주어진 연마층으로 달성되는 화학적 기계적 연마율의 크기와 안정성에 영향을 미치는 인자는 패드 컨디셔닝(conditioning)(즉, 연마층의 연마 표면을 연마에 적절한 형태로 만들기 위해 사용되는 기술)을 포함한다. 구체적으로, 종래의 화학적 기계적 연마층의 연마 표면은 통상적으로 주어진 기판의 효율적인 연마를 위해 필요한 텍스쳐를 제공하도록 컨디셔닝된다. 이러한 과정은 당업계에서 흔히 브레이크 인 컨디셔닝(break-in conditioning)으로 언급된다.
브레이크 인 컨디셔닝은 흔히 후속적으로 실제 기판 연마에 사용되는 동일한 연마 장비를 사용하여 수행된다. 종래의 브레이크 인 컨디셔닝 기술은 흔히 더미(dummy) 또는 블랭킷(blanket) 웨이퍼를 활용한다. 브레이크 인 컨디셔닝은 통상적으로 실리콘 산화물 표면을 갖는 더미 또는 블랭크 웨이퍼를 연마하는 것을 포함한다. 더미 또는 블랭크 웨이퍼 상의 이산화 실리콘 표면의 수 마이크로미터의 제거 이후에, 연마 패드의 연마 표면은 실제 연마를 위해 충분히 사전 컨디셔닝된다. 이러한 브레이크 인 컨디셔닝 과정은 완료에 30분 이상 소요되는, 매우 시간 소모적이고, 예컨대, 패드 당 약 10개 웨이퍼와 같은 많은 웨이퍼 소모는 매우 고비용이다.
이에 따라, 브레이크 인 컨디셔닝에 대한 요구가 최소화되도록 화학적 기계적 연마에서의 사용을 위해 고객에게 전달 전에 향상된 표면 텍스쳐를 제공하도록 연마 표면이 처리된 제조된 화학적 기계적 연마층을 제공하는 것이 바람직하다.
기판의 연마를 위한 화학적 기계적 연마층의 연마 표면을 제조하는 한 방법이 Hosaka 등에 의한 미국 특허 출원 공보 제2005/0239380호에 개시된다. Hosaka 등은 화학적 기계적 연마층의 연마 표면은 광폭 벨트식 샌더(sander) 상에서의 샌딩(sanding)에 의한 연마 표면의 마멸에 의해 컨디셔닝될 수 있다고 교시한다.
그럼에도, 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링을 위한 향상된 방법에 대한 계속적인 필요가 있다.
본 발명은 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법을 제공하며, 이는 연마 표면(14)과 초기 평균 두께 T IA 를 갖는 화학적 기계적 연마층(10)을 제공하고; 수송 벨트(32), 수송 공급 롤러(34), 적어도 두 개의 수송 공급 롤러 베어링(36), 적어도 한 개의 수송 지지 롤러 및 수송 벨트 드라이버를 포함하며, 수송 공급 롤러 베어링(36)은 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 대한 수송 공급 롤러의 회전 운동을 촉진하고, 수송 벨트(32)는 수송 공급 롤러(34)와 적어도 한 개의 수송 지지 롤러 주변에 걸려있고(trained), 수송 벨트 드라이버는 수송 벨트(32)의 운동을 촉진하기 위해 수송 벨트(32)와 기계적으로 연통하는 화학적 기계적 연마층 수송 모듈(30); 및 교정 샌딩 벨트(42), 비구동 롤러(44), 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45), 구동 롤러(46), 반경 방향 간극(60, 66)을 가지는 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48), 교정 샌딩 벨트(42)의 이동을 촉진하기 위해 구동 롤러(46)와 기계적으로 연통하는 교정 샌딩 벨트 드라이버(50)를 포함하며, 교정 샌딩 벨트(42)는 비구동 롤러(44)와 구동 롤러(46) 주변에 결려있고, 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45)은 비구동 롤러 회전축 Andr에 대한 비구동 롤러(44)의 회전 운동을 촉진하며, 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47)이 구동 롤러 회전축 Adr에 대한 구동 롤러(46)의 회전 운동을 촉진하고, 구동 롤러 회전축 Adr는 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 실질적으로 평행한 교정 샌딩 모듈(40)을 포함하는 벨트 샌딩 기계(20)를 제공하고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트 상에 위치시키고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트(32)와 교정 샌딩 벨트(42) 사이의 갭(49)을 통해 공급하는 것을 포함하며, 연마 표면(14)은 교정 샌딩 벨트(42)와 접촉하게 되고, 화학적 기계적 연마층(10)이 갭(49)을 통과함에 따라 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48)은 그것의 반경 방향 간극(60, 66)이 화학적 기계적 연마층(10)에 대해 구동 롤러(46)의 동일 측면 상에 배치되도록 편향되고, 갭(49)은 화학적 기계적 연마층(10)의 초기 평균 두께 TIA보다 작고, 화학적 기계적 연마층(10)은 갭(49)을 통과한 후에 최종 평균 두께 TFA를 나타내고, 최종 평균 두께 TFA는 초기 평균 두께 TIA보다 작다.
본 발명은 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법을 제공하며, 이는 연마 표면(14)과 초기 평균 두께 T IA 를 갖는 화학적 기계적 연마층(10)을 제공하고; 수송 벨트(32), 수송 공급 롤러(34), 적어도 두 개의 수송 공급 롤러 베어링(36), 적어도 한 개의 수송 지지 롤러 및 수송 벨트 드라이버를 포함하며, 수송 공급 롤러 베어링(36)은 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 대한 수송 공급 롤러의 회전 운동을 촉진하고, 수송 벨트(32)는 수송 공급 롤러(34)와 적어도 한 개의 수송 지지 롤러 주변에 걸려있고, 수송 벨트 드라이버는 수송 벨트(32)의 운동을 촉진하기 위해 수송 벨트(32)와 기계적으로 연통하는 화학적 기계적 연마층 수송 모듈(30); 및 교정 샌딩 벨트(42), 비구동 롤러(44), 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45), 구동 롤러(46), 반경 방향 간극(60, 66)을 가지는 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48), 구동 롤러 편향기(68) 및 교정 샌딩 벨트(42)의 운동을 촉진하기 위해 구동 롤러(46)와 기계적으로 연통하는 교정 샌딩 벨트 드라이버(50)를 포함하며, 교정 샌딩 벨트(42)는 비구동 롤러(44)와 구동 롤러(46) 주변에 걸려있고, 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45)은 비구동 롤러 회전축 Andr에 대한 비구동 롤러(44)의 회전 운동을 촉진하며, 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47)이 구동 롤러 회전축 Adr에 대한 구동 롤러(46)의 회전 운동을 촉진하고, 구동 롤러 회전축 Adr는 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 실질적으로 평행한 교정 샌딩 모듈(40)을 포함하는 벨트 샌딩 기계(20)를 제공하고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트 상에 위치시키고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트(32)와 교정 샌딩 벨트(42) 사이의 갭(49)을 통해 공급하는 것을 포함하며, 연마 표면(14)은 교정 샌딩 벨트(42)와 접촉하게 되고, 화학적 기계적 연마층(10)이 갭(49)을 통과함에 따라 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48)을 위한 반경 방향 간극(60, 66)이 화학적 기계적 연마층(10)에 대해 구동 롤러(46)의 동일 측면 상에 배치되도록 구동 롤러 편향기(68)가 구동 롤러(46)에 결합하고, 갭(49)은 화학적 기계적 연마층(10)의 초기 평균 두께 TIA보다 작고, 화학적 기계적 연마층(10)은 갭(49)을 통과한 후에 최종 평균 두께 TFA를 나타내고, 최종 평균 두께 TFA는 초기 평균 두께 TIA보다 작다.
본 발명은 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법을 제공하며, 이는 연마 표면(14)과 초기 평균 두께 T IA 를 갖는 화학적 기계적 연마층(10)을 제공하고; 수송 벨트(32), 수송 공급 롤러(34), 적어도 두 개의 수송 공급 롤러 베어링(36), 적어도 한 개의 수송 지지 롤러 및 수송 벨트 드라이버를 포함하며, 수송 공급 롤러 베어링(36)은 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 대한 수송 공급 롤러의 회전 운동을 촉진하고, 수송 벨트(32)는 수송 공급 롤러(34)와 적어도 한 개의 수송 지지 롤러 주변에 걸려있고, 수송 벨트 드라이버는 수송 벨트(32)의 운동을 촉진하기 위해 수송 벨트(32)와 기계적으로 연통하는 화학적 기계적 연마층 수송 모듈(30); 및 교정 샌딩 벨트(42), 비구동 롤러(44), 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45), 구동 롤러(46), 반경 방향 간극(60, 66)을 가지는 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48), 구동 롤러 편향기(68), 구동 롤러(46) 상에 장착되고 동축인 구동 롤러 편향 베어링(70) 및 교정 샌딩 벨트(42)의 운동을 촉진하기 위해 구동 롤러(46)와 기계적으로 연통하는 교정 샌딩 벨트 드라이버(50)를 포함하며, 교정 샌딩 벨트(42)는 비구동 롤러(44)와 구동 롤러(46) 주변에 걸려있고, 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45)은 비구동 롤러 회전축 Andr에 대한 비구동 롤러(44)의 회전 운동을 촉진하며, 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47)이 구동 롤러 회전축 Adr에 대한 구동 롤러(46)의 회전 운동을 촉진하고, 구동 롤러 회전축 Adr는 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 실질적으로 평행한 교정 샌딩 모듈(40)을 포함하는 벨트 샌딩 기계(20)를 제공하고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트 상에 위치시키고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트(32)와 교정 샌딩 벨트(42) 사이의 갭(49)을 통해 공급하는 것을 포함하며, 연마 표면(14)은 교정 샌딩 벨트(42)와 접촉하게 되고, 화학적 기계적 연마층(10)이 갭(49)을 통과함에 따라 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48)을 위한 반경 방향 간극(60, 66)이 화학적 기계적 연마층(10)에 대해 구동 롤러(46)의 동일 측면 상에 배치되도록 구동 롤러 편향 베어링(70)에 대해 압력을 가하여 구동 롤러 편향기(68)가 구동 롤러(46)에 결합하고, 갭(49)은 화학적 기계적 연마층(10)의 초기 평균 두께 TIA보다 작고, 화학적 기계적 연마층(10)은 갭(49)을 통과한 후에 최종 평균 두께 TFA를 나타내고, 최종 평균 두께 TFA는 초기 평균 두께 TIA보다 작다.
본 발명은 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법을 더 제공하며, 이는 연마 표면(14)과 초기 평균 두께 T IA 를 갖는 화학적 기계적 연마층(10)을 제공하고; 수송 벨트(32), 수송 공급 롤러(34), 적어도 두 개의 수송 공급 롤러 베어링(36), 적어도 한 개의 수송 지지 롤러 및 수송 벨트 드라이버를 포함하며 수송 공급 롤러 베어링(36)은 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 대한 수송 공급 롤러의 회전 운동을 촉진하고, 수송 벨트(32)는 수송 공급 롤러(34)와 적어도 한 개의 수송 지지 롤러 주변에 걸려있고, 수송 벨트 드라이버는 수송 벨트(32)의 운동을 촉진하기 위해 수송 벨트(32)와 기계적으로 연통하는 화학적 기계적 연마층 수송 모듈(30); 및 교정 샌딩 벨트(42), 비구동 롤러(44), 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45), 구동 롤러(46), 반경 방향 간극(60, 66)을 가지는 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48) 및 교정 샌딩 벨트(42)의 운동을 촉진하기 위해 구동 롤러(46)와 기계적으로 연통하는 교정 샌딩 벨트 드라이버(50)를 포함하며, 교정 샌딩 벨트(42)는 비구동 롤러(44)와 구동 롤러(46) 주변에 걸려있고, 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45)은 비구동 롤러 회전축 Andr에 대한 비구동 롤러(44)의 회전 운동을 촉진하며, 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47)이 구동 롤러 회전축 Adr에 대한 구동 롤러(46)의 회전 운동을 촉진하고, 구동 롤러 회전축 Adr는 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 실질적으로 평행한 교정 샌딩 모듈(40)을 포함하는 벨트 샌딩 기계(20)를 제공하고; 평균 두께 TCA를 갖는 캐리어를 제공하고; 화학적 기계적 연마층을 캐리어 상에 위치시키고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트 상의 캐리어 상에 위치시키고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트(32)와 교정 샌딩 벨트(42) 사이의 갭(49)을 통해 캐리어 상에 공급하는 것을 포함하며, 연마 표면(14)은 교정 샌딩 벨트(42)와 접촉하게 되고, 화학적 기계적 연마층(10)이 갭(49)을 통과함에 따라 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48)은 그것의 반경 방향 간극(60, 66)이 화학적 기계적 연마층(10)에 대해 구동 롤러(46)의 동일 측면 상에 배치되도록 편향되고, 갭(49)은 캐리어의 평균 두께 TCA와 화학적 기계적 연마층(10)의 초기 평균 두께 TIA의 합보다 작고, 화학적 기계적 연마층(10)은 갭(49)을 통과한 후에 최종 평균 두께 TFA를 나타내고, 최종 평균 두께 TFA는 초기 평균 두께 TIA보다 작다.
본 발명은 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법을 더 제공하며, 이는 연마 표면(14)과 초기 평균 두께 T IA 를 갖는 화학적 기계적 연마층(10)을 제공하고; 수송 벨트(32), 수송 공급 롤러(34), 적어도 두 개의 수송 공급 롤러 베어링(36), 적어도 한 개의 수송 지지 롤러 및 수송 벨트 드라이버를 포함하며, 수송 공급 롤러 베어링(36)은 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 대한 수송 공급 롤러의 회전 운동을 촉진하고, 수송 벨트(32)는 수송 공급 롤러(34)와 적어도 한 개의 수송 지지 롤러 주변에 걸려있고, 수송 벨트 드라이버는 수송 벨트(32)의 운동을 촉진하기 위해 수송 벨트(32)와 기계적으로 연통하는 화학적 기계적 연마층 수송 모듈(30); 및 교정 샌딩 벨트(42), 비구동 롤러(44), 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45), 구동 롤러(46), 반경 방향 간극(60, 66)을 가지는 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48), 구동 롤러 편향기(68) 및 교정 샌딩 벨트(42)의 운동을 촉진하기 위해 구동 롤러(46)와 기계적으로 연통하는 교정 샌딩 벨트 드라이버(50)를 포함하며, 교정 샌딩 벨트(42)는 비구동 롤러(44)와 구동 롤러(46) 주변에 걸려있고, 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45)은 비구동 롤러 회전축 Andr에 대한 비구동 롤러(44)의 회전 운동을 촉진하며, 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47)이 구동 롤러 회전축 Adr에 대한 구동 롤러(46)의 회전 운동을 촉진하고, 구동 롤러 회전축 Adr는 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 실질적으로 평행한 교정 샌딩 모듈(40)을 포함하는 벨트 샌딩 기계(20)를 제공하고; 평균 두께 TCA를 갖는 캐리어를 제공하고; 화학적 기계적 연마층을 캐리어 상에 위치시키고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트 상의 캐리어 상에 위치시키고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트(32)와 교정 샌딩 벨트(42) 사이의 갭(49)을 통해 캐리어 상에 공급하는 것을 포함하며, 연마 표면(14)은 교정 샌딩 벨트(42)와 접촉하게 되고, 화학적 기계적 연마층(10)이 갭(49)을 통과함에 따라 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48)을 위한 반경 방향 간극(60, 66)이 화학적 기계적 연마층(10)에 대해 구동 롤러(46)의 동일 측면 상에 배치되도록 구동 롤러 편향기(68)가 구동 롤러(46)에 결합하고, 갭(49)은 캐리어의 평균 두께 TCA와 화학적 기계적 연마층(10)의 초기 평균 두께 TIA의 합보다 작고, 화학적 기계적 연마층(10)은 갭(49)을 통과한 후에 최종 평균 두께 TFA를 나타내고, 최종 평균 두께 TFA는 초기 평균 두께 TIA보다 작다.
본 발명은 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법을 더 제공하며, 이는 연마 표면(14)과 초기 평균 두께 T IA 를 갖는 화학적 기계적 연마층(10)을 제공하고; 수송 벨트(32), 수송 공급 롤러(34), 적어도 두 개의 수송 공급 롤러 베어링(36), 적어도 한 개의 수송 지지 롤러 및 수송 벨트 드라이버를 포함하며, 수송 공급 롤러 베어링(36)은 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 대한 수송 공급 롤러의 회전 운동을 촉진하고, 수송 벨트(32)는 수송 공급 롤러(34)와 적어도 한 개의 수송 지지 롤러 주변에 걸려있고, 수송 벨트 드라이버는 수송 벨트(32)의 운동을 촉진하기 위해 수송 벨트(32)와 기계적으로 연통하는 화학적 기계적 연마층 수송 모듈(30); 및 교정 샌딩 벨트(42), 비구동 롤러(44), 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45), 구동 롤러(46), 반경 방향 간극(60, 66)을 가지는 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48), 구동 롤러 편향기(68), 구동 롤러(46) 상에 장착되고 동축인 구동 롤러 편향 베어링(70) 및 교정 샌딩 벨트(42)의 운동을 촉진하기 위해 구동 롤러(46)와 기계적으로 연통하는 교정 샌딩 벨트 드라이버(50)를 포함하며, 교정 샌딩 벨트(42)는 비구동 롤러(44)와 구동 롤러(46) 주변에 걸려있고, 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45)은 비구동 롤러 회전축 Andr에 대한 비구동 롤러(44)의 회전 운동을 촉진하며, 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47)이 구동 롤러 회전축 Adr에 대한 구동 롤러(46)의 회전 운동을 촉진하고, 구동 롤러 회전축 Adr는 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 실질적으로 평행한 교정 샌딩 모듈(40)을 포함하는 벨트 샌딩 기계(20)를 제공하고; 평균 두께 TCA를 갖는 캐리어를 제공하고; 화학적 기계적 연마층을 캐리어 상에 위치시키고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트 상의 캐리어 상에 위치시키고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트(32)와 교정 샌딩 벨트(42) 사이의 갭(49)을 통해 캐리어 상에 공급하는 것을 포함하며, 연마 표면(14)은 교정 샌딩 벨트(42)와 접촉하게 되고, 화학적 기계적 연마층(10)이 갭(49)을 통과함에 따라 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48)을 위한 반경 방향 간극(60, 66)이 화학적 기계적 연마층(10)에 대해 구동 롤러(46)의 동일 측면 상에 배치되도록 구동 롤러 편향 베어링(70)에 대해 압력을 가하여 구동 롤러 편향기(68)가 구동 롤러(46)에 결합하고, 갭(49)은 캐리어의 평균 두께 TCA와 화학적 기계적 연마층(10)의 초기 평균 두께 TIA의 합보다 작고, 화학적 기계적 연마층(10)은 갭(49)을 통과한 후에 최종 평균 두께 TFA를 나타내고, 최종 평균 두께 TFA는 초기 평균 두께 TIA보다 작다.
화학적 기계적 연마층(10)은 갭(49)을 통과한 후에 최종 평균 두께 TFA를 나타내고, 최종 평균 두께 TFA는 초기 평균 두께 TIA보다 작다.
도 1은 본 발명의 방법에서 사용되는 벨트 샌딩 기계의 도시이다.
도 2는 종래 기술 분야의 방법에서 사용되는 벨트 샌딩 기계에 대한 통상적인 구동 롤러 조립체의 도시이다.
도 3은 본 발명의 방법에서 사용되는 벨트 샌딩 기계에 대한 구동 롤러 조립체의 도시이다.
도 4는 구동 롤러 편향기와 구동 롤러 편향 베어링을 갖춘 구동 롤러 조립체의 부분 도시이다.
도 5는 화학적 기계적 연마층의 상부/측면 사시도이다.
도 6은 벨트 샌딩 기계 부분의 측면도의 도시이다.
도 7은 벨트 샌딩 기계 부분의 측면도의 도시이다.
도 8은 벨트 샌딩 기계 부분의 측면도의 도시이다.
도 9는 벨트 샌딩 기계 부분의 측면도의 도시이다.
도 2는 종래 기술 분야의 방법에서 사용되는 벨트 샌딩 기계에 대한 통상적인 구동 롤러 조립체의 도시이다.
도 3은 본 발명의 방법에서 사용되는 벨트 샌딩 기계에 대한 구동 롤러 조립체의 도시이다.
도 4는 구동 롤러 편향기와 구동 롤러 편향 베어링을 갖춘 구동 롤러 조립체의 부분 도시이다.
도 5는 화학적 기계적 연마층의 상부/측면 사시도이다.
도 6은 벨트 샌딩 기계 부분의 측면도의 도시이다.
도 7은 벨트 샌딩 기계 부분의 측면도의 도시이다.
도 8은 벨트 샌딩 기계 부분의 측면도의 도시이다.
도 9는 벨트 샌딩 기계 부분의 측면도의 도시이다.
본 명세서와 첨부된 특허청구의 범위에서 화학적 기계적 연마 패드 또는 연마 패드 구성 요소(예컨대, 연마층{10})에 관하여 사용되는 용어 "실질적으로 원형 단면"은 연마 패드 구성 요소의 중심축(12)부터 외주연부(15)까지의 단면의 최장 반경 r이 중심축(12)부터 외주연부(15)까지의 단면의 최단 반경 r보다 ≤20% 긴 것을 의미한다(도 5 참조).
본 명세서와 첨부된 특허청구의 범위에서 구동 롤러 회전축 Adr와 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 관하여 사용되는 용어 "실질적으로 평행한"은 구동 롤러 회전축 Adr와 수송 공급 롤러 회전축 Atfr이 수송 벨트와 교정 샌딩 벨트 사이에 형성된 갭이 갭의 폭 W를 가로질러 0.05 mm 미만(바람직하게는, ≤0.045 mm) 만큼 다르도록 충분히 평행임을 의미한다.
연마 표면을 갖는 화학적 기계적 연마층의 제조에 사용되는 매우 다양한 중합체 조성물이 있으며, 연마 표면은 기판을 연마하도록 구성된다(바람직하게는, 기판은 자성 기판, 광학 기판 및 반도체 기판 중 적어도 한 개에서 선택되며, 더 바람직하게는, 기판은 반도체 기판이며, 가장 바람직하게는, 기판은 반도체 웨이퍼이다). 당해 기술 분야의 숙련자는 주어진 화학적 기계적 연마층 응용에서 적당한 중합체 조성물을 선택할 수 있다.
도 1에 관하여, 본 발명의 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법은 연마 표면(14)과 초기 평균 두께 T IA 를 갖는 화학적 기계적 연마층(10)을 제공하고; 수송 벨트(32), 수송 공급 롤러(34), 적어도 두 개의 수송 공급 롤러 베어링(36), 적어도 한 개의 수송 지지 롤러(미도시됨) 및 수송 벨트 드라이버(미도시됨)를 포함하며, 수송 공급 롤러 베어링(36)은 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 대한 수송 공급 롤러의 회전 운동을 촉진하고, 수송 벨트(32)는 수송 공급 롤러(34)와 적어도 한 개의 수송 지지 롤러(미도시됨) 주변에 걸려있고, 수송 벨트 드라이버(미도시됨)는 수송 벨트(32)의 운동을 촉진하기 위해 수송 벨트(32)와 기계적으로 연통하는 화학적 기계적 연마층 수송 모듈(30); 및 교정 샌딩 벨트(42), 비구동 롤러(44), 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45), 구동 롤러(46), 반경 방향 간극(60, 66)을 가지는 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48; 바람직하게는, 구동 롤러 베어링은 반경 방향 볼 베어링과 반경 방향 부싱{busing}으로부터 선택되고, 더 바람직하게는 구동 롤러 베어링이 반경 방향 볼 베어링임), 교정 샌딩 벨트(42)의 운동을 촉진하기 위해 구동 롤러(46)와 기계적으로 연통하는 교정 샌딩 벨트 드라이버(50)를 포함하며, 교정 샌딩 벨트(42)는 비구동 롤러(44)와 구동 롤러(46) 주변에 걸려있고, 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45)은 비구동 롤러 회전축 Andr에 대한 비구동 롤러(44)의 회전 운동을 촉진하며, 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47)이 구동 롤러 회전축 Adr에 대한 구동 롤러(46)의 회전 운동을 촉진하고, 구동 롤러 회전축 Adr는 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 실질적으로 평행한 교정 샌딩 모듈(40)을 포함하는 벨트 샌딩 기계(20)를 제공하고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트 상에 위치시키고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트(32)와 교정 샌딩 벨트(42) 사이의 갭(49)을 통해 공급하는 것을 포함하며, 연마 표면(14)은 교정 샌딩 벨트(42)와 접촉하게 되고, 화학적 기계적 연마층(10)이 갭(49)을 통과함에 따라 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48)은 그것의 반경 방향 간극(60, 66; 반경 방향 간극은 롤링 요소{52, 58}와 내측 레이스{54, 64; race}와 외측 레이스{56, 62} 사이의 총 간극으로 규정됨)이 화학적 기계적 연마층(10)에 대해 구동 롤러(46)의 동일 측면 상에 배치되도록 편향되고, 갭(49)은 화학적 기계적 연마층(10)의 초기 평균 두께 TIA보다 작고, 화학적 기계적 연마층(10)은 갭(49)을 통과한 후에 최종 평균 두께 TFA를 나타내고, 최종 평균 두께 TFA는 초기 평균 두께 TIA보다 작다. 바람직하게는, 구동 롤러 베어링은 반경 방향 볼 베어링이다.
도 1과 도 3에 관하여, 본 발명의 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법은 연마 표면(14)과 초기 평균 두께 T IA 를 갖는 화학적 기계적 연마층(10)을 제공하고; 수송 벨트(32), 수송 공급 롤러(34), 적어도 두 개의 수송 공급 롤러 베어링(36), 적어도 한 개의 수송 지지 롤러(미도시됨) 및 수송 벨트 드라이버(미도시됨)를 포함하며, 수송 공급 롤러 베어링(36)은 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 대한 수송 공급 롤러의 회전 운동을 촉진하고, 수송 벨트(32)는 수송 공급 롤러(34)와 적어도 한 개의 수송 지지 롤러(미도시됨) 주변에 걸려있고, 수송 벨트 드라이버(미도시됨)는 수송 벨트(32)의 운동을 촉진하기 위해 수송 벨트(32)와 기계적으로 연통하는 화학적 기계적 연마층 수송 모듈(30); 및 교정 샌딩 벨트(42), 비구동 롤러(44), 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45), 구동 롤러(46), 반경 방향 간극(60, 66)을 가지는 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48; 바람직하게는, 구동 롤러 베어링은 반경 방향 볼 베어링과 반경 방향 부싱으로부터 선택됨), 교정 샌딩 벨트(42)의 운동을 촉진하기 위해 구동 롤러(46)와 기계적으로 연통하는 교정 샌딩 벨트 드라이버(50)를 포함하며, 교정 샌딩 벨트(42)는 비구동 롤러(44)와 구동 롤러(46) 주변에 걸려있고, 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링(45)은 비구동 롤러 회전축 Andr에 대한 비구동 롤러(44)의 회전 운동을 촉진하며, 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47)이 구동 롤러 회전축 Adr에 대한 구동 롤러(46)의 회전 운동을 촉진하고, 구동 롤러 회전축 Adr는 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 실질적으로 평행한 교정 샌딩 모듈(40)을 포함하는 벨트 샌딩 기계(20)를 제공하고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트 상에 위치시키고; 화학적 기계적 연마층을 수송 벨트(32)와 교정 샌딩 벨트(42) 사이의 갭(49)을 통해 공급하는 것을 포함하며, 연마 표면(14)은 교정 샌딩 벨트(42)와 접촉하게 되고, 화학적 기계적 연마층(10)이 갭(49)을 통과함에 따라 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48)은 그것의 반경 방향 간극(60, 66; 반경 방향 간극은 롤링 요소{52, 58}와 내측 레이스{54, 64}와 외측 레이스{56, 62} 사이의 총 간극으로 규정됨)이 화학적 기계적 연마층(10)에 대해 구동 롤러(46)의 동일 측면 상에 배치되도록 편향되고, 갭(49)은 화학적 기계적 연마층(10)의 초기 평균 두께 TIA보다 작고, 화학적 기계적 연마층(10)은 갭(49)을 통과한 후에 최종 평균 두께 TFA를 나타내고, 최종 평균 두께 TFA는 초기 평균 두께 TIA보다 작다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에서, 화학적 기계적 연마층(10)이 갭(49)을 통과함에 따라 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48)은 그것의 반경 방향 간극(60, 66)(반경 방향 간극은 롤링 요소{52, 58}와 내측 레이스{54, 64}와 외측 레이스{56, 62} 사이의 총 간극으로 규정됨)이 화학적 기계적 연마층(10)에 대해 구동 롤러(46)의 동일 측면 상에 배치되도록 편향된다(도 1 및 도 3 참조). 더 바람직하게는, 화학적 기계적 연마층이 갭을 통과함에 따라 그것에 가장 가까운 구동 롤러의 측면에 대향하여 반경 방향 간극(60, 66)은 구동 롤러(46)의 측면 상에 배치된다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에 사용되는 교정 샌딩 모듈은 드라이버 롤러 베어링 편향기(68)를 더 포함한다(도 4 참조). 더 바람직하게는, 구동 롤러 베어링(48)의 외측 레이스(62)는 지지 부재(미도시됨)에 고정되고, 구동 롤러 베어링 편향기(68)는 지지 부재(미도시됨)에 고정되며, 드라이버 롤러 베어링 편향기(68)는 화학적 기계적 연마층(10)이 갭(49)을 통과함에 따라 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링(47, 48)에 대한 반경 방향 간극(60, 66)이 화학적 기계적 연마층(10)에 대해 구동 롤러의 동일 측면 상에 배치되도록 구동 롤러(46)에 결합하고, 구동 롤러(46)에 대해 가압한다. 가장 바람직하게는, 사용되는 교정 샌딩 모듈은 구동 롤러(46) 상에 장착되고 동축인 구동 롤러 편향 베어링(70)을 더 포함하며, 구동 롤러 편향기(68)는 구동 롤러 편향 베어링(70)에 대해 압력을 가하여 구동 롤러(46)에 결합한다. 바람직하게는, 구동 롤러 편향 베어링(70)은 내측 레이스(72), 복수의 롤링 요소(74) 및 외측 레이스(76)를 포함하며, 롤링 요소는 내측 레이스(72)와 외측 레이스(76) 사이에 갇히며, 내측 레이스(72)는 구동 롤러(46) 상으로 압입 끼움되고(press fit), 구동 롤러 편향기는 외측 레이스(76)에 대해 구동 롤러 회전축 Adr와 수송 공급 롤러 회전축 Atfr 모두에 직각 방향으로 가압한다. 바람직하게는, 드라이버 롤러 편향 베어링(70)은 반경 방향 볼 베어링이다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에서 제공되는 벨트 샌딩 장치(20)는 교정 샌딩 모듈(40)을 포함하며, 교정 샌딩 모듈은 순방향 교정 샌딩 모듈과 역방향 교정 샌딩 모듈로 이루어진 군에서 선택된다. 화학적 기계적 연마층이 벨트 샌딩 장치를 통과함에 따라, 순방향 교정 샌딩 모듈 내에서 교정 샌딩 벨트는 화학적 기계적 연마층의 이동 방향으로 회전한다. 화학적 기계적 연마층이 벨트 샌딩 기계를 통과함에 따라, 역방향 교정 샌딩 모듈 내에서 교정 샌딩 벨트는 화학적 기계적 연마층의 이동과 반대 방향으로 회전한다. 더 바람직하게는, 본 발명의 방법에서 제공되는 벨트 샌딩 장치(20)는 교정 샌딩 모듈(40)을 포함하며, 교정 샌딩 모듈은 순방향 교정 샌딩 모듈이다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에서 제공되는 벨트 샌딩 장치(20)는 연속하여 작동되는 적어도 두 개의 교정 샌딩 모듈(40)을 포함한다(도 6 참조). 제공되는 벨트 샌딩 장치(20)는 두 개 이상의 교정 샌딩 모듈(40)을 포함하고, 두 개 이상의 교정 샌딩 모듈(40)에서 사용되는 교정 샌딩 벨트(42)는 동일하거나 다를 수 있다. 바람직하게는, 다른 교정 샌딩 모듈(40)에 사용되는 교정 샌딩 벨트(42)는 다르다. 바람직하게는, 다른 교정 샌딩 모듈(40)에 이용되는 교정 샌딩 벨트(42)의 연마 표면 상에서 사용되는 그릿(grit) 크기는 다르다. 제공된 벨트 샌딩 기계(20)가 두 개 이상의 교정 샌딩 모듈(40)을 포함할 때, 각각의 교정 샌딩 모듈은 바람직하게는 순방향 교정 샌딩 모듈과 역방향 교정 샌딩 모듈에서 독립적으로 선택된다. 바람직하게는, 제공되는 벨트 샌딩 기계(20)는 두 개의 교정 샌딩 모듈(40)을 포함한다. 더 바람직하게는, 제공되는 벨트 샌딩 기계(20)는 두 개의 교정 샌딩 모듈(40)을 포함하며, 교정 샌딩 모듈 모두는 순방향 교정 샌딩 모듈이다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에서 제공되는 벨트 샌딩 장치(20)는 횡방향 샌딩 모듈(80)과 종방향 샌딩 모듈(85) 중 적어도 한 개를 더 포함하며, 횡방향 샌딩 모듈(80)은 횡방향 샌딩 벨트(82)와 횡방향 샌딩 압력 빔(84)을 포함하고, 종방향 샌딩 모듈(85)은 종방향 샌딩 벨트(87)와 종방향 샌딩 압력 빔(89)을 포함한다(도 7 내지 도 9 참조). 횡방향 샌딩 모듈(80) 내의 횡방향 샌딩 벨트(82)는 화학적 기계적 연마층이 벨트 샌딩 기계를 통과함에 따라 화학적 기계적 연마층의 이동과 반대 방향으로 회전한다. 종방향 샌딩 모듈(85) 내의 종방향 샌딩 벨트(87)는 화학적 기계적 연마층이 벨트 샌딩 기계를 통과함에 따라 화학적 기계적 연마층의 이동과 동일 방향으로 회전한다. 더 바람직하게는, 본 발명의 방법에서 제공된 벨트 샌딩 기계(20)는 종방향 샌딩 모듈(85)을 더 포함한다. 가장 바람직하게는, 본 발명의 방법에서 제공된 벨트 샌딩 기계(20)는 두 개의 순 방향 교정 샌딩 모듈(44)과 종방향 샌딩 모듈(85)을 포함한다(도 8 및 도 9 참조).
화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 텍스쳐를 향상시키기 위해, 연마 표면은 본 발명의 방법에 따라 교정 샌딩 벨트와 접촉한다. 바람직하게는, 연마 표면은 두 개 이상의 교정 샌딩 벨트와 접촉한다. 더 바람직하게는, 연마 표면은 두 개의 교정 샌딩 벨트와 접촉한다. 바람직하게는, 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 텍스쳐를 더 향상시키기 위해, 연마 표면은 본 발명의 방법에 따라 횡방향 샌딩 벨트와 종방향 샌딩 벨트 중 적어도 한 개와 더 접촉할 수 있다. 더 바람직하게는, 연마 표면은 종방향 샌딩 벨트와 더 접촉한다. 가장 바람직하게는, 연마 표면은 두 개의 교정 샌딩 벨트와 종방향 샌딩 벨트에 접촉한다.
본 발명의 방법에서 사용된 교정 샌딩 벨트는 바람직하게는 연마 표면을 가진다(바람직하게는, 연마 표면은 실리콘 카바이드와 산화 알루미늄 연마제 중 적어도 1종을 포함한다). 바람직하게는, 연마 표면은 25 내지 300 μm(더 바람직하게는 25 내지 200 μm)의 그릿 크기를 나타낸다. 바람직하게는, 본 발명의 방법에 사용되는 교정 샌딩 벨트는 중합체 막, 직물 및 종이로 이루어진 군에서 선택되는 배킹(backing) 물질을 포함한다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에서 사용되는 횡방향 샌딩 벨트는 존재하는 경우 연마 표면을 갖는다(바람직하게는, 연마 표면은 실리콘 카바이드와 산화 알루미늄 연마제 중 적어도 1종을 포함한다). 바람직하게는, 연마 표면은 25 내지 300 μm(더 바람직하게는 25 내지 200 μm)의 그릿 크기를 나타낸다. 바람직하게는, 본 발명의 방법에 사용되는 교정 샌딩 벨트는 중합체 막, 직물 및 종이로 이루어진 군에서 선택되는 배킹 물질을 포함한다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에서 사용되는 종방향 샌딩 벨트는 존재하는 경우 연마 표면을 갖는다(바람직하게는, 연마 표면은 실리콘 카바이드와 산화 알루미늄 연마제 중 적어도 1종을 포함한다). 바람직하게는, 연마 표면은 25 내지 300 μm(더 바람직하게는 25 내지 200 μm)의 그릿 크기를 나타낸다. 바람직하게는, 본 발명의 방법에 사용되는 교정 샌딩 벨트는 중합체 막, 직물 및 종이로 이루어진 군에서 선택되는 배킹 물질을 포함한다.
바람직하게는, 본 발명의 방법에 사용되는 횡방향 샌딩 압력 빔(84)(존재하는 경우) 및 종방향 샌딩 압력 빔(89)(존재하는 경우)은 샌딩 기계 기술 분야에서 종래에 공지된 압력 빔에서 선택된다. 더 바람직하게는, 본 발명의 방법에 사용되는 횡방향 샌딩 압력 빔(84)(존재하는 경우) 및 종방향 샌딩 압력 빔(89)(존재하는 경우)은 공압식 빔과 전자기 압력 빔에서 선택된다. 가장 바람직하게는, 본 발명의 방법에 사용되는 횡방향 샌딩 압력 빔(84)(존재하는 경우) 및 종방향 샌딩 압력 빔(89)(존재하는 경우)은 세그먼트화 공압식 빔과 세그먼트화 전자기 압력 빔에서 선택된다.
바람직하게는, 본 발명의 방법은 평균 두께 TCA를 갖는 캐리어(미도시됨)를 제공하고, 화학적 기계적 연마층을 캐리어 상에 위치시키는 것을 더 포함하며, 화학적 기계적 연마층은 캐리어 상의 갭으로 공급되고, 갭은 평균 두께 TCA와 초기 평균 두께 TIA의 합보다 작다. 본 발명의 실시에서, 본 명세서에서 제공되는 교시를 고려하여, 당해 기술 분야의 숙련자는 적절한 두께와 구성 물질을 갖는 배킹 플레이트(plate)의 선택을 이해할 수 있다. 바람직하게는, 사용되는 배킹 플레이트는 2.54 내지 5.1 mm의 두께를 가진다. 바람직하게는, 사용되는 배킹 플레이트는 알루미늄과 아크릴 시트에서 선택된 물질로 이루어진다. 바람직하게는, 사용되는 배킹 플레이트는 실질적으로 원형 단면을 가진다. 당해 기술 분야의 숙련자는 비경화 반응성 핫멜트 접착제의 적용에 사용되는 코팅기(coater)의 크기에 의해 배킹 플레이트의 직경이 제한됨을 이해할 수 있다. 바람직하게는, 사용되는 배킹 플레이트는 600 내지 1600 mm, 바람직하게는 600 내지 1200 mm의 직경을 나타낸다.
본 발명의 방법에 사용되는 교정 샌딩 모듈이며, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 구동 롤러 베어링의 반경 방향 간극이 구동 롤러의 동일 측면 상에 배치되는 것과 대조적으로, 선행 기술의 교정 샌딩 모듈의 관련 있는 부분이 도 2에서 도시된다. 특히, 교정 샌딩 모듈(140), 구동 롤러(146), 구동 롤러 베어링(147, 148)은 반경 방향 간극(160, 166)을 가지며, 반경 방향 간극은 롤링 요소(152, 158)와 내측 레이스(154, 164)와 외측 레이스(156, 162) 사이의 총 간극으로 규정된다. 선행 기술에서, 교정 샌딩 모듈, 구동 모듈(146)은, 구동 롤러 베어링(147, 148)의 반경 방향 간극(160, 166)이 드라이버 롤러(146)의 대향 측면 상에 배치되도록 그것이 드라이버(150)에 의해 결합될 때, 캔틸레버된다(cantilevered). 결과적으로, 구동 롤러(146) 주변에 걸려있는 수송 밸트(미도시됨)와 교정 샌딩 벨트(미도시됨) 사이의 갭(미도시됨)은 갭 폭 W(미도시됨)를 가로질러 균일하지 않다. 실제로, 그러한 선행 기술 장치 내에서 갭 폭을 가로지르는 갭 변화는 적어도 구동 롤러 베어링(147, 148)의 반경 방향 간극들(160, 166)의 합인 경향이 있다. 이러한 갭 폭을 가로지르는 갭에서의 비균일성은 그러한 선행 기술 교정 샌딩 모듈을 사용하여 컨디셔닝된 연마층이 화학적 기계적 연마층을 가로질러 바람직하지 않은 글로벌 두께 변화를 나타내도록 한다.
(10): 연마층
(14): 연마 표면
(20): 밸트 샌딩 기계
(30): 연마층 수송 모듈
(32): 수송 벨트
(34): 수송 공급 롤러
(36): 수송 공급 롤러 베어링
(40): 교정 샌딩 모듈
(42): 교정 샌딩 벨트
(44): 비구동 롤러
(45): 비구동 롤러 베어링
(46): 구동 롤러
(47, 48): 구동 롤러 베어링
(49): 갭
(50): 교정 샌딩 벨트 드라이버
(14): 연마 표면
(20): 밸트 샌딩 기계
(30): 연마층 수송 모듈
(32): 수송 벨트
(34): 수송 공급 롤러
(36): 수송 공급 롤러 베어링
(40): 교정 샌딩 모듈
(42): 교정 샌딩 벨트
(44): 비구동 롤러
(45): 비구동 롤러 베어링
(46): 구동 롤러
(47, 48): 구동 롤러 베어링
(49): 갭
(50): 교정 샌딩 벨트 드라이버
Claims (10)
- 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법이며,
연마 표면과 초기 평균 두께 T IA 를 갖는 화학적 기계적 연마층을 제공하고;
수송 벨트, 수송 공급 롤러, 적어도 두 개의 수송 공급 롤러 베어링, 적어도 한 개의 수송 지지 롤러 및 수송 벨트 드라이버를 포함하며, 수송 공급 롤러 베어링은 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 대한 수송 공급 롤러의 회전 운동을 촉진하고, 수송 벨트는 수송 공급 롤러와 적어도 한 개의 수송 지지 롤러 주변에 걸려있고(trained), 수송 벨트 드라이버는 수송 벨트의 운동을 촉진하기 위해 수송 벨트와 기계적으로 연통하는 화학적 기계적 연마층 수송 모듈과,
교정 샌딩 벨트, 비구동 롤러, 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링, 구동 롤러, 반경 방향 간극을 가지는 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링, 교정 샌딩 벨트의 운동을 촉진하기 위해 구동 롤러와 기계적으로 연통하는 교정 샌딩 벨트 드라이버를 포함하며, 교정 샌딩 벨트는 비구동 롤러와 구동 롤러 주변에 걸려있고, 적어도 두 개의 비구동 롤러 베어링은 비구동 롤러 회전축 Andr에 대한 비구동 롤러의 회전 운동을 촉진하며, 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링이 구동 롤러 회전축 Adr에 대한 구동 롤러의 회전 운동을 촉진하고, 구동 롤러 회전축 Adr는 수송 공급 롤러 회전축 Atfr에 실질적으로 평행한 교정 샌딩 모듈을 포함하는 벨트 샌딩 기계를 제공하고;
화학적 기계적 연마층을 수송 벨트 상에 위치시키고;
화학적 기계적 연마층을 수송 벨트와 교정 샌딩 벨트 사이의 갭을 통해 공급하는 것을 포함하며,
연마 표면은 교정 샌딩 벨트와 접촉하게 되고, 화학적 기계적 연마층이 갭을 통과함에 따라 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링은 그것의 반경 방향 간극이 화학적 기계적 연마층에 대해 구동 롤러의 동일 측면 상에 배치되도록 편향되고, 갭은 화학적 기계적 연마층의 초기 평균 두께 TIA보다 작고, 화학적 기계적 연마층은 갭을 통과한 후에 최종 평균 두께 TFA를 나타내고, 최종 평균 두께 TFA는 초기 평균 두께 TIA보다 작은 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법. - 제1항에 있어서, 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링은 반경 방향 볼 베어링인 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법.
- 제1항에 있어서, 교정 샌딩 벨트는 25 내지 300 μm의 그릿 크기를 나타내는 연마 표면을 갖는 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법.
- 제1항에 있어서, 평균 두께 TCA를 갖는 캐리어를 제공하고, 화학적 기계적 연마층을 캐리어 상에 위치시키는 것을 더 포함하며, 화학적 기계적 연마층은 캐리어 상의 갭으로 공급되고, 갭은 평균 두께 TCA와 초기 평균 두께 TIA의 합보다 작은 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법.
- 제4항에 있어서, 캐리어는 2.54 내지 5.1 mm의 평균 두께 TCA를 갖는 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법.
- 제 4항에 있어서, 캐리어는 알루미늄과 아크릴 시트에서 선택된 물질로 이루어지는 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법.
- 제4항에 있어서, 캐리어는 실질적으로 원형 단면을 갖는 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법.
- 제1항에 있어서, 제공되는 벨트 샌딩 기계가 구동 롤러 편향기를 더 포함하며, 적어도 두 개의 구동 롤러 베어링을 위한 반경 방향 간극이 갭을 통과하는 화학적 기계적 연마층에 대해 구동 롤러의 동일 측면 상에 배치되도록 구동 롤러 편향기가 구동 롤러에 결합하는 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법.
- 제8항에 있어서, 제공되는 벨트 샌딩 기계가 구동 롤러 상에 장착되고 동축인 구동 롤러 편향 베어링을 더 포함하며, 구동 롤러 편향 베어링에 대해 압력을 가하여 구동 롤러 편향기가 구동 롤러에 결합하는 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법.
- 제9항에 있어서, 구동 롤러 편향 베어링은 볼 베어링인 화학적 기계적 연마층의 연마 표면의 사전 텍스쳐링 방법.
Applications Claiming Priority (2)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180041292A (ko) * | 2016-10-13 | 2018-04-24 | 주식회사 포스코 | 강판 표면처리장치 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9108293B2 (en) * | 2012-07-30 | 2015-08-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for chemical mechanical polishing layer pretexturing |
KR102110979B1 (ko) * | 2015-09-01 | 2020-05-15 | 삼성전자주식회사 | 스테인레스 코일용 가로 헤어라인 가공장치 및 이에 의해 형성된 스테인레스 코일 |
CN105881159B (zh) * | 2016-04-12 | 2018-04-17 | 阳江市伟艺抛磨材料有限公司 | 一种基于抛光轮不织布修正热压板外形的方法 |
US9802293B1 (en) | 2016-09-29 | 2017-10-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method to shape the surface of chemical mechanical polishing pads |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6089958A (en) * | 1999-05-13 | 2000-07-18 | Costa; Alessandro | Belt sander with orbitally translated abrasive belt |
KR20060047248A (ko) * | 2004-04-21 | 2006-05-18 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 화학 기계 연마 패드 및 그 제조 방법 및 화학 기계 연마방법 |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3701219A (en) * | 1972-01-14 | 1972-10-31 | Timesavers Inc | Apparatus for effecting superior sanding |
US3777442A (en) * | 1972-04-03 | 1973-12-11 | Timesavers Inc | Wide belt sanding machine with improved support for outboard end of cantilevered center bar |
US4178721A (en) * | 1977-12-28 | 1979-12-18 | Kimwood Corporation | Apparatus for sizing and finishing batches of lumber |
DE3041377C2 (de) * | 1980-11-03 | 1982-12-30 | Bison-Werke Bähre & Greten GmbH & Co KG, 3257 Springe | Breitbandschleifmaschine zum Bearbeiten von Span-, Faser-, Furnier- o.dgl. Platten |
DE3217935C2 (de) * | 1982-05-13 | 1984-12-13 | Küsters, Eduard, 4150 Krefeld | Bandschleifmaschine für Spanplatten u.dgl. |
DE3316154C2 (de) * | 1983-05-03 | 1986-06-19 | Bison-Werke Bähre & Greten GmbH & Co KG, 3257 Springe | Bandschleifmaschine |
JPS59212513A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-12-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 軸受装置 |
US4594815A (en) * | 1983-07-01 | 1986-06-17 | Timesavers, Inc. | Abrasive surfacer |
US4742650A (en) * | 1986-11-07 | 1988-05-10 | Conestoga Wood Specialities, Inc. | Sanding machine |
JP2525892B2 (ja) * | 1989-04-06 | 1996-08-21 | ロデール・ニッタ 株式会社 | ポリッシング方法およびポリッシング装置 |
JP2514193Y2 (ja) * | 1991-09-24 | 1996-10-16 | アミテック株式会社 | ベルトサンダ― |
US5547448A (en) * | 1993-10-28 | 1996-08-20 | Grant W. Robertson | Journal equipped rotational devices and methods of making and balancing the same |
US5512009A (en) * | 1994-03-01 | 1996-04-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method and apparatus for attenuating optical chatter marks on a finished surface |
JPH07310742A (ja) * | 1994-05-18 | 1995-11-28 | Ntn Corp | 円筒ころ軸受及びその軸受を用いたスピンドル装置 |
US5527424A (en) * | 1995-01-30 | 1996-06-18 | Motorola, Inc. | Preconditioner for a polishing pad and method for using the same |
US7097544B1 (en) * | 1995-10-27 | 2006-08-29 | Applied Materials Inc. | Chemical mechanical polishing system having multiple polishing stations and providing relative linear polishing motion |
US5895312A (en) * | 1996-10-30 | 1999-04-20 | International Business Machines Corporation | Apparatus for removing surface irregularities from a flat workpiece |
US6328642B1 (en) * | 1997-02-14 | 2001-12-11 | Lam Research Corporation | Integrated pad and belt for chemical mechanical polishing |
US6126532A (en) * | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
US6117000A (en) * | 1998-07-10 | 2000-09-12 | Cabot Corporation | Polishing pad for a semiconductor substrate |
US6645050B1 (en) * | 1999-02-25 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Multimode substrate carrier |
US6276998B1 (en) * | 1999-02-25 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Padless substrate carrier |
US6300247B2 (en) * | 1999-03-29 | 2001-10-09 | Applied Materials, Inc. | Preconditioning polishing pads for chemical-mechanical polishing |
US6406363B1 (en) * | 1999-08-31 | 2002-06-18 | Lam Research Corporation | Unsupported chemical mechanical polishing belt |
US6435952B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-08-20 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for qualifying a chemical mechanical planarization process |
US6375540B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-04-23 | Lam Research Corporation | End-point detection system for chemical mechanical posing applications |
US6520833B1 (en) * | 2000-06-30 | 2003-02-18 | Lam Research Corporation | Oscillating fixed abrasive CMP system and methods for implementing the same |
US6800020B1 (en) * | 2000-10-02 | 2004-10-05 | Lam Research Corporation | Web-style pad conditioning system and methods for implementing the same |
US6641470B1 (en) * | 2001-03-30 | 2003-11-04 | Lam Research Corporation | Apparatus for accurate endpoint detection in supported polishing pads |
US6620031B2 (en) * | 2001-04-04 | 2003-09-16 | Lam Research Corporation | Method for optimizing the planarizing length of a polishing pad |
US6761619B1 (en) * | 2001-07-10 | 2004-07-13 | Cypress Semiconductor Corp. | Method and system for spatial uniform polishing |
US7037177B2 (en) * | 2001-08-30 | 2006-05-02 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for conditioning a chemical-mechanical polishing pad |
US6852020B2 (en) * | 2003-01-22 | 2005-02-08 | Raytech Innovative Solutions, Inc. | Polishing pad for use in chemical—mechanical planarization of semiconductor wafers and method of making same |
US7118461B2 (en) * | 2002-03-25 | 2006-10-10 | Thomas West Inc. | Smooth pads for CMP and polishing substrates |
US6722960B2 (en) * | 2002-08-30 | 2004-04-20 | Cemco, Inc | Apparatus for planing and sizing a workpiece |
DE10255652B4 (de) * | 2002-11-28 | 2005-07-14 | Infineon Technologies Ag | Schleifkissen, Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren und Verfahren zum nasschemischen Schleifen einer Substratoberfläche |
JP2004322243A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Arai Pump Mfg Co Ltd | キャリアプレートおよびその製造方法ならびに該方法に使用する研削盤 |
US6931330B1 (en) * | 2003-06-30 | 2005-08-16 | Lam Research Corporation | Methods for monitoring and controlling chemical mechanical planarization |
US6843709B1 (en) * | 2003-12-11 | 2005-01-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method for reducing slurry reflux |
EP1715979A4 (en) * | 2004-01-26 | 2010-03-31 | Tbw Ind Inc | SYSTEM AND METHOD FOR MULTIPLE IN-SITU TOWEL CONDITIONING FOR CHEMICAL-MECHANICAL PLANARIZATION |
US6955587B2 (en) * | 2004-01-30 | 2005-10-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc | Grooved polishing pad and method |
US6935938B1 (en) * | 2004-03-31 | 2005-08-30 | Lam Research Corporation | Multiple-conditioning member device for chemical mechanical planarization conditioning |
JP2005333121A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-12-02 | Jsr Corp | 化学機械研磨パッド及びその製造方法並びに化学機械研磨方法 |
TW200720017A (en) * | 2005-09-19 | 2007-06-01 | Rohm & Haas Elect Mat | Water-based polishing pads having improved adhesion properties and methods of manufacture |
JP2008057657A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Citizen Seimitsu Co Ltd | Nc自動旋盤の主軸軸受構造 |
JP5611214B2 (ja) * | 2008-10-16 | 2014-10-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 渦電流利得の補償 |
JP5388212B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2014-01-15 | エルジー・ケム・リミテッド | フロートガラス研磨システム用下部ユニット |
KR20120039523A (ko) * | 2009-06-18 | 2012-04-25 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 폴리우레탄 및 그것을 함유하는 연마층 형성용 조성물, 및 화학 기계 연마용 패드 및 그것을 사용한 화학 기계 연마 방법 |
JP2011077413A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Noritake Co Ltd | シリコンウェハーの製造方法 |
US8595921B2 (en) * | 2010-11-17 | 2013-12-03 | Rsr Technologies, Inc. | Electrodes made using surfacing technique and method of manufacturing the same |
US9108293B2 (en) * | 2012-07-30 | 2015-08-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for chemical mechanical polishing layer pretexturing |
-
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6089958A (en) * | 1999-05-13 | 2000-07-18 | Costa; Alessandro | Belt sander with orbitally translated abrasive belt |
KR20060047248A (ko) * | 2004-04-21 | 2006-05-18 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 화학 기계 연마 패드 및 그 제조 방법 및 화학 기계 연마방법 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180041292A (ko) * | 2016-10-13 | 2018-04-24 | 주식회사 포스코 | 강판 표면처리장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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