CN103477284A - 化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法 - Google Patents

化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物以及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法,在包含粘合剂树脂的化学放大型正感光型有机绝缘膜中,所述粘合剂树脂包括包含环状结构的酸解性保护基的单元(moiety)而构成,而且所述粘合剂树脂包括包含所述单元的聚合物或者共聚物。本发明与以往不同地,将环状结构的酸解性保护基和新开发的化学结构构成为共聚物形式,从而具有不仅能够显著提高敏感度,还能在显影时显著减少未曝光部的膜减少,在曝光中能够显著降低挥发蒸汽的产生,能够实现显示器的高分辨率,而且能够保持高透射率的优点。

Description

化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法
技术领域
本发明涉及一种化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法,更为详细地涉及一种在液晶显示元件等的有机绝缘膜的形成中,与以往相比,不但显著提高敏感度,而且具有低挥发性、透明的膜颜色(non-yellowish/non-redish)、高残膜率和高分辨率等的物理性质优异的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法。
背景技术
在薄膜晶体管(TFT)型液晶显示装置等显示装置中,以往将氮化硅(SiOx或SiNx)等无机类保护膜作为保护TFT(Thin Film Transistor)电路并用于绝缘的保护膜来使用,但由于真空沉积所需费用及工艺时间的延迟所致的负担以及介电常数高而具有不易提高开口率的问题,因此为了克服该问题,对介电率低且能够涂覆的液态有机绝缘膜的需求日益增加。
另外,此时应用的有机绝缘膜对绝缘膜本身赋予感光功能,从而无需进行额外的附加工序就能够形成提供电路间相互连接通道的微细图案,而且由此能够减少以往的在无机类绝缘膜上使用光刻胶来进行的额外的光刻工序,因此具有更高的生产效率及费用节俭效果,其使用日益增加。
这种有机绝缘膜一般使用感光树脂,该感光树脂为通过光线和电子线进行化学反应,从而对特定溶剂的溶解度产生变化。电路图案的微细加工则通过由上述有机绝缘膜的光学反应所引起的高分子的极性变化或交联反应来进行。特别是,上述有机绝缘膜材料利用的是在曝光后对碱性水溶液等显影液的溶解性的变化特性。
上述有机绝缘膜根据感光部分对显影液的溶解度分为正型及负型。正型光刻胶为曝光部分通过极性变化而被显影液溶解的方式,负型光刻胶为曝光部分通过交联反应不被显影液溶解,而是未曝光部分溶解而形成图案的方式。
其中,负型有机绝缘膜在与以往的量产工艺中广泛使用的碱性显影液混合使用时会产生杂质,但正型有机绝缘膜与负型有机绝缘膜的上述缺陷不同地在显影液的兼容性上不存在问题,因此有利于作业环境,不仅如此在理论上还能够防止未被暴露在紫外线的部分的膨润现象,因此具有分解能力提高的优点。并且在形成有机膜后便于使用剥离液进行去除,因此在工艺中产生不良面板时通过去除有机膜显著提高基板的回收再使用性。
基于这种理由,将混合作为典型的粘合剂树脂来使用的丙烯酸类高分子树脂和醌二叠氮(quinonediazide)类感光性化合物(PAC:Photo Active Compound)等的组合物作为上述正型有机绝缘膜组合物应用的事例蓬勃兴起,最近市面上还出现广泛应用上述绝缘膜以实现高开口率(High aperture ratio)的各种高亮度器件。
上述有机绝缘膜所要求的特性中的一个重要特性是敏感度。提高敏感度能够在显示装置的工业生产中大幅缩短生产时间,因此在液晶显示装置等的需求量显著增加的当前情况下,敏感度被视为这种有机绝缘膜所要求的最重要的特性之一。
然而,以往使用的利用丙烯酸类感光树脂及PAC的有机绝缘膜组合物对曝光紫外线波长的透射度低,因此大部分情况下敏感度不够充分,尤其由于这种根本原因,紫外线的照射部分和未照射部分的溶解度之差不大,因此不具有充分的分解能力的情况较多。
例如,使用碱溶性树脂并将醌二叠氮(quinonediazide)作为感光性化合物(PAC)使用的韩国专利第10-0867948号和韩国专利第10-0737723号发明由于醌二叠氮(quinonediazide)的高含量(最低5wt%以上)及由此而引起的对曝光光线的高吸光率,具有难以提高敏感度(100mJ/cm2以下)的问题。
另外,美国专利第4139391号公开了一种将丙烯酸类化合物和丙烯酸酯化合物的共聚物作为粘合剂树脂使用,将丙烯酸酯类化合物作为多官能单体使用而制备的感光树脂有机绝缘膜组合物,但在显影中应当残留的非曝光部区域的溶解抑制能力不高,曝光部和非曝光部的溶解速度之差不够大,因此显影特性不佳,难以获得15μm以下的微细图案。
如此,以往的正型有机绝缘膜不仅无法充分满足敏感度问题,而且应对为了实现逐渐高集成化的微细化,其分辨率有限。
也可通过最大限度地减少PAC相对于所使用聚合物的含量来提高对曝光光线的透射度或者通过增加显影时间来提高敏感度,但该方法有局限性,而且会同时引起非曝光部的溶解,因此总体残膜率下降,这在大型显示器用基板中成为膜浸染及图案受损的原因。
最近为了解决上述包含PAC的正型有机绝缘膜的敏感度问题,提出一种化学放大型正型有机绝缘膜(韩国专利第0964733号),该有机绝缘膜利用通过曝光光线产生的酸(acid),通过酸催化剂反应来去除高分子粘合剂的保护基,从而使该高分子粘合剂通过极性变化来呈现对显影液的溶解性。
然而在其中,在高分子粘合剂中使用的酸解性缩醛保护基在曝光时经过分解而产生的生成物的大小非常小,因此沸点低,挥发性强,在曝光时会产生大量蒸气,不仅容易污染曝光器的高额透镜,还具有膜厚度相对变小的重要缺陷,其中该膜厚度为在曝光中通过保护基的脱离及挥发而体积收缩后的厚度。
不仅在曝光工序中在曝光区域产生这种问题,而且对残留的非曝光部膜来说,还具有如下的技术缺陷:在与后续工序(post process)之间暴露于高温高湿环境时,其保护基因热断开而易于挥发,从而在器件内引起脱气(outgas)问题,最终影响到器件工作。
因此,亟需开发一种能够解决这种问题的新的有机绝缘膜材料。
发明内容
本发明是为了解决所述问题而提出的,其目的是提供一种化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法,该组合物及方法与以往不同地,将环状结构的酸解性保护基和新开发的化学结构构成为共聚物形式,不仅显著提高敏感度,而且显著降低在显影时的未曝光部的膜减少。
而且,本发明的目的是提供一种化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法,该组合物及方法能够显著减少在曝光中的挥发蒸汽的产生,又能够显著缩短曝光时间从而降低供需费用,而且能够实现显示器的高分辨率,还能够保持高透射率。
不仅如此,本发明的目的是提供一种化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法,该组合物及方法使用环状结构的酸解性保护基,从而与以往不同地体积大(Bulky),从而提高溶解抑制力,因此能够在非曝光区域保持更高的残膜率,并且加大曝光部和非曝光部之间的溶解速度差,从而能够实现高分辨率的图案。
而且,本发明的目的是提供一种化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法,该组合物及方法使用环状结构的酸解性保护基,从而与以往相比,即使少量投入,溶解抑制效果也与以往同等或更加优异,因此更为经济。
为了实现所述目的,本发明的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,包含粘合剂树脂,其特征在于,所述粘合剂树脂包括包含环状结构的酸解性保护基的单元(moiety)而构成,而且包括包含所述单元的聚合物或共聚物。
而且,本发明的特征在于,所述单元由以下化学式1-1至1-17中的至少一种构成。
<化学式1-1>
<化学式1-2>
<化学式1-3>
Figure BDA0000379165970000043
<化学式1-4>
Figure BDA0000379165970000051
<化学式1-5>
Figure BDA0000379165970000052
<化学式1-6>
Figure BDA0000379165970000053
<化学式1-7>
Figure BDA0000379165970000054
<化学式1-8>
Figure BDA0000379165970000061
<化学式1-9>
Figure BDA0000379165970000062
<化学式1-10>
Figure BDA0000379165970000063
<化学式1-11>
Figure BDA0000379165970000064
<化学式1-12>
<化学式1-13>
Figure BDA0000379165970000072
<化学式1-14>
<化学式1-15>
<化学式1-16>
Figure BDA0000379165970000082
<化学式1-17>
Figure BDA0000379165970000083
所述化学式1-1至1-17中,R1为链式脂肪族基、环式脂肪族基、芳基、链式酯基、环式酯基、链式醚基或者环式醚基,R1*为氢基或链式烷基,R2为链式烷基或环式烷基,R3为氢基或链式烷基,R4为氢基、链式烷基或环式烷基,R5为链式烯烃基或环式烯烃基,R6为氢基、链式烷基、环式烷基或芳基。
但在由所述化学式1-1至1-9表示的单元中,在苯环上连接的环状结构的所述酸解性保护基的连接位置可选择为邻(ortho)、间(meta)或对(para)位置中的一个位置。
而且,X为链式脂肪族基、环式脂肪族基、芳基、链式酯基、环式酯基、链式醚基或环式醚基中的任一种,但是不能连接有与R1相同的基,当无X的情况下紧接着R1连接有Y时,X被省略,当无X及Y的情况下由R1结束时,X为氢基。
另外,Y为氢基、羟基、环氧基、异氰酸酯基、丙烯酰基、芳基、乙烯基或烷氧基中的任一种,X1*及X2*为呋喃(furan)类酸解性保护基或者吡喃(pyran)类酸解性保护基。
而且,本发明的特征在于,所述单元由以下化学式2或者化学式3中的至少一种构成。
<化学式2>
<化学式3>
Figure BDA0000379165970000092
在所述化学式2和所述化学式3中,G为所述单元。
而且,本发明的特征在于,所述聚合物或者所述共聚物进一步包括以下化学式4至化学式7中的至少一种。
<化学式4>
Figure BDA0000379165970000101
<化学式5>
Figure BDA0000379165970000102
<化学式6>
Figure BDA0000379165970000103
<化学式7>
Figure BDA0000379165970000104
在所述化学式4至所述化学式7中,R7为氢基、链式烷基、环式烷基、羰基、至少包含一个苯环的芳族基、链式烯烃基、环式烯烃基、链式酯基、环式酯基、链式醚基、环式醚基或者烷氧基中的任一种,而且Z为氢基、羟基、链式烷基、环式烷基、烷氧基、乙酰氧基、t-丁氧基或者t-丁氧羰基中的任一种,P为羰氧基(-COO-)、甲基(-CH2-)、甲氧基(-CH2O-)或者氧基(-O-)中的任一种,m为在聚合物中的单体的重复单位,m≥0。
而且,本发明的特征在于,所述聚合物或所述共聚物进一步包括以下化学式8至化学式10中的任一种。
<化学式8>
Figure BDA0000379165970000111
<化学式9>
Figure BDA0000379165970000112
<化学式10>
Figure BDA0000379165970000113
在所述化学式8至所述化学式10中,A及B为氮基或者氧基中的任一种,R8为氢基、羟基、烷基或环氧基中的任一种,n为在聚合物中的单体的重复单位,n≥1。
而且,本发明的特征在于,所述聚合物或所述共聚物为以下化学式11至化学式12中的任一种。
<化学式11>
<化学式12>
Figure BDA0000379165970000131
本发明的特征在于,所述粘合剂树脂的平均分子量为2000至100000,分散度为1至10。
而且,本发明的特征在于,进一步包括溶解抑制剂,所述溶解抑制剂在包括至少一个酚基的碱溶性酚醛类化合物或者芴(fluorene)类化合物,包括至少一个羧酸基的碱溶性化合物或者包括至少一个苯甲酸基的碱溶性化合物中的至少一种中包含酸解性保护基,在所述溶解抑制剂中,所述酸解性保护基为在所述化学式1-1至1-17中表示的酸解性保护基中的任一种。
而且,本发明的特征在于,进一步包括光致酸发生剂,所述光致酸发生剂由鎓盐化合物、含卤素化合物、砜化合物、磺酸酯化合物或三嗪类化合物中的至少一种构成,且相对于所述粘合剂树脂100重量份,含有0.1到10重量份的所述光致酸发生剂。
而且,本发明的特征在于,进一步包括含有醌二叠氮(quinonediazide)基的感光性化合物(PAC),而且进一步包括添加剂,所述添加剂由热交联剂、热稳定剂、光固化促进剂、表面活性剂、碱性抑制剂(base quencher)、防光晕剂、粘接助剂、光稳定剂或消泡剂中的至少一种构成。
本发明的特征在于,所述热交联剂由包含脲类树脂、三聚氰胺类树脂、异氰酸酯基、环氧基、氧杂环氧丁烷基、丙烯酸酯基、乙烯基、芳基、羟基或巯基中的至少一种的化合物构成,而且所述热稳定剂由酚醛类、内酯类、胺类、磷类或硫磺类化合物中的至少一种构成。
本发明的特征在于,所述光稳定剂由苯并三唑类、三嗪类、二苯甲酮类、受阻氨基醚类或受阻胺类化合物中的至少一种构成,所述粘接助剂由包含异氰酸酯基、氨基、脲基、烷基、环氧基、丙烯酸酯基、乙烯基或巯基中至少一种的烷氧基硅烷化合物构成。
本发明的特征在于,所述碱性抑制剂为含氮有机化合物,所述含氮有机化合物由一级胺、二级胺、三级胺或酰胺化合物中的至少一种构成。
接下来,利用本发明的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物的有机绝缘膜的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:在显示装置的基板上部及在所述基板上形成的源极/漏极或氮化硅层的上部涂覆所述有机绝缘膜组合物;预烘(pre-bake)所述有机绝缘膜组合物;选择性地曝光所述有机绝缘膜组合物后进行显影而形成图案;及对所述有机绝缘膜组合物进行整片曝光及热处理(固化烘烤)以形成绝缘保护膜。
而且,本发明的特征在于,在形成所述图案的步骤中在曝光与显影之间增加后烘(post bake)工序。
根据本发明的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法,与以往不同地,将环状结构的酸解性保护基和新开发的化学结构构成为共聚物形式,从而不仅具有能够显著提高敏感度,而且在显影时能够显著降低未曝光部的膜减少的优点。
而且具有在曝光中能够显著减少挥发蒸汽的产生,又能够显著缩短曝光时间从而降低工艺费用,而且能够实现显示器的高分辨率,又能够保持高透射率的优点。
不仅如此,使用环状结构的酸解性保护基,从而与以往不同地体积大(Bulky),因此将提高溶解抑制力,因而能够在非曝光区域保持更高的残膜率,且能够加大曝光部和非曝光部之间的溶解速度差,从而具有能够实现高分辨率的图案的优点。
而且,由于使用环状结构的酸解性保护基,从而与以往相比,即使少量投入,溶解抑制效果也能够与以往同等或者更加优异,因此具有更为经济的优点。
附图说明
图1为示出应用本发明的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物的具有高开口率的TFT-LCD的单元格(unit cell)装置的剖视图。
图2为评价本发明的实施例2-1的组成所带来分辨率的有机绝缘膜图案的表面光学照片。
图3为评价本发明的实施例2-2的组成所带来分辨率的有机绝缘膜图案的表面光学照片。
图4及图5为评价本发明的比较例1的组成所带来分辨率的有机绝缘膜图案的表面光学照片。
图6及图7为评价本发明的比较例2的组成所带来分辨率的有机绝缘膜图案的表面光学照片。
附图标记说明
1:下部基板
2:栅绝缘膜
3:栅电极
4:半导体层
5:源电极
6:漏电极
7:存储电极
8:数据线
9:有机绝缘膜
10:像素电极
具体实施方式
以下,参照附图详细说明本发明的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及应用该组合物的有机绝缘膜的形成方法的一个优选实施方式。通过以下实施例能够更加易于理解本发明,以下实施例是用于例示本发明而提供的,并不是用来限定由所附的权利要求书所限定的保护范围。
首先,化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物的特征在于包括粘合剂树脂,所述粘合剂树脂包括包含环状结构的酸解性保护基的单元(moiety)而构成,而且包括包含所述单元的聚合物或共聚物。
其中,所谓单元包括单体(monomer),表示最小单位,被定义为包括环状结构酸解性保护基的任何物质。
而且,其特征在于,所述单元由所述化学式1-1至1-17中的至少一种及所述化学式2至3中的至少一种构成。而且其特征在于,所述共聚物进一步包括所述化学式4至7中的至少一种。
当所述化学式1-1至1-17中表示的环状结构的酸解性保护基适用在液晶显示装置用的有机绝缘膜时,在形成图案之后,所述有机绝缘膜仍被残留并起到布线的绝缘及保护膜的功能。
由此确认如下情况:在本发明的所述化学式1-1至1-17中表示的环状结构的酸解性保护基适用在有机绝缘膜的结果,在组合物内起到调节溶解度的作用,从而对于在有机绝缘膜所需的特性即敏感度、残膜率、挥发蒸气以及分辨率的提高效果非常优异。
而且,能够确认在400nm以上的可见光区域中显示出高的透射度特性。
而且,连接有所述单元的形式的所述化学式2至3的交联结构更加易于抑制溶解度,从而有利于获得更高的残膜率和分辨率。
在所述粘合剂树脂中,在除了这种所述单元外进一步包括所述化学式2至7的结构而构成共聚物的情况下,能够进一步提高所述有机绝缘膜的特性,因此优选。
而且,所述粘合剂树脂可由聚合所述化学式2至14中的任一种的形式构成,也可简单地混合所述共聚物而构成。但在混合各聚合物时,需要包含至少一种由化学式1-1至1-17表示的酸解性保护基。
而且,所述粘合剂树脂可由聚合所述化学式8至12中的任一种的形式构成,也可简单地混合所述共聚物而构成。但在混合各聚合物时,需要包含至少一种由化学式1-1至1-17表示的酸解性保护基。
其中,所述粘合剂树脂的平均分子量优选为2000到200000,更加优选为5000到30000。此外,所述粘合剂的分散度优选为1到10,更加优选为1.1到5.0。当超出所述最佳平均分子量和分散度范围时,会出现有机绝缘膜的特性显著下降或者经济效率低的问题。
而且,优选在本发明的所述有机绝缘膜组合物中进一步包括平均分子量为2000至100000,分散度为1至20的聚合物或共聚物。这是为了通过在粘合剂树脂中进一步包括属于所述范围的聚合物或共聚物,从而使有机绝缘膜的光学物理性质及机械物理性质极大化。
而且,优选在本发明的所述有机绝缘膜组合物中进一步包括溶解抑制剂,所述溶解抑制剂优选在包含至少一个苯酚基的碱溶性酚醛类化合物或芴(fluorene)类化合物、包含至少一个羧基的碱溶性化合物或包含至少一个苯甲酸基的碱溶性化合物中的至少一种中含有酸解性保护基。在所述溶解抑制剂中,所述酸解性保护基优选为在所述化学式1-1至1-17中表示的酸解性保护基中的任一种。
这种溶解抑制剂能够有效地与粘合剂树脂混合,从而能够提高敏感度,而且起到容易形成图案的作用。
当所述溶解抑制剂为单分子结构时,其分子量优选为5000以下,当高分子结构时,其分子量优选为5000至30000。
如上所述,本发明的粘合剂树脂具有如下优点:在使用最少量的酸解性保护基的情况下使非曝光部呈现对显影液的充分的溶解抑制能力,从而能够显著地减少在曝光工序中或在其后可能在残留有机图案膜中产生的挥发蒸气量,曝光部在曝光工序中由光致酸发生剂(PAG:Photo Acid Generator)引发的酸的作用下通过催化剂反应以非常快的速度脱离保护,从而对显影液的溶解度急剧增加,使有机绝缘膜组合物的溶解对比度增加,从而即使在i,g,h-line的复合波长的光源下,也能够形成高分辨率(highresolution)的微细电路图案。
而且,可通过在所述粘合剂树脂中添加光致酸发生剂、添加剂或有机溶剂中的一种,从而最大限度地发挥其性能。
首先,所述光致酸发生剂可使用当被暴露在活性照射线时能够产生酸但不会降低保护膜形成特性及透射性等光学特性的任何物质,但优选使用在250nm到400nm的波长下具有适当的吸光度,在400nm以上的可见光区域中能够保持有机绝缘膜的优异的透射度及透明颜色的物质。
对此,在本发明中经过多次实验确认到所述光致酸发生剂最好由鎓盐化合物、含卤素化合物、砜化合物、磺酸酯化合物或三嗪类化合物中的至少一种构成,并使用该化合物。
所述鎓盐化合物优选使用碘盐、锍盐、磷盐、重氮盐、铵盐或吡啶盐,所述含卤素化合物优选使用含卤代烷基烃化合物或含卤代烷基杂环化合物。
此外,砜化合物优选使用β-酮砜(β-ketosulfone)、β-磺酰砜或其α-重氮化合物,磺酸酯化合物优选使用烷基磺酸酯、卤代烷基磺酸酯(Halo alkyl sulfonate)、芳基磺酸酯、亚氨基磺酸酯或酰胺磺酸酯。
此外,作为所述光致酸发生剂的含量,相对于所述粘合剂树脂100重量份优选包含0.1到10重量份,更加优选包含1到5重量份。当少于0.1重量份时,在曝光中酸的产生量受到限制而难以实现足够速度的敏感度,当超过10重量份时,可能会产生涂膜透射性的下降及变色问题。
接下来,所述添加剂优选为由热交联剂、热稳定剂、光固化促进剂、界面活性剂、碱性抑制剂、防光晕剂、粘接助剂、光稳定剂或者消泡剂中的至少一种构成。
所述热交联剂是在形成有机绝缘膜时通过曝光后热处理使得粘合剂树脂和热交联剂间顺利地进行交联反应,从而提高耐热性和涂膜的机械性质(硬度、强度)而添加的,在本发明中所述热交联剂最好由包含脲类、三聚氰胺类树脂、异氰酸酯基、环氧基、氧杂环氧丁烷基、丙烯酸酯基、乙烯基、芳基、羟基或巯基中的至少一种的化合物构成。
而且,所述热稳定剂是为了抑制所形成的有机膜由于在后续工序中或器件的可靠性条件中产生的热量而变色及透射度下降的问题而使用的,在本发明中最好由酚醛类、内酯类、胺类、磷类或硫磺类化合物中的至少一种构成。
所述光稳定剂是为了最大限度地发挥有机绝缘膜组合物的耐光性而使用的,只要是具有这种特性的光稳定剂,其种类不受特别的限制,但在本发明中优选使用苯并三唑类、三嗪类、二苯甲酮类、受阻氨基醚类或受阻胺类化合物中的至少一种。
此外,所述光固化促进剂只要在曝光中促进产生酸的物质可以使用任何物质,所述粘接助剂优选为由包含异氰酸酯基、环氧基、丙烯酸酯基、乙烯基或者巯基环氧基中的至少一种的烷氧基硅烷化合物构成。
所述碱性抑制剂起到控制所产生酸的扩散的作用,优选为使用碱性不变的含氮有机化合物,最好由一级胺、二级胺、三级胺或酰胺化合物中的至少一种构成。
而且,表面活性剂(surfactant)是为了通过提高基板和有机绝缘膜组合物的润湿特性(wetting)来改善涂覆性和厚度均匀性而使用的,其种类不受特别的限制,但优选可以举出聚氧月桂醚(Polyoxy lauryl ether)、聚氧乙烯硬脂酰醚、聚氧乙烯油烯醚、聚氧乙烯辛基苯酚醚、聚氧乙烯壬基苯酚醚或聚乙二醇二月桂酸酯等。这些表面活性剂的含量,相对于本发明的正型有机绝缘膜组合物100重量份,优选为3重量份以下。
除此之外,还可以使用常规的光固化促进剂、防光晕剂(均化剂)、消泡剂等,根据需要,除了上述列举的添加剂之外还可以使用各种不同的添加剂来提高所需特性。
而且,所述有机绝缘膜组合物可以使用有机溶剂,所述有机溶剂优选使用醇类、醋酸酯类、醚类、二醇类、酮类或者碳酸酯类有机溶剂中的至少一种,更加优选使用丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA),这样涂覆性优异,即使在大型玻璃基板上,有机绝缘膜覆膜的膜厚度的均匀性也比较优异,因此最有效。
而且,在所述化学式中定义的R1、R2、R3等在所有化学式中共同使用。即,R1、R2、R3等不会根据化学式有不同的定义。
接下来,利用本发明的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物的有机绝缘膜的形成方法包括以下步骤而构成:将所述有机绝缘膜组合物涂覆于显示装置的基板上部以及在所述基板上形成的源极/漏极或氮化硅层上部(S10);预烘(pre-bake)所述有机绝缘膜组合物(S20);选择性地将所述有机绝缘膜组合物曝光及显影而形成图案(S30);及整片曝光及热处理(固化烘烤,cure bake)所述有机绝缘膜组合物而形成绝缘保护膜(S40)。
作为所述基板主要使用通常在液晶显示装置(TFT-LCD)、OLED等FPD(Flat PanelDisplay)中使用的玻璃或透明塑料树脂,但不会根据所使用的显示装置的特性而受到特别的限制。例如,可将所述有机绝缘膜形成于在OLED中作为阳极使用的ITO金属膜上或在每个RGB颜色的EL层上或在玻璃等基板上构成栅电极的金属膜上并作为保护及绝缘目的而使用。
在本发明中将所述有机绝缘膜组合物涂覆于基板等的上部的方法有喷涂法、辊涂法、喷出喷嘴式涂覆法等使用狭缝喷嘴的涂覆法、中央滴下旋转涂覆法等旋涂法、挤压涂覆法或棒涂法(bar coating)等,在涂覆时可以将两种以上的涂覆方法组合使用。
根据涂覆方法、组合物的固体物质的浓度或粘度等,所涂覆的膜厚度不同,但通常涂覆为干燥后的膜厚度达到0.5μm到10μm。以后执行的预烘步骤为在形成涂膜后为了获得无流动性的涂膜而加以真空、红外线或热量而使溶剂挥发的工序。加热条件根据各成分的种类或组配等而不同,但在热板(hot plate)加热时一般以60到130℃的温度加热30到300秒,在使用热烤箱时一般以60到150℃加热30到1,000秒。其次,选择性曝光工序在照射准分子激光、远紫外线、紫外线、可见光、电子线、X线或g-线(波长为436nm)、i-线(波长为365nm)、h-线(波长为405nm)或其混合光线而执行。曝光可通过接触式(contact)、接近式(porximity)或投影式(projection)曝光法等进行。
本发明的特征是在执行碱性显影后对所述有机绝缘膜组合物进行整片曝光及热处理(annealing)步骤。在用于进行所述高温烧成的本发明有机绝缘膜组合物的结构中适用热交联剂等。所述热处理步骤利用热板或烤箱等加热装置在150℃到250℃温度下执行30分钟到2小时。在完成所述热处理后获得完整地交联及固化的图案。
如此形成的有机绝缘膜在图1的显示装置所示,在由基板10、栅电极20、栅绝缘膜30、由氮化硅等构成的半导体层40、源极51、漏极52、保护膜60构成的层压结构中,使用于栅绝缘膜30或保护膜60。
下面考察在本发明的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物中聚合粘合剂树脂的方法的具体实施例。
粘合剂树脂的聚合方法(第一实施例)
实施例1-1
由以下方法制备由以下化学式13表示的粘合剂树脂。在以下的化学式13中,a为0.25、b为0.10、c为0.20、d为0.10、e为0.15、f为0.20。
<化学式13>
Figure BDA0000379165970000201
将由4-乙酰氧基苯乙烯(4-acetoxystyrene)35mol%、
α-甲基苯乙烯(α-methylstyrene)20mol%、
甲基丙烯酸甲酯(methylmethacrylate)10mol%、
丙烯酸二环戊基酯(dicyclopentanyl acrylate)15mol%、以及
甲基丙烯酸缩水甘油酯(glycidyl methacrylate)20mol%构成的单体混合物和相对于该混合物重量为45重量%的有机溶剂丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)混合并将温度升温至70℃后在氮气吹扫(purge)状态下彻底混合。
此时,将相对于全部单体混合物为4重量%的偶氮腈(Azonitrile)类引发剂2,2'-偶氮双(2,4-二甲基-戊腈)(2,2'-azobis(2,4-dimethyl-valeronitrile))(Vazo52G)、6重量%的链转移剂1-十二硫醇和20重量%的PGMEA混合后使之溶解,并将其混合溶解物滴入所述单体混合物中并使之反应六小时。然后,进一步添加相对于全部单体为2重量%的引发剂(Vazo52G)并使之反应三小时,之后投入聚合禁止剂2,5-双(1,1-甲基丁基)氢醌以结束聚合。
之后,进一步添加相对于所述聚合物重量为0.1重量%的盐酸(hydrochloric acid)并进行混合后,在45℃下搅拌四小时以上。之后将温度降到25℃并进一步添加包含在所述高分子树脂内的4-乙酰氧基苯乙烯的mol数的0.72倍mol数的3,4-二氢-2H-吡喃(3,4-dihro-2H-pyran),且在氮气气氛下进行搅拌并使之反应48小时以上。
结束反应后,将温度降到常温并投入与所使用的所述盐酸相同mol数的氢氧化钠(sodium hydroxide)以进行中和后,通过过量的蒸馏水只提取高分子树脂部分,然后进一步使用蒸馏水清洗几次高分子树脂。最终获得的高分子树脂在真空干燥箱内以40℃的温度中搁置24小时以上以去除水分而进行干燥。
实施例1-2
由以下方式制备由以下化学式14表示的粘合剂树脂。在以下的化学式14中,a为0.25、b为0.10、c为0.20、d为0.10、d为0.15、e为0.20。
<化学式14>
除了取代在聚合所述高分子树脂时作为单体使用的甲基丙烯酸缩水甘油酯以及丙烯酸二环戊基酯分别投入3,3-二甲基-环氧丙烷甲基丙烯酸酯及丙烯酸二环戊烯酯(dicyclopentenyl acrylate),并作为酸解性保护基取代3,4-二氢-2H-吡喃(3,4-dihro-2H-pyran)使用乙烯氧基-甲基-苯(ethenoxy-methyl-benzene)之外,其他聚合方法按照实施例1-1进行。
实施例1-3
由以下方式制备由以下化学式15表示的粘合剂树脂。在以下的化学式15中,a为0.20、b为0.10、c为0.20、d为0.10、e为0.25、f为0.15。
<化学式15>
Figure BDA0000379165970000221
除了取代在聚合所述高分子树脂时作为单体使用的甲基丙烯酸甲酯投入丙烯酸羟基丙基酯,并作为酸解性保护基取代3,4-二氢-2H-吡喃(3,4-dihro-2H-pyran)使用2-(2-乙烯氧-乙基)-萘,并且其中2-(2-乙烯氧-乙基)-萘的使用量为在聚合所述高分子时使用的4-乙酰氧基苯乙烯的mol数的0.68倍之外,其他聚合方法按照实施例1-1进行。
实施例1-4
由以下方式制备由以下化学式16表示的粘合剂树脂。在以下的化学式16中,a为0.30、b为0.05、c为0.20、d为0.10、e为0.20、f为0.15。
<化学式16>
Figure BDA0000379165970000222
除了取代在聚合所述高分子树脂时作为单体使用的甲基丙烯酸缩水甘油酯投入甲基丙烯酸苄酯(bezylmethacrylate),并作为酸解性保护基取代3,4-二氢-2H-吡喃(3,4-dihro-2H-pyran)使用1,4-环己烷甲醇乙烯醚(1,4-cyclohexanemethanol vinylether),并且其中1,4-环己烷甲醇乙烯醚的使用量为在聚合所述高分子时使用的4-乙酰氧基苯乙烯的mol数的0.86倍之外,其他聚合方法按照实施例1-1进行。
实施例1-5
由以下方式制备由以下化学式17表示的粘合剂树脂。在以下的化学式17中,a为0.25、b为0.10、c为0.20、d为0.20、e为0.25。
<化学式17>
Figure BDA0000379165970000231
除了取代在聚合所述高分子树脂时作为单体使用的4-乙酰氧基苯乙烯以及甲基丙烯酸甲酯分别投入使用甲基丙烯酸(methacrylic acid)以及丙烯酸2-羟丙酯(2-hydroxypropyl acrylate),而且作为酸解性保护基使用在聚合所述高分子时使用的甲基丙烯酸的mol数的1.2倍mol数的3,4-二氢-2H-吡喃(3,4-dihro-2H-pyran)之外,其他聚合方法按照实施例1-1进行。
实施例1-6
由以下方式制备由以下化学式18表示的粘合剂树脂。在以下的化学式18中,a为0.25、b为0.10、c为0.15、d为0.25、e为0.25。
<化学式18>
Figure BDA0000379165970000232
除了在聚合所述高分子树脂时作为单体使用的α-甲基苯乙烯之外取代4-乙酰氧基苯乙烯使用甲基丙烯酸羧基四环十二烷基酯,而且作为酸解性保护基使用3,4-二氢-2H-吡喃(3,4-dihro-2H-pyran),并且其中3,4-二氢-2H-吡喃的使用量为在聚合所述高分子时使用的甲基丙烯酸羧基四环十二烷基酯的mol数的0.72倍mol数之外,其他聚合方法按照实施例1-1进行。
实施例1-7
由以下方式制备由以下化学式19表示的粘合剂树脂。在以下的化学式19中,a为0.15、b为0.25、c为0.15、d为0.20、e为0.25。
<化学式19>
除了取代在聚合所述高分子树脂时作为单体使用的甲基丙烯酸甲酯使用甲基丙烯酸,而且作为酸解性保护基使用3,4-二氢-2H-吡喃(3,4-dihro-2H-pyran),并且其中3,4-二氢-2H-吡喃的使用量为在聚合所述高分子时使用的4-乙酰氧基苯乙烯及甲基丙烯酸的总mol数的1.2倍mol数之外,其他聚合方法按照实施例1-1进行。
实施例1-8
由以下方式制备由以下的化学式20表示的粘合剂树脂。在以下的化学式20中,a为0.20、b为0.10、c为0.20、d为0.25、e为0.25。
<化学式20>
Figure BDA0000379165970000251
除了在聚合所述高分子树脂时作为单体使用的丙烯酸羟基丙基酯之外,作为酸解性保护基取代3,4-二氢-2H-吡喃(3,4-dihro-2H-pyran)使用双酚A-二乙氧基二乙烯基醚,并且其中双酚A-二乙氧基二乙烯基醚的使用量为在聚合所述高分子时使用的甲基丙烯酸mol数的0.68倍mol数之外,其他聚合方法按照实施例1-5进行。
实施例1-9
由以下方式制备由以下的化学式21表示的粘合剂树脂。在以下的化学式21中,a为0.20、b为0.15、c为0.15、d为0.10、d为0.20、e为0.20。
<化学式21>
Figure BDA0000379165970000261
作为酸解性保护基取代3,4-二氢-2H-吡喃(3,4-dihro-2H-pyran)使用1,4-环己烷二甲醇二乙烯醚,并且其中1,4-环己烷二甲醇二乙烯醚的使用量为在聚合所述高分子时使用的4-乙酰氧基苯乙烯mol数的0.58倍mol数之外,其他聚合方法按照实施例1-1进行。
实施例1-10
分别如上述方式制备由以下化学式13及17表示的高分子树脂,并且制备按60:40的重量比混合各高分子树脂而构成的粘合剂树脂。
实施例1-11
分别如以下方式制备由以下化学式22及23表示的高分子树脂,并且制备按60:40的重量比混合由以下化学式22表示的高分子树脂和由以下化学式23表示的高分子树脂而构成的粘合剂树脂。
在以下化学式22中,a为0.30、b为0.25、c为0.20、d为0.25,在化学式23中,a为0.45、b为0.55。
<化学式22>
其他聚合方法按照实施例1-5进行,但是,除了在聚合所述高分子树脂时作为单体使用的丙烯酸羟基丙酯之外,进行至聚合为止后结束了反应。
<化学式23>
Figure BDA0000379165970000271
在150g的PGMEA中溶解50g的聚羟基苯乙烯(polyhydroxystyrene)(重均分子量12,000)树脂后,投入相当于所投入的高分子树脂中的羟基苯乙烯mol数的0.45倍的23.33g的3,4-二氢-2H-吡喃(3,4-dihro-2H-pyran),并且滴入0.4g的12M盐酸(HCl)后在氮气气氛中且在25℃下搅拌48小时以使之进行反应。结束反应后将温度降低至常温,并投入与所使用的所述盐酸相同mol数的氢氧化钠(sodium hydroxide)以进行中和之后,用过量的蒸馏水仅提取高分子树脂部分,之后进一步使用蒸馏水清洗几次高分子树脂。最终获得的高分子树脂在真空烘干箱内在40℃下搁置24小时以上,从而去除水分使之干燥。
实施例1-12
由以下方式制备由以下化学式24表示的高分子树脂和由化学式25表示的酸解性溶解抑制剂,并且制备按75:25的重量比混合由以下化学式24表示的高分子树脂和由以下化学式25表示的酸解性溶解抑制剂而构成的粘合剂树脂。
在以下化学式24中,a为0.15、b为0.25、c为0.20、d为0.20、e为0.20。
<化学式24>
Figure BDA0000379165970000272
除了在聚合所述高分子树脂时作为单体使用的α-甲基苯乙烯之外,作为酸解性保护基投入3,4-二氢-2H-吡喃(3,4-dihro-2H-pyran)以进行反应,并且其中3,4-二氢-2H-吡喃的投入量为在聚合中使用的4-乙酰氧基苯乙烯的总mol数的0.7倍mol数以外,其他聚合方法按照实施例1-1进行。
<化学式25>
Figure BDA0000379165970000281
通过搅拌在110g的乙酸乙酯(ethyl aceate)中溶解10g的双酚芴(Bisphenolfluorene)后,作为酸解性保护基投入双酚芴(Bisphenol fluorene)总mol数的2.5倍mol数的乙烯氧-甲基-苯(ethenoxy-methyl-benzene),并且滴入0.1g的12M盐酸(HCl)且在25℃下使之反应24小时以上。之后用碳酸氢钠(sodium bicarbonate)水溶液进行中和并提纯后,通过石油醚(petroleum ether)提取由所述酸解性保护基保护的溶解抑制剂。
实施例1-13
由以下方式制备由以下化学式26表示的高分子树脂和由化学式27表示的酸解性溶解抑制剂,并且制备按70:30的重量比混合由以下化学式26表示的高分子树脂和由以下化学式27表示的酸解性溶解抑制剂而构成的粘合剂树脂。
在以下的化学式26中,a为0.30、b为0.25、c为0.20、d为0.25。
<化学式26>
Figure BDA0000379165970000282
除了在聚合所述高分子树脂时作为单体使用的α-甲基苯乙烯之外,取代4-乙酰氧基苯乙烯投入对叔丁氧基苯乙烯(p-tert-butoxystyrene)并进行聚合之后,使用浓缩盐酸将反应进行至使对叔丁氧基苯乙烯(p-tert-butoxystyrene)水解(hydrolysis)为止而结束反应之外,其他聚合方法按照实施例1-1进行。
<化学式27>
Figure BDA0000379165970000291
通过搅拌在110g的乙酸乙酯(ethyl aceate中溶解10g的α,α-双(4-羟基苯基)-4-(4-羟基-α,α-二甲基苄基)-乙基苯(α,α-Bis(4-hydroxyphenyl)-4-(4-hydroxy-α,α-dimethylbenzyl)-ethylbenzene)之后,作为酸解性保护基投入α,α-双(4-羟基苯基)-4-(4-羟基-α,α-二甲基苄基)-乙基苯总mol数的0.4倍及0.3倍mol数的1,4-环己烷二甲醇二乙烯醚(1,4-cyclohexanedimethanol divinyl ether)和环己基乙烯醚(cyclohexyl vinylether),并且滴入0.1g的12M盐酸后在25℃下使之反应24小时以上。之后用碳酸氢钠(sodium bicarbonate)水溶液进行中和并提纯之后,通过甲醇和蒸馏水的混合溶剂提取由所述酸解性保护基保护的溶解抑制剂。
由有机绝缘膜组合物制作的有机绝缘膜的物理性质评价(第二实施例)
接下来,添加通过所述聚合方法制备的粘合剂树脂和光致酸发生剂、有机溶剂、交联剂以及其它添加剂以制备有机绝缘膜组合物,并且考察由此形成的有机绝缘保护膜的物理性质的评价结果。
在所述基板上涂覆由以下实施例2-1至2-8制备的有机绝缘膜组合物,并以每分钟500至1500rpm的转速进行旋转涂覆后,在热板中进行曝光,并以90℃的温度干燥90秒而形成涂膜。所形成的涂膜根据转速形成了1.0至5μm的厚度。
实施例2-1
对于有机溶剂(PGMEA)100重量份,混合通过所述实施例1-1聚合的由化学式12表示的31.96重量份的粘合剂树脂、0.64重量份的光致酸发生剂N-羟基萘酰亚胺三氟甲磺酸(N-hydroxynaphthalimide triflate)、0.09重量份的碱性抑制剂三乙胺(triethylamine)以及用于涂覆性的0.10重量份的表面活性剂F-475(Dainippon Ink&Chemicals)并使之彻底溶解,在玻璃基板上以500rpm至1000rpm的转速进行旋转涂覆后,在热板中以90℃的温度进行干燥90秒,从而形成3.5μm~4.0μm厚度的涂膜,然后按光量进行曝光后在2.38wt%的TMAH(tetramethylammonium hydroxide,四甲基氢氧化铵)显影液中在23℃至24℃的温度下进行显影80秒,然后确认涂膜厚度和用于实现20μmL/S图案的曝光量,而且确认能够分辨的最小线宽。
之后,检测通过以500mJ/cm2至700mJ/cm2的曝光量使用紫外线进行整片曝光后,在220℃的烤箱中进行一个小时的固化烘烤(cure bake),从而在有机膜上形成的涂膜的厚度和在450nm波长中的透光度。
实施例2-2
除了作为粘合剂树脂使用通过所述实施例1-3聚合的化学式14的粘合剂树脂之外,通过与所述实施例2-1相同的组配和方法进行实验。
实施例2-3
除了作为粘合剂树脂使用通过所述实施例1-5聚合的化学式16的粘合剂树脂之外,通过与所述实施例2-1相同的组配和方法进行实验。
实施例2-4
除了作为粘合剂树脂使用通过所述实施例1-7聚合的化学式18的粘合剂树脂之外,通过与所述实施例2-1相同的组配和方法进行实验。
实施例2-5
除了作为粘合剂树脂使用通过所述实施例1-8聚合的化学式19的粘合剂树脂之外,通过与所述实施例2-1相同的组配和方法进行实验。
实施例2-6
除了作为粘合剂树脂使用通过所述实施例1-9聚合的化学式20的粘合剂树脂之外,通过与所述实施例2-1相同的组配和方法进行实验。
实施例2-7
除了作为粘合剂树脂使用按60:40的重量比混合通过所述实施例1-11聚和/合成的化学式21-1和化学式21-2的共聚物和溶解抑制剂而形成的粘合剂树脂之外,通过与所述实施例2-1相同的组配和方法进行实验。
实施例2-8
除了作为粘合剂树脂使用按75:25的重量比混合通过所述实施例1-12聚和/合成的化学式22-1和化学式22-2的共聚物和溶解抑制剂而形成的粘合剂树脂之外,通过与所述实施例2-1相同的组配和方法进行实试验。
比较例1
除了作为粘合剂树脂使用如以下化学式28聚合的共聚物之外,通过与实施例2-1相同的组配和评价方法进行实验,其中,所述共聚物使用将乙基乙烯醚(ethylvinyl ether)作为羟基苯乙烯的酸解性保护基使用的p-(1-乙氧基乙氧基)苯乙烯(p-(1-ethoxyethoxy)styrene:又称PEES)单体而进行聚合。在以下化学式28中,a为0.30、b为0.10、c为0.20、d为0.10、e为0.10、f为0.20。
<化学式28>
Figure BDA0000379165970000311
比较例2
除了作为粘合剂树脂使用由碱溶性丙烯酸树脂和含有醌二叠氮(quinonediazide)基的PAC化合物构成的目前正在应用的有机绝缘膜组合物(JSR公司的411B)之外,通过与实施例2-1相同的组配和评价方法进行实验。
通过以下方法并利用通过所述实施例及比较例形成的图案检测能够检测敏感度的适当曝光量(Eop)、显影后残膜率、固化烘烤后残膜率、热收缩率、分辨率以及总光线透射率。
1)适当曝光量(Eop)
使用刻有宽度(CD)为20μm的图案的光掩模(photomask)进行曝光(UV exposure)及显影(development)工序后,通过光学显微镜(optical microscopy)观察并确认实现20μm图案的时间点的曝光量。
2)显影后残膜率%
检测显影前的涂覆有机膜的厚度和显影后的残留有机膜的厚度,并且使用以下公式计算显影后的残膜率。其中,所述显影后的残膜率通过公式(显影后的涂膜厚度)/(显影前的涂膜厚度)×100(%)计算。
3)固化烘烤(cure bake)后残膜率%
将显影后的残留有机膜进一步在220℃的烤箱内搁置一个小时以进行固化烘烤后检测残留有机膜的厚度,并且使用以下公式计算固化烘烤后的残膜率。其中,所述固化烘烤后的残膜率通过公式(固化烘烤后的涂膜的厚度)/(显影前的涂膜的厚度)×100(%)计算。
4)热收缩率(shrinkage%)
分别检测显影后的残留有机膜的厚度和固化烘烤后的残留有机膜的厚度后,使用以下公式计算热收缩率。其中,所述热收缩率通过公式(显影后涂膜的厚度-固化烘烤后涂膜的厚度)/(显影后涂膜的厚度)×100(%)计算。
5)分辨率(resolution)
以1:1的线宽&间距(L/S)图案为准进行显影后,检测未产生图案扭曲(distortion)或者剥离(peel-off)而能够最为微细地形成的图案的宽度(CD)。该图案的光学显微镜照片如图2至图7所示。
6)总光线透射率(%)
将工艺执行至最后的固化烘烤工序为止后,使用紫外可见光分光光度计(UV-Visible-Spectrometer)、PDA UV-Vis Spectro(Scinco,韩国新科公司)检测残留的2.5μm厚度的有机膜在450nm波长中的透光度。
以下表1示出针对通过所述实施例2-1至实施例2-8涂覆的薄膜的适当曝光量(Eop)、显影后残膜率、固化烘烤后残膜率、热收缩率、分辨率以及透光率的评价结果。
[表1]
Figure BDA0000379165970000331
如上表1所示,本发明实施例的图案的曝光量为35至60mJ/cm2的范围,因此具有非常优异的敏感度,而且残膜率也非常优异。
尤其是,与比较例1(具有链结构酸解性保护基的化学放大型有机绝缘膜)相比,在进行固化烘烤后保持较高的残膜率,这是因为在曝光中通过酸催化剂反应和高温(220℃)热处理而被脱落的环状结构的保护基的低挥发性而限制体积收缩,从而热收缩低。
环状结构的脱保护基不仅其本身的挥发性低于链结构的保护基,而且环状结构的脱保护基对显影液的溶解抑制能力相对高,从而能够在粘合剂树脂内保持浓度低的酸解性保护基的情况下具有充分的图案实现能力,因此能够较低地保持在低粘合剂树脂中可能会产生的副产物(by-product)的浓度。
而且,对于非曝光部的溶解抑制能力来讲,环状结构的酸解性保护基的溶解抑制能力高于链结构的酸解性保护基,从而进一步最大限度地增加曝光部和非曝光部的溶解速度差(dissolution contrast),从而能够实现进一步高水平的分辨率。
由此可见,通过对由所述组合物制备的有机绝缘膜本身赋予感光性,从而能够省略在以往的无机物绝缘层中使用的额外的光刻工序,因此能够更加容易地形成微细图案。
以上说明了本发明的优选实施例,但本发明可改变为多种形式,或者使用各种不同的变更及等同物。显然,本发明能够适当地变形上述实施例并且同样地应用。因此以上记载的内容并不是用来限定由权利要求书限定的本发明的范围。
产业上的可应用性
本发明涉及一种化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法,本发明在形成液晶显示元件等的有机绝缘膜时,与以往相比,不仅能够显著提高敏感度,还具有低挥发性、透明的膜颜色(non-yellowish/non-redish)、高残膜率和高分辨率等优异的物理性质,能够在产业上应用。

Claims (20)

1.一种化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,包含粘合剂树脂,其特征在于,所述粘合剂树脂包括包含环状结构的酸解性保护基的单元(moiety)而构成。
2.根据权利要求1所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,所述粘合剂树脂包括包含所述单元的聚合物或者共聚物。
3.根据权利要求1所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,所述单元由以下化学式1-1至1-17中的至少一种构成,
<化学式1-1>
Figure FDA0000379165960000011
<化学式1-2>
Figure FDA0000379165960000012
<化学式1-3>
Figure FDA0000379165960000013
<化学式1-4>
Figure FDA0000379165960000021
<化学式1-5>
Figure FDA0000379165960000022
<化学式1-6>
Figure FDA0000379165960000023
<化学式1-7>
Figure FDA0000379165960000031
<化学式1-8>
Figure FDA0000379165960000032
<化学式1-9>
Figure FDA0000379165960000033
<化学式1-10>
Figure FDA0000379165960000041
<化学式1-11>
Figure FDA0000379165960000042
<化学式1-12>
Figure FDA0000379165960000043
<化学式1-13>
<化学式1-14>
<化学式1-15>
Figure FDA0000379165960000052
<化学式1-16>
Figure FDA0000379165960000053
<化学式1-17>
Figure FDA0000379165960000061
在所述化学式1-1至1-17中,R1为链式脂肪族基、环式脂肪族基、芳基、链式酯基、环式酯基、链式醚基或者环式醚基,R1*为氢基或者链式烷基,R2为链式烷基或者环式烷基,R3为氢基或者链式烷基,R4为氢基、链式烷基或者环式烷基,R5为链式烯烃基或者环式烯烃基,R6为氢基、链式烷基、环式烷基或者芳基;而且,X为链式脂肪族基、环式脂肪族基、芳基、链式酯基、环式酯基、链式醚基或者环式醚基中的任一种,但是不能连接有与R1相同的基,当无X的情况下紧接着R1连接有Y时,X被省略,当无X及Y的情况下由R1结束时,X为氢基;
另外,Y为氢基、羟基、环氧基、异氰酸酯基、丙烯酰基、芳基、乙烯基或烷氧基中的任一种,X1*及X2*为呋喃(furan)类酸解性保护基或者吡喃(pyran)类酸解性保护基。
4.根据权利要求1所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
所述单元由以下化学式2或者化学式3中至少一种构成,
<化学式2>
Figure FDA0000379165960000062
<化学式3>
Figure FDA0000379165960000071
在所述化学式2和所述化学式3中,G为所述单元。
5.根据权利要求1所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,所述聚合物或者所述共聚物进一步包括以下化学式4至化学式7中的至少一种,
<化学式4>
Figure FDA0000379165960000072
<化学式5>
<化学式6>
<化学式7>
Figure FDA0000379165960000082
在所述化学式4至所述化学式7中,R7为氢基、链式烷基、环式烷基、羰基、至少包括一个苯环的芳族基、链式烯烃基、环式烯烃基、链式酯基、环式酯基、链式醚基、环式醚基或者烷氧基中的任一种,而且Z为氢基、羟基、链式烷基、环式烷基、烷氧基、乙酰氧基、t-丁氧基或者t-丁氧羰基中的任一种,P为羰氧基(-COO-)、甲基(-CH2-)、甲氧基(-CH2O-)或者氧基(-O-)中的任一种,m为在聚合物中的单体的重复单位,m≥0。
6.根据权利要求1所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
所述聚合物或者所述共聚物为以下化学式8至化学式10中的任一种,
<化学式8>
Figure FDA0000379165960000083
<化学式9>
Figure FDA0000379165960000091
<化学式10>
Figure FDA0000379165960000092
在所述化学式8至所述化学式10中,A及B为氮基或者氧基中的任一种,R8为氢基、羟基、烷基或者环氧基中的任一种,n为在聚合物中的单体的重复单位,n≥1。
7.根据权利要求1所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
所述聚合物或者所述共聚物为以下化学式11至化学式12中的任一种,
<化学式11>
Figure FDA0000379165960000101
<化学式12>
Figure FDA0000379165960000111
8.根据权利要求1所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
所述粘合剂树脂的平均分子量为2000至200000,分散度为1至10。
9.根据权利要求1所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
进一步包括平均分子量为2000至100000,分散度为1至20的聚合物或者共聚物。
10.根据权利要求1所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
进一步包括溶解抑制剂,所述溶解抑制剂在包含至少一个酚基的碱溶性酚醛类化合物或者芴(fluorene)类化合物、包含至少一个羧酸基的碱溶性化合物或者包含至少一个苯甲酸基的碱溶性化合物中的至少一种中包含酸解性保护基。
11.根据权利要求10所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
在所述溶解抑制剂中,所述酸解性保护基为在所述化学式1-1至所述化学式1-17中表示的酸解性保护基中的任一种。
12.根据权利要求1所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
进一步包括光致酸发生剂,所述光致酸发生剂由鎓盐化合物、含卤素化合物、砜化合物、磺酸酯化合物或三嗪类化合物中的至少一种构成,且相对于所述粘合剂树脂100重量份,含有0.1到10重量份的所述光致酸发生剂。
13.根据权利要求1所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
进一步包括含有醌二叠氮(quinonediazide)基的感光性化合物(PAC)。
14.根据权利要求1所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
进一步包括添加剂,所述添加剂由热交联剂、热稳定剂、光固化促进剂、表面活性剂、碱性抑制剂、防光晕剂、粘接助剂、光稳定剂或消泡剂中的至少一种构成。
15.根据权利要求14所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
所述热交联剂由包含脲类树脂、三聚氰胺类树脂、异氰酸酯基、环氧基、氧杂环氧丁烷基、丙烯酸酯基、乙烯基、芳基、羟基或巯基中的至少一种的化合物构成。
16.根据权利要求14所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
所述热稳定剂由酚醛类、内酯类、胺类、磷类或硫磺类化合物中的至少一种构成。
17.根据权利要求14所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
所述光稳定剂由苯并三唑类、三嗪类、二苯甲酮类、受阻氨基醚类或受阻胺类化合物中的至少一种构成。
18.根据权利要求14所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
所述粘接助剂由包含异氰酸酯基、氨基、脲基、烷基、环氧基、丙烯酸酯基、乙烯基或巯基中的至少一种的烷氧基硅烷化合物构成。
19.根据权利要求14所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,
所述碱性抑制剂为含氮有机化合物,所述含氮有机化合物由一级胺、二级胺、三级胺或酰胺化合物中的至少一种构成。
20.一种有机绝缘膜的形成方法,利用权利要求1至19中的任一项所述的化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物,其特征在于,包括以下步骤:
在显示装置的基板上部及在所述基板上形成的源极/漏极或氮化硅层的上部涂覆所述有机绝缘膜组合物;
预烘(pre-bake)所述有机绝缘膜组合物;
选择性地曝光所述有机绝缘膜组合物后进行显影而形成图案;及
对所述有机绝缘膜组合物进行整片曝光及热处理(cure bake)以形成绝缘保护膜。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106444288A (zh) * 2015-08-04 2017-02-22 信越化学工业株式会社 化学增幅型正型抗蚀剂组合物和图案形成方法
CN107408510A (zh) * 2015-03-25 2017-11-28 凸版印刷株式会社 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及使用了薄膜晶体管的图像显示装置
CN108352450A (zh) * 2015-11-18 2018-07-31 阿尔塔纳股份公司 用于电子器件中的介电层的可交联聚合材料
CN110494806A (zh) * 2017-05-19 2019-11-22 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
CN111584508A (zh) * 2020-05-13 2020-08-25 Tcl华星光电技术有限公司 一种有机绝缘膜及显示面板

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5772184B2 (ja) * 2011-04-22 2015-09-02 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、表示素子用層間絶縁膜及びその形成方法
KR20130099338A (ko) * 2012-02-29 2013-09-06 이윤형 내열성이 우수한 화학증폭형 포지티브 감광형 고감도 유기절연막 조성물 및 이를 이용한 유기절연막의 형성방법
JP6079289B2 (ja) * 2013-02-15 2017-02-15 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、硬化膜、その形成方法、及び表示素子
KR20140131609A (ko) 2013-05-02 2014-11-14 삼성디스플레이 주식회사 감광성 수지 조성물, 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 액정 표시 장치
WO2015033880A1 (ja) * 2013-09-04 2015-03-12 富士フイルム株式会社 樹脂組成物、硬化膜の製造方法、硬化膜、液晶表示装置および有機el表示装置
KR101491975B1 (ko) * 2014-03-14 2015-02-11 (주)휴넷플러스 화학 증폭형 포지티브 감광성 경화 수지 조성물, 이를 이용한 경화막의 제조 방법 및 경화막을 포함하는 전자소자
KR102630945B1 (ko) * 2015-11-20 2024-01-30 주식회사 동진쎄미켐 감광성 수지 조성물
KR102542260B1 (ko) * 2016-08-30 2023-06-13 주식회사 이엔에프테크놀로지 칼라필터용 박리액 조성물
KR102687295B1 (ko) * 2016-12-26 2024-07-22 엘지디스플레이 주식회사 고굴절 화합물과 이를 포함하는 절연막, 광 추출 필름, 유기발광 소자 및 유기발광 장치
KR102356879B1 (ko) * 2017-09-29 2022-01-28 동우 화인켐 주식회사 바인더 수지, 착색 감광성 수지 조성물, 이를 포함하는 디스플레이 격벽 구조물 및 이를 포함하는 자발광 표시장치
JP7076207B2 (ja) * 2017-12-28 2022-05-27 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP7067271B2 (ja) * 2018-05-25 2022-05-16 信越化学工業株式会社 オニウム塩、化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP6984626B2 (ja) * 2018-05-31 2021-12-22 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003064134A (ja) * 2001-06-15 2003-03-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP2011018078A (ja) * 2007-06-05 2011-01-27 Fujifilm Corp ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030027302A (ko) * 2001-09-28 2003-04-07 삼성전자주식회사 저유전율 절연막을 사용하는 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법
US7078158B2 (en) * 2001-09-11 2006-07-18 Kansai Paint Co., Ltd. Composition for activation energy rays and method of forming pattern
JP2005115249A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性ポリイミド組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP4701143B2 (ja) * 2006-09-15 2011-06-15 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5385017B2 (ja) * 2008-07-11 2014-01-08 信越化学工業株式会社 レジストパターン形成方法及びフォトマスクの製造方法
JP5530787B2 (ja) * 2009-05-01 2014-06-25 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003064134A (ja) * 2001-06-15 2003-03-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP2011018078A (ja) * 2007-06-05 2011-01-27 Fujifilm Corp ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107408510A (zh) * 2015-03-25 2017-11-28 凸版印刷株式会社 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及使用了薄膜晶体管的图像显示装置
CN107408510B (zh) * 2015-03-25 2021-06-15 凸版印刷株式会社 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及使用了薄膜晶体管的图像显示装置
CN106444288A (zh) * 2015-08-04 2017-02-22 信越化学工业株式会社 化学增幅型正型抗蚀剂组合物和图案形成方法
CN106444288B (zh) * 2015-08-04 2021-04-09 信越化学工业株式会社 化学增幅型正型抗蚀剂组合物和图案形成方法
CN108352450A (zh) * 2015-11-18 2018-07-31 阿尔塔纳股份公司 用于电子器件中的介电层的可交联聚合材料
CN108352450B (zh) * 2015-11-18 2022-04-05 阿尔塔纳股份公司 用于电子器件中的介电层的可交联聚合材料
CN110494806A (zh) * 2017-05-19 2019-11-22 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
CN110494806B (zh) * 2017-05-19 2024-03-15 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
CN111584508A (zh) * 2020-05-13 2020-08-25 Tcl华星光电技术有限公司 一种有机绝缘膜及显示面板
CN111584508B (zh) * 2020-05-13 2024-02-27 Tcl华星光电技术有限公司 一种有机绝缘膜及显示面板

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JP2014514602A (ja) 2014-06-19
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