CN110494806B - 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种作为掩模而能够适用于蚀刻时,能够形成耐龟裂性及耐蚀刻性优异的图案的感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。感光化射线性或感放射线性树脂组合物为含有树脂且固体成分浓度为10质量%以上的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,上述树脂包含:以制成均聚物时的玻璃化转变温度为50℃以下的单体为来源的重复单元A;及具有酸分解性基的重复单元B,上述重复单元B的含量相对于树脂中的所有重复单元为20摩尔%以下,且上述树脂所具有的重复单元中的任一至少1种为具有芳香族环的重复单元。
Description
技术领域
本发明涉及一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。
背景技术
为了弥补KrF准分子激光(248nm)用抗蚀剂以后由光吸收引起的灵敏度下降,使用称为化学放大的图像形成方法作为抗蚀剂的图像形成方法。例如,作为正型化学放大的图像形成方法,可以举出如下图像形成方法:通过准分子激光、电子束及极紫外光等曝光,使曝光部的光产酸剂分解而生成酸,通过曝光后的烘烤(PEB:Post Exposure Bake)将该产生酸作为反应催化剂进行利用而使碱不溶性的基团变为碱溶性的基团,利用碱性显影液去除曝光部。
另一方面,最近利用曝光光源的波长的微细化逐渐面临极限,尤其在植入工艺工序用途及NAND记忆体(NOT AND记忆体)中,以大容量化为目的的记忆体层的三维化逐渐成为主流。记忆体层的三维化需要沿纵向增加加工阶段数,因此对抗蚀剂膜要求由以往的纳米尺寸向微米尺寸的厚膜化。
例如,专利文献1中揭示有用于形成膜厚5~150μm的厚膜光阻剂层的厚膜用化学放大型正型光阻剂组合物。
以往技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-191218号公报
发明内容
发明要解决的技术课题
本发明人等将通过光刻由专利文献1中所记载的厚膜用化学放大型正型光阻剂组合物形成的厚膜的图案作为掩模而实施被蚀刻物的蚀刻,并对蚀刻工序中的掩模的形状变化和/或尺寸变化进行了研究,其结果明确了掩模的耐龟裂性未必一定充分,有进一步改善的余地。具体而言,得到了如下见解:在蚀刻被蚀刻物时的抽真空中容易产生龟裂。并且,得到了如下见解:在蚀刻被蚀刻物时,用作掩模的图案也暴露于等离子体环境下,但在该等离子体环境下掩模收缩,因收缩时所产生的应力而产生龟裂。
另外,明确了上述掩模由于蚀刻速率过大(换言的,耐蚀刻性差)而难以控制为三维形状,有进一步改善的余地。
因此,本发明的课题在于提供一种作为掩模而能够适用于蚀刻时,能够形成耐龟裂性及耐蚀刻性优异的图案的感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。
用于解决技术课题的手段
本发明人等为了达成上述课题而进行了深入研究,其结果发现了,通过含有特定结构的树脂的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,能够解决上述课题,并完成了本发明。
即,发现了通过以下构成能够达成上述目的。
<1>一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物,其含有树脂且固体成分浓度为10质量%以上,该感光化射线性或感放射线性树脂组合物中,上述树脂包含:以制成均聚物时的玻璃化转变温度为50℃以下的单体为来源的重复单元即重复单元A;及具有酸分解性基的重复单元即重复单元B,上述重复单元B的含量相对于上述树脂中的所有重复单元为20摩尔%以下,上述树脂所具有的重复单元中的至少1种为具有芳香族环的重复单元。
<2>根据<1>所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,上述重复单元A的含量相对于上述树脂中的所有重复单元为5摩尔%以上。
<3>根据<1>或<2>所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,上述重复单元A的含量相对于上述树脂中的所有重复单元为10摩尔%以上。
<4>根据<1>~<3>中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,上述重复单元A是以制成均聚物时的玻璃化转变温度为30℃以下的单体为来源的重复单元。
<5>根据<1>~<4>中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,上述重复单元A具有可以具有杂原子且碳原子数为2以上的非酸分解性链状烷基。
<6>根据<5>所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,上述重复单元A为后述的通式(1)所表示的重复单元。
<7>根据<1>~<4>中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,上述重复单元A为后述的通式(2)所表示的重复单元。
<8>根据<1>~<7>中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,上述树脂除了包含上述重复单元A及上述重复单元B以外,还包含具有羧基的重复单元C。
<9>根据<1>~<8>中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,上述树脂除了包含上述重复单元A及上述重复单元B以外,还包含具有酚性羟基的重复单元D。
<10>根据<1>~<9>中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,其还含有后述的通式(ZI-3)所表示的化合物或后述的通式(ZI-4)所表示的化合物。
<11>一种抗蚀剂膜,其由<1>~<10>中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成。
<12>一种图案形成方法,其包括:抗蚀剂膜形成工序,使用<1>~<10>中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成抗蚀剂膜;曝光工序,对上述抗蚀剂膜进行曝光;及显影工序,使用显影液对经曝光的上述抗蚀剂膜进行显影。
<13>一种电子器件的制造方法,其包括<12>所述的图案形成方法。
发明效果
根据本发明,能够提供能够形成能够作为蚀刻时耐龟裂性及耐蚀刻性优异的掩模而适用的图案的感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。
具体实施方式
以下,对本发明进行详细说明。
以下所记载的构成要件的说明有时是基于本发明的代表性实施方式而完成的,但本发明并不限定于这种实施方式。
本说明书中的“活化光线”或“放射线”是指,例如汞灯的明线光谱、以准分子激光为代表的远紫外线、极紫外线(EUV光:Extreme Ultraviolet)、X射线及电子束(EB:Electron Beam)等。本说明书中的“光”是指,活化光线或放射线。
除非特别指明,本说明书中的“曝光”,不仅包含使用汞灯的明线光谱、以准分子激光为代表的远紫外线、极紫外线(EUV光)及X射线等进行的曝光,也包含使用电子束及离子束等粒子束进行的描画。
本说明书中,“~”是以包含记载于其前后的数值作为下限值及上限值的含义来使用。
本说明书中,(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。并且,(甲基)丙烯酸表示丙烯酸及甲基丙烯酸。
本说明书中,树脂的重均分子量(Mw)、数均分子量(Mn)及分散度(也称为分子量分布)(Mw/Mn)被定义为,通过使用GPC(凝胶渗透色谱(Gel Permeation Chromatography))装置(TOSOH CORPORATION制造的HLC-8120GPC)的GPC测定(溶剂:四氢呋喃,流量(样品注入量):10μL,管柱:TOSOH CORPORATION制造的TSK gel Multipore HXL-M,管柱温度:40℃,流速:1.0mL/分钟,检测器:示差折光检测器(Refractive Index Detector))的聚苯乙烯换算值。
关于本说明书中的基团(原子团)的标记,未标有经取代及未经取代的标记包含不具有取代基的基团,并且还包含具有取代基的基团。例如,“烷基”不仅包含不具有取代基的烷基(未经取代的烷基),也包含具有取代基的烷基(经取代的烷基)。并且,本说明书中的“有机基团”是指,包含至少一个碳原子的基团。
并且,在本说明书中,“可以具有取代基”时的取代基的种类、取代基的位置及取代基的数量并没有特别限定。取代基的数量例如可以为1个、2个、3个或其以上。作为取代基的例子,能够举出除氢原子以外的1价的非金属原子团,例如能够选自以下取代基组群T。
(取代基组群T)
作为取代基组群T,可以举出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等卤素原子;甲氧基、乙氧基及第三丁氧基等烷氧基;苯氧基及对甲苯氧基等芳氧基;甲氧基羰基、丁氧基羰基及苯氧基羰基等烷氧羰基;乙酰氧基、丙酰氧基及苯甲酰氧基等酰氧基;乙酰基、苯甲酰基、异丁酰基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及甲草酰基(methoxalyl group)等酰基;甲基硫基(sulfanyl goup)及第三丁基硫基等烷基硫基;苯基硫基及对甲苯基硫基等芳基硫基;烷基;环烷基;芳基;杂芳基;羟基;羧基;甲酰基;磺基;氰基;烷基氨基羰基;芳基氨基羰基;磺酰胺基;硅基;氨基;单烷基氨基;二烷基氨基;芳基氨基;以及这些组合。
〔感光化射线性或感放射线性树脂组合物〕
作为本发明的感光化射线性或感放射线性树脂组合物(以后,也简称为“本发明的组合物”)的特征点,可以举出如下几点:固体成分浓度为10质量%以上;含有均满足下述条件〔1〕~〔4〕的树脂(以下,也称为“树脂(A)”)。
〔1〕含有以制成均聚物时的玻璃化转变温度为50℃以下的单体为来源的重复单元即重复单元A。
〔2〕含有具有酸分解性基的重复单元即重复单元B。
〔3〕上述重复单元B的含量相对于树脂中的所有重复单元为20摩尔%以下。
〔4〕上述树脂所具有的重复单元中的至少1种为具有芳香族环的重复单元。
通过上述构成,由本发明的感光化射线性或感放射线性树脂组合物得到的图案在作为掩模而用于被蚀刻物的蚀刻时,耐龟裂性优异,且耐蚀刻性优异。
以下,对本发明的作用效果进行说明。虽然本发明的作用效果的详细内容并不明确,但推测为通过下述机制发挥相乘作用而显现。
(固体成分浓度)
本发明的感光化射线性或感放射线性树脂组合物的固体成分浓度为10质量%以上。作为其结果,例如能够形成膜厚为1μm以上(优选为10μm以上)的厚膜的图案。另外,固体成分浓度是指,除溶剂以外的其他抗蚀剂成分(能够构成抗蚀剂膜的成分)的质量相对于组合物的总质量的质量百分比。
(树脂(A))
本发明人等得到了如下见解:由感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成的图案的厚度越大,越显著产生因残存于图案内部的残留溶剂而引起的图案的破裂(龟裂)问题。具体而言,推测在被蚀刻物的蚀刻时所实施的抽真空等工序中,因残存于图案内部的残留溶剂的挥发而图案产生应力,其结果产生龟裂。
本发明人等针对上述见解,通过树脂(A)含有〔1〕以制成均聚物时的玻璃化转变温度为50℃以下的单体为来源的重复单元即重复单元A来解决。即,通过树脂(A)含有重复单元A,在形成抗蚀剂膜(换言的、感光化射线性或感放射线性树脂组合物的涂膜)时,抗蚀剂膜的可塑性得到提高,藉此溶剂容易挥发,能够减少抗蚀剂膜中的残存溶剂量。作为其结果,可抑制在被蚀刻物的蚀刻时所实施的抽真空等工序中的图案的龟裂。
并且,另一方面,如上所述,本发明人等确认到作为掩模的图案暴露于等离子体环境下时,图案也会产生龟裂。推测到在等离子体环境下酸分解性基分解而掩模收缩,因该收缩而图案产生应力,作为其结果,产生龟裂。
针对上述见解,通过树脂(A)含有〔2〕具有酸分解性基的重复单元B,且将〔3〕上述重复单元B的含量相对于树脂中的所有重复单元设为20摩尔%以下来解决。
并且,本发明人等确认到,关于树脂(A),当〔4〕上述树脂所具有的重复单元中的至少1种含有具有芳香族环的重复单元时,作为掩模的图案的耐蚀刻性优异。
以下,对本发明的组合物中所包含的成分进行详述。另外,本发明的组合物为所谓的抗蚀剂组合物,可以为正型抗蚀剂组合物,也可以为负型抗蚀剂组合物。并且,可以为碱性显影用抗蚀剂组合物,也可以为有机溶剂显影用抗蚀剂组合物。其中优选为正型抗蚀剂组合物且碱性显影用抗蚀剂组合物。
本发明的组合物典型地为化学放大型抗蚀剂组合物。
<树脂(A)>
本发明的组合物含有满足上述条件〔1〕~〔4〕全部的树脂(A)。另外,如条件〔2〕所示,上述树脂(A)含有具有酸分解性基的重复单元B,因此相当于通过酸的作用分解而极性增大的树脂。即,在后述的本发明的图案形成方法中,典型而言,当采用碱性显影液作为显影液时,可优选地形成正型图案,当采用有机系显影液作为显影液时,可优选地形成负型图案。
以下,对树脂(A)中所包含的重复单元A~重复单元D及其他重复单元进行详述。
(重复单元A)
树脂(A)含有以制成均聚物时的玻璃化转变温度(Tg)为50℃以下的单体为来源的重复单元即重复单元A(上述条件〔1〕)。重复单元A优选为不具有酸分解性基。
上述单体只要制成均聚物时的玻璃化转变温度(Tg)为50℃以下,则并没有特别限定,在耐龟裂性更加优异的观点上,Tg优选为30℃以下。没有特别制限,下限为-80℃以上的情况较多。
另外,当有产品目录值或文献值时,上述均聚物的玻璃化转变温度(Tg(℃))采用该产品目录值或文献值,当没有产品目录值或文献值时,能够通过示差扫描热量测定(DSC:Differential scanning calorimetry)法进行测定。关于具体的测定方法,将进行后述。
并且,作为上述重复单元A,在能够使残留溶剂更容易挥发的观点上,优选为具有可以包含杂原子且碳原子数为2以上的非酸分解性链状烷基的重复单元。本说明书中,“非酸分解性”是指,具有不会通过光产酸剂所产生的酸而引起脱离/分解反应的性质。
即,“非酸分解性链状烷基”更具体而言,可以举出不会通过光产酸剂所产生的酸的作用而从树脂(A)脱离的链状烷基或不会通过光产酸剂所产生的酸的作用而分解的链状烷基。
以下,对具有可以包含杂原子且碳原子数为2以上的非酸分解性链状烷基的重复单元进行说明。
非酸分解性链状烷基的碳原子数只要是2以上,则并没有特别限定。从将均聚物的Tg设为50℃以下的观点出发,上述非酸分解性链状烷基的碳原子数的上限例如为20以下。
作为可以包含杂原子且碳原子数为2以上的非酸分解性链状烷基并没有特别限定,例如可以举出碳原子数为2~20的链状(可以为直链状及支链状中的任一种。)烷基及含有杂原子的碳原子数2~20的链状烷基。
作为含有杂原子的碳原子数2~20的链状烷基,例如可以举出1个或2个以上的-CH2-经-O-、-S-、-CO-、-NR6-或将2个以上的这些进行组合而成的2价的有机基团取代的链状烷基。上述R6表示氢原子或碳原子数为1~6的烷基。
作为可以包含杂原子且碳原子数为2以上的非酸分解性链状烷基,具体而言,可以举出甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、异丁基、第二丁基、1-乙基戊基及2-乙基己基、以及这些的1个或2个以上的-CH2-经-O-或-O-CO-取代的1价的烷基。
在耐龟裂性更加优异的观点上,作为可以包含杂原子且碳原子数为2以上的非酸分解性链状烷基的碳原子数,优选为2~16,更加优选为2~10,进一步优选为2~8。
另外,碳原子数为2以上的非酸分解性链状烷基可以具有取代基(例如取代基组群T)。
作为具有可以包含杂原子且碳原子数为2以上的非酸分解性链状烷基的重复单元,在本发明的效果更加优异的观点上,其中优选为以下通式(1)所表示的重复单元。
通式(1):
[化学式1]
通式(1)中,R1表示氢原子、卤素原子或烷基。R2表示可以包含杂原子且碳原子数为2以上的非酸分解性链状烷基。
作为R1所表示的卤素原子并没有特别限定,例如可以举出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子等。
作为R1所表示的烷基(可以为直链状、支链状及环状中的任一种。)并没有特别限定,例如可以举出碳原子数1~10的烷基,具体而言,可以举出甲基、乙基及第三丁基等。其中优选为碳原子数1~3的烷基,更加优选为甲基。
作为R1,其中优选为氢原子或甲基。
R2所表示的可以包含杂原子且碳原子数为2以上的非酸分解性链状烷基的定义及优选方式为如上所述。
并且,作为上述重复单元A,在能够使残留溶剂更容易挥发的观点上,可以为具有可以包含杂原子且具有羧基或羟基的非酸分解性烷基的重复单元。
以下,对具有可以包含杂原子且具有羧基或羟基的非酸分解性烷基的重复单元进行说明。
作为非酸分解性烷基,可以为链状(可以为直链状及支链状中的任一种。)及环状中的任一种。
非酸分解性烷基的碳原子数优选为2以上,从将均聚物的Tg设为50℃以下的观点出发,上述非酸分解性烷基的碳原子数的上限例如为20以下。
作为可以包含杂原子的非酸分解性烷基并没有特别限定,例如可以举出碳原子数为2~20的烷基及含有杂原子的碳原子数2~20的烷基。另外,上述烷基中的氢原子中的至少一个经羧基或羟基取代。
作为含有杂原子的碳原子数2~20的烷基,例如可以举出1个或2个以上的-CH2-经-O-、-S-、-CO-、-NR6-或将2个以上的这些进行组合而成的2价的有机基团取代的烷基。上述R6表示氢原子或碳原子数为1~6的烷基。
作为可以包含杂原子的非酸分解性烷基的具体例,除了上述非酸分解性链状烷基以外,例如还可以举出环己基等。
在耐龟裂性更加优异的观点上,作为可以包含杂原子的非酸分解性烷基的碳原子数,优选为2~16,更加优选为2~10,进一步优选为2~8。
另外,非酸分解性烷基可以具有取代基(例如取代基组群T)。
作为具有可以包含杂原子且具有羧基或羟基的非酸分解性烷基的重复单元,在本发明的效果更加优异的观点上,其中优选为以下通式(2)所表示的重复单元。
通式(2):
[化学式2]
通式(2)中,R3表示氢原子、卤素原子或烷基。R4表示可以包含杂原子且具有羧基或羟基的非酸分解性烷基。
通式(2)中,R3的含义与上述R1的含义相同,优选的方式也相同。
R4所表示的可以包含杂原子且具有羧基或羟基的非酸分解性烷基的定义及优选方式如上所述。其中,作为R4,优选为可以包含杂原子且具有羧基或羟基的环状亚烷基。
作为构成上述通式(1)所表示的重复单元或通式(2)所表示的重复单元的单体,例如可以举出丙烯酸乙酯(-22℃)、丙烯酸正丙酯(-37℃)、丙烯酸异丙酯(-5℃)、丙烯酸正丁酯(-55℃)、甲基丙烯酸正丁酯(20℃)、丙烯酸正己酯(-57℃)、丙烯酸2-乙基己酯(-70℃)、丙烯酸异壬酯(-82℃)、甲基丙烯酸月桂酯(-65℃)、丙烯酸2-羟基乙酯(-15℃)、甲基丙烯酸2-羟基丙酯(26℃)、琥珀酸1-[2-(甲基丙烯酰氧基)乙酯](9℃)、甲基丙烯酸2-乙基己酯(-10℃)、丙烯酸第二丁酯(-26℃)、甲氧基聚乙二醇单甲基丙烯酸酯(n=2)(-20℃)、丙烯酸十六烷基酯(35℃)及甲基丙烯酸2-乙基己酯(-10℃)等。另外,括号内表示制成均聚物时的Tg(℃)。
树脂(A)可以单独包含1种重复单元A,也可以并用并包含2种以上重复单元A。
在树脂(A)中,重复单元A的含量(当存在多个重复单元A时为其合计)相对于树脂(A)的所有重复单元,优选为5摩尔%以上,更加优选为10摩尔%以上,优选为50摩尔%以下,更加优选为40摩尔%以下,进一步优选为30摩尔%以下。其中,树脂(A)中的重复单元A的含量(当存在多个重复单元A时为其合计)相对于树脂(A)的所有重复单元,优选为5~50摩尔%,更加优选为5~40摩尔%,进一步优选为5~30摩尔%。
(重复单元B)
树脂(A)含有具有酸分解性基的重复单元即重复单元B(上述条件〔2〕)。在树脂(A)中,上述重复单元B的含量相对于树脂(A)中的所有重复单元为20摩尔%以下(上述条件〔3〕)。
以下,对重复单元B进行详述。
作为酸分解性基,优选为具有极性基被通过酸的作用分解而脱离的基团(脱离基)保护的结构。
作为极性基,可以举出羧基、酚性羟基、氟化醇基、磺酸基、磺酰胺基、磺酰亚胺基、(烷基磺酰基)(烷基羰基)亚甲基、(烷基磺酰基)(烷基羰基)酰亚胺基、双(烷基羰基)亚甲基、双(烷基羰基)酰亚胺基、双(烷基磺酰基)亚甲基、双(烷基磺酰基)酰亚胺基、三(烷基羰基)亚甲基及三(烷基磺酰基)亚甲基等酸性基(从2.38质量%氢氧化四甲基铵水溶液中解离的基团)以及醇性羟基等。
另外,醇性羟基是与烃基键合的羟基,并且是指,除了直接键合于芳香环上的羟基(酚性羟基)以外的羟基,作为羟基,α位经氟原子等吸电子基团取代的脂肪族醇(例如为六氟异丙醇基等)除外。作为醇性羟基,优选pKa(酸解离常数)为12以上且20以下的羟基。
作为优选的极性基,可以举出羧基、酚性羟基、氟化醇基(优选为六氟异丙醇基)及磺酸基。
作为酸分解性基而优选的基团为这些基团的氢原子经通过酸的作用脱离的基团(脱离基)取代的基团。
作为通过酸的作用而脱离的基团(脱离基),例如可以举出-C(R36)(R37)(R38)、-C(R36)(R37)(OR39)及-C(R01)(R02)(OR39)等。
式中,R36~R39各自独立地表示烷基、环烷基、芳基、芳烷基或烯基。R36与R37可以相互键合而形成环。
R01及R02各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基、芳烷基或烯基。
R36~R39、R01及R02的烷基优选为碳原子数1~8的烷基,例如可以举出甲基、乙基、丙基、正丁基、第二丁基、己基及辛基等。
R36~R39、R01及R02的环烷基可以为单环,也可以为多环。作为单环的环烷基,优选为碳原子数3~8的环烷基,例如可以举出环丙基、环丁基、环戊基、环己基及环辛基等。作为多环的环烷基,优选为碳原子数6~20的环烷基,例如可以举出金刚烷基、降莰基、异莰基、莰基、二环戊基、α-蒎烯基(α-pinel group)、三环癸烷基、四环十二烷基及雄甾烷基(androstanyl group)等。另外,环烷基中的至少1个碳原子可以经氧原子等杂原子取代。
R36~R39、R01及R02的芳基优选为碳原子数6~10的芳基,例如可以举出苯基、萘基及蒽基等。
R36~R39、R01及R02的芳烷基优选为碳原子数7~12的芳烷基,例如可以举出苄基、苯乙基及萘基甲基等。
R36~R39、R01及R02的烯基优选为碳原子数2~8的烯基,例如可以举出乙烯基、烯丙基、丁烯基及环己烯基等。
作为R36与R37相互键合而形成的环,优选为环烷基(单环或多环)。作为环烷基,优选为环戊基及环己基等单环的环烷基、或降莰基、四环癸烷基、四环十二烷基及金刚烷基等多环的环烷基。
作为酸分解性基,优选为枯基酯基(cumylester group)、烯醇酯基、缩醛酯基或三级烷基酯基等,更加优选为缩醛酯基或三级烷基酯基。
·具有-COO-基被通过酸的作用分解而脱离的脱离基保护的结构(酸分解性基)的重复单元
树脂(A)优选为具有以下通式(AI)所表示的重复单元作为重复单元B。
[化学式3]
通式(AI)中,
Xa1表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团。
T表示单键或2价的连结基。
Rx1~Rx3各自独立地表示烷基或环烷基。
Rx1~Rx3中的任意2个可以键合而形成环结构,也可以不形成。
作为T的2价的连结基,可以举出亚烷基、亚芳基、-COO-Rt-及-O-Rt-等。式中,Rt表示亚烷基、亚环烷基或亚芳基。
T优选为单键或-COO-Rt-。Rt优选为碳原子数1~5的链状亚烷基,更加优选为-CH2-、-(CH2)2-或-(CH2)3-。T更加优选为单键。
Xa1优选为氢原子或烷基。
Xa1的烷基可以具有取代基,作为取代基,例如可以举出羟基及卤素原子(优选为氟原子)。
Xa1的烷基优选为碳原子数1~4,可以举出甲基、乙基、丙基、羟基甲基及三氟甲基等。Xa1的烷基优选为甲基。
作为Rx1、Rx2及Rx3的烷基,可以为直链状,也可以为支链状,优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或第三丁基等。作为烷基的碳原子数,优选为1~10,更加优选为1~5,进一步优选为1~3。Rx1、Rx2及Rx3的烷基中,碳-碳键的一部分可以为双键。
作为Rx1,Rx2及Rx3的环烷基,优选为环戊基及环己基等单环的环烷基、以及降莰基、四环癸烷基、四环十二烷基及金刚烷基等多环的环烷基。
作为Rx1、Rx2及Rx3中的2个键合而形成的环结构,优选为环戊基环、环己基环、环庚基环及环辛烷环等单环的环烷环、或降莰烷环、四环癸烷环、四环十二烷环及金刚烷环等多环的环烷基环。其中,更加优选为环戊基环、环己基环或金刚烷环。作为Rx1、Rx2及Rx3中的2个键合而形成的环结构,也优选下述所示的结构。
[化学式4]
以下举出相当于通式(AI)所表示的重复单元的单体的具体例,但本发明并不限定于这些具体例。下述具体例相当于通式(AI)中的Xa1为甲基的情况,但Xa1能够任意地取代为氢原子、卤素原子或1价的有机基团。
[化学式5]
树脂(A)作为重复单元B也优选具有美国专利申请公开2016/0070167A1号说明书的段落<0336>~<0369>中所记载的重复单元。
并且,树脂(A)也可以具有美国专利申请公开2016/0070167A1号说明书的段落<0363>~<0364>中所记载的包含通过酸的作用分解而产生醇性羟基的基团的重复单元作为重复单元B。
·具有酚性羟基被通过酸的作用分解而脱离的脱离基保护的结构(酸分解性基)的重复单元
树脂(A)作为重复单元B优选为含有具有酚性羟基被通过酸的作用分解而脱离的脱离基保护的结构的重复单元。另外,本说明书中,酚性羟基是指,芳香族烃基的氢原子经羟基取代而成的基团。芳香族烃基的芳香环为单环或多环的芳香环,可以举出苯环及萘环等。
作为通过酸的作用分解而脱离的脱离基,例如能够举出式(Y1)~(Y4)所表示的基团。
式(Y1):-C(Rx1)(Rx2)(Rx3)
式(Y2):-C(=O)OC(Rx1)(Rx2)(Rx3)
式(Y3):-C(R36)(R37)(OR38)
式(Y4):-C(Rn)(H)(Ar)
式(Y1)、(Y2)中,Rx1~Rx3各自独立地表示烷基(直链状或支链状)或环烷基(单环或多环)。其中,当Rx1~Rx3全部为烷基(直链状或支链状)时,Rx1~Rx3中的至少2个优选为甲基。
其中,Rx1~Rx3更加优选为各自独立地表示直链状或支链状的烷基的重复单元,Rx1~Rx3进一步优选为各自独立地表示直链状的烷基的重复单元。
Rx1~Rx3中的2个可以键合而形成单环或多环。
作为Rx1~Rx3的烷基,优选为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基及第三丁基等碳原子数1~4的烷基。
作为Rx1~Rx3的环烷基,优选为环戊基、环己基等单环的环烷基、或降莰基、四环癸烷基、四环十二烷基及金刚烷基等多环的环烷基。
作为Rx1~Rx3中的2个键合而形成的环烷基,优选为环戊基及环己基等单环的环烷基、或降莰基、四环癸烷基、四环十二烷基及金刚烷基等多环的环烷基。其中,更加优选为碳原子数5~6的单环的环烷基。
Rx1~Rx3中的2个键合而形成的环烷基中,例如构成环的亚甲基中的1个可以经氧原子等杂原子或羰基等具有杂原子的基团取代。
式(Y1)及(Y2)所表示的基团例如优选为Rx1为甲基或乙基且Rx2与Rx3键合而形成上述环烷基的方式。
式(Y3)中,R36~R38各自独立地表示氢原子或1价的有机基团。R37与R38可以相互键合而形成环。作为1价的有机基团,可以举出烷基、环烷基、芳基、芳烷基及烯基等。R36优选为氢原子。
式(Y4)中,Ar表示芳香族烃基。Rn表示烷基、环烷基或芳基。Rn与Ar可以相互键合而形成非芳香族环。Ar更加优选为芳基。
作为具有酚性羟基被通过酸的作用分解而脱离的脱离基保护的结构(酸分解性基)的重复单元,优选为具有酚性羟基中的氢原子被式(Y1)~(Y4)所表示的基团保护的结构的重复单元。
作为具有酚性羟基被通过酸的作用分解而脱离的脱离基保护的结构(酸分解性基)的重复单元,优选为以下通式(AII)所表示的重复单元。
[化学式6]
通式(AII)中,
R61、R62及R63各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、卤素原子、氰基或烷氧羰基。其中,R62可以与Ar6键合而形成环,此时的R62表示单键或亚烷基。
X6表示单键、-COO-或-CONR64-。R64表示氢原子或烷基。
L6表示单键或亚烷基。
Ar6表示(n+1)价的芳香族烃基,当与R62键合而形成环时Ar6表示(n+2)价的芳香族烃基。
关于Y2,当n≥2时各自独立地表示氢原子或通过酸的作用而脱离的基团。其中,Y2中的至少1个表示通过酸的作用而脱离的基团。作为Y2的通过酸的作用而脱离的基团优选为式(Y1)~(Y4)。
n表示1~4的整数。
上述各基团可以具有取代基,作为取代基,例如可以举出烷基(碳原子数1~4)、卤素原子、羟基、烷氧基(碳原子数1~4)、羧基及烷氧羰基(碳原子数2~6)等,优选为碳原子数8以下。
[化学式7]
[化学式8]
树脂(A)可以单独包含1种重复单元B,也可以并用并包含2种以上重复单元B。
在树脂(A)中,重复单元B的含量(当存在多个重复单元B时为其合计)相对于树脂(A)的所有重复单元为20摩尔%以下,在耐龟裂性及耐蚀刻性更加优异的观点上,优选为15摩尔%以下。另外,重复单元B的含量的下限相对于树脂(A)的所有重复单元例如为3摩尔%以上,优选为5摩尔%以上。
(重复单元C)
树脂(A)优选为除了上述重复单元A及重复单元B以外,还含有具有羧基的重复单元即重复单元C。树脂(A)通过含有重复单元C而碱性显影时的溶解速度更加优异。
作为重复单元C,例如可以举出下述所示的源自(甲基)丙烯酸的重复单元。
[化学式9]
树脂(A)可以单独具有1种重复单元C,也可以并用并具有2种以上重复单元C。
在树脂(A)中,重复单元C的含量相对于树脂(A)中的所有重复单元,优选为1~10摩尔%,更加优选为2~8摩尔%。
(重复单元D)
树脂(A)优选为除了上述重复单元A~C以外,还含有具有酚性羟基的重复单元D。另外,重复单元D不具有酸分解性基。树脂(A)通过含有重复单元D而碱性显影时的溶解速度更加优异,且耐蚀刻性更加优异。
作为重复单元D,可以举出羟基苯乙烯重复单元或羟基苯乙烯(甲基)丙烯酸酯重复单元。作为重复单元D,其中优选为以下通式(I)所表示的重复单元。
[化学式10]
式中,
R41、R42及R43各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、卤素原子、氰基或烷氧羰基。其中,R42可以与Ar4键合而形成环,此时的R42表示单键或亚烷基。
X4表示单键、-COO-或-CONR64-,R64表示氢原子或烷基。
L4表示单键或2价的连结基。
Ar4表示(n+1)价的芳香族烃基,当与R42键合而形成环时Ar4表示(n+2)价的芳香族烃基。
n表示1~5的整数。
以使通式(I)所表示的重复单元高极性化的目的,也优选n为2以上的整数或X4为-COO-或-CONR64-。
作为通式(I)中的R41、R42及R43所表示的烷基,优选为可以具有取代基的甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、第二丁基、己基、2-乙基己基、辛基及十二烷基等碳原子数20以下的烷基,更加优选为碳原子数8以下的烷基,进一步优选为碳原子数3以下的烷基。
作为通式(I)中的R41、R42及R43所表示的环烷基,可以为单环,也可以为多环。优选为可以具有取代基的环丙基、环戊基及环己基等碳原子数为3~8个且单环的环烷基。
作为通式(I)中的R41、R42及R43所表示的卤素原子,可以举出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子,优选为氟原子。
作为通式(I)中的R41、R42及R43所表示的烷氧羰基中所包含的烷基,优选为与上述R41、R42及R43中的烷基相同。
作为上述各基团中的优选的取代基,例如可以举出烷基、环烷基、芳基、氨基、酰胺基、脲基、胺基甲酸酯基、羟基、羧基、卤素原子、烷氧基、硫醚基、酰基、酰氧基、烷氧羰基、氰基及硝基等,取代基的碳原子数优选为8以下。
Ar4表示(n+1)价的芳香族烃基。n为1时的2价的芳香族烃基优选为可以具有取代基,例如包含亚苯基、甲亚苯基、亚萘基及亚蒽基等碳原子数6~18的亚芳基或例如噻吩、呋喃、吡咯、苯并噻吩、苯并呋喃、苯并吡咯、三嗪、咪唑、苯并咪唑、三唑、噻二唑及噻唑等杂环的芳香族烃基。
作为n为2以上的整数时的(n+1)价的芳香族烃基的具体例,能够优选地举出从2价的芳香族烃基的上述具体例中去除(n-1)个任意的氢原子而成的基团。
(n+1)价的芳香族烃基可以进一步具有取代基。
作为上述烷基、环烷基、烷氧羰基及(n+1)价的芳香族烃基可具有的取代基,例如可以举出在通式(I)中的R41、R42及R43中举出的烷基;甲氧基、乙氧基、羟基乙氧基、丙氧基、羟基丙氧基及丁氧基等烷氧基;苯基等芳基;等。
作为由X4表示的-CONR64-(R64表示氢原子或烷基)中的R64的烷基,优选为可以具有取代基的甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、第二丁基、己基、2-乙基己基、辛基及十二烷基等碳原子数20以下的烷基,更加优选为碳原子数8以下的烷基。
作为X4,优选为单键、-COO-或-CONH-,更加优选为单键或-COO-。
关于作为L4的2价的连结基,优选为亚烷基。作为亚烷基,优选为可以具有取代基的亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚己基及亚辛基等碳原子数1~8的亚烷基。
作为Ar4,优选为可以具有取代基的碳原子数6~18的芳香族烃基,更加优选为苯环基、萘环基或亚联苯环基。其中,通式(I)所表示的重复单元优选为源自羟基苯乙烯的重复单元。即,Ar4优选为苯环基。
以下示出重复单元D的具体例,但本发明并不限定于此。式中,a表示1或2。
[化学式11]
树脂(A)可以单独具有1种重复单元D,也可以并用并具有2种以上重复单元D。
在树脂(A)中,重复单元D的含量相对于树脂(A)中的所有重复单元,优选为40摩尔%以上,更加优选50摩尔%以上为,进一步优选为60摩尔%以上,优选为85摩尔%以下,更加优选为80摩尔%以下。
(其他重复单元)
树脂(A)除了重复单元A~D以外,还可以含有其他重复单元。
以下对树脂(A)可含有的其他重复单元进行详述。
树脂(A)优选为含有具有选自包括内酯结构、磺内酯结构及碳酸酯结构的组群中的至少1种的重复单元。
作为内酯结构或磺内酯结构,具有内酯结构或磺内酯结构即可,优选为5~7员环内酯结构或5~7员环磺内酯结构。其中,更加优选为其他环结构以形成双环结构或螺环结构的形式与5~7员环内酯结构缩环或者其他环结构以形成双环结构或螺环结构的形式与5~7员环磺内酯结构缩环。
树脂(A)进一步优选为含有具有以下通式(LC1-1)~(LC1-21)中的任一个所表示的内酯结构或以下通式(SL1-1)~(SL1-3)中的任一个所表示的磺内酯结构的重复单元。并且,内酯结构或磺内酯结构可以直接键合于主链。作为优选的结构,可以举出通式(LC1-1)、通式(LC1-4)、通式(LC1-5)、通式(LC1-8)、通式(LC1-16)或通式(LC1-21)所表示的内酯结构或通式(SL1-1)所表示的磺内酯结构。
[化学式12]
内酯结构部分或磺内酯结构部分可以具有或不具有取代基(Rb2)。作为优选的取代基(Rb2),可以举出碳原子数1~8的烷基、碳原子数4~7的环烷基、碳原子数1~8的烷氧基、碳原子数2~8的烷氧羰基、羧基、卤素原子、羟基、氰基及酸分解性基等,优选为碳原子数1~4的烷基、氰基或酸分解性基。n2表示0~4的整数。当n2为2以上时,存在多个的取代基(Rb2)可以相同,也可以不同。并且,存在多个的取代基(Rb2)可以彼此键合而形成环。
作为具有内酯结构或磺内酯结构的重复单元,优选为以以下通式(III)所表示的重复单元。
[化学式13]
上述通式(III)中,
A表示酯键(-COO-所表示的基团)或酰胺键(-CONH-所表示的基团)。
n为-R0-Z-所表示的结构的重复数,表示0~5的整数,优选为0或1,更加优选为0。当n为0时,不存在-R0-Z-,而是成为单键。
R0表示亚烷基、亚环烷基或其组合。当存在多个R0时,R0各自独立地表示亚烷基、亚环烷基或其组合。
Z表示单键、醚键、酯键、酰胺键、胺基甲酸酯键或脲键。当存在多个Z时,Z各自独立地表示单键、醚键、酯键、酰胺键、胺基甲酸酯键或脲键。
R8表示具有内酯结构或磺内酯结构的1价的有机基团。
R7表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团(优选为甲基)。
R0的亚烷基或亚环烷基可以具有取代基。
作为Z,优选为醚键或酯键,更加优选为酯键。
树脂(A)可以含有具有碳酸酯结构的重复单元。碳酸酯结构优选为环状碳酸酯结构。
具有环状碳酸酯结构的重复单元优选为以下通式(A-1)所表示的重复单元。
[化学式14]
通式(A-1)中,RA 1表示氢原子、卤素原子或1价的有机基团(优选为甲基)。
n表示0以上的整数。
RA 2表示取代基。当n为2以上时,RA 2各自独立地表示取代基。
A表示单键或2价的连结基。
Z表示与式中的-O-C(=O)-O-所表示的基团一同形成单环结构或多环结构的原子团。
树脂(A)作为具有选自包括内酯结构、磺内酯结构及碳酸酯结构的组群中的至少1种的重复单元也优选具有美国专利申请公开2016/0070167A1号说明书的段落<0370>~<0414>中所记载的重复单元。
树脂(A)可以单独具有1种具有选自包括内酯结构、磺内酯结构及碳酸酯结构的组群中的至少1种的重复单元,也可以并用并具有2种以上。
以下举出相当于通式(III)所表示的重复单元的单体的具体例及相当于通式(A-1)所表示的重复单元的单体的具体例,但本发明并不限定于这些具体例。下述具体例相当于通式(III)中的R7及通式(A-1)中的RA 1为甲基的情况,但R7及RA 1能够任意地取代为氢原子、卤素原子或1价的有机基团。
[化学式15]
除了上述单体以外,下述所示的单体也可以优选地用作树脂(A)的原料。
[化学式16]
树脂(A)中所包含的具有选自包括内酯结构、磺内酯结构及碳酸酯结构的组群中的至少1种的重复单元的含量(当存在多个具有选自包括内酯结构、磺内酯结构及碳酸酯结构的组群中的至少1种的重复单元时为其合计)相对于树脂(A)中的所有重复单元,优选为5~30摩尔%,更加优选为10~30摩尔%,进一步优选为20~30摩尔%。
树脂(A)除了上述重复结构单元以外,还可以以调节耐干式蚀刻性、标准显影液适应性、基板密合性、抗蚀剂轮廓或抗蚀剂的一般所要求的特性即解析力、耐热性、灵敏度等为目的而具有各种重复结构单元。
作为这种重复结构单元,能够举出相当于规定的单体的重复结构单元,但并不限定于这些。
作为规定的单体,例如可以举出选自丙烯酸酯类、甲基丙烯酸酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、烯丙基化合物、乙烯醚类及乙烯酯类等中的具有1个加成聚合性不饱和键的化合物等。
除此的外,也可以使用能够与相当于上述各种重复结构单元的单体共聚合的加成聚合性的不饱和化合物。
在树脂(A)中,可以为了调节各种性能而适当地设定各重复结构单元的含有摩尔比。
树脂(A)中,优选为重复单元全部由(甲基)丙烯酸酯系重复单元构成。在该情况下,能够使用重复单元全部为丙烯酸甲酯系重复单元、重复单元全部为丙烯酸酯系重复单元、重复单元全部由丙烯酸甲酯系重复单元和丙烯酸酯系重复单元构成的重复单元中的任一种,丙烯酸酯系重复单元相对于树脂(A)的所有重复单元,优选为50摩尔%以下。
(具有芳香族环的重复单元)
就树脂(A)而言,树脂(A)中的重复单元中的任意至少1种为具有芳香族环的重复单元(上述条件〔4〕)。
作为具有芳香族环的重复单元,例如上述重复单元B中的“具有酚性羟基被通过酸的作用分解而脱离的脱离基保护的结构(酸分解性基)的重复单元”及上述重复单元D(具有酚性羟基的重复单元)相当于该具有芳香族环的重复单元。
即,树脂(A)中,重复单元A及重复单元B中的至少一种包含芳香族环,或者树脂(A)具有与重复单元A及重复单元B不同的具有芳香族环的重复单元(优选为重复单元D)。
在树脂(A)中,在耐蚀刻性更加优异的观点上,具有芳香族环的重复单元的含量相对于树脂(A)中的所有重复单元,例如为40摩尔%以上,优选为55摩尔%以上,更加优选为60摩尔%以上。并且,其上限并没有特别限定,例如为97摩尔%以下,优选为85摩尔%以下,更加优选为80摩尔%以下。
(树脂(A)的聚合方法)
树脂(A)能够按照常规方法(例如自由基聚合)进行合成。作为一般的合成方法,例如可以举出(1)通过将单体种及引发剂溶解于溶剂中并进行加热而进行聚合的总括聚合法、(2)通过经1~10小时滴加含有单体种和引发剂的溶液而加入到加热溶剂中的滴加聚合法等,其中优选为(2)的滴加聚合法。
作为聚合时的反应溶剂,例如可以举出四氢呋喃、1,4-二噁烷及二异丙醚等醚类、甲基乙基酮及甲基异丁基酮等酮类、乙酸乙酯等酯溶剂、二甲基甲酰胺及二甲基乙酰胺等酰胺类、以及后述的丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)、丙二醇单甲醚(PGME)及环己酮等溶解本发明的组合物的溶剂。作为聚合时的反应溶剂,其中优选为使用与本发明的组合物中所使用的溶剂相同的溶剂。藉此,能够抑制保存时产生微粒(partical)。
聚合反应优选为在氮气及氩气等非活性气体的环境下进行。聚合反应中优选为使用市售的自由基引发剂(例如,偶氮系引发剂及过氧化物等)作为聚合引发剂。作为自由基引发剂,优选为偶氮系引发剂,具更加优选为有酯基、氰基或羧基的偶氮系引发剂。作为这种偶氮系引发剂,例如可以举出偶氮双异丁腈、偶氮双二甲基戊腈及二甲基2,2’-偶氮双(2-甲基丙酸酯)等。
如上所述,聚合反应中可以任意添加聚合引发剂。将聚合引发剂添加到体系中的方法并没有特别限定,可以为总括添加的方式,也可以为分为多次进行添加的方式。在聚合反应时,反应液的固体成分浓度通常为5~60质量%,优选为10~50质量%。反应温度通常为10~150℃,优选为30~120℃,更加优选为60~100℃。在反应结束后,通过投入到溶剂中并回收粉体或固体成分的方法等方法来回收聚合物。
树脂(A)的重均分子量优选为1,000~200,000,更加优选为2,000~30,000,进一步优选为3,000~25,000。分散度(Mw/Mn)通常为1.0~3.0,优选为1.0~2.6,更加优选为1.0~2.0,进一步优选为1.1~2.0。
树脂(A)可以单独使用1种,也可以并用2种以上。
本发明的组合物中,树脂(A)的含量相对于总固体成分,一般为20质量%以上的情况较多,优选为40质量%以上,更加优选为60质量%以上,进一步优选为80质量%以上。上限并没有特别限制,优选为99.5质量%以下,更加优选为99质量%以下,进一步优选为98质量%以下。
<树脂(B)>
当本发明的组合物包含后述的交联剂(G)时,优选为本发明的组合物包含与树脂(A)不同的具有酚性羟基的碱溶性树脂(B)(以下,也称为“树脂(B)”)。树脂(B)优选为含有具有酚性羟基的重复单元。
在该情况下,典型而言,可以优选地形成负型图案。
交联剂(G)可以为负载于树脂(B)的形态。
树脂(B)可以具有前述酸分解性基。
作为树脂(B)所具有的具有酚性羟基的重复单元,优选为以下通式(II)所表示的重复单元。
[化学式17]
通式(II)中,
R2表示氢原子、烷基(优选为甲基)或卤素原子(优选为氟原子)。
B’表示单键或2价的连结基。
Ar’表示芳香环基。
m表示1以上的整数。
树脂(B)可以单独使用1种,也可以并用2种以上。
本发明的组合物的总固体成分中的树脂(B)的含量一般为30质量%以上的情况较多,优选为40质量%以上,更加优选为50质量%以上。上限并没有特别限制,优选为99质量%以下,更加优选为90质量%以下,进一步优选为85质量%以下。
作为树脂(B),可以优选地举出美国专利申请公开2016/0282720A1号说明书的段落<0142>~<0347>中所揭示的树脂。
本发明的组合物也可以包含树脂(A)和树脂(B)。
<光产酸剂(C)>
典型而言,本发明的组合物优选为含有光产酸剂(以下,称为“光产酸剂(C)”)。
光产酸剂为通过活化光线或放射线的照射而产生酸的化合物。
作为光产酸剂,优选为通过活化光线或放射线的照射而产生有机酸的化合物。例如可以举出锍盐化合物、錪盐化合物、重氮盐化合物、鏻盐化合物、酰亚胺磺酸盐化合物、肟磺酸盐化合物、二偶氮二砜化合物、二砜化合物及邻硝基苄基磺酸盐化合物。
作为光产酸剂,能够单独或以这些的混合物的形式适当选择使用通过活化光线或放射线的照射而产生酸的公知的化合物。例如,能够优选地使用美国专利申请公开2016/0070167A1号说明书的段落<0125>~<0319>、美国专利申请公开2015/0004544A1号说明书的段落<0086>~<0094>及美国专利申请公开2016/0237190A1号说明书的段落<0323>~<0402>中所揭示的公知的化合物作为光产酸剂(C)。
作为光产酸剂(C),例如优选为以下通式(ZI)、通式(ZII)或通式(ZIII)所表示的化合物。
[化学式18]
上述通式(ZI)中,
R201、R202及R203各自独立地表示有机基团。
作为R201、R202及R203的有机基团的碳原子数一般为1~30,优选为1~20。
并且,R201~R203中的2个可以键合而形成环结构,环内可以包含氧原子、硫原子、酯键、酰胺键或羰基。作为R201~R203中的2个键合而形成的基团,可以举出亚烷基(例如,亚丁基、亚戊基)及-CH2-CH2-O-CH2-CH2-。
Z-表示阴离子(优选为非亲核性阴离子。)。
作为通式(ZI)中的阳离子的优选方式,可以举出后述的化合物(ZI-1)、化合物(ZI-2)、化合物(ZI-3)及化合物(ZI-4)中的对应的基团。
另外,光产酸剂(C)可以为具有多个通式(ZI)所表示的结构的化合物。例如,可以为具有通式(ZI)所表示的化合物的R201~R203中的至少1个与通式(ZI)所表示的另一个化合物的R201~R203中的至少1个经由单键或连结基键合的结构的化合物。
首先,对化合物(ZI-1)进行说明。
化合物(ZI-1)是上述通式(ZI)的R201~R203中的至少1个为芳基的芳基锍化合物、即将芳基锍作为阳离子的化合物。
芳基锍化合物可以是R201~R203全部为芳基,也可以是R201~R203中的一部分为芳基且其余为烷基或环烷基。
作为芳基锍化合物,例如可以举出三芳基锍化合物、二芳基烷基锍化合物、芳基二烷基锍化合物、二芳基环烷基锍化合物及芳基二环烷基锍化合物。
作为芳基锍化合物中所包含的芳基,优选为苯基或萘基,更加优选为苯基。芳基可以为含有具有氧原子、氮原子或硫原子等的杂环结构的芳基。作为杂环结构,可以举出吡咯残基、呋喃残基、噻吩残基、吲哚残基、苯并呋喃残基及苯并噻吩残基等。当芳基锍化合物具有2个以上的芳基时,存在2个以上的芳基可以相同,也可以不同。
芳基锍化合物根据需要所具有的烷基或环烷基优选为碳原子数1~15的直链状烷基、碳原子数3~15的支链状烷基或碳原子数3~15的环烷基,例如可以举出甲基、乙基、丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、环丙基、环丁基及环己基等。
R201~R203的芳基、烷基及环烷基可以各自独立地具有烷基(例如碳原子数1~15)、环烷基(例如碳原子数3~15)、芳基(例如碳原子数6~14)、烷氧基(例如碳原子数1~15)、卤素原子、羟基或苯硫基作为取代基。
接着,对化合物(ZI-2)进行说明。
化合物(ZI-2)为式(ZI)中的R201~R203各自独立地表示不具有芳香环的有机基团的化合物。在此,芳香环还包含含有杂原子的芳香族环。
作为R201~R203的不具有芳香环的有机基团的碳原子数一般为1~30,优选为碳原子数1~20。
R201~R203各自独立地优选为烷基、环烷基、烯丙基或乙烯基,更加优选为直链状或支链状的2-氧代烷基、2-氧代环烷基或烷氧羰基甲基,进一步优选为直链状或支链状的2-氧代烷基。
作为R201~R203的烷基及环烷基,优选为可以举出碳原子数1~10的直链状烷基或碳原子数3~10的支链状烷基(例如,甲基、乙基、丙基、丁基及戊基)及碳原子数3~10的环烷基(例如环戊基、环己基及降莰基)。
R201~R203可以经卤素原子、烷氧基(例如碳原子数1~5)、羟基、氰基或硝基进一步取代。
接着,对化合物(ZI-3)进行说明。
[化学式19]
通式(ZI-3)中,R1表示烷基、环烷基、芳基或苄基。当上述R1具有环结构时,上述环结构可以包含氧原子、硫原子、酯键、酰胺键或碳-碳双键。
R2及R3各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、卤素原子、氰基或芳基。
Rx及Ry各自独立地表示烷基、环烷基、2-氧代烷基、烷氧羰基烷基、烯丙基或乙烯基。
另外,R2与R3可以相互键合而形成环。并且,R1与R2可以相互键合而形成环,所形成的环可以包含碳-碳双键。并且,Rx与Ry可以相互键合而形成环,所形成的环可以包含氧原子、硫原子、酯键、酰胺键或碳-碳双键。
Z-表示阴离子。
通式(ZI-3)中,作为R1所表示的烷基及环烷基,优选为碳原子数1~15(优选为碳原子数1~10)的直链状烷基、碳原子数3~15(优选为碳原子数3~10)的支链状烷基或碳原子数3~15(优选为碳原子数1~10)的环烷基,具体而言,可以举出甲基、乙基、丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基、环丙基、环丁基及环己基以及降莰基等。
作为R1所表示的芳基,优选为苯基或萘基,更加优选为苯基。芳基可以为含有具有氧原子或硫原子等的杂环结构的芳基。作为杂环结构,可以举出呋喃环、噻吩环、苯并呋喃环及苯并噻吩环等。
上述R1可以进一步具有取代基(例如,取代基组群T)。
另外,当R1具有环结构时,上述环结构可以包含氧原子、硫原子、酯键、酰胺键或碳-碳双键。
作为R2及R3所表示的烷基、环烷基及芳基,可以举出与上述R1相同,其优选方式也相同。并且,R2与R3可以键合而形成环。
作为R2及R3所表示的卤素原子,例如可以举出氟原子、氯原子、溴原子及碘原子。
作为Rx及Ry所表示的烷基及环烷基,可以举出与上述R1相同的基团,其优选方式也相同。
作为Rx及Ry所表示的2-氧代烷基,例如可以举出碳原子数1~15(优选为碳原子数1~10)的2-氧代烷基,具体而言,可以举出2-氧代丙基及2-氧代丁基等。
作为Rx及Ry所表示的烷氧羰基烷基,例如可以举出碳原子数1~15(优选为碳原子数1~10)的烷氧羰基烷基。并且,Rx与Ry可以键合而形成环。
并且,Rx与Ry可以相互键合而形成环,Rx与Ry相互连结而形成的环结构可以包含氧原子、硫原子、酯键、酰胺键或碳-碳双键。
通式(ZI-3)中,R1与R2可以键合而形成环结构,所形成的环结构可以包含碳-碳双键。
其中,上述化合物(ZI-3)优选为化合物(ZI-3A)。
化合物(ZI-3A)为由以下通式(ZI-3A)表示且具有苯甲酰甲基锍盐结构的化合物。
[化学式20]
通式(ZI-3A)中,
R1c~R5c各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷氧羰基、烷基羰氧基、环烷基羰氧基、卤素原子、羟基、硝基、烷硫基或芳硫基。
作为R6c及R7c,其含义与上述通式(ZI-3)中的R2及R3相同,其优选方式也相同。
作为Rx及Ry,其含有与上述通式(ZI-3)中的Rx及Ry相同,其优选方式也相同。
R1c~R5c中的任意2个以上、Rx与Ry可以各自键合而形成环结构,该环结构可以各自独立地包含氧原子、硫原子、酯键、酰胺键或碳-碳双键。并且,R5c及R6c、R5c及Rx可以各自键合而形成环结构,该环结构可以各自独立地包含碳-碳双键。并且,R6c与R7c可以各自键合而形成环结构。
作为上述环结构,可以举出芳香族或非芳香族的烃环、芳香族或非芳香族的杂环及这些环的2个以上组合而成的多环缩合环。作为环结构,可以举出3~10员环,优选为4~8员环,更加优选为5或6员环。
作为R1c~R5c中的任意2个以上、R6c与R7c及Rx与Ry键合而形成的基团,可以举出亚丁基及亚戊基等。
作为R5c与R6c及R5c与Rx键合而形成的基团,优选为单键或亚烷基。作为亚烷基,可以举出亚甲基及亚乙基等。
Zc -表示阴离子。
接着,对化合物(ZI-4)进行说明。
化合物(ZI-4)由以下通式(ZI-4)表示。
[化学式21]
通式(ZI-4)中,
l表示0~2的整数。l特别优选为0。
r表示0~8的整数。
R13表示氢原子、氟原子、羟基、烷基、环烷基、烷氧基、烷氧羰基或具有单环或多环的环烷基骨架的基团。这些基团可以具有取代基。
R14表示烷基、环烷基、烷氧基、烷基磺酰基、环烷基磺酰基、烷基羰基、烷氧羰基或具有单环或多环的环烷基骨架的烷氧基。当存在多个R14时,可以相同,也可以不同。这些基团可以具有取代基。
R15各自独立地表示烷基、环烷基或萘基。这些基团可以具有取代基。2个R15可以相互键合而形成环。当2个R15相互键合而形成环时,环骨架内可以包含氧原子或氮原子等杂原子。在一实施方式中,优选为2个R15亚烷基且相互键合而形成环结构。
Z-表示阴离子。
通式(ZI-4)中,R13、R14及R15的烷基为直链状或支链状。烷基的碳原子数优选为1~10。作为烷基,更加优选为甲基、乙基、正丁基或第三丁基等。环员数特别优选为5~6。
接着,对通式(ZII)及(ZIII)进行说明。
通式(ZII)及(ZIII)中,R204~R207各自独立地表示芳基、烷基或环烷基。
作为R204~R207的芳基,优选为苯基或萘基,更加优选为苯基。R204~R207的芳基可以为含有具有氧原子、氮原子或硫原子等的杂环结构的芳基。作为具有杂环结构的芳基的骨架,例如可以举出吡咯、呋喃、噻吩、吲哚、苯并呋喃及苯并噻吩等。
作为R204~R207的烷基及环烷基,优选为碳原子数1~10的直链状烷基或碳原子数3~10的支链状烷基(例如,甲基、乙基、丙基、丁基及戊基)或碳原子数3~10的环烷基(例如环戊基、环己基及降莰基)。
R204~R207的芳基、烷基及环烷基可以各自独立地具有取代基。作为R204~R207的芳基、烷基及环烷基可具有的取代基,例如可以举出烷基(例如碳原子数1~15)、环烷基(例如碳原子数3~15)、芳基(例如碳原子数6~15)、烷氧基(例如碳原子数1~15)、卤素原子、羟基及苯硫基等。
Z-表示阴离子。
作为通式(ZI)中的Z-、通式(ZII)中的Z-、通式(ZI-3)中的Z-及通式(ZI-4)中的Z-,优选为以下通式(3)所表示的阴离子。
[化学式22]
通式(3)中,
o表示1~3的整数。p表示0~10的整数。q表示0~10的整数。
Xf表示氟原子或经至少1个氟原子取代的烷基。该烷基的碳原子数优选为1~10,更加优选为1~4。并且,作为经至少1个氟原子取代的烷基,优选为全氟烷基。
Xf优选为氟原子或碳原子数1~4的全氟烷基,更加优选为氟原子或CF3。尤其,两个Xf进一步优选为氟原子。
R4及R5各自独立地表示氢原子、氟原子、烷基或经至少一个氟原子取代的烷基。当存在多个R4及R5时,R4及R5分别可以相同,也可以不同。
R4及R5所表示的烷基可以具有取代基,优选为碳原子数1~4。R4及R5优选为氢原子。
经至少一个氟原子取代的烷基的具体例及优选方式与通式(3)中的Xf的具体例及优选方式相同。
L表示2价的连结基。当存在多个L时,L分别可以相同,也可以不同。
作为2价的连结基,例如可以举出-COO-(-C(=O)-O-)、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CO-、-O-、-S-、-SO-、-SO2-、亚烷基(优选为碳原子数1~6)、亚环烷基(优选为碳原子数3~15)、亚烯基(优选为碳原子数2~6)及将这些中的多个组合而成的2价的连结基等。在这些中,优选为-COO-、-OCO-、-CONH-、-NHCO-、-CO-、-O-、-SO2-、-COO-亚烷基-、-OCO-亚烷基-、-CONH-亚烷基-或-NHCO-亚烷基-,更加优选为-COO-、-OCO-、-CONH-、-SO2-、-COO-亚烷基-或-OCO-亚烷基-。
W表示包含环状结构的有机基团。在这些中,优选为环状的有机基团。
作为环状的有机基团,例如可以举出脂环基、芳基及杂环基。
脂环基可以为单环式,也可以为多环式。作为单环式的脂环基,例如可以举出环戊基、环己基及环辛基等单环的环烷基。作为多环式的脂环基,例如可以举出降莰基、三环癸烷基、四环癸烷基、四环十二烷基及金刚烷基等多环的环烷基。其中,优选为降莰基、三环癸烷基、四环癸烷基、四环十二烷基及金刚烷基等碳原子数7以上的具有高体积结构的脂环基。
芳基可以为单环式,也可以为多环式。作为该芳基,例如可以举出苯基、萘基、菲基及蒽基。
杂环基可以为单环式,也可以为多环式。多环式更能抑制酸的扩散。并且,杂环基可以具有芳香族性,也可以不具有芳香族性。作为具有芳香族性的杂环,例如可以举出呋喃环、噻吩环、苯并呋喃环、苯并噻吩环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环及吡啶环。作为不具有芳香族性的杂环,例如可以举出四氢吡喃环、内酯环、磺内酯环及十氢异喹啉环。作为内酯环及磺内酯环的例子,可以举出在前述树脂中例示出的内酯结构及磺内酯结构。作为杂环基中的杂环,特别优选为呋喃环、噻吩环、吡啶环或十氢异喹啉环。
上述环状的有机基团可以具有取代基。作为该取代基,例如可以举出烷基(可以为直链状及支链状中的任一种,优选为碳原子数1~12)、环烷基(可以为单环、多环及螺环中的任一种,优选为碳原子数3~20)、芳基(优选为碳原子数6~14)、羟基、烷氧基、酯基、酰胺基、胺基甲酸酯基、脲基、硫醚基、磺酰胺基及磺酸酯基。另外,构成环状的有机基团的碳(有助于形成环的碳)可以为羰基碳。
作为通式(3)所表示的阴离子,优选为SO3 --CF2-CH2-OCO-(L)q’-W、SO3 --CF2-CHF-CH2-OCO-(L)q’-W、SO3 --CF2-COO-(L)q’-W、SO3 --CF2-CF2-CH2-CH2-(L)q-W、SO3 --CF2-CH(CF3)-OCO-(L)q’-W。其中,L、q及W与通式(3)相同。q’表示0~10的整数。
在一实施方式中,作为通式(ZI)中的Z-、通式(ZII)中的Z-、通式(ZI-3)中的Z-及通式(ZI-4)中的Z-,也优选为以下通式(4)所表示的阴离子。
[化学式23]
通式(4)中,
XB1及XB2各自独立地表示氢原子或不具有氟原子的1价的有机基团。XB1及XB2优选为氢原子。
XB3及XB4各自独立地表示氢原子或1价的有机基团。XB3及XB4中的至少一个优选为氟原子或具有氟原子的1价的有机基团,XB3及XB4更加优选为氟原子或具有氟原子的1价的有机基团。XB3及XB4进一步优选为经氟原子取代的烷基。
L、q及W与通式(3)相同。
通式(ZI)中的Z-、通式(ZII)中的Z-、通式(ZI-3)中的Z-及通式(ZI-4)中的Z-可以为苯磺酸阴离子,优选为经支链状烷基或环烷基取代的苯磺酸阴离子。
作为通式(ZI)中的Z-、通式(ZII)中的Z-、通式(ZI-3)中的Z-及通式(ZI-4)中的Z-,也优选为以下通式(SA1)所表示的芳香族磺酸阴离子。
[化学式24]
式(SA1)中,
Ar表示芳基,可以进一步具有磺酸阴离子及-(D-B)基以外的取代基。作为可以进一步具有的取代基,可以举出氟原子及羟基等。
n表示0以上的整数。作为n,优选为1~4,更加优选为2~3,进一步优选为3。
D表示单键或2价的连结基。作为2价的连结基,可以举出醚基、硫醚基、羰基、亚砜基、砜基、磺酸酯基、酯基及包含这些的2种以上的组合的基团等。
B表示烃基。
优选为,D为单键且B为脂肪族烃结构。B更加优选为异丙基或环己基。
以下示出通式(ZI)中的锍阳离子及通式(ZII)中的錪阳离子的优选例。
[化学式25]
以下示出通式(ZI)、通式(ZII)中的阴离子Z-、通式(ZI-3)中的Z-及通式(ZI-4)中的Z-的优选例。
[化学式26]
[化学式27]
能够将上述阳离子及阴离子任意组合而用作光产酸剂。
光产酸剂可以为低分子化合物的形态,也可以为并入于聚合物的一部分中的形态。并且,也可以并用低分子化合物的形态和并入于聚合物的一部分中的形态。
光产酸剂优选为低分子化合物的形态。
当光产酸剂为低分子化合物的形态时,分子量优选为3,000以下,更加优选为2,000以下,进一步优选为1,000以下。
当光产酸剂为并入于聚合物的一部分中的形态时,可以并入于前述树脂(A)的一部分中,也可以并入于与树脂(A)不同的树脂中。
光产酸剂可以单独使用1种,也可以并用2种以上。
本发明的组合物中,光产酸剂的含量(当存在多种时为其合计)以组合物的总固体成分为基准,优选为0.1~35质量%,更加优选为0.5~25质量%,进一步优选为1~20质量%,特别优选为1~15质量%。
当含有上述通式(ZI-3)或(ZI-4)所表示的化合物作为光产酸剂时,组合物中所包含的光产酸剂的含量(当存在多种时为其合计)以组合物的总固体成分为基准,优选为1~35质量%,更加优选为1~30质量%。
<酸扩散控制剂(D)>
本发明的组合物优选为含有酸扩散控制剂(D)。酸扩散控制剂(D)是作为捕获曝光时从光产酸剂等产生的酸,并抑制因多余的产生酸引起的未曝光部中的酸分解性树脂的反应的猝灭剂(quencher)发挥作用。例如,能够使用碱性化合物(DA)、通过活化光线或放射线的照射而碱性降低或消失的碱性化合物(DB)、相对于酸产生剂成为相对弱酸的鎓盐(DC)、具有氮原子且具有通过酸的作用而脱离的基团的低分子化合物(DD)或阳离子部具有氮原子的鎓盐化合物(DE)等作为酸扩散控制剂。在本发明的组合物中,能够优选地使用公知的酸扩散控制剂。例如,能够优选地使用美国专利申请公开2016/0070167A1号说明书的段落<0627>~<0664>、美国专利申请公开2015/0004544A1号说明书的段落<0095>~<0187>、美国专利申请公开2016/0237190A1号说明书的段落<0403>~<0423>及美国专利申请公开2016/0274458A1号说明书的段落<0259>~<0328>中所揭示的公知的化合物作为酸扩散控制剂(D)。
作为碱性化合物(DA),优选为具有下述式(A)~(E)所表示的结构的化合物。
[化学式28]
通式(A)及(E)中,
R200、R201及R202可以相同,也可以不同,各自独立地表示氢原子、烷基(优选为碳原子数1~20)、环烷基(优选为碳原子数3~20)或芳基(碳原子数6~20)。R201与R202可以相互键合而形成环。
R203、R204、R205及R206可以相同,也可以不同,各自独立地表示碳原子数1~20的烷基。
通式(A)及(E)中的烷基可以具有取代基,也可以未经取代。
关于上述烷基,作为具有取代基的烷基,优选为碳原子数1~20的氨基烷基、碳原子数1~20的羟基烷基或碳原子数1~20的氰基烷基。
通式(A)及(E)中的烷基更加优选为未经取代。
作为碱性化合物(DA),优选为胍、氨基吡咯烷、吡唑、吡唑啉、哌嗪、氨基吗啉、氨基烷基吗啉或哌啶等,更加优选为具有咪唑结构、二氮杂双环结构、氢氧化鎓结构、羧酸鎓盐结构、三烷基胺结构、苯胺结构或吡啶结构的化合物、具有羟基和/或醚键的烷基胺衍生物或具有羟基和/或醚键的苯胺衍生物等。
通过活化光线或放射线的照射而碱性降低或消失的碱性化合物(DB)(以下,也称为“化合物(DB)”。)是具有质子受体性官能团且通过活化光线或放射线的照射分解而质子受体性降低、消失或由质子受体性变化为酸性的化合物。
质子受体性官能团是指,具有能够与质子静电地相互作用的基团或电子的官能团,例如是指,具有环状聚醚等大环结构的官能团或含有具有对π共轭没有帮助的未共用电子对的氮原子的官能团。具有对π共轭没有帮助的未共用电子对的氮原子是指,例如具有下述式所示的部分结构的氮原子。
[化学式29]
作为质子受体性官能团的优选的部分结构,例如可以举出冠醚结构、氮杂冠醚结构、1级~3级胺结构、吡啶结构、咪唑结构及吡嗪结构等。
化合物(DB)产生通过活化光线或放射线的照射分解而质子受体性降低或消失或由质子受体性变化为酸性的化合物。其中,质子受体性的降低或消失或由质子受体性向酸性的变化是指,质子加成在质子受体性官能团而引起的质子受体性的变化,具体而言,是指当由具有质子受体性官能团的化合物(DB)和质子生成质子加成物时,其化学平衡中的平衡常数减少。
质子受体性能够通过进行pH测定来确认。
通过活化光线或放射线的照射,化合物(DB)分解而产生的化合物的酸解离常数pKa优选为满足pKa<-1,更加优选为满足-13<pKa<-1,进一步优选为满足-13<pKa<-3。
酸解离常数pKa表示水溶液中的酸解离常数pKa,例如于化学便览(II)(改订4版,1993年,日本化学会编,Maruzen Company,Limited)中有定义。酸解离常数pKa的值越低,表示酸强度越大。具体而言,水溶液中的酸解离常数pKa能够通过使用无限稀释水溶液测定25℃下的酸解离常数来进行实测。或者,也能够使用下述软体套件1通过计算而求出基于哈米特取代基常数及公知文献值的资料库的值。本说明书中所记载的pKa的值全部表示使用该软体套件通过计算而求出的值。
软体套件1:Advanced Chemistry Development(ACD/Labs)Software V8.14 forSolaris(1994-2007ACD/Labs)。
在本发明的组合物中,能够使用相对于光产酸剂成为相对弱酸的鎓盐(DC)作为酸扩散控制剂。
当混合使用光产酸剂和产生相对于由光产酸剂产生的酸为相对弱酸的酸的鎓盐时,若通过活化光线或放射线的照射而由光产酸剂产生的酸与具有未反应的弱酸阴离子的鎓盐碰撞,则通过盐交换释放弱酸而产生具有强酸阴离子的鎓盐。在该过程中强酸被交换成催化剂能更低的弱酸,因此在外观上酸失活而能够控制酸扩散。
作为相对于光产酸剂成为相对弱酸的鎓盐,优选为以下通式(d1-1)~(d1-3)所表示的化合物。
[化学式30]
式中,R51为可以具有取代基的烃基,Z2c为可以具有取代基的碳原子数1~30的烃基(其中,设为与S相邻的碳上未取代有氟原子),R52为有机基团,Y3为直链状、支链状或环状的亚烷基或亚芳基,Rf为包含氟原子的烃基,M+各自独立地为铵阳离子、锍阳离子或錪阳离子。
作为表示为M+的锍阳离子或錪阳离子的优选例,可以举出通式(ZI)所例示的锍阳离子及通式(ZII)所例示的錪阳离子。
相对于光产酸剂成为相对弱酸的鎓盐可以为(DC)在同一分子内具有阳离子部位和阴离子部位且阳离子部位与阴离子部位通过共价键连结的化合物(以下,也称为“化合物(DCA)”。)。
作为化合物(DCA),优选为以下通式(C-1)~(C-3)中的任一个所表示的化合物。
[化学式31]
通式(C-1)~(C-3)中,
R1、R2及R3各自独立地表示碳原子数1以上的取代基。
L1表示连结阳离子部位与阴离子部位的2价的连结基或单键。
-X-表示选自-COO-、-SO3 -、-SO2 -及-N--R4中的阴离子部位。R4表示在与相邻的N原子的连结部位具有羰基(-C(=O)-)、磺酰基(-S(=O)2-)及亚磺酰基(-S(=O)-)中的至少1个的1价的取代基。
R1、R2、R3、R4及L1可以相互键合而形成环结构。并且,通式(C-3)中,将R1~R3中的2个一起表示1个2价的取代基,可以通过双键与N原子键合。
作为R1~R3中的碳原子数1以上的取代基,可以举出烷基、环烷基、芳基、烷氧羰基、环烷氧羰基、芳氧基羰基、烷基氨基羰基、环烷基氨基羰基、芳基氨基羰基等。优选为烷基、环烷基或芳基。
作为2价的连结基的L1可以举出直链或支链状亚烷基、亚环烷基、亚芳基、羰基、醚键、酯键、酰胺键、胺基甲酸酯键、脲键及将这些中的2种以上组合而成的基团等。L1优选为亚烷基、亚芳基、醚键、酯键及将这些中的2种以上组合而成的基团。
具有氮原子且具有通过酸的作用而脱离的基团的低分子化合物(DD)(以下,也称为“化合物(DD)”。)优选为在氮原子上具有通过酸的作用而脱离的基团的胺衍生物。
作为通过酸的作用而脱离的基团,优选为缩醛基、碳酸酯基、胺基甲酸酯基、3级酯基、3级羟基或半胺缩醛醚基,更加优选为胺基甲酸酯基或半胺缩醛醚基。
化合物(DD)的分子量优选为100~1000,更加优选为100~700,进一步优选为100~500。
化合物(DD)可以具有在氮原子上具有保护基的胺基甲酸酯基。作为构成胺基甲酸酯基的保护基,由以下通式(d-1)表示。
[化学式32]
通式(d-1)中,
Rb各自独立地表示氢原子、烷基(优选为碳原子数1~10)、环烷基(优选为碳原子数3~30)、芳基(优选为碳原子数3~30)、芳烷基(优选为碳原子数1~10)或烷氧基烷基(优选为碳原子数1~10)。Rb可以相互键合而形成环。
Rb所表示的烷基、环烷基、芳基及芳烷基可以各自独立地经羟基、氰基、氨基、吡咯烷基、哌啶基、吗啉基、酮氧基等官能团、烷氧基或卤素原子取代。关于Rb所表示的烷氧基烷基也相同。
作为Rb,优选为直链状或支链状的烷基、环烷基或芳基,更加优选为直链状或支链状的烷基或环烷基。
作为2个Rb相互连结而形成的环,可以举出脂环式烃基、芳香族烃基、杂环式烃基及其衍生物等。
作为通式(d-1)所表示的基团的具体结构,可以举出美国专利公报2012/0135348A1号说明书的段落<0466>中所揭示的结构,但并不限定于此。
化合物(DD)优选为具有下述通式(6)所表示的结构。
[化学式33]
通式(6)中,
l表示0~2的整数,m表示1~3的整数,满足l+m=3。
Ra表示氢原子、烷基、环烷基、芳基或芳烷基。当l为2时,2个Ra可以相同,也可以不同,2个Ra可以相互连结而与式中的氮原子一同形成杂环。该杂环中可以包含除式中的氮原子以外的杂原子。
Rb的含义与上述通式(d-1)中的Rb相同,优选例也相同。
通式(6)中,作为Ra的烷基、环烷基、芳基、芳烷基可以各自独立地经与作为如下基团而进行了前述的基团相同的基团取代,该基团可以取代有作为Rb的烷基、环烷基、芳基、芳烷基。
作为上述Ra的烷基、环烷基、芳基及芳烷基(这些基团可以经上述基团取代)的具体例,可以举出与关于Rb而进行了前述的具体例相同的基团。
作为本发明中的特佳的化合物(DD)的具体例,可以举出美国专利申请公开2012/0135348A1号说明书的段落<0475>中所揭示的化合物,但并不限定于此。
在阳离子部具有氮原子的鎓盐化合物(DE)(以下,也称为“化合物(DE)”。)优选为在阳离子部具有包含氮原子的碱性部位的化合物。碱性部位优选为氨基,更加优选为脂肪族氨基。碱性部位中与氮原子相邻的原子全部进一步优选为氢原子或碳原子。并且,从提高碱性的观点出发,优选为拉电子官能团(羰基、磺酰基、氰基及卤素原子等)不与氮原子直接连结。
作为化合物(DE)的优选的具体例,可以举出美国专利申请公开2015/0309408A1号说明书的段落<0203>中所揭示的化合物,但并不限定于此。
以下示出酸扩散控制剂(D)的优选例。
[化学式34]
[化学式35]
在本发明的组合物中,酸扩散控制剂(D)可以单独使用1种,也可以并用2种以上。
酸扩散控制剂(D)在组合物中的含量(当存在多种时为其合计)以组合物的总固体成分为基准,优选为0.05~10质量%,更加优选为0.05~5质量%。
<疏水性树脂(E)>
本发明的组合物优选为含有疏水性树脂(E)。另外,疏水性树脂(E)优选为与树脂(A)及树脂(B)不同的树脂。
通过本发明的组合物含有疏水性树脂(E),能够控制感光化射线性或感放射线性膜表面上的静态/动态接触角。藉此,能够改善显影特性、抑制逸气(outgas)、提高液浸曝光时的液浸液追随性及减少液浸缺陷等。
疏水性树脂(E)优选为被设计成偏在于抗蚀剂膜的表面,但与表面活性剂不同,无需一定要在分子内具有亲水基,可以无助于均匀地混合极性/非极性物质。
从偏在于膜表层上的观点出发,优选为疏水性树脂(E)为含有具有选自包括“氟原子”、“硅原子”及“树脂的侧链部分中所含有的CH3部分结构”的组群中的至少1种的重复单元的树脂。
当疏水性树脂(E)包含氟原子和/或硅原子时,疏水性树脂(E)中的上述氟原子和/或硅原子可以包含于树脂的主链中,也可以包含于侧链中。
当疏水性树脂(E)包含氟原子时,优选为含有具有氟原子的烷基、具有氟原子的环烷基或具有氟原子的芳基作为具有氟原子的部分结构的树脂。
疏水性树脂(E)优选为具有至少一个选自下述(x)~(z)的组群中的基团。
(x)酸基
(y)通过碱性显影液的作用分解而对碱性显影液的溶解度增大的基团(以下,也称为极性转换基)
(z)通过酸的作用而分解的基团
作为酸基(x),可以举出酚性羟基、羧酸基、氟化醇基、磺酸基、磺酰胺基、磺酰基酰亚胺基、(烷基磺酰基)(烷基羰基)亚甲基、(烷基磺酰基)(烷基羰基)酰亚胺基、双(烷基羰基)亚甲基、双(烷基羰基)酰亚胺基、双(烷基磺酰基)亚甲基、双(烷基磺酰基)酰亚胺基、三(烷基羰基)亚甲基及三(烷基磺酰基)亚甲基等。
作为酸基,优选为氟化醇基(优选为六氟异丙醇基)、磺酰亚胺基或双(烷基羰基)亚甲基。
作为通过碱性显影液的作用分解而对碱性显影液的溶解度增大的基团(y),例如可以举出内酯基、羧酸酯基(-COO-)、酸酐基(-C(O)OC(O)-)、酸酰亚胺基(-NHCONH-)、羧酸硫酯基(-COS-)、碳酸酯基(-OC(O)O-)、硫酸酯基(-OSO2O-)及磺酸酯基(-SO2O-)等,优选为内酯基或羧酸酯基(-COO-)。
作为包含这些基团的重复单元,例如为这些基团直接键合于树脂的主链上的重复单元,例如可以举出由丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯构成的重复单元等。该重复单元中,这些基团也可以经由连结基键合于树脂的主链上。或者,该重复单元可以在聚合时使用具有这些基团的聚合引发剂或链转移剂而被导入到树脂的末端。
作为具有内酯基的重复单元,例如可以举出与之前在树脂(A)项中所说明的具有内酯结构的重复单元相同的重复单元。
具有通过碱性显影液的作用分解而对碱性显影液的溶解度增大的基团(y)的重复单元的含量相对于疏水性树脂(E)中的所有重复单元,优选为1~100摩尔%,更加优选为3~98摩尔%,进一步优选为5~95摩尔%。
疏水性树脂(E)中的具有通过酸的作用而分解的基团(z)的重复单元可以举出与在树脂(A)中举出的具有酸分解性基的重复单元相同的重复单元。具有通过酸的作用而分解的基团(z)的重复单元可以具有氟原子及硅原子中的至少任一种。具有通过酸的作用而分解的基团(z)的重复单元的含量相对于疏水性树脂(E)中的所有重复单元,优选为1~80摩尔%,更加优选为10~80摩尔%,进一步优选为20~60摩尔%。
疏水性树脂(E)可以进一步具有与上述重复单元不同的另一重复单元。
包含氟原子的重复单元相对于疏水性树脂(E)中的所有重复单元,优选为10~100摩尔%,更加优选为30~100摩尔%。并且,包含硅原子的重复单元相对于疏水性树脂(E)中的所有重复单元,优选为10~100摩尔%,更加优选为20~100摩尔%。
另一方面,尤其在疏水性树脂(E)在侧链部分包含CH3部分结构时,也优选为疏水性树脂(E)实质上不包含氟原子及硅原子的形态。并且,疏水性树脂(E)优选为实质上由仅以选自碳原子、氧原子、氢原子、氮原子及硫原子中的原子构成的重复单元构成。
疏水性树脂(E)的标准聚苯乙烯换算的重均分子量优选为1,000~100,000,更加优选为1,000~50,000。
疏水性树脂(E)中所包含的残存单体和/或低聚物成分的合计含量优选为0.01~5质量%,更加优选为0.01~3质量%。并且,分散度(Mw/Mn)优选为1~5的范围,更加优选为1~3的范围。
作为疏水性树脂(E),能够单独或以这些的混合物的形式适当地选择使用公知的树脂。例如,能够优选地使用美国专利申请公开2015/0168830A1号说明书的段落<0451>~<0704>及美国专利申请公开2016/0274458A1号说明书的段落<0340>~<0356>中所揭示的公知的树脂作为疏水性树脂(E)。并且,作为构成疏水性树脂(E)的重复单元也优选美国专利申请公开2016/0237190A1号说明书的段落<0177>~<0258>中所揭示的重复单元。
以下示出相当于构成疏水性树脂(E)的重复单元的单体的优选例。
[化学式36]
[化学式37]
疏水性树脂(E)可以单独使用1种,也可以并用2种以上。
从兼顾液浸曝光时的液浸液追随性和显影特性的观点出发,优选为混合使用表面能不同的2种以上的疏水性树脂(E)。
疏水性树脂(E)在组合物中的含量相对于本发明的组合物中的总固体成分,优选为0.01~10质量%,更加优选为0.05~8质量%。
<溶剂(F)>
本发明的组合物优选为含有溶剂。
在本发明的组合物中,能够优选地使用公知的抗蚀剂溶剂。例如,能够优选地使用美国专利申请公开2016/0070167A1号说明书的段落<0665>~<0670>、美国专利申请公开2015/0004544A1号说明书的段落<0210>~<0235>、美国专利申请公开2016/0237190A1号说明书的段落<0424>~<0426>及美国专利申请公开2016/0274458A1号说明书的段落<0357>~<0366>中所揭示的公知的溶剂。
作为能够在制备组合物时使用的溶剂,例如可以举出亚烷基二醇单烷基醚羧酸酯、亚烷基二醇单烷基醚、乳酸烷基酯、烷氧基丙酸烷基酯、环状内酯(优选为碳原子数4~10)、可以具有环的单酮化合物(优选为碳原子数4~10)、碳酸亚烷基酯、烷氧基乙酸烷基酯及丙酮酸烷基酯等有机溶剂。
作为有机溶剂,可以使用将结构中具有羟基的溶剂和不具有羟基的溶剂混合而成的混合溶剂。
作为具有羟基的溶剂及不具有羟基的溶剂,能够优选地选择前述例示化合物,作为包含羟基的溶剂,优选为亚烷基二醇单烷基醚或乳酸烷基酯等,更加优选为丙二醇单甲醚(PGME)、丙二醇单乙醚(PGEE)、2-羟基异丁酸甲酯或乳酸乙酯。并且,作为不具有羟基的溶剂,优选为亚烷基二醇单烷基醚乙酸酯、烷基烷氧基丙酸酯、可以具有环的单酮化合物、环状内酯或乙酸烷基酯等,在这些中,更加优选为丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)、乙氧基丙酸乙酯、2-庚酮、γ-丁内酯、环己酮、环戊酮或乙酸丁酯,进一步优选为丙二醇单甲醚乙酸酯、γ-丁内酯、乙氧基丙酸乙酯、环己酮、环戊酮或2-庚酮。作为不具有羟基的溶剂,也优选为碳酸丙烯酯。
具有羟基的溶剂与不具有羟基的溶剂的混合比(质量比)为1/99~99/1,优选为10/90~90/10,更加优选为20/80~60/40。在涂布均匀性的观点上,优选为含有50质量%以上的不具有羟基的溶剂的混合溶剂。
溶剂优选为含有丙二醇单甲醚乙酸酯,可以为丙二醇单甲醚乙酸酯单独溶剂,也可以为含有丙二醇单甲醚乙酸酯的2种以上的混合溶剂。
<交联剂(G)>
本发明的组合物可以含有通过酸的作用交联树脂的化合物(以下,也称为交联剂(G))。作为交联剂(G),能够适当地使用公知的化合物。例如,能够适当地使用美国专利申请公开2016/0147154A1号说明书的段落<0379>~<0431>及美国专利申请公开2016/0282720A1号说明书的段落<0064>~<0141>中所揭示的公知的化合物作为交联剂(G)。
交联剂(G)为具有能够交联树脂的交联性基的化合物,作为交联性基,可以举出羟基甲基、烷氧基甲基、酰氧基甲基、烷氧基甲基醚基、环氧乙烷环及氧杂环丁烷环等。
交联性基优选为羟基甲基、烷氧基甲基、环氧乙烷环或氧杂环丁烷环。
交联剂(G)优选为具有2个以上交联性基的化合物(也包含树脂)。
交联剂(G)更加优选为具有羟基甲基或烷氧基甲基的酚衍生物、脲系化合物(具有脲结构的化合物)或三聚氰胺系化合物(具有三聚氰胺结构的化合物)。
交联剂可以单独使用1种,也可以并用2种以上。
交联剂(G)的含量相对于抗蚀剂组合物的总固体成分,优选为1~50质量%,更加优选为3~40质量%,进一步优选为5~30质量%。
<表面活性剂(H)>
本发明的组合物优选为含有表面活性剂。当含有表面活性剂时,优选为氟系和/或硅系表面活性剂(具体而言,氟系表面活性剂、硅系表面活性剂或具有氟原子和硅原子的表面活性剂)。
通过本发明的组合物含有表面活性剂,在使用250nm以下、尤其220nm以下的曝光光源时,能够以良好的灵敏度及解析度得到密合性及显影缺陷少的图案。
作为氟系和/或硅系表面活性剂,可以举出美国专利申请公开第2008/0248425号说明书的段落<0276>中所记载的表面活性剂。
并且,也能够使用美国专利申请公开第2008/0248425号说明书的段落<0280>中所记载的除氟系和/或硅系表面活性剂以外的其他表面活性剂。
这些表面活性剂可以单独使用1种,也可以并用2种以上。
当本发明的组合物含有表面活性剂时,表面活性剂的含量相对于组合物的总固体成分,优选为0.0001~2质量%,更加优选为0.0005~1质量%。
另一方面,通过将表面活性剂的含量相对于组合物的总固体成分设为10ppm以上,疏水性树脂(E)的表面偏在性得到提高。藉此,能够使感光化射线性或感放射线性膜的表面变得更加疏水,液浸曝光时的水追随性得到提高。
(其他添加剂)
本发明的组合物可以进一步含有酸增殖剂、染料、可塑剂、光敏化剂、光吸收剂、碱溶性树脂、溶解抑制剂或溶解促进剂等。
作为可塑剂,例如可以举出聚亚烷基二醇(作为氧亚烷基单位中的碳原子数,优选为2~6,更加优选为2~4,进一步优选为2~3,作为平均加成数,优选为2~10,更加优选为2~6)。作为可塑剂,具体而言,例如可以举出下述可塑剂。
[化学式38]
这些可塑剂可以单独使用1种,也可以并用2种以上。
当本发明的组合物含有可塑剂时,可塑剂的含量相对于组合物的总固体成分,优选为0.01~20质量%,更加优选为1~15质量%。
<制备方法>
本发明的组合物的固体成分浓度为10质量%以上,其上限通常为50质量%左右。作为本发明的组合物的固体成分浓度,其中优选为10~50质量%,更加优选为25~50质量%,进一步优选为30~50质量%。固体成分浓度是指,除溶剂以外的其他抗蚀剂成分的质量相对于组合物的总质量的质量百分比。
另外,包含本发明的组合物的感光化射线性或感放射线性膜的膜厚为1μm以上,以增加加工阶段数为目的,优选为3μm以上,更加优选为5μm以上,进一步优选为10μm以上。上限并没有特别限定,例如为100μm以下。
另外,如后述,能够由本发明的组合物形成图案。
所形成的图案的膜厚为1μm以上,以增加加工阶段数为目的,优选为3μm以上,更加优选为5μm以上,进一步优选为10μm以上。上限并没有特别限定,例如为100μm以下。
关于本发明的组合物,将上述成分溶解于规定的有机溶剂(优选为上述混合溶剂)中,对其进行过滤器过滤之后,涂布于规定的支撑体(基板)而使用。过滤器过滤中所使用的过滤器的细孔尺寸优选为0.1μm以下,更加优选为0.05μm以下,进一步优选为0.03μm以下。并且,当组合物的固体成分浓度高时(例如为25质量%以上),过滤器过滤中所使用的过滤器的细孔尺寸优选为3μm以下,更加优选为0.5μm以下,进一步优选为0.3μm以下。就该过滤器而言,优选为聚四氟乙烯制、聚乙烯制或尼龙制过滤器。在过滤器过滤中,例如如日本专利申请公开第2002-062667号说明书(日本特开2002-062667号)中所揭示,可以进行循环性过滤,也可以串联或并联连接多种过滤器而进行过滤。并且,也可以对组合物进行多次过滤。另外,也可以在过滤器过滤之前后,对组合物进行脱气处理等。
本发明的组合物的黏度优选为100~500mPa·s。在涂布性更加优异的观点上,本发明的组合物的黏度更加优选为100~300mPa·s。
另外,黏度能够利用E型黏度计进行测定。
<用途>
本发明的组合物涉及一种通过活化光线或放射线的照射进行反应而性质发生变化的感光化射线性或感放射线性树脂组合物。更详细而言,本发明的组合物涉及一种在IC(Integrated Circuit;积体电路)等半导体的制造工序、液晶或热敏头(thermal head)等电路基板的制造、压印用模具结构体的制作、其他感光蚀刻加工工序、或者平版印刷板或酸固化性组合物的制造中所使用的感光化射线性或感放射线性树脂组合物。本发明中所形成的图案能够在蚀刻工序、离子植入工序、凸点电极形成工序、再配线形成工序及MEMS(MicroElectro Mechanical Systems:微机电系统)等中使用。
〔图案形成方法〕
本发明还关于一种使用上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物的图案形成方法。以下,对本发明的图案形成方法进行说明。并且,与图案形成方法的说明一同,也对本发明的感光化射线性或感放射线性膜进行说明。
本发明的图案形成方法具有以下工序:
(i)利用上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物在支撑体上形成抗蚀剂膜(感光化射线性或感放射线性膜)的工序(抗蚀剂膜形成工序);
(ii)对上述抗蚀剂膜进行曝光的(照射活化光线或放射线的)工序(曝光工序);及
(iii)使用显影液对上述经曝光的抗蚀剂膜进行显影的工序(显影工序)。
本发明的图案形成方法只要包括上述(i)~(iii)的工序,则并没有特别限定,可以进一步具有下述工序。
本发明的图案形成方法中,(ii)曝光工序中的曝光方法可以为浸渍曝光。
本发明的图案形成方法中,优选为在(ii)曝光工序之前包括(iv)预加热(PB:PreBake(预烘烤))工序。
本发明的图案形成方法中,优选为在(ii)曝光工序之后且在(iii)显影工序之前包括(v)曝光后加热(PEB:Post Exposure Bake(曝光后烘烤))工序。
本发明的图案形成方法中,可以包括多次(ii)曝光工序。
本发明的图案形成方法中,可以包括多次(iv)预加热工序。
本发明的图案形成方法中,可以包括多次(v)曝光后加热工序。
在本发明的图案形成方法中,上述(i)抗蚀剂膜形成工序、(ii)曝光工序及(iii)显影工序能够通过一般已知的方法来进行。
并且,根据需要,可以在抗蚀剂膜与支撑体之间形成抗蚀剂下层膜(例如,SOG(Spin On Glass:旋涂玻璃)、SOC(Spin On Carbon:旋涂碳)及防反射膜)。作为构成抗蚀剂下层膜的材料,能够适当地使用公知的有机系或无机系的材料。
可以在抗蚀剂膜的上层形成保护膜(顶涂层)。作为保护膜,能够适当地使用公知的材料。例如能够优选地使用美国专利申请公开第2007/0178407号说明书、美国专利申请公开第2008/0085466号说明书、美国专利申请公开第2007/0275326号说明书、美国专利申请公开第2016/0299432号说明书、美国专利申请公开第2013/0244438号说明书、国际专利申请公开第2016/157988A号说明书中所揭示的保护膜形成用组合物。作为保护膜形成用组合物,优选为含有上述酸扩散控制剂的保护膜形成用组合物。
也可以在含有上述疏水性树脂的抗蚀剂膜的上层形成保护膜。
支撑体并没有特别限定,能够使用除了在IC等半导体的制造工序、或者液晶或热能头等电路基板的制造工序以外,在其他感光蚀刻加工的光刻工序等中一般使用的基板。作为支撑体的具体例,可以举出硅、SiO2及SiN等无机基板等。
加热温度在(iv)预加热工序及(v)曝光后加热工序中的任一工序中均优选为70~150℃,更加优选为70~130℃,进一步优选为80~130℃,最佳为80~120℃。
加热时间在(iv)预加热工序及(v)曝光后加热工序中的任一工序中,均优选为30~300秒,更加优选为30~180秒,进一步优选为30~90秒。
加热能够利用曝光装置及显影装置所具备的机构来进行,也可以使用加热板等来进行。
对曝光工序中所使用的光源波长并没有限制,例如可以举出红外光、可见光、紫外光、远紫外光、极紫外光(EUV)、X射线及电子束等。在这些中,优选为远紫外光,其波长优选为250nm以下,更加优选为220nm以下,进一步优选为1~200nm。具体而言为KrF准分子激光(248nm)、ArF准分子激光(193nm)、F2准分子激光(157nm)、X射线、EUV(13nm)及电子束等,优选为KrF准分子激光、ArF准分子激光、EUV或电子束,更加优选为KrF准分子激光。
在(iii)显影工序中,可以为碱性显影液,也可以为含有有机溶剂的显影液(以下,也称为有机系显影液)。
作为碱性显影液,通常使用以氢氧化四甲基铵为代表的四级铵盐,除此的外,还能够使用无机碱、1级胺~3级胺、醇胺及环状胺等碱水溶液。
另外,上述碱性显影液可以含有适量的醇类和/或表面活性剂。碱性显影液的碱浓度通常为0.1~20质量%。碱性显影液的pH通常为10~15。
使用碱性显影液来进行显影的时间通常为10~300秒。
碱性显影液的碱浓度、pH及显影时间能够根据所形成的图案适当地调整。
有机系显影液优选为含有选自包括酮系溶剂、酯系溶剂、醇系溶剂、酰胺系溶剂、醚系溶剂及烃系溶剂的组群中的至少1种有机溶剂的显影液。
作为酮系溶剂,例如可以举出1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、2-庚酮(甲基戊基酮)、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二异丁基酮、环己酮、甲基环己酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、乙酰丙酮、丙酮基丙酮、紫罗酮、二丙酮醇、乙酰甲醇、苯乙酮、甲基萘基酮、异佛尔酮及碳酸丙烯酯等。
作为酯系溶剂,例如可以举出乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸乙酯、乙酸异丙酯、乙酸戊酯(pentyl acetate)、乙酸异戊酯、乙酸戊酯(amyl acetate)、丙二醇单甲醚乙酸酯、乙二醇单乙醚乙酸酯、二乙二醇单丁醚乙酸酯、二乙二醇单乙醚乙酸酯、乙基-3-乙氧基丙酸酯、3-甲氧基丁基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯、乳酸乙酯、乳酸丁酯、乳酸丙酯、丁酸丁酯、2-羟基异丁酸甲酯、乙酸异戊酯、异丁酸异丁酯及丙酸丁酯等。
作为醇系溶剂、酰胺系溶剂、醚系溶剂及烃系溶剂,能够使用美国专利申请公开2016/0070167A1号说明书的段落<0715>~<0718>中所揭示的溶剂。
上述溶剂可以混合多种,也可以与上述以外的溶剂或水进行混合。作为显影液整体的含水率优选为小于50质量%,更加优选为小于20质量%,进一步优选为小于10质量%,实际上特别优选为不包含水分。
有机溶剂相对于有机系显影液的含量相对于显影液的总量,优选为50~100质量%,更加优选为80~100质量%,进一步优选为90~100质量%,特别优选为95~100质量%。
有机系显影液根据需要可以含有适量的公知的表面活性剂。
表面活性剂的含量相对于显影液的总量,通常为0.001~5质量%,优选为0.005~2质量%,更加优选为0.01~0.5质量%。
有机系显影液可以含有上述酸扩散控制剂。
作为显影方法,例如可以举出:在装满显影液的槽中将基板浸渍一定时间的方法(浸渍法);通过表面张力,使显影液堆积在基板表面上并静置一定时间的方法(浸置法);向基板表面喷射显影液的方法(喷雾法);或在以一定速度旋转的基板上,一边以一定速度将显影液喷出喷嘴进行扫描一边持续喷出显影液的方法(动态分配法);等。
也可以将使用碱水溶液进行显影的工序(碱性显影工序)及使用含有有机溶剂的显影液进行显影的工序(有机溶剂显影工序)进行组合。藉此,能够以只不溶解中间曝光强度的区域的状态形成图案,因此能够形成更加微细的图案。
优选为在(iii)显影工序之后,包括使用冲洗液进行清洗的工序(冲洗工序)。
使用碱性显影液的显影工序之后的冲洗工序中所使用的冲洗液例如能够使用纯水。纯水可以含有适量的表面活性剂。在该情况下,可以在显影工序或冲洗工序之后,追加利用超临界流体去除附着于图案上的显影液或冲洗液的处理。另外,可以在冲洗处理或使用超临界流体的处理之后,为了去除残留于图案中的水分而进行加热处理。
使用含有有机溶剂的显影液的显影工序之后的冲洗工序中所使用的冲洗液只要是不溶解图案的溶液,则并没有特别限制,能够使用含有一般的有机溶剂的溶液。作为冲洗液,优选为使用含有选自包括烃系溶剂、酮系溶剂、酯系溶剂、醇系溶剂、酰胺系溶剂及醚系溶剂的群组中的至少1种有机溶剂的冲洗液。
作为烃系溶剂、酮系溶剂、酯系溶剂、醇系溶剂、酰胺系溶剂及醚系溶剂的具体例,可以举出与在含有机溶剂的显影液中所说明的溶剂相同的溶剂。
作为此时的冲洗工序中所使用的冲洗液,更加优选为含有1元醇的冲洗液。
作为在冲洗工序中所使用的1元醇,可以举出直链状、支链状或环状的1元醇。具体而言,可以举出1-丁醇、2-丁醇、3-甲基-1-丁醇、第三丁醇、1-戊醇、2-戊醇、1-己醇、4-甲基-2-戊醇、1-庚醇、1-辛醇、2-己醇、环戊醇、2-庚醇、2-辛醇、3-己醇、3-庚醇、3-辛醇、4-辛醇及甲基异丁基甲醇。作为碳原子数5以上的1元醇,可以举出1-己醇、2-己醇、4-甲基-2-戊醇、1-戊醇、3-甲基-1-丁醇及甲基异丁基甲醇等。
各成分可以混合多种,也可以与上述以外的有机溶剂混合使用。
冲洗液中的含水率优选为10质量%以下,更加优选为5质量%以下,进一步优选为3质量%以下。通过将含水率设为10质量%以下,可得到良好的显影特性。
冲洗液可以含有适量的表面活性剂。
在冲洗工序中,使用含有有机溶剂的冲洗液对使用有机系显影液进行了显影的基板进行清洗处理。清洗处理的方法并没有特别限定,例如可以举出如下方法:在以一定速度旋转的基板上持续喷出冲洗液的方法(旋转涂布法);在装满冲洗液的槽中将基板浸渍一定时间的方法(浸渍法);或向基板表面喷射冲洗液的方法(喷雾法)等。其中,优选为利用旋转涂布法进行清洗处理,在清洗之后使基板以2,000~4,000rpm(revolution per minute(每分钟转速))的转速旋转,从基板上去除冲洗液。并且,也优选为在冲洗工序之后包括加热工序(Post Bake(后烘烤))。通过该加热工序,可去除残留于图案之间及图案内部的显影液及冲洗液。在冲洗工序之后的加热工序中,加热温度通常为40~160℃,优选为70~120℃,更加优选为70~95℃,加热时间通常为10秒~3分钟,优选为30秒~90秒。
本发明的感光化射线性或感放射线性树脂组合物及本发明的图案形成方法中所使用的各种材料(例如,抗蚀剂溶剂、显影液、冲洗液、防反射膜形成用组合物或顶涂层形成用组合物等)优选为不包含金属成分、异构物及残留单体等杂质。作为上述各种材料中所包含的这些杂质的含量,优选为1ppm以下,更加优选为100ppt以下,进一步优选为10ppt以下,实质上特别优选为不包含(为测定装置的检测极限以下)。
作为从上述各种材料中去除金属等杂质的方法,例如可以举出使用过滤器的过滤。作为过滤器孔径,细孔尺寸优选为10nm以下,更加优选为5nm以下,进一步优选为3nm以下。作为过滤器的材质,优选为聚四氟乙烯制、聚乙烯制或尼龙制的过滤器。过滤器也可以使用预先用有机溶剂清洗的材质。在过滤器过滤工序中,可以串联或并联连接多种过滤器来使用。当使用多种过滤器时,可以将孔径和/或材质不同的过滤器组合使用。并且,可以对各种材料进行多次过滤,进行多次过滤的工序可以为循环过滤工序。作为过滤器,优选为如日本专利申请公开第2016-201426号说明书(日本特开2016-201426号公报)中所揭示的溶出物减少的过滤器。
除了过滤器过滤以外,还可以进行使用吸附材料的杂质的去除,也可以将过滤器过滤和吸附材料组合使用。作为吸附材料,能够使用公知的吸附材料,例如能够使用硅胶或沸石等无机系吸附材料、或活性碳等有机系吸附材料。作为金属吸附剂,例如可以举出日本专利申请公开第2016-206500号说明书(日本特开2016-206500号公报)中所揭示的吸附剂。
并且,作为减少上述各种材料中所包含的金属等杂质的方法,可以举出如下方法:选择金属含量少的原料作为构成各种材料的原料、对构成各种材料的原料进行过滤器过滤、或者在装置内用TEFLON(注册商标)进行内衬等而尽可能抑制了污染的条件下进行蒸馏等方法。对构成各种材料的原料进行的过滤器过滤时的优选的条件与上述条件相同。
为了防止杂质的混入,优选为上述各种材料保存于美国专利申请公开第2015/0227049号说明书、日本专利申请公开第2015-123351号说明书(日本特开2015-123351号公报)等中所记载的容器中。
可以对通过本发明的图案形成方法而形成的图案适用改善图案的表面粗糙度的方法。作为改善图案的表面粗糙的方法,例如可以举出美国专利申请公开第2015/0104957号说明书中所揭示的利用含有氢的气体的等离子体来处理图案的方法。除此的外,还可以适用日本专利申请公开第2004-235468号说明书(日本特开2004-235468号公报)、美国专利申请公开第2010/0020297号说明书、Proc.of SPIE Vol.8328 83280N-1“EUV ResistCuring Technique for LWR Reduction and Etch Selectivity Enhancement”中所记载的公知的方法。
并且,通过上述方法而形成的图案例如能够用作日本专利申请公开第1991-270227号说明书(日本特开平3-270227号公报)及美国专利申请公开第2013/0209941号说明书中所揭示之间隔件工艺(Spacer Process)的芯材(Core)。
〔电子器件的制造方法〕
并且,本发明还关于一种包括上述本图案形成方法的电子器件的制造方法。通过本发明的电子器件的制造方法而制造的电子器件优选地装载于电气电子设备(例如,家电、OA(Office Automation:办公自动化))相关设备、媒体相关设备、光学用设备及通讯设备等)。
[实施例]
以下,基于实施例对本发明进行进一步详细的说明。以下实施例所示的材料、使用量、比例、处理内容及处理工序等,只要不脱离本发明的趣旨,则能够适当进行变更。因此,本发明的范围不应通过以下所示的实施例进行限定性解释。
〔感光化射线性或感放射线性树脂组合物的制备〕
以下示出第2表所示的感光化射线性或感放射线性树脂组合物中所包含的各种成分。
<树脂>
在第1表中示出第2表所示的树脂(A-1~A-12、AX-1~AX-3)中的重复单元的摩尔比率、重均分子量(Mw)及分散度(Mw/Mn)。
另外,树脂A-1~A-12、AX-1~AX-3的重均分子量(Mw)及分散度(Mw/Mn)通过GPC(载体:四氢呋喃(THF))进行了测定(为聚苯乙烯换算量)。并且,树脂的组成比(摩尔%比)通过13C-NMR(nuclear magnetic resonance:核磁共振)进行了测定。
并且,在第1表中一并示出重复单元A的玻璃化转变温度(另外,在此所说的“玻璃化转变温度(Tg(℃))”是指,将成为重复单元A的来源的单体制成均聚物时的Tg(℃)。)。关于重复单元A的玻璃化转变温度的测定方法,将进行后述。
并且,在第1表中一并示出树脂A-1~A-12、AX-1~AX-3中的“具有芳香族环的重复单元的有无”、“具有芳香族环的重复单元的摩尔比率(摩尔%)”。另外,例如,在树脂A-1的情况下,重复单元MD-1相当于“具有芳香族环的重复单元”,在树脂A-5的情况下,重复单元MD-1及重复单元MB-3相当于“具有芳香族环的重复单元”。
[表1]
以下示出树脂A-1~A-12、AX-1~AX-3的合成中所使用的单体结构。
[化学式39]
[化学式40]
[化学式41]
[化学式42]
并且,以下示出树脂A-1~A-12、AX-1~AX-3的具体结构。
[化学式43]
[化学式44]
[化学式45]
[化学式46]
[化学式47]
(重复单元A的玻璃化转变温度的测定)
重复单元A的玻璃化转变温度是指,将形成重复单元的单体制成均聚物时的玻璃化转变温度(Tg(℃))。
当有产品目录值或文献值时,均聚物的玻璃化转变温度(Tg(℃))采用该值,没有时通过示差扫描热量测定(DSC:Differential scanning calorimetry)法进行了测定。
以下,对通过DSC法测定均聚物的玻璃化转变温度(Tg(℃))时的均聚物的合成方法及玻璃化转变温度的测定方法进行说明。
·均聚物的合成方法
在测定重复单元A的玻璃化转变温度时,通过下述工序合成了均聚物。另外,均聚物的合成通过一般的滴加聚合法来进行。
在氮气流下,将PGMEA54质量份加热至80℃。一边搅拌该溶液,一边经6小时滴加了包含单官能单体21质量%及2,2’-偶氮双异丁酸二甲酯0.35质量%的PGMEA溶液125质量份。滴加结束后,在80℃下进一步搅拌了2小时。将反应液自然冷却之后,用大量的甲醇/水(质量比9:1)进行再沉淀,并进行了过滤。通过干燥所得到的固体而得到了均聚物(Mw:18000)。
·玻璃化转变温度的测定方法
所得到的均聚物的玻璃化转变温度通过DSC法进行了测定。使用TA InstrumentsJapan Inc.制造的“热分析DSC示差扫描热量计Q1000型”作为DSC装置,升温速度设为10℃/min而进行了测定。
<酸产生剂>
以下示出第2表所示的酸产生剂(化合物C-1~C-8)的结构。
另外,化学式中的“nBu”表示正丁基。
[化学式48]
[化学式49]
[化学式50]
<酸扩散控制剂>
以下示出第2表所示的酸扩散控制剂的结构。
[化学式51]
/>
<表面活性剂>
以下示出第2表所示的表面活性剂。
[化学式52]
(E-2);MEGAFACE“R-41”(DIC Corporation制造)
<添加剂>
以下示出第2表所示的添加剂F-1~F-5。
[化学式53]
[化学式54]
<溶剂>
以下示出第2表所示的溶剂。
S-1:丙二醇单甲醚乙酸酯(PGMEA)
S-2:丙二醇单甲醚(PGME)
S-3:乳酸乙酯(EL)
S-4:3-乙氧基丙酸乙酯(EEP)
S-5:2-庚酮(MAK)
S-6:3-甲氧基丙酸甲酯(MMP)
S-7:乙酸3-甲氧基丁酯
<感光化射线性或感放射线性树脂组合物的制备>
将第2表所示的各成分以成为第2表中所记载的固体成分浓度的方式进行了混合。接着,用具有3μm的细孔尺寸的聚乙烯过滤器对所得到的混合液进行过滤,藉此制备出感光化射线性或感放射线性树脂组合物(以下,也称为树脂组合物)。另外,在树脂组合物中,固体成分是指,除溶剂以外的所有成分。在实施例及比较例中使用了所得到的树脂组合物。
另外,利用Agilent Technologies公司制造的ICP-MS装置(感应耦合等离子体质谱分析仪)“Agilent 7500cs”测定了各组合物中所包含的25种(Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Al、Li、Cr、Ni、Sn、Zn、Ag、As、Au、Ba、Cd、Co、Pb、Ti、V、W、Mo、Zr)金属杂质成分量,其结果,各金属种的含量分别小于10ppb。
另外,在第2表中,各成分的含量(质量%)是指,相对于总固体成分的含量。
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
〔图案形成及各种评价〕
<图案形成(实施例1~12、实施例14~84、比较例1~3)>
使用Tokyo Electron Limited制造的旋涂机“ACT-8”,在实施了六甲基二硅氮烷处理的8英吋的Si基板(Advanced Materials Technology公司制造(以下,也称为“基板”。))上不设置防反射层并以静置基板的状态滴加了上述中所制备的树脂组合物。滴加之后,旋转基板,将其转速以500rpm维持3秒钟,然后以100rpm维持2秒钟,进而以500rpm维持3秒钟,再次以100rpm维持2秒钟之后,提高至膜厚设定转速(1200rpm)并维持了60秒钟。然后,在加热板上于130℃下进行60秒钟加热干燥,形成了膜厚11μm的正型抗蚀剂膜。对该抗蚀剂膜经由具有使缩小投影曝光及显影后所形成的图案的空间宽度成为5μm、间距宽度成为25μm的线与空间图案(line and space)的掩模,使用KrF准分子激光扫描器(ASML制造,PAS5500/850C波长248nm)在NA=0.60、σ=0.75的曝光条件下进行了图案曝光。照射后,于120℃下烘烤60秒,使用2.38质量%氢氧化四甲基铵(TMAH)水溶液浸渍60秒钟之后,用纯水冲洗30秒钟并进行干燥之后,于110℃下烘烤60秒,形成了空间宽度为5μm、间距宽度为25μm的孤立空间图案。
另外,上述图案曝光是经由具有使缩小投影曝光后的空间宽度成为5μm、间距宽度成为25μm的线与空间图案的掩模的曝光,曝光量设为形成空间宽度为5μm、间距宽度为25μm的孤立空间图案的最佳曝光量(灵敏度)(mJ/cm2)。在决定上述灵敏度时,图案的空间宽度的测定中使用了扫描型电子显微镜(SEM:Scanning Electron Microscope)(HitachiHigh-Technologies Corporation制造的9380II)。
通过上述工序得到了具有基板和形成于基板表面的图案的评价用图案晶圆。
<图案形成(实施例13)>
在上述图案形成(实施例1~12、实施例14~84、比较例1~3)中,用纯水的冲洗及干燥之后,于110℃下未进行60秒烘烤,除此的外,通过相同的方法实施了图案形成。
通过上述工序得到了具有基板和形成于基板表面的图案的评价用图案晶圆。
<性能评价>
使用所得到的评价用图案晶圆实施了图案的性能评价。
(性能评价1:图案对真空处理的耐龟裂性的评价)
在CD-SEM(Critical Dimension-Scanning Electron Microscope:临界尺寸-扫描电子显微镜)内的腔室中,对评价用图案晶圆进行了60秒钟的真空处理(抽真空)。另外,腔室内设定为0.002Pa压力。
在真空处理后,利用光学显微镜观察上述评价用图案晶圆,实施了耐龟裂性的评价。具体而言,对形成于基板表面的图案的裂纹(龟裂)的个数(/8英吋晶圆)进行计数,并基于下述基准进行了评价。
“A”:裂纹为0个
“B”:裂纹为1个以上且少于5个
“C”:裂纹为5个以上且少于50个
“D”:裂纹为50个以上
将结果示于第3表。
(性能评价2:图案对等离子体处理的耐龟裂性的评价)
使用评价用图案晶圆评价了形成于基板上的图案对等离子体处理的耐龟裂性。在被蚀刻物的干式蚀刻处理时,用作掩模的图案也被暴露于等离子体环境下。因此,图案对等离子体处理的耐龟裂性需良好。
具体而言,图案对等离子体处理的耐龟裂性的评价如下进行:将评价用图案晶圆放入干式蚀刻装置(Hitachi High-Technologies Corporation制造,U-621)中,使用CF4/Ar/N2混合气体(气体比(体积比),1:10:10)在气体压力4Pa、等离子体功率1200W及基板偏压600W的条件下进行了60秒钟蚀刻处理。
上述蚀刻处理后,利用光学显微镜观察上述评价用图案晶圆,实施了耐龟裂性的评价。具体而言,对形成于基板表面的图案的裂纹(龟裂)的个数(/8英吋晶圆)进行计数,并基于下述基准进行了评价。
“A”:裂纹为0个
“B”:裂纹为1个以上且少于5个
“C”:裂纹为5个以上且少于50个
“D”:裂纹为50个以上
将结果示于第3表。
(性能评价3:耐蚀刻性的评价)
将评价用图案晶圆放入干式蚀刻装置(Hitachi High-TechnologiesCorporation制造,U-621)中,使用CF4/Ar/N2混合气体(气体比(体积比),1:10:10)在气体压力4Pa、等离子体功率1200W及基板偏压600W的条件下进行了60秒钟蚀刻处理。
上述蚀刻处理后,用光干涉式膜厚测定装置(SCREEN制造,VM-1020)测定了形成于基板表面的图案的膜厚。关于耐蚀刻性,计算由“蚀刻处理前的膜厚-蚀刻处理后的膜厚”求出的蚀刻速率(单位:nm/min),并基于下述基准进行了评价。
“A”:蚀刻速率小于50nm/min
“B”:蚀刻速率为50nm/min以上且小于100nm/min
“C”:蚀刻速率为100nm/min以上
将结果示于第3表。
[表6]
[表7]
[表8]
[表9]
根据第3表的结果,依实施例的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,作为掩模而用于被蚀刻物的蚀刻时,能够形成耐龟裂性及耐蚀刻性优异的图案。
另一方面,确认到比较例的感光化射线性或感放射线性树脂组合物显现不出所希望的效果。
根据实施例1~9、实施例11、实施例12及实施例14~84的对比,确认到当将形成重复单元A的单体制成均聚物时的Tg为30℃以下时,图案对真空处理的耐龟裂性进一步得到提高。
并且,根据实施例1~9、实施例11、实施例12及实施例14~84的对比,确认到当重复单元B的含量相对于树脂中的所有重复单元为15摩尔%以下时,图案对等离子体处理的耐龟裂性进一步得到提高。
并且,根据实施例1~9、实施例11、实施例12及实施例14~84的对比,确认到当树脂所具有的重复单元中的任意至少1种为具有芳香族环的重复单元,上述具有芳香族环的重复单元的含量相对于树脂中的所有重复单元为55摩尔%以上时,图案的耐蚀刻性进一步得到提高。
并且,根据实施例1及实施例35与实施例10的对比,确认到当含有通式(ZI-3)所表示的化合物作为光产酸剂时,图案对真空处理的耐龟裂性及图案对等离子体处理的耐龟裂性进一步得到提高。
并且,根据实施例13的结果,确认到本发明的感光化射线性或感放射线性树脂组合物即使在冲洗工序后未实施加热工序(Post Bake:后烘烤)的情况下,图案对真空处理的耐龟裂性及图案对等离子体处理的耐龟裂性也进一步得到提高。
Claims (10)
1.一种感光化射线性或感放射线性树脂组合物,其含有树脂且固体成分浓度为10质量%以上,该感光化射线性或感放射线性树脂组合物中,
所述树脂包含:
以制成均聚物时的玻璃化转变温度为50℃以下的单体为来源的重复单元即重复单元A;及
具有酸分解性基的重复单元即重复单元B,
所述重复单元A的含量相对于所述树脂中的所有重复单元为11摩尔%~35摩尔%,
所述重复单元B的含量相对于所述树脂中的所有重复单元为20摩尔%以下,
所述树脂还含有具有酚性羟基的重复单元D,所述重复单元D不具有酸分解性基,所述重复单元D的含量相对于所述树脂中的所有重复单元为50摩尔%以上,
所述树脂所具有的重复单元中的至少1种为具有芳香族环的重复单元,
所述重复单元A具有任选具有杂原子且碳原子数为2以上的非酸分解性链状烷基,
所述酸分解性基为将极性基的氢原子用-C(R36)(R37)(R38)所表示的基团取代后的基团,R36~R38均为甲基。
2.根据权利要求1所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,其中,
所述重复单元A是以制成均聚物时的玻璃化转变温度为30℃以下的单体为来源的重复单元。
3.根据权利要求1所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,其中,
所述重复单元A为以下通式(1)所表示的重复单元,
通式(1):
通式(1)中,R1表示氢原子、卤素原子或烷基;R2表示任选包含杂原子且碳原子数为2以上的非酸分解性链状烷基。
4.根据权利要求1或2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,其中,
所述重复单元A为以下通式(2)所表示的重复单元,
通式(2):
通式(2)中,R3表示氢原子、卤素原子或烷基;R4表示任选包含杂原子且具有羧基或羟基的非酸分解性烷基。
5.根据权利要求1或2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,其中,
所述树脂除了包含所述重复单元A及所述重复单元B以外,还包含具有羧基的重复单元C。
6.根据权利要求1或2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,其进一步含有以下通式(ZI-3)所表示的化合物或以下通式(ZI-4)所表示的化合物,
通式(ZI-3)中,R1表示烷基、环烷基、芳基或苄基;当R1具有环结构时,所述环结构任选包含氧原子、硫原子、酯键、酰胺键或碳-碳双键;
R2及R3各自独立地表示氢原子、烷基、环烷基、卤素原子、氰基或芳基;
Rx及Ry各自独立地表示烷基、环烷基、2-氧代烷基、烷氧羰基烷基、烯丙基或乙烯基;
另外,R2与R3任选相互键合而形成环;并且,R1与R2任选相互键合而形成环,所形成的环任选包含碳-碳双键;并且,Rx与Ry任选相互键合而形成环,所形成的环任选包含氧原子、硫原子、酯键、酰胺键或碳-碳双键;
Z-表示阴离子;
通式(ZI-4)中,R13表示氢原子、氟原子、羟基、烷基、环烷基、烷氧基、烷氧羰基或具有单环或多环的环烷基骨架的基团;
R14表示烷基、环烷基、烷氧基、烷基磺酰基、环烷基磺酰基、烷基羰基、烷氧羰基或具有单环或多环的环烷基骨架的烷氧基;当存在多个R14时,R14任选相同或不同;
R15各自独立地表示烷基、环烷基或萘基;R15任选相互键合而形成环;
l表示0~2的整数;
r表示0~8的整数;
Z-表示阴离子。
7.根据权利要求1或2所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物,其中,
所述具有芳香族环的重复单元相对于所述树脂中的所述所有重复单元为53摩尔%以上。
8.一种抗蚀剂膜,其由权利要求1至7中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成。
9.一种图案形成方法,其包括:
抗蚀剂膜形成工序,使用权利要求1至7中任一项所述的感光化射线性或感放射线性树脂组合物形成抗蚀剂膜;
曝光工序,对所述抗蚀剂膜进行曝光;及
显影工序,使用显影液对经曝光的所述抗蚀剂膜进行显影。
10.一种电子器件的制造方法,其包括权利要求9所述的图案形成方法。
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US20200356001A1 (en) * | 2019-05-10 | 2020-11-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photoresist compositions and methods of forming resist patterns with such compositions |
US11550220B2 (en) * | 2019-10-31 | 2023-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Negative tone photoresist for EUV lithography |
KR20210106233A (ko) * | 2020-02-20 | 2021-08-30 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 후막 레지스트막 형성용 레지스트 조성물, 후막 레지스트 적층체 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
CN112485964B (zh) * | 2020-11-27 | 2023-02-03 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种厚膜型248nm光刻胶组合物,其制备方法和涂覆基材 |
CN112485961B (zh) * | 2020-11-27 | 2022-10-21 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 厚膜型duv光刻胶组合物及其制备方法和应用 |
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CN112346301B (zh) * | 2020-11-27 | 2023-02-03 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | Duv厚膜光刻胶树脂及其制备方法和涂覆基材 |
CN112485960B (zh) * | 2020-11-27 | 2023-02-03 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 厚膜型光刻胶组合物及其制备方法和应用 |
CN112346300B (zh) * | 2020-11-27 | 2022-10-18 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | KrF厚膜光刻胶树脂、其制备方法和涂覆基材 |
CN112485962B (zh) * | 2020-11-27 | 2022-10-21 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | KrF厚膜型光刻胶组合物、其制备方法和涂覆基材 |
CN112485965B (zh) * | 2020-11-27 | 2023-02-03 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种厚膜型KrF光刻胶组合物,其制备方法及应用 |
TW202343138A (zh) * | 2022-03-01 | 2023-11-01 | 德商默克專利有限公司 | 離子植入厚膜阻劑組成物、使用其之加工基板之製造方法、及使用其之裝置之製造方法 |
WO2024048464A1 (ja) * | 2022-08-31 | 2024-03-07 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000026558A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-25 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 硬化性樹脂組成物及びそれを用いた防水材施工方法並びに樹脂コンクリート施工方法 |
JP2008191218A (ja) * | 2007-02-01 | 2008-08-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法 |
JP2009169085A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Jsr Corp | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
CN103477284A (zh) * | 2011-03-17 | 2013-12-25 | 李允炯 | 化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法 |
CN104350428A (zh) * | 2012-08-08 | 2015-02-11 | 富士胶片株式会社 | 图案形成方法以及各自使用所述图案形成方法的用于制备电子器件的方法和电子器件 |
CN106019830A (zh) * | 2015-03-31 | 2016-10-12 | 住友化学株式会社 | 抗蚀剂组合物及抗蚀图案的制造方法 |
WO2017057616A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 富士フイルム株式会社 | ドライフィルムレジスト、回路配線の製造方法、回路配線、入力装置および表示装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0539444A (ja) * | 1990-11-30 | 1993-02-19 | Hitachi Chem Co Ltd | ポジ型感光性アニオン電着塗料樹脂組成物、これを用いた電着塗装浴、電着塗装法及びプリント回路板の製造方法 |
JP3299215B2 (ja) | 1999-03-12 | 2002-07-08 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2000267286A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Shipley Co Llc | 新規のポリマーとそれを適用したフォトレジスト組成物 |
JP4370668B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2009-11-25 | Jsr株式会社 | メッキ造形物製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物およびメッキ造形物の製造方法 |
JP5650078B2 (ja) * | 2010-08-30 | 2015-01-07 | 富士フイルム株式会社 | 感光性樹脂組成物、オキシムスルホネート化合物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機el表示装置、及び、液晶表示装置 |
JP6059983B2 (ja) * | 2012-12-28 | 2017-01-11 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法 |
JP2014202969A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイス及びその製造方法 |
JP6667361B2 (ja) * | 2016-05-06 | 2020-03-18 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型感光性樹脂組成物 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000026558A (ja) * | 1998-07-07 | 2000-01-25 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 硬化性樹脂組成物及びそれを用いた防水材施工方法並びに樹脂コンクリート施工方法 |
JP2008191218A (ja) * | 2007-02-01 | 2008-08-21 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法 |
JP2009169085A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Jsr Corp | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
CN103477284A (zh) * | 2011-03-17 | 2013-12-25 | 李允炯 | 化学放大型正感光型有机绝缘膜组合物及利用该组合物的有机绝缘膜的形成方法 |
CN104350428A (zh) * | 2012-08-08 | 2015-02-11 | 富士胶片株式会社 | 图案形成方法以及各自使用所述图案形成方法的用于制备电子器件的方法和电子器件 |
CN106019830A (zh) * | 2015-03-31 | 2016-10-12 | 住友化学株式会社 | 抗蚀剂组合物及抗蚀图案的制造方法 |
WO2017057616A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 富士フイルム株式会社 | ドライフィルムレジスト、回路配線の製造方法、回路配線、入力装置および表示装置 |
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PB01 | Publication | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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