CN102543445B - 去耦合组件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种去耦合组件，包括：导线架以及至少一电容单元组。导线架包括：一阴极端子部，及位于阴极端子部的两端而彼此相对的至少两个阳极端子部，两个阳极端子部是利用导电线而彼此电性相连。电容单元组包含多个电容单元，该电容单元组的多个电容单元相互并联，多个电容单元是位于同一平面上排列且设置在导线架上，每一电容单元具有彼此相对的一阴极部与一阳极部，电容单元的阴极部电性连接到阴极端子部，电容单元的阳极部电性连接到阳极端子部，该电容单元组为多层时，所述电容单元组是以堆栈方式排列。
Description
技术领域
本发明涉及一种去耦合组件，且特别涉及一种滤波效能良好且制造工艺简单的去耦合组件。
背景技术
固态电解电容器具有小尺寸、大电容量、频率特性优越等优点，而可使用于中央处理器(CPU)的电源电路的去耦合(Decoupling)作用上。
一般而言，可在导线架上堆栈多个电容单元来形成具有高电容量的固态电解电容器。以三极式去耦合组件为例，可分为贯通型去耦合组件以及交互堆栈型去耦合组件。
所谓的贯通型去耦合组件是：导线架具有两个阳极端子部、及位于两个阳极端子部之间的阴极端子部。电容单元则使用贯通型电容单元，即栅金属层贯穿电容单元的内部而延伸出电容单元的两端。将多个贯通型电容单元直接堆栈于导线架上，使两端的栅金属层(即阳极部)电性连接到导线架两端的阳极端子部，且电容单元的阴极部电性连接到导线架的阴极端子部。
所谓的交互堆栈型去耦合组件是：导线架具有两个阳极端子部、及位于两个阳极端子部之间的阴极端子部。电容单元则使用片状型电容单元，每一片状电容单元具有彼此相对的一个阴极部与一个阳极部。电容单元堆栈于导线架上，且电容单元的堆栈方式是：以电容单元的阴极部为对称中心使片状电容单元交替堆栈、且阳极部以一左一右的方式而设置。并且，使阴极部与阴极端子部电性连接，阳极部与阳极端子部电性连接。
然而，上述的贯通型去耦合组件的贯通型电容的制作过程较为复杂，不利于降低贯通型去耦合组件的制作成本。再者，交互堆栈型去耦合组件的电容单元之堆栈方式容易造成堆栈错位，而使交互堆栈型去耦合组件的制作合格率较低。
发明内容
有鉴于此，为了解决上述问题，本发明的目的在于提供一种去耦合组件，制造工艺较为简单，且该去耦合组件的多个电容单元的堆栈方式相当容易。
本发明提出一种去耦合组件，包括：导线架以及至少一电容单元组。导线架包括：一阴极端子部，及位于阴极端子部的两端而彼此相对的至少两个阳极端子部，两个阳极端子部是利用导电线而彼此电性相连。电容单元组包含多个电容单元，该电容单元组的多个电容单元相互并联，多个电容单元是位于同一平面上排列且设置在导线架上，每一电容单元具有彼此相对的一阴极部与一阳极部，电容单元的阴极部电性连接到阴极端子部，电容单元的阳极部电性连接到阳极端子部，该电容单元组为多层时，所述电容单元组是以堆栈方式排列。
在本发明的一实施例中，上述的电容单元的数量为偶数。
在本发明的一实施例中，上述的去耦合组件还包括：多个导电间隙物，位于彼此堆栈的所述电容单元组的所述电容单元的所述阳极部之间。
在本发明的一实施例中，上述的阴极端子部具有一空隙，导电线设置于空隙中。
在本发明的一实施例中，上述的导电线为连续弯曲结构。
在本发明的一实施例中，上述的去耦合组件还包括一具有电感特性的组件，串联或并联于导电线。
在本发明的一实施例中，上述的阴极端子部还包括：一粗糙化结构，位于阴极端子部的表面。
在本发明的一实施例中，上述的去耦合组件还包括：一封装树脂，部分包覆所述电容单元以及导线架，封装树脂露出阴极端子部与阳极端子部的底面。
在本发明的一实施例中，上述的阴极端子部与阳极端子部还包括：一嵌接结构，设置于阴极端子部的边缘以及阳极端子部的边缘，且嵌接结构卡合于封装树脂中。
在本发明的一实施例中，上述的封装树脂完全包覆导电线、或露出部分导电线。
在本发明的一实施例中，上述的去耦合组件还包括：彼此相对的第一盖体以及第二盖体，第一盖体与第二盖体包覆多个电容单元，且第一盖体露出阴极端子部与阳极端子部的底面。
在本发明的一实施例中，上述的阴极端子部与阳极端子部还包括：一嵌接结构，设置于阴极端子部的边缘以及阳极端子部的边缘，且嵌接结构卡合于第一盖体。
在本发明的一实施例中，上述的去耦合组件还包括：至少一陶瓷电容，并联于阴极端子部与阳极端子部之间。
在本发明的一实施例中，上述的去耦合组件还包括：一电磁波阻隔板，覆盖于电容单元的上方。
在本发明的一实施例中，上述的电磁波阻隔板与电容单元为电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的每一电容单元包括：栅金属层、介电层、导电高分子层以及阴极导电层。介电层形成于栅金属层上。导电高分子层形成于介电层上。阴极导电层形成于导电高分子层上。
在本发明的一实施例中，上述的每一电容单元为钽质电容的电容单元，栅金属层为钽金属，介电层为钽氧化物，阴极导电层为碳胶-银胶混合物，其中，阳极部至少包括一延伸导电线，电性连接于阳极端子部。
在本发明的一实施例中，上述的去耦合组件还包括：一绝缘层，设置于导电线上方，绝缘层使阴极端子部与阳极端子部彼此电性绝缘。
在本发明的一实施例中，上述的多个电容单元于一设定方向上排列，且相邻两个电容单元的阳极部以预定的间隔数D而彼此交错设置，D大于等于1。
在本发明的一实施例中，上述的阴极端子部与阳极端子部包括：多个端子结构，这些端子结构彼此相邻排列，且相邻的电容单元的阳极部与阴极部是交替排列。
基于上述，本发明的去耦合组件采用多个电容单元在同一平面排列且彼此并联的方式，来进行电容单元于导线架上的堆栈。如此一来，可有效降低等效串联电阻、且制造工艺非常简单。另外，本发明的去耦合组件可设计导线架与电容单元的排列方式以形成多端子结构，以降低等效串联电感。再者，利用于去耦合组件的两个阳极部之间形成的传输线结构，传输线结构在高频运作时可产生电感、而电感与电容会形成等效滤波电路。
为让本发明之上述特征和优点能还明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1A～图1C为本发明实施例的一种去耦合组件的导线架与电容单元的示意图；
图2A与图2B分别为本发明实施例的一种去耦合组件及其等效电路的示意图，其中，在同一平面上排列的电容单元设置于导线架上；
图3为本发明实施例的另一种去耦合组件的示意图；
图4为本发明实施例的又一种去耦合组件的剖面示意图，图4的剖面是由图2A的B-B’线方向来观看而得；
图5为本发明另一实施例的去耦合组件的示意图，其中省略了电容单元。
图6为本发明又一实施例的去耦合组件的示意图，其中省略了电容单元；
图7为本发明再一实施例的去耦合组件的剖面示意图；
图8为由图7的底面来观看该去耦合组件的示意图；
图9A～图9C分别为沿着图8中的C-C’线、D-D’线与E-E’线的剖面示意图，图9A～图9C中省略电容单元的绘示；
图10为本发明实施例的再一种去耦合组件的示意图；
图11为本发明实施例的又一种去耦合组件的示意图；
图12为本发明又一实施例的去耦合组件的剖面示意图；
图13A为本发明再一实施例的去耦合组件的电容单元的示意图；
图13B为电容单元在同一平面上设置于导线架上的示意图；
图13C为沿着图13A的F-F’线的剖面示意图；
图14为图3的去耦合组件的多个电容单元在同一平面的排列方式的示意图；
图15A与图15B为本发明实施例的另两种多个电容单元在同一平面的排列方式的示意图；
图16A～图16C为本发明实施例的又一种具有多端子结构的去耦合组件的示意图，其中，图16A为去耦合组件的导线架的示意图，图16B为多个电容单元于同一平面上排列于导线架的示意图，图16C为从底面观看该去耦合组件的示意图；
图17A～图17C为本发明实施例的再一种具有多端子结构的去耦合组件的示意图，其中，图17A为去耦合组件的导线架的示意图，图17B为多个电容单元于同一平面上排列于导线架的示意图，图17C为从底面观看该去耦合组件的示意图；
图18为本发明一实施例的去耦合组件与市售两种去耦合组件之滤波效能曲线比较图；
附图标识
100、101～107b：去耦合组件 108a～108b、109a～109b：去耦合组件
110：导线架 112：阴极端子部 112a、112b：子阴极端子部
114a、114b：阳极端子部 116、116a：导电线
118：粗糙化结构 120：电容单元
120a：栅金属层 120b：介电层 120c：导电高分子层
120d：阴极导电层 122：阴极部 124：阳极部 126：绝缘部
130：绝缘层 140：导电胶 150：具有电感特性的组件
160：封装树脂 160a：第一盖体 160a1：第一盖体的延伸部
160b：第二盖体 170：嵌接结构 180：陶瓷电容
190：电磁波阻隔板 210～230：曲线 BS：底面
CU1：第一电容单元组 CU2：第二电容单元组
CU3：第三电容单元组 CU4：第四电容单元组
C：电容 D：间隔数 DL：长度方向 DW：宽度方向
L：电感 P：电流传输距离 S：空隙 T1～T10：端子结构
具体实施方式
本发明提出的一种去耦合组件，包括：导线架以及至少一电容单元组。导线架包括：一阴极端子部，及位于阴极端子部的两端而彼此相对的至少两个阳极端子部，两个阳极端子部是利用导电线而彼此电性相连。电容单元组包含多个电容单元，该电容单元组的多个电容单元相互并联，多个电容单元是位于同一平面上排列且设置在导线架上，每一电容单元具有彼此相对的一阴极部与一阳极部，电容单元的阴极部电性连接到阴极端子部，电容单元的阳极部电性连接到阳极端子部，该电容单元组为多层时，所述电容单元组是以堆栈方式排列。
本发明的去耦合组件采用多个电容单元在同一平面排列且彼此并联的方式，制造工艺简单、且可降低等效串联电阻(ESR)。
另外，电容单元采用具有阴极部与阳极部的片状单元电极，非采用贯通型单元电极，制造工艺较为简单。再者，导线架的至少两个阳极端子部是彼此连通而形成传输线结构，此传输线结构在高频状态下会形成电感而可与电容单元的电容形成滤波器。再者，导线架可具有多端子结构，且使相邻端子之间的电流传输距离缩短，以降低等效串联电感(ESL)。以下将举出数个实施例来进一步说明本发明的技术内容。
图1A～图1C为本发明实施例的一种去耦合组件的导线架与电容单元的示意图。图2A与图2B分别为本发明实施例的一种去耦合组件及其等效电路的示意图，其中，在同一平面上排列的电容单元设置于导线架上。请同时参照图1A～图1C、图2A～图2B，去耦合组件100包括：导线架110以及多个电容单元120。导线架110包括：一阴极端子部112，及位于阴极端子部112的两端而彼此相对的至少两个阳极端子部114a、114b，两个阳极端子部114a、114b是利用导电线116而彼此电性相连。电容单元120设置在导线架110上，每一电容单元120具有彼此相对的一阴极部122与一阳极部124；其中，这些电容单元120于同一平面上以N个一组(图2中的N等于2)的方式排列成第一电容单元组CU1，此第一电容单元组CU1的这些电容单元120相互并联，且N大于等于2。电容单元120的数量可为偶数。电容单元120的阴极部122电性连接到阴极端子部112，电容单元120的阳极部124电性连接到阳极端子部114a、114b。
请继续参照图1A，阴极端子部112可具有一空隙S，导电线116设置于空隙S中。更详细而言，空隙S可将阴极端子部112划分成两个子阴极端子部112a、112b(sub cathode terminal portion)，而使导电线116位于两个子阴极端子部112a、112b之间的空隙S中。如此一来，导线架110的阴极端子部112、阳极端子部114a、114b与导电线116可位于同一平面中，而可确保多个电容单元120的阴极部112与阳极部114a、114b能够位于导线架110的同一个平面上。结果是，能够提升后续多个电容单元120彼此电性连接的合格率。
另外，阴极端子部112还包括：一粗糙化结构118，位于阴极端子部112的表面。该粗糙化结构118可提升电容单元120与阴极端子部112之间的接着效果。该粗糙化结构118可利用对于阴极端子部112进行模压制造工艺而形成。再者，去耦合组件100还包括：绝缘层130，设置于导电线116上方，绝缘层130使阴极端子部112与阳极端子部114a、114b彼此电性绝缘。通常，绝缘层130可使用绝缘胶带贴附在导线架110的适当位置上。
请参照图1B与图1C，电容单元120可为片状电容单元，在相相对的两端各自具有一个阴极部122与一个阳极部124。从电容单元120的A-A’剖面线可见到电容单元120的内部结构，即，电容单元120可包括：栅金属层120a、介电层120b、导电高分子层120c以及阴极导电层120d。介电层120b形成于栅金属层120a上。导电高分子层120c形成于介电层120b上。阴极导电层120d形成于导电高分子层120c上。另外，在电容单元120中，还可在阴极部122与阳极部124之间设置一绝缘部126，以隔绝阴极部122与阳极部124。
请参照图2A，在去耦合组件100中，多个电容单元120于同一平面上以N个(图2中N等于2)一组的方式排列成第一电容单元组CU1，且电容单元120彼此之间为并联。可注意到，第一电容单元组CU1中的两个电容单元120是排列于同一平面上、而没有彼此堆栈。在本发明中，所谓“同一平面”的意义是：第一电容单元组CU1中的每一个电容单元120以排列于同一层。
由图2A可见到，位于图2A的图面之上方及下方的两个电容单元120，各自的阴极部122是彼此相邻的、而各自的阳极部124是彼此远离的。阴极部122可几乎覆盖阴极端子部112的所有面积以达到良好的电性连接效果。
承上述，去耦合组件100采用多个电容单元120在同一平面排列且彼此并联的方式，制造工艺相当简单、且可有效地降低等效串联电阻(ESR)。
特别是，如图2B的等效电路图所示，导电线116所构成的传输线结构在高频运作的状态下会产生电感L，而此电感L与两个电容单元120的电容C之间会形成CLC电路，即所谓的π型滤波器。如此一来，可以有效地去除高频运作时的电子噪声。
图3为本发明实施例的另一种去耦合组件的示意图。请参照图3，去耦合组件101与图2A所示的去耦合组件100类似，相同的组件标示以相同的符号。值得注意的是，这些电容单元120于同一平面上以N个一组(图3中的N等于4)的方式排列成第一电容单元组CU1，且此第一电容单元组CU1的这些电容单元120相互并联。如此，可以于导线架110上以同一平面排列的方式，任意排列适当数量的电容单元120，而得到所需要的电容数值的去耦合组件。由于在同一平面上排列多个电容单元120的方式相当简单，所以可提升制造工艺的效率。
图4为本发明实施例的又一种去耦合组件的剖面示意图，图4的剖面是由图2A的B-B’线方向来观看而得。请参照图4，该电容单元组为多层时，所述电容单元组是以堆栈方式排列。更详细而言，在此去耦合组件102中，电容单元120还可于同一平面上以N个一组的方式排列成一第二电容单元组CU2，此第二电容单元组CU2的这些电容单元120相互并联，且第二电容单元组CU2堆栈于第一电容单元组CU1上。也就是说，可以在导线架110的平面的法线方向上堆栈多组上述的电容单元组，且电容单元组的堆栈数量是可选择的。如图4所示，电容单元组CU2～CU4可彼此堆栈于第一电容单元组CU1的上方，即，总共堆栈四组电容单元组CU1～CU4，以得到大电容量的去耦合组件102。
请再参照图4，电容单元120彼此之间可利用导电胶140来进行电性连接。并且，可注意到，导电胶140可配合阴极端子部112a上的粗糙化结构118，而使电容单元120与阴极端子部112a形成良好的接着。
另外，还可根据设计需要、来调控导电线116所构成的电感值的大小。图5为本发明另一实施例的去耦合组件的示意图，其中省略了电容单元。请参照图5，此去耦合组件103中，导电线116a可为连续弯曲结构。此连续弯曲结构的导电线116a可以是利用冲压或蚀刻等方式来形成。连续弯曲结构可以是利用正弦波(sin波)、方波、锯齿状等可增加导电线116的总长度的形状，藉此，可调整导电线116a的总长度与面积，进而调控在高频运作下的去耦合组件103的电感值。
图6为本发明又一实施例的去耦合组件的示意图，其中省略了电容单元。请参照图6，此去耦合组件104可还包括一具有电感特性的组件150，串联或并联于导电线116。此具有电感特性的组件150例如是芯片电感。藉此，可调控在高频运作下的去耦合组件104的电感值。
图7为本发明再一实施例的去耦合组件的剖面示意图。请参照图7，此去耦合组件105可还包括：一封装树脂160，部分包覆这些电容单元120以及导线架110，封装树脂160露出阴极端子部112a与阳极端子部114a、114b的底面BS。藉由封装树脂160可将电容单元120与导线架110整合为一个组件，并可隔绝外界的空气、水气等。
图8为由图7的底面来观看该去耦合组件的示意图。图9A～图9C分别为沿着图8中的C-C’线、D-D’线与E-E’线的剖面示意图，图9A～图9C中省略电容单元的绘示。请同时参照图7、图8、图9A～图9C，在去耦合组件105中，子阴极端子部112a、112b与阳极端子部114a、114b可还包括：一嵌接结构170，设置于子阴极端子部112a、112b的边缘以及阳极端子部114a、114b的边缘，且嵌接结构170卡合于封装树脂160中。此嵌接结构170可使导线架110更稳固地固定于封装树脂160中，增加封装树脂对于导线架110与电容单元120的包覆效果与稳定性。嵌合结构170例如是对于阴极端子部112a、112b的边缘以及阳极端子部114a、114b的边缘进行押压而形成。
另外，可注意到，如图9C所示，封装树脂160可完全包覆导电线116。然而，在另外的实施例中，封装树脂也可露出部分导电线116(未绘示)。在封装树脂160露出部分的导电线116的实施例中，可以轻易地利用如图6所示的技术，于露出的导电线116上设置具有电感特性的组件150来进行电感调控。
图10为本发明实施例的再一种去耦合组件的示意图。请参照图10，此去耦合组件106还包括：至少一陶瓷电容180(图10中绘示4个)，并联于阴极端子部112a、112b与阳极端子部114a、114b之间。利用额外地并联陶瓷电容180，则可根据设计需要而调控去耦合组件106的电容量。
图11为本发明实施例的又一种去耦合组件的示意图。请参照图11，图11的去耦合组件107类似于图4的去耦合组件102。值得注意的是，去耦合组件107还包括：一电磁波阻隔板190，覆盖于电容单元120的上方。利用电磁波阻隔板190可隔绝外界电磁波对于去耦合组件107的电磁波干扰。电磁波阻隔板190可以是金属板。
请再参照图11，电磁波阻隔板190可以是遮蔽型(反射型)、吸收型、或是结合遮蔽型与吸收型的多层型复合结构，例如：可利用金属材料、导电高分子材料、磁性金属氧化物、纳米级复合材料等来制作，以隔绝外界电磁波对于去耦合组件107的干扰。电磁波阻隔板190也可以阻隔去耦合组件107内部电源信号传输所产生的电磁波，以避免该电磁波干扰位于去耦合组件107外部的主动组件(未绘示)。如图11所示，电磁波阻隔板190亦可经由导电胶140与电容单元120的阴极部122电性连接而接地。然而，在另外的实施例中，电磁波阻隔板190也可不与电容单元120的阴极部122电性连接。
图12为本发明又一实施例的去耦合组件的剖面示意图。也可利用两个盖体来包覆多个电容单元120。请参照图12，此去耦合组件107a可还包括：彼此相对的第一盖体160a以及第二盖体160b，第一盖体160a与第二盖体160b包覆多个电容单元120，且第一盖体160a露出阴极端子部112a、与阳极端子部114a、114b的底面。
另外，阴极端子部112a与阳极端子部114a、114b可还包括：嵌接结构170，设置于阴极端子部112a的边缘以及阳极端子部114a、114b的边缘，且嵌接结构170卡合于第一盖体160a。结果是，可利用嵌接结构170与第一盖体160a的结合，使整个去耦合组件107a的结构更为稳固。再者，第一盖体160a会多出在导线架110四周的延伸部160a1。在堆栈完多个电容单元120后，将第二盖体160b组装到第一盖体160a上。
图13A为本发明再一实施例的去耦合组件的电容单元的示意图。图13B为电容单元在同一平面上设置于导线架上的示意图。图13C为沿着图13A的F-F’线的剖面示意图。请共同参照图13A～图13C，此去耦合组件107b与图1A～图1C、图2A的去耦合组件100类似，相同的组件标示以相同的符号。值得注意的是，每一电容单元120为钽质电容的电容单元，栅金属层120a为钽金属，介电层120b为钽氧化物，阴极导电层120d为碳胶-银胶混合物。阳极部124至少包括一延伸导电线，电性连接于该阳极端子部114a。
更详细而言，每一电容单元120的阳极部124可形成为至少一条延伸导电线(图13B绘示两条)。然而，每一电容单元120的阳极部124可形成为两条以上的延伸导电线，有利于缩短导电路径。
再者，请参照图13C，使用钽质电容作为电容单元时，彼此堆栈的阳极部124之间会有高度差产生。因此，去耦合组件107b还可包括多个导电间隙物SP，位于彼此堆栈的电容单元组CU1、CU2的电容单元120的阳极部124之间，以补偿高度差。
上述的去耦合组件100～107b采用的是多端子的结构，能够缩短相邻端子之间的电流传输距离，进而降低等效串联电感(ESL)。以下，将举出几个实施例来更进一步说明能够有效降低等效串联电感(ESL)的去耦合组件的结构。
图14为图3的去耦合组件的多个电容单元在同一平面的排列方式的示意图。图15A与图15B为本发明实施例的另两种多个电容单元在同一平面的排列方式的示意图。请先参照图14，电容单元120的阴极部122是在长度方向DL上彼此相邻设置，且电容单元120的阳极部124是在宽度方向DW上彼此相邻设置。由图12可看出，在多个端子之间形成一电流传输距离P，即，在阳极部124与阴极部122之间具有该电流传输距离P。
请再参照图15A与图15B，多个电容单元120于一设定方向(即宽度方向DW)上排列，且相邻两个电容单元120的阳极部124以预定的间隔数D而彼此交错设置，D大于等于1。
比较图14、图15A与图15B，在图15A与图15B中，反而长度较长的一侧被视为宽度方向DW，长度较短的一侧被视为长度方向DL，即，图15A与图15B是“逆转型”的去耦合组件。
详细而言，在图15A的去耦合组件108a中，从左方算起第一个电容单元120的阳极部124是朝向下方，从左方算起第二个、第三个的电容单元120的阳极部124是朝向上方，从左方算起第四个的电容单元120的阳极部124是朝向下方；也就是说，每隔两个(间隔数D等于2)阳极部124，阳极部124就会改变朝向(往上方或往下方)而彼此交错设置。特别是，图15A的电流传输路径P相对于图12的电流传输路径P是较短的，且较短的电流传输路径P可产生降低等效串联电感(ESL)的效果。
同样地，在图15B的去耦合组件108b中，从左方算起，电容单元120的阳极部124是每隔一个(间隔数D等于1)就改变朝向，即，从左边算起，电容单元120的阳极部122分别朝向下方、上方、下方与上方。如此一来，图15B的去耦合组件108b除了可缩短电流传输路径P之外，相对于图15A的去耦合组件108a之部分电容单元(图15A中间的两个电容单元120)之间没有电流传输的情形，图15B的去耦合组件108b可使相邻的电容单元120之间全部都进行电流传输作用。
由上述可知，图15A与图15B的“逆转型”去耦合组件108a、108b可以进一步缩短电流传输路径P，进而再降低等效串联电感。
图16A～图16C为本发明实施例的又一种具有多端子结构的去耦合组件的示意图，其中，图16A为去耦合组件的导线架的示意图，图16B为多个电容单元于同一平面上排列于导线架的示意图，图16C为从底面观看该去耦合组件的示意图。
可参照图16A～图16C来理解此去耦合组件109a的结构。如图16A所示，导线架110包括：阴极端子部112，及位于阴极端子部112的两端而彼此相对的至少两个阳极端子部114a、114b，两个阳极端子部114a、114b是利用导电线116而彼此电性相连。可注意到，阴极端子部112与两个阳极端子部114a、114b可构成八端子结构T1～T8，且两者之间利用绝缘层130使阴极端子部112与阳极端子部114a、114b彼此电性绝缘。
如图16B所示，多个电容单元120于于同一平面上以4个一组的方式排列成电容单元组，而构成具有八个端子结构T1～T8的去耦合组件109a。更详细而言，在图16A～图16C的实施例中，阴极端子部112与阳极端子部114a、114b包括：多个端子结构T1～T8，这些端子结构T1～T8彼此相邻排列，且相邻的电容单元120的阳极部114a、114b与阴极部112是交替排列。
如图16C所示，由于端子结构T1～T8的数量增加，两个相邻的端子结构之间的电流传输路径P可缩短，可降低等效串联电感(ESL)。
图17A～图17C为本发明实施例的再一种具有多端子结构的去耦合组件的示意图，其中，图17A为去耦合组件的导线架的示意图，图17B为多个电容单元于同一平面上排列于导线架的示意图，图17C为从底面观看该去耦合组件的示意图。
图17A～图17C的去耦合组件109b与图16A～图16C的去耦合组件109a类似，相同的组件标示以相同的符号。值得注意的是，图17A～图17C利用导线架110与多个电容单元120的排列方式，形成了十个端子结构T1～T10。由于端子结构T1～T10进一步增加数量，两个相邻的端子结构之间的电流传输路径P可进一步缩短，可更好地降低等效串联电感(ESL)。
图18为本发明一实施例的去耦合组件与市售两种去耦合组件之滤波效能曲线比较图。
在本发明实施例的去耦合组件是利用4个一组的电容单元120在同一平面进行排列(如图3所示的排列方式)且堆栈了4层，此去耦合组件的等效串联电阻在100KHz时为1mΩ，以曲线230来表示。现有的贯通型去耦合组件以曲线210来表示。现有的交互堆栈型去耦合组件以曲线220来表示。图18的纵轴为穿透信号/入射信号的比值；横轴为去耦合组件的运作频率。
请参照图18，可见到贯通型去耦合组件(曲线210)在高频率(100MHz以上)时，滤波效能明显变差(曲线210往上递增)；然而，本发明实施例的去耦合组件(曲线230)在高频率(100MHz)时仍有极佳的滤波效能(曲线210往下降)；即，在高频率(100MHz以上)时，本发明的实施例的去耦合组件的(穿透信号/入射信号)的比值相较于贯通型去耦合组件的比值是较低的。
另外，比较本发明实施例的去耦合组件(曲线230)与交互堆栈型去耦合组件(曲线220)在高频率(100MHz以上)时的滤波效能，也可明显见到本发明实施例的去耦合组件(曲线230)的滤波效能较佳。
综上所述，本发明的去耦合组件至少具有以下优点：
去耦合组件采用多个电容单元在同一平面排列且彼此并联的方式，来进行电容单元于导线架上的堆栈。此堆栈方式相当简单、且可有效地降低等效串联电阻。另外，去耦合组件可对于导线架与电容单元的排列方式进行设计以形成多端子结构，如此一来，可缩短多个端子之间的电流传输路径，进而降低等效串联电感。再者，可利用于去耦合组件的两个阳极部之间形成的传输线结构。此传输线结构在高频运作时可产生电感，且电感与电容会形成等效滤波电路，而进一步使去耦合组件具有滤波效应。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作一些修改与改善，故本发明的保护范围以权利要求书为准。
Claims (19)
1.一种去耦合组件，其特征在于，包括：
一导线架，包括：一阴极端子部，及位于该阴极端子部的两端而彼此相对的至少两个阳极端子部，该两个阳极端子部是利用一导电线而彼此电性相连；以及
至少一电容单元组，包含多个电容单元，该电容单元组的所述电容单元相互并联，其中所述电容单元是位于同一平面上排列且设置在该导线架上，每一所述电容单元具有彼此相对的一阴极部与一阳极部，该阴极端子部与所述阳极端子部包括：
多个端子结构，所述端子结构彼此相邻排列，且相邻的所述电容单元的该阳极部与该阴极部是交替排列；
所述电容单元的阴极部电性连接到该阴极端子部，所述电容单元的阳极部电性连接到该阳极端子部，
所述电容单元组为多层时，所述电容单元组是以堆栈方式排列。
2.如权利要求1所述的去耦合组件，其特征在于，所述电容单元的数量为偶数。
3.如权利要求1所述的去耦合组件，其特征在于，还包括：多个导电间隙物，位于彼此堆栈的所述电容单元组的所述电容单元的所述阳极部之间。
4.如权利要求1所述的去耦合组件，其特征在于，该阴极端子部具有一空隙，且该导电线设置于该空隙中。
5.如权利要求1所述的去耦合组件，其特征在于，该导电线为连续弯曲结构。
6.如权利要求1所述的去耦合组件，其特征在于，还包括一具有电感特性的组件，串联或并联于该导电线。
7.如权利要求1所述的去耦合组件，其特征在于，该阴极端子部还包括：一粗糙化结构，位于该阴极端子部的表面。
8.如权利要求1所述的去耦合组件，其特征在于，还包括：一封装树脂，部分包覆所述电容单元以及该导线架，该封装树脂露出该阴极端子部与所述阳极端子部的底面。
9.如权利要求8所述的去耦合组件，其特征在于，该阴极端子部与所述阳极端子部还包括：一嵌接结构，设置于该阴极端子部的边缘以及所述阳极端子部的边缘，且该嵌接结构卡合于该封装树脂中。
10.如权利要求8所述的去耦合组件，其特征在于，该封装树脂完全包覆该导电线、或露出部分该导电线。
11.如权利要求1所述的去耦合组件，其特征在于，还包括：彼此相对的一第一盖体以及一第二盖体，该第一盖体与该第二盖体包覆所述电容单元，且该第一盖体露出该阴极端子部与所述阳极端子部的底面。
12.如权利要求11所述的去耦合组件，其特征在于，该阴极端子部与所述阳极端子部还包括：一嵌接结构，设置于该阴极端子部的边缘以及所述阳极端子部的边缘，且该嵌接结构卡合于该第一盖体。
13.如权利要求1所述的去耦合组件，其特征在于，还包括：至少一陶瓷电容，并联于该阴极端子部与所述阳极端子部之间。
14.如权利要求1所述的去耦合组件，其特征在于，还包括：一电磁波阻隔板，覆盖于所述电容单元的上方。
15.如权利要求14所述的去耦合组件，其特征在于，该电磁波阻隔板与所述电容单元为电性连接。
16.如权利要求1所述的去耦合组件，其特征在于，每一所述电容单元包括：
一栅金属层；
一介电层，形成于该栅金属层上；
一导电高分子层，形成于该介电层上；以及
一阴极导电层，形成于该导电高分子层上。
17.如权利要求16所述的去耦合组件，其特征在于，每一所述电容单元为钽质电容的电容单元，
该栅金属层为钽金属，该介电层为钽氧化物，该阴极导电层为碳胶-银胶混合物，
其中，该阳极部至少包括一延伸导电线，电性连接于该阳极端子部。
18.如权利要求1所述的去耦合组件，其特征在于，还包括：一绝缘层，设置于该导电线上方，该绝缘层使该阴极端子部与所述阳极端子部彼此电性绝缘。
19.如权利要求1所述的去耦合组件，其特征在于，所述电容单元于一设定方向上排列，且相邻两电容单元的所述阳极部以预定的间隔数D而彼此交错设置，D大于等于1。
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