CN102446773B - 用于tab封装的承载带及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及用于制造TAB带的方法。该方法包括在基膜上形成具有输入/输出端子图案的电路图案区域，以及在具有扣齿孔的传送区域上形成暴露区域用于暴露基膜。因此，本发明提供一种TAB带，该TAB带通过基本上防止金属颗粒的产生而提高了产品的可靠性，所述防止金属微粒的产生通过选择性地刻蚀和去除形成在TAB带两侧上且具有扣齿孔的传送区域的金属层来形成暴露基膜的暴露区域来实现，而且，该TAB带通过在其上没有形成电路图案的预定区域上通过刻蚀部分地去除基膜而防止了短路。

Description

用于TAB封装的承载带及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种带式自动接合(TAB)带及其制造方法。

背景技术

已介绍许多用于半导体封装的技术。其中，带式自动接合(TAB)技术作为利用内部引线接合(ILB)技术的芯片安装方法已经受到关注。TAB技术是一种用于以卷到卷的方式连续地处理封装装配过程的技术。一般地，利用TAB技术制造的封装被称为TAB封装。

图1是示出用于典型的TAB封装的TAB带的图示。

如图所示，TAB带包括金属镀覆层S，金属镀覆层S在其上形成有扣齿孔29的区域S处曝光。这种金属镀覆层实质上通过在形成电路图案的处理过程中在绝缘膜上执行金属镀覆处理而由Cu层或Cu+Sn层形成。在形成电路图案之后，Cu金属层围绕扣齿孔形成，由此暴露金属层。

如上所述，典型TAB封装的TAB带包括在基膜的一侧上的导电金属层，比如Cu层或Cu+Sn层。因此，当驱动显示装置时，刮擦实质上形成在Cu层或Cu+Sn层的表面上。这种刮擦由于会产生或散步杂质而引起缺陷。特别地，当组装面板和驱动IC时，Cu块会流出。由于这种缺陷的增加，可能导致面板制造工艺的可预见性及其可靠性降低。

发明内容

因此，本发明的一方面是至少解决背景技术的问题和缺点。在本发明的实施方式中，在扣齿孔周围，在组装驱动器IC、芯片/驱动IC和面板的处理过程中通过驱动滚筒产生摩擦的地方，不形成Cu层或金属层。因此，不产生杂质，比如铜颗粒。另外，暴露基膜的区域的厚度比不暴露基膜的区域的厚度厚。因此，消除了引起短路的因素，能够制造可靠的TAB带。

根据本发明的一方面，一种用于制造带式自动接合带的方法，包括：在基膜上形成包括输入/输出端子图案的电路图案区域；在传送区域上形成用于暴露所述基膜的表面的暴露区域，其中，所述传送区域包括形成在所述基膜上的扣齿孔。

形成电路图案区域可包括：在所述基膜上堆叠种子金属层或导电金属层；以及通过选择性地刻蚀所述导电金属层形成电路图案。

形成电路图案区域还可包括：在通过选择性地刻蚀形成电路图案之后，从所述传送区域中其上没有形成所述电路图案的区域上去除所述种子金属层。

在去除所述种子金属层中，可通过刻蚀溶液去除所述种子金属层，所述刻蚀溶液包括Ni或Cr成分。

在形成电路图案区域和形成暴露区域中，可通过涂覆光刻胶以及利用具有预定图案的光掩模选择性地去除所述电路图案和所述传送区域进行曝光处理，同时形成用于暴露所述基膜的暴露区域。

在暴露表面时，所述种子金属层和所述导电金属层被刻蚀，以在所述传送区域中在所述扣齿孔的外侧上形成金属图案。

该方法还可包括：在形成电路图案区域和形成暴露区域之后，部分地刻蚀所述基膜的暴露的表面。

基膜可以是聚酰亚胺膜。

该方法还可包括：利用Cu、Ni、Pd、Au、Sn、Ag、Co及其组合物执行表面活化处理，用于在所述电路图案上形成单个镀覆处理层或多层镀覆处理层。

根据本发明的另一方面，一种带式自动接合带，包括：电路图案区域，所述电路图案区域包括形成在基膜上的输入/输出端子图案；以及传送区域，所述传送区域包括形成在所述基膜的两侧上的扣齿孔，其中，所述传送区域包括用于暴露所述基膜的暴露区域。

暴露所述基膜的区域的厚度或暴露所述传送区域的区域的厚度可以比没有暴露所述基膜的区域薄。

在所述电路图案与所述基膜之间可布置包括Ni或Cr的种子金属层。

TAB带还可包括：利用Cu、Ni、Pd、Au、Sn、Ag、Co及其组合物形成在所述电路图案上的镀覆处理层，所述镀覆处理层形成为单个镀覆处理层或多层镀覆处理层。

在所述传送区域上的所述暴露区域还可包括形成在所述扣齿孔的外侧上的金属图案。

金属镀覆层图案可邻接扣齿孔。

金属镀覆层图案可与扣齿孔分离。

所述图案区域可包括至少一个与所述扣齿孔隔开的线型金属图案。

附图说明

参考以下附图详细地说明本发明，其中，相同数字指代相同元件。

图1是示出典型TAB带封装的示图。

图2是示出根据本发明的示范性实施方式的TAB带的示图。

图3和4是示出根据本发明的示范性实施方式的用于制造TAB带的方法的示图。

图5是根据本发明的示范性实施方式的TAB带的横截面图。

图6是根据本发明的另一个示范性实施方式的TAB带的横截面图。

图7是根据本发明的示范性实施方式的TAB带的传送区域的放大图。

图8是示出在根据本发明的实施方式的TAB带的传送区域中产生的杂质的图片。

具体实施方式

下面将参照附图以更详细的方式说明本发明的优选实施方式。

本发明的目的是提供一种TAB带，该TAB带通过基本上防止金属颗粒的产生而提高了产品的可靠性，所述防止金属微粒的产生通过选择性地刻蚀和去除形成在TAB带两侧上且具有扣齿孔的传送区域的金属层来形成暴露基膜的暴露区域来实现，而且，该TAB带通过在其上没有形成电路图案的预定区域上通过刻蚀部分地去除基膜而防止了短路。

为了防止金属颗粒和短路的发生，根据示范性实施方式的用于制造TAB带的方法包括在基膜上形成具有输入/输出端子图案的电路图案区域，以及在具有扣齿孔的传送区域上形成暴露区域用于暴露基膜。

通过根据本发明的示范性实施方式的制造方法制造的TAB带包括：电路图案区域，所述电路图案区域包括形成在基膜上的输入/输出端子图案；以及传送区域，所述传送区域包括形成在所述基膜的两侧上的扣齿孔。所述传送区域包括用于暴露所述基膜的暴露区域。在该情况下，暴露所述基膜的区域的厚度或暴露所述传送区域的区域的厚度比没有暴露所述基膜的区域薄。

在下文中，将参照示出本发明的示范性实施方式的附图更完全地说明本发明。附图和说明书将被视为实质上为说明性的而非限制性的。相同的附图标记在整个说明书中指示相同的元件。

图2是示意性地示出根据本发明的示范性实施方式的TAB带的示图。图2示出TAB带的大致构造。特别地，TAB带包括具有扣齿孔150的传送区域x。根据本示范性实施方式的TAB带可用于TCP结构和COF结构。特别地，将对用于COF封装的根据本示范性实施方式的TAB带进行说明。

根据本示范性实施方式的TAB带包括输出电路图案130、输入电路图案140、安装芯片的内部引线区域120以及具有扣齿孔150用于通过滚筒进行传送处理的传送区域x。

就形成传送区域的层来说，根据本示范性实施方式的传送区域x与典型传送区域存在显著的不同。根据本示范性实施方式的传送区域x包括暴露基膜的区域。即，根据本示范性实施方式的传送区域x包括不形成Cu金属图案层或Sn金属图案层的区域。因此，杂质问题明显减少。

图3和4是示出根据本发明的示范性实施方式的用于制造TAB带的方法的示图。如图所示，根据本示范性实施方式的用于制造TAB带的方法包括，在基膜上形成具有输入/输出端子图案的电路图案区域，以及在具有形成在基膜的外侧上的扣齿孔的传送区域上形成暴露基膜表面的暴露区域。

1.第一实施方式

(1)形成传送周期的电路图案和暴露区域

参照图4，在基膜110上形成种子金属层111或导电金属层112。在步骤S1，使种子金属层111或导电金属层110形成至传送区域x。传送区域x包括扣齿孔H。扣齿孔H通过机械冲孔加工形成。基膜110可以是聚酰亚胺膜、聚酰胺膜、聚酯、聚亚苯硫化物(PPS)、聚酯酰胺或液晶聚合物。特别地，绝缘膜，比如聚酰亚胺膜，用作本发明的示范性实施方式中的基膜。绝缘膜，比如聚酰亚胺膜，不容易由于在形成种子金属层时产生的热而变形。另外，绝缘膜，比如聚酰亚胺膜，具有耐酸性和耐碱性。因此，绝缘膜不会被用于刻蚀的刻蚀溶液或用于清洗的碱溶液侵蚀掉。另外，绝缘膜具有耐热性能。因此，绝缘膜不容易由于在形成种子金属层时产生的热而变形。

在本发明的示范性实施方式中，种子金属层形成在基膜上。但是，由于种子金属层仅设置用于改善基膜与导电金属层的附着，因此可省略种子金属层。种子金属层可利用干膜形成方法，比如沉积或溅射，形成在聚酰亚胺上。种子金属层改善了基膜与导电金属层的附着。

在步骤S2，光刻胶113沉积在导电金属层112上，通过利用光掩模114作为媒介的曝光形成电路图案。在步骤S2中，通过在曝光过程中屏蔽来去除光刻胶的对应于传送区域的预定部分(很明显，当使用负性光刻胶时，通过曝光去除光刻胶的对应部分)。当金属图案镀层形成在传送区域x时，可通过预定图案保留光刻胶图案的预定部分。

在步骤S3，通过利用图案光刻胶113作为媒介选择性地刻蚀导电金属层112形成电路图案。尽管附图示出对应于传送区域的整个导电金属层都被除去，但是在围绕扣齿孔形成预定金属图案时可通过选择刻蚀保留预定金属图案。

可采用用于刻蚀Cu部件的刻蚀溶液。例如，刻蚀溶液可以是以氯化铁为主要成分的刻蚀溶液、以氯化铜为主要成分的刻蚀溶液、或硫酸加过氧化氢。这种刻蚀溶液具有通过精细地刻蚀种子金属层的预定部分而容易地去除种子金属层的功能。

(2)去除种子金属层

在步骤S4，可去除在其上没有形成电路图案的种子金属层的预定部分，如图4所示。此外，从传送区域x上完全去除种子金属层以暴露基膜。或者，从传送区域x上部分地去除种子金属层以暴露基膜。在这种情况下，不从其上形成有金属图案的部分上去除种子金属层。

在本发明的示范性实施方式中，种子金属层由金属层Ni或Cr制成。因此，采用能够去除Ni和Cr的刻蚀溶液。这种刻蚀溶液可包括硫酸和盐酸的混合溶液、高锰酸钾·KOH的水溶液、重铬酸钾的水溶液和高锰酸钠加NaOH的水溶液。

如上所述，各种TAB带可通过根据本发明的示范性实施方式的制造方法制造。即，可通过选择性地或完全地去除传送区域的金属层或金属镀层形成用于暴露基膜的暴露区域而显著地减少杂质的产生。详细地，金属图案形成在扣齿孔的外部区域上，预定图案形成为靠近扣齿孔或与扣齿孔分开。即，暴露区域形成为暴露除形成用于提供通过滚筒的基膜传送操作所需的机械强度的金属图案之外的基膜。很显然，暴露区域的图案的变型包括在本发明的范围内。

2.包括刻蚀基膜的处理的第二实施方式

刻蚀基膜

如上所述，用于获得所需机械强度并最小化金属杂质的产生的TAB带可通过步骤S4制造。在下文中，将说明根据本发明的另一个示范性实施方式的用于制造TAB带的方法。即，在步骤S4之后另外包括刻蚀基膜的工序。

即，通过控制刻蚀溶液，比如高锰酸钾·KOH的水溶液、重铬酸钾的水溶液以及高锰酸钠+NaOH的水溶液，执行刻蚀基膜的预定部分的处理。但是，本发明不局限于刻蚀溶液。

参考图4，在步骤S1至S4形成传送区域的暴露区域和电路图案之后，在步骤S5通过利用刻蚀溶液刻蚀基膜110的暴露表面去除基膜。即，部分地去除除基膜的其上形成有电路图案的区域之外的基膜。因此，其上形成有电路图案的部分的厚度变得不同于其上没有电路图案形成的其他部分的厚度。具体地，不具有电路图案的部分变得更薄。因此，可防止电路图案短路。

在TAB带包括种子金属层的情况下，当利用刻蚀溶液去除种子金属层时，可同时去除基膜。在TAB带不包括种子金属层的情况下，可通过使用蚀刻溶液的另外的处理刻蚀基膜。

图5和6是通过根据本发明第二实施方式的制造方法制造的TAB带的横截面图。

TAB带包括电路图案区域和传送区域x，电路图案区域包括形成在基膜110上的输入/输出终端图案112，传送区域x具有形成在基膜的两侧上的扣齿孔H。特别地，传送区域包括暴露区域。暴露区域暴露基膜的预定部分。

如图所示，传送区域不由金属层覆盖。没有任何金属层围绕扣齿孔形成。因此，当执行传送处理时，不产生金属杂质。

根据本发明的示范性实施方式的TAB带的基膜110可具有与步骤S4的结构所示的均一厚度。但是，在另外执行用于刻蚀基膜的步骤S5的情况下，电路图案区域中暴露基膜的区域的厚度B或传送区域的暴露区域的厚度C比不暴露基膜的区域的厚度A更薄。

种子金属层111可布置在电路图案112与基膜110之间。种子金属层可由铜、镍、铬、钼、钨、硅、钯、钛、钒、钢、钴、锰、铝、锌、锡、钽或其组合物形成。种子金属层可由上述金属之一或其组合物形成。种子金属层优选地由镍、铬或其组合物制成。

另外，可通过表面活化处理在电路图案112上另外形成单个镀覆处理层(未示出)或多层镀覆处理层(未示出)。例如，单个镀覆处理层和多层镀覆处理层可由Cu、Ni、Pd、Au、Sn、Ag、Co或其组合物形成。

当如图6所示在传送区域x上形成预定金属图案170时，金属图案形成在扣齿孔H的外侧上。如上所述，在传送区域暴露的基膜的厚度C变得比不是暴露在传送区域中的基膜的厚度更薄，其中，在传送区域中没有金属图案形成。

图7示出根据本发明的实施方式的制造传送区域x的方法。

参照示图(a)，传送区域x包括暴露基膜的暴露区域160和以预定间隙形成的扣齿孔150。至少一个镀覆线170可形成在与扣齿孔隔开预定距离处。即，金属镀覆层图案可围绕扣齿孔形成。在当前实施方式中，金属图案形成为镀覆线170。

参照示图(b)，金属图案171形成为包围扣齿孔。尽管金属图案171在示图(b)中完全包围扣齿孔150，但金属图案171可形成为部分地包围扣齿孔150。

即，根据示范性实施方式的金属图案形成在扣齿孔的外侧上。这种金属图案包括靠近扣齿孔的图案结构和与扣齿孔隔开的图案结构。即，通过选择性地去除完全形成在传送区域上的金属层，来形成用于暴露除其上形成有金属图案的区域外的基膜的暴露区域，其上形成有金属图案的区域用于提供传送基膜所需的机械强度。很明显，可在本发明的范围内进行暴露区域的各种变型。

关于示图(c)，作为金属镀覆图案，镀覆线172形成为与扣齿孔的外侧邻接。可通过去除传送区域的金属层而将整个传送区域形成为暴露区域，如示图(d)所示。在这种情况下，可通过控制基膜的厚度确保所需的机械强度。

图8是通过根据本发明的示范性实施方式的制造方法制造的真实TAB带的图像。

关于示图(a)，左侧图片示出Cu层或Cu+Sn层形成在传送区域X1上的TAB带类型。右侧图片示出扣齿孔周围产生非常大量的杂质。

关于示图(b)，左侧图片示出根据本发明的示范性实施方式在传送区域X2上形成暴露区域，以及金属镀覆层图案形成为镀覆线。右侧图片示出没有明显地产生金属杂质，比如Sn。

关于示图(c)，左侧图片示出在传送区域X3上形成暴露区域，以及金属镀覆层图案形成在扣齿孔周围。右侧图片示出没有明显地产生金属杂质，比如Sn。

关于示图(d)，左侧图片示出完全地去除传送区域X4的金属层。右侧图片示出没有明显地产生金属杂质，比如Sn。

本发明的上述示范性实施方式和方面仅为示例，并不解释为限制本发明。本发明的教导可容易地应用于其它类型的仪器。另外，本发明的示范性实施方式的说明的意图是例示性的，而非限制权利要求的范围，许多替代方案、变型和改变对于本领域技术人员来说是显而易见的。

根据本发明的实施方式，围绕扣齿孔在组装驱动器IC、芯片/驱动IC和面板的处理过程中通过驱动滚筒在扣齿孔周围产生摩擦的地方不形成Cu层或金属层。因此，不产生比如Cu微粒的杂质，能够制造可靠的产品。

另外，根据本发明的实施方式，暴露基膜的区域的厚度比不暴露基膜的区域的厚度厚。因此，消除了引起短路的因素，能够制造可靠的TAB带。

Claims (6)

1.一种带式自动接合带，包括：

电路图案区域，所述电路图案区域包括形成在基膜上的输入/输出端子图案；以及

传送区域，所述传送区域包括形成在所述基膜的两侧上的扣齿孔，

其中，所述传送区域包括用于暴露所述基膜的暴露区域，所述传送区域还包括形成在所述扣齿孔的靠近基膜外侧的一侧上的线型金属图案，且所述传送区域内的所述扣齿孔之间的区域被完全暴露。

2.如权利要求1所述的带式自动接合带，其中，所述电路图案区域中暴露所述基膜的区域的厚度或所述传送区域的所述暴露区域的厚度比没有暴露所述基膜的区域薄。

3.如权利要求2所述的带式自动接合带，其中，在所述电路图案与所述基膜之间布置有包括Ni或Cr的种子金属层。

4.如权利要求3所述的带式自动接合带，还包括：

利用Cu、Ni、Pd、Au、Sn、Ag、Co或其组合物形成在所述电路图案上的镀覆处理层，所述镀覆处理层形成为单个镀覆处理层或多层镀覆处理层。

5.如权利要求4所述的带式自动接合带，其中，镀覆金属形成的所述线型金属图案与所述扣齿孔隔开。

6.如权利要求1所述的带式自动接合带，其中，所述图案区域包括至少一个与所述扣齿孔隔开的线型金属图案。