DE10146353B4 - Verfahren zur Herstellung einer Lötperle und Lötperlenstruktur - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Bildung einer Lötperle, mit:
Bereitstellen eines Substrats mit einer darauf ausgebildeten Anschlussfläche und einer Passivierungsschicht, die die Anschlussfläche teilweise bedeckt;
Bilden einer Insel eines ersten Metallfilms zumindest auf der Anschlussfläche vor dem Abscheiden eines zweiten Metallfilms;
Abscheiden eines zweiten Metallfilms auf dem Substrat;
Strukturieren des zweiten Metallfilms, um eine Öffnung zu bilden, wobei die Öffnung ein inneres Gebiet des zweiten Metallfilms definiert, das von einem äußeren Gebiet des zweiten Metallfilms getrennt ist;
Abscheiden eines Metalls auf dem inneren Gebiet und in der Öffnung, um die Lötperle zu bilden; und
Ätzen des zweiten Metallfilms unter Verwendung des in der Öffnung abgeschiedenen Metalls als ein Ätzstopp.

Description

  • Gebiet der vorliegenden Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der Herstellung von Verbindungen in integrierten Schaltungen und betrifft insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer Lötperle die verwendet wird, um einen elektrischen Kontakt zwischen einem Halbleiterchip und der Umgebung bereitzustellen, und betrifft ferner eine Lötperlenstruktur.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Die Nachfrage nach äußerst leistungsfähigen Halbleiterchips ist in den letzten Jahren ständig angestiegen, wobei gleichzeitig die Funktionalität der Schaltung komplexer und der Flächenbetrag pro Chip kleiner geworden ist. Im Allgemeinen erfordert ein Anwachsen der Funktionalität das Bereitstellen einer großen Anzahl einzelner elektronischer Elemente, die elektrisch verbunden werden müssen, um eine Vielzahl funktionaler Einheiten zu bilden. Um Signale auszugeben an und zu empfangen von einer externen Quelle, ist eine geeignete Schnittstelle zwischen dem Chip und der externen Quelle notwendig, die die erforderliche Eingabe/Ausgabe-(I/O)Kapazität bereitstellt. Moderne integrierte Schaltungen (IC), etwa CPUs, müssen daher eine große Anzahl an Kontaktflächen oder Verbindungsflächen auf dem Chip aufweisen, um eine elektrische Verbindung zu peripheren Elementen mittels eines geeignet ausgebildeten Chipgehäuses herzustellen. Somit ist ein wichtiger Aspekt bei der Herstellung von ICs die Bildung von effizienten und zuverlässigen Verbindungen – sowohl elektrisch als auch mechanisch – zwischen den Kontaktflächen und dem Gehäuse.
  • Ein häufig verwendetes Verfahren zum Herstellen von Verbindungen zwischen dem Chip und dem Gehäuse ist das Verdrahtungs-Bonden. In dieser Verbindungs- bzw. Bondtechnik werden elastische Drähte nacheinander von den Anschlussflächen auf der Oberseite der Chips zu den Anschlussdrähten des Gehäuses geführt. Die für das Verdrahtungsbonden verwendeten Materialien sind typischerweise Gold oder Aluminium, da diese Materialien äußerst leitfähig sind und gut an der auf dem Chip und dem Gehäuse ausgebildeten Metallisierungsflächen haften.
  • Die Verwendung flexibler Drähte bringt jedoch gewisse Einschränkungen für die Anwendbarkeit des Verdrahtungsbondens mit sich. Eine dieser Einschränkungen gründet in der Tatsache, dass die Länge eines einzelnen Drahtes auf ungefähr 1-4 mm beschränkt ist, um das Risiko für Kurzschlüsse benachbarter Drähte zu minimieren, da längere Drähte dazu neigen, sich zu verformen oder eine Schleife zu bilden. Somit ist der Ort der Anschlussflächen im Wesentlichen auf den Chiprand beschränkt. Somit erfordert eine große I/O-Kapazität eine große Chipfläche, wodurch das Verdrahtungsbonden als eine wenig attraktive Verbindungstechnik für moderne hochkomplexe ICs erscheint. Ein weiterer Nachteil der Verdrahtungsbondens besteht darin, dass selbst wenn eine Drahtverbindung auf der Aluminiumanschlussfläche gebildet ist, ein relativ großer Bereich der Fläche freigelegt ist und es möglich ist, dass ein beliebiges Material mit dem Aluminium reagiert, da Aluminium ein chemisch reaktives Material ist, das selbst mit reinem Wasser leicht reagiert.
  • Gemäß einem weiteren Verbindungsverfahren, das als automatisches Bandverbinden bzw. Bonden (TAB) bezeichnet wird, werden Anschlussperlen am Rand des Chips gebildet und anschließend mit einer auf einem flexiblen Band gebildeten Verdrahtungsanordnung verbunden. Das auf dem Band ausgebildete Verdrahtungsmuster ersetzt die flexiblen Drähte, die beim Drahtbonden verwendet werden, wodurch somit einige der Nachteile des Drahtbondens vermieden werden.
  • Entsprechend einer weiteren Technik, der sogenannten Flip-Chip-Technik, werden Lötperlen auf Kontaktflächen, die an entsprechenden Stellen über die gesamte Chipoberfläche vorgesehen sind, gebildet. Nach dem erneuten Verflüssigen der Lötperlen zur Schaffung von Lötkugeln, werden diese Lötkugeln in Kontakt gebracht mit einem Gehäuse, einer Platine und dergleichen und dazu ausgerichtet, wobei diese eine Anschlussflächenanordnung aufweisen, die ein Spiegelbild der Chipanschlussflächenanordnung ist. Anschließend werden der Chip und das Gehäuse durch erneutes Verlöten der Lötkugeln aneinander befestigt, um eine elektrisch und mechanisch zuverlässige Verbindung herzustellen.
  • Mit Bezug zu den 1a-1f wird ein typischer Ablauf nach dem Stand der Technik zum Bilden von Lötperlen gemäß dem Flip-Chip-Verfahren kurz beschrieben. Die 1a-1f zeigen schematische Querschnittsansichten einer Halbleiterstruktur während diverser Herstellungsstadien, die die Bildung der Lötperlen darstellen.
  • Wie in 1a gezeigt ist, wird ein Substrat 1, etwa ein Siliziumsubstrat oder ein anderes für die Halbleiter- oder IC-Technologie geeignetes Substrat bereitgestellt und kann diverse Schichten und Strukturen aufweisen, die aktive und passive Halbleitergebiete definieren. Leitungen (nicht gezeigt) in Form dotierter Bereiche oder vergrabener Schichten in dem Substrat 1 sind mit einer Anschlussfläche 4 verbunden, die im Wesentlichen aus Aluminium besteht und in einer Passivierungsschicht mit einer Siliziumdioxidschicht 2 und einer Polyimidschicht 3 gebildet ist. Die Passivierungsschicht 2, 3 bedeckt die Ränder der Anschlussfläche 4.
  • Das Strukturieren der Passivierungsschicht 2, 3 wird durch lithografische Verfahren, die im Stand der Technik bekannt sind, durchgeführt.
  • Wie in 1b gezeigt ist, ist ein Mehrschichtmetallfilm 5, beispielsweise mit einer Titan/Wolfram(TiW)schicht, einer Chrom/Kupfer(Cr/Cu)schicht und einer Kupferschicht auf der Passivierungsschicht 2, 3 und der Anschlussfläche 4, beispielsweise mittels Sputterabscheidung, gebildet.
  • Wie in 1c dargestellt ist, umfasst in einem weiter fortgeschrittenen Herstellungsstadium das Substrat 1 ferner eine Fotolackmaske 6 mit einer Öffnung 7 über der Anschlussfläche 4.
  • Gemäß 1d umfasst in einem nachfolgenden Herstellungsstadium das Substrat 1 eine Lötmaterialanhäufung bzw. eine Lötperle 8, die beispielsweise Blei (Pb) und Zinn (Sn) aufweist, und die in der Öffnung 7 gebildet ist.
  • Gemäß einem typischen Prozess nach dem Stand der Technik kann die in 1d dargestellte Struktur mittels des folgenden Prozessablaufes hergestellt werden. Nach Strukturierung der Fotolackmaske 6 wird das Substrat 1 in ein Galvanisierungsbad mit Blei (Pb) und Zinn (Sn) enthaltenden Sulfaten eingetaucht. Das Randgebiet des Substrats 1 wird mit einer von zwei Elektroden verbunden, wohingegen die andere Elektrode in dem Bad in der Nähe des Substrats 1 angeordnet ist. Nach Anlegen einer Spannung an den Elektroden, beispielsweise einer DC-Spannung oder einer gepulsten DC-Spannung, wird ein Stromfluss vom Substratrand zu der Öffnung 7 über den Mehrschichtmetallfilm 5 erzeugt, wodurch Blei (Pb) und Zinn-(Sn)Ionen reduziert werden, die dann an der Unterseite der Öffnung 7 abgeschieden werden, um allmählich die Lötperle 8 zu bilden. Um eine große Anzahl von Lötperlen 8 zu schaffen, die eine ausreichend identische Struktur zeigen, muss der Mehrschichtmetallfilm 5, der als eine Stromverteilungsschicht wirkt, gleichförmig auf dem Substrat 1 abgeschieden werden, um im Wesentlichen die gleiche Strommenge zu jeder Öffnung 7 zuzuführen.
  • 1e zeigt das Substrat 1, wobei die Fotolackmaske 6 entfernt ist.
  • 1f zeigt das Substrat 1 in einem weiter fortgeschrittenen Herstellungsstadium, wobei der Mehrschichtmetallfilm 5 teilweise entfernt ist, um die Lötperle 8 von der verbleibenden Substratoberfläche elektrisch zu isolieren. Der Mehrschichtmetallfilm 5 kann durch Ätzen jeder der Schichten, die den Mehrschichtmetallfilm 5 bilden, entfernt werden, wobei die Lötperle 8 als eine Ätzmaske für jenen Bereich des Mehrschichtmetallfilms 5 dient, der unter der Lötperle 8 liegt. Dieser Bereich, der auch manchmal als Perlenuntermetallisierung bezeichnet wird, dient als eine Haftschicht und als eine Diffusionsbarriere, um eine Diffusion der Blei- (Pb) und Zinn-(Sn)Atome in die darunter liegenden Schichten zu verhindern, wobei gleichzeitig eine ausreichende mechanische Haftung der Lötperle 8 zu der verbleibenden Anschlussfläche gewährleistet wird. Während dieses Ätzvorganges kann die Lötperle 8 bis zu ungefähr 10 μm abhängig von der Art des Ätzvorganges, den Dimensionen der Lötperle 8 und der Dicke der einzelnen Teilschichten des Metallfilms 5 unterätzt werden. Folglich können Randgebiete 10 und 11 der Anschlussfläche 4 freigelegt und oxidiert werden, woraus eine eingeschränkte Leistungsfähigkeit des fertigen Verbindungskontakts resultiert. Da ferner die Entfernung des Mehrschichtmetallfilms 5 einen hochkomplexen Ätzvorgang erfordert, hängt eine derartige Unterätzung von einer Vielzahl von Parametern ab, die zumeist undefiniert sind, so dass die durch den Mehrschichtmetallfilm 5 bedeckte Fläche abhängig von unvermeidbaren Schwankungen der Parameter variiert. Daher kann die Größe der durch erneutes Verflüssigen der Lötperle 8 gebildeten Lötkugel ebenso variieren, da das Lötgut der Lötperle 8 sich für gewöhnlich auf den Metallfilm 5, d.h. auf die Perlenuntermetallisierung, während des Verflüssigens des Lötguts aufgrund der Oberflächenspannung des flüssigen Lötmaterials zurückzieht.
  • Insbesondere in Anwendungen, die eine große Anzahl von Verbindungen erfordern, ist es äußerst wichtig, im Wesentlichen gleich ausgebildete Lötkugeln und damit Lötperlen bereitzustellen, um eine zuverlässige Verbindung jeder einzelnen Lötkugel mit ihrem entsprechenden Gegenspieler auf dem Gehäuse zu gewährleisten, da bereits der Ausfall einer einzelnen Lötverbindung zu einem Komplettausfall der gesamten IC führen kann.
  • Die Patentanmeldung EP 0 261 799 A1 offenbart ein Verfahren zum Herstellen einer Lothöckerstruktur, die zwei Barrierenmetallfilme aufweist, die ganzflächig auf einem Substrat, das eine Aluminiumkontaktfläche aufweist, abgeschieden werden. Der zweite Barrierenmetallfilm wird strukturiert, um eine Rille zu bilden, die die Kontaktfläche umgibt, um einen inneren und einen äußeren Bereich des Films zu definieren. Das Lothöckermaterial, das auf dem inneren Bereich und in der Rille abgeschieden wird, kann als Ätzstopp wirken.
    •
  • Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine Perlenstruktur und ein Verfahren bereitzustellen, das die Herstellung von Perlen mit verbesserter Gleichförmigkeit ermöglicht.
  • Überblick über die Erfindung
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung wird durch das Verfahren nach Anspruch 1 und die Vorrichtung nach Anspruch 13 gelöst.
    •
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Weitere Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind in den angefügten Patentansprüchen definiert und gehen aus der folgenden detaillierten Beschreibung in Zusammenhang mit den begleitenden Zeichnungen deutlicher hervor; es zeigen:
  • 1a-1f schematisch einen anschaulichen Prozessablauf zur Herstellung einer Lötperlenstruktur gemäß dem Stand der Technik; und
  • 2a-2i schematisch Querschnittsansichten einer Lötperlenstruktur während diverser Herstellungsstadien gemäß einer anschaulichen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Zu erwähnen ist, dass die in den Figuren gezeigten Abmessungen nicht maßstabsgetreu sind. Ferner erkennt ein Fachmann auf dem Gebiet leicht, dass die Grenzen der Schichten und Materialien, die in den Figuren dargestellt sind, nicht als scharte Grenzen in einem tatsächlichen Halbleiterelement enthalten sind.
  • Detaillierte Beschreibung der Erfindung
  • Obwohl die vorliegende Erfindung mit Bezug zu den Ausführungsformen beschrieben ist, wie sie in der folgenden detaillierten Beschreibung sowie in den Zeichnungen dargestellt sind, ist es selbstverständlich, dass die folgende detaillierte Beschreibung sowie die Zeichnungen nicht beabsichtigen, die vorliegende Erfindung auf die speziellen anschaulichen offenbarten Ausführungsformen zu beschränken, sondern die beschriebenen anschaulichen Ausführungsformen stellen vielmehr beispielhaft die diversen Aspekte der vorliegenden Erfindung dar, deren Schutzbereich durch die angefügten Patentansprüche definiert ist.
  • Mit Bezug zu den 2a-2i werden nun anschauliche Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben. In den 2a-2i sind die gleichen Bezugszeichen wie in den 1 verwendet, um ähnliche oder gleiche Komponenten und Teile zu bezeichnen. Die 2a-2i zeigen schematische Querschnittsansichten eines Halbleitersubstrats, das eine Lötperlenstruktur trägt, in diversen Herstellungsabschnitten gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • 2a zeigt ein Substrat 1, das mehrere einzelne Halbleiterelemente, etwa Feldeffekttransistoren, aufweisen kann, die wiederum elektrisch über eine oder mehrere Metallisierungsschichten (nicht gezeigt) mit einer Anschlussfläche 4 verbunden sind, die ein elektrisch leitfähiges Material, etwa Aluminium, umfasst. Die Anschlussfläche 4 ist in einer Passivierungsschicht, beispielsweise mit einer Siliziumdioxidschicht 2 und einer Polyimidschicht 3, gebildet. Wie in 2a dargestellt ist, kann ein Randbereich 22 der Anschlussfläche 4 die Siliziumdioxidschicht 2 überdecken und kann ihrerseits von der Polyimidschicht 3 bedeckt sein. Erwähnt werden sollte, dass ein beliebiges anderes geeignetes isolierendes Material für die Passivierungsschicht 2, 3, etwa Siliziumnitrid, Glas, und dergleichen, verwendet werden kann. Die Passivierungsschicht 2, 3 kann thermisch auf das Substrat 1 aufgewachsen, durch eine chemische oder physikalische Dampfabscheidung oder durch Aufschleudern aufgebracht werden.
  • Gemäß 2b ist ein erster Metallfilm 5 über der Anschlussfläche 4 und der Polyimidschicht 3 gebildet. Der erste Metallfilm 5 kann Metalle oder Materialien mit metallischen Eigenschaften, etwa Titan/Wolfram (TiW), Chrom, Kupfer, Chrom/Kupfer, Kupfer/Zinn, Gold und dergleichen umfassen. Wie zuvor erläutert ist, kann der erste Metallfilm 5 als eine Diffusionsbarrierenschicht dienen, um eine Diffusion von Metallatomen oder anderen Partikeln aus den Schichten über dem ersten Metallfilm in Gebiete, die unter dem ersten Metallfilm 5 liegen, und umgekehrt zu verhindern. Ferner kann der erste Metallfilm 5 eine geforderte Haftung zu darüber liegenden und darunter liegenden Schichten bereitstellen, um eine ausreichende mechanische Stabilität sicherzustellen. Der erste Metallfilm 5 kann durch Sputter-Abscheidung oder chemische Dampfabscheidung und dergleichen abgeschieden werden.
  • In 2c ist eine Fotolackmaske 9 auf dem ersten Metallfilm 5 gebildet. Die Fotolackmaske 9 ist durch bekannte fotolithografische Verfahren gebildet und wird verwendet, um den ersten Metallfilm 5 als eine Insel zu strukturieren, die im Weiteren mit dem gleichen Bezugszeichen wie der erste Metallfilm 5 bezeichnet wird, um damit ein unbedecktes Gebiet 23 zu schaffen. In einer weiteren Ausführungsform wird die Insel des ersten Metallfilms 5 durch Metallabscheidung durch eine geeignet ausgebildete Maske (nicht gezeigt) gebildet, die mit dem Substrat 1 in Kontakt gebracht wird. Auf diese Weise kann das Abscheiden und das Strukturieren des ersten Metallfilms 5 in einem einzelnen Schritt ausgeführt werden.
  • In 2d umfasst entsprechend einer anschaulichen Ausführungsform (nicht gezeigt) das Substrat 1 einen zweiten Metallfilm 10, der auf der gesamten Oberfläche des Substrats 1 einschließlich der Insel des ersten Metallfilms 5 gebildet ist.
  • Ähnlich wie der erste Metallfilm 5 kann der zweite Metallfilm 10 mehrere Teilschichten aufweisen, die elektrisch leitfähige Materialien, etwa Titan/Wolfram, Chrom, Kupfer, Chrom/Kupfer, Kupfer/Zinn, Gold oder eine beliebige Kombination davon umfassen. Der zweite Metallfilm 10 wirkt als eine Haftschicht zwischen dem ersten Metallfilm 5 und einem auf dem zweiten Metallfilm 10 abzuscheidenden Lötmaterial. Ferner kann der zweite Metallfilm 10 als eine Diffusionsbarriere dienen, um die Gesamtwirkung des ersten Metallfilms 5 und des zweiten Metallfilms 10 zur Verhinderung der Diffusion von Metallatomen in das Substrat 1 zu verbessern.
  • Wie zuvor erläutert ist, dient der zweite Metallfilm 10 als eine Stromverteilungsschicht für einen nachfolgenden Elektroplattierungsprozess zum Abscheiden eines Lötmaterials, und somit ist der zweite Metallfilm 10 so gleichmäßig wie möglich abzuscheiden, um im Wesentlichen die gleiche Strommenge auf dem Bereich über der Anschlussfläche 4 für jede in dem Substrat ausgebildete Anschlussfläche 4 zu liefern. Somit wird für großflächige Substrate 1, etwa für Wafer, die in den Herstellungslinien moderner Halbleitertabriken verwendet werden, vorzugsweise der zweite Metallfilm 10 durch Sputterabscheidung aufgetragen, um eine gleichförmige Schichtdicke über die gesamte Substratoberfläche zu erreichen. Gemäß weiteren anschaulichen Aus führungsformen, insbesondere, wenn kleinere Substrate verwendet werden, wird der zweite Metallfilm 10 durch chemische Dampfabscheidung oder Verdampfung abgeschieden.
  • In 2e ist eine Fotolackschicht 11 über dem zweiten Metallfilm 10 gebildet. Die Fotolackschicht 11 umfasst eine Öffnung 12, um eine Fotolackmaske zur Ausbildung einer Öffnung 21 in dem zweiten Metallfilm 10 zu bilden. Die Öffnung 21 trennt ein inneres Gebiet 13 des zweiten Metallfilms 10 von einem äußeren Gebiet 14 des zweiten Metallfilms 10. Das innere Gebiet wird auch als ein Kontaktgebiet und das äußere Gebiet 14 wird als ein Stromverteilungsgebiet bezeichnet, da das innere Gebiet 13 im Wesentlichen einen Bereich definiert, in dem ein Lötperlenmaterial abzuscheiden ist, wohingegen das äußere Gebiet als ein Stromverteilungsbereich während des Galvanisierens eines Lötmaterials dient, wie dies nachfolgend erläutert wird. Erwähnt werden sollte, dass in einer Ausführungsform die Öffnung 21 zumindest teilweise über dem ersten Metallfilm 5 gebildet ist, so dass ein elektrischer Kontakt zwischen dem äußeren Gebiet 14 und dem inneren Gebiet 13 erhalten wird, wenn das Lötmaterial durch Galvanisierung abgeschieden wird.
  • In 2f ist eine Fotolackmaske 15 gebildet und definiert eine Öffnung 19, die über der Anschlussfläche 4 gebildet ist und eine seitliche Abmessung aufweist, derart, dass die Öffnung 19 die Öffnung 21 des zweiten Metallfilms 10 umschließt. Die Öffnung 19 wird zumindest teilweise mit einem Lötmaterial 16, etwa Blei/Zinn mit einem geeigneten Verhältnis, beispielsweise mit einem Verhältnis im Bereich 60:40 zu 95:5, gefüllt. Entsprechend einer anschaulichen Ausführungsform kann das Lötmaterial im Wesentlichen Gold umfassen, um Perlen zu bilden, die in dem TAB-Bondverfahren verwendbar sind.
  • Wie zuvor erläutert ist, kann das Lötmaterial 16 vorzugsweise durch Elektroplattieren abgeschieden werden, wobei der Rand des Substrats 1 elektrisch mit einer Elektrode eines Galvanisierungsbads (nicht gezeigt) in Kontakt gebracht wird, um einen Strom zu der Öffnung 19 zu liefern. Obwohl die Öffnung 21 in dem zweiten Metallfilm 10 das innere Gebiet 13 von dem äußeren Gebiet 14 trennt, wird ein Stromfluss durch den ersten Metallfilm 5 hergestellt, der einen elektrischer Kurzschluss zwischen dem äußeren Gebiet 14 und dem inneren Gebiet 13 hervorruft. Somit dient die gesamte untere Oberflä che der Öffnung 19 als eine Elektronenquelle, um Metallionen zu reduzieren und um die Abscheidung des Lötmaterials 16 in der Öffnung 19 zu bewirken.
  • Obwohl das Elektroplattieren das bevorzugte Abscheideverfahren für das Lötmaterial 16 ist, kann entsprechend einer Ausführungsform das Lötmaterial durch andere im Stand der Technik bekannte Verfahren, etwa chemische Dampfabscheidung, Sputter-Abscheidung und Verdampfung, abgeschieden werden. Ferner muss gemäß einer weiteren Ausführungsform das Lötmaterial 16 nicht die Öffnung 21 abdecken oder sich darüber hinaus erstrecken, wie dies in 2f gezeigt ist, sondern die Öffnung 21 kann stattdessen teilweise mit dem Lötmaterial 16 gefüllt werden, indem die Öffnung 19 geeignet strukturiert wird, so dass diese eine kleinere seitliche Abmessung aufweist. Dies erleichtert die Bildung von Lötkugeln durch erneutes Verflüssigen des Lötmaterials 16, wie dies noch beschrieben wird.
  • 2g zeigt die Struktur aus 2f, wobei die Fotolackmaske 15 entfernt ist. Das Lötmaterial 16 bleibt in Form einer Lötperle zurück und wird ebenso durch das Bezugszeichen 16 gekennzeichnet.
  • 2h zeigt die Struktur aus 2g, wobei das äußere Gebiet 14 des zweiten Metallfilms 10 entfernt ist. Die Entfernung des äußeren Gebiets 14 des zweiten Metallfilms 10 kann erreicht werden durch Elektroätzen, selektives Nassätzen und dergleichen, wobei die Lötperle 16 als eine Ätzmaske dient. Insbesondere verhindert das Lötmaterial in der Öffnung 21, dass das Metall des inneren Gebiets 13 des zweiten Metallfilms 10 mit dem Ätzmittel in Kontakt kommt, so dass das Lötmaterial in der Öffnung 21 als ein wirksamer Ätzstopp fungiert.
  • 2i zeigt eine Lötkugel 20, die auf dem inneren Gebiet 13 des zweiten Metallfilms 10 gebildet ist.
  • Wie zuvor erläutert ist, wird typischerweise die Lötperle 19 erneut verflüssigt, und aufgrund der Oberflächenspannung des flüssigen Lötmaterials 16 zieht sich das Lötmaterial auf das innere Gebiet 13 zurück, in dem die Lötkugel 20 beim Abkühlen des Lötmaterials 16 gebildet wird. Da die seitliche Ausdehnung des inneren Gebiets 13 durch Fotolithografie definiert wird, ohne durch den Ätzschritt zum Entfernen des äußeren Gebiets 14 beeinflusst zu werden, sind die seitlichen Abmessungen der Lötkugel 20 präziser definiert. Somit wird eine Unterätzung des inneren Gebiets 13, wie dies im Stand der Technik der Fall ist, wirksam verhindert, um damit eine Lötkugel 20 bereitzustellen, deren Form und Struktur präzise definiert ist.
  • Erwähnt werden sollte, dass das Verfahren und die Lötperlenstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung vollständig kompatibel mit konventionellen Stapelprozessen sind, die bei der Bearbeitung integrierter Schaltungen verwendet werden. Die Prozessschritte können unter gewöhnlichen Reinraumbedingungen ohne spezielle Anlagen oder Materialien ausgeführt werden. Die zum Ausüben der vorliegenden Erfindung notwendigen Prozessschritte sind Prozesse bei geringer Temperatur und geringer Energie und somit beeinflussen diese Prozesse die bereits auf und in dem Substrat 1 gebildeten Strukturen nicht.
  • Die vorliegende Erfindung stellt folglich eine Lötperlenstruktur und ein Verfahren zur Herstellung derselben bereit, wobei ein Teil eines Metallfilmstapels vor der Abscheidung eines Lötmaterials strukturiert werden kann, so dass die Entfernung des verbleibenden Metallfilmstapels nach der Bildung einer Lötperle einen vereinfachten Ätzvorgang im Vergleich zum Prozess im Stand der Technik beinhaltet. Das Verringern der Anzahl notwendiger Ätzschritte zum Entfernen des Metallfilmstapels, der zwei Funktionen aufweist, d.h. das Bereitstellen einer Stromverteilungsschicht für das Elektroplattieren des Lötmaterials und das Wirken als eine Diffusionsbarrieren- und Adhäsionsschicht unter dem Lötmaterial, führt zu zwei Vorteilen: a) das Unterätzen der Lötperle wird deutlich verringert, d.h. die Perlenuntermetallisierung zeigt eine genau definierte seitliche Abmessung, ohne von ätzabhängigen Parametern beeinflusst zu sein, und b) die Oberfläche der Lötperle, die während der Entfernung jenes Teils des Metallfilmstapels, der als die Stromverteilungsschicht dient, fungiert, ist deutlich weniger dem Ätzmittel ausgesetzt als während des komplexen Ätzprozesses gemäß dem Stand der Technik.
  • Weitere Modifikationen und Variationen der vorliegenden Erfindung werden für den Fachmann angesichts dieser Beschreibung offenkundig. Folglich ist die Beschreibung als lediglich illustrativ aufzufassen und dient dem Zwecke, dem Fachmann die allgemeine Art und Weise des Ausführens der vorliegenden Erfindung zu vermitteln. Selbstverständlich sind die hierin gezeigten und beschriebenen Formen der Erfindung als die gegenwärtig bevorzugten Ausführungsformen zu betrachten.

Claims (21)

  1. Verfahren zur Bildung einer Lötperle, mit: Bereitstellen eines Substrats mit einer darauf ausgebildeten Anschlussfläche und einer Passivierungsschicht, die die Anschlussfläche teilweise bedeckt; Bilden einer Insel eines ersten Metallfilms zumindest auf der Anschlussfläche vor dem Abscheiden eines zweiten Metallfilms; Abscheiden eines zweiten Metallfilms auf dem Substrat; Strukturieren des zweiten Metallfilms, um eine Öffnung zu bilden, wobei die Öffnung ein inneres Gebiet des zweiten Metallfilms definiert, das von einem äußeren Gebiet des zweiten Metallfilms getrennt ist; Abscheiden eines Metalls auf dem inneren Gebiet und in der Öffnung, um die Lötperle zu bilden; und Ätzen des zweiten Metallfilms unter Verwendung des in der Öffnung abgeschiedenen Metalls als ein Ätzstopp.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bilden der Insel des ersten Metallfilms zumindest auf der Anschlussfläche vor dem Abscheiden eines zweiten Metallfilms umfasst: Abscheiden des ersten Metallfilms und Strukturieren des ersten Metallfilms vor dem Abscheiden des zweiten Metallfilms, um die Insel des ersten Metallfilms zu bilden.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei der zweite Metallfilm so strukturiert wird, dass eine seitliche Ausdehnung des inneren Gebiets des zweiten Metallfilms kleiner ist als eine seitliche Ausdehnung der Insel.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, das ferner das Verflüssigen des in der Öffnung abgeschiedenen Metalls zur Bildung einer Lötkugel auf dem inneren Gebiet des zweiten Metallfilms umfasst.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das in der Öffnung abgeschiedene Metall durch Elektroplattieren abgeschieden wird.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der erste Metallfilm und der zweite Metallfilm durch Sputter-Abscheidung oder chemische Dampfabscheidung abgeschieden werden.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der erste Metallfilm und/oder der zweite Metallfilm mehrere Schichten aufweisen.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der erste Metallfilm und/oder der zweite Metallfilm Titan/Wolfram und/oder Chrom und/oder Kupfer und/oder Chrom/Kupfer und/oder Kupfer/Zinn und/oder Gold aufweisen.
  9. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Strukturieren des ersten Metallfilms umfasst: Abscheidung einer Schicht aus Fotolackmaterial, Strukturieren der Fotolackschicht, um einen Bereich über der Anschlussfläche zu bedecken, der sich über die Anschlussfläche hinauserstreckt, und Ätzen des ersten Metallfilms.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei das äußere Gebiet des zweiten Metallfilms und der erste Metallfilm als eine Stromverteilungsschicht während der Abscheidung des Metalls in der Öffnung in einem Elektroplattierungsvorgang dienen.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das in der Öffnung abgeschiedene Metall Blei und/oder Zinn und/oder Gold aufweist.
  12. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Lötkugel eine seitliche Abmessung von ungefähr 50-120 μm aufweist.
  13. Lötperlenstruktur mit: einem Substrat mit einer in einer Passivierungsschicht gebildeten Anschlussfläche; einer Insel eines ersten Metallfilms, die zumindest auf der Anschlussfläche gebildet ist; einem zweiten Metallfilm, der auf dem Substrat gebildet ist, wobei der zweite Metallfilm ein inneres Gebiet über der Anschlussfläche aufweist, einer Öffnung, die in dem zweiten Metallfilm um die Anschlussfläche herum gebildet ist, und einem äußeren Gebiet, das durch die Öffnung von dem inneren Gebiet getrennt ist, wobei das äußere Gebiet des zweiten Metallfilms mit der Insel des ersten Metallfilms überlappt, so dass eine seitliche Ausdehnung des inneren Gebiets des zweiten Metallfilms kleiner als eine seitliche Ausdehnung der Insel ist; und einer Lötperle, die auf dem inneren Gebiet des zweiten Metallfilms und zumindest teilweise in der Öffnung gebildet ist.
  14. Lötperlenstruktur nach Anspruch 13, wobei die Lötperle über die Öffnung hinausragt.
  15. Lötperlenstruktur nach Anspruch 13, wobei die Passivierungsschicht Polyimid und/oder Siliziumdioxid und/oder Siliziumnitrid und/oder Glas umfasst.
  16. Lötperlenstruktur nach Anspruch 13, wobei der erste Metallfilm und/oder der zweite Metallfilm einen Stapel aus Metallschichten aufweisen.
  17. Lötperlenstruktur nach Anspruch 13, wobei der erste Metallfilm und/oder der zweite Metallfilm Titan/Wolfram und/oder Chrom und/oder Kupfer und/oder Chrom/Kupfer und/oder Kupfer/Zinn und/oder Gold aufweisen.
  18. Lötperlenstruktur nach Anspruch 13, wobei der erste Metallfilm und/oder der zweite Metallfilm eine Adhäsionsschicht sind.
  19. Lötperlenstruktur nach Anspruch 13, wobei der erste Metallfilm und/oder der zweite Metallfilm eine Diffusionsbarriere sind.
  20. Lötperlenstruktur nach Anspruch 13, wobei die Lötperle Blei und/oder Zinn und/oder Gold aufweist.
  21. Lötperlenstruktur nach Anspruch 13, wobei die Lötperle eine seitliche Abmessung von ungefähr 20-120 μm aufweist.
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