CN102341187B - 经由预sof制备结构化有机膜(sof)的方法 - Google Patents
经由预sof制备结构化有机膜(sof)的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102341187B CN102341187B CN201080010294.6A CN201080010294A CN102341187B CN 102341187 B CN102341187 B CN 102341187B CN 201080010294 A CN201080010294 A CN 201080010294A CN 102341187 B CN102341187 B CN 102341187B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sof
- biphenyl
- diamines
- phenyl
- tetra
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 106
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 293
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 175
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 172
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 159
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 148
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 117
- -1 biphenyl -4,4'- diyl Chemical group 0.000 claims description 117
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 92
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 82
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 78
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 76
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 75
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 65
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 65
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 53
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 37
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 34
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 33
- QMKYBPDZANOJGF-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3,5-tricarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=CC(C(O)=O)=C1 QMKYBPDZANOJGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 24
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 23
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 22
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 claims description 17
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N benzaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=CC=C1 HUMNYLRZRPPJDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N glyoxal Chemical compound O=CC=O LEQAOMBKQFMDFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000062 azane Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229940051250 hexylene glycol Drugs 0.000 claims description 9
- 125000001821 azanediyl group Chemical group [H]N(*)* 0.000 claims description 8
- 230000009466 transformation Effects 0.000 claims description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 7
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 claims description 6
- 229960004217 benzyl alcohol Drugs 0.000 claims description 6
- VUPKGFBOKBGHFZ-UHFFFAOYSA-N dipropyl carbonate Chemical compound CCCOC(=O)OCCC VUPKGFBOKBGHFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229940015043 glyoxal Drugs 0.000 claims description 6
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N para-ethylbenzaldehyde Natural products CCC1=CC=C(C=O)C=C1 QNGNSVIICDLXHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WWYFPDXEIFBNKE-UHFFFAOYSA-N 4-(hydroxymethyl)benzoic acid Chemical compound OCC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 WWYFPDXEIFBNKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007848 Bronsted acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 claims description 2
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 claims description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 claims 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 35
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 466
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 308
- 239000010408 film Substances 0.000 description 152
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 115
- 239000000463 material Substances 0.000 description 108
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 80
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 73
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 72
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 72
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 66
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 62
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 53
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 48
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 46
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 46
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 44
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 42
- 229910008651 TiZr Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 39
- 210000004379 membrane Anatomy 0.000 description 39
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 39
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 34
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 30
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical class COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 27
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 25
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 25
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 25
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 25
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 24
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 24
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 22
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 21
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 21
- 230000008859 change Effects 0.000 description 20
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 17
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 17
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 17
- OFXSXYCSPVKZPF-UHFFFAOYSA-N methoxyperoxymethane Chemical compound COOOC OFXSXYCSPVKZPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 16
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 15
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 15
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 15
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 14
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 14
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 13
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 13
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 13
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 12
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 12
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 11
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 10
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 10
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 10
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 10
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 10
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N Heptanedioic acid Natural products OC(=O)CCCCCC(O)=O WLJVNTCWHIRURA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 9
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 9
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 9
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- IRPXARHRTKAHPN-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-4-(2-phenylphenyl)benzene Chemical group C1=CC(OC)=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 IRPXARHRTKAHPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004425 Makrolon Substances 0.000 description 8
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 8
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 8
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 8
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 8
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 8
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 8
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 8
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 7
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 7
- 125000002837 carbocyclic group Chemical group 0.000 description 7
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 7
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 7
- 150000002466 imines Chemical class 0.000 description 7
- 108020003175 receptors Proteins 0.000 description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 7
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 241000446313 Lamella Species 0.000 description 6
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 6
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 6
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 6
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 6
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 6
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 6
- DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 1,2-Benz(a)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=CC2=C1 DXBHBZVCASKNBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 5
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 5
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 5
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 description 5
- 230000003115 biocidal effect Effects 0.000 description 5
- 239000003139 biocide Substances 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 5
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 5
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 5
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 5
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 5
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 5
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 5
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 5
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-phenylaniline Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C1=CC=CC=C1 LOIBXBUXWRVJCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N N,N-Diisopropylethylamine (DIPEA) Chemical compound CCN(C(C)C)C(C)C JGFZNNIVVJXRND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical class C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N Sodium methoxide Chemical compound [Na+].[O-]C WQDUMFSSJAZKTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 4
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 4
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 4
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 4
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 4
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QDYBCIWLGJMJGO-UHFFFAOYSA-N dinitromethanone Chemical compound [O-][N+](=O)C(=O)[N+]([O-])=O QDYBCIWLGJMJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 4
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 4
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 4
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 4
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 4
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 4
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 4
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 4
- YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N nifuroxazide Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C(=O)N\N=C\C1=CC=C([N+]([O-])=O)O1 YCWSUKQGVSGXJO-NTUHNPAUSA-N 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 230000003075 superhydrophobic effect Effects 0.000 description 4
- BOHFWWWQMGFMPJ-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4-tetraphenylpyrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C2C=3C=CC=CC=3)=CC3=CC=CC4=CC=C2C1=C34 BOHFWWWQMGFMPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical group ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NMNSBFYYVHREEE-UHFFFAOYSA-N 1,2-dinitroanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C([N+]([O-])=O)C([N+](=O)[O-])=CC=C3C(=O)C2=C1 NMNSBFYYVHREEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JFTYHUMWDZANNH-UHFFFAOYSA-N 1-(9H-fluoren-1-yl)pentan-1-one Chemical class C(CCC)C(=O)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 JFTYHUMWDZANNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OWIKHYCFFJSOEH-UHFFFAOYSA-N Isocyanic acid Chemical class N=C=O OWIKHYCFFJSOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- XYOVOXDWRFGKEX-UHFFFAOYSA-N azepine Chemical compound N1C=CC=CC=C1 XYOVOXDWRFGKEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 210000000780 bap Anatomy 0.000 description 3
- 229940049706 benzodiazepine Drugs 0.000 description 3
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N benzoquinolinylidene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 3
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 3
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 3
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 description 3
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 3
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 3
- 150000005690 diesters Chemical class 0.000 description 3
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 3
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002475 indoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N malononitrile Chemical compound N#CCC#N CUONGYYJJVDODC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 3
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 3
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LLSYZMNMWXDYMT-UHFFFAOYSA-N pyrene-1-carbonitrile Chemical compound C1=C2C(C#N)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 LLSYZMNMWXDYMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 150000004867 thiadiazoles Chemical class 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000010215 titanium dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 3
- 238000002525 ultrasonication Methods 0.000 description 3
- 230000010148 water-pollination Effects 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFZZYIJIWUTJFO-UHFFFAOYSA-N 1,3-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1 AFZZYIJIWUTJFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBSPJIWZDWBDGM-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpyrene Chemical compound C1=C2C(C)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 KBSPJIWZDWBDGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIURDDSZTJODOX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylbenzo[a]anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=C4C(C=C)=CC=CC4=CC=C3C=C21 UIURDDSZTJODOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPMHMYHJGDAHKX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpyrene Chemical compound C1=C2C(C=C)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 WPMHMYHJGDAHKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VRIRHHMUAHTQFJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyltetracene Chemical compound C1=CC=C2C=C(C=C3C(C=C)=CC=CC3=C3)C3=CC2=C1 VRIRHHMUAHTQFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 1-tetradecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=C HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KIIFVSJBFGYDFV-UHFFFAOYSA-N 1h-benzimidazole;perylene Chemical group C1=CC=C2NC=NC2=C1.C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 KIIFVSJBFGYDFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BXGYYDRIMBPOMN-UHFFFAOYSA-N 2-(hydroxymethoxy)ethoxymethanol Chemical compound OCOCCOCO BXGYYDRIMBPOMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWFFDTZNRAEFIY-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(4-methoxyphenyl)aniline Chemical class C1=CC(OC)=CC=C1C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 PWFFDTZNRAEFIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M Carbamate Chemical compound NC([O-])=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- XZMCDFZZKTWFGF-UHFFFAOYSA-N Cyanamide Chemical compound NC#N XZMCDFZZKTWFGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWATWSYOIIXYMA-UHFFFAOYSA-N Pentylbenzene Chemical compound CCCCCC1=CC=CC=C1 PWATWSYOIIXYMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YFPSDOXLHBDCOR-UHFFFAOYSA-N Pyrene-1,6-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)C=C2)=C3C2=CC=C2C(=O)C=CC1=C32 YFPSDOXLHBDCOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000333 X-ray scattering Methods 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMUZQOKACOLCSS-UHFFFAOYSA-N [2-(hydroxymethyl)phenyl]methanol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1CO XMUZQOKACOLCSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 2
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-N anhydrous cyanic acid Natural products OC#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004054 benzoquinones Chemical class 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- XUPYJHCZDLZNFP-UHFFFAOYSA-N butyl butanoate Chemical compound CCCCOC(=O)CCC XUPYJHCZDLZNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N butylbenzene Chemical compound CCCCC1=CC=CC=C1 OCKPCBLVNKHBMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 2
- 125000001589 carboacyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 125000004802 cyanophenyl group Chemical group 0.000 description 2
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N cycloheptane Chemical compound C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 150000002081 enamines Chemical class 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 229920002457 flexible plastic Polymers 0.000 description 2
- QEWYKACRFQMRMB-UHFFFAOYSA-N fluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)CF QEWYKACRFQMRMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 230000026030 halogenation Effects 0.000 description 2
- 238000005658 halogenation reaction Methods 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 2
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 2
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N n-decene Natural products CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LJDZFAPLPVPTBD-UHFFFAOYSA-N nitroformic acid Chemical compound OC(=O)[N+]([O-])=O LJDZFAPLPVPTBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 2
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N p-cymene Chemical compound CC(C)C1=CC=C(C)C=C1 HFPZCAJZSCWRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002979 perylenes Chemical class 0.000 description 2
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 2
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- YARNEMCKJLFQHG-UHFFFAOYSA-N prop-1-ene;styrene Chemical compound CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 YARNEMCKJLFQHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 2
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 238000012306 spectroscopic technique Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003319 supportive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 2
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 2
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-O tributylazanium Chemical compound CCCC[NH+](CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- YBNLWIZAWPBUKQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichloromethylsulfonyl)methane Chemical class ClC(Cl)(Cl)S(=O)(=O)C(Cl)(Cl)Cl YBNLWIZAWPBUKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M (4z)-1-(3-methylbutyl)-4-[[1-(3-methylbutyl)quinolin-1-ium-4-yl]methylidene]quinoline;iodide Chemical compound [I-].C12=CC=CC=C2N(CCC(C)C)C=CC1=CC1=CC=[N+](CCC(C)C)C2=CC=CC=C12 QGKMIGUHVLGJBR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical compound C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- YKSSSKBJDZDZTD-XVNBXDOJSA-N (E)-isoeugenyl benzyl ether Chemical compound COC1=CC(\C=C\C)=CC=C1OCC1=CC=CC=C1 YKSSSKBJDZDZTD-XVNBXDOJSA-N 0.000 description 1
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVLAWKAXOMEXPM-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2-tetrachloroethane Chemical class ClCC(Cl)(Cl)Cl QVLAWKAXOMEXPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEFSTMHERNSDBC-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylcyclohexa-2,4-dien-1-ol Chemical class CC1=CC=CCC1(C)O JEFSTMHERNSDBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMKXVFDVQUQLG-UHFFFAOYSA-N 1,3,7,9-tetratert-butyl-11-fluoro-5-methyl-5h-benzo[d][1,3,2]benzodioxaphosphocine Chemical compound CC1C2=CC(C(C)(C)C)=CC(C(C)(C)C)=C2OP(F)OC2=C1C=C(C(C)(C)C)C=C2C(C)(C)C MYMKXVFDVQUQLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKDJHJTUTKJVFV-UHFFFAOYSA-N 1,3-ditert-butyl-5-methoxybenzene Chemical class COC1=CC(C(C)(C)C)=CC(C(C)(C)C)=C1 MKDJHJTUTKJVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 1,5-dihydroxynaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1O BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMZNOWXSCHXDLC-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylperylene Chemical group C1=CC(C=2C(C=C)=CC=C3C=2C2=CC=C3)=C3C2=CC=CC3=C1 IMZNOWXSCHXDLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NYMPLPXWKIYFRT-UHFFFAOYSA-N 1-thiocyanatoethenyl thiocyanate Chemical class N#CSC(=C)SC#N NYMPLPXWKIYFRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDOFQFKRPWOURC-UHFFFAOYSA-N 16-methylheptadecanoic acid Chemical compound CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O XDOFQFKRPWOURC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 1H-imidazole Chemical compound C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQCPOLNSJCWPGT-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Bisphenol F Chemical compound OC1=CC=CC=C1CC1=CC=CC=C1O MQCPOLNSJCWPGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylphenol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1C QWBBPBRQALCEIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOERSAVCLPYNIZ-UHFFFAOYSA-N 2,4,5,7-tetranitrofluoren-9-one Chemical compound O=C1C2=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C2C2=C1C=C([N+](=O)[O-])C=C2[N+]([O-])=O JOERSAVCLPYNIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDGOFPVRLDSHPS-UHFFFAOYSA-N 2,4-ditert-butyl-1-(4-phenylphenyl)benzene Chemical group C(C)(C)(C)C1=C(C=CC(=C1)C(C)(C)C)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=CC=C1 GDGOFPVRLDSHPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGYNBBAUIYTWBF-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylnaphthalene Chemical class C1=C(C)C=CC2=CC(C)=CC=C21 YGYNBBAUIYTWBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPTRFSADOICSSK-UHFFFAOYSA-N 2-(2-fluorophenyl)acetic acid Chemical class OC(=O)CC1=CC=CC=C1F RPTRFSADOICSSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCAKYFIYUHHCKW-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-difluorophenyl)acetic acid Chemical class OC(=O)CC1=CC=C(F)C(F)=C1 YCAKYFIYUHHCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGGNSAVLXJKCNH-UHFFFAOYSA-N 2-(3,5-difluorophenyl)acetic acid Chemical class OC(=O)CC1=CC(F)=CC(F)=C1 IGGNSAVLXJKCNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBRJYBGLCHWYOE-UHFFFAOYSA-N 2-(trifluoromethyl)benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(F)(F)F FBRJYBGLCHWYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APOFDNKYFPDSLE-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4-(2-methylbutan-2-yl)phenol Chemical class CCC(C)(C)C1=CC=C(O)C(N)=C1 APOFDNKYFPDSLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEYRABVEYCFHHB-UHFFFAOYSA-N 2-bromo-4-fluorophenol Chemical class OC1=CC=C(F)C=C1Br MEYRABVEYCFHHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGYXYGDEYHNFFT-UHFFFAOYSA-N 2-chloro-4-fluorophenol Chemical class OC1=CC=C(F)C=C1Cl IGYXYGDEYHNFFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBJKIYVWFSACIT-UHFFFAOYSA-N 2-fluoren-9-ylidenepropanedinitrile Chemical compound C1=CC=C2C(=C(C#N)C#N)C3=CC=CC=C3C2=C1 DBJKIYVWFSACIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LONCJFPVKZBTLG-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene prop-1-enylbenzene Chemical compound CC(=C)C=C.CC=CC1=CC=CC=C1 LONCJFPVKZBTLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLWOORLBKQYYQC-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene propyl prop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C=C.CCCOC(=O)C=C KLWOORLBKQYYQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNJKLOSHGNUTBM-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene;methyl prop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C=C.COC(=O)C=C HNJKLOSHGNUTBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXEJNJYARCWPGC-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene;propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C=C.CCCOC(=O)C(C)=C XXEJNJYARCWPGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROGIWVXWXZRRMZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylbuta-1,3-diene;styrene Chemical compound CC(=C)C=C.C=CC1=CC=CC=C1 ROGIWVXWXZRRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSQZNZLOZXSBHA-UHFFFAOYSA-N 3,8-dioxabicyclo[8.2.2]tetradeca-1(12),10,13-triene-2,9-dione Chemical compound O=C1OCCCCOC(=O)C2=CC=C1C=C2 WSQZNZLOZXSBHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJDLQLIRZFKEKJ-UHFFFAOYSA-N 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanamide Chemical class CC(C)(C)C1=CC(CCC(N)=O)=CC(C(C)(C)C)=C1O FJDLQLIRZFKEKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MESJRHHDBDCQTH-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethylamino)phenol Chemical class CN(C)C1=CC=CC(O)=C1 MESJRHHDBDCQTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEZFCUMYQXLFOV-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-2-fluorophenol Chemical class OC1=CC=CC(Br)=C1F MEZFCUMYQXLFOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUORDBJGOHYGKR-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-2-nitrophenol Chemical class OC1=CC=CC(Br)=C1[N+]([O-])=O AUORDBJGOHYGKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMGVVVBQKWNRQA-UHFFFAOYSA-N 3-fluoro-2-methylphenol Chemical class CC1=C(O)C=CC=C1F OMGVVVBQKWNRQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004180 3-fluorophenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(F)=C1[H] 0.000 description 1
- UJAWGGOCYUPCPS-UHFFFAOYSA-N 4-(2-phenylpropan-2-yl)-n-[4-(2-phenylpropan-2-yl)phenyl]aniline Chemical compound C=1C=C(NC=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C=2C=CC=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=CC=C1 UJAWGGOCYUPCPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNFZZNNFORDXSV-UHFFFAOYSA-N 4-(diethylamino)benzaldehyde Chemical compound CCN(CC)C1=CC=C(C=O)C=C1 MNFZZNNFORDXSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWLYWWDJKAPLDA-UHFFFAOYSA-N 4-(diethylaminomethyl)-2,5-dimethylphenol Chemical compound CCN(CC)CC1=CC(C)=C(O)C=C1C XWLYWWDJKAPLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGHDLJAZIIFENW-UHFFFAOYSA-N 4-[1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-(4-hydroxy-3-prop-2-enylphenyl)propan-2-yl]-2-prop-2-enylphenol Chemical group C1=C(CC=C)C(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C(CC=C)=C1 QGHDLJAZIIFENW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJYCALFJFALYAH-UHFFFAOYSA-N 4-[[2-chloro-4-[3-chloro-4-[[2-hydroxy-3-(phenylcarbamoyl)naphthalen-1-yl]diazenyl]phenyl]phenyl]diazenyl]-3-hydroxy-N-phenylnaphthalene-2-carboxamide Chemical compound OC1=C(N=NC2=CC=C(C=C2Cl)C2=CC(Cl)=C(C=C2)N=NC2=C(O)C(=CC3=C2C=CC=C3)C(=O)NC2=CC=CC=C2)C2=C(C=CC=C2)C=C1C(=O)NC1=CC=CC=C1 XJYCALFJFALYAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBIDVAHDYHDYFG-UHFFFAOYSA-J 4-aminobenzoate titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].Nc1ccc(cc1)C([O-])=O.Nc1ccc(cc1)C([O-])=O.Nc1ccc(cc1)C([O-])=O.Nc1ccc(cc1)C([O-])=O GBIDVAHDYHDYFG-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RHMPLDJJXGPMEX-UHFFFAOYSA-N 4-fluorophenol Chemical class OC1=CC=C(F)C=C1 RHMPLDJJXGPMEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004217 4-methoxybenzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1OC([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXAFAYIIDHDJHN-UHFFFAOYSA-N 4-methylpyrene Natural products C1=CC=C2C(C)=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C34 IXAFAYIIDHDJHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NXYYRSJPSPRDEO-UHFFFAOYSA-N 5-(diethylamino)-2-nitrosophenol Chemical class CCN(CC)C1=CC=C(N=O)C(O)=C1 NXYYRSJPSPRDEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 101000856246 Arabidopsis thaliana Cleavage stimulation factor subunit 77 Proteins 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHRFKYLRLYCCCV-UHFFFAOYSA-N BrN1NC=CC(=N1)Br Chemical class BrN1NC=CC(=N1)Br GHRFKYLRLYCCCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- LVDKZNITIUWNER-UHFFFAOYSA-N Bronopol Chemical compound OCC(Br)(CO)[N+]([O-])=O LVDKZNITIUWNER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- VEAHHGDAQKXNNG-UHFFFAOYSA-H C(C=1C(C(=O)[O-])=CC=CC1)(=O)[O-].[Zr+4].[Ba+2].C(C=1C(C(=O)[O-])=CC=CC1)(=O)[O-].C(C=1C(C(=O)[O-])=CC=CC1)(=O)[O-] Chemical compound C(C=1C(C(=O)[O-])=CC=CC1)(=O)[O-].[Zr+4].[Ba+2].C(C=1C(C(=O)[O-])=CC=CC1)(=O)[O-].C(C=1C(C(=O)[O-])=CC=CC1)(=O)[O-] VEAHHGDAQKXNNG-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- CJQCNNARMCRKCE-UHFFFAOYSA-N C(CC)(=O)OCCC.C=CC.C=CC1=CC=CC=C1 Chemical compound C(CC)(=O)OCCC.C=CC.C=CC1=CC=CC=C1 CJQCNNARMCRKCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANPYAUKNWGYXSX-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=2C(C3=CC=CC=C3C(C12)=O)=O.BrC=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC12)Br Chemical compound C1=CC=CC=2C(C3=CC=CC=C3C(C12)=O)=O.BrC=1C2=CC=CC=C2C(=C2C=CC=CC12)Br ANPYAUKNWGYXSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISCIUIIRLMFIQC-UHFFFAOYSA-N C=CC=C.C=CC#N.OC(=O)C=C.C=CC1=CC=CC=C1 Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.OC(=O)C=C.C=CC1=CC=CC=C1 ISCIUIIRLMFIQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920013683 Celanese Polymers 0.000 description 1
- AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N Diisoamyl ether Chemical compound CC(C)CCOCCC(C)C AQZGPSLYZOOYQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N Disodium Chemical compound [Na][Na] QXNVGIXVLWOKEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNCHWZYXVZDBLJ-UHFFFAOYSA-N FCC(=O)O.C(CCCCCCCCCCCCCCC(C)C)(=O)O Chemical compound FCC(=O)O.C(CCCCCCCCCCCCCCC(C)C)(=O)O UNCHWZYXVZDBLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001293 FEMA 3089 Substances 0.000 description 1
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920004546 Hetron™ Polymers 0.000 description 1
- 101000885476 Homo sapiens DDB1- and CUL4-associated factor 13 Proteins 0.000 description 1
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- OKOBUGCCXMIKDM-UHFFFAOYSA-N Irganox 1098 Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CCC(=O)NCCCCCCNC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 OKOBUGCCXMIKDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXACTDWGHQXLGW-UHFFFAOYSA-M Janus Green B chloride Chemical compound [Cl-].C12=CC(N(CC)CC)=CC=C2N=C2C=CC(\N=N\C=3C=CC(=CC=3)N(C)C)=CC2=[N+]1C1=CC=CC=C1 XXACTDWGHQXLGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 240000007472 Leucaena leucocephala Species 0.000 description 1
- 235000010643 Leucaena leucocephala Nutrition 0.000 description 1
- 239000002879 Lewis base Substances 0.000 description 1
- 229920000339 Marlex Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000002853 Nelumbo nucifera Species 0.000 description 1
- 235000006508 Nelumbo nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 235000006510 Nelumbo pentapetala Nutrition 0.000 description 1
- 229920000305 Nylon 6,10 Polymers 0.000 description 1
- 244000170916 Paeonia officinalis Species 0.000 description 1
- 235000006484 Paeonia officinalis Nutrition 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKIJEFPNVSHHEI-UHFFFAOYSA-N Phenol, 2,4-bis(1,1-dimethylethyl)-, phosphite (3:1) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1OP(OC=1C(=CC(=CC=1)C(C)(C)C)C(C)(C)C)OC1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1C(C)(C)C JKIJEFPNVSHHEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N Propyl levulinate Chemical compound CCCOC(=O)CCC(C)=O QOSMNYMQXIVWKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920013632 Ryton Polymers 0.000 description 1
- 239000004736 Ryton® Substances 0.000 description 1
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 102100022736 Sperm-egg fusion protein LLCFC1 Human genes 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 description 1
- FHNINJWBTRXEBC-UHFFFAOYSA-N Sudan III Chemical compound OC1=CC=C2C=CC=CC2=C1N=NC(C=C1)=CC=C1N=NC1=CC=CC=C1 FHNINJWBTRXEBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001986 Vinylidene chloride-vinyl chloride copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- MNCUCCJMXIWMJJ-OWOJBTEDSA-N [(e)-2-thiocyanatoethenyl] thiocyanate Chemical compound N#CS\C=C\SC#N MNCUCCJMXIWMJJ-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- OCKWAZCWKSMKNC-UHFFFAOYSA-N [3-octadecanoyloxy-2,2-bis(octadecanoyloxymethyl)propyl] octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCC(COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC)(COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC)COC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC OCKWAZCWKSMKNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N [As].[Se] Chemical compound [As].[Se] QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRLRISOTNFYPMU-UHFFFAOYSA-N [S].CC1=CC=CC=C1 Chemical compound [S].CC1=CC=CC=C1 WRLRISOTNFYPMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000004171 alkoxy aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005907 alkyl ester group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZZYQPZGQPZBDN-UHFFFAOYSA-N aluminium silicate Chemical compound O=[Al]O[Si](=O)O[Al]=O PZZYQPZGQPZBDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- KPTXLCRDMLKUHK-UHFFFAOYSA-N aniline;titanium Chemical compound [Ti].NC1=CC=CC=C1 KPTXLCRDMLKUHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005427 anthranyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004391 aryl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000732 arylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001545 azulenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940092714 benzenesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSDAJNMJOMSNEV-UHFFFAOYSA-N benzyl chloroformate Chemical compound ClC(=O)OCC1=CC=CC=C1 HSDAJNMJOMSNEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- BGECDVWSWDRFSP-UHFFFAOYSA-N borazine Chemical compound B1NBNBN1 BGECDVWSWDRFSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- BRTALTYTFFNPAC-UHFFFAOYSA-N boroxin Chemical compound B1OBOBO1 BRTALTYTFFNPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- VMMVQEIZBCZSNG-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene prop-1-enylbenzene Chemical compound C=CC=C.CC=CC1=CC=CC=C1 VMMVQEIZBCZSNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LKAVYBZHOYOUSX-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;2-methylprop-2-enoic acid;styrene Chemical compound C=CC=C.CC(=C)C(O)=O.C=CC1=CC=CC=C1 LKAVYBZHOYOUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOYXYXOSUAZDIA-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;butyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C=CC=C.CCCCOC(=O)C(C)=C WOYXYXOSUAZDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCPLVEOTDDIMJD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;ethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC=C.CCOC(=O)C=C UCPLVEOTDDIMJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLIYQWXIWMRMGR-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;methyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C=CC=C.COC(=O)C(C)=C KLIYQWXIWMRMGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRTQWXGNPCHTFW-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;methyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC=C.COC(=O)C=C LRTQWXGNPCHTFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLOYJEGLPVCRAJ-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;prop-2-enoic acid;styrene Chemical compound C=CC=C.OC(=O)C=C.C=CC1=CC=CC=C1 PLOYJEGLPVCRAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NACNINIZJRIDPK-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C=CC=C.CCCOC(=O)C(C)=C NACNINIZJRIDPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPRLOFXIQNKWMK-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;propyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC=C.CCCOC(=O)C=C XPRLOFXIQNKWMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N butadiene-styrene rubber Chemical compound C=CC=C.C=CC1=CC=CC=C1 MTAZNLWOLGHBHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQIMXPLXJVRMNX-UHFFFAOYSA-N butyl 2-methylprop-2-enoate;2-methylbuta-1,3-diene Chemical compound CC(=C)C=C.CCCCOC(=O)C(C)=C QQIMXPLXJVRMNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOIWWOKSBHULCU-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;2-methylbuta-1,3-diene Chemical compound CC(=C)C=C.CCCCOC(=O)C=C HOIWWOKSBHULCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWDYRRUFQXZJBG-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;2-methylprop-2-enoic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O.CCCCOC(=O)C=C YWDYRRUFQXZJBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSMOHLASMMAGIB-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;prop-2-enenitrile Chemical compound C=CC#N.CCCCOC(=O)C=C QSMOHLASMMAGIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMRMTRCBDHFTIV-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;prop-2-enenitrile;prop-2-enoic acid Chemical compound C=CC#N.OC(=O)C=C.CCCCOC(=O)C=C QMRMTRCBDHFTIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPOZNMOEPOHHSC-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCCCOC(=O)C=C BPOZNMOEPOHHSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N butyronitrile Chemical compound CCCC#N KVNRLNFWIYMESJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 150000001244 carboxylic acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000002975 chemoattractant Substances 0.000 description 1
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 1
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910052570 clay Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- INPLXZPZQSLHBR-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+);sulfide Chemical compound [S-2].[Co+2] INPLXZPZQSLHBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001149 cognitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000002482 conductive additive Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- PGWFQHBXMJMAPN-UHFFFAOYSA-N ctk4b5078 Chemical compound [Cd].OS(=O)(=O)[Se]S(O)(=O)=O PGWFQHBXMJMAPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 1
- RMBGFUOEZINVEP-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-2,5-diene-1,4-dione;phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1.O=C1C=CC(=O)C=C1 RMBGFUOEZINVEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004855 decalinyl group Chemical group C1(CCCC2CCCCC12)* 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002781 deodorant agent Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003599 detergent Substances 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- WWMVHQYWYMHBJN-UHFFFAOYSA-N di(pyren-1-yl)diazene Chemical compound C1=CC(N=NC=2C3=CC=C4C=CC=C5C=CC(C3=C54)=CC=2)=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 WWMVHQYWYMHBJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 150000004816 dichlorobenzenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 238000000113 differential scanning calorimetry Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229940043279 diisopropylamine Drugs 0.000 description 1
- 150000005218 dimethyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-hexane Natural products CCCCCC(C)C JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical compound [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N dodecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKHVLWKBNNSRRR-ODZAUARKSA-M dowicil 200 Chemical group [Cl-].C1N(C2)CN3CN2C[N+]1(C\C=C/Cl)C3 UKHVLWKBNNSRRR-ODZAUARKSA-M 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011263 electroactive material Substances 0.000 description 1
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 1
- BEFDCLMNVWHSGT-UHFFFAOYSA-N ethenylcyclopentane Chemical compound C=CC1CCCC1 BEFDCLMNVWHSGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PASCYLAFGHJSHW-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-[(4-methoxyphenyl)methyl]-3-(methylamino)propanoate Chemical compound CCOC(=O)C(CNC)CC1=CC=C(OC)C=C1 PASCYLAFGHJSHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REYZQLSIADJXGD-UHFFFAOYSA-N ethyl prop-2-enoate;2-methylbuta-1,3-diene Chemical compound CC(=C)C=C.CCOC(=O)C=C REYZQLSIADJXGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDAADYHCNRLOMG-UHFFFAOYSA-N hexanedioic acid;hydrate Chemical compound O.OC(=O)CCCCC(O)=O UDAADYHCNRLOMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000687 hydroquinonyl group Chemical class C1(O)=C(C=C(O)C=C1)* 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 235000019239 indanthrene blue RS Nutrition 0.000 description 1
- UHOKSCJSTAHBSO-UHFFFAOYSA-N indanthrone blue Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=C4NC5=C6C(=O)C7=CC=CC=C7C(=O)C6=CC=C5NC4=C3C(=O)C2=C1 UHOKSCJSTAHBSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Natural products OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N isopropylamine Chemical compound CC(C)N JJWLVOIRVHMVIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007527 lewis bases Chemical class 0.000 description 1
- XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N limonene Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)=CC1 XMGQYMWWDOXHJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008206 lipophilic material Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000011326 mechanical measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- PRMHOXAMWFXGCO-UHFFFAOYSA-M molport-000-691-708 Chemical compound N1=C(C2=CC=CC=C2C2=NC=3C4=CC=CC=C4C(=N4)N=3)N2[Ga](Cl)N2C4=C(C=CC=C3)C3=C2N=C2C3=CC=CC=C3C1=N2 PRMHOXAMWFXGCO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N monofluorobenzene Chemical compound FC1=CC=CC=C1 PYLWMHQQBFSUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZIQYHDAXYDQHR-UHFFFAOYSA-N n'-propyl-n'-trimethoxysilylethane-1,2-diamine Chemical compound CCCN(CCN)[Si](OC)(OC)OC IZIQYHDAXYDQHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N n-Decanedioic acid Natural products OC(=O)CCCCCCCCC(O)=O CXMXRPHRNRROMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N n-alpha-hexadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCC=C GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNMVRZFUUCLYTO-UHFFFAOYSA-N n-propyl chloride Chemical compound CCCCl SNMVRZFUUCLYTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQJQVUOTMVCFHX-UHFFFAOYSA-L nabam Chemical compound [Na+].[Na+].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S UQJQVUOTMVCFHX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- JVJQPDTXIALXOG-UHFFFAOYSA-N nitryl fluoride Chemical compound [O-][N+](F)=O JVJQPDTXIALXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 1
- VKCYHJWLYTUGCC-UHFFFAOYSA-N nonan-2-one Chemical compound CCCCCCCC(C)=O VKCYHJWLYTUGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYXXKJEDCHMGH-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCC[CH]CCCC ZCYXXKJEDCHMGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N normal nonane Natural products CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSDSCDGVMJFTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecyl 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 SSDSCDGVMJFTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRZWYNLTFLDQQX-UHFFFAOYSA-N p-tert-Amylphenol Chemical class CCC(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 NRZWYNLTFLDQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCCNCVORNKJIRZ-UHFFFAOYSA-N parathion Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 LCCNCVORNKJIRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 210000003516 pericardium Anatomy 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 125000005561 phenanthryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- MTZWHHIREPJPTG-UHFFFAOYSA-N phorone Chemical compound CC(C)=CC(=O)C=C(C)C MTZWHHIREPJPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930193351 phorone Natural products 0.000 description 1
- INAAIJLSXJJHOZ-UHFFFAOYSA-N pibenzimol Chemical compound C1CN(C)CCN1C1=CC=C(N=C(N2)C=3C=C4NC(=NC4=CC=3)C=3C=CC(O)=CC=3)C2=C1 INAAIJLSXJJHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000191 poly(N-vinyl pyrrolidone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000090 poly(aryl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920002215 polytrimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- OSFBJERFMQCEQY-UHFFFAOYSA-N propylidene Chemical group [CH]CC OSFBJERFMQCEQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012783 reinforcing fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000010996 solid-state NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000371 solid-state nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004334 sorbic acid Substances 0.000 description 1
- 235000010199 sorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940075582 sorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000545 stagnation point adsorption reflectometry Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000011115 styrene butadiene Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- WWNBZGLDODTKEM-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenenickel Chemical compound [Ni]=S WWNBZGLDODTKEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 1
- 235000012222 talc Nutrition 0.000 description 1
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229940095068 tetradecene Drugs 0.000 description 1
- DUGWRBKBGKTKOX-UHFFFAOYSA-N tetrafluoro(oxo)-$l^{6}-sulfane Chemical compound FS(F)(F)(F)=O DUGWRBKBGKTKOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOUDBUYBGJYFFP-FOCLMDBBSA-N thioindigo Chemical compound S\1C2=CC=CC=C2C(=O)C/1=C1/C(=O)C2=CC=CC=C2S1 JOUDBUYBGJYFFP-FOCLMDBBSA-N 0.000 description 1
- 125000005323 thioketone group Chemical group 0.000 description 1
- LSJNBGSOIVSBBR-UHFFFAOYSA-N thionyl fluoride Chemical compound FS(F)=O LSJNBGSOIVSBBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000001519 tissue Anatomy 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 239000000326 ultraviolet stabilizing agent Substances 0.000 description 1
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLYXXMFPNIAWKQ-UHFFFAOYSA-N γ Benzene hexachloride Chemical compound ClC1C(Cl)C(Cl)C(Cl)C(Cl)C1Cl JLYXXMFPNIAWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
- C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
- C08J5/18—Manufacture of films or sheets
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0618—Acyclic or carbocyclic compounds containing oxygen and nitrogen
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B23/00—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
- C09B23/12—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain being branched "branched" means that the substituent on the polymethine chain forms a new conjugated system, e.g. most trinuclear cyanine dyes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B23/00—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
- C09B23/14—Styryl dyes
- C09B23/148—Stilbene dyes containing the moiety -C6H5-CH=CH-C6H5
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B23/00—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes
- C09B23/16—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing hetero atoms
- C09B23/162—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing hetero atoms only nitrogen atoms
- C09B23/164—Methine or polymethine dyes, e.g. cyanine dyes the polymethine chain containing hetero atoms only nitrogen atoms containing one nitrogen atom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B26/00—Hydrazone dyes; Triazene dyes
- C09B26/02—Hydrazone dyes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B5/00—Dyes with an anthracene nucleus condensed with one or more heterocyclic rings with or without carbocyclic rings
- C09B5/62—Cyclic imides or amidines of peri-dicarboxylic acids of the anthracene, benzanthrene, or perylene series
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B57/00—Other synthetic dyes of known constitution
- C09B57/008—Triarylamine dyes containing no other chromophores
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09B—ORGANIC DYES OR CLOSELY-RELATED COMPOUNDS FOR PRODUCING DYES, e.g. PIGMENTS; MORDANTS; LAKES
- C09B69/00—Dyes not provided for by a single group of this subclass
- C09B69/10—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds
- C09B69/109—Polymeric dyes; Reaction products of dyes with monomers or with macromolecular compounds containing other specific dyes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/75—Details relating to xerographic drum, band or plate, e.g. replacing, testing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0592—Macromolecular compounds characterised by their structure or by their chemical properties, e.g. block polymers, reticulated polymers, molecular weight, acidity
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0528—Macromolecular bonding materials
- G03G5/0596—Macromolecular compounds characterised by their physical properties
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
- G03G5/14713—Macromolecular material
- G03G5/14791—Macromolecular compounds characterised by their structure, e.g. block polymers, reticulated polymers, or by their chemical properties, e.g. by molecular weight or acidity
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14708—Cover layers comprising organic material
- G03G5/14713—Macromolecular material
- G03G5/14795—Macromolecular compounds characterised by their physical properties
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/484—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the channel regions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/701—Organic molecular electronic devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G2215/00—Apparatus for electrophotographic processes
- G03G2215/00953—Electrographic recording members
- G03G2215/00957—Compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/20—Carbon compounds, e.g. carbon nanotubes or fullerenes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/761—Biomolecules or bio-macromolecules, e.g. proteins, chlorophyl, lipids or enzymes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/261—In terms of molecular thickness or light wave length
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Polyamides (AREA)
- Polyethers (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Peptides Or Proteins (AREA)
Abstract
制备结构化有机膜(SOF)的方法,该膜包含作为共价有机框架排布的多个链段和多个连接基,其中该结构化有机膜可以是通过预SOF的反应的多链段厚的结构化有机膜。
Description
这个非临时申请要求2009年3月4日申请的名称为“Structured Organic Films”的美国临时申请No.61/157411的权益,其在此全文引入作为参考。
交叉引用的相关申请
共同转让的US专利申请No.―――,名称分别为“Structured Organic Films”,“Mixed Solvent Process for Preparing Structured Organic Films”,“CompositeStructured Organic Films”,“Structured Organic Films Having an AddedFunctionality”和“―――”,其公开内容整个在此以它们全部引入作为参考,描述了结构化有机膜,制备结构化有机膜的方法和结构化有机膜的应用。
发明背景
它的化学结构包含通过共价键连接成延长结构的分子的材料可以分成两类:(1)聚合物和交联的聚合物,和(2)共价有机框架(也称作共价连接的有机网络)。
该第一类(聚合物和交联的聚合物)典型的体现为分子单体聚合来形成长的线性共价键合的分子链。聚合物化学方法可以使得聚合链依次或者伴生地变成“交联的”。聚合物化学的性质提供了对于所形成材料的分子水平结构的较差的控制,即,聚合物链的组织和在链之间的分子单体图案化(patterning)大部分是无规的。几乎全部的聚合物是无定形的,除了一些线性聚合物(其有效的作为有序的棒而排布)之外。一些聚合物材料,特别是嵌段共聚物,可以在它们整体内具有有序的区域。在两种前述的情况中,聚合物链的图案化不是设计的,分子水平上的任何排序是自然的分子间排布倾向的结果。
该第二类(共价有机框架(COF))不同于第一类(聚合物/交联的聚合物)之处在于COF目的是高度图案化的。在COF化学中,分子组分称作分子构建嵌段而非单体。在COF合成过程中,分子构建嵌段反应来形成二维或者三维网络。因此,分子构建嵌段在整个COF材料中图案化,并且分子构建嵌段通过强共价键彼此相连。
因此最近开发的COF典型的是高孔隙率粉末和具有极低密度的材料。COF可以存储接近记录量的氩和氮。虽然这些常规的COF是有用的,但是这里存在着通过本发明的实施方案所解决的对于新材料的需要,其在增强特性方面提供了优于常规COF的优点。
常规的COF的性能和特性描述在下面的文献中:
Yaghi等人,US专利7582798;
Yaghi等人,US专利7196210;
Shun Wan等人,“A Belt-Shaped,Blue Luminescent,and SemiconductingCovalent Organic Framework”,Angew.Chem.Int.Ed.,第47卷第8826-8830页(网上公开于01/10/2008);
Nikolas A.A.Zwaneveld等人,“Organized Formation of 2D ExtendedCovalent Organic Frameworks at Surfaces”,J.Am.Chem.Soc,第130卷第6678-6679页(网上公开于04/30/2008);
Adrien P.Cote等人,“Porous,Crystalline,Covalent Organic Frameworks”,Science,第310卷第1166-1170页(2005年11月18日);
Hani El-Kaderi等人,“Designed Synthesis of 3D Covalent OrganicFrameworks”,Science,第316卷第268-272页(2007年4月13日);
Adrien P.Cote等人,“Reticular Synthesis of Microporous and MesoporousCovalent Organic Frameworks”J.Am.Chem.Soc,第129卷,12914-12915(网上公开于2007年10月6日);
Omar M.Yaghi等人,“Reticular Synthesis and the design of newmaterials”,Nature,第423卷第705-714页(2003年6月12日);
Nathan W.Ockwig等人,“Reticular Chemistry:Occurrence and Taxonomy ofNets and Grammar for the Design of Frameworks”,Ace.Chem.Res.,第38卷第3期,第176-182页(网上公开于2005年1月19日);
Pierre Kuhn等人,“Porous,Covalent Triazine-Based Frameworks Preparedby Ionothermal Synthesis”,Angew.Chem.Int.Ed.,第47卷第3450-3453页(网上公开于2008年3月10日);
Jia-Xing Jiang等人,“Conjugated Microporous Poly(aryleneethylnylene)Networks”,Angew.Chem.Int.Ed,第46卷,(2008)第1-5页(网上公开于2008年9月26日);和
Hunt,J.R.等人,“Reticular Synthesis of Covalent-Organic BorosilicateFrameworks” J.Am.Chem.Soc,第130卷,(2008),11872-11873。(网上公开于2008年8月16日)。
发明内容
这里在实施方案中提供了结构化有机膜,其包含作为共价有机框架排列的多个链段和多个连接基,其中在宏观水平上,该共价有机框架是膜。
附图说明
本发明的其他方面将从下面所进行的说明和参考下面的图而变得显而易见,其代表了说明性实施方案:
图1代表了示例性光感受器(photoreceptor)的简化的侧视图,该光感受器引入了本发明的SOF。
图2代表了第二示例性光感受器的简化的侧视图,该第二示例性光感受器引入了本发明的SOF。
图3代表了第三示例性光感受器的简化的侧视图,该第三示例性光感受器引入了本发明的SOF。
图4代表了第一示例性薄膜晶体管的简化的侧视图,该第一示例性薄膜晶体管引入了本发明的SOF。
图5是图示,其比较了对照试验混合物的产物的傅里叶变换红外光谱,其中仅仅将N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺加入到液体反应混合物中(上),其中仅仅将苯-1,4-二甲醇加入到液体反应混合物中(中),和其中将形成图案化的类型2的SOF 所需的必要组分包括在液体反应混合物中(下)。
图6是独立式SOF的傅里叶变换红外光谱的图示,其包含N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺链段,对二甲苯基链段和醚连接基。
图7是独立式SOF的傅里叶变换红外光谱的图示,其包含N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺链段,正己基链段和醚连接基。
图8是独立式SOF的傅里叶变换红外光谱的图示,其包含N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺链段,4,4'-(环己烷-1,1-二基)二苯基和醚连接基。
图9是独立式SOF的傅里叶变换红外光谱的图示,其包含三苯基胺链段和醚连接基。
图10是独立式SOF的傅里叶变换红外光谱的图示,其包含三苯基胺链段、苯链段和亚胺连接基。
图11是独立式SOF的傅里叶变换红外光谱的图示,其包含三苯基胺链段和亚胺连接基。
图12是光诱导的放电曲线(PIDC)的图示,其表示了类型1结构化有机膜罩面涂层(overcoat layer)的光电导性。
图13是光诱导的放电曲线(PIDC)的图示,其表示了含有蜡添加剂的类型1结构化有机膜罩面涂层的光电导性。
图14是光诱导的放电曲线(PIDC)的图示,其表示了类型2结构化有机膜罩面涂层的光电导性。
图15是在实施例26和54中所生产的SOF的二维X射线散射数据的图示。
除非另有指示,否则在不同的附图中相同的附图标记表示相同或者类似的特征。
具体实施方式
“结构化有机膜”(SOF)是由本发明所引入的新的术语,来表示处于宏观水平膜的COF。术语“SOF”指的是共价有机框架(COF),其在宏观水平上是膜。措词“宏观水平”指的是例如本发明SOF的肉眼视图。虽然COF是“微观水平”或者“分子水平”上的网络(需要使用大功率放大装置或者使用散射方法评价),但是本发明的SOF在“宏观水平”上是根本不同的,因为该膜例如在覆盖率中的量级要大于微观水平的 COF网络。此处所述的SOF具有与以前合成的典型的COF明显不同的宏观形态。以前合成的COF典型的是作为多晶体或者微粒粉末而获得的,其中该粉末是至少数千个粒子(晶体)的聚集体(collection),这里每个粒子(晶体)可以具有从纳米到毫米的尺寸。该粒子的形状可以是板状,球形,立方体,块,棱柱等等。每个粒子(晶体)的组成在整个粒子中是相同的,而在粒子的边缘或者表面是共价连接的框架的链段终止之处。此处所述的SOF不是粒子的聚集体。相反,本发明的SOF在宏观水平上是基本无缺陷的SOF或者无缺陷的SOF,具有连续的共价有机框架,其能够延伸在更大的长度规格上例如诸如远大于毫米到例如米的长度,并且在理论上大到数百米。还将理解SOF倾向于具有大的纵横比,这里典型的SOF的两个尺寸将远大于第三个。SOF具有比COF粒子聚集体明显更少的宏观边缘和不连贯的外表面。
在实施方案中,“基本上无缺陷SOF”或者“无缺陷SOF”可以由沉积在下面的基底表面上的反应混合物形成。术语“基本上无缺陷SOF”指的是例如这样的SOF,其可以或者可以不从下面的基底(该SOF形成于其上)上除去,并且每平方厘米基本上不包含大于两个相邻链段的中心之间的距离的小孔、孔或者间隙;例如诸如每平方厘米小于10个的大于大约250纳米直径的小孔、孔或者间隙,或者每平方厘米小于5个的大于大约100纳米直径的小孔、孔或者间隙。术语“无缺陷SOF”指的是例如这样的SOF,其可以或者可以不从下面的基底(该SOF形成于其上)上除去,并且每平方微米不包含大于两个相邻链段的中心之间的距离的小孔、孔或者间隙,例如每平方微米没有大于大约100埃直径的小孔、孔或者间隙,或者每平方微米没有大于大约50埃直径的小孔、孔或者间隙,或者每平方微米没有大于大约20埃直径的小孔、孔或者间隙。
在实施方案中,该SOF包含至少一个非碳元素的原子,这样至少一个原子选自氢,氧,氮,硅,磷,硒,氟,硼和硫。在另外的实施方案中,该SOF是不含环硼氧烷、环硼氮烷硼硅酸酯和硼酸酯的SOF。
分子构建嵌段
本发明的SOF包含分子构建嵌段,其具有链段(S)和官能团(Fg)。分子构建嵌段需要至少两个官能团(x>2),并且可以包含单种类型或者两种或者更多种类型官能团。官能团是分子构建嵌段的反应性化学部分,其参与了化学反应来在SOF形成过程中将链段连接在一起。链段是支撑官能团的分子构建嵌段的一部分,并且包含全部的不与官能团相关的原子。此外,分子构建嵌段链段的组成在SOF形成后保持不变。
官能团
官能团是分子构建嵌段的反应性化学部分,其参与了化学反应来在SOF形成过程中将链段连接在一起。官能团可以由单个原子组成,或者官能团可以由多于一个的原子组成。官能团的原子组成是通常与化学化合物中的反应性部分相关的那些组成。官能团非限定性例子包括卤素,醇,醚,酮,羧酸,酯,碳酸酯,胺,酰胺,亚胺,脲,醛,异氰酸酯,甲苯磺酰酯,烯,炔等等。
分子构建嵌段包含多个化学部分,但是仅仅这些化学部分的亚组打算作为SOF形成过程中的官能团。化学部分是否被认为是官能团取决于所选择的用于SOF形成方法的反应条件。官能团(Fg)表示这样的化学部分,其是反应性部分,即,在SOF形成过程中是官能团。
在该SOF形成方法中,官能团的组成将通过失去原子,获得原子,或者失去和获得原子二者来改变;或者该官能团可以完全失去。在SOF中,事先与官能团连接的原子变成与连接基基团(其是将链段连接在一起的化学部分)相连。官能团具有特性化学,并且本领域技术人员通常能够认知在本发明的分子构建嵌段中构成官能团的原子。应当注意的是原子或者原子团(grouping of atoms)(其被认为是分子构建嵌段官能团的一部分)可以保持在该SOF的连接基基团中。连接基基团如下所述。
链段
链段是支撑官能团的分子构建嵌段的一部分,并且包含全部的不与官能团相关的原子。此外,分子构建嵌段链段的组成在SOF形成后保持不变。在实施方案中,该SOF可以包含第一链段,其具有与第二链段相同或者不同的结构。在其他实施方案中,第一和/或第二链段的结构可以与第三链段,第四链段,第五链段等相同或者不同。链段也是能够提供倾向性能的分子构建嵌段的一部分。倾向性能随后描述在实施方案中。
在具体的实施方案中,SOF的链段包含至少一个非碳元素的原子,这样的至少一个原子选自氢,氧,氮,硅,磷,硒,氟,硼和硫。
下面说明分子构建嵌段的例子。在每个例子中,将分子构建嵌段的部分标记为链段(S)和官能团(Fg)。
具有一种类型官能团的分子构建嵌段。
具有两种类型官能团的分子构建嵌段。
具有两种类型官能团的分子构建嵌段。
连接基
连接基是通过分子构建嵌段上的官能团之间的化学反应而出现在SOF中的化学部分(如下所示)。
连接基可以包含共价键,单原子,或者共价键合的原子团。前者定义为共价键连接基,并且可以例如是单共价键或者双共价键,其是在全部参与的构建嵌段上的官能团完全失去后出现的。后者的连接基类型定义为化学部分连接基,并且可以包含一个或多个通过单共价键、双共价键或者二者的组合键合到一起的原子。连接基团所包含的原子来源于在SOF形成过程之前存在于分子构建嵌段上的官能团中的原子。化学部分连接基可以是公知的化学基团例如诸如酯,酮,酰胺,亚胺,醚,氨基甲酸酯,碳酸酯等等,或者其衍生物。
例如,当使用两个羟基(-OH)官能团通过氧原子来连接SOF中的链段时,该连接基将是氧原子,其也可以称作醚连接基。在实施方案中,该SOF可以包含第一连接基,其具有与第二连接基相同或者不同的结构。在其他实施方案中,第一和/或第二连接基的结构可以与第三连接基等相同或者不同。
在具体的实施方案中,该连接基包含至少一个非碳元素的原子,这样的至少一个原子选自氢,氧,氮,硅,磷,硒,氟,硼和硫。
SOF类型
下面描述三种示例性类型SOF。这些SOF类型表述为链段和连接基的组合。与具体的SOF类型有关的命名不带有与下面有关的含义:所选择的构建嵌段的组成,或者用于合成SOF的方法,或者该SOF的物理性能。
类型1SOF:包含一种链段类型和一种连接基类型。
类型2SOF:包含两种链段类型和一种连接基类型。
类型3SOF:多个链段类型和/或多个连接基类型。
在实施方案中,多个构建嵌段类型可以用于单个方法中来产生SOF,其依次将包含多个链段类型,只要构建嵌段官能团之间的反应性保持相容就行。包含多个链段类型和/或多个连接基类型的SOF称作类型3SOF。
例如,在不同可能性的类型3SOF中,类型3SOF可以包含多个连接基,该连接基包括结构不同的至少第一连接基和第二连接基(和任选的第三、第四或者第五连接基等),和多个链段,该链段包括结构不同的至少第一链段和第二链段(和任选的第三、第四或者第五链段等),在这里第一链段当它不处于SOF的边缘(edge)时,连接到至少三个其他链段(例如三个第二链段经由连接基连接到第一链段上),其中至少一个连接是经由第一连接基的和至少一个连接是经由第二连接基的;或者类型3SOF可以包含多个连接基,该连接基包括结构不同的至少第一连接基和第二连接基(和任选的第三、第四或者第五连接基等),和多个链段,该链段是由相同结构的链段组成,其中不处于SOF的边缘的链段通过连接基连接到至少三个其他链段,其中至少一个连接是经由第一连接基的,和至少一个连接是经由第二连接基的;或者类型3SOF可以包含多个链段,该链段包括结构不同的至少第一链段和第二链段(和任选的第三,第四或者第五链段等),其中该第一链段当它不处于SOF的边缘时,其通过一个或多个连接基连接到至少三个其他链段(例如三个第二链段或者所存在的不同的其他链段)。
SOF类型的说明
下述是用于合成具有示例性化学结构的具体SOF类型的方案的非限定性例子。从下面的说明中,很显然在这里相同的SOF类型可以使用不同的分子构建嵌段组来合成。在下面所提供的每个方案中,仅仅表示了SOF化学结构的片段。
方案1:使用一种类型的分子构建嵌段来生产类型1SOF。这种SOF包含乙烯(两个原子)连接基类型。
方案2:使用一种类型的分子构建嵌段来生产类型1SOF。这种SOF包含单原子连接基类型。
方案3:使用两种类型的其中链段相同的分子构建嵌段来生产类型1SOF。这种SOF包含亚胺(两个原子)连接基类型。
方案4:使用两种类型的分子构建嵌段来生产类型2SOF。这种SOF包含两种链段类型和单个连接基类型(酰胺,四个原子)。
方案5:使用两种类型的分子构建嵌段来生产类型3SOF。在这种情况中,链段数是2,连接基类型数是2。另外,该SOF具有通过亚胺(两个原子)和酰胺(四个原子)连接基连接的图案化链段。
SOF的度量参数
SOF具有任何合适的纵横比。在实施方案中,SOF的纵横比例如大于大约30:1或者大于大约50:1,或者大于大约70:1,或者大于大约100:1,例如大约1000:1。SOF的纵横比定义为它的平均宽度或者直径(即,相对于它的厚度次要最大的尺寸)与它的平均厚度(即,它的最短尺寸)之间的比率。作为此处使用的,术语“纵横比”不受限于理论。SOF的最长尺寸是它的长度,并且在SOF纵横比的计算中不考虑它。
通常,SOF的宽度和长度,或者直径大于大约500微米,例如大约10mm,或者30mm。SOF具有下面的示例性厚度:对于单链段厚的层来说大约10埃-大约250埃,例如大约20埃-大约200埃,和对于多链段厚的层来说大约20nm-大约5mm,大约50nm-大约10mm。
SOF尺寸可以使用多种工具和方法测量。对于大约1微米或者更低的尺寸来说,扫描电子显微镜方法是优选的方法。对于大约1微米或者更大的尺寸来说,千分尺(或者直尺)是优选的方法。
任选的SOF的周期性
SOF可以以结晶或者非结晶形式分离。结晶膜是这样的膜,其在任何长度尺寸上具有足够的周期性,这样它能够相干的散射(衍射)电磁辐射例如诸如X射线,和/或亚原子粒子例如诸如中子。相干散射将使用适于检测辐射或者所用粒子的检测系统,在1-,2-,或者3-维上检测所观察衍射图案来证明。非结晶膜是这样的膜,其并不相干散射(衍射)电磁辐射例如诸如X射线,和/或亚原子粒子例如诸如中子。
在衍射法领域中全部的工具,或者具有收集散射数据的次要功能的工具,可用于测量相干和非相干的散射。这样的工具包括但不限于1-,2-,3-,或者4-圆形测角器,其装备有点、线或者面检测系统,能够检测1-,2-,或者3-维中的散射(电磁的和/或亚原子的),成像工具例如但不限于电子显微镜,其装备以检测来自材料的散射电子。
可选择的,能够对微米和亚微米尺寸的结构进行绘图的成像方法可以用于评价SOF的周期性。这样的方法包括但不限于扫描电子显微镜法,隧道电子显微镜法,和原子力显微镜法。
多层SOF
SOF可以包含单层或者多个层(即,两层,三层或者多层)。包含多个层的SOF可以是物理连接(例如偶极和氢键)或者化学连接的。物理连接的层特征在于较弱的层间相互作用或者附着;所以物理连接的层会易于发生彼此层离(delaminate)。化学连接的层预期具有化学键(例如,共价或者离子键)或者具有众多的物理或者分子间(超分子)缠绕,其较强地连接了相邻的层。
所以,化学连接的层的层离要难得多。层间化学连接可以使用光谱方法例如聚焦红外或者拉曼光谱法来检测,或者用其他具有空间解析的能够精确检测界面处的化学物质的方法来检测。在层间的化学连接是与层本身中的那些不同的化学物质的情况中,可以用灵敏的总分析(bulk analyses)例如固态核磁共振光谱或者使用其他总分析方法来检测这些连接。
在该实施方案中,SOF可以是单层(单链段厚的或者多链段厚的)或者多层(每个层是单链段厚的或者多链段厚的)。“厚度”指的是例如膜的最小尺寸。如上所述,在SOF中,链段是这样的分子单元,其通过连接基共价键合来产生膜的分子框架。该膜的厚度也可以定义为当观察膜横截面时,沿着膜轴所计数的链段数。“单层”SOF是最简单的情况,并且指的是例如其中膜是一个链段厚的。沿着这个轴存在着两个或者多个链段的SOF称作“多链段”厚的SOF。
制备物理连接的多层SOF的示例性方法,包括:(1)形成基础SOF层,其可以通过第一固化周期来固化,和(2)在该基层上形成第二反应性湿层,随后进行第二固化周期,和任选地,重复该第二步骤来形成第三层、第四层等。该物理堆叠的多层SOF的厚度可以大于大约20埃,例如诸如下面的示例性厚度:大约20埃-大约10cm,例如大约1nm-大约10mm,或者大约0.1mm埃-大约5mm。原则上使用这种方法时,对于能够物理堆叠的层数没有限制。
在实施方案中,多层SOF是通过以下由用于制备化学连接的多层SOF的方法来形成的:(1)由第一反应性湿层形成基础SOF层,该SOF层具有在表面上存在的官能团(或者悬挂官能团(dangling functional group)),和(2)在该基层上由包含分子构建嵌段的第二反应性湿层形成第二SOF层,该分子构建嵌段具有能够与在基础SOF层表面上的悬挂官能团反应的官能团。任选地,用于形成第二SOF层的配方应当包含分子构建嵌段,其具有能够与该基层的悬挂官能团反应的官能团以及允许将第三层化学连接到第二层上的另外的官能团。该化学堆叠的多层SOF的厚度可以大于大约20埃,例如诸如下面的示例性厚度:大约20埃-大约10cm,例如大约1nm-大约10mm,或者大约0.1mm埃-大约5mm。原则上使用这种方法时,对于可以化学堆叠的层数没有限制。
在实施方案中,该制备化学连接的多层SOF的方法包含通过以下促进第二SOF化学连接到已有的SOF(基层)上:在用于形成该SOF(基层)的方法过程中使用稍微过量的一种分子构建嵌段(当存在多于一种的分子构建嵌段时),由此在该分子构建嵌段上存在的官能团将存在于该基层表面。该基层表面可以用试剂处理来提高悬挂官能团的反应性或者来产生悬挂官能团数目的增加。
在一种实施方案中,可以改变SOF表面上存在的悬挂官能团来提高具体种类的分子或者单个分子的共价连接倾向(或者可选择的,降低共价连接倾向),例如SOF到基层或者任何另外的基底或者SOF层上的共价连接倾向。例如,基层例如SOF层的表面(其可以包含反应性悬挂官能团)能够通过用封端化学基团(capping chemical group)进行表面处理来赋予失活状态(pacified)。例如,具有悬挂羟基醇基团的SOF层可以通过用三甲基甲硅烷基氯处理来失活,由此将羟基封端成稳定的三甲基甲硅烷基醚。可选择的,基层表面可以用非化学键合剂例如蜡处理,来阻止与来自后续层的悬挂官能团的反应。
分子构建嵌段对称性
分子构建嵌段对称性与围绕分子构建嵌段链段外围的官能团(Fg)定位有关。不受限于化学或者数学理论,对称性分子构建嵌段是这样的嵌段,其中Fg的定位会与棒的端部,规则几何形状的顶点,或者扭曲的(distorted)棒或者扭曲的几何形状的顶点有关。例如,含有四个Fg的分子构建嵌段的大部分对称性选项是其Fg与正方形的角或者四面体的顶点交叠的那些。
对称性构建嵌段的应用在本发明实施方案中实践出于两个原因;(1)可以更好的预期分子构建嵌段的图案化,因为规则形状的连接在网络化学(reticular chemistry)中是更好理解的方法,和(2)分子构建嵌段之间的完全反应更容易,因为对于不太对称的构建嵌段来说会采用不确定的构造/取向,这可能会在SOF中引发众多的连接缺陷。
下面绘制的是构建嵌段,它的对称元素已经标出。这样的对称元素可以用于本发明的构建嵌段中。
在实施方案中,类型1SOF包含不位于SOF边缘的链段,其通过连接基连接到至少三个其他链段上。例如,在实施方案中,该SOF包含至少一种对称的构建嵌段,其选自理想的三角形构建嵌段、扭曲的三角形构建嵌段、理想的四面体构建嵌段、扭曲的四面体构建嵌段、理想的正方形构建嵌段和扭曲的正方形构建嵌段。在实施方案中,类型2SOF和类型3SOF包含至少一种不位于该SOF边缘的链段类型,其通过连接基连接到至少三个其他链段。例如,在实施方案中,该SOF包含至少一种对称的构建嵌段,其选自理想的三角形构建嵌段、扭曲的三角形构建嵌段、理想的四面体构建嵌段、扭曲的四面体构建嵌段、理想的正方形构建嵌段和扭曲的正方形构建嵌段。
分子构建嵌段列举
下面所示的是示例性分子实体种类和每个种类的成员的例子,其能够作为用于本发明的SOF中的分子构建嵌段。
含有碳或者硅原子中心(core)的构建嵌段:
含有烷氧基中心的构建嵌段:
含有氮或者磷原子中心的构建嵌段:
含有芳基中心的构建嵌段:
含有碳酸酯中心的构建嵌段:
含有碳环-,碳二环-,或者碳三环中心的构建嵌段:
含有低聚噻吩中心的构建嵌段:
其中Q可以独立的选自:
-芳基,二芳基,三芳基,和萘基,任选的是用下面的基团取代的:C1-C8支化的和未支化的烷基,支化的和未支化的C1-C8全氟烷基,C1-C6碳环,氨基,羟基,卤素,氰基,硝基,酮,羧酸,羧酸酯,巯基,硫醚;
-芳基,二芳基,三芳基,萘基,含有1-3杂原子/环,任选的是用下面的基团取代的:C1-C8支化的和未支化的烷基,支化的和未支化的C1-C8全氟烷基,C1-C6碳环,氨基,羟基,卤素,氰基,硝基,羧酸,羧酸酯,巯基,硫醚;
-支化的和未支化的C1-C8全氟烷基,C1-C6碳环,氨基,羟基,卤素,氰基,硝基,羧酸,酮,羧酸酯,巯基,硫醚,烷基醚,芳基醚;
-C1-C12支化的和未支化的烷基;
-C1-C12支化的和未支化的全氟烷基;
-低聚醚,含有多至12个的C-O单元;
-并且IV族原子中心的p是大约1-大约24,例如大约12-大约24;烷氧基中心的x是大约1-大约12,例如大约6-大约12;z是大约1-大约4,例如大约2-大约4;j是大约1-大约12,例如大约1-大约12。
其中Fg是官能团,如同前面在实施方案所定义,并且可以独立的选自:
-醇,烷基醚或者芳基醚,氰基,氨基,卤素,酮,羧酸,羧酸酯,羧酸酰基氯(carboxylic acid chloride),芳基磺酰基或者烷基磺酰基,甲酰基,氢和异氰酸酯。
其中R独立的选自:
-芳基,二芳基,三芳基和萘基,任选的是用下面的基团取代的:C1-C8支化的和未支化的烷基,支化的和未支化的C1-C8全氟烷基,C1–C6碳环,氨基,羟基,卤素,氰基,硝基,酮,羧酸,羧酸酯,巯基,硫醚;
-芳基,二芳基,三芳基,萘基,含有1-3杂原子/环,任选的是用下面的基团取代的:C1-C8支化的和未支化的烷基,支化的和未支化的C1-C8全氟烷基,C1-C6碳环,氨基,羟基,卤素,氰基,硝基,酮,羧酸,羧酸酯,巯基,硫醚;
-支化的和未支化的C1-C8全氟烷基,C1-C6碳环,氨基,羟基,卤素,氰基,硝基,酮,羧酸,羧酸酯,巯基,硫醚,烷基醚,芳基醚;
-C1-C12支化的和未支化的烷基;
-C1-C12支化的和未支化的全氟烷基;
-低聚醚,含有多至12个的C-O单元;
-醇,烷基醚或者芳基醚,氰基,氨基,卤素,羧酸,羧酸酯,酮,羧酸酰基氯,芳基磺酰基或者烷基磺酰基,甲酰基,氢,异氰酸酯等等。
连接化学的实践
在实施方案中,可以发生连接化学(linking chemistry),其中官能团之间的反应产生了挥发性副产物,其可以在膜形成过程中或者之后大部分从SOF中蒸发或者除去,或者其中不形成副产物。连接化学可以选择来实现用于其中不期望存在连接化学副产物的应用的SOF。连接化学反应可以包括例如缩合、加成/消去、和加成反应,例如诸如产生酯,亚胺,醚,碳酸酯,氨基甲酸酯,酰胺,缩醛和甲硅烷基醚的那些。
在实施方案中,经由官能团之间反应的连接化学产生了非挥发性副产物,其在膜形成过程之后大部分保留并入到SOF中。可以选择实施方案中的连接化学来实现这样的SOF,该SOF用于其中连接化学副产物的存在不影响性能的应用中,或者用于其中连接化学副产物的存在会改变SOF性能(例如诸如SOF的电活性,疏水或者亲水性)的应用中。连接化学反应可以包括例如取代,置换和金属催化偶联反应,例如产生碳-碳键的那些。
对于全部的连接化学来说,经由构建嵌段官能团之间的化学来控制构建嵌段之间的反应速度和程度的能力是本发明的一个重要方面。控制反应速度和程度的原因可以包括使得膜形成方法适于不同的涂覆方法和调节构建嵌段的微观排列来实现周期性SOF,如前面的实施方案所述。
COF的固有性能
COF具有固有性能例如高的热稳定性(典型的在大气条件下高于400℃);在有机溶剂中差的溶解性(化学稳定性),和孔隙率(能够可逆的吸收外来物(guest uptake))。在实施方案中,SOF也可以具有这些固有性能。
SOF的增加的功能性
增加的功能性表示这样的性能,其不是常规的COF固有的,并且可以通过分子构建嵌段的选择来产生,其中分子组成为所形成的SOF提供了增加的功能性。增加的功能性可以通过将具有用于该增加的功能性的“倾向性能”的分子构建嵌段组合来产生。增加的功能性也可以通过将不具有用于该增加的功能性的“倾向性能”,但是所形成的SOF因为将链段(S)和连接基连接到SOF中而具有该增加的功能性的分子构建嵌段的组装合产生。此外,增加的功能性的产生可以得自使用分子构建嵌段的组合效应,该嵌段具有用于该增加的功能性的“倾向性能”,它的倾向性能是通过将链段和连接基一起连接到SOF中来改变或者提高的。
分子构建嵌段的倾向性能
术语分子构建嵌段的“倾向性能”指的是例如对于某些分子组成已知存在的性能或者本领域技术人员通过检查链段的分子组成而合理确定的性能。作为此处使用的,术语“倾向性能”和“增加的功能性”指的是相同的通用性能(例如疏水,电活性等等),但是“倾向性能”用于分子构建嵌段的背景中,“增加的功能性”用于SOF的背景中。
SOF的疏水(超疏水),亲水,疏脂(超疏脂性),亲脂,光致变色和/或电活性(导体,半导体,电荷传输材料)性质是能够代表SOF的“增加的功能性”的一些例子。这些和其他增加的功能性可以来自于分子构建嵌段的倾向性能或者可以来自于不具有在SOF中所观察到的各增加的功能性构建嵌段。
术语疏水的(超疏水的)指的是例如拒水性,或者其他极性物质例如甲醇,它还表示因此不能吸水和/或产生溶胀。此外,疏水性表示不能与水或者其他氢键键合物质形成强的氢键。疏水材料典型的特征在于具有大于90°的水接触角,超疏水材料具有大于150°的水接触角,其是使用接触角测角计或者相关装置来测量的。
术语亲水的指的是例如吸引、吸附或者吸收水或者其他极性物质的性能,或者易于被这样的物质润湿的表面。亲水材料典型的特征在于小于20°的水接触角,其是使用接触角测角计或者相关装置来测量的。亲水性的特征也可以是:材料被水或者其他极性物质溶胀,或者材料能够使得水或者其他极性物质扩散或者传输通过其本身。亲水性进一步通过能够与水或者其他氢键键合物质形成强的或者多个的氢键来表征。
术语疏脂的(疏油的)指的是例如拒油或者其他非极性物质例如烷烃,脂肪和蜡的性能。疏脂性材料典型的特征在于油接触角大于90°,其是使用接触角测角计或者相关装置来测量的。
术语亲脂的(亲油的)指的是例如吸引油或者其他非极性物质例如烷烃,脂肪和蜡的性能,或者易于被这样的物质润湿的表面。亲脂性材料典型的特征在于具有低到0的油接触角,其是使用例如接触角测角计来测量的。亲脂性也可以由材料被己烷或者其他非极性液体溶胀来表征。
术语光致变色的指的是例如在曝露于电磁辐射时,显示出可逆的变色的能力。可以制备含有光致变色分子的SOF组合物,并且在曝露于电磁辐射时表现出可逆的变色。这些SOF可以具有光致变色性的增加的功能性。光致变色的SOF的稳固性使得它们能够用于许多应用中,例如光致变色性SOF用于可擦除纸(erasable paper),和用于窗着色/遮阳(windowtinting/shading)的光响应性膜和眼罩(eye wear)。SOF组合物可以包含任何合适的光致变色分子,例如二官能光致变色分子作为SOF分子构建嵌段(化学键合到SOF结构中),单官能光致变色分子作为SOF封端基团(化学键合到SOF结构中),或者在SOF复合体中未官能化的光致变色分子(没有化学键合到SOF结构中)。光致变色SOF在曝露于所选择波长的光时会变色,并且该变色可以是可逆的。
含有化学键合到SOF结构中的光致变色分子的SOF组合物是优异的化学和机械稳固的光致变色材料。这样的光致变色SOF材料显示出许多对于可利用的聚合物替代物来说优异的性能,例如大量的可逆变色方法。
术语电活性的指的是,例如传输电荷(电子和/或空穴)的性能。电活性材料包括导体,半导体和电荷传输材料。导体定义为在电势差存在下容易传输电荷的材料。半导体定义为不固有地导电,但是在电势差和所施加的激励例如诸如电场、电磁辐射、热等存在下能够变得导电的材料。电荷传输材料定义为当在电势差存在下,从另外的材料例如诸如染料、颜料或者金属注入电荷时能够传输该电荷的材料。
导体可以进一步定义为这样的材料,其使用电位计给出大约0.1-大约107 S/cm的信号。
半导体可以进一步定义为这样的材料,其在所施加的激励例如诸如电场、电磁辐射、热等存在下,使用电位计给出大约10-6-大约104 S/cm的信号。可选择的,半导体可以定为为这样的材料,当曝露于所施加的激励例如诸如电场、电磁辐射、热等时,其具有使用渡越时间(time-of-flighting)技术所测量的10-10-大约106 Cm2V-1S-1的电子和/或空穴迁移率。
电荷传输材料可以进一步定义为这样的材料,其具有使用渡越时间技术所测量的10-10-大约106 Cm2V-1S-1的电子和/或空穴迁移率。应当注意的是在一些情形下,电荷传输材料也可以归类为半导体。
具有增加的疏水功能性的SOF可以使用分子构建嵌段来制备,该嵌段具有倾向的疏水性能和/或具有亚微米到微米尺寸上粗糙的、纹理化的(textured)或者多孔表面。Cassie和Baxter撰写了论文,描述了亚微米到微米尺寸上具有粗糙的、纹理化的或者多孔表面的是疏水性的材料(Cassie,A.B.D.;Baxter,S.Trans.Faraday Soc,1944,40,546)。
包含或者具有高氟化链段的分子构建嵌段具有倾向的疏水性能,并且会导致具有增加的疏水功能性的SOF。高氟化链段定义为链段上存在的氟原子数除以链段上存在的氢原子数大于1。氟化的链段(其不是高氟化链段)也会导致具有增加的疏水功能性的SOF。
上述氟化的链段可以包括例如四氟对苯二酚,全氟己二酸水合物,4,4'-(六氟异亚丙基)二邻苯二甲酸酐,4,4'-(六氟异亚丙基)联苯酚等等。
在亚微米到微米尺寸上具有粗糙的,纹理化的或者多孔表面的SOF也可以疏水的。该粗糙的,纹理化的或者多孔SOF表面可以得自在膜表面上存在的悬挂官能团或者得自该SOF的结构。图案类型和图案化程度取决于分子构建嵌段的几何形状和连接化学效率。导致表面粗糙度或者纹理的特征尺寸是大约100nm-大约10μm,例如大约500nm-大约5 μm。
具有增加的亲水功能性的SOF可以通过使用具有倾向的亲水性能和/或包含极性连接基团的分子构建嵌段来制备。
包含具有极性取代基的链段的分子构建嵌段具有倾向的亲水性能和可以导致具有亲水增加的功能性的SOF。术语极性取代基指的是例如能够与水形成氢键的取代基,并且包括例如羟基,氨基,铵,和羰基(例如酮,羧酸,酯,酰胺,碳酸酯,脲)。
具有增加的电活性的功能性的SOF可以使用这样的分子构建嵌段来制备,其具有倾向的电活性性能和/或是由共轭的链段和连接基组合而导致电活性的。下面的部分描述具有倾向的空穴传输性能、倾向的电子传输性能和倾向的半导体性能的分子构建嵌段。
具有增加的空穴传输功能性的SOF可以通过选择具有由下面通用结构的链段中心例如诸如三芳基胺,腙(US专利No.7202002 B2,Tokarski等人)和烯胺(US专利No.7416824B2,Kondoh等人)来获得:
该链段中心包含由下面的通式所代表的三芳基胺:
其中Ar1,Ar2,Ar3,Ar4和Ar5每个独立的代表取代的或者未取代的芳基基团,或者Ar5独立的代表取代的或者未取代的亚芳基基团,和k代表0或者1,其中Ar1,Ar2,Ar3,Ar4和Ar5中的至少两个包含Fg(前述定义)。Ar5可以进一步定义为,例如取代的苯环,取代的/未取代的亚苯基,取代的/未取代的单价连接的芳族环例如联苯,三苯基等,或者取代的/未取代的稠合芳环例如萘基,蒽基(anthranyl),菲基等等。
包含具有增加的空穴传输功能性的芳基胺的链段中心包括,例如芳基胺例如三苯基胺,N,N,N',N'-四苯基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺,N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺,N,N'-双(4-丁基苯基)-N,N'-二苯基-[对三苯基]-4,4''-二胺;腙例如N-苯基-N-甲基-3-(9-乙基)咔唑基腙和4-二乙基氨基苯甲醛-1,2-二苯基腙;和二唑例如2,5-双(4-N,N'-二乙基氨基苯基)-1,2,4-二唑,芪等等。
包含具有倾向的空穴传输性能的三芳基胺中心链段的分子构建嵌段可以来自于所列的化学结构,包括例如下面所列出的这些:
三芳基胺中心:
该链段中心包含下面的通式所代表的腙:
其中Ar1,Ar2和Ar3每个独立的代表芳基,其任选的含有一个或多个取代基,和R代表氢原子,芳基,或者烷基(任选的含有取代基);其中Ar1,Ar2和Ar3中的至少两个包含Fg(前述定义);和相关的由下面的通式代表的二唑:
其中Ar和Ar1每个独立的代表包含Fg(前述定义)的芳基。
包含具有倾向的空穴传输性能的腙和二唑中心链段的分子构建嵌段可以来源于所列的化学结构,包括例如下面所列的这些:
腙中心:
二唑中心:
该链段中心包含下面的通式所代表的烯胺:
其中Ar1,Ar2,Ar3和Ar4每个独立的代表芳基,其任选的包含一个或多个取代基或者杂环基团(其任选的包含一个或多个取代基),和R代表氢原子,芳基,或者烷基基团(任选的含有取代基);其中Ar1,Ar2,Ar3和Ar4中的至少两个包含Fg(前述定义)。
包含具有倾向的空穴传输性能的烯胺中心链段的分子构建嵌段可以来源于所列的化学结构,包括例如下面所列的这些:
烯胺中心:
具有增加的电子传输功能性的SOF可以通过选择链段中心来获得,该链段中心包含具有下面的通用结构的例如硝基芴酮,9-亚芴基丙二腈,二苯酚合苯醌和萘四羧酸二酰亚胺,:
应当注意2,5-二苯基-1,4-苯醌(diphenylquinone)的羰基还能够充当SOF形成过程中的Fg。
具有增加的半导体功能性的SOF可以通过选择具有下面的通用结构的链段中心来获得,该链段中心例如诸如并苯,噻吩/低聚噻吩/稠合的噻吩,苝双酰亚胺或者四硫富瓦烯及其衍生物:
该SOF可以是p-类型半导体,n-类型半导体或者二极性半导体。该SOF半导体类型取决于分子构建嵌段的性质。具有给电子性能例如烷基、烷氧基芳基和氨基基团的分子构建嵌段,当存在于SOF中时,能够使得该SOF成为p-类型半导体。可选择的,是吸电子的例如氰基,硝基,氟,氟化的烷基和氟化的芳基基团的分子构建嵌段能够使得该SOF成为n-类型半导体。
包含具有倾向的半导体性能的并苯中心链段的分子构建嵌段可以来源于包括例如下面所列的这些的化学结构列表:
包含具有倾向的半导体性能的噻吩/低聚噻吩/稠合的噻吩中心链段的分子构建嵌段可以来源于包括例如下面所列的这些的化学结构列表:
包含具有倾向的半导体性能的苝双酰亚胺中心链段的分子构建嵌段的例子可以来自于下面的化学结构:
包含具有倾向的半导体性能的四硫富瓦烯中心链段的分子构建嵌段可以来源于包括例如下面所列的这些的化学结构列表:
其中Ar每个独立的代表芳基,其任选的包含一个或多个取代基或者任选的包含一个或多个取代基的杂环基团。
类似地,通过这些分子构建嵌段所制备的SOF的电活性将取决于链段的性质,连接基的性质,和链段在SOF中如何取向。有利于链段部分在SOF中优选的取向的连接基预期会导致更高的电活性。
制备结构化有机膜的方法
制造SOF的方法典型的包含多个活动或者步骤(在下面阐述),它们能够以任何合适的次序来进行,或者这里两个或者多个活动是同时或者在时间上紧邻来进行的:
制备结构化有机膜的方法,包括:
(a)制备包含多个分子构建嵌段和预SOF的包含液体的反应混合物,每个该嵌段包含链段和多个官能团;
(b)将该反应混合物作为湿膜沉积;
(c)促进该包括分子构建嵌段的湿膜转变成包含SOF的干膜,该SOF包含作为共价有机框架排布的多个链段和多个连接基,其中在宏观水平上该共价有机框架是膜;
(d)任选的从涂覆基底上除去该SOF以获得独立式SOF;
(e)任选的将该独立式SOF加工成卷(roll);
(f)任选的将该SOF切割和缝合成带;和
(g)任选的在作为用于随后的SOF形成过程的基底的SOF(其是通过上述SOF形成方法制备的)上进行上述SOF形成过程。
上述活动或者步骤可以在大气压、超大气压或者低于大气压时进行。作为此处使用的,术语“大气压”指的是大约760托的压力。术语“超大气压”指的是大于大气压,但是小于20atm的压力。术语“低于大气压”指的是小于大气压的压力。在一种实施方案中,所述活动或者步骤可以在大气压或者接近于大气压时进行。通常,可以便利的使用大约0.1 atm-大约2 atm,例如大约0.5 atm-大约1.5 atm,或者0.8 atm-大约1.2 atm的压力。
加工活动A:制备包含液体的反应混合物
该反应混合物包含溶解、悬浮或者混合在液体中的多个分子构建嵌段。该多个分子构建嵌段可以是一种类型或者两种或者更多种类型。当一种或多种的分子构建嵌段是液体时,任选使用另外的液体。催化剂可以任选的加入到该反应混合物中以使得在上述的活动C过程中预SOF形成和/或改变SOF形成的动力学成为可能。术语“预SOF”可以指的是,例如至少两种分子构建嵌段,它们已经反应,并且分子量高于起始分子构建嵌段和包含多个能够进行与其他构建嵌段或者预SOF的官能团进一步反应来获得SOF的官能团,其可以是基本上无缺陷的或者无缺陷的SOF,和/或分子构建嵌段官能团的“活化”赋予了对于膜形成方法提高的或者改变的反应性。活化可以包括官能团部分的分裂,与催化剂的预结合,与溶剂分子、液体、第二溶剂、第二液体、第二组分的结合,或者与任何改变官能团反应性的实体(entity)的结合。在实施方案中,预SOF形成可以包括分子构建嵌段之间的反应或者分子构建嵌段官能团的“活化”,或者二者的组合。“预SOF”的形成可以通过许多方式来实现,例如在沉积湿层到基底上之前,加热该反应混合物、将该反应混合物曝露于UV辐射、或者部分反应分子构建嵌段和/或活化该反应混合物中的官能团的任何其他手段。添加剂或者第二组分可以任选的加入到该反应混合物中,来改变所形成的SOF的物理性能。
该反应混合物组分(分子构建嵌段、任选的液体、任选的催化剂和任选的添加剂)在容器中混合的。该反应混合物组分的添加次序可以变化;但是,典型的当制备SOF的方法包括预SOF或者预SOF的形成时,在将该反应混合物作为湿膜沉积之前,催化剂(任选的)可以加入到该反应混合物中。在实施方案中,在存在或者不存在催化剂条件下,该分子构建嵌段可以进行光化学、热、化学或者通过任何其他方式反应来获得预SOF。在不存在催化剂条件下所形成的预SOF和分子构建嵌段,可以在不存在催化剂条件下在液体中加热来帮助溶解分子构建嵌段和预SOF。在实施方案中,在催化剂存在下形成的预SOF和分子构建嵌段可以在这样的温度下加热来帮助溶解分子构建嵌段和预SOF,该温度不引起分子构建嵌段和/或预SOF的显著的进一步反应。该反应混合物也可以混合、搅拌、研磨等来保证在将该反应混合物作为湿膜沉积之前所述配方组分的均匀分布。
在实施方案中,该反应混合物可以在作为湿膜沉积之前进行加热。这能够在沉积湿层之前,帮助一种或多种分子构建嵌段的溶解和/或在通过该反应混合物的部分反应提高该反应混合物的粘度来形成预SOF。例如,分子构建嵌段(其加入到预反应的分子构建嵌段预SOF中)在该反应混合物中的重量百分比可以小于20%,例如大约15%-大约1%,或者10%-大约5%。在实施方案中,95%的预SOF分子的分子量小于5000道尔顿,例如2500道尔顿,或者1000道尔顿。预SOF的制备可以用于提高分子构建嵌段在该反应混合物中的负载(loading)。
在经由官能团活化形成预SOF的情况中,活化的官能团的摩尔百分比可以小于50%,例如大约30%-大约10%,或者大约10%-大约5%。
在实施方案中,两种预SOF形成方法(通过分子构建嵌段之间的反应来形成预SOF或者通过分子构建嵌段官能团的“活化”来形成预SOF)可以组合进行,并且加入预SOF结构中的分子构建嵌段可以包含活化的官能团。在实施方案中,通过分子构建嵌段之间的反应来形成预SOF或者通过分子构建嵌段官能团的“活化”来形成预SOF可以同时发生。
在实施方案中,预SOF形成的过程持续了大约10s-大约48小时,例如大约30s-大约12小时,或者大约1分钟-6小时。
在具体的实施方案中,该反应混合物需要具有这样的粘度,该粘度将支持沉积的湿层。反应混合物粘度是大约10-大约50000cps,例如大约25-大约25000cps或者大约50-大约1000cps。
分子构建嵌段负载或者在该反应混合物中的“负载”定义为分子构建嵌段和任选的催化剂的总重量除以该反应混合物的总重量。构建嵌段负载可以是大约3-100%,例如大约5-大约50%,或者大约15-大约40%。在这里液体分子构建嵌段用作该反应混合物的唯一液体组分的情况中(即,不使用附加的液体),该构建嵌段负载将是大约100%。
在实施方案中,该预SOF可以由具有一种或多种选自以下的增加的功能性的构建嵌段制成,:增加的疏水功能性,增加的超疏水功能性,增加的亲水功能性,增加的疏脂功能性,增加的超疏脂功能性,增加的亲脂功能性,增加的光致变色功能性和增加的电活性功能性。在实施方案中,分子构建嵌段的倾向性能与预SOF的增加的功能性相同。在实施方案中,该SOF的增加的功能性不是分子构建嵌段的倾向性能。
该反应混合物中所用的液体可以是纯液体,例如溶剂和/或溶剂混合物。液体用于溶解或者悬浮在反应混合物中的分子构建嵌段和催化剂/改性剂。液体选择通常基于平衡分子构建嵌段的溶解性/分散性,和特别的构建嵌段负载,反应混合物粘度,和液体的沸点(其影响湿层变成干SOF的促进作用)。合适的液体的沸点可以是大约30-大约300℃,例如大约65℃-大约250℃,或者大约100℃-大约180℃。
液体可以包括分子类例如烷烃(己烷,庚烷,辛烷,壬烷,癸烷,环己烷,环庚烷,环辛烷,十氢化萘);混合烷烃(己烷,庚烷);支化烷烃(异辛烷);芳族化合物(甲苯,邻-、间-、对-二甲苯,三甲苯,硝基苯,苯腈,丁基苯,苯胺);醚(苄基乙基醚,丁基醚,异戊基醚,丙基醚);环醚(四氢呋喃,二烷),酯(乙酸乙酯,乙酸丁酯,丁酸丁酯,乙酸乙氧基乙酯(ethoxyethyl acetate),丙酸乙酯,乙酸苯基酯,苯甲酸甲酯);酮(丙酮,甲乙酮,甲基异丁基酮,二乙酮,氯丙酮,2-庚酮),环酮(环戊酮,环己酮),胺(1°,2°或者3°胺例如丁基胺,二异丙基胺,三乙基胺,二异丙基乙基胺;吡啶);酰胺(二甲基甲酰胺,N-甲基吡咯烷酮,N,N-二甲基甲酰胺);醇(甲醇,乙醇,正-丙醇,异-丙醇,正-丁醇,异-丁醇,叔-丁醇,1-甲氧基-2-丙醇,己醇,环己醇,3-戊醇,苄醇);腈(乙腈,苯腈,丁腈),卤化的芳烃(氯苯,二氯苯,六氟苯),卤化烷烃(二氯甲烷,氯仿,二氯乙烯,四氯乙烷);和水。
包含第一溶剂,第二溶剂,第三溶剂等的混合液体可以用于该反应混合物中。两种或者更多种液体可以用于帮助分子构建嵌段的溶解/分散;和/或提高分子构建嵌段负载;和/或通过帮助润湿基底和沉积仪器来允许沉积稳定的湿膜;和/或调节湿层变成干SOF的促进作用。在实施方案中,第二溶剂是这样的溶剂,它的沸点或者蒸气压曲线或者对于分子构建嵌段的亲和性不同于第一溶剂的那些。在实施方案中,第一溶剂的沸点高于第二溶剂。在实施方案中,第二溶剂的沸点等于或者小于大约100℃,例如是大约30℃-大约100℃,或者大约40℃-大约90℃,或者大约50℃-大约80℃。
在实施方案中,第一溶剂或者高沸点溶剂的沸点等于或者大于大约65℃,例如是大约80℃-大约300℃,或者大约100℃-大约250℃,或者大约100℃-大约180℃。该高沸点溶剂可以包括例如下面的(括号中的值是该化合物的沸点):烃溶剂例如戊基苯(202℃),异丙基苯(152℃),1,2-二乙基苯(183℃),1,3-二乙基苯(181℃),1,4-二乙基苯(184℃),环己基苯(239℃),二戊烯(177℃),2,6-二甲基萘(262℃),对-甲基异丙基苯(p-cymene)(177℃),樟脑油(160-185℃),溶剂石脑油(110-200℃),顺式-十氢化萘(196℃),反式-十氢化萘(187℃),癸烷(174℃),四氢化萘(207℃),松节油(153-175℃),煤油(200-245℃),十二烷(216℃),十二烷基苯(支化的)等等;酮和醛溶剂例如苯乙酮(201.7℃),异佛尔酮(215.3℃),佛尔酮(198-199℃),甲基环己酮(169.0-170.5℃),甲基正庚基酮(195.3℃)等等;酯溶剂例如邻苯二甲酸二乙酯(296.1℃),乙酸苄基酯(215.5℃),γ-丁内酯(204℃),草酸二丁酯(240℃),乙酸2-乙基己基酯(198.6℃),苯甲酸乙酯(213.2℃),甲酸苄基酯(203℃)等等;硫酸二乙酯(208℃),环丁砜(285℃),和卤代烃溶剂;醚化的烃溶剂;醇溶剂;醚/缩醛溶剂;多羟基醇溶剂;羧酸酐溶剂;酚溶剂;水;和有机硅溶剂(silicone solvent)。
混合液体的比率可以由本领域技术人员确定。二元混合的液体的液体体积比例可以是大约1:1-大约99:1,例如大约1:10-大约10:1,或者大约1:5-大约5:1。当使用n种液体时(并且n是大约3-大约6),每种液体的量是大约1%-大约95%,使得每种液体之和等于100%。
在实施方案中,该混合的液体包含具有不同沸点的至少第一和第二溶剂。在另外的实施方案中,第一溶剂和第二溶剂之间的沸点差异可以例如是大约0-大约150℃,例如0-大约50℃。例如,第一溶剂的沸点可以超过第二溶剂的沸点大约1℃-大约100℃,例如超过大约5℃-大约100℃,或者超过大约10℃-大约50℃。该混合的液体可以包含具有不同蒸气压的至少第一和第二溶剂,例如高蒸气压溶剂和/或低蒸气压溶剂的组合。术语“高蒸气压溶剂”指的是例如具有至少大约1kPa,例如大约2kPa,或者大约5kPa的蒸气压的溶剂。术语“低蒸气压溶剂”指的是例如具有小于大约1kPa,例如大约0.9kPa,或者大约0.5kPa的蒸气压的溶剂。在实施方案中,第一溶剂可以是低蒸气压溶剂例如诸如萜品醇,二甘醇,乙二醇,己二醇,N-甲基-2-吡咯烷酮,和三(乙二醇)二甲基醚。高蒸气压溶剂允许通过在低于沸点的温度下干燥和/或蒸发来快速除去溶剂。高蒸气压溶剂可以包括例如丙酮,四氢呋喃,甲苯,二甲苯,乙醇,甲醇,2-丁酮和水。
在实施方案中,其中将包含第一溶剂,第二溶剂,第三溶剂等的混合液体用于该反应混合物中,促进湿膜的转变和形成干SOF可以包含,例如将湿膜加热到高于该反应混合物沸点的温度来形成干SOF膜;或者加热湿膜到高于第二溶剂沸点的温度(低于第一溶剂沸点的温度),以除去第二溶剂,同时基本上留下第一溶剂,然后在基本上除去第二溶剂之后,在高于或者低于第一溶剂沸点的温度加热所形成的组合物来除去第一溶剂,以形成干SOF膜;或者在低于第二溶剂沸点的温度下加热该湿膜以除去第二溶剂(其是高蒸气压溶剂),同时基本上留下第一溶剂,和在除去第二溶剂之后,在高于或者低于第一溶剂沸点的温度下加热所形成的组合物来除去第一溶剂,以形成干SOF膜。
术语“基本上除去”指的是例如除去了至少90%的各自的溶剂,例如大约95%的各自的溶剂。术语“基本上留下”指的是例如除去了不大于2%的各自的溶剂,例如除去了不大于1%的各自的溶剂。
这些混合的液体可以用于减慢或者加速湿层转化成SOF的速率,以调整SOF的特性。例如,在缩合和加成/消去连接化学中,可以使用液体例如水,1°、2°或者3°醇(例如甲醇,乙醇,丙醇,异丙醇,丁醇,1-甲氧基-2-丙醇,叔丁醇)。
任选的,催化剂可以存在于该反应混合物中来帮助促进湿层变成干SOF。任选的催化剂的选择和使用取决于分子构建嵌段上的官能团。催化剂可以是均相的(溶解的)或者非均相的(未溶解的或者部分溶解的),并且包括布朗斯台德酸(HCl(水溶液),乙酸,对甲苯磺酸,胺保护的对甲苯磺酸例如吡啶对甲苯磺酸酯,三氟乙酸);路易斯酸(三氟化硼乙醚络合物(boron trifluoroetherate),三氯化铝);布朗斯台德碱(金属氢氧化物例如氢氧化钠,氢氧化锂,氢氧化钾;1º,2º或者3º胺例如丁基胺,二异丙基胺,三乙基胺,二异丙基乙基胺);路易斯碱(N,N-二甲基-4-氨基吡啶);金属(Cu青铜);金属盐(FeCl3,AuCI3);和金属络合物(配位的(ligated)钯络合物,配位的钌催化剂)。典型的催化剂负载范围是该反应混合物中的分子构建嵌段负载的大约0.01%-大约25%,例如大约0.1%-大约5%。该催化剂可以存在或者可以不存在于最终的SOF组合物中。
任选的添加剂或者第二组分例如掺杂剂可以存在于反应混合物和湿层中。这样的添加剂或者第二组分也可以合并到干SOF中。添加剂或者第二组分在该反应混合物和湿层中或者在干SOF中可以是均匀的或者非均匀的。术语“添加剂”或者“第二组分”指的是例如没有共价键合到SOF上但是无规分布在组合物中的原子或者分子。在实施方案中,第二组分例如常规的添加剂可以用于利用与这样的常规添加剂相关的已知性能。这样的添加剂可以用于改变SOF的物理性能例如电性能(导电性,半导电性,电子传输,空穴传输),表面能量(疏水性,亲水性),拉伸强度和导热性;这样的添加剂可以包括冲击改性剂,增强纤维,润滑剂,抗静电剂,偶联剂,润湿剂,防雾剂,阻燃剂,紫外线稳定剂,抗氧化剂,生物杀灭剂,染料,颜料,气味剂,除臭剂,成核剂等等。
在实施方案中,该SOF可以包含抗氧化剂作为第二组分来保护该SOF防止氧化。合适的抗氧化剂的例子包括(1)N,N'-六亚甲基双(3,5二-叔丁基-4-羟基氢化肉桂酰胺)(IRGANOX1098,获自Ciba-Geigy Corporation),(2)2,2-双(4-(2-(3,5二-叔丁基-4-羟基氢化肉桂酰氧基))乙氧基苯基)丙烷(TOPANOL-205,获自ICI America Corporation),(3)三(4-叔丁基-3-羟基-2,6-二甲基苄基)异氰脲酸酯(CYANOX1790,41,322-4,LTDP,AldrichD12,840-6),(4)2,2'-亚乙基双(4,6二-叔丁基苯基)氟亚膦酸酯(ETHANOX-398,获自EthylCorporation),(5)四(2,4二-叔丁基苯基)-4,4'-联苯二亚膦酸酯(ALDRICH46,852-5;硬度值90),(6)季戊四醇四硬脂酸酯(TCI America #PO739),(7)三丁基次磷酸铵(tributylammonium hypophosphite)(Aldrich42,009-3),(8)2,6-二叔丁基-4-甲氧基苯酚(Aldrich25,106-2),(9)2,4二-叔丁基-6-(4-甲氧基苄基)苯酚(Aldrich23,008-1),(10)4-溴-2,6-二甲基苯酚(Aldrich34,951-8),(11)4-溴-3,5二(二甲基)苯酚(AldrichB6,420-2),(12)4-溴-2-硝基苯酚(Aldrich30,987-7),(13)4-(二乙基氨基甲基)-2,5-二甲基苯酚(Aldrich14,668-4),(14)3-二甲基氨基苯酚(Aldrich D14,400-2),(15)2-氨基-4-叔戊基苯酚(Aldrich41,258-9),(16)2,6-双(羟基甲基)-对甲酚(Aldrich22,752-8),(17)2,2'-亚甲基联苯酚(Aldrich B4,680-8),(18)5-(二乙基氨基)-2-亚硝基苯酚(Aldrich26,951-4),(19)2,6-二氯-4-氟苯酚(Aldrich28,435-1),(20)2,6-二溴氟苯酚(Aldrich26,003-7),(21)α三氟-邻-甲酚(Aldrich21,979-7),(22)2-溴-4-氟苯酚(Aldrich30,246-5),(23)4-氟苯酚(Aldrich F1,320-7),(24)4-氯苯基-2-氯-1,1,2-三-氟乙基砜(Aldrich13,823-1),(25)3,4-二氟苯基乙酸(Aldrich29,043-2),(26)3-氟苯基乙酸(Aldrich24,804-5),(27)3,5-二氟苯基乙酸(Aldrich29,044-0),(28)2-氟苯基乙酸(Aldrich20,894-9),(29)2,5-双(三氟甲基)苯甲酸(Aldrich32,527-9),(30) 乙基-2-(4-(4-(三氟甲基)苯氧基)苯氧基)丙酸酯(Aldrich25,074-0),(31)四(2,4二-叔丁基苯基)-4,4'-二苯基二亚膦酸酯(Aldrich46,852-5),(32)4-叔戊基苯酚(Aldrich15,384-2),(33)3-(2H-苯并三唑-2-基)-4-羟基苯乙基醇(Aldrich43,071-4),NAUGARD76,NAUGARD445,NAUGARD512和NAUGARD524(由Uniroyal Chemical Company制造)等等,以及其混合物。抗氧化剂当存在时,可以在该SOF复合体中以任何期望的或者有效的量存在,例如是该SOF的大约0.25重量%-大约10重量%或者是该SOF的大约1重量%-大约5重量%。
在实施方案中,该SOF可以进一步包含本领域已知的任何合适的聚合物材料作为第二组分,例如聚碳酸酯,丙烯酸酯聚合物,乙烯基聚合物,纤维素聚合物,聚酯,聚硅氧烷,聚酰胺,聚氨酯,聚苯乙烯,聚苯乙烯,聚烯烃,氟化烃(氟碳化合物)和工程树脂以及其嵌段、无规或者交替共聚物。该SOF复合体可以包含均聚物,高级聚合物或者其混合物,和可以包含一种聚合物材料或者多种聚合物材料的混合物,例如两种、三种、四种、五种或者更多种聚合物材料的混合物。在实施方案中,关于聚合物合适的例子包括例如结晶和无定形的聚合物,或者其混合物。在实施方案中,该聚合物是氟弹性体。
合适的氟弹性体详细描述在下面的US专利中:No.5166031,5281506,5366772,5370931,4257699,5017432和5061965,其每个的公开内容以它们全部在此引入作为参考。氟弹性体化合物在该SOF中的存在量(以总固体重量百分比)是该SOF的大约1-大约50重量%,或者大约2-大约10重量%。作为此处使用的,总固体包括第二组分和SOF的量。
在实施方案中,苯乙烯基单体和丙烯酸酯基单体的例子包括例如聚(苯乙烯-丙烯酸烷基酯),聚(苯乙烯-1,3-二烯),聚(苯乙烯-甲基丙烯酸烷基酯),聚(苯乙烯-丙烯酸烷基酯-丙烯酸),聚(苯乙烯-1,3-二烯-丙烯酸),聚(苯乙烯-甲基丙烯酸烷基酯-丙烯酸),聚(甲基丙烯酸烷基酯-丙烯酸烷基酯),聚(甲基丙烯酸烷基酯-丙烯酸芳基酯),聚(甲基丙烯酸芳基酯-丙烯酸烷基酯),聚(甲基丙烯酸烷基酯-丙烯酸),聚(苯乙烯-丙烯酸烷基酯-丙烯腈-丙烯酸),聚(苯乙烯-1,3二烯-丙烯腈-丙烯酸),聚(丙烯酸烷基酯-丙烯腈-丙烯酸),聚(苯乙烯-丁二烯),聚(甲基苯乙烯-丁二烯),聚(甲基丙烯酸甲基酯-丁二烯),聚(甲基丙烯酸乙基酯-丁二烯),聚(甲基丙烯酸丙基酯-丁二烯),聚(甲基丙烯酸丁基酯-丁二烯),聚(丙烯酸甲酯-丁二烯),聚(丙烯酸乙酯-丁二烯),聚(丙烯酸丙酯-丁二烯),聚(丙烯酸丁酯-丁二烯),聚(苯乙烯-异戊二烯),聚(甲基苯乙烯-异戊二烯),聚(甲基丙烯酸甲基酯-异戊二烯),聚(甲基丙烯酸乙酯-异戊二烯),聚(甲基丙烯酸丙酯-异戊二烯),聚(甲基丙烯酸丁酯-异戊二烯),聚(丙烯酸甲酯-异戊二烯),聚(丙烯酸乙酯-异戊二烯),聚(丙烯酸丙酯-异戊二烯),和聚(丙烯酸丁酯-异戊二烯);聚(苯乙烯-丙烯酸丙酯),聚(苯乙烯-丙烯酸基酯),聚(苯乙烯-丁二烯-丙烯酸),聚(苯乙烯-丁二烯-甲基丙烯酸),聚(苯乙烯-丁二烯-丙烯腈-丙烯酸),聚(苯乙烯-丙烯酸丁酯-丙烯酸),聚(苯乙烯-丙烯酸丁酯-甲基丙烯酸),聚(苯乙烯-丙烯酸丁酯-丙烯腈),聚(苯乙烯-丙烯酸丁酯-丙烯腈-丙烯酸),和其他类似聚合物。
适于用作SOF的第二组分的不同的聚合物另外的例子包括聚对苯二甲酸乙二醇酯,聚丁二烯,聚砜,聚芳基醚,聚芳基砜,聚醚砜,聚碳酸酯,聚乙烯,聚丙烯,聚癸烯,聚十二烯,聚十四烯,聚十六烯,聚十八烯和聚环癸烯,聚烯烃共聚物,聚烯烃混合物,官能的聚烯烃,酸性聚烯烃,支化的聚烯烃,聚甲基戊烯,聚苯硫醚,聚乙酸乙烯酯,聚乙烯醇缩丁醛,聚硅氧烷,聚丙烯酸酯,聚乙烯醇乙缩醛(polyvinyl acetals),聚酰胺,聚酰亚胺,聚苯乙烯和丙烯腈共聚物,聚氯乙烯,聚乙烯醇,聚-N-乙烯基吡咯烷酮,氯乙烯和乙酸乙烯酯共聚物,丙烯酸酯共聚物,聚(酰胺酰亚胺),苯乙烯-丁二烯共聚物,偏氯乙烯-氯乙烯共聚物,乙酸乙烯酯-偏氯乙烯共聚物,聚乙烯基咔唑,聚对苯二甲酸乙二酯,聚对苯二甲酸丙二酯,聚对苯二甲酸丁二酯,聚对苯二甲酸戊二酯,聚对苯二甲酸己二酯,聚对苯二甲酸庚二酯,聚对苯二甲酸辛二酯,聚癸二酸亚乙酯,聚癸二酸亚丙酯,聚癸二酸亚丁酯,聚己二酸亚乙酯,聚己二酸亚丙酯,聚己二酸亚丁酯,聚己二酸亚戊酯,聚己二酸亚己酯,聚己二酸亚庚酯,聚己二酸亚辛酯,聚戊二酸亚乙酯,聚戊二酸亚丙酯,聚戊二酸亚丁酯,聚戊二酸亚戊酯,聚戊二酸亚己酯,聚戊二酸亚庚酯,聚戊二酸亚辛酯,聚庚二酸亚乙酯,聚庚二酸亚丙酯,聚庚二酸亚丁酯,聚庚二酸亚戊酯,聚庚二酸亚己酯,聚庚二酸亚庚酯,聚(丙氧基化双酚-富马酸酯),聚(丙氧基化双酚-琥珀酸酯),聚(丙氧基化双酚-己二酸酯),聚(丙氧基化双酚-戊二酸酯),SPAR™(Dixie Chemicals),BECKOSOL™(Reichhold Chemical Inc),ARAKOTE™(Ciba-Geigy Corporation),HETRON™(Ashland Chemical),PARAPLEX™(Rohm&Hass),POLYUTE™(Reichhold Chemical Inc),PLASTHALL™(Rohm&Hass),CYGAL™(AmericanCyanamide),ARMCO™(Armco Composites),ARPOL™(Ashland Chemical),CELANEX™(Celanese Eng),RYNITE™(DuPont),STYPOL™(Freeman Chemical Corporation)其混合物等等。
在实施方案中,该第二组分,包括可以均匀或者非均匀分布的聚合物,例如以线性或者非线性的梯度分布于SOF中。在实施方案中,该聚合物可以以纤维、或者粒子(它的尺寸可以是大约50nm-大约2mm)形式加入SOF中。该聚合物任选地,可以以任何期望的或者有效量存在于该SOF复合体中,例如该SOF的大约1-大约50重量%或者该SOF的大约1-大约15重量%。
在实施方案中,该SOF可以进一步包含碳纳米管或者纳米纤维聚集体,其是微观微粒结构的纳米管,如下面的US专利所述:No.5165909;5456897;5707916;5877110;5110693;5500200和5569635,其全部在此整个引入作为参考。
在实施方案中,该SOF可以进一步包含金属粒子作为第二组分;这样的金属粒子包括贵贵金属和非贵金属和它们的合金。合适的贵金属的例子包括铝,钛,金,银,铂,钯和它们的合金。合适的非贵金属的例子包括铜,镍,钴,铅,铁,铋,锌,钌,铑,铷,铟和它们的合金。该金属粒子的尺寸可以是大约1nm-1mm,并且它们的表面可以通过稳定分子或者分散剂分子等来改性。该金属粒子任选地可以以任何期望的或者有效量存在于该SOF复合体中,例如该SOF的大约0.25-大约70重量%或者该SOF的大约1-大约15重量%。
在实施方案中,该SOF可以进一步包含氧化物和硫化物作为第二组分。合适的金属氧化物的例子包括二氧化钛(钛白,金红石和相关的多晶型物),氧化铝(包括氧化铝,水合氧化铝等),氧化硅(包括二氧化硅,石英,方石英等),铝硅酸盐(包括沸石,滑石和粘土),氧化镍,氧化铁,氧化钴。氧化物的其他例子包括玻璃,例如二氧化硅玻璃,硼硅酸盐玻璃,铝硅酸盐玻璃等。合适的硫化物的例子包括硫化镍,硫化铅,硫化镉,硫化锡和硫化钴。该氧化物和硫化物材料的直径可以是大约50nm-1mm,并且它们的表面可以通过稳定分子或者分散剂分子等改性。该氧化物任选地可以以任何期望的或者有效量存在于该SOF复合体中,例如该SOF的大约0.25-大约20重量%或者该SOF的大约1-大约15重量%。
在实施方案中,该SOF可以进一步包含来自周期表的准金属或者似金属(metal-like)元素。合适的准金属元素的例子包括硅,硒,碲,锡,铅,锗,镓,砷,锑和它们的合金或者金属互化物。该金属粒子的尺寸可以是大约10nm-1mm,并且它们的表面可以通过稳定分子或者分散剂分子等改性。该准金属粒子任选地可以以任何期望的或者有效量存在于SOF复合体中,例如该SOF的大约0.25-大约10重量%或者该SOF的大约1-大约5重量%。
在实施方案中,该SOF可以进一步包含空穴传输分子或者电子接受体作为第二组分,这样的电荷传输分子包括例如正空穴传输材料,其选自在主链或者侧链中具有多环芳族环的化合物例如蒽,芘,菲,六苯并苯等等,或者含氮的杂环化合物例如吲哚,咔唑,唑,异唑,噻唑,咪唑,吡唑,二唑,吡唑啉,噻二唑,三唑和腙化合物。典型的空穴传输材料包括电子供体材料,例如咔唑;N-乙基咔唑;N-异丙基咔唑;N-苯基咔唑;四苯基芘;1-甲基芘;苝;屈;蒽;苯并蒽(tetraphene);2-苯基萘;氮杂芘(azopyrene);1-乙基芘;乙酰基芘;2,3-苯并屈;2,4-苯并芘;1,4-溴芘;聚(N-乙烯基咔唑);聚(乙烯基芘);聚(乙烯基苯并蒽)(poly(vinyltetraphene));聚(乙烯基并四苯)和聚(乙烯基苝)。合适的电子传输材料包括电子接受体例如2,4,7-三硝基-9-芴酮;2,4,5,7-四硝基-芴酮;二硝基蒽;二硝基吖啶(dinitroacridene);四氰基芘;二硝基蒽醌;和丁基羰基芴丙二腈,参见US专利No.4921769,其公开内容在此以其全部引入作为参考。其他空穴传输材料包括US专利No.4265990中所述的芳基胺,其公开内容在此以其全部引入作为参考,例如N,N'-二苯基-N,N'-双(烷基苯基)-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺,其中烷基选自甲基,乙基,丙基,丁基,己基等。空穴传输分子的类型描述在例如US专利No.4306008;4304829;4233384;4115116;4299897;4081274和5139910中,其每个的全部内容在此引入作为参考。可以选择其他已知的电荷传输层分子,参考例如US专利No.4921773和4464450,其公开内容在此以其全部引入作为参考。该空穴传输分子或者电子接受体任选地可以以任何期望的或者有效量存在于该SOF复合体中,例如该SOF的大约0.25-大约50重量%或者该SOF的大约1-大约20重量%。
在实施方案中,该SOF可以进一步包含生物杀灭剂作为第二组分。生物杀灭剂的存在量可以是该SOF的大约0.1-大约1.0重量%。合适的生物杀灭剂包括例如山梨酸,氯化1-(3-氯烯丙基)-3,5,7-三氮杂-1-氮阳离子金刚烷(1-(3-chloroallyl)-3,5,7-triaza-1-azoniaadamantane chloride),市售为DOWICIL200(Dow Chemical Company),亚乙烯基-双硫氰酸酯,市售为CYTOX3711(American Cyanamid Company),亚乙基双-(二硫代氨基甲酸酯)二钠(disodium ethylenebis-dithiocarbamate),市售为DITHONE D14(Rohm&HaasCompany),双(三氯甲基)砜,市售为BIOCIDE N-1386(Stauffer Chemical Company),吡啶硫酮锌,市售为吡硫锌(Olin Corporation),2-溴-叔-硝基丙烷-1,3二醇,市售为ONYXIDE500(Onyx Chemical Company),BOSQUAT MB50(Louza,Inc.)等等。
在实施方案中,该SOF可以进一步包含小有机分子作为第二组分;这样的小有机分子包括在上面关于第一和第二溶剂中所描述的那些。该小有机分子任选地可以以任何期望的或者有效量存在于该SOF中,例如该SOF的大约0.25-大约50重量%或者该SOF的大约1-大约10重量%。
任选地,该第二组分或者添加剂可以每个或者组合的以任何期望的或者有效量存在于该组合物中,例如该组合物的大约1-大约50重量%或者该组合物的大约1-大约20重量%。
SOF用第二组分(掺杂剂和添加剂,例如空穴传输分子(mTBD),聚合物(聚苯乙烯),纳米粒子(C60Buckminster fullerene),小有机分子(联苯),金属粒子(铜微粉)和电子接受体(苯醌))来改性以产生复合结构化有机膜。第二组分可以引入到液体配制剂中,该配制剂用于产生湿膜,其中促进转变来形成SOF。第二组分(掺杂剂,添加剂等等)可以溶解或者不溶解(悬浮)在该反应混合物中。第二组分不键合到所述膜的网络中。例如,第二组分可以加入到反应混合物中,该反应混合物包含多个在链段上具有四个甲氧基(-OMe)的构建嵌段,例如N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺,其在促进湿膜中的转变时,独有地与构建嵌段上的两个醇(-OH)基团,例如1,4-苯二甲醇反应,其包含对二甲苯基链段。存在来连接构建嵌段的化学是酸催化的醚交换(transetherfication)反应。因为-OH基团仅仅与-OMe基团反应(反之亦然),而不与第二组分反应,这些分子构建嵌段会仅仅遵循一个路径。所以,该SOF被程序化来以这样的方式排列分子,即,在SOF结构之中和/或周围留下引入的第二组分。与常规的聚合物和可利用的可替代物相比,这种图案化分子和引入第二组分的能力赋予了优异的性能和对于性能前所未有的控制。
在实施方案中,该第二组分可以具有类似的或者完全不同的性能来增强或者混合(hybridize)(协同效应或者改善效应以及削弱SOF的固有的或者倾向性能的能力)SOF的拟定特性,以使得它能够满足性能目标。例如,用抗氧化剂化合物掺杂该SOF通过防止化学降解路径,来延长该SOF的寿命。另外,添加剂可以加入来通过调节在促进该反应混合物转变来形成SOF的过程中发生的反应,以提高SOF的形态性能。
加工活动B:将该反应混合物作为湿膜沉积
该反应混合物可以使用多种液体沉积技术,作为湿膜施加到多种基底上。该SOF的厚度取决于湿膜厚度和反应混合物中的分子构建嵌段和/或预SOF负载。湿膜厚度取决于反应混合物的粘度和用于沉积该反应混合物作为湿膜的方法。在实施方案中,湿层厚度可以大于100nm,例如大约200nm-大约5mm,或者大约500nm-大约50微米。
基底包括例如聚合物,纸张,金属和金属合金,掺杂的和未掺杂形式的元素周期表的III-VI族的元素,金属氧化物,金属硫属化物,和在先制备的SOF膜。聚合物膜基底的例子包括聚酯,聚烯烃,聚碳酸酯,聚苯乙烯,聚氯乙烯,其的嵌段和无规共聚物等。金属表面的例子包括金属化的聚合物,金属箔,金属板;混合的材料基底例如图案化或者沉积在聚合物上的金属,半导体,金属氧化物,或者玻璃基底。基底的例子包含掺杂的和未掺杂的周期表III-VI族的元素,包括铝,硅,用磷n-掺杂的硅,用硼p-掺杂的硅,锡,砷化镓,铅,磷化镓铟和铟。金属氧化物的例子包括二氧化硅,二氧化钛,氧化铟锡,二氧化锡,二氧化硒和氧化铝。金属硫属化物的例子包括硫化镉,碲化镉和硒化锌。另外,可以理解化学处理的或者机械改性形式的上述基底仍然处于能够用所述反应混合物涂覆的表面的范围内。
在实施方案中,该基底可以由例如硅,玻璃板,塑料膜或者片组成。对于结构挠性的装置,可以使用塑料基底例如聚酯,聚碳酸酯,聚酰亚胺片等。该基底的厚度可以是大约10微米-超过10毫米,并且特别是对于挠性塑料基底来说,示例性厚度是大约50-大约100微米,和对于刚性基底例如玻璃或者硅来说是大约1-大约10毫米。
该反应混合物可以使用多种液体技术沉积到基底上,包括例如旋涂,刀涂,网纹涂覆(web coating),浸涂,杯涂,棒涂,丝网印刷,喷墨印刷,喷涂,压印(stamping)等。用于沉积该湿层的方法取决于基底的性质,尺寸和形状和所期望的湿层厚度。该湿层的厚度可以是大约10nm-大约5mm,例如大约100nm-大约1mm,或者大约1 μm-大约500μm。
在实施方案中,该第二组分可以在完成上述加工活动B之后引入。以此方式的第二组分的加入可以通过任何方式来完成,其用于均匀地、非均匀地或者作为特定的图案将该第二组分分布到湿膜上。在该第二组分引入后,可以进行随后的加工活动,继续加工活动C。
例如,在完成加工活动B之后(即,在该反应混合物可以施加到基底上之后),第二组分(掺杂剂,添加剂等等)可以通过任何合适的方法加入到湿层中,例如通过分布(例如撒粉,喷雾,倾倒,喷洒等等,这取决于该第二组分是否是粒子,粉末或者液体)该第二组分到湿层之上。该第二组分可以以均匀的或者非均匀的方式施加到所形成的湿层上,包括不同的图案,其中降低特定区域中的第二组分的浓度或者密度,以形成在湿层上给定宽度的第二组分的高和低浓度交替波带的图案。在实施方案中,将第二组分施加到湿层的上面会导致一部分的第二组分扩散或者渗透入湿层中,并由此在该SOF的厚度内形成非均匀分布的第二组分,这样在促进湿层变成干SOF之后获得的所形成的SOF中可以得到线性或者非线性浓度梯度。在实施方案中,第二组分可以加入到沉积的湿层的上表面上,其通过促进湿膜中的转变,产生了具有在干SOF中非均匀分布的第二组分的SOF。取决于湿膜的密度和第二组分的密度,大部分的第二组分可以终止于干SOF的上半部(其与基底相对)或者大部分的第二组分可以终止于干SOF的下半部(其与基底相邻)。
加工活动C:促进湿膜变成干SOF
术语“促进”指的是例如任何合适的技术,该技术促进分子构建嵌段和/或预SOF的反应,例如构建嵌段和/或预SOF的官能团的化学反应。在其中需要除去液体来形成干膜的情况中,“促进”还指的是除去液体。分子构建嵌段和/或预SOF的反应和液体的去除可以依次或者同时发生。在某些实施方案中,该液体也是分子构建嵌段之一,并且引入到该SOF中。术语“干SOF”指的是例如基本上干的SOF,例如,指的是液体含量小于SOF的大约5重量%,或者液体含量小于SOF的2重量%。
促进湿层以形成干SOF可以通过任何合适的技术来完成。促进湿层来形成干SOF典型地包括热处理,包括例如炉干燥,红外辐射(IR)等等,并且温度是40-350℃和60-200℃和85-160℃。总加热时间可以是大约4s-大约24小时,例如1分钟-120分钟,或者3分钟-60分钟。
IR促进湿层成为SOF膜可以使用安装在传送带系统上的IR加热器模块来实现。可
以使用不同类型的IR发射器,例如碳IR发射器,或者短波IR发射器(获自Heraerus)。关于碳
IR发射器或者短波IR发射器另外的示例性信息总结在下表中。
IR灯 | 峰波长 | 灯数 | 模块功率(kW) |
碳 | 2.0微米 | 2-双管 | 4.6 |
短波 | 1.2-1.4微米 | 3-双管 | 4.5 |
加工活动D:从涂覆基底上任选地除去SOF来获得独立式SOF
在实施方案中,独立式SOF是期望的。独立式SOF可以在当使用适当的低附着性基底来支持湿层的沉积时获得。具有对SOF低附着性的适当的基底可以包括,例如金属箔,金属化聚合物基底,防粘纸(release paper)和SOF,例如所制备的具有已经改变以具有低附着性或者对于附着或者粘附来说降低的倾向表面的SOF。从支持性基底上除去SOF基底可以由本领域技术人员通过许多方式来实现。例如,从基底上除去SOF可以从膜的角或者边缘来开始发生,和任选地通过将该基底和SOF通过弯曲表面上来辅助。
加工活动E:任选地将独立式SOF加工成卷
任选的,独立式SOF或者挠性基底支撑的SOF可以加工成卷。该SOF可以加工成卷用于存储、处理和多种其他目的。对卷的起始曲率进行选择使得该SOF在卷加工过程中不会扭曲或者破裂。
加工活动F:任选地切割和缝合该SOF成为一定形状,例如带
切割和缝合SOF的方法类似于1995年10月3日公开的US专利No.5455136中所述的方法(用于聚合物膜),其公开内容在此引入作为参考。SOF带可以由单个SOF、多层SOF或者由网幅切割成的SOF片来制作。这样的片可以是矩形形状的或者如所期望的任何具体形状。该SOF所有的边可以是相同长度的,或者一对平行的边可以比另一对平行边更长。该SOF可以制作成多种形状,例如,通过重叠接合该SOF片的相反边缘端区域来制作成带。接缝典型地是在重叠的边缘端区域中在接合点产生。接合可以通过任何合适的方式来进行。典型的接合技术包括例如焊接(包括超声波),胶粘,胶带粘接(taping),压力热熔等。方法例如超声波焊接是令人期望的通用的接合挠性片材的方法,这归因于它们的速度、清洁性(无溶剂)和薄而窄的接缝的产生。
加工活动G:任选地使用SOF作为用于后续SOF形成方法的基底
SOF可以用作该SOF形成方法中的基底,来提供多层的结构化有机膜。多层的SOF的层可以化学结合或者物理接触。化学结合的多层的SOF是在当基底SOF表面上存在的官能团能够与沉积的湿层中存在的分子构建嵌段反应时形成的,所述湿层用于形成第二结构化有机膜层。物理接触的多层的SOF可以不彼此化学结合。
在湿层的沉积之前,SOF基底可以任选的进行化学处理以能够或者促进第二SOF层的化学接合来形成多层的结构化有机膜。
可选择的,在湿层沉积之前,SOF基底可以任选的进行化学处理以使得第二SOF层不能化学接合(表面失活(surface pacification))以形成物理接触的多层的SOF。
其他方法,例如两个或者多个SOF的层合,也可以用于制备物理接触的多层的SOF。
SOF的应用
SOF可以用于例如电子装置中例如太阳能电池,无线电频率识别标签,有机发光装置,光感受器,薄膜晶体管等。
应用A:光感受器层中的SOF
图1-3中示出了光电成像元件(例如光感受器)的代表性的结构。这些成像元件具有抗卷曲层1,支撑基底2,导电接地层3,电荷阻挡层(charge blocking layer)4,粘接层5,电荷产生层(charge generating layer)6,电荷传输层7,罩面涂层8,和接地片9。在图3中,成像层10(包括电荷产生材料和电荷传输材料二者)代替了分别的电荷产生层6和电荷传输层7。
从图中可见,在制作光感受器中,电荷产生材料(CGM)和电荷传输材料(CTM)可以以层合类型构造(这里CGM和CTM处于不同的层中(例如图1和2))或者单层构造(这里CGM和CTM处于同一层中(例如图3))沉积到基底表面上。在实施方案中,该光感受器可以通过将电荷产生层6和任选地电荷传输层7施加到导电层上来制备。在实施方案中,该电荷产生层和任选地电荷传输层可以以任一顺序施加。
抗卷曲层
对于一些应用来说,可以提供任选的抗卷曲层1(其包含成膜有机或者无机聚合物,该聚合物是电绝缘的或者轻微半导电的)。该抗卷曲层提供平坦度和/或抗磨损性。
抗卷曲层1可以在基底2的背面形成,与成像层相对。除了成膜树脂之外,该抗卷曲层还可以包括附着促进剂聚酯添加剂。用作抗卷曲层的成膜树脂的例子包括但不限于聚丙烯酸酯,聚苯乙烯,聚(4,4'-异亚丙基二苯基碳酸酯),聚(4,4'-环亚己基二苯基碳酸酯),其混合物等等。
添加剂在该抗卷曲层中的存在量可以是该抗卷曲层的大约0.5-大约40重量%。添加剂包括有机和无机粒子,其能够进一步改进耐磨损性和/或提供载荷松弛性能(chargerelaxation property)。有机粒子包括聚四氟乙烯粉末、炭黑和石墨粒子。无机粒子包括绝缘和半导电金属氧化物粒子例如氧化硅,氧化锌,氧化锡等等。另外一种半导电添加剂是US专利 No.5853906中所述的氧化的低聚物盐。该低聚物盐是氧化的N,N,N',N'-四-对-甲苯基-4,4'-联苯二胺盐。
用作添加剂的典型的附着促进剂包括但不限于duPont49000(duPont),Vitel PE-100,Vitel PE-200,Vitel PE-307(Goodyear),其混合物等。通常选择大约1-大约15重量%的附着促进剂用于成膜树脂添加,这是基于该成膜树脂的重量。
抗卷曲层的厚度典型的是大约3微米-大约35微米,例如大约10微米-大约20微米,或者大约14微米。
抗卷曲涂料可以作为溶液来施加,该溶液是通过将成膜树脂和附着促进剂溶解在溶剂例如二氯甲烷中来制备的。该溶液可以例如通过网纹涂覆或者通过本领域其他已知的方法施加到光感受器装置的支撑基底的后表面(与成像层相对的面)。罩面涂层和抗卷曲层的涂覆可以通过网纹涂覆到多层光感受器上来同时完成,该多层光感受器包含电荷传输层,电荷产生层,粘接剂层,阻挡层,接地层和基底。然后干燥该湿膜涂层来产生抗卷曲层1。
支持性基底
如上所述,该光感受器是通过首先提供基底2(即,载体)来制备的。该基底可以是不透明的或者基本透明的,并且可以包含任何附加的具有给定的所需机械性能的合适的材料,例如US专利No.4457994;4871634;5702854;5976744;和7384717中所描述的那些,其公开内容在此以其全部引入作为参考。
该基底可以包含非导电材料层或者导电材料层,例如无机或者有机组合物。如果使用非导电材料,则在这样的非导电材料上必须提供导电接地层。如果使用导电材料作为基底,则单独的接地层可以是不必需的。
该基底可以是挠性的或者刚性的,并且可以具有任何多种不同的构造,例如诸如片,卷轴(scroll),挠性环形带,网幅,圆筒等等。该光感受器可以涂覆到刚性的、不透明的导电性基底,例如铝转鼓(aluminum drum.)上。
不同的树脂可以用作非导电材料,包括例如聚酯,聚碳酸酯,聚酰胺,聚氨酯等等。这样的基底可以包含市售的双轴取向聚酯,称作MYLAR™,获自E.I.duPont de Nemours &Co.,MELINEX™,获自ICI Americas Inc.,或者HOSTAPHAN™,获自American HoechstCorporation。所述基底可以包括的其他材料包括聚合物材料,例如聚氟乙烯,作为TEDLAR™获自E.I.duPont de Nemours & Co.,聚乙烯和聚丙烯,作为MARLEX™获自PhillipsPetroleum Company,聚苯硫醚,作为RYTON™获自Phillips Petroleum Company,和聚酰亚胺,作为KAPTON™获自E.I.duPont de Nemours & Co.。该光感受器也可以涂覆到绝缘塑料转鼓上,条件是导电接地层已经事先涂覆到它的表面上,如上所述。这样的基底可以是缝接的无接缝的。
当使用导电基底时,可以使用任何合适的导电材料。例如,该导电材料可以包括但不限于金属片、粉末或者纤维,例如铝、钛、镍、铬、黄铜、金、不锈钢、炭黑、石墨等,在粘合剂树脂中包括金属氧化物、硫化物、硅化物、季铵盐组成,导电聚合物例如聚乙炔或者它的热解和分子掺杂的产物、电荷转移络合物、和聚苯基硅烷以及来自聚苯基硅烷的分子掺杂的产物。可以使用导电塑料转鼓,以及由材料例如铝制成的导电金属转鼓。
基底厚度取决于众多的因素,包括所需的机械性能和经济考虑因素。当循环围绕在小直径辊例如19mm直径辊时,对于最佳的挠性和最小的诱导表面弯曲应力来说,基底厚度典型的是大约65微米-大约150微米,例如大约75微米-大约125微米。用于挠性带的基底可以具有相当大的厚度例如超过200微米,或者具有最小厚度例如小于50微米,条件是对于最终的光电导装置没有不利作用。在使用转鼓的情况中,该厚度应当足以提供所必需的刚度。这通常是大约1-6mm。
可以清洁向其上施加层的基底的表面以促进该层更大的附着力。清洁可以例如通过将基底层的表面曝露于等离子体放电、离子轰击等来进行。还可以使用其他方法例如溶剂清洁。
不管使用任何技术来形成金属层,金属氧化物的薄层通常通过曝露于空气而在大部分金属的外表面上形成。因此,当将覆盖该金属层上面的其他层表征为“邻接”层时,目的是这些覆盖在上面的邻接层实际上可以接触已经在可氧化金属层的外表面上形成的薄金属氧化物层。
导电接地层
如上所述,在实施方案中,所制备的光感受器包含基底,其是导电的或者非导电的。当使用非导电基底时,必须使用导电接地层3,并且该接地层充当导电层。当使用导电基底时,该基底可以充当导电层,虽然也可以提供导电接地层。
如果使用导电接地层,则它位于基底上。用于导电接地层的合适的材料包括例如铝,锆,铌,钽,钒,铪,钛,镍,不锈钢,铬,钨,钼,铜等等,及其混合物和合金。在实施方案中,可以使用铝,钛和锆。
接地层可以通过已知的涂覆技术例如溶液涂覆,蒸气沉积和溅射来施加。施加导电接地层的方法是真空沉积。也可以使用其他合适的方法。
在实施方案中,接地层的厚度可以在很宽的范围内变化,这取决于光电传导元件(electrophotoconductive member)的期望的光学透明度和挠性。例如,对于挠性光敏成像装置来说,对于电导率、挠性和光透射率的最佳组合而言,导电层的厚度可以是大约20埃-大约750埃;例如大约50埃-大约200埃。但是,如果期望,该接地层可以是不透明的。
电荷阻挡层
在沉积任何导电接地层之后,电荷阻挡层4可以施加到其上。用于带正电的光感受器的电子阻挡层允许空穴从光感受器的成像表面迁移向导电层。对于带负电的光感受器来说,可以利用任何能够形成屏障的合适的空穴阻挡层来防止空穴从导电层注入到相对的光电导层(photoconductive layer)中。
如果使用阻挡层,则它可以位于导电层之上。作为此处使用的与许多不同类型的层有关的术语“之上”,应当理解为不限于其中层是邻接的情况。更正确的,术语“之上”指的是例如层的相对布置,并且包括未指明的中间层的引入。
阻挡层4可以包括聚合物例如聚乙烯醇缩丁醛,环氧树脂,聚酯,聚硅氧烷,聚酰胺,聚氨酯等等;含氮硅氧烷或者含氮钛化合物例如三甲氧基甲硅烷基丙基乙二胺,N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷,4-氨基苯磺酰基钛酸异丙基酯,二(十二烷基苯磺酰基)钛酸酯,二(4-氨基苯甲酰基)异硬脂酰基钛酸异丙基酯,三(N-乙基氨基)钛酸异丙基酯,三氨茴内酐钛酸异丙基酯(isopropyl trianthranil titanate),三(N,N-二甲基-乙基氨基)钛酸异丙基酯,4-氨基苯磺酸酯氧乙酸钛(titanium-4-amino benzene sulfonateoxyacetate),4-氨基苯甲酸酯异硬脂酸酯氧乙酸钛(titanium 4-aminobenzoateisostearate oxyacetate),γ-氨基丁基甲基二甲氧基硅烷,γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷,和γ-氨基丙基三甲氧基硅烷,如US专利No.4338387;4286033;和4291110中所公开的那样,其公开内容在此以其全部引入作为参考。
该阻挡层可以是连续的,并且厚度可以是例如大约0.01-大约10微米,例如大约0.05-大约5微米。
阻挡层4可以通过任何合适的技术,例如喷涂,浸涂,刮板涂覆(draw barcoating),照相凹版式涂覆,丝网印制,气刀涂覆,反转辊涂覆,真空沉积,化学处理等来施加。为了便于获得薄层,该阻挡层可以以稀溶液的形式施加,并且在涂料沉积后通过常规技术例如通过真空,加热等来除去溶剂。通常,阻挡层材料和溶剂的重量比是大约0.5:100-大约30:100,例如大约5:100-大约20:100,这对于喷涂和浸涂来说是令人满意的。
本发明进一步提供形成电子照相光感受器的方法,在其中电荷阻挡层是通过使用由颗粒状粒子,针状粒子,粘合剂树脂和有机溶剂组成的涂料溶液来形成的。
该有机溶剂可以是C1-3低级醇和另外的选自二氯甲烷,氯仿,1,2二氯乙烷,1,2-二氯丙烷,甲苯和四氢呋喃的有机溶剂的共沸混合物的混合物。上述共沸混合物是混合物溶液,在其中液相的组成和汽相的组成在某压力下是彼此一致的,以提供具有恒定沸点的混合物。例如,由35重量份的甲醇和65重量份的1,2二氯乙烷组成的混合物是共沸溶液。共沸组合物的存在导致了均匀的蒸发,由此形成均匀的电荷阻挡层,而没有涂层缺陷和提高了电荷阻挡涂覆溶液的存储稳定性。
阻挡层中所包含的粘合剂树脂可以由与作为单树脂层形成的阻挡层的材料相同的材料形成。在它们中,可以使用聚酰胺树脂,因为它满足粘合剂树脂所需的多种的条件,例如(i)聚酰胺树脂既不溶解也不溶胀于用于在阻挡层上形成成像层的溶液中,和(ii)聚酰胺树脂具有优异的与导电载体粘合性以及挠性。在聚酰胺树脂中,可以使用醇溶性尼龙树脂,例如,与6-尼龙,6,6-尼龙,6,10-尼龙,11-尼龙,12-尼龙等聚合的共聚物尼龙;和化学变性的尼龙例如N-烷氧基甲基变性的尼龙和N-烷氧基乙基变性的尼龙。可以使用的另外类型的粘合剂树脂可以是酚类树脂或者聚乙烯醇缩丁醛树脂。
电荷阻挡层是按如下来形成的:将粘合剂树脂、颗粒状粒子和针状粒子分散在溶剂中,来形成用于阻挡层的涂料溶液;用该涂料溶液涂覆导电载体,并且干燥它。选择溶剂来提高在溶剂中的分散和用于防止涂料溶液随着时间流逝而凝胶化。此外,可以使用共沸溶剂来防止涂料溶液的组成随着时间流逝而变化,由此能够提高涂料溶液的存储稳定性和再生该涂料溶液。
短语“n-类型”指的是例如主要传输电子的材料。典型的n-类型材料包括二溴蒽嵌蒽醌,苯并咪唑苝,氧化锌,氧化钛,偶氮化合物例如氯丹蓝(chlorodiane Blue)和双偶氮颜料,取代的2,4-二溴三嗪,多核芳醌(polynuclear aromatic quinones),硫化锌等。
措词“p-类型”指的是例如传输空穴的材料。典型的p-类型有机颜料包括例如无金属酞菁,氧钛酞菁(titanyl phthalocyanine),酞菁镓(gallium phthalocyanine),羟基镓酞菁(hydroxy gallium phthalocyanine),酞菁氯镓(chlorogallium phthalocyanine),酞菁铜(copper phthalocyanine)等等。
粘接剂层
任选地,可以在阻挡层和电荷产生层之间提供中间层5来促进附着。但是,在实施方案中,可以使用浸涂的铝转鼓,而不使用粘接剂层。
另外,任选地,可以在光感受器的任何层之间提供粘接剂层,来确保任何相邻层的附着。可选择的或者另外,粘接剂材料可以加入到待粘合的各层之一或者两者中。该任选的粘接剂层的厚度可以是大约0.001微米-大约0.2微米。这样的粘接剂层可以例如如下来施加:将粘接剂材料溶解在适当的溶剂中,用手施涂,喷涂,浸涂,刮板涂覆,照像凹版式涂覆,丝网印制,气刀涂覆,真空沉积,化学处理,辊涂,绕线棒控涂覆等,并且干燥以去除溶剂。合适的粘接剂包括例如成膜聚合物,例如聚酯,dupont49000(获自E.I.duPont de Nemours &Co.),Vitel PE-100(获自Goodyear Tire and Rubber Co.),聚乙烯醇缩丁醛,聚乙烯吡咯烷酮,聚氨酯,聚甲基丙烯酸甲酯等等。该粘接剂层可以由Mw为大约50000-大约100000,例如大约70000,和Mn大约35000的聚酯组成。
成像层
成像层指的是包含电荷产生材料,电荷传输材料,或者电荷产生材料和电荷传输材料二者的层。
n-类型或者p-类型的电荷产生材料可以用于本发明的光感受器中。
在其中电荷产生材料和电荷传输材料处于不同的层(例如电荷产生层和电荷传输层)的情况中,该电荷传输层可以包含SOF。此外,在其中电荷产生材料和电荷传输材料处于同一层的情况中,该层可以包含SOF。
电荷产生层
示例性有机光电导性电荷产生材料包括偶氮颜料例如苏丹红,Dian BLUE,JanusGreen B等等;醌颜料例如Algol Yellow,芘醌(Pyrene Quinone),Indanthrene BrilliantViolet RRP等;喹啉蓝(quinocyanine)颜料;苝颜料例如苯并咪唑苝;靛蓝颜料例如靛蓝,硫代靛蓝等;双苯并咪唑颜料例如Indofast Orange等;酞菁颜料例如酞菁铜,酞菁氯铝(aluminochloro-phthalocyanine),羟基镓酞菁,酞菁氯镓,钛氧基酞菁等等;喹吖啶酮(quinacridone)颜料;或者甘菊环(azulene)化合物。合适的无机光电导性电荷产生材料包括例如硫化镉,硫硒化镉,硒化镉,结晶硒和无定形硒,氧化铅和其他硫属化物。在实施方案中,可以使用硒合金,并且包括例如硒-砷,硒-碲-砷和硒-碲。
任何合适的非活性树脂粘合剂材料可以用于电荷产生层中。典型的有机树脂粘合剂包括聚碳酸酯,丙烯酸酯聚合物,甲基丙烯酸酯聚合物,乙烯基聚合物,纤维素聚合物,聚酯,聚硅氧烷,聚酰胺,聚氨酯,环氧化物,聚乙烯醇乙缩醛等等。
为了产生用作涂料组合物的分散体,将溶剂与电荷产生材料一起使用。该溶剂可以是例如环己酮,甲乙酮,四氢呋喃,乙酸烷基酯及其混合物。该乙酸烷基酯(例如乙酸丁酯和乙酸戊酯)在烷基中可以具有3-5个碳原子。该组合物中溶剂的量例如是基于该组合物的重量大约70-大约98重量%。
电荷产生材料在组合物中的量例如是大约0.5-大约30重量%,基于包括溶剂的该组合物的重量。分散在干光电导涂层中的光电导粒子(即,电荷产生材料)的量随着所选择的特定光电导颜料粒子而在某种程度上变化。例如,当使用酞菁有机颜料例如氧钛酞菁和无金属酞菁时,当干燥的光电导涂层包含基于该干燥光电导涂层的总重量大约30重量%-大约90重量%的全部酞菁颜料时,达到了令人满意的结果。因为光电导特性受到每平方厘米上涂覆的颜料的相对量的影响,如果该干燥光电导涂层是较厚的,则可以使用较低的颜料负载。相反的,在干的光电导层是较薄的情况中,较高的颜料负载是令人期望的。
通常,当光电导涂层是通过浸涂来施加时,用小于大约0.6微米的平均光电导粒度实现了令人满意的结果。该平均光电导粒度可以小于大约0.4微米。在实施方案中,该光电导粒度还小于它分散在其中的干燥光电导涂层的厚度。
在电荷产生层中,电荷产生材料(“CGM”)与粘合剂的重量比是30(CGM):70(粘合剂)到70(CGM):30(粘合剂)。
对于包含电荷产生层(在此也称作光电导层)和电荷传输层的多层光感受器来说,用大约0.1微米-大约10微米的干燥光电导层涂层厚度能够实现令人满意的结果。在实施方案中,该光电导层厚度是大约0.2微米-大约4微米。但是,这些厚度也取决于颜料负载。因此,较高的颜料负载允许使用较薄的光电导涂层。可以选择这些范围之外的厚度,来提供本发明目标的实现。
任何合适的技术可以用于将该光电导粒子分散于涂料组合物的粘合剂和溶剂中。典型的分散技术包括例如球磨,辊磨,在垂直式磨碎机中研磨,砂磨等等。使用球辊磨的典型的研磨时间是大约4-大约6天。
电荷传输材料包括有机聚合物,非聚合物材料,或者SOF,该SOF能够支持光激发的空穴的注入或者从光电导材料中传输电子以及允许这些空穴或者电子通过有机层传输以选择性驱散表面电荷。
有机聚合物电荷传输层
示例性电荷传输材料包括例如正空穴传输材料,其选自在主链或者侧链中具有多环芳族环的化合物例如蒽,芘,菲,六苯并苯等等,或者含氮的杂环例如吲哚,咔唑,唑,异唑,噻唑,咪唑,吡唑,二唑,吡唑啉,噻二唑,三唑和腙化合物。典型的空穴传输材料包括电子供体材料,例如咔唑;N-乙基咔唑;N-异丙基咔唑;N-苯基咔唑;四苯基芘;1-甲基芘;苝;屈;蒽;苯并蒽;2-苯基萘;氮杂芘;1-乙基芘;乙酰基芘;2,3-苯并屈;2,4-苯并芘;1,4-溴芘;聚(N-乙烯基咔唑);聚(乙烯基芘);聚(乙烯基苯并蒽);聚(乙烯基并四苯)和聚(乙烯基苝)。合适的电子传输材料包括电子接受体例如2,4,7-三硝基-9-芴酮;2,4,5,7-四硝基-芴酮;二硝基蒽;二硝基吖啶;四氰基芘;二硝基蒽醌;和丁基羰基芴丙二腈,参见US专利No.4921769,其公开内容在此以其全部引入作为参考。其他空穴传输材料包括US专利No.4265990中所述的芳基胺,其公开内容在此以其全部引入作为参考,例如N,N'-二苯基-N,N'-双(烷基苯基)-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺,其中烷基选自甲基,乙基,丙基,丁基,己基等。可以选择其他已知的电荷传输层分子,参考例如US专利No.4921773和4464450,其公开内容在此以其全部引入作为参考。
任何合适的非活性树脂粘合剂可以用于电荷传输层中。可溶于二氯甲烷的典型的非活性树脂粘合剂包括聚碳酸酯树脂,聚乙烯基咔唑,聚酯,聚丙烯酸酯,聚苯乙烯,聚丙烯酸酯,聚醚,聚砜等。分子量可以从大约20000到大约1500000变化。
在电荷传输层中,电荷传输材料(“CTM”)与粘合剂的重量比是30(CTM):70(粘合剂)到70(CTM):30(粘合剂)。
任何合适的技术可以用于将电荷传输层和电荷产生层施加到基底上。典型的涂覆技术包括浸涂,辊涂,喷涂,旋转雾化器等。该涂覆技术可以使用宽的固体浓度。该固含量是基于该分散体的总重量大约2重量%-30重量%。表述“固体”指的是,例如电荷传输涂料分散体的电荷传输粒子和粘合剂组分。这些固体浓度用于浸涂,辊涂,喷涂等。通常,更浓的涂料分散体可以用于辊涂。沉积涂层的干燥可以通过任何合适的常规技术来进行,例如炉干燥,红外辐射干燥,空气干燥等等。通常,该传输层的厚度是大约5微米-大约100微米,但是也可以使用这些范围之外的厚度。通常,将电荷传输层与电荷产生层的厚度比保持在例如大约2:1-200:1,并且在一些情形中高至大约400:1。
SOF电荷传输层
示例性电荷传输SOF包括例如正空穴传输材料,其选自具有包含多环芳族环的链段的化合物,例如蒽,芘,菲,六苯并苯等等,或者含氮的杂环例如吲哚,咔唑,唑,异唑,噻唑,咪唑,吡唑,二唑,吡唑啉,噻二唑,三唑和腙化合物。典型的空穴传输SOF链段包括电子供体材料,例如咔唑;N-乙基咔唑;N-异丙基咔唑;N-苯基咔唑;四苯基芘;1-甲基芘;苝;屈;蒽;苯并蒽;2-苯基萘;氮杂芘;1-乙基芘;乙酰基芘;2,3-苯并屈;2,4-苯并芘;和1,4-溴芘。合适的电子传输SOF链段包括电子接受体例如2,4,7-三硝基-9-芴酮;2,4,5,7-四硝基-芴酮;二硝基蒽;二硝基吖啶;四氰基芘;二硝基蒽醌;和丁基羰基芴丙二腈,参见US专利No.4921769。其他空穴传输SOF链段包括US专利No.4265990中所述的芳基胺,例如N,N'-二苯基-N,N'-双(烷基苯基)-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺,其中烷基选自甲基,乙基,丙基,丁基,己基等。可以选择其他已知的电荷传输SOF链段,参考例如US专利No.4921773和4464450。
该SOF电荷传输层可以如下来制备:
(a)制备包含液体的反应混合物,该混合物包含多个具有倾向的电荷传输性能的分子构建嵌段,每个该分子构建嵌段包含链段和多个官能团;
(b)将该反应混合物作为湿膜沉积;和
(c)促进该包括分子构建嵌段的湿膜转变成包含SOF的干膜,该SOF包含作为共价有机框架排布的多个链段和多个连接基,其中在宏观水平上该共价有机框架是膜。
该反应混合物作为湿层的沉积可以通过任何合适的常规技术来实现,并且通过多种施加方法中的任何一种来施加。典型的施加方法包括例如用手涂覆,喷涂,网纹涂覆,浸涂等。该SOF形成反应混合物可以使用宽范围的分子构建嵌段负载。在实施方案中,该负载是基于该反应混合物的总重量大约2重量%-50重量%。术语“负载”指的是例如电荷传输SOF反应混合物中的分子构建嵌段组分。这些负载可用于浸涂,辊涂,喷涂等。通常,更浓的涂料分散体可以用于辊涂。沉积涂层的干燥可以通过任何合适的常规技术来进行,例如炉干燥,红外辐射干燥,空气干燥等等。通常,该电荷传输SOF层的厚度是大约5微米-大约100微米,例如大约10微米-大约70微米或者10微米-大约40微米。通常,将电荷传输层与电荷产生层的厚度比保持在例如大约2:1-200:1,并且在一些情形中高至400:1。
单层P/R-有机聚合物
此处所述的材料和方法可以用于制造单成像层型光感受器,其包括粘合剂、电荷产生材料和电荷传输材料。例如,用于单成像层的分散体中的固含量可以是基于该分散体的重量大约2-大约30重量%。
在成像层是合并电荷产生层和电荷传输层的功能的单层的情况中,其中所含的组分的示例性量如下:电荷产生材料(大约5-大约40重量%),电荷传输材料(大约20-大约60重量%)和粘合剂(成像层的余量)。
单层P/R-SOF
此处所述的材料和方法可以用于制作单成像层型光感受器,其含有电荷产生材料和电荷传输SOF。例如,用于单成像层的分散体中的固含量可以是基于该分散体的重量大约2-大约30重量%。
在成像层是合并电荷产生层和电荷传输层的功能的单层的情况中,其中所含的组分的示例性量如下:电荷产生材料(大约2-大约40重量%),和倾向的增加功能性的电荷传输分子构建嵌段(大约20-大约75重量%)。
罩面涂层
根据本发明的实施方案可以任选的另外包括罩面涂层8,其任选地位于电荷产生层之上或者电荷传输层之上。该层包含是电绝缘的或者轻微半导电的SOF。
这样的保护性罩面涂层包括SOF形成反应混合物,其含有多个分子构建嵌段,该嵌段任选地包含电荷传输链段。
添加剂在该罩面涂层中的存在量可以是该罩面涂层的大约0.5-大约40重量%。在实施方案中,添加剂包括有机和无机粒子,它们能够进一步提高耐磨损性和/或提供电荷松弛性能。在实施方案中,有机粒子包括聚四氟乙烯粉末,炭黑和石墨粒子。在实施方案中,无机粒子包括绝缘的和半导电的金属氧化物粒子,例如氧化硅,氧化锌,氧化锡等。另外的半导电添加剂是氧化的低聚物盐,如US专利No.5853906中所述,其公开内容在此以其全部引入作为参考。在实施方案中,低聚物盐是氧化的N,N,N',N'-四-对甲苯基-4,4'-联苯二胺盐。
该SOF罩面涂层可以通过如下来制备:
(a)制备包含液体的反应混合物,该混合物包含多个具有倾向的电荷传输性能的分子构建嵌段,每个分子构建嵌段包含链段和多个官能团;
(b)将该反应混合物作为湿膜沉积;和
(c)促进该包括分子构建嵌段的湿膜转变成包含SOF的干膜,该SOF包含作为共价有机框架排布的多个链段和多个连接基,其中在宏观水平上该共价有机框架是膜。
该反应混合物作为湿层的沉积可以通过任何合适的常规技术来实现,并且通过许多施加方法中的任何一种来施加。典型的施加方法包括例如用手涂覆,喷涂,网纹涂覆,浸涂等。促进湿膜变成干SOF可以通过任何合适的常规技术来进行,例如炉干燥,红外辐射干燥,空气干燥等等。
除了提供耐刮擦和耐磨损性之外,大约2微米-大约15微米,例如大约3微米-大约8微米的罩面涂层能够有效防止电荷传输分子滤出,结晶和电荷传输层破裂。
接地片
接地片9可以包含成膜粘合剂和导电粒子。纤维素可以用于分散导电粒子。任何合适的导电粒子可以用于导电接地片层8中。接地片8可以例如包含这样的材料,该材料包括US专利No.4664995中所列举的那些,其公开内容在此以其全部引入作为参考。典型的导电粒子包括例如炭黑,石墨,铜,银,金,镍,钽,铬,锆,钒,铌,氧化铟锡等等。
导电粒子可以具有任何合适的形状。典型的形状包括不规则的,颗粒状,球形,椭圆形,立方体,片状,丝状等等,在实施方案中,该导电粒子的粒度应当小于导电接地片层的厚度,来避免导电接地片层具有过分不规则的外表面。小于大约10微米的平均粒度通常避免了导电粒子在干的接地片层外表面上过分突出,和确保了该粒子在干燥的接地片层的基质中的相对均匀的分散。用于接地片中的导电粒子的浓度取决于因素,例如所用的具体导电材料的电导率。
在实施方案中,该接地片层的厚度可以是大约7微米-大约42微米,例如大约14微米-大约27微米。
应用B:SOF用于薄膜晶体管中
图4示意性表示了薄膜晶体管(TFT)构造30,其包含基底36,门电极38,源电极40和漏电极42,绝缘层34和有机半导体层32。
该基底可以由例如硅晶片,玻璃板,金属片,塑料膜或片组成。对于结构上挠性的装置来说,可以使用塑料基底例如诸如聚酯,聚碳酸酯,聚酰亚胺片等。该基底的厚度可以是从10微米到超过10毫米,并且特别是对于挠性塑料基底来说示例性厚度是大约50微米-大约2毫米,和对于刚性基底例如玻璃或者硅来说是大约0.4-大约10毫米。
现在讨论门电极,源电极和漏电极的组成。门电极可以是薄金属膜,导电聚合物膜,由导电油墨或浆料制成的导电膜或者该基底本身,例如重掺杂的硅。门电极材料的例子包括例如铝,银,金,铬,氧化铟锡,导电聚合物例如聚苯乙烯磺酸酯掺杂的聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PSS-PEDOT),由炭黑/石墨的或者在聚合物粘合剂中的胶体银分散体,例如获自Acheson Colloids Company的ELECTROD AG™组成的导电油墨/浆料。门电极层可以通过如下方法来制备:真空蒸发,金属或者导电金属氧化物的溅射,由导电聚合物溶液或者导电油墨通过旋涂、浇铸或者印刷来涂覆。门电极层的厚度例如对于金属膜来说是大约10-大约200纳米和对于聚合物导体来说是大约1-大约10微米。源电极和漏电极层可以由这样的材料制成,该材料为半导体层提供了低电阻欧姆接触(low resistance ohmic contact )。适用于源电极和漏电极的典型的材料包括门电极材料的那些,例如银,金,镍,铝,铂,导电聚合物和导电油墨。源电极和漏电极的典型厚度是大约例如大约40纳米-大约1微米,例如大约100-大约400纳米。
绝缘层通常可以是无机材料膜或者有机聚合物膜。适于作为绝缘层的无机材料包括例如氧化硅,氮化硅,氧化铝,钛酸钡,锆钛酸钡等等;用于绝缘层的有机聚合物的例子包括聚酯,聚碳酸酯,聚(乙烯基酚),聚酰亚胺,聚苯乙烯,聚(甲基丙烯酸酯),聚(丙烯酸酯),环氧树脂,液体玻璃等等。绝缘层的厚度是例如大约10纳米-大约500纳米,这取决于所用介电材料的介电常数。绝缘层的示例性厚度是大约100纳米-大约500纳米,例如大约200纳米-大约400纳米。绝缘层的电导率可以是例如小于大约10-12 S/cm。
例如位于绝缘层和源/漏电极之间并且与它们接触的是半导体层,其中该半导体层的厚度通常是例如大约10纳米-大约1微米,或者大约40-大约100纳米。该半导体层可以包含具有增加的半导体功能性的SOF。制备该具有增加的半导体功能性的SOF的方法如下:
(a)制备包含液体的反应混合物,该混合物包含多个分子构建嵌段,该每个分子构建嵌段包含具有倾向的半导体性能的链段和多个官能团;
(b)将该反应混合物作为湿膜沉积;和
(c)促进该包括分子构建嵌段的湿膜转变成包含SOF的干膜,该SOF包含作为共价有机框架排列的多个链段和多个连接基,其中在宏观水平上该共价有机框架是多链段厚的膜。
绝缘层,门电极,半导体层,源电极和漏电极是以任何次序来形成的,特别是其中在门电极和半导体层都与绝缘层接触,和源电极和漏电极都与半导体层接触的实施方案中。措词“以任何次序”包括依次和同时的形成。例如,源电极和漏电极可以同时或者依次来形成。薄膜晶体管的组成、制作和运行描述在Bao等人,US专利No.6107117中,其公开内容全部在此引入作为参考。
实施例
在此提出了多个用于制造SOF的方法的实施例,并且示例了可以使用的不同的组成、条件、技术。在每个实施例中确定的是与这种活动有关的标称活动。活动的次序和数目以及运行参数(例如温度,时间,涂覆方法等)不受限于下面的实施例。全部的比例是基于重量的,除非另有指示。术语“rt”指的是例如大约20℃-大约25℃的温度。机械测量是在TAInstruments DMA Q800动态力学分析仪上,使用本领域常规的方法来测量的。差示扫描量热法是在TA Instruments DSC2910差示扫描量热计上,使用本领域常规方法来测量的。热重分析是在TAInstruments TGA2950热重分析仪上,使用本领域常规方法来测量的。FT-IR光谱是在Nicolet Magna550分光计上,使用本领域常规方法来测量的。<1微米的厚度测量是在Dektak 6m Surface Profiler上测量的。表面能是在Fibro DAT1100(瑞典)接触角仪器上,使用本领域常规方法来测量的。除非另有指示,否则在下面的实施例中所生产的SOF是无缺陷SOF或者基本上无缺陷的SOF。
涂覆在Mylar上的SOF是通过浸入到室温水浴中来层离的。在浸泡10分钟后,通常将该SOF膜从Mylar基底上分离。这种方法对于已知涂覆到基底例如玻璃,云母,盐等上以具有高表面能(极性)的SOF是是最有效的。
给出下面的实施例,很显然通过本发明的方法所制备的组合物可以用许多类型的组分来实践,并且根据上面的公开内容和下文所指出的,可以具有许多不同的用途。
图案化的SOF组合物的实施方案
本发明的实施方案是要获得SOF,其中链段的微观排布是图案化的。术语“图案化”指的是例如其中链段连接到一起的序列。图案化的SOF因此将体现为组合物,其中例如链段A仅仅连接到链段B,和反之,链段B仅仅连接到链段A。此外,使用其中仅仅存在着一种链段,比如说链段A的系统,该系统被图案化,因为A倾向于仅仅与A反应。原则上,图案化的SOF可以使用任何数目的链段类型来实现。链段的图案化可以通过使用分子构建嵌段来控制,该分子构建嵌段的官能团反应性倾向于配合(compliment)伙伴(partner)分子构建嵌段,并且其中分子构建嵌段与它自身反应的可能性被最小化。前述链段图案化的方案是非限制性的。其中还体现了这样的情况,其中控制图案化的具体方案并非有意进行。
图案化的膜可以使用波谱技术来检测,其能够评价SOF中连接基团的成功形成。这样的波谱法包括例如傅立叶变换红外光谱法,拉曼光谱法和固态核磁共振光谱法。通过利用波谱技术从样品获得数据,不存在来自构建嵌段上的官能团的信号,和出现来自显示构建嵌段之间的反应的连接基团和伴随的图案化以及SOF的形成的信号。
还体现了不同程度的图案化。SOF的全图案化将通过完全缺乏来自构建嵌段官能团的波谱信号来检测。还体现的是具有低图案化程度的SOF,其中该SOF中存在着图案化域。具有图案化域的SOF当波谱测量时,将产生来自构建嵌段官能团的信号,该基团在图案化域外围处保持未改变。
可以理解非常低程度的图案化与构建嵌段之间低效率的反应以及无法形成膜有关。所以,成功的进行本发明的方法需要在SOF中的构建嵌段之间可测出的(appreciable)图案化。形成SOF所必需的图案化程度是可变的,并且会取决于所选择的构建嵌段和期望的连接基团。所需的最小图案化程度是使用本发明所述的方法来形成膜所需的程度,并且可以量化为大约20%或者更高的目标连接基团,例如大约40%或者更高的目标连接基团或者大约50%或者更高的目标连接基团的形成;通过本发明所体现的图案化的标称程度是大约60%的目标连接基团的形成,例如大约100%的目标连接基团的形成。连接基团的形成可以入前面的实施方案中所述来分光检测。
图案化的OF的生产
下面的试验证实了图案化SOF的形成。下述的活动是非限制性的,因为很显然可以使用许多类型的方案来在SOF中产生图案化。
实施例1描述了类型2SOF的合成,其中将组分合并,使得促进两个构建嵌段之间的醚化连接化学。使用实施例1中所述的方法,酸催化剂的存在和加热作用产生了SOF。
实施例1:类型2SOF
(活动A)制备含有液体的反应混合物。将下面的组分合并:构建嵌段苯-1,4-二甲醇[链段-对二甲苯基;Fg=羟基(-OH);(0.47g,3.4mmol)]和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(1.12g,1.7mmol)],和17.9g的1-甲氧基-2-丙醇。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.31g的10wt%的对甲苯磺酸在1-甲氧基-2-丙醇中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。
(活动B)反应混合物作为湿膜进行沉积。使用配备以具有8mil间隙的伯德棒(birdbar)的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。
(活动C)促进湿膜变成成干SOF。将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉(actively vented oven)中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度为大约3-6微米的SOF,其可以作为单个独立式SOF从基底层离。该SOF的颜色是绿色的。图5中提供一部分的该SOF的傅立叶变换红外光谱。
为了证实在实施例1中所制备的SOF包含来自所用的在该SOF中图案化的分子构建嵌段的链段,进行了三个对照试验。即,使用与实施例1中的活动A所述相同的方法来制备三种液体反应混合物;但是,这三种配方中的每个按如下进行了改变:
•(对照反应混合物1;实施例2)不包括构建嵌段苯-1,4-二甲醇;
•(对照反应混合物2;实施例3)不包括构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
•(对照反应混合物3;实施例4)不包括催化剂对甲苯磺酸。
用于上述对照试验的SOF形成方法的详尽描述在下面的实施例2 –4中详细给出。
实施例2:(对照试验,其中不包括构建嵌段苯-1,4-二甲醇)
(活动A)制备含有液体的反应混合物。将下面的组分合并:构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(1.12g,1.7mmol)],和17.9g的1-甲氧基-2-丙醇。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.31g的10wt%的对甲苯磺酸在1-甲氧基-2-丙醇中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。
(活动B)反应混合物作为湿膜进行沉积。使用配备以具有8mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。
(活动C)尝试促进湿膜变成成干SOF。将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动不提供膜。相反,将该构建嵌段的沉淀粉末沉积到基底上。
实施例3:(对照试验,其中不包括构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺)
(活动A)制备含有液体的反应混合物。将下面的组分合并:构建嵌段苯-1,4-二甲醇[链段=对二甲苯基;Fg=羟基(-OH);(0.47g,3.4mmol)]和17.9g的1-甲氧基-2-丙醇。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.31g的10wt%的对甲苯磺酸在1-甲氧基-2-丙醇中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。
(活动B)反应混合物作为湿膜进行沉积。使用配备以具有8mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。
(活动C)尝试促进湿膜变成成干SOF。将该支持湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动不提供膜。代替的,将该构建嵌段的沉淀粉末沉积到基底上。
实施例4:(对照试验,其中不包括酸催化剂对甲苯磺酸)
(活动A)制备含有液体的反应混合物。将下面的组分合并:构建嵌段苯-1,4-二甲醇[链段=对二甲苯基;Fg=羟基(-OH);(0.47g,3.4mmol)]和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(1.12g,1.7mmol)],和17.9g的1-甲氧基-2-丙醇。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤,来产生含有液体的反应混合物。
(活动B)反应混合物作为湿膜进行沉积。使用配备以具有8mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。
(活动C)尝试促进湿膜变成成干SOF。将该支持湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动不提供膜。代替的,将该构建嵌段的沉淀粉末沉积到基底上。
如实施例2 –4所述,使得三种对照反应混合物中的每一个如实施例1中所述进行活动B和活动C。但是,在所有的情况中没有形成SOF;该构建嵌段简单的沉淀到基底上。从这些结果可以得出结论:该构建嵌段在所述加工条件下不能与自身反应,并且该构建嵌段在缺乏促进剂(对甲苯磺酸)情况下也不能反应。所以,实施例1中所述的活动是这样的活动,其中构建嵌段(苯-1,4-二甲醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺)仅仅在当促进彼此反应时才会彼此反应。当链段对二甲苯基和N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺仅仅彼此连接时,产生图案化的SOF。与对照试验的产物的傅立叶变换红外光谱(图6)相比,该SOF的傅立叶变换红外光谱表现出,不存在来自起始材料的官能团(明显不存在来自苯-1,4二甲醇的羟基谱带),进一步支持了已经如上所述进行了链段之间的连接性。同样,该SOF的光谱中完全不存在羟基谱带表明了图案化是非常高的程度。
下述是根据本发明所制备的无缺陷SOF和/或基本无缺陷SOF另外的实施例。在下面的实施例中,(活动A)是制备含有液体的反应混合物;(活动B)是将反应混合物作为湿膜进行沉积;和(活动C)是促进湿膜变成干SOF。
实施例5:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段苯-1,3,5-三甲醇[链段=苯-1,3,5-三甲基;Fg=羟基(-OH);(0.2g,1.2mmol)]和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(0.59g,0.8mmol)],和8.95g的1-甲氧基-2-丙醇。摇动该混合物,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.16g的10wt%的对甲苯磺酸在1-甲氧基-2-丙醇中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有20mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将该支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约2-4微米的SOF,其可以作为单个独立式SOF从基底上层离。该SOF的颜色是绿色。
实施例6:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段1,6-正己二醇[链段=正己基;Fg=羟基(-OH);(0.21g,1.8mmol)]和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(0.58g,0.87mmol)],和8.95g的1-甲氧基-2-丙醇。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.16g的10wt%的对甲苯磺酸在1-甲氧基-2-丙醇中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有20mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约4-5微米的SOF,其可以作为单个独立式SOF从基底上层离。该SOF的颜色是绿色。一部分的该SOF的傅立叶变换红外光谱提供在图7中。
实施例7:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段苯-1,4-二甲醇[链段=对二甲苯基;Fg=羟基(-OH);(0.64g,4.6mmol)]和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(1.54g,2.3mmol)]和7.51g的1,4-二烷。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.28g的10wt%的对甲苯磺酸在1,4-二烷中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热4min。这些活动提供了厚度大约8-12微米的SOF,其可以作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是绿色。
实施例8:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段1,6-正己二醇[链段=正己基;Fg=羟基(-OH);(0.57g,4.8mmol)]和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(1.61g,2.42mmol)],和7.51g的1,4-二 烷。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.22g的10wt%的对甲苯磺酸在1,4-二烷中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约12-20微米的SOF,其可以作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是绿色。
实施例9:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段4,4'-(环己烷-1,1-二基)联苯酚[链段=4,4'-(环己烷-1,1-二基)二苯基;Fg=羟基(-OH);(0.97g,6mmol)]和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(1.21g,1.8mmol)],和7.51g的1,4-二烷。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.22g的10wt%的对甲苯磺酸在1,4-二烷中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约12-20微米的SOF,其可以作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是绿色。该SOF的傅立叶变换红外光谱提供在图8中。
实施例10:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段苯-1,4二甲醇[链段=对二甲苯基;Fg=羟基(-OH);(0.52g,3.8mmol)]和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段= N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(1.26g,1.9mmol)],和6.3g的1,4-二烷和1.57g的乙酸正丁酯。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.28g的10wt%的对甲苯磺酸在1,4-二烷中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热4min。这些活动提供了厚度7-10微米的SOF,其可以作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是绿色。
实施例11:类型2SOF
(活动A)与实施例7相同。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到含有颜料和聚合物粘合剂的光电导层上,该光电导层支持在金属化的(TiZr)MYLAR™基底上。(活动C)将该支持的湿层快速转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热20min。这些活动提供了均匀涂覆的多层装置,其中该SOF的厚度是大约9-10微米。
实施例12:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段苯-1,4-二甲醇[链段=对二甲苯基;Fg=羟基(-OH);(0.52g,3.8mmol)]和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(1.26g,1.9mmol)],和6.3g的1,4-二烷和1.57g的甲基异丁基酮。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.28g的10wt%的对甲苯磺酸在1,4-二烷中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热4min。这些活动提供了厚度大约7-10微米的SOF,其可以作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是绿色。
实施例13:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段1,6-正己二醇[链段=正己基;Fg=羟基(-OH);(0.47g,4.0mmol)]和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(1.31g,2.0mmol)],6.3g的1,4-二烷,和1.57g的乙酸正丁酯。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.22g的10wt%的对甲苯磺酸在1,4-二烷中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约8-12微米的SOF,其可以作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是绿色。
实施例14:类型2SOF
(活动A)与实施例10相同。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到含有颜料和聚合物粘合剂的光电导层上,该光电导层支持在金属化的(TiZr)MYLAR™基底上。(活动C)将该支持的湿层快速转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热20min。这些活动提供了均匀涂覆的多层装置,其中该SOF的厚度是大约9-10微米。
实施例15:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段1,6-正己二醇[链段=正己基;Fg=羟基(-OH);(0.47g,4.0mmol)]和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺 [链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(1.31g,2.0mmol)],6.3g的1,4-二烷,和1.57g的甲基异丁基酮。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.22g的10wt%的对甲苯磺酸在1,4-二烷中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约8-12微米的SOF,其可以作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是绿色。
实施例16:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段4,4'-(环己烷-1,1-二基)联苯酚[链段=4,4'-(环己烷-1,1-二基)二苯基;Fg=羟基(-OH);(0.8g)]和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(0.8g,1.5mmol)],1,4-二烷,和1.57g的乙酸正丁酯。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.22g的10wt%的对甲苯磺酸在1,4-二烷中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约12微米的SOF,其可以作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是绿色。
实施例17:类型2SOF
(活动A)与实施例13相同。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到含有颜料和聚合物粘合剂的光电导层上,该光电导层支持在金属化的(TiZr)MYLAR™基底上。(活动C)将该支持的湿层快速转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热20min。这些活动提供了均匀涂覆的多层装置,其中该SOF的厚度是大约9-10微米。
实施例18:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段4,4'-(环己烷-1,1-二基)联苯酚[链段=4,4'-(环己烷-1,1-二基)二苯基;Fg=羟基(-OH);(0.8g,3.0mmol)]和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(0.8g,1.5mmol)],1,4-二烷,和1.57g的甲基异丁基酮。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.22g的10wt%的对甲苯磺酸在1,4-二烷中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约12微米的SOF,其可以作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是绿色。
实施例19:类型2SOF
(活动A)与实施例7相同。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到含有颜料和聚合物粘合剂的光电导层上,该光电导层支持在金属化的(TiZr)MYLAR™基底上。(活动C)将该支持的湿层在环境温度下在主动通风的通风橱中干燥5min,然后转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热15min。这些活动提供了均匀涂覆的多层装置,其中该SOF的厚度是大约9-10微米。
实施例20:类型2SOF
(活动A)与实施例10相同。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到含有颜料和聚合物粘合剂的光电导层上,该光电导层支持在金属化的(TiZr)MYLAR™基底上。(活动C)将该支持的湿层在环境温度下在主动通风的通风橱中干燥5min,然后转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热15min。这些活动提供了均匀涂覆的多层装置,其中该SOF的厚度是大约9-10微米。
实施例21:类型2SOF
(活动A)与实施例13相同。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到含有颜料和聚合物粘合剂的光电导层上,该光电导层支持在金属化的(TiZr)MYLAR™基底上。(活动C)将该支持的湿层在环境温度下在主动通风的通风橱中干燥5min,然后转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热15min。这些活动提供了均匀涂覆的多层装置,其中该SOF的厚度是大约9-10微米,并且不能层离。
实施例22:类型2SOF
(活动A)与实施例7相同。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到多层式的光敏元件上,其包含发生器层和含有分散在聚合物粘合剂中的二胺类型分子的传输层。(活动C)将该支持的湿层在环境温度下在主动通风的通风橱中干燥5min,然后转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热15min。这些活动提供了均匀涂覆的多层装置,其中该SOF的厚度是大约9-10微米。
实施例23:类型2SOF
(活动A)与实施例10相同。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到多层式的光敏元件上,其包含发生器层和含有分散在聚合物粘合剂中的二胺类型分子的传输层。(活动C)将该支持的湿层在环境温度下在主动通风的通风橱中干燥5min,然后转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热15min。这些活动提供了均匀涂覆的多层装置,其中该SOF的厚度是大约9-10微米。
实施例24:类型2SOF
(活动A)与实施例13相同。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到多层式的光敏元件上,其包含发生器层和含有分散在聚合物粘合剂中的二胺类型分子的传输层。(活动C)将该支持的湿层在环境温度下在主动通风的通风橱中干燥5min,然后转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热15min。这些活动提供了均匀涂覆的多层装置,其中该SOF的厚度是大约9-10微米。
实施例25:类型1SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段(4,4',4'',4'''-(联苯-4,4'-二基双(氮烷三基))四(苯-4,1-二基))四甲醇[链段=(4,4',4'',4'''-(联苯-4,4'-二基双(氮烷三基))四(苯-4,1-二基);Fg=醇(-OH);(1.48g,2.4mmol)],和8.3g的1,4-二烷。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.15g的10wt%的对甲苯磺酸在1,4-二烷中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有25mil间隙的伯德棒(的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约8-24微米的SOF。该SOF的颜色是绿色。
实施例26:类型1SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段4,4',4''-次氮基三(苯-4,1-二基)三甲醇[链段=(4,4',4''-次氮基三(苯-4,1-二基)三甲基);Fg=醇(-OH);(1.48g,4.4mmol)],和8.3g的1,4-二烷。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.15g的10wt%的对甲苯磺酸在1,4-二烷中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有15mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约6-15微米的SOF,其能够作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是绿色。这个膜的傅立叶变换红外光谱提供在图9中。二维X射线散射数据提供在图15中。从图15所见,不存在高于背景的信号,这表明不存在具有任何可检测到的周期性的分子次序。
实施例27:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(0.26g,0.40mmol)]和第二构建嵌段3,3'-(4,4'-(联苯-4-基氮烷二基)双(4,1-亚苯基))二丙-1-醇[链段=3,3'-(4,4'-(联苯-4-基氮烷二基)双(4,1-亚苯基))二丙基;Fg=羟基(-OH);(0.34g,0.78mmol)],和1.29mL的1-甲氧基-2-丙醇。将该混合物摇动,并且加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.2g的10wt%的对甲苯磺酸在1-甲氧基-2-丙醇中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有8mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到150℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约15-20微米的SOF,其能够作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是绿色。
实施例28:类型2SOF
(活动A)与实施例24相同。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到多层式的光敏元件上,其包含发生器层和含有分散在聚合物粘合剂中的二胺类型分子的传输层。(活动C)将该支持的湿层快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了均匀涂覆的多层装置,其中该SOF的厚度是大约5微米。
实施例29:类型2SOF
(活动A)与实施例24相同。(活动B)将该反应混合物施加到固定在以750rpm旋转的旋涂装置上的多层式的光敏元件上,其包含发生器层和含有分散在聚合物粘合剂中的二胺类型分子的传输层,将该液体反应混合物滴到中心旋转基底上来沉积该湿层。(活动C)将该支持的湿层快速转移到预热到140℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了均匀涂覆的多层装置,其中该SOF的厚度是大约0.2微米。
实施例30:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段对苯二甲醛[链段=苯;Fg=醛(-CHO);(0.18g,1.3mmol)]和第二构建嵌段三(4-氨基苯基)胺[链段=三苯基胺;Fg=胺(-NH2);(0.26g,0.89mmol)]和2.5g的四氢呋喃。将该混合物摇动,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.045g的10wt%的对甲苯磺酸在1-四氢呋喃中的溶液来提供),来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约6微米的SOF,其能够作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是红-橙色的。该膜的傅立叶变换红外光谱提供在图10中。
实施例31:类型1SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段4,4',4''-次氮基三苯甲醛[链段=三苯基胺;Fg=醛(-CHO);(0.16g,0.4mmol)]和第二构建嵌段三(4-氨基苯基)胺[链段=三苯基胺;Fg=胺(-NH2);(0.14g,0.4mmol)],和1.9g的四氢呋喃。将该混合物搅拌,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约6微米的SOF,其能够作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是红色的。该膜的傅立叶变换红外光谱提供在图11中。
实施例32:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段乙二醛[链段=单共价键;Fg=醛(-CHO);(0.31g,5.8mmol,作为40wt%的水溶液加入,即,0.77g的乙二醛水溶液)]和第二构建嵌段三(4-氨基苯基)胺[链段=三苯基胺;Fg=胺(-NH2);(1.14g,(3.9mmol)],和8.27g的四氢呋喃。将该混合物摇动,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。(活动B)使用配备以具有10mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约6-12微米的SOF,其能够作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是红色的。
实施例33:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段对苯二甲醛[链段=苯;Fg=醛(-CHO);(0.18g,1.3mmol)]和第二构建嵌段三(4-氨基苯基)胺[链段=三苯基胺;Fg=胺(-NH2);(0.26g,0.89mmol)],2.5g的四氢呋喃,和0.4g水。将该混合物摇动,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度6微米的SOF,其能够作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是红-橙色。
实施例34:类型1SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段4;4',4''-次氮基三苯甲醛[链段=三苯基胺;Fg=醛(-CHO);(0.16g,0.4mmol)]和第二构建嵌段三(4-氨基苯基)胺[链段=三苯基胺;Fg-胺(-NH2);(0.14g,0.4mmol)],1.9g的四氢呋喃,和0.4g水。将该混合物搅拌,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约6微米的SOF,其能够作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是红-橙色。
实施例35:类型2SOF
(活动A)与实施例28相同。(活动B)将该反应混合物从玻璃吸液管滴到载玻片上。(活动C)将该载玻片在加热阶段中加热到80℃,产生了厚度大约200微米的深红色SOF,其能够从该载玻片上层离。
实施例36:类型1SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段三-[(4-羟甲基)-苯基]-胺[链段=三-(对甲苯基)-胺;Fg=羟基(-OH);5.12g];添加剂Cymel303(55mg)和Silclean3700(210mg),和催化剂Nacure XP-357(267mg)和1-甲氧基-2-丙醇(13.27g)。将该混合物在滚动波旋转器(rolling wave rotator)上混合10min,然后在55℃加热65min,直到产生均匀的溶液。将该混合物放在该旋转器上,并且冷却到室温。将该溶液通过1微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用杯式涂覆机(cup coater)(Tsukiage coating)以240mm/min的提拉速率(pull-rate)将该反应混合物施加到市售的30mm的鼓式光感受器上。(活动C)将支撑该湿层的光感受器转快速转移到预热到140℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约6.9微米的SOF。图12是光诱导的放电曲线(PIDC),表示该SOF罩面涂层的光电导性(电压75ms(曝露来测量))。
实施例37:具有添加剂的类型1SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段三-[(4-羟甲基)-苯基]-胺[链段=三-(对甲苯基)-胺;Fg=羟基(-OH);4.65g];添加剂 Cymel303(49mg)和Silclean3700(205mg),和催化剂Nacure XP-357(254mg)和1-甲氧基-2-丙醇(12.25g)。将该混合物在滚动波旋转器上混合10min,然后在55℃加热65min,直到产生均匀的溶液。将该混合物放在该旋转器上,并且冷却到室温。将该溶液通过1微米 PTFE膜过滤。将聚乙烯蜡分散体(平均粒度=5.5微米,在异丙醇中40%的固含量,613mg)加入该反应混合物中,将其超声波处理10min,并且在旋转器上混合30min。(活动B)使用杯式涂覆机(Tsukiage coating)以240mm/min的提拉速率将该反应混合物施加到市售的30mm的鼓式光感受器上。(活动C)将支撑该湿层的光感受器鼓快速转移到预热到140℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度6.9微米的在该SOF中具有均匀引入的蜡粒子的膜。图13是光诱导的放电曲线(PIDC),表示了该SOF罩面涂层的光电导性(电压75ms(曝露来测量))。
实施例38:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺[链段=N,N,N',N'-四-(对甲苯基)联苯-4,4'-二胺;Fg=羟基(-OH);3.36g]和构建嵌段N,N'-二苯基-N,N'-双-(3-羟苯基)-联苯-4,4'-二胺 [链段= N,N,N',N'-四苯基-联苯-4,4'-二胺;Fg-羟基(-OH);5.56g];添加剂Cymel303(480mg)和Silclean3700(383mg),和催化剂Nacure XP-357(480mg)和1-甲氧基-2-丙醇(33.24g)。将该混合物在滚动波旋转器上混合10min,然后在55℃加热65min,直到产生均匀的溶液。将该混合物放在该旋转器上,并且冷却到室温。将该溶液通过1微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用杯式涂覆机(Tsukiagecoating)以485mm/min的提拉速率将该反应混合物施加到市售的30mm的鼓式光感受器上。(活动C)将支撑该湿层的光感受器转快速转移到预热到140℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度6.0-6.2微米的膜。图14是光诱导的放电曲线(PIDC),表示了该SOF罩面涂层的光电导性(电压75ms(曝露来测量))。
实施例39:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段碳酸二丙酯[链段=羰基 [-C(=O)-];Fg=丙氧基(CH3CH2CH2O-);4.38g,30mmol]和构建嵌段1,3,5-三羟基环己烷[链段=环己烷;Fg-羟基(-OH);3.24g,20mmol]和催化剂甲醇钠(38mg)和N-甲基-2-吡咯烷酮(25.5g)。将该混合物在滚动波旋转器上混合10min,并且通过1微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的基底快速转移到预热到200℃的主动通风炉中,并且加热40min。
实施例40:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段碳酸二丙酯[链段=羰基 [-C(=O)-];Fg=丙氧基(CH3CH2CH2O-);4.38g,30mmol]和构建嵌段1,3,5-三羟基环己烷[链段=环己烷;Fg-羟基(-OH);3.24g,20mmol];磷酸(2 M水溶液,100mg);和N-甲基-2-吡咯烷酮(25.5g)。将该混合物在滚动波旋转器上混合10min,并且通过1微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的基底快速转移到预热到200℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。
实施例41:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段1,1'-羰基二咪唑[链段=羰基[-C(=O)-];Fg=咪唑;4.86g,30mmol]和构建嵌段1,3,5-三羟基环己烷[链段=环己烷;Fg-羟基(-OH);3.24g,20mmol]和催化剂甲醇钠(38mg)和N-甲基-2-吡咯烷酮(25.5g)。将该混合物在滚动波旋转器上混合10min,并且通过1微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的基底快速转移到预热到200℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。
实施例42:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段羰基二咪唑[链段=羰基 [-C(=O)-];Fg=咪唑;4.86g,30mmol]和构建嵌段1,3,5-三羟基环己烷[链段=环己烷;Fg-羟基(-OH);3.24g,20mmol];磷酸(2 M水溶液,100mg);和N-甲基-2-吡咯烷酮(25.5g)。将该混合物在滚动波旋转器上混合10min,并且通过1微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的基底快速转移到预热到200℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。
实施例43:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段苯均三酸[链段=1,3,5-苯三甲酸酯;Fg=H;4.20g,20mmol]和构建嵌段1,6-己二醇[链段=己烷;Fg-羟基(-OH);3.55g,30mmol];磷酸(2M水溶液,100mg);和N-甲基-2-吡咯烷酮(25.5g)。将该混合物在滚动波旋转器上混合10min,并且通过1微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的基底快速转移到预热到200℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。
实施例44:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段苯均三酸[链段=1,3,5-苯三甲酸酯;Fg=H;4.20g,20mmol]和构建嵌段1,6-己二醇[链段=己烷;Fg-羟基(-OH);3.55g,30mmol];N,N-二甲基-4-氨基吡啶(50mg);和N-甲基-2-吡咯烷酮(25.5g)。将该混合物在滚动波旋转器上混合10min,并且通过1微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的基底快速转移到预热到200℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。
实施例45:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段苯均三酸[链段=1,3,5-苯三甲酸酯;Fg=H;4.20g,20mmol]和构建嵌段六亚甲基二胺[链段=己烷;Fg-胺(-NH2);3.49g,30mmol];磷酸(2M水溶液,100mg);和N-甲基-2-吡咯烷酮(25.5g)。将该混合物在滚动波旋转器上混合10min,并且通过1微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的基底快速转移到预热到200℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。
实施例46:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段苯均三酸[链段=1,3,5-苯三甲酸酯;Fg=H;4.20g,20mmol]和构建嵌段六亚甲基二胺[链段=己烷;Fg-胺(-NH2);3.49g,30mmol];N,N-二甲基-4-氨基吡啶(50mg);和N-甲基-2-吡咯烷酮(25.5g)。将该混合物在滚动波旋转器上混合10min,并且通过1微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的基底快速转移到预热到200℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。
实施例47:类型2SOF
(活动A)制备含有液体的反应混合物。将下面的组分合并:构建嵌段1,4-二异氰酸酯根合苯[链段=苯基;Fg=异氰酸酯(-N=C=O);(0.5g,3.1mmol)]和第二构建嵌段4,4',4''-次氮基三(苯-4,1-二基)三甲醇[链段=(4,4',4''-次氮基三(苯-4,1-二基)三甲基);(0.69,2.1mmol)],10.1g的二甲基甲酰胺,和1.0g的三乙基胺。将该混合物搅拌,直到获得均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用配备以具有8mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热120min。
实施例48:类型2SOF
(活动A)制备含有液体的反应混合物。将下面的组分合并:构建嵌段1,4二异氰酸酯根合己烷[链段=己基;Fg=异氰酸酯(-N=C-O);(0.38g,3.6mmol)]和第二构建嵌段三乙醇胺[链段=三乙基胺;(0.81,5.6mmol)],10.1g的二甲基甲酰胺,和1.0g的三乙基胺。将该混合物搅拌,直到获得均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用配备以具有8mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热120min。
实施例49:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺[链段=N,N,N',N'-四-(对甲苯基)联苯-4,4'-二胺;Fg=羟基(-OH);4.24g]和构建嵌段N,N'-二苯基-N,N'-双-(3-羟基苯基)-三苯基-4,4'-二胺[链段= N,N,N',N'-四苯基-三苯基-4,4'-二胺;Fg-羟基(-OH);5.62g];添加剂CymeI303(530mg)和Silclean3700(420mg),和催化剂Nacure XP-357(530mg)和1-甲氧基-2-丙醇(41.62g)。将该混合物在滚动波旋转器上混合10min,然后在55℃加热65min,直到产生均匀的溶液。将该混合物放在该旋转器上,并且冷却到室温。将该溶液通过1微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用杯式涂覆机(Tsukiage coating)以485mm/min的提拉速率将该反应混合物施加到市售的30mm的鼓式光感受器上。(活动C)将支撑该湿层的光感受器鼓快速转移到预热到140℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度6.2微米的SOF。
实施例49:类型2SOF尝试
(活动A)尝试制备含有液体的反应混合物。将下面的组分合并:构建嵌段三-[(4-羟基甲基)-苯基]-胺[链段=三-(对甲苯基)-胺;Fg=羟基(-OH);5.12g];添加剂Cymel303(55mg),Silclean3700(210mg)和1-甲氧基-2-丙醇(13.27g)。将该混合物在55℃加热65min,来尝试完全溶解该分子构建嵌段。但是它没有完全溶解。加入催化剂Nacure XP-357(267mg),并且将该非均相混合物在滚动波旋转器上进一步混合10min。在这个实施例中,催化剂是在加热步骤之后加入的。在涂覆之前没有过滤该溶液,这归因于未溶解的分子构建嵌段的量。(活动B)将反应混合物作为湿膜沉积。使用杯式涂覆机(Tsukiage coating)以240mm/min的提拉速率将该反应混合物施加到市售的30mm的鼓式光感受器上。(活动C)促进该湿膜变成干膜。将支撑该湿层的光感受器鼓快速转移到预热到140℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动不提供均匀膜。存在着一些形成了包含粒子的非均匀膜的区域,和根本不形成膜的其他区域。
实施例50:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段三-[(4-羟甲基)-苯基]-胺[链段=三-(对甲苯基)-胺;Fg=羟基(-OH);5.12g];添加剂Cyme]303(55mg)和Silclean3700(210mg),和催化剂Nacure XP-357(267mg)和1-甲氧基-2-丙醇(13.27g)。将该混合物在滚动波旋转器上混合10min,然后在55℃加热65min,直到产生均匀的溶液。将该混合物放在该旋转器上,并且冷却到室温。将该溶液通过1微米 PTFE膜过滤。应当注意的是该反应混合物的粘度在加热步骤之后升高(尽管在加热前后没有测量该溶液的粘度)。(活动B)使用杯式涂覆机(Tsukiage coating)以240mm/min的提拉速率将该反应混合物施加到市售的30mm的鼓式光感受器上。(活动C)将支撑该湿层的光感受器鼓快速转移到预热到140℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度6.9微米的SOF。
实施例51:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺[链段-N,N,N',N'-四-(对甲苯基)联苯-4,4'-二胺;Fg-羟基(-OH);1.84g]和构建嵌段3,3'-(4,4'-(联苯-4-基氮烷二基)双(4,1-亚苯基))二丙-1-醇[链段=3,3'-(4,4'-(联苯-4-基氮烷二基)双(4,1-亚苯基))二丙基;Fg=羟基(-OH);(2.41g)]和催化剂对甲苯磺酸(10wt%的dowanol溶液,460mg)和1-甲氧基-2-丙醇(16.9g,含有50ppm的DC510)。将该混合物在滚动波旋转器上混合5min,然后在70℃加热30min,直到产生均匀的溶液。将该混合物放在该旋转器上,并且冷却到室温。将该溶液通过1微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用Hirano网纹涂覆机将该反应混合物施加到生产涂覆的网幅光感受器(production-coatedweb photoreceptor )上。注射泵速:4.5mL/min。(活动C)将支撑该湿层的光感受器以1.5m/min的速度供给到预热到130℃的主动通风炉中进行2min。这些活动提供了在光感受器上厚度2.1微米的SOF罩面涂层。
实施例52:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺[链段=N,N,N',N'-四-(对甲苯基)联苯-4,4'-二胺;Fg=羟基(-OH);5.0g]和构建嵌段苯二甲醇[链段=对二甲苯基;Fg-羟基(-OH);2.32g]和催化剂对甲苯磺酸(10wt%的dowanol溶液,720mg)和1-甲氧基-2-丙醇(22.5g,含有50ppm的DC510)。将该混合物在滚动波旋转器上混合5min,然后在40℃加热5min,直到产生均匀的溶液。将该混合物放在该旋转器上,并且冷却到室温。将该溶液通过1微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用Hirano网纹涂覆机将该反应混合物施加到生产涂覆的生产网幅光感受器(production-coated, productionweb photoreceptor)上。注射泵速:5mL/min。(活动C)将支撑该湿层的光感受器以1.5m/min的速度供给到预热到130℃的主动通风炉中进行2min。这些活动提供了在光感受器上厚度2.2微米的SOF罩面涂层。
实施例53:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺[链段-N,N,N',N'-四-(对甲苯基)联苯-4,4'-二胺;Fg=羟基(-OH);5.0g]和构建嵌段苯二甲醇[链段=对二甲苯基;Fg-羟基(-OH);2.32g]和催化剂对甲苯磺酸(10wt%的dowanol溶液,720mg)和1-甲氧基-2-丙醇(22.5g,含有的50ppm的DC510)。将该混合物在滚动波旋转器上混合5min,然后在40℃加热5min,直到产生均匀的溶液。将该混合物放在该旋转器上,并且冷却到室温。将该溶液通过1微米 PTFE膜过滤。(活动B)使用Hirano网纹涂覆机将该反应混合物施加到生产涂覆的生产网幅光感受器上。注射泵速:10mL/min。(活动C)将支撑该湿层的光感受器以1.5m/min的速度供给到预热到130℃的主动通风炉中进行2min。这些活动提供了在光感受器上厚度4.3微米的SOF罩面涂层。
实施例54:
(活动A)将下面的组分合并:构建4,4',4''-次氮基三(苯-4,1-二基)三甲醇[链段=(4,4',4''-次氮基三(苯-4,1-二基)三甲基);Fg-醇(-OH);(1.48g,4.4mmol)],0.5g水和7.8g的1,4-二烷。将该混合物摇动,并加热到60℃,直到形成均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.15g的10wt%的对甲苯磺酸在1,4-二烷中的溶液提供)来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有15mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到金属化的(TiZr)MYLAR™基底的反射面上。(活动C)将支撑该湿层的金属化的MYLAR™基底快速转移到预热到130℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。这些活动提供了厚度大约4-10微米的SOF,其能够作为单个独立式膜从基底上层离。该SOF的颜色是绿色的。二维X射线散射数据提供在图15中。从图15中可见,2θ是大约17.8和d是大约4.97埃,表明该SOF具有大约0.5nm的周期性的分子次序。
实施例55:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段4-羟苄醇[链段=甲苯;Fg=羟基(-OH);(0.0272g,0.22mmol)]和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段= N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(0.0728g,0.11mmol)],和0.88g的1-甲氧基-2-丙醇和0.01g的10wt%的silclean的1-甲氧基-2-丙醇溶液。将该混合物摇动,并加热到55℃,直到获得均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.01g的10wt%的对甲苯磺酸在1-甲氧基-2-丙醇中的溶液提供)来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到铝基底上。(活动C)将支撑该湿层的铝基底快速转移到预热到140℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。
实施例56:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段4-(羟甲基)苯甲酸[链段=4-甲基苯甲醛;Fg=羟基(-OH);(0.0314g,0.206mmol))和第二构建嵌段N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺[链段=N4,N4,N4',N4'-四-对甲苯基联苯-4,4'-二胺;Fg=甲氧基醚(-OCH3);(0.0686g,0.103mmol)],和0.88g的1-甲氧基-2-丙醇和0.01g的10wt%的silclean的1-甲氧基-2-丙醇溶液。将该混合物摇动,并加热到55℃,直到获得均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.01g的10wt%的对甲苯磺酸在1-甲氧基-2-丙醇中的溶液提供)来产生含有液体的反应混合物。(活动B)使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到铝基底上。(活动C)将支撑该湿层的铝基底快速转移到预热到140℃的主动通风炉中,并且放置加热40min。
实施例57:类型2SOF
(活动A)将下面的组分合并:构建嵌段1,4二氨基苯[链段=苯;Fg=胺(-NH2);(0.14g,1.3mmol)]和第二构建嵌段1,3,5-三甲酰基苯[链段=苯;Fg=醛(-CHO);(0.144g,0.89mmol)],和2.8g的NMP。将该混合物摇动,直到获得均匀溶液。通过冷却到室温,将该溶液通过0.45微米 PTFE膜进行过滤。向该过滤的溶液中加入酸催化剂(作为0.02g的2.5wt%的对甲苯磺酸在NMP中的溶液提供)来产生含有液体的反应混合物。(活动B)该反应混合物施加到石英板上,该石英板固定到以1000RPM旋转30s的变速旋涂机的旋转单元上。(活动C)将支撑该湿层的石英板快速转移到预热到180℃的主动通风炉中,并且放置加热120min。这些活动提供了厚度为400nm的黄色膜,其可以通过浸入水中而从基底上层离。
实施例58:复合体SOF
复合体SOF的制备包括实施例1所述的方法和构建嵌段。在这些情况中,所用溶剂是二烷。全部的SOF是在金属化的聚酯薄膜(mylar)基底上按如下来制备的:用20mil 伯德棒沉积湿层,并且促进该湿层在130℃转化持续40min。该反应混合物中总共30%的固体负载,并且10%的固体负载来自第二组分。第二组分是在促进湿层转变来形成SOF之前,通过将它们包括在该反应混合物中来引入的。生产了六种不同的复合体SOF,每个含有不同的第二组分:复合体SOF1包括空穴传输分子(N4,N4'-二苯基-N4,N4'-间甲苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺),复合体SOF2包括聚合物(聚苯乙烯),复合体SOF3包括纳米粒子(C60Buckminsterfullerene),复合体SOF4包括小有机分子(联苯),复合体SOF5包括金属粒子(铜微粉),和复合体SOF6包括电子接受体(苯醌)。一些第二组分可溶于该反应混合物中;一些分散(非溶解)在该反应混合物中。所生产的这六种复合体SOF是基本上无缺陷的SOF,其包括引入该SOF中的复合材料。在一些情况中(例如铜微粉复合体SOF),该第二组分(掺杂剂)的分散是目视明显的。这些SOF的厚度是15-25微米。
实施例59:光致变色SOF
(活动A)制备含有液体的反应混合物:将下面的组分合并:该SOF构建嵌段三-(4-羟甲基)三苯基胺[链段=三苯基胺;Fg=羟基(-OH);0.200g];光致变色分子1-5(见下)(0.02g),和催化剂对甲苯磺酸(0.01g);和1-甲氧基-2-丙醇(0.760g)。将该混合物在滚动波旋转器上混合10min,然后在55℃加热5min,直到产生均匀的溶液。将该溶液通过1微米PTFE膜过滤。(活动B)将反应混合物作为湿膜沉积:使用配备以具有5mil间隙的伯德棒的恒速刮涂机,将该反应混合物施加到3mil的聚酯薄膜基底上。(活动C)促进湿膜变成干SOF:将支撑该湿层的聚酯薄膜片快速转移到预热到120℃的主动通风炉中,并且放置加热5min。这些活动提供了厚度3-5微米的膜。将下面的光致变色分子引入SOF中:
(1)螺吡喃-OH(官能化SOF封端构建嵌段)
(2)双螺吡喃2-OH(官能化SOF构建嵌段)
(3)螺嗪(复合体SOF)
(4)DTE(复合体SOF)
(5)DTE2-OH(官能SOF构建嵌段)
全部所形成的配方是基本上是无缺陷膜,但是光致变色性分子(4)和(5)表现最佳。
具有分子(4)和(5)的光致变色SOF的UV-可见光谱清楚地证明了该光致变色SOF膜的着色(在UVA 写入后存在着集中在~600nm的宽的吸收)和可擦除能力(在可见光擦除(erase)后,损失了~600nm吸收率)。该光致变色响应与聚合物基质体系在写入/擦除速度和图象对比度方面是相当的。这表明该SOF膜不影响这些DTE类型光致变色材料的性能。
为了测试化学/环境/机械稳定性,将光致变色SOF置于丙酮中15分钟。下表中详细给出了试验观察。具有分子(5)的光致变色SOF完全保持了膜完整性和光致变色性能。具有分子(4)的光致变色SOF滤出了光致变色组分和作为结果,失去了光致变色活性。
将具有分子(5)的光致变色SOF置于丙酮中,并且超声波处理5分钟。这是极端的测试,该聚合物基光致变色体系将不能幸存。在从溶剂中除去后,具有分子(5)的光致变色SOF基本上保持了该SOF完整性,并且在与曝露于UV LED装置时大致相同水平(即,保存了光致变色活性)下写入。来自于光致变色分子(5)(其化学键合到SOF结构上)的光致变色SOF没有从该SOF中滤出,并且能够经受苛刻的化学(丙酮溶剂)和机械(超声破碎)应力。
很显然上面公开的几种和其他特征和功能,或者其可替代项,可以理想的组合到许多其他不同的体系或者应用中。不同的目前无法预测的或者不曾预料到的其中的选项,变化,改变或者改进可以随后由本领域技术人员来进行,这些也打算包括在下面的权利要求中。除非权利要求中另有明确表述,否则权利要求的步骤或者组成应当不表示或者引入来自说明书或者任何其他权利要求的任何具体的次序,数目,位置,尺寸,形状,角度,颜色或者材料。
Claims (16)
1.制备结构化有机膜(SOF)的方法,该方法包含:
(a)制备包含液体的反应混合物,该混合物包含多个分子构建嵌段,每个该分子构建嵌段包含链段和多个官能团;
(b)在该反应混合物中形成预SOF;
(c)将该反应混合物作为湿膜沉积;和
(d)促进该湿膜转变以形成干SOF;
其中所述干SOF包含作为共价有机框架(COF)排列的多个链段和多个连接基,并且所述干SOF是基本上无缺陷的膜;
其中所述链段和相应的连接基衍生自以下分子构建嵌段:
苯-1,4-二甲醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
苯-1,3,5-三甲醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
1,6-正己二醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
4,4'-(环己烷-1,1-二基)二苯酚和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
(4,4',4'',4'''-(联苯-4,4'-二基双(氮烷三基))四(苯-4,1-二基))四甲醇;
4,4',4''-次氮基三(苯-4,1-二基)三甲醇;
3,3'-(4,4'-(联苯-4-基氮烷二基)双(4,1-亚苯基))二丙-1-醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
对苯二甲醛和三(4-氨基苯基)胺;
4,4',4''-次氮基三苯甲醛和三(4-氨基苯基)胺;
乙二醛和三(4-氨基苯基)胺;
三-[(4-羟甲基)-苯基]-胺;
N,N'-二苯基-N,N'-双-(3-羟苯基)-联苯-4,4'-二胺和N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺;
碳酸二丙酯和1,3,5-三羟基环己烷;
1,1'-羰基二咪唑和1,3,5-三羟基环己烷;
苯均三酸和1,6-己二醇;
苯均三酸和六亚甲基二胺;
1,4-二异氰酸酯根合苯和4,4',4''-次氮基三(苯-4,1-二基)三甲醇;
1,4-二异氰酸酯根合己烷和三乙醇胺;
N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺和N,N'-二苯基-N,N'-双-(3-羟基苯基)-三联苯-4,4'-二胺;
N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺和3,3'-(4,4'-(联苯-4-基氮烷二基)双(4,1-亚苯基))二丙-1-醇;
N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺和苯-1,4-二甲醇;
4-羟苄醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
4-(羟甲基)苯甲酸和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
1,4-二氨基苯和1,3,5-三甲酰基苯;
三-(4-羟甲基)三苯基胺和螺吡喃1-OH;
三-(4-羟甲基)三苯基胺和双螺吡喃2-OH;或
三-(4-羟甲基)三苯基胺和DTE 2-OH。
2.权利要求1的方法,其中该反应混合物进一步包含催化剂。
3.权利要求2的方法,其中该催化剂选自布朗斯台德酸、路易斯酸、布朗斯台德碱、路易斯碱、自由基引发剂、过渡金属络合物。
4.权利要求2的方法,其中该催化剂的重量除以分子构建嵌段的总重量是0.0001-0.25。
5.权利要求1的方法,其中形成该预SOF包括在催化剂存在下加热该反应混合物。
6.权利要求2的方法,其中该催化剂不存在于该干SOF中。
7.权利要求2的方法,其中该催化剂存在于该干SOF中。
8.权利要求1的方法,其中形成该预SOF包括在低于该反应混合物沸点的温度下加热该反应混合物。
9.权利要求1的方法,其中形成该预SOF包括将该反应混合物曝露于UV辐射。
10.权利要求1的方法,其中该预SOF形成期间持续了10s-48小时。
11.制备复合结构化有机膜(SOF)的方法,该方法包含:
(a)制备包含液体的反应混合物,该混合物包含第二组分和多个分子构建嵌段,每个该分子构建嵌段包含链段和多个官能团;
(b)在该反应混合物中形成预SOF;
(c)将该反应混合物作为湿膜沉积;和
(d)促进湿膜转变以形成引入了第二组分的干SOF;
其中所述干SOF包含作为共价有机框架(COF)排列的多个链段和多个连接基,并且所述干SOF是基本上无缺陷的膜;
其中所述链段和相应的连接基衍生自以下分子构建嵌段:
苯-1,4-二甲醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
苯-1,3,5-三甲醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
1,6-正己二醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
4,4'-(环己烷-1,1-二基)二苯酚和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
(4,4',4'',4'''-(联苯-4,4'-二基双(氮烷三基))四(苯-4,1-二基))四甲醇;
4,4',4''-次氮基三(苯-4,1-二基)三甲醇;
3,3'-(4,4'-(联苯-4-基氮烷二基)双(4,1-亚苯基))二丙-1-醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
对苯二甲醛和三(4-氨基苯基)胺;
4,4',4''-次氮基三苯甲醛和三(4-氨基苯基)胺;
乙二醛和三(4-氨基苯基)胺;
三-[(4-羟甲基)-苯基]-胺;
N,N'-二苯基-N,N'-双-(3-羟苯基)-联苯-4,4'-二胺和N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺;
碳酸二丙酯和1,3,5-三羟基环己烷;
1,1'-羰基二咪唑和1,3,5-三羟基环己烷;
苯均三酸和1,6-己二醇;
苯均三酸和六亚甲基二胺;
1,4-二异氰酸酯根合苯和4,4',4''-次氮基三(苯-4,1-二基)三甲醇;
1,4-二异氰酸酯根合己烷和三乙醇胺;
N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺和N,N'-二苯基-N,N'-双-(3-羟基苯基)-三联苯-4,4'-二胺;
N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺和3,3'-(4,4'-(联苯-4-基氮烷二基)双(4,1-亚苯基))二丙-1-醇;
N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺和苯-1,4-二甲醇;
4-羟苄醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
4-(羟甲基)苯甲酸和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
1,4-二氨基苯和1,3,5-三甲酰基苯;
三-(4-羟甲基)三苯基胺和螺吡喃1-OH;
三-(4-羟甲基)三苯基胺和双螺吡喃2-OH;或
三-(4-羟甲基)三苯基胺和DTE 2-OH。
12.权利要求11的方法,其中形成该预SOF包括在催化剂存在下加热该反应混合物。
13.制备结构化有机膜(SOF)的方法,该方法包括:
(a)制备包含液体的反应混合物,该混合物包含第一溶剂、第二溶剂、和多个分子构建嵌段,每个该分子构建嵌段包含链段和官能团;
(b)形成预SOF;
(c)将该反应混合物作为湿膜沉积;和
(d)促进该湿膜的转变和形成干SOF;
其中所述干SOF包含作为共价有机框架(COF)排列的多个链段和多个连接基,并且所述干SOF是基本上无缺陷的膜;
其中所述链段和相应的连接基衍生自以下分子构建嵌段:
苯-1,4-二甲醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
苯-1,3,5-三甲醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
1,6-正己二醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
4,4'-(环己烷-1,1-二基)二苯酚和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
(4,4',4'',4'''-(联苯-4,4'-二基双(氮烷三基))四(苯-4,1-二基))四甲醇;
4,4',4''-次氮基三(苯-4,1-二基)三甲醇;
3,3'-(4,4'-(联苯-4-基氮烷二基)双(4,1-亚苯基))二丙-1-醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
对苯二甲醛和三(4-氨基苯基)胺;
4,4',4''-次氮基三苯甲醛和三(4-氨基苯基)胺;
乙二醛和三(4-氨基苯基)胺;
三-[(4-羟甲基)-苯基]-胺;
N,N'-二苯基-N,N'-双-(3-羟苯基)-联苯-4,4'-二胺和N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺;
碳酸二丙酯和1,3,5-三羟基环己烷;
1,1'-羰基二咪唑和1,3,5-三羟基环己烷;
苯均三酸和1,6-己二醇;
苯均三酸和六亚甲基二胺;
1,4-二异氰酸酯根合苯和4,4',4''-次氮基三(苯-4,1-二基)三甲醇;
1,4-二异氰酸酯根合己烷和三乙醇胺;
N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺和N,N'-二苯基-N,N'-双-(3-羟基苯基)-三联苯-4,4'-二胺;
N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺和3,3'-(4,4'-(联苯-4-基氮烷二基)双(4,1-亚苯基))二丙-1-醇;
N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺和苯-1,4-二甲醇;
4-羟苄醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
4-(羟甲基)苯甲酸和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
1,4-二氨基苯和1,3,5-三甲酰基苯;
三-(4-羟甲基)三苯基胺和螺吡喃1-OH;
三-(4-羟甲基)三苯基胺和双螺吡喃2-OH;或
三-(4-羟甲基)三苯基胺和DTE 2-OH。
14.权利要求13的方法,其中形成该预SOF包括在催化剂存在下加热该反应混合物。
15.制备包括增加的功能性的结构化有机膜的方法,其该方法包括:
(a)制备包含液体的反应混合物,该混合物包含多个分子构建嵌段,每个该分子构建嵌段包含链段和官能团,其中选择该分子构建嵌段来在该SOF中提供增加的功能性;
(b)在该反应混合物中形成预SOF;
(c)将该反应混合物作为湿膜沉积到基底上;和
(d)促进该湿膜的转变和形成具有增加的功能性的干SOF;
其中所述干SOF包含作为共价有机框架(COF)排列的多个链段和多个连接基,并且所述干SOF是基本上无缺陷的膜;
其中所述链段和相应的连接基衍生自以下分子构建嵌段:
苯-1,4-二甲醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
苯-1,3,5-三甲醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
1,6-正己二醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
4,4'-(环己烷-1,1-二基)二苯酚和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
(4,4',4'',4'''-(联苯-4,4'-二基双(氮烷三基))四(苯-4,1-二基))四甲醇;
4,4',4''-次氮基三(苯-4,1-二基)三甲醇;
3,3'-(4,4'-(联苯-4-基氮烷二基)双(4,1-亚苯基))二丙-1-醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
对苯二甲醛和三(4-氨基苯基)胺;
4,4',4''-次氮基三苯甲醛和三(4-氨基苯基)胺;
乙二醛和三(4-氨基苯基)胺;
三-[(4-羟甲基)-苯基]-胺;
N,N'-二苯基-N,N'-双-(3-羟苯基)-联苯-4,4'-二胺和N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺;
碳酸二丙酯和1,3,5-三羟基环己烷;
1,1'-羰基二咪唑和1,3,5-三羟基环己烷;
苯均三酸和1,6-己二醇;
苯均三酸和六亚甲基二胺;
1,4-二异氰酸酯根合苯和4,4',4''-次氮基三(苯-4,1-二基)三甲醇;
1,4-二异氰酸酯根合己烷和三乙醇胺;
N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺和N,N'-二苯基-N,N'-双-(3-羟基苯基)-三联苯-4,4'-二胺;
N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺和3,3'-(4,4'-(联苯-4-基氮烷二基)双(4,1-亚苯基))二丙-1-醇;
N,N,N',N'-四-[(4-羟甲基)苯基]-联苯-4,4'-二胺和苯-1,4-二甲醇;
4-羟苄醇和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
4-(羟甲基)苯甲酸和N4,N4,N4',N4'-四(4-(甲氧基甲基)苯基)联苯-4,4'-二胺;
1,4-二氨基苯和1,3,5-三甲酰基苯;
三-(4-羟甲基)三苯基胺和螺吡喃1-OH;
三-(4-羟甲基)三苯基胺和双螺吡喃2-OH;或
三-(4-羟甲基)三苯基胺和DTE 2-OH。
16.权利要求15的方法,其中形成该预SOF包括在催化剂存在下加热该反应混合物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15741109P | 2009-03-04 | 2009-03-04 | |
US61/157411 | 2009-03-04 | ||
PCT/US2010/026100 WO2010102043A1 (en) | 2009-03-04 | 2010-03-03 | Process for preparing structured organic films (sofs) via a pre-sof |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102341187A CN102341187A (zh) | 2012-02-01 |
CN102341187B true CN102341187B (zh) | 2017-09-29 |
Family
ID=42677429
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201080019044.9A Expired - Fee Related CN102413948B (zh) | 2009-03-04 | 2010-03-03 | 包括结构化有机膜(sof)的电子装置 |
CN201080019368.2A Active CN102413949B (zh) | 2009-03-04 | 2010-03-03 | 制备结构化有机膜的混合溶剂方法 |
CN201080010287.6A Expired - Fee Related CN102341186B (zh) | 2009-03-04 | 2010-03-03 | 复合结构化有机膜 |
CN201080019043.4A Active CN102413970B (zh) | 2009-03-04 | 2010-03-03 | 结构化有机膜 |
CN201080019370XA Pending CN102414215A (zh) | 2009-03-04 | 2010-03-03 | 具有增加的功能性的结构化有机膜 |
CN201080010294.6A Active CN102341187B (zh) | 2009-03-04 | 2010-03-03 | 经由预sof制备结构化有机膜(sof)的方法 |
Family Applications Before (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201080019044.9A Expired - Fee Related CN102413948B (zh) | 2009-03-04 | 2010-03-03 | 包括结构化有机膜(sof)的电子装置 |
CN201080019368.2A Active CN102413949B (zh) | 2009-03-04 | 2010-03-03 | 制备结构化有机膜的混合溶剂方法 |
CN201080010287.6A Expired - Fee Related CN102341186B (zh) | 2009-03-04 | 2010-03-03 | 复合结构化有机膜 |
CN201080019043.4A Active CN102413970B (zh) | 2009-03-04 | 2010-03-03 | 结构化有机膜 |
CN201080019370XA Pending CN102414215A (zh) | 2009-03-04 | 2010-03-03 | 具有增加的功能性的结构化有机膜 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (8) | US8389060B2 (zh) |
EP (6) | EP2408572B1 (zh) |
JP (6) | JP5583147B2 (zh) |
KR (6) | KR101586635B1 (zh) |
CN (6) | CN102413948B (zh) |
CA (6) | CA2753863C (zh) |
WO (6) | WO2010102036A1 (zh) |
Families Citing this family (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007046679B4 (de) * | 2007-09-27 | 2012-10-31 | Polyic Gmbh & Co. Kg | RFID-Transponder |
CA2753863C (en) * | 2009-03-04 | 2014-12-16 | Xerox Corporation | Structured organic films |
WO2011046602A1 (en) * | 2009-10-13 | 2011-04-21 | National Institute Of Aerospace Associates | Energy conversion materials fabricated with boron nitride nanotubes (bnnts) and bnnt polymer composites |
JP5809133B2 (ja) * | 2010-04-16 | 2015-11-10 | 株式会社ダイセル | 架橋性組成物 |
US9567425B2 (en) | 2010-06-15 | 2017-02-14 | Xerox Corporation | Periodic structured organic films |
US8318892B2 (en) | 2010-07-28 | 2012-11-27 | Xerox Corporation | Capped structured organic film compositions |
US8257889B2 (en) | 2010-07-28 | 2012-09-04 | Xerox Corporation | Imaging members comprising capped structured organic film compositions |
US8697322B2 (en) | 2010-07-28 | 2014-04-15 | Xerox Corporation | Imaging members comprising structured organic films |
WO2012037090A2 (en) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Cornell University | Covalent organic framework films, and methods of making and uses of same |
US9028722B2 (en) * | 2010-10-29 | 2015-05-12 | Centre National De La Recherche Scientifique (C.N.R.S.) | Electric conduction through supramolecular assemblies of triarylamines |
US8759473B2 (en) | 2011-03-08 | 2014-06-24 | Xerox Corporation | High mobility periodic structured organic films |
US8679905B2 (en) * | 2011-06-08 | 2014-03-25 | Cbrite Inc. | Metal oxide TFT with improved source/drain contacts |
US8353574B1 (en) * | 2011-06-30 | 2013-01-15 | Xerox Corporation | Ink jet faceplate coatings comprising structured organic films |
US8247142B1 (en) * | 2011-06-30 | 2012-08-21 | Xerox Corporation | Fluorinated structured organic film compositions |
US8410016B2 (en) * | 2011-07-13 | 2013-04-02 | Xerox Corporation | Application of porous structured organic films for gas storage |
US8313560B1 (en) * | 2011-07-13 | 2012-11-20 | Xerox Corporation | Application of porous structured organic films for gas separation |
US8377999B2 (en) * | 2011-07-13 | 2013-02-19 | Xerox Corporation | Porous structured organic film compositions |
JP5739285B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2015-06-24 | 株式会社ダイセル | 導電性組成物および導電性高分子 |
DE102011113428A1 (de) | 2011-09-14 | 2013-03-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US8906752B2 (en) | 2011-09-16 | 2014-12-09 | Kateeva, Inc. | Polythiophene-containing ink compositions for inkjet printing |
US8460844B2 (en) | 2011-09-27 | 2013-06-11 | Xerox Corporation | Robust photoreceptor surface layer |
US8372566B1 (en) | 2011-09-27 | 2013-02-12 | Xerox Corporation | Fluorinated structured organic film photoreceptor layers |
GB201118997D0 (en) * | 2011-11-03 | 2011-12-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Electronic device and method |
WO2013074712A1 (en) * | 2011-11-14 | 2013-05-23 | Vorbeck Materials | Graphene containing compositions |
WO2013074134A1 (en) | 2011-11-17 | 2013-05-23 | National Institute Of Aerospace Associates | Radiation shielding materials containing hydrogen, boron and nitrogen |
US8529997B2 (en) | 2012-01-17 | 2013-09-10 | Xerox Corporation | Methods for preparing structured organic film micro-features by inkjet printing |
JP6015073B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2016-10-26 | セイコーエプソン株式会社 | 機能層形成用インク、発光素子の製造方法 |
JP6235566B2 (ja) * | 2012-05-09 | 2017-11-22 | サン・ケミカル・コーポレーション | 表面修飾顔料粒子、その調製方法およびその利用 |
US8784696B2 (en) * | 2012-05-09 | 2014-07-22 | Xerox Corporation | Intermediate transfer members containing internal release additives |
WO2013177539A1 (en) * | 2012-05-24 | 2013-11-28 | University Of Utah Research Foundation | Compounds, sensors, methods, and systems for detecting gamma radiation |
US8765340B2 (en) | 2012-08-10 | 2014-07-01 | Xerox Corporation | Fluorinated structured organic film photoreceptor layers containing fluorinated secondary components |
US20140045107A1 (en) * | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Xerox Corporation | Structured organic film photoreceptor layers containing fluorinated secondary components |
US20140204160A1 (en) * | 2013-01-22 | 2014-07-24 | Xerox Corporation | Blanket materials for indirect printing method comprising structured organic films (sofs) |
JP6008763B2 (ja) * | 2013-03-13 | 2016-10-19 | 富士フイルム株式会社 | 有機半導体膜の形成方法 |
US8906462B2 (en) * | 2013-03-14 | 2014-12-09 | Xerox Corporation | Melt formulation process for preparing structured organic films |
EP3001471A4 (en) * | 2013-05-23 | 2016-09-21 | Fujifilm Corp | ORGANIC SEMICONDUCTOR COMPOSITION, ORGANIC THIN-LAYER TRANSISTOR, ELECTRONIC PAPER AND DISPLAY DEVICE |
EP2832767A1 (en) * | 2013-07-31 | 2015-02-04 | Fundación Imdea Nanociencia | Method for the Synthesis of Covalent Organic Frameworks |
KR101543689B1 (ko) * | 2014-01-09 | 2015-08-11 | 고려대학교 산학협력단 | 전도성 필라멘트가 형성된 투명 전극을 구비하는 유기 발광소자 및 그 제조 방법 |
TW201545778A (zh) * | 2014-06-03 | 2015-12-16 | xu-cheng Yang | 可殺菌的容器結構 |
WO2016005893A1 (en) | 2014-07-08 | 2016-01-14 | Basf Se | Detector for determining a position of at least one object |
US9523928B2 (en) | 2014-09-26 | 2016-12-20 | Xerox Corporation | Fluorinated structured organic film photoreceptor layers |
CN104409645B (zh) * | 2014-11-07 | 2017-05-24 | 南京邮电大学 | 一种暖白光oled器件及其制备方法 |
WO2016092451A1 (en) | 2014-12-09 | 2016-06-16 | Basf Se | Optical detector |
KR101669169B1 (ko) * | 2014-12-19 | 2016-10-26 | 한국생산기술연구원 | 탄소 구조물 및 공유결합성 유기 골격구조체의 복합체, 이의 제조방법 및 이의 용도 |
JP6841769B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2021-03-10 | トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 少なくとも1個の物体を光学的に検出する検出器 |
US9500968B2 (en) * | 2015-02-11 | 2016-11-22 | Xerox Corporation | Addition of non-networked hole transport molecule to fluorinated structured organic film for improved corona resistance |
CN104779350B (zh) * | 2015-04-02 | 2017-11-14 | 南京邮电大学 | 一种应用于光/电双控有机场效应晶体管的本体异质结 |
CN104877100B (zh) * | 2015-05-21 | 2017-10-10 | 黑龙江大学 | 一种含三芳胺的聚氨酯及其制备方法和应用 |
CN107923867B (zh) * | 2015-08-11 | 2021-04-09 | 东丽株式会社 | 半导体元件、其制造方法及使用其的传感器 |
WO2017031062A1 (en) * | 2015-08-14 | 2017-02-23 | Cornell University | Conducting-polymer modified covalent organic frameworks and methods of making same |
US10590241B2 (en) * | 2016-02-18 | 2020-03-17 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Two-dimensional polymers comprised of a combination of stiff and compliant molecular units |
CN107359242B (zh) * | 2016-05-10 | 2019-08-23 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 真空纳米管场效应晶体管及其制造方法 |
EP3475387B1 (en) * | 2016-06-23 | 2023-09-06 | Warner Babcock Institute for Green Chemistry, LLC | Photochromic water harvesting platform |
US11211513B2 (en) | 2016-07-29 | 2021-12-28 | Trinamix Gmbh | Optical sensor and detector for an optical detection |
CN106328391A (zh) * | 2016-08-30 | 2017-01-11 | 上海交通大学 | 共价有机框架复合材料、复合电极的制备方法及应用 |
CN106328386B (zh) * | 2016-08-30 | 2019-02-22 | 上海交通大学 | 复合电极材料、复合电极的制备方法及应用 |
EP3532796A1 (en) | 2016-10-25 | 2019-09-04 | trinamiX GmbH | Nfrared optical detector with integrated filter |
EP3532864B1 (en) | 2016-10-25 | 2024-08-28 | trinamiX GmbH | Detector for an optical detection of at least one object |
US20180171086A1 (en) * | 2016-12-16 | 2018-06-21 | South Dakota Board Of Regents | Large area monolayer of perfluoro polymers |
CN110770555A (zh) | 2017-04-20 | 2020-02-07 | 特里纳米克斯股份有限公司 | 光学检测器 |
EP3645965B1 (en) | 2017-06-26 | 2022-04-27 | trinamiX GmbH | Detector for determining a position of at least one object |
EP3712906B1 (en) * | 2017-11-14 | 2024-07-17 | Resonac Corporation | Composition, conductor, method for manufacturing same, and structure |
CN108586778A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-09-28 | 齐鲁工业大学 | 一种制备共价有机框架材料薄膜的方法 |
CN110407165B (zh) * | 2018-04-27 | 2023-05-09 | 宝山钢铁股份有限公司 | 锂硫电池用硒掺杂的共价有机骨架-硫正极复合材料及其合成方法 |
CN110787653B (zh) * | 2018-08-01 | 2022-10-11 | 孝感市思远新材料科技有限公司 | 一种含共价有机框架材料的复合膜及制备方法 |
US11426818B2 (en) | 2018-08-10 | 2022-08-30 | The Research Foundation for the State University | Additive manufacturing processes and additively manufactured products |
CN111200066B (zh) * | 2018-11-16 | 2021-06-22 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 |
CN111540620B (zh) * | 2020-01-08 | 2022-03-18 | 中南民族大学 | 共价有机框架复合膜超级电容器及制备方法 |
CN112194789B (zh) * | 2020-04-02 | 2022-11-29 | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 | 具有高玻璃化转变温度的耐高温聚合物及在有机太阳能电池中的应用 |
US20240092809A1 (en) * | 2021-01-21 | 2024-03-21 | Northwestern University | Highly thermally conductive, ultra-low-k two-dimensional covalent organic framework dielectric layers |
EP4333088A1 (en) * | 2021-04-26 | 2024-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion element, photoelectric conversion module having same, photoelectric conversion device, moving body, and building material |
US20240116858A1 (en) * | 2022-09-15 | 2024-04-11 | Xerox Corporation | Gradient membranes formed from free standing structured organic films and methods thereof |
US20240110008A1 (en) | 2022-09-15 | 2024-04-04 | Xerox Corporation | Structured organic films containing imidazolium having cationic charge functionality and methods thereof |
US20240115974A1 (en) | 2022-09-15 | 2024-04-11 | Xerox Corporation | Anion exchange membranes from structured organic films and methods thereof |
US20240115975A1 (en) | 2022-09-15 | 2024-04-11 | Xerox Corporation | Cation exchange membranes from structured organic films and methods thereof |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007098263A2 (en) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | University Of South Carolina | Synthesis of a highly crystalline, covalently linked porous network |
CN101196697A (zh) * | 2006-11-06 | 2008-06-11 | 施乐公司 | 感光体外涂层掩蔽剂 |
Family Cites Families (150)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US132669A (en) * | 1872-10-29 | Improvement in harvester-rakes | ||
US99845A (en) * | 1870-02-15 | Improvement in latches | ||
US98346A (en) * | 1869-12-28 | Improvement in grain-separators | ||
US17980A (en) * | 1857-08-11 | Sausage-cutter | ||
US268135A (en) * | 1882-11-28 | seattuok | ||
US2324550A (en) | 1939-03-08 | 1943-07-20 | American Can Co | Lithographic printing ink and the method of making the same |
US3430418A (en) | 1967-08-09 | 1969-03-04 | Union Carbide Corp | Selective adsorption process |
US3801315A (en) | 1971-12-27 | 1974-04-02 | Xerox Corp | Gravure imaging system |
US4078927A (en) * | 1973-12-13 | 1978-03-14 | Xerox Corporation | Photoconductive printing master |
SE7410542L (sv) * | 1974-01-29 | 1976-01-12 | Givaudan & Cie Sa | Kondensationsprodukter. |
CA1098755A (en) | 1976-04-02 | 1981-04-07 | Milan Stolka | Imaging member with n,n'-diphenyl-n,n'-bis (phenylmethyl)-¬1,1'-biphenyl|-4,4'-diamine in the charge transport layer |
US4081274A (en) | 1976-11-01 | 1978-03-28 | Xerox Corporation | Composite layered photoreceptor |
US4265990A (en) * | 1977-05-04 | 1981-05-05 | Xerox Corporation | Imaging system with a diamine charge transport material in a polycarbonate resin |
US4304829A (en) | 1977-09-22 | 1981-12-08 | Xerox Corporation | Imaging system with amino substituted phenyl methane charge transport layer |
US4306008A (en) | 1978-12-04 | 1981-12-15 | Xerox Corporation | Imaging system with a diamine charge transport material in a polycarbonate resin |
US4299897A (en) | 1978-12-15 | 1981-11-10 | Xerox Corporation | Aromatic amino charge transport layer in electrophotography |
US4257699A (en) | 1979-04-04 | 1981-03-24 | Xerox Corporation | Metal filled, multi-layered elastomer fuser member |
US4233384A (en) | 1979-04-30 | 1980-11-11 | Xerox Corporation | Imaging system using novel charge transport layer |
US4291110A (en) | 1979-06-11 | 1981-09-22 | Xerox Corporation | Siloxane hole trapping layer for overcoated photoreceptors |
CA1158706A (en) * | 1979-12-07 | 1983-12-13 | Carl H. Hertz | Method and apparatus for controlling the electric charge on droplets and ink jet recorder incorporating the same |
DE3048141C2 (de) * | 1979-12-25 | 1982-12-23 | Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa | Einrichtung zum gleichförmigen Aufladen eines fotoleitfähigen Aufzeichnungsmaterials |
US4286033A (en) | 1980-03-05 | 1981-08-25 | Xerox Corporation | Trapping layer overcoated inorganic photoresponsive device |
US4338387A (en) | 1981-03-02 | 1982-07-06 | Xerox Corporation | Overcoated photoreceptor containing inorganic electron trapping and hole trapping layers |
US4493550A (en) * | 1982-04-06 | 1985-01-15 | Nec Corporation | Development apparatus of latent electrostatic images |
US4489593A (en) | 1982-09-09 | 1984-12-25 | Omicron Technology Corporation | Method and apparatus for determining the amount of gas adsorbed or desorbed from a solid |
US4464450A (en) * | 1982-09-21 | 1984-08-07 | Xerox Corporation | Multi-layer photoreceptor containing siloxane on a metal oxide layer |
US4457994A (en) * | 1982-11-10 | 1984-07-03 | Xerox Corporation | Photoresponsive device containing arylmethanes |
US4664450A (en) * | 1983-03-02 | 1987-05-12 | Padley & Venables Limited | Holder for a pick, and the combination of a pick and holder |
US6375917B1 (en) * | 1984-12-06 | 2002-04-23 | Hyperion Catalysis International, Inc. | Apparatus for the production of carbon fibrils by catalysis and methods thereof |
US5707916A (en) | 1984-12-06 | 1998-01-13 | Hyperion Catalysis International, Inc. | Carbon fibrils |
US5165909A (en) | 1984-12-06 | 1992-11-24 | Hyperion Catalysis Int'l., Inc. | Carbon fibrils and method for producing same |
US4664995A (en) | 1985-10-24 | 1987-05-12 | Xerox Corporation | Electrostatographic imaging members |
US4871634A (en) | 1987-06-10 | 1989-10-03 | Xerox Corporation | Electrophotographic elements using hydroxy functionalized arylamine compounds |
US4855203A (en) | 1987-08-31 | 1989-08-08 | Xerox Corporation | Imaging members with photogenerating compositions obtained by solution processes |
EP0312376A3 (en) * | 1987-10-14 | 1990-01-31 | Exxon Research And Engineering Company | Polyurea membrane and its use for aromatics/non-aromatics separations |
US4917711A (en) * | 1987-12-01 | 1990-04-17 | Peking University | Adsorbents for use in the separation of carbon monoxide and/or unsaturated hydrocarbons from mixed gases |
JP2666314B2 (ja) * | 1988-01-07 | 1997-10-22 | 富士ゼロックス株式会社 | 電子写真感光体 |
US5017432A (en) * | 1988-03-10 | 1991-05-21 | Xerox Corporation | Fuser member |
JPH0287849A (ja) * | 1988-09-26 | 1990-03-28 | Fujitsu Ltd | 通信制御方式 |
US4921769A (en) | 1988-10-03 | 1990-05-01 | Xerox Corporation | Photoresponsive imaging members with polyurethane blocking layers |
JPH0299529A (ja) * | 1988-10-07 | 1990-04-11 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 規則性網目状ポリエステルの製法 |
US4921773A (en) | 1988-12-30 | 1990-05-01 | Xerox Corporation | Process for preparing an electrophotographic imaging member |
US5231162A (en) * | 1989-09-21 | 1993-07-27 | Toho Rayon Co. Ltd. | Polyamic acid having three-dimensional network molecular structure, polyimide obtained therefrom and process for the preparation thereof |
US5110693A (en) | 1989-09-28 | 1992-05-05 | Hyperion Catalysis International | Electrochemical cell |
ZA907803B (en) | 1989-09-28 | 1991-07-31 | Hyperion Catalysis Int | Electrochemical cells and preparing carbon fibrils |
JPH0717370B2 (ja) * | 1989-11-30 | 1995-03-01 | イー・アイ・デュポン・ドゥ・メムール・アンド・カンパニー | 高純度ケイ酸水溶液の製造方法 |
US5252415A (en) | 1989-12-11 | 1993-10-12 | Konica Corporation | Dot-image forming method and the photoreceptor therefor |
CA2054711A1 (en) | 1990-04-04 | 1991-10-05 | Ronald Swidler | Electrographic gravure printing system |
US5061965A (en) | 1990-04-30 | 1991-10-29 | Xerox Corporation | Fusing assembly with release agent donor member |
US5126310A (en) * | 1990-08-23 | 1992-06-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Highly dispersed cuprous compositions |
US5166031A (en) | 1990-12-21 | 1992-11-24 | Xerox Corporation | Material package for fabrication of fusing components |
US5141788A (en) | 1990-12-21 | 1992-08-25 | Xerox Corporation | Fuser member |
US5139910A (en) | 1990-12-21 | 1992-08-18 | Xerox Corporation | Photoconductive imaging members with bisazo compositions |
US5569635A (en) | 1994-05-22 | 1996-10-29 | Hyperion Catalysts, Int'l., Inc. | Catalyst supports, supported catalysts and methods of making and using the same |
BE1006078A3 (fr) * | 1992-07-15 | 1994-05-10 | Solvay Interox | Procede pour la fabrication de peroxyde d'hydrogene par synthese directe a partir d'hydrogene et d'oxygene. |
JP2931161B2 (ja) * | 1992-08-11 | 1999-08-09 | ホーヤ株式会社 | ポリイソシアネート化合物 |
JPH06340081A (ja) | 1993-04-19 | 1994-12-13 | Xerox Corp | 全幅インクジェットプリンタ用プリントヘッドメンテナンス装置 |
US5455136A (en) | 1993-05-03 | 1995-10-03 | Xerox Corporation | Flexible belt with a skewed seam configuration |
US5370931A (en) | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Xerox Corporation | Fuser member overcoated with a fluoroelastomer, polyorganosiloxane and copper oxide composition |
US5366772A (en) | 1993-07-28 | 1994-11-22 | Xerox Corporation | Fuser member |
US5368913A (en) | 1993-10-12 | 1994-11-29 | Fiberweb North America, Inc. | Antistatic spunbonded nonwoven fabrics |
US5368967A (en) | 1993-12-21 | 1994-11-29 | Xerox Corporation | Layered photoreceptor with overcoat containing hydrogen bonded materials |
JP2827937B2 (ja) | 1994-11-22 | 1998-11-25 | 富士ゼロックス株式会社 | 下引き層を有する電子写真感光体および電子写真装置 |
JPH0987849A (ja) | 1995-09-29 | 1997-03-31 | Fujitsu Ltd | 共役有機高分子膜の製造方法および共役有機高分子膜 |
US6939625B2 (en) * | 1996-06-25 | 2005-09-06 | Nôrthwestern University | Organic light-emitting diodes and methods for assembly and enhanced charge injection |
US6046348A (en) * | 1996-07-17 | 2000-04-04 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Silane compound, method for making the same, and electrophotographic photoreceptor |
US5702854A (en) | 1996-09-27 | 1997-12-30 | Xerox Corporation | Compositions and photoreceptor overcoatings containing a dihydroxy arylamine and a crosslinked polyamide |
US6020426A (en) | 1996-11-01 | 2000-02-01 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Charge-transporting copolymer, method of forming charge-transporting copolymer, electrophotographic photosensitive body, and electrophotographic device |
JPH10137564A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-05-26 | Nitto Denko Corp | 高透過性複合逆浸透膜 |
JP3336209B2 (ja) * | 1996-12-04 | 2002-10-21 | 日清紡績株式会社 | ドラムブレーキのシュー間隙調整装置 |
US6107117A (en) | 1996-12-20 | 2000-08-22 | Lucent Technologies Inc. | Method of making an organic thin film transistor |
FR2758739B1 (fr) * | 1997-01-24 | 1999-02-26 | Ceca Sa | Perfectionnement dans les procedes psa de purification de l'hydrogene |
US5814689A (en) | 1997-08-29 | 1998-09-29 | Arco Chemical Technology, L.P. | Low viscosity polyuretidione polyurethanes and their use as curatives for solvent and water borne coatings |
US5853906A (en) | 1997-10-14 | 1998-12-29 | Xerox Corporation | Conductive polymer compositions and processes thereof |
US6783849B2 (en) * | 1998-03-27 | 2004-08-31 | Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem | Molecular layer epitaxy method and compositions |
JP3899733B2 (ja) | 1998-07-03 | 2007-03-28 | 株式会社豊田中央研究所 | 多孔材料及び多孔材料の製造方法 |
US5976744A (en) | 1998-10-29 | 1999-11-02 | Xerox Corporation | Photoreceptor overcoatings containing hydroxy functionalized aromatic diamine, hydroxy functionalized triarylamine and crosslinked acrylated polyamide |
US6002907A (en) | 1998-12-14 | 1999-12-14 | Xerox Corporation | Liquid immersion development machine having a reliable non-sliding transfusing assembly |
US6107439A (en) * | 1998-12-22 | 2000-08-22 | Xerox Corporation | Cross linked conducting compositions |
US6340382B1 (en) * | 1999-08-13 | 2002-01-22 | Mohamed Safdar Allie Baksh | Pressure swing adsorption process for the production of hydrogen |
FR2811241B1 (fr) | 2000-07-07 | 2002-12-13 | Ceca Sa | Procede pour la purification de melanges gazeux a base d'hydrogene utilisant une zeolite x au calcium |
GB0026121D0 (en) * | 2000-10-25 | 2000-12-13 | Lsi Logic Europ Ltd | Apparatus and method for detecting a predetermined pattern of bits in a bitstream |
US6505921B2 (en) * | 2000-12-28 | 2003-01-14 | Eastman Kodak Company | Ink jet apparatus having amplified asymmetric heating drop deflection |
US6819244B2 (en) * | 2001-03-28 | 2004-11-16 | Inksure Rf, Inc. | Chipless RF tags |
CN100585751C (zh) | 2001-04-17 | 2010-01-27 | 松下电器产业株式会社 | 导电性有机薄膜及其制造方法和使用其的电极与电缆 |
JP2005506305A (ja) * | 2001-04-30 | 2005-03-03 | ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミシガン | 気体の貯蔵に応用できる等網状の金属−有機構造体、それを形成する方法、およびその孔サイズと官能基の系統的な設計 |
US6713643B2 (en) * | 2001-05-24 | 2004-03-30 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Ultrastable organofunctional microporous to mesoporous silica compositions |
FR2832141B1 (fr) * | 2001-11-14 | 2004-10-01 | Ceca Sa | Procede de purification de gaz de synthese |
DE10155935A1 (de) * | 2001-11-14 | 2003-05-28 | Infineon Technologies Ag | Intelligentes Etikett |
KR20030094099A (ko) | 2002-06-03 | 2003-12-11 | 쉬플리 캄파니, 엘.엘.씨. | 전자 디바이스 제조 |
JP4185341B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2008-11-26 | パイオニア株式会社 | 多層バリア膜構造、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
KR100503076B1 (ko) * | 2002-11-28 | 2005-07-21 | 삼성전자주식회사 | 오버코트층 형성용 조성물 및 이를 채용한 유기감광체 |
JP3580426B1 (ja) * | 2003-05-12 | 2004-10-20 | シャープ株式会社 | 有機光導電性材料、それを用いた電子写真感光体および画像形成装置 |
US20040233343A1 (en) | 2003-05-19 | 2004-11-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor |
JP4461215B2 (ja) * | 2003-09-08 | 2010-05-12 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 低誘電率絶縁材料とそれを用いた半導体装置 |
US7202002B2 (en) * | 2004-04-30 | 2007-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hydrazone-based charge transport materials |
US7179324B2 (en) | 2004-05-19 | 2007-02-20 | Praxair Technology, Inc. | Continuous feed three-bed pressure swing adsorption system |
US7177572B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-02-13 | Xerox Corporation | Biased charge roller with embedded electrodes with post-nip breakdown to enable improved charge uniformity |
WO2006000020A1 (en) * | 2004-06-29 | 2006-01-05 | European Nickel Plc | Improved leaching of base metals |
US20060182993A1 (en) * | 2004-08-10 | 2006-08-17 | Mitsubishi Chemical Corporation | Compositions for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device |
DE102004039101A1 (de) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung von hochverzweigten Polyamiden |
US7223670B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-05-29 | International Business Machines Corporation | DUV laser annealing and stabilization of SiCOH films |
JP4642447B2 (ja) | 2004-08-27 | 2011-03-02 | 株式会社リコー | 芳香族ポリエステル樹脂及びそれを用いた電子写真用感光体 |
JP2006091117A (ja) * | 2004-09-21 | 2006-04-06 | Ricoh Co Ltd | 画像形成方法及び画像形成装置 |
WO2006047423A2 (en) * | 2004-10-22 | 2006-05-04 | The Regents Of The University Of Michigan | Covalently linked organic frameworks and polyhedra |
JP2006169276A (ja) | 2004-12-13 | 2006-06-29 | Seiko Epson Corp | 導電性材料、導電性材料用組成物、導電層、電子デバイスおよび電子機器 |
US20060135737A1 (en) | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Davis Gary C | Polycarbonates with fluoroalkylene carbonate end groups |
JP4779357B2 (ja) | 2004-12-24 | 2011-09-28 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像形成装置 |
US7404846B2 (en) | 2005-04-26 | 2008-07-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Adsorbents for rapid cycle pressure swing adsorption processes |
EP1897897B1 (en) * | 2005-06-24 | 2015-05-27 | Asahi Glass Company, Limited | Crosslinkable fluorine-containing aromatic prepolymer and use thereof |
US7560205B2 (en) * | 2005-08-31 | 2009-07-14 | Xerox Corporation | Photoconductive imaging members |
US7384717B2 (en) * | 2005-09-26 | 2008-06-10 | Xerox Corporation | Photoreceptor with improved overcoat layer |
JP2007129118A (ja) * | 2005-11-07 | 2007-05-24 | Seiko Epson Corp | 導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器 |
US7714040B2 (en) * | 2005-11-30 | 2010-05-11 | Xerox Corporation | Phase change inks containing curable amide gellant compounds |
US8883384B2 (en) | 2005-12-13 | 2014-11-11 | Xerox Corporation | Binderless overcoat layer |
JP2009526019A (ja) | 2006-02-10 | 2009-07-16 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 多孔質の有機骨格材料の製造方法 |
JP4331256B2 (ja) * | 2006-04-12 | 2009-09-16 | パナソニック株式会社 | 有機分子膜構造体の形成方法 |
KR101304697B1 (ko) * | 2006-06-07 | 2013-09-06 | 삼성전자주식회사 | 적층 유도 화합물을 사용한 유기 반도체 소재, 이를포함하는 조성물, 이를 이용한 유기 반도체 박막 및 유기전자 소자 |
JP2008070664A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Ricoh Co Ltd | 電子写真感光体、それを用いた画像形成方法、画像形成装置及び画像形成装置用プロセスカートリッジ |
CN101641152B (zh) * | 2007-01-24 | 2014-04-23 | 加利福尼亚大学董事会 | 结晶的3d-和2d-共价有机构架 |
US7999160B2 (en) * | 2007-03-23 | 2011-08-16 | International Business Machines Corporation | Orienting, positioning, and forming nanoscale structures |
US8367152B2 (en) | 2007-04-27 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of light-emitting device |
US8065904B1 (en) | 2007-06-18 | 2011-11-29 | Sandia Corporation | Method and apparatus for detecting an analyte |
US7628466B2 (en) | 2007-06-20 | 2009-12-08 | Xerox Corporation | Method for increasing printhead reliability |
WO2009003171A1 (en) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Georgia Tech Research Corporation | Sorbent fiber compositions and methods of temperature swing adsorption |
JP2009030024A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-02-12 | Toray Ind Inc | 複合半透膜の製造方法 |
US7591535B2 (en) | 2007-08-13 | 2009-09-22 | Xerox Corporation | Maintainable coplanar front face for silicon die array printhead |
GB2451865A (en) | 2007-08-15 | 2009-02-18 | Univ Liverpool | Microporous polymers from alkynyl monomers |
US8309285B2 (en) | 2007-11-07 | 2012-11-13 | Xerox Corporation | Protective overcoat layer and photoreceptor including same |
KR100832309B1 (ko) | 2007-11-21 | 2008-05-26 | 한국과학기술원 | 금속 양이온이 도핑된 수소저장용 유기물질 골격구조 물질유도체 및 그의 사용방법 |
US20090149565A1 (en) | 2007-12-11 | 2009-06-11 | Chunqing Liu | Method for Making High Performance Mixed Matrix Membranes |
US7776499B2 (en) * | 2008-02-19 | 2010-08-17 | Xerox Corporation | Overcoat containing fluorinated poly(oxetane) photoconductors |
DE102008011840B4 (de) | 2008-02-20 | 2011-07-21 | Technische Universität Dresden, 01069 | Mikroporöses hydrophobes Polyorganosilan, Verfahren zur Herstellung und Verwendung |
DE102008011189A1 (de) | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Merck Patent Gmbh | Polykondensationsnetzwerke zur Gasspeicherung |
US8097388B2 (en) | 2008-03-14 | 2012-01-17 | Xerox Corporation | Crosslinking outer layer and process for preparing the same |
US7799495B2 (en) * | 2008-03-31 | 2010-09-21 | Xerox Corporation | Metal oxide overcoated photoconductors |
WO2009127896A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-22 | Universite D'aix-Marseille I | Synthesis of an ordered covalent monolayer network onto a surface |
US7881647B2 (en) | 2008-04-30 | 2011-02-01 | Xerox Corporation | Xerographic imaging modules, xerographic apparatuses, and methods of making xerographic imaging modules |
JP5487583B2 (ja) * | 2008-09-16 | 2014-05-07 | 株式会社リコー | 電子写真感光体、及びそれを用いた電子写真方法、電子写真装置、電子写真装置用プロセスカートリッジ |
WO2010088629A1 (en) | 2009-02-02 | 2010-08-05 | The Regents Of The University Of California | Reversible ethylene oxide capture in porous frameworks |
CA2753863C (en) | 2009-03-04 | 2014-12-16 | Xerox Corporation | Structured organic films |
US8241400B2 (en) * | 2009-07-15 | 2012-08-14 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Process for the production of carbon dioxide utilizing a co-purge pressure swing adsorption unit |
US7939230B2 (en) | 2009-09-03 | 2011-05-10 | Xerox Corporation | Overcoat layer comprising core-shell fluorinated particles |
JP2011070023A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Fuji Xerox Co Ltd | 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ、および画像形成装置。 |
US8318892B2 (en) | 2010-07-28 | 2012-11-27 | Xerox Corporation | Capped structured organic film compositions |
US8257889B2 (en) * | 2010-07-28 | 2012-09-04 | Xerox Corporation | Imaging members comprising capped structured organic film compositions |
US8119314B1 (en) * | 2010-08-12 | 2012-02-21 | Xerox Corporation | Imaging devices comprising structured organic films |
US8119315B1 (en) * | 2010-08-12 | 2012-02-21 | Xerox Corporation | Imaging members for ink-based digital printing comprising structured organic films |
US8247142B1 (en) | 2011-06-30 | 2012-08-21 | Xerox Corporation | Fluorinated structured organic film compositions |
US8313560B1 (en) | 2011-07-13 | 2012-11-20 | Xerox Corporation | Application of porous structured organic films for gas separation |
-
2010
- 2010-03-03 CA CA2753863A patent/CA2753863C/en active Active
- 2010-03-03 EP EP10749278.7A patent/EP2408572B1/en not_active Not-in-force
- 2010-03-03 EP EP10749274.6A patent/EP2403655B1/en active Active
- 2010-03-03 WO PCT/US2010/026091 patent/WO2010102036A1/en active Application Filing
- 2010-03-03 CA CA2753940A patent/CA2753940C/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-03 EP EP10749285.2A patent/EP2403656B1/en not_active Not-in-force
- 2010-03-03 JP JP2011553086A patent/JP5583147B2/ja active Active
- 2010-03-03 WO PCT/US2010/026082 patent/WO2010102027A1/en active Application Filing
- 2010-03-03 WO PCT/US2010/026094 patent/WO2010102038A1/en active Application Filing
- 2010-03-03 JP JP2011553084A patent/JP5658174B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-03 CN CN201080019044.9A patent/CN102413948B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-03 CN CN201080019368.2A patent/CN102413949B/zh active Active
- 2010-03-03 CN CN201080010287.6A patent/CN102341186B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-03 KR KR1020117023265A patent/KR101586635B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-03 KR KR1020117023263A patent/KR101563907B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-03 EP EP10749283.7A patent/EP2403858B1/en active Active
- 2010-03-03 WO PCT/US2010/026079 patent/WO2010102025A1/en active Application Filing
- 2010-03-03 EP EP10749276.1A patent/EP2403670B1/en active Active
- 2010-03-03 CA CA2753891A patent/CA2753891C/en active Active
- 2010-03-03 CA CA2753904A patent/CA2753904C/en active Active
- 2010-03-03 US US12/716,686 patent/US8389060B2/en active Active
- 2010-03-03 CA CA2753996A patent/CA2753996C/en active Active
- 2010-03-03 US US12/716,324 patent/US8394495B2/en active Active
- 2010-03-03 WO PCT/US2010/026100 patent/WO2010102043A1/en active Application Filing
- 2010-03-03 CA CA2753945A patent/CA2753945C/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-03 KR KR1020117023266A patent/KR101650290B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-03 JP JP2011553083A patent/JP5675659B2/ja active Active
- 2010-03-03 CN CN201080019043.4A patent/CN102413970B/zh active Active
- 2010-03-03 US US12/716,706 patent/US8357432B2/en active Active
- 2010-03-03 CN CN201080019370XA patent/CN102414215A/zh active Pending
- 2010-03-03 CN CN201080010294.6A patent/CN102341187B/zh active Active
- 2010-03-03 US US12/716,571 patent/US9097995B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-03 JP JP2011553087A patent/JP5670358B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-03-03 JP JP2011553089A patent/JP5367848B2/ja active Active
- 2010-03-03 EP EP10749289.4A patent/EP2403657B1/en active Active
- 2010-03-03 JP JP2011553079A patent/JP5542160B2/ja active Active
- 2010-03-03 US US12/716,449 patent/US8436130B2/en active Active
- 2010-03-03 KR KR1020117023267A patent/KR101563908B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-03 KR KR1020117023274A patent/KR101563916B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-03 WO PCT/US2010/026071 patent/WO2010102018A1/en active Application Filing
- 2010-03-03 KR KR1020117023270A patent/KR101563914B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-03 US US12/716,524 patent/US8093347B2/en active Active
-
2011
- 2011-12-09 US US13/315,452 patent/US8334360B2/en active Active
-
2013
- 2013-01-23 US US13/748,114 patent/US8591997B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007098263A2 (en) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | University Of South Carolina | Synthesis of a highly crystalline, covalently linked porous network |
CN101196697A (zh) * | 2006-11-06 | 2008-06-11 | 施乐公司 | 感光体外涂层掩蔽剂 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102341187B (zh) | 经由预sof制备结构化有机膜(sof)的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |