JP4331256B2 - 有機分子膜構造体の形成方法 - Google Patents
有機分子膜構造体の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4331256B2 JP4331256B2 JP2008510927A JP2008510927A JP4331256B2 JP 4331256 B2 JP4331256 B2 JP 4331256B2 JP 2008510927 A JP2008510927 A JP 2008510927A JP 2008510927 A JP2008510927 A JP 2008510927A JP 4331256 B2 JP4331256 B2 JP 4331256B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- organic molecule
- forming
- film
- molecular film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 title claims description 89
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 75
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N alpha-n-hexadecene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 36
- BTXIJTYYMLCUHI-UHFFFAOYSA-N 2-propylthiophene Chemical group CCCC1=CC=CS1 BTXIJTYYMLCUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000002009 alkene group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ZZHNUBIHHLQNHX-UHFFFAOYSA-N butoxysilane Chemical group CCCCO[SiH3] ZZHNUBIHHLQNHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 2
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical group CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DCAYPVUWAIABOU-NJFSPNSNSA-N hexadecane Chemical group CCCCCCCCCCCCCCC[14CH3] DCAYPVUWAIABOU-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical group CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 149
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 44
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 26
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- YPJUNDFVDDCYIH-UHFFFAOYSA-N perfluorobutyric acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YPJUNDFVDDCYIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 5
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- -1 polycyclic hydrocarbon Chemical class 0.000 description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 4
- VIFIHLXNOOCGLJ-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-heptadecafluorodecyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl VIFIHLXNOOCGLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 229920001002 functional polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 231100000647 material safety data sheet Toxicity 0.000 description 2
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadec-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 2
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N triethoxy(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPJUNDFVDDCYIH-UHFFFAOYSA-M 2,2,3,3,4,4,4-heptafluorobutanoate Chemical compound [O-]C(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YPJUNDFVDDCYIH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NZZCZYCKJIESIL-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(1-triethoxysilylpropylamino)anthracene-9,10-dione Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC(C)=C2NC(CC)[Si](OCC)(OCC)OCC NZZCZYCKJIESIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNWZDXMFPRCFFL-UHFFFAOYSA-N 3-[dichloro(methyl)silyl]propyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCC[Si](C)(Cl)Cl CNWZDXMFPRCFFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXYKMNNKPUGYGS-UHFFFAOYSA-N 4-(8-trichlorosilyloctyl)benzonitrile Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CCCCCCCCC1=CC=C(C#N)C=C1 SXYKMNNKPUGYGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGGKLVJTJGWVGJ-UHFFFAOYSA-N 5-trimethoxysilylpentan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCCN FGGKLVJTJGWVGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBLPCDJXRJVFEV-UHFFFAOYSA-N 6-trimethoxysilylhexyl acetate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCCCOC(C)=O XBLPCDJXRJVFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- 108010052285 Membrane Proteins Proteins 0.000 description 1
- 102000018697 Membrane Proteins Human genes 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000000475 acetylene derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- LXKQBFONQWKVLW-UHFFFAOYSA-N diethyl hydrogen phosphate;triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCOP(O)(=O)OCC.CCO[Si](CC)(OCC)OCC LXKQBFONQWKVLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical class FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- FALKMRAYKQJUAV-UHFFFAOYSA-N oct-7-en-2-ylbenzene Chemical compound C=CCCCCC(C)C1=CC=CC=C1 FALKMRAYKQJUAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920000083 poly(allylamine) Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011540 sensing material Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical group [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical group 0.000 description 1
- UWUKCFJDVNCGML-UHFFFAOYSA-N trichloro(nonadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl UWUKCFJDVNCGML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KONHVWVBPIDGBH-UHFFFAOYSA-N trichloro-[3-(4-methoxyphenyl)propyl]silane Chemical compound COC1=CC=C(CCC[Si](Cl)(Cl)Cl)C=C1 KONHVWVBPIDGBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DFZGBLVHGSETPS-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(4-phenylbutyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCC1=CC=CC=C1 DFZGBLVHGSETPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C26/00—Coating not provided for in groups C23C2/00 - C23C24/00
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
- B05D1/185—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping applying monomolecular layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
矢部明著「有機超薄膜入門」培風館発刊(1988年)123頁 日本表面科学会編「新訂版・表面科学の基礎と応用」エヌ・ティーエス発刊(2004年)1137頁
i)前記基材の表面と第1有機分子とを化学結合させることにより、前記基材上に前記第1有機分子を含む単分子膜を形成する工程と、
ii)前記単分子膜の第1有機分子に対して、電荷−電荷間相互作用、電荷移動相互作用、電荷−双極子間相互作用、双極子−双極子間相互作用、水素結合、疎水性相互作用、及びπ−π相互作用から選ばれる少なくとも一つの相互作用が働く官能基を含む第2有機分子を接触させることにより、前記単分子膜の前記第1有機分子間に前記第2有機分子を内在させる工程とを含むことを特徴とする。
を形成できるため好ましい。末端に−CH=CH2を有する有機分子としては、例えば1−オクタデセン、7−フェニル−1−オクテン等が例示できる。上記自己組織化膜の作製方法は、例えばアルケン基を有する第1有機分子を、乾燥雰囲気下(例えばアルゴン雰囲気下)において100〜200度に加熱したシリコン基板に接触させる方法が例示できる。この場合、熱的ラジカル反応を経て、基板と第1有機分子との間が−Si−C−の化学結合によって結合された自己組織化膜が得られる。
いて第2有機分子を溶出する工程、上記単分子膜を加熱することにより第2有機分子を揮発させる工程、上記単分子膜上に紫外線等を照射することによって第2有機分子を分解する工程、あるいは吸収剤に第2有機分子を吸収させる工程等が例示できる。また、第2有機分子を除去する工程は、第2有機分子を溶解する工程、第2有機分子を抽出する工程、第2有機分子を希釈する工程などであってもよい。
まず、ガラス基板にアルミニウムを200μm堆積させた松浪硝子工業社製アルミニウム基板を用意した。このアルミニウム基板のアルミニウム表面と、信越化学工業社製ノナデセニルトリクロロシランの1重量%溶液(溶媒:信越化学工業社製シリコーンオイルKF−96、温度:25度)とを乾燥雰囲気下で10分間接触させた後、得られた単分子膜を上記溶液の溶媒と同じシリコーンオイルで洗浄した。これにより、アルミニウム基板上にノナデセニルトリクロロシランの自己組織化膜を形成した。なお、上記自己組織化膜を形成した後、走査型プローブ顕微鏡を用いて、その膜厚を計測したところ、約1nm(おおよそノナデセニルトリクロロシランの分子長)であった。
強度面積(0.088)とほぼ同じ強度のヘキサデカンの存在が認められた。また、上述のとおり上記自己組織化膜の厚みが、ノナデセニルトリクロロシランの分子長とほぼ同じ長さの1nmであったことと、ノナデセニルトリクロロシランよりも15%ほどヘキサデカンの方が小さい吸収強度を示すことを考慮すると、基板温度が90度及び105度においては、上記自己組織化膜中のノナデセニルトリクロロシランの分子数と内在するヘキサデカンの分子数は、おおよそ1対1であると推定される。
実施例2の有機分子膜として、実施例1の膜形成に使用したノナデセニルトリクロロシラン溶液の濃度の100分の1の溶液(即ちノナデセニルトリクロロシランの0.01重量%溶液)を用いて、自己組織化膜を形成したこと以外は、上記実施例1の形成方法と同様の方法により有機分子膜を形成した。なお、上記自己組織化膜を形成した後、走査型プローブ顕微鏡を用いて、その膜厚を計測したところ、約1nm(おおよそノナデセニルトリクロロシランの分子長)であった。表2に、上記実施例1と同様の方法で測定した実施例2の赤外吸収スペクトルの吸収強度面積を示す。なお、表2には示していないが、この場合の自己組織化膜のみからなる単分子膜(ブランク)の吸収強度面積は0.005であった。実施例1の場合における自己組織化膜のみからなる単分子膜の吸収強度面積が0.088であったことから、実施例2の場合における自己組織化膜の分子密度は、実施例1の場合における自己組織化膜の分子密度の5%程度であることが分かった。
実施例1及び実施例2の比較として、自己組織化膜を形成せずに、アルミニウム基板上にヘキサデカンを実施例1と同じ手法によって配置した膜(比較例1)を作製した。表3に、上記実施例1と同様の方法で測定した比較例1の赤外吸収スペクトルの吸収強度面積を示す。
比較例2の有機分子膜として、実施例1の自己組織化膜の形成に使用した溶液の代わりに、信越化学工業社製(ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラハイドロデシル)トリクロロシランの1重量%溶液(溶媒:住友スリーエム社製パーフルオロカーボンPF5080)を用いたこと以外は、上記実施例1の形成方法と同様の方法により有機分子膜を形成した。なお、(ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラハイドロデシル)トリクロロシランからなる自己組織化膜を形成した後、走査型プローブ顕微鏡を用いて、その膜厚を計測したところ、約1nm(おおよそ(ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラハイドロデシル)トリクロロシランの分子長)であった。表4に、上記実施例1と同様の方法で測定した比較例2の赤外吸収スペクトルの吸収強度面積を示す。また、作製した(ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラハイドロデシル)トリクロロシランの自己組織化膜の一部をサンプリングし、この自己組織化膜のヘキサデカンに対する静的接触角を測定した。測定には協和界面科学社製自動接触角計を用いた。約4μLのヘキサデカンを上記自己組織化膜に滴下して静的接触角を測定したところ、測定点(6箇所)の平均値は63.9度(23度)であった。
比較例3の有機分子膜として、比較例2の膜形成に使用した溶液の濃度の100分の1の溶液(即ち(ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラハイドロデシル)トリクロロシランの0.01重量%溶液)を用いて自己組織化膜を形成したこと以外は、比較例2
の形成方法と同様の方法により有機分子膜を形成した。表5に、上記実施例1と同様の方法で測定した比較例3の赤外吸収スペクトルの吸収強度面積を示す。
実施例3の有機分子膜として、ノナデセニルトリクロロシランからなる自己組織化膜に滴下する溶液が異なること以外は、実施例1の形成方法と同様の方法により有機分子膜を形成した。実施例3では、上記溶液としてシグマ・アルドリッチ社製ヘプタフルオロ酪酸溶液(ヘプタフルオロ酪酸1gをクロロホルム50mLで希釈した溶液)を用いた。なお、上記自己組織化膜を形成した後、走査型プローブ顕微鏡を用いて、その膜厚を計測したところ、約1nm(おおよそノナデセニルトリクロロシランの分子長)であった。
度の場合の測定結果、基板温度が50度の場合の測定結果、基板温度が70度の場合の測定結果、基板温度が100度の場合の測定結果に対応している。図3に示すように、AからDにかけて徐々に吸収強度が小さくなっている。なお、図中のEは上記自己組織化膜の1900〜1530波数の赤外吸収スペクトル(基板温度:25度)である。
実施例4の有機分子膜として、実施例3の自己組織化膜の形成に使用したノナデセニルトリクロロシラン溶液の濃度の100分の1の溶液(即ちノナデセニルトリクロロシランの0.01重量%溶液)を用いて、自己組織化膜を形成したこと以外は、上記実施例3の形成方法と同様の方法により有機分子膜を形成した。表7に、上記実施例3と同様の方法で測定した実施例4の赤外吸収スペクトルの吸収強度面積を示す。なお、上記自己組織化膜を形成した後、走査型プローブ顕微鏡を用いて、その膜厚を計測したところ、約1nm(おおよそノナデセニルトリクロロシランの分子長)であった。
実施例3及び実施例4の比較として、自己組織化膜を形成せずに、アルミニウム基板上にヘプタフルオロ酪酸を実施例3と同じ手法によって配置した膜(比較例4)を作製した。表8に、上記実施例3と同様の方法で測定した比較例4の赤外吸収スペクトルの吸収強度面積を示す。
実施例5の有機分子膜として、自己組織化膜の構成分子、及び自己組織化膜に滴下する滴下液が異なること以外は、実施例1の形成方法と同様の方法により有機分子膜を形成した。実施例5では、特許2889768号公報に記載の手法によって合成したω−(3−チエニル)−デシル−トリクロロシランの1重量%溶液(溶媒は、シグマ・アルドリッチ社製ヘキサデカン:関東化学社製脱水クロロホルム=4:1(体積比)の混合溶媒である。)を用いて、実施例1と同様の方法で自己組織化膜を形成した。また、上記自己組織化膜に滴下する上記滴下液としてシグマ・アルドリッチ社製2−プロピルチオフェンを用いた。なお、ω−(3−チエニル)−デシル−トリクロロシランからなる自己組織化膜を形成した後、走査型プローブ顕微鏡を用いて、その膜厚を計測したところ、約1nm(おおよそω−(3−チエニル)−デシル−トリクロロシランの分子長)であった。
ルチオフェンが内在した薄膜であることが分かった。
実施例5の比較として、自己組織化膜を形成せずに、アルミニウム基板上に2−プロピルチオフェンを実施例5と同じ手法によって配置した薄膜(比較例5)を作製した。表10に、上記実施例5と同様の方法で測定した比較例5の赤外吸収スペクトルの吸収強度面積を示す。
Claims (15)
- 基材上に有機分子膜を形成する有機分子膜構造体の形成方法であって、
i)前記基材の表面と第1有機分子とを化学結合させることにより、前記基材上に前記第1有機分子を含む単分子膜を形成する工程と、
ii)前記単分子膜の第1有機分子に対して、電荷−電荷間相互作用、電荷移動相互作用、電荷−双極子間相互作用、双極子−双極子間相互作用、水素結合、疎水性相互作用、及びπ−π相互作用から選ばれる少なくとも一つの相互作用が働く官能基を含む第2有機分子を接触させることにより、前記単分子膜の前記第1有機分子間に前記第2有機分子を内在させる工程とを含むことを特徴とする有機分子膜構造体の形成方法。 - 前記単分子膜は、前記第1有機分子の自己組織化膜である請求項1に記載の有機分子膜構造体の形成方法。
- 前記i)工程において、前記第1有機分子を溶解させた溶液と前記基材とを接触させることにより、前記基材の表面と前記第1有機分子とを化学結合させる請求項1に記載の有機分子膜構造体の形成方法。
- 前記i)工程は、前記基材の前記表面の一部に選択的に前記単分子膜を形成する工程である請求項1に記載の有機分子膜構造体の形成方法。
- 前記ii)工程において、前記第2有機分子又は前記第2有機分子を溶解させた溶液を前記単分子膜上に滴下することにより、前記単分子膜に前記第2有機分子を内在させる請求項1に記載の有機分子膜構造体の形成方法。
- 前記第2有機分子又は前記溶液の滴下は、前記単分子膜を回転させながら行う請求項5に記載の有機分子膜構造体の形成方法。
- 前記ii)工程の後に、前記単分子膜上に堆積した前記第2有機分子を除去する工程を更に含む請求項1に記載の有機分子膜構造体の形成方法。
- 前記第2有機分子を除去する工程は、前記第2有機分子を溶出する工程、前記第2有機分子を揮発させる工程、前記第2有機分子を分解する工程及び前記第2有機分子を吸収剤に吸収させる工程から選択される少なくとも1つである請求項7に記載の有機分子膜構造体の形成方法。
- 前記第1有機分子は、ハロゲノシラン基、アルコキシシラン基及びアルケン基から選択される少なくとも1つを有する請求項1に記載の有機分子膜構造体の形成方法。
- 前記ハロゲノシラン基のハロゲンは、塩素、臭素及び沃素から選択される少なくとも1つである請求項9に記載の有機分子膜構造体の形成方法。
- 前記アルコキシシラン基は、メトキシシラン基、エトキシシラン基及びブトキシシラン基から選択される少なくとも1つである請求項9に記載の有機分子膜構造体の形成方法。
- 前記アルケン基は、前記第1有機分子末端に−CH=CH2として存在する請求項9に記載の有機分子膜構造体の形成方法。
- 前記単分子膜は、厚みが0.5nm〜20nmである請求項1に記載の有機分子膜構造体の形成方法。
- 第1の有機分子がノナデセニルトリクロロシランであり、第2の有機分子がヘキサデカンまたはプタフルオロ酪酸である、請求項1に記載の有機分子膜構造体の製造方法。
- 第1の有機分子がω−(3−チエニル)−デシル−トリクロロシランであり、第2有機分子が2−プロピルチオフェンである、請求項1に記載の有機分子膜構造体の形成方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006110057 | 2006-04-12 | ||
JP2006110057 | 2006-04-12 | ||
PCT/JP2007/057731 WO2007119690A1 (ja) | 2006-04-12 | 2007-04-06 | 有機分子膜構造体の形成方法及び有機分子膜構造体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007119690A1 JPWO2007119690A1 (ja) | 2009-08-27 |
JP4331256B2 true JP4331256B2 (ja) | 2009-09-16 |
Family
ID=38609450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008510927A Expired - Fee Related JP4331256B2 (ja) | 2006-04-12 | 2007-04-06 | 有機分子膜構造体の形成方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8178164B2 (ja) |
JP (1) | JP4331256B2 (ja) |
WO (1) | WO2007119690A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009013904A1 (ja) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Nippon Soda Co., Ltd. | 有機薄膜の基材への作製方法 |
JP5542160B2 (ja) * | 2009-03-04 | 2014-07-09 | ゼロックス コーポレイション | 構造化有機薄膜を製造するための混合溶媒法 |
US8136922B2 (en) * | 2009-09-01 | 2012-03-20 | Xerox Corporation | Self-assembly monolayer modified printhead |
US9567425B2 (en) | 2010-06-15 | 2017-02-14 | Xerox Corporation | Periodic structured organic films |
US8257889B2 (en) | 2010-07-28 | 2012-09-04 | Xerox Corporation | Imaging members comprising capped structured organic film compositions |
US8318892B2 (en) | 2010-07-28 | 2012-11-27 | Xerox Corporation | Capped structured organic film compositions |
US8697322B2 (en) | 2010-07-28 | 2014-04-15 | Xerox Corporation | Imaging members comprising structured organic films |
US8119314B1 (en) | 2010-08-12 | 2012-02-21 | Xerox Corporation | Imaging devices comprising structured organic films |
US8119315B1 (en) | 2010-08-12 | 2012-02-21 | Xerox Corporation | Imaging members for ink-based digital printing comprising structured organic films |
US8759473B2 (en) | 2011-03-08 | 2014-06-24 | Xerox Corporation | High mobility periodic structured organic films |
US8247142B1 (en) | 2011-06-30 | 2012-08-21 | Xerox Corporation | Fluorinated structured organic film compositions |
US8353574B1 (en) | 2011-06-30 | 2013-01-15 | Xerox Corporation | Ink jet faceplate coatings comprising structured organic films |
US8313560B1 (en) | 2011-07-13 | 2012-11-20 | Xerox Corporation | Application of porous structured organic films for gas separation |
US8410016B2 (en) | 2011-07-13 | 2013-04-02 | Xerox Corporation | Application of porous structured organic films for gas storage |
US8377999B2 (en) | 2011-07-13 | 2013-02-19 | Xerox Corporation | Porous structured organic film compositions |
US8372566B1 (en) | 2011-09-27 | 2013-02-12 | Xerox Corporation | Fluorinated structured organic film photoreceptor layers |
US8460844B2 (en) | 2011-09-27 | 2013-06-11 | Xerox Corporation | Robust photoreceptor surface layer |
US8529997B2 (en) | 2012-01-17 | 2013-09-10 | Xerox Corporation | Methods for preparing structured organic film micro-features by inkjet printing |
JP5945379B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2016-07-05 | 国立大学法人埼玉大学 | 有機薄膜の成膜方法とそれを用いて形成した太陽電池 |
US8765340B2 (en) | 2012-08-10 | 2014-07-01 | Xerox Corporation | Fluorinated structured organic film photoreceptor layers containing fluorinated secondary components |
US8906462B2 (en) | 2013-03-14 | 2014-12-09 | Xerox Corporation | Melt formulation process for preparing structured organic films |
US10698131B2 (en) * | 2016-02-25 | 2020-06-30 | Schlumberger Technology Corporation | Methods for improving matrix density and porosity estimates in subsurface formations |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4693915A (en) * | 1984-04-20 | 1987-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Film forming method, recording medium formed thereby and recording method therewith |
JPS6312302A (ja) * | 1986-03-10 | 1988-01-19 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 分離膜 |
NL8602242A (nl) * | 1986-09-05 | 1988-04-05 | Stichting Ct Voor Micro Elektr | Werkwijze voor het vervaardigen van een refet of een chemfet, en de vervaardigde refet of chemfet. |
US4869930A (en) * | 1987-07-10 | 1989-09-26 | International Business Machines Corporation | Method for preparing substrates for deposition of metal seed from an organometallic vapor for subsequent electroless metallization |
EP0351092B1 (en) * | 1988-06-28 | 1994-06-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for the formation of monomolecular adsorption films or built-up films of monomolecular layers using silane compounds having an acetylene or diacetylene bond |
JPH0671576B2 (ja) * | 1988-06-28 | 1994-09-14 | 松下電器産業株式会社 | 単分子吸着累積膜形成方法 |
JPH0626706B2 (ja) * | 1988-09-05 | 1994-04-13 | 日本原子力研究所 | 単分子累積膜の製造方法 |
JP2684849B2 (ja) * | 1990-01-12 | 1997-12-03 | 松下電器産業株式会社 | 有機単分子膜の累積方法およびそれに用いる化学吸着剤 |
US5246740A (en) * | 1990-01-12 | 1993-09-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Process for preparing a lamination of organic monomolecular films, and a chemical adsorbent used for the process |
JP2545642B2 (ja) | 1990-09-26 | 1996-10-23 | 松下電器産業株式会社 | ガラス |
JP2889768B2 (ja) | 1992-09-10 | 1999-05-10 | 松下電器産業株式会社 | 3−チエニル基含有ケイ素化合物及びその製造方法 |
JP3405564B2 (ja) | 1993-08-05 | 2003-05-12 | 松下電器産業株式会社 | イオン伝導性薄膜の製造方法 |
JP3389754B2 (ja) * | 1994-11-14 | 2003-03-24 | 松下電器産業株式会社 | 化学吸着膜の形成方法 |
JPH08241008A (ja) * | 1995-03-01 | 1996-09-17 | Canon Inc | 画像形成装置 |
JP3907736B2 (ja) | 1996-03-08 | 2007-04-18 | 独立行政法人理化学研究所 | 金属酸化物薄膜の製造方法 |
JP3866809B2 (ja) | 1996-12-19 | 2007-01-10 | 松下電器産業株式会社 | 有機膜及びその製造方法 |
US6310199B1 (en) * | 1999-05-14 | 2001-10-30 | Promega Corporation | pH dependent ion exchange matrix and method of use in the isolation of nucleic acids |
JP3585217B2 (ja) * | 2000-07-03 | 2004-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US7402318B2 (en) * | 2001-11-14 | 2008-07-22 | Novartis Ag | Medical devices having antimicrobial coatings thereon |
FR2851181B1 (fr) * | 2003-02-17 | 2006-05-26 | Commissariat Energie Atomique | Procede de revetement d'une surface |
JP4274924B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2009-06-10 | 日本曹達株式会社 | 有機薄膜製造方法 |
JP2006032636A (ja) | 2004-07-15 | 2006-02-02 | Sharp Corp | 有機太陽電池およびその製造方法 |
-
2007
- 2007-04-06 WO PCT/JP2007/057731 patent/WO2007119690A1/ja active Application Filing
- 2007-04-06 US US12/296,489 patent/US8178164B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-06 JP JP2008510927A patent/JP4331256B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007119690A1 (ja) | 2007-10-25 |
JPWO2007119690A1 (ja) | 2009-08-27 |
US8178164B2 (en) | 2012-05-15 |
US20090053417A1 (en) | 2009-02-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4331256B2 (ja) | 有機分子膜構造体の形成方法 | |
Stec et al. | Ultrathin Transparent Au Electrodes for Organic Photovoltaics Fabricated Using a Mixed Mono‐Molecular Nucleation Layer | |
Wang et al. | CVD polymers for devices and device fabrication | |
EP2589093B1 (en) | Transparent electrodes for semiconductor thin film devices | |
Gupta et al. | Covalent grafting of polydimethylsiloxane over surface-modified alumina nanoparticles | |
US20050284336A1 (en) | Carbon fine particle structure and process for producing the same, carbon fine particle transcriptional body for producing the same, solution for producing carbon fine particle structure,carbon fine particle structure, electronic device using carbon fine particle structure and process for producing the same, and integrated circuit | |
JPWO2006038648A1 (ja) | マイクロレンズ、マイクロレンズアレイ及びその製造方法 | |
Terzi et al. | New insights on the interaction between thiophene derivatives and Au surfaces. The case of 3, 4-ethylenedioxythiophene and the relevant polymer | |
Sizov et al. | Self-assembled interface monolayers for organic and hybrid electronics | |
WO2004027889A1 (ja) | パターン表面をテンプレートとして用いる材料とその製法 | |
JP2011520284A (ja) | 分子レジスト組成物、その分子レジスト組成物を使用した基板のパターン形成方法、およびその方法により形成される製品 | |
US7435310B2 (en) | Method for surface imprinted films with carbon nanotubes | |
US9768401B2 (en) | Single electron transistor | |
US20160118608A1 (en) | Single electron transistor having nanoparticles of uniform pattern arrangement and method for fabricating the same | |
US20080213702A1 (en) | Method for patterning conductive polymer | |
US6284365B1 (en) | Composite material and method for producing the same | |
JP2002270923A (ja) | 光半導体素子、及びその製造方法 | |
Martin et al. | Surface Grafting of Functionalized Poly (thiophene) s Using Thiol–Ene Click Chemistry for Thin Film Stabilization | |
JP2007173518A (ja) | 光センサとその製造方法 | |
EP0511590A1 (en) | Functional laminated chemically adsorbed films and methods of manufacturing the same | |
Jayaraman et al. | Formation of polythiophene multilayers on solid surfaces by covalent molecular assembly | |
JP7226006B2 (ja) | レーザー脱離/イオン化質量分析用の有機シリカ基板、及び、それを用いたレーザー脱離/イオン化質量分析法 | |
Godet et al. | Surface immobilization of Mo6I8 octahedral cluster cores on functionalized amorphous carbon using a pyridine complexation strategy | |
JP5340040B2 (ja) | 共役高分子鎖を含有する膜及びその製造方法 | |
Herzer et al. | Chemical nanostructures of multifunctional self‐assembled monolayers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090526 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090617 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4331256 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120626 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130626 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |