JP3866809B2 - 有機膜及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機膜およびその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
現在、担体上に担持された有機薄膜を形成する方法には、ミクロンオーダーの比較的厚い膜を得られるキャスト法およびスピンコート法等と、オングストロームオーダーの超薄膜を得られるLB法および化学吸着法(K.Ogawa et al., Langmuir,6,851(1990).)等が知られている。
LB法および化学吸着法では、単分子層を累積することにより膜厚を大きくすることが可能であり、累積回数により精度よく膜厚をコントロールすることが可能である。
その他、グラフト重合により薄膜を形成する方法もある。膜厚は、重合時間、モノマー濃度等のコントロールによりある程度は制御が可能である。
また最近、ゾルゲル法を用いて、ハイブリッドポリマーと称される無機物と有機物の混合膜を形成する方法も検討されている。その流れとしては大きく分けて2つの系があり、一つは側鎖に金属アルコキシドが導入されている有機ポリマーを用いる系、もう一つは有機ポリマーと金属アルコキシドを混合し、成膜段階で同時に反応させる系である。何れの系においても検討対象になっている金属アルコキシドは、Si、Al、Ti、Zr、Zn等のアルコキシドである。
一方、例えばテフロン(デュポン社)等による基材の被覆、いわゆるフッ素樹脂表面処理による方法も盛んに行われている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の何れの方法を用いても、基体上に強固に固定され、かつ膜厚が5nmから100nmである超薄膜を形成することは困難であった。
化学吸着法は、基体との結合力が極めて強く、かつオングストロームオーダーの超薄膜、即ち単分子膜を作成するには最適の方法である。しかし、膜厚を5nmから100nmの範囲、つまり膜厚を単分子の長さより大きい範囲にすることは困難であった。
単分子の長さより大きい範囲の膜厚に薄膜を形成するには、前記したように単分子層を累積する方法がある。しかし、この場合は、一度形成した薄膜の表面を反応性の高い官能基に変換するという修飾が不可欠であり、その工程が非常に面倒である。また、その工程が確立したとしても、従来化学吸着法で使用している分子は、その分子長が長くても数nmなので、1回の累積工程では、多くて数nm分しか膜厚は増えない。そのため、例えば、10nm以上の膜厚が必要であれば、数十回以上の累積、修飾の工程を繰り返しを行わねばならなく、非常に手間がかかる。
【0004】
LB法は、化学吸着法に比べれば累積工程は確立している。しかし、基体との結合がイオン結合、層間の結合がイオン結合または分子間力であるので、結合力が弱いという致命的な欠点を持っている。
グラフト重合法は、基体の表面処理、すなわち所望の官能基を基体表面に作りだす工程が必須である。しかし、この高精度な表面処理法は確立していないのが現状である。
ゾルゲル法を用いるハイブリッドポリマーに関しては、膜厚を100nm以下にすることは困難である。また、金属アルコキシドを含むゾルゲル中では、一般に超微小な無機物粒子、例えばシリカなどが形成され易い。そのため、得られる薄膜は、その微粒子間に有機ポリマーが点在するという状態になり易く、いわゆる有機ポリマーの薄膜という本来の目標からはほど遠い構造のものが形成される。
さらに、フッ素樹脂表面処理法は、膜が基材上に機械的に付着しているだけであり、化学結合のような強固な結合により固定されているわけではない。そのため、この方法には、膜がしばしば剥離するという問題点があった。この膜の剥離を回避するために膜厚を厚くする試みがなされたが、今度は膜の欠けが生じるという新たな問題が生じた。この問題は、一般にフッ素樹脂では分子鎖間の物理的な絡み合いが少なく、かつ相互作用も小さいために凝集力が小さいということに起因している。
そこで本発明では、基体と極めて強固に結合し、かつその膜厚が10nm前後から100nm前後である有機超薄膜を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明による有機膜の製造方法は、
下記式(1)で示される官能基を分子内に少なくとも1つ有し、かつ重合性官能基を有する分子を、表面に活性水素を含む官能基を有する基体に接触させ、前記分子を前記基体上に固定して単分子層を形成する第1の工程と、
前記重合性官能基上に他のモノマーを重合させることにより前記基体上にポリマーを成長させる第2の工程と、を含む。
【0006】
【化5】
【0007】
(ただし、AはSiである。Xはハロゲン原子、アルコキシ基またはイソシアネート基である。)
【0008】
また、本発明の有機膜の製造方法は、
下記式(4)で示される、金属への配位可能官能基を分子内に少なくとも1つ有し、かつ重合性官能基を有する分子を、表面に遷移金属が露出している基体に接触させ、前記分子を前記基体上に固定して単分子層を形成する第1の工程と、
前記重合性官能基上に他のモノマーを重合させることにより前記基体上にポリマーを成長させる第2の工程と、を含む。
【0009】
【化6】
【0010】
(ただし、B 1 〜B 6 は(CH 2 ) n COOM(nは0〜3、Mは水素原子または金属原子である。)または(CH 2 ) m NXY(mは0〜2、XおよびYは各々独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、フェニル基、または炭素数8以下の炭化水素基である。)を示す。式(4)中の二重結合は、ベンゼン環またはその他の芳香環の一部でもよい。)
【0011】
上記製造方法においては、前記第1の工程および前記第2の工程を液中で行うのが好ましい。
また、前記XがClであるのが好ましい。
【0012】
また、本発明の有機膜は、
表面に活性水素を含む官能基を有する基体に、下記式(5)で示される結合によって固定された単分子からなる第1の層と、前記単分子と結合したポリマーからなる第2の層を具備する。
【0013】
【化7】
【0014】
(ただし、Aはポリマー中の原子でありSiを示す。M 2 は基体の原子を示す。)
【0015】
また、本発明の有機膜は、
表面に遷移金属が露出している基体に、下記式(6)で示される結合によって固定された単分子からなる第1の層と、前記単分子と結合したポリマーからなる第2の層を具備する。
【0016】
【化8】
【0017】
(ただし、M3は基体の遷移金属を示す。)
【0018】
【発明の実施の形態】
本発明に関連する有機膜の製造方法は、大別して2つある。
第1の方法は、式(1)もしくは式(2)で示される官能基、または金属への配位可能官能基のいずれか1つだけを有するポリマーを、基体に接触させ、前記ポリマーを前記基体表面に固定する工程により有機膜を形成するという方法である。
第2の方法は、式(1)もしくは式(2)で示される官能基、または金属への配位可能官能基のいずれかを2つ以上有するポリマーを、基体に接触させ、前記ポリマーを前記基体表面に固定する工程により有機膜を形成する方法である。
そして、本発明の方法(第3の方法)は、式(1)もしくは式(2)で示される官能基、または金属への配位可能官能基を分子内に少なくとも1つ有し、かつ重合性官能基を有する分子を、基体に接触させ、前記分子を前記基体上に固定する第1の工程、および前記重合性官能基上に他のモノマーを重合させることにより前記基体上にポリマーを成長させる第2の工程により有機膜を形成する方法に関連する。
【0019】
前記の重合性官能基としては、例えばC=C(ビニル基、環状オレフィンを含む)、C≡C、C=C−C=C(環状ジオレフィンを含む)、P=N、フェニル基、2,4−二置換ベンゼン骨格基、1,3−二置換ベンゼン骨格基、エポキシ基、四員環エーテル基、五員環エーテル基、2,6−二置換フェノール骨格基、2,4,6−三置換フェノール骨格基、五員環アセタール骨格基、六員環アセタール骨格基、七員環アセタール骨格基、八員環アセタール骨格基、四員環ラクトン骨格基、五員環ラクトン骨格基、六員環ラクトン骨格基、水酸基、カルボキシル基、ハロゲン化アシル基、酸無水基、ハロゲン、カルボン酸塩基、第一アミノ基、第二アミノ基(三員環、四員環、五員環、六員環アミノ基を含む)、第三アミノ基(三員環、四員環、五員環、六員環アミノ基、双環六員環アミノ基を含む)、六員環イミノエーテル骨格基、イソシアネート基、ピロール骨格基、チオフェン骨格基、スルフィド基、環状スルフィド基等が適当である。
さらに、上記の重合性官能基上にモノマーを結合させ、このモノマーを重合させることによりポリマーを成長させることができる。
ポリマーを成長させる重合反応は、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合、配位重合等が適当である。
重合の方法としては、光、熱、触媒等を使用する方法が好ましい。溶媒を使用する場合もある。
【0020】
第1〜3のいずれの有機膜の製造方法においても、用いられる金属への配位可能官能基としては、一般に式(3)またはキレート化能を有する式(4)で示される官能基であることが好ましい。
【0021】
【化9】
【0022】
(ただし、Sは硫黄、M1は水素原子または金属原子である。)
【0023】
【化10】
【0024】
(但し、B1〜B6は(CH2)nCOOM(nは0〜3、Mは水素原子または金属原子である。)または(CH2)mNXY(mは0〜2、XおよびYは各々独立に水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、フェニル基、または炭素数8以下の炭化水素基である。)を示す。式(4)中の二重結合は、ベンゼン環またはその他の芳香環の一部でもよい。)
基体に結合させるポリマーが式(1)または式(2)で示される官能基を含むと、このポリマーは、式(5)に示すような結合によって基体に固定される。また、基体に結合させるポリマーが、式(3)または式(4)で示すような官能基を含むと、このポリマーは、式(6)で示すような結合によって基体に固定される。式(5)または式(6)で示される結合は、いずれも強固な結合である。
【0025】
【化11】
【0026】
(ただし、Aはポリマー中の原子であり、Si、Ge、Ti、SnまたはZrを示す。M2は基体の原子を示す。)
【0027】
【化12】
【0028】
(ただし、M3は基体の遷移金属、Sはポリマー中に含まれる硫黄を示す。)
さらに、基体に結合させるポリマーが、式(1)〜(4)のいずれかで示すような官能基を含むと、ポリマーが互いに結合することができ好適である。
いずれの方法においても、ポリマーを基体上に固定した後は、未反応のポリマーを除去する工程を加える方が適当の場合もある。
【0029】
式(1)または式(2)で示される官能基を有するポリマーを固定させる基体は、その表面に活性水素を有する官能基を有することが好ましい。
この活性水素を有する官能基としては、例えば、水酸基、カルボキシル基、スルフィン酸基、スルフォン酸基、リン酸基、亜リン酸基、チオール基、アミノ基等の官能基、また、前記した官能基の活性水素が、それぞれアルカリ金属またはアルカリ土類金属で置換された官能基が好ましい。これらの官能基は、基体の表面、または前記官能基を有する基体上にあらかじめ固定された化学吸着膜の表面に存在していることが好ましい。
また、基体表面に前記した官能基が存在しないか、それが少ない場合には、UV/オゾン処理、酸素プラズマ処理、過マンガン酸カリウム液等の化合物酸化剤処理により、基体表面を改質し、前記官能基を作り出すか、増やすことが好ましい。
金属へ配位可能な官能基を有するポリマーを固定させる基体は、その表面に遷移金属が露出していること、つまり金属の酸化膜等が存在しないことが必要である。
使用できる基体としては、ガラス、セラミックス、繊維、紙、金属または樹脂等が挙げられる。
【0030】
本発明に関連する有機膜(第1の有機膜)は、基体に、式(5)または式(6)で示される結合から選ばれる結合によって固定されたポリマーからなり、前記ポリマーが、それぞれ配位結合または式(7)で示される結合によって結合している。
【0031】
【化13】
【0032】
(ただし、A1、A1’はSi、Ge、Ti、Sn、Zrまたは硫黄である。)
ポリマ−が互いに結合していると、得られる薄膜の耐久性等が向上し好適である。
【0033】
本発明に関連する他の有機膜(第2の有機膜)は、基体に、式(5)または式(6)で示される結合から選ばれる結合によって固定された単分子からなる第1の層と、前記単分子と結合したポリマーからなる第2の層を具備する。
この場合、基体と強固に結合する単分子層をまず形成し、この単分子層とポリマーを縮重合させる方法と、単分子に重合性官能基を含ませておき、この官能基とモノマーを付加重合させ、さらにこのモノマーを重合させることによりポリマーを成長させる方法とがある。
いずれの方法によっても、単分子と重合するポリマーの長さを変化させることによって、得られる有機膜の膜厚を制御できるという効果が得られる。
さらに、上述した第1、第2の有機膜が、フッ素原子を含むと撥水撥油性、低摩擦性、強剥離性、帯電性、低屈折率、高生体適合性、不燃性等を膜が有することができ、高機能性超薄膜の実現が可能となる。
また、本発明による有機膜は、その膜厚が5nmから100nmの範囲であると効率よく形成できるので好ましい。さらに、薄膜の膜厚がこの範囲内であれば、一般に透明性は確保でき、基体の模様、素材感等が外観上維持できる。一方、意図的に着色も可能で、この際にも透明性は確保できる。
【0034】
【実施例】
以下に、具体的な実施例を挙げて、本発明をより詳細に説明する。
《実施例1》
イソプロパノール18mlと4−ビニルアントラニル酸0.2mlを混合し、溶液Aを調製した。
次に、この溶液A中へ銅を蒸着したガラス基板を浸漬し、そのまま1時間放置した。その後、この基板を約100mlのベンゼンでリンスし、自然放置して乾燥させることにより薄膜を形成した。
形成された薄膜をフーリエ変換赤外分光法(以下、FT−IRと略す。)で測定すると、1660cm-1、1610cm-1、1450cm-1 に特徴的なシグナルが確認された。これらのシグナルは、それぞれ、C=C、C−O−Cu、ベンゼン環C=Cの存在を示す。
次に、蒸留精製したトルエン50mlに、スチレンモノマー20mlとアゾビスイソブチロニトリル40mgを加え、そこへ前述の薄膜を形成した基板を浸漬させた。そして、窒素バブリングを30分間おこなって溶存酸素を除去した後、100℃で1時間加熱した。その後、この基板をトルエンでリンスし、自然放置して乾燥させることにより薄膜を形成した。
得られた薄膜をFT−IRで測定すると、1610cm-1のシグナルは変化がなく、1450cm-1のシグナルの強度が約15倍になっていた。
また、紫外可視分光分析法(以下、UV/VISと略す。)で測定すると、230nmに吸収ピークが認められた。
以上より、得られた薄膜は、図1に示すように、基板1の金属銅原子に、アミノ基由来の窒素原子とカルボキシル基由来の酸素原子が配位結合をして、基体上に4−ビニルアントラニル酸由来の単分子層2を形成しており、この単分子層2上に結合したポリスチレン3が成長している。
【0035】
《実施例2》
蒸留精製したヘキサデカン14ml、蒸留精製したテトラヒドロフラン(以下、THFで表す。)2ml、10−(チエニル)デシルトリクロロシラン2ml、および乾燥FeCl3を10.8mg混合し、30分間攪拌して溶液Bを調製した。次に、この溶液B中へガラス基板を浸漬し、そのまま1時間放置した。その後、この基板を約100mlのTHFでリンスし、自然放置して乾燥させることにより薄膜を形成した。
形成された薄膜をFT−IRで測定すると、図2に示すように、2927.7cm-1、1525cm-1、1465cm-1、1080cm-1、740cm-1 に特徴的なシグナルが確認された。これらのシグナルは、それぞれνCH2、C共役鎖、δCH2、Si−O、C共役鎖の存在を示す。
また、UV/VISで測定すると、図3に示すように、260、360nmに吸収ピークが認められた。以上より、形成された薄膜は、図4に示すように、ガラス基板1にシロキサン結合によって3−デシルチオフェンからなる層2aが固定され、この層に10−(チエニル)デシルトリクロロシランをポリマー化した層3が固定されている。10−(チエニル)デシルトリクロロシランは、互いにチオフェン環の2位の位置で結合してポリマー化している。また、3−デシルチオフェンからなる層とこのポリマーも同様にして、チオフェン環の2位の位置で互いに結合している。さらに、10−(チエニル)デシルトリクロロシランのトリクロロシラン基は、水分を含む雰囲気中において、それぞれ近傍のトリクロロシラン基とシロキサン結合を形成し、ポリマーは互いに結合している。
【0036】
また、この薄膜を偏向解析した結果、その膜厚は、12nm(屈折率1.49)であった。
さらに、膜の撥水性を調べるため、水に対する接触角を測定したところ、110°であった。
次に、膜の耐熱性を検討するため、形成された薄膜を200℃の空気中で、10、30、50、100、150時間加熱し、その後、水に対する接触角をそれぞれ測定した。その結果を表1に示す。
【0037】
【表1】
【0038】
以上より、形成された膜は、150時間の熱処理後も高い撥水性を保ち、高い耐熱性を有する。
次に、膜の耐摩耗性を検討するため、乾燥したスポンジを用いて、2kg重の荷重下で、形成された薄膜を1000、3000、5000回擦った後、水に対する接触角をそれぞれ測定した。その結果を表2に示す。
【0039】
【表2】
【0035】
以上より、形成された膜は、5000回擦った後も高い撥水性を保ち、高い耐摩耗性を有する。
【0040】
《実施例3》
蒸留精製したヘキサデカン14ml、蒸留精製したTHF2ml、10−(チエニル)デシルトリクロロシラン2ml、3−オクチルチオフェン12μl、および乾燥FeCl3を10.8mg混合し、30分間攪拌して溶液Cを調製した。
次に、この溶液C中へガラス基板を浸漬し、そのまま1時間放置した。その後、この基板を約100mlのTHFでリンスし、自然放置して乾燥させることにより薄膜を形成した。
形成された薄膜をFT−IRで測定すると、図5に示すように、2927.7cm-1、1550cm-1、1465cm-1、1080cm-1、740cm-1 に特徴的なシグナルが確認された。このシグナルは、それぞれ、νCH2、C共役鎖、δCH2、Si−O、C共役鎖の存在を示す。
また、UV/VISで測定すると、図6に示すように、270、380nmに吸収ピークが認められた。
以上より、形成された薄膜は、図7に示すように、ガラス基板1にシロキサン結合によって3−デシルチオフェンからなる層2aが固定され、この層に10−(チエニル)デシルトリクロロシランと3−オクチルチオフェンをポリマー化した層3が固定されている。10−(チエニル)デシルトリクロロシランと3−オクチルチオフェンは、互いにチオフェン環の2位の位置で結合してポリマー化している。また、3−デシルチオフェンからなる層とこのポリマーも同様にして、チオフェン環の2位の位置で互いに結合している。さらに、10−(チエニル)デシルトリクロロシランのトリクロロシラン基は、水分を含む雰囲気中において、それぞれ近傍のトリクロロシラン基とシロキサン結合を形成し、ポリマーは、互いに結合している。
【0041】
また、この薄膜を偏向解析した結果、その膜厚は17.5nm(屈折率1.49)であった。さらに、実施例2と同様にして、水に対する接触角を測定したところ116°であった。
次に、膜の耐熱性を検討するため、形成された薄膜を200℃の空気中で、10、30、50、100、150時間加熱し、その後、水に対する接触角をそれぞれ測定した。その結果を表3に示す。
【0042】
【表3】
【0043】
以上より、形成された膜は、150時間の熱処理後も高い撥水性を保ち、高い耐熱性を有する。
また、膜の耐摩耗性を検討するため、乾燥したスポンジを用いて、2kg重の荷重下で、形成された薄膜を1000、3000、5000回擦った後、水に対するの接触角をそれぞれ測定した。その結果を表4に示す。
【0044】
【表4】
【0045】
以上より、形成された膜は、5000回擦った後も高い撥水性を保ち、高い耐摩耗性を有する。
【0046】
《実施例4》
実施例3と同様にしてガラス基板上に薄膜を形成した。そして、この薄膜を形成したガラス基板を、蒸留精製したアセトニトリルにFeCl3を溶解させた溶液に30分間浸漬した。その後、この基板をアセトニトリルでリンスし、自然放置して乾燥させた。こうして実施例3で形成した薄膜にドーピング処理を行った。
得られた薄膜上に、導電性ペーストを塗り電極を形成した後、二端子法により抵抗測定し電導度を求めた。その結果、2×10-3S/cmであり、高い導電性を示した。
【0047】
《実施例5》
蒸留精製したヘキサデカン14mlと10−(チエニル)デシルトリクロロシラン0.2mlを混合し溶液Dを調製した。
次に、この溶液D中へガラス基板を浸漬し、そのまま1時間放置した。その後、この基板を約100mlのTHFでリンスし、自然放置して乾燥させることにより単分子膜を形成した。
形成した単分子膜をFT−IRで測定すると、図8に示すように、2927.7cm-1、1650cm-1、1465cm-1、1080cm-1 に特徴的なシグナルが確認された。これらのシグナルは、それぞれ、νCH2、チオフェン骨格、δCH2、Si−Oの存在を示す。
また、UV/VISで測定すると、図9に示すように、230nmに吸収ピークが認められた。
以上より、形成された単分子膜は図10に示すように、ガラス基板1に、3−デシルチオフェンからなる層2aがシロキサン結合によって固定されている。
【0048】
次に、蒸留精製したアセトニトリル30mlに、3−オクチルチオフェン4.84μlと乾燥FeCl3を10.4mg溶解させ溶液Eを調製した。
この溶液E中に、前述の単分子膜を形成した基板を1時間浸漬した。その後、この基板を約100mlのアセトニトリルでリンスし、自然放置して乾燥させることにより、上述の単分子膜上に3−オクチルチオフェンを重合させた薄膜を形成した。
得られた薄膜をFT−IRで測定すると、図8に示すように、2927.7cm-1と1465cm-1のシグナルが増大し、1650cm-1のシグナルが消え、1550cm-1のシグナルが新たに現れ、1080cm-1のシグナルが変化していないのが確認された。1550cm-1のシグナルは共役C=C鎖の存在を示す。
また、UV/VISで測定すると、図9に示すように、420nmに新たに大きな吸収ピークが現れた。
以上より、得られた薄膜は、図11に示すように、ガラス基板1にシロキサン結合によって3−デシルチオフェンからなる層2aが固定され、この層に、3−オクチルチオフェンをポリマー化した層3が固定されている。3−オクチルチオフェンは、互いにチオフェン環の2位の位置で結合してポリマー化している。また、3−デシルチオフェンからなる層とこのポリマーも同様にして、チオフェン環の2位の位置で互いに結合している。
また、この薄膜を偏向解析した結果、その膜厚は、25.5nm(屈折率1.49)であった。
さらに、実施例2と同様にして、水に対する接触角を測定したところ119°であった。
次に、膜の耐熱性を検討するため、形成された薄膜を200℃の空気中で、10、30、50、100、150時間加熱し、その後、水に対する接触角をそれぞれ測定した。その結果を表5に示す。
【0049】
【表5】
【0050】
以上より、形成された膜は、150時間の熱処理後も高い撥水性を保ち、高い耐熱性を有する。
また、膜の耐摩耗性を検討するため、乾燥したスポンジを用いて、2kg重の荷重下で、形成された薄膜を1000、3000、5000回擦った後、水に対するの接触角をそれぞれ測定した。その結果を表6に示す。
【0051】
【表6】
【0052】
以上より、形成された膜は、5000回擦った後も高い撥水性を保ち、高い耐摩耗性を有する。
【0053】
【発明の効果】
本発明による有機薄膜は、基体に非常に強固に結合し、かつその膜厚は、単分子層の厚み程度の数nmオーダーの範囲ではなく、また従来法によるμmオーダーの厚膜でもないという中間レベルの膜厚である。この膜厚の薄膜の利用範囲は、絶縁膜、導電膜、透過膜、接着膜、吸収膜、保護膜等の多岐に渡り、実用効果は大きい。さらに、本発明による有機薄膜の製造方法を用いれば、前述有機薄膜を容易に作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例における有機薄膜の構造を示す図である。
【図2】 本発明の他の実施例の有機薄膜のFT−IRのスペクトル図である。
【図3】 本発明の他の実施例の有機薄膜のUV/VISのスペクトル図である。
【図4】 本発明における他の実施例の有機薄膜の構造図である。
【図5】 本発明における他の実施例の有機薄膜のFT−IRのスペクトル図である。
【図6】 本発明における他の実施例の有機薄膜のUV/VISのスペクトル図である。
【図7】 本発明における他の実施例の有機薄膜の構造図である。
【図8】 本発明における他の実施例の有機薄膜の重合成長前後のFT−IRのスペクトル図である。
【図9】 本発明における他の実施例の有機薄膜の重合成長前後のUV/VISのスペクトル図である。
【図10】 本発明における他の実施例の有機薄膜の構造図である。
【図11】 本発明における他の実施例の有機薄膜の構造図である。
【符号の説明】
1 基板
2 4−ビニルアントラニル酸由来の単分子層
2a 3−デシルチオフェンからなる層
3 ポリマー層
Claims (6)
- 前記第1の工程および前記第2の工程を液中で行う請求項1に記載の有機膜の製造方法。
- 前記XがClである請求項1または2に記載の有機膜の製造方法。
- 有機膜の製造方法であって、
下記式(4)で示される、金属への多座配位可能官能基を分子内に少なくとも1つ有し、かつ重合性官能基を有する分子を、表面に遷移金属が露出している基体に接触させ、前記分子を前記基体上に固定して単分子層を形成する第1の工程と、
前記重合性官能基上に他のモノマーを重合させることにより前記基板上の前記単分子層上においてポリマーを成長させる第2の工程と、
を有することを特徴とする有機膜の製造方法。
- 前記第1の工程および前記第2の工程を液中で行う請求項4に記載の有機膜の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33974996A JP3866809B2 (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 有機膜及びその製造方法 |
EP97122296A EP0849003B1 (en) | 1996-12-19 | 1997-12-17 | Organic ultra-thin film and method for making the same |
DE69728362T DE69728362T2 (de) | 1996-12-19 | 1997-12-17 | Organische ultradünne Beschichtung und Verfahren zur Herstellung |
EP07018002A EP1882527A3 (en) | 1996-12-19 | 1997-12-17 | Organic ultra-thin film and method for making the same |
US08/992,049 US7468206B1 (en) | 1996-12-19 | 1997-12-17 | Organic ultra-thin film |
EP03009336A EP1331042A3 (en) | 1996-12-19 | 1997-12-17 | Organic ultra-thin film and method for making the same |
EP03009337A EP1331043A3 (en) | 1996-12-19 | 1997-12-17 | Organic ultra-thin film and method for making the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33974996A JP3866809B2 (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 有機膜及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10175267A JPH10175267A (ja) | 1998-06-30 |
JP3866809B2 true JP3866809B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=18330453
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33974996A Expired - Lifetime JP3866809B2 (ja) | 1996-12-19 | 1996-12-19 | 有機膜及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7468206B1 (ja) |
EP (4) | EP1331042A3 (ja) |
JP (1) | JP3866809B2 (ja) |
DE (1) | DE69728362T2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3866811B2 (ja) * | 1996-12-27 | 2007-01-10 | 松下電器産業株式会社 | 単分子膜およびその製造方法 |
US6985132B2 (en) | 2000-11-29 | 2006-01-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP4331256B2 (ja) | 2006-04-12 | 2009-09-16 | パナソニック株式会社 | 有機分子膜構造体の形成方法 |
KR101305054B1 (ko) * | 2011-11-02 | 2013-09-11 | 한양대학교 산학협력단 | 유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 캐패시터, 유기-무기 나노하이브리드 비휘발성 메모리 트랜지스터 및 이들의 제조 방법 |
JP2018092836A (ja) * | 2016-12-06 | 2018-06-14 | 矢崎総業株式会社 | 端子付き電線、端子付き電線の製造方法、及び、ワイヤハーネス |
Family Cites Families (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US3787281A (en) | 1968-10-29 | 1974-01-22 | Du Pont | Forming a hydrolytically stable bond between glass and polytetrafluoroethylene |
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JP3722164B2 (ja) | 1996-01-30 | 2005-11-30 | 株式会社ブリヂストン | 銅貼り積層板 |
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-
1996
- 1996-12-19 JP JP33974996A patent/JP3866809B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-12-17 EP EP03009336A patent/EP1331042A3/en not_active Withdrawn
- 1997-12-17 EP EP03009337A patent/EP1331043A3/en not_active Withdrawn
- 1997-12-17 DE DE69728362T patent/DE69728362T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-17 US US08/992,049 patent/US7468206B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-17 EP EP07018002A patent/EP1882527A3/en not_active Withdrawn
- 1997-12-17 EP EP97122296A patent/EP0849003B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69728362D1 (de) | 2004-05-06 |
EP1331042A3 (en) | 2007-03-07 |
EP1331042A2 (en) | 2003-07-30 |
US7468206B1 (en) | 2008-12-23 |
EP1331043A2 (en) | 2003-07-30 |
EP0849003B1 (en) | 2004-03-31 |
EP1882527A3 (en) | 2011-05-11 |
EP1331043A3 (en) | 2007-03-07 |
DE69728362T2 (de) | 2005-02-17 |
JPH10175267A (ja) | 1998-06-30 |
EP0849003A1 (en) | 1998-06-24 |
EP1882527A2 (en) | 2008-01-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031215 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091013 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131013 Year of fee payment: 7 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |