JP2006169276A - 導電性材料、導電性材料用組成物、導電層、電子デバイスおよび電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】キャリア輸送能の優れた導電性材料、キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物、キャリア輸送能の優れた導電層、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の導電性材料は、下記一般式（１）で表される化合物同士を、それらが持つ置換基Ｘ^１、置換基Ｘ^２、置換基Ｘ^３および置換基Ｘ^４のいずれかとホスゲンおよび／またはその誘導体とを重縮合反応させ、連結してなる。
【化１】

［式中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【化２】

［式中、ｎは２〜８の整数を表す。］
【選択図】なし

Description

本発明は、導電性材料、導電性材料用組成物、導電層、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。

有機材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子（発光素子）としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。
そして、注入された電子と正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の励起エネルギーを光エネルギーとして放出することにより、発光層が発光する。

このような有機ＥＬ素子において、有機ＥＬ素子の高効率化、すなわち、高い発光を得るためには、電子または正孔のキャリア輸送性の異なる有機材料で構成される有機層を、発光層と、陰極および／または陽極との間に積層する素子構造が有効であることが判っている。
そこで、キャリア輸送特性の異なる発光層と有機層と（以下、これらを併せて「有機層」という。）を電極上に積層する必要があるが、従来の塗布法を用いる製造方法においては、有機層を積層する際に、隣接する有機層との間で相溶解が生じ、その結果として、有機ＥＬ素子としての発光効率、発色の色純度またはパターン精度が悪くなる等の特性が低下するという問題があった。
そのため、有機層を積層する場合には、有機材料として溶解性の異なるものを組み合わせて用いることにより、積層するのに限られていた。

このような問題点を解決する方法として、下層となる有機層を構成する有機材料同士を重合化させることにより、下層の耐久性すなわち耐溶剤性を向上させる方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
また、下層となる有機層を構成する有機材料に硬化性樹脂を添加し、この硬化性樹脂と一緒に硬化させることによって、下層の耐溶剤性を向上させる方法も開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
しかしながら、これらのような方法を用いた場合においても、有機ＥＬ素子の特性の向上は、期待するほど得られていないのが実情である。

特開平９−２５５７７４号公報 特開２０００−２０８２５４号公報

本発明の目的は、キャリア輸送能の優れた導電性材料、キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物、キャリア輸送能の優れた導電層、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の導電性材料は、下記一般式（１）で表される化合物同士を、それらが持つ置換基Ｘ^１、置換基Ｘ^２、置換基Ｘ^３および置換基Ｘ^４のいずれかとホスゲンおよび／またはその誘導体とを重縮合反応させ、連結してなることを特徴とする。

［式中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含む基を表す。］

［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
これにより、優れたキャリア輸送能を有する導電性材料とすることができる。

本発明の導電性材料では、前記ホスゲン誘導体は、下記一般式（３）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、２つのＺは、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
かかる化合物を用いて、前記重縮合反応を行うことにより、生成された副生成物を、形成された導電層から確実に除去することができる。その結果、導電層のキャリア輸送能が低減するのを好適に防止することができる。

本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ^１と前記置換基Ｘ^３とは、同一であることが好ましい。
これにより、前記一般式（１）で表される化合物の置換基Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４以外の主骨格同士の相互作用を好適に防止することができる。その結果、導電性材料のキャリア輸送能を向上させることができる。

本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ^２と前記置換基Ｘ^４とは、同一であることが好ましい。
これにより、主骨格同士の相互作用を好適に防止することができる。その結果、導電性材料のキャリア輸送能を向上させることができる。
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ^１、前記置換基Ｘ^２、前記置換基Ｘ^３および前記置換基Ｘ^４は、同一であることが好ましい。
これにより、主骨格同士の相互作用をより好適に防止することができる。その結果、導電性材料のキャリア輸送能を特に向上させることができる。

本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘ^１、前記置換基Ｘ^２、前記置換基Ｘ^３および前記置換基Ｘ^４は、それぞれが結合するベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合していることが好ましい。
これにより、隣接する主骨格同士をより確実に離間させて、主骨格同士が接近しすぎるのをより確実に阻止することができる。

本発明の導電性材料では、前記基Ｙは、炭素原子と水素原子とで構成されていることが好ましい。
これにより、導電性材料のキャリア輸送能が優れたものとなり、形成される導電層は、よりキャリア輸送能に優れたものとなる。
本発明の導電性材料では、前記基Ｙの総炭素数は、６〜３０であることが好ましい。
これにより、導電性材料のキャリア輸送能がより優れたものとなり、形成される導電層は、特にキャリア輸送能に優れたものとなる。

本発明の導電性材料では、前記基Ｙにおいて、前記芳香族炭化水素環の数は、１〜５であることが好ましい。
これにより、導電性材料のキャリア輸送能がより優れたものとなり、形成される導電層は、特にキャリア輸送能に優れたものとなる。
本発明の導電性材料では、前記基Ｙは、ビフェニレン基またはその誘導体であることが好ましい。
これにより、導電性材料のキャリア輸送能がより優れたものとなり、形成される導電層は、特にキャリア輸送能に優れたものとなる。

本発明の導電性材料用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物と、ホスゲン誘導体とを含有することを特徴とする。

［式中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含む基を表す。］

［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
これにより、キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物とすることができる。

本発明の導電性材料用組成物では、前記ホスゲン誘導体は、下記一般式（３）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、２つのＺは、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
かかる化合物を用いて、前記重縮合反応を行うことにより、生成される副生成物を、形成される導電層から確実に除去することができる。その結果、導電層のキャリア輸送能が低減するのを好適に防止することができる。

本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ^１と前記置換基Ｘ^３とが同一であることが好ましい。
これにより、前記重縮合反応させて得られる化学構造により連結される高分子（導電性材料）において、主骨格同士による相互作用を好適に防止することができる。その結果、この高分子のキャリア輸送能を向上させることができる。

本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ^２と前記置換基Ｘ^４とが同一であることが好ましい。
これにより、得られる高分子において、主骨格同士の相互作用を好適に防止することができる。その結果、高分子（導電性材料）のキャリア輸送能を向上させることができる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ^１、前記置換基Ｘ^２、前記置換基Ｘ^３および前記置換基Ｘ^４が同一であることが好ましい。
これにより、得られる高分子において、主骨格同士の相互作用をより好適に防止することができる。その結果、高分子（導電性材料）のキャリア輸送能を特に向上させることができる。

本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘ^１、前記置換基Ｘ^２、前記置換基Ｘ^３および前記置換基Ｘ^４は、それぞれが結合するベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合していることが好ましい。
これにより、得られる高分子において、隣接する主骨格同士をより確実に離間させて、主骨格同士が接近しすぎるのをより確実に阻止することができる。

本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙは、炭素原子と水素原子とで構成されていることが好ましい。
これにより、高分子のキャリア輸送能が優れたものとなり、形成される導電層は、よりキャリア輸送能に優れたものとなる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙの総炭素数は、６〜３０であることが好ましい。
これにより、高分子のキャリア輸送能がより優れたものとなり、形成される導電層は、特にキャリア輸送能に優れたものとなる。

本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙにおいて、前記芳香族炭化水素環の数は、１〜５であることが好ましい。
これにより、高分子のキャリア輸送能がより優れたものとなり、形成される導電層は、特にキャリア輸送能に優れたものとなる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙは、ビフェニレン基またはその誘導体であることが好ましい。
これにより、高分子のキャリア輸送能がより優れたものとなり、形成される導電層は、特にキャリア輸送能に優れたものとなる。

本発明の導電層は、本発明の導電性材料を主材料とすることを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能に優れる導電層を形成することができる。
本発明の導電層は、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成されたことを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能に優れる導電層を形成することができる。

本発明の導電層は、正孔輸送層であることが好ましい。
これにより、正孔輸送能に優れる正孔輸送層を形成することができる。
本発明の導電層では、前記正孔輸送層の平均厚さは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。
これにより、発光効率の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。

本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスは、発光素子または光電変換素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高い発光素子および光電変換素子が得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。

以下、本発明の導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
まず、本発明の電子デバイスを有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）に適用した場合の実施形態について説明する。

図１は、有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。
図１に示す有機ＥＬ素子１は、透明な基板２と、基板２上に設けられた陽極３と、陽極３上に設けられた有機ＥＬ層４と、有機ＥＬ層４上に設けられた陰極５と、各前記層３、４、５を覆うように設けられた保護層６とを備えている。
基板２は、有機ＥＬ素子１の支持体となるものであり、この基板２上に各前記層が形成されている。

基板２の構成材料としては、透光性を有し、光学特性が良好な材料を用いることができる。
このような材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような各種樹脂材料や、各種ガラス材料等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
基板２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。

陽極３は、有機ＥＬ層４（後述する正孔輸送層４１）に正孔を注入する電極である。また、この陽極３は、有機ＥＬ層４（後述する発光層４２）からの発光を視認し得るように、実質的に透明（無色透明、有色透明、半透明）とされている。
かかる観点から、陽極３の構成材料（陽極材料）としては、仕事関数が大きく、導電性に優れ、また、透光性を有する材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ₂、Ｓｂ含有ＳｎＯ₂、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。

陽極３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、陽極材料の種類等によっては、光の透過率が著しく低下し、実用に適さなくなるおそれがある。
なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。

一方、陰極５は、有機ＥＬ層４（後述する電子輸送層４３）に電子を注入する電極である。
陰極５の構成材料（陰極材料）としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。
このような陰極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
特に、陰極材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極材料として用いることにより、陰極５の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
陰極５の厚さ（平均）は、１ｎｍ〜１μｍ程度であるのが好ましく、１００〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極５の厚さが薄すぎると、陰極５としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極５が厚過ぎると、有機ＥＬ素子１の発光効率が低下するおそれがある。

陽極３と陰極５との間には、有機ＥＬ層４が設けられている。有機ＥＬ層４は、正孔輸送層４１と、発光層４２と、電子輸送層４３とを備え、これらがこの順で陽極３上に形成されている。
正孔輸送層（本発明の導電層）４１は、陽極３から注入された正孔を発光層４２まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層４１が、本発明の導電性材料を主材料として構成されている。

本発明の導電性材料は、下記一般式（１）で表される化合物（ジフェニルアミン誘導体）同士を、置換基Ｘ^１、置換基Ｘ^２、置換基Ｘ^３および置換基Ｘ^４（以下これらのものを総称して「置換基Ｘ」ということもある。）のいずれかと、ホスゲンおよび／またはその誘導体とを重縮合反応させ、連結してなるものである。

［式中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含む基を表す。］

［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］

具体的には、本発明の導電性材料は、前記一般式（１）で表される化合物における置換基Ｘ以外の主骨格（ジフェニルアミン骨格）同士を、置換基Ｘと、化学式ＣＯＣｌ_２で表されるホスゲンおよび／またはその誘導体とが重縮合反応して生成した下記一般式（４）で表される化学構造（以下、この化学構造を単に「連結構造」ということもある。）により連結してなる高分子（ポリマー）を主成分とするものである。

［式中、２つのｎは、それぞれ独立して、２〜８の整数を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］

このような高分子では、主骨格同士が、前記一般式（４）で表される化学構造、すなわち置換基Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４のいずれかと、ホスゲンおよび／またはその誘導体とを重縮合反応させることにより得られた化学構造により連結される構成となっていることより、２次元的なネットワークが形成されやすくなる。
また、前記主骨格は、共役系の化学構造を有し、その特有な電子雲の広がりにより、高分子における円滑な正孔輸送に寄与する。

特に、本発明における高分子では、主骨格同士が連結構造、すなわち、２つの直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）がカーボネート結合により連結する化学構造を介して、所定距離離間して存在することから、隣接する主骨格同士の間の相互作用が低減し、これらの間における正孔の受け渡しが円滑に行われるようになる。
また、本発明における高分子では、主骨格がネットワークを形成するように連結していることから、例えば、ネットワークの一部において結合が切断された箇所等が存在しても、他の経路を経て正孔が円滑に輸送されることとなる。
さらに、本発明における高分子は、２次元的（平面的）な広がりを有するネットワークを形成されやすくなることから、高分子同士の間に絡まり等が生じるのを効果的に防止または抑制でき、かかる観点からも、正孔の輸送を円滑に行うことができる。

このような本発明の導電性材料の主成分である高分子は、前述したような構造（構成）、すなわち、主骨格同士が連結構造を介して所定距離離間し、かつ、ネットワークを形成しやすい構成とすることにより、これらの相乗効果により、極めて優れた正孔輸送能（キャリア輸送能）を発揮する。その結果、本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層４１は、正孔輸送能に特に優れたものとなる。
なお、このような高分子において、主骨格同士の離間距離が短くなり過ぎると、隣接する主骨格同士の相互作用が大きくなる傾向を示し、主骨格の離間距離が長くなり過ぎると、主骨格同士間における正孔の受け渡しが困難となり、高分子の正孔輸送能が低減する傾向を示す。

かかる観点から、前記連結構造を次のように設定するのが好ましい。
すなわち、置換基Ｘの構造（前記一般式（２）で表される置換基）、ホスゲンおよび／またはその誘導体として、次のようなものを選択するのが好ましい。
置換基Ｘは、前記一般式（２）中、ｎが２〜８、特に３〜６の直鎖状の炭素−炭素結合で構成されているのが好ましい。これにより、主骨格同士の距離を適度に保つことが可能となり、高分子中において、隣接する主骨格同士の相互作用をより確実に低減することができるとともに、主骨格同士間における正孔の受け渡しがより確実に行われることから、高分子の正孔輸送能が優れたものとなる。

また、置換基Ｘ^１と置換基Ｘ^３とは、ほぼ同一の炭素数のものであるのが好ましく、同一の炭素数のものであるのがより好ましい。これにより、この置換基Ｘ（置換基Ｘ^１または置換基Ｘ^３）とホスゲンおよび／またはその誘導体との重縮合反応により連結される主骨格同士の離間距離のばらつきを小さくすることができる。すなわち、高分子中における主骨格同士の離間距離のばらつきを小さくすることができる。その結果、この高分子中において電子密度に偏りが生じるのを好適に防止することができる。これにより、高分子の正孔輸送能を向上させることができる。
かかる観点から、置換基Ｘ^２と置換基Ｘ^４とも、ほぼ同一の炭素数のものであるのが好ましく、同一の炭素数のものであるのがより好ましい。これにより、前記効果がより向上し、高分子の正孔輸送能をより向上させることができる。

さらには、置換基Ｘ^１、置換基Ｘ^２、置換基Ｘ^３および置換基Ｘ^４を、好ましくは、ほぼ同一の炭素数、より好ましくは、同一の炭素数とすることにより、前記効果が特に顕著に発揮される。また、主骨格から突出している置換基Ｘの長さがほぼ同一（特に同一）となることから、置換基Ｘによる立体障害が生じる可能性を低減させることができる。これにより、置換基Ｘとホスゲンおよび／またはその誘導体との重縮合反応を確実に行うことができる。すなわち、高分子の形成を確実に行うことができる。その結果、導電性材料（高分子）の正孔輸送能をさらに向上させることができる。

また、置換基Ｘは、ベンゼン環の２位から６位のいずれの位置に結合してもよいが、特に、３位、４位または５位のうちのいずれかに結合しているのが好ましい。これにより、隣接する主骨格同士の結合を連結構造を介して行うことの効果をより顕著に発揮させることができる。すなわち、隣接する主骨格同士をより確実に離間させることができる。
また、ホスゲンおよび／またはその誘導体としては、置換基Ｘの末端の水酸基と重縮合反応することにより、前記一般式（４）で表される化学構造が形成されるものであれば、特に限定されないが、特に、ホスゲンおよび／または下記一般式（３）で表される化合物（以下、単に「化合物（３）」ということもある。）を主成分とするものを用いるのが好ましい。

［式中、２つのＺは、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］

ここで、置換基Ｘ（水酸化アルキル基）とホスゲンおよび／またはその誘導体とが重縮合反応すると、副生成物が生成することとなる。このような重縮合反応において、ホスゲンおよび／または前記化合物（３）を用いることにより、後述する工程［２］において説明するように、前記副生成物を正孔輸送層４１から比較的容易に除去することができる。これにより、正孔輸送層４１中において前記副生成物により正孔が捕捉されるのを確実に阻止することができる。その結果、正孔輸送層４１の正孔輸送能が低減することを好適に防止することができる。
なお、前記一般式（４）で表される化学構造中には、カーボネート結合を構成する二重結合（π結合）が存在することとなる。これにより、主骨格同士の距離が比較的長くなった場合においても、このπ結合を介して、主骨格同士間における正孔の受け渡しを確実に行うことができる。

さらに、このカーボネート結合と主骨格の間には、アルキレン基が存在することとなる。このため、主骨格における電子密度が連結構造側に偏るのを防止できるので、主骨格同士の距離が比較的短くなった場合においても、主骨格同士の相互作用が増強するのを好適に防止または抑制することができる。
なお、例えば、ベンゼン環のように、π結合の中でも共役系の結合が多い構造が前記一般式（４）で表される化学構造中に存在すると、この構造を介して隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼすようになり、主骨格同士を離間することによる効果が相殺されてしまう。

次に、高分子において、正孔輸送に寄与する主骨格について説明をする。
置換基Ｒは、水素原子、メチル基またはエチル基であり、置換基Ｒは、置換基Ｘの炭素数に応じて選択するようにすればよい。例えば、置換基Ｘの炭素数が大きい場合には、置換基Ｒとしては、水素原子を選択し、置換基Ｘの炭素数が小さい場合には、置換基Ｒとしては、メチル基もしくはエチル基を選択するようにすればよい。

基（結合基）Ｙは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含むものであればよいが、特に、炭素原子と水素原子とで構成されているものが好ましい。これにより、高分子の正孔輸送能が優れたものとなり、形成される正孔輸送層４１は、より正孔輸送能に優れたものとなる。
具体的には、芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含む構造としては、例えば、下記化学式（５）〜（２１）で表されるものが挙げられる。

また、基Ｙの総炭素数は、６〜３０であるのが好ましく、１０〜２５であるのがより好ましく、１０〜２０であるのがさらに好ましい。
さらに、基Ｙにおいて、芳香族炭化水素環の数は、１〜５であるのが好ましく、２〜５であるのがより好ましく、２または３であるのがさらに好ましい。
これらのことを考慮すると、前記一般式（１）で表される化合物において、基Ｙとしては、ビフェニレン基またはその誘導体が特に好ましい構造である。
これにより、高分子の正孔輸送能がより優れたものとなり、形成される正孔輸送層４１は、特に正孔輸送能（キャリア輸送能）に優れたものとなる。
また、基Ｙにおいて、芳香族炭化水素環に置換基を導入する場合、この置換基としては、基Ｙの平面性を維持し得るものであれば、特に限定されないが、炭素数１〜３の直鎖アルキル基であるのが好ましく、メチル基またはエチル基であるのがより好ましい。

また、正孔輸送層４１を、本発明の導電性材料のように、重縮合反応をさせたネットワーク形状の高分子を主材料として構成することにより、この正孔輸送層４１の耐久性すなわち耐溶剤性を向上させることができる。その結果、後述する工程［３］において、正孔輸送層４１上に発光層４２を形成する際に、発光層４２を形成するための材料に含まれる溶媒または分散媒により、導電性材料が膨潤または溶解されることを抑制または防止することができる。これにより、正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解を確実に防止することができる。
また、このような導電性材料は、その体積抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上であるのが好ましく、１０^２Ω・ｃｍ以上であるのがより好ましい。これにより、発光効率のより高い有機ＥＬ素子１を得ることができる。

正孔輸送層４１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。正孔輸送層４１の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じるおそれがあり、一方、正孔輸送層４１が厚過ぎると、正孔輸送層４１の透過率が悪くなる原因となり、有機ＥＬ素子１の発光色の色度（色相）が変化してしまうおそれがある。
また、本発明の導電性材料は、かかる比較的薄い正孔輸送層４１を形成する場合に、特に有用である。

電子輸送層４３は、陰極５から注入された電子を発光層４２まで輸送する機能を有するものである。
電子輸送層４３の構成材料（電子輸送材料）としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物（スターバースト系化合物）、ナフタレンのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセンのようなクリセン系化合物、ペリレンのようなペリレン系化合物、アントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエンのようなブタジエン系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、キノリンのようなキノリン系化合物、ビスチリルのようなビスチリル系化合物、ピラジン、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリンのようなキノキサリン系化合物、ベンゾキノン、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノンのようなナフトキノン系化合物、アントラキノンのようなアントラキノン系化合物、オキサジアゾール、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、ＢＭＤ、ＢＮＤ、ＢＤＤ、ＢＡＰＤのようなオキサジアゾール系化合物、トリアゾール、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロンのようなアントロン系化合物、フルオレノン、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ジフェノキノン、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、スチルベンキノン、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、フタロシアニン、銅フタロシアニン、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体等が挙げられる。
また、電子輸送材料は、以上のような化合物のうちの少なくとも１種を用いることができる。

電子輸送層４３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。電子輸送層４３の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じショートするおそれがあり、一方、電子輸送層４３が厚過ぎると、抵抗値が高くなるおそれがある。
陽極３と陰極５との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層４１中を正孔が、また、電子輸送層４３中を電子が移動し、発光層４２において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層４２では、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。

この発光層４２の構成材料（発光材料）としては、電圧印加時に陽極３側から正孔を、また、陰極５側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できるものであれば、いかなるものであってもよい。
このような発光材料には、以下に示すような、各種低分子の発光材料、各種高分子の発光材料があり、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。

なお、低分子の発光材料を用いることにより、緻密な発光層４２が得られるため、発光層４２の発光効率が向上する。また、高分子の発光材料を用いることにより、比較的容易に溶剤へ溶解させることができるため、インクジェット印刷法等の各種塗布法による発光層４２の形成を容易に行うことができる。さらに、低分子の発光材料と高分子の発光材料とを組み合わせて用いることにより、低分子の発光材料および高分子の発光材料を用いる効果を併有すること、すなわち、緻密かつ発光効率に優れる発光層４２を、インクジェット印刷法等の各種塗布法により、容易に形成することができるという効果が得られる。

低分子の発光材料としては、例えば、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン（Ｈ_２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ_３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ_２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（ｐｈｅｎ））、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン）プラチナム（II）のような各種金属錯体等が挙げられる。

高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキル，フェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物、ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）のようなポリフルオレン系化合物、ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物等が挙げられる。

発光層４２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。発光層の厚さを前記範囲とすることにより、正孔と電子との再結合が効率よくなされ、発光層４２の発光効率をより向上させることができる。
なお、本実施形態では、発光層４２は、正孔輸送層４１および電子輸送層４３と別個に設けられているが、正孔輸送層４１と発光層４２とを兼ねた正孔輸送性発光層や、電子輸送層４３と発光層４２とを兼ねた電子輸送性発光層とすることもできる。この場合、正孔輸送性発光層の電子輸送層４３との界面付近が、また、電子輸送性発光層の正孔輸送層４１との界面付近が、それぞれ、発光層４２として機能する。
また、正孔輸送性発光層を用いた場合には、陽極から正孔輸送性発光層に注入された正孔が電子輸送層によって閉じこめられ、また、電子輸送性発光層を用いた場合には、陰極から電子輸送性発光層に注入された電子が電子輸送性発光層に閉じこめられるため、いずれも、正孔と電子との再結合効率を向上させることができるという利点がある。

また、各層３、４、５同士の間には、任意の目的の層が設けられていてもよい。例えば、正孔輸送層４１と陽極３との間には正孔注入層を、また、電子輸送層４３と陰極５との間には電子注入層等を設けることができる。このように、有機ＥＬ素子１に正孔注入層を設ける場合には、この正孔注入層に、本発明の導電性材料を用いることもできる。また、有機ＥＬ素子１に電子注入層を設ける場合には、この電子注入層には、前述したような電子輸送材料の他、例えばＬｉＦのようなアルカリハライド等を用いることができる。

保護層６は、有機ＥＬ素子１を構成する各層３、４、５を覆うように設けられている。この保護層６は、有機ＥＬ素子１を構成する各層３、４、５を気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。保護層６を設けることにより、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果が得られる。
保護層６の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、保護層６の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、保護層６と各層３、４、５との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。

この有機ＥＬ素子１は、例えばディスプレイ用として用いることができるが、その他にも光源等としても使用可能であり、種々の光学的用途等に用いることが可能である。
また、有機ＥＬ素子１をディスプレイに適用する場合、その駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。

このような有機ＥＬ素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。
［１］陽極形成工程
まず、基板２を用意し、この基板２上に陽極３を形成する。
陽極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。

［２］正孔輸送層形成工程
次に、陽極３を備える基板２をチャンバー内に設置し、陽極３上に本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層（本発明の導電層）４１を形成する。
正孔輸送層４１を形成する方法としては、前記一般式（１）で表される化合物（以下、単に「化合物（１）」ということもある。）が備える置換基Ｘと、ホスゲンおよび／またはその誘導体とを重縮合反応し得るものであればよく、各種の方法を用いることができるが、２−Ｉ：置換基Ｘとホスゲンとを重縮合反応させる方法（ホスゲン法）または２−II：置換基Ｘとホスゲン誘導体とをエステル交換反応させる方法（エステル交換法）を用いるのが好ましい。かかる方法によれば、前記重縮合反応の程度を、各種処理条件を適宜設定することにより、比較的容易に制御することができるため、形成される高分子（導電性材料）の鎖長の制御を容易かつ確実に行うことができる。

以下、これらの方法について、それぞれ説明する。
［２−Ｉ］ホスゲン法
［２−Ｉａ］ まず、有機溶媒に化合物（１）と塩基とを溶解させた正孔輸送材料を陽極３上に塗布（供給）する。
この塗布には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができる。かかる塗布法によれば、正孔輸送材料を比較的容易に陽極３上に供給することができる。

有機溶媒としては、例えば、ジクロロメタン（塩化メチレン）、トリクロロメタン、四塩化炭素、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、ペンタクロロエタンのようなハロゲン化合物系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンのような芳香族炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）のようなエーテル系溶媒等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、塩基は、ホスゲンから供給されるカルボニル基を安定化させるために使用され、例えば、ピリジン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジメチルアニリン、ホルミルジメチルアミン、トリフェニルアミンのような塩基性有機溶媒や水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化セシウムのようなアルカリ金属の水酸化物等が挙げられ、これらの中でも、塩基性有機溶媒を主成分とするものを用いるのが好ましい。塩基性有機溶媒は、形成される正孔輸送層４１から比較的容易に除去（脱溶媒）することができるものである。そのため、このものが不純物として正孔輸送層４１中に残存するのを好適に防止することができる。
さらに、塩基性有機溶媒の中でも、次工程［２−Ｉｂ］において、置換基Ｘとホスゲンとの重縮合反応を促進させる触媒として機能する、ピリジン、トリエチルアミン、トリブチルアミンおよびジメチルアニリン等を用いるのが特に好ましい。これにより、前記重縮合反応をより効率良く進行させることができる。

なお、前記触媒としては、上述したものの他、例えば、トリメチルベンジルアンモニウムクロリド、トリエチルベンジルアンモニウムクロリド、トリブチルベンジルアンモニウムクロリドのような四級アンモニウム塩等が挙げられ、これらのものを正孔輸送材料に添加するようにしてもよい。
有機溶媒と塩基との混合比は、容積比で、１０：１〜２：１であるのが好ましく、５：１〜３：１であるのがより好ましい。

［２−Ｉｂ］ 次に、陽極３上に塗布した正孔輸送材料に、ホスゲンを供給する。
これにより、置換基Ｘとホスゲンとが重縮合反応して、化合物（１）同士が連結構造により連結された高分子（本発明の導電性材料）が生成し、陽極３上に正孔輸送層４１が形成される。
この重縮合反応を進行させる際の混合物の温度は、−２０〜２０℃程度であるのが好ましく、−２０〜０℃程度であるのがより好ましい。混合物の温度をかかる範囲内にすることにより、陽極３上に供給された混合物における重縮合反応の進行を比較的容易に制御することができる。
また、反応時間は、混合物の温度によっても若干異なるが、１分〜４時間程度であるのが好ましく、１５分〜２時間程度であるのがより好ましい。

さらに、得られた正孔輸送層４１には、必要に応じて、例えば大気中、不活性雰囲気中、減圧（または真空）下等において熱処理を施すようにしてもよい。これにより、例えば、正孔輸送層４１の乾燥（脱溶媒または脱分散媒）、固化等を行うことができる。なお、正孔輸送層４１は、熱処理によらず乾燥してもよい。
なお、このようなホスゲン法において、化合物（１）との反応には、好ましくはホスゲンが用いられるが、この他、例えば、トリホスゲン、ブロモホスゲン、ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）カーボネート、ビス（２，４−ジクロロフェニル）カーボネート、ビス（２−シアノフェニル）カーボネート、クロロギ酸トリクロロメチル等を用いることができ、以上のものは、単独または任意の２種以上とを混合して用いることもできる。

［２−II］エステル交換法
［２−IIａ］ まず、前記化合物（１）と前述したようなホスゲン誘導体とを含有する本発明の導電性材料用組成物（正孔輸送材料）を陽極３上に塗布（供給）する。
この塗布には、前記工程［２−Ｉａ］で説明したのと同様の方法を用いることができる。
導電性材料用組成物の調製に用いる溶媒または分散媒としては、前記工程［２−Ｉａ］で説明した有機溶媒の他、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

導電性材料用組成物中における化合物（１）とホスゲン誘導体との配合比は、モル比で、１：２〜１：２４であるのが好ましく、１：４〜１：１２であるのがより好ましい。これにより、置換基Ｘとホスゲン誘導体との重縮合反応が効率良く進行し、未反応の化合物（１）が形成される正孔輸送層４１に残存するのを好適に防止することができる。また、かかる範囲のように、ホスゲン誘導体を化合物（１）よりも多く配合させることにより、ホスゲン誘導体に反応溶媒としての機能も発揮させることができる。
なお、導電性材料用組成物には、エステル交換反応を促進させるための触媒を添加するようにしてもよい。この触媒には、例えば、前記工程［２−Ｉａ］で説明したのと同様のものを用いることができる。

［２−IIｂ］ 次に、陽極３上に塗布した導電性材料用組成物を加熱する。
これにより、置換基Ｘとホスゲン誘導体とのエステル交換反応（重縮合反応）が進行して、連結構造により連結された高分子（本発明の導電性材料）を得ることができるとともに、前述した副生成物と未反応のホスゲン誘導体とを形成される正孔輸送層４１から確実に除去することができる。その結果、本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層４１が陽極３上に形成される。

導電性材料用組成物を加熱する温度は、１２０〜２００℃程度であるのが好ましく、１５０〜１８０℃程度であるのがより好ましい。加熱する温度を、前記下限値よりも低くすると、用いるホスゲン誘導体の種類によっては、高分子の形成が十分に進行しないおそれがある。また、加熱する温度を、前記上限値を超えて高くすると、形成される高分子が変質・劣化するおそれがあり、好ましくない。また、加熱する温度をかかる範囲内とすることにより、副生成物と未反応のホスゲン誘導体とを形成される正孔輸送層４１から確実に除去することができる。
また、反応時間は、加熱する温度によっても若干異なるが、１分〜４時間程度であるのが好ましく、１５分〜２時間程度であるのがより好ましい。
また、導電性材料用組成物の加熱は、減圧状態で行うのが好ましい。

ここで、前述したように、置換基Ｘとホスゲン誘導体とが重縮合反応すると、副生成物が生成するが、ホスゲン誘導体として前記一般式（３）で表される化合物を用いた場合、副生成物として化学式Ｚ−ＯＨで表されるものが生成する。このような副生成物（不純物）と未反応のホスゲン誘導体とは、加熱により形成される正孔輸送層４１から除去することができるが、この加熱の際に、減圧状態としておけば、副生成物と未反応のホスゲン誘導体とをより確実に除去することができる。これにより、正孔輸送層４１中において前記副生成物またはホスゲン誘導体により正孔が捕捉されるのをより確実に阻止することができる。その結果、正孔輸送層４１の正孔輸送能が低減することを好適に防止することができる。

なお、化学式Ｚ−ＯＨで表される副生成物としては、具体的には、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、ｎ−アミルアルコール、イソアミルアルコール、ｓｅｃ−アミルアルコール、ｔｅｒｔ−アミルアルコール、ｓｅｃ−イソアミルアルコール、ジエチルカルビノール、ｔｅｒｔ−ブチルカルビノール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、２−メチル−２−ペンタノール、２−メチル−３−ペンタノール、３−メチル−１−ペンタノール、３−メチル−２−ペンタノール、３−メチル−３−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、２，３−ジメチル−１−ブタノール、２，３−ジメチル−２−ブタノール、３，３−ジメチル−２−ブタノール、フェノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。
また、この減圧の程度（真空度）は、１０^５Ｐａ以下であるのが好ましく、１０^３Ｐａ以下であるのがより好ましい。これにより、前記副生成物と未反応のホスゲン誘導体とを正孔輸送層４１からより確実に除去することができる。

なお、加熱する際の雰囲気は、特に限定されないが、窒素ガスやアルゴン、ヘリウム、キセノンのような希ガス等の不活性ガス雰囲気とするのが好ましい。これにより、雰囲気中のガスにより、置換基Ｘとホスゲン誘導体とのエステル交換反応が阻害されるのを好適に防止することができる。その結果、このエステル交換反応をより確実に進行させることができる。

前述したような方法を用いて、正孔輸送層４１を本発明の導電性材料を主材料として形成（構成）することにより、次工程［３］において、発光層材料を供給した際に、この発光層材料に含まれる溶媒または分散媒による高分子（導電性材料）の膨潤および溶解を抑制または防止することができる。その結果、正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解を確実に防止することができる。

この高分子の重量平均分子量は、特に限定されないが、２０００〜１００００００程度であるのが好ましく、５０００〜３０００００程度であるのがより好ましい。これにより、高分子の膨潤および溶解をより確実に抑制または防止することができる。
なお、正孔輸送層４１は、この正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解が防止される範囲において、前記化合物（１）やホスゲン誘導体の低分子（モノマー）を含んでいてもよい。

［３］発光層形成工程
次に、正孔輸送層４１上に発光層４２を形成する。
発光層４２は、例えば、前述したような発光材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる発光層材料（発光層形成用材料）を、正孔輸送層４１上に塗布して形成することができる。
発光材料を溶解または分散させる溶媒または分散媒としては、正孔輸送層４１を形成する際に用いた溶媒または分散媒と同様のものを用いることができる。
また、発光層材料を、正孔輸送層４１上に塗布する方法としても、正孔輸送層４１を形成する際に用いた塗布方法と同様の方法を用いることができる。

［４］電子輸送層形成工程
次に、発光層４２上に電子輸送層４３を形成する。
電子輸送層４３は、発光層４２と同様にして形成することができる。すなわち、電子輸送層４３は、前述したような電子輸送材料を用いて、発光層４２で説明したような方法により形成することができる。

［５］陰極形成工程
次に、電子輸送層４３上に陰極５を形成する。
陰極５は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。

［６］保護層形成工程
次に、陽極３、有機ＥＬ層４および陰極５を覆うように、保護層６を形成する。
保護層６は、例えば、前述したような材料で構成される箱状の保護カバーを、各種硬化性樹脂（接着剤）で接合すること等により形成する（設ける）ことができる。
硬化性樹脂には、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、反応性硬化樹脂、嫌気性硬化樹脂のいずれも使用可能である。
以上のような工程を経て、有機ＥＬ素子１が製造される。

＜電子機器＞
また、本発明の有機ＥＬ素子（本発明の電子デバイス）１は、各種電子機器に用いることができる。
図２は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、例えば、表示ユニット１１０６が前述の有機ＥＬ素子（電子デバイス）１を備えている。

図３は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、例えば、この表示部が前述の有機ＥＬ素子（電子デバイス）１を備えている。

図４は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、例えば、この表示部が前述の有機ＥＬ素子（電子デバイス）１を備えている。

ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。

なお、本発明の電子機器は、図２のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図３の携帯電話機、図４のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。

以上、本発明の導電性材料用組成物、導電性材料、導電層、電子デバイスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、本発明の電子デバイスは、導電層を正孔輸送層として用いる場合、上述した表示素子（発光素子）の一例である有機ＥＬ素子に適用することができる他、例えば、受光素子（光電変換素子）の一例である太陽電池等に適用することができる。
さらに、本発明の導電層は、上述した正孔輸送層として用いる他、例えば、配線、電極および有機半導体層等に適用することができる。そして、この場合、本発明の電子デバイスは、例えば、スイッチング素子（薄膜トランジスタ）、配線基板、半導体素子等に適用することができる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．化合物の合成
まず、以下に示すような化合物（Ａ）〜（Ｉ）を用意した。
＜化合物（Ａ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールを無水ジメチルホルムアミド中で、ベンジルブロミドと水素化ナトリウムで処理し、ヒドロキシル基をベンジルエーテル基に変換し保護した。

次に、その得られた化合物１ｍｏｌを酢酸１５０ｍＬに溶解し、室温で無水酢酸を滴下後、撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過し、水洗後、乾燥した。
次に、６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに施したのと同様の処理により、６−（ｐ−ブロモフェニル）ヘキサノールから、ヒドロキシル基をベンジルエーテル基に変換し保護した乾燥物（ベンジルエーテル誘導体）を得た。

次に、６−（ｐ-アミノフェニル）ヘキサノールから得られたベンジルエーテル誘導体０．３７ｍｏｌ、６−（ｐ−ブロモフェニル）ヘキサノールから得られたベンジルエーテル誘導体０．６６ｍｏｌ、炭酸カリウム１.１ｍｏｌ、銅粉、ヨウ素を混合し、２００℃で加熱した。放冷後、イソアミルアルコール１３０ｍＬ、純水５０ｍＬ、水酸化カリウム０.７３ｍｏｌを加え撹拌後、乾燥した。
さらに、そこで得られた化合物１３０ｍｍｏｌ、４，４’−ジヨードビフェニル６２ｍｍｏｌ、酢酸パラジウム１.３ｍｍｏｌ、ｔ−ブチルホスフィン５.２ｍｍｏｌ、ｔ−ブトキシナトリム２６０ｍｍｏｌ、キシレン７００ｍＬを混合して、１２０℃で撹拌した。その後、放冷し、結晶化した。

その得られた化合物を、Ｐｄ−Ｃ触媒下水素ガスで還元し、ベンジルエーテル基からヒドロキシル基へ変換し脱保護した後、放冷し結晶化して化合物を得た。
そして、質量スペクトル（ＭＳ）法、¹Ｈ-核磁気共鳴（¹Ｈ-ＮＭＲ）スペクトル法、¹³Ｃ-核磁気共鳴（¹³Ｃ-ＮＭＲ）スペクトル法、およびフーリエ変換赤外吸収（ＦＴ−ＩＲ）スペクトル法により、得られた化合物が下記化合物（Ａ）であることを確認した。

＜化合物（Ｂ）＞
４，４’−ジヨードビフェニルに代えて４，４’−ジヨード−２，２’−ジメチルビフェニルを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｂ）を得た。

＜化合物（Ｃ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに代えて２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールを用い、６−（ｐ−ブロモフェニル）ヘキサノールに代えて２−（ｐ−ブロモフェニル）エタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｃ）を得た。

＜化合物（Ｄ）＞
２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールに代えて２−（２’，６’−ジメチル−４’−アミノフェニル）エタノールを用いた以外は、前記化合物（Ｃ）と同様にして、化合物（Ｄ）を得た。

＜化合物（Ｅ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用い、６−（ｐ−ブロモフェニル）ヘキサノールに代えて８−（ｐ−ブロモフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｅ）を得た。

＜化合物（Ｆ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｆ）を得た。

＜化合物（Ｇ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに代えて１−（ｐ−アミノフェニル）メタノールを用い、６−（ｐ−ブロモフェニル）ヘキサノールに代えて１−（ｐ−ブロモフェニル）メタノールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｇ）を得た。

＜化合物（Ｈ）＞
下記化合物（Ｈ）として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）−ベンジジン（トスコ社製、「ＯＳＡ６１４０」）を用意した。

＜化合物（Ｉ）＞
下記化合物（Ｉ）として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（バイエル社製、「バイトロンＰ」）を用意した。

２．有機ＥＬ素子の製造
以下の各実施例および各比較例において、有機ＥＬ素子を５個ずつ製造した。
（実施例１）
［正孔輸送材料の調製］
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ａ）を、塩基としてピリジンを、有機溶媒としてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）をそれぞれ用い、化合物（Ａ）をピリジンとＴＨＦとの容積比が５：１の混合液に溶解させて、正孔輸送材料を調製した。

［有機ＥＬ素子の作製］
−１− まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板上に、真空蒸着法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。
−２− 次に、ＩＴＯ電極が設けられたガラス基板をチャンバー内に設置し、ＩＴＯ電極上に、前記正孔輸送材料を、スピンコート法により塗布した。
そして、０℃に保った密閉容器中に前記正孔輸送材料にホスゲンを１気圧（０℃）になるように導入し、１時間保持することにより、化合物（Ａ）が備える水酸化アルキル基とホスゲンとを重縮合反応させた後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

−３− 次に、正孔輸送層上に、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）（重量平均分子量２０００００）の１．７ｗｔ％キシレン溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。
−４− 次に、発光層上に、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールを真空蒸着し、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
−５− 次に、電子輸送層上に、真空蒸着法により、平均厚さ３００ｎｍのＡｌＬｉ電極（陰極）を形成した。
−６− 次に、形成した各層を覆うように、ポリカーボネート製の保護カバーを被せ、紫外線硬化性樹脂により固定、封止して、有機ＥＬ素子を完成した。

（実施例２）
［正孔輸送材料の調製］
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ａ）を、ホスゲン誘導体としてジエチルカーボネートをそれぞれ用い、化合物（Ａ）とジエチルカーボネートとをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解させて、正孔輸送材料（導電性材料用組成物）を調製した。
なお、化合物（Ａ）とジエチルカーボネートとの混合比をモル比で、１：８とした。

［有機ＥＬ素子の作製］
前記工程−２−において、ＩＴＯ電極上に塗布（供給）された前記正孔輸送材料を、窒素ガス雰囲気下、１５０℃、１０^３Ｐａの処理条件で３０分間加熱処理を施して、化合物（Ａ）が備える水酸化アルキル基とジエチルカーボネートとをエステル交換反応させることにより、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した以外は、前記実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。

（実施例３）
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ｂ）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（実施例４）
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ｂ）を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。

（実施例５）
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ｃ）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（実施例６）
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ｃ）を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。

（実施例７）
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ｄ）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（実施例８）
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ｄ）を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。

（実施例９）
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ｅ）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（実施例１０）
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ｅ）を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。

（実施例１１）
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ｆ）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（実施例１２）
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ｆ）を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。

（比較例１）
［正孔輸送材料の調製］
化合物（Ｈ）をジクロロエタンに溶解させて、正孔輸送材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
前記工程−２−において、ＩＴＯ電極上に塗布（供給）された前記正孔輸送材料を乾燥させることにより正孔輸送層を形成した以外は、前記実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。

（比較例２）
［正孔輸送材料の調製］
化合物（Ｉ）を水に分散させることにより、２．０ｗｔ％水分散液を調製して、正孔輸送材料を得た。
なお、化合物（Ｉ）としては、３，４−エチレンジオキシチオフェンとスチレンスルホン酸との比率が、重量比で１：２０のものを用いた。
［有機ＥＬ素子の作製］
正孔輸送材料として、前記正孔輸送材料を用いた以外は、前記比較例１と同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。

（比較例３）
［正孔輸送材料の調製］
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ａ）を用い、化合物（Ａ）とポリカーボネート樹脂（帝人化成社製、「パンライトＬ−１２５０」）とを重量比で３：７の混合比でジクロロエタンに混合させて、正孔輸送材料を調製した。
［有機ＥＬ素子の作製］
正孔輸送材料として、前記正孔輸送材料を用いた以外は、前記比較例１と同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。

（比較例４）
［正孔輸送材料の調製］
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ｈ）を用い、光架橋剤としてビスフェノールＡ型エポキシ化合物（旭電化工業社製、「アデカレジンＥＰ」）を用いて、化合物（Ｈ）とビスフェノールＡ型エポキシ化合物と光カチオン重合開始剤（住友スリーエム社製、「ＦＣ−５０８」）とを重量比で８５：１４：１の比率でジクロロエタンに混合させて、正孔輸送材料を得た。

［有機ＥＬ素子の作製］
前記工程−２−において、ＩＴＯ電極上に塗布（供給）された前記正孔輸送材料を乾燥した後、このものに対して、水銀ランプ（ウシオ電機社製、「ＵＭ−４５２型式」）にフィルターを用いて、大気中で波長３６５ｎｍ、照射強度４００ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１０秒間照射し、その後、１１０℃で６０分間加熱することにより正孔輸送層を形成した以外は、前記実施例１と同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。

（比較例５）
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ｇ）を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。
（比較例６）
ジフェニルアミン誘導体として化合物（Ｇ）を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、正孔輸送材料の調製を行った後、有機ＥＬ素子を製造した。

３．評価
各実施例および各比較例の有機ＥＬ素子について、それぞれ、発光輝度（ｃｄ／ｍ^２）、最大発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定すると共に、発光輝度が初期値の半分になる時間（半減期）を測定した。
また、各測定値は、いずれも、５個の有機ＥＬ素子の平均値を求めた。

なお、発光輝度の測定は、ＩＴＯ電極とＡｌＬｉ電極との間に６Ｖの電圧を印加することで行った。
そして、比較例１で測定された各測定値（発光輝度、最大発光効率、半減期）を基準値として、各実施例および各比較例で測定された各測定値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。

◎：比較例１の測定値に対し、１．５０倍以上である
○：比較例１の測定値に対し、１．２５倍以上、１．５０倍未満である
△：比較例１の測定値に対し、１．００倍以上、１．２５倍未満である
×：比較例１の測定値に対し、０．７５倍以上、１．００倍未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表１に示す。

表１に示すように、各実施例の有機ＥＬ素子（本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層を備える有機ＥＬ素子）は、いずれも、各比較例の有機ＥＬ素子と比較して、発光輝度、最大発光効率および半減期ともに、優れた結果が得られた。
これにより、本発明の有機ＥＬ素子は、主骨格同士の相互作用が好適に低減され、かつ、正孔輸送層と発光層との相溶解が好適に防止されていることが明らかとなった。
また、置換基Ｘを適宜選択することにより、各実施例において、主骨格の離間距離が適切な大きさに保たれているものほど、優れた発光輝度の向上、最大発光効率の向上および半減期の延長を示す結果が得られた。

有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。

符号の説明

１……有機ＥＬ素子 ２……基板 ３……陽極 ４……有機ＥＬ層 ４１……正孔輸送層 ４２……発光層 ４３……電子輸送層 ５……陰極 ６……保護層 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００‥‥ディジタルスチルカメラ １３０２‥‥ケース（ボディー） １３０４‥‥受光ユニット １３０６‥‥シャッタボタン １３０８‥‥回路基板 １３１２‥‥ビデオ信号出力端子 １３１４‥‥データ通信用の入出力端子 １４３０‥‥テレビモニタ １４４０‥‥パーソナルコンピュータ

Claims (19)

1. 下記一般式（１）で表される化合物同士を、それらが持つ置換基Ｘ^１、置換基Ｘ^２、置換基Ｘ^３および置換基Ｘ^４のいずれかとホスゲンおよび／またはその誘導体とを重縮合反応させ、連結してなることを特徴とする導電性材料。
   

   

   ［式中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
   

   

   ［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
2. 前記ホスゲン誘導体は、下記一般式（３）で表される化合物である請求項１に記載の導電性材料。
   

   

   ［式中、２つのＺは、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
3. 前記置換基Ｘ^１と前記置換基Ｘ^３とは、同一である請求項１または２に記載の導電性材料。
4. 前記置換基Ｘ^２と前記置換基Ｘ^４とは、同一である請求項１ないし３のいずれかに記載の導電性材料。
5. 前記置換基Ｘ^１、前記置換基Ｘ^２、前記置換基Ｘ^３および前記置換基Ｘ^４は、同一である請求項１ないし４のいずれかに記載の導電性材料。
6. 前記置換基Ｘ^１、前記置換基Ｘ^２、前記置換基Ｘ^３および前記置換基Ｘ^４は、それぞれが結合するベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合している請求項１ないし５のいずれかに記載の導電性材料。
7. 前記基Ｙは、炭素原子と水素原子とで構成されている請求項１ないし６のいずれかに記載の導電性材料。
8. 前記基Ｙの総炭素数は、６〜３０である請求項１ないし７のいずれかに記載の導電性材料。
9. 前記基Ｙにおいて、前記芳香族炭化水素環の数は、１〜５である請求項１ないし８のいずれかに記載の導電性材料。
10. 前記基Ｙは、ビフェニレン基またはその誘導体である請求項１ないし９のいずれかに記載の導電性材料。
11. 下記一般式（１）で表される化合物と、ホスゲン誘導体とを含有することを特徴とする導電性材料用組成物。
    

    

    ［式中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４は、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、８つのＲは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
    

    

    ［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
12. 請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電性材料を主材料とすることを特徴とする導電層。
13. 請求項１１に記載の導電性材料用組成物を用いて形成されたことを特徴とする導電層。
14. 前記導電層は、正孔輸送層である請求項１２または１３に記載の導電層。
15. 前記正孔輸送層の平均厚さは、１０〜１５０ｎｍである請求項１４に記載の導電層。
16. 請求項１２ないし１５のいずれかに記載の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする電子デバイス。
17. 前記電子デバイスは、発光素子または光電変換素子である請求項１６に記載の電子デバイス。
18. 前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項１７に記載の電子デバイス。
19. 請求項１６ないし１８のいずれかに記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。

Images