JP2006213904A - 導電性材料、導電性材料用組成物、導電層、電子デバイスおよび電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】キャリア輸送能の優れた導電性材料。
【解決手段】式（１）で表される化合物を、ホスゲンおよび／またはその誘導体とを重縮合反応させる。

［Ｒ^１は、炭素数２〜８の直鎖アルキル基を表し、Ｒ^２は、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、Ｘはヒドロキシアルキル基を表し、Ｙは置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
【選択図】なし

Description

本発明は、導電性材料、導電性材料用組成物、導電層、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。

有機材料を使用したエレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子（発光素子）としての用途が有望視され、多くの開発が行われている。
一般に、有機ＥＬ素子は、陰極と陽極との間に発光層を有する構成であり、陰極と陽極との間に電界を印加すると、発光層に陰極側から電子が注入され、陽極側から正孔が注入される。

そして、注入された電子と正孔とが発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際の励起エネルギーを光エネルギーとして放出することにより、発光層が発光する。
このような有機ＥＬ素子において、有機ＥＬ素子の高効率化、すなわち、高い発光を得るためには、電子または正孔のキャリア輸送性の異なる有機材料で構成される有機層を、発光層と、陰極および／または陽極との間に積層する素子構造が有効であることが判っている。

そこで、キャリア輸送特性の異なる発光層と有機層と（以下、これらを併せて「有機層」という。）を電極上に積層する必要があるが、従来の塗布法を用いる製造方法においては、有機層を積層する際に、隣接する有機層との間で相溶解が生じ、その結果として、有機ＥＬ素子としての発光効率、発色の色純度またはパターン精度が悪くなる等の特性が低下するという問題があった。

そのため、有機層を積層する場合には、有機材料として溶解性の異なるものを組み合わせて用いることにより、積層するのに限られていた。
このような問題点を解決する方法として、下層となる有機層を構成する有機材料同士を重合化させることにより、下層の耐久性すなわち耐溶剤性を向上させる方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。

また、下層となる有機層を構成する有機材料に硬化性樹脂を添加し、この硬化性樹脂と一緒に硬化させることによって、下層の耐溶剤性を向上させる方法も開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
しかしながら、これらのような方法を用いた場合においても、有機ＥＬ素子の特性の向上は、期待するほど得られていないのが実情である。
また、このような問題は、有機材料を使用した薄膜トランジスタにおいても同様に生じている。

特開平９−２５５７７４号公報 特開２０００−２０８２５４号公報

本発明の目的は、キャリア輸送能の優れた導電性材料、キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物、キャリア輸送能の優れた導電層、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の導電性材料は、下記一般式（１）で表される化合物同士を、それらが持つ置換基Ｘとホスゲンおよび／またはその誘導体とを重縮合反応させ、連結してなることを特徴とする。

［式中、２つのＲ^１は、それぞれ独立して、炭素数２〜８の直鎖アルキル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、４つのＲ^２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、２つのＸは、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］

［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
これにより、優れたキャリア輸送能を有する導電性材料とすることができる。

本発明の導電性材料では、前記ホスゲン誘導体は、下記一般式（３）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、２つのＺは、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
かかる化合物を用いて、前記重縮合反応を行うことにより、生成された副生成物と未反応の前記一般式（３）で表される化合物とを、形成された導電層から確実に除去することができる。その結果、導電層のキャリア輸送能が低減するのを好適に防止することができる。

本発明の導電性材料では、２つの前記置換基Ｘは、同一であることが好ましい。
これにより、前記一般式（１）で表される化合物の置換基Ｘ以外の部分である主骨格同士による相互作用を好適に防止して、導電性材料のキャリア輸送能を向上させることができる。
本発明の導電性材料では、前記置換基Ｘは、ベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合していることが好ましい。
これにより、主骨格同士をより確実に離間させることができる。

本発明の導電性材料では、２つの前記置換基Ｒ^１は、同一であることが好ましい。
これにより、導電性材料を主材料とする導電層において、隣接する導電性材料同士の距離をほぼ一定の間隔に保つことができる。その結果、異なる導電性材料が有する主骨格同士の間での相互作用を確実に低減することができ、導電層のキャリア輸送能を優れたものにすることができる。

本発明の導電性材料では、前記置換基Ｒ^１は、ベンゼン環の４位に結合していることが好ましい。
これにより、導電性材料を主材料とする導電層において、隣接する導電性材料同士が接近しすぎるのをより確実に阻止することができる。
本発明の導電性材料では、前記複素環は、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有することが好ましい。
これにより、導電性材料の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等がより容易に変化して、導電性材料のキャリア輸送能の特性を確実に変化させることができる。

本発明の導電性材料では、前記複素環は、芳香族系のものであることが好ましい。
これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止して、導電性材料のキャリア輸送能の低下を防止することができる。
本発明の導電性材料では、前記基Ｙは、複素環を１〜５つ含むものであることが好ましい。
基Ｙに、このような数の複素環が存在すれば、導電性材料の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を十分に変化させることができる。

本発明の導電性材料では、前記基Ｙは、前記複素環以外に、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含むことが好ましい。
基Ｙとして、複素環と芳香族炭化水素環とを含むものを選択することにより、目的とするキャリア輸送能の特性を導電性材料により確実に付与することができる。
本発明の導電性材料では、前記基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する前記芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの前記複素環とを含むことが好ましい。
これにより、導電性材料中における電子密度に偏りが生じるのを確実に防止することができ、導電性材料のキャリア輸送能が均一なものとなる。

本発明の導電性材料では、前記基Ｙの総炭素数は、２〜７５であることが好ましい。
これにより、主骨格における平面性が保たれることから、導電性材料におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止することができる。
本発明の導電性材料用組成物は、下記一般式（１）で表される化合物と、ホスゲン誘導体とを含有することを特徴とする。

［式中、２つのＲ^１は、それぞれ独立して、炭素数２〜８の直鎖アルキル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、４つのＲ^２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、２つのＸは、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］

［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
これにより、キャリア輸送能の優れた導電層を形成することができる導電性材料用組成物とすることができる。

本発明の導電性材料用組成物では、前記ホスゲン誘導体は、下記一般式（３）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、２つのＺは、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
かかる化合物を用いて、前記重縮合反応を行うことにより、生成される副生成物と未反応の前記一般式（３）で表される化合物とを、形成される導電層から確実に除去することができる。その結果、導電層のキャリア輸送能が低減するのを好適に防止することができる。

本発明の導電性材料用組成物では、２つの前記置換基Ｘは、同一であることが好ましい。
これにより、前記重縮合反応させて得られる化学構造により連結される高分子（導電性材料）において、電子密度に隔たりが生じるのを好適に防止して、高分子のキャリア輸送能を向上させることができる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｘは、ベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合していることが好ましい。
これにより、形成される導電層において、主骨格同士をより確実に離間させることができる。

本発明の導電性材料用組成物では、２つの前記置換基Ｒ^１は、同一であることが好ましい。
これにより、形成される導電層において、隣接する高分子同士の距離をほぼ一定の間隔に保つことができる。その結果、異なる導電性材料が有する主骨格同士の間での相互作用を確実に低減することができ、導電層のキャリア輸送能を優れたものにすることができる。

本発明の導電性材料用組成物では、前記置換基Ｒ^１は、ベンゼン環の４位に結合していることが好ましい。
これにより、形成される導電層において、隣接する高分子同士が接近しすぎるのをより確実に阻止することができる。
本発明の導電性材料用組成物では、前記複素環は、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有することが好ましい。
これにより、形成される導電層において、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等がより容易に変化して、高分子のキャリア輸送能の特性を確実に変化させることができる。

本発明の導電性材料用組成物では、前記複素環は、芳香族系のものであることが好ましい。
これにより、形成される導電層において、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止して、高分子のキャリア輸送能の低下を防止することができる。

本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙは、複素環を１〜５つ含むものであることが好ましい。
基Ｙに、このような数の複素環が存在すれば、形成される導電層において、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を十分に変化させることができる。

本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙは、前記複素環以外に、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含むことが好ましい。
基Ｙとして、複素環と芳香族炭化水素環とを含むものを選択することにより、形成される導電層において、目的とするキャリア輸送能の特性を高分子により確実に付与することができる。

本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する前記芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの前記複素環とを含むことが好ましい。
これにより、形成される導電層において、高分子中における電子密度に偏りが生じるのを確実に防止することができ、高分子のキャリア輸送能が均一なものとなる。

本発明の導電性材料用組成物では、前記基Ｙの総炭素数は、２〜７５であることが好ましい。
これにより、前記一般式（１）で表される化合物の溶媒に対する溶解度が高くなり、導電性材料用組成物を調整する際に、用いる溶媒の選択の幅が広がるという利点がある。
本発明の導電層は、本発明の導電性材料を主材料とすることを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能に優れる導電層を形成することができる。

本発明の導電層は、本発明の導電性材料用組成物を用いて形成されたことを特徴とする。
これにより、キャリア輸送能に優れる導電層を形成することができる。
本発明の導電層は、正孔輸送層であることが好ましい。
これにより、正孔輸送能に優れる正孔輸送層を形成することができる。

本発明の導電層では、前記正孔輸送層の平均厚さは、１０〜１５０ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。
本発明の導電層は、電子輸送層であることが好ましい。
これにより、電子輸送能に優れる電子輸送層を形成することができる。

本発明の導電層では、前記電子輸送層の平均厚さは、１〜１００ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。
本発明の導電層は、有機半導体層であることが好ましい。
これにより、優れた半導体特性を示す有機半導体層を形成することができる。

本発明の導電層では、前記有機半導体層の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機薄膜トランジスタを得ることができる。
本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。

本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスは、発光素子または光電変換素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高い発光素子および光電変換素子が得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機エレクトロルミネッセンス素子が得られる。

本発明の電子デバイスは、本発明の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子デバイスは、スイッチング素子であることが好ましい。
これにより、信頼性の高いスイッチング素子が得られる。
本発明の電子デバイスでは、前記スイッチング素子は、有機薄膜トランジスタであることが好ましい。
これにより、信頼性の高い有機薄膜トランジスタが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。

以下、本発明の導電性材料、導電性材料用組成物、導電層、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜導電層＞
まず、本発明の導電性材料を主材料として構成される導電層（本発明の導電層）について説明する。

本発明の導電性材料は、下記一般式（１）で表される化合物（ヘテロアリールアミン誘導体）同士を、それらが持つ置換基Ｘと、ホスゲンおよび／またはその誘導体とを重縮合反応させ、連結してなるものである。

［式中、２つのＲ^１は、それぞれ独立して、炭素数２〜８の直鎖アルキル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、４つのＲ^２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、２つのＸは、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］

［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
具体的には、本発明の導電性材料は、前記一般式（１）で表される化合物における置換基Ｘ以外の主骨格（ヘテロアリールアミン骨格）同士を、置換基Ｘと、化学式ＣＯＣｌ_２で表されるホスゲンおよび／またはその誘導体とが重縮合反応して生成した下記一般式（４）で表される化学構造（以下、この化学構造を単に「連結構造」ということもある。）により連結してなる高分子（ポリマー）を主成分とするものである。

［式中、２つのｎは、それぞれ独立して、２〜８の整数を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
ここで、このような高分子は、前記一般式（４）で表される化学構造、すなわち２つの直鎖状の炭素−炭素結合（アルキレン基）がカーボネート結合により連結する化学構造を介して前記主骨格が繰り返して存在する構成となっている。この化学構造の存在により、主骨格同士は、所定の距離離間して存在することとなる。このため、隣接する主骨格同士の相互作用を低減することができる。

また、前記主骨格は、共役系の化学構造を有し、その特有な電子雲の広がりにより、高分子における円滑なキャリア（正孔または電子）の輸送に寄与する。
このようなことから、この高分子は、優れたキャリア輸送能を発揮し、かかる高分子を主材料とする導電層は、キャリア輸送能に優れたものとなる。
なお、このような高分子において、主骨格同士の離間距離が短くなり過ぎると、隣接する主骨格同士の相互作用が大きくなる傾向を示し、主骨格の離間距離が長くなり過ぎると、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しが困難となり、高分子のキャリア輸送能が低減する傾向を示す。

かかる観点から、前記連結構造を次のように設定するのが好ましい。
すなわち、置換基Ｘの構造（前記一般式（２）で表される置換基）、ホスゲンおよび／またはその誘導体として、次のようなものを選択するのが好ましい。
置換基Ｘは、前記一般式（２）中、ｎが２〜８、特に３〜６の直鎖状の炭素−炭素結合で構成されているのが好ましい。これにより、主骨格同士の距離を適度に保つことが可能となり、高分子中において、隣接する主骨格同士の相互作用をより確実に低減することができるとともに、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しがより確実に行われることから、高分子のキャリア輸送能が優れたものとなる。

また、２つの置換基Ｘは、ほぼ同一の炭素数のものであるのが好ましく、同一の炭素数のものであるのがより好ましい。これにより、隣接する主骨格同士の離間距離をほぼ一定とすることができる。その結果、この高分子中において電子密度に偏りが生じるのを好適に防止することができる。これにより、高分子のキャリア輸送能を向上させることができる。

また、置換基Ｘは、ベンゼン環の２位から６位のいずれの位置に結合してもよいが、特に、３位、４位または５位のうちのいずれかに結合しているのが好ましい。これにより、隣接する主骨格同士の結合を連結構造を介して行うことの効果をより顕著に発揮させることができる。すなわち、隣接する主骨格同士をより確実に離間させることができる。
また、ホスゲンおよび／またはその誘導体としては、置換基Ｘ（水酸化アルキル基）と重縮合反応することにより、前記一般式（４）で表される化学構造が形成されるものであれば、特に限定されないが、特に、ホスゲンおよび／または下記一般式（３）で表される化合物（以下、単に「化合物（３）」ということもある。）を主成分とするものを用いるのが好ましい。

［式中、２つのＺは、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
ここで、置換基Ｘとホスゲンおよび／またはその誘導体とが重縮合反応すると、副生成物が生成することとなる。このような重縮合反応において、ホスゲンおよび／または前記化合物（３）を用いることにより、後述する有機ＥＬ素子の製造方法における工程［Ａ２］で説明するように、前記副生成物を導電層（正孔輸送層４１）から比較的容易に除去することができる。これにより、導電層中において前記副生成物によりキャリアが捕捉されるのを確実に阻止することができる。その結果、導電層のキャリア輸送能が低減することを好適に防止することができる。

なお、前記一般式（４）で表される化学構造中には、カーボネート結合を構成する二重結合（π結合）が存在することとなる。これにより、主骨格同士の距離が比較的長くなった場合においても、このπ結合を介して、主骨格同士間におけるキャリアの受け渡しを確実に行うことができる。
さらに、このカーボネート結合と主骨格の間には、アルキレン基が存在することとなる。このため、主骨格における電子密度が連結構造側に偏るのを防止できるので、主骨格同士の距離が比較的短くなった場合においても、主骨格同士の相互作用が増強するのを好適に防止または抑制することができる。

なお、例えば、ベンゼン環のように、π結合の中でも共役系の結合が多い構造が前記一般式（４）で表される化学構造中に存在すると、この構造を介して隣接する主骨格同士が相互作用を及ぼすようになり、主骨格同士を離間することによる効果が相殺されてしまう。
次に、高分子において、キャリア輸送に寄与する主骨格について説明をする。

この主骨格において、基（結合基）Ｙの化学構造を適宜設定することにより、高分子のキャリア輸送能の特性を変化させることができる。
これは、キャリア輸送に寄与する主骨格における電子雲の広がり（電子の分布状態）が変化することに伴って、高分子において、例えば、その価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等が変化することに起因すると考えられる。

本発明の導電性材料では、基Ｙに置換もしくは無置換の複素環が少なくとも１つ含まれており、この複素環の種類を選択することにより、高分子におけるキャリア輸送能の特性を比較的容易に調整することができる。
この複素環は、高分子に所望のキャリア輸送能が得られるように選択すればよいが、特に、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有するものを選択するのが好ましい。かかる種類のヘテロ原子を含有する複素環を選択することにより、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を変化させることがより容易となる。

また、複素環は、芳香族系および非芳香族系のいずれであってもよいが、芳香族系のものであるのが好ましい。これにより、主骨格の共役系の化学構造における電子密度の偏り、すなわち、π電子の局在化を好適に防止して、高分子のキャリア輸送能の低下を防止することができる。
基Ｙは、同一または異なる複素環を１〜５つ含むものが好ましく、１〜３つ含むものがより好ましい。基Ｙにこのような数の複素環が存在すれば、高分子の価電子帯および伝導帯のエネルギー準位やバンドギャップ（禁止帯幅）の大きさ等を十分に変化させることができる。

さらに、基Ｙは、複素環以外に、芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含むものを選択することもできる。基Ｙとして、複素環と芳香族炭化水素環とを含むものを選択することにより、目的とするキャリア輸送能の特性を高分子により確実に付与することができる。
このような基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの複素環とを含むものであるのが、特に好ましい。これにより、高分子中における電子密度に偏りが生じるのを確実に防止することができる。その結果、高分子のキャリア輸送能が均一なものとなる。

また、基Ｙの総炭素数は、２〜７５であるのが好ましく、２〜５０であるのがより好ましい。基Ｙの総炭素数が多すぎると、置換基Ｘの種類によっては、前記一般式（１）で表される化合物の溶媒に対する溶解度が低下する傾向を示し、本発明の導電性材料用組成物を調整する際の溶媒の選択の幅が狭くなるおそれがある。
また、基Ｙの総炭素数をかかる範囲内とすることにより、主骨格における平面性が保たれることから、高分子におけるキャリア輸送能が低下するのを確実に防止することができる。
これらのことを考慮すると、前記一般式（１）で表される化合物において、基Ｙとしては、例えば、下記化学式（５）〜（２４）で表されるものが特に好ましい構造である。

［式中、２つのＱ^１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］

［式中、２つのＱ^１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］

［式中、２つのＱ^１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよく、４つのＱ^２は、それぞれ独立して、ＳまたはＯを表し、同一であっても、異なっていてもよい。］

［式中、２つのＱ^１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよく、４つのＱ^２は、それぞれ独立して、ＳまたはＯを表し、同一であっても、異なっていてもよい。］

［式中、２つのＱ^１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよく、４つのＱ^２は、それぞれ独立して、ＳまたはＯを表し、同一であっても、異なっていてもよい。］

［式中、Ｑ^１は、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表す。］

［式中、Ｑ^３は、Ｎ−Ｔ^３、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^３は、Ｈ、ＣＨ_３、Ｃ_２Ｈ_５またはＰｈを表す。）を表す。］

［式中、Ｑ^１は、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表す。］

［式中、Ｑ^１は、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表す。］

［式中、３つのＱ^１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］

［式中、３つのＱ^１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］

［式中、Ｑ^１は、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表す。］

［式中、Ｑ^１は、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表す。］

［式中、３つのＱ^１は、それぞれ独立して、Ｎ−Ｔ^１、Ｓ、Ｏ、ＳｅまたはＴｅ（ただし、Ｔ^１は、Ｈ、ＣＨ_３またはＰｈを表す。）を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
また、基Ｙに含まれる複素環や芳香族炭化水素環には、主骨格における平面性が大きく阻害されないような置換基が導入されていてもよい。このような置換基としては、例えば、比較的炭素数の少ないアルキル基やハロゲン基等が挙げられる。

さて、上記一般式（１）で表される化合物において、置換基Ｒ^１は、炭素数２〜８の直鎖アルキル基であるが、特に、炭素数３〜６の直鎖アルキル基であるのが好ましい。その結果、この置換基Ｒ^１による立体障害により、隣接する高分子同士が接近しすぎるのを阻止して、これらの距離を適度に保つことができる。その結果、形成される導電層において、異なる高分子が有する主骨格同士の間での相互作用を確実に低減することができ、導電層のキャリア輸送能を優れたものにすることができる。

また、２つの置換基Ｒ^１は、ほぼ同一の炭素数のものであるのが好ましく、同一の炭素数のものであるのがより好ましい。これにより、形成される導電層において、隣接する高分子同士の距離をほぼ一定の間隔に保つことができる。その結果、導電層中の高分子の密度が一定なものとなる。
また、置換基Ｒ^１は、ベンゼン環の２位から６位のいずれの位置に結合してもよいが、特に、４位に結合しているのが好ましい。これにより、置換基Ｒ^１を導入することの効果をより顕著に発揮させることができる。すなわち、隣接する高分子同士が接近しすぎるのをより確実に阻止することができる。

置換基Ｒ^２は、水素原子、メチル基またはエチル基であり、置換基Ｒ^２は、置換基Ｒ^１の炭素数に応じて選択するようにすればよい。例えば、置換基Ｒ^１の炭素数が大きい場合には、置換基Ｒ^２としては、水素原子を選択し、置換基Ｒ^１の炭素数が小さい場合には、置換基Ｒ^２としては、メチル基もしくはエチル基を選択するようにすればよい。
このような導電層は、重縮合反応により得られた高分子を主材料とすることから、耐溶剤性に優れたものとなる。その結果、この導電層上に接触して上層を形成する場合に、この上層を形成するための材料に含まれる溶媒または分散媒により、導電層が膨潤または溶解するのを確実に防止することができる。

また、このような導電層を有する積層体を用いて、後述するような電子デバイスを構築した場合、この導電層が高分子を主材料として構成されていることから、この導電層と接触する層（接触層）の界面付近において、導電層の構成材料と接触層の構成材料とが経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。その結果、電子デバイスの特性が経時的に劣化するのを防止することができる。

＜有機エレクトロルミネッセンス素子＞
次に、本発明の電子デバイスを、発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に「有機ＥＬ素子」という。）に適用した場合の実施形態について説明する。
図１は、有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。
図１に示す有機ＥＬ素子１は、透明な基板２と、基板２上に設けられた陽極３と、陽極３上に設けられた有機ＥＬ層４と、有機ＥＬ層４上に設けられた陰極５と、各前記層３、４、５を覆うように設けられた保護層６とを備えている。

基板２は、有機ＥＬ素子１の支持体となるものであり、この基板２上に各前記層が形成されている。
基板２の構成材料としては、透光性を有し、光学特性が良好な材料を用いることができる。
このような材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような各種樹脂材料や、各種ガラス材料等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。

基板２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
陽極３は、有機ＥＬ層４（後述する正孔輸送層４１）に正孔を注入する電極である。また、この陽極３は、有機ＥＬ層４（後述する発光層４２）からの発光を視認し得るように、実質的に透明（無色透明、有色透明、半透明）とされている。

かかる観点から、陽極３の構成材料（陽極材料）としては、仕事関数が大きく、導電性に優れ、また、透光性を有する材料を用いるのが好ましい。
このような陽極材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ₂、Ｓｂ含有ＳｎＯ₂、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。

陽極３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜２００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極３の厚さが薄すぎると、陽極３としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陽極３が厚過ぎると、陽極材料の種類等によっては、光の透過率が著しく低下し、実用に適さなくなるおそれがある。

なお、陽極材料には、例えば、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂材料を用いることもできる。
一方、陰極５は、有機ＥＬ層４（後述する電子輸送層４３）に電子を注入する電極である。
陰極５の構成材料（陰極材料）としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。

このような陰極材料としては、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。
特に、陰極材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極材料として用いることにより、陰極５の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。

陰極５の厚さ（平均）は、１ｎｍ〜１μｍ程度であるのが好ましく、１００〜４００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極５の厚さが薄すぎると、陰極５としての機能が充分に発揮されなくなるおそれがあり、一方、陰極５が厚過ぎると、有機ＥＬ素子１の発光効率が低下するおそれがある。
陽極３と陰極５との間には、有機ＥＬ層４が設けられている。有機ＥＬ層４は、正孔輸送層４１と、発光層４２と、電子輸送層４３とを備え、これらがこの順で陽極３上に形成されている。

正孔輸送層４１は、陽極３から注入された正孔を発光層４２まで輸送する機能を有するものであり、電子輸送層４３は、陰極５から注入された電子を発光層４２まで輸送する機能を有するものである。
これら正孔輸送層４１および電子輸送層４３の構成材料としてそれぞれ、本発明の導電性材料を用いることができる。

ここで、正孔輸送層４１と電子輸送層４３との双方を本発明の導電性材料を主材料として構成する場合、導電性材料の正孔輸送能および電子輸送能を考慮して、これらの構成材料を選択すればよい。
すなわち、正孔輸送層４１が電子輸送層４３に対して相対的に正孔輸送能が高くかつ電子輸送能が低くなるように、換言すれば、電子輸送層４３が正孔輸送層４１に対して相対的に電子輸送能が高くかつ正孔輸送能が低くなるように、これらの構成材料を選択すればよい。

例えば、正孔輸送層４１に用いる導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（２２）または（２４）のものを選択した場合には、電子輸送層４３を構成する導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（１１）または（２３）のものを選択するのが好ましく、前記化学式（２１）のものを選択することもできる。また、電子輸送層４３を構成する導電性材料として、上記のものを用いた場合には、正孔輸送層４１を構成する導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（６）または、（２０）のものを選択することもできる。
また、正孔輸送層４１は、その体積抵抗率が１０Ω・ｃｍ以上であるのが好ましく、１０^２Ω・ｃｍ以上であるのがより好ましい。これにより、発光効率のより高い有機ＥＬ素子１を得ることができる。

正孔輸送層４１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。正孔輸送層４１の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じるおそれがあり、一方、正孔輸送層４１が厚過ぎると、正孔輸送層４１の透過率が悪くなる原因となり、有機ＥＬ素子１の発光色の色度（色相）が変化してしまうおそれがある。
さらに、電子輸送層４３の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２０〜５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。電子輸送層４３の厚さが薄すぎると、ピンホールが生じショートするおそれがあり、一方、電子輸送層４３が厚過ぎると、抵抗値が高くなるおそれがある。

また、本発明の導電性材料は、かかる比較的薄い正孔輸送層４１および電子輸送層４３を形成する場合に、特に有用である。
さて、陽極３と陰極５との間に通電（電圧を印加）すると、正孔輸送層４１中を正孔が、また、電子輸送層４３中を電子が移動し、発光層４２において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層４２では、この再結合に際して放出されたエネルギーによりエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギー（蛍光やりん光）を放出（発光）する。

この発光層４２の構成材料（発光材料）としては、電圧印加時に陽極３側から正孔を、また、陰極５側から電子を注入することができ、正孔と電子が再結合する場を提供できるものであれば、いかなるものであってもよい。
このような発光材料には、以下に示すような、各種低分子の発光材料、各種高分子の発光材料があり、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。

なお、低分子の発光材料を用いることにより、緻密な発光層４２が得られるため、発光層４２の発光効率が向上する。また、高分子の発光材料を用いることにより、比較的容易に溶剤へ溶解させることができるため、インクジェット印刷法等の各種塗布法による発光層４２の形成を容易に行うことができる。さらに、低分子の発光材料と高分子の発光材料とを組み合わせて用いることにより、低分子の発光材料および高分子の発光材料を用いる効果を併有すること、すなわち、緻密かつ発光効率に優れる発光層４２を、インクジェット印刷法等の各種塗布法により、容易に形成することができるという効果が得られる。

低分子の発光材料としては、例えば、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物、フェナントレンのようなフェナントレン系化合物、クリセン、６−ニトロクリセンのようなクリセン系化合物、ペリレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（２，５−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−３，４，９，１０−ペリレン−ジ−カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物、コロネンのようなコロネン系化合物、アントラセン、ビススチリルアントラセンのようなアントラセン系化合物、ピレンのようなピレン系化合物、４−（ジ−シアノメチレン）−２−メチル−６−（パラ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物、アクリジンのようなアクリジン系化合物、スチルベンのようなスチルベン系化合物、２，５−ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物、ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物、ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物、２，２’−（パラ−フェニレンジビニレン）−ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物、ビスチリル（１，４−ジフェニル−１，３−ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物、ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物、クマリンのようなクマリン系化合物、ペリノンのようなペリノン系化合物、オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物、アルダジン系化合物、１，２，３，４，５−ペンタフェニル−１，３−シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物、キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物、２，２’，７，７’−テトラフェニル−９，９’−スピロビフルオレンのようなスピロ化合物、フタロシアニン（Ｈ_２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、フローレンのようなフローレン系化合物、（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ_３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ_２）、（１，１０−フェナントロリン）−トリス−（４，４，４−トリフルオロ−１−（２−チエニル）−ブタン−１，３−ジオネート）ユーロピウム（III）（Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（ｐｈｅｎ））、ファクトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン）プラチナム（II）のような各種金属錯体等が挙げられる。

高分子の発光材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ−フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキル，フェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物、ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレンビニレン）（ＲＯ−ＰＰＶ）、シアノ−置換−ポリ（パラ−フェンビニレン）（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（２−ジメチルオクチルシリル−パラ−フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ−ＰＰＶ）、ポリ（２−メトキシ，５−（２’−エチルヘキソキシ）−パラ−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、α，ω−ビス［Ｎ，Ｎ’−ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］−ポリ［９，９−ビス（２−エチルヘキシル）フルオレン−２，７−ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）のようなポリフルオレン系化合物、ポリ（パラ−フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５−ジアルコキシ−パラ−フェニレン）（ＲＯ−ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物、ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物等が挙げられる。

また、正孔輸送層４１と電子輸送層４３とに用いる構成材料の組み合わせによっては、発光材料として本発明の導電性材料を用いることもできる。
例えば、正孔輸送層４１の構成材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）のようなポリ（チオフェン／スチレンスルホン酸）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（α−ＮＰＤ）のようなアリールアミン化合物等を用い、電子輸送層４３の構成材料として３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，５−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール化合物等を用いた場合には、発光層４２を構成する導電性材料として、基Ｙの化学構造が前記化学式（１６）および（１８）等のものを用いることができる。

発光層４２の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。発光層の厚さを前記範囲とすることにより、正孔と電子との再結合が効率よくなされ、発光層４２の発光効率をより向上させることができる。
なお、有機ＥＬ素子１は、正孔輸送層４１、発光層４２および電子輸送層４３のうちのいずれか１つが本発明の導電性材料で構成されるようなものであってもよく、これらの全てが本発明の導電性材料で構成されるようなものであってもよい。

また、発光層４２は、正孔輸送層４１および電子輸送層４３と別個に設けられているが、正孔輸送層４１と発光層４２とを兼ねた正孔輸送性発光層や、電子輸送層４３と発光層４２とを兼ねた電子輸送性発光層とすることもできる。この場合、正孔輸送性発光層の電子輸送層４３との界面付近が、また、電子輸送性発光層の正孔輸送層４１との界面付近が、それぞれ、発光層４２として機能する。

さらに、正孔輸送性発光層を用いた場合には、陽極から正孔輸送性発光層に注入された正孔が電子輸送層によって閉じこめられ、また、電子輸送性発光層を用いた場合には、陰極から電子輸送性発光層に注入された電子が電子輸送性発光層に閉じこめられるため、いずれも、正孔と電子との再結合効率を向上させることができるという利点がある。
なお、各層３、４、５同士の間には、任意の目的の層が設けられていてもよい。例えば、正孔輸送層４１と陽極３との間には、陽極３からの正孔の注入効率を向上させる正孔注入層を設けることができる。また、電子輸送層４３と陰極５との間には、陰極５からの電子の注入効率を向上させる電子注入層等を設けることができる。このように、有機ＥＬ素子１に正孔注入層および電子注入層を設ける場合には、この正孔注入層および電子注入層の構成材料として、本発明の導電性材料を用いることができる。

また、正孔注入層の構成材料としては、本発明の導電性材料の他、例えば、銅フタロシアニンや４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（Ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等を用いることもできる。
保護層６は、有機ＥＬ素子１を構成する各層３、４、５を覆うように設けられている。この保護層６は、有機ＥＬ素子１を構成する各層３、４、５を気密的に封止し、酸素や水分を遮断する機能を有する。保護層６を設けることにより、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果が得られる。

保護層６の構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉまたはこれらを含む合金、酸化シリコン、各種樹脂材料等を挙げることができる。なお、保護層６の構成材料として導電性を有する材料を用いる場合には、短絡を防止するために、保護層６と各層３、４、５との間には、必要に応じて、絶縁膜を設けるのが好ましい。
この有機ＥＬ素子１は、例えばディスプレイ用として用いることができるが、その他にも光源等としても使用可能であり、種々の光学的用途等に用いることが可能である。
また、有機ＥＬ素子１をディスプレイに適用する場合、その駆動方式としては、特に限定されず、アクティブマトリックス方式、パッシブマトリックス方式のいずれであってもよい。
このような有機ＥＬ素子１は、例えば、次のようにして製造することができる。

［Ａ１］陽極形成工程
まず、基板２を用意し、この基板２上に陽極３を形成する。
陽極３は、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。

［Ａ２］正孔輸送層形成工程
次に、陽極３を備える基板２をチャンバー内に設置し、陽極３上に本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層（本発明の導電層）４１を形成する。
正孔輸送層４１を形成する方法としては、前記一般式（１）で表される化合物（以下、単に「化合物（１）」ということもある。）が備える置換基Ｘと、ホスゲンおよび／またはその誘導体とを重縮合反応し得るものであればよく、各種の方法を用いることができるが、Ａ２−Ｉ：置換基Ｘとホスゲンとを重縮合反応させる方法（ホスゲン法）またはＡ２−II：置換基Ｘとホスゲン誘導体とをエステル交換反応させる方法（エステル交換法）を用いるのが好ましい。かかる方法によれば、前記重縮合反応の程度を、各種処理条件を適宜設定することにより、比較的容易に制御することができるため、形成される高分子（導電性材料）の鎖長の制御を容易かつ確実に行うことができる。
以下、これらの方法について、それぞれ説明する。

［Ａ２−Ｉ］ホスゲン法
［Ａ２−Ｉａ］ まず、有機溶媒に化合物（１）と塩基とを溶解させた正孔輸送材料を陽極３上に塗布（供給）する。
この塗布には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができる。かかる塗布法によれば、正孔輸送材料を比較的容易に陽極３上に供給することができる。

有機溶媒としては、例えば、ジクロロメタン（塩化メチレン）、トリクロロメタン、四塩化炭素、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，１−トリクロロエタン、ペンタクロロエタンのようなハロゲン化合物系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼンのような芳香族炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）のようなエーテル系溶媒等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、塩基は、ホスゲンから供給されるカルボニル基を安定化させるために使用され、例えば、ピリジン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジメチルアニリン、ホルミルジメチルアミン、トリフェニルアミンのような塩基性有機溶媒や水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化セシウムのようなアルカリ金属の水酸化物等が挙げられ、これらの中でも、塩基性有機溶媒を主成分とするものを用いるのが好ましい。塩基性有機溶媒は、形成される正孔輸送層４１から比較的容易に除去（脱溶媒）することができるものである。そのため、このものが不純物として正孔輸送層４１中に残存するのを好適に防止することができる。

さらに、塩基性有機溶媒の中でも、次工程［Ａ２−Ｉｂ］において、置換基Ｘとホスゲンとの重縮合反応を促進させる触媒として機能するピリジン、トリエチルアミン、トリブチルアミンおよびジメチルアニリン等を用いるのが特に好ましい。これにより、前記重縮合反応をより効率良く進行させることができる。
なお、前記触媒としては、上述したものの他、例えば、トリメチルベンジルアンモニウムクロリド、トリエチルベンジルアンモニウムクロリド、トリブチルベンジルアンモニウムクロリドのような四級アンモニウム塩等が挙げられ、これらのものを正孔輸送材料に添加するようにしてもよい。
有機溶媒と塩基との混合比は、容積比で１０：１〜２：１であるのが好ましく、５：１〜３：１であるのがより好ましい。

［Ａ２−Ｉｂ］ 次に、陽極３上に塗布した正孔輸送材料に、ホスゲンを供給する。
これにより、置換基Ｘとホスゲンとが重縮合反応して、化合物（１）同士が連結構造により連結された高分子（本発明の導電性材料）が生成し、陽極３上に正孔輸送層４１が形成される。
この重縮合反応を進行させる際の混合物の温度は、−２０〜２０℃程度であるのが好ましく、−２０〜０℃程度であるのがより好ましい。混合物の温度をかかる範囲内にすることにより、陽極３上に供給された混合物における重縮合反応の進行を比較的容易に制御することができる。

また、反応時間は、混合物の温度によっても若干異なるが、１分〜４時間程度であるのが好ましく、１５分〜２時間程度であるのがより好ましい。
さらに、得られた正孔輸送層４１には、必要に応じて、例えば大気中、不活性雰囲気中、減圧（または真空）下等において熱処理を施すようにしてもよい。これにより、例えば、正孔輸送層４１の乾燥（脱溶媒または脱分散媒）、固化等を行うことができる。なお、正孔輸送層４１は、熱処理によらず乾燥してもよい。

なお、このようなホスゲン法において、化合物（１）との反応には、好ましくはホスゲンが用いられるが、この他、例えば、トリホスゲン、ブロモホスゲン、ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）カーボネート、ビス（２，４−ジクロロフェニル）カーボネート、ビス（２−シアノフェニル）カーボネート、クロロギ酸トリクロロメチル等を用いることができ、以上のものは、単独または任意の２種以上とを混合して用いることもできる。

［Ａ２−II］エステル交換法
［Ａ２−IIａ］ まず、前記化合物（１）と前述したようなホスゲン誘導体とを含有する本発明の導電性材料用組成物（正孔輸送材料）を陽極３上に塗布（供給）する。
この塗布には、前記工程［Ａ２−Ｉａ］で説明したのと同様の方法を用いることができる。

導電性材料用組成物の調製に用いる溶媒または分散媒としては、前記工程［Ａ２−Ｉａ］で説明した有機溶媒の他、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。

導電性材料用組成物中における化合物（１）とホスゲン誘導体との配合比は、モル比で、１：１〜１：１２であるのが好ましく、１：２〜１：６であるのがより好ましい。これにより、置換基Ｘとホスゲン誘導体との重縮合反応が効率良く進行し、未反応の化合物（１）が形成される正孔輸送層４１に残存するのを好適に防止することができる。また、かかる範囲のように、ホスゲン誘導体を化合物（１）よりも多く配合させることにより、ホスゲン誘導体に反応溶媒としての機能も発揮させることができる。
なお、導電性材料用組成物には、エステル交換反応を促進させるための触媒を添加するようにしてもよい。この触媒には、例えば、前記工程［Ａ２−Ｉａ］で説明したのと同様のものを用いることができる。

［Ａ２−IIｂ］ 次に、陽極３上に塗布した導電性材料用組成物を加熱する。
これにより、置換基Ｘとホスゲン誘導体とのエステル交換反応（重縮合反応）が進行して、連結構造により連結された高分子（本発明の導電性材料）を得ることができるとともに、前述した副生成物と未反応のホスゲン誘導体とを形成される正孔輸送層４１から確実に除去することができる。その結果、本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層４１が陽極３上に形成される。

導電性材料用組成物を加熱する温度は、１２０〜２００℃程度であるのが好ましく、１５０〜１８０℃程度であるのがより好ましい。加熱する温度を、前記下限値よりも低くすると、用いるホスゲン誘導体の種類によっては、高分子の形成が十分に進行しないおそれがある。また、加熱する温度を、前記上限値を超えて高くすると、形成される高分子が変質・劣化するおそれがあり、好ましくない。また、加熱する温度をかかる範囲内とすることにより、副生成物と未反応のホスゲン誘導体とを形成される正孔輸送層４１から確実に除去することができる。

また、反応時間は、加熱する温度によっても若干異なるが、１分〜４時間程度であるのが好ましく、１５分〜２時間程度であるのがより好ましい。
また、導電性材料用組成物の加熱は、減圧状態で行うのが好ましい。
ここで、前述したように、置換基Ｘとホスゲン誘導体とが重縮合反応すると、副生成物が生成するが、ホスゲン誘導体として前記一般式（３）で表される化合物を用いた場合、副生成物として化学式Ｚ−ＯＨで表されるものが生成する。このような副生成物（不純物）と未反応のホスゲン誘導体とは、加熱により形成される正孔輸送層４１から除去することができるが、この加熱の際に、減圧状態としておけば、副生成物と未反応のホスゲン誘導体とをより確実に除去することができる。これにより、正孔輸送層４１中において前記副生成物またはホスゲン誘導体により正孔が捕捉されるのをより確実に阻止することができる。その結果、正孔輸送層４１の正孔輸送能が低減することを好適に防止することができる。

なお、化学式Ｚ−ＯＨで表される副生成物としては、具体的には、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、ｎ−アミルアルコール、イソアミルアルコール、ｓｅｃ−アミルアルコール、ｔｅｒｔ−アミルアルコール、ｓｅｃ−イソアミルアルコール、ジエチルカルビノール、ｔｅｒｔ−ブチルカルビノール、１−ヘキサノール、２−ヘキサノール、３−ヘキサノール、２−メチル−２−ペンタノール、２−メチル−３−ペンタノール、３−メチル−１−ペンタノール、３−メチル−２−ペンタノール、３−メチル−３−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、２，３−ジメチル−１−ブタノール、２，３−ジメチル−２−ブタノール、３，３−ジメチル−２−ブタノール、フェノール、ベンジルアルコール等が挙げられる。

また、この減圧の程度（真空度）は、１０^５Ｐａ以下であるのが好ましく、１０^３Ｐａ以下であるのがより好ましい。これにより、前記副生成物と未反応のホスゲン誘導体とを正孔輸送層４１からより確実に除去することができる。
なお、加熱する際の雰囲気は、特に限定されないが、窒素ガスやアルゴン、ヘリウム、キセノンのような希ガス等の不活性ガス雰囲気とするのが好ましい。これにより、雰囲気中のガスにより、置換基Ｘとホスゲン誘導体とのエステル交換反応が阻害されるのを好適に防止することができる。その結果、このエステル交換反応をより確実に進行させることができる。

前述したような方法を用いて、正孔輸送層４１を本発明の導電性材料を主材料として形成（構成）することにより、次工程［３Ａ］において、発光層材料を供給した際に、この発光層材料に含まれる溶媒または分散媒により、正孔輸送層４１が膨潤および溶解するのを防止することができる。その結果、正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解を確実に防止することができる。

また、正孔輸送層４１を本発明の導電性材料（高分子）を主材料として構成することにより、得られた有機ＥＬ素子１において、正孔輸送層４１と発光層４２との界面付近において、これらの構成材料同士が経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。
この高分子の重量平均分子量は、特に限定されないが、２０００〜１００００００程度であるのが好ましく、５０００〜３０００００程度であるのがより好ましい。これにより、高分子の膨潤および溶解をより確実に防止することができる。
なお、正孔輸送層４１は、この正孔輸送層４１と発光層４２との相溶解が防止される範囲において、前記化合物（１）やホスゲン誘導体を含んでいてもよい。

［Ａ３］発光層形成工程
次に、正孔輸送層４１上に発光層４２を形成する。
発光層４２は、例えば、前述したような発光材料を溶媒に溶解または分散媒に分散してなる発光層材料（発光層形成用材料）を、正孔輸送層４１上に塗布して形成することができる。
発光材料を溶解または分散させる溶媒または分散媒としては、正孔輸送層４１を形成する際に用いた溶媒または分散媒と同様のものを用いることができる。
また、発光層材料を、正孔輸送層４１上に塗布する方法としても、正孔輸送層４１を形成する際に用いた塗布方法と同様の方法を用いることができる。

［Ａ４］電子輸送層形成工程
次に、発光層４２上に電子輸送層４３を形成する。
電子輸送層４３は、前記正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したのと同様の方法を用いて形成することができる。
なお、発光層４２が本発明の導電性材料のような高分子により構成されない場合、電子輸送層４３を形成するために用いる導電性材料用組成物を、溶解または分散するための溶媒または分散媒としては、発光層４２が膨潤および溶解しないものを選択するようにすればよい。これにより、発光層４２と電子輸送層４３との相溶解を確実に防止することができる。

［Ａ５］陰極形成工程
次に、電子輸送層４３上に陰極５を形成する。
陰極５は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属箔の接合等を用いて形成することができる。
［Ａ６］保護層形成工程
次に、陽極３、有機ＥＬ層４および陰極５を覆うように、保護層６を形成する。

保護層６は、例えば、前述したような材料で構成される箱状の保護カバーを、各種硬化性樹脂（接着剤）で接合すること等により形成する（設ける）ことができる。
硬化性樹脂には、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、反応性硬化樹脂、嫌気性硬化樹脂のいずれも使用可能である。
以上のような工程を経て、有機ＥＬ素子１が製造される。

＜有機薄膜トランジスタ＞
次に、本発明の電子デバイスを、スイッチング素子である有機薄膜トランジスタ（以下、単に「有機ＴＦＴ」という。）に適用した場合の実施形態について説明する。
図２は、有機ＴＦＴ１０を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。なお、以下の説明では、図２（ａ）中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図２に示す有機ＴＦＴ１０は、基板２０上に設けられており、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、有機半導体層（本発明の導電層）５０と、ゲート絶縁層６０と、ゲート電極７０とが、この順で基板２０側から積層されて構成されている。
具体的には、有機ＴＦＴ１０は、基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０が分離して設けられ、これら電極３０、４０を覆うように有機半導体層５０が設けられている。さらに有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられ、さらにこの上に、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０の間の領域に重なるようにゲート電極７０が設けられている。

この有機ＴＦＴ１０では、有機半導体層５０のうち、ソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１０となっている。以下、このチャネル領域５１０において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。

このような有機ＴＦＴ１０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、ゲート絶縁層６０を介してゲート電極７０よりも基板２０側に設けられた構成の有機ＴＦＴ、すなわち、トップゲート構造の有機ＴＦＴである。
以下、有機ＴＦＴ１０を構成する各部について、順次説明する。
基板２０は、有機ＴＦＴ１０を構成する各層（各部）を支持するものである。基板２０には、例えば、前述した有機ＥＬ素子１で説明した基板２と同様のものを用いることができる他、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。
基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。

これらのソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料としては、導電性を有するものであればいかなるものであってもよく、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の金属材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ_２等の導電性酸化物材料、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうち導電性高分子材料は、通常塩化鉄、ヨウ素、強酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子でドープされ導電性を付与された状態で用いられる。さらに、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

ソース電極３０およびドレイン電極４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
ソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、２〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。

チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．３〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。
また、基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０が設けられている。
この有機半導体層５０の構成材料として、本発明の導電性材料を用いることができる。

前述したように、本発明の導電性材料は、基Ｙの化学構造を適宜設定することにより、形成される高分子に、目的とするキャリア輸送能の特性を付与することができるものである。
そこで、基Ｙの化学構造を適宜設定することにより、高分子に優れた半導体特性を付与することができることから、本発明の導電性材料を有機半導体層５０に用いるのは、特に有効である。

このような有機半導体層５０を構成する導電性材料としては、例えば、基Ｙの化学構造が前記化学式（６）、（７）、（２０）、（２１）および（２４）のものが好適に選択される。
有機半導体層５０の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。これにより、優れたキャリア輸送能を維持しつつ、有機ＴＦＴ１０が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。

なお、有機半導体層５０として、本発明の導電性材料のような高分子を主材料として構成されるものを用いることにより、得られる有機ＴＦＴ１０は、薄型化・軽量化が可能であるとともに、可撓性にも優れたものとなる。このような有機ＴＦＴ１０は、前述した有機ＥＬ素子を備えるフレキシブルディスプレイのスイッチング素子への適用に適している。
なお、有機半導体層５０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域（チャネル領域５１０）に設けられていればよい。

有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられている。
このゲート絶縁層６０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０に対してゲート電極７０を絶縁するものである。
ゲート絶縁層６０は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６０は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５０との密着性の向上を図ることもできる。

このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

ゲート絶縁層６０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３０およびドレイン電極４０とゲート電極７０とを確実に絶縁しつつ、有機ＴＦＴ１０が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
なお、ゲート絶縁層６０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。

ゲート絶縁層６０上には、ゲート電極７０が設けられている。
ゲート電極７０の構成材料としては、前述したソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料と同様のものを用いることができる。
ゲート電極７０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
以上のような有機ＴＦＴ１０は、ゲート電極７０に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に流れる電流量が制御される。

すなわち、ゲート電極７０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加しても、有機半導体層５０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５０のゲート絶縁層６０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル領域５１０にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１０を通ってキャリア（正孔または電子）が流れる。
このような有機ＴＦＴ１０は、例えば、次のようにして製造することができる。
図３〜図４は、それぞれ、図２に示す有機ＴＦＴ１０の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図３〜図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

［Ｂ１］ソース電極およびドレイン電極形成工程
［Ｂ１−I］ まず、図３（ａ）に示すような基板２０を用意し、この基板２０を、例えば、水（純水等）、有機溶媒等を単独または適宜組み合わせて洗浄する。
次に、基板２０上に、フォトレジストを供給し、被膜８０’を形成する（図３（ｂ）参照。）。

基板２０上に供給するフォトレジストとしては、光が照射（露光）された領域が硬化し、この露光された領域以外の領域が現像によって溶解し、除去されるネガ型フォトレジスト、および、露光された領域が現像によって溶解し、除去されるポジ型フォトレジストのいずれを用いてもよい。
ネガ型フォトレジストとしては、ロジン−重クロム酸塩、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）−重クロム酸塩、セラック−重クロム酸塩、カゼイン−重クロム酸塩、ＰＶＡ−ジアゾ、アクリル系フォトレジスト等のような水溶性フォトレジスト、ポリケイ皮酸ビニル、環化ゴム−アジド、ポリビニルシンナミリデンアセタート、ポリケイ皮酸β−ビニロキシエチルエステル等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。
また、ポジ型フォトレジストとしては、ｏ−ナフトキノンジアジド等のような油溶性フォトレジスト等が挙げられる。

フォトレジストを、基板２０上に、供給する方法としては、いかなる方法であってもよいが、塗布法が好適に用いられる。
塗布法としては有機ＥＬ素子１の製造方法の正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したものと同様の方法を用いることができる。
次に、被膜８０’を、フォトマスクを介して露光および現像し、ソース電極３０およびドレイン電極４０を形成する領域に開口部８２０を有するレジスト層８０を形成する（図３（ｃ）参照。）。

［Ｂ１−II］ 次に、図３（ｄ）に示すように、前述したような処理が施された基板２０の開口部８２０内に、形成すべきソース電極３０およびドレイン電極４０に応じて、これら電極の構成材料またはその前駆体を含有する所定量の液状材料９０を供給する。
この液状材料９０において、ソース電極３０およびドレイン電極４０の構成材料またはその前駆体を、溶解または分散する溶液または分散媒としては、前記正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したものと同様のものを用いることができる。

また、この液状材料９０を開口部８２０内に供給する方法には、前述したものと同様の塗布法を用いることができるが、これらの中でも、インクジェット法（液滴吐出法）を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、液状材料９０を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴として吐出して、開口部８２０内に確実に供給することができる。その結果、レジスト層８０に液状材料９０が付着するのを確実に阻止することができる。

［Ｂ１−III］ 次に、開口部８２０に供給された液状材料９０から溶媒または分散媒を除去して、ソース電極３０およびドレイン電極４０を形成する。
前記溶媒または分散媒を除去する際の温度（除去温度）は、特に限定されず、溶媒または分散媒の種類によって若干異なるが、２０〜２００℃程度であるのが好ましく、５０〜１００℃程度であるのがより好ましい。これにより、液状材料９０中に含まれる溶媒または分散媒を、確実に除去することができる。
なお、この溶媒または分散媒の除去を、減圧下で加熱するようにしてもよい。これにより、液状材料９０中に含まれる溶媒または分散媒を、より確実に除去することができる。

［Ｂ１−IＶ］ 次に、基板２０からレジスト層８０を除去して、基板２０上に形成されたソース電極３０およびドレイン電極４０を得る（図４（ｆ）参照。）。
レジスト層８０の除去方法は、レジスト層８０の種類に応じて適宜選択すればよく、例えば、プラズマ処理やオゾン処理のようなアッシング、紫外線の照射、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ_２レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ_４レーザー、エキシマレーザー等の各種レーザーの照射、レジスト層８０を溶解または分解し得る溶剤との接触（例えば浸漬）等により行うことができる。

［Ｂ２］有機半導体層形成工程
次に、図４（ｈ）に示すように、ソース電極３０およびドレイン電極４０が形成された基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０を形成する。
このとき、ソース電極３０とドレイン電極４０との間（ゲート電極７０に対応する領域）には、チャネル領域５１０が形成される。
この有機半導体層５０は、有機ＥＬ素子１の製造方法の正孔輸送層形成工程［Ａ２］で説明したのと同様の方法を用いて形成することができる。

ここで、有機半導体層５０は、本発明の導電性材料（高分子）を主材料として構成されるものである。これにより、次工程［Ｂ３］において、ゲート絶縁層材料を有機半導体層５０上に供給した際に、このゲート絶縁層材料に含まれる溶媒または分散媒により、高分子が膨潤および溶解することを好適に抑制または防止することができる。その結果、有機半導体層５０とゲート絶縁層６０との相溶解を確実に防止することができる。
また、有機半導体層５０を本発明の導電性材料のように高分子を主材料として構成することにより、得られた有機ＴＦＴ１０において、有機半導体層５０とゲート絶縁層６０との界面付近において、これらの構成材料同士が経時的に混ざり合うのを確実に防止することができる。

［Ｂ３］ゲート絶縁層形成工程
次に、図４（ｉ）に示すように、有機半導体層５０上に、ゲート絶縁層６０を塗布法を用いて形成する。
具体的には、ゲート絶縁層６０は、絶縁材料またはその前駆体を含む溶液を、前述した塗布法を用いて、有機半導体層５０上に塗布（供給）した後、必要に応じて、この供給された溶液に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。

［Ｂ４］ゲート電極形成工程
次に、図４（ｊ）に示すように、ゲート絶縁層６０上に、ゲート電極７０を塗布法を用いて形成する。
具体的には、ゲート電極７０は、電極材料またはその前駆体を含む溶液を、塗布法を用いて、ゲート絶縁層６０上に塗布（供給）した後、必要に応じて、この供給された溶液に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。

また、塗布法には、前述したのと同様の方法を用いることができるが、特に、インクジェット法を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、電極材料またはその前駆体を含む溶液を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴を吐出してパターニングすることができる。その結果、ゲート絶縁層６０上に、所定形状のゲート電極７０を、容易かつ確実に形成することができる。
以上のような工程を経て、有機ＴＦＴ１０が製造される。

＜電子機器＞
また、前述したような、有機ＥＬ素子（発光素子）１や有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０のような本発明の電子デバイスは、各種電子機器に用いることができる。
図５は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。

この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、例えば、表示ユニット１１０６が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。

図６は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、例えば、この表示部が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。

図７は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、例えば、この表示部が前述の有機ＥＬ素子（発光素子）１と有機ＴＦＴ（スイッチング素子）１０とを備えている。

ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。

なお、本発明の電子機器は、図５のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図６の携帯電話機、図７のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。

以上、本発明の導電性材料、導電性材料用組成物、導電層、電子デバイスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、本発明の電子デバイスは、導電層を正孔輸送層として用いる場合、前述した表示素子（発光素子）の一例である有機ＥＬ素子に適用することができる他、例えば、受光素子（光電変換素子）の一例である太陽電池等に適用することができる。

また、本発明の電子デバイスは、導電層を有機半導体層として用いる場合、前述したスイッチング素子の一例である有機ＴＦＴに適用することができる他、例えば、半導体素子等に適用することができる。
さらに、本発明の導電層は、上述した正孔輸送層として用いる他、例えば、配線および電極等に適用することができる。そして、この場合、本発明の電子デバイスは、例えば、配線基板等に適用することができる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．化合物の合成
まず、以下に示すような化合物（Ａ）〜（Ｓ）を用意した。
＜化合物（Ａ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールを無水ジメチルホルムアミド中で、ベンジルブロミドと水素化ナトリウムで処理し、ヒドロキシル基をベンジルエーテル基に変換し保護した。

次に、その得られた化合物１ｍｏｌを酢酸１５０ｍＬに溶解し、室温で無水酢酸を滴下後、撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過し、水洗後、乾燥した。
次に、その得られた物質０．３７ｍｏｌ、１−ブロモ−４−ヘキシルベンゼン０．６６ｍｏｌ、炭酸カリウム１.１ｍｏｌ、銅粉、ヨウ素を混合し、２００℃で加熱した。放冷後、イソアミルアルコール１３０ｍＬ、純水５０ｍＬ、水酸化カリウム０.７３ｍｏｌを加え撹拌後、乾燥した。

さらに、そこで得られた化合物１３０ｍｍｏｌ、２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェン６２ｍｍｏｌ、酢酸パラジウム１.３ｍｍｏｌ、ｔ−ブチルホスフィン５.２ｍｍｏｌ、ｔ−ブトキシナトリム２６０ｍｍｏｌ、キシレン７００ｍＬを混合して、１２０℃で撹拌した。
その後、放冷し、結晶化した。
その得られた化合物を、Ｐｄ−Ｃ触媒下水素ガスで還元し、ベンジルエーテル基からヒドロキシル基へ変換し脱保護した後、放冷し結晶化して化合物を得た。

そして、質量スペクトル（ＭＳ）法、¹Ｈ−核磁気共鳴（¹Ｈ−ＮＭＲ）スペクトル法、¹³Ｃ−核磁気共鳴（¹³Ｃ−ＮＭＲ）スペクトル法、およびフーリエ変換赤外吸収（ＦＴ−ＩＲ）スペクトル法により、得られた化合物が下記化合物（Ａ）であることを確認した。

＜化合物（Ｂ）＞
１−ブロモ−４−ヘキシルベンゼンに代えて１−ブロモ−３，５−ジメチル−４−ヘキシルベンゼンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｂ）を得た。

＜化合物（Ｃ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに代えて２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールを用い、１−ブロモ−４−ヘキシルベンゼンに代えて１−ブロモ−４−エチルベンゼンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｃ）を得た。

＜化合物（Ｄ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて２，５−ビス（２−メチル−４−ヨードフェニル）−チオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ｃ）と同様にして、化合物（Ｄ）を得た。

＜化合物（Ｅ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用い、１−ブロモ−４−ヘキシルベンゼンに代えて１−ブロモ−４−オクチルベンゼンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｅ）を得た。

＜化合物（Ｆ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに代えて１−（ｐ−アミノフェニル）メタノールを用い、１−ブロモ−４−ヘキシルベンゼンに代えて４−ブロモトルエンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｆ）を得た。

＜化合物（Ｇ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５，５’’−ビス（４−ヨードフェニル）−２，２’：５’，２’’−ターチオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｇ）を得た。

＜化合物（Ｈ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて３，５−ジヨード−１，２，４−トリアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｈ）を得た。

＜化合物（Ｉ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて２，５−（４−ヨードフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｉ）を得た。

＜化合物（Ｊ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて３,３’−ジヨード−１,１’−ビイソベンゾチオフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｊ）を得た。

＜化合物（Ｋ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに代えて２−（ｐ−アミノフェニル）エタノールを用い、１−ブロモ−４−ヘキシルベンゼンに代えて１−ブロモ−４−エチルベンゼンを用いた以外は、前記化合物（Ｊ）と同様にして、化合物（Ｋ）を得た。

＜化合物（Ｌ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに代えて８−（ｐ−アミノフェニル）オクタノールを用い、１−ブロモ−４−ヘキシルベンゼンに代えて１−ブロモ−４−オクチルベンゼンを用いた以外は、前記化合物（Ｊ）と同様にして、化合物（Ｌ）を得た。

＜化合物（Ｍ）＞
６−（ｐ−アミノフェニル）ヘキサノールに代えて１−（ｐ−アミノフェニル）メタノールを用い、１−ブロモ−４−ヘキシルベンゼンに代えて４−ブロモトルエンを用いた以外は、前記化合物（Ｊ）と同様にして、化合物（Ｍ）を得た。

＜化合物（Ｎ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５,５’−ジヨード−２,２’−ビ（３,４−ジオキシエチレンセレノフェン）を用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｎ）を得た。

＜化合物（Ｏ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５，５’’−ジヨード−２,２’：５’，２’’−ターセレノフェンを用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｏ）を得た。

＜化合物（Ｐ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて５,５’’−ジヨード−３，３’：５’，３’’−ター（４−フェニル−１，２，４−トリアゾール）を用いた以外は、前記化合物（Ａ）と同様にして、化合物（Ｐ）を得た。

＜化合物（Ｑ）＞
１−アミノ−４−メチルベンゼン１ｍｏｌを酢酸１５０ｍＬに溶解し、室温で無水酢酸を滴下後、撹拌した。反応終了後、析出した固体をろ過し、水洗後、乾燥した。
次に、その得られた物質０．３７ｍｏｌ、１−ブロモ−４−メチルベンゼン０．６６ｍｏｌ、炭酸カリウム１.１ｍｏｌ、銅粉、ヨウ素を混合し、２００℃で加熱した。放冷後、イソアミルアルコール１３０ｍＬ、純水５０ｍＬ、水酸化カリウム０.７３ｍｏｌを加え撹拌後、乾燥した。

さらに、そこで得られた化合物１３０ｍｍｏｌ、２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェン６２ｍｍｏｌ、酢酸パラジウム１.３ｍｍｏｌ、ｔ−ブチルホスフィン５.２ｍｍｏｌ、ｔ−ブトキシナトリム２６０ｍｍｏｌ、キシレン７００ｍＬを混合して、１２０℃で撹拌した。
その後、放冷し、結晶化して化合物を得た。
そして、質量スペクトル（ＭＳ）法、¹Ｈ−核磁気共鳴（¹Ｈ−ＮＭＲ）スペクトル法、¹³Ｃ−核磁気共鳴（¹³Ｃ−ＮＭＲ）スペクトル法、およびフーリエ変換赤外吸収（ＦＴ−ＩＲ）スペクトル法により、得られた化合物が下記化合物（Ｑ）であることを確認した。

＜化合物（Ｒ）＞
下記化合物（Ｒ）として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（バイエル社製、「バイトロンＰ」）を用意した。

＜化合物（Ｓ）＞
２，５−ビス（４−ヨードフェニル）−チオフェンに代えて３，５−ジヨード−１，２，４−トリアゾールを用いた以外は、前記化合物（Ｑ）と同様にして、化合物（Ｓ）を得た。

２．有機ＥＬ素子の製造
以下の各実施例および各比較例において、有機ＥＬ素子を５個ずつ製造した。
（実施例１Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ａ）を、塩基としてピリジンを、有機溶媒としてテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）をそれぞれ用い、化合物（Ａ）をピリジン水溶液とＴＨＦとの容積比が５：１の混合液に溶解させて、正孔輸送材料を調製した。

［電子輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｈ）を用いた以外は、前記正孔輸送材料と同様にして、電子輸送材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
−１Ａ− まず、平均厚さ０．５ｍｍの透明なガラス基板上に、真空蒸着法により、平均厚さ１００ｎｍのＩＴＯ電極（陽極）を形成した。

−２Ａ− 次に、ＩＴＯ電極が設けられたガラス基板をチャンバー内に設置し、ＩＴＯ電極上に、前記正孔輸送材料を、スピンコート法により塗布した。
そして、０℃に保ったチャンバー内の前記正孔輸送材料に、ホスゲンを１０^５Ｐａ（０℃）になるように導入し、１時間保持することにより、化合物（Ａ）が備える水酸化アルキル基とホスゲンとを重縮合反応させた後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。

−３Ａ− 次に、正孔輸送層上に、ポリ（９，９−ジオクチル−２，７−ジビニレンフルオレニル−オルト−コ（アントラセン−９，１０−ジイル）（重量平均分子量２０００００）の１．７ｗｔ％キシレン溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの発光層を形成した。
−４Ａ− 次に、前記正孔輸送材料に代えて前記電子輸送材料を用いた以外は、前記工程−２Ａ−と同様にすることにより、化合物（Ｈ）が備える水酸化アルキル基とホスゲンとを重縮合反応させて、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
−５Ａ− 次に、電子輸送層上に、真空蒸着法により、平均厚さ３００ｎｍのＡｌＬｉ電極（陰極）を形成した。
−６Ａ− 次に、形成した各層を覆うように、ポリカーボネート製の保護カバーを被せ、紫外線硬化性樹脂により固定、封止して、有機ＥＬ素子を完成した。

（実施例２Ａ〜１３Ａ）
正孔輸送材料および電子輸送材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表１に示すものをそれぞれ用いた以外は、前記実施例１Ａと同様にして、ホスゲン法を用いて正孔輸送層と電子輸送層とを形成することにより、有機ＥＬ素子を製造した。
（実施例１４Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ａ）を、ホスゲン誘導体としてジエチルカーボネートをそれぞれ用い、化合物（Ａ）とジエチルカーボネートとをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解させて、正孔輸送材料（導電性材料用組成物）を調製した。
なお、化合物（Ａ）とジエチルカーボネートとの混合比をモル比で、１：４とした。

［電子輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｈ）を用いた以外は、前記正孔輸送材料と同様にして、電子輸送材料（導電性材料用組成物）を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
前記工程−２Ａ−において、ＩＴＯ電極上に塗布（供給）された前記正孔輸送材料を、窒素ガス雰囲気下、１５０℃、１０^３Ｐａの処理条件で３０分間加熱処理を施して、化合物（Ａ）が備える水酸化アルキル基とジエチルカーボネートとをエステル交換反応させることにより、平均厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した。そして、前記工程−４Ａ−において、発光層上に塗布（供給）された前記電子輸送材料を、窒素ガス雰囲気下、１５０℃、１０^３Ｐａの処理条件で３０分間加熱処理を施して、化合物（Ｈ）が備える水酸化アルキル基とジエチルカーボネートとをエステル交換反応させることにより、平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層を形成した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。

（実施例１５Ａ〜２６Ａ）
正孔輸送材料および電子輸送材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表１に示すものをそれぞれ用いた以外は、前記実施例１４Ａと同様にして、エステル交換法を用いて正孔輸送層と電子輸送層とを形成することにより、有機ＥＬ素子を製造した。

（比較例１Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
化合物（Ｑ）をジクロロエタンに溶解させて、正孔輸送材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
前記工程−２Ａ−において、ＩＴＯ電極上に塗布（供給）された前記正孔輸送材料を乾燥させることにより正孔輸送層を形成し、前記工程−４Ａ−において、化合物（Ｓ）を真空蒸着して電子輸送層を形成した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。

（比較例２Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
化合物（Ｒ）を水に分散させることにより、２．０ｗｔ％水分散液を調製して、正孔輸送材料を得た。
なお、化合物（Ｒ）としては、３，４−エチレンジオキシチオフェンとスチレンスルホン酸との比率が、重量比で１：２０のものを用いた。
［有機ＥＬ素子の作製］
正孔輸送材料として、前記正孔輸送材料を用いた以外は、前記比較例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。

（比較例３Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ａ）を用い、化合物（Ａ）とポリカーボネート樹脂（帝人化成社製：パンライトＬ−１２５０）とを重量比で３：７の混合比でジクロロエタンに混合させて、正孔輸送材料を得た。

［電子輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｈ）を用いた以外は、前記正孔輸送材料と同様にして、電子輸送材料（導電性材料用組成物）を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
前記工程−２Ａ−において、ＩＴＯ電極上に塗布（供給）された前記正孔輸送材料を乾燥させることにより正孔輸送層を形成し、前記工程−４Ａ−において、発光層上に塗布（供給）された前記電子輸送材料を乾燥させることにより電子輸送層を形成した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。

（比較例４Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｑ）を用い、光架橋剤としてビスフェノールＡ型エポキシ化合物（旭電化工業社製、「アデカレジンＥＰ」）を用いて、化合物（Ｑ）と、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物と、光カチオン重合開始剤（住友スリーエム社製：ＦＣ−５０８）とを重量比で８５：１４：１の比率でジクロロエタンに混合させて、正孔輸送材料を得た。

［電子輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｓ）を用いた以外は、前記正孔輸送材料と同様にして、電子輸送材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
前記工程−２Ａ−において、ＩＴＯ電極上に塗布（供給）された前記正孔輸送材料を乾燥した後、このものに対して、水銀ランプ（ウシオ電機社製、「ＵＭ−４５２型式」）にフィルターを用いて、大気中で波長３６５ｎｍ、照射強度４００ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１０秒間照射し、その後、１１０℃で６０分間加熱することにより正孔輸送層を形成した。そして、前記工程−４Ａ−において、発光層上に塗布された前記電子輸送材料を乾燥した後、前記と同様の水銀ランプを用いて、大気中で波長３６５ｎｍ、照射強度４００ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１０秒間照射し、その後、１１０℃で６０分間加熱することにより電子輸送層を形成した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。

（比較例５Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｆ）を用いた以外は、前記実施例１Ａと同様にして、正孔輸送材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
正孔輸送材料として、前記正孔輸送材料を用いて正孔輸送層を形成し、前記工程−４Ａ−において、化合物（Ｓ）を真空蒸着して電子輸送層を形成した以外は、前記実施例１Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。

（比較例６Ａ）
［正孔輸送材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｆ）を用いた以外は、前記実施例１４Ａと同様にして、正孔輸送材料を得た。
［有機ＥＬ素子の作製］
正孔輸送材料として、前記正孔輸送材料を用いて正孔輸送層を形成し、前記工程−４Ａ−において、化合物（Ｓ）を真空蒸着して電子輸送層を形成した以外は、前記実施例１４Ａと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。

３．有機ＥＬ素子の評価
各実施例および各比較例の有機ＥＬ素子について、それぞれ、発光輝度（ｃｄ／ｍ^２）、最大発光効率（ｌｍ／Ｗ）を測定すると共に、発光輝度が初期値の半分になる時間（半減期）を測定した。
また、各測定値は、いずれも、５個の有機ＥＬ素子の平均値を求めた。
なお、発光輝度の測定は、ＩＴＯ電極とＡｌＬｉ電極との間に６Ｖの電圧を印加することで行った。

そして、比較例１Ａで測定された各測定値（発光輝度、最大発光効率、半減期）を基準値として、各実施例および各比較例で測定された各測定値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
◎：比較例１Ａの測定値に対し、１．５０倍以上である
○：比較例１Ａの測定値に対し、１．２５倍以上、１．５０倍未満である
△：比較例１Ａの測定値に対し、１．００倍以上、１．２５倍未満である
×：比較例１Ａの測定値に対し、０．７５倍以上、１．００倍未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表１に示す。

表１に示すように、各実施例の有機ＥＬ素子（本発明の導電性材料を主材料とする正孔輸送層と電子輸送層とを備える有機ＥＬ素子）は、いずれも、各比較例の有機ＥＬ素子と比較して、発光輝度、最大発光効率および半減期ともに、優れた結果が得られた。
これにより、本発明の有機ＥＬ素子は、主骨格同士の相互作用が好適に低減されていることが明らかとなった。また、正孔輸送層と発光層との相溶解が好適に防止されていることが明らかとなった。

また、置換基Ｘを適宜選択することにより、各実施例において、主骨格の離間距離が適切な大きさに保たれているものほど、優れた発光輝度の向上、最大発光効率の向上および半減期の延長を示す結果が得られた。
さらに、正孔輸送層および電子輸送層を構成する導電性材料をそれぞれ適宜選択すること、すなわち、前記一般式（１）で表される化合物の基Ｙを適宜選択することにより、各実施例において、正孔輸送層と電子輸送層との組み合わせが適切なものほど、優れた発光輝度の向上、最大発光効率の向上および半減期の延長を示す結果が得られた。

４．有機ＴＦＴの製造
以下の各実施例および各比較例において、有機ＴＦＴを５個ずつ製造した。
（実施例１Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｊ）を用いた以外は、前記実施例１Ａの正孔輸送材料と同様にして、有機半導体材料を得た。

［有機ＴＦＴの製造］
−１Ｂ− まず、平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意し、水（洗浄液）を用いて洗浄した。
次に、ガラス基板上に、スピンコート法によってフォトレジストを塗布した後、プレベーク処理を行うことによって被膜を形成した。
次に、この被膜に対して、フォトマスクを介して紫外線を照射（露光）した後に、現像を行った。これにより、ソース電極およびドレイン電極を形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成した。

−２Ｂ− 次に、この開口部内に、金コロイド水溶液を、インクジェット法により供給した。その後、金コロイド水溶液が供給されたガラス基板を加熱乾燥して、ソース電極およびドレイン電極を得た。
−３Ｂ− 次に、レジスト層を、酸素プラズマ処理によって除去した後、ソース電極およびドレイン電極が形成されたガラス基板を、水およびメタノールで順次洗浄した。

−４Ｂ− 次に、ソース電極およびドレイン電極が設けられたガラス基板をチャンバー内に設置し、ガラス基板上に、前記有機半導体材料を、スピンコート法により塗布した。
そして、０℃に保ったチャンバー内の前記有機半導体材料に、ホスゲンを１０^５Ｐａ（０℃）になるように導入し、１時間保持することにより、化合物（Ｊ）が備える水酸化アルキル基とホスゲンとを重縮合反応させた後、乾燥して、平均厚さ５０ｎｍの有機半導体層を形成した。

−５Ｂ− 次に、有機半導体層上に、ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）の酢酸ブチル溶液を、スピンコート法により塗布した後、乾燥させることにより、平均厚さ５００ｎｍのゲート絶縁層を形成した。
−６Ｂ− 次に、ゲート絶縁層上の、ソース電極とドレイン電極との間の領域に対応する部分に、ポリエチレンジオキシチオフェンの水分散液を、インクジェット法により塗布した後乾燥した。これにより、平均厚さ１００ｎｍのゲート電極を形成した。
以上の工程により、有機ＴＦＴを製造した。

（実施例２Ｂ〜７Ｂ）
有機半導体材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表２に示すものを用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、ホスゲン法を用いて有機半導体層を形成することにより、有機ＴＦＴを製造した。
（実施例８Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｊ）を用いた以外は、前記実施例１４Ａの正孔輸送材料と同様にして、有機半導体材料（導電性材料用組成物）を得た。

［有機ＴＦＴの製造］
前記工程−４Ｂ−において、ガラス基板上に塗布された前記有機半導体材料を、窒素ガス雰囲気下、１５０℃、１０^３Ｐａの処理条件で３０分間加熱処理を施して、化合物（Ｊ）が備える水酸化アルキル基とジエチルカーボネートとをエステル交換反応させることにより、平均厚さ５０ｎｍの有機半導体層を形成した以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機ＥＬ素子を製造した。

（実施例９Ｂ〜１４Ｂ）
有機半導体材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として表２に示すものを用いた以外は、前記実施例８Ｂと同様にして、エステル交換法を用いて有機半導体層を形成することにより、有機ＴＦＴを製造した。
（比較例１Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
化合物（Ｑ）をジクロロエタンに溶解させて、有機半導体材料を得た。
［有機ＴＦＴの作製］
前記工程−４Ｂ−において、ソース電極およびドレイン電極が形成されたガラス基板上に塗布された前記有機半導体材料を乾燥させることにより有機半導体層を形成した以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機ＴＦＴを製造した。

（比較例２Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｊ）を用い、化合物（Ｊ）とポリカーボネート樹脂（帝人化成社製：パンライトＬ−１２５０）とを重量比で３：７の混合比でジクロロエタンに混合させて、有機半導体材料を得た。
［有機ＴＦＴの作製］
有機半導体材料として、前記有機半導体材料を用いた以外は、前記比較例１Ｂと同様にして、有機ＴＦＴを製造した。

（比較例３Ｂ）
［有機半導体材料の調製］
ヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｑ）を用い、光架橋剤としてビスフェノールＡ型エポキシ化合物（旭電化工業社製、「アデカレジンＥＰ」）を用いて、化合物（Ｑ）と、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物と、光カチオン重合開始剤（住友スリーエム社製：ＦＣ−５０８）とを重量比で８５：１４：１の混合比でジクロロエタンに混合させて、有機半導体材料を得た。

［有機ＴＦＴの作製］
前記工程−４Ｂ−において、ソース電極およびドレイン電極が形成されたガラス基板上に塗布された前記有機半導体材料を乾燥した後、このものに対して、水銀ランプ（ウシオ電機社製、「ＵＭ−４５２型式」）にフィルターを用いて、大気中で波長３６５ｎｍ、照射強度４００ｍＷ／ｃｍ^２の紫外線を１０秒間照射し、その後、１１０℃で６０分間加熱することにより有機半導体層を形成した以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機ＴＦＴを製造した。

（比較例４Ｂ）
有機半導体材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｍ）を用いた以外は、前記実施例１Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。
（比較例５Ｂ）
有機半導体材料に用いるヘテロアリールアミン誘導体として化合物（Ｍ）を用いた以外は、前記実施例８Ｂと同様にして、有機半導体材料の調製を行った後、有機ＴＦＴを製造した。

５．有機ＴＦＴの評価
各実施例および各比較例で製造した有機ＴＦＴについて、それぞれ、ＯＦＦ電流、ＯＮ電流の値を測定した。
ここで、ＯＦＦ電流とは、ゲート電圧を印加しないときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことであり、ＯＮ電流とは、ゲート電圧を印加したときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことである。

したがって、ＯＦＦ電流の絶対値と、ＯＮ電流の絶対値との比（ＯＮ／ＯＦＦ比）の値が大きいもの程、良好な特性を有する有機ＴＦＴであることを意味する。
ＯＦＦ電流は、ソース電極とドレイン電極との電位差を３０Ｖとして測定し、ＯＮ電流は、ソース電極とドレイン電極との電位差を３０Ｖとし、ゲート電圧の絶対値を４０Ｖとして測定した。

そして、各実施例および各比較例で測定されたＯＮ／ＯＦＦ比の値を、それぞれ、以下の４段階の基準に従って評価した。
◎：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０^４以上である
○：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０^３以上、１０^４未満である
△：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０^２以上、１０^３未満である
×：ＯＮ／ＯＦＦ比の値が、１０^２未満である
これらの評価結果を、それぞれ、以下の表２に示す。

表２に示すように、各実施例の有機ＴＦＴは、いずれも、各比較例の有機ＴＦＴと比較して、ＯＮ／ＯＦＦ比の値が大きく、特性に優れた結果が得られた。
これにより、主骨格同士の相互作用が好適に低減されていることが明らかとなった。また、有機半導体層とゲート絶縁層との相溶解が好適に防止されていることが明らかとなった。
また、置換基Ｘを適宜選択することにより、各実施例において、主骨格の離間距離が適切な大きさに保たれているものほど、ＯＮ／ＯＦＦ比の値が大きく、良好な特性を示す結果が得られた。

有機ＥＬ素子の一例を示した縦断面図である。 有機ＴＦＴの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。 図２に示す有機ＴＦＴの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。 図２に示す有機ＴＦＴの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。

符号の説明

１……有機ＥＬ素子 ２……基板 ３……陽極 ４……有機ＥＬ層 ４１……正孔輸送層 ４２……発光層 ４３……電子輸送層 ５……陰極 ６……保護層 １０‥‥有機薄膜トランジスタ ２０‥‥基板 ３０‥‥ソース電極 ４０‥‥ドレイン電極 ５０‥‥有機半導体層 ５１０‥‥チャネル領域 ６０‥‥ゲート絶縁層 ７０‥‥ゲート電極 ８０‥‥レジスト層 ８０’‥‥被膜 ８２０‥‥開口部 ９０‥‥液状材料 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００‥‥ディジタルスチルカメラ １３０２‥‥ケース（ボディー） １３０４‥‥受光ユニット １３０６‥‥シャッタボタン １３０８‥‥回路基板 １３１２‥‥ビデオ信号出力端子 １３１４‥‥データ通信用の入出力端子 １４３０‥‥テレビモニタ １４４０‥‥パーソナルコンピュータ

Claims (29)

1. 下記一般式（１）で表される化合物同士を、それらが持つ置換基Ｘとホスゲンおよび／またはその誘導体とを重縮合反応させ、連結してなることを特徴とする導電性材料。
   

   

   ［式中、２つのＲ^１は、それぞれ独立して、炭素数２〜８の直鎖アルキル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、４つのＲ^２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、２つのＸは、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
   

   

   ［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
2. 前記ホスゲン誘導体は、下記一般式（３）で表される化合物である請求項１に記載の導電性材料。
   

   

   ［式中、２つのＺは、それぞれ独立して、炭素数１〜６のアルキル基、フェニル基またはベンジル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。］
3. ２つの前記置換基Ｘは、同一である請求項１または２に記載の導電性材料。
4. 前記置換基Ｘは、ベンゼン環の３位、４位または５位のうちのいずれかに結合している請求項１ないし３のいずれかに記載の導電性材料。
5. ２つの前記置換基Ｒ^１は、同一である請求項１ないし４のいずれかに記載の導電性材料。
6. 前記置換基Ｒ^１は、ベンゼン環の４位に結合している請求項１ないし５のいずれかに記載の導電性材料。
7. 前記複素環は、窒素、酸素、硫黄、セレンおよびテルルのうちの少なくとも１種のヘテロ原子を含有する請求項１ないし６のいずれかに記載の導電性材料。
8. 前記複素環は、芳香族系のものである請求項１ないし７のいずれかに記載の導電性材料。
9. 前記基Ｙは、複素環を１〜５つ含むものである請求項１ないし８のいずれかに記載の導電性材料。
10. 前記基Ｙは、前記複素環以外に、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも１つ含む請求項１ないし９のいずれかに記載の導電性材料。
11. 前記基Ｙは、前記一般式（１）中の各Ｎにそれぞれ、直接結合する前記芳香族炭化水素環と、これらの芳香族炭化水素環の間に存在する少なくとも１つの前記複素環とを含む請求項１０に記載の導電性材料。
12. 前記基Ｙの総炭素数は、２〜７５である請求項１ないし１１のいずれかに記載の導電性材料。
13. 下記一般式（１）で表される化合物と、ホスゲン誘導体とを含有することを特徴とする導電性材料用組成物。
    

    

    ［式中、２つのＲ^１は、それぞれ独立して、炭素数２〜８の直鎖アルキル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、４つのＲ^２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、２つのＸは、それぞれ独立して、下記一般式（２）で表される置換基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Ｙは、置換もしくは無置換の複素環を少なくとも１つ含む基を表す。］
    

    

    ［式中、ｎは、２〜８の整数を表す。］
14. 請求項１ないし１２のいずれかに記載の導電性材料を主材料とすることを特徴とする導電層。
15. 請求項１３に記載の導電性材料用組成物を用いて形成されたことを特徴とする導電層。
16. 前記導電層は、正孔輸送層である請求項１４または１５に記載の導電層。
17. 前記正孔輸送層の平均厚さは、１０〜１５０ｎｍである請求項１６に記載の導電層。
18. 前記導電層は、電子輸送層である請求項１４または１５に記載の導電層。
19. 前記電子輸送層の平均厚さは、１〜１００ｎｍである請求項１８に記載の導電層。
20. 前記導電層は、有機半導体層である請求項１４または１５に記載の導電層。
21. 前記有機半導体層の平均厚さは、０．１〜１０００ｎｍである請求項２０に記載の導電層。
22. 請求項１４ないし２１のいずれかに記載の導電層を備えることを特徴とする電子デバイス。
23. 請求項１６ないし１９のいずれかに記載の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする電子デバイス。
24. 前記電子デバイスは、発光素子または光電変換素子である請求項２３に記載の電子デバイス。
25. 前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項２４に記載の電子デバイス。
26. 請求項２０または２１に記載の導電層を有する積層体を備えることを特徴とする電子デバイス。
27. 前記電子デバイスは、スイッチング素子である請求項２２に記載の電子デバイス。
28. 前記スイッチング素子は、有機薄膜トランジスタである請求項２７に記載の電子デバイス。
29. 請求項２２ないし２８のいずれかに記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
    
    

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