CN102301473B - 光电转换装置和光电转换装置的制造方法 - Google Patents
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Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009026696 | 2009-02-06 | ||
| JP2009-026696 | 2009-02-06 | ||
| JP2010010370A JP2010206178A (ja) | 2009-02-06 | 2010-01-20 | 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法 |
| JP2010-010370 | 2010-01-20 | ||
| PCT/JP2010/051309 WO2010090149A1 (en) | 2009-02-06 | 2010-01-26 | Photoelectric conversion apparatus and manufacturing method for a photoelectric conversion apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102301473A CN102301473A (zh) | 2011-12-28 |
| CN102301473B true CN102301473B (zh) | 2014-04-23 |
Family
ID=42061992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201080006217.3A Expired - Fee Related CN102301473B (zh) | 2009-02-06 | 2010-01-26 | 光电转换装置和光电转换装置的制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8570418B2 (enExample) |
| JP (1) | JP2010206178A (enExample) |
| CN (1) | CN102301473B (enExample) |
| WO (1) | WO2010090149A1 (enExample) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010206181A (ja) * | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP6016434B2 (ja) | 2012-04-23 | 2016-10-26 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法、及びカメラ |
| CN102751303A (zh) * | 2012-07-26 | 2012-10-24 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 图像传感器制造方法以及图像传感器 |
| JP6231741B2 (ja) * | 2012-12-10 | 2017-11-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2014199898A (ja) * | 2013-03-11 | 2014-10-23 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに、電子機器 |
| JP2015170650A (ja) * | 2014-03-05 | 2015-09-28 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| CN104201185B (zh) * | 2014-09-24 | 2017-07-18 | 格科微电子(上海)有限公司 | 图像传感器及其形成方法 |
| JP2016082306A (ja) | 2014-10-10 | 2016-05-16 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム及び撮像装置の駆動方法 |
| CN105655362B (zh) * | 2014-12-03 | 2018-12-21 | 比亚迪股份有限公司 | 防串扰图像传感器 |
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| JP7084700B2 (ja) | 2017-06-16 | 2022-06-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置およびスキャナ |
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| JP7292860B2 (ja) | 2018-11-22 | 2023-06-19 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
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| JP4604296B2 (ja) * | 1999-02-09 | 2011-01-05 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2001257339A (ja) | 2000-01-06 | 2001-09-21 | Texas Instr Japan Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2003031787A (ja) | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Canon Inc | 固体撮像素子及びその駆動方法 |
| JP4269033B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2009-05-27 | シャープ株式会社 | 受光素子及びその製造方法、並びに、回路内蔵型受光素子及びその製造方法 |
| CN100435343C (zh) | 2002-06-27 | 2008-11-19 | 佳能株式会社 | 固体摄象装置和用固体摄象装置的摄象机系统 |
| JP3796227B2 (ja) | 2003-03-24 | 2006-07-12 | 三洋電機株式会社 | 電荷結合素子の製造方法 |
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| JP2005136269A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4174468B2 (ja) | 2003-12-12 | 2008-10-29 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP4612818B2 (ja) | 2004-08-31 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像素子、固体撮像装置及び撮像システム |
| US7323731B2 (en) | 2003-12-12 | 2008-01-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, method of manufacturing photoelectric conversion device, and image pickup system |
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| JP4525144B2 (ja) * | 2004-04-02 | 2010-08-18 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| WO2005109512A1 (en) | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
| US7605415B2 (en) | 2004-06-07 | 2009-10-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device comprising photoelectric conversation unit, floating diffusion region and guard ring |
| JP5230058B2 (ja) | 2004-06-07 | 2013-07-10 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
| JP4916101B2 (ja) | 2004-09-01 | 2012-04-11 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
| JP2006073736A (ja) | 2004-09-01 | 2006-03-16 | Canon Inc | 光電変換装置、固体撮像装置及び固体撮像システム |
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| KR100781544B1 (ko) | 2006-08-08 | 2007-12-03 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서의 제조 방법 |
| JP5110831B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-12-26 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及び撮像システム |
| TWI479887B (zh) | 2007-05-24 | 2015-04-01 | 新力股份有限公司 | 背向照明固態成像裝置及照相機 |
| JP5157259B2 (ja) | 2007-05-29 | 2013-03-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及び撮像装置 |
| JP4967884B2 (ja) | 2007-07-23 | 2012-07-04 | 大日本印刷株式会社 | コロナ放電処理装置、コロナ放電処理方法、及び当該方法を用いて製造される床用化粧材 |
| JP2009038309A (ja) | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Sharp Corp | 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器 |
| JP5136110B2 (ja) * | 2008-02-19 | 2013-02-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP5213501B2 (ja) | 2008-04-09 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5335271B2 (ja) | 2008-04-09 | 2013-11-06 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム |
| JP4759590B2 (ja) | 2008-05-09 | 2011-08-31 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム |
| JP2009278241A (ja) | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Canon Inc | 固体撮像装置の駆動方法および固体撮像装置 |
| JP5245572B2 (ja) | 2008-06-26 | 2013-07-24 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及び携帯型電子機器 |
| US8618458B2 (en) * | 2008-11-07 | 2013-12-31 | Omnivision Technologies, Inc. | Back-illuminated CMOS image sensors |
| JP2010161236A (ja) | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Canon Inc | 光電変換装置の製造方法 |
| JP5451098B2 (ja) | 2009-02-06 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2010206181A (ja) | 2009-02-06 | 2010-09-16 | Canon Inc | 光電変換装置及び撮像システム |
| JP5538922B2 (ja) | 2009-02-06 | 2014-07-02 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2010199154A (ja) | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Canon Inc | 固体撮像素子 |
| JP5623068B2 (ja) | 2009-12-07 | 2014-11-12 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-01-20 JP JP2010010370A patent/JP2010206178A/ja active Pending
- 2010-01-26 WO PCT/JP2010/051309 patent/WO2010090149A1/en not_active Ceased
- 2010-01-26 CN CN201080006217.3A patent/CN102301473B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-01-26 US US13/132,968 patent/US8570418B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-09-27 US US14/040,032 patent/US9076704B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140091416A1 (en) | 2014-04-03 |
| JP2010206178A (ja) | 2010-09-16 |
| US20110242387A1 (en) | 2011-10-06 |
| WO2010090149A1 (en) | 2010-08-12 |
| US8570418B2 (en) | 2013-10-29 |
| CN102301473A (zh) | 2011-12-28 |
| US9076704B2 (en) | 2015-07-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20140423 Termination date: 20220126 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |