CN102105266B - 氧化铝颗粒以及包含该氧化铝颗粒的抛光组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明提供包含一次颗粒的氧化铝颗粒，其一次颗粒每个具有六面体形状及1至5的纵横比。所述氧化铝颗粒优选地具有0.01至0.6μm的平均一次粒径。所述氧化铝颗粒优选地具有5％至70％的α-转化率。此外，所述氧化铝颗粒优选地具有0.01至2μm的平均二次粒径，并且氧化铝颗粒的90％粒径除以氧化铝颗粒的10％粒径所得值优选等于或小于3。所述氧化铝颗粒可用作，例如，对半导体器件基板、硬盘基片、或显示器基板进行抛光的用途中的磨粒。

Description

氧化铝颗粒以及包含该氧化铝颗粒的抛光组合物
技术领域
本发明涉及由铝氧化物组成的氧化铝颗粒以及一种包含该氧化铝颗粒的抛光组合物，所述铝氧化物包括氧化铝(如α-氧化铝和过渡型氧化铝)以及水合氧化铝(如薄水铝石)。
背景技术
氧化铝颗粒可用作，例如，对用于电子元件的基板(如半导体器件基板、显示器基板、硬盘基片、和用于发光二极管的蓝宝石基板)进行抛光用途中的磨粒。因为要求这些基板具有高平滑性和低缺陷，所以所使用的氧化铝颗粒应具有相对较小的粒径(例如，参见专利文献1和2)。一般来说，包含氧化铝颗粒作为松散磨粒的抛光组合物与包含胶体氧化硅作为松散磨粒的抛光组合物相比较，具有更高的基板抛光速率(去除速率)。然而，即使在包含氧化铝颗粒的抛光组合物的情况下，利用所述抛光组合物进行抛光的基板的抛光速率通常会随着氧化铝颗粒的粒径减小而降低。此外，随着氧化铝颗粒的粒径减小，会变得难以通过清洗去除在抛光后粘附在基板表面的氧化铝颗粒(亦即，洗掉氧化铝颗粒的容易度下降)。
现有技术文献
专利文献1：日本专利申请公开3-277683号
专利文献2：日本专利申请公开5-271647号
发明内容
发明所要解决的问题
因此，本发明的目的是提供适宜用作磨粒，即使粒径较小也不会造成不利影响(如抛光速率的降低和洗去容易度的降低)的氧化铝颗粒，并且提供一种包含该氧化铝颗粒的抛光组合物。
解决问题的手段
为了达到上述目的，根据本发明的一个方面提供包含一次颗粒的氧化铝颗粒，其中每个一次颗粒具有六面体形状及1至5的纵横比。所述氧化铝颗粒优选地具有0.01至0.6μm的平均一次粒径。氧化铝颗粒优选地具有5％至70％的α-转化率。此外，氧化铝颗粒优选地具有0.01至2μm的平均二次粒径，并且氧化铝颗粒的90％粒径除以氧化铝颗粒的10％粒径所得值优选地等于或小于3。
根据本发明的另一个方面提供一种包含如上述氧化铝颗粒、和水的抛光组合物。
发明效果
根据本发明，提供可以适宜用作磨粒并且即使粒径较小也不会造成不利影响(如抛光速率的降低和洗去容易度的降低)的氧化铝颗粒，并且还提供一种包含该氧化铝颗粒的抛光组合物。
附图说明
图1示出了根据本发明一个实施方式的氧化铝颗粒的实例的扫描电子显微照片；以及
图2和图3示出了根据相同实施方式的氧化铝颗粒的另一个实例的两张扫描电子显微照片。
具体实施方式
以下，将描述本发明的一个实施方式。
根据本实施方式的氧化铝颗粒包含一次颗粒，其中每个一次颗粒具有六面体形状。每个氧化铝一次颗粒优选地具有接近于由两个相对的正方形以及四个长方形或正方形所界定的平行六面体、或者由两个相对的菱形以及四个长方形或正方形所界定的平行六面体的轮廓形状。图1示出了前者的实例，图2和图3示出了后者的实例。
氧化铝一次颗粒具有在1至5的范围内的纵横比。此处，纵横比被定义为“a”除以“c”，其中“a”表示从具有六面体形状的氧化铝一次颗粒的一个顶点延伸出的三条边中的最长边的长度，“c”表示其中最短边的长度。剩下一条边的长度“b”优选大致等于最长边的长度“a”。本实施方式的氧化铝颗粒具有如下优点：可以适宜用作磨粒，并且即使粒径较小也不会造成不利影响(如抛光速率的降低和洗去容易度的降低)，因为这些氧化铝颗粒包含具有在如上述范围内的纵横比的一次颗粒。为了进一步提升氧化铝颗粒的优点，一次颗粒的纵横比优选为尽量地小。具体地，氧化铝一次颗粒具有优选等于或小于3、更优选等于或小于2、更优选等于或小于1.5的纵横比。
本实施方式的氧化铝颗粒可用作，例如，对由以下材料形成的被抛光物体进行抛光用途中的磨粒：金属(包括简单金属，如铜、铝、钨、铂、钯和钌；以及金属合金，如镍-磷)、半导体(包括元素半导体，如锗和硅；化合物半导体，如硅化锗、砷化镓、磷化铟和氮化镓；以及氧化物半导体，如氧化铝单晶(蓝宝石))、和绝缘材料(包括玻璃，如铝硅酸盐玻璃；以及塑料，如氨基甲酸酯树脂、丙烯酸树脂和聚碳酸酯树脂)。更具体地，所述氧化铝颗粒可用于，例如，由贱金属(如铝和铜)和贵金属(如铂、钯和钌)构成的半导体器件基板的布线的抛光；镀镍-磷硬盘基片的表面的抛光；玻璃圆盘基板的抛光；眼镜的塑料镜片的抛光；液晶显示器的彩色滤光片基板的抛光；并且可用于发光二极管的蓝宝石基片的抛光。所述氧化铝颗粒可以用作松散的磨粒或者可以用作固定的磨粒。
当把本实施方式的氧化铝颗粒用作磨粒时，如下所描述的，它们在平均一次粒径、平均二次粒径、粒径分布和α-转化率方面具有合适的范围。
关于平均一次粒径
氧化铝颗粒具有优选等于或大于0.01μm、更优选等于或大于0.03μm、更优选等于或大于0.05μm的平均一次粒径。此处，平均一次粒径被定义为从每个六面体形状的氧化铝一次颗粒的一个顶点延伸出的三条边中的最长边的长度的平均值。利用氧化铝颗粒进行抛光的物体的抛光速率(去除速率)会随着氧化铝颗粒的平均一次粒径增大而升高。在这方面，当氧化铝颗粒具有等于或大于0.01μm、或者更具体地等于或大于0.03μm、或者等于或大于0.05μm的平均一次粒径时，将会更加易于将抛光速率提高到对实际应用来说尤其合适的水平。
此外，氧化铝颗粒具有优选等于或小于0.6μm、更优选等于或小于0.35μm、更优选等于或小于0.25μm的平均一次粒径。在利用氧化铝颗粒进行抛光后被抛光物体的划痕数量和表面粗糙度会随着氧化铝颗粒的平均一次粒径减小而降低。在这方面，当氧化铝颗粒具有等于或小于0.6μm、或者更具体地等于或小于0.35μm、或者等于或小于0.25μm的平均一次粒径时，将会更加易于将划痕数量和表面粗糙度降低到对于实际应用来说尤其合适的水平。
关于平均二次粒径
氧化铝颗粒具有优选等于或大于0.01μm、更优选等于或大于0.03μm、更优选等于或大于0.05μm的平均二次粒径。此处，平均二次粒径等于当从最小粒径的颗粒算起按照以激光散射法所测量粒径的升序而累积的氧化铝颗粒体积最终合计达到等于或大于所有氧化铝颗粒总体积的50％时的氧化铝颗粒的粒径。利用氧化铝颗粒进行抛光的物体的抛光速率会随着氧化铝颗粒的平均二次粒径增加而提高。此外，随着氧化铝颗粒的平均二次粒径增加，在利用氧化铝颗粒进行抛光后，将会更加易于通过清洗而除去粘附在抛光物体表面的氧化铝颗粒(亦即，洗去氧化铝颗粒的容易度提高)。在这方面，当氧化铝颗粒具有等于或大于0.01μm、或者更具体地等于或大于0.03μm、或者等于或大于0.05μm的平均二次粒径，将会更加易于将抛光速率和洗去容易度提高到对实际应用来说尤其合适的水平。
此外，氧化铝颗粒具有优选等于或小于2μm、更优选等于或小于1μm、更优选等于或小于0.5μm的平均二次粒径。随着氧化铝颗粒的平均二次粒径减小，利用氧化铝颗粒进行抛光后的被抛光物体的划痕数量和表面粗糙度会降低。在这方面，当氧化铝颗粒具有等于或小于2μm、或者更具体地等于或小于1μm、或者等于或小于0.5μm的平均二次粒径时，将会更加易于将划痕数量和表面粗糙度降低到对于实际应用来说尤其合适的水平。
关于粒径分布
将氧化铝颗粒的90％粒径(D90)除以氧化铝颗粒的10％粒径(D10)所得出的值D90/D10优选等于或小于3、更优选等于或小于2.5、更优选等于或小于2.2、尤其优选等于或小于2.0。此处，90％粒径等于当按照以激光散射法所测量粒径的升序从最小粒径的颗粒起累积的氧化铝颗粒体积最后合计达到等于或大于所有氧化铝颗粒总体积的90％时的氧化铝颗粒的粒径；并且，10％粒径等于当按照以激光散射法所测量粒径的升序从最小粒径颗粒起累积的体积最后合计达到等于或大于所有氧化铝颗粒总体积的10％时的氧化铝颗粒的粒径。由于氧化铝颗粒中包含的会造成划痕数量和表面粗糙度增加的粗颗粒(coarseparticle)的比例随着氧化铝颗粒的值D90/D10减小而降低，利用氧化铝颗粒进行抛光后被抛光物体的划痕数量和表面粗糙度降低。此外，由于氧化铝颗粒中包含的会造成洗去容易度降低的细颗粒的比例也随着值D90/D10降低而减少，在抛光后将会更加易于通过清洗而除去粘附在被抛光物体表面的氧化铝颗粒。在这方面，当氧化铝颗粒具有等于或小于3、或者更具体地等于或小于2.5、等于或小于2.2、或者等于或小于2.0的D90/D10值时，将会更加易于将划痕数量和表面粗糙度降低到对于实际应用来说尤其合适的水平，并且将洗去容易度提高到对于实际应用来说尤其合适的水平。
对于D90/D10值的下限没有特别限制，但是优选等于或大于1.1，更优选等于或大于1.2，尤其优选等于或大于1.3。
关于α-转化率
氧化铝颗粒可以具有任意晶型，可以主要包括例如：水合氧化铝(如薄水铝石)、过渡型氧化铝(如γ-氧化铝、δ-氧化铝和θ-氧化铝)、和α-氧化铝中的任意种。然而，当要求具有高硬度时，氧化铝颗粒优选包含至少一定量的α-氧化铝。氧化铝颗粒的α-转化率优选等于或大于5％、更优选等于或大于10％、更优选等于或大于20％。此处，α-转化率是基于利用X射线衍射法与刚玉进行比较所确定的值。利用氧化铝颗粒进行抛光的被抛光物体的抛光速率，会随着氧化铝颗粒的α-转化率提高而增加。在这方面，当氧化铝颗粒具有等于或大于5％、或者更具体地等于或大于10％、或者等于或大于20％的α-转化率时，将会更加易于将抛光速率提高到对实际应用来说尤其合适的水平。
此外，氧化铝颗粒的α-转化率优选等于或小于70％，更优选等于或小于50％、尤其优选等于或小于30％。利用氧化铝颗粒进行抛光后被抛光物体的划痕数量和表面粗糙度会随着氧化铝颗粒的α-转化率降低而减小。在这方面，当氧化铝颗粒的α-转化率等于或小于70％、或者更具体地等于或小于50％、或者等于或小于30％时，将会更加易于将划痕数量和表面粗糙度降低到对实际应用来说尤其合适的水平。
本实施方式的氧化铝颗粒是采用例如浆状抛光组合物的形式来使用的，该浆状组合物是通过将颗粒至少与水混合来制备。用于对镀镍-磷硬盘基片表面进行抛光的抛光组合物，是通过将氧化铝颗粒与水，优选地与抛光促进剂一道，更优选地与抛光促进剂、清洗促进剂和氧化剂一道混合而制备。例如，通过将氧化铝颗粒与水混合来制备用于抛光显示器基板的抛光组合物。用于对半导体器件基板布线进行抛光的抛光组合物，是通过将氧化铝颗粒与水，优选地与抛光促进剂和氧化剂一道混合来制备。
氧化铝颗粒在抛光组合物中的含量优选等于或大于0.01重量％、更优选等于或大于0.1重量％。利用抛光组合物的抛光物体的抛光速率会随着氧化铝颗粒的含量增加而提高。在这方面，当氧化铝颗粒在抛光组合物中的含量等于或大于0.01重量％，或者更具体地等于或大于0.1重量％，将会更加易于将抛光速率提高到对于实际应用来说尤其合适的水平。
此外，氧化铝颗粒在抛光组合物中的含量优选等于或小于30重量％，更优选等于或小于15重量％。氧化铝颗粒在抛光组合物中的分散性会随着氧化铝颗粒的含量减低而提高。在这方面，当氧化铝颗粒在抛光组合物中的含量等于或小于30重量％，或者更具体地等于或小于15重量％时，将会更加易于将氧化铝颗粒在抛光组合物中的分散性提高到对实际应用来说尤其合适的水平。
任选地，将抛光促进剂加入到抛光组合物中，用以提高利用抛光组合物的抛光物体的抛光速率。可以加入到抛光组合物中的抛光促进剂的实例包括：有机酸及其盐、无机酸及其盐、和碱性化合物(包括碱金属氢氧化物、氨、胺类和季铵化合物)。
有机酸的具体实例包括：柠檬酸、马来酸、马来酸酐(顺丁烯二酸酐)、苹果酸、羟基乙酸、丁二酸、衣康酸(亚甲基丁二酸)、丙二酸、亚氨基二乙酸、葡萄糖酸、乳酸、扁桃酸、酒石酸、巴豆酸(丁烯酸)、烟酸、乙酸、硫代苹果酸(巯基丁二酸)、甲酸、乙二酸、和羧乙基硫代丁二酸。这些有机酸的铵盐、碱金属盐和过渡金属盐(包括铁盐、镍盐和铝盐)也可以用作抛光助剂。
无机酸的具体实例包括：盐酸、硫酸、硝酸和磷酸。这些无机酸的铵盐、碱金属盐和过渡金属盐(包括铁盐、镍盐和铝盐)也可以用作抛光助剂。
碱金属氢氧化物的具体实例包括：氢氧化钾、氢氧化钠、和氢氧化锂。
胺类化合物的具体实例包括：单胺类(如甲胺和乙胺)、二胺类(如乙二胺)、和烷醇胺类(如一乙醇胺和三乙醇胺)。
季铵化合物的具体实例包括：四烷基铵化合物(如四甲基铵化合物、四乙基铵化合物、和四丙基铵化合物)。
用于对镀镍-磷硬盘基片表面进行抛光的抛光组合物中所使用的抛光促进剂，优选无机酸盐，尤其优选无机铝盐(如硝酸铝、硫酸铝和氯化铝)。当把无机铝盐用于抛光组合物中时，在使用抛光组合物进行抛光后，该抛光组合物的抛光速率将会特别显著地提高并且不会造成划痕数量和基板表面粗糙度的增加。
对半导体器件基板布线进行抛光的抛光组合物中所使用的抛光促进剂，优选无机酸或有机酸，尤其优选硝酸、硫酸和柠檬酸。
其他抛光组合物中所使用的抛光促进剂，优选无机酸的碱金属盐，尤其优选氯化钾、氯化钠、硝酸钾、硝酸钠、硫酸钾和硫酸钠。这些碱金属盐可促进抛光组合物中的氧化铝颗粒的聚集，从而导致该抛光组合物的抛光速率显著提高。
任选地，将清洗促进剂加入到抛光组合物中，用以提高氧化铝颗粒的洗去容易度。可以将任何螯合物用作清洗促进剂。清洗促进剂的具体实例包括：二乙三胺五乙酸、羟乙基乙二胺三乙酸、三乙四胺六乙酸、谷氨酸二乙酸、以及这些酸的碱金属盐和铵盐。
任选地，将氧化剂加入到抛光组合物中，用以提高利用抛光组合物抛光物体的抛光速率。可以将任何具有氧化作用的物质用作氧化剂，但是优选使用的是过氧化氢(易于处理)以及过硫酸盐(如过硫酸铵、过硫酸钠和过硫酸钾)。
接着，将对用于制造上述氧化铝颗粒的方法进行描述。
主要包括α-氧化铝或过渡型氧化铝的氧化铝颗粒，可以通过可基本上维持原材料颗粒的一次颗粒的形状的方式煅烧原材料颗粒而制造，所述原材料颗粒由水合氧化铝组成并且包括每个都具有六面体形状的一次颗粒。主要包括α-氧化铝的氧化铝颗粒还可以通过可基本上维持原材料颗粒的一次颗粒的形状的方式煅烧原材料颗粒而制造，所述原材料颗粒由过渡型氧化铝组成并且包含每个都具有六面体形状的一次颗粒。优选地，原材料颗粒的每个一次颗粒都具有接近于由两个相对的正方形以及四个长方形或正方形界定的平行六面体、或者由两个相对的菱形以及四个长方形或正方形界定的平行六面体的轮廓形状。水合氧化铝可以是三水铝石、三羟铝石、诺三水铝石、和薄水铝石(boehmite)中的任意种。煅烧温度是在例如500℃至1250℃的范围内。
主要包括薄水铝石的氧化铝颗粒，可以通过在高压釜中、于200℃下对含有1重量％至30重量％的具有等于或小于10μm的平均一次粒径的三水铝石颗粒或三羟铝石颗粒的抛光液进行4小时的水热处理而制造。
可以按如下方式对上述实施方式进行修改。
除了用作磨粒之外，上述实施方式的氧化铝颗粒还可以用作树脂、颜料、涂层剂、化妆品、催化剂、陶瓷原材料等的填充料。
视情况，上述实施方式的抛光组合物还可以包含表面活性剂。在这种情况下，在进行抛光后被抛光物体的划痕数量将会减少。
视情况，上述实施方式的抛光组合物还可以包含水溶性聚合物。在这种情况下，在进行抛光后被抛光物体的划痕数量将会减少。水溶性聚合物的具体实例包括：多糖，如羟乙基纤维素、普鲁兰糖(pullulan)和角叉菜胶(carrageenan)，以及合成水溶性聚合物(如聚乙烯醇和聚乙烯吡咯烷酮)。
上述实施方式的抛光组合物，可以通过用水稀释抛光组合物的储液而制备。
接着，将参照实例和比较例来更具体地描述本发明。
(实例1至17以及比较例1至6)
在实例1至17以及比较例1至5中，将由表1中的“A”至“P”所代表的铝化合物颗粒与水以及九水合硝酸铝或六水合氯化铝(抛光促进剂)、谷氨酸二乙酸四钠(清洗促进剂)、和过氧化氢(氧化剂)混合，而制备抛光组合物。在比较例6中，将九水合硝酸铝、谷氨酸二乙酸四钠、和过氧化氢与水混合，而制备抛光组合物。各实例和比较例的抛光组合物中所包含的铝化合物颗粒的类型和含量以及抛光促进剂的类型和含量，分别示于表2中名称为“铝化合物颗粒的类型”、“铝化合物颗粒的含量”、“抛光促进剂的类型”、和“抛光促进剂的含量”的列中。此外，在任何抛光组合物的情况下，各实例和比较例的抛光组合物中的谷氨酸二乙酸的含量和过氧化氢的含量分别为0.3g/L和13g/L。
表1的名称为“一次颗粒形状”的列中所示的形状，是基于利用扫描电子显微镜“S-4700”(由日立高新技术公司(HitachiHigh-TechnologiesCorporation)制造)对铝化合物颗粒的一次颗粒的形状进行观察的结果。表1的名称为“纵横比”的列中所示数值代表了基于利用扫描电子显微镜“S-4700”观察200个铝化合物颗粒所测量的纵横比的平均值。表1的名称为“α-转化率”的列中所示数值代表了基于利用X射线衍射仪“MiniFlexII”(由日本理学公司制造)与刚玉进行比较所确定的铝化合物颗粒的α-转化率。表1的名称为“平均一次粒径”的列中所示数值代表了基于利用扫描电子显微镜“S-4700”进行观测所测量的铝化合物颗粒的平均一次粒径。表1的名称为“平均二次粒径”的列中所示数值代表了利用激光衍射/散射粒径分布测量装置“LA-950”(由日本Horiba，Ltd.制造)所测量的铝化合物颗粒的平均二次粒径。表1的名称为“D90/D10”的列中所示数值代表了由利用激光衍射/散射粒径分布测量装置“LA-950”测量的铝化合物颗粒90％粒径和10％粒径计算得到的值D90/D10。应注意到，在表1中由“A”到“R”所代表的铝化合物颗粒是主要包括氧化铝的氧化铝颗粒；由“S”所代表的铝化合物颗粒是主要包括薄水铝石的薄水铝石颗粒；由“T”所代表的铝化合物颗粒是主要包括氢氧化铝的氢氧化铝颗粒。
在表3中所示条件下利用各实例和比较例的抛光组合物对3.5英寸(大约95毫米)直径磁盘的化学镀镍-磷基板进行抛光。基于抛光前与抛光后的基板重量的差异来确定抛光速率。结果示于表2的名称为“抛光速率”的列中。
用纯水清洗利用各实例和比较例的抛光组合物进行了抛光的基板。接着，使用由相移技术公司(PhaseShiftTechnology)制造的“MicroXAM”测量抛光后基板表面的算术平均粗糙度Ra。结果示于表2的名称为“算术平均粗糙度Ra”的列中。还利用由相移技术公司制造的“OptiFlat”来测量抛光后基板表面的算术平均波度(waviness)Wa。结果示于表2的名称为“算术平均波度Wa”的列中。
用纯水清洗利用各实例和比较例的抛光组合物进行了抛光的基板，然后记录在经清洗基板表面上的划痕数量。具体地，在利用表面检测灯“F100Z”(由Funakoshi化学有限公司制造)的光照射基板表面时，以目视方式记录划痕数量。将根据如下标准的评价结果示于表2的名称为“划痕的数量”的列中：若记录的划痕数量小于30，则为“优异”(○○○)；若记录的划痕数量等于或大于30并且小于50，则为“良”(○○)；若记录的划痕数量等于或大于50并且小于75，则为“尚可”(○)；若记录的划痕数量等于或大于75并且小于100，则为“略差”(×)；以及，若记录的划痕数量等于或大于100，则为“差”(××)。
用纯水清洗利用各实例和比较例的抛光组合物进行了抛光的基板，然后观察在经清洗基板表面上是否粘附有异物。具体地，在荧光下通过目视观察表面，并且利用扫描电子显微镜进行观察。将根据如下标准的评价结果示于表2中的名称为“异物的粘附”的列中：若通过目视观察或者利用扫描电子显微镜证实没有异物的粘附，则为“优异”(○)；若通过目视观察证实没有异物的粘附但是利用扫描电子显微镜证实有异物的粘附，则为“略差”(×)；若通过目视观察可较困难地证实有异物的粘附，则为“差”(××)；以及，若通过目视观察可明确地证实有异物的粘附，则为“非常差”(×××)。
表1
表2
表3
如表2中所示，实例1至17中的抛光组合物在抛光速率和表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra和算术平均波度Wa)方面提供了足够实用水平的数值，并且还在划痕数量和异物粘附方面提供了良好的结果。
(实例21至24以及比较例21和22)
将由表1中的“A”、“B”、“D”、“Q”、“S”、和“T”所代表的任何铝化合物颗粒与水混合，而制备抛光组合物。各实例和比较例的抛光组合物中所包含铝化合物颗粒的类型和含量以及各实例和比较例的抛光组合物的pH值示于表4。
利用各实例和比较例的抛光组合物，在表5中所示条件下对用于显示板的丙烯酸树脂基板表面进行抛光。基于抛光前与抛光后的基板重量的差异来确定抛光速率。结果示于表4的名称为“抛光速率”的列中。
用纯水清洗利用各实例和比较例的抛光组合物进行了抛光的基板。随后，利用“MicroXAM”(由PhaseShiftTechnology制造)测量在抛光后基板表面的算术平均粗糙度Ra。结果示于表4的名称为“算术平均粗糙度Ra”的列中。
用纯水清洗利用各实例和比较例的抛光组合物进行了抛光的基板，随后，记录在清洗后基板表面上的划痕数量。具体地，在利用表面检测灯“F100Z”(由Funakoshi化学有限公司制造)的光照射基板表面时，以目视方式记录划痕数量。将根据如下标准的评价结果示于表4的名称为“划痕数量”的列中：若记录的划痕数量小于50，则为“良”(○○)；若记录的划痕数量等于或大于50并且小于75，则为“尚可”(○)；若记录的划痕数量等于或大于75并且小于100，则为“略差”(×)；以及，若记录的划痕数量等于或大于100，则为“差”(××)。
表4
表5
如表4中所示，实例21至24中的抛光组合物在抛光速率和表面粗糙度(算术平均粗糙度Ra)方面提供足够实用水平的数值，并且还在划痕数量方面提供良好的结果。
(实例31和32以及比较例31)
将表1中由“A”和“R”所代表的铝化合物颗粒与水以及盐酸(抛光促进剂)、氯化钾(抛光促进剂)、和过氧化氢(氧化剂)混合，而制备抛光组合物。将各实例和比较例的抛光组合物中所包含铝化合物颗粒的类型和含量以及各实例和比较例的抛光组合物的pH值示于表6。此外，对各抛光组合物，各实例和比较例的抛光组合物中的盐酸含量、氯化钾含量、和过氧化氢含量分别为1.2g/L、18.8g/L和34.2g/L。
利用各实例和比较例的抛光组合物，在表7中所示条件下对散布着具有70μm×70μm尺寸的由钯所构成的垫的半导体器件基板的表面进行抛光。基于抛光前与抛光后的基板重量的差异来确定抛光速率。结果示于表6的名称为“抛光速率”的列中。
用纯水清洗利用各实例和比较例的抛光组合物进行了抛光的基板，随后记录在经清洗基板表面上的划痕数量。具体地，在利用表面检测灯“F100Z”(由Funakoshi化学有限公司制造)的光照射基板表面时，以目视方式记录划痕数量。将按照如下标准的评价结果示于表6的名称为“划痕数量”的列中：若记录的划痕数量小于50，则为“良”(○○)；若记录的划痕数量等于或大于50并且小于75，则为“尚可”(○)；若记录的划痕数量等于或大于75并且小于100，则为“略差”(×)；以及，若记录的划痕数量等于或大于100，则为“差”(××)。
表6
表7
如表6中所示，实例31和32中的抛光组合物在抛光速率方面提供了足够实用水平的数值，并且还在划痕数量方面提供了良好的结果。

Claims (11)

1.一种氧化铝颗粒，其特征在于，其一次颗粒各具有接近于平行六面体的轮廓形状及1至5的纵横比，纵横比被定义为a除以c，其中a表示各一次颗粒的一个顶点延伸出的三条边中的最长边的长度，c表示其中最短边的长度。
2.根据权利要求1所述的氧化铝颗粒，其中所述氧化铝颗粒具有0.01至0.6μm的平均一次粒径。
3.根据权利要求1或2所述的氧化铝颗粒，其中所述氧化铝颗粒具有5％至70％的α-转化率。
4.根据权利要求1或2所述的氧化铝颗粒，其中所述氧化铝颗粒具有0.01至2μm的平均二次粒径，所述氧化铝颗粒的90％粒径除以所述氧化铝颗粒的10％粒径所得值等于或小于3。
5.根据权利要求1或2所述的氧化铝颗粒，其中所述氧化铝颗粒用作对电子元件中所使用基板进行抛光的用途中的磨粒。
6.根据权利要求1或2所述的氧化铝颗粒，其中所述氧化铝颗粒用作对镀镍-磷的待抛光物体表面进行抛光的用途中的磨粒。
7.根据权利要求1或2所述的氧化铝颗粒，其中所述氧化铝颗粒用作对由贵金属形成的待抛光物体进行抛光的用途中的磨粒。
8.根据权利要求1或2所述的氧化铝颗粒，其中所述氧化铝颗粒用作对由树脂形成的待抛光物体进行抛光的用途中的磨粒。
9.根据权利要求1或2所述的氧化铝颗粒，其中所述一次颗粒的所述纵横比为1至1.2。
10.一种抛光组合物，其特征在于，包含根据权利要求1或2所述的氧化铝颗粒、及水。
11.一种抛光方法，其包括：
提供待抛光物体；及
使用权利要求10所述的抛光组合物抛光所述物体。
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