CN101874429A - 陶瓷复合多层基板及其制造方法以及电子元器件 - Google Patents

陶瓷复合多层基板及其制造方法以及电子元器件 Download PDF

Info

Publication number
CN101874429A
CN101874429A CN200880118676A CN200880118676A CN101874429A CN 101874429 A CN101874429 A CN 101874429A CN 200880118676 A CN200880118676 A CN 200880118676A CN 200880118676 A CN200880118676 A CN 200880118676A CN 101874429 A CN101874429 A CN 101874429A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ceramic
layer
resin
base plate
multilager base
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN200880118676A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101874429B (zh
Inventor
野宫正人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN101874429A publication Critical patent/CN101874429A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101874429B publication Critical patent/CN101874429B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4688—Composite multilayer circuits, i.e. comprising insulating layers having different properties
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B18/00—Layered products essentially comprising ceramics, e.g. refractory products
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
    • B32B3/08—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions characterised by added members at particular parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/04—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B9/045—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising such particular substance as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/111—Fine ceramics
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2250/00—Layers arrangement
    • B32B2250/40—Symmetrical or sandwich layers, e.g. ABA, ABCBA, ABCCBA
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
    • B32B2260/02—Composition of the impregnated, bonded or embedded layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
    • B32B2260/04—Impregnation, embedding, or binder material
    • B32B2260/046—Synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/36—Glass starting materials for making ceramics, e.g. silica glass
    • C04B2235/365—Borosilicate glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5436—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof micrometer sized, i.e. from 1 to 100 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5463—Particle size distributions
    • C04B2235/5472—Bimodal, multi-modal or multi-fraction
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/602—Making the green bodies or pre-forms by moulding
    • C04B2235/6025—Tape casting, e.g. with a doctor blade
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/345—Refractory metal oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/345—Refractory metal oxides
    • C04B2237/346—Titania or titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/345—Refractory metal oxides
    • C04B2237/348—Zirconia, hafnia, zirconates or hafnates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/62—Forming laminates or joined articles comprising holes, channels or other types of openings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/66—Forming laminates or joined articles showing high dimensional accuracy, e.g. indicated by the warpage
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/68—Forming laminates or joining articles wherein at least one substrate contains at least two different parts of macro-size, e.g. one ceramic substrate layer containing an embedded conductor or electrode
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15313—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a land array, e.g. LGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0116—Porous, e.g. foam
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1147—Sealing or impregnating, e.g. of pores
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49163—Manufacturing circuit on or in base with sintering of base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
    • Y10T428/24322—Composite web or sheet
    • Y10T428/24331—Composite web or sheet including nonapertured component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24777—Edge feature
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249994—Composite having a component wherein a constituent is liquid or is contained within preformed walls [e.g., impregnant-filled, previously void containing component, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

一种陶瓷复合多层基板，该陶瓷复合多层基板能简化制造工序并能以低成本制造平坦性好、空隙残留少的基板，而且能防止层间剥离或从母板的剥离等，可靠性好。本发明的陶瓷复合多层基板(10)，包括层叠体，该层叠体由第一陶瓷层(11)和第二陶瓷层(12)构成，其中第二陶瓷层(12)被配置成与第一陶瓷层(11)接触并能抑制第一陶瓷层(11)的平面方向上的烧成收缩，在层叠体的至少一个主面上形成有使树脂浸渍于多孔质陶瓷中而成的树脂陶瓷复合层(13)。

Description

陶瓷复合多层基板及其制造方法以及电子元器件
技术领域
本发明涉及一种陶瓷复合多层基板及其制造方法以及电子元器件。
背景技术
作为与陶瓷多层基板相关的技术，例如已知有专利文献1～专利文献3所记载的技术。专利文献1记载了关于多层陶瓷基板的制造方法，专利文献2、专利文献3分别记载了复合多层基板。
在专利文献1所记载的多层陶瓷基板的制造方法中，制作在玻璃、陶瓷低温烧结基板材料中至少包含有机粘接剂、增塑剂的生片(green sheet)，用导体糊料组合物形成电极图案，并将上述生片(row sheet)与其他已形成电极图案的生片层叠所需层数。一定时间之后，在由上述低温烧结玻璃、陶瓷构成的生片层叠体的双面或单面上，将由在上述玻璃、陶瓷低温烧结基板材料的烧成温度下不会烧结的无机组合物构成的生片夹持的方式层叠，从而对上述层叠体进行烧成。一定时间之后，对未烧结的无机组合物填充树脂，从而形成最上层配线。
专利文献2所记载的复合多层基板包括陶瓷基板和树脂层，陶瓷基板具有电路图案，而树脂层在下表面具有外部端子电极，并且使陶瓷基板的下表面与树脂层的上表面接合且电路图案与外部端子电极电连接，陶瓷基板的热膨胀系数在20～300℃时处于10.0～20.0ppm/℃的范围。由于如上所述构成复合多层基板，因此能防止陶瓷基板与树脂层之间的层间剥离。专利文献3所记载的复合多层基板是包括陶瓷多层基板；以及由第一、第二、第三树脂层层叠而成的树脂层叠体，是陶瓷多层基板的下表面与树脂层叠体的上表面接合的复合多层基板，第一、第二、第三树脂层具有各自不同的热膨胀系数。在这种复合多层基板中，当使复合树脂材料层的热膨胀系数与陶瓷基板和印刷配线基板中任意一方相符时，由于在热膨胀系数的差异很大的界面上可能会产生因热冲击而引起的层间剥离或裂纹，因此使热膨胀系数具有倾斜构造。
专利文献1：日本专利特开平05-136572号公报
专利文献2：日本专利特开2005-210035号公报
专利文献3：日本专利特开2005-223226号公报
发明的公开
发明所要解决的技术问题
专利文献1的技术方法：通过用由在玻璃陶瓷低温烧结体基板材料的烧成温度下不烧结的无机组合物构成、并具有规定电极图案的约束层用陶瓷生片来夹持由基材层用陶瓷生片构成的层叠体，其中上述基材层用陶瓷生片由玻璃陶瓷低温烧结体基板材料构成、具有规定的电极图案，在烧成之后，对未烧结的无机组合物填充树脂，一定时间之后，形成最表面配线，在上述这样的方法中，由于多层陶瓷基板本身欲进行烧成、收缩，因此在未烧结的无机组合物层中，特别是多层陶瓷基板的界面附近的空隙率变小，因此在该部分无法充分填充树脂，会残留有空隙，此外，树脂的填充状态容易产生偏差，使所得到的基板的可靠性变差。
在专利文献2、专利文献3中，即使在将复合多层基板安装于印刷配线基板上时印刷配线基板与陶瓷基板的热膨胀系数之差很大，通过树脂层或树脂层叠体也能防止因印刷配线基板与陶瓷基板的热膨胀系数之差而发生的裂纹。但是，例如在形成树脂层之前陶瓷基板已经翘曲或由于形成树脂层而使陶瓷基板翘曲的情况下，还是容易产生裂纹。此外，近来，强烈要求陶瓷电子仪器的高度降低，陶瓷基板的厚度也要求越来越薄层化。由于这种薄层化，更易于产生陶瓷基板的翘曲及树脂硬化时的裂纹，在这种情况下，很难抑制裂纹的产生。
特别是在专利文献3的技术中，需要形成至少两层树脂层、需要在每个树脂层上形成导体配线部等，需要进行形成多个树脂层的工序以外的工序。而且，由于要经过多次形成树脂层，因此在将树脂层层叠时在树脂层间会产生位置偏移等、使层叠精度降低从而使树脂层的形态变差，在复合多层基板上容易产生变形。
此外，对于复合多层基板，除了上述高度降低之外，还要求陶瓷基板上的凹凸变少(低起伏的形状)。在经过多次形成树脂层的方法中，在基板完成之后，除了不易使陶瓷基板的厚度一定之外，还不易使基板表面的树脂层平滑。此外，在经过多次形成树脂层时，每次形成各树脂层都需要形成配线结构。因此，由于每次形成树脂层时反复进行相同的方法，因此存在制造工序烦杂、形成配线结构时易于产生结构缺陷等问题。
本发明为解决上述技术问题发明而成，其目的在于提供一种能简化制造工序并能以低成本制造平坦性好、空隙残留少的基板、而且能防止层间剥离或从母板的剥离的可靠性好的陶瓷复合多层基板及其制造方法以及电子元器件。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明的陶瓷复合多层基板的特征在于，包括层叠体，该层叠体由第一陶瓷层和第二陶瓷层构成，其中上述第二陶瓷层被配置成与上述第一陶瓷层接触并能抑制上述第一陶瓷层的平面方向上的烧成收缩，在上述层叠体的至少一个主面上形成有使树脂浸渍于多孔质陶瓷中而成的树脂陶瓷复合层。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板中，较为理想的是，上述第二陶瓷层配置于多个上述第一陶瓷层的层间。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板中，更为理想的是，上述第二陶瓷层配置于上述第一陶瓷层与上述树脂陶瓷复合层的层间。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板中，更为理想的是，在由上述第一陶瓷层与上述第二陶瓷层构成的层叠体的两个主面上均设有上述树脂陶瓷复合层。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板中，更为理想的是，在由上述第一陶瓷层与上述第二陶瓷层构成的层叠体的一个主面上配置有上述树脂陶瓷复合层。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板中，更为理想的是，在上述树脂陶瓷复合层的表面上形成有以树脂为主要成分的树脂层。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板中，更为理想的是，在上述树脂陶瓷复合层与上述树脂层的界面上形成有表面电极，上述表面电极的一个主面朝外部露出。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板中，更为理想的是，上述表面电极的边缘部分中的至少一部分被上述树脂层覆盖。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板中，更为理想的是，覆盖上述表面电极的边缘部分的至少一部分的上述树脂层是由与上述树脂陶瓷复合层中所含的上述树脂相同的材料构成的树脂形成的。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板中，更为理想的是，当至少一个主面形成有空腔(cavity)时，在上述第一陶瓷层、上述第二陶瓷层以及上述树脂陶瓷复合层中，至少上述第二陶瓷层或上述树脂陶瓷复合层在上述空腔的侧壁面或底面露出。
本发明的陶瓷复合多层基板的制造方法的特征在于，包括：在第一陶瓷生坯层的至少一个主面上配置能抑制上述第一陶瓷生坯层的平面方向上的烧成收缩的第二陶瓷生坯层从而形成未烧成层叠体，在该未烧成层叠体的至少一个主面上设有在烧成后作为多孔质陶瓷层的第三陶瓷生坯层，从而制作未烧成复合层叠体的工序；在至少能使第一陶瓷生坯层烧结的条件下对上述未烧成复合层叠体进行烧成的工序；以及将树脂浸渍于上述多孔质陶瓷层中从而形成树脂陶瓷复合层的工序。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板的制造方法中，较为理想的是，上述第二陶瓷生坯层配置于多个第一陶瓷生坯层的层间。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板的制造方法中，更为理想的是，上述第二陶瓷生坯层配置于上述第一陶瓷生坯层与上述第三陶瓷生坯层的层间。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板的制造方法中，更为理想的是，在由上述第一陶瓷生坯层与上述第二陶瓷生坯层构成的未烧成层叠体的两个主面上均设有上述第三陶瓷生坯层。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板的制造方法中，更为理想的是，在由上述第一陶瓷生坯层与上述第二陶瓷生坯层构成的未烧成层叠体的一个主面上设有上述第三陶瓷生坯层。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板的制造方法中，更为理想的是，将上述树脂浸渍于上述多孔质陶瓷层从而形成树脂陶瓷复合层，而且在上述树脂陶瓷复合层的表面上形成以上述树脂为主要成分的树脂层。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板的制造方法中，更为理想的是，在上述树脂陶瓷层与上述树脂层的界面上形成有表面电极，当上述表面电极被上述树脂层覆盖时，则按照使上述表面电极的一个主面朝外部露出这样的要求除去上述树脂层。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板的制造方法中，更为理想的是，按照上述表面电极的边缘部分中的至少一部分被上述树脂层覆盖这样的要求除去上述树脂层。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板的制造方法中，更为理想的是，在上述未烧成复合层叠体上形成空腔，并使上述第一陶瓷生坯层、上述第二陶瓷生坯层以及上述第三陶瓷生坯层中的至少上述第二陶瓷生坯层和上述第三陶瓷生坯层在上述空腔的侧壁面或底面露出。
此外，在本发明的陶瓷复合多层基板的制造方法中，更为理想的是，将上述表面电极与上述未烧成复合层叠体一体烧成。
此外，本发明的电子元器件的特征在于，包括层叠体，该层叠体由第一陶瓷层和第二陶瓷层构成，其中上述第二陶瓷层被配置成与上述第一陶瓷层接触并能抑制上述第一陶瓷层的平面方向上的烧成收缩，在陶瓷复合多层基板的一个主面上装载有安装零件，其中上述陶瓷复合多层基板在上述层叠体的至少一个主面上具有使树脂浸渍于多孔质陶瓷中而成的树脂陶瓷复合层。
发明效果
根据本发明，可提供一种能简化制造工序并能以低成本制造平坦性好、空隙残留少的基板、而且能防止层间剥离或从母板的剥离等可靠性好的陶瓷复合多层基板及其制造方法以及电子元器件。
附图说明
图1是示意表示本发明的陶瓷复合多层基板的一实施方式的剖视图。
图2是示意表示图1所示的陶瓷复合多层基板的制造工序的剖视图。
图3是示意表示图1所示的陶瓷复合多层基板的制造工序中，在图2所示制造工序之后的工序的剖视图。
图4是示意表示图1所示的陶瓷复合多层基板的制造工序中，在图3所示制造工序之后的工序的剖视图。
图5是相当于图1的剖视图，其表示本发明的陶瓷复合多层基板的另一实施方式中，在图4所示的制造工序之后的工序。
图6是相当于图1的剖视图，其表示本发明的陶瓷复合多层基板的另一实施方式中，在图5所示的制造工序之后的工序。
图7是示意表示本发明的陶瓷复合多层基板的另一实施方式的剖视图。
图8是示意表示本发明的陶瓷复合多层基板的又一实施方式的剖视图。
图9是示意表示本发明的陶瓷复合多层基板的又一实施方式的剖视图。
图10是示意表示用于与图1所示的陶瓷复合多层基板比较的陶瓷复合多层基板的剖视图。
图11是示意表示用于与图1所示的陶瓷复合多层基板比较的陶瓷复合多层基板的剖视图。
(符号说明)
10、10A、10B、10C陶瓷复合多层基板
11第一陶瓷层
12第二陶瓷层
13树脂陶瓷复合层
13A多孔质陶瓷层
14树脂层
15表面电极
19空腔
111’第一陶瓷生坯层
112’第二陶瓷生坯层
113’第三陶瓷生坯层
具体实施方式
以下，基于图1～图9所示的实施方式对本发明进行说明。另外，在各图中，图1是示意表示本发明的陶瓷复合多层基板的一实施方式的剖视图，图2～图6分别是示意表示图1所示的陶瓷复合多层基板的制造工序的剖视图，图7～图9分别是示意表示本发明的陶瓷复合多层基板的另一实施方式的剖视图，图10和图11分别是示意表示陶瓷复合多层基板的其他形态的剖视图。
第一实施方式
例如，如图1所示，本实施方式的陶瓷复合多层基板10包括：第一陶瓷层11；第二陶瓷层12，该第二陶瓷层12层叠成与第一陶瓷层的一个主面(上表面)接触，并起到内部约束层的功能；以及树脂陶瓷复合层13，该树脂陶瓷复合层13层叠成与第二陶瓷层12的主面(上表面)接触，并浸渍有树脂。此外，第一陶瓷层11的另一个主面(下表面)朝向下方按顺序层叠有第二陶瓷层12、第一陶瓷层11、第二陶瓷层12和树脂陶瓷复合层13。在此，若将第一陶瓷层11、第二陶瓷层12以及树脂陶瓷复合层13考虑成一个复合层叠体的话，陶瓷复合多层基板10在复合层叠体的下表面通过夹着第二陶瓷层12来层叠另外一个复合层叠体从而一体化。因此，陶瓷复合多层基板10形成为以层叠方向中央的第二陶瓷层12为中心而将两个复合层叠体配置成近似上下对称的层叠结构。
而且，下方的树脂陶瓷复合层13的下表面形成有树脂层14，该树脂层14以由与浸渍于上述树脂陶瓷复合层13的树脂为相同材料形成的树脂为主要成分。
更详细而言，如图1所示，在上下两方的复合层叠体的第二陶瓷层12与树脂陶瓷复合层13的层间、以及层叠方向中央的第二陶瓷层12的下表面与第一陶瓷层11的层间分别形成有内层面内导体(内部导体)15。陶瓷复合多层基板10的上下两面分别形成有表层面内导体(表面电极)16，以贯穿第一陶瓷层11和/或第二陶瓷层12的方式形成层间连接导体(通孔导体)17，配置于不同层的内部导体15和表面电极16根据需要通过通孔导体17彼此电连接。
此外，陶瓷复合多层基板10的一个主面(上表面)通过表面电极16装载有表面安装零件18，该表面安装零件18由半导体裸片、半导体封装体等主动电子元器件18A和层叠陶瓷电容器等被动电子元器件18B构成。在本实施方式中，主动电子元器件18A与贯穿复合层叠体的通孔导体17在树脂陶瓷复合层13的上表面露出的上端面电连接。此外，被动电子元器件18B与形成于陶瓷复合多层基板10的上表面的表面电极16电连接。另外，主动电子元器件18A也可与表面电极16连接，此外，被动电子元器件18B也可与通孔导体17的上端面连接。
在陶瓷复合多层基板10的另一个主面(下表面)也形成有表面电极16。该表面电极16形成于树脂陶瓷复合层13的表面。表面电极16的边缘部分(外周缘部)中的至少一部分被树脂层16覆盖即可，较为理想的是，外周缘部全周被树脂层14覆盖。通过使表面电极16被树脂层14覆盖，表面电极16可在不会剥离的情况下固定于树脂陶瓷复合层13的表面。表面电极16的外周缘部的内侧中央附近朝外部露出，该露出面成为与印刷配线基板等母板(未图示)连接的连接用端子电极。
而且，第一陶瓷层11为对包含第一陶瓷材料的第一陶瓷生坯层(参照图2)进行烧结后的陶瓷层，具有实质性控制陶瓷复合多层基板10的基板特性的功能。较为理想的是，第一陶瓷层11的厚度在例如8～100μm的范围内。上述第一陶瓷层11的厚度未必限定于上述范围内，较为理想的是，控制在可被作为内部约束层的第二陶瓷层12约束的最大厚度以下。此外，第一陶瓷层11的厚度在当包含多层的情况下，不一定需要各层均相同。作为第一陶瓷材料，较为理想的是采用在烧成过程中，一部分(例如玻璃成分)浸透至第二陶瓷层12或树脂陶瓷复合层13的陶瓷材料。作为第一陶瓷材料，能采用LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramic：低温共烧陶瓷)材料，该LTCC材料能与由Ag、Cu等低熔点金属构成的导体同时烧成、并能在较低的温度(例如1000℃以下)烧成。具体而言，能采用将氧化铝和硼硅酸盐玻璃混合的玻璃陶瓷、在烧成过程中生成玻璃成分的Ba-Al-Si-B系氧化物构成的陶瓷等。
第二陶瓷层12为由包含第二陶瓷材料的第二陶瓷生坯层形成的陶瓷层。第二陶瓷层在其烧成时使第一陶瓷材料的一部分浸透等之后固接、固化，并且能抑制第一陶瓷层11的平面方向上的收缩。作为第二陶瓷材料，较为理想的是采用例如Al2O3、ZrO这样的高温烧成陶瓷材料，除此之外，还能采用TiO2、SiO2、Nb2O3、Ta2O5。也就是说，第二陶瓷层12以实质上未烧结的状态包括陶瓷材料，该陶瓷材料具有比第一陶瓷材料更高的烧结温度。因此，第二陶瓷层12起到抑制第一陶瓷层11在烧成过程中的平面方向上的收缩的功能。此外，如上所述，由于第二陶瓷材料通过使第一陶瓷材料的一部分浸透来固接、接合，因此严格来说，第二陶瓷层12的厚度也依赖于第一陶瓷层11、第二陶瓷层12的状态、希望的约束力、烧成条件，但较为理想的是，该厚度在烧成后大致在1～8μm的范围内。另外，在第二陶瓷材料中也可以事先添加一定量的玻璃成分。通过在第二陶瓷材料中适当添加玻璃成分，从而不仅提高了第二陶瓷层12的密度、提高机械强度，还能维持约束力。例如，第二陶瓷材料能采用氧化铝(Al2O3)粒子作为主原料、软化点600～780℃的Si-B-Ba系玻璃成分作为副原料。此时，较为理想的是，氧化铝粒子与玻璃成分的分配比在例如氧化铝∶玻璃＝50∶50～70∶30(容量％)的范围内。
树脂陶瓷复合层13具有复合结构，该复合结构使树脂浸渍至对包含第三陶瓷材料的第三陶瓷生坯层进行烧成之后的多孔的陶瓷层(多孔质陶瓷层)13A(参照图4)中，特别是使陶瓷粉末固接于树脂的结构。树脂陶瓷复合层13以实质上未烧结的状态含有第三陶瓷材料，该第三陶瓷材料具有比第一陶瓷材料更高的烧结温度。因此，该树脂陶瓷复合层也与第二陶瓷层12一样，起到抑制第一陶瓷层11在烧成过程中的平面方向上的收缩的功能。较为理想的是，构成该树脂陶瓷复合层13的第三陶瓷材料也是与第二陶瓷材料相同的陶瓷材料。
由于树脂陶瓷复合层13是以在陶瓷复合多层基板10的上下两面露出的状态配置，因此从抑制烧成时的基板变形、实现稳定的树脂浸渍层等目的而言，较为理想的是树脂陶瓷复合层13的厚度比上述第二陶瓷层12的厚度厚大约20μm以上，更为理想的是具有40m以上的厚度。然而，由于树脂陶瓷复合层13过厚时不易使基板的高度降低，此外，使树脂的浸渍变得困难，因此较为理想的是，将其上限控制为100μm左右的厚度。这种树脂陶瓷复合层13具有在烧成过程中限制第一陶瓷层11的收缩运动的作用和作为后述的树脂浸渍媒介的作用。因此，在不妨碍这些作用的范围内，在第三陶瓷材料中也可预先添加一定量的玻璃成分。通过在第三陶瓷材料中适量添加玻璃成分，在调整成可进行树脂浸渍的多孔状态的同时，能使机械强度提高至能容易维持基板形状的程度。
多孔质陶瓷层13A具有如上所述作为树脂浸渍媒介的作用。多孔质陶瓷层13A作为树脂浸渍媒介在将树脂浸渍、硬化之后的热膨胀系数的调整、即作为树脂陶瓷复合层13的热膨胀系数的调整对于陶瓷复合多层基板10的平坦而言是很重要的。作为调整树脂陶瓷复合层13的热膨胀系数的方法，主要通过调整用于多孔质陶瓷层13A的诸如上述氧化铝的高温烧结陶瓷材料的粒径及粒度分布来控制烧结后的多孔质陶瓷层13A的孔隙率，从而能适当改变树脂陶瓷复合层13的热膨胀系数。此外，通过在第三陶瓷材料中预先添加树脂颗粒等用于形成空隙的材料，从而能控制多孔质陶瓷层13A的空隙率。而且，除了调整树脂颗粒和第三陶瓷材料的比率之外，也可通过改变所浸渍的树脂本身的热膨胀系数、混合采用多种不同的高温烧结陶瓷材料作为第三陶瓷材料来进行热膨胀系数的调整。
另外，第二陶瓷层12只要能实质性控制第一陶瓷层11的烧成收缩即可。作为第二陶瓷层12，除了上述形态之外，只要能确保与第一陶瓷层11的密接性，例如可以是由烧成收缩运动与第一陶瓷层11不同的陶瓷材料构成，此时第二陶瓷层12也可以实质性烧结。
此外，形成于陶瓷复合多层基板10的下表面的树脂层14与浸渍于树脂陶瓷复合层13的树脂为相同树脂，在树脂陶瓷复合层13与树脂层14的接合强度、生产性这点上较为理想，但也可以为其他的树脂。
内部导体15和表面电极16只要是以能与第一陶瓷层11同时烧成的导电性成分为主要成分，能广泛使用众所周知的导电性成分。作为导电性成分，例如能使用Cu、Ag、Ni、Pd及其氧化物、合金成分。作为通孔导体17，为了减少与陶瓷复合多层基板10的收缩运动差，较为理想的是，除了添加Cu成分之外，还添加树脂颗粒和玻璃成分。作为玻璃成分，较为理想的是，采用与作为扩散成分的玻璃大致相同组成的Si-B-Ba系玻璃成分，其中扩散成分从第一陶瓷层11朝向第二陶瓷层12扩散且将第二陶瓷层12固接。
接着，参照图2～图6对本发明的陶瓷复合多层基板的制造方法的一实施方式进行说明。
首先，作为第一陶瓷材料，例如准备Ba-Al-Si-B系氧化物陶瓷材料。此外，作为第二陶瓷材料和第三陶瓷材料，准备高温烧结陶瓷材料，该高温烧结陶瓷材料将作为主原料的氧化铝粒子与作为副原料的软化点为600～780℃的Si-B-Ba系玻璃成分以氧化铝∶玻璃＝50∶50～70∶30(容量％)的比例进行混合。接着，在第一陶瓷材料中添加粘接剂、溶剂、分散剂等以调制第一浆料，通过刮刀法等将第一浆料成形为片状，从而得到作为第一陶瓷生坯层111’的第一陶瓷生片111。同样地，在高温烧结陶瓷材料中添加粘接剂、溶剂、分散剂等以调制第二浆料、第三浆料，通过刮刀法等将第二浆料、第三浆料成形为片状，从而得到作为第二陶瓷生坯层112’、第三陶瓷生坯层113’的第二陶瓷生片112、第三陶瓷生片113。
接着，如图2示意所示，将面内导体部115、通孔导体部117和表面电极部116分别配置在第一陶瓷生片111、第二陶瓷生片112和第三陶瓷生片113的适当位置。因此，当第二陶瓷生片112如图2所示为极薄的情况下，由于操作性容易降低，因此较为理想的是，如图3所示，采用在第一陶瓷生片111上涂刷第二浆料从而层叠了第二陶瓷生坯层112’的复合陶瓷片。
如上所述得到的陶瓷生片按图2所示的顺序和方向层叠、按压，如图3所示在将作为第一陶瓷层11的第一陶瓷生坯层111’、作为第二陶瓷层12的第二陶瓷生坯层112’层叠后形成的未烧成层叠体的主面上层叠作为树脂陶瓷复合层(多孔质陶瓷层)的第三陶瓷生坯层113’，从而得到以上述方式层叠后形成的未烧成复合层叠体。在本实施方式中，如同图所示，一对未烧成复合层叠体在上下方向上与层叠方向中心的第二陶瓷生坯层112’近似对称地配置有第一陶瓷生坯层111’、第二陶瓷生坯层112’和第三陶瓷生坯层113’，且第三生坯层113’配置成形成未烧成复合层叠体的上下两面。
此后，在将未烧成复合层叠体控制在规定的温度和气氛的条件下，例如在还原性气氛下、950～1000℃的TOP温度条件下烧成，从而如图4所示得到未烧成复合层叠体的烧结体。此时的烧成气氛可根据第一陶瓷材料的种类或作为内部导体15、表面电极16和通孔导体17的导电性糊料中各含有的导电性粉末的种类进行适当调整。在此，未烧成复合层叠体在第一陶瓷生坯层111’进行烧结且第二陶瓷生坯层112’及第三陶瓷生坯层113’不进行烧结的温度下进行烧结。藉此，当第一陶瓷生坯层111’在烧成过程中欲发生收缩时，第二陶瓷生坯层112’和第三陶瓷生坯层113’抑制第一陶瓷生坯层111’的收缩。此外，第一陶瓷生坯层111’烧结后成为第一陶瓷层11，通过在第一陶瓷生坯层111’进行烧结时朝向第二陶瓷生坯层112’扩散的玻璃成分，构成配置于第一陶瓷生坯层111’之间的第二陶瓷生坯层112’的第二陶瓷材料在被固接的状态下进行固化，从而使第二陶瓷生坯层112’成为第二陶瓷层12，并且配置于第一陶瓷生坯层111’与第三陶瓷生坯层113’之间的第二陶瓷生坯层112’也被固接。此外，第三陶瓷层113’在烧成后成为多孔质陶瓷层13A。在上述烧成中，由于未烧成复合层叠体被第二陶瓷生坯层112’、第三陶瓷生坯层113’抑制了平面方向上的烧成收缩，因此能得到在平面方向上尺寸精度高的复合陶瓷层叠体10。而且，由于作为基材层的第一陶瓷生坯层111’被第二陶瓷生坯层112’抑制了其烧成收缩，因此多孔质陶瓷层13A中的陶瓷粉末在整体上呈近似均匀分布，密度在整体上也变得均匀。
接着，如图5所示，对于所得到的复合陶瓷层叠体而言，在使树脂成分浸渍于上述多孔质陶瓷层13A之后，使树脂成分硬化。特别是在本实施方式中，由于来自第三陶瓷生坯层113’的多孔质陶瓷层13A的密度在整体上为近似均匀的，也就是说由于空隙率(空孔)的比率在整体上为近似均匀的，因此整体而言能高效地且将残留的空隙的比率控制在最小限度的情况下填充树脂。作为树脂成分，能采用现有众所周知地树脂成分。在本实施方式中，作为代表性的树脂成分，例如采用环氧类热固性树脂。较为理想的是，树脂成分的浸渍是在促进树脂的浸渍的减压条件下或加热条件下进行的。特别地，由于在表面电极相对于多孔质陶瓷层13A的厚度而言较大的情况下，树脂很难向表面电极16的内表面侧迂回，树脂可能无法在该部分上充分浸渍，因此同时使用上述条件较为理想。此外，作为进行浸渍的树脂，为了提高浸透性，较为理想的是尽可能不含有填料成分。然而，为了调整硬化后的热膨胀系数，较为理想的是含有填料成分，能在不影响浸渍性的范围内对填料成分及填料量进行大范围调整。较为理想的是即使是此时填料的含有量也比通常含有填料的树脂的填料的含有量少，需要考虑在规定量的树脂成分朝多孔质陶瓷层13A扩散、浸渍之后的组成比率来调整填料成分。对于有的多孔质陶瓷层13A的空隙尺寸与填料直径，可采用含填料成分的树脂，即使只使树脂成分浸渍于多孔质陶瓷层13A，也能充分地调整热膨胀系数。此外，此时使浸渍于多孔质陶瓷层13A的树脂多一些，能在树脂陶瓷复合层13的表面形成3～30μm左右厚的树脂层。
接着，如图6所示，当通过上述树脂成分的浸渍，在作为表面电极16的部分覆盖过多的树脂硬化后的树脂层14时，除去该树脂层14，使表面电极16露出。藉此，表面电极16的边缘部分(至少其中一部分，较为理想的是全周)被树脂覆盖，其结果是使树脂陶瓷复合层13与表面电极16的接合强度提高。作为表面电极16的露出方法，能采用诸如研磨这样的现有众所周知的切削方法。特别是为了高精度地除去树脂层14，较为理想的是采用激光。此时，也为了不将树脂层14除去到需要以上的深度，表面电极16的金属密度高的话较为理想，除了上述烧结金属的厚膜导体之外，铜箔这样的导体箔也较为理想。当对表面电极16采用铜箔时，较为理想的是利用对铜的吸收系数低的CO2激光进行加工。在此，在浸渍树脂硬化后，采用了将希望的部分的树脂除去的方法，但也可以在树脂浸渍前预先对希望的部分施加掩蔽剂，在浸渍树脂硬化后通过除去掩蔽剂也能形成树脂层14的开口部。
当陶瓷复合多层基板10需要高精度的平坦度时，在表面电极16的露出操作前后也能通过研磨进行平坦处理，也可以根据需要对表层的树脂层14的全表面以不会除去表面电极16的程度进行磨削。此后，根据需要在对表面电极采用Ni、Au的无电解镀等来进行表面处理之后，装载各种安装零件，能得到在陶瓷复合多层基板10上装载各种表面安装零件18而成的电子元器件(模块品)(参照图1)。更具体而言，在排列有许多陶瓷复合多层基板10的集合基板上进行上述各个处理之后，通过采用焊料材等来安装表面安装构件18，在规定位置将上述集合基板进行分割，从而能得到各个陶瓷复合多层基板10，继而能得到复合电子元器件。作为表面安装零件18的安装方法和对各个基板的分割方法，能采用现有众所周知的方法。例如，通过利用切片机对集合基板进行分割，从而能得到各个陶瓷复合多层基板10。除此之外，可同时使用通过切片机形成的分割槽和通过激光加工形成的槽，通过使用巧克力破碎(chocolate breaking)方法等进行分割，在集合基板上形成分割槽时，不仅在将表面安装构件18安装之后，在安装之前也能形成分割槽。所得到的各个电子元器件被安装于印刷配线基板等母板上。
如上所说明的那样，根据本实施方式，由于在第一陶瓷生坯层111’的上表面配置有能抑制第一陶瓷生坯层111’的平面方向上的烧成收缩的第二陶瓷生坯层112’和第三陶瓷生坯层113’，因此能抑制烧成带来的基板变形，在烧成后从第三陶瓷生坯层113’开始形成，通过在全区域大致均匀地具有空隙的多孔质陶瓷层13A能得到平坦的陶瓷复合多层基板10。由于上述陶瓷复合多层基板10在烧成时通过第二陶瓷生坯层112’和第三陶瓷生坯层113’来抑制基板的变形从而成为平坦的状态，因此例如在烧成后将来自第三陶瓷生坯层113’的多孔质陶瓷层13A除去，则会再次产生基板变形。因此，在本实施方式中，不是在烧成后将作为陶瓷粉末集合体的多孔质陶瓷层13A除去，而是在将树脂成分浸渍到上述多孔质陶瓷层13A之后通过使树脂成分硬化，从而能得到将第一陶瓷层11维持在平坦的状态的陶瓷复合多层基板10。此外，在本实施方式中，由于能使树脂的填充稳定，因此能得到翘曲及起伏少、且空隙残留少、可靠性好的陶瓷复合多层基板10。
此外，对于树脂形成后的基板的平坦化，当表面电极16在烧成前形成的情况下在烧成后进行树脂的浸渍，因此也能确保基板与其表面电极16的平坦性，此外，由于基板表面为平坦的，因此在使树脂成分硬化后，通过高精度且平坦地研磨树脂的表面从而能进一步提高基板的平坦性。当在形成树脂后形成表面电极16的情况下，形成树脂层14后的树脂表面的平滑性很大程度取决于树脂层14的平坦性，对有的树脂层14的表面状态，在研磨表面时可能会除去表面电极16，因此较为理想的是，如上所述预先将所需的未烧成的表面电极16以规定图案形成于未烧成复合层叠体。
而且，根据本实施方式，由于多孔质陶瓷层13A形成于由第一陶瓷层11和第二陶瓷层12构成的层叠体的至少一个主面，通过使树脂成分浸渍于上述多孔质陶瓷层13A的缝隙并使其硬化从而形成为树脂陶瓷复合层13，因此作为树脂陶瓷复合层13的机械强度提高，能防止陶瓷复合层叠体10的变形、维持平坦的基板形状。与此相对的是，例如在专利文献3的复合多层基板中，当陶瓷基板的厚度较薄时，需要进行在基板的单面来自多次形成树脂层的工序。在上述树脂形成工序中，使树脂层逐步硬化，因各树脂层的硬化状态而异，有时各树脂层的硬化收缩举动成为陶瓷基板变形的主要原因，有时无法将各树脂层平坦地层叠，可能会产生形成不良或基板裂痕等。
此外，根据本实施方式，由于在至少一个主面侧的浸渍有树脂成分的多孔质陶瓷层13A的表面上具有表面电极16，且树脂陶瓷复合层13的表面中除了表面电极16以外的部分上形成有由树脂成分构成的树脂层14，因此在一般的陶瓷多层基板的制造工序中只要增加树脂浸渍、硬化工序就能得到陶瓷复合多层基板10，且其工序数几乎与专利文献1所记载的技术相比没有变化。此外，根据本实施方式，由于在通过陶瓷复合多层基板10的表示电极16安装于众所周知的印刷配线基板时，陶瓷复合多层基板10为由第一陶瓷层11、含有玻璃成分的第二陶瓷层12、含有树脂成分的第三陶瓷层(树脂陶瓷复合层)13和树脂层14构成的四层结构，因此与专利文献2所记载的复合多层基板一样，能得到热膨胀系数从基板的层叠方向的中心部朝向印刷配线基板逐渐接近于由树脂成分构成的印刷配线基板的热膨胀系数这样的倾斜结构。
此外，根据本实施方式，由于通过将树脂成分浸渍至未烧结的多孔质陶瓷层13A内，从而同时形成树脂层14，另外由于树脂成分被浸渍到被从第一陶瓷层11扩散的玻璃固接的第二陶瓷层12，因此在接合界面上得到接合(日文：アンカ一)效果，并能抑制层间剥离。与此相对的是，由于专利文献2、专利文献3所记载的树脂层14再次配置于烧成后的陶瓷多层基板上，因此即使在潜在地形成有树脂层14之后，也无法避免剥离的问题。
而且，根据本实施方式，若陶瓷复合多层基板10的多孔质陶瓷层13A中的由内部导体15、表面电极16和通孔导体17构成的配线导体部形成于烧成第一陶瓷层11、第二陶瓷层12、第三陶瓷层13之前，则在烧成后的树脂浸渍前后无需直接形成配线导体。因此，关于作为树脂浸渍层的树脂陶瓷复合层13的配线导体，能以形成第一陶瓷层11、第二陶瓷层12时的精度为基准来形成高精度的配线导体。此外，特别地由于在陶瓷复合多层基板10的表层部配置有在烧成过程中不会烧结收缩的多孔质陶瓷层13A，因此在不会发生因烧成而引起的位置变动这点上，也能高精度地控制表面电极的位置。与此相对的是，就连在专利文献1中也是这样，但特别是在专利文献3中，需要在形成树脂层14之后对各层都形成将多个树脂层14之间电连接的配线结构，不仅工序数大幅增加，还会引起形成精度的降低，在形成高密度配线基板时不理想。
第二实施方式
如图7所示，本实施方式的陶瓷复合多层基板10A除了没有第一实施方式的陶瓷复合多层基板10中的、配置于上表面侧的第一陶瓷层11与树脂陶瓷复合层13之间的第二陶瓷层12和下表面侧的树脂陶瓷复合层13之外，与第一实施方式一样构成。因此，在本实施方式中，对于与第一实施方式相同部分或相当部分标上相同符号进行图示。
为了得到烧成后的平坦的基板，较为理想的是，起到树脂浸渍层的作用的多孔质陶瓷层13A以相同的厚度配置在陶瓷基板的两个表面，但因陶瓷复合多层基板的结构而异，并不局限于此。例如，陶瓷复合多层基板的结构如本实施方式那样，当第二陶瓷层12偏于一个主面侧(下表面侧)来配置时，上述基板在单独的情况下第二陶瓷层12所偏向的一侧(第二陶瓷层的相对量多的主面侧)具有凸出的趋势。此时，通过只在单侧、即只在另一个主面侧(上表面侧)配置多孔质陶瓷层13A，从而能实现陶瓷复合多层基板10A的平坦性。即、在本实施方式中，通过调整陶瓷复合多层基板10A的层结构，从而能将树脂浸渍层只配置于单侧。在本实施方式中，也能得到与第一实施方式一样的作用效果。另外，通过使陶瓷复合多层基板10A中的配置于第二陶瓷层12所偏向侧的主面上的多孔质陶瓷层13A比配置于另一侧的主面上的多孔质陶瓷层13A的厚度薄，从而能使烧成后的陶瓷基板的翘曲平坦。
第三实施方式
如图8所示，本实施方式的陶瓷复合多层基板10B除了省略了第一实施方式的陶瓷复合多层基板10中的、上下配置的第一陶瓷层11与树脂陶瓷复合层13之间分别设置的第二陶瓷层12之外，与第一实施方式一样构成。因此，在本实施方式中，对于与第一实施方式相同部分或相当部分标上相同符号进行图示。
如第一实施方式的陶瓷复合多层基板10那样，为了得到能抑制面内方向上的烧成收缩的高精度的陶瓷复合多层基板10，较为理想的是，对每个至少40μm的厚度在层叠方向上配置所需厚度的第二陶瓷层12从而在层叠方向上没有遗留地抑制平面方向上的烧成收缩。然而，当在陶瓷复合多层基板的面内方向上不需要那么高的精度时或陶瓷复合多层基板的厚度薄时，尤其是第一陶瓷层11的厚度薄时等，即使如本实施方式这样的省略了第一陶瓷层11与树脂陶瓷复合层13之间的第二陶瓷层，也能维持作为陶瓷复合多层基板10B的平坦性，并能期待与第一实施方式实质性相同的作用效果。
第四实施方式
如图9所示，本实施方式的陶瓷复合多层基板10C除了设有从树脂陶瓷复合层13的上表面中央部到达层叠方向中央的第二陶瓷层12的上表面的空腔19之外，与第一实施方式一样构成。因此，在本实施方式中，对于与第一实施方式相同部分或相当部分标上相同符号进行图示。
即、在本实施方式中，第一陶瓷层11、第二陶瓷层12和树脂陶瓷复合层13从空腔19的侧壁面露出而形成。即使是这种结构的陶瓷复合多层基板10C，第一陶瓷层11能通过第二陶瓷层12抑制平面方向上的烧成收缩，且作为陶瓷复合多层基板10C的变形量少，从而能得到维持高精度的平坦性的带空腔的陶瓷复合多层基板10C。也就是说，由于从空腔19的侧壁面或底面露出第二陶瓷层12和树脂陶瓷复合层13，因此通过这些层，在烧成中也能维持空腔19的形状，并能形成所希望形状的空腔19。
以下，对基于具体的陶瓷复合多层基板的试验结果进行说明。
实施例1
在本实施例中，根据下述要点制作图1所示的陶瓷复合多层基板。采用上述陶瓷复合多层基板来对平坦性进行评价，其结果在表1中表示。
在本实施例中，在制作陶瓷复合多层基板时，作为第一陶瓷材料，采用Ba-Al-Si-B系氧化物陶瓷材料，作为第二陶瓷材料、第三陶瓷材料，采用平均粒径为1.5μm的氧化铝粒子。此外，第一陶瓷生坯层的厚度设定成在烧成后为20μm，第二陶瓷生坯层的厚度设定成在烧成后为3μm，此外第三陶瓷生坯层的厚度设定成在烧成后为40m。另外，采用平均粒径为1.5μm的氧化铝粒子作为第二陶瓷材料、第三陶瓷材料，将其单独烧成，对所得到的烧成材的热膨胀系数进行测定后，为大约8ppm/℃。此外，关于内部导体、表面电极和通孔导体，形成以Cu成分为主要成分的导体部。然而，作为通孔导体，为了预先减少与未烧成复合层叠体的收缩举动差，在Cu成分中添加树脂颗粒和玻璃成分。作为上述玻璃成分，采用与作为扩散成分的玻璃大致相同组成的Si-B-Ba系玻璃成分，其中扩散成分从第一陶瓷层朝向第二陶瓷层扩散且将第二陶瓷层固接。此外，作为浸渍于由第三陶瓷材料构成的多孔质陶瓷层的树脂使用调整好的树脂成分，具体而言，使以平均粒径为2μm、热膨胀系数为8ppm/℃的SiO为主要成分的填料与环氧树脂成分的比例为：填料∶树脂＝50∶50重量％，硬化后的树脂层的热膨胀系数为14ppm/℃。
根据第一实施方式，采用上述各陶瓷生坯层来制作图1所示的陶瓷复合多层基板，并将基板尺寸最终调整为135mm见方。测定上述陶瓷复合多层基板的四角与中央的高低差，其结果在表1中表示。将四点的平均值作为基板的翘曲量。此外，测定相当于基板内的各个基板的部分的平坦性。另外，作为比较例1，未采用第三陶瓷生坯层，也就是说，在未形成树脂陶瓷复合层的状态下制作相同的基板。而且，作为比较例2，在实施例1中测定了翘曲量之后，对通过研磨除去多孔质陶瓷层后的基板的翘曲量进行测定。在比较例2中，除去多孔质陶瓷层之前的翘曲量均为100μm。另外，在表1中，复合层是指树脂陶瓷复合层，陶瓷层是指陶瓷复合多层基板。
表1
复合层形成   复合层厚度(μm)   陶瓷层厚度(μm)   基板翘曲量(μm)   基板起伏(μm)
 实施例1   仅上表面   40   500   230   30(形成面)
  仅下表面   40   200   210   30(形成面)
  两主面   4040   500   100   30
  两主面   4040   200   100   30
 比较例1   未形成   -   500   320   60
  未形成   -   200   470   75
比较例2   两面在之后除去 - 500 290
复合层形成   复合层厚度(μm)   陶瓷层厚度(μm)   基板翘曲量(μm)   基板起伏(μm)
  两面在之后除去 - 200 440
根据表1所示的结果，在未形成树脂陶瓷复合层的比较例1时，基板的翘曲大。特别地，可知基板的厚度薄，则翘曲容易增大。通过如实施例1这样形成树脂陶瓷复合层，便可知能降低翘曲量。特别地，将树脂陶瓷复合层配置于两主面对于降低翘曲而言是非常理想的。此外，由于如比较例2那样的在烧成后除去多孔质陶瓷层则还会再次出现翘曲，因此这种除去不理想。从这些可知，由于第三陶瓷生坯层在烧成时抑制基板的变形，因此得到平坦的基板。
此外，根据表1所示的结果，关于在各个基板上的起伏，由于树脂陶瓷复合层缓和吸收了内部电极等的高低差在基板表面的体现，因此能得到平坦的基板表面。
实施例2
在本实施例中，按下述要点制作陶瓷复合多层基板，对上述陶瓷复合多层基板的热膨胀系数差、剥离性和尺寸精度进行评价，其结果在表2中表示。此外，对于实施例1的陶瓷复合多层基板也进行同样的评价，其结果在图2中表示。
在本实施例中，当制作陶瓷复合多层基板时，作为第一陶瓷材料，采用将氧化铝粒子和软化点为600℃的硼硅酸玻璃按照氧化铝∶玻璃＝60∶40(重量％)比例所形成的陶瓷材料，作为第二陶瓷材料，采用将平均粒径为1.5μm的氧化铝粒子与Si-B-Ba系的玻璃成分、软化点为730℃的玻璃按照氧化铝∶玻璃＝60∶40(容量％)的比例添加、混合而成的陶瓷材料。此外，选定第一陶瓷生坯层的厚度为在烧成后20μm，选定第二陶瓷生坯层的厚度为在烧成后3μm。另外，关于第三陶瓷生坯层，采用将平均粒径为1.5μm的氧化铝粒子与平均粒径为0.5μm的氧化铝粒子按照平均粒径为1.5μm的氧化铝粒子∶平均粒径为0.5μm的氧化铝粒子＝1∶3(重量％)的比例调合而成的混合氧化铝，选定烧成后的厚度为40μm。此外，浸渍于多孔质陶瓷层并形成树脂层的树脂成分采用将以平均粒径为2.0μm、热膨胀系数为8ppm/℃的SiO2为主要成分的填料与环氧树脂成分按照填料∶树脂＝30∶70(重量％)的比例调整、仅在树脂层中的热膨胀系数为12ppm/℃的树脂成分。此外，与实施例1一样来制作陶瓷复合多层基板。接着，对实施例1、实施例2得到的陶瓷复合多层基板中的各层的热膨胀系数进行测定，其结果在表2中表示。
表2
Figure GPA00001143026500211
根据表2所示的结果可知，在实施例1、实施例2所得到的陶瓷复合多层基板的各层的热膨胀系数具有逐渐接近以少的工序数所得到的印刷配线基板的热膨胀系数的倾斜结构层。特别地，关于在本实施例中制作的基板，通过调整所使用的氧化铝粒子的粒径来控制多孔质陶瓷层的空隙率，藉此能调整树脂陶瓷复合层(在表2中为复合层)的热膨胀系数，即使采用与印刷配线基板有很大不同的热膨胀系数的陶瓷层作为基材层的情况下，也能形成分阶段地接近印刷配线基板的热膨胀系数的基板结构。
此外，为了对实施例1所采用的基板与对比较例1的基板两面再次硬化后形成40μm的树脂层的基板进行比较，将两基板以120循环投入-40～85℃的热冲击试验之后，采用超声波探伤试验来检测剥离部，在比较例1的基板中，尤其是在基板表面的有高低的部分处处可见有φ20μm左右的剥离。与此相对的是，在实施例1的基板上未发生有剥离部。另外，采用不含有填料的树脂作为在实施例1中所浸渍的树脂，采用不含有填料的树脂作为涂布于比较例1的两面的树脂，发现会产生更大的剥离。
在实施例1、实施例2中，确认了若在陶瓷复合多层基板中彼此相邻的层、也就是说第二陶瓷层与树脂陶瓷复合层的层间的热膨胀系数差和树脂陶瓷复合层与树脂层间的层间的热膨胀系数之差为至少±3ppm/℃以内的热膨胀系数差，则不产生层间剥离。然而，与在硬化后的树脂层上再次形成树脂层的现有的方法相比，在本发明中预先形成作为树脂浸渍层的树脂陶瓷复合层，通过在其表面形成树脂层的同时使树脂浸渍来形成连续的界面，因此各层间的热膨胀系数差不限定于上述范围。
然而，在比较方法中，即使是单独形成树脂层的情况下，若过多增加填料成分的量，尽管能调整热膨胀系数，但这样的硬化前的树脂的流动性差，不易形成完全浸润的、均匀的树脂层。特别地，由于在表面安装部件附近的树脂浸润差且树脂层本身的树脂强度也大幅降低，因此会成为损害作为陶瓷电子元器件的可靠性的主要原因，不甚理想。
此外，当在比较例1的两面上再次形成树脂层时，需要在每个单面上形成树脂层、并使树脂层硬化。此时，当使单面侧的树脂硬化时，因树脂的硬化收缩举动而在基板上产生翘曲，在基板为较薄的200μm的基板中，会在一部分产生裂痕。这种翘曲通过在剩下的单面上形成树脂层、并使其硬化来加以缓和，但由于需要在翘曲变大后的基板上形成均匀的树脂层，因此会使形成树脂层的工序的难易度增高。
与此相对的是，在实施例2中，基板的形状本身被第二陶瓷层和多孔质陶瓷层这两层保持，且树脂的硬化由于是在多孔质陶瓷层内的空隙部产生的，因此即使一个面一个面地浸渍树脂、并使其硬化，也不会在树脂硬化过程的前后在基板上产生翘曲，作业性优良。
此外，在比较例1的基板上形成树脂层之后，连接内部导体和表面电极时，为了确保与陶瓷基板的连接性，需要较大的设计余量。在上述各实施例的情况下，只有串联配置的通孔导体能与表面电极连接，但在比较例1的情况下，为了吸收因树脂的配置或通孔导体的配置引起的位置偏移，例如如图10所示需要新的突起电极(日文：パツド電極)P，该突起电极P阻碍上下串联配置的通孔导体之间的狭缝化。另外，在图10中，对与第一实施方式相应的部分标注相应的符号“A”。
另外，当然，在未要求有基板的配线精度的情况下，也可取代上述方法之外，可以同时进行对多孔质陶瓷层的树脂的浸渍和树脂层的形成，并在进行树脂的硬化后，再次配置表面电极。此时，例如图11所示，在树脂陶瓷复合层13B的表面上考虑到在树脂层14B上形成通孔导体18B时的精度，较为理想的是，预先形成突起电极P’。作为表面电极16B，较为理想的是采用铜箔这样的金属箔，但在表面电极16B的配置时，较为理想的是，一旦树脂层14B进入半硬化状态之后，配置表面电极16B，再次使树脂层14B正式硬化。在上述方法中，如上所述基板的配线精度会降低，但由于是通过单一的树脂浸渍操作形成树脂陶瓷复合层13B和树脂层14B、并使其同时硬化的，因此除了不容易产生这些界面上的剥离之外，由于在作为基材的第一陶瓷层11B之间配置有由玻璃和高温烧结陶瓷粒子构成的第二陶瓷层12B，因此对陶瓷层与含有玻璃的高温烧结陶瓷粒子层之间(第一陶瓷层11B与第二陶瓷层12B之间)、含有玻璃的高温烧结陶瓷粒子层与含有树脂层的高温烧结陶瓷粒子层之间(第二陶瓷层12B与树脂陶瓷复合层13B之间)、含有树脂层的高温烧结陶瓷粒子层与树脂层之间(树脂陶瓷复合层13B与树脂层14B之间)的全部层间来说都不易剥离。另外，在图11中，对与第一实施方式相应的部分标注相应的符号“B”。
根据如上所说明的本发明，通过在第一陶瓷生坯层的至少一个主面上配置有可抑制第一陶瓷生坯层的平面方向上的烧成收缩的第二陶瓷生坯层和第三陶瓷生坯层，从而能抑制伴随烧成所产生的变形，在烧成后，能通过由第三陶瓷生坯层形成的多孔质陶瓷层来得到更加平坦的陶瓷复合多层基板。由于通过利用第二陶瓷生坯层和第三陶瓷生坯层来抑制变形从而使上述陶瓷复合多层基板处于平坦的状态，因此例如若在烧成后除去来自第三陶瓷生坯层的多孔质陶瓷层，就会再次发生基板变形。因此，在本发明中，在烧成后，不除去作为陶瓷粉末集合体的多孔质陶瓷层，而通过将树脂成分浸渍于上述多孔质陶瓷层、并使其硬化，从而能得到维持平坦的状态下的陶瓷复合多层基板。特别地，由于利用第二陶瓷生坯层上实质性抑制了第一陶瓷生坯层的烧成收缩，因此施加于第三陶瓷生坯层、特别是施加于其界面附近的应力维持在最小限度，因此空隙率和密度分别在整个区域内处于大致均匀的状态，能均匀且流畅地进行树脂的浸渍。
此外，关于树脂形成后的基板的平坦化，当在烧成前形成表面电极时，在烧成后进行树脂浸渍，因此能确保基板及其表面电极的平坦，由于基板表面为平坦的，因此在树脂硬化后通过将树脂表面研磨平坦，从而能进一步提高平坦性。当在树脂形成后形成表面电极时，由于形成后的表面的平滑性很大程度依赖于树脂层，会有除去表面电极的可能性，因此较为理想的是，如上所述在未烧成复合层叠体上预先形成所需的导体图案。
而且，当陶瓷基板的厚度薄时，特别是在专利文献3中，需要在基板的单面上多次来回的树脂形成工序。在上述树脂形成工序中，逐步进行树脂层的硬化，但根据树脂层的硬化的不同，这种硬化收缩举动，成为陶瓷基板上变形的主要原因，从而产生树脂层的形成不良或基板裂痕。在本发明中，多孔质陶瓷层这种高强度的变形抑制层为形成于由第一陶瓷层和第二陶瓷层构成的层叠体的至少一个主面的状态，由于树脂浸渍硬化也为在上述浸渍层内的树脂硬化，因此不会产生陶瓷复合层叠体的变形，能维持平坦的基板形状。
此外，本发明的陶瓷复合多层基板，更为理想的是，在至少一方的主侧浸渍有树脂成分的多孔质陶瓷层的表面上具有表面电极，且在树脂陶瓷复合层的表面中的表面电极以外的部分上形成由树脂成分构成的树脂层。可知在一般的陶瓷多层基板的制造工序中，主要通过增加树脂浸渍、硬化工序就能得到这种结构的基板，在工序数上与专利文献1相比没有多大变化。然而，根据本发明的上述构造基板，在采用表面电极来安装于众所周知的印刷配线基板上时，从陶瓷复合多层基板侧观察的基板结构能得到作为“第一陶瓷层”、“陶瓷玻璃的第二陶瓷层”、“陶瓷树脂层的第三陶瓷层”和“树脂层”的四层结构，像专利文献2所示这样的热膨胀系数逐渐接近于由树脂成分构成的众所周知的印刷配线基板这样的倾斜结构能通过与专利文献1一样的工序来得到。
专利文献2、专利文献3所见的树脂层由于是再次配置于烧成后的陶瓷多层基板上的，因此无法避免潜在的形成后的剥离不良的问题。与此相对的是，在本发明中，较为理想的是，通过将树脂成分浸渍于未烧结的多孔质陶瓷层内，从而来形成树脂层。当从多孔质陶瓷层的树脂浸渍侧来观察时，由于形成被来自陶瓷层的扩散玻璃固接的高温烧结陶瓷生坯层，且浸渍树脂浸渍到被玻璃成分固接的陶瓷层，因此接合界面形成含有同种的陶瓷成分的接合结构，能抑制剥离不良。
就连在专利文献1中也是这样，特别是在专利文献3中，需要在形成树脂层之后在各层都形成将多个树脂层间电连接的配线结构，不仅工序数大幅增加，还会引起形成精度的降低，在形成高密度基板上仍存在技术难题。本发明的陶瓷复合多层基板的多孔质陶瓷层中的配线导体只要在陶瓷层的烧成前形成，则在烧成后的树脂浸渍前后无需直接形成配线导体的工序。因此，关于树脂浸渍层的配线导体的形成，能形成以陶瓷层的形成精度为标准的高精度的配线导体。此外，特别是在表层面，由于配置了在烧成过程中不会烧结收缩的层，因此在不会产生因烧成而引起的位置变动这点上，也能促进表面电极位置的高精度。
另外，本发明不限定于上述各实施方式。根据需要，能对本发明的各构成要素进行适当的设计变更。
工业上的可利用性
本发明能很好地利用于移动体通信设备等各种电子设备。

Claims (21)

1.一种陶瓷复合多层基板，其特征在于，
包括层叠体，
该层叠体由第一陶瓷层和第二陶瓷层构成，
所述第二陶瓷层被配置成与所述第一陶瓷层接触并能抑制所述第一陶瓷层的平面方向上的烧成收缩，
在所述层叠体的至少一个主面上形成有使树脂浸渍于多孔质陶瓷中而成的树脂陶瓷复合层。
2.如权利要求1所述的陶瓷复合多层基板，其特征在于，
所述第二陶瓷层配置于多个所述第一陶瓷层的层间。
3.如权利要求1或2所述的陶瓷复合多层基板，其特征在于，
所述第二陶瓷层配置于所述第一陶瓷层与所述树脂陶瓷复合层的层间。
4.如权利要求1至3中任一项所述的陶瓷复合多层基板，其特征在于，
在由所述第一陶瓷层和所述第二陶瓷层构成的层叠体的两个主面上均设有所述树脂陶瓷复合层。
5.如权利要求1至3中任一项所述的陶瓷复合多层基板，其特征在于，
只在由所述第一陶瓷层和所述第二陶瓷层构成的层叠体的一个主面上配置有所述树脂陶瓷复合层。
6.如权利要求1至5中任一项所述的陶瓷复合多层基板，其特征在于，
在所述树脂陶瓷复合层的表面上形成有以树脂为主要成分的树脂层。
7.如权利要求6所述的陶瓷复合多层基板，其特征在于，
在所述树脂陶瓷复合层与所述树脂层的界面上形成有表面电极，所述表面电极的一个主面朝外部露出。
8.如权利要求7所述的陶瓷复合多层基板，其特征在于，
所述表面电极的边缘部分中的至少一部分被所述树脂层覆盖。
9.如权利要求8所述的陶瓷复合多层基板，其特征在于，
覆盖所述表面电极的边缘部分的至少一部分的所述树脂层是由与所述树脂陶瓷复合层中所含的所述树脂相同的材料构成的树脂形成的。
10.如权利要求1至9中任一项所述的陶瓷复合多层基板，其特征在于，
在至少一个主面形成有空腔，
在所述第一陶瓷层、所述第二陶瓷层以及所述树脂陶瓷复合层中，至少所述第二陶瓷层或所述树脂陶瓷复合层在所述空腔的底面或侧壁面露出。
11.一种陶瓷复合多层基板的制造方法，其特征在于，包括：
在第一陶瓷生坯层的至少一个主面上配置能抑制所述第一陶瓷生坯层的平面方向上的烧成收缩的第二陶瓷生坯层从而形成未烧成层叠体，在该未烧成层叠体的至少一个主面上设有在烧成后作为多孔质陶瓷层的第三陶瓷生坯层，从而制作未烧成复合层叠体的工序；
在至少能使第一陶瓷生坯层烧结的条件下对所述未烧成复合层叠体进行烧成的工序；以及
将树脂浸渍于所述多孔质陶瓷层中从而形成树脂陶瓷复合层的工序。
12.如权利要求11所述的陶瓷复合多层基板的制造方法，其特征在于，
所述第二陶瓷生坯层配置于多个第一陶瓷生坯层的层间。
13.如权利要求11或12所述的陶瓷复合多层基板的制造方法，其特征在于，
所述第二陶瓷生坯层配置于所述第一陶瓷生坯层与所述第三陶瓷生坯层的层间。
14.如权利要求11至13中任一项所述的陶瓷复合多层基板的制造方法，其特征在于，
在由所述第一陶瓷生坯层与所述第二陶瓷生坯层构成的未烧成层叠体的两个主面上均设有所述第三陶瓷生坯层。
15.如权利要求11至13中任一项所述的陶瓷复合多层基板的制造方法，其特征在于，
只在由所述第一陶瓷生坯层和所述第二陶瓷生坯层构成的未烧成层叠体的一个主面上设有所述第三陶瓷生坯层。
16.如权利要求11至15中任一项所述的陶瓷复合多层基板的制造方法，其特征在于，
在将所述树脂浸渍于所述多孔质陶瓷层从而形成树脂陶瓷复合层的同时，在所述树脂陶瓷复合层的表面上形成以所述树脂为主要成分的树脂层。
17.如权利要求16所述的陶瓷复合多层基板的制造方法，其特征在于，
在所述树脂陶瓷层与所述树脂层的界面上形成有表面电极，在形成所述树脂层时，当所述表面电极被所述树脂层覆盖的话，则对所述树脂层进行除去从而使所述表面电极的一个主面朝外部露出。
18.如权利要求17所述的陶瓷复合多层基板的制造方法，其特征在于，
对所述树脂层进行除去从而使所述表面电极的边缘部分中的至少一部分被所述树脂层覆盖。
19.如权利要求11至18中任一项所述的陶瓷复合多层基板的制造方法，其特征在于，
在所述未烧成复合层叠体上形成有空腔，
使所述第一陶瓷生坯层、所述第二陶瓷生坯层以及所述第三陶瓷生坯层中的至少所述第二陶瓷生坯层和所述第三陶瓷生坯层在所述空腔的底面或侧壁面露出。
20.如权利要求17至19中任一项所述的陶瓷复合多层基板的制造方法，其特征在于，
一体地烧成所述表面电极与所述未烧成复合层叠体。
21.一种电子元器件，其特征在于，
包括层叠体，
该层叠体由第一陶瓷层和第二陶瓷层构成，
所述第二陶瓷层被配置成与所述第一陶瓷层接触并能抑制所述第一陶瓷层的平面方向上的烧成收缩，
陶瓷复合多层基板具有在所述层叠体的至少一个主面上使树脂浸渍于多孔质陶瓷中而成的树脂陶瓷复合层，
在所述陶瓷复合多层基板的一个主面上装载有安装零件。
CN2008801186763A 2007-11-30 2008-10-17 陶瓷复合多层基板及其制造方法以及电子元器件 Active CN101874429B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007311632 2007-11-30
JP2007-311632 2007-11-30
PCT/JP2008/068879 WO2009069398A1 (ja) 2007-11-30 2008-10-17 セラミック複合多層基板及びその製造方法並びに電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101874429A true CN101874429A (zh) 2010-10-27
CN101874429B CN101874429B (zh) 2013-04-03

Family

ID=40678301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008801186763A Active CN101874429B (zh) 2007-11-30 2008-10-17 陶瓷复合多层基板及其制造方法以及电子元器件

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8304661B2 (zh)
JP (1) JP5029699B2 (zh)
CN (1) CN101874429B (zh)
WO (1) WO2009069398A1 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105230140A (zh) * 2013-05-08 2016-01-06 株式会社村田制作所 多层布线基板
CN108271425A (zh) * 2015-10-20 2018-07-10 索泰克公司 复合结构及相关制造方法
CN108990321A (zh) * 2018-08-07 2018-12-11 信泰电子（西安）有限公司 一种任意层pcb板的制作方法
CN109103164A (zh) * 2018-06-28 2018-12-28 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种ltcc基板的bga互联结构及实现方法
CN109563004A (zh) * 2016-07-27 2019-04-02 康宁股份有限公司 陶瓷和聚合物复合物、其制造方法及其用途
CN111295749A (zh) * 2017-11-02 2020-06-16 株式会社村田制作所 电路模块
US11262187B2 (en) 2019-12-10 2022-03-01 B&L Biotech, Inc. Dental digital measurement apparatus and digital measurement method using the same
US11456158B2 (en) 2019-06-05 2022-09-27 Ksm Component Co., Ltd. Ceramic structure for plasma processing apparatus and manufacturing method thereof

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104589738A (zh) * 2008-05-15 2015-05-06 株式会社村田制作所 多层陶瓷基板及其制造方法
JP5550280B2 (ja) * 2009-07-29 2014-07-16 京セラ株式会社 多層配線基板
JP5398676B2 (ja) * 2009-09-24 2014-01-29 日本碍子株式会社 コイル埋設型インダクタおよびその製造方法
JP5777302B2 (ja) * 2010-07-21 2015-09-09 株式会社村田製作所 セラミック電子部品の製造方法、セラミック電子部品及び配線基板
WO2012014875A1 (ja) * 2010-07-30 2012-02-02 京セラ株式会社 絶縁シート、その製造方法及びその絶縁シートを用いた構造体の製造方法
WO2013084334A1 (ja) * 2011-12-08 2013-06-13 日本碍子株式会社 大容量モジュール用基板、及び当該基板の製造方法
CN105849895B (zh) * 2013-12-25 2018-12-21 三菱综合材料株式会社 功率模块用基板、及其制造方法和功率模块
WO2015102107A1 (ja) * 2014-01-06 2015-07-09 株式会社村田製作所 積層配線基板およびこれを備える検査装置
JP6918773B2 (ja) * 2016-03-11 2021-08-11 日本碍子株式会社 接続基板の製造方法
JP6728859B2 (ja) * 2016-03-25 2020-07-22 日立金属株式会社 セラミック基板およびその製造方法
JP2017183653A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 スナップトラック・インコーポレーテッド 高周波用多層配線基板とその製造方法
WO2018163982A1 (ja) * 2017-03-09 2018-09-13 株式会社村田製作所 多層基板
WO2018186154A1 (ja) * 2017-04-04 2018-10-11 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置
WO2019088175A1 (ja) * 2017-11-02 2019-05-09 株式会社村田製作所 回路モジュール
CN110972414B (zh) * 2018-09-29 2022-09-20 宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司 复合电路板及其制造方法
JP7135753B2 (ja) * 2018-11-13 2022-09-13 株式会社村田製作所 セラミック多層基板及びセラミック多層基板の製造方法
CN115872726A (zh) * 2022-12-15 2023-03-31 深圳顺络电子股份有限公司 一种高温复合共烧陶瓷结构及制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2803414B2 (ja) 1991-11-15 1998-09-24 松下電器産業株式会社 多層セラミック基板の製造方法
JP3601671B2 (ja) 1998-04-28 2004-12-15 株式会社村田製作所 複合積層体の製造方法
JP3656484B2 (ja) 1999-03-03 2005-06-08 株式会社村田製作所 セラミック多層基板の製造方法
JP2002344121A (ja) * 2001-05-14 2002-11-29 Victor Co Of Japan Ltd プリント配線基板
JP3890947B2 (ja) 2001-10-17 2007-03-07 松下電器産業株式会社 高周波半導体装置
JP2005210036A (ja) 2004-01-26 2005-08-04 Murata Mfg Co Ltd 複合多層基板
JP4432517B2 (ja) 2004-02-06 2010-03-17 株式会社村田製作所 複合多層基板
JP2006100443A (ja) * 2004-09-28 2006-04-13 Kyocera Corp 配線基板
JP2006278453A (ja) * 2005-03-28 2006-10-12 Tdk Corp セラミックス多層配線基板およびその製造方法
JP4613878B2 (ja) 2006-05-23 2011-01-19 Ｔｄｋ株式会社 積層基板及びその製造方法
CN101467246B (zh) 2006-06-02 2010-12-22 株式会社村田制作所 多层陶瓷电子器件及其制造方法
JP4946225B2 (ja) 2006-07-13 2012-06-06 株式会社村田製作所 多層セラミック電子部品、多層セラミック基板、および多層セラミック電子部品の製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105230140A (zh) * 2013-05-08 2016-01-06 株式会社村田制作所 多层布线基板
US9844138B2 (en) 2013-05-08 2017-12-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer wiring board
CN105230140B (zh) * 2013-05-08 2018-09-25 株式会社村田制作所 多层布线基板
CN108271425A (zh) * 2015-10-20 2018-07-10 索泰克公司 复合结构及相关制造方法
CN109563004A (zh) * 2016-07-27 2019-04-02 康宁股份有限公司 陶瓷和聚合物复合物、其制造方法及其用途
US11490510B2 (en) 2016-07-27 2022-11-01 Corning Incorporated Ceramic and polymer composite, methods of making, and uses thereof
CN111295749A (zh) * 2017-11-02 2020-06-16 株式会社村田制作所 电路模块
CN111295749B (zh) * 2017-11-02 2023-04-18 株式会社村田制作所 电路模块
CN109103164A (zh) * 2018-06-28 2018-12-28 中国电子科技集团公司第二十九研究所 一种ltcc基板的bga互联结构及实现方法
CN108990321A (zh) * 2018-08-07 2018-12-11 信泰电子（西安）有限公司 一种任意层pcb板的制作方法
CN108990321B (zh) * 2018-08-07 2019-06-04 信泰电子（西安）有限公司 一种任意层pcb板及其制作方法
US11456158B2 (en) 2019-06-05 2022-09-27 Ksm Component Co., Ltd. Ceramic structure for plasma processing apparatus and manufacturing method thereof
US11262187B2 (en) 2019-12-10 2022-03-01 B&L Biotech, Inc. Dental digital measurement apparatus and digital measurement method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP5029699B2 (ja) 2012-09-19
JPWO2009069398A1 (ja) 2011-04-07
US8304661B2 (en) 2012-11-06
WO2009069398A1 (ja) 2009-06-04
US20100224396A1 (en) 2010-09-09
CN101874429B (zh) 2013-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101874429B (zh) 陶瓷复合多层基板及其制造方法以及电子元器件
KR100862537B1 (ko) 세라믹 기판의 제조방법 및 비소성 세라믹 기판
US6938332B2 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic substrates
KR101638634B1 (ko) 세라믹 캐패시터 제조 방법
US7998560B2 (en) Multilayer ceramic substrate, method for producing same, and electronic component
KR100451955B1 (ko) 세라믹 다층 기판의 제조방법 및 미소성의 복합 적층체
KR20100039818A (ko) 부품 내장형 와이어링 기판 및 그의 제조 방법
US20110036622A1 (en) Laminated ceramic electronic component and method for manufacturing the same
CN104589738A (zh) 多层陶瓷基板及其制造方法
KR100462499B1 (ko) 다층 세라믹 기판 및 그 제조방법, 미소결 세라믹 적층체및 전자 장치
WO2003072325A1 (en) Ceramic multilayer substrate manufacturing method and unfired composite multilayer body
KR100762006B1 (ko) 무수축 세라믹 기판의 제조방법
US20100038013A1 (en) Method for manufacturing multilayer ceramic electronic device
KR100748238B1 (ko) 무수축 세라믹 기판 및 그 제조방법
JP4565383B2 (ja) キャビティを備えた多層セラミック基板およびその製造方法
US7110241B2 (en) Substrate
JP2006108483A (ja) キャビティを備えた多層セラミック基板およびその製造方法
JP2003273513A (ja) キャビティ付き多層セラミック基板の製造方法およびキャビティ付き多層セラミック基板
KR101454080B1 (ko) 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판 제조 방법
JP4089356B2 (ja) 多層セラミック基板の製造方法
US8241449B2 (en) Method for producing ceramic body
JP2002151855A (ja) 多層セラミック基板の製造方法
JP2004207592A (ja) 多層セラミック基板の製造方法
KR20230120391A (ko) 층간 더미부를 구비하는 다층 세라믹 기판 및 그의 제조 방법
KR100887112B1 (ko) 무수축 세라믹 기판의 제조방법 및 이에 의해 제조된 다층세라믹 기판

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant