CN101849355A - 可调节工作循环电路 - Google Patents

Abstract

本发明揭示用于对由电路产生的信号的工作循环进行调节和编程的技术。在一实施例中，并联晶体管耦合在NAND门与电源电压之间。选择性地启用所述并联晶体管会调节所述NAND门的开关点，借此允许控制输出信号的脉冲宽度。在一替代实施例中，选择性地变化所述NAND门中的PMOS晶体管对NMOS晶体管的大小以实现相同效果。本发明进一步揭示将所述技术应用于校准接收器以使经测量的二阶互调产物和/或残余边带最小化。

Description

可调节工作循环电路

优先权

本申请案主张2007年11月8日申请的题为“可调节工作循环电路(ADJUSTABLEDUTY CYCLE CIRCUIT)”的第60/986,397号美国临时申请案的权益，该申请案的全部揭示内容被视作本申请案的揭示内容的一部分。

技术领域

本发明涉及电子电路，且更明确地说涉及用于产生具有可调节的工作循环的信号的电路。

背景技术

在电子电路设计的领域中，某些应用要求具有受控的脉冲宽度或工作循环的数字周期性信号的可用性。举例来说，一些通信接收器使用具有25％工作循环的本机振荡器(LO)信号。此类接收器揭示于2006年9月13日申请的题为“用于频率转换的系统、方法和设备(Systems，methods，and apparatus for frequency conversion)”的第11/531,314号美国专利申请案中，所述专利申请案转让给本发明的受让人且其内容全文以引用的方式并入本文中。

各种电路设计可用于产生具有给定标称工作循环的信号。归因于处理变化和/或其它因素，信号的实际工作循环可不同于指定的标称工作循环。实际工作循环中的不准确性可使任何给定应用的性能降级。提供有效技术用于调节和/或校准信号的经测量的工作循环以补偿此类不准确性将是有利的。

发明内容

本发明的一方面提供一种用于产生具有可调节的工作循环的信号的电路，所述电路包含：用于产生具有第一工作循环的第一信号的第一级；将所述第一级耦合到电源电压的多个可配置晶体管，所述多个可配置晶体管中的每一者由用于接通或断开对应可配置晶体管的可配置电压进行控制，所述第一工作循环可由所述可配置电压的设定进行调节。

本发明的另一方面提供一种用于产生具有可调节的工作循环的信号的电路，所述电路包含：用于产生具有第一工作循环的第一信号的第一级，所述第一级包含至少一组并联耦合的晶体管，所述组晶体管中的每一晶体管具有可选自输入电压或断开电压的栅极电压。

本发明的又一方面提供一种用于产生具有可调节的工作循环的本机振荡器信号的方法，所述方法包含：对振荡器的输出的频率进行分频，以产生同相分频信号(dividedsignal)和正交分频信号；确定所述同相分频信号与所述正交分频信号之间的第一重叠间隔以产生第一本机振荡器信号，所述第一重叠间隔由第一接通电平和第一断开电平来界定；以及通过调节所述第一接通电平或第二断开电平而调节所述第一本机振荡器信号的工作循环。

本发明的又一方面提供一种用于产生具有可调节的工作循环的本机振荡器信号的设备，所述设备包含：用于对振荡器的输出的频率进行分频以产生同相分频信号和正交分频信号的装置；用于确定所述同相分频信号与所述正交分频信号之间的第一重叠间隔以产生第一本机振荡器信号的装置，所述第一重叠间隔由第一接通电平和第一断开电平来界定；以及用于通过调节所述第一接通电平或第二断开电平而调节所述第一本机振荡器信号的工作循环的装置。

附图说明

图1描绘用于从同相信号(A)和正交相位信号(B)产生具有25％工作循环的信号的电路，信号A和信号B每一者具有50％工作循环。

图2描绘信号A、信号B与信号Z之间的关系。

图3描绘用于调节图1和图2中所描绘的信号Z的工作循环的本发明的一实施例。

图4A描绘标注为“情况1”的第一情形，其中晶体管P0通过栅极电压b0接通，且其余晶体管P1到Pn通过栅极电压b1到bn断开。

图4B描绘标注为“情况2”的第二情形，其中所有晶体管P0到Pn通过栅极电压b0到bn接通。

图5A和图5B描绘可变电阻区块500和510的实施例。

图6描绘本发明的替代实施例，其中可同时调节晶体管PA和PB的有效宽度以控制输出信号Z的脉冲宽度。

图7描绘通信接收器的实施例，所述通信接收器包含用于将所接收的射频(RF)信号与本机振荡器(LO)信号混频以产生中频(IF)信号的混频器。

图8描绘信号I_50％、Ib_50％、Q_50％、Qb_50％彼此之间的关系。图8A到图8D说明可如何组合信号I_50％、Q_50％、Ib_50％、Qb_50％以产生信号I_25％、Q_25％、Ib_25％、Qb_25％。

图9描绘图7的通信接收器，其中混频器760的IF输出信号760为零-IF基带信号，即所述接收器为直接转换接收器。

图10描绘用于校准图9中的25％工作循环电路的工作循环设定的算法的实施例。

具体实施方式

根据本发明，揭示用于调节由电路产生的信号的脉冲宽度和/或工作循环的技术。

图1描绘用于从同相信号(A)和正交相位信号(B)产生具有25％工作循环的信号的电路，信号A和信号B每一者具有50％工作循环。在图1中，PMOS晶体管PA、PB和NMOS晶体管NA、NB配置为标准两输入NAND门110。信号A和信号B输入到所述NAND门，且所述NAND门的输出耦合到反相器120以产生输出信号Z。信号Z对应于对信号A与信号B应用“AND”运算所得的输出。

图2描绘信号A、信号B与信号Z之间的关系。在图2中，信号A和信号B每一者具有50％工作循环，且彼此具有正交相位关系。通过对信号A与信号B应用“AND”运算而产生的信号Z具有25％工作循环，如图所示。

注意本发明中所参考的用于产生25％工作循环的电路可容易经修改以产生具有任意工作循环的信号。举例来说，信号A与信号B之间的相位关系可变化以适应产生具有所要工作循环的信号。或者，所述电路可经修改以适应两个以上的输入。或者，可使用除NAND门以外的逻辑门，例如NOR门或XOR门。所属领域的一般技术人员将认识到，本文所揭示的技术可容易应用于此类电路，且此类实施例预期在本发明的范围内。

图3描绘用于调节图1和图2中所描绘的信号Z的工作循环的本发明的一实施例。在图3中，PMOS晶体管P1到Pn 130提供于NAND门110与电源电压VDD之间。晶体管P1到Pn分别由栅极电压b0到bn控制。栅极电压可控制是接通还是断开每一晶体管。通过使用栅极电压b0到bn选择性地断开晶体管P1到Pn的一子集，可调制NAND门的输入开关电压，从而允许调节信号Z的工作循环，如下文进一步描述。

在本说明书和权利要求书中，电压电平Vturn_on指代断开PMOS晶体管PA和PB所处的电压电平，借此允许由NMOS晶体管下拉NAND门的输出。(注意，为了便于描述输出信号Z，将此电压电平指定为“接通(turn-ON)”电压而非“断开(turn-OFF)”电压。所属领域的一般技术人员将认识到，所述指定为任意的且可容易以替代指定方案进行代替)。相反，电压电平Vturn_off指代接通PMOS晶体管PA或PB所处的电压电平，借此允许由接通的PMOS晶体管上拉NAND门的输出。

图4A描绘标注为“情况1”的第一情形，其中晶体管P0通过栅极电压b0接通，且其余晶体管P1到Pn通过栅极电压b1到bn断开。这可通过将栅极电压b0设定为低电压且将其它栅极电压b1到bn设定为高电压而完成。注意在图4A中，信号A和信号B展示为具有非零上升和下降时间。

在时间tON处，信号A为高，同时信号B刚好超过在从低向高转变期间的电压电平Vturn_on1。这促使图3的NAND门的输出从高向低转变，因为两个PMOS晶体管均为断开，同时两个NMOS晶体管均为接通。因此信号Z在时间tON之后不久便从低转变到高，如图所示。

在时间tOFF处，信号B为高，同时信号A刚好超过在从高向低转变期间的电压电平Vturn_off1。这促使NAND门的输出从低向高转变，因为晶体管PA接通，且晶体管NA断开。因此信号Z在时间tOFF之后不久便从高转变到低，如图所示。

从图4A注意到，信号Z具有脉冲宽度Δt1，其中Δt1取决于电压电平Vturn_on1和Vturn_off1。对于周期性信号，此解译为工作循环Δt1/T，其中T为信号的周期。

大体上，电压电平Vturn_on和Vturn_off取决于接通或断开的晶体管P0到Pn的数目。对于图4A中所展示的“情况1”，仅晶体管P0为接通的。此将对应于比所有晶体管P0到Pn均接通的情况低的Vturn_on和Vturn_off电平。图4B中说明标注为“情况2”的所述所有晶体管P0到Pn均接通的情形，且本文中进一步描述所述情形。

明确地说，在情况2中，所有晶体管P0到Pn通过栅极电压b0到bn接通。在此情形中，Vturn_on和Vturn_off的电平(在图4B中指定为Vturn_on2和Vturn_off2)将分别高于如图4A所描绘的Vturn_on1和Vturn_off1的值。这又将使图4B中所展示的脉冲宽度Δt2短于图4A中所展示的对应脉冲宽度Δt1。因此情况2中的Z的工作循环短于情况1中的Z的工作循环。

对于将晶体管P0到Pn的某一任意子集接通且将区块130中的剩余晶体管断开的中间情况，Vturn_on和Vturn_off的电平将大体上取决于经接通的晶体管P0到Pn的组合大小而变化。

从先前描述可了解，栅极电压b0到bn允许对输出信号Z的脉冲宽度进行选择性调节。假定信号A和信号B为周期性的，那么输出信号Z的工作循环也为可调节的。先前特征可用于从信号的标称工作循环值调节所述信号的工作循环。举例来说，在图3所展示的实施例中，晶体管P0到Pn可用于从输出信号Z的标称工作循环值25％精细调谐所述输出信号Z的工作循环。

所属领域的一般技术人员将认识到，任何数目的PMOS晶体管P0到Pn与栅极电压b0到bn可提供于图3的电路中，且所提供的晶体管和栅极电压越多；在调节信号Z的工作循环中可实现的分辨率就越大。晶体管P0到Pn的任何子集可由适当栅极电压接通或断开以实现所要脉冲宽度或工作循环。

在一实施例中，为了便利于选择所要脉冲宽度，可对晶体管P0到Pn的大小进行二元加权，即P0可具有宽度W1，P1可具有宽度2*W1，P2可具有宽度4*W1等。在替代实施例中，PMOS晶体管P0到Pn的大小可均等。

返回参看图3，注意断电晶体管PDN经提供以在必要时断开电路。这可通过将PMOS晶体管PDN的栅极电压bpdn设定为VDD而实现。在正常操作中，bpdn可连接到接地。

在一实施例中，可代替图3中所展示的并联PMOS晶体管130而使用具有可配置电阻的任何电路拓扑。举例来说，图5A描绘可变电阻区块500。在图5A中，展示多个串联电阻R0到Rn，所述串联电阻的每一者可分别被对应开关S0到Sn旁接(bypassable)。经由开关S0到Sn的动作，节点X与节点Y之间的总电阻为可调节的。可变电阻区块500可耦合在图1中的源电压VDD与晶体管PA和PB的源极之间。输出信号Z的脉冲宽度和因此工作循环可由开关S0到Sn的动作来配置。在一实施例中，开关S0到Sn可为MOS开关，且电阻R0到Rn可为MOS电阻器。

图5B展示可变电阻区块510的替代实施例，其中提供多个并联电阻器，每一电阻器与用于启用或停用所述电阻器的开关串接。本发明的这些和其它实施例将为所属领域的一般技术人员了解，且预期在本发明的范围内。

所属领域的一般技术人员将认识到，并联NMOS晶体管(未图示)可耦合到图1的电路中的晶体管NB的源极，且根据所描述的技术，可通过选择性地启用此类并联NMOS晶体管使输出信号Z的工作循环为可调节的。此类实施例预期在本发明的范围内。

图6描绘本发明的替代实施例，其中可同时调节图1中的晶体管PA和PB的有效宽度以控制输出信号Z的脉冲宽度。在图6中，来自图1的晶体管PA实施为多个并联晶体管PA0到PAn。晶体管PA0到PAn可分别由电压c0到cn接通或断开，所述电压选择性地将每一晶体管的栅极耦合到输入信号A(晶体管接通)或耦合到电源电压VDD(晶体管断开)。类似地，来自图1的晶体管PB实施为多个并联晶体管PB0到PBn。晶体管PB0到PBn中的每一者也可由用于控制晶体管PA0到PAn的相同电压c0到cn接通或断开。

根据图6的实施例，输入开关电压电平Vturn_on和Vturn_off可通过使用电压c0到cn选择性地接通或断开晶体管PA0到PAn和PB0到PBn而调节。明确地说，如果所有晶体管PA0到PAn和PB0到PBn均接通(即，提供晶体管PA和PB的最大有效宽度)，那么电压电平Vturn_on和Vturn_off将高于仅接通所述晶体管的一子集的情况(即，提供小于晶体管PA和PB中的每一者的最大有效宽度的宽度)。如参看图4A和图4B所见，Vturn_on和Vturn_off的电平越高，输出信号Z的脉冲宽度就越短。因此看出，通过使用电压c0到cn来选择晶体管PA和PB的有效宽度，可控制输出信号的脉冲宽度。

所属领域的一般技术人员将认识到，无需使PA和PB的有效大小均为可调节的。在一实施例中，可使仅PA或仅PB的有效大小为可调节的。或者，一组控制电压c0到cn可提供给PMOS晶体管中的一者，而一独立组的控制电压d0到dn提供给其它PMOS晶体管。此类实施例在本发明的范围内。

所属领域的一般技术人员将认识到，也可使图1中的NMOS晶体管NA和NB的有效宽度为可配置的以调节输出信号Z的脉冲宽度。此类实施例在本发明的范围内。

在使用替代电路而非图3和图6中所展示的电路来从信号A和信号B产生信号Z的本发明的替代实施例中，可参看图4A和图4B而定义一般“接通电平”和“断开电平”如下。接通电平是促使输出信号Z(或Z的反量(inverse))从高向低转变所处的A或B的输入电平。类似地，断开电平是促使输出信号Z(或Z的反量)从低向高转变所处的A或B的输入电平。对应地，一般“接通时间”和“断开时间”可定义为输入信号A或B越过接通电平或断开电平从而促使输出信号Z转变的时间。在本说明书和权利要求书中，“接通时间”与“断开时间”之间的间隔可定义为“重叠间隔”。根据本发明的一方面，通过改变用于从A和B产生Z的给定电路的接通电平和断开电平因此改变重叠间隔而调节信号Z的工作循环。

举例来说，在图3中所描绘的实施例中，接通电平对应于PMOS晶体管PA和PB断开所处的电压电平，而断开电平对应于PMOS晶体管PA和PB中的一者接通所处的电压电平。在图6中所描绘的实施例中，接通电平对应于下拉节点X所处的A或B的电压电平，而断开电平对应于上拉节点X所处的A或B的电压电平。所属领域的一般技术人员可导出本文中未揭示的用于执行与针对图3和图6的电路所描述的信号产生功能相同的信号产生功能的实施例。预期也可将接通电平、断开电平、接通时间、断开时间和重叠间隔的名称应用于此类实施例。

图7展示用以在通信接收器中校准振荡器的工作循环的本发明技术的可能应用。明确地说，图7描绘包含混频器740的接收器，所述混频器740用于将所接收的射频(RF)信号750与电压控制振荡器信号700的经处理型式混频以产生中频(IF)信号760。在本说明书和权利要求书中，术语“中频”可表示任何频率，包括在直接转换接收器的情况下的零频率(或“基带”)。

在图7中，电压控制振荡器(VCO)700将差动信号700a、700b输出到分频器710。分频器710以一因数(例如，2或4)对频率进行分频，且产生信号I_50％、Ib_50％、Q_50％、Qb_50％。所属领域的一般技术人员将认识到，分频器710可以除那些明确列出的因数以外的任何因数对所述频率进行分频。此类实施例预期在本发明的范围内。

如在其名称中注意到，四个信号I_50％、Ib_50％、Q_50％、Qb_50％中的每一者具有标称50％工作循环。图8描绘四个信号之间的关系。如图8中所说明，Ib_50％和Qb_50％分别为I_50％和Q_50％的反(180度异相)型式，而I_50％和Q_50％彼此具有正交关系。

返回图7，25％工作循环电路720输入四个信号I_50％、Ib_50％、Q_50％、Qb_50％，且产生四个对应信号I_25％、Ib_25％、Q_25％、Qb_25％，其每一者具有标称25％工作循环。利用具有25％工作循环的LO的接收器的更多细节和动机可查阅本发明中先前参考的第11/531,314号美国专利申请案。

每一25％工作循环信号可从一对50％工作循环信号产生。举例来说，信号I_50％和Q_50％可分别作为信号A和信号B输入到图3的电路以产生信号I_25％。25％工作循环电路720可因此具备图3中所展示的电路的四个例子以产生四个25％工作循环信号。图8A到图8D说明可如何组合信号I_50％、Q_50％、Ib_50％、Qb_50％以产生信号I_25％、Q_25％、Ib_25％、Qb_25％。注意，所属领域的一般技术人员将认识到，将信号命名为“同相”或“正交”在本发明的任何特定实施例中可为不同的。使用不同命名法的此类实施例也预期在本发明的范围内。

根据参看图3所描述的技术，校准信号750a、750b、750c、750d可经提供以调节信号I_25％、Ib_25％、Q_25％、Qb_25％的每一者的标称工作循环。校准信号可经提供以补偿信号的实际工作循环与标称值25％的任何偏差。

举例来说，校准信号750a可包含将I_25％输出信号的工作循环设定为所要值的多个电压b0到bn。此类电压b0到bn可对应于图3中所描绘的栅极电压。

在替代实施例中，25％工作循环电路720可具备图6中所展示的电路的四个例子以产生四个25％工作循环信号。校准信号750a可因此包含(例如)如图6中所描绘的多个电压c0到cn。

注意在一实施例中，25％工作循环电路720无需包含图3或图6中所揭示的可调节工作循环电路。预期可利用允许对信号的工作循环进行调节的任何电路。

四个信号I_25％、Ib_25％、Q_25％、Qb_25％可由本机振荡器缓冲器730缓冲。经缓冲的信号可接着提供到混频器740，所述混频器740将LO信号与传入的RF信号750混频以产生IF信号760。在一实施例中，混频器740包括两个混频器：一个用于将差动RF信号750与由I_25％和Ib_25％组成的差动信号混频，且另一个用于将差动RF信号750与由Q_25％和Qb_25％组成的差动信号混频。因此可产生两个IF信号：同相IF信号和正交相位IF信号。

根据本发明，已描述用于调节由电路产生的信号的脉冲宽度和/或工作循环的技术。本发明的又一方面用以最佳地设定由图7中所描绘的25％工作循环电路产生的信号的工作循环。如本文中参看图9和图10所说明和描述，这可通过校准设置和程序而实现。

图9描绘图7的通信接收器，其中混频器760的IF输出信号760为零-IF基带信号，即所述接收器为直接转换接收器。IF信号760进一步供应到基带处理器900。基于IF信号760，基带处理器900产生校准信号750a、750b、750c、750d。在一实施例中，校准信号750a、750b、750c、750d可经设定以优化由基带处理器900从IF信号760测量所得的接收器的二阶输入截取点(IIP2)。在另一实施例中，所述校准信号可经设定以使由基带处理器900从IF信号760测量所得的接收器的经测量残余边带(RSB)最小化。在又一实施例中，所述校准信号可经设定以共同优化接收器的IIP2和RSB。

图10描绘用于校准图9中的25％工作循环电路的工作循环设定的算法的一实施例。在图10中，校准阶段1100开始于步骤1000，所述步骤1000选择用于由25％工作循环电路产生的信号的工作循环设定的初始值。在一实施例中，工作循环的初始值可对应于通过设定校准信号750a、750b、750c、750d可达到的最低工作循环。这些校准信号可由基带处理器900选择，如图9中所描绘。

在步骤1010处，对应于选定工作循环的IF信号760的参数可由基带处理器900测量和记录。在一实施例中，所述相关参数可为IF信号760中存在的二阶互调产物(IM2)。在替代实施例中，所述相关参数可为IF信号760中存在的残余边带(RSB)。

在步骤1020处，算法确定是否已达到最终工作循环设定。如果未达到，那么所述工作循环设定可在步骤1030中通过将校准信号750a、750b、750c、750d设定为适当值而前进到下一候选工作循环设定。所述算法接着返回到步骤1010，其中可测量对应于新工作循环的相关参数。一旦在步骤1020中已达到最终工作循环设定，那么算法进行到步骤1040。

以此方式，可在工作循环设定的适合范围内“扫测(sweeped)”在步骤1010中测得的所述相关参数。在已扫测整个范围之后，在步骤1040处识别对应于所述相关参数的最佳值的工作循环设定。在一实施例中，可识别对应于在IF信号760中测得的最低IM2的工作循环设定。在替代实施例中，可识别对应于在IF信号760中测得的最低RSB的工作循环设定。在步骤1050处，选择在步骤1040中识别的工作循环设定且在接收器的操作阶段1200期间将其应用于25％工作循环电路720。

虽然本文中已描述用于确定最佳工作循环设定的特定算法，但所属领域的一般技术人员将认识到，可应用用于扫测过校准设定以确定最佳设定的其它算法。举例来说，可使用2007年9月28日申请的题为“对无源混频器的偏移校正(Offset correction for passivemixers)”的第11/864,310号美国专利申请案中所揭示的校准算法，所述专利申请案转让给本申请案的受让人且其内容全文以引用的方式并入本文中。

注意还可应用本文中所揭示的校准技术来优化除明确描述的那些参数外的任何其它相关参数。此类实施例也预期在本发明的范围内。虽然已描述将25％工作循环用于本机振荡器的实施例，但可应用本发明的校准方案和工作循环调节技术来校准具有任何工作循环的信号。此类实施例将为所属领域的一般技术人员了解，且预期在本发明的范围内。

基于本文中所描述的教示，应显而易见，本文中所揭示的一方面可独立于任何其它方面而实施，且这些方面中的两者或两者以上可以各种方式加以组合。本文中所描述的技术可以硬件、软件、固件或其任何组合来实施。如果以硬件实施，那么所述技术可使用数字硬件、模拟硬件或其组合来实现。如果以软件实施，那么所述技术可至少部分由计算机程序产品来实现，所述计算机程序产品包括上面存储一个或一个以上指令或代码的计算机可读媒体。

借助实例而不是限制，此计算机可读媒体可包含例如同步动态随机存取存储器(SDRAM)的RAM、只读存储器(ROM)、非易失性随机存取存储器(NVRAM)、ROM、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、快闪存储器、CD-ROM或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或可用于携载或存储呈指令或数据结构的形式的所要程序代码且可由计算机存取的任何其它有形媒体。

与计算机程序产品的计算机可读媒体相关联的指令或代码可由计算机执行，例如由例如一个或一个以上数字信号处理器(DSP)、通用微处理器、ASIC、FPGA或其它等效集成或离散逻辑电路等一个或一个以上处理器执行。

在本说明书和权利要求书中，将了解，当一元件被称作“连接到”或“耦合到”另一元件时，其可直接连接到或耦合到所述另一元件或可存在介入元件。相比之下，当一元件被称作“直接连接到”或“直接耦合到”另一元件时，不存在介入元件。

本文已描述若干方面和实例。然而，对这些实例的各种修改是可能的，且本文中所提出的原理也可应用于其它方面。这些和其它方面在所附权利要求书的范围内。

Claims (25)

1.一种用于产生具有可调节的工作循环的信号的电路，所述电路包含：

第一级，其用于产生具有第一工作循环的第一信号；

多个可配置晶体管，其将所述第一级耦合到电源电压，所述多个可配置晶体管中的每一者由用于接通或断开对应可配置晶体管的可配置电压进行控制，所述第一工作循环可由所述可配置电压的设定进行调节。

2.根据权利要求1所述的电路，所述多个可配置晶体管彼此并联布置。

3.根据权利要求2所述的电路，每一可配置电压耦合到所述对应可配置晶体管的栅极。

4.根据权利要求3所述的电路，所述第一级包含两输入NAND门，所述NAND门包含耦合到两个串联NMOS晶体管的两个并联PMOS晶体管，所述第一信号为所述NAND门的输出。

5.根据权利要求4所述的电路，所述多个可配置晶体管为大小经二元加权的PMOS晶体管。

6.根据权利要求4所述的电路，所述NAND门的所述两个输入耦合到具有50％工作循环的第一输入信号和具有50％工作循环的第二输入信号，所述第一与第二信号具有正交相位差。

7.根据权利要求6所述的电路，其进一步包含：

反相器，其耦合到所述NAND门的所述输出；以及

断电晶体管，其将所述反相器耦合到电源电压。

8.根据权利要求1所述的电路，所述多个可配置晶体管串联耦合，每一可配置电压通过断开或闭合与所述可配置晶体管串联耦合的开关而接通或断开所述对应可配置晶体管。

9.根据权利要求1所述的电路，所述多个可配置晶体管彼此并联，所述电源电压为接地电压。

10.一种用于产生具有可调节的工作循环的信号的电路，所述电路包含：

第一级，其用于产生具有第一工作循环的第一信号，所述第一级包含至少一组并联耦合的晶体管，所述一组晶体管中的每一晶体管具有可选自输入电压或断开电压的栅极电压。

11.根据权利要求10所述的电路，所述第一级为NAND门，所述第一级包含两组并联耦合的晶体管，所述两组晶体管的第一组中的每一晶体管具有可选自第一输入电压或固定断开电压的栅极电压，所述两组晶体管的第二组中的每一晶体管具有可选自第二输入电压或固定断开电压的栅极电压。

12.根据权利要求11所述的电路，所述第一和第二输入电压每一者具有50％工作循环，所述第一和第二输入电压彼此间进一步具有正交相位差。

13.一种用于产生具有可调节的工作循环的本机振荡器信号的方法，所述方法包含：

对振荡器的输出的频率进行分频，以产生同相分频信号和正交分频信号；

通过确定所述同相分频信号与所述正交分频信号之间的第一重叠间隔而产生第一本机振荡器信号，所述第一重叠间隔由第一接通电平和第一断开电平来界定；以及

通过调节所述第一接通电平或第二断开电平而调节所述第一本机振荡器信号的所述工作循环。

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包含：

对所述振荡器的所述输出的所述频率进行分频，以产生逆同相分频信号和逆正交分频信号；

确定所述同相分频信号与所述逆正交分频信号之间的第二重叠间隔以产生第二本机振荡器信号，所述第二重叠间隔由第二接通电平和第二断开电平来界定；以及

通过调节所述第二接通电平或所述第二断开电平而调节所述第二本机振荡器信号的所述工作循环。

15.根据权利要求14所述的方法，其进一步包含：

将射频(RF)信号与包含所述第一和第二本机振荡器信号的差动本机振荡器信号混频以产生第一中频(IF)信号；

测量所述第一IF信号的特性；

响应于所述第一IF信号的所述测得的特性而调节所述第一或第二本机振荡器信号的所述工作循环。

16.根据权利要求15所述的方法，所述第一IF信号的所述特性为二阶互调产物(IM2)。

17.根据权利要求16所述的方法，所述响应于所述第一IF信号的所述测得的特性而调节所述第一或第二本机振荡器信号的所述工作循环包含：调节所述第一或第二本机振荡器信号的所述工作循环以使所述测得的IM2最小化。

18.根据权利要求15所述的方法，所述第一IF信号的所述特性为残余边带(RSB)。

19.根据权利要求16所述的方法，所述响应于所述第一IF信号的所述测得的特性而调节所述第一或第二本机振荡器信号的所述工作循环包含：调节所述第一或第二本机振荡器信号的所述工作循环以使所述测得的RSB最小化。

20.一种用于产生具有可调节的工作循环的本机振荡器信号的设备，所述设备包含：

用于对振荡器的输出的频率进行分频以产生同相分频信号和正交分频信号的装置；

用于通过确定所述同相分频信号与所述正交分频信号之间的第一重叠间隔而产生第一本机振荡器信号的装置，所述第一重叠间隔由第一接通电平和第一断开电平来界定；以及

用于通过调节所述第一接通电平或第二断开电平来调节所述第一本机振荡器信号的所述工作循环的装置。

21.根据权利要求20所述的设备，其进一步包含：

用于对所述振荡器的所述输出的所述频率进行分频以产生逆同相分频信号和逆正交分频信号的装置；

用于确定所述同相分频信号与所述逆正交分频信号之间的第二重叠间隔以产生第二本机振荡器信号的装置，所述第二重叠间隔由第二接通电平和第二断开电平来界定；以及

用于通过调节所述第二接通电平或所述第二断开电平而调节所述第二本机振荡器信号的所述工作循环的装置。

22.根据权利要求21所述的设备，其进一步包含：

用于将射频(RF)信号与包含所述第一和第二本机振荡器信号的差动本机振荡器信号混频以产生第一中频(IF)信号的装置；

用于测量所述第一IF信号的特性的装置；

用于响应于所述第一IF信号的所述测得的特性而调节所述第一或第二本机振荡器信号的所述工作循环的装置。

23.根据权利要求22所述的设备，所述第一IF信号的所述特性为二阶互调产物(IM2)。

24.一种用于产生本机振荡器(LO)信号的方法，所述方法包含：

产生同相(I)本机振荡器信号；

产生正交相位(Q)本机振荡器信号，所述I和Q信号具有第一工作循环；以及

将所述I信号和所述Q信号输入到电路以用于确定间隔，其中所述I信号与所述Q信号重叠，所述电路产生具有小于所述第一工作循环的第二工作循环的同相LO信号。

25.根据权利要求24所述的方法，所述电路包含用于对所述I信号和所述Q信号执行AND运算的AND电路。

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