CN101778882B - 环氧树脂组合物 - Google Patents
环氧树脂组合物 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101778882B CN101778882B CN2008801032801A CN200880103280A CN101778882B CN 101778882 B CN101778882 B CN 101778882B CN 2008801032801 A CN2008801032801 A CN 2008801032801A CN 200880103280 A CN200880103280 A CN 200880103280A CN 101778882 B CN101778882 B CN 101778882B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- epoxy resin
- composition epoxy
- formula
- methyl
- cationic polymerization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 title claims abstract description 54
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 44
- PSBPNWBGNOWCCU-UHFFFAOYSA-N OB(O)O.S.S.S Chemical group OB(O)O.S.S.S PSBPNWBGNOWCCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 claims abstract description 20
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 8
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims abstract description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 5
- PHRABVHYUHIYGY-UHFFFAOYSA-N 1-methylnaphthalene Chemical group C1=CC=C2C([CH2])=CC=CC2=C1 PHRABVHYUHIYGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000009998 heat setting Methods 0.000 claims description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000006178 methyl benzyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 5
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 29
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 13
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 7
- -1 2-hydroxy phenyl Chemical group 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 5
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N trisodium borate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]B([O-])[O-] BSVBQGMMJUBVOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004203 4-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229910018286 SbF 6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000004208 3-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C([H])C(*)=C1[H] 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021538 borax Inorganic materials 0.000 description 1
- JZZSYBRYYXBMSD-UHFFFAOYSA-N boric acid sulfane Chemical class OB(O)O.S JZZSYBRYYXBMSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000853 cresyl group Chemical class C1(=CC=C(C=C1)C)* 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- URSLCTBXQMKCFE-UHFFFAOYSA-N dihydrogenborate Chemical compound OB(O)[O-] URSLCTBXQMKCFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N disodium;3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound [Na+].[Na+].O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 UQGFMSUEHSUPRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Chemical group 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 125000005344 pyridylmethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C(=N1)C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229960001866 silicon dioxide Drugs 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004328 sodium tetraborate Substances 0.000 description 1
- 235000010339 sodium tetraborate Nutrition 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 238000002076 thermal analysis method Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004704 ultra performance liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
- C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
- C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
- C08G59/72—Complexes of boron halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
Description
技术领域
本发明涉及含有新型热阳离子聚合引发剂的环氧树脂组合物和使用该组合物接合布线基板和电子部件形成的连接结构体。
背景技术
以前,作为将IC芯片等电子部件安装到基板上时使用的粘合剂的一种,可使用光阳离子聚合性环氧树脂组合物。在这种光阳离子聚合性环氧树脂组合物中,可配合借助光产生质子引发阳离子聚合的光阳离子聚合引发剂,这样的光阳离子聚合引发剂被知道的有锑酸锍络合物。
但是,由于锑酸锍络合物具有氟原子和金属锑结合的SbF6 -作为反阴离子,所以在阳离子聚合时产生大量氟离子,在不同种金属之间引起迁移,导致金属布线和连接焊垫腐蚀的问题。为此,有人提出使用硼酸锍络合物作为阳离子聚合引发剂,该硼酸锍使用氟原子和碳原子结合的四(五氟苯基)硼酸盐阴离子[(C6F5)4B-]代替了SbF6 -(专利文献1),实际上,下述式(1c)的络合物[对羟基苯基-苄基-甲基锍四(五氟苯基)硼酸盐]已经在市场上销售。
[化1]
但是,很多情况下,在将电子部件安装到布线基板上时,不能在接合部位照射光。为此,曾尝试将专利文献1的实施例中公开的硼酸锍络合物转用到用于热阳离子聚合性环氧树脂组合物的热阳离子聚合引发剂中。此时,不光希望在阳离子聚合时减少氟离子的发生量,提高环氧树脂组合物的耐电腐蚀性,为了提高生产性,还希望使环氧树脂组合物的低温快速固化性能也提高。
专利文献1:特开平9-176112号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,使用式(1c)的络合物作为环氧树脂组合物用的热阳离子聚合引发剂时,可在某种程度上降低热阳离子聚合时产生的氟离子的量,提高耐电腐蚀性,但是,环氧树脂组合物的低温快速固化性能却不能说充分。
本发明解决了上述以外技术中存在的问题,其目的在于提供一种不光能在热阳离子聚合时减少氟离子生成量、提高电耐腐蚀性,而且低温固化性也优异的环氧树脂组合物。
解决问题的手段
本发明人发现通过使用具有特定的三个取代基的新颖组合的新型硼酸锍络合物作为环氧树脂组合物用热阳离子聚合引发剂,能达到上述目的,从而完成了本发明。
即,本发明提供一种含有环氧树脂和热阳离子聚合引发剂的环氧树脂组合物,其特征在于,所述热阳离子聚合引发剂为式(1)表示的硼酸锍络合物。
[化2]
式(1)中,R1为芳烷基,R2为低级烷基。但R2为甲基时,R1不为苄基。X为卤原子,n为1~3的整数。
此外,本发明提供一种连接结构体,其特征在于,电子部件通过上述环氧树脂组合物的热固化物接合到布线基板上。
发明效果
本发明的环氧树脂组合物在环氧树脂中使用新型的式(1)所示的硼酸锍络合物作为热阳离子聚合引发剂。由此在热阳离子聚合时,氟离子生成量减少,耐电腐蚀性提高,并且能实现低温快速固化性。
附图说明
[图1]图1是参考例1的硼酸锍络合物的1H-NMR谱图。
[图2]图2是参考例2的硼酸锍络合物的1H-NMR谱图。
具体实施方式
本发明的环氧树脂组合物含有环氧树脂和作为热阳离子聚合引发剂的式(1)表示的新型硼酸锍络合物。
[化3]
式(1)中,R1的芳烷基可举出:苄基、邻甲基苄基、(1-萘基)甲基、吡啶基甲基、蒽基甲基等。其中,从良好的快速固化性和入手容易性方面考虑,优选(1-萘基)甲基。
R2的低级烷基可举出:甲基、乙基、丙基、丁基等。其中,从良好的快速固化性和入手容易性方面考虑,优选甲基。但R2的低级烷基是甲基时,前述R1的芳烷基不是苄基。
表示与锍残基结合的苯基的羟基个数的n为1~3的整数。n为1时,是4-羟基苯基、2-羟基苯基或3-羟基苯基,n为2时,是2,4-二羟基苯基、2,6-二羟基苯基、3,5-二羟基苯基、2,3-二羟基苯基等,n为3时,是2,4,6-三羟基苯基、2,4,5-三羟基苯基、2,3,4-三羟基苯基等。其中,从良好的快速固化性和入手容易性方面考虑,优选n为1、羟基结合在对位上的4-羟基苯基。
X的卤原子是氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。其中,从提高反应性方面考虑,优选具有高吸电子性的氟原子。
在本发明的环氧树脂组合物中,用作热阳离子聚合引发剂的新型的式(1)所示的硼酸锍络合物可以按照以下的反应式制造。此外,在式(1)、(2)或(3)中,R1为芳烷基,R2为低级烷基,X为卤原子,n为1~3的整数。
[化4]
<反应式>
即,将式(2)的锑酸锍络合物(合成方法参见特开平10-245378号公报)溶解于乙酸乙酯等有机溶剂中,向该溶液中以等摩尔的量混合式(3)的硼酸钠盐(合成方法参见特开平10-310587号公报)的水溶液,将得到的2层体系混合物在20~80℃的温度下搅拌1~3小时,使式(2)的锑酸锍络合物和式(3)的硼酸钠盐反应,由此可得到式(1)的硼酸锍络合物。式(1)的硼酸锍络合物的分离可通过将有机溶剂层分液、干燥,然后,减压蒸馏除去有机溶剂,得到蒸发残渣形态的目的物。
构成本发明的环氧树脂组合物的环氧树脂可适当使用以往电子材料的接合所使用的热固化型环氧树脂。这样的环氧树脂可以是液态,也可以是固态,优选环氧当量通常为100~4000左右且分子中具有2个以上环氧基的环氧树脂。例如可优选使用双酚A型环氧化合物、酚醛清漆型环氧化合物、甲酚线型酚醛型环氧化合物、酯型环氧化合物、脂环形环氧化合物等。此外,在这些化合物中含有单体或低聚物。
在本发明的环氧树脂组合物中,相对于环氧树脂100质量份,式(1)的硼酸锍络合物的配合量如果过少,则固化不充分,如果过多,则保存稳定性下降,所以优选为0.1~10质量份,更优选为0.5~5质量份。
在本发明的环氧树脂组合物中,除如上所述的热固化型环氧树脂以外,在不破坏发明效果的范围内,还可以联用热固化型脲树脂、热 固化型蜜胺树脂、热固化型酚醛树脂等的热固化型树脂,或者聚酯树脂或聚氨酯树脂等的热塑性树脂。
本发明的环氧树脂组合物中可根据需要含有二氧化硅、云母等填充剂、颜料、抗静电剂、硅烷偶联剂等。此外,作为本发明的环氧树脂组合物的形态,可以以溶解在甲苯等溶剂中形成的溶液、糊剂、成膜了的薄膜的形态使用。
本发明的环氧树脂组合物可通过将环氧树脂和热阳离子聚合引发剂以及根据需要添加的硅烷偶联剂、热固化型树脂、填充剂等其它的添加剂采用常规方法混合搅拌均匀来制备。
这样得到的本发明的环氧树脂组合物由于使用新型硼酸锍络合物作为热阳离子聚合引发剂,所以在热阳离子聚合时,氟离子生成量减少,耐电腐蚀性提高,并且可实现低温快速固化性。
因而,本发明的环氧树脂组合物可优选使用于在布线基板上安装电子部件的情况。此时,可得到电子部件通过该环氧树脂组合物的热固化物连接到布线基板上形成的耐电腐蚀性优异的连接结构体。该连接结构体也是本发明的一部分。
布线基板可举出:挠性印刷基板、玻璃环氧基板、玻璃基板、带基板等。电子部件可举出:IC芯片、电阻元件、电容器元件、天线元件、开关元件等。
本发明的环氧树脂组合物(糊状、薄膜形状等)的热阳离子聚合可通过加热到100~250℃进行。
实施例
参考例1、2和3
将式(1d)、(1e)和(1f)的锑酸锍络合物(合成方法参见特开平10-245378号公报)溶解到乙酸乙酯中,分别配制该络合物的10质量%乙酸乙酯溶液。另行配制式(3)的硼酸钠盐(合成方法参见特开平10-310587号公报)的10质量%水溶液。
然后,向该络合物的10质量%乙酸乙酯溶液中,在室温下混合等摩尔量的式(3)的硼酸钠盐的10质量%水溶液,直接搅拌30分钟。然后,从反应混合液中分出乙酸乙酯层,干燥,减压除去乙酸乙酯。以蒸发残渣的形态得到参考例1的式(1a)的硼酸锍络合物、参考例2 的式(1b)的硼酸锍络合物和参考例3的(1c)的硼酸锍络合物。
[化5]
对作为新型化合物的式(1a)和(1b)的硼酸锍络合物,进行了质量分析(测定仪器:AQUITY UPLC系统、WATERS公司)、元素分析(测定仪器:PHOENYX、EDAX公司)、IR测定(测定仪器:7000eFT-IR、VARIAN公司)、1H-NMR分析(测定仪器:MERCURY PLUS、 VARIAN公司)。从得到的结果可以确认其是目标化合物。
式(1a)的硼酸锍络合物[4-羟基苯基-甲基-1-萘甲基锍四(五氟苯基)硼酸盐]的分析结果
<MS分析结果>
M+=281(锍残基)
M+=679(硼酸盐残基)
<元素分析结果>
实测值C;52.51H;1.89
理论值C;52.52H;1.78
<IR分析结果(cm-1)>
662(C-S)、776、980、1088、1276(Ar-F)、1300、1374、1464、1514、1583、1643、2881(C-H)、2981(C-H)、3107(O-H)
<1H-NMR分析结果(δ值)、参见图1(使用THF)>
2.6(1H、(d))、3.3(3H、(a))、5.3(2H、(e))、6.9(2H、(c))、7.6(2H、(b))、7.2~8.1(7H、(f),(g),(h),(i),(j),(k),(l))
[化6]
(质子归属)
式(1b)的硼酸锍络合物[4-羟基苯基-甲基-(2-甲基苄基)锍四(五氟苯基)硼酸盐]的分析结果
<MS分析结果>
M+=245(锍残基)
M+=679(硼酸盐残基)
<元素分析结果>
实测值C;50.39H;1.77
理论值C;50.60H;1.80
<IR分析结果(cm-1)>
662(C-S)、773、980、1088、1276(Ar-F)、1463、1514、1583、1644、2882(C-H)、2983(C-H)、3109(O-H)
<1H-NMR分析结果(δ值)、参见图2(使用THF)>
2.3(3H、(j))、2.4(1H、(d))、3.3(3H、(a))、4.8(2H、(e))、7.0(2H、(c))、7.6(2H、(b))、7.0~7.4(4H、(f),(g),(h),(i))
[化7]
(质子归属)
(络合物的氟离子生成评价)
对参考例1~3的硼酸锍络合物和式(1d)、(1e)和(1f)的各锑酸锍络合物,测定热阳离子聚合时的温度条件下的氟离子生成量。即,将各个络合物0.2g投入到10mL纯水中,在100℃下加热10小时后,采用离子色谱分析(ダイオニクス公司)测定上清液的氟离子量。得到的结果如表1所示。从实用方面考虑,希望小于10ppm。
[表1]
络合物 | 氟离子生成量(ppm) |
硼酸锍络合物(1a) | 2.1 |
硼酸锍络合物(1b) | 2.3 |
硼酸锍络合物(1c) | 2.3 |
锑酸锍络合物(1d) | 160000 |
锑酸锍络合物(1e) | 170000 |
锑酸锍络合物(1f) | 172000 |
由表1可知,硼酸锍络合物显示出非常少的氟离子生成量,从这一点来看,其作为热阳离子聚合引发剂是有用的。
实施例1~4和比较例1~8
将表2所示组成的成分均匀混合,配制环氧树脂组合物。此外,对于各环氧树脂组合物,如以下所说明,进行差热分析测定(DSC测定),另外还进行耐电腐蚀性测定。
<DSC测定>
对环氧树脂组合物使用热分析装置(DSC 5100,セイコ一インスツル公司)以10℃/分的升温速度进行差热分析(放热开始温度、峰温度、放热量)。得到的结果如表2所示。
应予说明,放热开始温度为从络合物生成质子,开始阳离子聚合的温度。放热开始温度越低,低温固化性越高,但保存稳定性产生下降的趋势,所以,从实用方面考虑,优选60~110℃。放热峰温度如果过低,则保存稳定性下降,过高则产生固化不佳的倾向,所以,从实用方面考虑,优选100~140℃。放热量是反应热,放热量如果过少,则产生固化不佳的倾向,所以,虽然根据使用的环氧树脂而不同,但一般希望在100J/g以上。
<耐电腐蚀性试验(迁移试验)>
在将Al/Cr/ITO电极或Mo/ITO电极以20μm的间隙在玻璃基板上设置成篦齿状形成的玻璃布线基板上,涂布待试验的环氧树脂组合物,使之成为20μm的厚度,在200℃下加热10分钟,使之固化,得到试验片。将得到的试验片放入到85℃、85%RH的恒温槽中,以电极间外加30V电压的状态放置12小时。然后,采用光学显微镜从玻璃布线基板的表面和背面观察电极上是否发生了变色、缺陷或断线等,按照以下的基准进行评价。得到的结果表2所示。
耐电腐蚀性评价基准
G:未见变色、缺陷、断线等的情况
NG:可见变色、缺陷、断线等的情况
实施例1~4的环氧树脂组合物由于分别使用了新型的式(1)或(2)所示的硼酸锍络合物,所以DSC测定的反应开始温度在60~110℃的范围,放热峰温度在100~140℃的范围,放热量也在100J/g以上,并且耐电腐蚀性评价也是G,实用上可满足要求。
而使用和实施例不同的络合物的比较例1、2时,放热开始温度、放热峰温度的评价项目存在问题,比较例3~6时,耐电腐蚀性评价项目存在问题,比较例7、8时,放热开始温度、放热峰温度、耐电腐蚀性的评价项目存在问题。
产业实用性
本发明的环氧树脂组合物在环氧树脂中使用新型的式(1)所示的硼酸锍络合物作为热阳离子聚合引发剂。由此在热阳离子聚合时,氟离子生成量减少,耐电腐蚀性提高,并且能实现低温快速固化性。因而,在将电子部件安装到布线基板上时优选使用。
Claims (5)
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007158283A JP5190665B2 (ja) | 2007-06-15 | 2007-06-15 | エポキシ系樹脂組成物 |
JP2007-158283 | 2007-06-15 | ||
PCT/JP2008/054924 WO2008152843A1 (ja) | 2007-06-15 | 2008-03-18 | エポキシ系樹脂組成物 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210079190.1A Division CN102633994B (zh) | 2007-06-15 | 2008-03-18 | 环氧树脂组合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101778882A CN101778882A (zh) | 2010-07-14 |
CN101778882B true CN101778882B (zh) | 2012-08-29 |
Family
ID=40129456
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210079190.1A Active CN102633994B (zh) | 2007-06-15 | 2008-03-18 | 环氧树脂组合物 |
CN2008801032801A Active CN101778882B (zh) | 2007-06-15 | 2008-03-18 | 环氧树脂组合物 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210079190.1A Active CN102633994B (zh) | 2007-06-15 | 2008-03-18 | 环氧树脂组合物 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8431654B2 (zh) |
EP (1) | EP2161292B1 (zh) |
JP (1) | JP5190665B2 (zh) |
KR (1) | KR101167545B1 (zh) |
CN (2) | CN102633994B (zh) |
HK (2) | HK1142348A1 (zh) |
IN (1) | IN2014KN00897A (zh) |
TW (1) | TW200902582A (zh) |
WO (1) | WO2008152843A1 (zh) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008303167A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Sony Chemical & Information Device Corp | 新規なスルホニウムボレート錯体 |
JP4901889B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2012-03-21 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 磁性シート組成物、磁性シート、及び磁性シートの製造方法 |
JP5444702B2 (ja) | 2008-12-05 | 2014-03-19 | デクセリアルズ株式会社 | 新規なスルホニウムボレート錯体 |
JP4784698B1 (ja) * | 2010-05-06 | 2011-10-05 | 横浜ゴム株式会社 | 熱硬化性エポキシ樹脂組成物 |
WO2011155348A1 (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-15 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 光反射性異方性導電ペースト及び発光装置 |
JP5707754B2 (ja) * | 2010-07-12 | 2015-04-30 | 横浜ゴム株式会社 | 導電性組成物および太陽電池セル |
KR101259446B1 (ko) * | 2010-09-29 | 2013-05-02 | 요코하마 고무 가부시키가이샤 | 양이온 중합 개시제 및 열경화성 에폭시 수지 조성물 |
JP5727316B2 (ja) * | 2011-07-06 | 2015-06-03 | 積水化学工業株式会社 | スルホニウム化合物の製造方法、並びにスルホニウムボレート錯体の製造方法 |
KR101391696B1 (ko) | 2011-11-23 | 2014-05-07 | 제일모직주식회사 | 이방 전도성 조성물 및 필름 |
KR101391697B1 (ko) * | 2011-12-14 | 2014-05-07 | 제일모직주식회사 | 이방성 도전 필름용 조성물 및 이를 이용한 이방성 도전 필름 |
JP6251557B2 (ja) * | 2013-12-05 | 2017-12-20 | デクセリアルズ株式会社 | 化合物、熱硬化性樹脂組成物、及び熱硬化性シート |
JP2014131997A (ja) * | 2013-12-26 | 2014-07-17 | Dexerials Corp | 新規なスルホニウムボレート錯体 |
KR101665171B1 (ko) * | 2014-01-29 | 2016-10-11 | 제일모직주식회사 | 이방 도전성 필름 및 상기 필름에 의해 접속된 반도체 장치 |
KR101706818B1 (ko) | 2014-04-30 | 2017-02-15 | 제일모직주식회사 | 이방 도전성 필름용 조성물, 이방 도전성 필름 및 반도체 장치 |
JP6434748B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2018-12-05 | 積水化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用封止剤 |
KR101731677B1 (ko) | 2014-08-29 | 2017-04-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이방 도전성 필름용 조성물, 이방 도전성 필름 및 반도체 장치 |
KR20170115580A (ko) * | 2015-03-10 | 2017-10-17 | 요코하마 고무 가부시키가이샤 | 양이온 중합 개시제 및 에폭시 수지 조성물 |
JP6776609B2 (ja) | 2016-02-22 | 2020-10-28 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電フィルム |
KR102363322B1 (ko) | 2016-02-22 | 2022-02-15 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 이방성 도전 필름 |
JP7462408B2 (ja) | 2019-12-13 | 2024-04-05 | デクセリアルズ株式会社 | 接着剤組成物、接着フィルム及び接続構造体 |
JP2022185716A (ja) | 2021-06-03 | 2022-12-15 | デクセリアルズ株式会社 | 接着剤組成物、接着フィルム、接続構造体および接続構造体の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0393893A1 (en) * | 1989-04-08 | 1990-10-24 | Sanshin Kagaku Kogyo Co., Ltd. | Sulfonium compound and polymerisation initator comprising the sulfonium compound as the main ingredient |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2797010B2 (ja) | 1989-04-08 | 1998-09-17 | 三新化学工業株式会社 | 新規なスルホニウム化合物およびその製造方法 |
JP2797024B2 (ja) * | 1989-10-13 | 1998-09-17 | 三新化学工業株式会社 | スルホニウム化合物 |
JP2706833B2 (ja) * | 1990-02-14 | 1998-01-28 | 三新化学工業株式会社 | カチオン重合開始剤および重合性組成物 |
JPH05230189A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-07 | Nippon Soda Co Ltd | スルホニウム塩及び増感剤を含有する硬化性組成物 |
FR2727416A1 (fr) * | 1994-11-24 | 1996-05-31 | Rhone Poulenc Chimie | Nouveaux amorceurs cationiques thermoactivables, de polymerisation et/ou de reticulation et compositions monomeres et/ou polymeres fonctionnels les mettant en oeuvre |
JP3679438B2 (ja) * | 1995-01-10 | 2005-08-03 | 三新化学工業株式会社 | スルホニウム化合物の製造方法 |
JPH09179112A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-07-11 | Citizen Watch Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP3937466B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2007-06-27 | 東洋インキ製造株式会社 | 感エネルギー線酸発生剤、感エネルギー線酸発生剤組成物および硬化性組成物 |
JPH10120766A (ja) * | 1996-10-21 | 1998-05-12 | Nippon Kayaku Co Ltd | エネルギー線硬化性組成物及び物品 |
JPH10245378A (ja) | 1997-02-28 | 1998-09-14 | Nippon Kayaku Co Ltd | 新規スルホニウム塩、それからなる光重合開始剤及びエネルギー線硬化性組成物 |
JP4215852B2 (ja) | 1997-03-10 | 2009-01-28 | 株式会社日本触媒 | テトラキス(フッ化アリール)ボレート誘導体の製造方法 |
JP4122085B2 (ja) * | 1998-03-11 | 2008-07-23 | 三新化学工業株式会社 | スルホニウム化合物の製造方法 |
JP2000191751A (ja) | 1998-12-25 | 2000-07-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 紫外線硬化型樹脂組成物 |
JP2002097443A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-04-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物及びこれを用いた回路接続材料並びに接続体 |
JP2005043862A (ja) * | 2003-04-09 | 2005-02-17 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | ホログラフィック記録用組成物、ホログラフィック記録メディア及びその記録方法 |
WO2004090646A1 (ja) | 2003-04-09 | 2004-10-21 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | ホログラフィック記録メディア及びその記録方法 |
JP2006199778A (ja) * | 2005-01-19 | 2006-08-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、回路接続用接着剤及びこれを用いた回路接続方法、接続体 |
JP2006282633A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Sanshin Chem Ind Co Ltd | スルホニウム化合物および重合組成物 |
JP5256570B2 (ja) * | 2005-06-06 | 2013-08-07 | 東洋インキScホールディングス株式会社 | 封止用組成物 |
JP2008303167A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Sony Chemical & Information Device Corp | 新規なスルホニウムボレート錯体 |
-
2007
- 2007-06-15 JP JP2007158283A patent/JP5190665B2/ja active Active
-
2008
- 2008-03-18 KR KR1020097025723A patent/KR101167545B1/ko active IP Right Grant
- 2008-03-18 CN CN201210079190.1A patent/CN102633994B/zh active Active
- 2008-03-18 EP EP08722318A patent/EP2161292B1/en active Active
- 2008-03-18 CN CN2008801032801A patent/CN101778882B/zh active Active
- 2008-03-18 IN IN897KON2014 patent/IN2014KN00897A/en unknown
- 2008-03-18 WO PCT/JP2008/054924 patent/WO2008152843A1/ja active Application Filing
- 2008-03-18 US US12/451,798 patent/US8431654B2/en active Active
- 2008-03-27 TW TW097110902A patent/TW200902582A/zh unknown
-
2010
- 2010-09-17 HK HK10108866.2A patent/HK1142348A1/xx unknown
-
2012
- 2012-11-02 HK HK12111061.7A patent/HK1170514A1/zh unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0393893A1 (en) * | 1989-04-08 | 1990-10-24 | Sanshin Kagaku Kogyo Co., Ltd. | Sulfonium compound and polymerisation initator comprising the sulfonium compound as the main ingredient |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
JP特开2006-335985A 2006.12.14 |
JP特开平10-120766A 1998.05.12 |
JP特开平5-230189A 1993.09.07 |
JP特开平8-188570A 1996.07.23 |
JP特开平9-176112A 1997.07.08 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
HK1170514A1 (zh) | 2013-03-01 |
TWI383002B (zh) | 2013-01-21 |
CN101778882A (zh) | 2010-07-14 |
CN102633994A (zh) | 2012-08-15 |
EP2161292B1 (en) | 2012-06-20 |
US20100193228A1 (en) | 2010-08-05 |
IN2014KN00897A (zh) | 2015-08-21 |
JP5190665B2 (ja) | 2013-04-24 |
US8431654B2 (en) | 2013-04-30 |
WO2008152843A1 (ja) | 2008-12-18 |
TW200902582A (en) | 2009-01-16 |
HK1142348A1 (en) | 2010-12-03 |
CN102633994B (zh) | 2015-06-17 |
EP2161292A4 (en) | 2010-09-22 |
EP2161292A1 (en) | 2010-03-10 |
JP2008308596A (ja) | 2008-12-25 |
KR101167545B1 (ko) | 2012-07-20 |
KR20100029759A (ko) | 2010-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101778882B (zh) | 环氧树脂组合物 | |
CN103030659B (zh) | 硼酸锍络合物 | |
CN105859763B (zh) | 新型硼酸锍络合物 | |
CN101283009B (zh) | 酚类聚合物、其制造方法及其用途 | |
JP2003212856A (ja) | 光塩基発生剤、硬化性組成物及び硬化方法 | |
JP2014031451A (ja) | 熱カチオン発生剤組成物、熱硬化性組成物、及び異方導電性接続材料 | |
JP2013056921A (ja) | 新規なスルホニウムボレート錯体 | |
JP2014131997A (ja) | 新規なスルホニウムボレート錯体 | |
JP6577497B2 (ja) | スルホニウムボレート錯体及びその製造方法 | |
JP2015155443A (ja) | 新規なスルホニウムボレート錯体 | |
JP2018165273A (ja) | スルホニウムボレート錯体及びその製造方法 | |
JP2014167013A (ja) | 新規なスルホニウムボレート錯体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
REG | Reference to a national code |
Ref country code: HK Ref legal event code: DE Ref document number: 1142348 Country of ref document: HK |
|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
REG | Reference to a national code |
Ref country code: HK Ref legal event code: GR Ref document number: 1142348 Country of ref document: HK |