JP2797024B2 - スルホニウム化合物 - Google Patents
スルホニウム化合物Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は新規なスルホニウム化合物に関する。さらに
詳しくは、光および熱硬化組成物の硬化開始剤として有
用であり、特にエポキシ樹脂やスチレンなどのカチオン
重合性ビニル化合物の重合硬化開始剤としての効果を有
する新規スルホニウム化合物に関する。
詳しくは、光および熱硬化組成物の硬化開始剤として有
用であり、特にエポキシ樹脂やスチレンなどのカチオン
重合性ビニル化合物の重合硬化開始剤としての効果を有
する新規スルホニウム化合物に関する。
従来、カチオン重合性化合物の重合硬化開始剤とし
て、特開昭54−53181号にはｐ−ヒドロキシフェニルジ
メチルスルホニウム ヘキサフルオロアルセネート類
が、特開昭58−37003号にはジアルキルベンジルスルホ
ニウム ヘキサフルオロアンチモネート類が公知であ
る。また、特開昭50−29511号にはｐ−ヒドロキシフェ
ニルベンジルスルホニウム化合物について開示されてお
り、米国特許第4034046号にはｐ−ヒドロキシフェニル
ベンジルスルホニウム ハロゲン化物について開示され
ている。しかしながら、本発明に係るスルホニウム化合
物は公知ではない。
て、特開昭54−53181号にはｐ−ヒドロキシフェニルジ
メチルスルホニウム ヘキサフルオロアルセネート類
が、特開昭58−37003号にはジアルキルベンジルスルホ
ニウム ヘキサフルオロアンチモネート類が公知であ
る。また、特開昭50−29511号にはｐ−ヒドロキシフェ
ニルベンジルスルホニウム化合物について開示されてお
り、米国特許第4034046号にはｐ−ヒドロキシフェニル
ベンジルスルホニウム ハロゲン化物について開示され
ている。しかしながら、本発明に係るスルホニウム化合
物は公知ではない。
本発明は、一般式（Ｉ）で表わされる新規スルホニウ
ム化合物に関するものである。
ム化合物に関するものである。
（ただしR1は水素，メチル基，アセチル基，メトキシカ
ルボニル基，エトキシカルボニル基，ベンジルオキシカ
ルボニル基のいずれかを、R2,R3は独立して水素、ハロ
ゲン、C1〜C4のアルキル基のいずれかを、R4はC1〜C4の
アルキル基のいずれかを、Ｑはモノメチルベンジル基，
ジメチルベンジル基，トリメチルベンジル基，ジクロル
ベンジル基，トリクロルベンジル基,o−ニトロベンジル
基,m−ニトロベンジル基,p−ニトロベンジル基，ジニト
ロベンジル基，トリニトロベンジル基，α−ナフチルメ
チル基，β−ナフチルメチル基のいずれかを示す。ただ
し、R1が、エトキシカルボニル基，ベンジルオキシカル
ボニル基のいずれかのとき、Ｑはモノメチルベンジル基
であることはない。Ｘは、SbF6,PF6,AsF6,BF4を示
す。） 本化合物は前記のとおり、置換ベンジル−４−無置換
または置換オキシフェニル アルキルスルホニウムまた
はナフチルメチル−４−無置換または置換オキシフェニ
ル アルキルスルホニウムの（亜）金属ポリフロリド化
合物を要件としており、ここに新規性が存在する。
ルボニル基，エトキシカルボニル基，ベンジルオキシカ
ルボニル基のいずれかを、R2,R3は独立して水素、ハロ
ゲン、C1〜C4のアルキル基のいずれかを、R4はC1〜C4の
アルキル基のいずれかを、Ｑはモノメチルベンジル基，
ジメチルベンジル基，トリメチルベンジル基，ジクロル
ベンジル基，トリクロルベンジル基,o−ニトロベンジル
基,m−ニトロベンジル基,p−ニトロベンジル基，ジニト
ロベンジル基，トリニトロベンジル基，α−ナフチルメ
チル基，β−ナフチルメチル基のいずれかを示す。ただ
し、R1が、エトキシカルボニル基，ベンジルオキシカル
ボニル基のいずれかのとき、Ｑはモノメチルベンジル基
であることはない。Ｘは、SbF6,PF6,AsF6,BF4を示
す。） 本化合物は前記のとおり、置換ベンジル−４−無置換
または置換オキシフェニル アルキルスルホニウムまた
はナフチルメチル−４−無置換または置換オキシフェニ
ル アルキルスルホニウムの（亜）金属ポリフロリド化
合物を要件としており、ここに新規性が存在する。
本化合物は、相当するスルホニウム塩化物、スルホニ
ウム臭化物あるいはスルホニウム メチル硫酸塩を出発
原料として、所定の酸のアルカリ金属塩またはアンモニ
ウム塩、例えばNaSbF6,KSbF6,NaPF6,KPF6,NH4SbF6のい
ずれかと所定の無水または含水有機溶媒中で反応させて
合成する。この場合の有機溶媒としては、メタノール、
アセトン、酢酸エチル、エタノール、アセトニトリルで
ある。これ以外の例えばベンゼン、トルエン類では、無
機塩を実質上溶解させないため、反応し難い。また、DM
F、DMSOに代表される溶媒類では、その溶解性のため、
反応そのものは進行するものの、高沸点のために、溶媒
を当該反応系から除去することが困難である。
ウム臭化物あるいはスルホニウム メチル硫酸塩を出発
原料として、所定の酸のアルカリ金属塩またはアンモニ
ウム塩、例えばNaSbF6,KSbF6,NaPF6,KPF6,NH4SbF6のい
ずれかと所定の無水または含水有機溶媒中で反応させて
合成する。この場合の有機溶媒としては、メタノール、
アセトン、酢酸エチル、エタノール、アセトニトリルで
ある。これ以外の例えばベンゼン、トルエン類では、無
機塩を実質上溶解させないため、反応し難い。また、DM
F、DMSOに代表される溶媒類では、その溶解性のため、
反応そのものは進行するものの、高沸点のために、溶媒
を当該反応系から除去することが困難である。
また、第２の合成法としては、式（Ｉ）のR1＝水素で
示される置換ベンジルまたはナフチルメチル−４−ヒド
ロキシフェニルアルキルスルホニウムの（亜）金属ポリ
フロリド化合物と、クロル炭酸メチルや塩化アセチル，
よう化アセチルといった酸ハロゲン化物と、塩基の存在
下に置換反応させて、式（Ｉ）のR1＝置換基 で示され
る目的のスルホニウム化合物を得る方法をも提案する。
示される置換ベンジルまたはナフチルメチル−４−ヒド
ロキシフェニルアルキルスルホニウムの（亜）金属ポリ
フロリド化合物と、クロル炭酸メチルや塩化アセチル，
よう化アセチルといった酸ハロゲン化物と、塩基の存在
下に置換反応させて、式（Ｉ）のR1＝置換基 で示され
る目的のスルホニウム化合物を得る方法をも提案する。
この方法の反応溶媒は、酢酸エチル類および／または
アセトニトリルである。その他の溶媒では好ましい結果
が得られない。例えば、水やメタノール，エタノールと
いったプロトン性溶媒では、その溶媒自体が酸ハロゲン
化物と反応するために、好ましくない。ベンゼンに代表
される芳香族溶媒では、反応後の生成物を溶解させない
ため、不純物を取り込んで、生成物の純度を低下させ
る。DMF,DMSOに代表される極性溶媒では反応するもの
の、溶媒の沸点が高いために反応系からの除去中に当該
生成物が分解するなど、除去が困難である。また、反応
温度は20℃以下が好ましく、生成物の分解を避ける意味
から、５℃以下が特に好ましい。脱ハロゲン化水素剤と
して添加する塩基は、トリエチルアミン，トリメチルア
ミン,N−メチルモルホリン等が好ましく、これは１種も
しくは２種以上の混合であっても差支えない。
アセトニトリルである。その他の溶媒では好ましい結果
が得られない。例えば、水やメタノール，エタノールと
いったプロトン性溶媒では、その溶媒自体が酸ハロゲン
化物と反応するために、好ましくない。ベンゼンに代表
される芳香族溶媒では、反応後の生成物を溶解させない
ため、不純物を取り込んで、生成物の純度を低下させ
る。DMF,DMSOに代表される極性溶媒では反応するもの
の、溶媒の沸点が高いために反応系からの除去中に当該
生成物が分解するなど、除去が困難である。また、反応
温度は20℃以下が好ましく、生成物の分解を避ける意味
から、５℃以下が特に好ましい。脱ハロゲン化水素剤と
して添加する塩基は、トリエチルアミン，トリメチルア
ミン,N−メチルモルホリン等が好ましく、これは１種も
しくは２種以上の混合であっても差支えない。
本発明の新規化合物は、光および／または熱硬化組成
物の硬化開始剤として有用であり、特にエポキシ樹脂
や、スチレンなどのカオチン重合性ビニル化合物の重合
硬化開始剤としての効果を有している。即ち、本来不安
定なスルホニウム化合物において、その対アニオン部を
SbF6,PF6,AsF6,BF4といったポリフルオロ錯体に置き換
えることで、結晶性を上げ、これによって良好な安定性
が得られるものである。
物の硬化開始剤として有用であり、特にエポキシ樹脂
や、スチレンなどのカオチン重合性ビニル化合物の重合
硬化開始剤としての効果を有している。即ち、本来不安
定なスルホニウム化合物において、その対アニオン部を
SbF6,PF6,AsF6,BF4といったポリフルオロ錯体に置き換
えることで、結晶性を上げ、これによって良好な安定性
が得られるものである。
本発明によって開示されるスルホニウム化合物には、
以下のものが例示される。ｏ−ニトロベンジル−４−ヒ
ドロキシフェニルメチルスルフォニウム ヘキサフルオ
ロホスフェート ｏ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシ
フェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモ
ネート α−ナフチルメチル−４−ヒドロキシフェニル
メチルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート α
−ナフチルメチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスル
ホニウム ヘキサフルオロアンチモネート α−ナフチ
ルメチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム
テトラフルオロボレート α−ナフチルメチル−４−
（メトキシカルボニルオキシ）フェニルメチルスルホニ
ウム ヘキサフルオロアンチモネート α−ナフチルメ
チル−４−（メトキシカルボニルオキシ）フェニルメチ
ルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート α−ナ
フチルメチル−４−アセトキシフェニルメチルスルホニ
ウム ヘキサフルオロアンチモネート α−ナフチルメ
チル−４−アセトキシフェニルメチルスルホニウム ヘ
キサフルオロホスフェート α−ナフチルメチル−４−
（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルメチルス
ルホニウム ヘキサフルオロホスフェート α−ナフチ
ルメチル−４−（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フ
ェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネ
ート ｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメ
チルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート ｐ
−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスル
ホニウム ヘキサフルオロホスフェート ｐ−ニトロベ
ンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート ｐ−ニトロベンジル−４
−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム テトラフル
オロボレート ｐ−メチルベンジル−４−ヒドロキシフ
ェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネ
ート ｐ−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメ
チルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート ｐ−
ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルエチルスルホ
ニム ヘキサフルオロアンチモネート ｐ−ニトロベン
ジル−3,5−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート
ｐ−ニトロベンジル−3,5−ジ−tert−ブチル−４−
ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオ
ロホスフェート 3,5−ジニトロベンジル−４−ヒドロ
キシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアン
チモネート ｐ−メチルベンジル−４−アセトキシフェ
ニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート
ｐ−メチルベンジル−４−アセトキシフェニルメチル
スルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート ｐ−メ
チルベンジル−４−メトキシカルボルオキシフェニルメ
チルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート ｐ−
メチルベンジル−４−メトキシカルボニルオキシフェニ
ルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート
ｏ−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチル
スルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート 〔実施例〕 以下、実施例にて本発明を詳細にするが、本発明は下
記のみに限定されるものではない。
以下のものが例示される。ｏ−ニトロベンジル−４−ヒ
ドロキシフェニルメチルスルフォニウム ヘキサフルオ
ロホスフェート ｏ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシ
フェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモ
ネート α−ナフチルメチル−４−ヒドロキシフェニル
メチルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート α
−ナフチルメチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスル
ホニウム ヘキサフルオロアンチモネート α−ナフチ
ルメチル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム
テトラフルオロボレート α−ナフチルメチル−４−
（メトキシカルボニルオキシ）フェニルメチルスルホニ
ウム ヘキサフルオロアンチモネート α−ナフチルメ
チル−４−（メトキシカルボニルオキシ）フェニルメチ
ルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート α−ナ
フチルメチル−４−アセトキシフェニルメチルスルホニ
ウム ヘキサフルオロアンチモネート α−ナフチルメ
チル−４−アセトキシフェニルメチルスルホニウム ヘ
キサフルオロホスフェート α−ナフチルメチル−４−
（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フェニルメチルス
ルホニウム ヘキサフルオロホスフェート α−ナフチ
ルメチル−４−（ベンジルオキシカルボニルオキシ）フ
ェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネ
ート ｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメ
チルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート ｐ
−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスル
ホニウム ヘキサフルオロホスフェート ｐ−ニトロベ
ンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム
ヘキサフルオロアルセネート ｐ−ニトロベンジル−４
−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム テトラフル
オロボレート ｐ−メチルベンジル−４−ヒドロキシフ
ェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネ
ート ｐ−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメ
チルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート ｐ−
ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルエチルスルホ
ニム ヘキサフルオロアンチモネート ｐ−ニトロベン
ジル−3,5−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシフェニ
ルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート
ｐ−ニトロベンジル−3,5−ジ−tert−ブチル−４−
ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオ
ロホスフェート 3,5−ジニトロベンジル−４−ヒドロ
キシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアン
チモネート ｐ−メチルベンジル−４−アセトキシフェ
ニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート
ｐ−メチルベンジル−４−アセトキシフェニルメチル
スルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート ｐ−メ
チルベンジル−４−メトキシカルボルオキシフェニルメ
チルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート ｐ−
メチルベンジル−４−メトキシカルボニルオキシフェニ
ルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート
ｏ−メチルベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチル
スルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート 〔実施例〕 以下、実施例にて本発明を詳細にするが、本発明は下
記のみに限定されるものではない。
実施例１ ｏ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルス
ルホニウム ヘキサフルオロホスフェートの合成 ｏ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチル
スルホニウム クロライド1.00g（0.0032モル）をメタ
ノール70mlに溶解させ、撹拌しながら、KSbF60.59g（0.
0032モル）の粉末を加え、更に１時間撹拌する。反応液
を減圧濃縮し、抽出する。抽出液を水洗、乾燥し、濃縮
する。残渣から白色結晶の目的物1.07g（収率79.3％）
を得る。
ルホニウム ヘキサフルオロホスフェートの合成 ｏ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチル
スルホニウム クロライド1.00g（0.0032モル）をメタ
ノール70mlに溶解させ、撹拌しながら、KSbF60.59g（0.
0032モル）の粉末を加え、更に１時間撹拌する。反応液
を減圧濃縮し、抽出する。抽出液を水洗、乾燥し、濃縮
する。残渣から白色結晶の目的物1.07g（収率79.3％）
を得る。
融 点 147.0〜148.0℃ IR （KBr） cm-1 3520,1530,1350,860 NMR （Acetone−d6）ppm δ＝3.59（3H,S,CH3S+） δ＝5.02〜5.58（2H,dd,ベンジル−CH2−） δ＝6.98〜8.23（8H,m,−C6H4−×２） δ＝9.67（1H,S,HO−） 元素分析 C14H14NO3SPF6 理論値 C;39,91％,H;3,35％ 測定値 C;39.65％,H;3.19％ 実施例２〜13 実施例１と同様に、所定のスルホニウム クロライド
と、所定のポリフルオロ錯体アルカリ金属塩から、メタ
ノール中でイオン交換法により合成した。収率、ならび
に物性値を次表に示した。ただし、実施例10はエタノー
ル中で合成した。表中、R1〜R4,Q,Xについては、発明の
詳細な説明の欄に記載された化学式に使用した記号と同
一である。
と、所定のポリフルオロ錯体アルカリ金属塩から、メタ
ノール中でイオン交換法により合成した。収率、ならび
に物性値を次表に示した。ただし、実施例10はエタノー
ル中で合成した。表中、R1〜R4,Q,Xについては、発明の
詳細な説明の欄に記載された化学式に使用した記号と同
一である。
実施例14 実施例２においてメタノールに変えて、アセトニトリ
ルを反応溶媒として用いたところ、α−ナフチルメチル
−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサ
フルオロホスフェートが66.5％の収率が得られた。
ルを反応溶媒として用いたところ、α−ナフチルメチル
−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサ
フルオロホスフェートが66.5％の収率が得られた。
実施例15 実施例３の原料をｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキ
シフェニルメチルスルホニウム クロライドに変えて、
ｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルス
ルホニウム ブロマイドを用いて反応したところ、ｐ−
ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホ
ニウム ヘキサフルオロアンチモネートが65.2％の収率
で得られた。
シフェニルメチルスルホニウム クロライドに変えて、
ｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルス
ルホニウム ブロマイドを用いて反応したところ、ｐ−
ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェニルメチルスルホ
ニウム ヘキサフルオロアンチモネートが65.2％の収率
で得られた。
実施例16 α−ナフチルメチル−４−（メトキシカルボニルオキ
シ）フェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアン
チモネートの合成 α−ナフチルメチル−４−ヒドロキシフェニルメチル
スルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート 7.76g
（0.015モル）をアセトニトリル100mlに溶解させ、10℃
以下でトリエチルアミン1.62g（0.016モル）を加え、５
℃以下でクロルギ酸メチル1.51g（0.016モル）を滴下す
る。３時間撹拌後、副生するトリエチルアミンの塩酸塩
をろ過して除き、アセトニトリル層を減圧濃縮する。残
渣を再結晶し、白色結晶の目的物6.99g（収率81.0％）
を得る。
シ）フェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアン
チモネートの合成 α−ナフチルメチル−４−ヒドロキシフェニルメチル
スルホニウム ヘキサフルオロアンチモネート 7.76g
（0.015モル）をアセトニトリル100mlに溶解させ、10℃
以下でトリエチルアミン1.62g（0.016モル）を加え、５
℃以下でクロルギ酸メチル1.51g（0.016モル）を滴下す
る。３時間撹拌後、副生するトリエチルアミンの塩酸塩
をろ過して除き、アセトニトリル層を減圧濃縮する。残
渣を再結晶し、白色結晶の目的物6.99g（収率81.0％）
を得る。
融 点 126.0〜127.0℃ IR （KBr） cm-1 1760,1210,660 NMR （Acetone−d6）ppm δ＝3.65（3H,s,CH3S+） δ＝3.90（3H,s,CH3OCOO−） δ＝5.39〜5.92（2H,dd,−CH2−ナフチル） δ＝7.33〜8.32（11H,m,−C6H4−，−C10H7/ナフチ
ル） 元素分析 C20H19O3SSbF6 理論値 C;41.82％,H;3.33％ 測定値 C;42.12％,H;3.24％ 実施例17〜24 実施例16と同様に、所定のヒドロキシフェニルスルホ
ニウム化合物の水酸基に所定の酸クロライドを作用させ
る方法により、各種のスルホニウム化合物を合成した。
収率、ならびに物性値を次表に示した。表中、R1〜R4,
Q,Xについては、発明の詳細な説明の欄に記載された化
学式に使用した記号と同一である。
ル） 元素分析 C20H19O3SSbF6 理論値 C;41.82％,H;3.33％ 測定値 C;42.12％,H;3.24％ 実施例17〜24 実施例16と同様に、所定のヒドロキシフェニルスルホ
ニウム化合物の水酸基に所定の酸クロライドを作用させ
る方法により、各種のスルホニウム化合物を合成した。
収率、ならびに物性値を次表に示した。表中、R1〜R4,
Q,Xについては、発明の詳細な説明の欄に記載された化
学式に使用した記号と同一である。
実施例25 α−ナフチルメチル−４−（メトキシカルボニルオキ
シ）フェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアン
チモネートの合成において、α−ナフチルメチル−４−
（メトキシカルボニルオキシ）フェニルメチルスルホニ
ウム クロライドを原料とし、メタノールの代わりにア
セトニトリルを用いた以外は実施例１に準じて反応した
ところ、目的物が79.4％の収率で得られた。
シ）フェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアン
チモネートの合成において、α−ナフチルメチル−４−
（メトキシカルボニルオキシ）フェニルメチルスルホニ
ウム クロライドを原料とし、メタノールの代わりにア
セトニトリルを用いた以外は実施例１に準じて反応した
ところ、目的物が79.4％の収率で得られた。
参考例１ メタノールの代わりにベンゼンを溶媒として用いた以
外は実施例６と同様にして、ｏ−ニトロベンジル−４−
ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオ
ロアンチモネートの合成を行ったが、目的物は得られな
かった。
外は実施例６と同様にして、ｏ−ニトロベンジル−４−
ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオ
ロアンチモネートの合成を行ったが、目的物は得られな
かった。
参考例２ アセトニトリルの代わりにメタノールを用いた以外は
実施例17と同様にして、α−ナフチルメチル−４−アセ
トキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロア
ンチモネートの合成を行ったが、目的物は得られなかっ
た。
実施例17と同様にして、α−ナフチルメチル−４−アセ
トキシフェニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロア
ンチモネートの合成を行ったが、目的物は得られなかっ
た。
参考例３ アセトニトリルの代わりにDMFを用いた以外は、実施
例18と同様にしてα−ナフチルメチル−４−（ベンジル
オキシカルボニルオキシ）フェニルメチルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネートの合成を行ったが、DM
Fを除去する際に目的物が分解した。
例18と同様にしてα−ナフチルメチル−４−（ベンジル
オキシカルボニルオキシ）フェニルメチルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネートの合成を行ったが、DM
Fを除去する際に目的物が分解した。
本発明の新規スルホニウム化合物は、高純度を必要と
するエポキシ硬化触媒、更に工業用中間原料として有用
である。よって所期の目的を達成することができる。
するエポキシ硬化触媒、更に工業用中間原料として有用
である。よって所期の目的を達成することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平2−36998 (32)優先日 平２(1990)２月16日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (31)優先権主張番号 特願平2−87653 (32)優先日 平２(1990)３月29日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07C 381/12 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (5)
- 【請求項１】一般式（Ｉ）で表わされる スルホニウム
化合物。 （ただしR1は水素，メチル基，アセチル基，メトキシカ
ルボニル基，エトキシカルボニル基，ベンジルオキシカ
ルボニル基のいずれかを、R2,R3は独立して水素、ハロ
ゲン、C1〜C4のアルキル基のいずれかを、R4はC1〜C4の
アルキル基のいずれかを、Ｑはモノメチルベンジル基，
ジメチルベンジル基，トリメチルベンジル基，ジクロル
ベンジル基，トリクロルベンジル基,o−ニトロベンジル
基,m−ニトロベンジル基,p−ニトロベンジル基，ジニト
ロベンジル基，トリニトロベンジル基，α−ナフチルメ
チル基，β−ナフチルメチル基のいずれかを示す。ただ
し、R1が、エトキシカルボニル基，ベンジルオキシカル
ボニル基のいずれかのとき、Ｑはモノメチルベンジル基
であることはない。Ｘは、SbF6,PF6,AsF6,BF4を示
す。） - 【請求項２】α−ナフチルメチル−４−ヒドロキシフェ
ニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネー
トである請求項１に記載のスルホニウム化合物。 - 【請求項３】α−ナフチルメチル−４−ヒドロキシフェ
ニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート
である請求項１に記載のスルホニウム化合物。 - 【請求項４】ｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェ
ニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロアンチモネー
トである請求項１に記載のスルホニウム化合物。 - 【請求項５】ｐ−ニトロベンジル−４−ヒドロキシフェ
ニルメチルスルホニウム ヘキサフルオロホスフェート
である請求項１に記載のスルホニウム化合物。
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-
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