CN101630715A - 用于半导体发光器件的固体金属块安装衬底和用于制造它的氧化方法 - Google Patents
用于半导体发光器件的固体金属块安装衬底和用于制造它的氧化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101630715A CN101630715A CN200910151806.XA CN200910151806A CN101630715A CN 101630715 A CN101630715 A CN 101630715A CN 200910151806 A CN200910151806 A CN 200910151806A CN 101630715 A CN101630715 A CN 101630715A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light emitting
- semiconductor device
- emitting semiconductor
- solid
- metal block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 48
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 title 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 26
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 21
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 14
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 14
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 10
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001398 aluminium Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
一种用于半导体发光器件的安装衬底，包括：在其表面中具有配置成用于在其中安装半导体发光器件的空腔的固体金属块。在空腔中提供绝缘涂层，在空腔中的绝缘涂层上提供配置成用于连接到半导体发光器件的第一和第二间隔开的导电迹线。通过提供在其表面包含配置成用于在其中安装半导体发光器件的空腔的固体铝块来制造该安装衬底。氧化该固体铝块以在其上形成氧化铝涂层。在空腔中的氧化铝涂层上制造第一和第二间隔开的导电迹线。
Description
技术领域
本发明涉及半导体发光器件及其制造方法，更具体地涉及用于半导体发光器件的封装和封装方法。
背景技术
半导体发光器件，例如发光二极管(LED)或者激光二极管被广泛地用于许多应用。如本领域的技术人员所熟知的，半导体发光器件包含一个或多个半导体层，配置成一旦对其激励则发射相干和/或非相干光。通常封装半导体发光器件以提供外部的电连接、散热器、透镜或者波导、环境保护和/或其他的功能也是已知的。
例如，已知为半导体发光器件提供两片式封装，其中半导体发光器件安装在包括氧化铝、氮化铝和/或其他材料的衬底上，其包括其上的导电迹线，以为半导体发光器件提供外部连接。例如使用粘合剂将包含镀银的铜的第二衬底围绕半导体发光器件安装在第一衬底上。透镜位于半导体发光器件上方的第二衬底上。具有如上所述的两片式封装的发光二极管在2003-05-27申请的、申请序号为No.10/446,532、标题为Power Surface Mount Light Emitting DiePackage中描述，该申请转让给本发明的受让人，其整个内容以参考的形式并入本文。
令人遗憾地，这些衬底昂贵，有时比半导体发光器件本身更昂贵。而且，制造工艺也昂贵、费时和/或由于其中的步骤的数目而易出现故障。
发明内容
本发明的一些实施例提供一种用于半导体发光器件的安装衬底，该衬底包括在其表面中包含配置成用于在其中安装半导体发光器件的空腔的固体金属块。在其他的实施例中，在固体金属块的表面上提供绝缘涂层。在其他的实施例中，绝缘涂层位于空腔中，在空腔中的绝缘涂层上提供第一和第二间隔开的导电迹线，该导电迹线配置成用于连接半导体发光器件。
在一些实施例中，第一和第二间隔开的导电迹线从空腔延伸到第一表面上，围绕金属块至少一侧并延伸到金属块的第二相对表面上。在其他的实施例中，固体金属块中包含从该金属块的第一表面延伸到第二表面的第一和第二通孔。各个通孔包含从第一表面延伸到第二表面的相应的导电通路。间隔开的导电迹线中相应的一个电连接到导电通路的相应的一个。
在一些实施例中，固体金属块是固体铝块，绝缘涂层包括氧化铝。如下面所述可通过氧化该铝形成绝缘涂层。在这些实施例中，相应的第一和第二通孔也包含其上的包括氧化铝的绝缘涂层，以便其中的第一和第二导电通孔与铝块绝缘。
根据本发明实施例的安装衬底可以与安装在空腔中并连接到第一和第二间隔开的导电迹线的半导体发光器件结合。可提供延伸跨过空腔的透镜。在一些实施例中，在半导体发光器件和透镜之间提供密封剂。在其他的实施例中，在衬底上提供配置成保持横跨空腔的透镜的透镜保持器。
本发明的其他实施例通过提供在其表面中包括配置成用于在其中安装半导体发光器件的空腔的固体铝块来制造用于半导体发光器件的安装衬底。氧化该固体铝块以在其上形成氧化铝涂层。在空腔中的氧化铝涂层上制造第一和第二间隔开的导电迹线，并且将其配置成连接半导体发光器件。
在一些实施例中，铝块还包括穿过其延伸的第一和第二通孔。当氧化该第二铝块时氧化了第一和第二通孔，从而在第一和第二通孔中形成氧化铝涂层。在涂有氧化铝的相应的第一和第二通孔中制造第一和第二导电通路。在其他的实施例中，当制造第一和第二间隔开的导电迹线时，将这些迹线制造成从空腔延伸到第一表面、围绕金属块至少一侧并延伸到与第一表面相对的金属块的第二表面上。
在一些实施例中，半导体发光器件安装在空腔中并连接到第一和第二间隔开的导电迹线。在一些实施例中，横跨空腔安装透镜，在一些实施例中，在半导体发光器件和透镜之间提供密封剂。
附图说明
图1A-1H是根据本发明不同实施例的用于半导体发光器件的安装衬底的侧视截面图。
图2是制造根据本发明不同实施例的用于半导体发光器件的安装衬底可执行的步骤的流程图。
图3A和3B是根据本发明的实施例用于半导体发光器件的安装衬底的顶部和底部透视图。
图4是根据本发明实施例的封装的半导体发光器件的分解透视图。
图5是根据本发明实施例的封装的半导体发光器件的组合透视图。
具体实施方式
现在在下文参照附图更充分地描述本发明，附图中显示了本发明的实施例。然而，本发明可以以许多不同的形成体现并不应当认为是限于在此提出的实施例。相反地，提供这些实施例以便彻底并完整地公开，并将本发明的范围全面地传达给本领域的技术人员。在各图中，为了清楚夸大了层和区的尺寸和相对尺寸。全文中相同的数字表示相似的元件。
将理解的是当将例如层、区域或者衬底的元件称为“在另一个元件上”时，其可以是直接在该另一个元件上或者也可以存在插入元件。将理解的是如果元件的一部分，比如导电线的表面，被称为“外部”，则它比该元件的其他部分更接近器件的外侧。此外，相对术语，例如“在...之下”，在此可以用于描述相对于如附图中示出的衬底或者基层，一个层或者区域与另一个层或者区域的关系。将理解的是这些术语旨在包含除附图中描述的取向之外的器件的不同取向。最后，术语“直接地”意思指没有插入元件。
图1A-1H是根据本发明不同的实施例用于半导体发光器件的安装衬底的侧视截面图。参照图1A，根据本发明的一些实施例用于半导体发光器件的安装衬底包括在其第一表面100a中包含配置成用于在其中安装半导体发光器件空腔110的固体金属块100。在一些实施例中，固体金属块100包括固体铝块。可以通过机械加工、铸造、刻蚀和/或其他的传统方法形成空腔110。空腔110的大小与形状可以构造成改善或者最优化由安装在空腔110中的半导体发光器件发射的光的数量和/或方向。例如，可以提供倾斜的侧壁110a和或半椭圆的横断面。在一些实施例中，金属块100可以是大约6mm×大约9mm且厚大约2mm的矩形固体铝金属块，空腔110大约1.2mm深、具有直径为大约2.5mm的圆形底面、以及任何简单或者复杂的形状的侧壁110a，以获得理想的辐射图。然而，块100可以具有其他的多边形/或者椭球体形状。
图1B示出了根据本发明其他实施例的安装衬底。如图1B所示，在固体金属块100的表面上提供绝缘涂层。绝缘涂层120可以提供在如图1B所示的固体金属块的整个暴露表面上，或者仅仅在固体金属块的部分暴露表面上。在一些实施例中，如下面所述，绝缘涂层120包括例如通过阳极氧化固体铝块100形成的氧化铝(Al2O3)的薄层。在其他的实施例中，涂层120足够厚以提供绝缘体，但是足够薄以使贯穿其的导热路径最小化。
现在参照图1C，在空腔110中的绝缘涂层120上提供第一和第二间隔开的导电迹线130a、130b。第一和第二间隔开的导电迹线130a、130b构造成连接半导体发光器件。如图1C所示，在一些实施例中，第一和第二间隔开的导电迹线130a和130b可以从空腔110延伸到固体金属块100的第一表面100a上。当仅仅在固体金属块100的一部分上提供绝缘涂层120时，它可以提供在第一和第二间隔开的迹线130a和130b与固体金属块100之间，从而使第一和第二金属迹线130a和130b与固体金属块100绝缘。
图1D说明本发明的其他实施例，其中第一和第二间隔开的导电迹线130a′、130b′从空腔110延伸到第一表面100a，至少围绕金属块的一侧100c，并延伸在与第一表面100a相对的金属块的第二表面100b上。因而，可提供背侧接触。
在本发明的一些实施例中，第一和第二间隔开的导电迹线130a、130b和/或130a′、130b′包含金属，在一些实施例中包含例如银的反射金属。在其他的实施例中，如图1E所示，可以在空腔110中间隔开的导电迹线130a′、130b′上提供分离的反射层132a、132b。在这些实施例中，导电迹线130a′、130b′可包含铜，且反射迹线132a、132b可包含银。
在本发明的其他实施例中，如图1F中所示，可以通过提供第一和第二通孔140a和140b来提供背侧接触，可以通过机械加工、刻蚀和/或其他的传统方法在固体金属块100中形成第一和第二通孔140a和140b。而且，如图1F所示，绝缘涂层120延伸到通孔140a和140b中。第一和第二导电通路142a、142b提供在第一和第二通孔140a、140b中，并通过通孔140a、140b中的绝缘涂层120与固体金属块100绝缘。
在图1F中，通孔140a和140b以及导电通路142a和142b从空腔110延伸到第二表面100b。通孔140a、140b可以垂直和/或倾斜于第一和第二表面100a、100b。第一和第二间隔开的导电迹线130a′、130b′可提供在空腔110中，并电连接到相应的第一和第二导电通路142a、142b。在第二表面100b上，也可以提供电连接到相应的第一和第二导电通路142a、142b的第三和第四间隔开的导电迹线130c、130d。在一些实施例中可提供焊料掩模层144以隔离第二表面100b上的第三和第四导电迹线130c、130d，从而简化电路板组件。焊料掩模层144为本领域的技术人员所熟知，在这里不必另外描述。
在图1F的实施例中，第一和第二通孔140a、140b和第一和第二导电通路142a、142b从空腔110延伸到第二表面100b。在图1G的实施例中，第一和第二通孔140a′、140b′和第一和第二导电通路142a′、142b′从空腔110外侧的第一表面100a延伸到第二表面100b。通孔140a′、140b′垂直和/或倾斜于第一和第二表面100a、100b。第一和第二间隔开的导电迹线130a″、130b″从空腔110延伸到第一表面100a上的相应的第一和第二导电通路142a′、142b′。第三和第四迹线130c′、130d′提供在第二表面100b上，电连接到相应的第一和第二导电通路142a′、142b′。
图1H示出结合图1D描述的本发明的实施例，其还包含安装在空腔中并连接到第一和第二间隔开的导电迹线130a′、130b′的半导体发光器件150。而且，图1H示出在另外的实施例中，透镜170横跨空腔。在另外的实施例中，在半导体发光器件150和透镜170之间提供密封剂160。密封剂160可包含透明的环氧树脂并可增强从半导体发光器件150到透镜170的光学耦合。在其他的实施例中，在固体金属块100上提供透镜保持器180以保持跨越空腔110的透镜170。
在同时申请的Negley(代理人案卷号No.5308-310)等的US专利申请序列号No.____、标题为Transmissive Optical Elements Including TransparentPlastic Shell Having a Phosphor Dispersed Therein，and Methods of FabricatingSame中描述了用于本发明的不同实施例中的发光器件150、密封剂160和透镜170的实施例，该申请转让给本申请的受让人，其整个内容以参考的形式并入本文。
本领域的技术人员应当理解，尽管图1F-1H的实施例作为分开的实施例说明，但图1A-1H的各个元件可以一起使用以提供元件的各种组合和/或子组合。因而，例如，反射层132a、132b可以用于所示的任何实施例，半导体发光器件150、透镜170、密封剂160和/或透镜保持器180可以用于所示的任何实施例。因此，本发明不应局限于图1A-1H显示的分开的实施例。
图2是制造根据本发明的不同实施例的半导体发光器件可执行的步骤的流程图。参照图2，如块210所示，提供在其表面内包含例如空腔110的空腔的固体铝块(例如图1A-1H的铝块100)，所述空腔构造成用于在其中安装半导体发光器件。如上面所述，可以通过机械加工、铸造、刻蚀和/或其他的传统方法提供空腔。而且，在其它实施例中，固体铝块也可包含贯穿其延伸的第一和第二间隔开的通孔，例如通孔140a、140b和/或140a′、140b′，且可以通过机械加工、刻蚀和/或另外的传统方法制造通孔。
再次参照图2，在框220处，氧化固体铝块以在其上形成氧化铝涂层。在一些实施例中，氧化固体铝块的整个暴露表面。而且，当提供通孔时，也可以氧化通孔的内表面。在另外的实施例中，例如通过在不希望被氧化的那些部分上提供掩蔽层来仅仅氧化部分铝块。铝的氧化对本领域的技术人员来说是熟知的，并可以例如使用阳极氧化工艺和/或其它氧化工艺执行，以在铝上提供Al2O3薄层。
仍参照图2，在框230处，如上所述，取决于构造，在第一表面上的空腔中、在侧面上和/或在第二表面上制造第一和第二间隔开的导电迹线，例如迹线130a、130b和/或130a′、130b′。而且，在一些实施例中，可以在通孔中制造导电通路，例如通路142a、142b和/或142a′、142b′。可以在导电迹线之前、和导电迹线同时和/或在导电迹线之后制造导电通路。众所周知在氧化成具有氧化铝的铝核心上制造导电迹线来提供具有铝核心的类似电路板的结构，因此在这里不需要详细描写。
最后，在框240中，执行其他的操作以在衬底上安装半导体器件、透镜、密封剂和/或保持器。
图3A和3B分别是根据本发明实施例的安装衬底的顶部和底部透视图，其可对应于图1D的截面图。图3A和3B示出了固体金属块100、卷绕固体金属块的第一和第二间隔开的导电迹线130a′、130b′、和安装在空腔110中的半导体发光器件150。绝缘涂层120可以是透明的，没有示出。在这些和/或任何其他的实施例中，可以在第一和/或第二间隔开的导电迹线上提供第二绝缘层和/或焊料掩模。
图4示出了可对应于图1H的本发明的其他的实施例的分解透视图。如图4所示，固体金属块100包含在其中的空腔110、和在其上的多个间隔开的导电迹线。在图4中，显示了第一导电迹线130a。然而，除了单个第二导电迹线，可提供多个第二导电迹线330a′、330b′和330c′以连接安装在空腔110中的多个半导体发光器件150′，来提供例如用于白光源的红色、绿色和蓝色半导体发光器件。示出了密封剂160和透镜保持器180。透镜保持器180的其他结构可以提供用于在固体金属块100上安装透镜170的脊和/或其他的常规安装装置。也应当理解可以在透镜保持器180中使用环氧树脂或者其他的粘合剂。在本发明的一些实施例中透镜保持器180也可以提供额外的顶部散热性能。图5示出了图4的组合封装。
因此，本发明的一些实施例使用铝的固体块作为用于半导体发光器件的安装衬底。铝具有用作高效散热器的充分的导热性。另外，材料的成本和制造成本较低。而且，由于可以精确地控制阳极氧化的厚度，所以生长高质量绝缘氧化物的能力允许形成期望的导电迹线，而对热阻率没有严重的影响。也可以有选择地图案化该绝缘层，这允许给衬底增加另外的电镀金属，例如仅仅在空腔侧壁上镀银，用于增加光学性能。
由于可以减少用于封装的元件的总数，所以在衬底内形成光学腔而不是分离的反射杯的能力，可以降低装配成本。另外，反射镜(空腔)位置相对于衬底固定的事实还可以降低装配的复杂性。本发明的实施例对于大功率半导体发光器件，例如大功率LED和/或激光二极管特别有用。
在附图和说明书中，已经公开了本发明实施例，尽管使用了专用名词，但它们一般用于说明的目的并不是限制目的，本发明的范围在下面的权利要求中阐述。
Claims (16)
1.一种用于半导体发光器件的安装衬底，包括：
固体金属块，配置成用于在其上安装半导体发光器件；
共形绝缘涂层，位于固体金属块的表面上；和
第一和第二间隔开的导电迹线，位于共形绝缘涂层上，配置成用于连接到半导体发光器件，所述导电迹线中的至少一个配置成用于连接到半导体发光器件的表面，共形绝缘涂层上的第一和第二间隔开的导电迹线进一步被配置成反射由半导体发光器件发出的光，
其中该固体金属块的表面是第一表面，其中固体金属块中包含从第一表面延伸到与第一表面相对的该固体金属块的第二表面的第一和第二通孔，相应的第一和第二通孔中包含与固体金属块绝缘且从第一表面延伸到第二表面的相应的第一和第二导电通路，其中间隔开的导电迹线中的相应的一个在第一表面上电连接到导电通路中的相应的一个。
2.根据权利要求1的安装衬底，其中该固体金属块的表面是第一表面，且其中第一和第二间隔开的导电迹线从第一表面延伸、至少围绕该金属块的一侧并延伸到与第一表面相对的该金属块的第二表面上。
3.根据权利要求1的安装衬底，其中固体金属块是固体铝块，且其中绝缘涂层包括氧化铝。
4.根据权利要求3的安装衬底，其中该固体金属块的表面是第一表面，其中固体铝块包含在其中的从第一表面延伸到与第一表面相对的该固体铝块的第二表面的第一和第二通孔，相应的第一和第二通孔包含在其上的包括氧化铝的绝缘涂层和在其中的从第一表面延伸到第二表面的相应的第一和第二导电通路，其中间隔开的导电迹线中的相应的一个电连接到导电通路中的相应的一个。
5.根据权利要求1的安装衬底，还包括在固体金属块的第二表面上的第三和第四间隔开的导电迹线，它们中相应的一个连接到导电通路中的相应的一个。
6.根据权利要求1的安装衬底，与半导体发光器件相结合，该半导体发光器件一个表面连接到第一和第二间隔开的导电迹线中的至少一个。
7.根据权利要求6的安装衬底，进一步与半导体发光器件上的透镜相结合。
8.根据权利要求7的安装衬底，进一步与在半导体发光器件和透镜之间的密封剂相结合。
9.根据权利要求7的安装衬底，进一步与在固体金属块上的配置成保持透镜的透镜保持器相结合。
10.一种用于半导体发光器件的安装衬底的制造方法，包括：
提供固体铝块，该固体铝块配置成用于在其上安装半导体发光器件，
氧化该固体铝块以在其上形成氧化铝涂层；以及
在氧化铝涂层上制造配置成用于连接到半导体发光器件的第一和第二间隔开的导电迹线，所述导电迹线中的至少一条延伸配置成用于连接到半导体发光器件的表面，进一步将共形绝缘涂层上的第一和第二间隔开的导电迹线配置成反射由半导体发光器件发出的光，
其中所述提供包括提供固体铝块，该固体铝块配置成在其上安装半导体发光器件，以及在其中从第一表面延伸到与第一表面相对的该固体铝块第二表面的第一和第二通孔；
其中该氧化包括氧化该固体铝块以在其上和在第一和第二通孔中形成氧化铝涂层；
该方法还包括在涂有氧化铝并从第一表面延伸到第二表面的相应的第一和第二通孔中制造相应的第一和第二导电通路。
11.根据权利要求10的方法，其中该固体铝块的表面是第一表面，其中所述制造包括制造第一和第二间隔开的导电迹线，该第一和第二间隔开的导电迹线从第一表面延伸、至少围绕该固体铝块的一侧并延伸到与第一表面相对的该固体铝块第二表面上。
12.根据权利要求10的方法，还包括在氧化铝涂层上的第一和第二间隔开的导电迹线上制造反射涂层。
13.根据权利要求10的方法，还包括在该固体铝块的第二表面上制造第三和第四间隔开的导电迹线，使得第二表面上的第三和第四间隔开的导电迹线中的相应的一个连接到第一和第二导电通路中的相应的一个。
14.根据权利要求10的方法，还包括在固体铝块上安装半导体发光器件，使得该半导体发光器件的表面连接到第一和第二间隔开的导电迹线中的至少一条。
15.根据权利要求14的方法，还包括在半导体发光器件上安装透镜。
16.根据权利要求15的方法，其中安装透镜包括在半导体发光器件和透镜之间用密封剂在半导体发光器件上安装透镜。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US10/659,108 US7183587B2 (en) | 2003-09-09 | 2003-09-09 | Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices |
| US10/659108 | 2003-09-09 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200480025701.5A Division CN1849712A (zh) | 2003-09-09 | 2004-06-01 | 用于半导体发光器件的固体金属块安装衬底和用于制造它的氧化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101630715A true CN101630715A (zh) | 2010-01-20 |
| CN101630715B CN101630715B (zh) | 2011-09-14 |
Family
ID=34226914
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200480025701.5A Pending CN1849712A (zh) | 2003-09-09 | 2004-06-01 | 用于半导体发光器件的固体金属块安装衬底和用于制造它的氧化方法 |
| CN200910151806.XA Expired - Lifetime CN101630715B (zh) | 2003-09-09 | 2004-06-01 | 用于半导体发光器件的固体金属块安装衬底和用于制造它的氧化方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200480025701.5A Pending CN1849712A (zh) | 2003-09-09 | 2004-06-01 | 用于半导体发光器件的固体金属块安装衬底和用于制造它的氧化方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7183587B2 (zh) |
| EP (1) | EP1665395B1 (zh) |
| JP (1) | JP2007505493A (zh) |
| KR (1) | KR20060079214A (zh) |
| CN (2) | CN1849712A (zh) |
| CA (1) | CA2537972A1 (zh) |
| TW (1) | TW200516788A (zh) |
| WO (1) | WO2005027233A2 (zh) |
Families Citing this family (105)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7521667B2 (en) * | 2003-06-23 | 2009-04-21 | Advanced Optical Technologies, Llc | Intelligent solid state lighting |
| US7145125B2 (en) * | 2003-06-23 | 2006-12-05 | Advanced Optical Technologies, Llc | Integrating chamber cone light using LED sources |
| US7915085B2 (en) * | 2003-09-18 | 2011-03-29 | Cree, Inc. | Molded chip fabrication method |
| TWI227570B (en) * | 2003-12-11 | 2005-02-01 | South Epitaxy Corp | Light-emitting diode packaging structure |
| US7355284B2 (en) | 2004-03-29 | 2008-04-08 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element |
| US7329905B2 (en) * | 2004-06-30 | 2008-02-12 | Cree, Inc. | Chip-scale methods for packaging light emitting devices and chip-scale packaged light emitting devices |
| JP2006049657A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Citizen Electronics Co Ltd | Ｌｅｄランプ |
| US7217583B2 (en) * | 2004-09-21 | 2007-05-15 | Cree, Inc. | Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension |
| US20060097385A1 (en) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Negley Gerald H | Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same |
| KR101187746B1 (ko) * | 2004-11-18 | 2012-10-05 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 조명기 및 이를 제조하는 방법 |
| KR100580753B1 (ko) | 2004-12-17 | 2006-05-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| US7322732B2 (en) | 2004-12-23 | 2008-01-29 | Cree, Inc. | Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays |
| WO2006114745A2 (en) * | 2005-04-28 | 2006-11-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light source comprising led arranged in recess |
| US7425083B2 (en) | 2005-05-02 | 2008-09-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Light emitting device package |
| TWI422044B (zh) * | 2005-06-30 | 2014-01-01 | Cree Inc | 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置 |
| KR100631993B1 (ko) * | 2005-07-20 | 2006-10-09 | 삼성전기주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| US20070019129A1 (en) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Cree, Inc. | Independent control of light emitting diodes for backlighting of color displays |
| JP5209177B2 (ja) * | 2005-11-14 | 2013-06-12 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| EP1954974A2 (en) * | 2005-11-22 | 2008-08-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting module and manufacturing method |
| TWI421438B (zh) * | 2005-12-21 | 2014-01-01 | 克里公司 | 照明裝置 |
| US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
| KR100746783B1 (ko) * | 2006-02-28 | 2007-08-06 | 엘지전자 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| US8969908B2 (en) * | 2006-04-04 | 2015-03-03 | Cree, Inc. | Uniform emission LED package |
| KR100764432B1 (ko) * | 2006-04-05 | 2007-10-05 | 삼성전기주식회사 | 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법 |
| US7625103B2 (en) * | 2006-04-21 | 2009-12-01 | Cree, Inc. | Multiple thermal path packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods |
| KR100735310B1 (ko) | 2006-04-21 | 2007-07-04 | 삼성전기주식회사 | 다층 반사 면 구조를 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법 |
| TWI296036B (en) * | 2006-04-28 | 2008-04-21 | Delta Electronics Inc | Light emitting apparatus |
| TWI296037B (en) * | 2006-04-28 | 2008-04-21 | Delta Electronics Inc | Light emitting apparatus |
| TWI314366B (en) * | 2006-04-28 | 2009-09-01 | Delta Electronics Inc | Light emitting apparatus |
| CN101449100B (zh) | 2006-05-05 | 2012-06-27 | 科锐公司 | 照明装置 |
| US8033692B2 (en) * | 2006-05-23 | 2011-10-11 | Cree, Inc. | Lighting device |
| EP2027602A4 (en) * | 2006-05-23 | 2012-11-28 | Cree Inc | LIGHTING DEVICE AND METHOD OF MAKING |
| US7677765B2 (en) * | 2006-06-15 | 2010-03-16 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light emitting device having a metal can package for improved heat dissipation |
| KR100854328B1 (ko) * | 2006-07-07 | 2008-08-28 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 |
| US7943952B2 (en) * | 2006-07-31 | 2011-05-17 | Cree, Inc. | Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method |
| US20080035942A1 (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device package and method for manufacturing the same |
| JP2008053685A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 垂直構造窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法 |
| JP5036819B2 (ja) * | 2006-09-18 | 2012-09-26 | クリー インコーポレイテッド | 照明装置、照明アセンブリー、取付体、および、これらを用いる方法 |
| TW200837308A (en) * | 2006-09-21 | 2008-09-16 | Led Lighting Fixtures Inc | Lighting assemblies, methods of installing same, and methods of replacing lights |
| US8497560B2 (en) * | 2006-10-06 | 2013-07-30 | Industrial Technology Research Institute | LED package and method of assembling the same |
| US10295147B2 (en) * | 2006-11-09 | 2019-05-21 | Cree, Inc. | LED array and method for fabricating same |
| WO2008061082A1 (en) * | 2006-11-14 | 2008-05-22 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Light engine assemblies |
| CN101622492B (zh) * | 2006-11-14 | 2013-01-30 | 科锐公司 | 照明组件和用于照明组件的部件 |
| US20080121911A1 (en) * | 2006-11-28 | 2008-05-29 | Cree, Inc. | Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same |
| KR100851183B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 |
| US9024349B2 (en) * | 2007-01-22 | 2015-05-05 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US9159888B2 (en) * | 2007-01-22 | 2015-10-13 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
| US8232564B2 (en) * | 2007-01-22 | 2012-07-31 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes |
| US8258682B2 (en) | 2007-02-12 | 2012-09-04 | Cree, Inc. | High thermal conductivity packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods |
| KR100862454B1 (ko) * | 2007-02-27 | 2008-10-08 | 삼성전기주식회사 | Ｌｅｄ를 구비한 백라이트 유닛 및 그 제조방법 |
| TW200843130A (en) * | 2007-04-17 | 2008-11-01 | Wen Lin | Package structure of a surface-mount high-power light emitting diode chip and method of making the same |
| US7967480B2 (en) * | 2007-05-03 | 2011-06-28 | Cree, Inc. | Lighting fixture |
| WO2008137905A1 (en) | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Light fixtures and lighting devices |
| US20080283864A1 (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-20 | Letoquin Ronan P | Single Crystal Phosphor Light Conversion Structures for Light Emitting Devices |
| KR100888228B1 (ko) * | 2007-06-22 | 2009-03-12 | (주)웨이브닉스이에스피 | 금속베이스 광소자 패키지 모듈 및 그 제조방법 |
| US10505083B2 (en) * | 2007-07-11 | 2019-12-10 | Cree, Inc. | Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same |
| CN101743488B (zh) * | 2007-07-17 | 2014-02-26 | 科锐公司 | 具有内部光学特性结构的光学元件及其制造方法 |
| JP5039474B2 (ja) * | 2007-07-31 | 2012-10-03 | 三洋電機株式会社 | 発光モジュールおよびその製造方法 |
| TW200909986A (en) * | 2007-08-31 | 2009-03-01 | Coretronic Corp | Lamp holder and fabrications thereof |
| KR100877881B1 (ko) * | 2007-09-06 | 2009-01-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| TWI353657B (en) * | 2007-09-28 | 2011-12-01 | Ind Tech Res Inst | An island submount |
| USD615504S1 (en) * | 2007-10-31 | 2010-05-11 | Cree, Inc. | Emitter package |
| KR100907823B1 (ko) * | 2007-12-12 | 2009-07-14 | 한국전자통신연구원 | 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치 |
| US8167674B2 (en) * | 2007-12-14 | 2012-05-01 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| US9041285B2 (en) | 2007-12-14 | 2015-05-26 | Cree, Inc. | Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force |
| CN101471399A (zh) * | 2007-12-27 | 2009-07-01 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
| JP4989614B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-08-01 | サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド． | 高出力ｌｅｄパッケージの製造方法 |
| US7732829B2 (en) * | 2008-02-05 | 2010-06-08 | Hymite A/S | Optoelectronic device submount |
| US8637883B2 (en) | 2008-03-19 | 2014-01-28 | Cree, Inc. | Low index spacer layer in LED devices |
| KR100992778B1 (ko) | 2008-05-23 | 2010-11-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| US8240875B2 (en) * | 2008-06-25 | 2012-08-14 | Cree, Inc. | Solid state linear array modules for general illumination |
| JP5289835B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2013-09-11 | シャープ株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| US20100001305A1 (en) * | 2008-07-07 | 2010-01-07 | Visera Technologies Company Limited | Semiconductor devices and fabrication methods thereof |
| US8004172B2 (en) * | 2008-11-18 | 2011-08-23 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting apparatus including elongated hollow wavelength conversion tubes and methods of assembling same |
| US9052416B2 (en) | 2008-11-18 | 2015-06-09 | Cree, Inc. | Ultra-high efficacy semiconductor light emitting devices |
| US8853712B2 (en) | 2008-11-18 | 2014-10-07 | Cree, Inc. | High efficacy semiconductor light emitting devices employing remote phosphor configurations |
| TW201020643A (en) * | 2008-11-25 | 2010-06-01 | Chi Mei Lighting Tech Corp | Side view type light-emitting diode package structure, and manufacturing method and application thereof |
| KR101077264B1 (ko) * | 2009-02-17 | 2011-10-27 | (주)포인트엔지니어링 | 광소자용 기판, 이를 갖는 광소자 패키지 및 이의 제조 방법 |
| US20100301359A1 (en) * | 2009-05-26 | 2010-12-02 | Ming-Hsiung Liu | Light Emitting Diode Package Structure |
| US8530990B2 (en) * | 2009-07-20 | 2013-09-10 | Sunpower Corporation | Optoelectronic device with heat spreader unit |
| DE102009039982A1 (de) * | 2009-09-03 | 2011-03-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
| KR20110068689A (ko) * | 2009-12-16 | 2011-06-22 | 삼성전기주식회사 | 광학소자용 패키지 기판 및 그 제조방법 |
| KR101039881B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛 |
| KR101093719B1 (ko) | 2010-01-04 | 2011-12-19 | (주)웨이브닉스이에스피 | 금속기판을 이용한 고출력 소자의 패키지 모듈 구조 및 그 제조방법 |
| US9991427B2 (en) * | 2010-03-08 | 2018-06-05 | Cree, Inc. | Photonic crystal phosphor light conversion structures for light emitting devices |
| US10546846B2 (en) | 2010-07-23 | 2020-01-28 | Cree, Inc. | Light transmission control for masking appearance of solid state light sources |
| US8563849B2 (en) | 2010-08-03 | 2013-10-22 | Sunpower Corporation | Diode and heat spreader for solar module |
| JP5416674B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2014-02-12 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁基板およびその製造方法ならびにそれを用いた光源モジュールおよび液晶表示装置 |
| US9166126B2 (en) | 2011-01-31 | 2015-10-20 | Cree, Inc. | Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same |
| JP2013168622A (ja) * | 2011-03-28 | 2013-08-29 | Fujifilm Corp | 発光素子用反射基板およびその製造方法 |
| CN102185083B (zh) * | 2011-04-20 | 2013-10-02 | 莱芜市凤凰新能源科技集团有限公司 | 照明级led的制造方法 |
| US9117941B2 (en) * | 2011-09-02 | 2015-08-25 | King Dragon International Inc. | LED package and method of the same |
| US20150001570A1 (en) * | 2011-09-02 | 2015-01-01 | King Dragon International Inc. | LED Package and Method of the Same |
| US10043960B2 (en) * | 2011-11-15 | 2018-08-07 | Cree, Inc. | Light emitting diode (LED) packages and related methods |
| US8933473B1 (en) * | 2012-06-01 | 2015-01-13 | Valery Dubin | Method, apparatus and system for providing light source structures on a flexible substrate |
| US8636198B1 (en) | 2012-09-28 | 2014-01-28 | Sunpower Corporation | Methods and structures for forming and improving solder joint thickness and planarity control features for solar cells |
| KR101415928B1 (ko) * | 2012-11-28 | 2014-07-04 | 주식회사 루멘스 | 발광장치 및 이를 구비하는 백라이트 유닛 |
| KR101517949B1 (ko) * | 2013-11-27 | 2015-05-07 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자 패키지 및 이의 제작 방법 |
| WO2014084645A1 (ko) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | 주식회사 루멘스 | 발광소자 패키지 및 이의 제작 방법 |
| WO2014175062A1 (ja) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュールおよびその製造方法、電力変換器 |
| EP2992551B1 (en) * | 2013-04-29 | 2017-03-29 | ABB Schweiz AG | Module arrangement for power semiconductor devices |
| TWI563620B (en) * | 2015-05-12 | 2016-12-21 | Taiwan Green Point Entpr Co | Electronic device and method for making the same |
| US10715140B2 (en) | 2017-11-30 | 2020-07-14 | Dura Operating, Llc | Laminated light guide and electrical component carrier |
| EP3893274A1 (en) * | 2020-04-07 | 2021-10-13 | ABB Schweiz AG | Cooling element and method of manufacturing a cooling element |
| DE102020212424A1 (de) | 2020-10-01 | 2022-04-07 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Laser-Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Laser-Bauelements |
Family Cites Families (113)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4042552A (en) * | 1972-09-19 | 1977-08-16 | Warner-Lambert Company | Composition for hydrophilic lens blank and method of casting |
| US4107238A (en) * | 1976-01-22 | 1978-08-15 | Exxon Research & Engineering Co. | Graft copolymerization process |
| US4141941A (en) * | 1977-09-21 | 1979-02-27 | American Optical Corporation | Contact lens casting method |
| US4562018A (en) * | 1985-01-28 | 1985-12-31 | Neefe Charles W | Method of casting optical surfaces on lens blanks |
| US4650922A (en) * | 1985-03-11 | 1987-03-17 | Texas Instruments Incorporated | Thermally matched mounting substrate |
| US4826424A (en) * | 1985-09-25 | 1989-05-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Lens barrel made by injection molding |
| US5753730A (en) * | 1986-12-15 | 1998-05-19 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Plastic lenses having a high-refractive index, process for the preparation thereof and casting polymerization process for preparing sulfur-containing urethane resin lens and lens prepared thereby |
| US4794048A (en) * | 1987-05-04 | 1988-12-27 | Allied-Signal Inc. | Ceramic coated metal substrates for electronic applications |
| JP2593703B2 (ja) * | 1987-12-24 | 1997-03-26 | 三菱電線工業株式会社 | 発光ダイオード照明具 |
| US4935665A (en) * | 1987-12-24 | 1990-06-19 | Mitsubishi Cable Industries Ltd. | Light emitting diode lamp |
| CA1337918C (en) * | 1988-03-16 | 1996-01-16 | Norihisa Osaka | Phosphor paste compositions and phosphor coatings obtained therefrom |
| CN1040810A (zh) * | 1988-04-30 | 1990-03-28 | 三井东圧化学株式会社 | 多硫化合物基树脂透镜及其制备方法 |
| EP0367513B1 (en) * | 1988-11-02 | 1995-07-05 | Btg International Limited | Contact lens cast moulding |
| US4918497A (en) * | 1988-12-14 | 1990-04-17 | Cree Research, Inc. | Blue light emitting diode formed in silicon carbide |
| US5027168A (en) * | 1988-12-14 | 1991-06-25 | Cree Research, Inc. | Blue light emitting diode formed in silicon carbide |
| US5024966A (en) * | 1988-12-21 | 1991-06-18 | At&T Bell Laboratories | Method of forming a silicon-based semiconductor optical device mount |
| US5087949A (en) * | 1989-06-27 | 1992-02-11 | Hewlett-Packard Company | Light-emitting diode with diagonal faces |
| US4966862A (en) * | 1989-08-28 | 1990-10-30 | Cree Research, Inc. | Method of production of light emitting diodes |
| JP2668140B2 (ja) * | 1989-09-30 | 1997-10-27 | 三菱電線工業株式会社 | 発光モジュール |
| NL9000161A (nl) * | 1990-01-23 | 1991-08-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halfgeleiderinrichting bevattende een drager en werkwijze voor het vervaardigen van de drager. |
| US5210051A (en) * | 1990-03-27 | 1993-05-11 | Cree Research, Inc. | High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride |
| US5110278A (en) * | 1990-11-30 | 1992-05-05 | Pilkington Visioncare, Inc. | Injection molding apparatus for producing a toric lens casting mold arbor |
| JPH0555636A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-03-05 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| JPH05152609A (ja) | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
| DE4242842C2 (de) * | 1992-02-14 | 1999-11-04 | Sharp Kk | Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2822819B2 (ja) | 1992-11-09 | 1998-11-11 | 日亜化学工業株式会社 | 多色発光素子 |
| JPH06177429A (ja) | 1992-12-08 | 1994-06-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 青色ｌｅｄ素子 |
| JP2964822B2 (ja) | 1993-02-19 | 1999-10-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
| US5416342A (en) * | 1993-06-23 | 1995-05-16 | Cree Research, Inc. | Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency |
| US5338944A (en) * | 1993-09-22 | 1994-08-16 | Cree Research, Inc. | Blue light-emitting diode with degenerate junction structure |
| US5393993A (en) * | 1993-12-13 | 1995-02-28 | Cree Research, Inc. | Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices |
| US5604135A (en) * | 1994-08-12 | 1997-02-18 | Cree Research, Inc. | Method of forming green light emitting diode in silicon carbide |
| US5523589A (en) * | 1994-09-20 | 1996-06-04 | Cree Research, Inc. | Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime |
| US5631190A (en) * | 1994-10-07 | 1997-05-20 | Cree Research, Inc. | Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures |
| JPH08116095A (ja) | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Hamamatsu Photonics Kk | 発光装置 |
| JPH08162676A (ja) | 1994-12-02 | 1996-06-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
| US5739554A (en) * | 1995-05-08 | 1998-04-14 | Cree Research, Inc. | Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer |
| JP3832877B2 (ja) * | 1995-07-26 | 2006-10-11 | 日亜化学工業株式会社 | セラミックスｌｅｄパッケージおよびその製造方法 |
| JPH0983018A (ja) | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Nippon Denyo Kk | 発光ダイオードユニット |
| DK1139325T3 (da) | 1995-12-29 | 2003-06-16 | Cree Inc | Display med matrix af lysdioder med forskellige farver og med forskellige spændinger |
| JP2947156B2 (ja) * | 1996-02-29 | 1999-09-13 | 双葉電子工業株式会社 | 蛍光体の製造方法 |
| JP3264615B2 (ja) * | 1996-02-29 | 2002-03-11 | ホーヤ株式会社 | プラスチックレンズの射出成形方法 |
| JPH09246603A (ja) | 1996-03-08 | 1997-09-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード及びそれを用いた表示装置 |
| JPH1012927A (ja) * | 1996-06-25 | 1998-01-16 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 電圧制御リード付ｌｅｄ発光体 |
| DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
| TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
| JP2927279B2 (ja) | 1996-07-29 | 1999-07-28 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
| JPH1098215A (ja) | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード装置 |
| US5851063A (en) * | 1996-10-28 | 1998-12-22 | General Electric Company | Light-emitting diode white light source |
| US5813753A (en) * | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light |
| US5882553A (en) * | 1997-06-09 | 1999-03-16 | Guide Corporation | Multi-color lens assembly injection molding process and apparatus |
| WO1999000241A1 (en) * | 1997-06-30 | 1999-01-07 | Bausch & Lomb Incorporated | Injection molding process for rotationally asymmetric contact lens surfaces |
| JP3065286B2 (ja) * | 1997-09-24 | 2000-07-17 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| US6201262B1 (en) * | 1997-10-07 | 2001-03-13 | Cree, Inc. | Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure |
| JPH11163419A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-06-18 | Rohm Co Ltd | 発光装置 |
| US6105177A (en) * | 1997-12-26 | 2000-08-22 | Paulson Manufacturing Corp. | Protective goggles |
| JP3241338B2 (ja) | 1998-01-26 | 2001-12-25 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置 |
| US6184544B1 (en) * | 1998-01-29 | 2001-02-06 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer |
| US6252254B1 (en) * | 1998-02-06 | 2001-06-26 | General Electric Company | Light emitting device with phosphor composition |
| JP3541709B2 (ja) | 1998-02-17 | 2004-07-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオードの形成方法 |
| JP3618221B2 (ja) | 1998-04-13 | 2005-02-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US5959316A (en) * | 1998-09-01 | 1999-09-28 | Hewlett-Packard Company | Multiple encapsulation of phosphor-LED devices |
| JP3490906B2 (ja) | 1998-09-22 | 2004-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6404125B1 (en) * | 1998-10-21 | 2002-06-11 | Sarnoff Corporation | Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes |
| US6391231B1 (en) * | 1998-11-23 | 2002-05-21 | Younger Mfg. Co. | Method for side-fill lens casting |
| US6177688B1 (en) * | 1998-11-24 | 2001-01-23 | North Carolina State University | Pendeoepitaxial gallium nitride semiconductor layers on silcon carbide substrates |
| JP3667125B2 (ja) | 1998-12-07 | 2005-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置とその製造方法 |
| JP3613041B2 (ja) | 1998-12-16 | 2005-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| US6373188B1 (en) * | 1998-12-22 | 2002-04-16 | Honeywell International Inc. | Efficient solid-state light emitting device with excited phosphors for producing a visible light output |
| JP3366586B2 (ja) | 1998-12-28 | 2003-01-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
| JP2000236116A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-08-29 | Matsushita Electric Works Ltd | 光源装置 |
| US6329676B1 (en) * | 1999-03-01 | 2001-12-11 | Toru Takayama | Flat panel solid state light source |
| JP2001015815A (ja) * | 1999-04-28 | 2001-01-19 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP3690968B2 (ja) | 1999-06-30 | 2005-08-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその形成方法 |
| JP3833019B2 (ja) | 1999-08-31 | 2006-10-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
| US6824294B2 (en) * | 1999-09-24 | 2004-11-30 | Cao Group, Inc. | Light for use in activating light-activated materials, the light having a plurality of chips mounted in a gross well of a heat sink, and a dome covering the chips |
| US6783362B2 (en) * | 1999-09-24 | 2004-08-31 | Cao Group, Inc. | Dental curing light using primary and secondary heat sink combination |
| JP2001144334A (ja) | 1999-11-17 | 2001-05-25 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置及び形成方法 |
| JP3685057B2 (ja) | 1999-12-08 | 2005-08-17 | 日亜化学工業株式会社 | Ｌｅｄランプ及びその製造方法 |
| DE10006738C2 (de) | 2000-02-15 | 2002-01-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP3589187B2 (ja) | 2000-07-31 | 2004-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の形成方法 |
| TW521409B (en) * | 2000-10-06 | 2003-02-21 | Shing Chen | Package of LED |
| MY145695A (en) | 2001-01-24 | 2012-03-30 | Nichia Corp | Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same |
| JP3636079B2 (ja) | 2001-01-26 | 2005-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成形体と発光装置 |
| US6791119B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-09-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for light extraction |
| JP4066608B2 (ja) | 2001-03-16 | 2008-03-26 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ成形体及びその製造方法 |
| US6958497B2 (en) | 2001-05-30 | 2005-10-25 | Cree, Inc. | Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures |
| US20030032212A1 (en) * | 2001-08-07 | 2003-02-13 | Bily Wang | LED focusing cup in a stacked substrate |
| JP3645207B2 (ja) | 2001-09-03 | 2005-05-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
| JP4122743B2 (ja) * | 2001-09-19 | 2008-07-23 | 松下電工株式会社 | 発光装置 |
| JP4122784B2 (ja) * | 2001-09-19 | 2008-07-23 | 松下電工株式会社 | 発光装置 |
| US6498355B1 (en) * | 2001-10-09 | 2002-12-24 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | High flux LED array |
| JP3948650B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2007-07-25 | アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー（シンガポール）プライベート・リミテッド | 発光ダイオード及びその製造方法 |
| US6531328B1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-03-11 | Solidlite Corporation | Packaging of light-emitting diode |
| JP4108318B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2008-06-25 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
| JP2003163378A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
| KR100439402B1 (ko) * | 2001-12-24 | 2004-07-09 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
| US6480389B1 (en) * | 2002-01-04 | 2002-11-12 | Opto Tech Corporation | Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package |
| US20030153861A1 (en) * | 2002-02-11 | 2003-08-14 | Royer George R. | Wound treatment bandage |
| JP4269709B2 (ja) | 2002-02-19 | 2009-05-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| US6639356B2 (en) * | 2002-03-28 | 2003-10-28 | Unity Opto Technology Co., Ltd. | Heat dissipating light emitting diode |
| JP2003017755A (ja) | 2002-06-13 | 2003-01-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| US6599768B1 (en) * | 2002-08-20 | 2003-07-29 | United Epitaxy Co., Ltd. | Surface mounting method for high power light emitting diode |
| US7264378B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-09-04 | Cree, Inc. | Power surface mount light emitting die package |
| US20040041757A1 (en) * | 2002-09-04 | 2004-03-04 | Ming-Hsiang Yang | Light emitting diode display module with high heat-dispersion and the substrate thereof |
| US7244965B2 (en) * | 2002-09-04 | 2007-07-17 | Cree Inc, | Power surface mount light emitting die package |
| AU2003276867A1 (en) * | 2002-09-19 | 2004-04-08 | Cree, Inc. | Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor |
| US6744077B2 (en) * | 2002-09-27 | 2004-06-01 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices |
| US6686609B1 (en) * | 2002-10-01 | 2004-02-03 | Ultrastar Limited | Package structure of surface mounting led and method of manufacturing the same |
| TW563264B (en) * | 2002-10-11 | 2003-11-21 | Highlink Technology Corp | Base of optoelectronic device |
| US20040095738A1 (en) * | 2002-11-15 | 2004-05-20 | Der-Ming Juang | Base plate for a light emitting diode chip |
| KR20040092512A (ko) * | 2003-04-24 | 2004-11-04 | (주)그래픽테크노재팬 | 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치 |
| US7095053B2 (en) * | 2003-05-05 | 2006-08-22 | Lamina Ceramics, Inc. | Light emitting diodes packaged for high temperature operation |
-
2003
- 2003-09-09 US US10/659,108 patent/US7183587B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-06-01 EP EP04754031.5A patent/EP1665395B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-01 KR KR1020067004796A patent/KR20060079214A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-06-01 JP JP2006526060A patent/JP2007505493A/ja active Pending
- 2004-06-01 CA CA002537972A patent/CA2537972A1/en not_active Abandoned
- 2004-06-01 WO PCT/US2004/017326 patent/WO2005027233A2/en active Search and Examination
- 2004-06-01 CN CN200480025701.5A patent/CN1849712A/zh active Pending
- 2004-06-01 CN CN200910151806.XA patent/CN101630715B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-08 TW TW093127203A patent/TW200516788A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2537972A1 (en) | 2005-03-24 |
| TW200516788A (en) | 2005-05-16 |
| US20050051789A1 (en) | 2005-03-10 |
| CN1849712A (zh) | 2006-10-18 |
| US7183587B2 (en) | 2007-02-27 |
| WO2005027233A3 (en) | 2005-09-09 |
| KR20060079214A (ko) | 2006-07-05 |
| WO2005027233A2 (en) | 2005-03-24 |
| JP2007505493A (ja) | 2007-03-08 |
| EP1665395B1 (en) | 2016-03-30 |
| EP1665395A2 (en) | 2006-06-07 |
| CN101630715B (zh) | 2011-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101630715B (zh) | 用于半导体发光器件的固体金属块安装衬底和用于制造它的氧化方法 | |
| US9793453B2 (en) | Light emitting device | |
| KR100764432B1 (ko) | 아노다이징 절연 층을 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법 | |
| US20060139932A1 (en) | Light-emitting unit with enhanced thermal dissipation and method for fabricating the same | |
| CN101142692B (zh) | 具有串联耦合的发光单元阵列的发光二极管封装 | |
| US7821027B2 (en) | LED package structure and manufacturing method, and LED array module | |
| CN1871710B (zh) | 采用电表面安装的发光晶片封装 | |
| CN102376854B (zh) | 发光器件和照明系统 | |
| US9673358B2 (en) | Light emitting module | |
| KR100735310B1 (ko) | 다층 반사 면 구조를 갖는 엘이디 패키지 및 그 제조방법 | |
| CN103227275A (zh) | 布线基板、发光器件以及制造布线基板的方法 | |
| US20080258169A1 (en) | Substrate for mounting light emitting element, light emitting module and lighting apparatus | |
| US20110181182A1 (en) | Top view light emitting device package and fabrication method thereof | |
| US9209373B2 (en) | High power plastic leaded chip carrier with integrated metal reflector cup and direct heat sink | |
| KR101163901B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 | |
| US20200152847A1 (en) | Led package structure, heat-dissipating substrate, method for manufacturing led package structure, and method for manufacturing heat-dissipating substrate | |
| US20230074731A1 (en) | Pixel unit and manufacturing method thereof | |
| US20170117452A1 (en) | Light-emitting device | |
| US20120106171A1 (en) | Led package structure | |
| KR101125437B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 | |
| CN115867748A (zh) | 照明设备和制造照明设备的方法 | |
| CN114762201A (zh) | 半导体激光元件及其制造方法、半导体激光装置 | |
| KR101172177B1 (ko) | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 | |
| KR20170007935A (ko) | 회로 기판 및 이를 포함하는 발광소자 모듈 | |
| WO2012023246A1 (ja) | 発光ダイオードパッケージ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20211129 Address after: California, USA Patentee after: Kerui led Co. Address before: North Carolina Patentee before: CREE, Inc. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20110914 |