KR100907823B1 - 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치에 관한 것으로, 테라헤르츠파의 방사 또는 검출 동작이 수행되는 활성 영역을 구비하는 테라헤르츠파 소자; 중앙 영역에 형성된 개구 영역에 상기 활성 영역이 위치되도록 상기 테라헤르츠파 소자를 실장하고, 상기 테라헤르츠파 소자와 외부 단자간을 전기적으로 연결해주는 소자 기판; 상기 테라헤르츠파 소자의 상부에 고정 배치된 볼 렌즈 블록; 및 상기 테라헤르츠파 소자가 실장된 소자 기판을 내부에 수렴하되, 상기 테라헤르츠파 소자의 활성 영역의 수직 상하부는 개구시키는 상부 및 하부 케이스를 포함하여 구성되며, 이에 의하여 보다 용이하고 간편하게 테스트를 수행하고 테스트 수행후에도 재사용될 수 있도록 하고, 또한 최적의 상태로 보관 및 운반될 수 있도록 지원한다.
테라헤르츠파 소자, 패키징, 테스트, 보관, 운반
Description
본 발명은 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치에 관한 것으로, 특히 하나의 독립된 장치로써 구현되어 보다 용이하게 특성 테스트를 수행할 수 있도록 하고 보존 유지될 수 있도록 하는 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치에 관한 것이다.
본 발명은 정보통신부 및 정보통신연구진흥원의 IT원천기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호: 2006-S-005-02, 과제명: THz-파 발진/변환/검출기 및 신호원].
테라헤르츠(THz) 파는 마이크로파와 적외선 사이에 놓여 있는 0.1 내지 10 테라헤르츠파 범위의 주파수를 가진 전자기파로 기존의 전파와 광 영역 사이에 위치한다. 이 영역은 전파와 광학기술의 기술적 한계영역에 속하게 되어 전자기 스펙트럼 중 가장 접근하기 어려운 영역의 하나로 알려져 왔다.
그러나 펨토초 레이저의 상용화와 함께 재료기술의 발전과 초미세 공정기술의 발달로 고출력 테라헤르츠파 소스들이 등장하여 이 분야의 발달이 획기적으로 이루어졌다.
이로 인해 테라헤르츠파에 대한 관심이 전 세계적으로 고조되고 있는데 테라 헤르츠파의 특성상 향후 다양한 응용 분야에 사용될 가능성이 크기 때문이다.
테라헤르츠파가 가진 고유한 특성을 이용한 분광 및 이미징 기술은 신물질, 의료, 바이오, 보안, 국방, 환경, 우주 및 통신 등과 같은 다양한 고부가가치 서비스 및 첨단 산업 부문에서 관심을 갖고 있을 만큼 매력적인 연구 분야로 성장하고 있다.
또한 선진 각국에서 테라헤르츠파 관련 기술을 중요한 미래 기술의 하나로 포함시키고 있는 것만 보아도 향후 그 응용성과 파급효과가 상당할 것으로 예상된다.
테라헤르츠파는 그 발생 방법에 따라서 연속형과 펄스형으로 나눌 수 있는데 펨토초 레이저에 의한 테라헤르츠파의 발생은 펄스형에 속하며 피코초 이하의 짧은 주기의 펄스 형태이므로 주파수 영역으로 변환하면 수백 GHz 에서 수(십) 테라헤르츠파에 이르는 초광대역의 주파수를 갖는 전자기파를 얻을 수 있다.
이러한 펄스형 테라헤르츠파의 발생은 주로 광전도 안테나법(Photoconductive Antenna, PCA)과 광정류법(Optical Rectification, OR) 그리고 반도체 표면 전계 (Surface-Field of Semiconductor)에 의해 이루어진다.
도1은 광전도 안테나를 이용한 테라헤르츠파의 발생 개념을 설명하기 위한 도시한 도면이다.
도1에 도시된 바와 같이, 광전도 안테나는 반절연성 갈륨비소(Semiinsulator GaAs) 소자 기판(10) 위에 광전도성 박막(11)을 증착하고, 다시 그 위에 중앙 돌출 부위를 갖는 금속 평행 전송선로(전극도 겸함)(12)를 형성함으로써 구현된다.
그리고 금속 평행 전송선로(12)의 중앙 영역에 돌출된 부위는 소형 다이폴 안테나(dipole antenna)로서 작용한다.
이러한 금속 평행 전송선로(12)에 바이어스 전압(Vb)을 가한 상태에서 시간폭이 100 펨토초 이하인 레이저 펄스광(fs)을 사용하여 간헐적으로 여기(excitation)시키면, 광흡수에 의한 캐리어(전자와 정공)가 생성되어 순간적으로 금속 평행 전송선로(12)를 통해 전류가 흐르고, 이 전류의 시간 미분값에 비례하는 테라헤르츠파(쌍극자 방사)가 발생한다.
즉, 
여기서, E는 원거리(방향)에서의 방사전기장이고, i(t)는 광전도전류이고, P(t)는 분극이다.
테라헤르츠파는 유전율이 큰 소자 기판 표면에서 강하게 방사된다. 방사되는 테라헤르츠파의 펄스폭은 1ps 이하로써 범용인 30fs 이상의 레이저 펄스를 사용하여 광 여기시킬 경우, 푸리에(Fourier) 변환하여 얻게 되는 스펙트럼은 0~수 테라헤르츠파까지의 넓은 스펙트럼을 갖게 된다.
소형 다이폴 안테나의 간격은 5μm로서 수백μm로 방사되는 테라헤르츠파의 파장에 비해 충분히 작아서 광펄스에 의해 여기되는 전류가 흐를 때, 캐리어는 집단으로 같은 위상으로 움직인다고 생각되므로 발생되는 테라헤르츠파는 가간섭 방사가 된다.
상기와 같이 반도체 표면에서 테라헤르츠파가 방사되는 경우는, 크게 반도체 표면에 존재하는 빌트인(built-in) 전계에 의해 순간적으로 전류가 발생하는 경우와 여기 된 전하가 확산으로 이동하는 광덴버 효과에 의한 경우가 있는데, 이는 반도체 재료와 여기 조건에 따라 변화한다.
그러나 상기와 같이 반도체 표면에서 전자파가 방사되기 위해서는 고정도 정렬기술이 수반되어야하는 데, 이는 본 발명의 원천적인 필요성이라 할 수 있다.
도2는 일반적인 광전도 안테나를 이용한 테라헤르츠파 소자의 전면도로, 도2를 참조하면, 테라헤르츠파 소자는 GA/AS 소자 기판상에 패터닝되는 광전도 안테나형의 금속 패턴(21)과 금속 패턴(21)의 양단에 형성된 전극 패드(22)를 통해 형성됨을 알 수 있다.
이에 도2의 테라헤르파 소자는 앞서 설명한 바와 같이 100 펨토초 이하인 레이저 펄스광(fs)을 인가받아 테라헤르츠파(THz)를 발생하여 외부로 방사하게 된다.
그러나 이와 같이 구성되는 테라헤르츠파 소자는 완전한 디바이스로써 패키징되지 못해, 소자의 특성을 테스트하기 위해서는 테라헤르츠파 소자에 직접 전도성 접착제나 인듐 접합을 수행하여 테스트 시스템과 전기적 또는 기구적으로 결합하여야 하였다. 즉, 고전계를 인가하는 파워 공급기와 테스트 시스템의 콘텍터에 연결된 전선을 테라헤르츠파 소자의 금속 패턴(21)에 집적 연결하여야 했다.
이에 테라헤르츠파 소자의 특성을 테스트하기가 매우 번거롭고 까다로워지는 단점이 있었다.
또한 테스트가 완료된 후에는 다시 전도성 접착제나 인듐 접합을 통하여 접합된 신호라인들을 제거하여야 하므로, 소자의 정렬이 흐트러지고 오염되어 재사용 할 수 없게 되는 문제가 있었다.
뿐만 아니라 테라헤르츠파 소자가 앞서 설명한 바와 같이 패키징되지 못해 외부의 환경에 의해 매우 쉽게 파손 또는 오염될 수 있어, 소자의 운반 또는 보관이 매우 어려워지는 문제도 있었다.
이에 본 발명에서는 테라헤르츠파 소자를 하나의 완전한 디바이스로 패키징하여 소자 특성을 보다 용이하고 간편하게 테스트하며 테스트후에도 재사용될 수 있도록 할 뿐 만 아니라, 최적의 특성 상태에서 보존 및 운반될 수 있도록 하는 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따르면 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 수단으로써, 테라헤르츠파의 방사 또는 검출 동작이 수행되는 활성 영역을 구비하는 테라헤르츠파 소자; 중앙 영역에 형성된 개구 영역에 상기 활성 영역이 위치되도록 상기 테라헤르츠파 소자를 실장하고, 상기 테라헤르츠파 소자와 외부 단자간을 전기적으로 연결해주는 소자 기판; 상기 테라헤르츠파 소자의 상부에 고정 배치된 볼 렌즈 블록; 및 상기 테라헤르츠파 소자가 실장된 소자 기판을 내부에 수렴하되, 상기 테라헤르츠파 소자의 활성 영역의 수직 상하부는 개구시키는 상부 및 하부 케이스를 포함하는 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치를 제공한다.
그리고 필요한 경우에는 상기 상부 및 하부 케이스와 결합되어, 상기 상부 및 하부 케이스의 개구 영역을 밀폐시키는 상부 및 하부 캡을 더 구비할 수 있다.
그리고 상기 테라헤르츠파 소자는 정사각형의 GA/AS 소자 기판; 상기 GA/AS 소자 기판상에 패터닝된 광전도 안테나형의 금속 패턴; 상기 금속 패턴의 끝단에 각각 형성된 전극 패드; 및 상기 GA/AS 소자 기판의 모서리들 각각에 형성된 접촉 패드를 포함한다.
그리고 상기 볼 렌즈 블록은 반구 형태로 구현되는 볼 렌즈; 및 상기 볼 렌즈의 외측면을 둘러싸는 원통 형태로 구현되어 상기 볼렌즈를 고정시키는 스리브를 포함하며, 상기 볼 렌즈 및 상기 스리브는 에폭시 접합 작업을 통해 칩 형태로 일체화된다.
그리고 상기 소자 기판은 중앙 영역이 개구된 적층형 세라믹 보드; 상기 테라헤르츠파 소자의 전극 패드에 대응되는 위치를 가지도록 상기 세라믹 보드에 형성되는 제1 접촉 패드들; 상기 테라헤르츠파 소자의 접합 보조 패드에 대응되는 위치를 가지도록 상기 세라믹 보드에 형성되는 제2 접촉 패드들; 상기 외부 단자가 결합될 수 있도록 상기 세라믹 보드의 일측에 형성되는 홀 패턴; 및 상기 제1 접촉 패드들과 상기 홀 패턴간을 전기적으로 연결하도록 상기 세라믹 보드에 패터닝된 신호 라인을을 포함한다.
그리고 상기 제1 및 제2 접촉 패드들은 상기 세라믹 보드의 최상부층에 형성되고, 상기 신호 라인은 상기 세라믹 보드의 하부층에 형성되는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 본 발명의 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치는 테라헤르츠파 소자를 하나의 완전한 디바이스로 패키징하여, 최적의 특성 상태에서 보존 및 운반될 수 있도록 한다.
또한 BNC 커넥터와 같은 외부 단자가 결합될 수 있도록 지원하는 외부 단자 결합부를 별도로 구비하여, 테스트 시스템과 같은 외부 장치가 상기의 외부 단자를 통해 보다 용이하게 접속될 수 있도록 한다. 이에 테라헤르츠파 소자의 테스트가 보다 용이하고 간편하게 수행될 뿐 만 아니라 테스트 후에도 재사용될 수 있도록 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시 예에 대한 동작 원리를 상세하게 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.
또한, 도면 전체에 걸쳐 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.
도3 및 도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치의 구조를 설명하기 위한 사시 분해도 및 측면도이다.
도3 및 도4를 참조하면, 본 발명의 패키징 장치는 도2와 동일하게 동작하되 테라헤르츠파의 방사 또는 검출 동작이 수행되는 활성 영역을 구비하는 테라헤르츠파 소자(31), 중앙 영역에 형성된 개구 영역에 상기의 활성 영역이 위치되도록 테라헤르츠파 소자(31)를 실장하고, 테라헤르츠파 소자(31)와 외부 단자(40)간을 전기적으로 연결해주는 소자 기판(32), 테라헤르츠파 소자(31)의 상부에 고정 배치된 볼 렌즈 블록(33), 테라헤르츠파 소자(31)가 실장된 소자 기판(32)을 내부에 수렴 하되, 테라헤르츠파 소자(31)의 활성 영역의 수직 상하부는 개구시키는 상부 및 하부 케이스(34,35)를 구비한다.
이와 같이 본 발명의 패키징 장치는 테라헤르츠파 소자(31)를 패키징하고, 테스트 시스템과 같이 외부 측정 장치에 연결되는 외부 단자(40)와 테라헤르츠파 소자(31)와 전기적으로 연결시켜 준다.
또한, 테라헤르츠파 소자(31)의 활성 영역의 수직 상하부에 위치하는 소자 기판(32), 상부 케이스(34) 및 하부 케이스(35)의 영역은 모두 개방시켜, 테라헤르츠파 소자(31)로 직접 레이저 펄스광(fs)을 조사되고, 테라헤르츠파 소자(31)에 의해 발생되는 테라헤르츠파(THz)가 외부로 방사될 수 있도록 한다.
그리고 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치가 보관 또는 운반될 때에는 테라헤르츠파 소자(31)가 완전히 밀폐될 수 있도록, 상부 및 하부 케이스(34, 35)와 결합하면서 상부 및 하부 케이스(34, 35)의 개구 영역을 밀폐하는 상부 및 하부 캡(36,37)을 더 구비할 수도 있다.
바람직하게, 상부 캡(36)은 볼 렌즈 블록(33)을 내부에 수렴할 수 있도록 밑면은 개방되고 윗면은 밀폐된 컵 모양으로 구현되도록 한다.
이하, 테라헤르츠파 소자의 패키징 방법을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 테라헤르츠파 소자(31)를 구현하고, 테라헤르츠파 소자(31)가 실장되며 외부 단자(40)가 결합 가능한 소자 기판(32)을 구현한 후, 이들을 스텐실 마스크와 같은 고정렬 작업과 전도성 에폭시 접합 작업을 통해 접합시킨다.
반구 형태의 볼 렌즈와 원통 형태의 스리브를 에폭시 접합 작업을 통해 칩 형태로 일체화시켜 볼 렌즈 블록(33)을 구현한 후, 이를 고 정렬 에폭시 작업을 통해 테라헤르츠파 소자(31)의 상부면에 고정 배치한다.
소자 기판(32)의 전면과 후면 각각에 상부 및 하부 커버(34,35)를 위치시킨 후, 각 커버(34,35)의 체결공을 고정 볼트로 조여 도5와 같은 구조의 가지는 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치를 구현한다.
만약, 본 발명의 테라헤르츠파 소자를 테스트하고자 하는 경우에는 상기 도5의 구조로 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치를 구현하고, 테라헤르츠파 소자를 보관 또는 운반하고자 하는 경우에는 상부 및 하부 커버(34,35) 각각에 형성된 개구 영역을 상부 및 하부 캡(36,37)을 통해 밀폐되도록 한다.
이와 같이 본 발명의 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치는 외부 단자(40)가 결합될 수 있도록 하고, 이를 통해 측정시스템과 테라헤르츠파 소자간의 전기적 및 기구적으로 결합될 수 있도록 지원한다.
그 결과 종래에서와 같이 전도성 접착제나 인듐 접합 작업을 수행할 필요가 없어져, 보다 용이하고 간편하게 테스트를 수행할 수 있도록 할 뿐 아니라 테스트 시간 및 비용도 획기적으로 감소시켜 준다.
또한, 본 발명의 패키징 장치는 상부 및 하부 케이스(34, 35) 그리고 상부 및 하부 캡(36, 37)을 통해 테라헤르츠파 소자를 밀폐시킴으로써, 외부 환경에 의한 영향을 최소화하여 준다. 이에 테라헤르츠파 소자는 보다 용이하게 보관 및 운반되어진다.
도6은 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠파 소자의 구조를 설명하기 위 한 정면도이다.
도6을 참조하면, 테라헤르츠파 소자(31)는 정사각형의 GA/AS 소자 기판(31-1), GA/AS 소자 기판(31-1)상에 패터닝되는 광전도 안테나형의 금속 패턴(31-2), 금속 패턴(31-2)의 끝단에 각각 형성되어 바이어스 전압을 인가하는 전극 패드(31-3) 및 GA/AS 소자 기판의 모서리들 각각에 형성되어 소자 기판(32)과의 접합을 보다 안정적으로 수행하도록 하는 접합 보조 패드(31-4)로 구현된다.
본 발명에서 테라헤르츠파 소자(31)를 정사각형으로 구현하는 것은, 차후에 볼 렌즈 블록(33)을 접합할 때에 인가될 물리력을 균형적으로 분산시켜, 볼 렌즈 블록(33)와의 접합 작업을 수행할 때에 테라헤르츠파 소자(31)가 외부 물리력에 의해 휘어지는 것을 사전에 방지하기 위함이다.
즉, 외부의 물리력에 의한 휨 현상을 최대한 방지하여, 볼 렌즈 블록(33)이 테라헤르츠파 소자(31)에 대해 보다 완전히 면 접합되고 정렬될 수 있도록 하기 위함이다.
만약, 테라헤르츠파 소자(31)가 직사각형으로 구현된다면, 물리력이 인가될 때 힘이 불균형적으로 분산되어 상대적으로 길이가 긴 면의 양측으로 휘게 된다. 그 결과 테라헤르츠파 소자(31)와 볼 렌즈 블록(33)간에는 소정의 공백이 생기게 되고, 그에 따라 볼 렌즈 블록(33)이 소자에 대해 완전한 면 접합 및 정렬되기가 매우 어려워진다.
도7은 본 발명의 일 실시예에 따른 소자 기판의 구조를 설명하기 위한 정면도이다.
도7을 참조하면, 소자 기판(32)은 중앙 영역이 개구된 적층형 세라믹 보드(32-1), 테라헤르츠파 소자(31)의 전극 패드(31-2)에 대응되는 위치에 형성되어 상기 전극 패드(31-2)와 접촉되는 제1 접촉 패드들(32-2), 테라헤르츠파 소자(31)의 접합 보조 패드(31-3)에 대응되는 위치에 형성되어 테라헤르츠파 소자(31)와의 접합이 보다 안정적으로 수행되도록 하는 제2 접촉 패드들(32-3), BNC 커넥터와 같은 외부 단자(40)가 결합될 수 있도록 소자 기판(32)의 모서리 영역에 형성된 홀 패턴(32-4), 및 제1 접촉 패드(32-2)들과 홀 패턴(32-4)간을 전기적으로 연결하도록 금속 패터닝된 신호 라인(32-5)을 포함한다.
바람직하게는, 소자 기판(32)의 최상부층에는 테라헤르츠파 소자(31)의 전극 패드(31-3)와 접합 보조 패드(31-4)들과 전기적으로 접촉되는 제1 및 제2 접촉 패드들(32-2,32-3)을 주로 형성하도록 하고, 하부층에는 제1 접촉 패드들(32-2)과 홀 패턴(32-4)간을 전기적으로 연결하기 위한 신호 라인(32-5)이 주로 형성되도록 한다.
도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠파 소자에 접합된 볼 렌즈 블록의 구조를 설명하기 위한 측면도이다.
도8을 참조하면, 볼 렌즈 블록(33)은 반구 형태로 구현되는 볼 렌즈(33-1) 및 볼 렌즈(33-1)를 고정하도록 볼 렌즈(33-1)의 외측면을 둘러싸는 원통 형태로 구현되는 스리브(33-2)를 구비하고, 칩(chip)형으로 일체화시킨다.
이러한 볼 렌즈 블록(33)은 볼 렌즈(33-1)가 테라헤르츠파 소자(31)의 광전도 안테나형의 금속 패턴(31-2) 위에 위치되도록 테라헤르츠파 소자(31)의 전면에 고정된다.
이때, 볼 렌즈(33-1)를 반구 형태로 구현하는 것은, 테라헤르츠파 소자(31)에 의해 발생되어 산란되는 테라헤르츠파를 하나로 모아 직선 형태로 방사하도록 하기 위함이다.
도9는 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠파 소자의 상부 및 하부 커버의 구조를 설명하기 위한 사시도이다.
도9를 참조하면, 상부 커버(34)는 테라헤르츠파 소자(31)의 활설 영역의 상부에 형성된 개구부(34-1) 및 외곽 영역에 다수개 형성되어 하부 커버(35)와의 체결을 유도하고 소자 기판(32)을 고정시키기 위한 제1 및 제2 상부 체결공(34-2,34-3)을 구비한다.
그리고 하부 커버(35)는 테라헤르츠파 소자(31)의 활설 영역의 하부에 형성된 개구부(35-1, 외곽 영역에 다수개 형성되어 상부 커버(34)와의 체결을 유도하고 소자 기판(32)을 고정시키기 위한 제1 및 제2 하부 체결공(35-2,35-3)을 구비한다.
이와 같은 상부 커버(34)와 하부 커버(35)는 상부 체결공(34-2) 및 하부 체결공(35-2)을 고정 볼트로 조임으로써, 내부에 테라헤르츠파 소자(31)가 실장된 소자 기판(32)을 수렴하면서 테라헤르츠파 소자(31)의 활성 영역은 개구시켜 주는 하나의 커버 장치로 결합된다.
상기의 설명에서는 하나의 광전도 안테나형의 금속 패턴만이 형성된 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치 및 방법에 대해서만 설명하였으나, 경우에 따라서는 테 라헤르츠파 소자내에는 도10에 도시된 바와 같이 다수개의 광전도 안테나형의 금속 패턴이 형성될 수도 있다.
이러한 경우에는 도11에 도시된 바와 같이 소자 기판(43)의 일측면 모두를 외부 단자 결합부로 구현하여 보다 많은 핀수를 가지는 외부 단자(50)가 상기 소자 기판(43)에 실장될 수 있도록 한다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경할 수 있다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 당업자에게 있어 명백할 것이다.
도1은 광전도 안테나를 이용한 테라헤르츠파의 발생 개념을 설명하기 위한 도시한 도면,
도2는 일반적인 광전도 안테나를 이용한 테라헤르츠파 소자의 전면도,
도3 및 도4는 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치의 구조를 설명하기 위한 사시 분해도 및 측면도,
도5는 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치의 결합도,
도6은 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠파 소자의 구조를 설명하기 위한 정면도,
도7은 본 발명의 일 실시예에 따른 소자 기판의 구조를 설명하기 위한 정면도,
도8은 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠파 소자에 접합된 볼 렌즈 블록의 구조를 설명하기 위한 측면도,
도9는 본 발명의 일 실시예에 따른 테라헤르츠파 소자의 상부 및 하부 커버의 구조를 설명하기 위한 사시도도,
도10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 테라헤르츠파 소자의 구조를 설명하기 위한 정면도, 그리고
도11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치를 도시한 사시 분해도이다.
Claims (7)
- 삭제
- 테라헤르츠파의 방사 또는 검출 동작이 수행되는 활성 영역을 구비하는 테라헤르츠파 소자;중앙 영역에 형성된 개구 영역에 상기 활성 영역이 위치되도록 상기 테라헤르츠파 소자를 실장하고, 상기 테라헤르츠파 소자와 외부 단자간을 전기적으로 연결해주는 소자 기판;상기 테라헤르츠파 소자의 상부에 고정 배치된 볼 렌즈 블록; 및상기 테라헤르츠파 소자가 실장된 소자 기판을 내부에 수렴하되, 상기 테라헤르츠파 소자의 활성 영역의 수직 상하부는 개구시키는 상부 및 하부 케이스를 포함하고,상기 상부 및 하부 케이스와 결합되어, 상기 상부 및 하부 케이스의 개구 영역을 밀폐시키는 상부 및 하부 캡을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치.
- 테라헤르츠파의 방사 또는 검출 동작이 수행되는 활성 영역을 구비하는 테라헤르츠파 소자;중앙 영역에 형성된 개구 영역에 상기 활성 영역이 위치되도록 상기 테라헤르츠파 소자를 실장하고, 상기 테라헤르츠파 소자와 외부 단자간을 전기적으로 연결해주는 소자 기판;상기 테라헤르츠파 소자의 상부에 고정 배치된 볼 렌즈 블록; 및상기 테라헤르츠파 소자가 실장된 소자 기판을 내부에 수렴하되, 상기 테라헤르츠파 소자의 활성 영역의 수직 상하부는 개구시키는 상부 및 하부 케이스를 포함하고,상기 테라헤르츠파 소자는정사각형의 GA/AS 소자 기판;상기 GA/AS 소자 기판상에 패터닝된 광전도 안테나형의 금속 패턴;상기 금속 패턴의 끝단에 각각 형성된 전극 패드; 및상기 GA/AS 소자 기판의 모서리들 각각에 형성된 접합 보조 패드를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치.
- 테라헤르츠파의 방사 또는 검출 동작이 수행되는 활성 영역을 구비하는 테라헤르츠파 소자;중앙 영역에 형성된 개구 영역에 상기 활성 영역이 위치되도록 상기 테라헤르츠파 소자를 실장하고, 상기 테라헤르츠파 소자와 외부 단자간을 전기적으로 연결해주는 소자 기판;상기 테라헤르츠파 소자의 상부에 고정 배치된 볼 렌즈 블록; 및상기 테라헤르츠파 소자가 실장된 소자 기판을 내부에 수렴하되, 상기 테라헤르츠파 소자의 활성 영역의 수직 상하부는 개구시키는 상부 및 하부 케이스를 포함하고,상기 볼 렌즈 블록은반구 형태로 구현되는 볼 렌즈; 및상기 볼 렌즈의 외측면을 둘러싸는 원통 형태로 구현되어 상기 볼렌즈를 고정시키는 스리브를 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치.
- 제4항에 있어서,상기 볼 렌즈 및 상기 스리브는에폭시 접합 작업을 통해 칩 형태로 일체화되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치.
- 테라헤르츠파의 방사 또는 검출 동작이 수행되는 활성 영역을 구비하는 테라헤르츠파 소자;중앙 영역에 형성된 개구 영역에 상기 활성 영역이 위치되도록 상기 테라헤르츠파 소자를 실장하고, 상기 테라헤르츠파 소자와 외부 단자간을 전기적으로 연결해주는 소자 기판;상기 테라헤르츠파 소자의 상부에 고정 배치된 볼 렌즈 블록; 및상기 테라헤르츠파 소자가 실장된 소자 기판을 내부에 수렴하되, 상기 테라헤르츠파 소자의 활성 영역의 수직 상하부는 개구시키는 상부 및 하부 케이스를 포함하고,상기 소자 기판은중앙 영역이 개구된 적층형 세라믹 보드;상기 테라헤르츠파 소자의 전극 패드에 대응되는 위치를 가지도록 상기 세라믹 보드에 형성되는 제1 접촉 패드들;상기 테라헤르츠파 소자의 접합 보조 패드에 대응되는 위치를 가지도록 상기 세라믹 보드에 형성되는 제2 접촉 패드들;상기 외부 단자가 결합될 수 있도록 상기 세라믹 보드의 일측에 형성되는 홀 패턴; 및상기 제1 접촉 패드들과 상기 홀 패턴간을 전기적으로 연결하도록 상기 세라믹 보드에 패터닝된 신호 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치.
- 제6항에 있어서,상기 제1 및 제2 접촉 패드들은 상기 세라믹 보드의 최상부층에 형성되고, 상기 신호 라인은 상기 세라믹 보드의 하부층에 형성되는 것을 특징으로 하는 테라헤르츠파 소자의 패키징 장치.
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|---|---|---|---|---|
| KR101037629B1 (ko) * | 2008-12-03 | 2011-05-30 | 한국전자통신연구원 | 포토믹스 모듈 |
| US8330110B2 (en) * | 2009-09-10 | 2012-12-11 | Advantest Corporation | Container, container positioning method, and measuring method |
| US8294121B2 (en) * | 2009-11-10 | 2012-10-23 | Advantest Corporation | Fixing instrument |
| JPWO2011118398A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2013-07-04 | 株式会社村田製作所 | テラヘルツ光受発光モジュール |
| WO2011118397A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | 株式会社村田製作所 | テラヘルツ光受発光モジュールおよびテラヘルツ光の偏光制御方法 |
| DE102011054277A1 (de) * | 2010-10-08 | 2012-04-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Kondenserlinsengekoppelte photoleitende Antennenvorrichtung für Terahertzwellenerzeugung und -erkennung sowie Herstellungsverfahren dafür |
| CN104882492A (zh) * | 2015-05-07 | 2015-09-02 | 电子科技大学 | 一种太赫兹探测阵列的片级封装结构 |
| JP2017028191A (ja) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光伝導アンテナ素子 |
| TW201721206A (zh) * | 2015-11-11 | 2017-06-16 | 鴻騰精密科技股份有限公司 | 連接器組件 |
| CN111337430A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-06-26 | 华太极光光电技术有限公司 | 透射式太赫兹探头调节装置及定位方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020065801A (ko) * | 2001-02-07 | 2002-08-14 | 이기성 | 볼록렌즈가 부착된 휴대용케이스 |
| JP2007129043A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Mitsuteru Kimura | 深い準位を持つテラヘルツ波発生ダイオードおよびこれを用いたテラヘルツ波放射装置 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5894125A (en) * | 1997-08-18 | 1999-04-13 | Lucent Technologies Inc. | Near field terahertz imaging |
| US6816647B1 (en) * | 1999-10-14 | 2004-11-09 | Picometrix, Inc. | Compact fiber pigtailed terahertz modules |
| US6967347B2 (en) * | 2001-05-21 | 2005-11-22 | The Regents Of The University Of Colorado | Terahertz interconnect system and applications |
| JPWO2003005509A1 (ja) * | 2001-07-02 | 2004-10-28 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール、光増幅器及び半導体レーザモジュールの製造方法 |
| US6815683B2 (en) * | 2002-05-31 | 2004-11-09 | New Jersey Institute Of Technology | Terahertz imaging system and method |
| US7183587B2 (en) * | 2003-09-09 | 2007-02-27 | Cree, Inc. | Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices |
| US7198416B2 (en) * | 2004-02-04 | 2007-04-03 | Omron Network Products, Llc | Optical combiner device |
| CN101203742B (zh) * | 2004-05-26 | 2011-10-19 | 派克米瑞斯有限责任公司 | 用于行李和人员检查的以反射和透射方式进行兆兆赫成像 |
| US7345279B2 (en) * | 2005-09-20 | 2008-03-18 | Coherent, Inc. | Identification of hidden objects by terahertz heterodyne laser imaging |
| DE102005036520A1 (de) * | 2005-04-26 | 2006-11-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisches Bauteil, optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil und dessen Herstellung |
| US7466734B1 (en) * | 2005-06-15 | 2008-12-16 | Daylight Solutions, Inc. | Compact external cavity mid-IR optical lasers |
| US7535936B2 (en) * | 2005-08-05 | 2009-05-19 | Daylight Solutions, Inc. | External cavity tunable compact Mid-IR laser |
| JP3992059B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2007-10-17 | 松下電工株式会社 | 発光装置の製造方法 |
| US20070228355A1 (en) * | 2005-12-06 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Terahertz wave radiating device |
| US7851761B2 (en) * | 2006-03-27 | 2010-12-14 | Liviu Popa-Simil | Multi-band terahertz receiver and imaging device |
| US20080203412A1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-08-28 | E-Pin Optical Industry Co., Ltd. | LED assembly with molded glass lens |
| US7795582B2 (en) * | 2007-10-19 | 2010-09-14 | Honeywell International Inc. | System and method of monitoring with temperature stabilization |
-
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-
2008
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020065801A (ko) * | 2001-02-07 | 2002-08-14 | 이기성 | 볼록렌즈가 부착된 휴대용케이스 |
| JP2007129043A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Mitsuteru Kimura | 深い準位を持つテラヘルツ波発生ダイオードおよびこれを用いたテラヘルツ波放射装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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