WO2011118397A1 - テラヘルツ光受発光モジュールおよびテラヘルツ光の偏光制御方法 - Google Patents

テラヘルツ光受発光モジュールおよびテラヘルツ光の偏光制御方法 Download PDF

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antenna element
emitting module
light receiving
hemispherical lens
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Inventor
松本直樹
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株式会社村田製作所
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    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Definitions

  • the present invention relates to a terahertz light receiving and emitting module used as a terahertz light emitter or detector, and a terahertz light polarization control method using the terahertz light receiving and emitting module.
  • a terahertz light receiving and emitting module is used as a terahertz light emitter or detector.
  • the terahertz light receiving and emitting module includes a photoconductive antenna element, a hemispherical lens, and a module housing (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
  • the photoconductive antenna element is obtained by forming an antenna pattern of a predetermined shape such as a dipole antenna or a bow tie antenna on a GaAs substrate provided with a low temperature growth GaAs film.
  • An antenna pattern of a photoconductive antenna element generally has an electrode gap portion where electrodes are opposed to each other with a minute interval, and a pulse laser beam is irradiated to the electrode gap portion while a bias voltage is applied.
  • the photoexcited carriers generated instantaneously are accelerated by a bias electric field and emitted as terahertz light.
  • a pulsed laser beam for excitation is irradiated onto the electrode gap portion in a state where the terahertz light is irradiated, so that a minute current corresponding to the electric field intensity by the terahertz light is generated in the electrode gap portion.
  • the intensity of the terahertz light can be detected based on this minute current.
  • the hemispherical lens has a flat surface and a spherical surface, and is provided so that the flat surface is in close contact with the photoconductive antenna element, suppressing reflection at the interface with the photoconductive antenna element and free from the photoconductive antenna element.
  • Terahertz light is radiated into space, or terahertz light is collected from free space onto a photoconductive antenna element.
  • the photoconductive antenna element When the photoconductive antenna element emits terahertz light, it emits linearly polarized light as terahertz light.
  • the in-plane polarization direction of the terahertz light is uniquely determined in the application direction of the bias electric field applied to the electrode gap portion, that is, the electrode facing direction of the electrode gap portion.
  • detecting terahertz light basically only light polarized in the electrode facing direction of the electrode gap part can be detected, and detection is possible for terahertz light having an in-plane polarization direction different from the electrode facing direction. Efficiency is greatly reduced.
  • spectroscopic methods that measure the physical property value of a sample by controlling the polarization of terahertz light.
  • a conventional photoconductive antenna element is used in order to control the in-plane polarization direction of terahertz light.
  • the placement of the terahertz light receiving and emitting module was manually controlled so that the rotation angle posture of the light source was optimized. Then, when the arrangement of the terahertz light receiving and emitting module is changed, optical adjustment is manually performed so that the light receiving and emitting position and angle of the terahertz light return to the original state.
  • the rotation angle posture of the photoconductive antenna element with respect to the module housing is fixed in a unique direction by a holding member or the like. For this reason, it has been necessary to manually change the arrangement and optical adjustment of the terahertz light receiving and emitting module.
  • a photoconductive antenna element is fixed to a wiring board, and the wiring board is fixed to a housing module. For this reason, the photoconductive antenna element is fixed to the housing module, and the in-plane polarization direction cannot be controlled with respect to the assembled module housing.
  • a hemispherical lens is fitted from a flat surface into a predetermined opening provided in the module housing, and a photoconductive antenna element is provided in a hole provided on the opposite side of the opening. Insert and fix the photoconductive antenna element to the module housing. For this reason, the arrangement angle of the photoconductive antenna element with respect to the module housing is fixed, and it is impossible to control the in-plane polarization direction with respect to the assembled module housing.
  • the present invention has been made in view of the circumstances as described above, and can freely control the in-plane polarization direction of the terahertz light, and even if the in-plane polarization direction is controlled, no module layout change or optical adjustment is required. It is an object of the present invention to provide a terahertz light receiving / emitting module and a polarization control method for terahertz light using the terahertz light receiving / emitting module.
  • the invention according to claim 1 is a terahertz light receiving and emitting module including a hemispherical lens, a photoconductive antenna element, and a module housing, wherein the hemispherical lens and the photoconductive antenna element are held by a mount element and a fixed cover. And a holding means for holding the rotating body rotatably with respect to the module housing.
  • the hemispherical lens is made of a material that transmits terahertz light, and is provided with a flat surface and a spherical surface having a center on a perpendicular passing through the center of the flat surface.
  • the photoconductive antenna element has a flat plate shape, an antenna pattern is formed on the front main surface, and the back main surface is in contact with the flat surface of the hemispheric lens.
  • the module housing is equipped with a photoconductive antenna element and a hemispherical lens.
  • the mount element abuts on the front main surface of the photoconductive antenna element with the antenna pattern exposed.
  • the fixed cover contacts the spherical surface of the hemispherical lens.
  • the rotating body which holds the hemispherical lens and the photoconductive antenna element by the mount element and the fixed cover, is rotated with respect to the module housing, so that the relative relationship between the hemispherical lens and the photoconductive antenna element is increased.
  • the in-plane polarization direction of the terahertz light can be changed while maintaining the proper arrangement and maintaining the absolute arrangement of the module housing.
  • the holding means according to claim 2 includes a rotary table having an opening to which the rotating body is attached coaxially and whose rotation center coincides with the center of the rotating body. In this configuration, the in-plane polarization direction of the terahertz light with respect to the module housing can be easily changed by rotating the rotary table.
  • a module housing an attachment portion for attaching the mount element, an opening for exposing the antenna pattern, and a connector portion for electrically connecting the antenna pattern to an external circuit. It is preferable that the connector part and the antenna pattern are connected via a wiring wire passing through the opening. With this configuration, it is possible to rotate the rotating body while maintaining the connection with the wiring wires.
  • a terahertz light polarization control method wherein the terahertz light receiving and emitting module includes a drive control unit that controls a rotation angle of a rotary table, and the surface of the terahertz light is controlled by the drive control unit. It is preferable to control the inner polarization direction.
  • the in-plane polarization direction of the terahertz light can be freely controlled by spectroscopic measurement of the sample using terahertz light, and the measurement can be facilitated and automated.
  • the rotating body that holds the hemispherical lens and the photoconductive antenna element by the mount element and the fixed cover is rotated with respect to the module housing, so that the relative relationship between the hemispherical lens and the photoconductive antenna element is increased.
  • the in-plane polarization direction of the terahertz light with respect to the module housing can be changed while maintaining a simple arrangement and maintaining the absolute arrangement of the module housing. Therefore, in spectroscopic measurement of a sample using terahertz light, it is not necessary to change the arrangement of the module housing when performing polarization control of the terahertz light, and it is not necessary to perform optical adjustment.
  • FIG. 1 is a schematic assembly diagram of a terahertz light receiving and emitting module 11 according to the present embodiment.
  • 2A is a schematic front view of the terahertz light receiving / emitting module 11
  • FIG. 2B is a schematic rear view of the terahertz light receiving / emitting module 11
  • FIG. 2C is a terahertz light receiving / emitting light.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the module 11 in FIG. 2 (A) AA ′.
  • FIGS. 1 and 2 display the photoconductive antenna element 14 and the mount element 15 of the terahertz light receiving and emitting module 11 rotated by 90 degrees.
  • the terahertz light receiving / emitting module 11 includes a fixed cover 12, a hemispherical lens 13, a photoconductive antenna element 14, a mount element 15, a rotary table 16, and a module housing 17.
  • the module housing 17 has a box shape excluding the back side wall surface, and is made of a metal that is easy to process such as aluminum and has little corrosiveness.
  • the module housing 17 is provided with a circular opening in the center of the front surface, and a screw hole serving as a mounting portion of the rotary table 16 along the outer periphery of the circular opening.
  • an SMA connector 19 is provided on the side wall surface of the module housing 17. As shown in FIG. 2B, the SMA connector 19 is connected to the positive electrode (+) of the antenna pattern 18 by a wiring wire 19A.
  • the negative electrode ( ⁇ ) of the antenna pattern 18 is connected to the module housing 17 by the wiring wire 19B and grounded.
  • the wiring wires 19A and 19B have a certain length of margin so that the connection between the antenna pattern 18 and the SMA connector 19 can be maintained even when the mount element 15 is rotated with respect to the module housing 17.
  • the fixed cover 12 is formed of an annular resin plate, and has a circular opening at the center and a screw hole along the outer periphery of the circular opening.
  • the circular opening has an opening diameter smaller than that of the hemispherical lens 13.
  • the fixed cover 12 is assembled to the mount element 15 by a fixing screw, and when assembled to the mount element 15, the edge of the opening side surface contacts the spherical surface of the hemispherical lens 13 over the entire circumference. For this reason, the opening center axis of the fixed cover 12 passes through the center of the spherical surface of the hemispherical lens 13.
  • the fixed cover 12 is made of resin and has elasticity, it can prevent the hemispherical lens 13 and the photoconductive antenna element 14 from being damaged due to excessive stress when the fixing screw is tightened. In addition, it can be mass-produced by an injection molding method and manufactured at a low cost.
  • the hemispherical lens 13 is made of a material that has substantially the same refractive index as the constituent material of the photoconductive antenna element 14 (here, mainly GaAs) and transmits terahertz light, such as high-resistance silicon, and has a flat surface and a center of the flat surface. And a spherical surface having a center on a perpendicular line passing through. A perpendicular passing through the center of the flat surface becomes the optical axis of the hemispherical lens 13.
  • a so-called hemispherical lens in which the center of the spherical surface is located on a flat surface is used as the hemispherical lens 13.
  • a so-called super hemispherical lens in which the center of the spherical surface is located inside the hemispherical lens 13 may be used.
  • the directivity region of the irradiated terahertz light can be controlled in a beam shape.
  • the hemispherical lens 13 is assembled to the mount element 15 so that the spherical surface faces the front side and the flat surface faces the back side.
  • the photoconductive antenna element 14 is a rectangular flat plate having a thickness of about 0.35 mm, the diagonal dimension of the flat plate is smaller than the diameter of the hemispherical lens 13, and the antenna pattern 18 is provided on the surface.
  • the photoconductive antenna element 14 is assembled to the mount element 15 so that the back surface is in contact with the flat surface of the hemispherical lens 13.
  • FIG. 2B also shows a surface view of the photoconductive antenna element 14 alone.
  • the photoconductive antenna element 14 is formed by forming a low-temperature grown GaAs film on the surface of a flat GaAs substrate and providing an antenna pattern 18 on the surface of the low-temperature grown GaAs film.
  • the antenna pattern 18 includes a pair of antenna electrodes 18A and 18B.
  • the antenna electrode 18A and the antenna electrode 18B are line-symmetric with each other, and center on an electrode gap portion 18C facing each other with a minute interval (generally about 5 ⁇ m). Have in the department.
  • the electrode gap portion 18C serves as a point light source for terahertz light.
  • the antenna electrodes 18A and 18B can be formed by a lithography method or the like generally used in the manufacture of semiconductors, and the external dimensional accuracy of the photoconductive antenna element 14 is extremely high by using a dicer for processing semiconductor chips. It can be obtained with high accuracy. Therefore, the electrode gap 18C provided at the center of the substrate of the photoconductive antenna element 14 and the center of the antenna pattern 18 can be matched with an error of 1 ⁇ m or less.
  • the mount element 15 is formed of a substantially annular resin plate, and is provided with a circular recess 15A at the center of the surface, a rectangular recess 15B at the center of the bottom of the recess of the circular recess 15A, and an opening 15C at the bottom of the recess of the rectangular recess 15B.
  • double screw holes are provided on the surface along the outer periphery of the circular recess 15A, the outer screw holes are used for assembling the mount element 15 to the rotary table 16, and the inner screw holes are used for the fixing cover 12. Used for assembling.
  • Circular recess 15A is for holding the lens.
  • the rectangular recess 15B is for holding an element, and here, the recess is formed with a recess depth of about 0.3 mm.
  • the center of the rectangular recess 15B is arranged so as to be coaxial with the center of the circular recess 15A.
  • the opening 15 ⁇ / b> C has substantially the same shape as the antenna pattern 18 provided on the surface of the photoconductive antenna element 14, and at least the central portion of the antenna pattern 18 is exposed to the back side of the terahertz light receiving / emitting module 11.
  • the photoconductive antenna element 14 is assembled by assembling the photoconductive antenna element 14, the hemispherical lens 13, and the fixed cover 12 on the surface side of the mount element 15 having such a shape and fixing the fixed cover 12 with a fixing screw.
  • the hemispherical lens 13 is held between the fixed cover 12 and the mount element 15. Therefore, the photoconductive antenna element 14 and the hemispherical lens 13 can be fixed only by fixing the mount element 15 and the fixed cover 12, and the number of work steps for assembly can be reduced as compared with the conventional configuration.
  • the photoconductive antenna element 14 can be assembled to the rectangular recess 15B even if there is no allowance for the opening size of the rectangular recess 15B.
  • the photoconductive antenna element 14 can be positioned with high accuracy.
  • the back surface of the photoconductive antenna element 14 protrudes from the rectangular recess 15 ⁇ / b> B, and the photoconductive antenna element 14 is completely adhered to the hemispherical lens 13.
  • the thickness of the element holding portion in the rectangular recess 15B is set to such a thickness that can realize a certain mechanical strength. Is possible.
  • the rotary table 16 is provided with a fitting portion (not shown) for rotatably fitting two annular metal plates to each other.
  • the center of each circular opening coincides with the center of rotation, and the outer periphery of the circular opening.
  • the screw hole of the metal plate on the front surface side is an attachment site for the mount element 15, and the screw hole on the back surface side is an attachment site for the module housing.
  • the rotary table 16 is mounted with the rotary body so that the optical axis of the hemispherical lens 13 that is the central axis of the rotary body described above coincides with the center of the circular opening of the rotary table 16.
  • the electrode gap portion 14C of the photoconductive antenna element 14 is always located at the position of the rotation center, so that the polarization control of the terahertz light can be performed only by rotating the rotary table 16 without troublesome optical adjustment. It becomes like this.
  • the rotary table 16 is configured so as to be rotationally driven so that a tooth surface is formed on the side surface of the metal plate on the front surface side to form a gear, or a tooth surface is formed on the surface of the metal plate on the front surface side to form a pinion gear. It may be in the form. In this case, it is possible to automate the polarization control of the terahertz light by engaging and rotating the drive gear with respect to the tooth surfaces.
  • the driving of the rotary table 16 may be realized by any configuration and method other than those described above. For example, a frictional force may be used. Further, the rotary table 16 may not be configured separately from the module casing 17 and the mount element 15 but may be configured integrally with the module casing 17 and the mount element 15.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional view of the terahertz light receiving and emitting module 11 in a state in which the single lens type objective lens 51 is brought close.
  • FIG. 3B is a schematic diagram of the terahertz light receiving and emitting module 11 with the bias power supply 50 connected thereto.
  • the antenna pattern 18 is connected between the bias power supply 50 and the ground via the wiring wires 19A and 19B, and the antenna pattern is connected from the bias power supply 50 to the antenna pattern.
  • a bias voltage (generally about 10 to 100 V) is applied to 18.
  • the single lens type objective lens 51 is brought close to the electrode gap part 18C, and the pulse laser beam L condensed by the single lens type objective lens 51 is irradiated to the electrode gap part 18C.
  • the electrode gap portion 18C is arranged on the optical axis of the hemispherical lens 13, the wavefront of the terahertz light propagating in the hemispherical lens 13 is matched, and the radiation efficiency to free space and the band characteristics are improved. It will be good. The same applies to the case where terahertz light is detected. By arranging the electrode gap portion 18C on the optical axis of the hemispherical lens 13, the condensing efficiency and detection efficiency of the terahertz light are improved.
  • the circular opening of the rotary table 16 and the circular opening of the module housing 17 are made larger than the diameter of the single lens type objective lens 51, and the thickness dimension of the opening 15C of the mount element 15 is as thin as about 1 mm.
  • FIG. 3C is a diagram for explaining a polarization control method for terahertz light performed by rotating the rotary table 16 of the terahertz light receiving and emitting module 11, and a configuration for the same.
  • a tooth surface for rotational driving is formed on the rotary table 16, and the drive gear 54 is meshed with the tooth surface.
  • the drive gear 54 is driven by a stepping motor 53.
  • the stepping motor 53 controls the drive amount of the drive gear 54 in accordance with a control signal from the control unit 52.
  • the control unit 52 determines the rotation angle of the rotary table 16 and the drive amount of the drive gear 54 according to the required angle of the polarization direction of the terahertz light, and outputs a control signal to the stepping motor 53 to realize them.
  • the control unit 52, the stepping motor 53, and the drive gear 54 described above constitute the control drive unit described in the claims.
  • control drive unit is not limited to that illustrated here, and any configuration may be used.
  • FIG. 4 is a schematic assembly diagram of the terahertz light receiving and emitting module 21 according to the present embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the terahertz light receiving / emitting module 21.
  • symbol is attached
  • the terahertz light receiving and emitting module 21 includes a mount element 25 having a configuration different from that of the first embodiment, and is configured without a rotary table.
  • the mount element 25 is provided with four screw holes for attachment to the module housing 17 at intervals of 90 °.
  • the module housing 17 is provided with eight screw holes for mounting the mount elements 25 at 45 ° intervals.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a method for controlling the in-plane polarization direction of terahertz light.
  • the mounting element 25 is unscrewed while the module casing 17 is fixed, and is replaced with another screw hole, so that the mounting element 25 is attached to the module casing 17 as illustrated in FIG. 6.
  • the angle unit for changing the mounting angle is not limited to 45 °, and a more precise angle unit can be obtained by providing screw holes in the module housing 17 at narrower intervals.
  • the in-plane polarization direction of the terahertz light can be changed from a state in which the module housing is fixed.
  • it is not necessary to change the arrangement of the module housing when performing polarization control of terahertz light it is not necessary to perform optical adjustment.
  • the controllable range of the polarization direction is at least 90 ° variable from the reference angle
  • the p-polarized component or the s-polarized component of the terahertz light can be received and emitted. More desirably, if the angle can be varied from 45 ° and 90 ° from the reference angle, the terahertz light is received and emitted in a state including an equal amount of the p-polarized component, the s-polarized component, or the p-polarized component and the s-polarized component of the terahertz light. This is preferable.

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Abstract

 テラヘルツ光の面内偏光方向を自在に制御でき、面内偏光方向を制御してもモジュールの配置変更や光学調整が不要なテラヘルツ受発光モジュールを提供する。モジュール(11)は半球状レンズ(13)とアンテナ素子(14)とマウント素子(15)と固定カバー(12)と回転式テーブル(16)とを備える。アンテナ素子(14)はアンテナパターンが表面に形成され、裏面で半球状レンズ(13)の平坦面に当接する。マウント素子(15)と固定カバー(12)は、アンテナ素子(14)およびレンズ(13)を保持する。回転式テーブル(16)は、レンズ(13)、アンテナ素子(14)、マウント素子(15)、および固定カバー(12)からなる回転体を回転自在に保持する。

Description

テラヘルツ光受発光モジュールおよびテラヘルツ光の偏光制御方法
 この発明は、テラヘルツ光の発光器あるいは検出器として利用されるテラヘルツ光受発光モジュール、および、そのテラヘルツ光受発光モジュールを用いたテラヘルツ光の偏光制御方法に関するものである。
 テラヘルツ光の発光器あるいは検出器として、テラヘルツ光受発光モジュールが利用される。テラヘルツ光受発光モジュールは、光伝導アンテナ素子、半球状レンズ、およびモジュール筐体を備える(例えば特許文献1,2参照)。
 光伝導アンテナ素子は、例えば低温成長GaAs膜を設けたGaAs基板にダイポール型アンテナやボウタイ型アンテナなど所定形状のアンテナパターンを形成したものである。光伝導アンテナ素子のアンテナパターンは、一般的には微小間隔を隔てて電極が対向する電極ギャップ部を有し、バイアス電圧が印加された状態で電極ギャップ部にパルスレーザ光が照射されることで、瞬間的に発生する光励起キャリアをバイアス電界によって加速し、テラヘルツ光として放射する。また、テラヘルツ光を検出する場合には、テラヘルツ光が照射された状態で電極ギャップ部に励起用のパルスレーザ光が照射されることで、テラヘルツ光による電場強度に応じた微小電流が電極ギャップ部に流れ、この微少電流に基づいてテラヘルツ光の強度を検出できる。半球状レンズは、平坦面と球状面とを有し、平坦面が光伝導アンテナ素子に密着するように設けられ、光伝導アンテナ素子との界面での反射を抑えて、光伝導アンテナ素子から自由空間にテラヘルツ光を放射、もしくは、自由空間から光伝導アンテナ素子にテラヘルツ光を集光する。
 光伝導アンテナ素子は、テラヘルツ光を放射する場合、テラヘルツ光として直線偏光を放射する。そのテラヘルツ光の面内偏光方向は、電極ギャップ部に印加されるバイアス電界の印加方向、即ち、電極ギャップ部の電極対向方向に一義的に定まる。また、テラヘルツ光を検出する場合、基本的に検出できるのは電極ギャップ部の電極対向方向に偏光した光のみであり、電極対向方向とは異なる面内偏光方向のテラヘルツ光に対しては、検出効率が大幅に低下する。
 テラヘルツ光の偏光制御を行うことで試料の物性値を測定する分光測定法が数多くあり、そのような分光測定法では、テラヘルツ光の面内偏光方向を制御するために、従来は光伝導アンテナ素子の回転角姿勢が最適になるようにテラヘルツ光受発光モジュールの配置を手作業で制御していた。そして、テラヘルツ光受発光モジュールの配置を変更した場合にはテラヘルツ光の受発光位置や角度が元の状態に戻るように手作業で光学調整を行っていた。
特開2008-244620号公報 特開2008-283552号公報
 従来のテラヘルツ光受発光モジュールでは、モジュール筐体に対する光伝導アンテナ素子の回転角姿勢が保持部材等によって一義的な方向に固定されていた。このため、テラヘルツ光受発光モジュールの配置変更や光学調整を手作業で行う必要が有った。
 特許文献1のテラヘルツ光受発光モジュールでは、配線基板に光伝導アンテナ素子が固定され、配線基板が筐体モジュールに固定されている。このため、筐体モジュールに対して光伝導アンテナ素子が固定されていて、組み立て後のモジュール筐体に対して面内偏光方向を制御することが不可能である。
 特許文献2のテラヘルツ光受発光モジュールでは、モジュール筐体に設けられた所定の開口部に半球状レンズを平坦面からはめ込み、その開口部とは反対側に設けられた孔に光伝導アンテナ素子をはめ込み、光伝導アンテナ素子をモジュール筐体に固定する。このため、モジュール筐体に対する光伝導アンテナ素子の配置角度は固定されてしまい、組み立て後のモジュール筐体に対して面内偏光方向を制御することは不可能である。
 本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、テラヘルツ光の面内偏光方向を自在に制御でき、面内偏光方向を制御してもモジュールの配置変更や光学調整が不要なテラヘルツ受発光モジュール、および、そのテラヘルツ受発光モジュールを用いたテラヘルツ光の偏光制御方法を提供することを目的とする。
 請求項1に係る発明は、半球状レンズと光伝導アンテナ素子とモジュール筐体とを備えるテラヘルツ光受発光モジュールにおいて、マウント素子と固定カバーとにより半球状レンズと光伝導アンテナ素子とを保持してなる回転体と、前記回転体を前記モジュール筐体に対して回転自在に保持する保持手段とを備える。半球状レンズはテラヘルツ光を透過する材質からなり、平坦面と平坦面の中心を通る垂線上に中心を持つ球状面とが設けられる。光伝導アンテナ素子は平板状であり、アンテナパターンが表主面に形成され、裏主面で半球状レンズの平坦面に当接する。モジュール筐体は、光伝導アンテナ素子および半球状レンズを装備する。マウント素子は、アンテナパターンを露出させた状態で光伝導アンテナ素子の表主面に当接する。固定カバーは、半球状レンズの球状面に当接する。
 この構成では、マウント素子および固定カバーにより半球状レンズと光伝導アンテナ素子とを保持してなる回転体をモジュール筐体に対して回転させることにより、半球状レンズと光伝導アンテナ素子との相対的な配置を維持したまま、また、モジュール筐体の絶対的な配置を維持したまま、テラヘルツ光の面内偏光方向を変更できる。
 請求項2に係る保持手段は、回転体が同軸に取り付けられる開口を有し、回転中心が回転体の中心と一致する回転式テーブルを備えると好適である。
 この構成では、回転式テーブルを回転させることで、モジュール筐体に対するテラヘルツ光の面内偏光方向を容易に変更できる。
 請求項3に係る発明のモジュール筐体は、前記マウント素子を取り付けるための取り付け部位と、前記アンテナパターンを露出させる開口部と、前記アンテナパターンを外部回路に電気的に接続するためのコネクタ部と、を備え、前記開口部を通る配線ワイヤを介して前記コネクタ部と前記アンテナパターンとを接続すると好適である。
 この構成により、配線ワイヤによる接続を維持したまま、回転体を回転させることが可能になる。
 請求項4に係る発明のテラヘルツ光の偏光制御方法は、上述のテラヘルツ光受発光モジュールに対して、回転式テーブルの回転角を制御する駆動制御部を設け、前記駆動制御部によりテラヘルツ光の面内偏光方向を制御すると好適である。
 これにより、テラヘルツ光を用いた試料の分光測定でテラヘルツ光の面内偏光方向を自在に制御でき、測定を容易化、自動化することが可能になる。
 この発明によれば、マウント素子および固定カバーにより半球状レンズと光伝導アンテナ素子とを保持する回転体をモジュール筐体に対して回転させることで、半球状レンズと光伝導アンテナ素子との相対的な配置を維持したまま、また、モジュール筐体の絶対的な配置を維持したまま、モジュール筐体に対するテラヘルツ光の面内偏光方向を変更できる。したがって、テラヘルツ光を用いた試料の分光測定において、テラヘルツ光の偏光制御を行う際にモジュール筐体の配置変更が不要になり、光学調整を行う必要がなくなる。
第1の実施形態に係るテラヘルツ光受発光モジュールの組み立て図である。 図1に示すテラヘルツ光受発光モジュールの構成を説明する図である。 図2に示すテラヘルツ光受発光モジュールの駆動例を説明する図である。 第2の実施形態に係るテラヘルツ光受発光モジュールの組み立て図である。 図4に示すテラヘルツ光受発光モジュールの構成を説明する図である。 図5に示すテラヘルツ光受発光モジュールの状態制御を例示する図である。
《第1の実施形態》
 以下、本発明の第1の実施形態に係るテラヘルツ光受発光モジュールの構成例を説明する。図1は、本実施形態に係るテラヘルツ光受発光モジュール11の概略の組み立て図である。また図2(A)は、テラヘルツ光受発光モジュール11の概略の正面図、図2(B)は、テラヘルツ光受発光モジュール11の概略の背面図、図2(C)は、テラヘルツ光受発光モジュール11の図2(A)A-A’における概略の模式断面図である。なお説明の都合により、図1と図2とではテラヘルツ光受発光モジュール11の備える光伝導アンテナ素子14およびマウント素子15の向きを90°回転させて表示している。
 テラヘルツ光受発光モジュール11は、固定カバー12、半球状レンズ13、光伝導アンテナ素子14、マウント素子15、回転式テーブル16、およびモジュール筐体17を備える。
 モジュール筐体17は背面側壁面を除いた箱状であり、アルミなどの加工が容易で腐食性の小さい金属で構成する。モジュール筐体17は正面の中央に円形開口を設けるとともに、その円形開口の外周に沿って回転式テーブル16の取り付け部位となるねじ穴を設ける。また、モジュール筐体17の側壁面にはSMAコネクタ19を設ける。SMAコネクタ19は、図2(B)に示すようにアンテナパターン18の正極(+)に配線ワイヤ19Aで接続する。アンテナパターン18の負極(-)は配線ワイヤ19Bによってモジュール筐体17に接続してアースする。なお、これらの配線ワイヤ19A,19Bは、マウント素子15をモジュール筐体17に対して回転させても、アンテナパターン18とSMAコネクタ19との接続を維持できるように、ある程度の余裕のある長さにしておくと好適である。
 固定カバー12は環状の樹脂板で構成し、中央に円形開口を設けるとともに、その円形開口の外周に沿ってねじ穴を設けている。円形開口は開口径を半球状レンズ13の直径よりも小さくしている。この固定カバー12は、固定ネジによりマウント素子15に組み付けられ、マウント素子15への組み付け時に開口側面のエッジが全周にわたり半球状レンズ13の球状面に当接する。このため、固定カバー12の開口中心軸が半球状レンズ13の球状面の中心を通ることになる。
 この固定カバー12は樹脂製で弾性を有するため、固定ネジを増し締めする場合などに、半球状レンズ13や光伝導アンテナ素子14に無理な応力がかかって破損することを防ぐことができる。また射出成型法などによる大量生産が可能で低コストに製造できる。
 半球状レンズ13は、光伝導アンテナ素子14の構成材料(ここでは主にGaAs)と屈折率がほぼ等しくテラヘルツ光を透過する材質、例えば高抵抗シリコンなどからなり、平坦面と、平坦面の中心を通る垂線上に中心を持つ球状面とを備えている。平坦面の中心を通る垂線が半球状レンズ13の光軸となる。ここでは半球状レンズ13として球状面の中心が平坦面上に位置するいわゆる半球レンズを用いる。なお半球状レンズ13として球状面の中心が半球状レンズ13の内部に位置するいわゆる超半球レンズを用いてもよい。超半球レンズでは、照射するテラヘルツ光の指向性領域をビーム状に制御することができる。この半球状レンズ13は球状面が正面側に向き、平坦面が背面側に向くようにしてマウント素子15に組み付ける。
 光伝導アンテナ素子14は、厚み約0.35mmの矩形平板状であって平板の対角寸法が半球状レンズ13の直径よりも小さく、表面にアンテナパターン18を備える。この光伝導アンテナ素子14は、裏面が半球状レンズ13の平坦面に当接するようにして、マウント素子15に組み付ける。
 図2(B)には、光伝導アンテナ素子14単体の表面図も併せて表示している。光伝導アンテナ素子14は、平板状のGaAs基板の表面に低温成長GaAs膜を成膜し、低温成長GaAs膜の表面にアンテナパターン18を設けて成る。アンテナパターン18は一対のアンテナ電極18A,18Bからなり、アンテナ電極18Aとアンテナ電極18Bとは互いに線対称形で、微小間隔(一般的には5μm程度)を隔てて対向する電極ギャップ部18Cを中心部に有している。この電極ギャップ部18Cがテラヘルツ光の点光源となる。アンテナ電極18A,18Bは、半導体の製造に一般的に用いられるリソグラフィー法などによって形成することができ、光伝導アンテナ素子14の外形寸法精度は、同じく半導体チップ加工用のダイサーを使用することによって極めて高精度に得ることができる。従って、光伝導アンテナ素子14の基板中心とアンテナパターン18の中心部に設ける電極ギャップ部18Cは1μm以下の誤差で一致させることができる。
 マウント素子15は略環状の樹脂板で構成していて、表面中央に円形凹部15Aを設け、円形凹部15Aの凹部底面の中央に矩形凹部15Bを設け、矩形凹部15Bの凹部底面に開口部15Cを設けている。また表面には、円形凹部15Aの外周に沿って2重にねじ穴を設けていて、外側のねじ穴はマウント素子15を回転式テーブル16に組み付けるために用い、内側のねじ穴は固定カバー12を組み付けるために用いる。
 円形凹部15Aはレンズ保持用である。この円形凹部15Aに半球状レンズ13を組み付けると、半球状レンズ13の球状面が凹部側面に全周にわたって当接する。矩形凹部15Bは素子保持用であり、ここでは凹部深さ約0.3mmとして形成している。また、矩形凹部15Bの中心が円形凹部15Aの中心と同軸上になるように配置している。この矩形凹部15Bに光伝導アンテナ素子14を組み付けると、光伝導アンテナ素子14の表面が凹部底面に当接するとともに、光伝導アンテナ素子14の側面が全周にわたって凹部側面に当接する。開口部15Cは、光伝導アンテナ素子14の表面に設けるアンテナパターン18と略同形状であり、少なくともアンテナパターン18の中心部をテラヘルツ光受発光モジュール11の背面側に露出させる。
 このような形状のマウント素子15に対して、表面側に光伝導アンテナ素子14と半球状レンズ13と固定カバー12とを組み付けて固定カバー12を固定ネジによって固定することで、光伝導アンテナ素子14および半球状レンズ13が固定カバー12とマウント素子15とによって狭持される。したがって、マウント素子15と固定カバー12との固定作業のみで、光伝導アンテナ素子14と半球状レンズ13との固定を行え、組み立てのための作業工程数を従来構成よりも削減できる。
 円形凹部15Aの中心と矩形凹部15Bの中心とを同軸上に配置することで、半球状レンズ13の平坦面の中心を通る半球状レンズ13の光軸上に、光伝導アンテナ素子14の中心、即ち電極ギャップ部18Cが位置することになる。そして、円形凹部15Aの凹部側面が半球状レンズ13の球状面に全周にわたって当接し、矩形凹部15Bの凹部側面が光伝導アンテナ素子14の側面に全周にわたって当接するので、半球状レンズ13と光伝導アンテナ素子14とのマウント素子15に対する光軸垂直方向の位置ずれが規制される。
 また、光伝導アンテナ素子14の厚みよりも矩形凹部15Bの凹部深さが浅いので、矩形凹部15Bの開口サイズに余裕を持たせなくても、矩形凹部15Bに光伝導アンテナ素子14を組み付けることが可能になり、光伝導アンテナ素子14の位置決めを高精度に行える。その上、光伝導アンテナ素子14の裏面が矩形凹部15Bから突出し、光伝導アンテナ素子14が半球状レンズ13に完全に密着することになる。なお、矩形凹部15Bにおける素子保持部分の厚みは、一定の機械的強度を実現できる厚みに設定することで、光伝導アンテナ素子14や半球状レンズ13を当接させても、それらを確実に保持することが可能である。
 以上の固定カバー12、半球状レンズ13、光伝導アンテナ素子14、およびベースカバー15が請求項に記載の回転体を構成する。
 回転式テーブル16は、2枚の環状の金属板を互いに回転自在に嵌合する嵌め合い部(不図示)を設けてなり、それぞれの円形開口の中心を回転中心と一致させ、円形開口の外周に沿ってねじ穴を設けている。表面側の金属板のねじ穴はマウント素子15の取り付け部位となり、裏面側のねじ穴はモジュール筐体の取り付け部位となる。この回転式テーブル16は、上述の回転体の中心軸である半球状レンズ13の光軸が、回転式テーブル16の円形開口の中心に一致するように回転体を取り付ける。これにより、光伝導アンテナ素子14における電極ギャップ部14Cが、回転中心となる位置に常に位置するため、面倒な光学調整を行わずとも回転式テーブル16を回転させるだけでテラヘルツ光の偏光制御ができるようになる。
 この回転式テーブル16は回転駆動可能に構成するために、表面側の金属板の側面に歯面を形成して歯車状としたり、表面側の金属板の表面に歯面を形成してピニオン歯車状としておいてもよい。この場合、それらの歯面に対して駆動ギアを噛み合わせて回転させることで、テラヘルツ光の偏光制御を自動化することが可能になる。
 なお、回転式テーブル16の駆動は、上記以外のどのような構成、方法で実現してもよく、例えば、摩擦力を用いたりすることができる。
 また、回転式テーブル16は、モジュール筐体17やマウント素子15と別体に構成するのではなく、モジュール筐体17やマウント素子15と一体に構成してもよい。
 以下、このテラヘルツ光受発光モジュール11を、テラヘルツ光の発光器として使用する例を説明する。
 図3(A)は、単レンズ型対物レンズ51を近接させた状態でのテラヘルツ光受発光モジュール11の概略の断面図である。図3(B)は、バイアス電源50を接続した状態でのテラヘルツ光受発光モジュール11の模式図である。
 テラヘルツ光受発光モジュール11を、テラヘルツ光の発光器として使用する場合、アンテナパターン18は配線ワイヤ19A,19Bを介して、バイアス電源50とアースとの間に接続して、バイアス電源50からアンテナパターン18にバイアス電圧(一般的には10~100V程度)を印加する。また、電極ギャップ部18Cに単レンズ型対物レンズ51を近接させて、単レンズ型対物レンズ51で集光したパルスレーザ光Lを電極ギャップ部18Cに照射する。
 これにより、光伝導アンテナ素子14の低温成長GaAs膜で瞬間的に発生する光励起キャリアが、図中に矢印で印加方向を示すバイアス電界によって加速され、電極ギャップ部18Cに電流が瞬間的に流れる。すると電気双極子放射によって電極ギャップ部18Cを点光源として、バイアス電界の印加方向、すなわち電極ギャップ部18Cにおける電極対向方向を面内偏光方向とする直線偏光のテラヘルツ光が発生する。このテラヘルツ光は、光伝導アンテナ素子14の基板内に放射され、半球状レンズ13から自由空間に放射される。
 この際、電極ギャップ部18Cが半球状レンズ13の光軸上に配置されていることにより、半球状レンズ13内を伝播するテラヘルツ光の波面は整合し、自由空間への放射効率や帯域特性が良好なものになる。このことはテラヘルツ光を検出する場合も同様であり、電極ギャップ部18Cを半球状レンズ13の光軸上に配置することにより、テラヘルツ光の集光効率と検出効率とが良好なものになる。
 また、回転式テーブル16の円形開口およびモジュール筐体17の円形開口を、単レンズ型対物レンズ51の径よりも大口径なものとし、マウント素子15の開口部15Cの厚み寸法を1mm程度に薄くすることで、作動距離が短い単レンズ型対物レンズ51であっても、十分な集光が行える距離(例えば1.3mm程度)まで光伝導アンテナ素子14に近接させることができる。
 図3(C)は、テラヘルツ光受発光モジュール11の回転式テーブル16を回転させて行うテラヘルツ光の偏光制御方法およびそのための構成を説明する図である。
 前述のように、回転式テーブル16には回転駆動のための歯面を形成し、その歯面には駆動ギア54を噛み合わせる。駆動ギア54はステッピングモータ53で駆動する。ステッピングモータ53は制御部52からの制御信号に従って、駆動ギア54の駆動量を制御する。制御部52は、必要とするテラヘルツ光の偏光方向の角度に応じて、回転式テーブル16の回転角および駆動ギア54の駆動量を決定し、それらを実現するよう制御信号をステッピングモータ53に出力する。以上の制御部52、ステッピングモータ53、および駆動ギア54が請求項に記載の制御駆動部を構成する。したがって、テラヘルツ光を用いた試料の分光測定において、テラヘルツ光の偏光制御を自動化して行うことができ、その場合にも、モジュール筐体の配置変更が不要で光学調整を行う必要がなくなる。なお、制御駆動部の具体的な構成はここで例示するものに限らず、どのような構成でもよい。
《第2の実施形態》
 以下、本発明の第2の実施形態に係るテラヘルツ光受発光モジュールの構成例を説明する。図4は、本実施形態に係るテラヘルツ光受発光モジュール21の概略の組み立て図である。図5は、テラヘルツ光受発光モジュール21の断面図である。なお、図中で、第1の実施形態で示した構成と同様の構成には同じ符号を付している。
 テラヘルツ光受発光モジュール21は、第1の実施形態と構成が相違するマウント素子25を備え、回転式テーブルを除いた構成である。マウント素子25は、モジュール筐体17への取り付け用ねじ穴を90°間隔で4個設けている。モジュール筐体17は、マウント素子25の取り付け用のねじ穴を45°間隔で8個設けている。
 図6は、テラヘルツ光の面内偏光方向を制御する方法を説明する図である。このテラヘルツ光受発光モジュール21では、モジュール筐体17を固定したままマウント素子25のねじ止めを外し、別のねじ穴に付け替えることで、図6に例示するようにマウント素子25をモジュール筐体17に取り付ける取り付け角を45°単位で変更することが可能になる。したがって、テラヘルツ光を用いた試料の分光測定において、テラヘルツ光の偏光制御を行う際にモジュール筐体の配置変更が不要になり、光学調整を行う必要がなくなる。
 なお、取り付け角変更の角度単位は45°に限らず、モジュール筐体17に、より狭い間隔でねじ穴を設けておくことにより、より精緻な角度単位とすることができる。
 以上に説明した各実施形態に示すように、本発明のテラヘルツ光受発光モジュールを構成することにより、モジュール筐体を固定した状態から、テラヘルツ光の面内偏光方向を変更することができ、これにより、テラヘルツ光を用いた試料の分光測定において、テラヘルツ光の偏光制御を行う際にモジュール筐体の配置変更が不要になり、光学調整を行う必要がなくなる。
 偏光方向の制御可能範囲が少なくとも、基準角度から90°に可変であれば、テラヘルツ光のp偏光成分またはs偏光成分を受発光でき好ましい。より望ましくは、基準角度から45°および90°に可変であれば、テラヘルツ光のp偏光成分、またはs偏光成分、あるいはp偏光成分とs偏光成分とを等量含む状態でテラヘルツ光を受発光でき好ましい。
 11,21…テラヘルツ光受発光モジュール
 12…固定カバー
 13…半球状レンズ
 14…光伝導アンテナ素子
 15,25…マウント素子
 15A…円形凹部
 15B…矩形凹部
 15C…開口部
 16…回転式テーブル
 17…モジュール筐体
 18…アンテナパターン
 18A,18B…アンテナ電極
 18C…電極ギャップ部
 19…SMAコネクタ
 19A,19B…配線ワイヤ
 50…バイアス電源
 51…単レンズ型対物レンズ

Claims (4)

  1.  テラヘルツ光を透過する材質からなり、平坦面と前記平坦面の中心を通る垂線上に中心を持つ球状面とが設けられた半球状レンズと、
     平板状で、アンテナパターンが表主面に形成され、裏主面で前記半球状レンズの平坦面に当接する光伝導アンテナ素子と、
     前記光伝導アンテナ素子および前記半球状レンズを装備するモジュール筐体と、を備えるテラヘルツ光受発光モジュールにおいて、
     アンテナパターンを露出させた状態で光伝導アンテナ素子の表主面に当接するマウント素子、および半球状レンズの球状面に当接する固定カバー、を備え、前記マウント素子と前記固定カバーとにより前記半球状レンズと前記光伝導アンテナ素子とを保持する回転体と、
     前記回転体を前記モジュール筐体に対して回転自在に保持する保持手段と、
    を備えるテラヘルツ光受発光モジュール。
  2.  前記保持手段は、前記回転体が同軸に取り付けられる開口を有し、回転中心が前記回転体の中心と一致する回転式テーブルを備える、請求項1に記載のテラヘルツ光受発光モジュール。
  3.  前記モジュール筐体は、前記マウント素子を取り付けるための取り付け部位と、前記アンテナパターンを露出させる開口部と、前記アンテナパターンを外部回路に電気的に接続するためのコネクタ部と、を備え、前記開口部および前記マウント素子の開口部を通る配線ワイヤを介して前記コネクタ部と前記アンテナパターンとを接続する、請求項1または2に記載のテラヘルツ光受発光モジュール。
  4.  請求項2または3に記載のテラヘルツ光受発光モジュールに対して、前記回転式テーブルの回転角を制御する駆動制御部を設け、前記駆動制御部によりテラヘルツ光の面内偏光方向を制御する、テラヘルツ光の偏光制御方法。
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