TW201721206A - 連接器組件 - Google Patents
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Abstract
本發明公開了一種連接器組件,其包括金屬殼體、收容於金屬殼體內之電路板、安裝於金屬殼體上且具有拉帶之鎖扣結構、及安裝於電路板上之CMOS晶片和控制晶片,所述電路板包括設置在前端區域並暴露在外之對接部和設置在後端區域之傳輸區,所述CMOS晶片和控制晶片與電路板之對接部電性連接以將電信號轉換成太赫茲電磁波,所述太赫茲電磁波可直接進入到一個低介電常數之波導中以傳輸。
Description
本發明涉及一種連接器組件,尤其涉及一種承載太赫茲電磁波之連接器組件。
請一併參閱第一圖和第三團,傳統之光電元件包括配備主動元件102之電路板101和通過焊線連接之晶片(IC) ,主動元件102可為:VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser,垂直腔面發射雷射器)或PIN(p-doped-intrinsic-n-doped) 光電探測器。VCSEL和PIN光電探測器與電路板101通過焊線連接,焊線較細具有高電阻,因此會有高電感而不適用於高頻率傳輸。另,通過這樣之焊線,需要主動元件102和晶片相對設置,以便將主動元件102和晶片之散熱表面直接設置於電路板上,從而使得該區域之散熱率降低。由於主動元件102和晶片相對設置,透鏡需要設置在主動元件102之上,因此,如果VCSEL出現問題,將會阻礙內部尺寸之檢查、主動元件102之電流、電壓和相應之修復、調整。這不僅係結構/製造之問題,還與主動元件102成本高相關。所以,需要其他方法來代替光傳輸用於傳輸電信號。在本發明中,太赫茲 (Tera Hertz) 電磁波用於實現這種傳輸。
本發明主要目之係提供一種承載太赫茲電磁波之連接器組件。
為解決上述技術問題,本發明採用如下技術方案:一種連接器組件,其包括金屬殼體、收容於金屬殼體內之電路板、及安裝於金屬殼體上且具有拉帶之鎖扣結構、及安裝於電路板上之CMOS晶片和控制晶片,所述電路板包括設置在前端區域並暴露在外之對接部和設置在後端區域之傳輸區,所述CMOS晶片和控制晶片與電路板之對接部電性連接以將電信號轉換成太赫茲電磁波,所述太赫茲電磁波可直接進入到一個低介電常數之波導中以傳輸。
相較於先前技術,本發明通過CMOS太赫茲電磁波代替光學元件之VCSEL與PD(感光組件)節約成本和功耗。
第一圖係傳統光電組件之示意圖。
第二圖係波導線纜用於太赫茲電磁波傳輸之示意圖。
第三圖係傳統光電連接器線纜元件之示意圖。
第四圖係有關太赫茲電磁波資訊之示意圖。
第五圖係太赫茲發射器和接收器之基本結構和理論之示意圖。
第六圖係用傳統方法(上面一個)之系統和本發明(中間和下面)系統之示意圖。
第七圖係本發明第一實施例之基礎結構之示意圖,其尺寸和構造採用光電線纜連接器僅用於以說明。
第八圖係本發明第二實施例之基礎結構之示意圖,其尺寸和構造採用光電線纜連接器僅用於以說明。
第九圖係其他應用之示意圖。
第十圖係第九圖所示實施應用之系統之示意圖。
請參閱第二圖,耦合器或透鏡與CMOS(互補金屬氧化物半導體)晶片類似,可有效捕捉生成之太赫茲電磁波並復位向太赫茲電磁波到一個低介電常數之波導,例如:聚四氟乙烯(Teflon)材料。本實施例中,太赫茲電磁波收發器(Wave Cable TRX)通過耦合器(Coupler)與聚四氟乙烯(Teflon)材料之波導耦合。
請參閱第四圖,為太赫茲電磁波之優勢說明。其中,橫軸為波長,縱軸為衰減分貝。本發明太赫茲電磁波之帶寬在300-3000千兆赫茲。其應用於:通過CMOS太赫茲電磁波代替光學元件之VCSEL (垂直腔面發射雷射器)與PD(感光組件)節約成本和功耗;使用低介電常數材料作為波導和耦合器去替代光學透鏡和光纖(包括長度為 1米,3米,5米光纖)。在一些條件下,如:短距離情況下,可以直接利用空氣作為傳輸介質。CMOS太赫茲電磁波潛在優勢為:在固定帶寬下具有高速率;CMOS太赫茲電磁波具有准光學性質、更容易形成輻射波。
請參閱第五圖,為系統如何運行之說明。其優勢在於:低成本矽晶片(CMOS)技術用於CMOS收發器(CMOS Transceiver)和CMOS接收器(CMOS Receiver);有自由空間連接(Free Space Link) (可以用“透鏡”彙聚) ,波導(Wave Guided)傳輸和近場耦合(Near Field Coupling)。
請參閱第六圖,為傳統之光電方法100和符合本發明之兩種電-太赫茲方法200,300之比較。電-太赫茲方法系通過電信號轉換為太赫茲電磁波,使所述太赫茲電磁波進入到一個低介電常數之波導中用於傳輸,最後再將太赫茲電磁波轉換回電信號。電-太赫茲方法200設有通過與之相關之透鏡(Lens)230分離之控制晶片 210和CMOS 晶片 220,而電-太赫茲方法300中所述控制晶片(Control IC)和CMOS 晶片 310集成在一起沒有與之相關之透鏡。太赫茲電磁波通過波導400在兩透鏡230,320之間傳送,波導具有低介電常數,例如:聚四氟乙烯或其他合適之材料。第七圖和第八圖分別展示了電-太赫茲方法200和電-太赫茲方法300。其中,基礎結構包括鎖扣機構201,301和被美國專利第8597045號提到之拉帶202,203。請參閱第七圖,CMOS 在透鏡230之上,CMOS實際應該設置於透鏡230之下,在傳統之光電線纜連接器組件100中與設置於透鏡230之下之VCSEL之相似,並且透鏡要提供一個45度之反射面去復位向太赫茲電磁波向相應之波導400在水準方向上。這段距離中,柔性管之低介電常數波導400類似於在傳統光電線纜中之光纜,在電路板之後區向後延伸並接受用於傳輸之太赫茲電磁波。很容易理解,因為太赫茲電磁波具有明顯之輻射波性能,所以透鏡230有45度之反射結構或參閱第八圖不需要透鏡230本身。與光電線纜連接器組件100相比,電-太赫茲連接器組件不會在相關結構佈局中有嚴重公差,這有利於光在相關部件之對準。只要有效收集靠近CMOS 晶片 310之太赫茲電磁波,管狀波導就可以有效輕鬆地傳輸這種太赫茲電磁波。
請參閱第九圖,為例舉用於定位和測量距離之應用。TXRX (Millimeter-wave Transmitter/Receive module)為毫米波發射、接收模組。RGB-D(Long range RGB-Depth camera)為長距離RGB(Red Green Blue)-深度照相機。SLAM(Simultaneous Localization And Mapping)為即時定位與地圖構建,其包括:三維點雲加速、三維測繪計算和人工智慧。
請參閱第十圖,為三維SoC成像雷達。其中,94GHz之三維SoC成像雷達系統框圖包括:射頻、波形合成和系列處理器。可選III-V MMIC 可放置在發射輸出以此擴展雷達範圍。
100‧‧‧光電線纜連接器組件
101‧‧‧電路板
102‧‧‧主動組件
200,300‧‧‧電-太赫茲方法
201,301‧‧‧鎖扣機構
202,203:202,302‧‧‧拉帶
210‧‧‧控制晶片
220‧‧‧CMOS 晶片
230,320‧‧‧透鏡
310‧‧‧控制晶片和CMOS 晶片
400‧‧‧波導
無
100‧‧‧光電線纜連接器組件
200,300‧‧‧電-太赫茲方法
210‧‧‧控制晶片
220‧‧‧CMOS晶片
230,320‧‧‧透鏡
310‧‧‧控制晶片和CMOS晶片
400‧‧‧波導
Claims (2)
- 一種連接器組件,其包括:
金屬殼體;
電路板,收容於金屬殼體內,所述電路板包括設置在前端區域並暴露在外之對接部和設置在後端區域之傳輸區;以及
鎖扣結構,安裝於金屬殼體上且具有拉帶;
其中,所述CMOS晶片和控制晶片與電路板之對接部電性連接以將電信號轉換成太赫茲電磁波,所述太赫茲電磁波可直接進入到一個低介電常數之波導中以傳輸。 - 如申請專利範圍第1項所述之連接器組件,其中,所述連接器組件還包括安裝在所述電路板之後端區域之透鏡,所述太赫茲電磁波通過所述透鏡聚焦到所述低介電常數之波導中以傳輸更遠之距離。
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