CN101614949B - 导电膜形成用感光材料和导电性材料 - Google Patents
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Abstract
本发明提供用于低成本地制造同时具有高导电性和透光性的导电膜的导电膜形成用感光材料。该导电膜形成用感光材料在支撑体上具有含银盐乳剂层,在上述含银盐乳剂层或含银盐乳剂层侧的任一层中含有导电性微粒和粘合剂,上述导电性微粒和粘合剂的质量比(导电性微粒/粘合剂)为1/33~1.5/1。
Description
技术领域
本发明涉及导电膜形成用感光材料和导电性材料。更详细而言,本发明涉及在任一层中含有导电性微粒和粘合剂的导电性膜形成用感光材料。
背景技术
近年来,对用各种制造方法得到的导电性膜进行了研究(例如参照专利文献1~专利文献5)。其中有银盐方式导电性膜,其通过如下方法来制造:涂布卤化银乳剂,进行图案曝光以形成具有导电性的银的导电部和用于确保透明性的开口部,从而制成导电性膜(例如参照专利文献6~专利文献8)。对该导电性膜的各种用途进行了探讨,本发明的发明人着眼于作为无机EL等的表面电极的应用进行了研究。
专利文献1:日本特开2000-13088号公报
专利文献2:日本特开平10-340629号公报
专利文献3:日本特开平10-41682号公报
专利文献4:日本特公昭42-23746号公报
专利文献5:日本特开2006-228649号公报
专利文献6:日本特开2004-221564号公报
专利文献7:日本特开2004-221565号公报
专利文献8:日本特开2007-95408号公报
发明内容
本发明的目的在于提供具有高导电性的导电性材料以及用于制造该材料的导电膜形成用感光材料。
本发明的发明人进行了潜心研究,结果发现:通过在含银盐乳剂层或含银盐乳剂层侧的任一层中含有导电性微粒和粘合剂、并将导电性微粒和粘合剂的质量比(导电性微粒/粘合剂)设定在规定比例,或者通过含有规定量的导电性微粒,能够提高得到的导电性材料的导电性,从而可用作表面电极等。
即,发现通过在感光材料的任一层中含有导电性微粒和粘合剂,将其进行曝光、显影处理来制作导电性材料,能够解决上述课题。
即,通过以下的发明能够解决上述课题。
(1)一种导电膜形成用感光材料,其特征在于,其在支撑体上具有含银盐乳剂层,在上述含银盐乳剂层或含银盐乳剂层侧的任一层中含有导电性微粒和粘合剂,上述导电性微粒和粘合剂的质量比(导电性微粒/粘合剂)为1/33~1.5/1。
(2)如(1)所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,上述导电性微粒和粘合剂的质量比(导电性微粒/粘合剂)为1/3~1.5/1。
(3)如(1)或(2)所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,上述含有导电性微粒和粘合剂的层是与上述含银盐乳剂层相邻的层。
(4)如(1)~(3)中任一项所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,上述导电性微粒的涂布量为0.05~0.9g/m2。
(5)如(4)所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,上述导电性微粒的涂布量为0.2~0.4g/m2。
(6)如(1)~(5)中任一项所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,上述导电性微粒为从SnO2、ZnO、TiO2、Al2O3、In2O3、MgO、BaO以及MoO3中选择的至少一种金属氧化物、它们的复合金属氧化物、或在这些金属氧化物中含有异种原子的金属氧化物。
(7)如(6)所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,上述导电性微粒为掺有锑的SnO2。
(8)如(1)~(7)中任一项所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,当上述导电性微粒为球状时,平均粒径为0.085~0.12μm;当上述导电性微粒为针状时,长轴的平均轴长为0.2~20μm、短轴的平均轴长为0.01~0.02μm。
(9)如(1)~(8)中任一项所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,在上述含银盐乳剂层侧具有与上述含银盐乳剂层相邻的保护层,在上述保护层中含有导电性微粒和粘合剂。
(10)一种导电膜形成用感光材料,其特征在于,其在支撑体上具有含银盐乳剂层,在上述含银盐乳剂层或含银盐乳剂层侧的任一层中含有导电性微粒和粘合剂,上述导电性微粒的含量为0.05~0.9g/m2。
(11)一种导电性材料,其是将(1)~(10)中任一项所述的导电膜形成用感光材料进行图案曝光、显影处理而得到的导电性材料。
(12)一种导电性材料,其特征在于,其在支撑体上具有导电层,在上述导电层或导电层侧的任一层中含有导电性微粒和粘合剂,上述导电性微粒与粘合剂的质量比(导电性微粒/粘合剂)为1/33~1.5/1。
(13)如(12)所述的导电性材料,其特征在于,上述导电性微粒与粘合剂的质量比(导电性微粒/粘合剂)为1/3~1.5/1。
(14)如(12)或(13)所述的导电性材料,其特征在于,上述导电性微粒的涂布量为0.05~0.9g/m2。
(15)如(12)~(14)中任一项所述的导电性材料,其特征在于,上述导电层的表面电阻为0.01Ω/sq以上。
其中,本发明的“含银盐乳剂层侧”是指支撑体的背面侧的相反侧,是涂布有含银盐乳剂层等的一侧。另外,该乳剂层侧的“上层”是指靠近于远离支撑体的表面层侧的层(或表面层),“下层”是指更靠近于支撑体侧的层。
导电层优选为网格图案形状的导电部。
若使用本发明的导电膜形成用感光材料,则将其进行图案曝光后,通过显影处理,能够不实施镀敷处理地以低成本制造具有高导电性的导电膜。特别是能够以低成本制造具有高导电性和透明性的导电性材料。尤其是在显影处理后无需在外敷层涂布导电性微粒,即可一次性处理,例如同时多层涂布导电性微粒,这是一大优点。
使用本发明的感光材料得到的导电性材料例如可作为导电膜在液晶电视、等离子体电视、有机EL、无机EL、太阳能电池、触摸屏、打印电路基板等中广泛应用。本发明也可应用于有精度要求的笔输入型触摸屏,文字等输入信息不会中断,在直线性方面优异。另外,使用本发明的导电膜形成用感光材料制造的导电膜具有低电阻性,可应用于电磁波屏蔽材料等。另外,透光性导电膜可用作透光性电磁波屏蔽薄膜和透明发热薄膜等。
附图说明
图1是表示实施例2中各样品的相对于距电极的距离的亮度的测定结果的图。
具体实施方式
本发明的第一方式的导电膜形成用感光材料是在支撑体上具有含银盐乳剂层的导电膜形成用感光材料,其在含银盐乳剂层或含银盐乳剂层侧的任一层中含有导电性微粒和粘合剂,且导电性微粒和粘合剂的质量比(导电性微粒/粘合剂)为1/33~1.5/1。上述导电性微粒和粘合剂的质量比(导电性微粒/粘合剂)优选为1/3~1.5/1。若上述导电性微粒和粘合剂的质量比超过上述上限值,则透明性未达到足够的实用程度,不适合作为透明导电膜。另外,若低于上述下限值,则面内的电特性不充分,例如当用于EL元件时,亮度未达到足够的实用程度。
本发明的第二方式的导电膜形成用感光材料是在支撑体上具有含银盐乳剂层的导电膜形成用感光材料,其在含银盐乳剂层或含银盐乳剂层侧的任一层中含有导电性微粒和粘合剂,且上述导电性微粒的含量为0.05~0.9g/m2。上述导电性微粒的含量进一步优选为0.1~0.6g/m2,更优选为0.1~0.5g/m2。若导电性微粒的含量超过上述上限值,则透明性未达到足够的实用程度,不适合作为透明导电性膜。此外,若导电性微粒的含量超过上述上限值,则在导电性微粒的涂布工序中难以使其均匀分散,制造缺陷增加。另外,若低于上述下限值,则面内的电特性变得不充分,例如当用于EL元件时,亮度未达到足够的实用程度。
当含有导电性微粒的层为含银盐乳剂层侧的任一层时,该层只要在制造导电性材料后具有其导电层和导电性即可,其位置没有特殊限制。作为含银盐乳剂层侧的任一层,优选与含银盐乳剂层相邻的层。即使是相邻的层,也有乳剂层的上层(例如保护层)或下层(例如支撑体侧的底涂层),当上层(例如后述的保护层)含有导电性微粒时,若用作电极等时,利于导电性,安装入无机EL元件中时,亮度提高效果变大。
下面对本发明的导电膜形成用感光材料的各层的构成进行详细说明。
[支撑体]
作为本发明的导电膜形成用感光材料中使用的支撑体,可以列举塑料膜、塑料板、玻璃板等。
作为支撑体,优选聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)(熔点为258℃)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)(熔点为269℃)、聚乙烯(PE)(熔点为135℃)、聚丙烯(PP)(熔点为163℃)、聚苯乙烯(熔点为230℃)、聚氯乙烯(熔点为180℃)、聚偏氯乙烯(熔点为212℃)以及三乙酰纤维素(TAC)(熔点为290℃)等熔点为约290℃以下的塑料膜或塑料板,特别是当用于透光性电磁波屏蔽膜时,从透光性和加工性等观点出发,优选PET。由于透明导电性膜要求透明性,因此支撑体优选高透明性。
上述支撑体的总可见光透过率优选为70%以上,更优选为85%以上,特别优选为90%以上。另外,在本发明中,作为支撑体,也可以使用以不妨碍本发明目的的程度着色的支撑体。
[含银盐乳剂层]
本发明的导电膜形成用感光材料在支撑体上具有含有作为光传感器的银盐乳剂的乳剂层(含银盐感光层)。含银盐感光层除银盐和粘合剂以外,还可以含有溶剂或染料等添加剂。乳剂层的厚度优选为0.1~10μm,更优选为0.1~5μm。
在感光材料中,含银盐乳剂层实质上配置在最上层。这里,“含银盐乳剂层实质上为最上层”不仅指含银盐乳剂层实际上配置在最上层的情况,还意味着设置在含银盐乳剂层之上的层的总膜厚为0.5μm以下。设置在含银盐乳剂层之上的层的总膜厚优选为0.2μm以下。
作为本发明中使用的银盐,可以列举卤化银等无机银盐和醋酸银等有机银盐。在本发明中,优选采用作为光传感器的特性优异的卤化银。含银盐乳剂层的银盐的涂布量没有特殊限制,换算成银,优选为0.5~10g/m2、特别优选为0.5~8g/m2。当银量过少时,可能无法得到足够的导电性。
本发明中使用的卤化银乳剂可以含有属于VIII族、VIIB族的金属。特别是为了实现高对比度和低灰雾,优选含有铑化合物、铱化合物、钌化合物、铁化合物、锇化合物等。这些化合物可以是具有各种配体的化合物。
另外,为了实现高灵敏度,掺杂如K4[Fe(CN)6]、K4[Ru(CN)6]和K3[Cr(CN)6]等六氰化金属络合物非常有效。
作为上述铑化合物,可以采用水溶性铑化合物。作为水溶性铑化合物,可以列举例如卤化铑(III)化合物、六氯铑(III)络盐、五氯水合铑络盐、四氯二水合铑络盐、六溴铑(III)络盐、六胺铑(III)络盐、trisalatorhodium(III)络盐、K3[Rh2Br9]等。
作为上述铱化合物,可以列举K2[IrCl6]、K3[IrCl6]等六氯铱络盐、六溴铱络盐、六氨铱络盐、五氯亚硝酰基铱络盐等。
乳剂层中含有的粘合剂的含量没有特殊限制,可以在能发挥分散性和密合性的范围内适当确定。关于乳剂层的银和粘合剂的含量,以Ag/粘合剂体积比计,优选为1/10以上,进一步优选为1/4以上,更优选为1/2以上,特别优选为1/1以上。另外,关于银和粘合剂的含量,以Ag/粘合剂体积比计,优选为10/1以下,更优选为5/1以下。这里,由于粘合剂的量多会成为导电性降低的原因,因此优选粘合剂的量少。另外,Ag/粘合剂体积比可以通过将原料的卤化银量/粘合剂量(质量比)转换成银量/粘合剂量(质量比),然后将银量/粘合剂量(质量比)转换成银量/粘合剂量(体积比)来求出。
乳剂层可以由2层以上银盐含量相同或不同的层构成。
<导电性微粒和粘合剂>
作为本发明中使用的导电性微粒,可以列举SnO2、ZnO、TiO2、Al2O3、In2O3、MgO、BaO以及MoO3等金属氧化物及它们的复合氧化物、以及在这些金属氧化物中进一步含有异种原子的金属氧化物的粒子。作为异种原子,可以列举锑。作为金属氧化物,优选SnO2、ZnO、TiO2、Al2O3、In2O3、MgO,特别优选SnO2。作为SnO2,优选掺有锑的SnO2,特别优选掺有0.2~2.0摩尔%锑的SnO2。对本发明中使用的导电性微粒的形状没有特殊限制,可以列举粒状、针状等。导电性微粒的粒径优选为0.085~0.12μm。粒径的下限值进一步优选为0.09μm,更优选为0.1μm。当满足上述粒径条件时,能够形成透明性优异、面内方向上的导电性均匀的导电层。
导电性微粒的粉体电阻(9.8MPa压实粉体)的下限值优选为0.8Ωcm,进一步优选为1Ωcm,更优选为4Ωcm。导电性微粒的粉体电阻(9.8MPa压实粉体)的上限值优选为35Ωcm,进一步优选为20Ωcm,更优选为10Ωcm。当满足上述粉体电阻的条件时,能够形成面内方向上的导电性均匀的导电层。
比表面积(简易BET法)优选为60~120m2/g,进一步优选为70~100m2/g。
其中,特别优选满足所有上述优选条件的导电性微粒。
另外,当导电性微粒为球形粒子时,平均粒径优选为0.085~0.12μm(一次粒径)。其粉体电阻优选为0.8~7Ωcm,更优选为1~5Ωcm。
当导电性微粒为针状时,平均轴长优选长轴为0.2~20μm、短轴为0.01~0.02μm。其粉体电阻优选为3~35Ωcm,更优选为5~30Ωcm。
作为具有上述特性的导电性微粒,可以使用例如石原产业公司制造的SN系列(商品名)和三菱材料电子化成公司出售的导电性材料。
本发明的导电性微粒中不含有碳纳米管或金属纳米线。
当在含银盐乳剂层中含有导电性微粒和粘合剂时,导电性微粒的涂布量优选为0.05~0.9g/m2,进一步优选为0.1~0.6g/m2,更优选为0.1~0.5g/m2,特别优选为0.2~0.4g/m2。
当含有导电性微粒和粘合剂的层是位于含银盐乳剂层上方的层(例如保护层)时,导电性微粒的涂布量优选为0.1~0.6g/m2,进一步优选为0.1~0.5g/m2,更优选为0.2~0.4g/m2。
当含有导电性微粒和粘合剂的层是位于含银盐乳剂层下方的层(例如底涂层)时,导电性微粒的涂布量优选为0.1~0.6g/m2,进一步优选为0.1~0.5g/m2,更优选为0.16~0.4g/m2。
若导电性微粒的涂布量超出上述上限值,则透明性未达到足够的实用程度,存在不合适作为透明导电性膜的倾向。此外,若导电性微粒的涂布量超出上述上限值,则难以在导电性微粒的涂布工序中使其均匀分散,存在制造缺陷增加的倾向。另外,若低于上述下限值,则面内的电特性不充分,例如在EL元件中使用时,存在亮度未达到足够的实用程度的倾向。
含有导电性微粒和粘合剂的层优选为乳剂层侧的上层,例如保护层。当保护层中含有导电性微粒时,若用作电极等时,利于导电性,安装入无机EL元件中时,亮度提高效果变大。
当含有导电性微粒和粘合剂的层为保护层时,导电性微粒的涂布量与上述优选的范围相同,粘合剂的涂布量优选在0.5g/m2以下,进一步优选0.3g/m2以下,更优选0.1g/m2以下。粘合剂的涂布量的下限值优选为0.001g/m2。粘合剂的涂布量越少,导电性越高,越优选。另外,由于粘合剂的涂布量多时,粘合剂涂布液的残留溶剂量变多,因此可能对其他功能层产生不良影响。因此,保护层中也可以不含有粘合剂。此外,当减少粘合剂涂布量时,通过使粘度为30cp以上,可以抑制导电性微粒的涂布不均。粘度可以通过增粘剂的添加量来进行适当调整。作为增粘剂,可以列举例如甲基纤维素、羟甲基纤维素、羟丙基甲基纤维素、羧甲基纤维素等改性纤维素,阿拉伯胶、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯基甲基醚、聚乙二醇、聚丙二醇、乙烯基甲基醚/马来酸酐共聚物、乙酸乙烯酯/马来酸酐共聚物等高分子化合物,芳基乙烯磺酸(例如,苯乙烯磺酸盐)。
在含有导电性微粒的层中,为了使导电性微粒粘附于支撑体,可以附加地使用粘合剂。作为所述粘合剂,优选使用水溶性聚合物。
作为上述粘合剂,可以列举例如明胶、卡拉胶、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、淀粉等多糖类、纤维素及其衍生物、聚环氧乙烷、多糖、聚乙烯胺、壳聚糖、聚赖氨酸、聚丙烯酸、聚藻酸、聚透明质酸、羧酸纤维素、阿拉伯胶、藻酸钠等。它们根据官能团的离子性,具有中性、阴离子性、阳离子性的性质。
另外,在含银盐乳剂层中,即使不含导电性微粒,为了使银盐粒子均匀分散且辅助乳剂层与支撑体的粘附,可使用与上述同样的粘合剂。本发明的质量比(导电性微粒/粘合剂)是含有导电性微粒的层中相对于粘合剂的导电性微粒的质量比。
<溶剂>
上述乳剂层的形成中使用的溶剂没有特殊限制,例如可以列举水、有机溶剂(例如甲醇等醇类、丙酮等酮类、甲酰胺等酰胺类、二甲基亚砜等亚砜类、乙酸乙酯等酯类、醚类等)、离子性液体、以及它们的混合溶剂。
本发明的乳剂层中使用的溶剂的含量相对于上述乳剂层中含有的银盐、粘合剂等的总质量为30~90质量%的范围,优选为50~80质量%的范围。
<其他添加剂>
对本发明中使用的各种添加剂没有特殊限制,可以优选地使用公知的添加剂。例如,可以列举增粘剂、抗氧化剂、消光剂、润滑剂、防静电剂、成核促进剂、光谱增感色素、表面活性剂、防雾剂、硬膜剂、防黑点剂等。另外,还可以添加介电常数高的物质,或为了使表面为疏水性而向粘合剂中导入疏水性基团或添加疏水性化合物作为添加剂。
[其他的层构成]
如上所述,可以在乳剂层上设置保护层。本发明中“保护层”是指由明胶或高分子聚合物等粘合剂形成的层,其是为了发挥防止擦伤或改善力学特性的效果而在具有感光性的乳剂层上形成的。其厚度优选为0.2μm以下,更优选为0.05~0.1μm。保护层的涂布方法和形成方法没有特殊限制,可以适当选择公知的涂布方法和形成方法。另外,在含银盐乳剂层的下方,例如也可以设置底涂层。
在本发明中,还可以设置含银盐乳剂层以外的层来含有导电性微粒和粘合剂,可以是含银盐乳剂层的上层或下层。另外,优选在与含银盐乳剂层相邻的层中含有导电性微粒和粘合剂。
在将含导电性微粒层与保护层或底涂层分别独立设置的情况下,作为本发明的感光材料的层构成,可以列举从支撑体侧开始为(1)底涂层/乳剂层/含导电性微粒层/保护层或含有二氧化硅的粘附性施予层、(2)底涂层/乳剂层/含导电性微粒层、(3)含导电性微粒层/乳剂层/保护层、(4)底涂层/第一乳剂层/第二乳剂层/含导电性微粒层/保护层(乳剂层的银盐含量不同)等。另外,也可以是如(2)所述的没有保护层且含导电性微粒层为最上层的方式。
上述感光材料可以通过如下方法来形成:在支撑体上同时多层涂布乳剂层形成用涂布液、含导电性微粒的层形成用涂布液等能够形成各层的涂布液。通过这样的多层涂布并施予后述的曝光显影处理,能够制造导电膜,由此能够简化制造工序并使合格率提高。此外,当向网格状的导电膜上涂布含导电性微粒的层形成用涂布液时,可能会发生导电性微粒不均匀分散而在网格上凝聚等问题,但是利用同时多层涂布,不会发生那些问题,从而能够获得导电性微粒的分散性高的导电膜。
[导电膜(导电性材料)]
本发明的导电膜是在支撑体上具有导电层的导电膜,在导电层或导电层侧的任一层中含有导电性微粒和粘合剂,上述导电性微粒和粘合剂的质量比(导电性微粒/粘合剂)为1/33~1.5/1。上述导电性微粒和粘合剂的质量比(导电性微粒/粘合剂)优选为1/3~1.5/1。
本发明的导电性材料优选为将上述导电膜形成用感光材料进行图案曝光并进行显影处理而得到的材料,但不限于此。即,本发明的导电膜只要具有在导电层(第一导电层)或导电层(第一导电层)侧的任一层中含有导电性微粒和粘合剂、且上述导电性微粒和粘合剂的质量比(导电性微粒/粘合剂)为1/33~1.5/1的第二导电层(含有导电性微粒和粘合剂的导电层侧的任一层,例如上述的保护层和底涂层)即可。作为第一导电层,可以列举具有铜箔网格图案的层、具有用印刷方式形成的网格图案的层、含有导电性聚合物的层、含有与第二导电层中含有的导电性微粒不同的导电性微粒的层、由ITO形成的层。
在本发明的导电膜中,总透光率优选为81%以上,进一步优选为82%以上,更优选为83%以上,更进一步优选为84%以上,特别优选为85%以上,最优选为90%以上。在本发明的导电膜中,不含网格图案的开口部的透射率优选为81%以上,进一步优选为82%以上,更优选为83%以上,更进一步优选为84%以上,特别优选为85%以上,最优选为90%以上。当使用银粒子或铜粒子等金属粒子作为导电性微粒时,由于开口部的透射率下降,因此有时透明性未达到足够的实用程度。在本发明的导电膜中,从透明性的观点出发,优选使用上述的金属氧化物和它们的复合氧化物的导电性微粒。
本发明的导电性材料的第二导电层可以采取与上述本发明的导电膜形成用感光材料中的导电层相同的构成。
本发明的导电性材料的第一导电层和第二导电层优选满足以下关系。通过满足这种关系,导电性材料的面内电特性变得更均匀,当作为无机EL元件时,能够在面内整体得到足够的亮度。
(1)在第一导电层和第二导电层中,第一导电层的表面电阻(surfaceresistivity)小。
(2)第一导电层的表面电阻为200Ω/sq以下(0.01Ω/sq以上),第二导电层的表面电阻为1×103Ω/sq以上(1×1014Ω/sq以下)。
上述第一导电层的表面电阻的上限值更优选为150Ω/sq。上述第一导电层的表面电阻的下限值更优选为0.1Ω/sq,特别优选为1Ω/sq。
上述第二导电层(含导电性微粒层)的表面电阻的上限值更优选为1×1013Ω/sq,另外,上述第二导电层的表面电阻的下限值更优选为1×105Ω/sq,特别优选为1×106Ω/sq。
本发明的表面电阻可以用低电阻率计Loresta GP(商品名,三菱化学公司制)、non-contact conductance monitor model 717B(商品名,DELCOM公司制),或数字超高电阻/微量电流计8340A(商品名,株式会社ADC公司制)来测定。
另外,优选根据第一导电层的表面电阻来调节第二导电层的导电性微粒的含量。
当第一导电层的表面电阻为0.01~50Ω/sq时(例如显影银网格图案),上述导电性微粒和粘合剂的质量比(导电性微粒/粘合剂)优选为1/3~1.5/1。
当第一导电层的表面电阻为70~200Ω/sq时(例如ITO),上述导电性微粒和粘合剂的质量比(导电性微粒/粘合剂)优选为1/33~1/1。
以下,对将上述本发明的导电膜形成用感光材料进行图案曝光并进行显影处理而得到的导电膜的实施方式进行详细说明。
在本发明中,通过图案曝光、显影处理形成的形状有网格状、直线正交的格子状、交叉部之间至少具有1个弯曲的曲线形状等,例如在格子状网格中,线宽/间隔(line-and-space ratio)优选为20~1000μm,更优选为20~300μm。此时,间距优选为200~1000μm,更优选为200~600μm。
另外,在本发明中,还可以通过在确保导电性的范围内涂布导电性聚合物来进一步形成导电层。
[曝光]
关于将含银盐乳剂层曝光成图案状的方法,可以通过利用光掩模的面曝光来进行,也可以通过利用激光束的扫描曝光来进行。此时,可以是使用透镜的折射式曝光,也可以是使用反射镜的反射式曝光,可以采用接触曝光、近接式曝光、缩小投影曝光、反射投影曝光等曝光方式。
[显影处理]
本发明的感光材料的显影处理是在将含银盐层曝光后,进一步实施显影处理。上述显影处理可以采用在银盐胶片、印相纸、印刷制版用胶片、光掩模用乳胶掩模等中常用的显影处理技术。
在本发明中,通过进行上述曝光和显影处理,能在曝光部形成图案状的金属银部的同时,在未曝光部形成后述的透光性部。
本发明的感光材料的显影处理可以包含定影处理,定影处理的目的在于除去未曝光部分的银盐而使其稳定化。针对本发明的感光材料的定影处理可以采用银盐胶片、印相纸、印刷制版用胶片、光掩模用乳胶掩模等中使用的定影处理技术。
如此得到的本发明的导电性材料,当在含银盐乳剂层中含有导电性微粒时,导电性微粒分散在银盐脱离的透光部,形成电阻比金属银部高的高电阻的导电层。当导电性微粒进入含银盐乳剂层以外的层中时,也同样会形成在透光部分散有导电性微粒的导电层。
在上述的本发明的感光材料和导电性材料中,可以将以下列举的公知文献适当组合来使用。
日本特开2004-221564号公报、日本特开2004-221565号公报、日本特开2007-200922号公报、日本特开2006-352073号公报、WO2006/001461A1号小册子、日本特开2007-129205号公报、日本特开2007-235115号公报、日本特开2007-207987号公报、日本特开2006-012935号公报、日本特开2006-010795号公报、日本特开2006-228469号公报、日本特开2006-332459号公报、日本特开2007-207987号公报、日本特开2007-226215号公报、WO2006/088059A1号小册子、日本特开2006-261315号公报、日本特开2007-072171号公报、日本特开2007-102200号公报、日本特开2006-228473号公报、日本特开2006-269795号公报、日本特开2006-267635号公报、日本特开2006-267627号公报、WO2006/098333号小册子、日本特开2006-324203号公报、日本特开2006-228478号公报、日本特开2006-228836号公报、日本特开2006-228480号公报、WO2006/098336A1号小册子、WO2006/098338A1号小册子、日本特开2007-009326号公报、日本特开2006-336057号公报、日本特开2006-339287号公报、日本特开2006-336090号公报、日本特开2006-336099号公报、日本特开2007-039738号公报、日本特开2007-039739号公报、日本特开2007-039740号公报、日本特开2007-002296号公报、日本特开2007-084886号公报、日本特开2007-092146号公报、日本特开2007-162118号公报、日本特开2007-200872号公报、日本特开2007-197809号公报、日本特开2007-270353号公报、日本特开2007-308761号公报、日本特开2006-286410号公报、日本特开2006-283133号公报、日本特开2006-283137号公报、日本特开2006-348351号公报、日本特开2007-270321号公报、日本特开2007-270322号公报、WO2006/098335A1号小册子、日本特开2007-088218号公报、日本特开2007-201378号公报、日本特开2007-335729号公报、WO2006/098334A1号小册子、日本特开2007-134439号公报、日本特开2007-149760号公报、日本特开2007-208133号公报、日本特开2007-178915号公报、日本特开2007-334325号公报、日本特开2007-310091号公报、日本特开2007-311646号公报、日本特开2007-013130号公报、日本特开2006-339526号公报、日本特开2007-116137号公报、日本特开2007-088219号公报、日本特开2007-207883号公报、日本特开2007-207893号公报、日本特开2007-207910号公报、日本特开2007-013130号公报、WO2007/001008号小册子、日本特开2005-302508号公报、日本特开2005-197234号公报。
本发明的导电性材料优选作为EL元件的透明电极。分散型电致发光元件由交流驱动。典型地说,使用100V、50Hz~400Hz的交流电源来驱动。当面积小时,亮度几乎与施加电压和频率成比例地增加。但是,在0.25m2以上的大面积元件的情况下,元件的容量成分增加,元件与电源的阻抗匹配偏离,或向元件存储电荷所需的时间常数变大,因此即使高电压化、特别是高频率化,也容易出现电力供给不足的现象。特别是在0.25m2以上的元件中,相对于500Hz以上的交流驱动,经常出现驱动频率增加而施加电压下降,经常引起低亮度化。
与此相对,使用本发明的导电性材料作为电极的电致发光元件,即使在0.25m2以上的大尺寸下也能进行高频率驱动,能实现高亮度化。此时,优选500Hz~5kHz的驱动,更优选800kHz~3kHz的驱动。
实施例
以下,基于实施例来详细说明本发明,但本发明不限于这些实施例。
[实施例1]
(乳剂A的制备)
·1液:
水 750ml
明胶(邻苯二甲酰化处理明胶) 8g
氯化钠 3g
1,3-二甲基咪唑烷-2-硫酮 20mg
苯硫代磺酸钠 10mg
柠檬酸 0.7g
·2液
水 300ml
硝酸银 150g
·3液:
水 300ml
氯化钠 38g
溴化钾 32g
六氯铱(III)酸钾
(0.005%KCl,20%水溶液) 5ml
六氯铑酸铵
(0.001%NaCl,20%水溶液) 7ml
3液中使用的六氯铱(III)酸钾(0.005%KCl,20%水溶液)和六氯铑酸铵(0.001%NaCl,20%水溶液)是将各自的络合物粉末分别溶于KCl 20%水溶液、NaCl 20%水溶液中,在40℃下加热120分钟而制备的。
向保存在38℃、pH为4.5的1液中,一边搅拌一边用20分钟加入分别相当于90%的量的2液和3液,形成0.16μm的核粒子。接着用8分钟加入下述4液、5液,然后用2分钟加入剩余的10%的量的2液和3液,使之生长至0.21μm。然后,加入碘化钾0.15g,老化5分钟,结束粒子形成。
·4液
水 100ml
硝酸银 50g
·5液
水 100ml
氯化钠 13g
溴化钾 11g
黄血盐 5mg
然后,根据常规方法,用絮凝法进行水洗。具体而言,将温度降低至35℃,用硫酸降低pH(在pH3.6±0.2的范围内)直至出现卤化银沉淀。
然后,除去约3升上清液(第一次水洗)。然后,加入3升蒸馏水,并加入硫酸直至出现卤化银沉淀。再次除去3升上清液(第二次水洗)。再重复进行一次与第二次水洗相同的操作(第三次水洗),结束水洗、脱盐工序。
将水洗、脱盐后的乳剂调节至pH为6.4、pAg为7.5,加入苯硫代磺酸钠10mg、苯硫代亚磺酸钠3mg、硫代硫酸钠15mg和氯金酸10mg,在55℃下实施化学增感以得到最佳灵敏度,加入稳定剂1,3,3a,7-四氮茚100mg、防腐剂Proxel(商品名,ICI Co.,Ltd.制)100mg。最终得到含有氯化银70摩尔%、碘化银0.08摩尔%的平均粒径为0.22μm、变异系数为9%的碘盐溴化银立方体粒子乳剂。最终,作为乳剂,pH=6.4,pAg=7.5,导电度=40μS/m,密度=1.2×103kg/m3,粘度=60mPa·s。
(涂布液的制备)
在上述乳剂A中加入增感色素(SD-1)5.7×10-4摩尔/摩尔Ag,实施光谱增感。然后加入KBr 3.4×10-4摩尔/摩尔Ag、化合物(Cpd-3)8.0×10-4摩尔/摩尔Ag,充分混合。
接着,添加1,3,3a,7-四氮茚1.2×10-4摩尔/摩尔Ag、氢醌1.2×10-2摩尔/摩尔Ag、柠檬酸3.0×10-4摩尔/摩尔Ag、2,4-二氯-6-羟基-1,3,5-三嗪钠盐90mg/m2、相对于明胶为15wt%的粒径为10μm的胶体二氧化硅、水性胶乳(aqL-6)50mg/m2、聚丙烯酸乙酯胶乳100mg/m2、丙烯酸甲酯与2-丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸钠盐与甲基丙烯酸2-乙酰氧基乙酯的胶乳共聚物(质量比为88∶5∶7)100mg/m2、核壳型胶乳(核:苯乙烯/丁二烯共聚物(质量比为37/63)和壳:苯乙烯/丙烯酸2-乙酰氧基乙酯(质量比为84/16,核/壳比=50/50))100mg/m2、相对于明胶为4wt%的化合物(Cpd-7);并用柠檬酸将涂布液的pH调节至5.6。
(底涂层)
如下所述,在支撑体上设置底涂层(支撑体采用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)(厚度为100μm)。PET采用事先进行了表面亲水化处理的PET。)。
作为按下述说明形成的乳剂A层的底涂层,使乳剂A的1液的明胶为20g,使乳剂层的Ag/粘合剂体积比例(银/GEL比(vol))为1.0/0.9、Ag为1.0g/m2、明胶为0.11g/m2地来设置层。
(卤化银乳剂层)
使用乳剂A,在上述底涂层上涂布如上所述制备的乳剂层涂布液,使Ag为4.5g/m2、明胶为0.25g/m2。
(保护层)
如下所述,在上述卤化银乳剂层上部以20ml/m2涂布下述1液,设置保护层。
·1液:
水 943ml
明胶 33g
掺Sb的氧化锡(石原产业公司制,商品名SN100P) 20g
此外,适当添加表面活性剂、防腐剂、pH调节剂。
将如上所述得到的涂布品作为干燥后试样A。
试样A在保护层以导电性微粒为0.4g/m2、导电性微粒/粘合剂比为0.6/1(质量比)涂布有导电性微粒。其中,为了分析导电性微粒单独的电阻(导电膜电阻),将该涂布试样A不进行曝光、显影处理,而仅进行定影处理,并在卤化银脱离后测定表面电阻,结果为107Ω/sq。表面电阻(Ω/sq)采用数字超高电阻/微量电流计8340A(商品名,株式会社ADC公司制)来测定。
除了改变保护层的掺Sb的氧化锡的量外,与涂布试样A同样操作,得到涂布试样B。试样B的导电性微粒为0.22g/m2,导电性微粒/粘合剂比(质量比)为1.2/1。其中,将该涂膜不进行显影处理,而仅进行定影处理,并在卤化银脱离后测定表面电阻,结果为109Ω/sq。
另外,除去保护层的掺Sb的氧化锡,在底涂层的乳剂中以0.3g/m2添加掺Sb的氧化锡,干燥后得到试样C。底涂层的导电性微粒/粘合剂比为1.48/1。其中,将该涂膜不进行显影处理,而仅进行定影处理,并在卤化银脱离后测定表面电阻,结果为1012Ω/sq。
(曝光、显影处理)
然后,对上述制备的样品A~C,借助可赋予线宽/间隔=5μm/295μm的显影银像的格子状的光掩模线宽/间隔=295μm/5μm(间距为300μm)的空间为格子状的光掩模,采用以高压汞灯为光源的平行光进行曝光,用下述显影液显影,然后用定影液(商品名:CN16X用N3X-R:富士胶片公司制)进行显影处理后,用纯水淋洗,得到样品A~C。
[显影液的组成]
在1升显影液中含有以下的化合物。
氢醌 0.037mol/L
N-甲基氨基苯酚 0.016mol/L
偏硼酸钠 0.140mol/L
氢氧化钠 0.360mol/L
溴化钠 0.031mol/L
焦亚硫酸钾 0.187mol/L
(轧光处理)
将如上所述进行了显影处理的样品进行轧光处理。轧光辊由金属辊(铁芯+硬铬镀、辊直径为250mm)形成,施加400kgf/cm的线压,使样品通过辊之间,测定表面电阻率(Ω/sq)。
对样品A、B、C进行400kgf/cm的轧光处理,未进行轧光处理的样品A、B、C分别作为样品D、E、F。
(比较例)
作为比较例,用卤化银乳剂涂布品(富士胶片公司制)进行显影处理使线宽/间隔=10μm/295μm,对表面电阻为30Ω/sq的样品和对其进一步进行镀敷处理而得到的表面电阻为0.4Ω/sq的样品,在网格上涂布TA化学株式会社(TA Chemical Co.)的导电性聚合物Baytron PEDOT(商品名、聚乙烯二氧噻吩),制作样品G、H。关于导电性聚合物单独的电阻,当将之涂布到PET基体上来进行电阻测定时,为106Ω/sq。
另外,进行了与试样H同样的显影、镀敷处理后,制作未进行任何涂布的试样,作为样品I。
为了与以往使用的技术中导电性最高且透光性最高的技术进行比较,使用ITO膜形成线宽/间隔=10μm/295μm的网格图案来制作样品,作为比较例的样品J、K。这里,样品J和样品K为仅电阻值不同的试样,它们的电阻值分别为20Ω/sq、80Ω/sq。
(电致发光元件的制作)
将如上所述制作的样品A~K安装于分散型无机EL(电致发光)元件,进行发光测试。
在作为背面电极的铝片上涂布含有平均粒子尺寸为0.03μm的颜料的反射绝缘层和荧光体粒子为50~60μm的发光层,用热风干燥机在110℃下干燥1小时。
然后,在荧光体层、背面电极的电介质层面上重叠样品A~K,热压接,形成EL元件。将元件用2张由尼龙6形成的吸水性片材和2张防湿膜夹持进行热压接。EL元件的尺寸为3cm×5cm。
(评价)
用于测定发光亮度的电源使用恒频恒压电源CVFT-D系列(东京精电株式会社制、商品名)。另外,亮度的测定采用亮度计BM-9(株式会社TopconTechnohouse制、商品名)。
(结果)
在峰电压100V,频率1000Hz、2000Hz下驱动无机EL元件,测定亮度。其结果如表1所示。
[表1]
样品 | 表面电阻(Ω/sq) | 导电性微粒膜电阻(Ω/sq) | 透射率 | 亮度(1kHz) | 亮度(2kHz) | 备注 |
A | 8 | 107 | 83.29 | 152 | 238 | 本发明 |
B | 8 | 109 | 84.09 | 154 | 245 | 本发明 |
C | 8 | 1012 | 84.7 | 162 | 264 | 本发明 |
D | 16 | 107 | 84 | 153 | 237 | 本发明 |
E | 16 | 109 | 83.9 | 154 | 243 | 本发明 |
F | 16 | 1012 | 84.6 | 162 | 265 | 本发明 |
G | 30 | 106 | 83.56 | 148 | 232 | 比较例 |
H | 0.4 | 106 | 80.02 | 123 | 184 | 比较例 |
I | 0.4 | × | 81 | 30 | 50 | 比较例 |
J | 20 | × | 81.88 | 142 | 224 | 比较例 |
K | 80 | × | 85 | 178 | 267 | 比较例 |
另外,表2所示为各样品的构成。
[表2]
在作为本发明例的样品A~F中,尽管网格开口部的导电膜的表面电阻为107Ω/sq以上的高电阻,亮度也没有下降,开口部也发光。另外,即使是用卤化银制作的网格电阻为8Ω/sq和16Ω/sq,对亮度也几乎没有影响。与此相比,比较例的样品G、H整面发光,将透射率相等的样品A与样品G比较,亮度几乎不变,但样品G在网格形成后还施予聚合物,存在工序数增加的问题。此外,在样品B、C中,尽管网格开口部的导电膜的表面电阻高,也得到高亮度的结果,证实了本发明的优越性。
在未施予导电性膜的样品I中,仅在网格附近发光。
另外,比较例的样品J的亮度低,样品K的亮度高,若实施例2所述那样为长条状样品,则出现亮度下降的问题。
本发明的样品具有足够实用的透明性,在导电性微粒的涂布工序中能够均匀分散,几乎没有制造缺陷。另一方面,若导电性微粒的涂布量在本发明的范围外、例如为3g/m2时,在制作涂布液时,分散所需时间长,而且在涂布工序中的制造缺陷增加。
[实施例2]
接着,与实施例1中制作的样品同样操作,将卤化银乳剂的网格表面电阻为30、16、8Ω/sq的试样作为样品A2、B2、C2,向保护层施予导电性微粒,制作开口部的导电性微粒(氧化锡)的导电膜单独的表面电阻为109Ω/sq的样品。
作为比较例,用卤化银乳剂涂布品制作表面电阻为30Ω/sq的银网格,然后,在开口部施予导电性聚合物Pedot,制作单独膜电阻为106Ω/sq的试样D2。另外,为了与以往使用的技术中导电性最高且透光性高的技术进行比较,使用ITO膜制作样品,得到比较例样品E2、F2。这里,E2、F2为仅电阻值不同的试样,它们的电阻值分别为20Ω/sq、80Ω/sq。
如上所述制作的样品中,制作宽14cm、长85cm的样品,在峰电压100V、频率1.4kHz下驱动,在由银糊形成的母线上设置引出电极(日文原文为:取出し電極),改变距取出电极的距离来测定亮度。测定点设定为距母线5mm、100mm、200mm、300mm、400mm、500mm、600mm、700mm、800mm。
测定结果如图1所示。
从该结果可知,在比较例样品E2、F2的使用了ITO的试样中,若与电极的距离远,则亮度会下降。与此相对,本发明例的C2即使与电极的距离远,亮度也不下降而发光。网格电阻为16Ω/sq的试样B2虽然与ITO表面电阻为20Ω/sq的样品E的亮度几乎相同,但由于表面电阻为20Ω/sq的ITO昂贵并且是有可能枯竭的材料,因此本发明例较好。
另外,形成网格后施予了导电膜而得到的样品D2与样品A具有相同的亮度,但如实施例1所述,从在形成网格后施予导电膜的角度出发,工序数增加,因此证实了本发明的优越性。
[实施例3]
将实施例1的样品A的由显影银网格构成的导电层变化为由ITO构成的导电层,保护层中含有的导电性微粒的含量、导电性微粒/粘合剂质量比如表3所示地进行变化,除此以外与实施例1同样地操作,得到样品3-1~3-3。样品3-1~3-3为线宽/间隔=5μm/295μm的格子状图案。将得到的样品与实施例1的样品A同样地安装到分散型无机EL元件中,进行发光测试并进行评价。得到的结果如表4所示。对于样品3-1~3-3,与实施例2同样地测定相对于与电极的距离的亮度,可知即使与电极的距离为20cm、30cm、40cm,也具有足够实用的亮度。
[表3]
样品 | 导电层 | 导电性微粒 | 含有导电性微粒的层 | 含量(g/m2) | 导电性微粒/粘合剂质量比 | 备注 |
3-1 | ITO | 掺Sb的氧化锡 | 保护层 | 0.05 | 1/33 | 本发明 |
3-2 | ITO | 同上 | 保护层 | 0.29 | 1/5 | 本发明 |
3-3 | ITO | 同上 | 保护层 | 0.86 | 1/1 | 本发明 |
[表4]
样品 | 表面电阻(Ω/sq) | 导电性微粒膜电阻(Ω/sq) | 透射率 | 亮度(1kHz) | 亮度(2kHz) | 备注 |
3-1 | 119 | 1012 | 84.90 | 185 | 275 | 本发明 |
3-2 | 98 | 109 | 84.00 | 180 | 269 | 本发明 |
3-3 | 106 | 107 | 82.40 | 181 | 270 | 本发明 |
[实施例4]
将实施例1的样品A的保护层中含有的导电性微粒的含量、导电性微粒/粘合剂质量比如表5所示地进行变化,除此以外与实施例1同样地操作,得到样品4-1~4-4。样品4-1~4-4为线宽/间隔=5μm/295μm的格子状图案。将得到的样品与实施例1的样品A同样地安装到分散型无机EL元件中,进行发光测试并进行评价,结果可知与实施例1同样地具有足够的亮度。另外,当作为触摸屏的透明导电膜使用时,在笔输入时文字等输入信息不会出现中断,在直线性方面优异。
[表5]
样品 | 导电层 | 导电性微粒 | 含有导电性微粒的层 | 含量(g/m2) | 导电性微粒/粘合剂质量比 | 备注 |
4-1 | 显影银网格 | 掺Sb的氧化锡 | 保护层 | 0.3 | 1/1 | 本发明 |
4-2 | 显影银网格 | 同上 | 保护层 | 0.3 | 1.5/1 | 本发明 |
4-3 | 显影银网格 | 同上 | 保护层 | 0.4 | 1/1 | 本发明 |
4-5 | 显影银网格 | 同上 | 保护层 | 0.6 | 1/1 | 本发明 |
[实施例5]
将实施例1的样品A的保护层中含有的导电性微粒的含量、导电性微粒/粘合剂质量比如表6所示地进行变化(改变涂布量和粘合剂量等来调节),除此以外与实施例1同样地操作,得到表6的样品5-1~5-20。此外,在该实施例中,向保护层上进一步添加增粘剂(苯乙烯磺酸钠),将粘度调整到30cp以上。
表6的样品为线宽/间隔=5μm/295μm的格子状图案。将得到的样品与实施例1的样品A同样地安装到分散型无机EL元件中,进行发光测试并进行评价,结果可知与实施例1同样地具有足够的亮度。但是确定:当导电性微粒含量少时,发光亮度下降(样品5-18)。另外,当作为触摸屏的透明导电膜使用时,在笔输入时文字等输入信息不会出现中断,在直线性方面优异。此外,笔输入的评价为:制作10×10cm的导电膜,对其施加5V的电压,评价线性度。对样品5-1~5-7、样品5-12~5-16进行该评价。在此,说明线性度的测定原理。例如,在测定垂直的X、Y电极的线性度时,若向X电极施加电压E,则线性度可以用数学式(1)表示。
线性度(%)=ΔE/E×100(1)
这里,关于线性度的评价按照如下的顺序进行。首先,将X轴和Y轴分别等间隔地10等分。使流过X轴方向和Y轴方向的电流值恒定,测定各测定点的电压。另外,用直线连接(X1,Y1)、(X10、Y10),测定距该直线的各测定点的偏离ΔE,采用数学式(1)评价线性度。在该评价方法中,测定的制作的各样品导电膜的输出的线性度的X轴、Y轴的平均值分别为1%。
[表6]
样品 | 导电性微粒含量(g/m2) | 导电性微粒/粘合剂质量比 | 网格开口部导电膜表面电阻(Ω/sq) | 备注 |
5-1 | 0.4 | 1.5/1 | 107 | 本发明 |
5-2 | 0.4 | 1.3/1 | 107 | 本发明 |
5-3 | 0.4 | 1.1/1 | 107 | 本发明 |
5-4 | 0.4 | 1/1.1 | 107 | 本发明 |
5-5 | 0.4 | 1/1.3 | 107 | 本发明 |
5-6 | 0.4 | 1/1.5 | 107 | 本发明 |
5-7 | 0.4 | 1/3 | 107 | 本发明 |
5-8 | 0.4 | 1/5 | 108 | 本发明 |
5-9 | 0.4 | 1/10 | 109 | 本发明 |
5-10 | 0.4 | 1/20 | 1010 | 本发明 |
5-11 | 0.4 | 1/33 | 1012 | 本发明 |
5-12 | 0.6 | 1/1.1 | 107 | 本发明 |
5-13 | 0.8 | 1/1.1 | 107 | 本发明 |
5-14 | 0.9 | 1/1.1 | 106 | 本发明 |
5-15 | 1 | 1/1.1 | 106 | 本发明 |
5-16 | 0.4 | 1/1.1 | 108 | 本发明 |
5-17 | 0.2 | 1/1.1 | 109 | 本发明 |
5-18 | 0.05 | 1/1.1 | 1012 | 本发明 |
5-19 | 0.4 | 2.7/1 | 106 | 本发明 |
5-20 | 0.6 | 4.2/1 | 106 | 本发明 |
[实施例6]
将实施例1的样品A的卤化银乳剂层的银/粘合剂体积比变化为1/4、1/3、1/2、2/1、3/1、5/1,除此以外与实施例1同样地操作,得到各样品。各样品为线宽/间隔=5μm/295μm的格子状图案。将得到的样品与实施例1的样品A同样地安装到分散型无机EL元件中,进行发光测试并进行评价,结果可知与实施例1同样地具有足够的亮度。另外,当作为触摸屏的透明导电膜使用时,在笔输入时文字等输入信息不会出现中断,在直线性方面优异。
Claims (23)
1.一种导电膜形成用感光材料,其特征在于,其在支撑体上具有含银盐乳剂层,在所述含银盐乳剂层或含银盐乳剂层侧的任一层中含有导电性微粒和粘合剂,且所述导电性微粒和粘合剂的质量比、即导电性微粒/粘合剂为1/33~1.5/1,所述含有导电性微粒和粘合剂的层是与所述含银盐乳剂层相邻的层,并且所述导电性微粒的涂布量为0.05~0.9g/m2。
2.如权利要求1所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,所述导电性微粒和粘合剂的质量比、即导电性微粒/粘合剂为1/10~1.5/1。
3.如权利要求1所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,所述导电性微粒和粘合剂的质量比、即导电性微粒/粘合剂为1/5~1.5/1。
4.如权利要求1所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,所述导电性微粒和粘合剂的质量比、即导电性微粒/粘合剂为1/3~1.5/1。
5.如权利要求1~4中任一项所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,所述导电性微粒的涂布量为0.2~0.9g/m2。
6.如权利要求1~4中任一项所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,所述导电性微粒的涂布量为0.2~0.5g/m2。
7.如权利要求6所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,所述导电性微粒的涂布量为0.2~0.4g/m2。
8.如权利要求1~4中任一项所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,所述导电性微粒的涂布量为0.4~0.9g/m2。
9.如权利要求1~4中任一项所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,所述导电性微粒为从SnO2、ZnO、TiO2、Al2O3、In2O3、MgO、BaO以及MoO3中选择的至少一种金属氧化物、它们的复合金属氧化物、或在这些金属氧化物中含有异种原子的金属氧化物。
10.如权利要求9所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,所述导电性微粒为掺有锑的SnO2。
11.如权利要求1~4中任一项所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,当所述导电性微粒为球状时,平均粒径为0.085~0.12μm;当所述导电性微粒为针状时,长轴的平均轴长为0.2~20μm、短轴的平均轴长为0.01~0.02μm。
12.如权利要求1~4中任一项所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,在所述含银盐乳剂层侧具有与所述含银盐乳剂层相邻的保护层,在所述保护层中含有导电性微粒和粘合剂。
13.如权利要求1所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,所述感光材料形成EL元件的透明电极的导电膜。
14.一种导电膜形成用感光材料,其特征在于,其在支撑体上具有含银盐乳剂层,在与所述含银盐乳剂层相邻的层中含有导电性微粒和粘合剂,且所述导电性微粒的含量为0.05~0.9g/m2,并且所述导电性微粒和粘合剂的质量比、即导电性微粒/粘合剂为1/33~1.5/1。
15.如权利要求14所述的导电膜形成用感光材料,其特征在于,所述导电性微粒的含量为0.2~0.4g/m2。
16.一种导电性材料,其是将权利要求1~15中任一项所述的导电膜形成用感光材料进行图案曝光、显影处理而得到的导电性材料。
17.一种导电性材料,其特征在于,其在支撑体上具有导电层,在所述导电层或导电层侧的任一层中含有导电性微粒和粘合剂,且所述导电性微粒与粘合剂的质量比、即导电性微粒/粘合剂为1/33~1.5/1,所述含有导电性微粒和粘合剂的层是与所述导电层相邻的保护层,并且所述导电性微粒的涂布量为0.05~0.9g/m2。
18.如权利要求17所述的导电性材料,其特征在于,所述导电性微粒与粘合剂的质量比、即导电性微粒/粘合剂为1/10~1.5/1。
19.如权利要求18所述的导电性材料,其特征在于,所述导电性微粒与粘合剂的质量比、即导电性微粒/粘合剂为1/3~1.5/1。
20.如权利要求17~19中任一项所述的导电性材料,其特征在于,所述导电性微粒的涂布量为0.2~0.9g/m2。
21.如权利要求17~19中任一项所述的导电性材料,其特征在于,所述导电性微粒的涂布量为0.2~0.5g/m2。
22.如权利要求17~19中任一项所述的导电性材料,其特征在于,所述导电层的表面电阻为0.01Ω/sq以上。
23.一种EL元件,其特征在于,所述EL元件的透明电极由利用权利要求1所述的导电膜形成用感光材料形成的导电膜构成,所述电极用500Hz~5kHz的频率交流驱动,且所述导电膜为0.25m2以上。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP165603/2008 | 2008-06-25 | ||
JP2008165603 | 2008-06-25 | ||
JP2008322424 | 2008-12-18 | ||
JP322424/2008 | 2008-12-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101614949A CN101614949A (zh) | 2009-12-30 |
CN101614949B true CN101614949B (zh) | 2014-04-30 |
Family
ID=41447810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200910149979.8A Expired - Fee Related CN101614949B (zh) | 2008-06-25 | 2009-06-24 | 导电膜形成用感光材料和导电性材料 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7943291B2 (zh) |
JP (1) | JP5478126B2 (zh) |
KR (1) | KR101486595B1 (zh) |
CN (1) | CN101614949B (zh) |
TW (1) | TWI453538B (zh) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011065944A (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-31 | Fujifilm Corp | 導電膜形成用感光材料、導電性材料、表示素子及び太陽電池 |
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CN102902425B (zh) * | 2011-07-28 | 2016-06-08 | 宸鸿科技(厦门)有限公司 | 电容式触控面板结构及制造方法 |
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-
2009
- 2009-06-15 JP JP2009142621A patent/JP5478126B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-24 TW TW098121137A patent/TWI453538B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-06-24 CN CN200910149979.8A patent/CN101614949B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-24 KR KR20090056292A patent/KR101486595B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-24 US US12/490,815 patent/US7943291B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5478126B2 (ja) | 2014-04-23 |
CN101614949A (zh) | 2009-12-30 |
US7943291B2 (en) | 2011-05-17 |
TWI453538B (zh) | 2014-09-21 |
KR20100002156A (ko) | 2010-01-06 |
JP2010165659A (ja) | 2010-07-29 |
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TW201005438A (en) | 2010-02-01 |
KR101486595B1 (ko) | 2015-01-26 |
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C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
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