CN101459166A - 发光二极管 - Google Patents

发光二极管 Download PDF

Info

Publication number
CN101459166A
CN101459166A CNA2008101846341A CN200810184634A CN101459166A CN 101459166 A CN101459166 A CN 101459166A CN A2008101846341 A CNA2008101846341 A CN A2008101846341A CN 200810184634 A CN200810184634 A CN 200810184634A CN 101459166 A CN101459166 A CN 101459166A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
outer rim
substrate
emitting diode
sealing resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008101846341A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101459166B (zh
Inventor
大石和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Citizen Electronics Co Ltd
Original Assignee
Citizen Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Citizen Electronics Co Ltd filed Critical Citizen Electronics Co Ltd
Publication of CN101459166A publication Critical patent/CN101459166A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101459166B publication Critical patent/CN101459166B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93—Batch processes
    • H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明涉及一种发光二极管。其中，基板的外围部分提供有第一外缘和第二外缘。第一外缘配置在其上安装发光二极管元件的基板第一上表面的边缘部分上。第二外缘形成在连接发光二极管元件发光面的边缘和第一外缘的假想线的延长线上或延长线之内。第二外缘位于第一外缘阻挡来自发光二极管元件的直射光的位置上。这种结构防止了配置在第一外缘和第二外缘之间的基板的第二上表面由于直射光而变劣。

Description

发光二极管
相关申请的交叉参考
本申请基于并要求2007年12月11日提交的日本专利申请No.2007-319613的优先权，在此引入其全部说明书以作参考。
技术领域
本发明涉及发光二极管，其具有安装在基板上并封装在密封树脂中的发光二极管元件。
背景技术
通常，发光二极管安装在绝缘基板上并封装在密封树脂中是众所周知的。应用密封树脂，最初是为了密封发光二极管元件和诸如引线、凸块和电极的电连接。
然而，在许多现有的发光二极管中，电极被形成为从基板的上表面通过其边缘表面延伸到下表面。由于电极覆盖了基板的大表面区域，因此留下基板的小表面区域用于将密封树脂直接粘附到基板。基板包括可以固定粘接到密封树脂的树脂，但由于材料的不同性质，因此由金属构成的电极区域不能特别牢固地粘接到基板，因此，与密封树脂接触的电极区域倾向于易于失去粘接强度。例如，在发光二极管工作期间或发光二极管到电子器件或发光装置的其他电路板的安装工艺期间，当由于产生的热量而使基板和密封树脂各自热膨胀时，它们的热膨胀系数之间的差异将在它们之间的粘接部分产生应变。
特别是，最强的应变集中在基板和密封树脂之间的外围粘接部分上，并由此使树脂变得更容易从外围粘接部分的边缘脱开。
在该背景下，如图9所示，已知的是提供穿透基板2的通孔4和6(例如，参见日本专利申请特开No.2001-352102和日本专利申请特开No.2005-353802)。通孔4和6分别被形成为穿透基板2以便电连接基板的上表面和下表面，并且将发光二极管元件8管芯接合且引线接合于此。在这种情况下，电极布置在基板上表面上的相应的小区域中，基板2的上表面和密封树脂10之间的直接粘接部分可以扩大，结果，可以实现基板2和密封树脂10之间的粘接增强。
此外，由于电极不在基板2的上表面的外围部分附近延伸，因此外围部分可以沿该外围部分紧密地粘接到密封树脂10。
但是，在工作几年后，从发光二极管元件8发出的光将使基板2的上表面劣化。而且，由于由发光二极管元件8产生的热量而使基板2和密封树脂10重复性的热膨胀，这将使基板2和密封树脂10之间的粘接部分变得脱开。特别是，来自发光二极管元件8的光束将直接击中基板2的外围部分和其附近表面并由此使其劣化。这种劣化和由热膨胀引起的应变效应将导致密封树脂10从基板2脱开。
发明内容
本发明的目的在于提供一种发光二极管，其可以在没有任何诸如光屏蔽的其他部件的情况下，防止由从发光二极管元件发出的光引起的基板外围部分及其附近的劣化。
在本发明的实施例中，发光二极管包括具有第一上表面、邻近第一上表面的第二上表面、位于第一上表面和第二上表面之间的第一外缘和当从上面看时位于第一外缘外侧的第二外缘的基板，该第一上表面至少具有形成在该第一上表面上的一对电极。发光二极管还包括安装在基板的第一上表面上并电连接到电极的至少一个发光二极管元件，发光二极管还包括配置在基板的第一上表面和第二上表面上以封装发光二极管元件的密封树脂，发光二极管元件具有发光面，相对于连接发光面的边缘和基板的第一外缘的假想线的延长线配置该第二外缘。
此外，第二上表面可以是水平面或倾斜面。并且，密封树脂在基板上表面的外围部分处粘接到基板的至少两个面，由此可以增强粘接强度。
此外，第一外缘可以配置在其上安装发光二极管元件的第一上表面的整个外围部分上，第二外缘可以配置在基板第二外缘的整个外围部分上。
此外，电极包括垂直穿透基板的通孔。
附图说明
图1是示出根据本发明实施例的发光二极管的透视图；
图2是沿图1的线II-II的发光二极管的截面图；
图3是示出位于连接发光面的边缘和第一外缘的假想线延长线上内的第二外缘的截面图；
图4是示出位于延长线上的第二外缘的截面图；
图5是类似于图3的、具有为倾斜面的第二上表面的截面图；
图6是类似于图4的、具有位于延长线上的倾斜面的截面图；
图7是示出形成第二上表面水平面、第一外缘和第二外缘的步骤的截面图；
图8是示出形成第二上表面倾斜面、第一外缘和第二外缘的步骤的截面图；
图9是示出常规发光二极管结构的截面图。
具体实施方式
现在将参考附图更详细地描述本发明的优选实施例。
图1至3示出了根据本发明实施例的发光二极管。本实施例的发光二极管11包括由诸如环氧玻璃或陶瓷的绝缘材料构成的基板12，基板12具有上表面，该上表面包括第一上表面18并包括稍后描述的第二上表面30a，其中上电极14和16配置在该第一上表面上且至少一个发光二极管元件安装在该第一上表面上。本实施例的电极14和16包括垂直穿透基板12的通孔，且电极14和16布置在基板12的第一上表面18上以便分别延伸到接近通孔，电极14和16具有恰好足以将发光二极管元件20管芯接合并引线接合到其上的窄面积。
发光二极管元件20管芯接合到一个电极14并通过引线22引线接合到另一电极16，然后封装在诸如环氧树脂或硅树脂的密封树脂24中。密封树脂是透光树脂。
根据本实施例，第一外缘26配置在基板12的第一上表面18的外围部分的至少一部分上，且当从上面看时第二外缘28还配置在第一外缘26之外。在本实施例中，第一外缘26配置在第一上表面18的整个外围部分上。由于第一外缘26位于其上安装有发光二极管元件20的第一上表面的平面边缘处，因此第一外缘26被暴露或可能容易被暴露以便将光从发光二极管元件20引出。
第二外缘28位于连接基板的第一外缘26和接合边缘(juctionedge)的假想直线L的延长线上或延长线L以内。由于接合位于邻近发光二极管元件20的上表面处，因此在本实施例中发光面的边缘或发光元件的接合实质上是发光二极管元件上表面的边缘。出于以下原因而定义了假想线L。即，由于在暴露于从发光二极管元件20以向下的方向发出的光时，基板12上表面的外围部分会受到严重影响，因此基板12上表面的外围部分由于曝光的影响而容易劣化。此外，基板12上表面的外围部分将暴露于以向下方向发射的光，特别是从其上表面20a的边缘20c发出的光。
在上述背景下，本发明假定接合或发光面大体上位于与发光二极管元件20的上表面20a相同的位置处。然后，当基板的上表面20a的边缘20c和第一上表面18的外围部分的边缘(在本实施例中为第一外缘26)通过假想线L连接时，直线L具有如下倾斜角，所述倾斜角近似等于会显著影响基板12的外围部分的光的传播角度。因此相对于假想线L设置了本实施例，以阻止光碰撞到基板12上表面的外围部分。
注意，发光二极管元件20的上表面20a位于与接合的位置或边界半导体区域相同或相近的位置处；但是，本发明不限于发光面相对于上表面的位置。因此，与发光二极管元件的发光位置无关，通过连接发光面的边缘和第一外缘26之间来确定直线L，从而提供上述假想线L的延长线，由此以最有效的方式阻挡影响基板12的外围部分的光。
此外，为了以如上所述的最有效的方式阻挡光，通过连接发光二极管元件20上表面20a的边缘20c和第一外缘26来确定假想线L。但是，与发光二极管元件20的发光位置无关，连接发光部分(发光面)和第一外缘26之间的任何线可以被确定为假想线L。这可以阻挡或显著降低照射基板12的外围部分的光。因此，假想线L不必经过发光二极管元件20上表面20a的边缘20c。
此外，还在本实施例的前述基板12的第一外缘26和第二外缘28之间形成肩部30。如图3所示，该肩部30通常由构成基板12的第二上表面30a的水平面和第一垂直面30b构成，该第一垂直面30b通常是垂直的且位于第一上表面18的边缘和第二上表面30a之间。在这些组成平面中，前述密封树脂24的外围部分与基板12的外围部分紧密接合。此外，通常垂直且从第二外缘28向下到基板12的下表面来定向第二垂直面30c，该第二垂直面30c构成基板12的侧面或平面，其还与通常为立方体的密封树脂24的侧面或平面接触。
如图3所示，在上述结构的本发明实施例的发光二极管中，从发光二极管元件20发出的直射光32透射通过密封树脂24并射到基板12的上表面，特别是到靠近第一外缘26的上表面。如果来自发光二极管元件20的直射光32在密封树脂24中传输到假想线L之外，如横向光32a，则该直射光不会照射第一外缘26和第二外缘28，结果，基板上表面的外围部分不会劣化。
此外，沿假想线L或在线L内传输的下直射光32b将照射第一外缘26或其以内的部分。此时，第一外缘26防止了下直射光32b碰撞第二外缘28。因此，下直射光32b几乎不会照射到第二外缘28和构成肩部30的第二上表面30a。
如上所述，通过第一外缘26来隐蔽基板12的第二外缘28和第二上表面30a，并避免了由直射光32造成的劣化。由此，密封树脂24在基板上表面的外围部分处粘接到基板的至少两个平面。
如此，增强了基板12和密封树脂24之间的粘接强度。这确保了基板12和密封树脂24之间的粘接保持较长的时间。
此外，如图4所示，即使当基板123的第二外缘28设置为位于假想线L上，来自发光二极管元件20的直射光32也不会照射到肩部30的第二上表面30a。因此，在此结构中不存在第二上表面30a或第一垂直面30b之间的粘接性劣化，该第二上表面30a和第一垂直面30b构成了与密封树脂24紧密接触的肩部30。由此可以保持稳定的粘接。
此外，即使当第二外缘28稍稍位于直线L之外，直射光32也几乎不会照射到第二上表面30a的任何部分，由此不会引起与密封树脂的粘接性的显著降低。但是，由于该结构会引起基板12外部尺寸的增大并由此导致器件整个尺寸的增大，因此这种结构不是优选的。在这种情况下，在基板12的第二上表面30a的外周上，第二外缘28附近的劣化将引起外周部分的劣化，即，更容易变得脱开。因此，优选的是，限定第二外缘28使其不受到直射光32的照射。
此外，如上所述，在肩部30周围，基板的三个平面在基板12的外围部分处与密封树脂接合。这种形状可以在结构上增强具有固定(anchoring)效果的粘接强度。
此外，当与仅有基板12的水平面和密封树脂24的平坦表面相互粘接的情况相比时，前述肩部30的形成可以增大基板12和密封树脂24之间的稳定粘接区域。
注意，如图5所示，取代肩部30，还可以形成倾斜面34作为第一外缘26和第二外缘28之间的第二上表面。这也可以增大基板12和密封树脂24之间的粘接强度。此外，虽然不像肩部30那样有效，但倾斜面34也在基板上表面外围部分周围提供了基板的两个接触平面的固定效果。
此外，如图6所示，第二外缘28还可以位于直线L上以防止直射光32碰撞到倾斜面34上。由此可以防止倾斜面变劣，并保持基板12和密封树脂24之间的粘接性。
所有在上面描述过的第一外缘26、第二外缘28、用作第二上表面的水平面30a和倾斜面34可以通过图7和图8所示的制造方法形成。如下形成本实施例的发光二极管。也就是说，将大的基板36封装在密封树脂24中，该大基板36包括多个基板12，在每个基板上形成电极14和16，并将发光二极管元件20安装其上并与其引线接合。然后将基板36切割成单个发光二极管。
在本制造方法中，在将发光二极管元件20封装到密封树脂24中之前，在切割位置38处将大基板36对半切割(half-diced)，以形成如图7所示的矩形截面的凹槽40或如图8所示的V形截面的凹槽42。此后，将发光二极管元件20封装到密封树脂24中并将密封树脂24填充到凹槽40和42中。然后，在密封树脂24硬化之后，在切割位置38处或凹槽40和42的中心处切开基板36，以便将发光二极管分割成单个个体。结果，在由此分割的基板12的外围部分上，可以形成第一外缘26、第二外缘28和用作第二上表面的水平面30a或倾斜面34。
如上所述，根据本发明的实施例，第一外缘位于第一上表面的边缘处或是基板的具有形成其上的电极的元件安装面。第二外缘沿连接第一外缘和发光二极管元件发光面的边缘的直线的延长线上的基板外围部分设置或者位于延长线以内。即使当来自发光二极管元件的直射光照射第一外缘时，该第一外缘防止了直射光碰撞到第二外缘上。结果，可以防止外围部分处基板的劣化。由此，基板的外围部分不会由于曝光而变得劣化，可以使外围部分上基板和密封树脂之间的粘接以提高的可靠性长时间保持。
此外，根据本发明，在第一外缘和第二外缘之间形成肩部或倾斜面。这种结构增强了基板和密封树脂之间的粘接性。此外，第一外缘和第二外缘之间肩部或倾斜面的形成可以使基板和密封树脂在肩部或倾斜面附近在结构上彼此接合。由此也可以由固定效果在结构上增强粘接强度。
此外，根据本发明，第一外缘和第二外缘配置在基板的整个外周上，增强了外围部分的粘接强度。由此，即使当由光发射产生的热量而引起的膨胀应变集中在基板和密封树脂的外周部分上时，也可以防止该部分变得脱开。
此外，根据本发明，穿透基板的通孔电连接基板的上表面和下表面，而没有电极从上表面通过侧面延伸到下表面。这种结构，以及基板外围部分的前述结构的效果可以在基板的外围部分和密封树脂之间的强粘接以良好条件保持较长时间。
根据本发明的用于发光二极管的基板结构可以用于其上安装发光二极管元件或发光元件的各种器件的基板。
虽然已经根据实施例在上面描述了本发明，但应当注意本发明不限于这些实施例，在不脱离本发明范围和精神的情况下可以进行各种修改和改变。

Claims (18)

1.一种发光二极管，包括：
基板，具有第一上表面，至少一对电极形成在该第一上表面上；邻近该第一上表面的第二上表面；位于该第一上表面和该第二上表面之间的第一外缘，以及当从上面看时位于该第一外缘外侧的第二外缘；
至少一个发光二极管元件，安装在该基板的该第一上表面上并电连接所述电极；以及
密封树脂，配置在该基板的第一上表面和第二上表面上以封装该发光二极管元件；
该发光二极管元件具有发光面，以及相对于连接该发光面的边缘和该基板的第一外缘的假想线的延长线来配置该第二外缘。
2.根据权利要求1的发光二极管，其中该第二外缘位于该延长线之内。
3.根据权利要求1的发光二极管，其中该第二外缘位于该延长线上。
4.根据权利要求1的发光二极管，其中该第二上表面包括大致的水平面，该水平面构成了形成在基板的该第一外缘和该第二外缘之间的肩部的一部分。
5.根据权利要求4的发光二极管，其中该肩部包括该大致的水平面和大致的垂直面，该密封树脂接触该基板的该肩部的所述面。
6.根据权利要求1的发光二极管，其中该第二上表面包括位于该第一外缘和该第二外缘之间的倾斜面，且该密封树脂接触该倾斜面。
7.根据权利要求1的发光二极管，其中该第一外缘全部配置在该第一上表面的外围部分上，该第二外缘全部配置在该基板的该第二上表面的外围部分上。
8.根据权利要求1的发光二极管，其中所述电极包括垂直穿透该基板的通孔。
9.一种发光二极管，包括：
具有上表面的基板，该上表面包括第一上表面，至少一对电极形成在该第一上表面上；邻近该第一上表面的第二上表面；位于该第一上表面和该第二上表面之间的第一外缘；和从上面看时位于该第一外缘外侧的第二外缘；
至少一个发光二极管元件，安装在该基板的该第一上表面上并电连接该电极；以及
密封树脂，配置在该基板的第一上表面和该第二上表面上以封装该发光二极管元件；
该发光二极管元件具有发光面，且该第二外缘位于连接该发光面的边缘和该基板的该第一外缘的假想线的延长线之内；
密封树脂，在该基板的上表面的外围部分处粘接到该基板的至少两个面。
10.一种发光二极管，包括：
具有上表面的基板，该上表面包括第一上表面，至少一对电极形成在该第一上表面上；邻近该第一上表面的第二上表面；位于该第一上表面和该第二上表面之间的第一外缘；和从上面看时位于该第一外缘外侧的第二外缘；
至少一个发光二极管元件，安装在该基板的该第一上表面上并电连接所述电极；以及
密封树脂，配置在该基板的第一上表面和该第二上表面上以封装该发光二极管元件；
该发光二极管元件具有发光面，且该第二外缘位于连接该发光面的边缘和该基板的该第一外缘的假想线的延长线上；
密封树脂，在该基板的上表面的外围部分处粘接到该基板的至少两个面。
11.根据权利要求9的发光二极管，
该第二上表面包括大致的水平面，其构成了形成在基板的该第一外缘和该第二外缘之间的肩部的一部分。
12.根据权利要求10的发光二极管，
该第二上表面包括大致的水平面，其构成了形成在基板的该第一外缘和该第二外缘之间的肩部的一部分。
13.根据权利要求9的发光二极管，
该第二上表面包括位于该第一外缘和该第二外缘之间的倾斜面，且该密封树脂接触该倾斜面。
14.根据权利要求10的发光二极管，
该第二上表面包括位于该第一外缘和该第二外缘之间的倾斜面，且该密封树脂接触该倾斜面。
15.根据权利要求9的发光二极管，
该第一外缘全部配置在该第一上表面的外围部分上，以及该第二外缘全部配置在基板的该第二上表面的外围部分上。
16.根据权利要求10发光二极管，
该第一外缘全部配置在该第一上表面的外围部分上，以及该第二外缘全部配置在基板的该第二上表面的外围部分上。
17.根据权利要求9的发光二极管，
该电极包括垂直穿透该基板并电连接到配置在基板下表面上的下电极的通孔。
18.根据权利要求10的发光二极管，
该电极包括垂直穿透该基板并电连接到配置在基板下表面上的下电极的通孔。
CN2008101846341A 2007-12-11 2008-12-11 发光二极管 Active CN101459166B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007319613 2007-12-11
JP2007-319613 2007-12-11
JP2007319613A JP5692952B2 (ja) 2007-12-11 2007-12-11 発光ダイオード

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101459166A true CN101459166A (zh) 2009-06-17
CN101459166B CN101459166B (zh) 2012-07-04

Family

ID=40690963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008101846341A Active CN101459166B (zh) 2007-12-11 2008-12-11 发光二极管

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8097898B2 (zh)
JP (1) JP5692952B2 (zh)
CN (1) CN101459166B (zh)
DE (1) DE102008060615B4 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106558640A (zh) * 2015-09-25 2017-04-05 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9780268B2 (en) 2006-04-04 2017-10-03 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
JP5691681B2 (ja) 2010-03-15 2015-04-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN102834941B (zh) * 2010-12-28 2016-10-12 日亚化学工业株式会社 发光装置及其制造方法
US10222032B2 (en) 2012-03-30 2019-03-05 Cree, Inc. Light emitter components and methods having improved electrical contacts
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
US20130328074A1 (en) * 2012-06-11 2013-12-12 Cree, Inc. Led package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
CN104969368B (zh) * 2013-01-31 2017-08-25 克利公司 基于基板的表面贴装器件(smd)发光组件以及方法
JP6104832B2 (ja) * 2013-03-25 2017-03-29 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光素子組立体及びその製造方法、並びに、表示装置
JP6471641B2 (ja) * 2015-08-04 2019-02-20 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
CN109216527B (zh) 2017-07-06 2023-08-15 日亚化学工业株式会社 发光装置
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
JP6432656B2 (ja) * 2017-08-22 2018-12-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7089159B2 (ja) 2018-03-22 2022-06-22 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWD194647S (zh) * 2018-05-11 2018-12-11 今臺電子股份有限公司 發光二極體封裝
CN115663090A (zh) * 2018-09-04 2023-01-31 厦门市三安光电科技有限公司 一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2757869A1 (de) 1976-12-27 1978-07-27 Monsanto Co In felder aufgeteilte anzeigeeinrichtung mit lichtaussendenden dioden
JP3490229B2 (ja) * 1995-12-15 2004-01-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
US6504299B1 (en) * 1998-11-06 2003-01-07 Rohm Co., Ltd. Minuscule light-emitting device and organic EL device using the same
JP2001217497A (ja) * 2000-02-02 2001-08-10 Pioneer Electronic Corp 半導体レーザ素子及びその製造方法
JP2001352102A (ja) * 2000-06-07 2001-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置
MY145695A (en) * 2001-01-24 2012-03-30 Nichia Corp Light emitting diode, optical semiconductor device, epoxy resin composition suited for optical semiconductor device, and method for manufacturing the same
JP4959071B2 (ja) * 2001-07-04 2012-06-20 ローム株式会社 面実装型半導体装置
JP2003023183A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Stanley Electric Co Ltd 面実装型ｌｅｄランプ
JP4288481B2 (ja) 2003-10-02 2009-07-01 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
JP2005353802A (ja) 2004-06-10 2005-12-22 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP2006339591A (ja) * 2005-06-06 2006-12-14 Hitachi Maxell Ltd 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置を用いた電子装置
KR100757196B1 (ko) * 2005-08-01 2007-09-07 서울반도체 주식회사 실리콘 렌즈를 구비하는 발광소자
JP2007138017A (ja) * 2005-11-18 2007-06-07 Kyocera Chemical Corp 絶縁性透光基板及び光半導体装置
JP5079262B2 (ja) 2006-06-05 2012-11-21 株式会社三共 遊技機
JP2007335581A (ja) * 2006-06-14 2007-12-27 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
US7687823B2 (en) * 2006-12-26 2010-03-30 Nichia Corporation Light-emitting apparatus and method of producing the same
KR100903308B1 (ko) * 2007-08-10 2009-06-16 알티전자 주식회사 발광 다이오드 패키지

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106558640A (zh) * 2015-09-25 2017-04-05 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
CN106558640B (zh) * 2015-09-25 2019-01-22 光宝光电(常州)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5692952B2 (ja) 2015-04-01
US20090146176A1 (en) 2009-06-11
CN101459166B (zh) 2012-07-04
US8097898B2 (en) 2012-01-17
JP2009146935A (ja) 2009-07-02
DE102008060615A1 (de) 2009-07-02
DE102008060615B4 (de) 2022-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101459166B (zh) 发光二极管
KR101040586B1 (ko) 발광 장치
EP2477242B1 (en) Light-emitting device package
US8067779B2 (en) Light emitting device with a recess lead portion
KR101825473B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP3797636B2 (ja) 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
KR101922528B1 (ko) 발광 소자 패키지
CN103201862A (zh) 防水表面贴装器件封装件
EP2490259B1 (en) Light-Emitting Device Package and Method of Manufacturing the Same
JP2006093697A (ja) 静電放電衝撃に対する保護機能が内蔵された高輝度発光ダイオード
CN107210352A (zh) 发光元件
CN102549785B (zh) 发光装置
CN102810619A (zh) 发光二极管
US9054257B2 (en) Water resistant LED devices and an LED display including same
KR20070035951A (ko) 발광소자
JP2007035794A (ja) 表面実装型ｌｅｄ及びその製造方法
CN102386309A (zh) 发光装置
CN102651445A (zh) 发光器件封装件
US8569791B2 (en) LED and method for manufacturing the same
TWI381549B (zh) 發光二極體封裝
KR101911866B1 (ko) 발광 소자 패키지
CN100505339C (zh) 发光二极管芯片封装体及其封装方法
KR20100028033A (ko) 발광장치 및 발광장치용 패키지 집합체
JP2010045167A (ja) 半導体装置
JP2005033028A (ja) 半導体発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant