CN101456160A - 磨轮整修工具及其制造方法、整修装置、制造磨轮的方法及使用该磨轮的晶片边缘磨削装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种磨轮整修工具、其制造方法、整修装置、制造磨轮的方法以及使用该磨轮的晶片边缘磨削装置。本发明的磨轮整修工具补偿用于精磨削晶片边缘的精磨轮的凹槽并且包括整修器，该整修器的边缘具有与精磨轮的凹槽的倾斜表面相同的角度且横截面形状与凹槽的横截面形状对应。本发明使用整修工具，以方便地处理用于精磨削晶片边缘的精磨轮的凹槽。

Description

磨轮整修工具及其制造方法、整修装置、制造磨轮的方法及使用该磨轮的晶片边缘磨削装置

技术领域

本发明涉及一种磨轮整修工具及其制造方法、以及一种整修装置、用于制造磨轮的方法以及使用该磨轮的晶片边缘磨削装置，具体地，涉及一种这样的磨轮整修工具、其制造方法、及整修装置、用于制造磨轮的方法以及使用该磨轮的晶片边缘磨削装置，该磨轮能够容易地形成或补整晶片边缘磨轮的凹槽，以提高磨轮的耐用性并加工出与质量标准相符的晶片边缘。

背景技术

通常，用于磨削半导体晶片边缘的圆周的技术包括垂直磨削和螺旋磨削。垂直磨削技术使具有凹槽的磨轮在与半导体晶片的表面相同的高度上旋转，使凹槽的表面与半导体晶片的边缘相接触，并利用凹槽的形状和粗糙度来磨削半导体晶片的边缘。螺旋磨削技术使具有凹槽的磨轮相对于半导体晶片的表面以预定角度旋转，使凹槽的表面与半导体晶片的边缘相接触，并磨削半导体晶片的边缘。

在利用上述技术来磨削半导体晶片的边缘时，磨轮的凹槽的形状对应于半导体晶片的边缘的形状，且半导体晶片的边缘要符合预定的质量标准。

磨轮，具体地，凹槽通过金属焊接(metal bond)或树脂粘结(resin bond)形成。

具有金属焊接凹槽的磨轮具有出色的耐磨性，因此，尽管晶片边缘磨削的次数增加，但由磨损引起的磨轮凹槽的形状变化是微小的，故消除了在晶片边缘磨削过程中整修(tune)或磨光(dress)凹槽的需要。然而，具有金属粘结凹槽的磨轮自晶片边缘的表面形成了预定深度的受损层，并在晶片边缘的表面上产生细微的划痕(诸如轮迹)，因此不能满足用户对晶片表面质量的要求。

进而，具有树脂粘结凹槽的磨轮能保证良好的磨削质量，但具有较慢的磨削速度且凹槽的耐磨性较差，因而凹槽的形状在晶片边缘磨削过程中会产生变化。因此，树脂粘结凹槽需要在预定周期中进行整修或磨光。具体地，在采用螺旋磨削技术的情况下，晶片边缘磨削是复杂的，且由于轮子的平衡问题磨轮的直径是有限的，从而缩短了轴的寿命。

在此，当磨轮的凹槽的形状改变时，“整修”意味着利用边缘的形状与凹槽的标准形状相对应的整修工具(以下称作整修器，且传统的整修器具有与晶片相似的厚度和直径)来恢复凹槽的形状。“磨光”意味着去除可能装填在整修器的外露砂粒(grit)之间的磨削屑，或者利用金刚石修整器(dresser)来去除卡在外露孔隙中的碎片，以使新的砂粒露于表面，从而恢复磨削性能。

传统的晶片边缘磨削过程进行双重磨削，即，利用具有金属焊接凹槽的磨轮对半导体晶片的边缘进行大量的磨削(粗磨削)，此后利用具有树脂粘结凹槽的磨轮对半导体晶片的边缘进行磨削(精磨削)，以去除细小的划痕(诸如轮迹)。该过程能够同时弥补磨削质量的降低(其作为金属焊接凹槽的一个缺点而被指出)，以及由较低的耐磨性所引起的寿命的缩短(其作为树脂粘结凹槽的一个缺点而被指出)。

参照图1至图5描述了传统的晶片边缘磨削装置。图1是示出了晶片边缘的凹口和圆周的视图。

参照图2至图5，传统的晶片边缘磨削装置10包括：卡盘操作单元20，用于固定并旋转晶片W；磨轮30，用于磨削晶片W的边缘；以及整修器S，用于整修磨轮30的凹槽32′和34′。此时，磨轮30包括粗磨轮31和33，该粗磨轮具有金属焊接凹槽以用于粗磨削晶片W的凹口和圆周；以及精磨轮32和34，其具有树脂粘结凹槽以用于精磨削晶片W的凹口和圆周。特别地，粗磨轮31和33包括用于粗磨削晶片W的圆周的圆周粗磨轮31、以及用于粗磨削晶片W的凹口的凹口粗磨轮33。精磨轮32和34包括用于精磨削晶片W的凹口的凹口精磨轮32、以及用于精磨削晶片W的圆周的圆周精磨轮34。此时，圆周精磨轮34以预定角度倾斜，因此其也被称作螺旋轮。

磨轮30沿与晶片W的旋转方向相同或相反的方向旋转，并与晶片W的边缘相接触，以利用凹槽的形状和粗糙度来磨削晶片W的边缘。

同时，由于凹口精磨轮32的凹槽32′和圆周精磨轮34的凹槽34′在经过了预定时间或磨削了预定数量的晶片之后会磨损，故应该整修磨损的凹槽32′和34′。整修通过具有与晶片W的厚度和直径相对应的形状和尺寸的整修器S来进行。

下面将描述使用磨削装置10的晶片边缘磨削过程以及使用整修器S的整修过程。

根据本晶片边缘磨削过程，首先，测量晶片W的中心、厚度和凹口。接着，将晶片W装载到可旋转的卡盘21(安装在加工段上)上，进而粗磨削晶片W的圆周。随后，粗磨削并精磨削晶片W的凹口，进而精磨削晶片W的圆周。最后，卸载晶片W。

根据本整修过程，测量整修器S的中心和厚度。接着，将整修器S安装在卡盘21上，并通过嵌入到圆周粗磨轮31中的整修器补偿工具来补偿整修器。通过已补偿的整修器S来选择性地整修凹口精磨轮32的凹槽32′或圆周精磨轮34的凹槽34′。

如图4中所示，凹口精磨轮32在其表面上具有多个凹槽32′。凹槽32′精磨削晶片W。凹槽32′通过整修器S整修。凹口精磨轮32分别磨削晶片W的边缘的上倾斜表面和下倾斜表面，并且采用空气轴承，该空气轴承具有安装轮32的轴。由于这些特性，当晶片边缘处理和整修的次数超出预定数目时，凹口精磨轮32会出现磨损不均衡现象。在磨削晶片W的边缘的下倾斜表面时，磨损不均衡现象由磨削量增加的而引起，磨削量以体积表示，该体积通过对角线指明(参见图4(a))。交替处理用来使设备本身的磨损不均衡最小化。交替处理磨削第一晶片W的边缘的下倾斜表面，此后磨削第二晶片W的边缘的上倾斜表面(参见图4(b))。交替处理使处理顺序交替以平衡磨削量，从而减小磨损不均衡。然而，尽管使用了交替处理，但由于带有轴的轴承的特性，仍会出现磨损不均衡现象。因此，如图6中所示，第一晶片W的凹口和第二晶片W的凹口形成为不同的形状。即，奇数晶片与偶数晶片之间存在预定的磨削量差值，从而导致磨损不均衡。

圆周精磨轮34具有以预定角度(例如8°)安装的轴。当圆周精磨轮34或其凹槽34′被新的圆周精磨轮或凹槽替换时，新的凹槽的形状与形状质量标准不符。因此，在圆周精磨轮34或其凹槽34′被新的替换之后，应该通过整修器S整修新的凹槽。如果没有整修新的凹槽，则由于晶片W的边缘通过与形状质量标准不相符的凹槽来磨削，因此晶片W的边缘的形状不能满足形状质量标准，如图7中所示，因而，晶片W被视为一件不合格的产品。因此，在磨轮或其凹槽由新的替换之后，应该通过整修器S整修新的凹槽，以满足晶片边缘的形状质量标准。

然而，如图8中所示，随着晶片磨削和通过整修器S进行整修的次数增加，凹槽34′磨损且凹槽34′处的轮子直径减小。当磨损量达到预定量(半径1mm、整修30次)时，停止使用对应凹槽34′以防止出现晶片边缘过度磨削的过度磨削现象，并且以新的凹槽或磨轮来替换凹槽34′或磨轮34。尽管由于整修器S与晶片W的厚度的之间差值使得磨削的余地(room)较小，但可能由于晶片沿Z轴的小变化或晶片平面度的小的改变或者卡盘平面度的小的改变(可能由卡盘表面上的杂质引起)而出现过度磨削现象。这就是为什么磨轮或其凹槽要以新的进行替换的原因。

过度磨削问题通常出现在凹口精磨轮32和圆周精磨轮34上。过度磨削通过边缘廓线仪或带有刻度的显微镜识别出。测量上斜角和下斜角值，在该值超出预定范围的情况下，确定是过度磨削，进而进行后续处理，例如，替换凹槽32′和34′或磨轮32和磨轮34。尽管树脂粘结凹槽的相当大一部分是可用的，但替换磨轮会导致磨轮的寿命缩短。

同时，整修器S由作为基本材料的粉末烧结陶瓷和各种必要的杂质(包括金刚石颗粒)而制成。整修器S可用于整修凹槽，然而其在整修过程中会略微磨损磨轮32和34的一部分，这导致晶片W的磨削尺度改变。在整修后，需要时间来设置晶片的处理条件。

精磨轮32和34通过烧结金刚石颗粒和热固性树脂(诸如酚醛树脂或聚酰胺树脂)而制成。热固性树脂作为粘结剂。在晶片边缘的磨削过程中，圆周精磨轮34以高速旋转，例如，以约5000m/min(约30000rpm到40000rpm)的线速度旋转，凹口精磨轮32也以高速旋转，例如，以约500m/min(约150000rpm)的线速度旋转。此时，由于外界的环境原因而不能去除摩擦热，这导致燃烧(burning)现象。磨轮的凹槽燃坏并且由于热固性树脂的特性而硬化。烧坏的部分不能通过整修器S去除。而且，如果晶片通过烧坏的磨轮磨削，则由于硬化的树脂粘结凹槽而使得金刚石颗粒不能作用于晶片，因此晶片边缘没有被磨削。即，由于整修器的材料已经不能进行晶片边缘磨削，使得不能恢复或使用烧坏的磨轮，因此应该替换该磨轮。如上所述，这导致磨轮的寿命缩短。

发明内容

设计本发明，以解决上述问题。因此，本发明的目的是提供一种磨轮整修工具及其制造方法、以及一种整修装置、用于制造磨轮的方法以及使用该磨轮的晶片边缘磨削装置，该磨轮整修工具改变整修器的材料和形状以允许容易地补偿或形成磨轮的凹槽，并且均匀地补偿凹槽以解决磨损不均衡问题并提高磨轮的使用寿命。

本发明的另一目的是提供一种磨轮整修工具及其制造方法、以及一种整修装置、用于制造磨轮的方法以及使用该磨轮的晶片边缘磨削装置，该磨轮整修工具预先设定整修器和磨轮的坐标，并采用相同的标准磨削尺寸以允许系统自动化，从而简化轮的替换工作并缩短工作时的停工时间。

为了实现上述目的，本发明不是提供具有与晶片相同形状的传统整修器，而是针对凹口精磨轮和圆周精磨轮各自提供整修器，以形成或重整(reform)凹口精磨轮和圆周精磨轮的各个凹槽。

即，本发明的整修工具被构造成补偿用于精磨削晶片边缘的精磨轮的凹槽，并包括这样的整修器，即，该整修器的边缘具有与精磨轮的凹槽的倾斜表面相同的角度且横截面形状与该凹槽的横截面形状对应。

整修器是第一整修器，该第一整修器被构造成补偿凹口精磨轮的凹槽，该凹口精磨轮用于精磨削晶片边缘的凹口，且优选地，该第一整修器具有梯形横截面形状的边缘。

优选地，使第一整修器的边缘的倾斜表面延伸，从而使第一整修器的厚度大于凹口精磨轮的凹槽的宽度。

优选地，第一整修器是通过电镀或金属焊接形成的金刚石砂轮。

为了实现上述目的，另一整修器是第二整修器，该第二整修器被构造成补偿圆周精磨轮的凹槽，该圆周精磨轮用于精磨削晶片边缘的圆周，且优选地，第二整修器具有半圆形横截面形状的边缘。

优选地，使第二整修器的边缘的倾斜表面延伸，从而使第二整修器的厚度大于圆周精磨轮的凹槽的宽度。

优选地，第二整修器是通过电镀或金属焊接形成的金刚石砂轮。

为了实现上述目的，一种用于制造磨轮整修工具(即，第二整修器)的方法，包括：(a)在三维结构程序上，在圆柱形物体的外圆周的一部分处形成凹槽，形成的凹槽具有完成晶片的边缘的形状，且圆柱形物体具有不带有凹槽的圆周精磨轮的形状尺寸，该圆柱形物体具有以预定角度倾斜的中心轴线；(b)通过计算机模拟，使圆柱形物体基于中心轴线旋转，以使晶片边缘形状的凹槽沿着该圆柱形物体的外圆周扩展；(c)获得经扩展的凹槽的形状尺寸，该形状尺寸与第二整修器的边缘的形状尺寸相同；以及(d)利用获得的形状尺寸来制造第二整修器。

此时，在步骤(c)中，优选地，使扩展的凹槽的倾斜表面沿着该倾斜表面延伸而获得第二整修器的边缘的形状尺寸，从而使第二整修器的厚度大于凹槽的宽度。

同时，优选地，步骤(d)通过电镀或金属焊接将第二整修器制成金刚石砂轮。

为了实现上述目的，整修装置包括：第一整修器，被构造成补偿凹口精磨轮的凹槽，该凹口精磨轮用于精磨削晶片边缘的凹口，第一整修器的边缘具有与凹口精磨轮的凹槽的倾斜表面相同的角度，且横截面形状与凹口精磨轮的凹槽的横截面形状对应，第一整修器的边缘的横截面形状是梯形的；以及第二整修器，被构造成补偿圆周精磨轮的凹槽，该圆周精磨轮用于精磨削晶片边缘的圆周，第二整修器的边缘具有与圆周精磨轮的凹槽的倾斜表面相同的角度，且横截面形状与圆周精磨轮的凹槽的横截面形状对应，第二整修器的边缘的横截面形状是半圆形的。

为了实现上述目的，提供一种用于制造晶片边缘磨轮的方法，该方法通过使用上述第一整修器来沿着没有凹槽的凹口精磨轮的外圆周形成凹槽而制成凹口精磨轮。

为了实现上述目的，提供一种用于制造晶片边缘磨轮的方法，该方法通过使用上述第二整修器来沿着没有凹槽的圆周精磨轮的外圆周形成凹槽而制成圆周精磨轮。

为了实现上述目的，晶片边缘磨削装置包括：卡盘，被构造成安装并旋转晶片；磨轮，被构造成磨削晶片的边缘，并包括圆周粗磨轮、凹口粗磨轮、凹口精磨轮及圆周精磨轮，每个磨轮均具有凹槽；磨削操作单元，被构造成安装磨轮并使磨轮旋转，进而移动磨轮，以使磨轮的凹槽与安装在卡盘上的晶片的边缘相接触；第一整修器，其边缘的横截面形状与凹口精磨轮的凹槽的横截面形状对应，并且第一整修器被构造成补偿凹口精磨轮的凹槽；第二整修器，其边缘的横截面形状与圆周精磨轮的凹槽的横截面形状对应，并且第二整修器被构造成补偿圆周精磨轮的凹槽；以及整修操作单元，被构造成安装第一和第二整修器并使第一和第二整修器旋转，进而移动第一和第二整修器，以使第一和第二整修器的边缘在与每个磨轮的凹槽相同的高度上与每个磨轮的凹槽相接触。

优选地，使第一整修器的边缘的倾斜表面延伸，从而使第一整修器的厚度大于凹口精磨轮的凹槽的宽度，并使第二整修器的边缘的倾斜表面延伸，从而使第二整修器的厚度大于圆周精磨轮的凹槽的宽度。

优选地，第一整修器和第二整修器各自均是通过电镀或金属焊接形成的金刚石砂轮。

优选地，晶片边缘磨削装置还包括控制单元，该控制单元被构造成根据晶片边缘处理结果来预测磨轮的凹槽的磨损，设定凹槽被使用的次数和处理时间，并且在根据晶片边缘处理结果来预测凹槽的磨损的情况下、或者在凹槽被使用的次数达到预设数值或者处理时间超出预设时间的情况下，停止磨削晶片边缘。

优选地，响应于晶片边缘磨削的停止，控制单元控制整修操作单元，以使第一整修器或第二整修器分别与凹口精磨轮或圆周精磨轮相接触，从而补偿精磨轮的凹槽，或者，控制单元控制磨削操作单元，以使晶片边缘与未磨损的凹口精磨轮的凹槽或未磨损的圆周精磨轮的凹槽相接触。

优选地，整修操作单元具有伺服电动机和电子刻度，以控制第一整修器和第二整修器的移动量。

同时，圆周精磨轮可以是以预定角度倾斜并相对于包含了晶片表面的平面旋转的螺旋轮。

在这种情况下，整修操作单元包括：第一整修操作单元，被构造成将第一整修器安装在与凹口精磨轮的凹槽相同的高度上，并旋转进而移动第一整修器，以使第一整修器与凹口精磨轮的凹槽相接触；以及第二整修操作单元，被构造成将第二整修器安装在与圆周精磨轮的凹槽相同的高度上，并旋转进而移动第二整修器，以使第二整修器与圆周精磨轮的凹槽相接触。

而且，磨削操作单元包括：第一磨削操作单元，被构造成安装并旋转凹口粗磨轮、凹口精磨轮及圆周精磨轮；以及第二磨削操作单元，被构造成安装并旋转圆周粗磨轮。

同时，圆周精磨轮可以是在与包含了晶片表面的平面相同的高度上安装并旋转的直立轮。

在这种情况下，优选地，第一整修器和第二整修器彼此平行地安装在整修操作单元中的同一旋转轴线上。

而且，磨削操作单元包括：第一磨削操作单元，被构造成安装并旋转凹口粗磨轮和凹口精磨轮；以及第二磨削操作单元，被构造成安装并旋转圆周粗磨轮和圆周精磨轮。

此时，优选地，圆周粗磨轮和圆周精磨轮彼此平行地安装在第二磨削操作单元中的同一旋转轴线上。

此外，优选地，圆周粗磨轮和圆周精磨轮彼此一体地形成。

附图说明

图1是晶片边缘的凹口及圆周的视图。

图2是传统晶片边缘磨削装置的视图。

图3是图2的磨削装置的局部放大侧视图。

图4是示出了通过传统凹口精磨轮来磨削晶片边缘的侧视图。

图5是示出了通过传统螺旋轮来磨削晶片边缘的侧视图。

图6是示出了传统晶片边缘磨削中的磨损不均衡的视图。

图7是示出了由没有整修的传统晶片边缘磨削所引起的不合格晶片的视图。

图8是示出了由传统晶片边缘磨削中的磨损所导致的过度磨削的视图。

图9是根据本发明优选实施例的用于凹口精磨轮的整修工具的局部侧视图。

图10是根据本发明优选实施例的用于圆周精磨轮的整修工具的局部侧视图。

图11是示出了根据本发明优选实施例的用于制造第二整修器的方法的视图。

图12是示出了图11的第二整修器边缘的设计实例图，该设计通过使第二整修器的边缘接近于有限数量的曲线来实现。

图13是示出了用于通过图9的整修工具来补偿凹口精磨轮的凹槽的过程的视图。

图14是示出了用于通过图10的整修工具来补偿螺旋轮的凹槽的过程的视图。

图15是根据本发明优选实施例的晶片边缘磨削装置的视图。

图16是根据本发明优选实施例的晶片边缘磨削装置的局部放大侧视图。

图17是根据本发明优选实施例的晶片边缘磨削装置的整修操作单元的视图。

图18是根据本发明另一优选实施例的晶片边缘磨削装置的视图。

图19是图18的部分A的局部放大图。

图20是根据本发明优选实施例的整修装置的示图。

具体实施方式

以下，将参照附图详细地描述本发明的优选实施例。在描述之前，应该理解的是，本说明书及所附权利要求中所使用的术语不应被解释成限于一般的和词典上的意思，而是应在允许发明人适当地限定术语以进行最佳解释的原则的基础上，并基于与本发明的技术方面相对应的含意和概念来解释所用的术语。因此，在此所提出的描述仅是用于说明的目的优选实施例，仅而不是旨在限制本发明的范围，因而应该理解的是，在不背离本发明的精神和范围的前提下可以对此做出其他等同替换和修改。

同时，为了实现本发明的目的，整修器的边缘具有与晶片边缘磨轮的凹槽的倾斜表面相同的角度，且横截面形状与凹槽的横截面形状对应。整修器被构造成补偿凹口磨轮(用于磨削晶片边缘的凹口)的凹槽以及圆周磨轮(用于磨削晶片边缘的圆周)的凹槽。即，应该理解的是，整修器包括如下所述的图9的第一整修器S1和图10的第二整修器S2。

图9是根据本发明优选实施例的用于凹口磨轮的整修工具的局部侧视图。

参照图9，整修工具T1包括第一整修器S1，该第一整修器被构造成补偿凹口磨轮132(用于磨削晶片边缘的凹口)的凹槽132′。

第一整修器S1具有的边缘的横截面形状与凹口磨轮132的凹槽132′的横截面形状对应。如图9中所示，第一整修器S1的边缘具有梯形的横截面形状。特别地，第一整修器S1的边缘具有与凹口磨轮132的凹槽132′的倾斜表面相同的角度。使第一整修器S1的边缘的倾斜表面延伸，从而使第一整修器S1的厚度大于凹口磨轮132的凹槽132′的宽度。因此，尽管凹槽132′由第一整修器S1补偿，但凹槽132′的倾斜表面具有与补偿之前相同的角度。此时，第一整修器S1的厚度大于凹槽132′的宽度，以防止在使用凹口磨轮132磨削晶片边缘的过程中出现过度磨削现象，即，晶片边缘抵在凹槽132′的上倾斜表面和下倾斜表面上过度摩擦。

优选地，第一整修器S1是通过电镀或金属焊接方法形成的金刚石砂轮。即，整修工具T1具有的硬度大于凹口磨轮132的树脂粘结凹槽132′，因而能够容易地补偿凹口磨轮132的凹槽132′。

图10是根据本发明优选实施例的用于圆周磨轮的整修工具的局部侧视图。

参照图10，整修工具T2包括第二整修器S2，该第二整修器被构造成补偿圆周磨轮134(用于磨削晶片边缘的圆周)的凹槽134′。

第二整修器S2具有的边缘的横截面形状与圆周磨轮134的凹槽134′的横截面形状对应。如图10中所示，第二整修器S2的边缘具有半圆形的横截面形状。特别地，第二整修器S2的边缘具有与被补偿以满足形状质量标准的凹槽相同的角度和曲率半径，该形状质量标准针对使用圆周磨轮134的凹槽134′的晶片边缘处理。使第二整修器S2的边缘的倾斜表面延伸，从而使第二整修器S2的厚度大于圆周磨轮134的凹槽134′的宽度。因此，尽管凹槽134′由第二整修器S2补偿，但凹槽134′的倾斜表面具有与补偿之前相同的角度。此时，第二整修器S2的厚度大于凹槽134′的宽度，以防止在使用圆周磨轮134磨削晶片边缘的过程中出现过度磨削现象，即，晶片边缘抵在凹槽134′的上表面和下表面上过度摩擦。

优选地，第二整修器S2是通过电镀或金属焊接方法形成的金刚石砂轮。即，整修工具T2具有的硬度大于圆周磨轮134的树脂粘结凹槽134′，因而能够容易地补偿圆周磨轮134的凹槽134′。

同时，为了晶片边缘的目标质量形状，整修工具T2以及被整修工具T2补偿的圆周磨轮134的凹槽134′应具有与晶片边缘的目标质量形状对应的形状。具体地，在圆周磨轮是螺旋轮的情况下，根据本发明的用于圆周磨轮的整修工具T2(即，第二整修器S2)使圆周磨轮以与传统单个整修器(其具有与晶片相同的形状尺寸并被构造成使圆周磨轮在与晶片相同的高度上与晶片接触)不同的方式并以预定角度与晶片相接触。因此，圆周磨轮的凹槽的形状尺寸与传统单个整修器及晶片的形状尺寸对应，但并非与传统单个整修器及晶片的形状尺寸相同。而且，新的典型螺旋轮的凹槽的形状尺寸不与晶片边缘的形状尺寸对应。因而，在使用前，新螺旋轮的凹槽不应被补偿。为此，在根据传统螺旋轮的凹槽的形状尺寸来制造本发明的第二整修器的情况下，蜗轮的凹槽具有的形状尺寸不与晶片边缘的目标质量形状对应。参照图11描述了制造用于磨轮的整修工具T2的方法。

根据本发明的制造用于磨轮的整修工具T2的方法包括通过计算机模拟来获得第二整修器的边缘的形状尺寸、以及利用所获得的形状尺寸来制造第二整修器。

具体地，首先，如图11(a)中所示，圆柱形物体1的中心轴线在三维结构程序上以预定角度倾斜，该圆柱形物体具有圆周磨轮的形状尺寸且没有凹槽。在这种状态下，在圆柱形物体1的外圆周的一部分上构造具有完成晶片的边缘的形状的凹槽。如图11(b)中所示，在圆柱形物体1的外圆周的一部分上由以预定角度倾斜的晶片边缘形成凹槽2。在此，三维结构程序是众所周知的程序，诸如Auto CAD程序或快速表达编辑程序，故在此省去对它的描述。

随后，通过计算机模拟，使圆柱形物体1基于其中心轴线旋转，以使倾斜的凹槽2沿着圆柱形物体1的外圆周扩展。如图11(c)中所示，将凹槽3形成为沿着圆柱形物体1的外圆周延伸。

获得沿着圆柱形物体1的外圆周延伸的凹槽3的形状尺寸，该形状尺寸作为第二整修器的边缘的形状尺寸。即，第二整修器的边缘的形状尺寸可以由凹槽3的曲率半径和角度获得。此时，优选地，使凹槽3的倾斜表面沿着该倾斜表面延伸，使得第二整修器的厚度大于凹槽3的宽度，从而获得第二整修器的边缘的形状尺寸。

接着，利用获得的形状尺寸来制造第二整修器。优选地，通过电镀或金属焊接方法将第二整修器制成金刚石砂轮。

此外，第二整修器的边缘的形状尺寸由无限数量的曲线构成，因而第二整修器的边缘的形状尺寸实际上是达不到。然而，可以使用有限数量的曲线来逼近凹槽3的形状尺寸，从而获得可实现的第二整修器的边缘的形状尺寸(参见图12)。此时，将第二整修器的理论形状与近形状之间的设计容限设定在晶片边缘的目标形状尺寸中。

通过上述过程将第二整形器制造成具有圆周磨轮的凹槽，该凹槽的形状尺寸与晶片边缘的目标质量尺寸对应。

尽管该实施例示出了上述获得第二整修器的边缘的形状尺寸以及利用获得的形状尺寸来制造第二整修器的过程，但第一整修器S1可以以相同的方式来制造。

如图13和图14中所示，整修工具T1和T2被选择性地用来补偿磨轮132的每个凹槽132′和磨轮134的每个凹槽134′，凹槽132′和134′能够被容易地补偿，并且能够解决过度磨削问题从而提高磨轮132和134的耐用性。具体地，通过本发明的整修工具T1和T2使磨轮132和134的凹槽132′和134′的形状恢复到最初的状态，从而解决晶片边缘处理中的形状不均衡问题。

此外，整修工具T1和T2能够补偿磨轮132的凹槽132′和磨轮134的凹槽134′，或在没有凹槽的磨轮表面上形成凹槽。即，可以通过使用第二整修器S1沿着没有凹槽的凹口磨轮132的外圆周形成凹槽来制造凹口磨轮132。可以通过使用第二整修器S2沿着没有凹槽的圆周磨轮134的外圆周形成凹槽来制造圆周磨轮134。根据本发明，晶片边缘磨削装置100包括整修工具T1和T2，并补偿或形成晶片磨轮132和134的凹槽132′和134′。参照图15至图17描述晶片边缘磨削装置100。

参照图15至图17，本发明的磨削装置100包括：卡盘120，用于安装并旋转晶片W；磨轮130，用于磨削晶片W的边缘；磨削操作单元139，用于使磨轮130的凹槽132′和134′与晶片边缘相接触；第一整修器S1，用于补偿凹口磨轮132的凹槽132′；第二整修器S2，用于补偿圆周磨轮134的凹槽134′；以及整修操作单元140，用于移动第一整修器S1和第二整修器S2的边缘，以使第一整修器S1和第二整修器S2的边缘分别与磨轮130的凹槽132′和134′在与磨轮130的凹槽132′和134′相同的高度上相接触。

卡盘120是用于安装并固定晶片W的真空卡盘或静电卡盘，并通过电动机122使其旋转。

磨轮130包括圆周粗磨轮131、凹口粗磨轮133、凹口精磨轮132和圆周精磨轮134。如上所述，圆周粗磨轮131具有用于粗磨削晶片边缘的圆周的凹槽(未示出)，凹口粗磨轮133具有用于粗磨削晶片边缘的凹口的凹槽(未示出)，凹口精磨轮132具有用于精磨削晶片边缘的凹口的凹槽(图9的132′)，并且圆周精磨轮134具有用于精磨削晶片边缘的圆周的凹槽(图10的134′)。用于精磨削晶片边缘的多个凹槽132′和134′分别在凹口精磨轮132和圆周精磨轮134的表面上形成。此时，圆周精磨轮134是螺旋轮，它相对于包含了晶片W的表面的平面成预定角度旋转。

分别通过电动机135和136使凹口精磨轮132和圆周精磨轮134旋转。电动机135和136各自均安装并固定至磨头(wheel head)组件138上，该磨头组件安装在磨削装置100的框架12中。尽管未示出，但圆周粗磨轮131和凹口粗磨轮133各自均由电动机旋转。即，可任选地通过电动机135和136使圆周粗磨轮131和凹口粗磨轮133旋转，并且通过磨削操作单元139使具有磨轮130的磨头组件138上下移动，从而使磨轮凹槽与晶片边缘相接触。具体地，磨头组件138中安装有凹口精磨轮132、凹口粗磨轮133和圆周精磨轮134，并且能够通过磨削操作单元139而垂直地移动。

在此，磨削操作单元139包括第一磨削操作单元139a和第二磨削操作单元139b。

第一磨削操作单元139a操作其中安装有凹口粗磨轮133、凹口精磨轮132和圆周精磨轮134的磨头组件138，以使晶片边缘与凹口粗磨轮133、凹口精磨轮132和圆周精磨轮134的任一凹槽相接触。

第一磨削操作单元139a是一个典型的驱动装置，例如伺服电动机或液压电动机，其通过皮带、气压缸或液压缸、凸轮或齿轮的转动而移动，并且连接至磨头组件138进而驱动磨头组件138。此时，磨头组件138在晶片边缘的侧向上沿着直线或圆周线移动，以使晶片边缘与磨轮130的凹槽132′和134′相接触。

第二磨削操作单元139b安装圆周粗磨轮131并使该圆周粗磨轮旋转。

同时，当通过精磨轮132和134磨削晶片边缘超出了预定次数时，或者当经过了预定处理时间时，对磨轮130的精磨轮132和134的凹槽132′和134′进行补偿。此时，可以提供控制单元150，以根据晶片处理结果来预测精磨轮132和134的凹槽132′和134′的磨损，并设定处理时间和凹槽132′和134′的使用次数。因此，在预测到由凹槽132′和134′的磨损引起的过度磨削的情况下、在晶片边缘被磨削的次数(凹槽132′和134′的使用次数)达到预设数值的情况下、或者在处理时间超出预设时间的情况下，控制单元150停止晶片边缘磨削并补偿凹槽132′和134′。用晶片边缘处理结果或光学传感器来预测凹槽132′和134′的磨损。可替换地，可以用凹槽的使用次数或任意设定的处理时间来预测凹槽132′和134′的磨损。

同时，在通过精磨轮132和134的凹槽132′和134′来磨削晶片边缘之前就需要对形成在精磨轮132和134的表面上的多个凹槽132′和134′进行补偿的情况下，优选地，首先补偿凹槽132′和134′。例如，如果用于磨削晶片边缘的圆周精磨轮134的凹槽134′磨损了，则改变磨削位置以便由形成在圆周精磨轮134上的另一凹槽134′来磨削晶片边缘。因此，在形成在圆周精磨轮134上的凹槽134′磨损的情况下，通过整修工具T2使磨损的凹槽134′恢复到最初的状态。以相同的方式，在应该补偿凹口精磨轮132的凹槽132′的情况下，通过整修工具T1来补偿凹槽132′。

即，如上所述，整修工具T1和T2包括用于补偿凹口精磨轮132的凹槽132′的第一整修工具T1，和用于补偿圆周精磨轮134的凹槽134′的第二整修工具T2。而且，整修工具T1和T2由安装在磨削装置100中的整修操作单元140来操作。

整修操作单元140使第一整修器S1与第二整修器和S2的边缘对齐，以使第一和第二整修器S1和S2的边缘精确地与精磨轮132的凹槽132′和精磨轮134的凹槽134′接触，并且旋转第一和第二整修器S1和S2，进而使第一和第二整修器S1和S2分别朝向凹口精磨轮132和圆周精磨轮134移动。此时，整修操作单元140包括：第一整修操作单元141，用于操作第一整修器S1以使第一整修器S1与凹口精磨轮132的凹槽132′相接触；以及第二整修操作单元142，用于操作第二整修器S2以使第二整修器S2与圆周精磨轮134的凹槽134′相接触。第一和第二整修器S1和S2分别在与凹口精磨轮132的凹槽132′和圆周精磨轮134的凹槽134′相同的高度上安装于第一整修操作单元141和第二整修操作单元142中。第一和第二整修器S1和S2通过第一和第二整修操作单元141和142来选择性地单独补偿或同时补偿凹口精磨轮132的凹槽132′和圆周精磨轮134的凹槽134′。

第一和第二整修操作单元141和142具有相同的构件，故仅描述任一整修操作单元。例如，第二整修操作单元142包括：固定装置145，用于安装第二整修器S2；电动机146，用于使第二整修器S2旋转；支架(support)147，用于固定电动机146；以及驱动装置148，用于移动支架147。电动机146使旋转第二整修器S2，并且驱动装置148将第二整修器移动至圆周精磨轮134的凹槽134′，第二整修器进而补偿圆周精磨轮134的凹槽134′。然而，第二整修操作单元142与第一整修操作单元141的不同之处在于，第二整修操作单元142的固定装置145、电动机146以及支架147采用与螺旋轮134相同的方式以预定角度倾斜。

在补偿凹槽134′时，如果凹槽134′精确地与第二整修器S2的边缘接触的点的位置坐标存储在控制单元150中，则这能够缩短用来在随后的晶片边缘磨削中起动正常磨削操作的时间。即，将晶片边缘与磨轮130的凹槽132′和134′接触的位置的坐标(图8中的Y轴和Z轴)和整修工具T1和T2的边缘与磨轮130的凹槽132′和134′接触的位置的坐标(图8中的Y轴)预先存储在控制单元150中，因而仅需要与磨轮130的凹槽132′和134′接触的晶片边缘和/或整修工具T1和T2的边缘的Y轴方向的处理条件(processingcondition)，这使得易于设定晶片处理条件。因此，使质量改变的可能性最小，并且实现了自动补偿功能。而且，优选地，用于操作整修工具T1和T2的整修操作单元140具有伺服电动机和电子刻度，以跟踪接触位置的坐标，从而使得整修工具T1和T2的边缘与磨轮130的凹槽132′和134′更精确地接触。电子刻度和伺服电动机是广泛用于位置和驱动控制领域的典型构件，故省去详细描述。

在整修工具T1和T2补偿了磨轮130的凹槽132′和134′之后，晶片边缘磨削继续。

在磨轮130的所有凹槽132′和134′都磨损的情况下，用新的磨轮替换磨轮130。此时，能够利用如上所述的存储的位置坐标的数据来方便地安装新的磨轮，并且能够找到晶片的Y轴坐标，从而能够将传统的人工处理变成自动化处理。

同时，尽管图15示出了圆周精磨轮134使用螺旋轮，但本发明并不限于这方面。本发明可以使用在本申请人的题为“用于磨光半导体晶片的边缘部分的轮子(wheel used for polishing edge part ofsemiconductor wafer)”的第10-2006-0138709号韩国专利申请中公开的轮子。

图18是根据本发明另一优选实施例的晶片边缘磨削装置的视图。图19是图18的部分A的局部放大图。

参照图18和图19，根据该实施例的磨削装置200包括：卡盘，用于安装并旋转晶片W；磨轮230，用于磨削晶片W的边缘；磨削操作单元239，用于使磨轮230的凹槽与晶片边缘相接触；第一整修器S1，用于补偿凹口精磨轮232的凹槽；第二整修器S2′，用于补偿圆周精磨轮234的凹槽；以及整修操作单元240，用于移动第一整修器S1和第二整修器S2′的边缘，以使第一整修器S1和第二整修器S2′的边缘与磨轮230的凹槽相接触。此时，图18和图19的磨削装置200具有与上述实施例的磨削装置类似的结构。然而，该实施例的磨削装置200与前一实施例的磨削装置100的不同之处在于，第二整修器S2′和第一整修器S1安装在整修操作单元240中，并且圆周粗磨轮231和圆周精磨轮234彼此平行地安装在同一旋转轴线上。

磨轮230包括圆周粗磨轮231、凹口粗磨轮233、凹口精磨轮232及圆周精磨轮234。在此，凹口粗磨轮233和凹口精磨轮232安装并固定在磨削装置200的磨头组件238中。圆周粗磨轮231和圆周精磨轮234彼此平行地安装在同一旋转轴线上，且更优选地，它们彼此一体地安装。圆周精磨轮234是在与包含了晶片W的表面的平面相同高度上安装并旋转的直立轮(vertical wheel)。

磨削操作单元239包括第一磨削操作单元239a和第二磨削操作单元239b。第一磨削操作单元239a使其中安装有凹口粗磨轮233和凹口精磨轮232的磨头组件238旋转并移动，从而使晶片边缘与凹口粗磨轮233和凹口精磨轮232的任一凹槽相接触。第二磨削操作单元239b安装圆周粗磨轮231和圆周精磨轮234，并使它们旋转和移动，从而使晶片边缘与圆周粗磨轮231的凹槽231′和圆周精磨轮234的凹槽234′中的任一个相接触。此时，圆周粗磨轮231和圆周精磨轮234彼此平行地安装在或彼此一体地形成在第二磨削操作单元239b中。

磨削操作单元239是一个典型的驱动装置，例如伺服电动机或液压电动机，其通过皮带、气压缸或液压缸、凸轮或齿轮的旋转而移动，故省去详细描述。

同时，通过第二磨削操作单元239b而旋转的直立轮234具有四个步骤。具体地，直立轮234具有形成整修凹槽235′的第一步骤、形成用于粗磨削晶片边缘的圆周并由金属焊接制成的凹槽231′的第二和第三步骤、以及形成用于精磨削晶片边缘的圆周并由树脂粘合制成的凹槽234′的第四步骤。因此，直立轮234能够粗磨削或精磨削晶片边缘。在此，第四步骤的用于精磨削圆周的凹槽234′可以通过第二整修器S2′补偿或形成。

第一整修器S1和第二整修器S2′彼此平行地安装在整修操作单元240中的同一旋转轴线上。

整修操作单元240使第一整修器S1和第二整修器S2′旋转并移动，以使第一整修器S1和第二整修器S2′分别与凹口精磨轮232的凹槽和圆周精磨轮234的凹槽234′相接触。此时，通过整修操作单元240使第一整修器S1和第二整修器S2′独立地或同时旋转。

此外，以与上述实施例相同的方式，用于操作第一整修器S1和第二整修器S2′的整修操作单元240可以具有用于跟踪接触位置的坐标的伺服电动机和电子刻度，从而使第一和第二整修器S1和S2′的边缘更精确地与凹口精磨轮232的凹槽和圆周精磨轮234的凹槽234′接触。

同时，尽管该实施例示出了将直立轮234用作圆周精磨轮，但本发明并不限于这方面。前一实施例的直立轮(图15的134)还可以安装在磨削装置中。在这种情况下，还安装有第二整修器(图15的S2)以补偿或形成直立轮的凹槽。

如上所述，凹口精磨轮132和232的凹槽或圆周精磨轮134和234的凹槽通过磨削装置100和200的整修工具来补偿。然而，凹槽可以通过图20的独立整修装置110来补偿。而且，整修装置110能够依照晶片处理条件在没有凹槽的凹口精磨轮和圆周精磨轮的表面中形成凹槽。此时，实质上，凹槽通过整修工具形成或重整。

整修装置110包括第一整修器S1和第二整修器S2及S2′。第一整修器S1和第二整修器S2及S2′与上述的第一整修器S1和第二整修器S2及S2′相同，故省去详细描述。即，整修装置110使第一整修器S1和第二整修器S2及S2′旋转并移动，以使第一整修器S1和第二整修器S2及S2′与磨轮的表面相接触，从而在没有凹槽的凹口精磨轮和圆周精磨轮中形成凹槽。例如，整修装置110包括：电动机112，用于使第一整修器S1和第二整修器S2及S2′旋转；板114，用于固定电动机112；以及移动装置116，用于移动板114。应该理解的是，移动装置116是伺服电动机或液压电动机，其通过皮带、气压缸或液压缸、凸轮或齿轮的旋转而移动，并且移动装置被构造成将板114移动至预定位置。用于使整修装置110的第一整修器S1和第二整修器S2及S2′旋转和移动的每个部件均是典型的部件，故省去详细描述。然而，应该理解的是，包括上述部件的整修装置110在凹口精磨轮和圆周精磨轮的表面中形成用于磨削晶片边缘的凹槽，并补偿该凹槽。此时，如上所述，第一整修器S1和第二整修器S2′可以彼此平行地安装在同一旋转轴线上。

同时，整修装置110制成具有相同条件的凹槽的凹口精磨轮和圆周精磨轮，并保持它们，并在需要时在磨削装置100和200中安装选择出的轮子。因此，可以缩短在替换磨轮或其凹槽后所需的初始定位时间(setting time)。

显而易见的是，整修装置110可以单独使用，或者与磨削装置100和200结合在一起使用。

同时，优选地，整修装置110由控制单元(图15的150和图18的250)来控制。控制单元150和250各自均可以具有：按钮，用于人工操作；存储单元，用于存储数据；以及基于计算机的基本控制系统，用于为每个操作单元提供控制信号和动力并接收来自开关以及其他位置/操作/接触信号产生传感器的信号。

根据本发明，磨轮整修工具、其制造方法、及整修装置、用于制造磨轮的方法以及使用该磨轮的晶片边缘磨削装置具有以下效果。

第一，本发明维持了磨轮的凹槽的原始形状，从而解决在处理后由磨损不均衡而引起的晶片形状改变的问题。而且，本发明恢复了由整修导致的烧坏的凹槽，从而提高了磨轮的耐用性。

第二，在补偿凹槽时，本发明维持了凹槽的形状尺寸(圆周的曲率半径和倾斜表面的角度)，因而本发明消除了凹槽与晶片边缘过度接触的可能性，从而解决了过度磨削问题。

第三，本发明解决了过度磨削问题，从而提高了磨轮的耐用性。

第四，在补偿凹槽时，维持了凹槽的形状，因而晶片处理条件的参数限于Y轴，从而容易地设定晶片处理条件。

第五，在通过整修操作单元来补偿磨轮的凹槽时，本发明能够事先识别出晶片的Y坐标，以缩短从整修到正常磨削操作所花费的设备停机时间。因此，本发明能够将磨轮的人工补偿变成自动化补偿。

第六，本发明通过使用能够采用整修工具的整修装置来形成或恢复具有相同磨削标准尺寸的凹槽，从而缩短了磨轮或其凹槽被新的磨轮或凹槽替换后所需的初始定位时间。

第七，本发明利用磨轮整修工具的边缘的形状尺寸来制造磨轮整修工具，以缩短从替换整修工具或磨轮到正常操作所花费的设备停机时间。

以上，已参照附图详细描述了本发明的优选实施例。然而，应该理解的是，在示出本发明的优选实施例的同时，详细描述和特定实例仅以例证的方式给出，因此对于本领域技术人员而言，根据该详细描述，在本发明的精神和范围内的各种改变和修改将变得显而易见。

Claims (27)

1.一种磨轮整修工具，所述磨轮整修工具补偿用于精磨削晶片边缘的精磨轮的凹槽，所述磨轮整修工具包括：

整修器，所述整修器的边缘具有与所述精磨轮的所述凹槽的倾斜表面相同的角度以及与所述凹槽的横截面形状对应的横截面形状。

2.根据权利要求1所述的磨轮整修工具，

其中，所述整修器是第一整修器，所述第一整修器被构造成补偿凹口精磨轮的凹槽，所述凹口精磨轮用于精磨削所述晶片边缘的凹口，且所述第一整修器具有梯形横截面形状的边缘。

3.根据权利要求2所述的磨轮整修工具，

其中，使所述第一整修器的边缘的倾斜表面延伸，从而使所述第一整修器的厚度大于所述凹口精磨轮的凹槽的宽度。

4.根据权利要求2所述的磨轮整修工具，

其中，所述第一整修器是通过电镀或金属焊接形成的金刚石砂轮。

5.根据权利要求1所述的磨轮整修工具，

其中，所述整修器是第二整修器，所述第二整修器被构造成补偿圆周精磨轮的凹槽，所述圆周精磨轮用于精磨削所述晶片边缘的圆周，且所述第二整修器具有半圆形横截面形状的边缘。

6.根据权利要求5所述的磨轮整修工具，

其中，使所述第二整修器的边缘的倾斜表面延伸，从而使所述第二整修器的厚度大于所述圆周精磨轮的凹槽的宽度。

7.根据权利要求5所述的磨轮整修工具，

其中，所述第二整修器是通过电镀或金属焊接形成的金刚石砂轮。

8.一种用于制造磨轮整修工具的方法，所述方法制造权利要求5中所限定的磨轮整修工具，所述方法包括：

(a)在三维结构程序上，在没有凹槽的圆周精磨轮的形状尺寸的圆柱形物体的外圆周的一部分处形成具有完成晶片边缘形状的凹槽，所述圆柱形物体具有以预定角度倾斜的中心轴线；

(b)通过计算机模拟，使所述圆柱形物体基于所述中心轴线旋转，以使晶片边缘形状的凹槽沿着所述圆柱形物体的外圆周扩展；

(c)获得扩展凹槽的形状尺寸，所述扩展凹槽的形状尺寸与第二整修器的边缘的形状尺寸形同；以及

(d)利用获得的形状尺寸制造第二整修器。

9.根据权利要求8所述的用于制造磨轮整修工具的方法，

其中，在所述步骤(c)中，使所述扩展凹槽的倾斜表面沿着所述倾斜表面延伸而获得所述第二整修器的边缘的形状尺寸，从而使所述第二整修器的厚度大于所述凹槽的宽度。

10.根据权利要求8所述的用于制造磨轮整修工具的方法，

其中，所述步骤(d)通过电镀或金属焊接将所述第二整修器制成金刚石砂轮。

11.一种用于晶片边缘磨轮的整修装置，包括：

第一整修器，被构造成补偿凹口精磨轮的凹槽，所述凹口精磨轮用于精磨削晶片边缘的凹口，所述第一整修器的边缘具有与所述凹口精磨轮的凹槽的倾斜表面相同的角度且横截面形状与所述凹口精磨轮的凹槽的横截面形状对应，所述第一整修器的边缘的横截面形状是梯形的；以及

第二整修器，被构造成补偿圆周精磨轮的凹槽，所述圆周精磨轮用于精磨削晶片边缘的圆周，所述第二整修器的边缘具有与所述圆周精磨轮的凹槽的倾斜表面相同的角度且横截面形状与所述圆周精磨轮的凹槽的横截面形状对应，所述第二整修器的边缘的横截面形状是半圆形的。

12.一种用于制造晶片边缘磨轮的方法，所述方法通过使用权利要求2中所限定的第一整修器来沿着没有凹槽的凹口精磨轮的外圆周形成凹槽而制成凹口精磨轮。

13.一种用于制造晶片边缘磨轮的方法，所述方法通过使用权利要求5中所限定的第二整修器来沿着没有凹槽的圆周精磨轮的外圆周形成凹槽而制成圆周精磨轮。

14.一种晶片边缘磨削装置，包括：

卡盘，被构造成安装并旋转晶片；

磨轮，被构造成磨削所述晶片的边缘，并包括圆周粗磨轮、凹口粗磨轮、凹口精磨轮及圆周精磨轮，每个磨轮均具有凹槽；

磨削操作单元，被构造成安装所述磨轮并使所述磨轮旋转，进而移动所述磨轮，以使所述磨轮的凹槽与安装在所述卡盘上的晶片的边缘相接触；

第一整修器，所述第一整修器的边缘的横截面形状与所述凹口精磨轮的凹槽的横截面形状对应，并且所述第一整修器被构造成补偿所述凹口精磨轮的凹槽；

第二整修器，所述第二整修器的边缘的横截面形状与所述圆周精磨轮的凹槽的横截面形状对应，并且所述第二整修器被构造成补偿所述圆周精磨轮的凹槽；以及

整修操作单元，被构造成安装所述第一整修器和第二整修器并使所述第一和第二整修器旋转，进而移动所述第一整修器和第二整修器，以使所述第一整修器和第二整修器的边缘在与每个磨轮的凹槽相同的高度上与每个磨轮的凹槽相接触。

15.根据权利要求14所述的晶片边缘磨削装置，

其中，使所述第一整修器的边缘的倾斜表面延伸，从而使所述第一整修器的厚度大于所述凹口精磨轮的凹槽的宽度，并且

其中，使所述第二整修器的边缘的倾斜表面延伸，从而使所述第二整修器的厚度大于所述圆周精磨轮的凹槽的宽度。

16.根据权利要求14所述的晶片边缘磨削装置，

其中，所述第一整修器和所述第二整修器中的每个均是通过电镀或金属焊接形成的金刚石砂轮。

17.根据权利要求14所述的晶片边缘磨削装置，还包括：

控制单元，所述控制单元被构造成根据晶片边缘处理结果来预测所述磨轮的凹槽的磨损，设定处理时间和所述凹槽被使用的次数，并且在根据晶片边缘处理结果来预测所述凹槽的磨损的情况下、或者在所述凹槽被使用的次数达到预设数值或者处理时间超出预设时间的情况下，停止磨削所述晶片边缘。

18.根据权利要求17所述的晶片边缘磨削装置，

其中，响应于晶片边缘磨削的停止，所述控制单元控制所述整修操作单元，以使所述第一整修器或所述第二整修器分别与所述凹口精磨轮或所述圆周精磨轮相接触，从而补偿所述精磨轮的凹槽，或者，所述控制单元控制所述磨削操作单元，以使所述晶片边缘与未磨损的凹口精磨轮的凹槽或未磨损的圆周精磨轮的凹槽相接触。

19.根据权利要求14所述的晶片边缘磨削装置，

其中，所述整修操作单元具有伺服电动机和电子刻度，以控制所述第一整修器和所述第二整修器的移动量。

20.根据权利要求14所述的晶片边缘磨削装置，

其中，所述圆周精磨轮是以预定角度倾斜并相对于包含了所述晶片的表面的平面旋转的螺旋轮。

21.根据权利要求20所述的晶片边缘磨削装置，

其中，所述整修操作单元包括：

第一整修操作单元，被构造成将所述第一整修器安装在与所述凹口精磨轮的凹槽相同的高度上，并旋转进而移动所述第一整修器，以使所述第一整修器与所述凹口精磨轮的凹槽相接触；以及

第二整修操作单元，被构造成将所述第二整修器安装在与所述圆周精磨轮的凹槽相同的高度上，并旋转进而移动所述第二整修器，以使所述第二整修器与所述圆周精磨轮的凹槽相接触。

22.根据权利要求20所述的晶片边缘磨削装置，

其中，所述磨削操作单元包括：

第一磨削操作单元，被构造成安装并旋转所述凹口粗磨轮、所述凹口精磨轮及所述圆周精磨轮；以及

第二磨削操作单元，被构造成安装并旋转所述圆周粗磨轮。

23.根据权利要求14所述的晶片边缘磨削装置，

其中，所述圆周精磨轮在与包含了所述晶片的表面的平面相同的高度上安装并旋转的直立轮。

24.根据权利要求23所述的晶片边缘磨削装置，

其中，所述第一整修器和所述第二整修器彼此平行地安装在所述整修操作单元中的同一旋转轴线上。

25.根据权利要求23所述的晶片边缘磨削装置，

其中，所述磨削操作单元包括：

第一磨削操作单元，被构造成安装并旋转所述凹口粗磨轮和所述凹口精磨轮；以及

第二磨削操作单元，被构造成安装并旋转所述圆周粗磨轮和所述圆周精磨轮。

26.根据权利要求25所述的晶片边缘磨削装置，

其中，所述圆周粗磨轮和所述圆周精磨轮彼此平行地安装在所述第二磨削操作单元中的同一旋转轴线上。

27.根据权利要求23所述的晶片边缘磨削装置，

其中，所述圆周粗磨轮和所述圆周精磨轮彼此一体地形成。

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