CN101215094A

CN101215094A - 玻璃粉、用于制备密封物的组成物和发光装置

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Publication number: CN101215094A
Application number: CNA2007103005543A
Authority: CN
Inventors: 李承翰; 崔钟书; 全震焕; 申尚煜
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2007-01-05
Filing date: 2007-12-24
Publication date: 2008-07-09
Anticipated expiration: 2027-12-24
Also published as: US20080164462A1; JP4990121B2; JP2011148699A; US20110073880A1; EP1942084B1; KR100787463B1; JP2008171811A; TW200829530A; CN101215094B; US7871949B2; JP5474865B2; TWI350826B; US8546281B2; EP1942084A2; EP1942084A3

Abstract

本发明提供了一种发光装置，该发光装置包括：第一基底；第二基底；发光单元，置于第一基底和第二基底之间；密封物，将第一基底粘结到第二基底并密封发光单元。密封物包含V⁴⁺。此外，提供了玻璃粉、用于形成密封物的组成物和利用用于形成密封物的组成物的制造发光装置的方法，从而得到发光装置。可通过涂覆和电磁波的辐射容易地形成发光装置的密封物，从而降低了制造成本并可基本防止形成密封物时发生的发光单元的劣化。密封物具有良好的密封特性，因而包括密封物的发光装置具有长的寿命。

Description

玻璃粉、用于制备密封物的组成物和发光装置

本申请要求于2007年1月5日在韩国知识产权局提交的第10-2007-0001681号韩国专利申请的权益，该申请的全部公开通过完全引用包含于此。

技术领域

本发明涉及一种用于封装发光显示装置的玻璃粉(glass frit)。

背景技术

电子装置(例如有机发光装置、电子发射装置或显示面板)由于水和/或氧渗入到其中而劣化。结果，需要包封这样的电子装置，以稳定地操作并具有长的寿命。

对于电子装置的这种包封，将金属罐或玻璃处理成具有槽的盖形，然后将吸收水的干燥剂(water-drying agent)以粉末的形式装入槽中，或者将干燥剂处理成膜再使用双面带附着。

第9-148066号日本专利特许公开揭示了一种包括置于一对面对的电极之间的有机发光层的堆叠结构的有机发光显示装置，该有机发光层由有机化合物形成，其中，通过密封容器包封有机发光层的堆叠结构而与外部空气分离，在密封容器内放置用作干燥剂的碱金属氧化物。然而，有机发光显示装置由于密封容器的形成而变厚。此外，即使当干燥剂吸收水并保持为固态时，固体干燥剂变得不透明而不适于前部发射型显示装置。

第6,226,890号美国专利揭示了一种使用吸水层的有机发光装置，其中，利用包含粒度(particle size)为0.1μm-200μm的固体颗粒的吸水剂和粘合剂来制备吸水层。

然而，使用这些包封方法制造的有机发光装置没有实现期望的寿命。因此，需要改进这些包封方法。

发明内容

本发明的一个方面提供了一种包含V⁴⁺形式的钒的玻璃粉。所述玻璃粉对波长为810nm的光具有大约50％或更小的透光率。

所述玻璃粉还可包含从由V⁵⁺、Ba²⁺、Zn²⁺、Te⁴⁺、Fe³⁺、Cu²⁺、Nd²⁺、K⁺、Sb³⁺、P⁵⁺、Ti²⁺、Al³⁺、B³⁺、W⁶⁺、Sn²⁺、Bi³⁺、Ca²⁺、Si⁴⁺、Zr⁴⁺和Mg²⁺组成的组中选择的至少一种离子。所述玻璃粉又可包含V⁵⁺、Ba²⁺、Zn²⁺和Te⁴⁺。通过还原V⁵⁺形成至少部分V⁴⁺。所述玻璃粉还可包括从由Sn、Al、Mg、Cu和Zn组成的组中选择的至少一种还原剂。

所述透光率可以为大约30％或更小。所述透光率可以为大约20％或更小。所述玻璃粉对波长为大约650nm至大约1000nm的光可具有大约50％或更小的透光率。所述玻璃粉对波长为大约650nm至大约1000nm的光可具有大约30％或更小的透光率。所述玻璃粉对波长为大约650nm至大约1000nm的光可具有大约20％或更小的透光率。

本发明的另一方面提供了一种包含V⁴⁺形式的钒的玻璃粉。所述玻璃粉对波长为810nm的光具有大约50％或更小的透光率。

所述玻璃粉还可包含从由V⁵⁺、Ba²⁺、Zn²⁺、Te⁴⁺、Fe³⁺、Cu²⁺、Nd²⁺、K⁺、Sb³⁺、P⁵⁺、Ti²⁺、Al³⁺、B³⁺、W⁶⁺、Sn²⁺、Bi³⁺、Ca²⁺、Si⁴⁺、Z⁴⁺和Mg²⁺组成的组中选择的至少一种离子。所述玻璃粉又可包含V⁵⁺、Ba²⁺、Zn²⁺和Te⁴⁺。通过还原V⁵⁺形成至少部分V⁴⁺。所述玻璃粉还可包括从由Sn、Al、Mg、Cu和Zn组成的组中选择的至少一种还原剂。

根据本发明的又一方面，所述玻璃粉可以为粉末、膏或烧结体的形式。所述烧结体可以为黑色，并且基本上半透明。所述V⁴⁺可以以大约0.0001wt％至大约10wt％的量存在于所述玻璃粉中。V⁴⁺可以以大约0.0001wt％至大约5wt％、大约0.0005wt％至大约5wt％、大约0.001wt％至大约5wt％、大约0.01wt％至大约5wt％、大约0.01wt％至大约1wt％或者大约0.1wt％至大约1wt％的量存在于所述玻璃粉中。V⁴⁺可以以大约0.0001wt％、大约0.0005wt％、大约0.001wt％、大约0.005wt％、大约0.01wt％、大约0.05wt％、大约0.1wt％、大约0.5wt％、大约1wt％、大约5wt％、大约10wt％或大约50wt％的量存在于所述玻璃粉中。V⁴⁺可以以前述量中的两个形成的范围内的量存在于所述玻璃粉中。

根据本发明的又一方面，所述V⁴⁺可以在所述烧结体的表面比在所述烧结体的内部存在得多。可通过烘焙膏状的玻璃粉形成所述烧结体。可通过在所述烧结体上辐射波长在大约650nm至大约1000nm的激光束进一步加热所述烧结体。可通过X射线光电子能谱仪(XPS)可检测所述玻璃粉中所述V⁴⁺的存在。

所述玻璃粉还可包括从由锆-钨-磷酸盐类填充料、锆-磷酸盐类填充料、锆类填充料、锂霞石类填充料、堇青石类填充料、矾土、硅石、硅酸锌和钛酸铝组成的组中选择的至少一种填充料。所述填充料可具有大约0.1μm至大约30μm的平均粒径。所述玻璃粉的热膨胀系数可以在大约25×10^-7/℃至大约95×10^-7/℃的范围内。

所述玻璃粉还可包括从由丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂和纤维素类树脂组成的组中选择的至少一种树脂，并且还包括从由萜品醇、二氢萜品醇、丁基卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇和2，2，4-三甲基-1，3-戊二醇一丁酯组成的组中选择的至少一种溶剂。

根据本发明的又一方面，一种玻璃粉装置可包括：玻璃板，包括表面；和玻璃粉组成物，所述玻璃粉可在所述玻璃板的所述表面上形成闭环。所述烧结体对波长为810nm的光具有50％或更小的透光率。所述烧结体对波长为大约650nm至大约1000nm的光具有50％或更小的透光率。

根据本发明的又一方面，一种制造玻璃粉装置的方法包括：提供包括所述表面的所述玻璃板；形成闭环结构的膏状组成物；加热所述闭环结构，以在所述表面上形成用于形成闭环的玻璃粉，所述玻璃粉包含V⁴⁺，并对波长为810nm的光具有V⁴⁺大约50％或更小的透光率。

根据本发明的又一方面，一种制造显示装置的方法包括：提供所述玻璃粉装置；提供包括基底和形成在所述基底上的发光装置的阵列的中间装置；布置所述玻璃粉装置和所述中间装置，使得所述玻璃粉置于所述玻璃板和所述基底之间，并且使所述玻璃粉在围绕所述阵列的同时接触所述基底；将激光应用到所述玻璃粉上，以使所述玻璃粉粘结到所述基底。所述玻璃粉对所述激光可具有大约50％或更小的透光率。

根据本发明的又一方面，一种发光装置包括：第一基底；第二基底；发光单元的阵列，置于所述第一基底和所述第二基底之间；玻璃粉，所述玻璃粉置于所述第一基底和所述第二基底之间并将所述第一基底粘结到所述第二基底。所述发光器件可包括有机发光二极管。

所述玻璃粉对波长为810nm或大约650nm至大约1000nm的光可具有大约50％或更小的透光率。所述玻璃粉对波长为810nm或大约650nm至大约1000nm的光可具有如下透光率：大约49％更小、大约48％或更小、大约47％或更小、大约46％或更小、大约45％或更小、大约44％或更小、大约43％或更小、大约42％或更小、大约41％或更小、大约40％或更小、大约39％或更小、大约38％或更小、大约37％或更小、大约36％或更小、大约35％或更小、大约34％或更小、大约33％或更小、大约32％或更小、大约31％或更小、大约30％或更小、大约29％或更小、大约28％或更小、大约27％或更小、大约26％或更小、大约25％或更小、大约24％或更小、大约23％或更小、大约22％或更小、大约21％或更小、大约20％或更小、大约19％或更小、大约18％或更小、大约17％或更小、大约16％或更小、大约15％或更小、大约14％或更小、大约13％或更小、大约12％或更小、大约11％或更小、大约10％或更小、大约9％或更小、大约8％或更小、大约7％或更小、大约6％或更小、大约5％或更小、大约4％或更小、大约3％或更小、大约2％或更小。所述透光率具有由两个上述值形成的范围。

本发明的一个方面提供了一种寿命长且利用密封特性良好的密封物的发光装置。

本发明的另一方面还提供了一种玻璃粉和一种用于形成密封物以制造发光装置的组成物，以及一种制造发光装置的方法。

根据本发明的一个方面，提供了一种包含V⁴⁺的玻璃粉。根据本发明的另一方面，提供了一种用于形成密封物且包括具有V⁴⁺的玻璃粉的组成物。用于形成密封物的组成物还可包括锆-钨-磷酸盐类填充料。根据本发明的另一方面，提供了一种用于形成密封物且包括具有V⁵⁺的玻璃粉和锆-钨-磷酸盐类填充料的组成物。根据本发明的另一方面，提供了一种发光装置，该发光装置包括：第一基底；第二基底；发光单元，置于所述第一基底和所述第二基底之间；密封物，将所述第一基底粘结到所述第二基底并密封所述发光单元，其中，所述密封物包含V⁴⁺。可通过波长范围为200nm-10,000nm的电磁波辐射来形成所述发光装置的所述密封物。

根据本发明的另一方面，提供了一种制造发光装置的方法，该方法包括：准备其上形成有发光单元的第一基底；制备上面描述的用于形成密封物的组成物；将用于形成密封物的组成物沉积到第二基底上将要形成有密封物的区域；对其上沉积有用于形成密封物的组成物的第二基底进行热处理，从而形成热处理后的用于形成密封物的组成物；将所述第一基底结合到所述第二基底，使得所述热处理后的用于形成密封物的组成物和所述发光单元置于所述第一基底和所述第二基底之间；将电磁波辐射到所述热处理后的用于形成密封物的组成物上，从而形成密封物。

通过利用玻璃粉、用于形成密封物的组成物和制造发光装置的方法，可得到密封特性优良的密封物，可防止形成密封物时发生的发光单元的劣化，并可以以低成本得到寿命长的发光装置。

附图说明

通过结合附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它特征及优点将变得更加清楚，在附图中：

图1是根据本发明实施例的发光装置的示意性剖视图；

图2是根据本发明实施例的图1的发光装置中的多个发光单元中的一个的示意性剖视图；

图3A至图3G是示出了根据本发明实施例的发光装置的制造方法的视图；

图4是示出了根据本发明实施例的按照例子1得到的用于形成密封物的热处理后的组成物(在N₂气氛下热处理)和按照对比例1得到的用于形成密封物的热处理后的组成物(在大气气氛下热处理)的透光率的曲线图；

图5是示出了根据本发明实施例的按照例子2得到的密封物的密封剂宽度的图像；

图6A是示出了根据本发明实施例的按照例子2得到的有机发光装置的寿命特性的图像；

图6B是示出了根据本发明实施例的按照对比例2得到的有机发光装置的寿命特性的图像。

具体实施方式

现在将参照附图更充分地描述本发明的各种实施例。

根据本发明实施例的玻璃粉(glass frit)包含V⁴⁺，该玻璃粉是包含至少一种离子的氧化物。玻璃粉包含V⁴⁺形式的钒。玻璃粉中的V⁴⁺吸收具有各种波长的电磁波，从而可通过电磁波的辐射来软化具有V⁴⁺的玻璃粉。玻璃粉对波长为810nm的光具有大约50％或更小的透光率。例如，V⁴⁺可吸收波长为810nm的激光。

玻璃粉具有大约30％或更小的透光率。此外，玻璃粉具有大约20％或更小的透光率。玻璃粉对波长在大约650nm至大约1000nm的光可具有大约50％或更小的透光率。玻璃粉对波长在大约650nm至大约1000nm的光可具有大约30％或更小的透光率。玻璃粉对波长为大约650nm至大约1000nm的光可具有大约20％或更小的透光率。玻璃粉对波长为810nm或大约650nm至大约1000nm的光可具有大约50％或更小的透光率。玻璃粉对波长为810nm或大约650nm至大约1000nm的光可具有如下透光率：大约49％更小、大约48％或更小、大约47％或更小、大约46％或更小、大约45％或更小、大约44％或更小、大约43％或更小、大约42％或更小、大约41％或更小、大约40％或更小、大约39％或更小、大约38％或更小、大约37％或更小、大约36％或更小、大约35％或更小、大约34％或更小、大约33％或更小、大约32％或更小、大约31％或更小、大约30％或更小、大约29％或更小、大约28％或更小、大约27％或更小、大约26％或更小、大约25％或更小、大约24％或更小、大约23％或更小、大约22％或更小、大约21％或更小、大约20％或更小、大约19％或更小、大约18％或更小、大约17％或更小、大约16％或更小、大约15％或更小、大约14％或更小、大约13％或更小、大约12％或更小、大约11％或更小、大约10％或更小、大约9％或更小、大约8％或更小、大约7％或更小、大约6％或更小、大约5％或更小、大约4％或更小、大约3％或更小、大约2％或更小。透光率具有由两个上述值形成的范围。

玻璃粉还可包含除V⁴⁺之外的其它离子。例如，玻璃粉可包含从由以下离子组成的组中选择的至少一种离子：V⁵⁺、Ba²⁺、Zn²⁺、Te⁴⁺、Fe³⁺、Cu²⁺、Nd²⁺、K⁺、Sb³⁺、P⁵⁺、Ti²⁺、Al³⁺、B³⁺、W⁶⁺、Sn²⁺、Bi³⁺、Ca²⁺、Si⁴⁺、Zr⁴⁺和Mg²⁺。然而，玻璃粉不限于此。

具体地讲，玻璃粉还可包含V⁵⁺、Ba²⁺、Zn²⁺和Te⁴⁺；或者玻璃粉还可包含Ba²⁺、Zn²⁺和Te⁴⁺。

玻璃粉中包含的离子的一部分可以来自于将玻璃粉中包含的V⁵⁺还原成V⁴⁺的还原剂。具体地讲，通过利用还原剂还原V⁵⁺来形成V⁴⁺的至少一部分。此外，玻璃粉还可包含从由Sn、Al、Mg、Cu和Zn组成的组中选择的至少一种还原剂。例如，Al³⁺、Sn²⁺、Mg²⁺、Cu²⁺或Zn²⁺可以来自于Al、Sn、Mg、Cu或Zn，其中，Al、Sn、Mg、Cu或Zn是将玻璃粉中包含的V⁵⁺还原成V⁴⁺的还原剂并且是在制造玻璃粉时加入的。此外，将玻璃粉中包含的V⁵⁺还原成V⁴⁺的还原剂还可包括C(碳)。当还原剂为C时，会在玻璃粉中残留少量的有机材料。

玻璃粉可以具有0.1μm-30μm(更具体地讲，0.5μm-15μm)的平均粒度，以有效地吸收电磁波。玻璃粉的最大粒度可以在1μm-150μm的范围内，更具体地讲，在3μm-30μm的范围内。

现在将详细描述制造上面描述的具有V⁴⁺的玻璃粉的方法。

将氧化物(例如V₂O₅)和将V⁵⁺还原成V⁴⁺的还原剂混合。氧化物可以是V₂O₅、BaO、ZnO、TeO₂、Fe₂O₃、CuO、NdO、K₂O、Sb₂O₃、P₂O₅、TiO、Al₂O₃、B₂O₃、WO₃、SnO、Bi₂O₃、CaO、SiO₂或ZrO₂，但是不限于此。还原剂可以是Al、Sn、Mg、Cu、Zn或C，然而，还原剂不限于此。

玻璃粉可以是粉末、膏状或烧结体的形式。烧结体可以为黑色，并且基本上半透明。V⁴⁺可以以大约0.0001wt％至大约10wt％的量存在于玻璃粉中。V⁴⁺可以以如下量存在于玻璃粉中：大约0.0001wt％至大约5wt％、大约0.0005wt％至大约5wt％、大约0.001wt％至大约5wt％、大约0.01wt％至大约5wt％、大约0.01wt％至大约1wt％或大约0.1wt％至大约1wt％。V⁴⁺可以以如下量存在于玻璃粉中：大约0.0001wt％、大约0.0005wt％、大约0.001wt％、大约0.005wt％、大约0.01wt％、大约0.05wt％、大约0.1wt％、大约0.5wt％、大约1wt％、大约5wt％、大约10wt％或大约50wt％。V⁴⁺可以以由两个上述值形成的范围内的量存在于玻璃粉中。

V⁴⁺在烧结体的表面可以比在烧结体的内部存在得多。可以通过烘焙膏状的玻璃粉形成烧结体。还可通过在烧结体上辐射激光束进一步加热烧结体，其中，所述激光束的波长为大约650nm至大约1000nm。可以通过X射线光电子能谱仪(XPS)可检测玻璃粉组成物中V⁴⁺的存在。

玻璃粉的热膨胀系数可以在大约25×10^-7/℃至大约95×10^-7/℃，更具体地，35×10^-7/℃至大约65×10^-7/℃的范围内。

然后，在坩锅中对还原剂和氧化物的混合物进行热处理。热处理温度可以根据待熔化的还原剂和氧化物的种类和量而变化。例如，可以在大约600℃-1200℃进行热处理10分钟-240分钟。冷却熔化的产物得到玻璃，然后研磨玻璃得到具有V⁴⁺的玻璃粉。具有V⁴⁺的玻璃粉可包含在用于形成发光装置的密封物(sealing material)的组成物中。已描述了具有V⁴⁺的玻璃粉。

用于形成发光装置的密封物的组成物包括具有V⁴⁺的玻璃粉，因此，该组成物可吸收波长在200nm-10,000nm范围内的电磁波。因此，通过波长在200nm-10,000nm范围内的电磁波的辐射可有效地软化用于形成发光装置的密封物的组成物。

当通过电磁波的辐射来软化用于形成密封物的组成物时，用于形成发光装置的密封物的组成物的体积会增加，因此，不会得到密封特性良好的密封物。因此，用于形成发光装置的密封物的组成物还可包括降低热膨胀系数的填充料(filler)。

降低热膨胀系数的填充料可以是锆-钨-磷酸盐类填充料(zirconium-tungsten-phosphate based filler)、锆-磷酸盐类填充料(zirconium-phosphate based filler)(例如磷酸锆)、锆类填充料(zirconium-basedfiller)(例如锆)、锂霞石类填充料(eucryptite-based filler)(例如β-锂霞石)、堇青石类填充料(cordierite-based filler)、矾土(alumina)、硅石(silica)、硅酸锌、钛酸铝或这些物质中的至少两种的组合，然而，填充料不限于此。

更具体地讲，锆-钨-磷酸盐类填充料可以是Zr₂(WO₄)(PO₄)₂，然而，填充料不限于此。

可通过电磁波的辐射来软化用于形成发光装置的密封物的组成物中包含的填充料。就填充料的软化而言，填充料的平均粒径(particle diameter)可以在0.1μm-30μm的范围内，更具体地讲，在0.5μm-15μm的范围内。填充料的最大粒径可以在1μm-150μm的范围内，更具体地讲，在3μm-30μm的范围内。

用于形成发光装置的密封物的组成物的热膨胀系数可以在25×10^-7/℃-95×10^-7/℃的范围内，更具体地讲，在35×10^-7/℃-65×10^-7/℃的范围内。因此，可防止当形成发光装置的密封物时由于电磁波的辐射导致组成物体积的改变而引起的基底的未对齐。

可根据所需要的玻璃粉的足够量和热膨胀系数范围来确定填充料的量。例如，基于玻璃粉和填充料的总量按重量计为100份，填充料的量可以在按重量计为5份至80份的范围内，更具体地讲，在按重量计为20份至60份的范围内。

用于形成发光装置的密封物的组成物还可包括媒介物(vehicle)，以获得充分的印刷(printing)、粘度和流动特性。媒介物可以是有机材料，从而当将用于形成发光装置的密封物的组成物放到基底上，接着对该组成物进行热处理时，媒介物会分解(decompose)。

例如，媒介物可包括树脂和溶剂。树脂可包括从由以下树脂组成的组中选择的至少一种树脂：丙烯酸类(acryl-based)树脂、甲基丙烯酸类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂(epoxy-based resin)、聚氨酯类树脂和纤维素类树脂。然而，树脂不限于此。溶剂可包括从由以下物质组成的组中选择的至少一种化合物：萜品醇(terpinol)、二氢萜品醇(dihyro terpinol)、丁基卡必醇乙酸酯(butylcarbitolacetate)、丁基卡必醇和2，2，4-三甲基-1，3-戊二醇一丁酯(2，2，4-trimethyl-1，3-pentadiol monobutyrate)。然而，溶剂不限于此。

更具体地讲，媒介物中的丙烯酸类树脂可以是丙烯酸丁酯或乙基丙烯酸己酯(ethylhexylacrylate)；媒介物中的甲基丙烯酸类树脂可以是丙二醇甲基丙烯酸酯(propyleneglycolmethacrylate)或甲基丙烯酸四氢糠酯(tetrahydrofurfurylmethacrylate)；媒介物中的乙烯基类树脂可以是乙烯基乙酸酯(vinylacetate)或N-乙烯基吡咯烷酮；媒介物中的环氧类树脂可以是脂环族环氧化物(cycloaliphatic epoxide)或环氧丙烯酸酯；媒介物中的聚氨酯类树脂可以是聚氨酯丙烯酸酯；媒介物中的纤维素类树脂可以是乙基纤维素或硝酸纤维素。然而，媒介物中的这些树脂不限于此。

可根据用于形成发光装置的密封物的组成物的印刷、粘度和流动特性来确定组成物中的媒介物的量。例如，基于用于形成发光装置的密封物的组成物按重量计为100份，组成物中的媒介物的量可以在按重量计为10份至60份的范围内，更具体地讲，在按重量计为20份至50份的范围内。

根据本发明另一实施例的用于形成发光装置的密封物的另一组成物包括具有V⁵⁺的玻璃粉和填充料。在这种情况下，组成物中的填充料可以是锆-钨-磷酸盐类填充料。

在当前的实施例中，术语“具有V⁵⁺的玻璃粉”是指不包含V⁴⁺的玻璃粉。发光装置的密封物必需包含V⁴⁺，然而，密封物可包含按照各种方法得到的V⁴⁺。例如，如上所述，玻璃粉自身可包含V⁴⁺。可选择地，即使当玻璃粉不含有V⁴⁺时，也可通过使用还原剂或通过在还原气氛下进行热处理将V⁵⁺还原成V⁴⁺。详细地讲，即使当用于形成发光装置的密封物且包括具有V⁵⁺的玻璃粉和填充料的组成物包含不含V⁴⁺的玻璃粉时，也可通过使用还原剂或通过在还原气氛下进行热处理来获得V⁴⁺。

用于形成发光装置的密封物的组成物中的具有V⁵⁺的玻璃粉还可包含从由以下离子组成的组中选择的至少一种离子：Ba²⁺、Zn²⁺、Te⁴⁺、Fe³⁺、Cu²⁺、Nd²⁺、K⁺、Sb³⁺、P⁵⁺、Ti²⁺、Al³⁺、B³⁺、W⁶⁺、Sn²⁺、Bi³⁺、Ca²⁺、Si⁴⁺、Zr⁴⁺和Mg²⁺。然而，具有V⁵⁺的玻璃粉不限于此。

更具体地讲，具有V⁵⁺的玻璃粉可包含Ba²⁺、Zn²⁺和Te⁴⁺。

具有V⁵⁺的玻璃粉可具有0.1μm-30μm(更具体地讲，0.5μm-15μm)的平均粒径，以有效地吸收电磁波。具有V⁵⁺的玻璃粉的最大粒径可以在1μm-150μm的范围内，更具体地讲，在3μm-30μm的范围内。

用于形成密封物的组成物中包含的锆-钨-磷酸盐类填充料可以是Zr₂(WO₄)(PO₄)₂，然而，锆-钨-磷酸盐类填充料不限于此。

用于形成发光装置的密封物的组成物还可包括从以下填充料中选择的填充料：锆-磷酸盐类填充料(例如磷酸锆)、锆类填充料(例如锆)、锂霞石类填充料(例如β-锂霞石)、堇青石类填充料、矾土、硅石、硅酸锌和钛酸铝，然而，填充料不限于此。

可通过电磁波的辐射来软化用于形成发光装置的密封物的组成物中包含的填充料。就填充料的软化而言，填充料的平均粒径可以在0.1μm-30μm的范围内，更具体地讲，在0.5μm-15μm的范围内。填充料的最大粒径可以在1μm-150μm的范围内，更具体地讲，在3μm-30μm的范围内。

用于形成发光装置的密封物的组成物的热膨胀系数可以在25×10^-7/℃-95×10^-7/℃的范围内，更具体地讲，在35×10^-7/℃-65×10^-7/℃的范围内。因此，可防止当制造发光装置的密封物时由于电磁波的辐射导致组成物体积改变而引起的基底的未对齐。

可根据所需要的玻璃粉的足够量和热膨胀系数范围来确定填充料的量。例如，基于玻璃粉和填充料的总量按重量计为100份，填充料的量可以在按重量计为5份至为80份的范围内，更具体地讲，在按重量计为20份至为60份的范围内。

用于形成发光装置的密封物且包含具有V⁵⁺的玻璃粉和填充料的组成物还可包括还原剂。还原剂将V⁵⁺还原成V⁴⁺。将用于形成发光装置的密封物的组成物涂覆在基底上，对该组成物进行热处理，然后使其经受电磁波的辐射。当对组成物进行热处理时，玻璃粉中的V⁵⁺可被用于形成密封物的组成物中包括的还原剂还原成V⁴⁺。

组成物中的还原剂可以是Al、Sn、Mg、Cu、Zn或C，然而，组成物中的还原剂不限于此。还原剂的量可根据玻璃粉的量而变化，用于形成发光装置的密封物的组成物的热处理温度和组成物的热处理时间可以不同，基于玻璃粉按重量计为100份，组成物中的还原剂的量可以在大约按重量计为0.01份至20份的范围内，更具体地讲，在按重量计为0.1份至2份的范围内。

用于形成发光装置的密封物的组成物还可包括媒介物，以获得充分的印刷、粘度和流动特性。组成物中的媒介物可以是有机材料，从而当将用于形成发光装置的密封物的组成物放到基底上，接着对该组成物进行热处理时，组成物中的媒介物会分解。

例如，组成物中的媒介物可包括树脂和溶剂。媒介物中的树脂可包括从由以下树脂组成的组中选择的至少一种树脂：丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂和纤维素类树脂。然而，媒介物中的树脂不限于此。媒介物中的溶剂可包括从由以下物质组成的组中选择的至少一种化合物：萜品醇、二氢萜品醇、丁基卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇和2，2，4-三甲基-1，3-戊二醇一丁酯。然而，媒介物中的溶剂不限于此。

上面描述的媒介物中的一部分可用作将V⁵⁺还原成V⁴⁺的还原剂。

更具体地讲，丙烯酸类树脂可以是丙烯酸丁酯或乙基丙烯酸己酯；甲基丙烯酸类树脂可以是丙二醇甲基丙烯酸酯或甲基丙烯酸四氢糠酯；乙烯基类树脂可以是乙烯基乙酸酯或N-乙烯基吡咯烷酮；环氧类树脂可以是脂环族环氧化物或环氧丙烯酸酯；聚氨酯类树脂可以是聚氨酯丙烯酸酯；纤维素类树脂可以是乙基纤维素或硝酸纤维素。然而，这些树脂不限于此。

可根据用于形成发光装置的密封物的组成物的印刷、粘度和流动特性来确定媒介物的量。例如，基于用于形成发光装置的密封物的组成物按重量计为100份，媒介物的量可以在按重量计为10份至60份的范围内，更具体地讲，在按重量计为20份至50份的范围内。

如上所述，用于形成密封物且包含具有V⁴⁺的玻璃粉的组成物和用于形成密封物且包含具有V⁵⁺离子的玻璃粉的组成物可用于形成包封电子装置(例如有机发光装置、电子发射装置或等离子体显示面板)的密封物，以防止氧和/或水渗入其中。

然而，除V⁴⁺离子之外，用于形成密封物且包含具有V⁴⁺离子的玻璃粉的组成物中的具有V⁴⁺离子的玻璃粉还可包括V⁵⁺离子。因此，如所需要的，用于形成密封物且包含具有V⁴⁺离子的玻璃粉的组成物还可包含还原剂，其中，该还原剂可被加入到用于形成密封物且包含具有V⁵⁺的玻璃粉的组成物中，从而可进一步还原残留的V⁵⁺。

根据本发明的玻璃粉装置包括具有表面的玻璃板和上述的玻璃粉。包括在玻璃粉装置中的玻璃粉可在玻璃板的表面上形成闭环。当玻璃粉是烧结体的形式时，烧结体对波长为810nm的光可具有50％或更小的透光率。当玻璃粉是烧结体的形式时，烧结体对波长在大约650nm至大约1000nm的光可具有50％或更小的透光率。具体地讲，V⁴⁺可以以大约0.0001wt％至大约10wt％的量存在于玻璃粉中。V⁴⁺在烧结体的表面可以比在烧结体的内部存在得多。可以通过X射线光电子能谱仪(XPS)可检测玻璃粉中V⁴⁺的存在。

制造玻璃粉装置的方法包括如下步骤：提供包括表面的玻璃板；形成闭环结构的膏状组成物；加热该闭环结构，以在所述表面上形成上述用于形成闭环的玻璃粉，其中，玻璃粉包含V⁴⁺，并对波长为810nm的光具有大约50％或更小的透光率。

根据本发明的发光装置包括：第一基底；第二基底；发光单元的阵列，置于第一基底和第二基底之间；将上述的玻璃粉置于第一基底和第二基底之间，并粘结第一基底和第二基底。具体地讲，玻璃粉包含V⁴⁺。

图1是根据本发明实施例的包括多个发光单元13(例如有机发光二极管)的发光装置10的示意性剖视图。

参照图1，发光装置10包括第一基底11、第二基底15和形成在第一基底11上的发光单元13。在图1的发光装置10中，第二基底15用作包封基底。多个密封物18中的每个置于第一基底11和第二基底15之间，其中，多个密封物18将第一基底11粘结到第二基底15并密封各发光单元13。密封物18中的每个包含V⁴⁺。

第一基底11可以是商业上用于发光装置中的任一种基底。例如，第一基底11可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等，然而，第一基底11不限于此。

发光单元13形成在第一基底11上。

图2是根据本发明实施例的图1的发光装置10中的发光单元13之一的示意性剖视图。更具体地讲，发光单元13为有源矩阵(AM)型。

参照图2，缓冲层41形成在第一基底11上，以使第一基底11平坦化并防止杂质原子的渗透。缓冲层41可由SiO₂和SiN_x中的至少一种形成，然而，缓冲层41可由其它材料形成。

薄膜晶体管(TFT)形成在第一基底11上，并可被包括在发光单元10的每个像素中。

更具体地讲，具有预定图案的半导体层42形成在缓冲层41上。半导体层42可由无机半导体材料(例如非晶硅或多晶硅)或者有机半导体材料(例如并五苯)形成，并可包括源区、漏区和沟道区。

由SiO₂或SiN_x形成的栅极绝缘层43形成在半导体层42上，栅电极44形成在栅极绝缘层43上。栅电极44可由MoW或Al/Cu形成，然而，栅电极44可由其它材料形成。可根据栅电极44与相邻层的粘附、将要沉积在栅电极44上的层的平坦度(flatness)、栅电极44的电阻和栅电极44的可加工性来确定栅电极44的材料。栅电极44连接到施加TFT导通/截止信号的栅极线(未示出)。

层间绝缘层45形成在栅电极44上，源电极46和漏电极47形成在层间绝缘层45上。源电极46和漏电极47可由以下物质形成：Au；Pd；Pt；Ni；Rh；Ru；Ir；Os；Al；Mo；由至少两种金属形成的合金，例如Al:Nd合金或MoW合金；或金属氧化物，例如ITO、IZO、NiO、Ag₂O、In₂O₃-Ag₂O、CuAlO₂、SrCu₂O₂或Zr涂覆的ZnO，然而，源电极46和漏电极47不限于此。此外，源电极46和漏电极47可由从上面描述的金属和金属氧化物中选择的至少两种的组合形成。

源电极46和漏电极47分别通过接触孔电连接到半导体层42的源区和漏区。钝化层48形成在上面描述的TFT上。

钝化层48可包含无机材料和有机材料中的至少一种。无机材料可以是SiO₂、SiN_x、SiON、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂、ZrO₂、BST或PZT。有机材料可以是聚合物(例如PMMA或PS)、包括酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物(acryl-based polymer)、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、含氟化物的聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物(vinylalcohol-based polymer)或这些物质的混合物，然而，有机材料不限于此。钝化层48可以具有由无机绝缘层和有机绝缘层组成的复合堆叠结构。

作为有机发光单元50的阳极的第一电极51形成在钝化层48上。有机发光单元50的第一电极51可以是由例如逸出功高的材料(例如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃)形成的透明电极。可选择地，有机发光单元50的第一电极51可以是这样形成的反射电极，即：由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或这些物质的组合形成反射层，然后在反射电极的反射层上沉积均具有高逸出功的ITO、IZO、ZnO或In₂O₃来形成有机发光单元50的第一电极51。有机发光单元50的第一电极51电连接到上述TFT的漏电极47。

像素限定层49形成在第一电极51上。像素限定层49暴露第一电极51的一部分，并具有限定形成有机发光单元50的有机层52的位置的开口。有机发光单元50的有机层52形成在由像素限定层49限定的开口内，用作有机发光单元50的阴极的第二电极53形成在有机层52上。

置于第一电极51和第二电极53之间的有机层52通过第一电极51和第二电极53的电操作而发光。可以用低分子量或高分子量的有机材料形成有机层52。按所需要的，有机层52可包括从由空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发射层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层组成的组中选择的至少一层。有机层52的低分子量有机材料可以是铜酞菁(CuPc)、N，N′-双(1-萘基)-N，N′-二苯基联苯胺(NPB，N，N′-Di naphthalene-1-yl-N，N′-diphenyl-benzidine)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等，然而，有机层52的低分子量有机材料不限于此。有机层52的高分子量有机材料可以是聚-3，4-乙撑-二氧基噻吩(PEDOT，poly-3，4-ethylene-dioxy thiophene)、聚苯胺等，然而，有机层52的高分子有机材料不限于此。可通过各种不同的方法例如沉积、LITI(激光感应热成像)、喷墨印刷或旋涂来形成有机层52。

第二电极53可以是透明电极或由逸出功低的材料形成的反射电极，这些材料例如为Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li或Ca。此外，除了反射电极或透明电极之外，还可以使用透明导电材料(例如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃)形成辅助电极或汇流电极线。

保护层(未示出)还可形成在第二电极53上，以提供对热、化学材料、水的渗透的抵抗力(resistance)，从而可进一步防止水和/或氧渗透到有机层52中。保护层可具有各种不同的结构。例如，保护层可包括无机层，或者包括无机层和有机层的交替结构。

保护层的无机层可包含由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氮化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅(SiON)组成的组中选择的至少一种化合物。然而，无机层可由其它材料形成。

保护层的有机层可由含环的化合物苯并环丁烯(benzocyclobutenering-containing coumpound)或硅氢化倍半氧化物(hydrosilsesquioxane)的交联产物形成，然而，保护层的有机层可由其它材料形成。

第2005-0077919号韩国专利公开详细地描述了保护层的无机层和有机层，当前的说明书参照该公开并包含该公开。

已经参照图2描述了根据本发明实施例的发光装置10的发光单元13中的一个，然而，发光装置10的发光单元13可具有各种不同的结构。

在图1的发光装置10中，第二基底15可以是包封基底，例如玻璃基底或透明的塑料基底。当第二基底15为塑料基底时，保护膜可形成在塑料基底的内表面上，用于防止水的渗透。透明的塑料基底的保护膜具有对热和化学材料的抵抗力，并防止水的渗透。当包封基底第二基底15由透明材料形成时，这种结构适用于前部发射型发光装置。

密封物18将第一基底11粘结到第二基底15，并密封发光单元13，具体地讲，通过将密封物18置于第一基底11和第二基底15之间，来防止氧和水渗透到发光单元13中。

密封物18中的每个包含V⁴⁺。各密封物18中的V⁴⁺可有效地吸收波长在200nm-10,000nm范围内的电磁波(例如紫外线、可见光或红外线)。就电磁波的吸收而言，包括在各密封物18中的V⁴⁺的量可以在0.001mol％-50mol％的范围内，更具体地讲，在0.01mol％-30mol％的范围内。密封物18可以利用激光器或发光灯形成。用于形成密封物18的激光器或发光灯可选择性地将电磁波辐射到密封物18各自形成的区域，从而当形成密封物18时，发光装置10的发光单元13基本没有劣化。

密封物18的每个还可包含填充料。

密封物18的每个中的填充料降低用于形成密封物的组成物的热膨胀系数。

密封物18的每个中的填充料可以是锆-钨-磷酸盐类填充料、锆-磷酸盐类填充料(例如磷酸锆)、锆类填充料(例如锆)、锂霞石类填充料(例如β-锂霞石)、堇青石类填充料、矾土、硅石、硅酸锌、钛酸铝或这些物质中的至少两种的组合物，然而，密封物18的每个中的填充料不限于此。

更具体地讲，锆-钨-磷酸盐类填充料可以是Zr₂(WO₄)(PO₄)₂，然而，锆-钨-磷酸盐类填充料不限于此。

可通过电磁波的辐射来软化各密封物18中的填充料。就填充料的软化而言，填充料的平均粒径在0.1μm-30μm的范围内，更具体地讲，在0.5μm-15μm的范围内。填充料的最大粒径可以在1μm-150μm的范围内，更具体地讲，在3μm-30μm的范围内。

各密封物18还可包含除V⁴⁺之外的各种其他的离子。例如，各密封物18还可包含从由V⁵⁺、Ba²⁺、Zn²⁺、Te⁴⁺、Fe³⁺、Cu²⁺、Nd²⁺、K⁺、Sb³⁺、P⁵⁺、Ti²⁺、Al³⁺、B³⁺、W⁶⁺、Sn²⁺、Bi³⁺、Ca²⁺、Si⁴⁺、Zr⁴⁺和Mg²⁺组成的组中选择的至少一种离子。然而，各密封物18不限于此。

更具体地讲，各密封物18还可包含V⁵⁺、Ba²⁺、Zn²⁺和Te⁴⁺，或者包含Ba²⁺、Zn²⁺和Te⁴⁺。

各密封物18中包含的离子的一部分可以来自于将玻璃粉中包含的V⁵⁺还原成V⁴⁺的还原剂。例如，Al³⁺、Sn²⁺、Mg²⁺、Cu²⁺和Zn²⁺可以来自于Al、Sn、Mg、Cu和Zn，其中，Al、Sn、Mg、Cu和Zn中的每一种是将玻璃粉中包含的V⁵⁺还原成V⁴⁺的还原剂并且是在制造玻璃粉时被加入的。同时，各密封物18可包含少量的由C(碳)诱导得到的有机材料，其中，C用作将V⁵⁺还原成V⁴⁺的还原剂。

现在将参照图3A至图3G来描述根据本发明实施例的制造上面描述的发光装置10的方法。

参照图3A，制造其上形成有多个发光单元23的第一基底21。如上所述，第一基底21可以是各种电子装置中使用的任一种基底，发光单元23可以是有机发光单元，然而，发光单元23不限于此。可使用商业上公知的方法来制造发光单元23。

参照图3B和图3C，在将要在第二基底25上形成密封物的区域(见图3G中的标号28)设置用于形成密封物27的组成物。设置用于形成密封物27的组成物，以在将第一基底21结合到第二基底25之后各自围绕有机发光单元23。然而，将要在第二基底上形成密封物的区域不限于图3B和图3C中示出的区域。图3B是图3C的剖视图。第二基底25可以是包封基底，并可由玻璃或塑料材料形成。

如上所述，用于形成密封物27的组成物可以是用于形成密封物且包含具有V⁴⁺的玻璃粉的组成物，或者是用于形成密封物且包含具有V⁵⁺的玻璃粉和填充料的组成物。

可利用各种公知的方法(例如，喷墨印刷法或丝网印刷法)在第二基底25上设置用于形成密封物27的组成物。

用于形成密封物27的组成物可以包含V⁴⁺或者可以不包含V⁴⁺。例如，当用于形成密封物27的组成物包含具有V⁴⁺的玻璃粉时，用于形成密封物27的组成物包含V⁴⁺。然而，当用于形成密封物27的组成物不包含具有V⁴⁺的玻璃粉时，用于形成密封物27的组成物不会包含V⁴⁺。在后种情况下，可通过随后描述的热处理来生成V⁴⁺。

随后，对其上设置有用于形成密封物27的组成物的第二基底25进行热处理，从而形成了热处理后的用于形成密封物27′的组成物，如图3D中所示。

由于对用于形成密封物27的组成物进行了热处理，所以用于形成密封物27的组成物可以以具有预定形状的膜形成，用于形成密封物27的组成物中的一部分V⁵⁺可被还原成V⁴⁺。在说明书中，术语“热处理后的用于形成密封物的组成物”用来表示用于形成密封物27的组成物经热处理之后的上述变化。因此，如图3E中所示，可以有效地将第一基底21结合到第二基底25。此外，如图3F中所示，当如图3F中所示辐射电磁时，可通过V⁴⁺有效地吸收电磁波。作为热处理的结果，用于形成密封物27的组成物中的媒介物会分解。

可在还原气氛或大气气氛下执行热处理。还原气氛可以是N₂气氛或氢气气氛。由于热处理，使得用于形成密封物27的组成物中的V⁵⁺可被还原成V⁴⁺。具体地讲，当玻璃粉不包含V⁴⁺并且用于形成密封物27的组成物不包含将V⁵⁺还原成V⁴⁺的还原剂时，期望在还原气氛下执行热处理。

当用于形成密封物27的组成物包含还原剂时，热处理气氛通常不是还原气氛。当用于形成密封物27的组成物包含还原剂(例如Al、Sn、Mg、Cu、Zn或C)时，执行热处理时还原剂被氧化并将V⁵⁺还原成V⁴⁺。

可以根据可将V⁵⁺还原成V⁴⁺的温度和时间以及用于形成密封物的组成物中的媒介物可分解的温度和时间来确定热处理温度和热处理时间。例如，热处理温度可以在250℃-750℃的范围内，更具体地讲，在350℃-550℃的范围内，热处理时间可以在5分钟-240分钟的范围内，更具体地讲，在10分钟-120分钟的范围内。

热处理后的用于形成如图3D中所示的密封物27′的组成物中的每个必需包含V⁴⁺。V⁴⁺可以是玻璃粉自身包含的V⁴⁺，V⁴⁺可以是通过用用于形成密封物的组成物中的还原剂在热处理过程中使玻璃粉中的V⁵⁺还原生成的V⁴⁺，或者V⁴⁺可以是作为在玻璃粉中的V⁵⁺在还原气氛下进行热处理的结果而生成的V⁴⁺。

然后，如图3E中所示，第一基底21与第二基底25结合，从而热处理后的用于形成密封物27′的组成物和发光单元23置于第一基底21和第二基底25之间。在这一点上，例如，热处理后的用于形成密封物27′的组成物中的每个可围绕发光单元23中的每个。

然后，如图3F中所示，电磁波29辐射在热处理后的用于形成密封物27′的组成物上，从而形成多个如图3G中所示的密封物28，多个密封物28将第一基底21粘结到第二基底25并分别密封发光单元23。

电磁波29可穿过第一基底21或第二基底25辐射在热处理后的用于形成密封物27′的组成物上。在这点上，热处理后的用于形成密封物27′的组成物中的V⁴⁺吸收电磁波29，从而通过所得到的能量使组成物软化和/或熔化，从而形成了密封物28。

电磁波29可具有200nm-10,000nm范围内的波长，使得V⁴⁺可吸收电磁波29。因此，电磁波29可以是紫外线、可见光或红外线。可利用发射在这种波长范围内的电磁波的激光器或发光灯来提供电磁波29。然而，可以利用其它装置来提供电磁波29。例如，电磁波29可以是波长为810nm的激光。玻璃粉可对波长在大约650nm-大约1000nm范围内的光具有大约50％或更低的透光率。

如图3F中所示，根据当前实施例，可选择性地仅在将要形成密封物28的区域上辐射电磁波29。结果，可防止形成密封物28时发光单元23发生劣化。

制造显示装置的方法包括：提供上述玻璃粉装置；提供包括基底和形成在该基底上的发光装置的阵列的中间装置；布置玻璃粉装置和中间装置，使得玻璃粉置于玻璃板和所述基底之间，并且使玻璃粉在围绕所述阵列的同时接触所述基底；对所述玻璃粉施加激光，以使玻璃粉粘结到基底。玻璃粉对激光的透射率为大约50％或更小。

例如，制造发光装置的方法包括：制备其上形成有发光单元的第一基底；制备上面描述的用于形成密封物的组成物；将用于形成密封物的组成物沉积到将要在第二基底上形成密封物的区域上；对其上沉积有用于形成密封物的组成物的第二基底进行热处理，从而形成热处理后的用于形成密封物的组成物；将第一基底结合到第二基底，使得热处理后的用于形成密封物的组成物和发光单元置于第一基底和第二基底之间；将电磁波照射到热处理后的用于形成密封物的组成物上，从而形成密封物。

通过利用玻璃粉、用于形成密封物的组成物和制造发光装置的方法，可获得密封特性优良的密封物，可防止在形成密封物时发生的发光单元的劣化，并且可以以低成本获得寿命长的发光装置。

已参照图3A至图3G描述了根据本发明实施例的制造发光装置的方法。然而，该方法不限于此。

可通过电磁波的辐射来形成根据本发明实施例的发光装置的多个密封物。这样，热处理后的用于形成密封物27′的组成物必需包含V⁴⁺。可利用以下描述的各种方法来获得热处理后的用于形成密封物27′的组成物中包含的V⁴⁺：

a)可使用用于形成密封物且包含具有V⁴⁺的玻璃粉的组成物；

b)可通过用于形成密封物的组成物中的将V⁵⁺还原成V⁴⁺的还原剂将V⁵⁺还原成V⁴⁺的热处理；

c)可通过在还原气氛下执行热处理将用于形成密封物的组成物中的V⁵⁺还原成V⁴⁺。

可使用a)、b)和c)中的至少一种。例如，用于形成密封物且包含具有V⁴⁺的玻璃粉的组成物还可在还原气氛下经过热处理，使得玻璃粉中的V⁵⁺进一步被还原成V⁴⁺。

将参照下列的例子来进一步详细地描述本发明。这些例子仅是出于举例说明的目的，而不意在限制本发明的范围。

例子1

A.玻璃粉/组成物的制备

在Pt坩锅中混合29.2g V₂O₅、5.2g ZnO、14.7g BaO和50.8g TeO₂，然后在电烘箱(electric oven)中在800℃下对该混合物进行大约一小时的热处理。冷却并球磨(ball mill)热处理得到的熔融产物，从而得到平均粒径为2μm且最大粒径为10μm的玻璃粉。玻璃粉包含V⁵⁺、Zn²⁺、Ba²⁺和Te⁴⁺。

将50g玻璃粉与50g平均粒径为3μm且最大粒径为15μm的Zr₂(WO₄)(PO₄)₂(产品名：ZWP，制造商：KCM公司)混合，然后利用热机械分析(TMA)设备测量玻璃粉和Zr₂(WO₄)(PO₄)₂的混合物的热膨胀系数。结果，玻璃粉和Zr₂(WO₄)(PO₄)₂的混合物的热膨胀系数为大约50×10^-7/℃。

将50g包含乙基纤维素类树脂的媒介物添加到玻璃粉和Zr₂(WO₄)(PO₄)₂的混合物中，并搅拌，从而得到用于形成密封物的组成物。

B.组成物的热处理

通过丝网印刷法在玻璃基底上将由例子1的步骤A中描述的制造工艺得到的用于形成密封物的组成物涂覆成宽度为600μm且厚度为30μm，然后在N₂气氛下在420℃对涂覆的产物进行热处理4个小时。

对比例1

使用与例子1的步骤A中描述的方法相同的方法来制造用于形成密封物的组成物。然后，除了使用大气气氛而非N₂气氛之外，按照与例子1的步骤B中的方式相同的方式对用于形成密封物的组成物进行热处理。

测量例子1-透光率

通过使波长为400nm-1100nm的光辐射穿过玻璃基底中的每个来测量根据例子1得到的热处理后的用于形成密封物的组成物(在N₂气氛下热处理)和根据对比例1得到的热处理后的用于形成密封物的组成物(在大气气氛下热处理)的透光率，然后利用UV-VIS分光计测量各自的透光率。结果如图4中所示。参照图4，在波长为810nm处，根据例子1得到的热处理后的用于形成密封物的组成物(在N₂气氛下热处理)的透光率为17.5％，根据对比例1得到的热处理后的用于形成密封物的组成物(在空气气氛下热处理)的透光率为60.5％。即，发现由于在N₂气氛下将V⁵⁺还原成V⁴⁺的热处理的结果，根据例1得到的热处理后的用于形成密封物的组成物(在N₂气氛下热处理)可有效地吸收可见-红外光。

例子2

制备包括由SDI有限公司制造的有机发光单元的第一玻璃基底。以与例子1中的步骤A的方式相同的方式制备用于形成密封物的组成物，接着以与例子1中的步骤B的方式相同的方式在用作包封基底的第二玻璃基底上设置该组成物。在N₂气氛下在420℃对其上设置有用于形成密封物的组成物的第二玻璃基底进行热处理4小时，从而形成热处理后的用于形成密封物的组成物。

然后，将第一玻璃基底结合到第二玻璃基底，使得热处理后的用于形成密封物的组成物分别围绕有机发光单元，然后用波长为810nm的激光辐射热处理后的用于形成密封物的组成物，从而形成密封物。

图5是由例子2得到的密封物之一的密封宽度的图像。参照图5，密封物的密封宽度大约为500μm。结果，发现热处理后的用于形成密封物的组成物吸收激光然后熔化，从而形成密封物。

对比例2

除了在空气气氛而非N₂气氛下对用于形成密封物的组成物进行热处理之外，以例子2的方式相同的方式进行该实验。结果，通过用波长为810nm的激光辐射密封物不能够形成密封物，从而没有密封第一玻璃基底和第二玻璃基底。这样的结果是由下面的假设造成的：在空气气氛下通过热处理没有充分地形成V⁴⁺，因而没有有效地吸收激光。

对比例3

除了在第二基底上涂覆有机密封物环氧树脂，而不是涂覆用于形成密封物的组成物然后将其硬化以形成密封物之外，以与例子2的方式相同的方式制造有机发光装置。

测量对比例2-寿命特性

分别测量了根据例子2和对比例3得到的有机发光装置的寿命，并分别在图6A和图6B示出。更具体地讲，将有机发光装置在85℃、相对湿度为85％的条件下放置300小时，执行有机发光装置的操作测试以测量有机发光装置的寿命。图6A是根据例子2得到的有机发光装置的图像，图6B是根据对比例3得到的有机发光装置的图像。通过对比图6A和图6B，在图6A的图像中基本上没有形成暗点(dark spot)。这样的结果是由以下的假设形成的：由于根据例子2得到的有机发光装置的密封物，使得没有发生由于水而造成的劣化。因此，发现根据本发明实施例的发光装置的寿命长。

根据本发明的实施例，可形成吸收电磁波的密封物，其中，可选择性地提供电磁波，例如激光器或发光灯。因此，可防止形成密封物时发生的发光单元的劣化。此外，根据本发明实施例的密封物具有良好的密封特性。因而，可获得长寿命的发光装置。

虽然已经参照本发明的示例性实施例具体示出和描述了本发明，但是本领域的普通技术人员之一应该理解，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对本发明进行形式和细节上的各种改变。

Claims

1.一种包含V⁴⁺形式的钒的玻璃粉，其中，所述玻璃粉对波长为810nm的光具有大约50％或更小的透光率。

2.如权利要求1所述的玻璃粉，还包含从由V⁵⁺、Ba²⁺、Zn²⁺、Te⁴⁺、Fe³⁺、Cu²⁺、Nd²⁺、K⁺、Sb³⁺、P⁵⁺、Ti²⁺、Al³⁺、B³⁺、W⁶⁺、Sn²⁺、Bi³⁺、Ca²⁺、Si⁴⁺、Zr⁴⁺和Mg²⁺组成的组中选择的至少一种离子。

3.如权利要求1所述的玻璃粉，还包含V⁵⁺、Ba²⁺、Zn²⁺和Te⁴⁺。

4.如权利要求1所述的玻璃粉，其中，至少部分V⁴⁺通过使用还原剂将V⁵⁺还原而形成。

5.如权利要求4所述的玻璃粉，还包括从由Sn、Al、Mg、Cu和Zn组成的组中选择的至少一种还原剂。

6.如权利要求1所述的玻璃粉，其中，所述透光率为大约30％或更小。

7.如权利要求1所述的玻璃粉，其中，所述透光率为大约20％或更小。

8.如权利要求1所述的玻璃粉，其中，所述玻璃粉对波长为大约650nm至大约1000nm的光具有大约50％或更小的透光率。

9.如权利要求8所述的玻璃粉，其中，所述玻璃粉对波长为大约650nm至大约1000nm的光具有大约30％或更小的透光率。

10.如权利要求9所述的玻璃粉，其中，所述玻璃粉对波长为大约650nm至大约1000nm的光具有大约20％或更小的透光率。

11.如权利要求1所述的玻璃粉，其中，所述玻璃粉为粉末形式。

12.如权利要求1所述的玻璃粉，其中，所述玻璃粉为膏状。

13.如权利要求1所述的玻璃粉，其中，所述玻璃粉为烧结体的形式。

14.如权利要求13所述的玻璃粉，其中，所述烧结体为黑色。

15.如权利要求13所述的玻璃粉，其中，所述烧结体基本上半透明。

16.如权利要求13所述的玻璃粉，其中，所述V⁴⁺以大约0.0001wt％至大约10wt％的量存在于所述玻璃粉中。

17.如权利要求13所述的玻璃粉，其中，所述V⁴⁺在所述烧结体的表面比在所述烧结体的内部存在得多。

18.如权利要求13所述的玻璃粉，其中，通过烘焙膏状的玻璃粉形成所述烧结体。

19.如权利要求18所述的玻璃粉，其中，通过在所述烧结体上辐射激光束进一步加热所述烧结体，其中，所述激光束的波长为大约650nm至大约1000nm。

20.如权利要求1所述的玻璃粉，其中，通过X射线光电子能谱仪可检测所述玻璃粉中所述V⁴⁺的存在。

21.如权利要求13所述的玻璃粉，还包括从由锆-钨-磷酸盐类填充料、锆-磷酸盐类填充料、锆类填充料、锂霞石类填充料、堇青石类填充料、矾土、硅石、硅酸锌和钛酸铝组成的组中选择的至少一种填充料。

22.如权利要求21所述的玻璃粉，其中，所述填充料具有大约0.1μm至大约30μm的平均粒径。

23.如权利要求21所述的玻璃粉，其中，所述玻璃粉的热膨胀系数在大约25×10^-7/℃至大约95×10^-7/℃的范围内。

24.如权利要求13所述的玻璃粉，还包括从由丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂和纤维素类树脂组成的组中选择的至少一种树脂，并且还包括从由萜品醇、二氢萜品醇、丁基卡必醇乙酸酯、丁基卡必醇和2，2，4-三甲基-1，3-戊二醇一丁酯组成的组中选择的至少一种溶剂。

25.一种玻璃粉装置，包括：

玻璃板，包括表面；

如权利要求1中所述的玻璃粉，

其中，所述玻璃粉在所述玻璃板的所述表面上形成闭环。

26.如权利要求25所述的玻璃粉装置，其中，烧结体对波长为810nm的光具有50％或更小的透光率。

27.如权利要求25所述的玻璃粉装置，其中，烧结体对波长为大约650nm至大约1000nm的光具有50％或更小的透光率。

28.如权利要求25所述的玻璃粉装置，其中，所述V⁴⁺以大约0.0001wt％至大约10wt％的量存在于所述玻璃粉中。

29.如权利要求25所述的玻璃粉装置，其中，所述V⁴⁺在烧结体的表面比在烧结体的内部存在得多。

30.如权利要求25所述的玻璃粉装置，其中，通过X射线光电子能谱仪可检测所述玻璃粉中所述V⁴⁺的存在。

31.一种制造如权利要求25所述的玻璃粉装置的方法，包括以下步骤：

提供包括所述表面的所述玻璃板；

形成闭环结构的膏状组成物；

加热所述闭环结构，以在所述表面上形成用于形成闭环的玻璃粉；

其中，所述玻璃粉包含V⁴⁺，并对波长为810nm的光具有大约50％或更小的透光率。

32.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：

提供如权利要求25所述的玻璃粉装置；

提供包括基底和形成在所述基底上的发光装置的阵列的中间装置；

布置所述玻璃粉装置和所述中间装置，使得所述玻璃粉置于玻璃板和所述基底之间，并且使所述玻璃粉在围绕所述阵列的同时接触所述基底；

对所述玻璃粉施加激光，以使所述玻璃粉粘结到所述基底。

33.如权利要求32所述的方法，其中，所述玻璃粉对所述激光具有大约50％或更小的透光率。

34.一种发光装置，包括：

第一基底；

第二基底；

发光单元的阵列，置于所述第一基底和所述第二基底之间；

如权利要求1中所述的玻璃粉，

其中，所述玻璃粉置于所述第一基底和所述第二基底之间并将所述第一基底粘结到所述第二基底。

35.如权利要求34所述的显示装置，其中，所述发光单元包括有机发光二极管。