JP2010140848A - 有機発光装置の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】そし基板の電極層が剥れない厚さを有するフリット材層中の光加熱温度を維持し、フリット材層全体を溶融して、基板密着の良い、かつ、クラック発生のない封着を施す有機発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】封止基板9上にフリット材層5,6を形成する工程と、レーザー光を照射することによりフリット材層5,6を溶融し、素子基板1と封止基板9とを封着する工程と、を有する有機発光装置の製造方法であって、フリット材層5,6を形成する工程が、レーザー光吸収剤を含有する複数層のフリット材層5,6を、レーザー光透過率が順次減少するように積層する工程であり、レーザー光を、レーザー光透過率が高いフリット材層6側から照射する有機発光装置の製造方法。
【選択図】図1

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(以下「有機EL」という場合がある。)素子の発光を光源、表示等に利用する有機発光装置の製造方法に関する。
フラットディスプレイパネルの一つに有機発光素子が搭載された有機ELディスプレイがあり、研究開発が盛んに進められている。この有機発光素子は、水分や酸素などのガスに弱い性質を有しているため、水分や酸素等から保護する必要がある。
水分や酸素等から有機発光素子を保護する技術として、中空封止方式がある。この方式は、有機発光素子が形成された素子基板と封止基板との間に空間を介在させて不活性ガスを封入し、フリット材等からなる封着材で素子基板と封止基板とを封着することにより、有機発光素子を封止する技術である。
前記方式の例としては、特許文献1、2にあるように、レーザー照射により、フリット材層を溶融して封着する方式が知られている。
特開2007−115692号公報 特開2007−200836号公報
ここで、中空封止方式では、素子基板と封止基板との間を広くする必要がある。これは、素子基板と封止基板との間が狭いと、封止基板の押圧による撓みから素子基板の電極層が剥れるからである。
しかしながら、例えば、100μmの厚さのフリット材層にレーザーを照射すると、レーザー照射位置から離れるに従い熱エネルギーが減衰し、遠方接触部(基板とフリット材層との接触部)に熱が伝わらず十分な封着ができない場合があった。
特許文献2では、透明材質層と不透明材質層を積層し、密封材の厚さを調整することが開示されている。しかしながら、特許文献2の方法では、不透明材質層のみに光が吸収され、局所的な光加熱によって、基板にクラックが発生し易くなり、所望の封着ができないという問題が生じた。また、光吸収材を含まない透明材質層と光吸収材を含む不透明材質層との間に温度差が生じ、レーザー照射後、歪みが起こり、透明材質層と不透明材質層との層界面において剥れるという問題が生じた。
そこで、本発明は、素子基板の電極層が剥れない厚さを有するフリット材層中の光加熱温度を維持し、フリット材層全体を溶融して、基板密着の良い、かつ、クラック発生のない封着を施すことを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、一対の電極間に有機化合物層を挟持した有機発光素子を設けた素子基板上、または、封止基板上にフリット材層を形成する工程と、レーザー光を照射することにより前記フリット材層を溶融し、前記素子基板と前記封止基板とを封着する工程と、を有する有機発光装置の製造方法であって、前記フリット材層を形成する工程が、レーザー光透過率が順次増加または減少するように、レーザー光吸収剤を含有する複数層のフリット材層を積層する工程であり、前記レーザー光を、レーザー光透過率が高いフリット材層側から照射することを特徴とする有機発光装置の製造方法を提供するものである。
本発明によれば、素子基板の電極層が剥れない厚さを有するフリット材層中の光加熱温度を維持し、フリット材層全体を溶融して、基板密着の良い、かつ、クラック発生のない封着を施すことができる。
以下、図面を参照しながら本発明について詳細に説明する。
図1は本発明により製造した有機発光装置の一例を示す概略断面図である。図1の有機発光装置10は、素子基板1上に、第一電極層2と第二電極層4からなる一対の電極間に有機化合物層3を挟持した有機発光素子が一以上設けられている。この有機発光素子は、第一電極層2と第二電極層4との間に電圧を印加することで、一方の電極から注入されるホールと、もう一方の電極から注入される電子と、が有機化合物層3内の発光層において再結合することで光を発する。
本発明では、素子基板1と封止基板9とをフリット材層5及び6によって封着するものである。フリット材層5及び6は、表示領域の外側を覆うように形成され、外気からの水分、酸素等を遮断することができる。
次に、本発明における有機発光装置の構成部材について説明する。
素子基板1として、ガラス基板、Si基板などを使用することができる。
第一電極層2及び第二電極層4の構成材料として、公知の電極材料を使用することができる。具体的には、Al、Agなどの金属導電膜、ITO、IZOなどの透明導電膜、及び、それらの積層膜を使用することができる。
有機化合物層3の構成材料として、公知の電荷輸送材料(ホール注入・輸送材料、電子注入・輸送材料)及び発光材料を使用することができる。
ホール注入・輸送材料として、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、オキサゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポリフィリン誘導体及びポリ(ビニルカルバゾール)、ポリ(シリレン)、ポリ(チオフェン)、その他導電性高分子などを使用することができる。
電子注入・輸送材料として、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フルオレノン誘導体、アントロン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機金属錯体などを使用することができる。
発光材料として、蛍光材料や燐光材料を使用することができる。例えば、アルミキノリノール錯体、ベリリウムキノリノール錯体、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、アゾメチン金属錯体などを使用することができる。
尚、有機化合物層3は、発光層のみの単一の層で構成されてもよいし、発光層を含めた複数の層で構成されていてもよい。
フリット材層5、6は、微細粒子のペーストを使用することが好ましい。
微細粒子は、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ホウ素、酸化亜鉛、酸化テルル、酸化アルミニウム、二酸化シリコン、酸化チタン、酸化スズ、酸化リン、酸化ルテニウム、酸化鉄、酸化銅、酸化タングステン、ホウ珪酸ガラスなどからなる。
また、バインダーとしてセルロース系を使用し、エチルセルロース、ブチルセルロースなどが挙げられる。
また、フリット材層5,6は、レーザー光吸収剤を含む。レーザー光吸収剤としては、具体的には、鉄、マンガン、銅、バナジウムなど、及び、カーボンブラックなどを用いる。
封止基板9としては、ガラス基板等のレーザー光吸収の少ない、透過性の高い材質であれば使用することができる。
次に、本発明の製造方法を具体的に説明する。
有機発光素子を素子基板1上に形成するが、その形成方法は、公知の製造方法を利用することができる。
一方、封止基板9上に、表示領域の外周に沿う様にフリット材層5及び6を形成する。本例では、複数層のフリット材層5,6を、レーザー光透過率が順次減少するように積層する。即ち、フリット材層6のレーザー光透過率はフリット材層5のレーザー光透過率よりも大きい。更に、フリット材層5,6のレーザー光透過率は、レーザー光を照射する側の基板である封止基板9のレーザー光透過率よりも小さいことが好ましい。
フリット材層5及び6のレーザー光透過率は、レーザー光吸収剤の含有量を変えることにより調整することができる。レーザー光吸収剤の含有量を多くすると、レーザー光吸収率が大きくなり、レーザー光透過率が小さくなる。一方、レーザー光吸収剤の含有量を少なくすると、レーザー光吸収率が小さくなり、レーザー光透過率が大きくなる。
レーザー光吸収剤の含有量は特に限定されないが、フリット材層6のレーザー光吸収剤の含有量を10〜20重量%とし、波長800〜1100nmのレーザー光の透過率を50〜60%に調整し、フリット材層5のレーザー光吸収剤の含有量を30〜40重量%とし、波長800〜1100nmのレーザー光の透過率を0〜10%に調整することが好ましい。また、図2に示すように、フリット材層5,6,8の三層構成とする場合には、フリット材層8のレーザー光吸収剤の含有量を2〜5重量%とし、波長800〜1100nmのレーザー光の透過率を70〜80%に調整することが好ましい。
フリット材層5,6の形成方法は、塗布法、ディスペンサー法、スクリーン印刷法等の公知の方法で行うことができる。フリット材のペーストを用いた場合にはフリット材層5,6を形成した後、乾燥・焼成し、バインダーなどの有機物を分解除去する。
フリット材層5及び6の合計厚みは、好ましくは60μm〜200μmである。60μmより薄いと封止基板9の押圧による撓みから対向面の第二電極層4の剥れが起こる可能性がある。一方、200μmより厚いと所望製品の薄型化に逆行する可能性がある。尚、100μmより厚い場合は、図2に示すように、フリット材層5,6,8の三層構成とすることが好ましい。
尚、フリット材層5,6は、素子基板1上に形成しても良いし、レーザー光透過率が順次増加するように積層しても良い。
次に、素子基板1の有機発光素子形成面と、封止基板9とを対向配置する。
その後、荷重をかけながら、レーザー光透過率が高いフリット材層側、即ちフリット材層6側である封止基板9側からレーザーを照射し、フリット材層5及び6の全体を溶融して、素子基板1と、封止基板9とを封着する。レーザーパワー出力は、15〜60Wであることが好ましく、レーザー波長は、800〜1100nmであることが好ましい。
まず、本実施例で用いたフリット材は、低融点ガラスの微細粒子のペーストに、下表に示すレーザー光吸収剤を含有してレーザー光波長1064nmの透過率を調整したものを用いた。レーザー光波長1064nmの透過率の測定方法は、予めガラス基板上に、調整したフリット材を各々形成し、分光光度計にて計測した。
Figure 2010140848
<実施例1>
図1に示される有機発光装置10を、以下の方法により作製した。
素子基板1上に、第一電極層2と、有機化合物層3と、第二電極層4と、からなる有機発光素子を形成した。
具体的には、まず、素子基板1であるガラス基板上にスパッタ法によりAl膜とITO膜の積層膜を成膜し第一電極層2を形成した。このとき第一電極層2の膜厚はAl膜が200nm、ITO膜が20nmであった。次に、第一電極層2上に真空蒸着法により順次、ホール輸送層α‐NPD 30nm、発光層Balq 50nm、電子輸送層Bphen(バソフェナントロリン)10nm、電子注入層Bphen+CsCO3 60nmを成膜し有機化合物層3を形成した。このとき有機化合物層3の膜厚は150nmであった。次に、有機化合物層3上にスパッタ法によりITOを成膜し第二電極層4を形成した。このとき第二電極層4の膜厚は30nmであった。
一方、封止基板9であるガラス基板(波長1064nmのレーザー光透過率95%)上にフリット材3のペーストを1mm幅、50μmの厚さになるようにディスペンサーで塗布した。その上に、フリット材4のペーストを1mm幅、50μmの厚さになるようにディスペンサーで塗布して、フリット材層5及び6を積層形成した。その後、フリット材層5及び6を120℃で乾燥、300℃で焼成した。
次に、封止基板9と、素子基板1と、を貼合わせ、荷重98.07N(10kgf)をかけながら封止基板9側からフリット材層5及び6にレーザーを照射し、フリット材層5及び6の全体を溶融した。その時のレーザーパワー出力は、25W、レーザー波長1064nmである。
レーザー照射位置に近いフリット材層6からフリット材層5と素子基板1の接触部まで順に光加熱温度が400℃で維持され、素子基板1と封止基板9とが封着された。ひねりを与えてもフリット材層5,6間に剥がれが起こらず、また、光学顕微鏡により、素子基板1にクラック発生の無いことを確認した。
<実施例2>
封止基板9上にフリット材2のペーストを1mm幅、100μmの厚さになるようにディスペンサーで塗布した後、その上に、フリット材3のペーストを1mm幅、50μmの厚さになるようにディスペンサーで塗布した。その後、その上に、フリット材4のペーストを1mm幅、50μmの厚さになるようにディスペンサーで塗布して、フリット材層5、6及び8を積層形成した。その後、フリット材層5、6及び8を120℃で乾燥、300℃で焼成した。
この封止基板を用いた以外は実施例1と同様にして、図2に示される有機発光装置11を作製した。
レーザー照射位置に近いフリット材層8からフリット材層6を介しフリット材層5と素子基板1の接触部まで順に光加熱温度が400℃で維持され、素子基板1と封止基板9とが封着された。ひねりを与えても各フリット材層5,6、8間に剥がれが起こらず、また、光学顕微鏡により、素子基板1にクラック発生の無いことを確認した。
<比較例1>
フリット材4でフリット材層6を形成し、フリット材3でフリット材層5を形成した以外は実施例1と同様にして有機発光装置を作製した。
レーザー照射位置に近いフリット材層6の熱吸収によって熱損失が起こり、フリット材層5と素子基板1の接触部への光加熱が不十分であった。光学顕微鏡により、素子基板1にクラック発生の無いことを確認したが、ひねりにより容易に剥がれ、素子基板1とフリット材層5との封着は不十分であった。
<比較例2>
フリット材1でフリット材層6を形成した以外は実施例1と同様にして有機発光装置を作製した。
レーザー照射位置に近いフリット材層6を透過してフリット材層5に熱吸収が集中し、フリット材層5と接触する素子基板1にクラックが発生した。
本発明により製造した有機発光装置の一例を示す概略断面図である。 本発明により製造した有機発光装置の他の例を示す概略断面図である。
符号の説明
1 素子基板
2 第一電極層
3 有機化合物層
4 第二電極層
5,6,8 フリット材層
9 封止基板

Claims (3)

  1. 一対の電極間に有機化合物層を挟持した有機発光素子を設けた素子基板上、または、封止基板上にフリット材層を形成する工程と、レーザー光を照射することにより前記フリット材層を溶融し、前記素子基板と前記封止基板とを封着する工程と、を有する有機発光装置の製造方法であって、前記フリット材層を形成する工程が、レーザー光透過率が順次増加または減少するように、レーザー光吸収剤を含有する複数層のフリット材層を積層する工程であり、前記レーザー光を、レーザー光透過率が高いフリット材層側から照射することを特徴とする有機発光装置の製造方法。
  2. 前記フリット材層のレーザー光透過率が、前記レーザー光を照射する側の基板のレーザー光透過率よりも低いことを特徴とする請求項1に記載の有機発光装置の製造方法。
  3. 前記フリット材層を形成する工程が、前記封止基板上に、複数層のフリット材層をレーザー光透過率が順次減少するように積層する工程であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機発光装置の製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013239609A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Asahi Glass Co Ltd 気密部材とその製造方法
CN104801463A (zh) * 2015-05-05 2015-07-29 深圳市华星光电技术有限公司 点胶装置及点胶方法
CN106206960A (zh) * 2015-04-29 2016-12-07 上海和辉光电有限公司 一种封装结构及其制备方法
CN107342371A (zh) * 2017-08-25 2017-11-10 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置
WO2017212828A1 (ja) * 2016-06-10 2017-12-14 日本電気硝子株式会社 気密パッケージの製造方法及び気密パッケージ
KR101810052B1 (ko) 2010-10-27 2017-12-19 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 평판 표시 장치 제조 방법
CN108701730A (zh) * 2015-12-14 2018-10-23 牛津太阳能光电板有限公司 光伏组件封装

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101810052B1 (ko) 2010-10-27 2017-12-19 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 평판 표시 장치 제조 방법
JP2013239609A (ja) * 2012-05-16 2013-11-28 Asahi Glass Co Ltd 気密部材とその製造方法
CN106206960A (zh) * 2015-04-29 2016-12-07 上海和辉光电有限公司 一种封装结构及其制备方法
CN104801463A (zh) * 2015-05-05 2015-07-29 深圳市华星光电技术有限公司 点胶装置及点胶方法
CN108701730A (zh) * 2015-12-14 2018-10-23 牛津太阳能光电板有限公司 光伏组件封装
JPWO2017212828A1 (ja) * 2016-06-10 2019-04-04 日本電気硝子株式会社 気密パッケージの製造方法及び気密パッケージ
WO2017212828A1 (ja) * 2016-06-10 2017-12-14 日本電気硝子株式会社 気密パッケージの製造方法及び気密パッケージ
CN109075128A (zh) * 2016-06-10 2018-12-21 日本电气硝子株式会社 气密封装体的制造方法及气密封装体
KR20190017744A (ko) * 2016-06-10 2019-02-20 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 기밀 패키지의 제조 방법 및 기밀 패키지
US20190296194A1 (en) * 2016-06-10 2019-09-26 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Method for producing hermetic package, and hermetic package
KR102361856B1 (ko) * 2016-06-10 2022-02-11 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 기밀 패키지의 제조 방법 및 기밀 패키지
CN109075128B (zh) * 2016-06-10 2023-02-28 日本电气硝子株式会社 气密封装体的制造方法及气密封装体
CN107342371A (zh) * 2017-08-25 2017-11-10 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置

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