KR20110092582A - 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

유기 발광 장치 및 그 제조 방법에서, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 장치는 기판 본체와, 상기 기판 본체 상에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극 상에 형성된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층 위에 형성되며 금속으로 만들어진 커버 전극, 그리고 상기 커버 전극의 가장자리와 중첩되도록 상기 기판 본체 상에 형성되어 상기 유기 발광층의 측면을 커버하는 실런트를 포함한다.

Description

유기 발광 장치 및 그 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}
본 발명의 실시예는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기 발광 소자를 이용한 유기 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 장치는 유기 발광 소자가 방출하는 빛을 이용하는 표시 장치 또는 조명 장치룰 말한다. 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)는 유기 발광층 내부에서 전자와 정공이 결합하여 형성된 여기자(exciton)가 기저 상태로 떨어질 때 발생하는 에너지에 의해 빛을 발생시킨다.
유기 발광 장치는 수명 및 품질을 높이기 위해서 유기 발광층에 수분 또는 산소가 침투하는 것을 억제하여야 한다. 따라서, 유기 발광 장치는 글라스캔(glass can) 또는 메탈캔(metal can)과 같은 별도의 봉지 구조를 필요로 한다. 글라스에 홈을 파거나 메탈을 캔 형태로 만들어진 봉지 구조는 제조 공정이 복잡하고, 유기 발광 장치의 전체적인 생산성을 저하시키는 문제점이 있다.
본 발명의 실시예들은 간소한 구조를 가지고 유기 발광층에 수분 또는 산소가 침투하는 것을 억제한 유기 발광 장치를 제공한다.
또한, 상기한 유기 발광 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 유기 발광 장치는 기판 본체와, 상기 기판 본체 상에 형성된 투명 전극과, 상기 투명 전극 상에 형성된 유기 발광층과, 상기 유기 발광층 위에 형성되며 금속으로 만들어진 커버 전극, 그리고 상기 커버 전극의 가장자리와 중첩되도록 상기 기판 본체 상에 형성되어 상기 유기 발광층의 측면을 커버하는 실런트(sealant)를 포함한다.
상기 커버 전극은 상기 유기 발광층과 대향하는 면의 반대면에 형성된 산화피막을 포함할 수 있다.
상기 커버 전극은 150nm 내지 5000nm 범위 내의 두께를 가질 수 있다.
상기 커버 전극은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 및 마그네슘(Mg) 중 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
상기 투명 전극은 인듐 틴 옥사이드(ITO: Indium Tin Oxide), 인듐 징크 옥사이드(IZO: Indium Zinc Oxide), ZnO(산화아연), 및 인듐 옥사이드(In2O3) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 실런트는 무기 입자를 포함하는 프릿(frit)으로 만들어질 수 있다.
상기 무기 입자는 산화규소(SiO2), 산화바륨(BaO), 산화비스무트(Bi2O3), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화탄탈륨(Ta2O5), 및 산화아연(ZnO) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기한 유기 발광 장치에서, 상기 커버 전극은 복수의 금속막들을 포함할 수 있다.
상기 커버 전극의 복수의 금속막들은 서로 다른 금속으로 만들어질 수 있다.
상기 상기 복수의 금속막들 사이의 계면에는 산화피막이 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 유기 발광 장치 제조 방법은 기판 본체를 마련하는 단계와, 상기 기판 본체 상에 투명 전극을 형성하는 단계와, 상기 투명 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계와, 상기 유기 발광층 상에 금속막을 형성하고, 상기 금속막의 상기 유기 발광층과 대향하는 면에 반대면을 산화시켜 산화피막을 갖는 커버 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 유기 발광층의 측면을 커버하도록 상기 기판 본체 상에 실런트(sealant)를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 커버 전극은 150nm 내지 5000nm 범위 내의 두께를 가질 수 있다.
상기 커버 전극은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 및 마그네슘(Mg) 중 하나 이상의 금속을 포함할 수 있다.
상기 투명 전극은 인듐 틴 옥사이드(ITO: Indium Tin Oxide), 인듐 징크 옥사이드(IZO: Indium Zinc Oxide), ZnO(산화아연), 및 인듐 옥사이드(In2O3) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 커버 전극은 스퍼터링 방법을 통해 형성될 수 있다.
상기 커버 전극은 열증착 방법을 통해 형성될 수 있다.
상기 유기 발광층은 열증착 방법을 통해 형성될 수 있다.
상기 실런트를 형성하는 단계는 프릿(frit), 무기 입자, 유기 바인더, 및 용제가 혼합된 실링(sealing) 혼합물을 일부가 상기 커버 전극의 가장자리와 중첩되도록 상기 기판 본체 상에 도포하는 단계와, 상기 실링 혼합물에 열을 가하여 상기 유기 바인더 및 상기 용제가 제거되도록 건조시키는 단계와, 상기 건조된 실링 혼합물에 레이저빔을 1차 조사하여 잔존 상기 유기 바인더 및 상기 용제를 제거하는 단계, 그리고 상기 유기 바인더 및 상기 용제가 제거된 상기 실링 혼합물의 경화를 위해 레이저빔을 2차 조사하여 실런트를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 무기 입자는 산화규소(SiO2), 산화바륨(BaO), 산화비스무트(Bi2O3), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화탄탈륨(Ta2O5), 및 산화아연(ZnO) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기한 유기 발광 장치 제조 방법에서, 상기 커버 전극은 복수의 금속막들을 포함할 수 있다.
상기 커버 전극의 복수의 금속막들은 서로 다른 금속으로 만들어질 수 있다.
상기 상기 복수의 금속막들 사이의 계면에는 산화피막이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 유기 발광 장치는 간소한 구조를 가지고 유기 발광층에 수분 또는 산소가 침투하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상기한 유기 발광 장치를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 장치의 단면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 유기 발광 장치의 제조 과정을 순차적으로 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 장치의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 실험예와 비교예의 사용 시간 대비 휘도 비율을 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
또한, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다. 그리고 여러 실시예들에 있어서, 제1 실시예 이외의 실시예들에서는 제1 실시예와 다른 구성을 중심으로 설명한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 장치(101)를 설명한다. 여기서, 유기 발광 장치(101)는 유기 발광 표시 장치 또는 유기 발광 조명 장치를 말한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 장치(101)는 기판 본체(111), 투명 전극(10), 유기 발광층(20), 커버 전극(30), 및 실런트(sealant)(350)를 포함한다. 여기서, 투명 전극(10)은 유기 발광층(20)에 정공을 주입하는 애노드 전극이 된다. 그리고 커버 전극(30)이 전자를 주입하는 캐소드 전극이 된다.
기판 본체(111)는 유리, 석영, 및 세라믹 등으로 만들어진 투명한 절연성 기판으로 형성되거나, 플라스틱 등으로 만들어진 투명한 플렉서블(flexible) 기판으로 형성될 수 있다.
투명 전극(10)은 기판 본체(111) 상에 형성된다. 그리고 투명 전극(10)은 투명 도전막으로 형성된다. 투명 도전막은 인듐 틴 옥사이드(ITO: Indium Tin Oxide), 인듐 징크 옥사이드(IZO: Indium Zinc Oxide), ZnO(산화아연), 및 인듐 옥사이드(In2O3) 중 하나 이상을 포함하는 물질로 만들어진다. 이러한 투명 도전막은 상대적으로 높은 일함수를 갖는다. 따라서, 투명 도전막으로 형성된 투명 전극(10)은 정공 주입을 원활하게 수행할 수 있다. 또한, 투명 도전막으로 형성된 투명 전극(10)의 상대적으로 높은 비저항을 보완하기 위해, 유기 발광 장치(101)는 상대적으로 비저항이 낮은 금속으로 만들어진 보조 전극(미도시)을 더 포함할 수도 있다.
또한, 투명 전극(101)은 마이크로캐비티(microcavity) 효과를 이용해 빛의 이용 효율을 향상시키기 위해 반투과막(미도시)을 더 포함할 수도 있다.
유기 발광층(20)은 투명 전극(10) 상에 형성된다. 그리고 유기 발광층(10)은 발광층과, 정공 주입층(hole-injection layer, HIL), 정공 수송층(hole-transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron-transportiong layer, ETL), 및 전자 주입층(electron-injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 다중막으로 형성된다. 전술한 층들 중에 발광층을 제외한 나머지 층들은 필요에 따라 생략될 수 있다. 유기 발광층(20)이 전술한 모든 층들을 포함할 경우, 정공 주입층이 애노드 전극인 투명 전극(10) 상에 배치되고, 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층된다. 또한, 유기 발광층(20)은 필요에 따라 다른 층을 더 포함할 수도 있다.
이와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 장치(101)는 유기 발광층(20)에서 발생된 빛이 투명 전극(10) 및 기판 본체(111)를 통과해 외부로 방출되는 배면 발광형 구조를 갖는다.
커버 전극(30)은 유기 발광층(20) 상에 형성된다. 커버 전극(30)은 유기 발광층(20)에 전자를 공급하는 캐소드 전극의 역할과 함께 유기 발광층(20)에 수분 또는 산소의 침투를 억제하는 봉지 부재의 역할을 수행한다. 따라서, 커버 전극(30)은 비저항이 낮으면서도 수분 및 산소의 차단에 우수한 특성을 갖도록 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 및 마그네슘(Mg) 중 하나 이상을 포함하는 금속으로 형성된다.
또한, 커버 전극(30)은 150nm 내지 5000nm 범위 내의 두께를 갖는다. 커버 전극(30)이 150nm 보다 낮으면 비저항이 높아지고 안정적으로 수분 및 산소의 침투를 차단하기 힘들다. 반면, 커버 전극(30)이 5000nm 보다 두꺼우면, 불필요하게 유기 발광 장치(101)의 전체적인 두께가 두꺼워진다.
또한, 커버 전극(30)은 유기 발광층(20)과 대향하는 면의 반대면에 형성된 산화피막(302)을 갖는다. 산화피막(302)은 금속막 보다 상대적으로 단단한 성질을 갖는다. 따라서, 커버 전극(30)이 갖는 산화피막(302)은 커버 전극(30)을 외부로부터 절연시켜줄 뿐만 아니라 수분 또는 산소가 유기 발광층(20)으로 침투하는 것을 더욱 효과적으로 억제할 수 있게 한다.
실런트(350)는 커버 전극(30)의 가장자리와 중첩되도록 기판 본체(111) 상에 형성된다. 즉, 실런트(350)는 기판 본체(111)의 가장자리에서 커버 전극(30)의 가장자리에 걸쳐 형성된다. 따라서, 실런트(350)는 유기 발광층(20)의 측면을 커버한다. 즉, 실런트(350)는 유기 발광층(20)의 측면으로 수분 또는 산소가 침투하는 것을 방지한다.
실런트(350)는 무기 입자를 포함하는 프릿(frit)으로 만들어진다. 무기 입자는 산화규소(SiO2), 산화바륨(BaO), 산화비스무트(Bi2O3), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화탄탈륨(Ta2O5), 및 산화아연(ZnO) 중 하나 이상을 포함한다.
이와 같이, 프릿을 소재로 만들어진 실런트(350)는 수분 및 산소의 침투를 안정적으로 억제할 수 있다. 또한, 무기 입자는 레이저를 통해 프릿이 용이하게 경화될 수 있도록 돕는다.
또한, 도시하지는 않았으나, 유기 발광 장치(101)는 경우에 따라 특정 위치에서 커버 전극(30)과 투명 전극(10)을 서로 절연시키기 위한 절연막을 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 투명 전극(10)의 일부 또는 투명 전극(10)과 연결된 배선은 외부 신호를 입력 받기 위해 실런트(350)와 커버 전극(30)으로 밀폐된 공간 밖으로 연장될 수 있다. 이때, 유기 발광 장치(101)는 투명 전극(10)의 일부 또는 투명 전극(10)과 연결된 배선과 커버 전극(30) 사이에 배치된 절연막을 더 포함할 수도 있다.
이와 같은 구성에 의하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 장치(101)는 간소한 구조를 가지고 유기 발광층(20)에 수분 또는 산소가 침투하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 장치(101)는 별도의 봉지 부재 없이 캐소드 전극의 역할을 하는 커버 전극(30)과 실런트(350)를 통해 유기 발광층(20)에 수분 또는 산소가 침투하는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 커버 전극(30)이 갖는 산화피막(302)은 커버 전극(30)을 외부로부터 절연시켜줄 뿐만 아니라 유기 발광층(20)으로 수분 또는 산소가 침투하는 것을 더욱 효과적으로 억제할 수 있게 한다.
이하, 도 2 및 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 장치(101)의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 도 2에 도시한 바와 같이, 유리, 석영, 및 세라믹 등으로 만들어진 투명한 절연성 기판으로 형성되거나, 플라스틱 등으로 만들어진 투명한 플렉서블(flexible) 기판으로 형성된 기판 본체(111)를 마련한다.
다음, 기판 본체(111) 상에 투명 전극(10) 및 유기 발광층(20)을 차례로 형성한다. 이때, 유기 발광층(20)은 열증착(thermal evaporation) 방법으로 형성된다. 그리고 투명 전극(10)은 인듐 틴 옥사이드(ITO: Indium Tin Oxide), 인듐 징크 옥사이드(IZO: Indium Zinc Oxide), ZnO(산화아연), 및 인듐 옥사이드(In2O3) 중 하나 이상을 포함하는 물질로 만들어진다.
다음, 유기 발광층(20) 위에 커버 전극(30)을 형성한다. 커버 전극(30)은 유기 발광층(20) 상에 금속막을 형성하고, 금속막의 유기 발광층(20)과 대향하는 면에 반대면을 산화시켜 산화피막(302)(도 3에 도시)을 형성하는 단계를 거쳐 형성된다. 이때, 금속막은 스퍼터링(sputtering) 방법 또는 열증착 방법으로 형성될 수 있다. 금속막은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 및 마그네슘(Mg) 중 하나 이상을 포함한다.
또한, 커버 전극(30)은 150nm 내지 5000nm 범위 내의 두께로 형성된다.
한편, 커버 전극(30)을 열증착 방법을 통해 형성할 경우, 열증착 방법으로 형성되는 유기 발광층(20)과 상대적으로 연속성 있게 형성할 수 있다.
다음, 도 3에 도시한 바와 같이, 유기 발광층(20)의 측면을 커버하도록 기판 본체(111) 상에 실런트(350)를 형성한다.
실런트(350)는 형성하는 과정은 다음과 같다. 먼저, 프릿(frit), 무기 입자, 유기 바인더, 및 용제가 혼합된 실링(sealing) 혼합물을 일부가 커버 전극(30)의 가장자리와 중첩되도록 기판 본체(111) 상에 도포한다. 즉, 실링 혼합물을 기판 본체(111)의 가장자리부터 커버 전극(30)의 가장자리에 걸쳐 도포한다. 다음, 실링 혼합물에 열을 가하여 유기 바인더 및 용제가 제거되도록 건조시킨다. 그리고 건조된 실링 혼합물에 레이저빔(500)을 1차 조사하여 잔존 유기 바인더 및 용제를 제거한다. 그리고 유기 바인더 및 용제가 제거된 실링 혼합물을 경화시키기 위해 레이저빔(500)을 2차 조사하여 실런트(350)를 형성한다. 여기서, 무기 입자는 산화규소(SiO2), 산화바륨(BaO), 산화비스무트(Bi2O3), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화탄탈륨(Ta2O5), 및 산화아연(ZnO) 중 하나 이상을 포함한다. 무기 입자는 실런트(350)를 경화시키기 위해 레이저(500)가 조사될 때 레이저빔을 흡수하여 경화를 촉진한다. 이와 같이, 무기 입자를 함유한 프릿으로 만들어진 실런트(350)는 유기 발광층(20)의 측면으로 수분 또는 산소가 침투하는 것을 효과적으로 억제한다.
이와 같은 제조 방법에 의하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 장치(101)를 효과적으로 제조할 수 있다.
이하, 도 4를 참조하여 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 장치(102)를 설명한다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 장치(102)는 복수의 금속막들(41, 42)을 포함하는 커버 전극(40)을 갖는다. 또한, 복수의 금속막들(41, 42) 중 최상층, 즉 유기 발광층(20)과 가장 멀리 이격되고 외부에 노출된 금속막(42)은 유기 발광층(20)과 대향하는 면의 반대면에 형성된 산화피막(402)을 갖는다. 그리고 복수의 금속막들(41, 42)은 서로 다른 금속으로 만들어진다. 이에, 각 금속막들(41, 42)은 단점을 서로 보완할 수 있다. 따라서, 유기 발광 장치(102)는 더욱 안정적이고 효과적으로 유기 발광층(20)에 수분 또는 산소가 침투하는 것을 억제할 수 있다.
하지만, 본 발명의 제2 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 복수의 금속막들(41, 42)이 동일한 금속으로 형성될 수도 있다.
이와 같은 구성에 의하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 장치(102)는 간소한 구조를 가지고 유기 발광층(20)에 수분 또는 산소가 침투하는 것을 더욱 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 장치(102)의 제조 방법은 커버 전극(40)을 형성하기 위해 복수의 금속막들(41, 42)을 차례로 증착하는 공정을 포함하는 것을 제외하면 제1 실시예에 따른 유기 발광 장치(101)의 제조 방법과 동일하다.
이하, 도 5를 참조하여 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 장치(103)를 설명한다.
도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 장치(103)는 복수의 금속막들(51, 52)을 포함하는 커버 전극(50)을 가지며, 각 금속막들(51, 52) 사이의 계면에 산화피막(501)이 형성된다. 또한, 복수의 금속막들(51, 52) 중 최상층, 즉 유기 발광층(20)과 가장 멀리 이격되고 외부에 노출된 금속막(52)은 유기 발광층(20)과 대향하는 면의 반대면에 형성된 산화피막(502)을 갖는다. 산화피막(501, 502)은 금속막(51, 52) 보다 상대적으로 단단한 성질을 갖는다.
이와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 장치(103)는 커버 전극(50)이 복수의 산화피막들(501, 502)을 가지므로, 유기 발광층(20)에 수분 또는 산소가 침투하는 것을 더욱 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 유기 발광 장치(103)의 제조 방법은 커버 전극(50)을 형성하기 위해 복수의 금속막들(51, 52)과 산화피막들(501, 502)을 차례로 형성하는 공정을 포함하는 것을 제외하면 제1 실시예에 따른 유기 발광 장치(103)의 제조 방법과 동일하다.
이하, 도 6을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 실험예와 비교예를 살펴본다. 실험예는 본 발명의 제1 실시예에 따른, 도 1의 커버 전극(30)을 가지고 있다. 구체적으로, 실험예의 커버 전극(30)은 300nm의 두께를 갖는다. 반면, 비교예는 100nm의 두께를 갖는 커버 전극(30)을 갖는다.
도 6에서 휘도 비율은 유기 발광 장치(101)의 최초 작동시 휘도 대비 사용 시간에 따라 저하된 상태의 휘도의 비율을 나타낸다.
도 6에서 나타난 바와 같이, 실험예의 경우 700시간 이상에서도 휘보 비율이 50% 이상을 나타냄을 알 수 있다. 반면, 비교예의 경우 대략 500시간에서 휘도 비율이 50% 이하로 떨어짐을 알 수 있다. 이는 유기 발광층(20)에 수분 또는 산소가 침투하여 유기 발광층(20)의 내구성이 저하되었기 때문이다.
따라서, 본 실험을 통하여, 캐소드 전극인 커버 전극(30)이 150nm 이상의 두께를 가지면, 별도의 봉지 부재 없이 커버 전극(30)만으로도 적정한 사용 시간 동안 일정한 수준 이상의 휘도 비율을 유지할 수 있음을 알 수 있다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
101: 유기 발광 장치 10: 투명 전극
20: 유기 발광층 30: 커버 전극
111: 기판 본체 302: 산화피막
350: 실런트

Claims (22)

  1. 기판 본체;
    상기 기판 본체 상에 형성된 투명 전극;
    상기 투명 전극 상에 형성된 유기 발광층;
    상기 유기 발광층 위에 형성되며 금속으로 만들어진 커버 전극; 그리고
    상기 커버 전극의 가장자리와 중첩되도록 상기 기판 본체 상에 형성되어 상기 유기 발광층의 측면을 커버하는 실런트(sealant)
    를 포함하는 유기 발광 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 커버 전극은 상기 유기 발광층과 대향하는 면의 반대면에 형성된 산화피막을 포함하는 유기 발광 장치.
  3. 제2항에서,
    상기 커버 전극은 150nm 내지 5000nm 범위 내의 두께를 갖는 유기 발광 장치.
  4. 제2항에서,
    상기 커버 전극은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 및 마그네슘(Mg) 중 하나 이상의 금속을 포함하는 유기 발광 장치.
  5. 제2항에서,
    상기 투명 전극은 인듐 틴 옥사이드(ITO: Indium Tin Oxide), 인듐 징크 옥사이드(IZO: Indium Zinc Oxide), ZnO(산화아연), 및 인듐 옥사이드(In2O3) 중 하나 이상을 포함하는 유기 발광 장치.
  6. 제2항에서,
    상기 실런트는 무기 입자를 포함하는 프릿(frit)으로 만들어진 유기 발광 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 무기 입자는 산화규소(SiO2), 산화바륨(BaO), 산화비스무트(Bi2O3), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화탄탈륨(Ta2O5), 및 산화아연(ZnO) 중 하나 이상을 포함하는 유기 발광 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에서,
    상기 커버 전극은 복수의 금속막들을 포함하는 유기 발광 장치.
  9. 제8항에서,
    상기 커버 전극의 복수의 금속막들은 서로 다른 금속으로 만들어진 유기 발광 장치.
  10. 제8항에서,
    상기 상기 복수의 금속막들 사이의 계면에는 산화피막이 형성된 유기 발광 장치.
  11. 기판 본체를 마련하는 단계;
    상기 기판 본체 상에 투명 전극을 형성하는 단계;
    상기 투명 전극 상에 유기 발광층을 형성하는 단계;
    상기 유기 발광층 상에 금속막을 형성하고, 상기 금속막의 상기 유기 발광층과 대향하는 면에 반대면을 산화시켜 산화피막을 갖는 커버 전극을 형성하는 단계; 그리고
    상기 유기 발광층의 측면을 커버하도록 상기 기판 본체 상에 실런트(sealant)를 형성하는 단계
    를 포함하는 유기 발광 장치 제조 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 커버 전극은 150nm 내지 5000nm 범위 내의 두께를 갖는 유기 발광 장치 제조 방법.
  13. 제11항에서,
    상기 커버 전극은 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 및 마그네슘(Mg) 중 하나 이상의 금속을 포함하는 유기 발광 장치 제조 방법.
  14. 제11항에서,
    상기 투명 전극은 인듐 틴 옥사이드(ITO: Indium Tin Oxide), 인듐 징크 옥사이드(IZO: Indium Zinc Oxide), ZnO(산화아연), 및 인듐 옥사이드(In2O3) 중 하나 이상을 포함하는 유기 발광 장치 제조 방법.
  15. 제11항에서,
    상기 커버 전극은 스퍼터링 방법을 통해 형성되는 유기 발광 장치 제조 방법.
  16. 제11항에서,
    상기 커버 전극은 열증착 방법을 통해 형성되는 유기 발광 장치 제조 방법.
  17. 제16항에서,
    상기 유기 발광층은 열증착 방법을 통해 형성되는 유기 발광 장치 제조 방법.
  18. 제11항에서,
    상기 실런트를 형성하는 단계는,
    프릿(frit), 무기 입자, 유기 바인더, 및 용제가 혼합된 실링(sealing) 혼합물을 일부가 상기 커버 전극의 가장자리와 중첩되도록 상기 기판 본체 상에 도포하는 단계;
    상기 실링 혼합물에 열을 가하여 상기 유기 바인더 및 상기 용제가 제거되도록 건조시키는 단계;
    상기 건조된 실링 혼합물에 레이저빔을 1차 조사하여 잔존 상기 유기 바인더 및 상기 용제를 제거하는 단계; 그리고
    상기 유기 바인더 및 상기 용제가 제거된 상기 실링 혼합물의 경화를 위해 레이저빔을 2차 조사하여 실런트를 형성하는 단계
    를 포함하는 유기 발광 장치 제조 방법.
  19. 제18항에서,
    상기 무기 입자는 산화규소(SiO2), 산화바륨(BaO), 산화비스무트(Bi2O3), 산화알루미늄(Al2O3), 산화티타늄(TiO2), 산화탄탈륨(Ta2O5), 및 산화아연(ZnO) 중 하나 이상을 포함하는 유기 발광 장치 제조 방법.
  20. 제11항 내지 제19항 중 어느 한 항에서,
    상기 커버 전극은 복수의 금속막들을 포함하는 유기 발광 장치 제조 방법.
  21. 제20항에서,
    상기 커버 전극의 복수의 금속막들은 서로 다른 금속으로 만들어진 유기 발광 장치 제조 방법.
  22. 제20항에서,
    상기 상기 복수의 금속막들 사이의 계면에는 산화피막이 형성된 유기 발광 장치 제조 방법.
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